CN103782366A - 涂敷电子设备和相关方法 - Google Patents

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CN103782366A CN201280030224.6A CN201280030224A CN103782366A CN 103782366 A CN103782366 A CN 103782366A CN 201280030224 A CN201280030224 A CN 201280030224A CN 103782366 A CN103782366 A CN 103782366A
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安东尼·范兰德赫姆
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Abstract

本发明公开提供一种电子设备和相关方法，其中所述设备具有一种具有低毒性的聚合物涂层。通过将所述电子设备暴露于比如连续等离子体的等离子体而形成所述聚合物涂层，所述等离子体包含化合物CH2=C(R1)-COO-R2，其中R1包括-H或-CH3;并且其中R2包括-(CH2)2-(CF2)m-CF3，以及m是3或5。

Description

涂敷电子设备和相关方法
背景技术
电子设备实质上是导电材料且电绝缘材料的三维结构。电子设备不仅包括装备，而且包括子组件、裸露的和组装的印刷电路板（PCB）、以及比如集成电路和晶体管的单独部件。所述结构的导电部分通常由比如铜、铝、银、金、导电聚合物、半导体材料等的金属组成。这些结构的非导电部分或者绝缘体通常由比如聚酰亚胺、聚四氟乙烯、硅树脂或者聚酰胺的聚合物组成，该聚合物具有或者不具有玻璃纤维增强材料、基于纸的材料、陶瓷、玻璃等。
组装的电子设备在其寿命的整个过程中遭受多种形式沾污。某些材料的导电性可能由于大气腐蚀而降低，并且污染会导致在相邻迹线或导体之间建立导电路径。此外，电子设备可能经常无意地被浸没在比如水的各种液体中，经常毁坏电子设备的功能。由于电子设备正日益应用于越来越不友好和受污染的环境中，保护这些物件在暴露于所述环境中时不损坏的需求变得更大。
发明内容
相应地，已经认识到存在对这样的涂敷电子设备和方法的需求，所述涂敷电子设备和方法允许保护电子设备免受水或其它湿气暴露、污染物和/或其它沾污的影响。这样，本发明公开提供一种具有低毒性聚合物涂层的电子设备。所述聚合物涂层可以为电子设备提供针对上述要素的保护，并且以对于用户和环境是安全的方式来提供所述保护。
通过将电子设备暴露于比如连续等离子体的等离子体可以形成所述聚合物涂层，所述等离子体是具有下述结构的单体蒸汽的等离子体：
CH2=C(R1)-COO-R2
其中R1包括-H或-CH3；并且其中R2包括-(CH2)2-(CF2)m-CF3，以及m是3或5。这样，聚合涂层可以包含一种选自由下述组成的群组的化合物：
Figure BDA0000441692070000021
以及它们的混合物，其中n是2至100000。
此外，一种使用低毒性聚合物涂层用于保护电子设备免受污染和/或沾污（包括暴露于水或其它湿气）的方法可以包含：将电子设备放置在等离子体室中；在等离子体室中形成比如连续等离子体的等离子体；蒸发包含CH2=C(R1)-COOR-R2的化合物，其中R1为-H或-CH3，并且其中R2包括-(CH2)2-(CF2)m-CF3，以及m是3或5；以及使所蒸发的化合物与所述等离子体室中的等离子体混合。由于电子设备在该室中，所蒸发的化合物可以在电子设备的表面聚合，从而在电子设备的表面上形成聚合物涂层。
本发明的附加特征和优点通过结合附图进行的下述详细说明将是显而易见的，所述附图一起通过示例方式来说明本发明的各特征。
附图说明
图1是依据本发明公开的实例的涂敷装置的示意图；以及
图2是依据本发明公开的一实例的方法的流程图。
具体实施方式
现参照在附图种说明的示范性实施例，并且将使用特定语言来描述所述示范性实施例。然而将理解，本发明的范围不旨在限于所述示范性实施例。(相关领域以及获悉本公开内容的技术人员将想到的)此处说明的本发明特征的变更和另外改动以及此处说明的本发明原理的其它应用被认为是在本发明范围之内。
注意，如说明书和所附权利要求中所使用，那些单数形式“一("a"或"an")”以及“该("the")”包括复数个指代物，除非上下文另外清楚地指示。
如此处使用，“疏油性”是指在本发明公开申请之日，由国际标准组织根据ISO14419:2010测量的不溶于油的分子或化合物的物理属性。
如此处使用，“低毒性”是指具有低于0.2个十亿分之一(ppb)水平的全氟辛烷磺酸（PFOS)以及低于0.4个十亿分之一(ppb)水平的全氟辛酸（PFOA)，除非另有说明。
如此处使用，“不含PFOS和PFOA”是指PFOS和PFOA低于可检测极限的物质或聚合物涂层。“基本上不含PFOS和PFOA”是指物质或聚合物涂层具有低PFOS水平和/或低PFOA水平，使得该涂层将被认为具有“低毒性”。
如此处使用，“电子设备”是指任何具有由终端用户或消费者使用的电子部件的设备。“电子设备”并不意味着用来组建电子设备的单一电子部件本身，比如在组装进电子设备之前的电路和电路板等等。相反，电子设备包含组装在一起以形成最终消费品（带有或不带有电池）的单一部件，所述消费品为比如包括其电池的手机、个人数字助理（PDA）、计算机、平板计算机、音乐播放器、照相机、录像机、电子阅读器、无线电机设备和游戏机。
如此处使用，“电子部件”是指在电子设备中以与电子设备的预期功能相一致的期望方式来影响电子或它们相关场的任何物理实体。
如此处使用，术语“大约”被用于通过指定值可以比端点“略高”或“略低”而为数值范围端点提供灵活性。该术语的灵活性程度可以由特定变量来控制，并且将在本领域技术人员知识范围之内基于经验和此处的相关说明来决定。
如此处使用，术语“基本上”或者“基本上的”是指动作、特性、属性、状态、结构、项目或结果的完成或者接近完成的范围或程度。例如，物体“基本上”封闭意味着此物体要么完全封闭要么几乎完全封闭。具体可允许的与绝对完整性偏差的程度在某些情况下可依具体上下文而定。然而，一般而言，接近完成从而将具有与绝对和全部完成被获得相同的总体结果。
此处以范围格式表述或给出浓度、数量及其他数值数据。将理解，所述范围格式仅仅是为了方便和简洁，并且因此应被灵活地理解为不仅包括被明确地列举为该范围的极限的数值，而且包括涵盖在该范围之内的所有单个数值或子范围，就如同各数值和子范围被明确地列举。举一例说明，数值范围“大约10至大约50”应该理解为不仅包括在大约10至大约50的明确列举的值，而且包括所指范围内的单个值和子范围。因此，在该数值范围内包括比如20、30和40的单个值以及比如10-30、20-40和30-50的子范围等。此原则同样适用于只例举单一数值的范围。而且，不管所描述的范围或特征的宽度如何，这样的解释都适用。
已经发现，比如共形纳米涂层的一些涂层可以被使用在电子设备上，为这种设备提供保护以防止污染物和沾污(包括水或湿气或其它液体沾污)。还发现，这些涂层可以按这样的方式被应用，所述方式对最终用户是安全和有效的并且通常也是环境友好的。所述共形涂层可以在设备和环境之间提供有效屏障，并且所述涂层也可以是电绝缘的。所述涂层典型地将防止物理沾污，该物理沾污例如可能造成跨过结构或设施的非导电部分的导电生长，该导电生长会适时地导致包含例如短路的电缺陷。其他沾污实例为：在某些条件下在表面各处生长的枝晶，以及穿过部件引脚之间的空气生长的“晶须”。涂层还可以提供保护，使得金属在空气中不氧化或者在其他环境气体中不腐蚀。所述涂层可以保护的其他期望条件包括高湿度、高温和高污染(包括灰尘、盐、酸、溶剂等)。而且，本发明公开的涂层也可以保护对抗无意浸没到水或者接触水，比如，掉落到水体中，暴露于雨水等。
传统的共形涂层通常提供涂层，该涂层的厚度为微米量级，并且通常在修理或者更换零件之前被除去。相比之下，利用环境友好的材料通过等离子体工艺制成的共形纳米涂层可以提供优于这些***的优势。本发明公开提供一种等离子体聚合工艺，其中薄聚合物薄膜可以沉积在与有机单体的等离子体接触的任何表面，所述有机单体的等离子体可以在等离子体室中形成。取决于沉积条件或等离子体参数(包括功率、压强、温度、流等)，膜的属性可以被调适到电子设备的应用的要求。
鉴于这一点，一种电子设备可以具有应用于其的聚合物涂层，其中所述涂层具有低毒性。所述聚合物涂层可以通过将电子设备暴露于等离子体中形成，该等离子体比如为包括本文中所描述单体的连续等离子体。通常对于本发明电子设备而言，共形纳米涂层可以通过例如低于大约1000mToor的低压等离子体工艺被应用。涂层的典型层厚度可以为5nm至500nm。在一方面，该涂层可以为25nm至250nm。特别地，这种涂层显著薄于由其它工艺应用的共形涂层。本发明共形纳米涂层可以提供均匀涂层，并且对于涂敷电子设备尤其有用，因为厚度可以允许在电子设备的表面处在小约束内的渗透和覆盖，由此在许多境况中防止水、湿气或者其他沾污进入其中。
通常，可以在真空等离子体室中使用等离子体工艺，其中用于控制等离子体工艺的参数包括功率、压强、温度、单体类型、流、等离子体发生器的频率以及工艺时间。等离子体发生器的频率可以在kHz、MHz和GHz范围内。通常，该等离子体频率是连续的。在一个实施例中，频率的范围可以是大约20kHz至大约2.45GHz。在又一方面，频率可以是大约40KHz至大约20MHz。在又一方面，频率可以是大约12KHz至大约15MHz。在又一方面，频率可以是大约13.5至13.6MHz，例如是13.6MHz。
通常该等离子体工艺的压强可以是大约10mTorr至大约1000mTorr。在又一方面，压强可以是大约10mTorr至大约100mTorr。在又一方面，压强可以是大约大约20mTorr至大约60mTorr。
等离子体工艺中使用的功率在某种程度上可能取决于所使用的单体。在一个实施例中，功率可以是大约5W至大约5000W。在又一方面，功率可以是大约每cm2电极0.017W/至大约0.023W。通常，如果单体较大和/或不稳定，它可能太容易被高功率分解，并且低功率可能更适合用于等离子体工艺中。
通常，等离子体可以在任何这样的温度形成，所述温度允许等离子体与单体的反应性但是不破坏单体。在一个实施例中，可以在大约5℃至大约200℃的温度形成等离子体。在一个方面，温度可以是大约20℃至大约100℃。除了等离子体的温度之外，等离子体室的壁可以被控制，使得单体不凝结在壁上。这种控制可以包括将壁加热至特定温度。在一个实施例中，室的壁可具有大约20℃至大约200℃的温度。在又一方面，温度可以为大约40℃至大约50℃。进一步，单体可以被加热至特定温度，以允许在单体在被诱发进入等离子体室之前或在单体进入等离子体室时蒸发成气态。在一个实施例中，单体的温度可以为120℃至大约200℃。在又一方面，温度可以为大约140℃至大约150℃。这些温度可以在蒸发为蒸汽状态或者甚至气态之前应用到液态中的单体。除了温度之外，可以理解压强也可以用于在液体单体与等离子体接触之前或接触过程中将液体单体转化为气态。另外，依据本发明公开使用的单体通常可以是气态，或者如本文所概述，可以通过利用温度和/或压强成为气态。
所述单体可以包含具有下述结构的化合物：
CH2=C(R1)-COO-R2
其中R1包括-H或-CH3；并且其中R2包括-(CH2)2-(CF2)m-CF3，以及m为3或5。
与更长的氟化单体相比，所述单体以及所得到的本发明公开的涂层通常对人类和环境更友好（比如毒性更低）。此外，在一个实施例中，这种低毒性可以包括具有低于0.2个十亿分之一(ppb)的全氟辛烷磺酸(PFOS)水平以及低于0.4个十亿分之一(ppb)的全氟辛酸（PFOA）水平。在又一实施例中，PFOS水平可以低于0.1个十亿分之一(ppb)且PFOA水平低于0.2个十亿分之一(ppb)。在再一实施例中，所述水平可以足够低，使得它们无法被检测到或者不存在，比如不含有PFOS和PFOA，其被定义为包括不含有它们的前驱体和/或相关的较高的同系物（具有1-100的碳和/或氟）。
本文所描述的涂层能够提供至少为5的疏油性水平。在一个方面，疏油性水平可以至少为6。此外，所述涂层能够提供至少100°的水接触角。在一个方面，所述涂层能够提供至少110°的水接触角。涂层的这种特性能够帮助保护对抗污染物和/或沾污(包括水或湿气沾污)。在一个实施例中，涂层可以保护对抗液体损害。在又一方面，沾污或者液体损害可以是水。
如本文中论述的，所述涂层可以应用于任何电子设备。在一个实施例中，电子设备可以包括手机、个人数字助理(PDA)、音乐播放器、照相机、录影机、计算机、平板计算机、电池、电子阅读器、收音机设备和游戏机。在一个特定方面，所述电子设备可以是手机。
现在转到图1，涂敷装置100可以包括等离子体室102，其包含电极104和托盘106，该托盘用来容纳各种电子设备，例如手机114a、电池114b、平板计算机114c、照相机114d等。等离子体室可以具有连接其的用于控制等离子体室内部压强的真空泵108。电极可以连接到电源118用于控制功率。单体可以以气体、蒸汽或者液体形式存在于罐(canister)110中。单体然后可以通过控制机制112被引入等离子体室中。在一个实施例中，所述控制机制可以是控制阀。控制机制通常控制单体流入等离子体室。在一个特定实施例中，对于体积为大约450升至大约550升并且泵流量为大约500m3/h的等离子体室，流速可以为大约30标准立方厘米每分钟（sccm）至50sccm，不过这个可以改变以得到改良结果，本领域技术人员在考虑本发明公开后将显见这一点。如也在本文中所讨论的，单体也可以利用位于罐的加热单元116a来加热，附加的加热可以发生在等离子体室116b。用于加热的特定设备可以是本领域中已知的任何加热设备，它在实践本发明公开的原理时对于提供本文中所描述的加热参数起到功能作用。
等离子体室通常定义足以容纳供涂敷的电子设备的空间体积。在一个实施例中，等离子室的体积可以为大约0.1ft3至大约50ft3。在又一方面，体积可以为大约大约15ft3至大约20ft3。尽管图1的等离子体室提供了具有彼此紧邻的电极的多个托盘，其他配置也被认为是在本发明保护范围之内。例如，等离子体室可以包含单一托盘用于放置具有用于产生等离子体的单一电极的电子设备，其中电极和托盘之间基本上分隔开。可以理解，等离子体可以被产生从而部分填充等离子体室或者可以填充等离子体室的整个体积或者基本上整个体积。此外，电极可以按可变配置来定向，使得等离子体可以在期望的区域或体积上产生。图1提供了若干托盘，每个托盘具有能够产生足以涵盖每个托盘的内容物的等离子体的电极；然而，如以上所讨论，其它配置在此处也被考虑到。
现在转向图2，一种使用具有低毒性的聚合物涂层来保护电子设备免受污染和/或沾污的方法200，包含：将电子设备放置202在等离子体室中；在等离子体室中形成204连续的离子体；蒸发206具有以下结构的化合物：
CH2=C(R1)-COO-R2
其中R1包括-H或-CH3；其中R2包括-(CH2)2-(CF2)m-CF3，以及m为3或5；以及使蒸发的化合物与等离子体室中的等离子体接触208，其中，蒸发的化合物在电子设备的表面上聚合，由此形成聚合物涂层。此外，在一个实施例中，该方法可以进一步包括降低等离子体室的压强。另外，该方法可以包括在涂敷该设备之前打开该设备（所述电子设备可以被组装、部分组装或拆开）。
通常，蒸发的化合物在电子设备的表面上聚合，由此形成聚合物涂层。在一个实施例中，聚合物涂层可以有以下结构：
Figure BDA0000441692070000101
Figure BDA0000441692070000102
以及其混合物，其中n是2至100000。
本发明涂层可以根据工艺参数以变化的速率沉积在电子设备上。在一个实施例中，聚合物以大约25nm至75nm每分钟的速率形成，或者在一个更特定实施例中，以大约50nm每分钟的速率形成。尽管本发明涂层可以用于任何电子设备，在一个实施例中，电子设备可以是具有电池的手机或其它电子设备，并且在将手机放入等离子体室之前，电池可以与手机或其它设备分离。而且，许多手机和其他设备具有隐藏在电池下方或其它位置以供制造商判定电子设备是否受水损坏的水损坏感器（通常用于保修目的）。依据本发明公开的各实施例，水损坏传感器也可以用聚合物涂敷，使得现在有可能与水接触而不激活传感器。
本方法可以进一步包括，在使蒸发的化合物与等离子体接触之前，清洁和/或蚀刻所述电子设备。这种蚀刻或者清洁可以在涂层和电子设备的部件部分之间提供良好粘合。在电子设备的整个寿命过程中，这种粘合可以帮助维持涂层的完整性。通常蚀刻或者清洁从电子设备的表面移除有机材料。对于具有观察窗口的电子设备，比如手机，蚀刻表面会是不期望的；然而，当涂敷这种设备时，清洁表面会是非常合适的。尽管清洁通常涉及从电子设备外表面和内表面除去有机材料和其它沾污物，蚀刻可以包括电子设备的表面的部分除去或粗糙化。
本发明低压等离子体工艺可以尤其适合于电子设备，因为包括气态单体的反应气体可以渗透到三维结构的开口内。这种工艺不同于受表面张力限制的液体共形涂层。此外，与传统液体工艺相比，本发明工艺还是一种干燥的工艺。
用于等离子体清洁或蚀刻的典型气体包括O2、N2、CF4、Ar、He及其混合物。本发明清洁或蚀刻步骤可以在将电子设备放入等离子体室之前进行，或者可以在涂敷电子设备之前在等离子体室中进行。在一个方面，所述清洁或蚀刻可以在涂敷电子设备之前在等离子体室中进行，从而允许更有效且经济的工艺。如所提及，在许多例子中，为了维持电子设备的外表，清洁比蚀刻更适合，但是在一些受限制的例子中，蚀刻可能仍是适合的。
本发明方法可以进一步包括：在使蒸发的化合物与等离子体室中的等离子体接触之前，激活电子设备的表面。这种激活可以改善涂层和电子设备的表面之间的结合。激活通常包括在电子设备（外和内）表面上形成化学基团，所述化学基团可以提高所述表面对涂层的亲和力。用于激活的典型气体包括O2、N2、N2O、NH3、H2、CH4、CF4、Ar、He及其混合物。本发明激活步骤可以在将电子设备放入等离子体室之前进行，或者可以在涂敷电子设备之前在等离子体室中进行。在一个方面，所述激活可以在涂敷电子设备之前在等离子体室中进行，从而允许更有效且经济的工艺。
本发明方法可以进一步包括在将蒸发的化合物引入等离子体室之前对电子设备除气。除气可以除去所捕获的气体或液体，从而允许涂层和电子设备的表面之间改进的结合。这种除气可以允许单体和反应气体渗入电子设备中，或者至少进入电子设备的表面的开口中（当浸没或暴露在水或湿气中时，所述开口也容易出现泄漏）。除气可以在单独步骤中进行，或者可以在一系列除气循环中进行。如本文所论述，真空吸尘器可以在涂敷工艺期间用于降低等离子体室内的压强。真空吸尘器也可以在除气步骤中使用。这样，本发明除气步骤可以在将电子设备放入等离子体室之前进行，或者可以在涂敷电子设备之前在等离子体室中进行。在一个方面，除气可以在涂敷电子设备之前在等离子体室中进行，从而允许更有效且经济的工艺。
本发明清洁、蚀刻、激活和/或除气步骤可以单独地通过适当选择工艺参数以及通过利用适当材料来完成，或者通过其组合来完成。此外，加热可以适当地与这些步骤结合使用。
如本文所论述，蒸发单体化合物可以发生在等离子体室中，或者可以发生在等离子体室外面。通常本文中所列举的步骤不限于所给出的顺序，而是可以组合或重新排序，除非另有说明。例如，电子设备可以放置于等离子体室中，电子设备在该等离子体室中经历清洁步骤、蚀刻步骤、激活步骤和/或除气步骤，或者可以放置于等离子体室中接着进行清洁/蚀刻/除气步骤。
将理解，上述提及的布置只是说明本发明原理的应用。可以设计许多改进和可替换布置而不脱离本发明的精神和范围。尽管本发明已在图中示出并且在上文结合当前被认为本发明的最实用和优选的实施例而具体和详细地进行全面描述，但是本领域普通技术人员显见，可以进行许多改进而不脱离此处阐述的本发明的原理和构思。
实例
以下实例说明当前已知的本发明设备和方法的许多变型。然而将理解成，下文仅仅例示和说明本发明公开的原理的应用。本领域技术人员可以设计许多改进和可替换设备和/或方法，而不脱离本发明公开的精神和范围。所附权利要求旨在涵盖这种改进和布置。因此，尽管本发明电子设备和方法已经在上文结合细节予以描述，下述实例提供当前被视为可接受的进一步细节。
实例1-手机的共形纳米涂层
手机与它的电池是分离，且两者都被放置在等离子体室内的托盘中，该等离子体室的尺寸是700mmx730mmx960mm。等离子体室的温度壁被加热至40-50℃。在被引入等离子体室之前，罐中的单体的温度保持在150℃。蚀刻气体Ar循环经过等离子体室，接着是大约10分钟的除气周期。面积为3416cm2的电极被供电至75W，产生大约13.56MHz的连续频率。在引入单体之前，所述等离子体室压强降低至20-50mTorr。单体具有以下结构：CH2=C(R1)-COO-R2，其中R1是-CH3，并且其中R2是-(CH2)2-(CF2)m-CF3，m是5，该单体被蒸发且以50sccm的速率被引入等离子体室。手机和电池被处理大约2分钟，得到厚度为大约100nm的均匀聚合物涂层。所述电池再次***手机中，确保两者之间的电接触被建立。结果得到比处理之前更能防水的手机和电池组合。再者，隐藏在电池下方的水损坏传感器也被涂敷，使得现在有可能接触水而不激活传感器。
实例2-平板计算机的共形纳米涂层
平板计算机被打开并且放置在等离子体室内的托盘中，等离子体室尺寸是700mmx730x960mm。等离子体室的温度壁被加热至40-50℃。在引入到等离子体室之前，罐中的单体的温度保持在150℃。蚀刻气体Ar循环经过等离子体室，接着是大约10分钟的除气周期。面积为3416cm2的电极被供电至75W，产生大约13.56MHz的连续频率。在引入单体之前，所述等离子体室压强降低至20-50mTorr。单体具有以下结构：CH2=C(R1)-COO-R2，其中R1是-CH3且R2是-(CH2)2-(CF2)m-CF3，m是5，该单体被蒸发且以50sccm的速率被引入等离子体室。平板计算机被处理大约4分钟结果，得到厚度大约为200nm的均匀聚合物涂层。结果得到比处理之前更能防水的平板计算机。

Claims (37)

1.一种涂敷电子设备的表面的方法，包含：
将电子设备的表面暴露于等离子体，所述等离子体包含具有下述化学式的化合物：
CH2=C(R1)-COO-R2
其中R1包括-H或者-CH3，R2包括-(CH2)2-(CF2)m-CF3，且m是3或5，从而在该表面上形成聚合物涂层，该聚合物涂层具有至少为5的疏油性水平。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物涂层具有5或6的疏油性水平。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物涂层具有低毒性，全氟辛烷磺酸(PFOS)水平低于0.1个十亿分之一(ppb)且全氟辛酸(PFOA)水平低于0.2个十亿分之一(ppb)。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物涂层包含选自由下述组成的群组的聚合物：
Figure FDA0000441692060000011
Figure FDA0000441692060000021
以及其混合物，其中n是2至100000。
5.如权利要求1所述的方法，进一步包含：在将电子设备的表面暴露于包含该化合物的等离子体之前，以大约30cm3/min至大约50cm3/min的流速在等离子体室中引入所述化合物。
6.如权利要求1所述的方法，其中等离子体是低于1000mTorr的低压等离子体。
7.如权利要求1所述的方法，其中在将表面暴露于等离子体之前，该设备的至少一部分被打开。
8.如权利要求1所述的方法，进一步包含：在将表面暴露于等离子体之前，清洁、蚀刻或者激活该电子设备。
9.如权利要求1所述的方法，进一步包含：在将表面暴露于等离子体之前，对该电子设备除气。
10.如权利要求1所述的方法，其中在大约10mTorr至大约1000mTorr的压强，在大约5℃至大约200℃的温度，以及在大约20kHz至大约2.45GHz的频率，并且在大约5W至大约5000W的功率设置，形成所述等离子体。
11.如权利要求1所述的方法，其中在大约20mTorr至大约60mTorr的压强，形成所述等离子体。
12.如权利要求1所述的方法，其中在大约40℃至大约50℃的温度，形成所述等离子体。
13.如权利要求1所述的方法，其中在大约12MHz至大约15MHz的频率，形成所述等离子体。
14.如权利要求1所述的方法，其中在电极的大约0.017至0.023W每cm2的功率设置，形成所述等离子体。
15.如权利要求1所述的方法，其中在电子设备上以每分钟大约25至75nm厚度的速率形成所述聚合物涂层。
16.如权利要求1所述的方法，其中所述电子设备选自由下述组成的群组：手机、个人数字助理、计算机、平板计算机、音乐播放器、照相机、录像机、电池、电子阅读器、无线电设备和游戏设备。
17.如权利要求1所述的方法，其中暴露步骤包含下述步骤：
将电子设备放置在等离子体室中；
在等离子体室中在存在所述化合物时形成连续等离子体，从而形成蒸发的化合物；以及
使蒸发的化合物与电子设备的表面接触，由此该表面上形成聚合物涂层。
18.一种涂敷电子设备表面的方法，包含：
将电子设备的表面暴露于等离子体以形成聚合物涂层，所述聚合物涂层包含选自由下述组成的群组的聚合物：
Figure FDA0000441692060000031
Figure FDA0000441692060000041
以及其混合物，其中n为2至100000，并且其中所述聚合物涂层具有低毒性，全氟辛烷磺酸(PFOS)水平低于0.1个十亿分之一(ppb)且全氟辛酸(PFOA)水平低于0.2个十亿分之一(ppb)。
19.如权利要求18所述的方法，其中所述聚合物涂层具有至少为5的疏油性水平。
20.如权利要求18所述的方法，其中所述聚合物涂层具有5或6的疏油性水平。
21.如权利要求18所述的方法，其中在电子设备上以每分钟大约25至75nm厚度的速率形成所述聚合物涂层。
22.如权利要求18所述的方法，其中所述电子设备选自由下述组成的群组：手机、个人数字助理、计算机、平板计算机、音乐播放器、照相机、录像机、电池、电子阅读器、无线电设备和游戏设备。
23.如权利要求18所述的方法，其中在电极的大约0.017至0.023W每cm2的功率设置，形成所述等离子体。
24.一种具有排斥油和水的涂层的电子设备，所述涂层通过将电子设备的表面暴露于等离子体形成，所述等离子体包含具有下述化学式的化合物：
CH2=C(R1)-COO-R2
其中R1包括-H或者-CH3，R2包括-(CH2)2-(CF2)m-CF3，且m是3或5，从而在该表面上形成该涂层，该涂层具有至少为5的疏油性水平。
25.如权利要求24所述的电子设备，其中所述涂层具有5或6的疏油性水平。
26.如权利要求24所述的电子设备，其中所述涂层具有低毒性，全氟辛烷磺酸(PFOS)水平低于0.1个十亿分之一(ppb)。
27.如权利要求24所述的电子设备，其中所述涂层具有低毒性，全氟辛酸(PFOA)水平低于0.2个十亿分之一(ppb)。
28.如权利要求24所述的电子设备，其中所述电子设备选自由下述组成的群组：手机、个人数字助理、计算机、平板计算机、音乐播放器、照相机、录像机、电池、电子阅读器、无线电设备和游戏设备。
29.如权利要求24所述的电子设备，其中所述电子设备包括电池，所述电池与电子设备分开涂敷。
30.如权利要求24所述的电子设备，其中所述涂层包含选自由下述组成的群组的聚合物：
Figure FDA0000441692060000051
Figure FDA0000441692060000052
以及其混合物，其中n为2至100000。
31.如权利要求24所述的电子设备，其中所述聚合物涂层具有至少100°的与水的接触角。
32.如权利要求24所述的电子设备，其中所述聚合物涂层至少110°的与水的接触角。
33.一种具有排斥油和水的涂层的电子设备，所述涂层通过将电子设备的表面暴露于等离子体形成，所述等离子体包含具有下述化学式的化合物：
CH2=C(R1)-COO-R2
其中R1包括-H或者-CH3，R2包括-(CH2)2-(CF2)m-CF3，且m是3或5，从而在该表面上形成该涂层，所述涂层具有低毒性，全氟辛烷磺酸(PFOS)水平低于0.2个十亿分之一(ppb)。
34.一种具有排斥油和水的涂层的电子设备，所述涂层通过将电子设备的表面暴露于等离子体形成，所述等离子体包括具有下述化学式的化合物：
CH2=C(R1)-COO-R2
其中R1包括-H或者-CH3，R2包括-(CH2)2-(CF2)m-CF3，且m是3或5，从而在该表面上形成该涂层，所述涂层具有低毒性，全氟辛酸(PFOA)水平低于0.1个十亿分之一(ppb)。
35.一种具有排斥油和水的涂层的电子设备，所述涂层包含选自由下述组成的群组的聚合物：
Figure FDA0000441692060000071
Figure FDA0000441692060000072
以及其混合物，其中n是2至100000，并且其中所述涂层具有至少为5的疏油性水平。
36.一种具有排斥水的涂层的电子设备，所述涂层包含选自由下述组成的群组的聚合物：
Figure FDA0000441692060000073
Figure FDA0000441692060000074
以及其混合物，其中n是2至100000，并且其中所述涂层具有低毒性，全氟辛烷磺酸(PFOS)水平低于0.2个十亿分之一(ppb)。
37.一种具有排斥水的涂层的电子设备，所述涂层包含选自由下述组成的群组的聚合物：
Figure FDA0000441692060000081
Figure FDA0000441692060000082
以及其混合物，其中n是2至100000，并且其中所述涂层具有低毒性，全氟辛酸(PFOA)水平低于0.2个十亿分之一(ppb)。
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