CN102959747A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

发光装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102959747A
CN102959747A CN2011800314501A CN201180031450A CN102959747A CN 102959747 A CN102959747 A CN 102959747A CN 2011800314501 A CN2011800314501 A CN 2011800314501A CN 201180031450 A CN201180031450 A CN 201180031450A CN 102959747 A CN102959747 A CN 102959747A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
welding disk
insulating properties
emitting device
properties film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011800314501A
Other languages
English (en)
Inventor
加藤正明
幡俊雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN102959747A publication Critical patent/CN102959747A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供廉价且重视生产率的表面装配型的发光装置。该发光装置具备如下：绝缘性薄膜(2)；形成于绝缘性薄膜(2)的上表面、且由金属膜片构成的至少一对焊盘部(3a、3b)；与焊盘部(3a、3b)一一对应，且夹隔绝缘性薄膜(2)而对置地形成于绝缘性薄膜(2)的下表面、并由金属膜片构成的外部连接用的端子部(4a、4b)；贯通绝缘性薄膜(2)而使相互对应的焊盘部(3a、3b)和端子部(4a、4b)间得以连接的贯通导电体(7a、7b)；与一对焊盘部(3a、3b)电连接，且设置于内含一对焊盘部(3a、3b)的单位区划内的发光元件(10)。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及表面装配型的发光装置及其制造方法，特别是廉价并重视生产率的表面装配型的发光装置及其制造方法。
背景技术
作为在基板面搭载发光二极管(LED)的晶片(半导体裸片)、且以透明树脂包封的表面装配型的发光装置，例如，在下述的专利文献1和专利文献2等中被公开。
在图13中，示出专利文献1所公开的LED照明模块的截面构成的一例。该LED照明模块构造如下：其具备可挠性线路板，该可挠性线路板通过在可挠性基板100上形成电路布线101、且在其上经由粘接剂102形成可挠性基板103、并在其上形成反射来自LED的晶片104的光的可挠性的反射层105而构成，贯通该可挠性线路板而设有均热片106，在均热片106上搭载LED的晶片104，使LED的晶片104的表面侧的电极通过设于可挠性基板103的开口部，与电路布线101的露出面经由引线键合连接。
在图14中，示出专利文献2所公开的在LED装配基板上搭载有LED的晶片的发光装置的一例。该发光装置为如下构造：在金属板200之上设置树脂基板201，在树脂基板201上阵列状设置多个使底部露出的作为金属板200的上表面的凹部202，在各凹部202内的金属板200上搭载LED的晶片203，使LED的背面侧的电极与金属板200连接，使LED的表面侧的电极与设于树脂基板201的表面的连接构件通过引线键合连接，由透光性树脂204包封凹部202内的LED的晶片203。
先行技术文献
非专利文献
专利文献1：特开2005-136224号公报
专利文献2：特开平11-298048号公报
近年来，LED高亮度化推进，以低耗电、高耐冲击性、长寿命为特征，在显示装置、照明装置、液晶电视或液晶监视器的背光装置等多方面被有效利用。LED的应用范围和期待在扩大，而另一方面，对于LED发光装置的低廉化的要求也在增加，随着LED的晶片的低成本化，也需要其装配成本的低廉化。
在图13所示的构造的发光装置中，根据该发光装置的应用形态另行需要用于将电路布线101引出到外部的构造，并且，因为可挠性线路板是在两层可挠性基板之间夹入电路布线的构造，所以为了从可挠性线路板上切下所需数量的发光装置加以使用，就要用专门的加工装置切断可挠性线路板，对于低成本进行大量生产来说，被认为是不适宜的构造。
另外，在图14所示的构造的发光装置中，以多个LED并联连接而搭载为前提，需要预先根据LED的并联数量而决定基板的大小和凹部的个数，为了切割出所需数量的发光装置加以使用，需要用专用的加工装置切断由金属板和树脂基板这两层构成的基板，对于低成本进行大量生产来说，被认为是不适宜的构造。另外，LED的电极在基板的背面侧与表面侧被分开引出，因此不适于对印刷基板等进行表面装配，低廉化受到阻碍。
发明内容
本发明鉴于上述课题而形成，其目的在于，提供一种廉价且重视生产率的表面装配型的发光装置及其制造方法。
为了达成上述目的，本发明提供一种发光装置，其特征在于，具备如下：绝缘性薄膜；在所述绝缘性薄膜的上表面所形成的且由金属膜片构成的至少一对焊盘部(ランド部)；与所述焊盘部一一对应、且夹隔所述绝缘性薄膜而对置地形成于所述绝缘性薄膜的下表面的并由金属膜片所构成的外部连接用的端子部；贯通所述绝缘性薄膜而使相互对应的所述焊盘部和所述端子部之间得以连接的贯通导电体；与所述一对焊盘部电连接、且设置于内含所述一对焊盘部的单位区划内的发光元件。
此外，本发明提供一种发光装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在绝缘性薄膜的上表面，形成由金属膜片构成的至少一对焊盘部的工序；在所述绝缘性薄膜的下表面，形成由金属膜片构成的且与所述焊盘部一对一对应、并夹隔所述绝缘性薄膜而对置的外部连接用的端子部的工序；形成贯通所述绝缘性薄膜而使相互对应的所述焊盘部和所述端子部之间得以连接的贯通导电体的工序；使发光元件与所述一对焊盘部电连接、且设置在包含所述一对焊盘部及其间隙的单位区划内的工序。
根据上述特征的发光装置和发光装置的制造方法，能够在一片绝缘性薄膜上形成很多的单位区划，通过仅仅切断单位区划与单位区划之间的绝缘性薄膜，就能够廉价地制造期望数量的单位区划所构成的表面装配型的发光装置。还有，为了使各个焊盘部之间和各个端子部之间被电分离，绝缘性薄膜当然由电绝缘性材料形成。
另外，按单位区划在绝缘性薄膜的上表面侧具备发光元件、且在绝缘性薄膜的下表面侧成对形成有与该发光元件的电极导通的外部连接用的端子部，因此搭载于印刷基板等其他的装置时，不需要进行特别的端子的引出等，也可实现使用本发光装置时的装配成本的低廉化。另外，具有多个单位区划时，因为每个单位区划都各具备一对外部连接用的端子部，所以，可以根据使各单位区划的发光元件串联连接的情况、并联连接的情况、个别驱动的情况等用途，形成多样的利用方法。
此外，在上述特征的发光装置中，作为优选，按所述一对焊盘部，在所述一对焊盘部上具备环状的疏液层，所述疏液层在中央具有使所述一对焊盘部之间的间隙的至少一部分露出的开口部，并且在所述开口部的内侧设置所述发光元件，在所述开口部使包封所述发光元件的含荧光体树脂或透明树脂以圆顶状形成。
此外，在上述特征的发光装置的制造方法中，优选具有如下工序：按所述一对焊盘部使所述一对焊盘部之间的间隙的至少一部分露出的开口部在中央部具有的环状的疏液层，在所述一对焊盘部上形成的工序；在所述开口部使包封所述发光元件的含荧光体树脂或透明树脂以圆顶状形成的工序，所述发光元件被设置在所述开口部的内侧。
此外，上述特征的发光装置的制造方法，在形成所述含荧光体树脂或透明树脂的工序中，优选利用使所述疏液层的开口部的至少一部分露出的开口部按所述单位区划具有的掩模构件，覆盖所述绝缘性薄膜的上表面侧，在所述掩模构件的开口部注入所述含荧光体树脂或透明树脂。
此外，在上述特征的发光装置和发光装置的制造方法中，优选所述疏液层含有荧光体。
此外，在上述特征的发光装置的制造方法中，优选所述掩模构件的开口部按照在覆盖所述疏液层的状态下所述疏液层的上表面不露出的方式形成。
此外，在上述特征的发光装置的制造方法中，优选使用所述掩模构件或在所述掩模构件的开口部的内壁具备疏液膜的掩模构件，通过刮板(スキ一ジ：squeegee)印刷法或灌注法，进行所述含荧光体树脂或透明树脂的注入。
通过在发光元件的周围设置疏液层，使得包封发光元件的树脂，在疏液层对包封树脂的疏液性、包封树脂自身的表面张力、包封树脂与焊盘部的金属面的界面张力的作用下，容易形成为圆顶状(上凸状)。另外，通过使用在形成包封树脂的地方具有开口部的掩模，通过刮板印刷法或灌注法等向该该开口部注入包封树脂，能够以低成本将包封树脂形成为圆顶状。
在此，疏液层的上表面不从掩模构件的开口部露出，即，掩模构件的开口部直径比疏液层的开口部直径小时(均是开口部为圆形的情况)，包封树脂朝横向的拡散，因疏液层与焊盘部表面的段差和疏液层对包封树脂的疏液性而得到适度抑止，从而能够恰当维持包封树脂的圆顶形状。
另外，疏液层和包封树脂因为填充在一对焊盘部之间的间隙，所以能够防止一对焊盘部之间的短路。因此，疏液层与包封树脂当然具有电绝缘性。
另外，利用疏液层具有的疏水性，能够防止水分向发光元件的浸入。此外，若疏液层含有荧光体，则借助来自疏液层含有的荧光体的发光，掩模构件校准的精度和效率提高。
还有，包封树脂含有荧光体时，来自发光元件的发光、和来自该发光所激发的荧光体的发光相混合，能够调整发光装置的发光色调和显色性。另外，在包封树脂不含荧光体的透明树脂的情况下，因为能够直接输出来自发光元件的发光，所以通过组合来自多个发光元件的发光波长，能够调整发光装置的发光色调和显色性。
此外，在上述特征的发光装置中，优选所述绝缘性薄膜与所述焊盘部、以及所述绝缘性薄膜与所述端子部，分别经由粘接层而得以连接。
此外，在上述特征的发光装置中，优选在所述单位区划的周围所设置的且用于以所述单位区划作为最小单位进行单片化的切断区域，在所述绝缘性薄膜上以网格状设定，按由所述切断区域所包围的所述单位区划，在所述绝缘性薄膜的下表面使所述端子部一对一对地形成，在所述切断区域的所述绝缘性薄膜的上表面和下表面，不形成所述金属膜片。
此外，在上述特征的发光装置中，优选沿着所述切断区域切断所述绝缘性薄膜，被单化化为一个或多个所述单位区划。
此外，在上述特征的发光装置的制造方法中，优选具有如下工序：沿着在所述单位区划的周围所设置的且用于以所述单位区划作为最小单位进行单片化的切断区域，切断所述绝缘性薄膜，被单片化为一个或多个所述单位区划的工序。
此外，在上述特征的发光装置的制造方法中，优选沿着所述切断区域将所述绝缘性薄膜通过使用市场销售的简易切割工具切割刀、辊切刀或旋转刀加以切断。
根据上述特征的发光装置和发光装置的制造方法，通过仅沿着切断区域进行绝缘性薄膜切断的简单的操作，就能够廉价地制造大量的发光装置、或者具备期望数量的单位区划的发光装置，并且，因为伴随切断而来的粉尘、微小的切屑等的发生减少，所以该粉尘和切屑对包封树脂表面的附着也减少，能够减少对亮度、色度的影响。
此外，在上述特征的发光装置中，优选按所述单位区划在与所述一对焊盘部所对应的一对所述端子部之间的间隙，填充有加强材。还有，由于一对端子部之间需要电绝缘分离，所以加强材需要是绝缘性材料。由此，在绝缘性薄膜的下表面侧露出的部分受到加强材保护，并且一对端子部之间通过加强材机械地连接而难以变形。
另外，由于该加强材的存在，能够防止导电性的微小的废物等侵入到上述间隙内，能够防止一对端子部之间的短路。另外，若使加强材比端子部的下表面更靠下侧稍微突出，则该突出部成为将发光装置钎焊到其他的基板上时的焊料溢流防止用的突堤，能够更有效地防止一对端子部之间的短路。
以上，根据本发明，能够提供一种廉价并重视生产率的表面装配型的发光装置及其制造方法。
附图说明
图1是模式化地表示第一实施方式的发光装置的立体图
图2是模式化地表示第一实施方式的发光装置两个侧视图
图3是模式化地表示第一实施方式的发光装置的俯视图和底视图
图4是模式化地表示第一实施方式的发光装置的制造方法的工序剖面图
图5是模式化地表示第一实施方式的发光装置的制造方法的工序剖面图
图6是模式化地表示发光装置的制造方法所使用的金属掩模的构造的俯视图
图7是模式化地表示第一实施方式的发光装置的单片化前的状态的俯视图
图8是模式化地表示将两联、三联、四联的单位区划作为一块所单片化的发光装置及其单片化工序的俯视图和侧视图
图9是模式化地表示第二实施方式的发光装置的立体图、侧视图和底视图
图10是模式化地表示第二实施方式的发光装置的制造方法的要部的工序剖面图
图11是模式化地表示第三实施方式的发光装置的立体图、侧视图和底视图
图12是模式化地表示第三实施方式的发光装置的制造方法的要部的工序剖面图
图13是模式化地表示现有的发光装置的一例的剖面图
图14是模式化地表示现有的发光装置的另一例的剖面图
图15是模式化地表示其他实施方式的发光装置的一构成例的俯视图、剖面图和底视图
具体实施方式
参照附图，对于本发明的发光装置及其制造方法的实施方式进行说明。还有，在以下的附图中，对于相同的要素或部分附加同一参照符号进行说明。另外，在各图中，为了说明容易理解而强调要部进行图示，因此各部的尺寸比与实物的尺寸比未必一致。另外，图1至图12是模式化地表示各实施方式的一个形态，本发明并不受该附图所示出的实施方式限定。
[第一实施方式]
在图1中模式化地表示本实施方式的发光装置1的立体图，在图2(A)和(B)中，模式化地表示从X方向和Y方向观看的侧视图，在图3(A)和(B)中，模式化地表示从上面侧观看的俯视图和从下面侧观看的底视图。以下，与X和Y方向正交的Z方向的正方向(箭头的方向)为上，其反方向为下。
如图1～图3所示，就发光装置1而言，在绝缘性薄膜2的上表面具备由金属膜片构成的一对焊盘部3a、3b，在下表面具备由金属膜片构成的外部连接用的一对端子部4a、4b，各焊盘部3a、3b经由粘接层5而粘接在绝缘性薄膜2的上表面，各端子部4a、4b经由粘接层6而粘接在绝缘性薄膜2的下表面。焊盘部3a与端子部4a夹隔绝缘性薄膜2而对置，由贯通绝缘性薄膜2的两个贯通导电体7a电导通。同样，焊盘部3b与端子部4b夹隔绝缘性薄膜2而对置，由贯通绝缘性薄膜2的两个贯通导电体7b电导通。贯通导电体7a、7b的个数也可以分别为一个或三个以上。一对焊盘部3a、3b，经由Y方向上延伸的细长的间隙，使该焊盘部之间被电绝缘分离。同样，一对端子部4a、4b，也经由Y方向上延伸的细长间隙，使该端子部之间被电绝缘分离。在本实施方式中，作为绝缘性薄膜2的一例，使用膜厚0.05mm的聚酰亚胺薄膜。
在一对焊盘部3a、3b及其间隙之上，具备在中央具有使包含该间隙的中央部分在内的圆形区域露出的开口部8的环状的疏液层9，在开口部8的内侧的一对焊盘部3a、3b上，搭载有发光元件10。此外，包封发光元件10的含荧光体硅树脂11(含荧光体树脂)被形成为圆顶状。
在本实施方式中，作为发光元件10，使用由氮化镓系化合物半导体构成的蓝色系的发光二极管的晶片(半导体裸片)。与之相应，作为包封树脂11所含有的荧光体，使用CaAlSiN3:Eu和(Si、Al)6(O、N)8Eu。前者是红色荧光体，后者是绿色荧光体，分别吸收来自发光元件10的蓝色发光而发出红色光和绿色光。由此，没有被该荧光体吸收的蓝色光和从各荧光体发出的红色和绿色光混合，从含荧光体硅树脂11出射白色系的发光。
此外，就发光元件10而言，其在芯片表面侧具备P电极(阳极)10a和N电极(阴极)10b，且是从背面侧使发光出射的倒装芯片型发光元件，并使背面侧朝上而使表面侧与焊盘部3a、3b对置，经由形成于各电极10a、10b上的凸点，将P电极10a与焊盘部3a、N电极10b与焊盘部3b分别电气地且物理性地连接，发光元件10的固晶(ダイボンデイング：diebonding)也一起进行。其结果是，P电极10a和焊盘部3a和端子部4a相互电导通，N电极10b和焊盘部3b和端子部4b相互电导通，端子部4a作为外部连接用的阳极端子发挥功能，端子部4b作为外部连接用的阴极端子发挥功能。一对端子部4a、4b排列在同一面侧而形成，因此是适于表面装配的发光装置。还有，在本实施方式中，因为将用于识别阴极端子与阳极端子的切口部设于阴极端子侧的端子部4b，所以端子部4b为五角形。焊盘部3a、3b与端子部4a分别为相同大小的四角形，端子部4b为该四角形切掉一个角的形状。以下，为了方便，将一对焊盘部3a、3b及其间隙所构成的矩形区域称为“单位区划”，在该单位区划的下侧，形成有一对端子部4a、4b。图1～图3图示了一个单位区划分的发光装置1。
接着，参照图4和图5，对于发光装置1的制造方法的一例进行说明。图4和图5均是切断发光元件10的与Y方向垂直的截面下的工序剖面图。
首先，作为绝缘性薄膜2的一例，准备膜厚0.05mm、大小48mm×52.25mm的聚酰亚胺薄膜。在绝缘性薄膜2的两面，以厚度约0.012mm涂布聚酰亚胺系粘接剂(粘接层5、6)，从绝缘性薄膜2侧，两面粘贴由Cu、Ni、Au这三层构成的膜厚约0.025mm的金属层叠膜后，分别蚀刻该金属层叠膜的不需要的部分，使图1～图3所示的一对焊盘部3a、3b与一对端子部4a、4b，按照在X和Y方向分别排列多组、且在绝缘性薄膜2的两面呈阵列状排列的方式形成。其次，在夹隔绝缘性薄膜2而对置的焊盘部3a、3b与端子部4a、4b间，分别形成贯通导电体7a、7b。在一个单位区划的周围，俯视呈网格状地形成后述的切断区域12(参照图7)，从该切断区域12的绝缘性薄膜2的两面，除去金属层叠膜，只存在绝缘性薄膜2和粘接层5、6。在图4(A)中示出上述各工序后的状态(两个单位区划分)。以下，为了容易说明而出于方便，将两面形成有焊盘部3a、3b和端子部4a、4b、且并有贯通导电体7a、7b形成的切断前的绝缘性薄膜2称为“层叠基板”。
在本实施方式中，单位区划的X和Y方向的排列间距，在发光元件10的芯片尺寸假设为0.5mm×0.35mm时，分别为3.05mm，2.55mm。若在X方向取上述大小的绝缘性薄膜2的长边侧，单位区划在X方向形成有17个，在Y方向形成有18个，合计形成306个。若使短边侧处于X方向，则单位区划的合计为300个，因此在X方向取长边侧的方法在成本上有利。
接着，如图4(B)所示，通过丝网印刷或喷雾，针对每个单位区划，将具备开口部8的环状的疏液层9，涂布在焊盘部3a、3b及其间隙所构成的矩形区域(单位区划)的外周四边的内侧部分。疏液层9的厚度约0.015mm，开口部8为直径2mm的圆形。单位区划内的作为金属层叠膜的焊盘部3a、3b和绝缘性薄膜2的表面没有被包封树脂11被覆的部分，由疏液层9被覆，从而能够保护焊盘部3a、3b、绝缘性薄膜2和发光元件10免受水分侵蚀。
具体来说，将氟系树脂PTFE(聚四氟乙烯)添加到丙酮溶剂中进行搅拌，得到适度的粘度的涂覆溶液，通过印刷或喷雾对其进行涂布，通过干燥使之固化，形成疏液层9。还有，该干燥可以仅在常温下放置，但也可以根据需要而使用烘箱进行干燥。作为氟系树脂，除了PTFE以外，也可以使用PFA(四氟乙烯一全氟烷氧基乙烯基醚共聚物)、FEP(四氟乙烯一六氟丙烯共聚物)、ETFE(四氟乙烯一乙烯共聚物)、PVDF(聚偏二氟乙烯)、PCTFE(聚三氟氯乙烯)等。另外，作为溶剂，除了丙酮以外，酮系溶剂中，例如，也可以使用甲基乙基酮、二乙基甲酮、甲基异丁基酮等，另外，在酯系溶剂中，例如，也可以使用醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯等。此外，上述材料的疏液层9具有气体遮断性，也具有保持由金属构成的焊盘部3a、3b免受气体侵蚀的效果。
接着，如图4(C)所示，将形成有疏液层9的层叠基板载置于加热台20上，准备与绝缘性薄膜2上的单位区划同数量的发光元件10使其背面侧(发光面侧)朝向薄板(シ一ト)21侧且在X和Y方向上以相同的排列数和相同的排列间距粘贴在薄板21上，将薄板21固定在薄板固定工具22上，使各发光元件10的表面侧的各电极10a、10b朝下，与各单位区划的焊盘部3a、3b对置，通过加热台20以例如300℃加热，经由形成于各电极10a、10b上的凸点，将P电极10a与焊盘部3a、N电极10b与焊盘部3b分别电气地且物理性地连接，将发光元件10转印到焊盘部3a、3b侧。其结果是，发光元件10与焊盘部3a、3b间被粘合，固晶也一起进行。还有，就加热台20的位置而言，也可以不在载置绝缘性薄膜2的位置，例如，也可以设于薄板固定工具22侧。
接着，准备金属掩模24(掩模构件)，其在X和Y方向上以相同的排列数量和相同的排列间距设有与绝缘性薄膜2上的单位区划同数量的圆形的开口部23，如图5(A)所示，以在开口部23的中心定位发光元件10的方式，进行金属掩模24和形成有疏液层9的层叠基板间的对准(校准)，将金属掩模24载置于形成有疏液层9的绝缘性薄膜2上，通过使用了刮板25的刮板印刷法，一边使刮板25沿横向(例如，X方向或Y方向)滑动，一边在开口部23内均匀地注入含有上述红色和绿色的两种荧光体的硅树脂26。就金属掩模24而言，膜厚为1.8mm，如图6所示，开口部23朝X和Y方向的排列数量和排列间距与单位区划相同，在X方向以3.05mm间距有17个，在Y方向以2.55mm间距有18个。但是，在图6中，只图示了开口部23的3行×3列的部分。开口部23的直径为1.8mm，比疏液层9的开口部8的直径2mm小，疏液层9的上表面被金属掩模24完全覆盖。还有，为了参考，在图6中，通过网格状的虚线假想式地表示切断区域12的中心线。
接着，在全部的开口部23内注入含荧光体硅树脂26后，若将金属掩模24朝向上侧取下，则各开口部23内所注入的硅树脂26沿横向(开口部8的半径方向)扩展流出，但如图5(B)所示，在疏液层9的疏液性和硅树脂26的表面张力、硅树脂26与构成焊盘部3a、3b的金属的界面张力的作用下，硅树脂26朝向上方自然形成凸起的圆顶状。该圆顶为底面是直径2mm的圆形、且高度约1.3mm的大体半球体状。
接着，例如，若在80℃～150℃的温度范围的烘箱内进行数分钟热处理，使硅树脂26热固化，则如图5(B)所示，圆顶状的含荧光体硅树脂11形成。由此，发光元件10被含荧光体硅树脂11进行树脂包封。继续，对于形成有圆顶状的含荧光体硅树脂11的层叠基板，在例如150℃的高温条件下进行后固化。
在这一时刻，如图7所示，将发光元件10包封在圆顶状的含荧光体硅树脂11中而成的表面装配型的发光装置1，以306个(17行×18列)阵列状排列的状态被固定在绝缘性薄膜2上。在图7中，只图示了306个中的3行×3列的部分。继续，如图5(C)所示，使用刃厚0.2mm的接合机(スプライサ一：splicer)27，沿着网格状的切断区域12的中心线(图7中以点线图示)切断绝缘性薄膜2，分离(单片化)成306个的发光装置1。作为切断方法，采用如下任意一种方法均可：沿着切断区域12的每一条，例如，X方向(或Y方向)上延伸的切断区域12进行切断，其次，沿着Y方向(或X方向)上延伸的切断区域12进行切断的方法(第一方法)；或者，使用以3.05mm间隔平行配置接合机27的刃，沿着Y方向上延伸的全部的切断区域12来切断绝缘性薄膜2，其次，使用以2.55mm间隔平行配置接合机27的刃，沿着X方向上延伸的全部的切断区域12切断绝缘性薄膜2的方法(也可以交换X方向与Y方向的切断顺序)(第二方法)；或者，在X方向以3.05mm间隔、且在Y方向以2.55mm间隔而网格状地构成接合机27的刃，使用其一次性切断绝缘性薄膜2的方法(第三方法)。还有，平行排列接合机27的刃的个数，根据相当于内含17行×18列的全部的单位区划的区域的外侧部分的绝缘性薄膜2的边缘空白的大小决定即可。如果边缘空白大，则需要用于分离该边缘空白的切断(接合机27的刃)，但没有该边缘空白、或其相比切断区域12的宽度很微小时，不需要用于该分离的切断。
切断区域12的宽度为0.2mm时，如果经过上述单片化，切断区域12完全被除去的情况下，虽然如图1～图3所图示这样的绝缘性薄膜2从单位区划溢出的部分不存在，但通过上述单片化只有切断区域12的一部分被除去、或者通过切断没有产生除去部分的情况，如图1～图3所图示，绝缘性薄膜2从单位区划溢出的部分残留。
在此，采用上述第一至第三任意一种切断方法都可进行切断，但因为只是由膜厚0.05mm的聚酰亚胺薄膜构成的绝缘性薄膜2，所以也可以不使用需要高价的附加设备的划片机，从而也可实现制造成本的低廉化。另外，在上述第一方法中，能够使用切割刀、辊切刀和旋转刀等的市场销售的简易切断工具。另外，因为伴随切断而来的粉尘、微小的切屑等的发生被减少，所以该粉尘和切屑对于包封树脂表面的附着也被减少，对亮度、色度的影响被减少。
在图5(C)所示的实施例中，虽然说明的是切断为一个单位区划的单片的情况，但单片也可以具备两个以上的单位区划。在本实施方式中，单片化只是以切断绝缘性薄膜2的简单工序、且用切割刀等就能够很容易地实现，所以如图8所示这样，以两联、三联、四联的单位区划作为一块，沿着其周围的切断区域的切断线(图中，以粗虚线表示)而进行切断，就能够制作搭载有多个发光元件10的发光装置。另外，在本实施方式的发光装置的制造方法中，因为单片化工序容易，所以也可以以单片化之前的状态发货，由用户方实施单片化工序。即，具有用户方能够自由地制作与用途相应的个数和布局的单位区划所构成的发光装置这样的优点。
[第二实施方式]
图9中，分别模式化地表示第二实施方式的发光装置13的立体图(同图(A))，从Y方向观看的侧视图(同图(B))，从下面侧观看的底视图(同图(C))。
与上述第一实施方式中说明的发光装置1，在以下的两点上存在差异。第一点不同的是，在一个单位区划内的一对端子部4a、4b的间隙内，填充有加强材14。第二点不同的是，图5(A)中说明的向金属掩模24的开口部23内注入硅树脂26的方法不同。除了这两个差异点以外，均与上述第一实施方式所说明的发光装置1相同，因此省略重复的说明。
首先，关于加强材14进行说明。在绝缘性薄膜2的两面形成有焊盘部3a、3b和端子部4a、4b的层叠基板，因为在焊盘部3a、3b间与端子部4a、4b间只存在绝缘性薄膜2，所以需要加强。在第一实施方式中，在焊盘部3a、3b上形成有疏液层9，在开口部8内，跨越焊盘部3a、3b而发光元件10固晶，在焊盘部3a、3b间的间隙，填充有疏液层9的一部分和硅树脂11的一部分，因此在绝缘性薄膜2的上表面侧得到某种程度的加强。但是，在绝缘性薄膜2的下表面侧，因为是端子部4a、4b间的间隙存在的状态，所以可以进一步加强。
因此，在第二实施方式中，将与形成疏液层9时相同的涂覆溶液，按照在端子部4a、4b间的间隙填充、且被覆其两侧的端子部4a、4b的端部的方式，通过印刷或喷雾进行涂布，经干燥使之固化，进行绝缘性薄膜2的下表面侧的加强。由此，在焊盘部3a、3b间和端子部4a、4b间的绝缘性薄膜2的上下得到加强，成为难变形部，即使从外部施加机械的应力，也难以发生变形。而且，发光元件10与焊盘部3a、3b间的电连接，以及端子部4a、4b间的绝缘性得到更可靠的保证。
在第二实施方式中，因为作为加强材14使用与疏液层9相同的材料，所以能够有效率地使用该材料。另外，因为加强材14具备疏液性，所以在将发光装置13钎焊到其他的印刷基板上等时，能够防止焊料溢流而在端子部4a、4b间跨越附着。此外，通过使加强材14如图9(A)和(B)所示这样，比端子部4a、4b的下表面更靠下方稍微突出一些，该突出部成为将发光装置钎焊到其他基板上时防止焊料溢流用的突堤，能够防止因钎焊造成的端子部4a、4b间的短路。加强材14的形成工序，因为与疏液层9的形成工序相同，所以省略重复的说明。还有，加强材14主要的目的是绝缘性薄膜2的下表面侧的加强，因此不需要使用与疏液层9相同的材料，只要是绝缘材料，使用其他的材料也可。
其次，关于第二实施方式中的金属掩模24的开口部23内注入硅树脂26的注入方法进行说明。截止注入硅树脂26之前的工序与第一实施方式相同。
在第二实施方式中，不是以第一实施方式中使用的刮板印刷法进行，而是通过灌注法，进行向开口部23内的硅树脂26的注入。另外，在金属掩模24的开口部23的内壁，形成有疏液膜28。就疏液膜28而言，是将与疏液层9相同材料的涂覆液涂布在开口部23的内壁，通过干燥使之固化而预先形成。金属掩模24的膜厚、开口部23的排列数量、排列间距、直径等与第一实施方式相同。
如图10(A)所示，使发光元件10位于开口部23的中心，如此进行金属掩模24与绝缘性薄膜2间的校准，将金属掩模24载置于形成有疏液层9的绝缘性薄膜2上，通过灌注法，在开口部23内，均匀地注入含有上述红色和绿色的两种荧光体的硅树脂26。在灌注硅树脂26的配量器中，以3.05mm间隔设置17个喷嘴29，对于在X方向以3.05mm间距排列的17个的开口部23同时喷出硅树脂26。若一边使喷嘴29沿Y方向每隔2.55mm移动一次而反复18次，则硅树脂26被注入到全部的开口部23内。如图10(A)所示，在这一时刻，由于疏液膜28的疏液性、硅树脂26的表面张力和硅树脂26与构成焊盘部3a、3b的金属的界面张力，硅树脂26向上自然地形成为凸起的圆顶状。继而，含荧光体硅树脂26被注入全部的开口部23内之后，若朝向上侧取下金属掩模24，则注入到各开口部23内的圆顶状的硅树脂26朝着横向(开口部8的半径方向)扩展，如图10(B)所示，在疏液层9的疏液性、硅树脂26的表面张力和硅树脂26与构成焊盘部3a、3b的金属的界面张力的作用下，硅树脂26向上自然地形成凸起的圆顶状。该圆顶为底面是直径2mm的圆形、且高度约1.3mm的大体半球体状。
接着，与第一实施方式同样，例如，若在80℃～150℃的温度范围的烘箱内进行数分钟热处理，使硅树脂26热固化，则如图10(B)所示，圆顶状的含荧光体硅树脂11被形成。由此，发光元件10由含荧光体硅树脂11进行树脂包封。接着，对于形成有圆顶状的含荧光体硅树脂11的层叠基板，例如在150℃的高温条件下进行后固化。在这一时刻，与第一实施方式同样，如图7所示，所制作成的状态是，将发光元件10包封在圆顶状的含荧光体硅树脂11中而成的表面装配型的发光装置1，以306个(17行×18列)阵列状排列并固定在绝缘性薄膜2上。之后，按照与第一实施方式相同要领，沿着切断区域12切断绝缘性薄膜2，制作被单片化为一个或多个单位区划的发光装置1。
切断区域12的宽度为0.2mm时，如果经过上述单片化，切断区域12被全部除去，则如图9所图示这样的绝缘性薄膜2从单位区划溢出的部分不存在，但如果通过上述单片化，只有切断区域12的一部分被除去、或者通过切断没有产生除去部分，则如图9所图示这样，绝缘性薄膜2从单位区划的溢出部分残留。
[第三实施方式]
图11中，分别模式化地表示第三实施方式的发光装置15的立体图(同图(A))，从Y方向观看的侧视图(同图(B))，从下面侧观看的底视图(同图(C))。
与上述第一实施方式所说明的发光装置1相比，在以下的4点上存在差异。第一点不同在于，在一个单位区划内的一对端子部4a、4b的间隙内填充有加强材14。第二点不同在于，在疏液层9中含有荧光体。第三点不同在于，作为发光元件10，不是倒装芯片型发光元件，而是在芯片表面侧具备P电极(阳极)10a和N电极(阴极)10b的焊接用接合垫，使发光从表面侧出射，在背面侧具备蓝宝石等的绝缘基板的引线键合型发光元件。此外，由于发光元件10的构造不同，所以发光元件10与焊盘部3a、3b间的连接方法也不同。但是，作为蓝色系的发光二极管这一点与第一和第二实施方式相同。第四点不同在于，向图5(A)中说明的金属掩模24的开口部23内注入硅树脂26的方法不同。除了这5个差异点以外，均与上述第一实施方式中说明的发光装置1相同，第一差异点与第二实施方式中说明的相同，因此省略重复的说明。
首先，对于第二差异点进行说明。第一和在第二实施方式中，疏液层9因为膜厚非常薄，所以无色，因此以目视确认疏液层9的形状、开口部8的位置等有困难，所以在第三实施方式中，为了使疏液层9的形状等的目视确认容易，而使用在涂覆溶液内含有荧光体的粒子的。还有，在第三实施方式中，作为荧光体的一例，使用作为黄色荧光体的(Ba、Sr)2SiO4:Eu。该黄色荧光体，若照射波长400nm～450nm的光，则发出黄色光，使疏液层9的形状等的目视确认变得容易。还有，该黄色荧光体的粒子，因为粒径约10μm，所以疏液层9的膜厚需要为该粒径以上，由此优选例如0.015mm以上。疏液层9的形成方法，除了在涂覆溶液内含有荧光体这一点以外，均与第一实施方式相同，以第一实施方式所说明的方法进行涂覆溶液的涂布和干燥，因此省略重复的说明。还有，使疏液层9含有的荧光体的发光色不限定为黄色。例如，还优选根据所搭载的发光元件10的特性，使该荧光体的发光色变化。
在第三实施方式中，疏液层9照射波长400nm～450nm的光(蓝色光)而发出黄色光，使目视确认变得容易，产生以下这样的优点。第一，在后述的引线键合法中，在连接焊盘部3a、3b上的键合用线30的一端的区域，错误地涂布上疏液层9时，造成引线键合不良，但是能够通过向疏液层9照射蓝色光、而在引线键合工序前事前确认疏液层9的涂布不良，因此可以进行该涂布不良的单位区划的排除、或者进行将引线键合位置移动到未涂布疏液层9的区域的调整等。第二，由于可以事前确认上述涂布不良，所以能够减小由于疏液层9的涂布精度引起的焊盘部3a、3b的图案和疏液层9的图案的布局设计的余量(マ一ジン)，可以进行更高密度的布局设计。第三，能够检查疏液层9的涂覆状态。第四，金属掩模24和形成有疏液层9的层叠基板间的对准时的效率和精度提高。
接下来，对于第三差异点进行说明。如图12(A)所示，发光元件10与焊盘部3a、3b间的连接，通过周知的引线键合法进行。即，使发光元件10的表面侧向上而使背面侧与焊盘部3a、3b对置，跨越焊盘部3a、3b间的间隙而将发光元件10首先在焊盘部3a、3b上固晶，其次，将P电极10a的焊接用接合垫与焊盘部3a、N电极10b的焊接用接合垫与焊盘部3b，分别使用键合用线30进行连接。
接着，对于第四差异点进行说明。在第三实施方式中，与第一实施方式同样，通过刮板印刷法，进行向金属掩模24的开口部23内的硅树脂26的注入，但使用的金属掩模24与第一实施方式不同。在第三实施方式中，在开口部23的内壁的下侧部分形成有疏液膜28。在第二实施方式中，使用在开口部23的内壁的整个面形成有疏液膜28的金属掩模24，在第三实施方式中，可以使用在开口部23的内壁的下侧部分形成有疏液膜28的，或者，可以使用与第二实施方式中所使用的相同的金属掩模24。
在第一实施方式中，因为在金属掩模24的内壁没有形成疏液膜28，所以注入之后的硅树脂26，在开口部23内保持圆筒状，但在第三实施方式中，如图12(B)所示，由于疏液膜28的疏液性、硅树脂26的表面张力、和硅树脂26与构成焊盘部3a、3b的金属的界面张力，致使硅树脂26向上自然地形成为凸起的圆顶状。接着，在全部的开口部23内注入含荧光体硅树脂26之后，若向上侧取下金属掩模24，则在各开口部23内注入的圆顶状的硅树脂26横向(开口部8的半径方向)扩展，如图12(C)所示，由于疏液层9的疏液性、硅树脂26的表面张力、和硅树脂26与构成焊盘部3a、3b的金属的界面张力，致使硅树脂26向上方自然地形成为凸起的圆顶状。该圆顶为底面是直径2mm的圆形、且高度约1.3mm的大体半球体状。
接着，与第一实施方式同样，例如，若在80℃～150℃的温度范围的烘箱内进行数分钟热处理，使硅树脂26热固化，则如图12(C)所示，形成圆顶状的含荧光体硅树脂11。由此，发光元件10被含荧光体硅树脂11进行树脂包封。接着，对于形成有圆顶状的含荧光体硅树脂11的层叠基板，例如在150℃的高温条件下进行后固化。在这一时刻，与第一实施方式同样，如图7所示，将发光元件10包封在圆顶状的含荧光体硅树脂11中而成的表面装配型的发光装置1，制作为306个(17行×18列)阵列状排列并固定在绝缘性薄膜2上的状态。以后，按照与第一实施方式相同的要领，沿着切断区域12切断绝缘性薄膜2，制作被单片化为一个或多个单位区划的发光装置1。
切断区域12的宽度为0.2mm时，通过上述单片化而切断区域12被全部除去时，如图11所图示这样的绝缘性薄膜2从单位区划溢出的部分不存在，但是通过上述单片化，只有切断区域12的一部分被除去，或者通过切断没有产生除去部分时，则如图11所图示这样，绝缘性薄膜2从单位区划的溢出部分残留。
[其他实施方式]
接下来，对于上述各实施方式的其他实施方式进行说明。
<1>在上述各实施方式中，作为绝缘性薄膜2的材质，使用膜厚0.05mm的聚酰亚胺薄膜，但除了聚酰亚胺薄膜以外，例如，也可以使用双马来酰亚胺三嗪树脂系薄膜或液晶聚合物系薄膜等。另外，绝缘性薄膜2的膜厚也不限定为0.05mm，强度更大的材质时，能够使膜厚比0.05mm薄，在以上述的接合机和简易切断具可以容易切断的范围，也可以使膜厚增厚。
<2>在上述各实施方式中，在绝缘性薄膜2的两面，经由粘接层5、6而粘贴金属层叠膜后，对于不需要部分进行蚀刻，形成焊盘部3a、3b和端子部4a、4b，但也可以替代该形成方法，预先将对于焊盘部3a、3b和端子部4a、4b进行图案形成的金属层叠膜粘接在绝缘性薄膜2的两面。
<3>在上述各实施方式中，说明的是作为发光元件10使用蓝色系的发光二极管，以含有红色荧光体和绿色荧光体的硅树脂11包封发光元件10的形态(白色系的发光装置)。但是，本发明也可以适用于白色系以外的发光装置，作为发光元件10，也可以使用蓝色系的发光二极管以外的发光色(发光波长)的发光二极管，另外，也可以使硅树脂11中不含荧光体而作为透明的包封树脂，另外，作为在包封树脂11中含有的荧光体，也可以使用上述的红色荧光体和绿色荧光体以外的荧光体。但是，荧光体的发光波长，需要是比发光元件10的发光波长长的波长。
<4>在上述各实施方式中，说明的是在一个单位区划内搭载一个发光元件10的情况，但也可以是在一个单位区划内搭载多个发光元件10的晶片。
另外，在上述各实施方式中，说明的是在层叠基板上的各单位区划中，搭载相同的发光元件10的情况，但也可以在相同的层叠基板上，在一个单位区划与其他的单位区划，搭载不同的发光元件(例如，发光波长不同的发光二极管)。
<5>上述各实施方式所说明的各部的形状和尺寸是一个示例，例如，可以根据发光元件10的芯片尺寸等进行变更。另外，疏液层9的开口部8、金属掩模24的开口部23的形状也不限定为圆形，例如，也可以是椭圆形。
<6>上述第二实施方式所示的与第一实施方式的两个差异点，也可以是采用任意一方，而使另一方与第一实施方式相同的另外的实施方式。另外，上述第三实施方式所示的与第一实施方式的四个差异点，也可以是在第一至第四的差异点之内，采用任意的一个至三个差异点，而使其余与第一实施方式相同的另外的实施方式。此外，在上述第三实施方式或上述第三实施方式的其他实施方式中，也可以将第四差异点的向金属掩模24的开口部23内注入硅树脂26的方法，变成为上述第二实施方式的第二差异点的方法。
<7>在上述各实施方式中，作为发光元件10，例示的是倒装芯片型发光元件和引线键合型发光元件这两种构造，但也可以是芯片背面侧的整个面为N电极(阴极)10b、且在芯片表面侧形成P电极(阳极)10a、并使发光从表面侧出射的构造的发光元件。但是，这种情况下，将发光元件10只与焊盘部3b通过固晶进行电气地且机械地连接，使发光元件10的P电极(阳极)10a与焊盘部3a之间经由键合用线而进行连接。因此，优选使焊盘部3a、3b的面积在焊盘部3b侧增大，使焊盘部3b存在于开口部8的中心。
<8>在上述各实施方式中，说明的方式是，在绝缘性薄膜2的上表面，具备由金属膜片构成的一对焊盘部3a、3b，在该一对焊盘部3a、3b及其间隙之上，具备使含有该间隙的中央部分的圆形区域露出的开口部8在中央具有的环状的疏液层9，在开口部8的内侧搭载发光元件10，在开口部8上圆顶状地形成包封发光元件10的含荧光体硅树脂11，但也可以取代该疏液层9，在一对焊盘部3a、3b的外周和间隙，例如形成白色硅树脂31，在由一对焊盘部3a、3b的外周所形成的白色硅树脂31所包围的区域上，圆顶状地形成包封发光元件10的含荧光体硅树脂11。在图15中，模式化地表示本其他实施方式的发光装置16的一构成例。在此，图15(A)和(C)，是从上面侧观看发光装置16的俯视图和从下面侧观看的底视图，同图(B)是与切断发光元件10的Y方向垂直的截面下的发光装置16的剖面图。
发光装置16，如图15所示，在绝缘性薄膜2的上表面，具备由金属膜片构成的一对焊盘部3a、3b，在下表面具备由金属膜片构成的外部连接用的一对端子部4a、4b，各焊盘部3a、3b经由粘接层5而粘接于绝缘性薄膜2的上表面，各端子部4a、4b经由粘接层6而粘接于绝缘性薄膜2的下表面。焊盘部3a与端子部4a夹隔绝缘性薄膜2而对置、且通过贯通绝缘性薄膜2的贯通导电体7a而电导通。同样，焊盘部3b与端子部4b夹隔绝缘性薄膜2而对置、且通过贯通绝缘性薄膜2的贯通导电体7b而电导通。一对焊盘部3a、3b，通过在该焊盘部之间在Y方向上延伸的细长的间隙被电绝缘分离。同样，一对端子部4a、4b，也通过在该端子部之间在Y方向上延伸的细长的间隙被电绝缘分离。白色硅树脂31按照在一对焊盘部3a、3b的外周和间隙将例如一对焊盘部3a、3b的端缘部稍微被覆、且使上表面比一对焊盘部3a、3b上表面稍高的方式，形成堤坝状。在本别实施方式中，使焊盘部3a、3b的面积，例如在焊盘部3a侧增大，将与上述第三实施方式同样的引线键合型的发光元件10的基板侧，通过固晶而与焊盘部3a连接，将发光元件10的P电极(阳极)10a与焊盘部3a之间、和N电极10b与焊盘部3b之间，分别经由键合用线进行连接。在由一对焊盘部3a、3b的外周所形成的白色硅树脂31所包围的区域上，圆顶状地形成包封发光元件10的含荧光体硅树脂11。在本其他实施方式中，作为金属膜片的一例，使用在铜箔上实施镀银的，作为绝缘性薄膜2的一例，使用膜厚0.05mm的聚酰亚胺薄膜。另外，如图15(B)所示，贯通导电体7a、7b，作为一例，相比第一至第三实施方式的情况，使面积形成得大。图15(A)和(C)的虚线，表示贯通导电体7a、7b的外周。
此外，作为本其他实施方式的另外的形态，也可以使引线键合型的发光元件10与第三实施方式同样，跨越间隙部的白色硅树脂31，通过固晶而与一对焊盘部3a、3b连接。在此情况下，优选与第一至第三实施方式同样，使焊盘部3a、3b的面积均等。此外，作为本其他实施方式的另外的形态，发光元件10为，芯片背面侧的整个面为N电极(阴极)10b，在芯片表面侧形成P电极(阳极)10a，使发光从表面侧出射的构造的发光元件时，也可以使焊盘部3a、3b的面积在焊盘部3b侧大，使发光元件10只与焊盘部3b通过固晶而电气地且机械地连接，使发光元件10的P电极(阳极)10a与焊盘部3a之间经由键合用线而进行连接。此外，作为本其他实施方式的另外的形态，发光元件10为与第一实施方式同样的倒装芯片型发光元件时，与第一实施方式同样，使发光元件10跨越间隙部的白色硅树脂31而与一对焊盘部3a、3b进行倒装芯片连接。这种情况下，优选与第一至第三实施方式同样，使焊盘部3a、3b的面积均等。
符号的说明
1，13，15，16：本发明的发光装置
2：            绝缘性薄膜
3a、3b：       焊盘部
4a：    端子部(外部连接用的阳极端子)
4b：    端子部(外部连接用的阴极端子)
5，6：  粘接层
7a、7b：贯通导电体
8：     疏液层的开口部
9：     疏液层
10：    发光元件
10a：   P电极
10b：   N电极
11：    包封树脂(含荧光体硅树脂)
12：    切断区域
14：    加强材
20：    加热台
21：    薄板
22：    薄板固定工具
23：    金属掩模的开口部
24：    金属掩模
25：    刮板
26：    硅树脂(成形前的含荧光体硅树脂)
27：    接合机
28：    疏液膜
29：    喷嘴
30：    键合用线
31：    白色硅树脂

Claims (15)

1.一种发光装置，其特征在于，具备：
绝缘性薄膜；
在所述绝缘性薄膜的上表面所形成的且由金属膜片构成的至少一对焊盘部；
与所述焊盘部一一对应、且夹隔所述绝缘性薄膜而对置地形成于所述绝缘性薄膜的下表面的并由金属膜片构成的外部连接用的端子部；
贯通所述绝缘性薄膜而使相互对应的所述焊盘部与所述端子部之间得以连接的贯通导电体；
与所述一对焊盘部电连接、且设置于内含所述一对焊盘部的单位区划内的发光元件。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
按所述一对焊盘部，在所述一对焊盘部上具备环状的疏液层，所述疏液层在中央具有使所述一对焊盘部之间的间隙的至少一部分露出的开口部，并且在所述开口部的内侧设置所述发光元件，
在所述开口部使包封所述发光元件的含荧光体树脂或透明树脂以圆顶状形成。
3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，
所述疏液层含有荧光体。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述绝缘性薄膜与所述焊盘部、以及所述绝缘性薄膜与所述端子部，分别经由粘接层而得以连接。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的发光装置，其特征在于，
在所述单位区划的周围所设置的且用于以所述单位区划作为最小单位进行单片化的切断区域，在所述绝缘性薄膜上以网格状设定，
按由所述切断区域所包围的所述单位区划，在所述绝缘性薄膜的下表面使所述端子部一对一对地形成，
在所述切断区域的所述绝缘性薄膜的上表面和下表面，不形成所述金属膜片。
6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，
沿着所述切断区域切断所述绝缘性薄膜，被单片化为一个或多个所述单位区划。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的发光装置，其特征在于，
按所述单位区划在所述一对焊盘部所对应的一对所述端子部之间的间隙，填充有加强材。
8.一种发光装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：
在绝缘性薄膜的上表面，形成由金属膜片构成的至少一对焊盘部的工序；
在所述绝缘性薄膜的下表面，形成由金属膜片构成的且与所述焊盘部一一对应、并夹隔所述绝缘性薄膜而对置的外部连接用的端子部的工序；
形成贯通所述绝缘性薄膜而使相互对应的所述焊盘部与所述端子部之间得以连接的贯通导电体的工序；
使发光元件与所述一对焊盘部电连接、且设置在含有所述一对焊盘部及其间隙的单位区划内的工序。
9.根据权利要求8所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
还具有如下工序：
按所述一对焊盘部，在所述一对焊盘部上形成环状的疏液层的工序，其中，所述疏液层使所述一对焊盘部之间的间隙的至少一部分露出的开口部在中央具有；
在所述开口部使包封所述发光元件的含荧光体树脂或透明树脂以圆顶状形成的工序，
并且，所述发光元件设置于所述开口部的内侧。
10.根据权利要求9所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
在形成所述含荧光体树脂或透明树脂的工序中，利用按所述单位区划具有使所述疏液层的开口部的至少一部分露出的开口部的掩模构件，覆盖所述绝缘性薄膜的上表面侧，在所述掩模构件的开口部注入所述含荧光体树脂或透明树脂。
11.根据权利要求10所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述疏液层含有荧光体。
12.根据权利要求10或11所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
所述掩模构件的开口部按照在覆盖所述疏液层的状态下所述疏液层的上表面不露出的方式形成。
13.根据权利要求10～12中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
使用所述掩模构件或在所述掩模构件的开口部的内壁具备疏液膜的掩模构件，通过刮板印刷法或灌注法，进行所述含荧光体树脂或透明树脂的注入。
14.根据权利要求8～13中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
还具有如下工序：沿着在所述单位区划的周围所设置的且用于以所述单位区划作为最小单位进行单片化的切断区域，切断所述绝缘性薄膜，被单片化为一个或多个所述单位区划的工序。
15.根据权利要求14所述的发光装置的制造方法，其特征在于，
沿着所述切断区域将所述绝缘性薄膜通过使用市场销售的简易切断工具的切割刀、辊切刀或旋转刀加以切断。
CN2011800314501A 2010-07-23 2011-06-27 发光装置及其制造方法 Pending CN102959747A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-166415 2010-07-23
JP2010166415 2010-07-23
PCT/JP2011/064624 WO2012011363A1 (ja) 2010-07-23 2011-06-27 発光装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102959747A true CN102959747A (zh) 2013-03-06

Family

ID=45496791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011800314501A Pending CN102959747A (zh) 2010-07-23 2011-06-27 发光装置及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9065031B2 (zh)
JP (1) JP5756803B2 (zh)
CN (1) CN102959747A (zh)
TW (1) TWI513064B (zh)
WO (1) WO2012011363A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106716654A (zh) * 2014-09-17 2017-05-24 飞利浦照明控股有限公司 柔性发光装置
CN108496250A (zh) * 2016-01-28 2018-09-04 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 多芯片组件的制造
WO2020228137A1 (zh) * 2019-05-13 2020-11-19 佛山市粤海信通讯有限公司 一种电磁复合材料的制造方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012105176B4 (de) * 2012-06-14 2021-08-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
US9444021B2 (en) 2012-06-15 2016-09-13 Sharp Kabushiki Kaisha Film wiring substrate and light emitting device
WO2013186978A1 (ja) * 2012-06-15 2013-12-19 シャープ株式会社 発光装置
JP5609925B2 (ja) 2012-07-09 2014-10-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6007249B2 (ja) 2012-07-19 2016-10-12 シャープ株式会社 列発光装置およびその製造方法
US8889439B2 (en) * 2012-08-24 2014-11-18 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method and apparatus for packaging phosphor-coated LEDs
US9761763B2 (en) * 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
WO2014162776A1 (ja) * 2013-04-04 2014-10-09 シャープ株式会社 発光素子パッケージの製造方法及び発光素子パッケージ
DE102014101557A1 (de) * 2014-02-07 2015-08-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102014101556A1 (de) 2014-02-07 2015-08-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US9548429B2 (en) 2014-05-10 2017-01-17 Sensor Electronic Technology, Inc. Packaging for ultraviolet optoelectronic device
US10147854B2 (en) 2014-05-10 2018-12-04 Sensor Electronic Technology, Inc. Packaging for ultraviolet optoelectronic device
US10217904B2 (en) * 2015-02-03 2019-02-26 Epistar Corporation Light-emitting device with metallized mounting support structure
US10615321B2 (en) * 2017-08-21 2020-04-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device package
JP7017359B2 (ja) * 2017-09-29 2022-02-08 Hoya株式会社 光半導体装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101118941A (zh) * 2006-08-03 2008-02-06 夏普株式会社 注入装置、半导体发光装置、制造装置和半导体发光装置的制造方法
JP2009070869A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Panasonic Corp 半導体発光装置
JP2009164242A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Hitachi Ltd 光源モジュール、照明装置、及び液晶表示装置
JP2009239036A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Hitachi Aic Inc Ｌｅｄ基板
JP2010129870A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998034285A1 (fr) * 1997-01-31 1998-08-06 Matsushita Electronics Corporation Element electroluminescent, dispositif electroluminescent a semiconducteur, et leur procede de production
JPH11298048A (ja) 1998-04-15 1999-10-29 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ実装基板
WO2003014257A2 (en) * 2001-04-13 2003-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light-emitting device and light-emitting apparatus comprising the device
US7199515B2 (en) * 2001-06-01 2007-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and light emitting device using the element
TW582122B (en) * 2003-01-27 2004-04-01 Opto Tech Corp Light emitting diode package structure
EP1603170B1 (en) * 2003-03-10 2018-08-01 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for manufacturing a solid-state optical element device
KR101029178B1 (ko) * 2003-03-10 2011-04-12 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 포토다이오드 어레이 및 그 제조방법 그리고 방사선 검출기
JP2005136224A (ja) 2003-10-30 2005-05-26 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 発光ダイオード照明モジュール
TW200635452A (en) * 2005-02-23 2006-10-01 Almt Corp Collective substrate, semiconductor element mount, semiconductor device, imaging device, light emitting diode component and light emitting diode
EP1830421A3 (en) * 2006-03-03 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, manufacturing method of light emitting device, and sheet-like sealing material
JP5511154B2 (ja) 2008-06-13 2014-06-04 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品製造用の個片化装置及び個片化方法
JP2010239004A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Olympus Corp 半導体発光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101118941A (zh) * 2006-08-03 2008-02-06 夏普株式会社 注入装置、半导体发光装置、制造装置和半导体发光装置的制造方法
JP2009070869A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Panasonic Corp 半導体発光装置
JP2009164242A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Hitachi Ltd 光源モジュール、照明装置、及び液晶表示装置
JP2009239036A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Hitachi Aic Inc Ｌｅｄ基板
JP2010129870A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106716654A (zh) * 2014-09-17 2017-05-24 飞利浦照明控股有限公司 柔性发光装置
CN108496250A (zh) * 2016-01-28 2018-09-04 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 多芯片组件的制造
WO2020228137A1 (zh) * 2019-05-13 2020-11-19 佛山市粤海信通讯有限公司 一种电磁复合材料的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2012011363A1 (ja) 2013-09-09
WO2012011363A1 (ja) 2012-01-26
US9065031B2 (en) 2015-06-23
US20130119426A1 (en) 2013-05-16
JP5756803B2 (ja) 2015-07-29
TWI513064B (zh) 2015-12-11
TW201208154A (en) 2012-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102959747A (zh) 发光装置及其制造方法
CN102598322B (zh) 发光装置及其制造方法
CN105895785B (zh) 倒装led芯片集成封装的光源组件结构及其制作方法
CN103339749B (zh) 晶片级发光二极管封装件及制造此的方法
EP2954564B1 (en) Submount-free light emitting diode (led) components and methods of fabricating same
US20170287883A1 (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same
CN103943734B (zh) 光半导体装置
US8791548B2 (en) Optoelectronic semiconductor chip, optoelectronic component and a method for producing an optoelectronic component
JP5842813B2 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
US9660161B2 (en) Light emitting diode (LED) components including contact expansion frame
US10847691B2 (en) LED flip chip structures with extended contact pads formed by sintering silver
CN102881780B (zh) 发光模组及其制造方法
JP2000183405A (ja) 発光装置及びその製造方法
CN103003966A (zh) 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法
US9397265B2 (en) Layered conductive phosphor electrode for vertical LED and method for forming same
US20100163915A1 (en) Thin-Film Semiconductor Component and Component Assembly
WO2012059063A1 (en) White ceramic led package
CN104022216A (zh) 发光装置
KR20110000730A (ko) 표면 실장 ｌｅｄ 모듈 및 표면 실장 ｌｅｄ 모듈의 제조 방법
CN105702832A (zh) 用于发光器件的载体
CN111509100A (zh) 发光二极管
KR102037866B1 (ko) 전자장치
JP4003866B2 (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
CN103236490A (zh) Led倒装芯片封装器件、其制造方法及使用其的封装结构
CN114256399A (zh) 一种红光led组件、显示面板及制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130306