JP5756803B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

発光装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5756803B2
JP5756803B2 JP2012525350A JP2012525350A JP5756803B2 JP 5756803 B2 JP5756803 B2 JP 5756803B2 JP 2012525350 A JP2012525350 A JP 2012525350A JP 2012525350 A JP2012525350 A JP 2012525350A JP 5756803 B2 JP5756803 B2 JP 5756803B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
insulating film
emitting device
pair
land portions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012525350A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2012011363A1 (ja
Inventor
加藤　正明
正明 加藤
幡　俊雄
俊雄 幡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2012525350A priority Critical patent/JP5756803B2/ja
Publication of JPWO2012011363A1 publication Critical patent/JPWO2012011363A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5756803B2 publication Critical patent/JP5756803B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、表面実装型の発光装置及びその製造方法に関し、特に、廉価で生産性を重視した表面実装型の発光装置及びその製造方法に関する。
基板面に発光ダイオード（ＬＥＤ）のダイス（半導体ベアチップ）を搭載し、透明樹脂で封止した表面実装型の発光装置として、例えば、下記の特許文献１及び特許文献２等に開示されているものがある。
図１３に、特許文献１に開示されているＬＥＤ照明モジュールの断面構成の一例を示す。このＬＥＤ照明モジュールは、フレキシブル基板１００上に回路配線１０１を形成し、その上に接着剤１０２を介してフレキシブル基板１０３を形成し、その上に、ＬＥＤのダイス１０４からの光を反射するフレキシブルな反射層１０５を形成してなるフレキシブル配線基板を備え、当該フレキシブル配線基板を貫通してヒートスプレッダ１０６が設けられ、ヒートスプレッダ１０６にＬＥＤのダイス１０４を搭載し、ＬＥＤのダイス１０４の表面側の電極をフレキシブル基板１０３に設けた開口部を通して回路配線１０１の露出面とワイヤボンディングにより接続した構造となっている。
図１４に、特許文献２に開示されているＬＥＤ実装基板にＬＥＤのダイスを搭載した発光装置の一例を示す。この発光装置は、金属板２００の上に樹脂基板２０１を設け、樹脂基板２０１に底部が露出した金属板２００の上面となる凹部２０２をアレイ状に複数設け、各凹部２０２内の金属板２００上にＬＥＤのダイス２０３を搭載し、ＬＥＤの裏面側の電極を金属板２００と接続し、ＬＥＤの表面側の電極を樹脂基板２０１の表面に設けた接続部材とワイヤボンディングにより接続し、凹部２０２内のＬＥＤのダイス２０３を透光性樹脂２０４で封止した構造となっている。
特開２００５−１３６２２４号公報 特開平１１−２９８０４８号公報
近年、ＬＥＤは、高輝度化が進み、低消費電力、高耐衝撃性、長寿命を特徴として、表示装置、照明装置、液晶テレビ或いは液晶モニターのバックライト装置等、多方面で活用されている。ＬＥＤの応用範囲及び期待が広がる一方で、ＬＥＤ発光装置に対する低廉化の要望も増しており、ＬＥＤのダイスの低コスト化とともにその実装コストの低廉化も必要となる。
図１３に示す構造の発光装置では、当該発光装置の応用形態に応じて回路配線１０１を外部に引き出すための構造が別途必要になるとともに、フレキシブル配線基板が２層のフレキシブル基板の間に回路配線を挟み込んだ構造のため、フレキシブル配線基板から、所要数の発光装置を切り出して使用するには、フレキシブル配線基板を専用の加工装置で切断する必要があり、低コストで大量生産するには不適当な構造と考えられる。
また、図１４に示す構造の発光装置では、複数のＬＥＤを並列接続して搭載することを前提としており、ＬＥＤの並列数に応じて基板の大きさや凹部の個数を予め決定しておく必要があり、所要数の発光装置を切り出して使用するには、金属板と樹脂基板の２層からなる基板を専用の加工装置で切断する必要があり、低コストで大量生産するには不適当な構造と考えられる。また、ＬＥＤの電極が基板の裏面側と表面側に分かれて引き出されているため、プリント基板等に表面実装するには不適当であり、低廉化が阻害される。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、その目的は、廉価で生産性を重視した表面実装型の発光装置及びその製造方法を提供する点にある。
上記目的を達成するため、本発明は、絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィルムの上面に形成された金属膜片からなる少なくとも１対のランド部と、前記ランド部と１対１に対応して前記絶縁性フィルムを挟んで対向する前記絶縁性フィルムの下面に形成された金属膜片からなる外部接続用の端子部と、前記絶縁性フィルムを貫通して相互に対応する前記ランド部と前記端子部間を接続する貫通導電体と、前記１対のランド部と電気的に接続し、前記１対のランド部を内包する単位区画内に設置された発光素子と、を備えてなることを特徴とする発光装置を提供する。
更に、本発明は、絶縁性フィルムの上面に、金属膜片からなる少なくとも１対のランド部を形成する工程と、前記絶縁性フィルムの下面に、金属膜片からなる前記ランド部と１対１に対応して前記絶縁性フィルムを挟んで対向する外部接続用の端子部を形成する工程と、前記絶縁性フィルムを貫通して相互に対応する前記ランド部と前記端子部間を接続する貫通導電体を形成する工程と、発光素子を、前記１対のランド部と電気的に接続し、前記１対のランド部とその間隙を含む単位区画内に設置する工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法を提供する。
上記特徴の発光装置及び発光装置の製造方法によれば、１枚の絶縁性フィルム上に多数の単位区画を形成することができ、単位区画と単位区画の間の絶縁性フィルムを切断するだけで、所望数の単位区画からなる表面実装型の発光装置を廉価に製造できる。尚、絶縁性フィルムは、個々のランド部間、及び、個々の端子部間が電気的に分離されるべく、当然に電気的な絶縁性材料で形成されている。
また、単位区画毎に、絶縁性フィルムの上面側に発光素子を備え、絶縁性フィルムの下面側に当該発光素子の電極と導通する外部接続用の端子部が１対形成されているため、プリント基板等の他の装置に搭載する際に、特別な端子の引き出し等が不要であり、本発光装置を使用した際の実装コストの低廉化も図れる。また、複数の単位区画を有する場合には、単位区画毎に外部接続用の端子部を１対ずつ備えているため、各単位区画の発光素子を直列に接続する場合、並列に接続する場合、個別に駆動する場合等、用途に応じた多様な利用方法が可能となる。
更に、上記特徴の発光装置において、前記１対のランド部毎に、前記１対のランド部間の間隙の少なくとも一部を露出する開口部を中央に有する環状の撥液層を、前記１対のランド部上に備え、前記開口部の内側に、前記発光素子が設置され、前記開口部に前記発光素子を封止する蛍光体含有樹脂または透明樹脂がドーム状に形成されていることが好ましい。
更に、上記特徴の発光装置の製造方法において、前記１対のランド部毎に、前記１対のランド部間の間隙の少なくとも一部を露出する開口部を中央に有する環状の撥液層を、前記１対のランド部上に形成する工程と、前記開口部に前記発光素子を封止する蛍光体含有樹脂または透明樹脂をドーム状に形成する工程と、を有し、前記発光素子が前記開口部の内側に設置されることが好ましい。
更に、上記特徴の発光装置の製造方法は、前記蛍光体含有樹脂または透明樹脂を形成する工程において、前記撥液層の開口部の少なくとも一部が露出する開口部を前記単位区画毎に有するマスク部材を用いて、前記絶縁性フィルムの上面側を覆い、前記マスク部材の開口部に、前記蛍光体含有樹脂または透明樹脂を注入することが好ましい。
更に、上記特徴の発光装置及び発光装置の製造方法において、前記撥液層が蛍光体を含有していることが好ましい。
更に、上記特徴の発光装置の製造方法において、前記マスク部材の開口部が、前記撥液層を覆った状態で前記撥液層の上面が露出されないように形成されていることが好ましい。
更に、上記特徴の発光装置の製造方法において、前記蛍光体含有樹脂または透明樹脂の注入を、前記マスク部材、または、前記マスク部材の開口部の内壁に撥液膜を備えたマスク部材を用いて、スキージ印刷法またはポッティング法により行うことが好ましい。
発光素子の周囲に撥液層を設けることで、発光素子を封止する樹脂が、撥液層の封止樹脂に対する撥液性、封止樹脂自体の表面張力、封止樹脂とランド部の金属面との界面張力によりドーム状（上に凸状）に容易に形成される。また、封止樹脂を形成する箇所に開口部を有するマスクを用い、スキージ印刷法またはポッティング法等により当該開口部に封止樹脂を注入することで、低コストで封止樹脂をドーム状に形成することができる。
ここで、マスク部材の開口部によって撥液層の上面が露出しないことで、つまり、マスク部材の開口部径が撥液層の開口部径より小さい場合（何れも開口部が円形の場合）、封止樹脂の横方向への拡散が、撥液層とランド部表面の段差及び撥液層の封止樹脂に対する撥液性によって適度に抑止されることになり、封止樹脂のドーム形状を適正に維持できる。
また、撥液層と封止樹脂は、１対のランド部間の間隙に充填されるため、１対のランド部間の短絡が防止できる。よって、撥液層と封止樹脂は当然に電気的絶縁性を有している。
また、撥液層の有する撥水性により、発光素子への水分の浸入を防止できる。更に、撥液層が蛍光体を含有していると、撥液層が含有している蛍光体からの発光により、マスク部材の位置合わせの精度及び効率が向上する。
尚、封止樹脂が蛍光体を含有する場合は、発光素子からの発光と、当該発光により励起される蛍光体からの発光が混合して発光装置の発光色調及び演色性を調整することができる。また、封止樹脂が蛍光体を含有しない透明樹脂の場合には、発光素子からの発光を直接出力できるため、複数の発光素子からの発光波長を組み合わせることで、発光装置の発光色調及び演色性を調整することができる。
更に、上記特徴の発光装置において、前記絶縁性フィルムと前記ランド部、及び、前記絶縁性フィルムと前記端子部は、夫々接着層を介して接続していることが好ましい。
更に、上記特徴の発光装置において、前記単位区画の周囲に設けられた前記単位区画を最小単位として個片化するための切断領域が、前記絶縁性フィルム上に格子状に設定され、前記切断領域に囲まれた前記単位区画毎に、前記絶縁性フィルムの下面に前記端子部が１対ずつ形成され 前記切断領域の前記絶縁性フィルムの上面及び下面には、前記金属膜片が形成されていないことが好ましい。
更に、上記特徴の発光装置において、前記切断領域に沿って前記絶縁性フィルムが切断されることで、１または複数の前記単位区画に個片化されていることが好ましい。
更に、上記特徴の発光装置の製造方法において、前記単位区画の周囲に設けられた前記単位区画を最小単位として個片化するための切断領域に沿って前記絶縁性フィルムを切断し、１または複数の前記単位区画に個片化する工程を有することが好ましい。
更に、上記特徴の発光装置の製造方法において、前記切断領域に沿って前記絶縁性フィルムを、市販の簡易切断具のカッターナイフ、ローラーカッター、または、ロータリーカッターを用いて切断することが好ましい。
上記特徴の発光装置及び発光装置の製造方法によれば、切断領域に沿って絶縁性フィルムを切断するだけの簡単な作業で、多数の発光装置、或いは、所望数の単位区画を備えた発光装置を廉価に製造できるとともに、切断に伴うダスト、微小な切り屑等の発生が低減されるため、当該ダストや切り屑の封止樹脂表面への付着も低減し、輝度、色度への影響を低減できる。
更に、上記特徴の発光装置において、前記単位区画毎に、前記１対のランド部に対応する１対の前記端子部間の間隙に、補強材が充填されていることが好ましい。尚、１対の端子部間は電気的に絶縁分離される必要から補強材は絶縁性材料である必要がある。これにより、絶縁性フィルムの下面側に露出している部分が補強材により保護されるとともに、１対の端子部間が補強材により機械的に接続され変形し難くなる。
また、当該補強材の存在により、上記間隙内に導電性の微小なゴミ等が侵入するのを防止でき、１対の端子部間の短絡を防止できる。また、補強材を端子部の下面より下側に僅かに突出させると、当該突出部が、発光装置を他の基板上に半田付けする際の半田流れ防止用の突堤となり、１対の端子部間の短絡より効果的に防止できる。
以上、本発明によれば、廉価で生産性を重視した表面実装型の発光装置及びその製造方法を提供することができる。
第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図 第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す２つの側面図 第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図及び底面図 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す工程断面図 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を模式的に示す工程断面図 発光装置の製造方法で使用するメタルマスクの構造を模式的に示す平面図 第１実施形態に係る発光装置の個片化前の状態を模式的に示す平面図 ２連、３連、４連の単位区画を一塊として個片化された発光装置及びその個片化工程を模式的に示す平面図及び側面図 第２実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図、側面図及び底面図 第２実施形態に係る発光装置の製造方法の要部を模式的に示す工程断面図 第３実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図、側面図及び底面図 第３実施形態に係る発光装置の製造方法の要部を模式的に示す工程断面図 従来の発光装置の一例を模式的に示す断面図 従来の発光装置の他の一例を模式的に示す断面図 別実施形態に係る発光装置の一構成例を模式的に示す平面図、断面図及び底面図
本発明に係る発光装置及びその製造方法の実施形態につき、図面を参照して説明する。尚、以下の図面において、同一の要素または部分には同じ参照符号を付して説明する。また、各図において、説明の理解の容易のために要部を強調して図示しているため、各部の寸法比は実物の寸法比とは必ずしも一致していない。また、図１乃至図１２は、各実施形態の一態様を模式的に示すもので、本発明が当該図面に表示される実施形態に限定されるものではない。
［第１実施形態］
図１に、本実施形態の発光装置１の斜視図、図２（Ａ）及び（Ｂ）に、Ｘ方向及びＹ方向から見た側面図、図３（Ａ）及び（Ｂ）に、上面側から見た平面図及び下面側から見た底面図を、夫々模式的に示す。以下、Ｘ及びＹ方向に直交するＺ方向の正方向（矢印の方向）を上、その逆方向を下とする。
図１〜図３に示すように、発光装置１は、絶縁性フィルム２の上面に、金属膜片からなる１対のランド部３ａ，３ｂを備え、下面に金属膜片からなる外部接続用の１対の端子部４ａ，４ｂを備え、各ランド部３ａ，３ｂは接着層５を介して絶縁性フィルム２の上面に接着し、各端子部４ａ，４ｂは接着層６を介して絶縁性フィルム２の下面に接着している。ランド部３ａと端子部４ａは、絶縁性フィルム２を挟んで対向し、絶縁性フィルム２を貫通する２つの貫通導電体７ａにより電気的に導通している。同様に、ランド部３ｂと端子部４ｂは、絶縁性フィルム２を挟んで対向し、絶縁性フィルム２を貫通する２つの貫通導電体７ｂにより電気的に導通している。貫通導電体７ａ，７ｂの個数は夫々１または３以上でも良い。１対のランド部３ａ，３ｂは、当該ランド部間をＹ方向に延伸する細長い間隙によって電気的に絶縁分離されている。同様に、１対の端子部４ａ，４ｂも、当該端子部間をＹ方向に延伸する細長い間隙によって電気的に絶縁分離されている。本実施形態では、絶縁性フィルム２の一例として、膜厚０．０５ｍｍのポリイミドフィルムを使用する。
１対のランド部３ａ，３ｂとその間隙の上に、当該間隙の中央部分を含む円形領域を露出する開口部８を中央に有する環状の撥液層９を備え、開口部８の内側の１対のランド部３ａ，３ｂ上に、発光素子１０が搭載されている。更に、発光素子１０を封止する蛍光体含有シリコン樹脂１１（蛍光体含有樹脂）がドーム状に形成されている。
本実施形態では、発光素子１０として、窒化ガリウム系化合物半導体からなる青色系の発光ダイオードのダイス（半導体ベアチップ）を使用する。これに合わせて、封止樹脂１１に含有される蛍光体として、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕと（Ｓｉ，Ａｌ）６（Ｏ，Ｎ）８Ｅｕを使用する。前者は赤色蛍光体で後者は緑色蛍光体であり、夫々、発光素子１０からの青色発光を吸収して赤色と緑色を発光する。これにより、蛍光体含有シリコン樹脂１１からは、当該蛍光体に吸収されなかった青色と、各蛍光体から発光される赤色と緑色が混合して、白色系の発光が出射される。
更に、発光素子１０は、チップ表面側にＰ電極（アノード）１０ａとＮ電極（カソード）１０ｂを備え、裏面側から発光を出射させるフリップチップ型発光素子で、裏面側を上向きにして表面側をランド部３ａ，３ｂに対向させ、各電極１０ａ，１０ｂ上に形成したバンプを介して、Ｐ電極１０ａとランド部３ａ、Ｎ電極１０ｂとランド部３ｂを夫々電気的且つ物理的に接続し、発光素子１０のダイボンディングも合わせて行う。この結果、Ｐ電極１０ａとランド部３ａと端子部４ａが相互に電気的に導通し、Ｎ電極１０ｂとランド部３ｂと端子部４ｂが相互に電気的に導通し、端子部４ａが外部接続用のアノード端子、端子部４ｂが外部接続用のカソード端子として機能する。１対の端子部４ａ，４ｂが同一面側に並んで形成されているため、表面実装に適した発光装置となっている。尚、本実施形態では、カソード端子とアノード端子を識別するための切り欠け部をカソード端子側の端子部４ｂに設けているため、端子部４ｂは５角形となっている。ランド部３ａ，３ｂと端子部４ａは夫々同じ大きさの４角形で、端子部４ｂは当該４角形の１つの角を切り取った形状となっている。以下、便宜的に、１対のランド部３ａ，３ｂとその間隙からなる矩形領域を「単位区画」と称し、当該単位区画の下側に、１対の端子部４ａ，４ｂが形成されている。図１〜図３は、１つの単位区画分の発光装置１を図示している。
次に、発光装置１の製造方法の一例について、図４及び図５を参照して説明する。図４及び図５は、何れも発光素子１０を切断するＹ方向に垂直な断面での工程断面図である。
先ず、絶縁性フィルム２の一例として、膜厚０．０５ｍｍ、大きさ４８ｍｍ×５２．２５ｍｍのポリイミドフィルムを用意する。絶縁性フィルム２の両面に、ポリイミド系接着剤（接着層５，６）を厚さ約０．０１２ｍｍで塗布し、絶縁性フィルム２側からＣｕ，Ｎｉ，Ａｕの３層からなる膜厚約０．０２５ｍｍの金属積層膜を両面に貼り付けた後、当該金属積層膜の不要部分を夫々エッチングして、図１〜図３に示す１対のランド部３ａ，３ｂと１対の端子部４ａ，４ｂを、Ｘ及びＹ方向に夫々複数組、絶縁性フィルム２の両面にアレイ状に配列するように形成する。次に、絶縁性フィルム２を挟んで対向するランド部３ａ，３ｂと端子部４ａ，４ｂ間の夫々に、貫通導電体７ａ，７ｂを形成する。１つの単位区画の周囲に、後述する切断領域１２（図７参照）が上面視格子状に形成され、当該切断領域１２の絶縁性フィルム２の両面からは、金属積層膜は除去され、絶縁性フィルム２と接着層５，６だけが存在する。図４（Ａ）に、上記各工程後の状態（２単位区画分）を示す。以下、説明の容易のため便宜的に、ランド部３ａ，３ｂ及び端子部４ａ，４ｂが両面に形成され、貫通導電体７ａ，７ｂの形成された切断前の絶縁性フィルム２を「積層基板」と称する。
本実施形態では、単位区画のＸ及びＹ方向の配列ピッチは、発光素子１０のチップサイズが０．５ｍｍ×０．３５ｍｍの場合を想定して、夫々３．０５ｍｍ、２．５５ｍｍとする。上記大きさの絶縁性フィルム２の長辺側をＸ方向に取ると、単位区画はＸ方向に１７個、Ｙ方向に１８個、合計３０６個が形成される。短辺側をＸ方向にすると、単位区画の合計は３００個となるので、長辺側をＸ方向に取る方がコスト的に有利である。
引き続き、図４（Ｂ）に示すように、単位区画毎に開口部８を備える環状の撥液層９を、スクリーン印刷或いは噴霧により、ランド部３ａ，３ｂとその間隙からなる矩形領域（単位区画）の外周４辺の内側部分に塗布する。撥液層９の厚さは、約０．０１５ｍｍであり、開口部８は、直径２ｍｍの円形である。単位区画内の金属積層膜であるランド部３ａ，３ｂと絶縁性フィルム２の表面の封止樹脂１１で被覆されない部分が、撥液層９で被覆されることで、ランド部３ａ，３ｂと絶縁性フィルム２と発光素子１０を水分から保護できる。
具体的には、フッ素系樹脂ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）をアセトン溶剤に添加し攪拌することで、適度な粘度のコーティング溶液を得、これを印刷或いは噴霧により塗布し、乾燥により硬化させ、撥液層９を形成する。尚、当該乾燥は、常温で放置するだけで良いが、必要に応じて、オーブンを使用して乾燥しても良い。フッ素系樹脂として、ＰＴＦＥの他、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）、ＦＥＰ（テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体）、ＥＴＦＥ（テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体）、ＰＶＤＦ(ポリビニリデンフルオライド)、ＰＣＴＦＥ(ポリクロロトリフルオロエチレン)等を用いても良い。また、溶剤として、アセトン以外に、ケトン系溶剤では、例えば、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン等、また、エステル系溶剤では、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等を用いても良い。更に、上記材料の撥液層９は、ガス遮断性を有しており、金属からなるランド部３ａ，３ｂがガスからも保護されるという効果も有している。
引き続き、図４（Ｃ）に示すように、撥液層９を形成した積層基板を加熱ステージ２０上に載置し、絶縁性フィルム２上の単位区画と同数の発光素子１０を、裏面側（発光面側）をシート２１側に向けて、Ｘ及びＹ方向に同じ配列数と同じ配列ピッチでシート２１上に貼着させたものを準備し、シート２１をシート固定ツール２２に固定して、各発光素子１０の表面側の各電極１０ａ，１０ｂを下向きにして、各単位区画のランド部３ａ，３ｂと対向させ、加熱ステージ２０により例えば３００℃で加熱して、各電極１０ａ，１０ｂ上に形成したバンプを介して、Ｐ電極１０ａとランド部３ａ、Ｎ電極１０ｂとランド部３ｂを夫々電気的且つ物理的に接続し、発光素子１０をランド部３ａ，３ｂ側に転写する。この結果、発光素子１０とランド部３ａ，３ｂ間が固着され、ダイボンディングも合わせて行なわれる。尚、加熱ステージ２０の位置は、絶縁性フィルム２を載置する位置ではなく、例えば、シート固定ツール２２側に設けても良い。
引き続き、絶縁性フィルム２上の単位区画と同数の円形の開口部２３を、Ｘ及びＹ方向に同じ配列数と同じ配列ピッチで設けたメタルマスク２４（マスク部材）を準備し、図５（Ａ）に示すように、開口部２３の中心に発光素子１０が位置するように、メタルマスク２４と撥液層９を形成した積層基板間のアライメント（位置合わせ）を行い、メタルマスク２４を撥液層９の形成された絶縁性フィルム２上に載置し、スキージ２５を用いたスキージ印刷法により、スキージ２５を横方向（例えば、Ｘ方向またはＹ方向）にスライドさせながら、開口部２３内に、上記赤色及び緑色の２種類の蛍光体を含有したシリコン樹脂２６を均一に注入する。メタルマスク２４は、膜厚が１．８ｍｍで、図６に示すように、開口部２３のＸ及びＹ方向への配列数及び配列ピッチは、単位区画と同じく、Ｘ方向に３．０５ｍｍピッチで１７個、Ｙ方向に２．５５ｍｍピッチで１８個である。但し、図６では、開口部２３の３行×３列分だけを図示している。開口部２３の直径は１．８ｍｍで、撥液層９の開口部８の直径２ｍｍより小さく、撥液層９の上面は、メタルマスク２４によって完全に覆われている。尚、参考のため、図６中において、切断領域１２の中心線を格子状の点線により仮想的に示している。
引き続き、全ての開口部２３内に蛍光体含有シリコン樹脂２６が注入された後、メタルマスク２４を上側に向けて取り外すと、各開口部２３内に注入されたシリコン樹脂２６が横方向（開口部８の半径方向）に広がって流れ出すが、図５（Ｂ）に示すように、撥液層９の撥液性とシリコン樹脂２６の表面張力、シリコン樹脂２６のランド部３ａ，３ｂを構成する金属との界面張力により、シリコン樹脂２６は、上方向に凸のドーム状に自然に成形される。当該ドームは底面が直径２ｍｍの円形で高さが約１．３ｍｍの略半球体状となる。
次に、例えば、８０℃〜１５０℃の温度範囲のオーブン内で数分間熱処理して、シリコン樹脂２６を熱硬化させると、図５（Ｂ）に示すように、ドーム状の蛍光体含有シリコン樹脂１１が形成される。これにより、発光素子１０は蛍光体含有シリコン樹脂１１により樹脂封止される。引き続いて、ドーム状の蛍光体含有シリコン樹脂１１が形成された積層基板に対し、例えば１５０℃の高温条件下でアフターキュアを行う。
この時点で、図７に示すように、発光素子１０をドーム状の蛍光体含有シリコン樹脂１１に封止してなる表面実装型の発光装置１が、３０６個（１７行×１８列）アレイ状に配列した状態で絶縁性フィルム２に固定されている。図７では、３０６個中の３行×３列分だけを図示している。引き続き、図５（Ｃ）に示すように、刃厚０．２ｍｍのスプライサー２７を用いて、絶縁性フィルム２を格子状の切断領域１２の中心線（図７中に点線で図示）に沿って切断し、３０６個の発光装置１に分離（個片化）する。切断方法としては、切断領域１２の１本ずつ、例えば、Ｘ方向（またはＹ方向）に延伸する切断領域１２に沿って切断し、次に、Ｙ方向（またはＸ方向）に延伸する切断領域１２に沿って切断する方法（第１の方法）、或いは、スプライサー２７の刃を３．０５ｍｍ間隔で平行に配置したものを用いて、Ｙ方向に延伸する全ての切断領域１２に沿って絶縁性フィルム２を切断し、次に、スプライサー２７の刃を２．５５ｍｍ間隔で平行に配置したものを用いて、Ｘ方向に延伸する全ての切断領域１２に沿って絶縁性フィルム２を切断する方法（Ｘ方向とＹ方向の切断順序を入れ替えても良い）（第２の方法）、或いは、スプライサー２７の刃を格子状に、Ｘ方向に３．０５ｍｍ間隔、Ｙ方向に２．５５ｍｍ間隔で構成したものを用いて、一度に絶縁性フィルム２を切断する方法（第３の方法）の何れの方法を用いても良い。尚、スプライサー２７の刃を平行に配列する本数は、１７行×１８列の全ての単位区画を内包する領域の外側部分に当たる絶縁性フィルム２の余白の大きさに応じて決定すれば良い。余白が大きければ、当該余白を分離するための切断（スプライサー２７の刃）が必要となるが、当該余白が無いか、切断領域１２の幅に比べて微小である場合には、当該分離のための切断は不要となる。
切断領域１２の幅が０．２ｍｍの場合に、上記個片化により切断領域１２が全て除去される場合には、図１〜図３に図示するような絶縁性フィルム２の単位区画からのはみ出し部分は存在しないが、上記個片化により切断領域１２の一部だけが除去されるか、或いは、切断により除去部分が生じない場合は、図１〜図３に図示するように絶縁性フィルム２の単位区画からのはみ出し部分が残る。
ここで、上記第１乃至第３の何れの切断方法を用いるとしても、切断されるのが、膜厚０．０５ｍｍのポリイミドフィルムからなる絶縁性フィルム２だけであるので、高価な付帯設備を必要とするダイシングマシンを使用しなくても良く、その分、製造コストの低廉化が図れる。また、上記第１の方法では、カッターナイフ、ローラーカッター、及び、ロータリーカッター等の市販の簡易切断具を用いることができる。また、切断に伴うダスト、微小な切り屑等の発生が低減されるため、当該ダストや切り屑の封止樹脂表面への付着も低減し、輝度、色度への影響が低減される。
図５（Ｃ）に示す実施例では、１単位区画の個片に切断する場合を説明したが、個片は、２以上の単位区画を備えても構わない。本実施形態では、個片化は絶縁性フィルム２を切断するだけの簡単な工程で、カッターナイフ等で容易に実現できるため、図８に示すように、２連、３連、４連の単位区画を一塊とし、その周囲の切断領域の切断線（図中、太い破線で表示）に沿って切断して複数の発光素子１０を搭載した発光装置を作製することができる。また、本実施形態の発光装置の製造方法では、個片化工程が容易であるため、個片化する前の状態で出荷し、ユーザ側で個片化工程を実施することも可能である。つまり、ユーザ側で用途に応じた個数及びレイアウトの単位区画で構成される発光装置を自由に作製できるという利点がある。
［第２実施形態］
図９に、第２実施形態の発光装置１３の斜視図（同図（Ａ））、Ｙ方向から見た側面図（同図（Ｂ））、下面側から見た底面図（同図（Ｃ））を、夫々模式的に示す。
上記第１実施形態で説明した発光装置１とは、以下の２点で相違する。第１に、１つの単位区画内の１対の端子部４ａ，４ｂの間隙内に、補強材１４が充填されている点が異なる。第２に、図５（Ａ）で説明したメタルマスク２４の開口部２３内へのシリコン樹脂２６の注入方法が異なる。当該２つの相違点以外は、上記第１実施形態で説明した発光装置１と同じであるので、重複する説明は割愛する。
先ず、補強材１４について説明する。絶縁性フィルム２の両面にランド部３ａ，３ｂ及び端子部４ａ，４ｂが形成され積層基板は、ランド部３ａ，３ｂ間と端子部４ａ，４ｂ間には絶縁性フィルム２が存在するだけであるので補強が必要である。第１実施形態では、ランド部３ａ，３ｂ上に撥液層９が形成され、開口部８内には、ランド部３ａ，３ｂを跨いで発光素子１０がダイボンディングされ、ランド部３ａ，３ｂ間の間隙には、撥液層９の一部とシリコン樹脂１１の一部が充填されるため、絶縁性フィルム２の上面側では或る程度の補強がなされている。しかし、絶縁性フィルム２の下面側では、端子部４ａ，４ｂ間の間隙が存在したままであるので、更なる補強が可能である。
そこで、第２実施形態では、撥液層９を形成した場合と同じコーティング溶液を、端子部４ａ，４ｂ間の間隙を充填し、その両側の端子部４ａ，４ｂの端部を被覆するように、印刷或いは噴霧により塗布し、乾燥により硬化させ、絶縁性フィルム２の下面側における補強を行う。これにより、ランド部３ａ，３ｂ間と端子部４ａ，４ｂ間の絶縁性フィルム２の上下において補強がなされ、難変形部となり、外部から機械的な応力が加わっても、変形し難くなる。そして、発光素子１０とランド部３ａ，３ｂ間の電気的接続、並びに、端子部４ａ，４ｂ間の絶縁性がより確実に担保される。
第２実施形態では、補強材１４として撥液層９と同じ材料を使用するため、当該材料を効率的に使用できる。また、補強材１４が撥液性を具備するため、発光装置１３を他のプリント基板上等に半田付けする際に、半田が流れて端子部４ａ，４ｂ間に跨って付着するのを防止できる。更に、補強材１４を図９（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、端子部４ａ，４ｂの下面より下方に僅かに突出させることで、当該突出部が、発光装置を他の基板上に半田付けする際の半田流れ防止用の突堤となり、半田付けによる端子部４ａ，４ｂ間の短絡を防止できる。補強材１４の形成工程は、撥液層９の形成工程と同じであるので、重複する説明は割愛する。尚、補強材１４の主たる目的は、絶縁性フィルム２の下面側の補強であるので、撥液層９と同じ材料を使用する必要はなく、絶縁材料であれば他の材料を用いても良い。
次に、第２実施形態におけるメタルマスク２４の開口部２３内へのシリコン樹脂２６の注入方法について説明する。シリコン樹脂２６を注入するまでの工程は第１実施形態と同じである。
第２実施形態では、第１実施形態で使用したスキージ印刷法ではなく、ポッティング法により、開口部２３内へのシリコン樹脂２６の注入を行う。また、メタルマスク２４の開口部２３の内壁には、撥液膜２８が形成されている。撥液膜２８は、撥液層９と同じ材料のコーティング液を開口部２３の内壁に塗布し、乾燥により硬化させ、予め形成しておく。メタルマスク２４の膜厚、開口部２３の配列数、配列ピッチ、直径等は第１実施形態と同じである。
図１０（Ａ）に示すように、開口部２３の中心に発光素子１０が位置するように、メタルマスク２４と絶縁性フィルム２間の位置合わせを行い、メタルマスク２４を撥液層９の形成された絶縁性フィルム２上に載置し、ポッティング法により、開口部２３内に、上記赤色及び緑色の２種類の蛍光体を含有したシリコン樹脂２６を均一に注入する。シリコン樹脂２６をポッティングするディスペンサーには、３．０５ｍｍ間隔で１７個のノズル２９が設けられ、Ｘ方向に３．０５ｍｍピッチで配列した１７個の開口部２３に対して同時にシリコン樹脂２６を吐出する。ノズル２９をＹ方向に２．５５ｍｍずつ移動させながら１８回繰り返すと、全ての開口部２３内にシリコン樹脂２６が注入される。図１０（Ａ）に示すように、この時点において、撥液膜２８の撥液性とシリコン樹脂２６の表面張力、シリコン樹脂２６のランド部３ａ，３ｂを構成する金属との界面張力により、シリコン樹脂２６は、上方向に凸のドーム状に自然に成形される。引き続き、全ての開口部２３内に蛍光体含有シリコン樹脂２６が注入された後、メタルマスク２４を上側に向けて取り外すと、各開口部２３内に注入されたドーム状のシリコン樹脂２６が横方向（開口部８の半径方向）に広がり、図１０（Ｂ）に示すように、撥液層９の撥液性とシリコン樹脂２６の表面張力、シリコン樹脂２６のランド部３ａ，３ｂを構成する金属との界面張力により、シリコン樹脂２６は、上方向に凸のドーム状に自然に成形される。当該ドームは底面が直径２ｍｍの円形で高さが約１．３ｍｍの略半球体状となる。
次に、第１実施形態と同様に、例えば、８０℃〜１５０℃の温度範囲のオーブン内で数分間熱処理して、シリコン樹脂２６を熱硬化させると、図１０（Ｂ）に示すように、ドーム状の蛍光体含有シリコン樹脂１１が形成される。これにより、発光素子１０は蛍光体含有シリコン樹脂１１により樹脂封止される。引き続いて、ドーム状の蛍光体含有シリコン樹脂１１が形成された積層基板に対し、例えば１５０℃の高温条件下でアフターキュアを行う。この時点で、第１実施形態と同様に、図７に示すように、発光素子１０をドーム状の蛍光体含有シリコン樹脂１１に封止してなる表面実装型の発光装置１が、３０６個（１７行×１８列）アレイ状に配列し絶縁性フィルム２に固定された状態に作製される。以降、第１実施形態と同じ要領で、絶縁性フィルム２を切断領域１２に沿って切断して、１または複数の単位区画に個片化された発光装置１を作製する。
切断領域１２の幅が０．２ｍｍの場合に、上記個片化により切断領域１２が全て除去される場合には、図９に図示するような絶縁性フィルム２の単位区画からのはみ出し部分は存在しないが、上記個片化により切断領域１２の一部だけが除去されるか、或いは、切断により除去部分が生じない場合は、図９に図示するように絶縁性フィルム２の単位区画からのはみ出し部分が残る。
［第３実施形態］
図１１に、第３実施形態の発光装置１５の斜視図（同図（Ａ））、Ｙ方向から見た側面図（同図（Ｂ））、下面側から見た底面図（同図（Ｃ））を、夫々模式的に示す。
上記第１実施形態で説明した発光装置１とは、以下の４点で相違する。第１に、１つの単位区画内の１対の端子部４ａ，４ｂの間隙内に、補強材１４が充填されている点が異なる。第２に、撥液層９に蛍光体が含有されている点が異なる。第３に、発光素子１０として、フリップチップ型発光素子ではなく、チップ表面側にＰ電極（アノード）１０ａとＮ電極（カソード）１０ｂのボンディング用パッドを備え、表面側から発光を出射させ、裏面側にサファイヤ等の絶縁基板を備えたワイヤボンディング型発光素子である点が異なる。更に、発光素子１０の構造の違いから、発光素子１０とランド部３ａ，３ｂ間の接続方法も異なる。但し、青色系の発光ダイオードである点は第１及び第２実施形態と同じである。第４に、図５（Ａ）で説明したメタルマスク２４の開口部２３内へのシリコン樹脂２６の注入方法が異なる。当該５つの相違点以外は、上記第１実施形態で説明した発光装置１と同じであり、第１の相違点は、第２実施形態で説明したものと同じであるので、重複する説明は割愛する。
先ず、第２の相違点について説明する。第１及び第２実施形態では、撥液層９は、膜厚が非常に薄いため無色となるため、目視での撥液層９の形状、開口部８の位置確認等が困難であるため、第３実施形態では、撥液層９の形状等の目視確認を容易にするため、コーティング溶液内に蛍光体の粒子を含有させたものを使用する。尚、第３実施形態では、蛍光体の一例として、黄色蛍光体である（Ｂａ,Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕを用いる。当該黄色蛍光体は、波長４００ｎｍ〜４５０ｎｍの光を照射すると黄色に発光し、撥液層９の形状等の目視確認を容易になる。尚、当該黄色蛍光体の粒子は、粒径が約１０μｍであるので、撥液層９の膜厚は、当該粒径以上にする必要から、例えば０．０１５ｍｍ以上が好ましい。撥液層９の形成方法は、コーティング溶液内に蛍光体が含有されている点以外は第１実施形態と同じであり、第１実施形態で説明した方法でコーティング溶液の塗布及び乾燥を行うため、重複する説明は割愛する。尚、撥液層９に含有させる蛍光体の発光色は黄色に限定されるものではない。例えば、搭載する発光素子１０の特性に応じて、当該蛍光体の発光色を変化させるのも好ましい。
第３実施形態では、撥液層９が波長４００ｎｍ〜４５０ｎｍの光（青色光）を照射することで黄色に発光し、目視確認が容易になることで、以下のような利点が生じる。第１に、後述するワイヤボンディング法において、ランド部３ａ，３ｂ上のボンディング用ワイヤ３０の一端を接続する領域に、誤って撥液層９が塗布されている場合、ワイヤボンディング不良となるが、撥液層９に青色光を照射することで、撥液層９の塗布不良をワイヤボンディング工程前に事前に確認できるため、当該塗布不良の単位区画の排除、或いは、ワイヤボンディング位置を撥液層９の塗布されていない領域に移動する調整等が可能となる。第２に、上記塗布不良の事前確認が可能となることから、撥液層９の塗布精度に起因するランド部３ａ，３ｂのパターン及び撥液層９のパターンのレイアウト設計のマージンを小さくでき、より高密度でのレイアウト設計が可能となる。第３に、撥液層９のコーティング状態を検査するのに利用できる。第４に、メタルマスク２４と撥液層９を形成した積層基板間のアライメント時の効率及び精度が向上する。
次に、第３の相違点について説明する。図１２（Ａ）に示すように、発光素子１０とランド部３ａ，３ｂ間の接続は、周知のワイヤボンディング法により行う。つまり、発光素子１０の表面側を上向きにして裏面側をランド部３ａ，３ｂに対向させ、ランド部３ａ，３ｂ間の間隙を跨いで発光素子１０を、先ずランド部３ａ，３ｂ上にダイボンディングし、次に、Ｐ電極１０ａのボンディング用パッドとランド部３ａ、Ｎ電極１０ｂのボンディング用パッドとランド部３ｂを、夫々ボンディング用ワイヤ３０を用いて接続する。
次に、第４の相違点について説明する。第３実施形態では、メタルマスク２４の開口部２３内へのシリコン樹脂２６の注入を第１実施形態と同様にスキージ印刷法により行うが、使用するメタルマスク２４が、第１実施形態とは異なる。第３実施形態では、開口部２３の内壁の下側部分に撥液膜２８が形成されている。第２実施形態では、開口部２３の内壁の全面に撥液膜２８が形成されたメタルマスク２４を使用したが、第３実施形態では、開口部２３の内壁の下側部分に撥液膜２８が形成されているもの、或いは、第２実施形態で使用したものと同じメタルマスク２４が使用可能である。
第１実施形態では、メタルマスク２４の内壁に撥液膜２８が形成されていないため、注入直後のシリコン樹脂２６は、開口部２３内では円筒状を保っているが、第３実施形態では、図１２（Ｂ）に示すように、撥液膜２８の撥液性とシリコン樹脂２６の表面張力、シリコン樹脂２６のランド部３ａ，３ｂを構成する金属との界面張力により、シリコン樹脂２６は、上方向に凸のドーム状に自然に成形される。引き続き、全ての開口部２３内に蛍光体含有シリコン樹脂２６が注入された後、メタルマスク２４を上側に向けて取り外すと、各開口部２３内に注入されたドーム状のシリコン樹脂２６が横方向（開口部８の半径方向）に広がり、図１２（Ｃ）に示すように、撥液層９の撥液性とシリコン樹脂２６の表面張力、シリコン樹脂２６のランド部３ａ，３ｂを構成する金属との界面張力により、シリコン樹脂２６は、上方向に凸のドーム状に自然に成形される。当該ドームは底面が直径２ｍｍの円形で高さが約１．３ｍｍの略半球体状となる。
次に、第１実施形態と同様に、例えば、８０℃〜１５０℃の温度範囲のオーブン内で数分間熱処理して、シリコン樹脂２６を熱硬化させると、図１２（Ｃ）に示すように、ドーム状の蛍光体含有シリコン樹脂１１が形成される。これにより、発光素子１０は蛍光体含有シリコン樹脂１１により樹脂封止される。引き続いて、ドーム状の蛍光体含有シリコン樹脂１１が形成された積層基板に対し、例えば１５０℃の高温条件下でアフターキュアを行う。この時点で、第１実施形態と同様に、図７に示すように、発光素子１０をドーム状の蛍光体含有シリコン樹脂１１に封止してなる表面実装型の発光装置１が、３０６個（１７行×１８列）アレイ状に配列し絶縁性フィルム２に固定された状態に作製される。以降、第１実施形態と同じ要領で、絶縁性フィルム２を切断領域１２に沿って切断して、１または複数の単位区画に個片化された発光装置１を作製する。
切断領域１２の幅が０．２ｍｍの場合に、上記個片化により切断領域１２が全て除去される場合には、図１１に図示するような絶縁性フィルム２の単位区画からのはみ出し部分は存在しないが、上記個片化により切断領域１２の一部だけが除去されるか、或いは、切断により除去部分が生じない場合は、図１１に図示するように絶縁性フィルム２の単位区画からのはみ出し部分が残る。
［別実施形態］
次に、上記各実施形態の別実施形態について説明する。
〈１〉上記各実施形態では、絶縁性フィルム２の材質として、膜厚０．０５ｍｍのポリイミドフィルムを使用したが、ポリイミドフィルム以外に、例えば、ビスマレイミドトリアジン樹脂系フィルム或いは液晶ポリマー系フィルム等を使用しても良い。また、絶縁性フィルム２の膜厚も、０．０５ｍｍに限定されるものではなく、より強度の大きい材質では膜厚を０．０５ｍｍより薄くでき、上述のスプライサーや簡易切断具で容易に切断可能な範囲で膜厚を厚くすることも可能である。
〈２〉上記各実施形態では、絶縁性フィルム２の両面に、接着層５，６を介して金属積層膜を貼り付けた後、不要部分をエッチングして、ランド部３ａ，３ｂ及び端子部４ａ，４ｂを形成したが、当該形成方法に代えて、予めランド部３ａ，３ｂ及び端子部４ａ，４ｂをパターニングした金属積層膜を絶縁性フィルム２の両面に接着するようにしても良い。
〈３〉上記各実施形態では、発光素子１０として青色系の発光ダイオードを用い、発光素子１０を赤色蛍光体と緑色蛍光体を含有するシリコン樹脂１１で封止する形態（白色系の発光装置）を説明した。しかし、本発明は白色系以外の発光装置にも適用可能であり、発光素子１０として青色系の発光ダイオード以外の発光色（発光波長）の発光ダイオードを用いても良く、また、シリコン樹脂１１に蛍光体を含有させずに透明の封止樹脂としても良く、また、封止樹脂１１に含有する蛍光体として、上述の赤色蛍光体と緑色蛍光体以外の蛍光体を用いても良い。但し、蛍光体の発光波長は、発光素子１０の発光波長より長波長である必要がある。
〈４〉上記各実施形態では、１つの単位区画内には、１つの発光素子１０を搭載する場合を説明したが、１つの単位区画内に複数の発光素子１０のダイスを搭載しても良い。
また、上記各実施形態では、積層基板上の各単位区画には、同じ発光素子１０を搭載する場合を説明したが、同じ積層基板上において、一の単位区画と他の単位区画において、異なる発光素子（例えば、発光波長の異なる発光ダイオード）を搭載しても良い。
〈５〉上記各実施形態で説明した各部の形状や寸法は一例であり、例えば、発光素子１０のチップサイズ等に応じて変更可能である。また、撥液層９の開口部８、メタルマスク２４の開口部２３の形状も、円形に限定されるものではなく、例えば、楕円形であっても良い。
〈６〉上記第２実施形態で示した第１実施形態との２つの相違点は、何れか一方を採用し、他方を第１実施形態と同じとする別実施形態も可能である。また、上記第３実施形態で示した第１実施形態との４つの相違点は、第１乃至第４の相違点の内、任意の１乃至３つの相違点を採用し、残りを第１実施形態と同じとする別実施形態も可能である。更に、上記第３実施形態または上記第３実施形態の別実施形態において、第４の相違点のメタルマスク２４の開口部２３内へのシリコン樹脂２６の注入方法を、上記第２実施形態における第２の相違点の方法に変更しても構わない。
〈７〉上記各実施形態では、発光素子１０として、フリップチップ型発光素子とワイヤボンディング型発光素子の２種類の構造のものを例示したが、チップ裏面側の全面がＮ電極（カソード）１０ｂとなっていて、チップ表面側にＰ電極（アノード）１０ａが形成され、表面側から発光を出射させる構造の発光素子であっても良い。但し、この場合は、発光素子１０をランド部３ｂにのみダイボンディングにより電気的且つ機械的に接続し、発光素子１０のＰ電極（アノード）１０ａとランド部３ａ間を、ボンディング用ワイヤを介して接続する。従って、ランド部３ａ，３ｂの面積を、ランド部３ｂ側を大きくして、開口部８の中心にランド部３ｂが存在するようにするのが好ましい。
〈８〉上記各実施形態では、絶縁性フィルム２の上面に、金属膜片からなる１対のランド部３ａ，３ｂを備え、当該１対のランド部３ａ，３ｂとその間隙の上に、当該間隙の中央部分を含む円形領域を露出する開口部８を中央に有する環状の撥液層９を備え、開口部８の内側に発光素子１０を搭載し、発光素子１０を封止する蛍光体含有シリコン樹脂１１を開口部８上にドーム状に形成する形態を説明したが、当該撥液層９に代えて、１対のランド部３ａ，３ｂの外周と間隙に、例えば白色シリコン樹脂３１を形成し、１対のランド部３ａ，３ｂの外周に形成された白色シリコン樹脂３１で囲まれた領域上に、発光素子１０を封止する蛍光体含有シリコン樹脂１１をドーム状に形成するようにしても良い。図１５に、本別実施形態の発光装置１６の一構成例を模式的に示す。ここで、図１５（Ａ）及び（Ｃ）は、発光装置１６を上面側から見た平面図及び下面側から見た底面図であり、同図（Ｂ）は、発光素子１０を切断するＹ方向に垂直な断面における発光装置１６の断面図である。
発光装置１６は、図１５に示すように、絶縁性フィルム２の上面に、金属膜片からなる１対のランド部３ａ，３ｂを備え、下面に金属膜片からなる外部接続用の１対の端子部４ａ，４ｂを備え、各ランド部３ａ，３ｂは接着層５を介して絶縁性フィルム２の上面に接着し、各端子部４ａ，４ｂは接着層６を介して絶縁性フィルム２の下面に接着している。ランド部３ａと端子部４ａは、絶縁性フィルム２を挟んで対向し、絶縁性フィルム２を貫通する貫通導電体７ａにより電気的に導通している。同様に、ランド部３ｂと端子部４ｂは、絶縁性フィルム２を挟んで対向し、絶縁性フィルム２を貫通する貫通導電体７ｂにより電気的に導通している。１対のランド部３ａ，３ｂは、当該ランド部間をＹ方向に延伸する細長い間隙によって電気的に絶縁分離されている。同様に、１対の端子部４ａ，４ｂも、当該端子部間をＹ方向に延伸する細長い間隙によって電気的に絶縁分離されている。白色シリコン樹脂３１は、１対のランド部３ａ，３ｂの外周と間隙に、例えば、１対のランド部３ａ，３ｂの端縁部を僅かに被覆し、上面が１対のランド部３ａ，３ｂ上面より僅かに高くなるようにダム状に形成されている。本別実施形態では、ランド部３ａ，３ｂの面積を、例えばランド部３ａ側を大きくして、上記第３実施形態と同様のワイヤボンディング型の発光素子１０の基板側をランド部３ａにダイボンディングにより接続し、発光素子１０のＰ電極（アノード）１０ａとランド部３ａ間、及び、Ｎ電極１０ｂとランド部３ｂ間を、夫々ボンディング用ワイヤを介して接続する。１対のランド部３ａ，３ｂの外周に形成された白色シリコン樹脂３１で囲まれた領域上に、発光素子１０を封止する蛍光体含有シリコン樹脂１１をドーム状に形成する。本別実施形態では、金属膜片の一例として、銅泊上に銀メッキを施したものを使用し、絶縁性フィルム２の一例として、膜厚０．０５ｍｍのポリイミドフィルムを使用する。また、図１５（Ｂ）に示すように、貫通導電体７ａ，７ｂは、一例として、第１乃至第３実施形態の場合より面積を大きくして形成されている。図１５（Ａ）及び（Ｃ）の破線は、貫通導電体７ａ，７ｂの外周を示す。
更に、本別実施形態の別態様として、ワイヤボンディング型の発光素子１０を、第３実施形態と同様に、１対のランド部３ａ，３ｂに、間隙部の白色シリコン樹脂３１を跨いでダイボンディングにより接続するようにしても良い。この場合は、ランド部３ａ，３ｂの面積を第１乃至第３実施形態と同様に均等にするのが好ましい。更に、本別実施形態の別態様として、発光素子１０が、チップ裏面側の全面がＮ電極（カソード）１０ｂとなっていて、チップ表面側にＰ電極（アノード）１０ａが形成され、表面側から発光を出射させる構造の発光素子の場合、ランド部３ａ，３ｂの面積を、ランド部３ｂ側を大きくして、発光素子１０をランド部３ｂにのみダイボンディングにより電気的且つ機械的に接続し、発光素子１０のＰ電極（アノード）１０ａとランド部３ａ間を、ボンディング用ワイヤを介して接続するようにしても良い。更に、本別実施形態の別態様として、発光素子１０が、第１実施形態と同様のフリップチップ型発光素子の場合は、発光素子１０を、第１実施形態と同様に、１対のランド部３ａ，３ｂに、間隙部の白色シリコン樹脂３１を跨いでフリップチップ接続する。この場合は、ランド部３ａ，３ｂの面積を第１乃至第３実施形態と同様に均等にするのが好ましい。
１，１３，１５，１６： 本発明に係る発光装置
２： 絶縁性フィルム
３ａ，３ｂ： ランド部
４ａ： 端子部（外部接続用のアノード端子）
４ｂ： 端子部（外部接続用のカソード端子）
５，６： 接着層
７ａ，７ｂ： 貫通導電体
８： 撥液層の開口部
９： 撥液層
１０： 発光素子
１０ａ： Ｐ電極
１０ｂ： Ｎ電極
１１： 封止樹脂（蛍光体含有シリコン樹脂）
１２： 切断領域
１４： 補強材
２０： 加熱ステージ
２１： シート
２２： シート固定ツール
２３： メタルマスクの開口部
２４： メタルマスク
２５： スキージ
２６： シリコン樹脂（成形前の蛍光体含有シリコン樹脂）
２７： スプライサー
２８： 撥液膜
２９： ノズル
３０： ボンディング用ワイヤ
３１： 白色シリコン樹脂

Claims (15)

  1. 絶縁性フィルムと、
    前記絶縁性フィルムの上面に形成された金属膜片からなる少なくとも１対のランド部と、
    前記ランド部と１対１に対応して前記絶縁性フィルムを挟んで対向する前記絶縁性フィルムの下面に形成された金属膜片からなる外部接続用の端子部と、
    前記絶縁性フィルムを貫通して相互に対応する前記ランド部と前記端子部間を接続する貫通導電体と、
    前記１対のランド部毎に、前記１対のランド部上に形成され、前記１対のランド部間の間隙の少なくとも一部を露出する開口部を中央に有する環状層と、
    前記１対のランド部と電気的に接続し、前記１対のランド部を内包する単位区画内の前記開口部の内側に設置された発光素子と、を備え、
    前記開口部に前記発光素子を封止する蛍光体含有樹脂または透明樹脂がドーム状に形成され、
    前記環状層が白色シリコン樹脂層または蛍光体を含有する撥液層であることを特徴とする発光装置。
  2. 前記環状層が前記白色シリコン樹脂層であり、前記白色シリコン樹脂層が、前記１対のランド部の外周及び間隙に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記発光素子が、前記貫通導電体の直上に設置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 前記絶縁性フィルムと前記ランド部、及び、前記絶縁性フィルムと前記端子部は、夫々接着層を介して接続していることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の発光装置。
  5. 前記単位区画の周囲に設けられた前記単位区画を最小単位として個片化するための切断領域が、前記絶縁性フィルム上に格子状に設定され、
    前記切断領域に囲まれた前記単位区画毎に、前記絶縁性フィルムの下面に前記端子部が１対ずつ形成され
    前記切断領域の前記絶縁性フィルムの上面及び下面には、前記金属膜片が形成されていないことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の発光装置。
  6. 前記切断領域に沿って前記絶縁性フィルムが切断されることで、１または複数の前記単位区画に個片化されていることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
  7. 前記単位区画毎に、前記１対のランド部に対応する１対の前記端子部間の間隙に、補強材が充填されていることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の発光装置。
  8. 絶縁性フィルムの上面に、金属膜片からなる少なくとも１対のランド部を形成する工程と、
    前記絶縁性フィルムの下面に、金属膜片からなる前記ランド部と１対１に対応して前記絶縁性フィルムを挟んで対向する外部接続用の端子部を形成する工程と、
    前記絶縁性フィルムを貫通して相互に対応する前記ランド部と前記端子部間を接続する貫通導電体を形成する工程と、
    前記１対のランド部毎に、前記１対のランド部間の間隙の少なくとも一部を露出する開口部を中央に有する環状層を、前記１対のランド部上に形成する工程と、
    発光素子を、前記１対のランド部と電気的に接続し、前記１対のランド部とその間隙を含む単位区画内の前記開口部の内側に設置する工程と、
    前記開口部に前記発光素子を封止する蛍光体含有樹脂または透明樹脂をドーム状に形成する工程と、を有し、
    前記環状層が白色シリコン樹脂層または蛍光体を含有する撥液層であることを特徴とする発光装置の製造方法。
  9. 前記環状層が前記白色シリコン樹脂層であり、前記環状層を形成する工程において、前記白色シリコン樹脂層を、前記１対のランド部の外周及び間隙に形成することを特徴とする請求項８に記載の発光装置の製造方法。
  10. 前記発光素子を、前記貫通導電体の直上に設置することを特徴とする請求項８または９に記載の発光装置の製造方法。
  11. 前記蛍光体含有樹脂または透明樹脂を形成する工程において、前記環状層の開口部の少なくとも一部が露出する開口部を前記単位区画毎に有するマスク部材を用いて、前記絶縁性フィルムの上面側を覆い、前記マスク部材の開口部に、前記蛍光体含有樹脂または透明樹脂を注入することを特徴とする請求項８〜１０の何れか１項に記載の発光装置の製造方法。
  12. 前記マスク部材の開口部が、前記環状層を覆った状態で前記環状層の上面が露出されないように形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の発光装置の製造方法。
  13. 前記蛍光体含有樹脂または透明樹脂の注入を、前記マスク部材、または、前記マスク部材の開口部の内壁に撥液膜を備えたマスク部材を用いて、スキージ印刷法またはポッティング法により行うことを特徴とする請求項１１または１２の何れか１項に記載の発光装置の製造方法。
  14. 前記単位区画の周囲に設けられた前記単位区画を最小単位として個片化するための切断領域に沿って前記絶縁性フィルムを切断し、１または複数の前記単位区画に個片化する工程を有することを特徴とする請求項８〜１３の何れか１項に記載の発光装置の製造方法。
  15. 前記切断領域に沿って前記絶縁性フィルムを、市販の簡易切断具のカッターナイフ、ローラーカッター、または、ロータリーカッターを用いて切断することを特徴とする請求項１４に記載の発光装置の製造方法。
JP2012525350A 2010-07-23 2011-06-27 発光装置及びその製造方法 Expired - Fee Related JP5756803B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012525350A JP5756803B2 (ja) 2010-07-23 2011-06-27 発光装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010166415 2010-07-23
JP2010166415 2010-07-23
PCT/JP2011/064624 WO2012011363A1 (ja) 2010-07-23 2011-06-27 発光装置及びその製造方法
JP2012525350A JP5756803B2 (ja) 2010-07-23 2011-06-27 発光装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2012011363A1 JPWO2012011363A1 (ja) 2013-09-09
JP5756803B2 true JP5756803B2 (ja) 2015-07-29

Family

ID=45496791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012525350A Expired - Fee Related JP5756803B2 (ja) 2010-07-23 2011-06-27 発光装置及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9065031B2 (ja)
JP (1) JP5756803B2 (ja)
CN (1) CN102959747A (ja)
TW (1) TWI513064B (ja)
WO (1) WO2012011363A1 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012105176B4 (de) * 2012-06-14 2021-08-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
US9444021B2 (en) 2012-06-15 2016-09-13 Sharp Kabushiki Kaisha Film wiring substrate and light emitting device
WO2013186978A1 (ja) * 2012-06-15 2013-12-19 シャープ株式会社 発光装置
JP5609925B2 (ja) 2012-07-09 2014-10-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6007249B2 (ja) 2012-07-19 2016-10-12 シャープ株式会社 列発光装置およびその製造方法
US8889439B2 (en) * 2012-08-24 2014-11-18 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method and apparatus for packaging phosphor-coated LEDs
US9761763B2 (en) * 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
WO2014162776A1 (ja) * 2013-04-04 2014-10-09 シャープ株式会社 発光素子パッケージの製造方法及び発光素子パッケージ
DE102014101557A1 (de) * 2014-02-07 2015-08-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102014101556A1 (de) 2014-02-07 2015-08-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US9548429B2 (en) 2014-05-10 2017-01-17 Sensor Electronic Technology, Inc. Packaging for ultraviolet optoelectronic device
US10147854B2 (en) 2014-05-10 2018-12-04 Sensor Electronic Technology, Inc. Packaging for ultraviolet optoelectronic device
EP3195375A1 (en) * 2014-09-17 2017-07-26 Philips Lighting Holding B.V. Flexible light emitting device
US10217904B2 (en) * 2015-02-03 2019-02-26 Epistar Corporation Light-emitting device with metallized mounting support structure
DE102016101526A1 (de) * 2016-01-28 2017-08-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines Multichip-Bauelements
US10615321B2 (en) * 2017-08-21 2020-04-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device package
JP7017359B2 (ja) * 2017-09-29 2022-02-08 Hoya株式会社 光半導体装置
CN110112569A (zh) * 2019-05-13 2019-08-09 佛山市粤海信通讯有限公司 一种电磁复合材料的制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009070869A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Panasonic Corp 半導体発光装置
JP2009164242A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Hitachi Ltd 光源モジュール、照明装置、及び液晶表示装置
JP2009239036A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Hitachi Aic Inc Ｌｅｄ基板
JP2010129870A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2010239004A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Olympus Corp 半導体発光装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998034285A1 (fr) * 1997-01-31 1998-08-06 Matsushita Electronics Corporation Element electroluminescent, dispositif electroluminescent a semiconducteur, et leur procede de production
JPH11298048A (ja) 1998-04-15 1999-10-29 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ実装基板
WO2003014257A2 (en) * 2001-04-13 2003-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light-emitting device and light-emitting apparatus comprising the device
US7199515B2 (en) * 2001-06-01 2007-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and light emitting device using the element
TW582122B (en) * 2003-01-27 2004-04-01 Opto Tech Corp Light emitting diode package structure
EP1603170B1 (en) * 2003-03-10 2018-08-01 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for manufacturing a solid-state optical element device
KR101029178B1 (ko) * 2003-03-10 2011-04-12 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 포토다이오드 어레이 및 그 제조방법 그리고 방사선 검출기
JP2005136224A (ja) 2003-10-30 2005-05-26 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 発光ダイオード照明モジュール
TW200635452A (en) * 2005-02-23 2006-10-01 Almt Corp Collective substrate, semiconductor element mount, semiconductor device, imaging device, light emitting diode component and light emitting diode
EP1830421A3 (en) * 2006-03-03 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, manufacturing method of light emitting device, and sheet-like sealing material
JP4907253B2 (ja) * 2006-08-03 2012-03-28 シャープ株式会社 注入装置、製造装置、および半導体発光装置の製造方法
JP5511154B2 (ja) 2008-06-13 2014-06-04 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品製造用の個片化装置及び個片化方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009070869A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Panasonic Corp 半導体発光装置
JP2009164242A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Hitachi Ltd 光源モジュール、照明装置、及び液晶表示装置
JP2009239036A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Hitachi Aic Inc Ｌｅｄ基板
JP2010129870A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2010239004A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Olympus Corp 半導体発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2012011363A1 (ja) 2013-09-09
WO2012011363A1 (ja) 2012-01-26
US9065031B2 (en) 2015-06-23
US20130119426A1 (en) 2013-05-16
CN102959747A (zh) 2013-03-06
TWI513064B (zh) 2015-12-11
TW201208154A (en) 2012-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5756803B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
US10431567B2 (en) White ceramic LED package
US11189601B2 (en) Reflective solder mask layer for LED phosphor package
US10833054B2 (en) Smart pixel surface mount device package
EP2312657B1 (en) Method of manufacturing light emitting diode device
KR101945532B1 (ko) 슬롯에 형성된 반사 벽을 갖는 led 혼합 챔버
JP4386789B2 (ja) 発光ダイオード素子の製造方法
JP2008235824A5 (ja)
JP2012023184A (ja) 発光装置
KR100748707B1 (ko) 발광 소자의 제조 방법
US9954144B2 (en) Wafer level contact pad solder bumping for surface mount devices with non-planar recessed contacting surfaces
KR101129002B1 (ko) 광 패키지 및 그 제조 방법
JP5841325B2 (ja) ベアチップ実装面発光体
KR101146659B1 (ko) 광 패키지 및 그 제조 방법
KR101136392B1 (ko) 광 패키지 및 그 제조 방법
JP2003060240A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
KR20140048178A (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR20110122496A (ko) 광 패키지 및 그 제조 방법
JP2020205392A (ja) 発光装置
KR20120080094A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140401

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150326

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150601

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5756803

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees