CN103236490A - Led倒装芯片封装器件、其制造方法及使用其的封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种LED倒装芯片封装器件，包括LED倒装芯片、封装本体，所述封装本体将该LED倒装芯片包覆，该LED倒装芯片的N焊盘层与P焊盘层外露于该封装本体。该LED倒装芯片封装器件中的LED倒装芯片散热、绝缘性能好，稳定性高，同时，封装工艺简单，大大提高了LED倒装芯片的封装效率及产品良率。

Description

LED倒装芯片封装器件、其制造方法及使用其的封装结构
技术领域
本发明涉及LED技术领域，具体的说是一种LED倒装芯片封装器件及制造方法及使用该LED倒装芯片封装器件的封装结构。
背景技术
发光二极管（LED）光源具有高效率、长寿命、不含Hg等有害物质的优点。随着LED技术的迅猛发展，LED的亮度、寿命等性能都得到了极大的提升，使得LED的应用领域越来越广泛，从路灯等室外照明到装饰灯等室内照明，均纷纷使用或更换成LED作为光源。
LED表面贴装型（SMD）的封装结构由于其应用方便和体积小等优势已经成为了主要的封装形式。请参阅图1，其是现有技术中常用的LED表面贴装器件，包括一封装支架101和一通过固晶工艺贴装在封装支架101内的LED芯片2。封装支架101表面设置有金属引线5，在LED芯片2两侧的金属引线5上设置有电极4，LED芯片2的正负电极通过金线3分别与封装支架101上的电极4电连接。通过荧光粉涂敷和封胶工艺在LED芯片2的上方填充灌封胶体6，从而完成对LED芯片2的封装。
然而，目前这种LED表面贴装结构存在以下问题：由于封装支架101是采用金属支架为基板，再以射出塑胶凹槽或模铸成型方式封胶后并切割而成，因此其耐温性不佳、散热性不够理想，微型化不易制作。此外，由于采用了将LED芯片2上表面装贴及采用金线3连接电极的结构，而金线连接失效往往是LED生产和使用过程中出现最多的失效模式。另外，上表面装贴的LED芯片2通过蓝宝石散热，其散热效果不佳。
为了解决上述封装支架结构存在的问题，一个较好的方法是采用硅基板直接作为LED芯片的封装基板。目前基于硅基板的SMD结构的产品还未能在实际中大量销售和应用，只是有相关的专利报道。他们大多采用的都是将硅片上表面挖一个深的凹槽，再在凹槽内挖通孔，将上表面凹槽内的电极连到下表面，形成SMD的封装形式；LED芯片被埋入到硅凹槽中，封装时在凹槽中填充荧光粉和封胶；而且普遍采用的是正装芯片打金线连接。部分也采用了大功率倒装芯片的结构。请参阅图2，该封装器件包括一硅基板71、一LED芯片72和封装胶体73。其中，该硅基板，71的上表面具有一深凹槽，LED芯片72倒装在该硅基板10的深凹槽内。LED芯片72的正负电极对应的硅基板71的凹槽内设有通孔75，通孔75对应的硅基板71的下表面具有导电焊盘76，LED芯片72通过通孔75内设的引线与导电焊盘76电连接。该封装胶体73是通过在深凹槽内填充荧光粉和封胶而形成。
这种结构由于需要在硅片的上表面挖大的深凹槽，需要对硅片进行长时间腐蚀，工艺复杂且成本较高；同时由于凹槽很深，从而在其内部布线难度增加，特别是如果采用大功率倒装芯片，需要在凹槽内的电极上制作金属凸点，其工艺难度较大；再者由于硅基板上表面有深的凹槽，不容易在硅基板上集成LED的***电路（如静电保护电路、驱动电路等），其应用前景上也受到限制；此外，受凹槽大小限制，凹槽内放置的芯片数目受限，不易实现多芯片模组。
另外,上述两种芯片封装方案，无论是采用大功率倒装芯片或正装芯片，均需要使用封装支架，使得芯片延长散热路径导致封装热阻增大，不利于芯片本身散热，同时加重封装成本。
发明内容
本发明的其中一目的在于提供一种LED倒装芯片封装器件。
本发明的另一目的在于提供上述LED倒装芯片封装器件的制造方法。
本发明的再一目的在于提供一种使用上述LED倒装芯片封装器件的封装结构。
为了达到上述目的，本发明采用了如下的技术方案：
一种LED倒装芯片封装器件，包括LED倒装芯片、封装本体，所述封装本体将该LED倒装芯片包覆，该LED倒装芯片的N焊盘层与P焊盘层外露于该封装本体。
作为本发明的优选技术方案，所述LED倒装芯片内设置的绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层；该第一绝缘层覆盖在LED倒装芯片的反射层上，该第二绝缘层设置在LED倒装芯片的N引线电极与该P引线电极上，该第二绝缘层上设有通孔，所述N焊盘层与该P焊盘层透过该通孔分别与该N引线电极、该P引线电极相接触。
作为本发明的优选技术方案，所述LED倒装芯片的第二绝缘层沿该LED倒装芯片的侧面延伸至该LED倒装芯片的蓝宝石衬底，与该蓝宝石衬底的表面贴合。
或者，所述LED倒装芯片的第一绝缘层沿该LED倒装芯片的侧面延伸至该LED倒装芯片的蓝宝石衬底，与该蓝宝石衬底的表面贴合；该第二绝缘层沿该N引线电极与该P引线电极的侧面延伸至该第一绝缘层，与该第一绝缘层的表面贴合。
或者，所述LED倒装芯片的位于N引线电极侧的第二绝缘层沿该LED倒装芯片的侧面延伸至该N型层，与该N型层的表面贴合，位于P引线电极侧的第二绝缘层沿该LED倒装芯片的侧面延伸至该P型层，与该P型层的表面贴合。
作为本发明的优选技术方案，于该N焊盘层外露于封装本体的一面依次设有N金锡焊盘、N固定块；于该P焊盘层外露于封装本体的一面依次设有P金锡焊盘、P固定块；该N固定块和P固定块的表面镀有反射材料层。
作为本发明的优选技术方案，所述封装本体的底面与N焊盘层与P焊盘层的底面平齐，该N固定块与该P固定块顶面的面积小于或等于该N焊盘层与该P焊盘层底面的面积。
或者，所述封装本体的底面与N金锡焊盘及P金锡焊盘的底面平齐，该N固定块与该P固定块顶面的面积大于或等于该N焊盘层与该P焊盘层底面的面积。
作为本发明的优选技术方案，所述封装本体的底面设有用于反射光线的金属箔。
作为本发明的优选技术方案，所述封装本体为玻璃封装本体、硅胶封装本体或树脂封装本体。
作为本发明的优选技术方案，所述硅胶封装本体或树脂封装本体内分布有荧光粉。
作为本发明的优选技术方案，所述N焊盘层与P焊盘层间设有绝缘块。
作为本发明的优选技术方案，所述N焊盘层与P焊盘层间的距离大于250um。
作为本发明的优选技术方案，所述LED芯片的长、宽之比大于2.5:1。
一种LED倒装芯片封装器件的制造方法，包括以下步骤：
a1、制备固定LED倒装芯片的封装支架：提供一金属带材，对该金属带材进行冲压，在该金属带材上形成至少一支架单元，该支架单元设有N固定块、N预切割带、P固定块与P预切割带；然后，对金属带材的表面进行电镀，在N固定块与P固定块的表面形成一反射材料层；
b1、将LED倒装芯片固定在封装支架上：该LED倒装芯片的N焊盘层与P焊盘层分别通过N金锡焊盘、P金锡焊盘与N固定块、P固定块镀有反射材料层的一面固定；
c1、提供一注胶模具：该注胶模具包括相配合的上模与下模，该上模设有至少一成型腔体，该下模对应该成型腔体设有注胶口；
d1、成型封装本体：将LED倒装芯片与封装支架放置于注胶模具，该LED倒装芯片位于成型腔体内，该封装支架位于上模与下模之间；闭合上模与下模，从下模的注胶口注入液态封装胶体，待液态封装胶体包覆LED倒装芯片，并固化后，打开上模与下模，取出封装有封装本体的LED倒装芯片与封装支架；
e1、切断封装支架上的N预切断带和P预切断带，使N固定块、P固定块与封装支架断开连接，形成单个的LED倒装芯片封装器件。
作为本发明的优选技术方案，e1步骤后，还包括一步骤：采用化学刻蚀及机械切割方式移除N金锡焊盘、N固定块、P金锡焊盘及P固定块，使LED倒装芯片的N焊盘层和P焊盘层外露于该封装本体。
一种LED倒装芯片封装器件的制造方法，包括以下步骤：
a2、制备固定LED倒装芯片的载板：提供一金属箔，对该金属箔进行冲压，在该金属箔上形成至少一通孔；然后，在该金属箔下方设置一蓝膜与该金属箔贴合；
b2、将LED倒装芯片与载板固定：将LED倒装芯片设置在金属箔的通孔内，并使LED倒装芯片的N焊盘层、P焊盘层与蓝膜表面固定；
c2、提供一注胶模具：该注胶模具包括相配合的上模与下模，该上模设有至少一成型腔体，该下模对应该成型腔体设有注胶口；
d2、成型封装本体：将LED倒装芯片与载板放置于注胶模具，该LED倒装芯片位于成型腔体内，该载板位于上模与下模之间；闭合上模与下模，从下模的注胶口注入液态封装胶体，待液态封装胶体包覆LED倒装芯片，并固化后，打开上模与下模，取出封装有封装本体的LED倒装芯片与载板；
e2、剥离蓝膜。
一种LED倒装芯片封装器件的制造方法，包括以下步骤：
a3、制备固定LED倒装芯片的封装支架：提供一金属带材，对该金属带材进行冲压，在该金属带材上形成至少一支架单元，该支架单元设有N固定块、N预切割带、P固定块与P预切割带；然后，对金属带材的表面进行电镀，在N固定块与P固定块的表面形成一反射材料层；
b3、将LED倒装芯片固定在封装支架上：该LED倒装芯片的N焊盘层与P焊盘层分别通过N金锡焊盘、P金锡焊盘与N固定块、P固定块镀有反射材料层的一面固定；
c3、提供一冲压模具：该冲压模具包括上模与下模，该上模设有至少一凹槽，该凹槽大于该LED倒装芯片的外形尺寸；
d3、成型封装本体：将LED倒装芯片与封装支架放置于上模与下模之间，封装支架放置在下模上方，LED倒装芯片与上模上的凹槽相对应；将固态玻璃片放置于LED倒装芯片上加热，使固态玻璃片在氮气或真空环境下熔化，熔融状态的玻璃流动将LED倒装芯片包覆；此时下压上模，凹槽的侧壁将位于LED倒装芯片侧的熔融玻璃隔断，形成包覆LED倒装芯片的封装本体，待冷却固化后，打开上模与下模，取出封装有封装本体的LED倒装芯片与封装支架；
e3、切断封装支架上的N预切断带和P预切断带，使N固定块、P固定块与封装支架断开连接，形成单个的LED倒装芯片封装器件。
作为本发明的优选技术方案，e3步骤后，还包括一步骤：采用化学刻蚀及机械切割方式移除N金锡焊盘、N固定块、P金锡焊盘及P固定块，使LED倒装芯片的N焊盘层和P焊盘层外露于该封装本体。
一种LED倒装芯片封装器件的制造方法，包括以下步骤：
a4、制备固定LED倒装芯片的载板：提供一金属箔，对该金属箔进行冲压，在该金属箔上形成至少一通孔；然后，在该金属箔下方设置一蓝膜与该金属箔贴合；
b4、将LED倒装芯片与载板固定：将LED倒装芯片设置在金属箔的通孔内，并使LED倒装芯片的N焊盘层、P焊盘层与蓝膜表面固定；
c4、提供一冲压模具：该冲压模具包括上模与下模，该上模设有至少一凹槽，该凹槽大于该LED倒装芯片的外形尺寸；
d4、成型封装本体：将LED倒装芯片与载板放置于上模与下模之间，载板放置在下模上方，LED倒装芯片与上模上的凹槽相对应；将固态玻璃片放置于LED倒装芯片上加热，使固态玻璃片在氮气或真空环境下熔化，熔融状态的玻璃流动将LED倒装芯片包覆；此时下压上模，凹槽的侧壁将位于LED倒装芯片侧的熔融玻璃隔断，形成包覆LED倒装芯片的封装本体，待冷却固化后，打开上模与下模，取出封装有封装本体的LED倒装芯片与载板；
e4、剥离蓝膜。
一种使用上述LED倒装芯片封装器件的封装结构，包括：LED倒装芯片、封装本体与基板，所述封装本体将该LED倒装芯片包覆，该LED倒装芯片的N焊盘层与P焊盘层外露于该封装本体；所述基板上设有N粘结金属层与P粘结金属层；
该N焊盘层、P焊盘层分别与N粘结金属层、P粘结金属层对应连接；或者，该N焊盘层外露于封装本体的一面依次设有N金锡焊盘、N固定块；该P焊盘层外露于封装本体的一面依次设有P金锡焊盘、P固定块，该N固定块、P固定块分别与N粘结金属层、P粘结金属层对应连接。
作为本发明的优选技术方案，所述基板与封装本体及LED倒装芯片的间隙内充填有反射层。
与现有技术相比，本发明的LED倒装芯片封装器件中的LED倒装芯片散热、绝缘性能好，稳定性高；同时，封装工艺简单，大大提高了LED倒装芯片的封装效率及产品良率。
附图说明
图1为传统LED表面贴装型的封装器件示意图。
图2为传统LED基于硅基板表面贴装型的封装器件示意图。
图3为本发明LED倒装芯片封装器件示意图一。
图4为本发明LED倒装芯片封装器件示意图二。
图5为本发明LED倒装芯片封装器件示意图三。
图6为本发明中LED倒装芯片的平面示意图。
图7为本发明中LED倒装芯片第一种结构的剖视图。
图8为本发明中LED倒装芯片第二种结构的剖视图。
图9为本发明中LED倒装芯片第三种结构的剖视图。
图10为本发明中LED倒装芯片第四种结构的剖视图。
图11为本发明中LED倒装芯片的制造流程示意图。
图12为本发明中封装支架的平面示意图。
图13为本发明中LED倒装芯片与封装支架配合的示意图。
图14为本发明中注胶模具的结构示意图。
图15为本发明中LED倒装芯片、封装支架与注胶模具配合的示意图。
图16为本发明中金属箔的结构示意图。
图17为本发明中金属箔与蓝膜贴合的示意图。
图18为本发明中LED倒装芯片与金属箔及蓝膜配合的示意图。
图19为成型封装本体后的结构示意图。
图20为本发明中冲压模具的结构示意图。
图21为成型玻璃封装本体的步骤示意图。
图22为LED倒装芯片封装器件与基板封装的结构示意图一。
图23为LED倒装芯片封装器件与基板封装的结构示意图二。
具体实施方式
请参阅图3，图中所示的LED倒装芯片封装器件，包括LED倒装芯片601、封装本体201。该封装本体201将该LED倒装芯片601包覆，该LED倒装芯片601的N焊盘层26与P焊盘层27外露于该封装本体201。其中，所述封装本体201可以采用玻璃、硅胶或树脂材料的封装本体。为进一步提高封装器件的光取出效率，采用硅胶或树脂材料的封装本体时，可以在硅胶或树脂材料内掺入荧光粉，使封装本体内分布有荧光粉。而且，该封装本体201也可以根据设计需求，设计为任意形状，如半球形、子弹头形、方形体或其它形状。
较优的，在封装本体201的底面设有用于反射光线的金属箔90。LED倒装芯片封装器件工作时，会有部分光线朝封装本体201的下方射出，金属箔90可以将此部分光线反射回去，以提高LED倒装芯片封装器件的取光效率。
较优的，为便于LED倒装芯片封装器件与基板焊接，请参阅图4，于该LED倒装芯片601的N焊盘层26外露的面依次设有N金锡焊盘501、N固定块301；于该P焊盘层27外露的面依次设有P金锡焊盘502、P固定块302。其中，N固定块301和P固定块302的表面镀有反射材料层（图未示），例如，银材料。
在本实施方案中，较优的，封装本体201的底面与N焊盘层26与P焊盘层27的底面平齐，使N焊盘层26与P焊盘层27的底面外露于该封装本体201；该N固定块301与该P固定块302顶面的面积小于或等于该N焊盘层26与该P焊盘层27底面的面积，由于N固定块301和P固定块302表面的反射材料层，这样就可以将LED芯片朝下方射出的光线部分反射回去,使得LED器件的出光效率得到提升；同时，LED芯片通过N固定块301、P固定块302与基板焊接，使得此种倒装芯片封装过程中不需要高精度定位工艺及设备，更易于倒装芯片焊接固定于普通铝基板或玻纤板上。
或者，请参阅图5，所述封装本体201的底面也可以与N金锡焊盘501及P金锡焊盘502的底面平齐，在此种结构中，该N固定块301与该P固定块302顶面的面积大于或等于该N焊盘层26与该P焊盘层27底面的面积。
上述的具体实施方式中，LED倒装芯片601可以使用传统的LED倒装芯片，也可以使用本发明所述的改进型LED倒装芯片，以下具体实施方式将采用本发明所述的改进型LED倒装芯片为较佳实施例予以说明，但并不局限于此。
请参阅图6与图7，该LED倒装芯片601包括蓝宝石衬底1、自下而上依次设置在该蓝宝石衬底1上自下而上依次设有N型层11、发光层12、P型层13、反射层15、第一绝缘层16。该第一绝缘层16上设有N引线电极17与P引线电极18，该N引线电极17沿深度自该P型层13延伸至N型层11的孔14（请参阅图9）与该N型层11导电连接，该P引线电极18与该反射层15导电连接。所述N引线电极17与该P引线电极18上设有第二绝缘层22，该第二绝缘层22上设有通孔28。N焊盘层26与P焊盘层27分别设置在该第二绝缘层22上，并透过通孔28分别与N引线电极17、P引线电极18相接触形成导电连接。
其中，蓝宝石衬底1在倒装芯片中是可以剥离的，例如，采用激光剥离工艺制作的薄膜倒装芯片（TFFC）。
N型层11、发光层12和P型层13中的每一个均可以具有任意的常规已知结构。N型层11可以具有例如，N型接触层、ESD层和N覆层依次沉积的结构。发光层12可以具有例如，INGaN阱层和GaN势垒层交替沉积的MQW'结构。P型层13可以具有例如，P覆层和P接触层依次沉积的结构。
反射层15是与P型层13接触的P接触电极，对于LED芯片的发射波长是透明的。覆盖在反射层15上的第一绝缘层16可以采用对III族氮化物半导体发光器件的发射波长表现出透明性的绝缘材料，例如SiO2、Si3N4、Al2O3或TiO2。
在第一绝缘层16上设有N引线电极17和P引线电极18，在平面上该N引线电极17和该P引线电极18形成类似于两个梳子以一定间隔彼此配合的形状；同时，第二绝缘层22上的通孔28沿该第二绝缘层28的四周均匀分布，以提高倒装芯片的电流密度的均匀度。其中，通孔28可以是圆形孔、方孔或呈其它形状。
设置在第二绝缘层22上的N焊盘层26与P焊盘层27可以采用Ti、Ni、Au、AuSn、Au形成。较优的，为保证N焊盘层26和P焊盘层27之间不会形成短路，N焊盘层26和P焊盘层27之间距离A大于250um，为了更好地满足焊盘层之间不形成短路，LED倒装芯片601的长、宽之比大于2.5:1。例如长度为1500um的LED倒装芯片，其宽度则要小于600um。
较优的，N焊盘层26和P焊盘层27之间还设有绝缘块29，绝缘块29可以使二氧化硅、氮化硅、氧化铝或二氧化硅层与氮化硅层相组合的材料；绝缘块29具备不易与锡及金锡合金相粘结的特性，这样可以进一步提高N焊盘层26和P焊盘层27之间的绝缘性能。绝缘块29可以采用PECVD工艺沉积，然后光刻处理形成。
同时，为提高N引线电极17、P引线电极18与N型层11、反射层15的连接的导电性能，在孔14内及反射层15上分别设有N中间电极24、P中间电极25；N引线电极17与该N型层11之间通过N中间电极24连接，该P引线电极18与该反射层15间通过P中间电极25连接。
通过二层绝缘层的设计，使得多个N引线电极17和多个P引线电极18连接到整块的N焊盘层26和P焊盘层27，有效增大N焊盘层26和P焊盘层27的焊接面积，降低了大功率倒装芯片的焊接工艺及设备的精度要求；同时，焊接面的增大有利于LED倒装芯片的散热。
请参阅图8、图9、图10，为进一步提高LED倒装芯片的绝缘性能，所述第二绝缘层22沿该LED倒装芯片的侧面延伸至该蓝宝石衬底1，与该蓝宝石衬底1的表面贴合。
或者，所述第一绝缘层16沿该LED倒装芯片的侧面延伸至该蓝宝石衬底1，与该蓝宝石衬底1的表面贴合；该第二绝缘层22沿该N引线电极17与该P引线电极18的侧面延伸至该第一绝缘层16，与该第一绝缘层16的表面贴合。
或者，所述位于N引线电极17侧的第二绝缘层22沿该LED倒装芯片的侧面延伸至该N型层11，与该N型层11的表面贴合，位于P引线电极18侧的第二绝缘层22沿该LED倒装芯片的侧面延伸至该P型层13，与该P型层13的表面贴合。
采用此种结构，第一绝缘层16及第二绝缘层22将LED倒装芯片外露的侧面全部包覆，使LED芯片具有了良好的绝缘效果。即使在焊接过程中的热量或LED芯片工作产生的热量使焊料层发生熔化，焊料层熔化后爬升至LED芯片的外延结构，也不会造成LED芯片短路，大大提高了LED芯片的稳定性。
请参阅图11，上述LED倒装芯片的制造方法，包括以下步骤：
首先，通过MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition、金属有机化合物化学气相沉淀)在蓝宝石衬底1上自下而上依次生成N型层11、发光层12、P型层13。MOCVD所用的原料气体如下:做为Ga源的TMG(三甲基稼)、做为IN源的TMI(三甲基锢)、做为Al源的TMA(三甲基铝)、做为氮源的氨、做为N型掺杂气体的硅烷、做为P型掺杂气体的环戊二烯基镁以及做为载气的氢或氮。
接着，通过气相沉积在该P型层13的表面覆盖一反射层15（需打孔14暴露N型层11的区域预留，不需要沉积反射层15），接着对P型层13进行光刻和干蚀刻，形成深度从P型层13延伸至该N型层11的孔14。
然后，采用气相沉积和剥离工艺在该孔14的底部及反射层15上分别生成N中间电极24与P中间电极25，并进行热处理。
然后，通过CVD（Chemical Vapor Deposition、化学气相沉积）在反射层15上沉积第一绝缘层25；接下来，对该第一绝缘层16进行干蚀刻，分别使该N中间电极24与该P中间电极25裸露。
之后，通过气相沉积与剥离工艺在第一绝缘层16上形成具有布线图案的N引线电极17和P引线电极18。N引线电极17与该N型层11之间通过N中间电极24连接，该P引线电极18与该反射层15间通过P中间电极25连接，以形成与P型层13的导电连接。
然后，通过CVD在该N引线电极17和P引线电极18上沉积第二绝缘层22，并通过干蚀刻在该第二绝缘层22上形成通孔28。较优的，通孔28沿第二绝缘层22的四周均匀分布。
最后，将N焊盘层26与P焊盘层27设置在该第二绝缘层22上，N焊盘层26与P焊盘层27透过第二绝缘层22上的通孔28分别与N引线电极17、P引线电极18相接触。
第一实施方法
当封装本体采用硅胶或树脂材料时，上述LED倒装芯片封装器件的制造方法，包括以下步骤：
请参阅图12，首先，制备固定LED倒装芯片的封装支架300：提供一金属带材，对该金属带材进行冲压，在该金属带材上形成至少一支架单元305，该支架单元305设有N固定块301、N预切割带303、P固定块302与P预切割带304；然后，对金属带材的表面进行电镀，在N固定块301与P固定块302的表面形成一反射材料层（图未示）。
请参阅图13，然后，将LED倒装芯601固定在封装支架300上：该LED倒装芯片601的N焊盘层26与P焊盘层27分别通过N金锡焊盘501、P金锡焊盘502与N固定块301、P固定块302镀有反射材料层的一面固定。
请参阅图14，接着，提供一注胶模具：该注胶模具包括相配合的上模801与下模802，该上模801设有至少一成型腔体804，该下模802对应该成型腔体804设有注胶口803。
请参阅图15，接着，成型封装本体：将LED倒装芯片601与封装支架300放置于注胶模具，该LED倒装芯片601位于成型腔体804内，该封装支架300位于上模801与下模802之间；闭合上模801与下模802，从下模802的注胶口803注入液态封装胶体，待液态封装胶体包覆LED倒装芯片601，并固化后，打开上模801与下模802，取出封装有封装本体201的LED倒装芯片601与封装支架300。
请再次参阅图12，切断封装支架300上的N预切断带303和P预切断带304，使N固定块301、P固定块302与封装支架300断开连接，形成单个的LED倒装芯片封装器件。
请参阅图4，按此步骤制造的LED倒装芯片封装器件，LED倒装芯片的N焊盘层26外露于该封装本体201的面设有N金锡焊盘501、N固定块301；P焊盘层27外露于该封装本体201的面设有P金锡焊盘502、P固定块302。此种结构便于LED倒装芯片封装器件与基板焊接，但LED倒装芯片封装器件厚度的增加也会增大芯片的热阻，造成散热性能降低，在要求散热性能较高的情况下，较优的，切断封装支架300上的N预切断带303和P预切断带304，使N固定块301、P固定块302与封装支架300断开连接，形成单个的LED倒装芯片封装器件后，还包括一步骤：采用化学刻蚀及机械切割方式移除N金锡焊盘501、N固定块301、P金锡焊盘502及P固定块302，使LED倒装芯片601的N焊盘层26和P焊盘层27的一面外露于该封装本体201；单个的LED倒装芯片封装器件与基板固定时，N焊盘层26和P焊盘层27可以直接与基板固定。
第二实施方法
当封装本体采用硅胶或树脂材料时，上述LED倒装芯片封装器件还可以采用以下制造方法，包括以下步骤：
请参阅图16，首先，制备固定LED倒装芯片的载板：提供一金属箔902，对该金属箔902进行冲压，在该金属箔902上形成至少一通孔901。请参阅图17，然后，在该金属箔902下方设置一蓝膜903与该金属箔902贴合。
请参阅图18，接着，将LED倒装芯片601与载板固定：将LED倒装芯片601设置在金属箔902的通孔901内，并使LED倒装芯片601的N焊盘层26、P焊盘层27与蓝膜903表面固定。
请参阅图14，此后，提供一注胶模具，该注胶模具与上述实施方式中所述一致，在此不再进行赘述。
请参阅图19，成型封装本体：将LED倒装芯片601与载板（金属箔902与蓝膜903）放置于注胶模具，该LED倒装芯片位于成型腔体内，该载板位于上模与下模之间；闭合上模与下模，从下模的注胶口注入液态封装胶体，待液态封装胶体包覆LED倒装芯片601，并固化后，打开上模与下模，取出封装有封装本体的LED倒装芯片与载板。
最后，剥离掉蓝膜903。
第三实施方法
当封装本体采用玻璃材料时，上述LED倒装芯片封装器件的制造方法，包括以下步骤：
请参阅图12，首先，制备上述方法所使用的封装支架300。
请参阅图13，接着，将LED倒装芯片固定在封装支架上。
该两步骤与上述第一实施方法一致，在此不再详述。
请参阅图20，提供一冲压模具：该冲压模具包括上模904与下模906，该上模904设有至少一凹槽905，该凹槽905大于该LED倒装芯片601的外形尺寸（长度、宽度、厚度）。
请参阅图21，成型封装本体：将LED倒装芯片601与封装支架300放置于上模904与下模906之间，封装支架300放置在下模906上方，LED倒装芯片601与上模904上的凹槽905相对应；将固态玻璃片907放置于LED倒装芯片601上加热，使固态玻璃片907在氮气或真空环境下熔化，熔融状态的玻璃流动将LED倒装芯片601包覆；此时下压上模904，凹槽905的侧壁将位于LED倒装芯片601侧的熔融玻璃隔断，形成包覆LED倒装芯片601的封装本体201，待冷却固化后，打开上模904与下模906，取出封装有封装本体201的LED倒装芯片601与封装支架300。
请再次参阅图12，切断封装支架300上的N预切断带303和P预切断带304，使N固定块301、P固定块302与封装支架300断开连接，形成单个的LED倒装芯片封装器件。
较优的，可以采用化学刻蚀及机械切割方式移除N金锡焊盘501、N固定块301、P金锡焊盘502及P固定块302，使LED倒装芯片601的N焊盘层26和P焊盘层27的一面外露于该封装本体201。
第四实施方法
当封装本体采用玻璃材料时，上述LED倒装芯片封装器件还可以采用以下制造方法，包括以下步骤：
请参阅图16、图17与图18，制备固定LED倒装芯片的载板；将LED倒装芯片与载板固定；该两步骤与前述第二实施方法一致，在此不再详述。
请参阅图20，提供一冲压模具，该模具与上述第三实施方法所采用的冲压模具一致。
成型封装本体：将LED倒装芯片601放置于上模904与下模906之间，载板金属箔902与蓝膜903）放置在下模906上方，LED倒装芯片601与上模904上的凹槽905相对应；将固态玻璃片放置于LED倒装芯片上加热，使固态玻璃片在氮气或真空环境下熔化，熔融状态的玻璃流动将LED倒装芯片包覆；此时下压上模，凹槽的侧壁将位于LED倒装芯片侧的熔融玻璃隔断，形成包覆LED倒装芯片的封装本体，待冷却固化后，打开上模与下模，取出封装有封装本体的LED倒装芯片与载板；
最后，剥离蓝膜903。
请参阅图22，使用上述LED倒装芯片封装器件的封装结构，包括：LED倒装芯片601、封装本体201与基板401。该封装本体201将该LED倒装芯片601包覆，该LED倒装芯片601的N焊盘层26与P焊盘层27外露于该封装本体201。所述基板401上设有N粘结金属层402与P粘结金属层403。该N焊盘层26、P焊盘层27分别与N粘结金属层402、P粘结金属403层对应连接。
请参阅图23，或者，该N焊盘,26外露于封装本体201的一面依次设有N金锡焊盘501、N固定块301。该P焊盘层27外露于封装本体201的一面依次设有P金锡焊盘502、P固定块302，该N固定块301、P固定块302分别与N粘结金属层402、P粘结金属层403对应连接。
为进一步提高LED器件的出光效率，所述基板401与封装本体201及LED倒装芯片601的间隙内充填有反射层701。该反射层701可以采用掺杂有氧化钛的硅胶或环氧树脂材料，填充可以采用点胶的工艺施加，主要利用LED倒装芯片601与所述基板401形成间隙而产生的毛细现象的虹吸力将反射材料吸入。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明的实施范围；凡是依本发明所作的等效变化与修改，都被本发明权利要求书的范围所覆盖。

Claims (19)

1.一种LED倒装芯片封装器件，包括LED倒装芯片、封装本体，其特征在于：所述封装本体将该LED倒装芯片包覆，该LED倒装芯片的N焊盘层与P焊盘层外露于该封装本体。
2.根据权利要求1所述的LED倒装芯片封装器件，其特征在于：所述LED倒装芯片内设置的绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层；该第一绝缘层覆盖在LED倒装芯片的反射层上，该第二绝缘层设置在LED倒装芯片的N引线电极与该P引线电极上，该第二绝缘层上设有通孔，所述N焊盘层与该P焊盘层透过该通孔分别与该N引线电极、该P引线电极相接触。
3.根据权利要求2所述的LED倒装芯片封装器件，其特征在于：
所述LED倒装芯片的第二绝缘层沿该LED倒装芯片的侧面延伸至该LED倒装芯片的蓝宝石衬底，与该蓝宝石衬底的表面贴合；
或者，所述LED倒装芯片的第一绝缘层沿该LED倒装芯片的侧面延伸至该LED倒装芯片的蓝宝石衬底，与该蓝宝石衬底的表面贴合；该第二绝缘层沿该N引线电极与该P引线电极的侧面延伸至该第一绝缘层，与该第一绝缘层的表面贴合；
或者，所述LED倒装芯片的位于N引线电极侧的第二绝缘层沿该LED倒装芯片的侧面延伸至该N型层，与该N型层的表面贴合，位于P引线电极侧的第二绝缘层沿该LED倒装芯片的侧面延伸至该P型层，与该P型层的表面贴合。
4.根据权利要求1所述的LED倒装芯片封装器件，其特征在于：于该N焊盘层外露于封装本体的一面依次设有N金锡焊盘、N固定块；于该P焊盘层外露于封装本体的一面依次设有P金锡焊盘、P固定块；该N固定块和P固定块的表面镀有反射材料层。
5.根据权利要求4所述的LED倒装芯片封装器件，其特征在于：
所述封装本体的底面与N焊盘层与P焊盘层的底面平齐，该N固定块与该P固定块顶面的面积小于或等于该N焊盘层与该P焊盘层底面的面积；
或者，所述封装本体的底面与N金锡焊盘及P金锡焊盘的底面平齐，该N固定块与该P固定块顶面的面积大于或等于该N焊盘层与该P焊盘层底面的面积。
6.根据权利要求1所述的LED倒装芯片封装器件，其特征在于：所述封装本体的底面设有用于反射光线的金属箔。
7.根据权利要求1所述的LED倒装芯片封装器件，其特征在于：所述封装本体为玻璃封装本体、硅胶封装本体或树脂封装本体。
8.根据权利要求7所述的LED倒装芯片封装器件，其特征在于：所述硅胶封装本体或树脂封装本体内分布有荧光粉。
9.根据权利要求1所述的LED倒装芯片封装器件，其特征在于：所述N焊盘层与P焊盘层间设有绝缘块。
10.根据权利要求1所述的LED倒装芯片封装器件，其特征在于：所述N焊盘层与P焊盘层间的距离大于250um。
11.根据权利要求1所述的LED倒装芯片封装器件，其特征在于：所述LED倒装芯片的长、宽之比大于2.5:1。
12.一种LED倒装芯片封装器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
a1、制备固定LED倒装芯片的封装支架：提供一金属带材，对该金属带材进行冲压，在该金属带材上形成至少一支架单元，该支架单元设有N固定块、N预切割带、P固定块与P预切割带；然后，对金属带材的表面进行电镀，在N固定块与P固定块的表面形成一反射材料层；
b1、将LED倒装芯片固定在封装支架上：该LED倒装芯片的N焊盘层与P焊盘层分别通过N金锡焊盘、P金锡焊盘与N固定块、P固定块镀有反射材料层的一面固定；
c1、提供一注胶模具：该注胶模具包括相配合的上模与下模，该上模设有至少一成型腔体，该下模对应该成型腔体设有注胶口；
d1、成型封装本体：将LED倒装芯片与封装支架放置于注胶模具，该LED倒装芯片位于成型腔体内，该封装支架位于上模与下模之间；闭合上模与下模，从下模的注胶口注入液态封装胶体，待液态封装胶体包覆LED倒装芯片，并固化后，打开上模与下模，取出封装有封装本体的LED倒装芯片与封装支架；
e1、切断封装支架上的N预切断带和P预切断带，使N固定块、P固定块与封装支架断开连接，形成单个的LED倒装芯片封装器件。
13.根据权利要求12所述的LED倒装芯片封装器件的制造方法，其特征在于：e1步骤后，还包括一步骤：采用化学刻蚀及机械切割方式移除N金锡焊盘、N固定块、P金锡焊盘及P固定块，使LED倒装芯片的N焊盘层和P焊盘层外露于该封装本体。
14.一种LED倒装芯片封装器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
a2、制备固定LED倒装芯片的载板：提供一金属箔，对该金属箔进行冲压，在该金属箔上形成至少一通孔；然后，在该金属箔下方设置一蓝膜与该金属箔贴合；
b2、将LED倒装芯片与载板固定：将LED倒装芯片设置在金属箔的通孔内，并使LED倒装芯片的N焊盘层、P焊盘层与蓝膜表面固定；
c2、提供一注胶模具：该注胶模具包括相配合的上模与下模，该上模设有至少一成型腔体，该下模对应该成型腔体设有注胶口；
d2、成型封装本体：将LED倒装芯片与载板放置于注胶模具，该LED倒装芯片位于成型腔体内，该载板位于上模与下模之间；闭合上模与下模，从下模的注胶口注入液态封装胶体，待液态封装胶体包覆LED倒装芯片，并固化后，打开上模与下模，取出封装有封装本体的LED倒装芯片与载板；
e2、剥离蓝膜。
15.一种LED倒装芯片封装器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
a3、制备固定LED倒装芯片的封装支架：提供一金属带材，对该金属带材进行冲压，在该金属带材上形成至少一支架单元，该支架单元设有N固定块、N预切割带、P固定块与P预切割带；然后，对金属带材的表面进行电镀，在N固定块与P固定块的表面形成一反射材料层；
b3、将LED倒装芯片固定在封装支架上：该LED倒装芯片的N焊盘层与P焊盘层分别通过N金锡焊盘、P金锡焊盘与N固定块、P固定块镀有反射材料层的一面固定；
c3、提供一冲压模具：该冲压模具包括上模与下模，该上模设有至少一凹槽，该凹槽大于该LED倒装芯片的外形尺寸；
d3、成型封装本体：将LED倒装芯片与封装支架放置于上模与下模之间，封装支架放置在下模上方，LED倒装芯片与上模上的凹槽相对应；将固态玻璃片放置于LED倒装芯片上加热，使固态玻璃片在氮气或真空环境下熔化，熔融状态的玻璃流动将LED倒装芯片包覆；此时下压上模，凹槽的侧壁将位于LED倒装芯片侧的熔融玻璃隔断，形成包覆LED倒装芯片的封装本体，待冷却固化后，打开上模与下模，取出封装有封装本体的LED倒装芯片与封装支架；
e3、切断封装支架上的N预切断带和P预切断带，使N固定块、P固定块与封装支架断开连接，形成单个的LED倒装芯片封装器件。
16.根据权利要求15所述的LED倒装芯片封装器件的制造方法，其特征在于：e3步骤后，还包括一步骤：采用化学刻蚀及机械切割方式移除N金锡焊盘、N固定块、P金锡焊盘及P固定块，使LED倒装芯片的N焊盘层和P焊盘层外露于该封装本体。
17.一种LED倒装芯片封装器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
a4、制备固定LED倒装芯片的载板：提供一金属箔，对该金属箔进行冲压，在该金属箔上形成至少一通孔；然后，在该金属箔下方设置一蓝膜与该金属箔贴合；
b4、将LED倒装芯片与载板固定：将LED倒装芯片设置在金属箔的通孔内，并使LED倒装芯片的N焊盘层、P焊盘层与蓝膜表面固定；
c4、提供一冲压模具：该冲压模具包括上模与下模，该上模设有至少一凹槽，该凹槽大于该LED倒装芯片的外形尺寸；
d4、成型封装本体：将LED倒装芯片与载板放置于上模与下模之间，载板放置在下模上方，LED倒装芯片与上模上的凹槽相对应；将固态玻璃片放置于LED倒装芯片上加热，使固态玻璃片在氮气或真空环境下熔化，熔融状态的玻璃流动将LED倒装芯片包覆；此时下压上模，凹槽的侧壁将位于LED倒装芯片侧的熔融玻璃隔断，形成包覆LED倒装芯片的封装本体，待冷却固化后，打开上模与下模，取出封装有封装本体的LED倒装芯片与载板；
e4、剥离蓝膜。
18.一种使用如权利要求1-11中任一项权利要求所述的LED倒装芯片封装器件的封装结构，包括：LED倒装芯片、封装本体与基板，其特征在于：
所述封装本体将该LED倒装芯片包覆，该LED倒装芯片的N焊盘层与P焊盘层外露于该封装本体；所述基板上设有N粘结金属层与P粘结金属层；
该N焊盘层、P焊盘层分别与N粘结金属层、P粘结金属层对应连接；或者，该N焊盘层外露于封装本体的一面依次设有N金锡焊盘、N固定块；该P焊盘层外露于封装本体的一面依次设有P金锡焊盘、P固定块，该N固定块、P固定块分别与N粘结金属层、P粘结金属层对应连接。
19.根据权利要求18所述的使用LED倒装芯片封装器件的封装结构，其特征在于：所述基板与封装本体及LED倒装芯片的间隙内充填有反射层。
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