TWI513064B - A light emitting device and a manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

發光裝置及其製造方法
本發明係關於表面安裝型之發光裝置及其製造方法，尤其是關於價廉且重視生產性之表面安裝型發光裝置及其製造方法。
作為於基板面搭載發光二極體(LED)之晶粒(半導體裸晶)、並以透明樹脂密封之表面安裝型之發光裝置，有例如於下述之專利文獻1及專利文獻2等所揭示者。
圖13係顯示專利文獻1所揭示之LED照明模組之剖面構成之一例。該LED照明模組之構造為具備可撓性配線基板，其係於可撓性基板100上形成電路配線101，於其上經由接著劑102形成可撓性基板103，再於其上形成反射來自LED晶粒104之光之可撓性反射層105而成，且貫通該可撓性配線基板而設置有均熱片106，於該均熱片106上搭載LED晶粒104，並藉由導線接合，通過設置於可撓性基板103之開口部將LED晶粒104之表面側之電極與電路配線101之露出面連接。
圖14係顯示專利文獻2所揭示之於LED安裝基板上搭載LED晶粒之發光裝置的一例。該發光裝置之構造為，於金屬板200上設置樹脂基板201，於樹脂基板201陣列狀設置複數個底部露出且為金屬板200之上面之凹部202，於各凹部202內之金屬板200上搭載LED晶粒203，將LED之背面側之電極與金屬板200連接，並藉由導線接合，將LED之表面側之電極與設置於樹脂基板201之表面之連接構件連接，且以透光性樹脂204密封凹部202內之LED之晶粒203。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-136224號公報
[專利文獻2]日本特開平11-298048號公報
近年，LED以高亮度化進展、低消耗電力、高耐衝擊性、長壽命為特徵，活用在顯示裝置、照明裝置、液晶電視或液晶監視器之背光裝置等多方面。LED之應用範圍及期待廣泛，而另一方面，對LED發光裝置之低廉化之要求亦增長，伴隨著LED之晶粒之低成本化，其安裝成本亦必須低廉化。
圖13所示之構造之發光裝置，由於根據該發光裝置之應用形態，必須另行設置用於將電路配線101向外部拉出之構造，且可撓性配線基板為在2層可撓性基板之間夾有電路配線之構造，故要從可撓性配線基板切出特定數之發光裝置使用，必須以專門之加工裝置加以切斷，從而被認為是不適於以低成本大量生產之構造。
又，圖14所示之構造之發光裝置，係以並聯連接並搭載複數個LED為前提，必須根據LED之並聯數，預先決定基板之大小或凹部之個數，且要切出特定數之發光裝置使用，必須以專門之加工裝置切斷包含金屬板與樹脂基板之2層之基板，從而被認為是不適於以低成本大量生產之構造。又，由於LED之電極被分別拉出至基板之背面側與表面側，故不適於在印刷基板等上進行表面安裝，從而阻礙低廉化。
本發明係鑑於上述問題而完成者，其目的在於提供一種價廉且重視生產性之表面安裝型發光裝置及其製造方法。
為達成上述目的，本發明提供一種發光裝置，其特徵為包含：絕緣性薄膜；至少一對平臺部，包含形成於前述絕緣性薄膜之上面之金屬膜片；外部連接用之端子部，其與前述平臺部1對1對應而夾住前述絕緣性薄膜而對向，且包含形成於前述絕緣性薄膜之下面之金屬膜片；貫通導電體，其貫通前述絕緣性薄膜而連接相互對應之前述平臺部與前述端子部間；及發光元件，其與前述1對平臺部電性連接，並設置於內包前述1對平臺部之區劃單位內。
再者，本發明提供一種發光裝置之製造方法，其特徵為包含以下步驟：於絕緣性薄膜之上面形成包含金屬膜片之至少1對平臺部；於前述絕緣性薄膜之下面，形成與包含金屬膜片之前述平臺部1對1對應而夾住前述絕緣性薄膜而對向之外部連接用之端子部；形成貫通前述絕緣性薄膜而使相互對應之前述平臺部與前述端子部間連接的貫通導電體；及將發光元件與前述1對平臺部電性連接，並設置於包含前述1對平臺部與其間隙之區劃單位內。
根據上述特徵之發光裝置及發光裝置之製造方法，可於1片絕緣性薄膜上形成複數個區劃單位，且只要切斷區劃單位與區劃單位之間之絕緣性薄膜，即可價廉地製造包含期望數之區劃單位之表面安裝型發光裝置。再者，為使各個平臺部間、及各個端子部間電性分離，故絕緣性薄膜當然以電性絕緣性材料形成。
又，由於對於每個區劃單位，於絕緣性薄膜之上面側具備發光元件，且於絕緣性薄膜之下面側形成有1對與該發光元件之電極導通之外部連接用端子部，故搭載於可撓性基板等之其他裝置時，無需拉出特別之端子，亦可謀求使用本發光裝置時之安裝成本低廉化。又，在具有複數個區劃單位之情形中，由於每個區劃單位各具備1對外部連接用端子，故在將各區劃單位之發光元件串聯連接之情形、並聯連接之情形、個別驅動之情形等時，可根據用途而有各種之利用方法。
再者，在上述特徵之發光裝置中，較佳為對於前述每1對平臺部，於前述1對平臺部上具備中央具有露出前述1對平臺部間之間隙之至少一部份之開口部的環狀疏液層，且於前述開口部之內側設置有前述發光元件，且於前述開口部，拱頂狀地形成密封前述發光元件之含螢光體樹脂或透明樹脂。
再者，在上述特徵之發光裝置之製造方法中，較佳為包含以下步驟：對於前述每1對平臺部，將中央具有露出前述1對平臺部間之間隙之至少一部份之開口部的環狀疏液層形成前述1對平臺部上；及於前述開口部拱頂狀地形成密封前述發光元件之含螢光體樹脂或透明樹脂；且前述發光元件設置於前述開口部之內側。
再者，上述特徵之發光裝置之製造方法較佳為，在形成前述含螢光體樹脂或透明樹脂之步驟中，使用於每個前述區劃單位中包含之、使前述疏液層之開口部之至少一部份露出之開口部的遮罩構件，覆蓋前述絕緣性薄膜之上面側，從而於前述遮罩構件之開口部注入前述含螢光體樹脂或透明樹脂。
再者，在上述特徵之發光裝置及發光裝置之製造方法中，較佳為前述疏液層含有螢光體。
再者，在上述特徵之發光裝置之製造方法中，較佳為前述遮罩構件之開口部係以在覆蓋前述疏液層之狀態下不使前述疏液層之上面露出的方式形成。
再者，在上述特徵之發光裝置之製造方法中，較佳為使用前述遮罩構件，或於前述遮罩構件之開口部之內壁具備疏液層之遮罩構件，藉由刮刀印刷法或灌封法進行前述含螢光體樹脂或透明樹脂之注入。
藉由於發光元件之周圍設置疏液層，可使密封發光元件之樹脂藉由對疏液層之密封樹脂之疏液性、密封樹脂自身之表面張力、密封樹脂與平臺部之金屬面之界面張力，而容易地形成拱頂狀(上凸狀)。又，使用於形成密封樹脂之部位具有開口部之遮罩，藉由刮刀印刷法或灌封法等對該開口部注入密封樹脂，藉此可以低成本拱頂狀地形成密封樹脂。
此處，不藉由遮罩構件之開口部使疏液層之上面露出，即，在遮罩構件之開口部徑小於疏液層之開口部徑之情形(兩者之開口部均為圓形之情形)，密封樹脂向橫向之擴散會因疏液層與平臺部表面之階差及疏液層對密封樹脂之疏液性而適度地得到抑制，從而可適當地維持密封樹脂之穹形狀。
又，由於疏液層與密封樹脂係填充於1對平臺部間之間隙，故可防止1對平臺部間之短路。因此，疏液層與密封樹脂當然具有電性絕緣性。
又，藉由疏液層所具有之疏水性，可防止水分向發光元件浸透。再者，若疏液層含有螢光體，則可藉由來自疏液層所含有之螢光體之發光，提高遮罩構件之定位之精度及效率。
再者，在密封樹脂含有螢光體之情形，可混合來自螢光體之發光，與來自由該發光激發之螢光體之發光，而調整發光裝置之發光色調及演色性。又，密封樹脂為不含有螢光體之透明樹脂之情形，由於可直接輸出來自發光元件之發光，故可藉由組合來自複數個發光元件之發光波長，而調整發光裝置之發光色調及演色性。
再者，在上述特徵之發光裝置中，較佳為前述絕緣性薄膜與前述平臺部，及前述絕緣性薄膜與前述端子部分別經由接著層而連接。
再者，在上述特徵之發光裝置中，較佳為將設置於前述區劃單位之周圍之用以以前述區劃單位作為最小單位而單片化之切斷區域，以格子狀設定於前述絕緣性薄膜上，且對於由前述切斷區域包圍之每個前述區劃單位，於前述絕緣性薄膜之下面各形成有1對前述端子部，而於前述切斷區域之前述絕緣性薄膜之上面及下面，未形成前述金屬膜片。
再者，在上述特徵之發光裝置中，較佳為沿著前述切斷區域切斷前述絕緣性薄膜，從而單片化成1個或複數個前述區劃單位。
再者，在上述特徵之發光裝置之製造方法中，較佳為包含以下步驟：沿著將設置於前述區劃單位之周圍之用以以前述區劃單位作為最小單位而單片化的切斷區域切斷前述絕緣性薄膜，而單片化成1個或複數個前述區劃單位。
再者，在上述特徵之發光裝置之製造方法中，較佳為使用市售之簡易切斷工具之截切刀、輥子切刀、或旋轉切刀，沿著前述切斷區域切斷前述絕緣性薄膜。
根據上述特徵之發光裝置及發光裝置之製造方法，只要沿著切斷區域切斷絕緣性薄膜之簡單作業，即可價廉地製造複數個發光裝置，或具備期望數之區劃單位之發光裝置，且由於可減少伴隨著切斷之粉塵、微小之切削屑等之產生，故亦可減少該粉塵或切削屑對密封樹脂之附著，並降低對亮度、色度之影響。
再者，在上述特徵之發光裝置中，較佳為對於前述每個區劃單位，在對應於前述1對平臺部之1對前述端子部間之間隙中填充有補強材。再者，由於1對端子部間必須電性絕緣分離，故補強材必需為絕緣性材料。藉此，於絕緣性薄膜之下面側露出之部份受到補強材保護，且藉由補強材機械性連接1對端子部間而不易變形。
又，藉由該補強材之存在，可防止導電性之微小之灰塵等侵入至前述間隙內，從而可防止1對端子部間之短路。又，若使補強材較端子部之下面略微向下側突出，則該突出部成為將發光裝置焊接於其他之基板上時防止焊錫流出用之突堤，可更有效地防止1對端子部間之短路。
以上，根據本發明，可提供一種價廉且重視生產性之表面安裝型發光裝置及其製造方法。
參照圖式，說明本發明之發光裝置及其製造方法之實施形態。再者，在以下之圖式中，對相同之要素或部份附註相同之參照符號進行說明。又，在各圖中，由於強調要部進行圖示以容易理解說明，故各部分之尺寸比未必與實物之尺寸比一致。又，圖1至圖12雖模式性顯示各實施形態之一態樣，但本發明並不限定於該等圖式所顯示之實施形態。
[第1實施形態]
圖1模式性顯示本實施形態之發光裝置1之立體圖，圖2(A)及(B)模式性顯示從X方向及Y方向觀察之側視圖，圖3(A)及(B)模式性顯示從上面側觀察之平面圖及從下面側觀察之底面圖。以下，將正交於X及Y方向之Z方向之正方向(箭頭之方向)設為上，而將其相反方向設為下。
如圖1~圖3所示，發光裝置1於絕緣性薄膜2之上面具備包含金屬膜片之1對平臺部3a、3b，於下面具備包含金屬膜片之外部連接用之1對端子部4a、4b，且各平臺部3a、3b經由接著層5接著於絕緣性薄膜2之上面，而各端子部4a、4b經由接著層6接著於絕緣性薄膜2之下面。平臺部3a與端子部4a夾住絕緣性薄膜2而對向，並藉由貫通絕緣性薄膜2之2個貫通導電體7a電性導通。同樣地，平臺部3b與端子部4b夾住絕緣性薄膜2而對向，並藉由導通絕緣性薄膜2之2個貫通導電體7b電性導通。貫通導電體7a、7b之個數可分別為1個或3個以上。1對平臺部3a、3b藉由於Y方向延伸之細長之間隙而使該平臺部間電性絕緣分離。同樣地，1對端子部4a、4b亦藉由於Y方向延伸之細長之間隙而使該端子部間電性絕緣分離。在本實施形態中，使用膜厚0.05 mm之聚醯亞胺薄膜，作為絕緣性薄膜2之一例。
在1對平臺部3a、3b與其間隙上，具備中央具有露出包含該間隙之中央部份之圓形區域之開口部8的環狀疏液層9，且於開口部8之內側之1對平臺部3a、3b上搭載有發光元件10。再者，拱頂狀地形成有密封發光元件10之含螢光體矽樹脂11(含螢光體樹脂)。
在本實施形態中，使用包含氮化鎵系化合物半導體之藍色系發光二極體之晶粒(半導體裸晶)作為發光元件10。除此之外，使用CaAlSiN3 ：Eu與(Si,Al)6 (O,N)8 Eu，作為密封樹脂11所含有之螢光體。前者為紅色螢光體，後者為綠色螢光體，且分別吸收來自發光元件10之藍色發光而發出紅色光與綠色光。藉此，未被該螢光體吸收之藍色、與由各螢光體發光之紅色與綠色混合，而自含螢光體矽樹脂11出射白色系之發光。
再者，發光元件10於晶片表面側具備P電極(陽極)10a與N電極(陰極)10b，且係從背面側出射發光之覆晶型發光元件，其係將背面側朝上，使表面側對向於平臺部3a、3b，經由形成於各電極10a、10b上之凸塊，分別電性且物理連接P電極10a與平臺部3a，N電極10b與平臺部3b，亦一併進行發光元件10之晶粒黏合。該結果，P電極10a、平臺部3a及端子部4a相互電性導通，N電極10b、平臺部3b及端子部4b相互電性導通，端子部4a作為外部連接用之陽極端子發揮功能，而端子部4b作為外部連接用之陰極端子發揮功能。由於1對端子部4a、4b係並排形成於同一面側，故為適於表面安裝之發光裝置。再者，在本實施形態中，由於在陰極端子側之端子部4b設置有用於識別陰極端子與陽極端子之缺口部，故端子部4b為五角形。平臺部3a、3b與端子部4a分別為相同大小之四角形，而端子部4b為切除該四角形中之1個角之形狀。以下，為方便起見，將包含1對平臺部3a、3b與其間隙之矩形區域稱為「區劃單位」，於該區劃單位之下側，形成有1對端子部4a、4b。圖1~圖3圖示1個區劃單位之發光裝置1。
其次，參照圖4及圖5說明發光裝置1之製造方法之一例。圖4及圖5皆為垂直於切斷發光元件10之Y方向之剖面之步驟剖面圖。
首先，作為絕緣性薄膜2之一例，準備膜厚0.05 mm、大小48 mm×52.25 mm之聚醯亞胺薄膜。於絕緣性薄膜2之兩面，塗布厚度約0.012 mm之聚醯亞胺系接著劑(接著層5、6)，並從絕緣性薄膜2側於兩面貼附包含Cu、Ni、Au之3層之膜厚約0.025 mm之金屬積層膜後，將該金屬積層膜之不要部份分別蝕刻，而將圖1~圖3所示之1對平臺部3a、3b與1對端子部4a、4b於X及Y方向以陣列狀排列之方式於絕緣性薄膜2之兩面分別形成複數組。其次，於夾住絕緣性薄膜2而對向之平臺部3a、3b與端子部4a、4b間，分別形成貫通導電體7a、7b。於1個區劃單位之周圍，俯視為格子狀地形成有後述之切斷區域12(參照圖7)，且從該切斷區域12之絕緣性薄膜2之兩面除去金屬積層膜，僅存在絕緣性薄膜2與接著層5、6。圖4(A)係顯示上述各步驟後之狀態(2個區劃單位)。以下，為便於容易說明，於兩面形成平臺部3a、3b及端子部4a、4b，且將形成有貫通導電體7a、7b之切斷前之絕緣性薄膜2稱為「積層基板」。
在本實施形態中，假設發光元件10之晶片尺寸為0.5 mm×0.35 mm之情形，區劃單位之X及Y方向之排列間距分別設為3.05 mm、2.55 mm。若將上述大小之絕緣性薄膜2之長邊側設為X方向，則區劃單位在X方向上形成17個，在Y方向上形成18個，合計形成有306個。若將短邊側設為X方向，則由於區劃單位合計變成300個，故將長邊側設為X方向有利於減少成本。
接著，如圖4(B)所示，對於每個區劃單位，將具備開口部8之環狀疏液層9藉由網版印刷或噴霧而塗布於包含平臺部3a、3b與其間隙之矩形區域(區劃單位)之外周4邊之內側部份。疏液層9之厚度為大約0.015 mm，開口部8為直徑2 mm之圓形。藉由以疏液層9被覆區劃單位內之金屬積層膜即平臺部3a、3b與絕緣性薄膜2之表面之未被密封樹脂被覆之部份，可保護平臺部3a、3b、絕緣性薄膜2及發光元件10隔離水分。
具體而言，於丙酮溶劑中添加氟系樹脂PTFE(聚四氟乙烯)並攪拌，藉此獲得適度粘度之塗料，將其藉由印刷或噴霧塗布，並藉由乾燥硬化而形成疏液層9。再者，該乾燥可僅在常溫下放置，亦可因應需要，使用烘箱進行乾燥。作為氟系樹脂，除PTFE以外，亦可使用PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯醚共聚物)、FEP(四氟乙烯-六氟丙烯共聚物)、ETFE(聚乙烯-四氟乙烯共聚物)、PVDF(聚偏二氟乙烯)、PCTFE(聚三氟氯乙烯)等。又，作為溶劑，除丙酮以外，亦可使用酮系溶劑，例如甲基乙基酮、乙基丙、甲基異丁基酮等，或酯系溶劑，例如乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯等。再者，上述材料之疏液層9具有氣體阻隔性，亦具有保護包含金屬之平臺部3a、3b隔離氣體之效果。
接著，如圖4(C)所示，將形成有疏液層9之積層基板載置於加熱平臺20上，準備與絕緣性薄膜2上之區劃單位同數之發光元件10，亦即將其背面側(發光面側)朝薄板21側，在X及Y方向上以相同之排列數與相同之排列間距貼著於薄板21上者，並將薄板21固定於薄板固定工具22，使各發光元件10之表面側之各電極10a、10b朝下，與各區劃單位之平臺部3a、3b對向，藉由加熱平臺20在例如300℃下加熱，經由形成於各電極10a、10b上之凸塊，分別電性且物理連接P電極10a與平臺部3a、N電極10b與平臺部3b，並將發光元件10轉印於平臺部3a、3b側。該結果，發光元件10與平臺部3a、3b間被固著，且亦一併進行晶粒黏合。再者，加熱平臺20之位置可非為載置絕緣性薄膜2之位置，而可例如設置於薄板固定工具22側。
接著，準備在X及Y方向上以相同之排列數與相同之排列間距設有與絕緣性薄膜2上之區劃單位同數之圓形開口部23之金屬罩24(遮罩構件)，如圖5(A)所示，以使發光元件10位於開口部23之中心的方式，進行形成有金屬罩24與疏液層9之積層基板間之對準(定位)，將金屬罩24載置於形成有疏液層9之絕緣性薄膜2上，並藉由使用刮刀25之刮刀印刷法，一面使刮刀25於橫向(例如，X方向或Y方向)滑動，一面於開口部23內均一地注入含有上述紅色及綠色之2種螢光體之矽樹脂26。金屬罩24之膜厚為1.8 mm，且如圖6所示，開口部23對X及Y方向之排列數及排列間距與區劃單位相同，在X方向以3.05 mm之間隔有17個，而在Y方向以2.55 mm之間隔有18個。但在圖6中，僅圖示有開口部23之3列×3行。開口部23之直徑為1.8 mm，較疏液層9之開口部8之直徑小2 mm，疏液層9之上面被金屬罩24完全覆蓋。再者，為了參考，在圖6中，由格子狀之虛線假定顯示有切斷區域12之中心線。
接著，在全部之開口部23內注入含螢光體矽樹脂26後，若將金屬罩24朝上側卸除，則注入至各開口部23內之矽樹脂26會於橫向(開口部8之半徑方向)擴散流出，但如圖5(B)所示，藉由疏液層9之疏液性、矽樹脂26之表面張力、及矽樹脂26之與構成平臺部3a、3b之金屬之界面張力，使矽樹脂26自然成形為向上方向凸之拱頂狀。該拱頂係底面為直徑2 mm之圓形且高度為大約1.3 mm之大致半球體狀。
其次，若在例如80℃~150℃之溫度範圍之烘箱內進行數分鐘熱處理，使矽樹脂26熱硬化，則如圖5(B)所示，形成拱頂狀之含螢光體矽樹脂11。藉此，發光元件10被含螢光體矽樹脂11樹脂密封。接著，對形成有拱頂狀之含螢光體矽樹脂11之積層基板，在例如150℃之高溫條件下進行後硬化。
在該時點，如圖7所示，將發光元件10密封於拱頂狀之含螢光體矽樹脂11而成之表面安裝型發光裝置1，在306個(17列×18行)陣列狀排列之狀態下固定於絕緣性薄膜2。在圖7中，僅圖示306個中之3列×3行。接著，如圖5(C)所示，使用刀厚0.2 mm之分切機27，將絕緣性薄膜2沿著格子狀切斷區域12之中心線(圖7中以虛線圖示)切斷，並分離(單片化)成306個發光裝置1。作為切斷方法，可使用以下任一種方法：對於切斷區域12之每一塊，例如沿著於X方向(或Y方形)延伸之切斷區域12切斷，其次，沿著於Y方向(或X方形)延伸之切斷區域12切斷之方法(第1方法)；使用將分切機27之刀以2.55 mm間隔平行配置者，沿著於Y方向延伸之全部之切斷區域12切斷絕緣性薄膜2，其次，使用將分切機27之刀以2.55 mm間隔平行配置者，沿著於X方向延伸之全部之切斷區域12切斷絕緣性薄膜2之方法(亦可替換X方向與Y方向之切斷順序)(第2方法)；或使用在X方向以3.05 mm間隔、在Y方向以2.55 mm間隔格子狀地構成分切機27者，一次切斷絕緣性薄膜2之方法(第3方法)。再者，將分切機27之刀平行排列之支數，只要根據相當於內包17列×18行全部之區劃單位之區域之外側部份的絕緣性薄膜2之空白之大小而決定即可。若空白較大，則必須切斷(分切機27之刀)以分離該空白，若沒有該空白或相較於切斷區域12之寬度微小之情形時，則無需進行用於該分離之切斷。
切斷區域12之寬度為0.2 mm之情形，藉由上述單片化而完全除去切斷區域12時，不存在圖1~圖3所示之來自絕緣性薄膜2之區劃單位之溢出部份，但在藉由上述單片化而僅除去切斷區域12之一部份、或不會藉由切斷而產生除去部份之情形時，會殘留圖1~圖3所示之來自絕緣性薄膜2之區劃單位之溢出部份。
此處，即使使用上述第1至第3中任一種切斷方法，由於所切斷的僅為膜厚0.05 mm之包含聚醯亞胺薄膜之絕緣性薄膜2，故亦可不使用必須有高價之附帶設備之切割機，從而謀求製造成本之低廉化。又，在上述第1方法中，可使用截切刀、輥子切刀、及旋轉切刀等市售之簡易切斷工具。又，由於減少了伴隨著切斷之粉塵、微小之切削屑等之產生，故亦可減少該粉塵或切削屑對密封樹脂表面之附著，而降低對亮度、色度之影響。
在圖5(C)所示之實施例中，雖已說明切斷成1區劃單位之單片化之情形，但單片化亦可具備2以上之區劃單位。在本實施形態中，由於單片化為僅切斷絕緣性薄膜2之簡單之步驟，且可以截切刀等容易地實現，故可如圖8所示，將2連、3連、4連之區劃單位作為一塊，沿著其周圍之切斷區域之切斷線(圖中以粗虛線表示)切斷，而製作搭載有複數個發光元件10之發光裝置。又，在本實施形態之發光裝置之製造方法中，由於單片化步驟容易，故亦可在單片化前之狀態下出貨，而在使用者側實施單片化步驟。即，有可在使用者側自由製作以對應用途之個數及佈局之區劃單位構成之發光裝置的優點。
[第2實施形態]
圖9分別模式性顯示第2實施形態之發光裝置13之立體圖(圖9(A))，從Y方向觀察之側視圖(圖9(B))，及從下面側觀察之底面圖(圖9(C))。
與在上述第1實施形態中說明之發光裝置1在以下2點不同。第1不同的是在1個區劃單位內之1對端子部4a、4b之間隙內，填充有補強材14。第2不同的是圖5(A)中說明之對金屬罩24之開口部23內之矽樹脂26的注入方法。除該2項差異點以外，其餘皆與上述第1實施形態中說明之發光裝置1相同，故省略重複之說明。
首先說明補強材14。在絕緣性薄膜2之兩面形成有平臺部3a、3b及端子部4a、4b之積層基板，由於在平臺部3a、3b間與端子部4a、4b間僅存在絕緣性薄膜2，故需要補強。在第1實施形態中，由於在平臺部3a、3b上形成有疏液層9，於開口部8內，橫跨平臺部3a、3b將發光元件10晶粒黏合，且於平臺部3a、3b間之間隙中填充有疏液層9之一部份與矽樹脂11之一部份，故絕緣性薄膜2之上面側經某程度之補強。但，由於絕緣性薄膜2之下面側維持存在端子部4a、4b間之間隙之狀態，故可進一步予以補強。
因此，在第2實施形態中，將與形成疏液層9之情形相同之塗料溶液填充於端子部4a、4b間之間隙，且以被覆其兩側之端子部4a、4b之端部的方式藉由印刷或噴霧塗布，並藉由乾燥使其硬化，從而進行絕緣性薄膜2之下面側之補強。藉此，在平臺部3a、3b間與端子部4a、4b間之絕緣性薄膜2之上下經補強而成為難變形部，即使從外部施加機械性之應力，亦難以變形。因此，可更確實地保證發光元件10與平臺部3a、3b間之電性連接，及端子部4a、4b間之絕緣性。
在第2實施形態中，由於使用與疏液層9相同之材料作為補強材14，故可有效率地使用該材料。又，由於補強材14具備疏液性，故將發光裝置13焊接於其他之可撓性基板上等時，可防止焊錫流出並橫跨附著於端子部4a、4b間。再者，如圖9(A)及(B)所示，藉由使補強材14較端子部4a、4b之下面略微向下方突出，而令該突出部成為將發光裝置焊接於其他基板上時之防止焊錫流出用之突堤，從而可防止焊接造成之端子部4a、4b間之短路。補強材14之形成步驟由於與疏液層9之形成步驟相同，故省略重複之說明。再者，由於補強材14之主要目的為補強絕緣性薄膜2之下面側，故無需使用與疏液層9相同之材料，只要為絕緣材料亦可使用其他之材料。
其次，說明第2實施形態之對金屬罩24之開口部23內之矽樹脂26的注入方法。直至注入矽樹脂26為止之步驟與第1實施形態相同。
在第2實施形態中，並非使用第1實施形態中使用之刮刀印刷法，而是藉由灌封，進行對開口部23內之矽樹脂26之注入。又，於金屬罩24之開口部23內壁形成有疏液膜28。疏液膜28係將與疏液層9相同之材料之塗料液塗布於開口部23之內壁，並藉由乾燥使其硬化而預先形成。金屬罩24之膜厚、開口部23之排列數、排列間距、直徑等與第1實施形態相同。
如圖10(A)所示，以使發光元件10位於開口部23之中心的方式，進行金屬罩24與絕緣性薄膜2間之定位，且將金屬罩24載置於形成有疏液層9之絕緣性薄膜2上，並藉由灌封法，於開口部23內均一地注入含有上述紅色及綠色2種螢光體之矽樹脂26。於灌封矽樹脂26之點膠機中，以3.05 mm間隔設置有17個噴嘴29，對於X方向以3.05 mm間距排列之17個開口部23同時噴出矽樹脂26。使噴嘴29於Y方向每隔2.55 mm移動並重複18次，而於全部之開口部23內注入矽樹脂26。如圖10(A)所示，在該時點，藉由疏液膜28之疏液性、矽樹脂26之表面張力、及矽樹脂26之與構成平臺部3a、3b之金屬之界面張力，使矽樹脂26自然成形為向上方向凸之拱頂狀。接著，在全部之開口部23內注入含螢光體矽樹脂26後，若將金屬罩24朝上側卸除，則注入至各開口部23內之矽樹脂26於橫向(開口部8之半徑方向)擴散，而如圖10(B)所示，藉由疏液層9之疏液性、矽樹脂26之表面張力、及矽樹脂26之與構成平臺部3a、3b之金屬之界面張力，使矽樹脂26自然成形為向上方向凸之拱頂狀。該拱頂係底面為直徑2 mm之圓形且高度為大約1.3 mm之大致半球體狀。
其次，與第1實施形態相同，若在例如80℃~150℃之溫度範圍之烘箱內進行數分鐘熱處理，使矽樹脂26熱硬化，則如圖10(B)所示，形成拱頂狀之含螢光體矽樹脂11。藉此，發光元件10被含螢光體矽樹脂11樹脂密封。接著，對形成有拱頂狀之含螢光體矽樹脂11之積層基板，在例如150℃之高溫條件下進行後硬化。在該時點，與第1實施形態相同，如圖7所示，將發光元件10密封於拱頂狀含螢光體矽樹脂11而成之表面安裝型發光裝置1，製作成306個(17列×18行)陣列狀排列並固定於絕緣性薄膜2之狀態。以後，以與第1實施形態相同之要領，製作將絕緣性薄膜2沿著切斷區域12切斷並單片化成1個或複數個區劃單位之發光裝置1。
切斷區域12之寬度為0.2 mm之情形，藉由上述單片化而完全除去切斷區域12之情形時，不存在圖9所示之來自絕緣性薄膜2之區劃單位之溢出部份，但在藉由上述單片化而僅除去切斷區域12之一部份、或不會藉由切斷而產生除去部份之情形時，如圖9所示，會殘留來自絕緣性薄膜2之區劃單位之溢出部份。
[第3實施形態]
圖11分別模式性顯示第3實施形態之發光裝置15之立體圖(圖11(A))，從Y方向觀察之側視圖(圖11(B))，從下面側觀察之底面圖(圖11(C))。
與上述第1實施形態中說明之發光裝置1在以下4點不同。第1不同的是在1個區劃單位內之1對端子部4a、4b之間隙內填充有補強材14，第2不同的是於疏液層9中含有螢光體。第3不同的是作為發光元件10，並非覆晶型發光元件，而是於晶片表面側具備P電極(陽極)10a與N電極(陰極)10b之焊接用焊墊，從表面側出射發光，且於背面側具備藍寶石等之絕緣基板之導線接合型發光元件。再者，根據發光元件10之構造之不同，發光元件10與平臺部3a、3b間之連接方法亦不同。惟藍色系之發光二極體之點與第1及第2實施形態相同。第4不同的是圖5(A)中說明之對金屬罩24之開口部23內之矽樹脂26的注入方法。由於除該5項不同點以外，其餘皆與上述第1實施形態中說明之發光裝置1相同，且第1不同點與第2實施形態中說明者相同，故省略重覆之說明。
首先，說明第2不同點。在第1及第2實施形態中，由於疏液層9非常薄且無色，難以以目測確認疏液層9之形狀、開口部8之位置等，故在第3實施形態中，為容易目測確認疏液層9之形狀等，而使用於塗料溶液內含有螢光體之粒子者。再者，在第3實施形態中，係使用黃色螢光體即(Ba,Sr)2 SiO4 ：Eu作為螢光體之一例。若照射波長400 nm~450 nm之光，則該黃色螢光體發出黃色光，容易目測確認疏液層9之形狀等。再者，由於該黃色螢光體之粒子之粒徑為大約10 μm，故疏液層9之膜厚從必須為該粒徑以上而言，較佳為例如0.015 mm以上。由於疏液層9之形成方法除於塗料溶液內含有螢光體之點以外皆與第1實施形態相同，且係以第1實施形態中說明之方法進行塗料溶液之塗布及乾燥，故省略重複之說明。再者，疏液層9中所含之螢光體之發光色並不限定於黃色。例如根據搭載之發光元件10之特性而使該螢光體之發光色改變者亦佳。
在第3實施形態中，疏液層9藉由照射波長400 nm~450 nm之光(藍色光)而發出黃色光，容易目測確認，從而產生如下所述之優點。第1，在後述之導線接合法中，若在連接平臺部3a、3b上之焊接用導線30之一端之區域誤塗布疏液層9之情形時，雖會導致導線接合不良，但由於可藉由對疏液層9照射藍色光，而在導線接合步驟前事先確認疏液層9之塗布不良，故可排除該塗布不良之區劃單位，或進行將導線接合位置移動至未塗布有疏液層9之區域之調整。第2，由於可事先確認上述塗布不良，故可縮小疏液層9之塗布精度決定之平臺部3a、3b之圖案及疏液層9之圖案之佈局設計之邊限，從而可以更高密度進行佈局設計。第3，可用於檢查疏液層9之塗布狀態。第4，提高形成有金屬罩24與疏液層9之積層基板間之對準時之效率及精度。
其次，說明第3不同點。如圖12(A)所示，發光元件10與平臺部3a、3b間之連接係藉由眾所周知之導線接合法進行。即，將發光元件10之表面側朝上，使背面側對向於平臺部3a、3b，橫跨平臺部3a、3b間之間隙，將發光元件10首先導線接合於平臺部3a、3b上，其次，使用焊接用導線30，分別連接P電極10a之焊接用焊墊與平臺部3a、N電極10b之焊接用焊墊與平臺部3b。
其次，說明第4不同點。在第3實施形態中，雖與第1實施形態相同，藉由刮刀印刷法，進行對金屬罩24之開口部23內之矽樹脂26之注入，但所使用之金屬罩24與第1實施形態不同。在第3實施形態中，於開口部23之內壁之下側部份形成有疏液膜28。在第2實施形態中，係使用於開口部23之內壁之整面形成有疏液膜28之金屬罩24，而在第3實施形態中，可使用於開口部23之內壁之下側部份形成有疏液膜28者，或與第2實施形態中使用者相同之金屬罩24。
在第1實施形態中，由於在金屬罩24之內壁未形成疏液膜28，故注入後之矽樹脂26在開口部23內保持圓筒狀，但在第3實施形態中，如圖12(B)所示，藉由疏液膜28之疏液性、矽樹脂26之表面張力、及矽樹脂26之與構成平臺部3a、3b之金屬之界面張力，使矽樹脂26自然成形為向上方向凸之拱頂狀。接著，在全部之開口部23內注入含螢光體矽樹脂26後，若將金屬罩24朝上側卸除，則注入至各開口部23內之矽樹脂26於橫向(開口部8之半徑方向)擴散，而如圖12(C)所示，藉由疏液層9之疏液性、矽樹脂26之表面張力、及矽樹脂26之與構成平臺部3a、3b之金屬之界面張力，使矽樹脂26自然成形為向上方向凸之拱頂狀。該拱頂係底面為直徑2 mm之圓形且高度為大約1.3 mm之大致半球體狀。
其次，若與第1實施形態相同，在例如80℃~150℃之溫度範圍之烘箱內進行數分鐘熱處理，使矽樹脂26熱硬化，則如圖12(C)所示，形成拱頂狀含螢光體矽樹脂11。藉此，發光元件10被含螢光體矽樹脂11樹脂密封。接著，對形成有拱頂狀含螢光體矽樹脂11之積層基板，在例如150℃之高溫條件下進行後硬化。在該時點，與第1實施形態相同，如圖7所示，將發光元件10密封於拱頂狀之含螢光體矽樹脂11而成之表面安裝型發光裝置1，製作成306個(17列×18行)陣列狀排列並固定於絕緣性薄膜2之狀態。以後，以與第1實施形態相同之要領，製作將絕緣性薄膜2沿著切斷區域12切斷而單片化成1個或複數個區劃單位之發光裝置1。
切斷區域12之寬度為0.2 mm之情形中，藉由上述單片化而完全除去切斷區域12之情形時，不存在圖11所示之來自絕緣性薄膜2之區劃單位之溢出部份，但在藉由上述單片化而僅除去切斷區域12之一部份、或不會藉由切斷而產生除去部份之情形時，如圖11所示，會殘留來自絕緣性薄膜2之區劃單位之溢出部份。
[其他實施形態]
其次，說明上述各實施形態之其他實施形態。
<1>　在上述各實施形態中，雖使用膜厚0.05 mm之聚醯亞胺薄膜作為絕緣性薄膜2之材質，但除聚醯亞胺薄膜以外，亦可使用例如，雙馬來酰亞胺三嗪樹脂系薄膜或液晶聚合物系薄膜等。又，絕緣性薄膜2之膜厚亦並非限定於0.05 mm，若為強度大之材質，可使膜厚較0.05 mm薄，亦可在可以上述之分切機或簡易切斷工具容易切斷之範圍內將膜厚增厚。
<2>　在上述各實施形態中，係於絕緣性薄膜2之兩面，經由接著層5、6貼附金屬積層膜後，將不要部份蝕刻，而形成平臺部3a、3b及端子部4a、4b，但亦可取代該形成方法，預先於絕緣性薄膜2之兩面，接著將平臺部3a、3b及端子部4a、4b圖案化之金屬積層膜。
<3>　在上述各實施形態中，已說明使用藍色系之發光二極體作為發光元件10，且以含有紅色螢光體與綠色螢光體之矽樹脂11密封發光元件10之形態(白色系發光裝置)。但本發明亦可適用於白色系以外之發光裝置，且亦可使用藍色系之發光二極體以外之發光色(發光波長)之發光二極體作為發光元件10，又，亦可採用於矽樹脂11中不含螢光體之透明之密封樹脂，又，作為於密封樹脂11含有之螢光體，亦可使用除上述之紅色螢光體與綠色螢光體以外之螢光體。惟螢光體之發光波長必需為較發光元件10之發光波長更長之波長。
<4>　在上述各實施形態中，已說明於1個區劃單位內搭載1個發光元件10之情形，但亦可於1個區劃單位內搭載複數個發光元件10之晶粒。
又，在上述各實施形態中，已說明於積層基板上之各區劃單位中搭載相同之發光元件10之情形，但亦可在相同之積層基板上，在一區劃單位與另一區劃單位中搭載不同之發光元件(例如，發光波長不同之發光二極體)。
<5>　上述各實施形態中說明之各部份之形狀或尺寸為一例，可根據例如發光元件10之晶片尺寸等進行變更。又，疏液層9之開口部8、金屬罩24之開口部23之形狀亦並不限定於圓形，亦可為例如橢圓形。
<6>　上述第2實施形態中所示之與第1實施形態之2個不同點亦可為採用任意一者，而將另一者設為與第1實施形態相同之其他實施形態。又，上述第3實施形態中所示之與第1實施形態之4個不同點，亦可為在第1至第4之不同點內採用任意之1至3個不同點，將其餘者設為與第1實施形態相同之其他實施形態。再者，在上述第3實施形態或上述第3實施形態之其他實施形態中，亦可將第4不同點之對金屬罩24之開口部23內之矽樹脂26的注入方法，變更成上述第2實施形態之第2不同點之方法。
<7>　在上述各實施形態中，作為發光元件10，雖示例有覆晶型發光元件與導線接合型發光元件之2種構造者，但亦可為使晶片背面側之整面為N電極(陰極)10b，而於晶片表面側形成P電極(陽極)10a，且從表面側出射發光之構造者。但該情形下，藉由晶粒黏合，將發光元件10僅電性且機械連接於平臺部3b，並經由焊接用導線，連接發光元件10之P電極(陽極)10a與平臺部3a間。因此，較佳為將平臺部3a、3b之面積在平臺部3b側增大，使平臺部3b存在於開口部8之中心。
<8>在上述各實施形態中，已說明於絕緣性薄膜2之上面，具備包含金屬膜片之1對平臺部3a、3b，且於該1對平臺部3a、3b與其間隙上，具備中央具有露出包含該間隙之中央部份之圓形區域之開口部8的環狀疏液層9，於開口部8之內側搭載發光元件10，並於開口部8上拱頂狀地形成密封發光元件10之含螢光體矽樹脂11的形態，但亦可取代該疏液層9，於1對平臺部3a、3b之外周與間隙，形成例如白色矽樹脂31，並於由形成於1對平臺部3a、3b之外周之白色矽樹脂31包圍之區域上，拱頂狀地形成密封發光元件10之含螢光體矽樹脂11。圖15係模式性顯示本其他實施形態之發光裝置16之一構成例。此處，如圖15(A)及(C)為從上面側觀察發光裝置16之平面圖及從下面側觀察之底面圖，圖15(B)係垂直於切斷發光元件10之Y方向之剖面之發光裝置16的剖面圖。
如圖15所示，發光裝置16於絕緣性薄膜2之上面具備包含金屬膜片之1對平臺部3a、3b，而於下面具備包含金屬膜片之外部連接用之1對端子部4a、4b，各平臺部3a、3b經由接著層5而接著於絕緣性薄膜2之上面，而各端子部4a、4b經由接著層6而接著於絕緣性薄膜2之下面。平臺部3a與端子部4a夾住絕緣性薄膜2而對向，並藉由貫通絕緣性薄膜2之貫通導電體7a電性導通。同樣地，平臺部3b與端子部4b夾住絕緣性薄膜2而對向，並藉由導通絕緣性薄膜2之貫通導電體7b電性導通。1對平臺部3a、3b藉由於Y方向延伸之細長之間隙，將該平臺部間電性絕緣分離。同樣地，1對端子部4a、4b亦藉由於Y方向延伸之細長之間隙，將該等端子部間電性絕緣分離。白色矽樹脂31係以例如略微被覆1對平臺部3a、3b之端緣部，且上面略微高於1對平臺部3a、3b上面的方式，堤狀地形成於1對平臺部3a、3b之外周與間隙處。在本其他實施形態中，將平臺部3a、3b之面積例如在平臺部3a側增大，藉由晶粒黏合，將與上述第3實施形態相同之導線接合型發光元件10之基板側連接於平臺部3a，並經由焊接用導線，分別連接發光元件10之P電極(陽極)10a與平臺部3a間，及N電極10b與平臺部3b間。在由形成於1對平臺部3a、3b之外周之白色矽樹脂31包圍之區域上，拱頂狀地形成密封發光元件10之含螢光體矽樹脂11。在本其他實施形態中，作為金屬膜片之一例，係使用於銅箔上施有鍍銀者，而作為絕緣性薄膜2之一例，係使用膜厚0.05 mm之聚醯亞胺薄膜。又，如圖15(B)所示，貫通導電體7a、7b作為一例，其面積形成為較在第1至第3實施形態之情形更大圖15(A)及(C)之虛線係顯示貫通導電體7a、7b之外周。
再者，作為本其他實施形態之其他態樣，亦可與第3實施形態相同，藉由晶粒黏合，將導線接合型發光元件10橫跨間隙部之白色矽樹脂31而連接於1對平臺部3a、3b。該情形，較佳為使平臺部3a、3b之面積與第1至第3實施形態同樣均等。再者，作為本其他實施形態之其他態樣，在發光元件10係使晶片背面側之整面為N電極(陰極)10b，而於晶片表面側形成有P電極(陽極)10a，且從表面側出射發光之構造者之情形，亦可將平臺部3a、3b之面積在平臺部3b側增大，藉由晶粒黏合，將發光元件10僅電性且機械連接於平臺部3b，並經由焊接用導線，連接發光元件10之P電極(陽極)10a與平臺部3a間。再者，作為本其他實施形態之其他態樣，發光元件10為與第1實施形態相同之覆晶型發光元件之情形下，與第1實施形態相同，將發光元件10橫跨間隙部之白色矽樹脂31而覆晶連接於1對平臺部3a、3b。該情形，較佳為使平臺部3a、3b之面積與第1至第3實施形態同樣均等。
1、13、15、16．．．本發明之發光裝置
2．．．絕緣性薄膜
3a、3b．．．平臺部
4a．．．端子部(外部連接用之陽極端子)
4b．．．端子部(外部連接用之陰極端子)
5、6．．．接著層
7a、7b．．．貫通導電體
8．．．疏液層之開口部
9．．．疏液層
10．．．發光元件
10a．．．P電極
10b．．．N電極
11．．．密封樹脂(含螢光體矽樹脂)
12．．．切斷區域
14．．．補強材
20．．．加熱平臺
21．．．薄板
22．．．薄板固定工具
23．．．金屬罩之開口部
24．．．金屬罩
25．．．刮刀
26．．．矽樹脂(成形前之含螢光體矽樹脂)
27．．．分切機
28．．．疏液膜
29．．．噴嘴
30．．．焊接用導線
31．．．白色矽樹脂
圖1係模式性顯示第1實施形態之發光裝置之立體圖。
圖2(A)、(B)係模式性顯示第1實施形態之發光裝置之2個側視圖。
圖3(A)、(B)係模式性顯示第1實施形態之發光裝置之平面圖及底面圖。
圖4(A)~(C)係模式性顯示第1實施形態之發光裝置之製造方法之步驟剖面圖。
圖5(A)~(C)係模式性顯示第1實施形態之發光裝置之製造方法之步驟剖面圖。
圖6係模式性顯示在發光裝置之製造方法中使用之金屬罩之構造的平面圖。
圖7係模式性顯示第1實施形態之發光裝置分離前之狀態之平面圖。
圖8係模式性顯示將2連、3連、4連之區劃單位作為一塊分離之發光裝置及其分離步驟之平面圖及側視圖。
圖9(A)~(C)係模式性顯示第2實施形態之發光裝置之立體圖、側視圖及底面圖。
圖10(A)、(B)係模式性顯示第2實施形態之發光裝置之製造方法之要部的步驟剖面圖。
圖11(A)~(C)係模式性顯示第3實施形態之發光裝置之立體圖、側視圖及底面圖。
圖12(A)~(C)係模式性顯示第3實施形態之發光裝置之製造方法之要部的步驟剖面圖。
圖13係模式性顯示先前之發光裝置之一例之剖面圖。
圖14係模式性顯示先前之發光裝置之另一例之剖面圖。
圖15(A)~(C)係模式性顯示其他實施形態之發光裝置之一構成例之平面圖、剖面圖及底面圖。
1．．．本發明之發光裝置
2．．．絕緣性薄膜
3a、3b．．．平臺部
4a．．．端子部(外部連接用之陽極端子)
4b．．．端子部(外部連接用之陰極端子)
5、6．．．接著層
8．．．疏液層之開口部
9．．．疏液層
10．．．發光元件
11．．．密封樹脂(含螢光體矽樹脂)

Claims (24)

  1. 一種發光裝置，其特徵為包含：絕緣性薄膜；至少一對平臺部，其包含形成於前述絕緣性薄膜之上面之金屬膜片；外部連接用之端子部，其與前述平臺部1對1對應而夾住前述絕緣性薄膜而對向，且包含形成於前述絕緣性薄膜之下面之金屬膜片；貫通導電體，其貫通前述絕緣性薄膜而連接相互對應之前述平臺部與前述端子部間；及發光元件，其與前述1對平臺部電性連接，並設置於內包前述1對平臺部之區劃單位內；對於前述每1對平臺部，於前述1對平臺部上具備在中央具有露出前述1對平臺部間之間隙之至少一部份之開口部的環狀疏液層，且於前述開口部之內側設置有前述發光元件；於前述開口部拱頂狀地形成密封前述發光元件之含螢光體樹脂或透明樹脂。
  2. 如請求項1之發光裝置，其中前述疏液層含有螢光體。
  3. 一種發光裝置，其特徵為包含：絕緣性薄膜；至少一對平臺部，其包含形成於前述絕緣性薄膜之上面之金屬膜片；外部連接用之端子部，其與前述平臺部1對1對應而夾 住前述絕緣性薄膜而對向，且包含形成於前述絕緣性薄膜之下面之金屬膜片；貫通導電體，其貫通前述絕緣性薄膜而連接相互對應之前述平臺部與前述端子部間；及發光元件，其與前述1對平臺部電性連接，並設置於內包前述1對平臺部之區劃單位內；於每個前述1對平臺部，於前述1對平臺部之外周與間隙包含有白色矽樹脂；在以形成於前述1對平臺部之外周之前述白色矽樹脂所包圍之區域上拱頂(DOOM)狀地形成密封前述發光元件之含螢光體樹脂或透明樹脂。
  4. 如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中前述絕緣性薄膜與前述平臺部，及前述絕緣性薄膜與前述端子部係分別經由接著層而連接。
  5. 如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中將設置於前述區劃單位之周圍用以以前述區劃單位作為最小單位而單片化之切斷區域，以格子狀設定於前述絕緣性薄膜上，對於由前述切斷區域包圍之前述每個區劃單位，於前述絕緣性薄膜之下面各形成有1對前述端子部，於前述切斷區域之前述絕緣性薄膜之上面及下面，未形成前述金屬膜片。
  6. 如請求項4之發光裝置，其中將設置於前述區劃單位之周圍用以以前述區劃單位作為最小單位而單片化之切斷區域，以格子狀設定於前述絕緣性薄膜上， 對於由前述切斷區域包圍之前述每個區劃單位，於前述絕緣性薄膜之下面各形成有1對前述端子部，於前述切斷區域之前述絕緣性薄膜之上面及下面，未形成前述金屬膜片。
  7. 如請求項5之發光裝置，其係沿著前述切斷區域切斷前述絕緣性薄膜，從而單片化成1個或複數個前述區劃單位。
  8. 如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中對於前述每個區劃單位，在對應於前述1對平臺部之1對前述端子部間之間隙中填充有補強材。
  9. 如請求項4之發光裝置，其中對於前述每個區劃單位，在對應於前述1對平臺部之1對前述端子部間之間隙中填充有補強材。
  10. 如請求項5之發光裝置，其中對於前述每個區劃單位，在對應於前述1對平臺部之1對前述端子部間之間隙中填充有補強材。
  11. 如請求項6之發光裝置，其中對於前述每個區劃單位，在對應於前述1對平臺部之1對前述端子部間之間隙中填充有補強材。
  12. 如請求項7之發光裝置，其中對於前述每個區劃單位，在對應於前述1對平臺部之1對前述端子部間之間隙中填充有補強材。
  13. 一種發光裝置之製造方法，其特徵為包含以下步驟：於絕緣性薄膜之上面形成包含金屬膜片之至少1對平 臺部；於前述絕緣性薄膜之下面，形成包含金屬膜片之與前述平臺部1對1對應而夾住前述絕緣性薄膜而對向之外部連接用之端子部；形成貫通前述絕緣性薄膜而使相互對應之前述平臺部與前述端子部間連接的貫通導電體；對於前述每1對平臺部，將於中央具有露出前述1對平臺部間之間隙之至少一部份之開口部的環狀疏液層形成於前述1對平臺部上；將發光元件與前述1對平臺部電性連接，並設置於包含前述1對平臺部與其間隙之區劃單位內；及於前述開口部拱頂狀地形成密封前述發光元件之含螢光體樹脂或透明樹脂；且前述發光元件設置於前述開口部之內側。
  14. 如請求項13之發光裝置之製造方法，其中在形成前述含螢光體樹脂或透明樹脂之步驟中，使用於每個前述區劃單位中具有使前述疏液層之開口部之至少一部份露出之開口部的遮罩構件，覆蓋前述絕緣性薄膜之上面側，從而於前述遮罩構件之開口部注入前述含螢光體樹脂或透明樹脂。
  15. 如請求項14之發光裝置之製造方法，其中前述疏液層含有螢光體。
  16. 如請求項14或15之發光裝置之製造方法，其中遮罩構件之開口部係以在覆蓋前述疏液層之狀態下不使前述疏液 層之上面露出的方式形成。
  17. 如請求項14或15之發光裝置之製造方法，其中使用前述遮罩構件，或於前述遮罩構件之開口部之內壁具備疏液層之遮罩構件，藉由刮刀印刷法或灌封法進行前述含螢光體樹脂或透明樹脂之注入。
  18. 如請求項16之發光裝置之製造方法，其中使用前述遮罩構件，或於前述遮罩構件之開口部之內壁具備疏液層之遮罩構件，藉由刮刀印刷法或灌封法進行前述含螢光體樹脂或透明樹脂之注入。
  19. 如請求項16之發光裝置之製造方法，其中包含如下步驟：沿著設置於前述區劃單位之周圍之用以以前述區劃單位作為最小單位而單片化的切斷區域切斷前述絕緣性薄膜，而單片化成1個或複數個前述區劃單位。
  20. 如請求項17之發光裝置之製造方法，其中包含如下步驟：沿著設置於前述區劃單位之周圍之用以以前述區劃單位作為最小單位而單片化的切斷區域切斷前述絕緣性薄膜，而單片化成1個或複數個前述區劃單位。
  21. 如請求項18之發光裝置之製造方法，其中包含如下步驟：沿著設置於前述區劃單位之周圍之用以以前述區劃單位作為最小單位而單片化的切斷區域切斷前述絕緣性薄膜，而單片化成1個或複數個前述區劃單位。
  22. 一種發光裝置之製造方法，其特徵為包含以下步驟：於絕緣性薄膜之上面形成包含金屬膜片之至少1對平臺部； 於前述絕緣性薄膜之下面，形成包含金屬膜片而與前述平臺部1對1對應而夾住前述絕緣性薄膜而對向之外部連接用之端子部；形成貫通前述絕緣性薄膜而使相互對應之前述平臺部與前述端子部間連接的貫通導電體；對於前述每1對平臺部，於前述1對平臺部之外周與間隙，將白色矽樹脂形成於前述1對平臺部上；將發光元件與前述1對平臺部電性連接，並設置於包含前述1對平臺部與其間隙之區劃單位內；及在以形成於前述1對平臺部之外周之前述白色矽樹脂所包圍之區域上拱頂狀地形成密封前述發光元件之含螢光體樹脂或透明樹脂。
  23. 如請求項13至15及22中任一項之發光裝置之製造方法，其中包含如下步驟：沿著設置於前述區劃單位之周圍之用以以前述區劃單位作為最小單位而單片化的切斷區域切斷前述絕緣性薄膜，而單片化成1個或複數個前述區劃單位。
  24. 如請求項23之發光裝置之製造方法，其中使用市售之簡易切斷工具之截切刀、輥子切刀、或旋轉切刀，沿著前述切斷區域切斷前述絕緣性薄膜。
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