CN101635276A - 有机发光二极管触控面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管触控面板及其制作方法。有机发光二极管触控面板的像素区域中定义有显示区域与感测区域。其中，感测区域的读取薄膜晶体管可以利用显示区域的驱动薄膜晶体管的工艺一并形成。此外，感测区域的光学感测元件的上、下电极可以与显示区域的有机发光二极管元件的上、下电极一并形成。因此，本发明仅需于有机发光二极管面板的工艺之外，再进行一道形成图案化感光介电层的工艺，即可将光学感测元件整合于有机发光二极管面板的像素区域中，形成有机发光二极管触控面板。本发明的光电特性可以超越一般p－i－n感光二极管、可以具有较大的感光面积、可易于调整吸收光谱范围，并且易于与显示面板的工艺整合。

Description

有机发光二极管触控面板及其制作方法

技术领域

本发明涉及一种有机发光显示器，尤其涉及一种有机发光二极管触控面板及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)本身为一种电流驱动元件，其发光亮度根据通过电流的大小来决定，目前将OLED应用在阵列式显示面板上即是借由控制OLED的驱动电流的大小，来达到显示不同亮度(又称为灰阶值)的效果。由于OLED具有省电、较无视角限制、制造成本较低、应答速度快、可操作的温度范围大、以及可随硬件设备而小型化及薄型化等优点。因此，OLED在平面显示器的***中，具有极大的发展潜力。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种OLED触控面板及其制作方法，以将触控面板的触控功能有效整合至OLED面板中。

为达上述目的，本发明的实施例提供一种OLED触控面板的制作方法。根据前述制作方法，首先，提供基板，基板上定义有至少一像素区域，且像素区域中定义有显示区域与感测区域。之后，于基板上形成第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管，分别位于显示区域与感测区域中。接着，于第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管上方形成第一导电膜，再图案化第一导电膜而形成发光下电极部与感光下电极部。发光下电极部与感光下电极部分别位于显示区域与感测区域中，且分别电连接至第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管。然后，于发光下电极部上形成图案化有机发光层，并于感光下电极部上形成图案化感光介电层。其后，于图案化有机发光层与图案化感光介电层上形成第二导电膜。随后，图案化第二导电膜而形成发光上电极部与感光上电极部。发光上电极部与感光上电极部分别位于图案化有机发光层与图案化感光介电层上。

为达上述目的，本发明的实施例还提供一种OLED触控面板，包括基板、OLED元件，以及光学感测元件。基板上定义有至少一像素区域，且像素区域中定义有显示区域与感测区域。OLED元件设置于显示区域中的基板上，包括第一薄膜晶体管、发光下电极部、图案化有机发光层，以及发光上电极部。发光下电极部设置于发光下电极部上，且电连接至第一薄膜晶体管。图案化有机发光层设置于发光下电极部上。发光上电极部设置于图案化有机发光层上。光学感测元件设置于感测区域中的基板上，包括第二薄膜晶体管、感光下电极部、图案化感光介电层，以及感光上电极部。感光下电极部设置于第二薄膜晶体管上，且电连接至第二薄膜晶体管。图案化感光介电层设置于感光下电极部上。感光上电极部设置于图案化感光介电层上。

本发明的光电特性可以超越一般p-i-n感光二极管、可以具有较大的感光面积、可易于调整吸收光谱范围，并且易于与显示面板的工艺整合。

以下为有关本发明的详细说明与附图。然而所附附图仅供参考与辅助说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明第一优选实施例制作OLED触控面板的流程示意图。

图2至图4示出的是根据本发明第一实施例制作OLED触控面板的方法示意图。

图5示出的是根据本发明第二实施例制作OLED触控面板的方法示意图。

图6示出的是根据本发明第三实施例的顶发光型OLED触控面板的示意图。

图7示出的是根据本发明第四实施例的底发光型OLED触控面板的示意图。

图8示出的是根据本发明第五实施例制作OLED触控面板的方法示意图。

图9示出的是本发明的OLED触控面板的等效电路示意图。

其中，附图标记说明如下：

10～36  步骤                     100     OLED触控面板

102     基板                     104     缓冲层

106     图案化多晶硅层           110a    源极/漏极区域

110b    源极/漏极区域            111     电容下电极

112     栅极绝缘层               114     源极/漏极轻掺杂区域

116     栅极                     117     电容上电极

118     层间绝缘层               120     第一介层洞

122     图案化源极/漏极导电层    124     第一保护层

126     第二介层洞               128     第二保护层

130a    发光下电极部             130b    感光下电极部

132     有机发光层               132a    图案化有机发光层

134     感光介电层               134a    图案化感光介电层

138a    发光上电极部             138b    感光上电极部

150     OLED元件                 152     光学感测元件

180     底发光型OLED触控面板     182     光线

184     触控物                   190     顶发光型OLED触控面板

186     背景光源                 200     OLED触控面板

216a    栅极                     216b    下电极

230     基板                     234     栅极绝缘层

236     图案化非晶硅层           238     源极/漏极区域

248     保护层                   244a    图案化源极/漏极导电层

244b    上电极                   C       电容元件

DL      数据线                   GL      栅极线

P       像素区域                 PD      显示区域

PL      内部电源线               PS      感测区域

RL      感测信号线               T1      第一薄膜晶体管

T2      第二薄膜晶体管           T3      第三薄膜晶体管

Vss     电压

具体实施方式

图1为本发明第一优选实施例制作OLED触控面板100的流程示意图，图2至图4示出的是根据本发明第一实施例制作OLED触控面板100的方法示意图。附图中相同的元件或部位沿用相同的符号来表示。需注意的是附图仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图。

如图1的步骤10至步骤26与图2所示，首先提供一个基板102当作下基板，例如一个透明玻璃基板，再于基板102上形成缓冲层104。基板102上可定义有多个呈阵列排列的像素区域P，且像素区域P中定义有显示区域PD与感测区域PS，附图仅示出单一像素区域P为例进行说明。此外，于形成缓冲层104之前或形成缓冲层104之后也可于基板102上形成黑色矩阵层(black matrix，图未示)。之后，先在缓冲层104上沉积一层非晶硅(amorphoussilicon，a-Si)薄膜(未显示)，并可借由准分子激光等退火工艺，使此非晶硅薄膜再结晶而成为多晶硅层。然后利用第一光掩模来对此多晶硅层进行图案化工艺，例如先于基板102上形成一层光致抗蚀剂层，对此光致抗蚀剂层进行光刻工艺而形成图案化光致抗蚀剂，再利用图案化光致抗蚀剂作为蚀刻掩模来蚀刻多晶硅层，之后去除图案化光致抗蚀剂即可得到所需的图案化多晶硅层106的图案，可作为薄膜晶体管的半导体层与电容元件C的半导体层。

接下来，利用第二光掩模注入而形成N型重掺杂区域(N⁺ region)，例如先于基板102上形成一层光致抗蚀剂层，对此光致抗蚀剂层进行光刻工艺而形成图案化光致抗蚀剂，再利用图案化光致抗蚀剂作为注入掩模来进行注入，之后去除图案化光致抗蚀剂，以于预定的N型金属氧化物半导体晶体管(NMOS)与电容元件C的图案化多晶硅层106中分别形成源极/漏极区域110a与电容下电极111，例如于第一薄膜晶体管T1中形成N型的源极/漏极区域110a。其后形成栅极绝缘层112而覆盖图案化多晶硅层106与基板102上，再利用第三光掩模注入而形成N型轻掺杂区域(N^-region)，以于第一薄膜晶体管T1中形成源极/漏极轻掺杂区域114。接着，利用第四光掩模注入而形成P型重掺杂区域(P⁺ region)，以于预定的P型金属氧化物半导体晶体管(PMOS)的图案化多晶硅层106中形成源极/漏极区域110b，例如于第二薄膜晶体管T2与第三薄膜晶体管T3中一并形成P型的源极/漏极区域110b。

然后于栅极绝缘层112表面形成一层导电层，例如金属层，并利用第五光掩模来对此导电层进行图案化工艺，以得到栅极116与电容上电极117。之后，沉积层间绝缘层(inter layer dielectric，ILD)118而覆盖栅极116和栅极绝缘层112，再利用第六光掩模来进行图案化工艺，用以蚀刻层间绝缘层与栅极绝缘层112而形成多个第一介层洞120，直至源极/漏极区域110a、110b表面。接着进行金属沉积工艺，并利用第七光掩模来进行图案化工艺，以形成图案化源极/漏极导电层122。部分的图案化源极/漏极导电层122可填入第一介层洞120中，以电连接源极/漏极区域110a、110b。之后，于图案化源极/漏极导电层122和层间绝缘层118之上形成第一保护层124，并利用第八光掩模来进行图案化工艺，以蚀刻第一保护层124，而于图案化源极/漏极导电层122上形成多个第二介层洞126。

如此一来，可于基板102上一并形成电容元件C、第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2与第三薄膜晶体管T3，其中第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶体管T2位于显示区域PD中，可分别作为开关薄膜晶体管(switchTFT)与驱动薄膜晶体管(drive TFT)，而第三薄膜晶体管T3位于感测区域PS中，可作为读取薄膜晶体管(readout TFT)。本实施例的第一、第二与第三薄膜晶体管T1、T2、T3为低温多晶硅(low temperature polycrystallinesilicon，LTPS)薄膜晶体管，但本发明不限于此。

然后，如图1的步骤28至步骤32与图3所示，于保护层124上形成第一导电膜，再利用第九光掩模来对第一导电膜进行图案化工艺，以一并形成发光下电极部130a与感光下电极部130b。发光下电极部130a可作为OLED的阳极电极。其中，发光下电极部130a位于显示区域PD中，且通过图案化源极/漏极导电层122而电连接至第二薄膜晶体管T2的源极/漏极区域110b，而感光下电极部130b位于感测区域PS中，且通过图案化源极/漏极导电层122而电连接至第三薄膜晶体管T3的源极/漏极区域110b。之后，于基板102上全面形成第二保护层128，并利用第十光掩模来对第二保护层128进行图案化工艺，以暴露出发光下电极部130a与感光下电极部130b。接着，本实施例可先形成沉积一层感光介电层，并利用第十一光掩模来进行图案化工艺，以于感光下电极部130b上形成图案化感光介电层134a，其后再全面沉积一层有机发光层132。

然后，如图1的步骤28至步骤32与图4所示，利用第十二光掩模来对有机发光层132进行图案化工艺，以于发光下电极部130a上形成图案化有机发光层132a。其后，于图案化有机发光层132a与图案化感光介电层134a上形成第二导电膜。随后，利用第十三光掩模来对第二导电膜进行图案化工艺，以形成发光上电极部138a与感光上电极部138b，即完成本实施例的OLED触控面板100。更进一步地，为了避免水气侵蚀元件，可再形成保护层(图未示)覆盖于发光上电极部138a与感光上电极部138b，保护层例如是由沉积法或旋涂法所形成的氧化硅及/或氮化硅层。

发光上电极部138a与感光上电极部138b分别位于图案化有机发光层132a与图案化感光介电层134a上，而发光上电极部138a可作为OLED的阴极电极。其中，发光下电极部130a、图案化有机发光层132a与发光上电极部138a可形成OLED元件150，而感光下电极部130b、图案化感光介电层134a与感光上电极部138b可形成光学感测元件152。

其中，图案化感光介电层134a较佳是富硅介电层，例如富硅氧化硅层(SiOx)、富硅氮化硅层(SiNy)或富硅氮氧化硅层(SiOxNy)等富硅的氧化物或氮化物介电层，或是富硅碳化硅层(SiCz)、富硅碳氧化硅(SiOxCz)，其中0＜x＜2，0＜y＜1.33，0＜z＜1，可以有较佳的感测效果与稳定性，也可以是微米硅(micro-Si)层、纳米硅(nano-Si)层、多晶硅层或非晶硅层，或是上述的单层或是叠层。图案化有机发光层132a可为单层结构或复合层结构，例如依序将空穴注入层、空穴传输层与有机电致发光层、电子传输层。空穴注入层与空穴传输层例如可由真空蒸镀法所形成，空穴注入层的材质例如是m-MTDATA(π-共轭分子-4，4’，4”-三偶(3-甲基苯基苯胺)三苯胺)，而空穴传输层例如是NPB(含氮元素的有机分子材料)层。有机电致发光层例如可由真空蒸镀法所形成，其材质为添加有掺杂物(dopant)的有机材料。电子传输层例如是由真空蒸镀法所形成，其材质例如是铝错合物。

具有富硅介电层的光学感测元件152可以成功结合于LTPS薄膜晶体管与a-Si薄膜晶体管技术，以使用等离子体增强式化学气相沉积(PECVD)将含有富硅元素的介电层薄膜(silicon-rich dielectrics)沉积于透明电极或金属电极上。此富硅介电层中的硅原子受到入射光激发之后会产生电子空穴对，在有外加偏压或外加电场的情况下，这些受光激发而产生电子空穴会被分离而形成光电流，作为感测信号。富硅介电层的光学感测元件152的光电特性可由介电层薄膜中硅元素的含量与介电层薄膜的厚度等因素来调变与控制，进而提供最佳化的光电效应。此外，由于嵌入式的光学感测元件152可设置于透明电极或金属电极之间，因此可以呈现一个金属-介电层-金属(MIM)堆叠结构而整合在像素读取电路(in pixel readout TFT)上，继而增加光学感测元件152的感光面积(fill factor)。

此外，本发明也可先形成图案化有机发光层132a之后，再形成图案化感光介电层134a。图5示出的是根据本发明第二实施例制作OLED触控面板的方法示意图。如图5所示，本实施例可先形成沉积一层有机发光层，并利用第十一光掩模来进行图案化工艺，以于发光下电极部130a上形成图案化有机发光层132a，其后再全面沉积一层感光介电层134。之后，再利用第十二光掩模来对感光介电层134进行图案化工艺，以于感光下电极部130b上形成图4所示的图案化感光介电层134a。

根据OLED本身的结构，OLED又可分为两种，一种是顶发光型(topemitting)OLED结构，另一种是底发光型(bottom emitting)OLED结构。图6与图7示出的分别是根据本发明第三与第四实施例的顶发光型OLED触控面板190与底发光型OLED触控面板180的示意图。如图6所示，当制作顶发光型OLED触控面板190时，前述的第一导电膜例如是由蒸镀法或溅镀法所形成的高反射金属导电材料，其材质例如是铂(Pt)、钯(Pd)、铱(Ir)、金(Au)、钨(W)、镍(Ni)、银(Ag)或铝(Al)，而前述的第二导电膜例如是包含氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)等透明导电材料的薄膜。如此一来，顶发光型OLED元件150的光线182可穿过透明的发光上电极部138a向外照射。当触控物184接近顶发光型OLED触控面板190的上表面时，OLED元件150所发出的光线182会受到触控物184的反射而朝向感测区域PS照射，进而被光学感测元件152所感测。光学感测元件152被激发出电子空穴对而形成光电流，而第三薄膜晶体管T3(读取薄膜晶体管)可将形成的光电流转换为感测信号。另外，若于背景光源186的强度够大的情况下，触控物184的接近则会遮蔽背景光源186，进而从光电流的减少而判断出触控位置。其中，顶发光型OLED触控面板190所发射的光较不易受到基板102上的薄膜晶体管结构的影响，可具有较大开口率(aperture ratio)。

如图7所示，当制作底发光型OLED触控面板180时，前述的第一导电膜可包含透明导电材料，而前述的第二导电膜则包含高反射的金属导电材料。底发光型OLED元件150的光线182可穿过透明的发光下电极部130a向外照射。当触控物184接近底发光型OLED触控面板180的下表面时，OLED元件150所发出的光线182会受到触控物184的反射而朝向感测区域PS照射，进而被光学感测元件152所感测。同理，若于背景光源186的强度够大的情况下，则可以从光电流的减少而判断出触控位置。

根据第三与第四实施例的OLED触控面板的操作可知，显示区内的光学感测元件152可作为触控感测元件，用以感测出触控位置。而于其他实施例中，也可在显示区边缘或是显示区外增设环境光感测元件(ambient lightsensor，ALS)，其结构可跟光学感测元件152相同。当光学感测元件152作为环境光感测元件之用时，可在显示装置运作时检测背景光源186的亮度变化而改变OLED触控面板100的亮度，使显示画面的亮度最佳化。此外，环境光感测元件也可提供参考信号至触控感测元件，借此触控感测元件可根据环境光强度作适当调整，以维持良好的触控灵敏。

此外，前述实施例以LTPS薄膜晶体管为例进行说明，而于其他实施例中也可将a-Si薄膜晶体管的技术结合至本发明中。图8示出的是根据本发明第五实施例制作OLED触控面板200的方法示意图，同时也是OLED触控面板200的结构示意图。如图8所示，于基板230表面上形成导电层，例如金属层，再利用第一道光掩模与图案化工艺，将导电层图案化而于显示区域PD与感测区域PS中形成栅极216a与电容元件C的下电极216b。然后，在栅极216a、下电极216b与基板230的表面上依序形成栅极绝缘层234、非晶硅层以及掺杂非晶硅层。随后，利用第二道光掩模以图案化工艺去除部分的非晶硅层以及掺杂非晶硅层，以于第一、第二与第三薄膜晶体管T1、T2、T3的预定区域上分别定义形成岛状结构，包含图案化非晶硅层236与图案化的掺杂非晶硅层。

跟着，于基板230的整个表面上形成第一导电膜，例如透明导电膜或金属导电膜，再利用第三道光掩模与图案化工艺，将第一导电膜定义形成发光下电极部130a与感光下电极部130b。

接下来，于基板230的表面上全面形成另一导电层，再利用第四道光掩模对此导电层与掺杂非晶硅层进行图案化工艺，以使导电层定义形成图案化源极/漏极导电层244a与电容元件C的上电极244b，并且可使掺杂非晶硅层被区分成为源极/漏极区域238，至于暴露的图案化非晶硅层236则是用来作为第一、第二与第三薄膜晶体管T1、T2、T3的通道。其后，可于基板230的整个表面上形成保护层248，再利用第五道光掩模将显示区域20上的保护层248去除，以于图案化源极/漏极导电层244a上形成图案化保护层，并完成a-Si薄膜晶体管工艺。

后续，可利用如图2至图4所示各步骤，以形成发光下电极部130a、感光下电极部130b、图案化有机发光层132a、图案化感光介电层134a、发光上电极部138a、感光上电极部138b与保护层290，即完成本实施例的OLED触控面板200。

图9示出的是本发明的OLED触控面板的等效电路示意图。如图9所示，OLED触控面板的各显示区域PD中，包含有第一薄膜晶体管T1(开关薄膜晶体管)、电容元件C、第二薄膜晶体管T2(驱动薄膜晶体管)与OLED元件150。第一薄膜晶体管T1的源极连接至数据线DL，其栅极连接至栅极线GL，而其漏极连接至电容元件C的负电极以及第二薄膜晶体管T2的栅极。第二薄膜晶体管T2的漏极以及电容元件C的正电极连接至内部电源线PL。第二薄膜晶体管T2的源极连接至OLED元件150的阳极，而OLED元件150的阴极连接至电压Vss。感测区域PS则包括光学感测元件152及第三薄膜晶体管T3(读取薄膜晶体管)。当光线照射至光学感测元件152时，光学感测元件152会产生感测信号，可借由第三薄膜晶体管T3传送至感测信号线RL，进而对OLED触控面板进行控制。

综上所述，本发明提供一种内嵌式OLED光学触控面板(optical touchOLED panel integration on glass)及其制作方法。其中，感测区域的读取薄膜晶体管可以利用显示区域的驱动薄膜晶体管的工艺一并形成。此外，感测区域的光学感测元件的上、下电极可以与显示区域的OLED的上、下电极一并形成。因此，本发明仅需于OLED面板的工艺之外，再进行一道形成图案化感光介电层的工艺，即可将光学感测元件有效地整合于OLED面板的像素区域中，形成OLED触控面板。其中，嵌入式感光介电层感测元件可成功整合在LTPS薄膜晶体管与a-Si薄膜晶体管上，其优点包括：光电特性可以超越一般p-i-n感光二极管、可以具有较大的感光面积、可易于调整吸收光谱范围，并且易于与显示面板的工艺整合。

以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，均应属本发明的涵盖范围。

Claims (19)

1.一种有机发光二极管触控面板的制作方法，包括：

提供一基板，该基板上定义有至少一像素区域，且该像素区域中定义有一显示区域与一感测区域；

于该基板上形成一第一薄膜晶体管与一第二薄膜晶体管，分别位于该显示区域与该感测区域中；

于该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶体管上方形成一第一导电膜；

图案化该第一导电膜而形成一发光下电极部与一感光下电极部，该发光下电极部与该感光下电极部分别位于该显示区域与该感测区域中，且分别电连接至该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶体管；

于该发光下电极部上形成一图案化有机发光层；

于该感光下电极部上形成一图案化感光介电层；

于该图案化有机发光层与该图案化感光介电层上形成一第二导电膜；以及

图案化该第二导电膜而形成一发光上电极部与一感光上电极部，该发光上电极部与该感光上电极部分别位于该图案化有机发光层与该图案化感光介电层上。

2.如权利要求1所述的制作方法，其中该图案化感光介电层包括一富硅氧化硅层、一富硅氮化硅层、一富硅氮氧化硅层、一富硅碳化硅层或一富硅碳氧化硅。

3.如权利要求1所述的制作方法，其中该图案化感光介电层包括一微米硅层、一纳米硅层、一多晶硅层或一非晶硅层。

4.如权利要求1所述的制作方法，其中形成该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶体管的步骤包括：

于该基板上的该显示区域与该感测区域中分别形成一图案化多晶硅层；

形成一栅极绝缘层覆盖所述图案化多晶硅层与该基板上；

于各所述图案化多晶硅层上方的该栅极绝缘层表面分别形成一栅极；

于各所述多晶硅层中形成多个源极/漏极区域；

沉积一层间绝缘层，覆盖所述栅极和该栅极绝缘层；

蚀刻该层间绝缘层与该栅极绝缘层以形成多个第一介层洞于所述多个源极/漏极区域上；

于所述多个介层洞中与部分的该层间绝缘层上形成一图案化源极/漏极导电层；

于该图案化源极/漏极导电层和该层间绝缘层之上形成一保护层；以及

蚀刻该保护层，以于该图案化源极/漏极导电层上形成多个第二介层洞。

5.如权利要求1所述的制作方法，其中形成该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶体管的步骤包括：

于该基板上的该显示区域与该感测区域中分别形成一栅极；

形成一栅极绝缘层覆盖所述栅极与该基板上；

于各所述栅极上方的该栅极绝缘层表面形成一图案化非晶硅层与一图案化掺杂非晶硅层；

于所述图案化掺杂非晶硅层上形成一导电层；

蚀刻该导电层与所述图案化掺杂非晶硅层，以形成多个图案化源极/漏极导电层与多个源极/漏极区域；以及

于所述图案化源极/漏极导电层上形成一图案化保护层。

6.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一导电膜包括一透明导电材料，而该第二导电膜包括一金属导电材料。

7.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一导电膜包括一金属导电材料，而该第二导电膜包括一透明导电材料。

8.如权利要求1所述的制作方法，其中于形成该图案化有机发光层之后，再形成该图案化感光介电层。

9.如权利要求1所述的制作方法，其中于形成该图案化感光介电层之后，再形成该图案化有机发光层。

10.如权利要求1所述的制作方法，其中形成该图案化有机发光层的步骤包括沉积多个图案化有机发光膜。

11.一种有机发光二极管触控面板，包括：

一基板，该基板上定义有至少一像素区域，且该像素区域中定义有一显示区域与一感测区域；

一有机发光二极管元件，设置于该显示区域中的该基板上，包括：

一第一薄膜晶体管；

一发光下电极部，设置于该发光下电极部上，且电连接至该第一薄膜晶体管；

一图案化有机发光层，设置于该发光下电极部上；以及

一发光上电极部，设置于该图案化有机发光层上；以及

一光学感测元件，设置于该感测区域中的该基板上，包括：

一第二薄膜晶体管；

一感光下电极部，设置于该第二薄膜晶体管上，且电连接至该第二薄膜晶体管；

一图案化感光介电层，设置于该感光下电极部上；以及

一感光上电极部，设置于该图案化感光介电层上。

12.如权利要求11所述的有机发光二极管触控面板，其中该图案化感光介电层包括一富硅氧化硅层、一富硅氮化硅层、一富硅氮氧化硅层、一富硅碳化硅层或一富硅碳氧化硅。

13.如权利要求11所述的有机发光二极管触控面板，其中该图案化感光介电层包括一微米硅层、一纳米硅层、一多晶硅层或一非晶硅层。

14.如权利要求11所述的有机发光二极管触控面板，其中该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶体管分别包括一低温多晶硅薄膜晶体管。

15.如权利要求11所述的有机发光二极管触控面板，其中该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶体管分别包括一非晶硅薄膜晶体管。

16.如权利要求11所述的有机发光二极管触控面板，其中该第一导电膜包括一透明导电材料，而该第二导电膜包括一金属导电材料。

17.如权利要求11所述的有机发光二极管触控面板，其中该第一导电膜包括一金属导电材料，而该第二导电膜包括一透明导电材料。

18.如权利要求11所述的有机发光二极管触控面板，其中该光学感测元件包括一触控光学感测元件。

19.如权利要求11所述的有机发光二极管触控面板，其中该光学感测元件包括一环境光感测元件。

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