CN115734677A - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供了显示面板及其制作方法、显示装置，通过改进金属层功能设计，将第一源漏极层与栅极进行复用，部分第一源漏极同时起到栅极的作用，在不影响薄膜晶体管器件正常工作的前提下，减少制作显示面板过程中使用的膜层数量，从而简化工艺并提高显示面板的良品率。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示面板技术领域，尤其涉及显示面板及其制作方法、显示装置。

背景技术

随着显示器件朝高分辨率及柔性特性的演进，LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)凭借比a-Si(非晶硅)更高的载流子迁移率成为了不可或缺的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)器件的有源层材料，在LCD和AMOLED制造中被广泛运用。

LTPS迁移率高，但存在漏电流偏大、ELA晶化不均匀等问题，影响了AMOLED显示的质量，随着科技的发展，提出了在传统LTPS BP中将个别TFT的有源层材料由LTPS换成Oxide，即所谓的LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)技术。该技术充分利用了两种有源层材料的特点，实现了良好的低频显示效果，有效降低了面板功耗，并已经实现商业化应用。

但是，相关技术制备LTPO显示面板时，采用的膜层数量较多，提高了工艺复杂度并降低了显示面板的良品率。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提出显示面板及其制作方法、显示装置。

基于上述目的，本申请提供了一种显示面板，包括：

衬底基板、第一有源层、第二有源层、第一源漏极层、第二源漏极层、第一层间介质层、第二层间介质层、第一过孔、第二过孔和第三过孔；

衬底基板上层叠设置第一有源层、第二有源层、第一源漏极层和第二源漏极层，第一源漏极层包括栅极区域，栅极区域在衬底基板上的正投影至少部分与第二有源层在衬底基板上的正投影重合；

第一层间介质层设置在第一有源层与第一源漏极层之间；第二层间介质层设置在第二有源层与第二源漏极层之间；第一过孔穿过第一层间介质层，第二过孔和第三过孔分别穿过第二层间介质层；

第一源漏极层通过第一过孔电连接第一有源层；第二源漏极层包括第一区域和第二区域，第一区域通过第二过孔电连接第一源漏极层，第二区域通过第三过孔电连接第二有源层。

本申请还提供了一种显示面板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成第一有源层；

在第一有源层远离衬底基板一侧形成第一层间介质层；

在第一层间介质层上形成第二有源层；

在第一层间介质层上形成第一过孔，第一过孔贯通至第一有源层的表面；

形成第一源漏极层，其中，第一源漏极层包括栅极区域，栅极区域在衬底基板上的正投影至少部分与第二有源层在衬底基板上的正投影重合；

在第一源漏极层远离第一有源层一侧形成第二层间介质层；

在第二层间介质层上形成第二过孔和第三过孔，第二过孔贯通至第一源漏极层的表面，第三过孔贯通至第二有源层的表面；

形成第二源漏极层，第二源漏极层包括第一区域和第二区域。

本申请还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。

从上面所述可以看出，本申请提供的显示面板及其制作方法、显示装置，通过改进金属层功能设计，将第一源漏极层与栅极进行复用，在不影响薄膜晶体管器件正常工作的前提下，减少制作显示面板过程中使用的膜层数量，从而简化工艺并提高显示面板的良品率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为相关技术的LTPO显示面板的部分结构框图。

图2为本申请实施例的显示面板的部分结构框图。

图3为本申请实施例的显示面板的Layout结构框图。

图4为本申请实施例的显示面板在形成第一过孔后的中间结构框图。

图5为本申请实施例的显示面板在形成第一源漏极层后的中间结构框图。

图6为本申请实施例的显示面板在形成第二过孔和第三过孔后的中间结构框图。

图中的附图标记包括：衬底基板101、PI层102、Barrier层103、第一Buffer层104、P-Si有源层105、第一GI层106、第一Gate层107、第一ILD层108、第二Gate层109、第二Buffer层110、IGZO有源层111、第二GI层112、第三Gate层113、第二ILD层114、第一SD层115、衬底基板201、第一有源层202、第二有源层203、第一源漏极层204、第二源漏极层205、栅极区域206、第一过孔207、第二过孔208、第三过孔209、第一栅极绝缘层210、聚酰亚胺层211、阻挡层212、第一缓冲层213、第二栅极绝缘层214、第一栅极215、第一层间介质层216、第二栅极217、第二缓冲层218、第二层间介质层219、导体化区域220、遮光层221。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本申请进一步详细说明。

需要说明的是，除非另外定义，本申请实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。

显示面板是显示装置的主要部件，其包括衬底基板以及设置在衬底基板上的显示单元。相关技术中常用的显示面板为LTPS显示面板和Oxide(氧化物)显示面板，LTPS显示面板指的是显示单元中的TFT器件为LTPS TFT的显示面板，Oxide显示面板指的是显示单元中的TFT器件为Oxide TFT的显示面板。

因为组成LTPS TFT的多晶硅有源层的迁移率较大，使得LTPS TFT的漏电流较大，从而导致LTPS显示面板在低频驱动下的功耗较大，难以很好的保持静态黑画面，画面品质较差；并且，为了更好的展开灰阶，在LTPS显示面板中，需要将DTFT(Driver Thin FilmTransistor，驱动薄膜晶体管)的沟道制作的很长，这样就难以实现LTPS显示面板的高分辨率，分辨率即PPI(Pixel Per Inch，每英寸所设置的像素数目)；此外，多晶硅有源层的迟滞较大，因此LTPS显示面板容易出现画面残像的问题。

而组成Oxide TFT的氧化物有源层的迁移率较小，使得Oxide TFT的漏电流较小，从而使Oxide显示面板在低频驱动下的功耗较小，能够很好的保持静态黑画面，提升画面品质；并且，在Oxide显示面板中，无需将DTFT的沟道制作的很长，就能更好的展开灰阶，实现高PPI；此外，氧化物有源层的迟滞较小，Oxide显示面板不容易出现画面残像问题；进一步地，Oxide TFT的均一性比LTPS TFT的均一性好。但是，氧化物有源层对空气中的氧气与水蒸气较为敏感，导致氧化物有源层的寿命较短，进而影响了Oxide显示面板的广泛应用。

从上述描述可知，Oxide TFT器件可以弥补LTPS TFT器件的不足。因此，提出了结合两种TFT器件的新型显示面板，即LTPO显示面板，其具有LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)显示面板和Oxide(氧化物)显示面板的优点，是未来显示面板的主要发展方向。

但是，制作Oxide TFT器件与制作LTPS TFT器件的工艺的区别较大，导致LTPO显示面板的制造工艺较为复杂，采用的膜层数量较多，从而降低了LTPO显示面板的良品率。

图1示出了相关技术的LTPO显示面板的部分结构框图。该LTPO显示面板包括衬底基板101、PI(Polyimide，聚酰亚胺)层102、Barrier(阻挡)层103、第一Buffer(缓冲)层104、P-Si(多晶硅)有源层105、第一GI(Gate Insulator，栅绝缘)层106、第一Gate(栅极)层107、第一ILD(inter-layer Dielectric，层间介质)层108、第二Gate层109、第二Buffer层110、IGZO(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)有源层111、第二GI层112、第三Gate层113、第二ILD层114、第一SD(源漏极)层115。图中未示出的结构还包括PVX(Passivation，钝化)层、第一PLN(Planarization，平坦)层、第二SD层、第二PLN层、AND(Anode，阳极)层、PDL(Pixel Definition Layer，像素界定层)、PS(Photo Spacer，隔垫物)层。

参考图1，该LTPO显示面板制作至PS层需要使用15层膜层，分别为P-SI有源层膜层、第一Gate层膜层、第二Gate层膜层、IGZO有源层膜层、第三Gate层膜层、连通IGZO有源层111的过孔膜层、连通P-Si有源层105的过孔膜层、第一SD层膜层、PVX层膜层、第一PLN层膜层、第二SD层膜层、第二PLN层膜层、AND层膜层、PDL膜层和PS层膜层。其中，制备第二GI层112时，以第一SD层115为膜层对第二GI层112进行制作，减少一层用于制作的膜层。

鉴于相关技术的LTPO显示面板的上述缺点，本申请实施例提供了显示面板及其制作方法、显示装置。

本申请提供的显示面板及其制作方法、显示装置，通过改进金属层功能设计，将第一源漏极层与进行复用，在不影响薄膜晶体管器件正常工作的前提下，减少制作显示面板过程中使用的膜层数量，从而简化工艺并提高显示面板的良品率。

图2示出了本申请实施例的显示面板的部分结构框图。

如图2所示，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：衬底基板201、第一有源层202、第二有源层203、第一源漏极层204、第二源漏极层205、第一层间介质层216、第二层间介质层219、第一过孔207、第二过孔208和第三过孔209。

在本实施例中，衬底基板201可以为透明基板，其材料可以为玻璃、石英或透明树脂。第一有源层202可以为多晶硅有源层。第二有源层203可以为氧化物有源层，例如IGZO有源层或ITZO(indium tin zinc oxide，铟锡锌氧化物)有源层。第一源漏极层204、第二源漏极层205的材料均可以为Mo(钼)、Cu(铜)、Al(铝)与Ti(钛)之中的任意一种或其合金材料。

衬底基板201上层叠设置第一有源层202、第二有源层203、第一源漏极层204和第二源漏极层205，第一源漏极层204包括栅极区域206，栅极区域206在衬底基板201上的正投影至少部分与第二有源层203在衬底基板201上的正投影重合。即栅极区域206位于第二有源层203的上方，在起到源漏极作用的同时也作为第二有源层203的栅极。这样，相比相关技术，减少了一层用于制作第三Gate层113的膜层，在不影响由第二有源层203组成的TFT器件正常工作的前提下，减少制作显示面板过程中使用的膜层数量，从而简化工艺并提高显示面板的良品率。

第一层间介质层216设置在第一有源层202与第一源漏极层204之间；第二层间介质层219设置在第二有源层203与第二源漏极层205之间；第一过孔207穿过第一层间介质层216，第二过孔208和第三过孔209分别穿过第二层间介质层219。

第一源漏极层204通过第一过孔207电连接第一有源层202。第二源漏极层205包括第一区域和第二区域，第一区域通过第二过孔208电连接第一源漏极层204，第二区域通过第三过孔209电连接第二有源层203。从而使第二源漏极层205的第一区域电连接第一有源层202，第二源漏极层205的第二区域电连接第二有源层203。第一过孔207在形成第一有源层202时进行填充。第二过孔208与第三过孔209在形成第二有源层203时进行填充。

具体实施时，第二过孔208与第三过孔209的深度相近，可以通过同一膜层得到。

作为一个可选的实施例，显示面板还包括第一栅极绝缘层210。

第一栅极绝缘层210设置在第二有源层203与第一源漏极层204之间，并覆盖第二有源层203。

在本实施例中，第一栅极绝缘层210的材料可以为SiO(一氧化硅)、SiO₂(二氧化硅)、Si₃N₄(氮化硅)、Al₂O₃(氧化铝)与SiO_xN_y(氮氧化硅)之中的任意一种或其他无机材料。

这样，第一栅极绝缘层210(相当于相关技术中的第二GI层112)使用与相关技术中第二GI层112不同的结构，第一栅极绝缘层210不采用膜层进行制作，在不改变第一栅极绝缘层210的性能的同时，减少一道制作过程中的工序。

作为一个可选的实施例，显示面板还包括聚酰亚胺层211、阻挡层212、第一缓冲层213、第二栅极绝缘层214、第一栅极215、第二栅极217、第二缓冲层218。

聚酰亚胺层211、阻挡层212和第一缓冲层213层叠设置在衬底基板201与第一有源层202之间。第二栅极绝缘层214覆盖第一有源层202。第一栅极215设置在第二栅极绝缘层214上。第二栅极217设置在第一层间介质层216上。第二缓冲层218设置在第二栅极217与第二有源层203之间，并覆盖第二栅极217。

在本实施例中，阻挡层212、第一缓冲层213、第二栅极绝缘层214与第二缓冲层218的材料均可以为SiO、SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃与SiO_xN_y之中的任意一种或其他无机材料。第一栅极215与第二栅极217的材料均可以为Mo、Cu、Al与Ti之中的任意一种或其合金材料。

这样，聚酰亚胺层211、阻挡层212、第一缓冲层213、第二栅极绝缘层214、第一栅极215、第二栅极217和第二缓冲层218分别对应相关技术的LTPO显示面板中的PI层102、Barrier层103、第一Buffer层104、第一GI层106、第一Gate层107、第二Gate层109、第二Buffer层110，使本申请实施例的显示面板具有与相关技术的LTPO显示面板相同的功能。

作为一个可选的实施例，显示面板还包括钝化层、平坦层、阳极、像素界定层和隔垫物层。

第二源漏极层205上层叠设置钝化层、平坦层、阳极、像素界定层和隔垫物层。

在本实施例中，钝化层、平坦层、像素界定层与隔垫物层的材料均可以为有机树脂。阳极的材料可以为ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)、IZO(Indium zinc oxide，氧化铟锌)与ZnO：Al(aluminum-doped zinc oxide，掺铝氧化锌)之中的任意一种。

这样，钝化层、平坦层、阳极、像素界定层和隔垫物层分别对应相关技术的LTPO显示面板中的PVX层、第一PLN层、AND层、PDL与PS层，使本申请实施例的显示面板具有与相关技术的LTPO显示面板相同的功能。

作为一个可选的实施例，显示面板还包括遮光层221。

遮光层221与第一栅极215同层设置，第二有源层203在衬底基板201上的正投影位于遮光层221在衬底基板201上的正投影区域内。

在本实施例中，遮光层221可以与第一栅极215同时制备。这样，可以在不增加膜层的前提下得到遮光层221，通过遮光层221防止第二有源层203受到杂光影响，增强第二有源层203的性能。

综合上述实施例得到的显示面板制作至PS层需要13层膜层，分别为第一有源层膜层、第一栅极膜层、第二栅极膜层、第二有源层膜层、第一过孔膜层、第一源漏极层膜层、第二过孔和第三过孔膜层、第二源漏极层膜层、钝化层膜层、平坦层膜层、阳极膜层、像素界定层膜层和隔垫物层膜层。

这样，通过改进金属层功能设计，在制作显示面板过程中减少两道使用的膜层。

图3示出了本申请实施例的显示面板的Layout结构框图。参考图3可以看出，本申请实施例的显示面板的电路等效于相关技术的LTPO显示面板的电路，本申请实施例的显示面板具有与相关技术的LTPO显示面板相同的功能。

作为一个可选的实施例，第二有源层203连接第二源漏极层205的区域为导体化区域220。

在本实施例中，可以通过离子注入工艺使第二有源层203连接第二源漏极层205的区域形成导体化区域220。这样，可以提高由第二有源层203组成的Oxide TFT的性能。

基于同一发明构思，与上述任意实施例的显示面板相对应的，本公开还提供了一种显示面板的制作方法，包括：

在衬底基板201上形成第一有源层202。

在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)等方法沉积a-Si(非晶硅)得到a-Si层，随后对a-Si层进行退火处理使a-Si转化为P-Si(多晶硅)，再在P-Si上制备膜层并进行图案化，得到第一有源层202。

在第一有源层202远离衬底基板201一侧形成第一层间介质层216。

在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法在第有源层202的上方沉积一层无机材料(例如SiO_xN_y)得到第一层间介质层216。

在第一层间介质层216上形成第二有源层203。

在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法得到有源材料层，随后在有源材料层上制备膜层并进行图案化，得到第二有源层203。

在第一层间介质层216上形成第一过孔207，第一过孔207贯通至第一有源层202的表面。

图4示出了本申请实施例的显示面板在形成第一过孔207后的中间结构框图。

参考图4，在本实施例中，可以通过制备膜层并进行图案化，得到第一过孔207。

形成第一源漏极层204，其中，第一源漏极层204包括栅极区域206，栅极区域206在衬底基板201上的正投影至少部分与第二有源层203在衬底基板201上的正投影重合。

图5示出了本申请实施例的显示面板在形成第一源漏极层204后的中间结构框图。

参考图5，在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法得到第一源漏极材料层，随后在第一源漏极材料层上制备膜层并进行图案化，得到第一源漏极层204。并且，得到的第一源漏极层204中位于第二有源层203上方的部分区域部分即为栅极区域206。

在第一源漏极层204远离第一有源层202一侧形成第二层间介质层219。

在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法在第一源漏极层204的上方沉积一层无机材料(例如SiO_xN_y)得到第二层间介质层219。

在第二层间介质层219上形成第二过孔208和第三过孔209，第二过孔208贯通至第一源漏极层204的表面，第三过孔209贯通至第二有源层203的表面。

图6示出了本申请实施例的显示面板在形成第二过孔208和第三过孔209后的中间结构框图。

参考图6，在本实施例中，可以通过制备膜层并进行图案化，同时得到第二过孔208和第三过孔209。

形成第二源漏极层205，第二源漏极层205包括第一区域和第二区域。

在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法得到第二源漏极材料层，随后在第二源漏极材料层上制备膜层并进行图案化，得到第二源漏极层205。

作为一个可选的实施例，在形成第一有源层202之前，制作方法还包括：

形成聚酰亚胺层211。

在本实施例中，可以通过涂覆方法在衬底基板201上涂覆一层PI得到聚酰亚胺层211。

形成阻挡层212。

在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法在聚酰亚胺层211上方沉积一层无机材料(例如SiO₂)得到阻挡层212。

形成第一缓冲层213。

在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法在阻挡层212上方沉积一层无机材料(例如Al₂O₃)得到第一缓冲层213。

随后在第一缓冲层213上方制作第一有源层202。

作为一个可选的实施例，在形成第一有源层202之后，制作方法还包括：

形成第二栅极绝缘层214。

在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法在第一有源层202上方沉积一层无机材料(例如Si₃N₄)得到第二栅极绝缘层214。

形成第一栅极215与遮光层221。

在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法在第二栅极绝缘层214上方沉积一层金属或合金材料(例如Mo)得到第一栅极材料层，随后在第一栅极材料层上制备膜层并进行图案化，得到第一栅极215和遮光层221。

形成第二栅极217。

在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法在第一层间介质层216上方沉积一层金属或合金材料(例如Mo)得到第二栅极材料层，随后在第二栅极材料层上制备膜层并进行图案化，得到第二栅极217。

形成第二缓冲层218。

在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法在第二栅极217与第一层间介质层216的上方沉积一层无机材料(例如Al₂O₃)得到第二缓冲层218。

随后在第二缓冲层218上方制作第二有源层203。

作为一个可选的实施例，在形成第二有源层203之后，制作方法还包括：

形成覆盖第二有源层203的第一栅极绝缘层210。

在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法在第二有源层203与第二缓冲层218的上方沉积一层无机材料(例如Si₃N₄)得到第一栅极绝缘层210。

随后，制作第一过孔207。

作为一个可选的实施例，在制作第一过孔207之后，还包括：

通过离子注入工艺对第二有源层203进行导体化，以使第二有源层203包括导体化区域220。导体化区域220的位置对应后续步骤中第三过孔209形成的位置。

随后，制作第一源漏极层204。

作为一个可选的实施例，在形成第一源漏极层204之后，制作方法还包括：

随后，制作第二过孔208、第三过孔209和第二源漏极层205。

作为一个可选的实施例，在形成第二源漏极层205之后，还包括：

形成钝化层。

在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法在第二源漏极层205与第二层间介质层219的上方沉积一层有机树脂得到钝化材料层，随后在钝化材料层上制备膜层并进行图案化，得到钝化层。

形成平坦层。

在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法在钝化层上方沉积一层有机树脂得到平坦材料层，随后在平坦材料层上制备膜层并进行图案化，得到平坦层。

形成阳极。

在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法在平坦层上方沉积一层合金材料(例如ITO)得到阳极材料层，随后在阳极材料层上制备膜层并进行图案化，得到阳极层。

形成像素界定层。

在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法在钝化层上方沉积一层有机树脂得到像素界定材料层，随后在像素界定材料层上制备膜层并进行图案化，得到像素界定层。

形成隔垫物层。

在本实施例中，可以通过涂覆、磁控溅射、热蒸发或PECVD等方法在像素界定层上方沉积一层有机树脂得到隔垫物材料层，随后在隔垫物材料层上制备膜层并进行图案化，得到隔垫物层。

基于同一发明构思，与上述任意实施例的显示面板相对应的，本申请还提供了一种显示装置，包括上述任意实施例的显示面板。

所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本申请的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本申请的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本申请实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。

尽管已经结合了本申请的具体实施例对本申请进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。

本申请实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本申请实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底基板、第一有源层、第二有源层、第一源漏极层、第二源漏极层、第一层间介质层、第二层间介质层、第一过孔、第二过孔和第三过孔；

所述衬底基板上层叠设置所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一源漏极层和所述第二源漏极层，所述第一源漏极层包括栅极区域，所述栅极区域在所述衬底基板上的正投影至少部分与所述第二有源层在所述衬底基板上的正投影重合；

所述第一层间介质层设置在所述第一有源层与所述第一源漏极层之间；所述第二层间介质层设置在所述第二有源层与所述第二源漏极层之间；所述第一过孔穿过所述第一层间介质层，所述第二过孔和所述第三过孔分别穿过所述第二层间介质层；

所述第一源漏极层通过所述第一过孔电连接所述第一有源层；所述第二源漏极层包括第一区域和第二区域，所述第一区域通过所述第二过孔电连接所述第一源漏极层，所述第二区域通过所述第三过孔电连接所述第二有源层。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括第一栅极绝缘层；

所述第一栅极绝缘层设置在所述第二有源层与所述第一源漏极层之间，并覆盖所述第二有源层。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一有源层为多晶硅有源层，所述第二有源层为氧化物有源层。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二有源层连接所述第二源漏极层的区域为导体化区域。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括聚酰亚胺层、阻挡层和第一缓冲层；

所述聚酰亚胺层、所述阻挡层和所述第一缓冲层层叠设置在所述衬底基板与所述第一有源层之间。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括第二栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极、第二缓冲层；

所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一有源层；所述第一栅极设置在所述第二栅极绝缘层上；所述第二栅极设置在所述第一层间介质层上；所述第二缓冲层设置在所述第二栅极与所述第二有源层之间，并覆盖所述第二栅极。

7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，还包括钝化层、平坦层、阳极、像素界定层和隔垫物层；

所述第二源漏极层上层叠设置所述钝化层、所述平坦层、所述阳极、所述像素界定层和所述隔垫物层。

8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，还包括遮光层；

所述遮光层与所述第一栅极同层设置，所述第二有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影区域内。

9.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成第一有源层；

在所述第一有源层远离所述衬底基板一侧形成第一层间介质层；

在所述第一层间介质层上形成第二有源层；

在所述第一层间介质层上形成第一过孔，所述第一过孔贯通至所述第一有源层的表面；

形成第一源漏极层，其中，所述第一源漏极层包括栅极区域，所述栅极区域在所述衬底基板上的正投影至少部分与所述第二有源层在所述衬底基板上的正投影重合；

在所述第一源漏极层远离所述第一有源层一侧形成第二层间介质层；

在所述第二层间介质层上形成第二过孔和第三过孔，所述第二过孔贯通至所述第一源漏极层的表面，所述第三过孔贯通至所述第二有源层的表面；

形成第二源漏极层，所述第二源漏极层包括第一区域和第二区域。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述形成第二有源层之后，还包括：

形成覆盖所述第二有源层的第一栅极绝缘层。

11.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述形成第二有源层之后，还包括：

通过离子注入工艺对所述第二有源层进行导体化，以使所述第二有源层包括导体化区域。

12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至8中任意一项所述的显示面板。

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