TWI394071B - 有機發光二極體觸控面板及其製作方法 - Google Patents

有機發光二極體觸控面板及其製作方法 Download PDF

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Description

有機發光二極體觸控面板及其製作方法
本發明係關於一種有機發光顯示器，特別是一種有機發光二極體觸控面板及其製作方法。
有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)本身為一種電流驅動元件，其發光亮度係根據通過電流的大小來決定，目前將OLED應用在陣列式顯示面板上即是藉由控制OLED之驅動電流的大小，來達到顯示不同亮度(又稱為灰階值)的效果。由於OLED具有省電、較無視角限制、製造成本較低、應答速度快、可操作的溫度範圍大、以及可隨硬體設備而小型化及薄型化等優點。因此，OLED在平面顯示器的系統中，具有極大的發展潛力。
本發明之目的之一在於提供一種OLED觸控面板及其製作方法，以將觸控面板之觸控功能有效整合至OLED面板中。
為達上述目的，本發明之實施例提供一種OLED觸控面板之製作方法。根據前述製作方法，首先，提供基板，基板上定義有至少一畫素區域，且畫素區域中定義有顯示區域與感測區域。之後，於基板上形成第一薄膜電晶體與第二薄膜電晶體，分別位於顯示區域與感測區域中。接著，於第一薄膜電晶體與第二薄膜電晶體上方形成第一導電膜，再圖案化第一導電膜而形成發光下電極部與感光下電極部。發光下電極部與感光下電極部分別位於顯示區域與感測區域中，且分別電連接至第一薄膜電晶體與第二薄膜電晶體。然後，於發光下電極部上形成圖案化有機發光層，並於感光下電極部上形成圖案化感光介電層。其後，於圖案化有機發光層與圖案化感光介電層上形成第二導電膜。隨後，圖案化第二導電膜而形成發光上電極部與感光上電極部。發光上電極部與感光上電極部分別位於圖案化有機發光層與圖案化感光介電層上。
為連上述目的，本發明之實施例另提供一種OLED觸控面板，包括基板、OLED元件，以及光學感測元件。基板上定義有至少一畫素區域，且畫素區域中定義有顯示區域與感測區域。OLED元件設置於顯示區域中之基板上，包括第一薄膜電晶體、發光下電極部、圖案化有機發光層，以及發光上電極部。發光下電極部設置於發光下電極部上，且電連接至第一薄膜電晶體。圖案化有機發光層設置於發光下電極部上。發光上電極部設置於圖案化有機發光層上。光學感測元件設置於感測區域中之基板上，包括第二薄膜電晶體、感光下電極部、圖案化感光介電層，以及感光上電極部。感光下電極部設置於第二薄膜電晶體上，且電連接至第二薄膜電晶體。圖案化感光介電層設置於感光下電極部上。感光上電極部設置於圖案化感光介電層上。
以下為有關本發明之詳細說明與附圖。然而所附圖式僅供參考與輔助說明用，並非用來對本發明加以限制者。
第1圖為本發明第一較佳實施例製作OLED觸控面板100之流程示意圖，第2圖至第4圖繪示的是根據本發明第一實施例製作OLED觸控面板100之方法示意圖。圖式中相同的元件或部位沿用相同的符號來表示。需注意的是圖式僅以說明為目的，並未依照原尺寸作圖。
如第1圖之步驟10至步驟26與第2圖所示，首先提供一個基板102當作下基板，例如一個透明玻璃基板，再於基板102上形成緩衝層104。基板102上可定義有複數個呈陣列排列之畫素區域P，且畫素區域P中定義有顯示區域PD與感測區域PS，唯圖式僅繪示單一畫素區域P為例進行說明。此外，於形成緩衝層104之前或形成緩衝層104之後亦可於基板102上形成黑色矩陣層(black matrix，圖未示)。之後，先在緩衝層104上沉積一層非晶矽(amorphous silicon，a-Si)薄膜(未顯示)，並可藉由準分子雷射等退火製程，使此非晶矽薄膜再結晶而成為多晶矽層。然後利用第一光罩來對此多晶矽層進行圖案化製程，例如先於基板102上形成一層光阻層，對此光阻層進行微影製程而形成圖案化光阻，再利用圖案化光阻作為蝕刻遮罩來蝕刻多晶矽層，之後去除圖案化光阻即可得到所需之圖案化多晶矽層106的圖案，可作為薄膜電晶體之半導體層與電容元件C之半導體層。
接下來，利用第二光罩佈植出N型重摻雜區域(N+ region)，例如先於基板102上形成一層光阻層，對此光阻層進行微影製程而形成圖案化光阻，再利用圖案化光阻作為佈植遮罩來進行佈植，之後去除圖案化光阻，以於預定之N型金氧半電晶體(NMOS)與電容元件C之圖案化多晶矽層106中分別形成源極/汲極區域110a與電容下電極111，例如於第一薄膜電晶體T1中形成N型之源極/汲極區域110a。其後形成閘極絕緣層112而覆蓋圖案化多晶矽層106與基板102上，再利用第三光罩佈植出N型輕摻雜區域(N- region)，以於第一薄膜電晶體T1中形成源極/汲極輕摻雜區域114。接著，利用第四光罩佈植出P型重摻雜區域(P+ region)，以於預定之P型金氧半電晶體(PMOS)之圖案化多晶矽層106中形成源極/汲極區域110b，例如於第二薄膜電晶體T2與第三薄膜電晶體T3中一併形成P型之源極/汲極區域110b。
然後於閘極絕緣層112表面形成一層導電層，例如金屬層，並利用第五光罩來對此導電層進行圖案化製程，以得到閘極116與電容上電極117。之後，沉積層間絕緣層(inter layer dielectric，ILD) 118而覆蓋閘極116和閘極絕緣層112，再利用第六光罩來進行圖案化製程，用以蝕刻層間絕緣層與閘極絕緣層112而形成複數個第一介層洞120，直至源極/汲極區域110a、110b表面。接著進行金屬沉積製程，並利用第七光罩來進行圖案化製程，以形成圖案化源極/汲極導電層122。部分之圖案化源極/汲極導電層122可填入第一介層洞120中，以電連接源極/汲極區域110a、110b。之後，於圖案化源極/汲極導電層122和層間絕緣層118之上形成第一保護層124，並利用第八光罩來進行圖案化製程，以蝕刻第一保護層124，而於圖案化源極/汲極導電層122上形成複數個第二介層洞126。
如此一來，可於基板102上一併形成電容元件C、第一薄膜電晶體T1、第二薄膜電晶體T2與第三薄膜電晶體T3，其中第一薄膜電晶體T1與第二薄膜電晶體T2位於顯示區域PD中，可分別作為開關薄膜電晶體(switch TFT)與驅動薄膜電晶體(drive TFT)，而第三薄膜電晶體T3位於感測區域PS中，可作為讀取薄膜電晶體(readout TFT)。本實施例之第一、第二與第三薄膜電晶體T1、T2、T3係為低溫多晶矽(low temperature polycrystalline silicon，LTPS)薄膜電晶體，但本發明不限於此。
然後，如第1圖之步驟28至步驟32與第3圖所示，於第一保護層124上形成第一導電膜，再利用第九光罩來對第一導電膜進行圖案化製程，以一併形成發光下電極部130a與感光下電極部130b。發光下電極部130a可作為OLED之陽極電極。其中，發光下電極 部130a位於顯示區域PD中，且透過圖案化源極/汲極導電層122而電連接至第二薄膜電晶體T2之源極/汲極區域110b，而感光下電極部130b位於感測區域PS中，且透過圖案化源極/汲極導電層122而電連接至第三薄膜電晶體T3之源極/汲極區域110b。之後，於基板102上全面形成第二保護層128，並利用第十光罩來對第二保護層128進行圖案化製程，以暴露出發光下電極部130a與感光下電極部130b。接著，本實施例可先形成沉積一層感光介電層，並利用第十一光罩來進行圖案化製程，以於感光下電極部130b上形成圖案化感光介電層134a，其後再全面沉積一層有機發光層132。
然後，如第1圖之步驟28至步驟32與第4圖所示，利用第十二光罩來對有機發光層132進行圖案化製程，以於發光下電極部130a上形成圖案化有機發光層132a。其後，於圖案化有機發光層132a與圖案化感光介電層134a上形成第二導電膜。隨後，利用第十三光罩來對第二導電膜進行圖案化製程，以形成發光上電極部138a與感光上電極部138b，即完成本實施例之OLED觸控面板100。更者，為了避免水氣侵蝕元件，可再形成保護層(圖未示)覆蓋於發光上電極部138a與感光上電極部138b，保護層例如是由沉積法或旋塗法所形成之氧化矽及/或氮化矽層。
發光上電極部138a與感光上電極部138b分別位於圖案化有機發光層132a與圖案化感光介電層134a上，而發光上電極部138a可作為OLED之陰極電極。其中，發光下電極部130a、圖案化有機發 光層132a與發光上電極部138a可形成OLED元件150，而感光下電極部130b、圖案化感光介電層134a與感光上電極部138b可形成光學感測元件152。
其中，圖案化感光介電層134a較佳是富矽介電層，例如富矽氧化矽層(SiOx)、富矽氮化矽層(SiNy)或富矽氮氧化矽層(SiOxNy)等富矽之氧化物或氮化物介電層，或是富矽碳化矽層(SiCz)、富矽碳氧化矽(SiOxCz)，其中0<x<2，0<y<1.33，0<z<1，可以有較佳的感測效果與穩定性，亦可以是微米矽(micro-Si)層、奈米矽(nano-Si)層、多晶矽層或非晶矽層，或是上述的單層或是疊層。圖案化有機發光層132a可為單層結構或複合層結構，例如依序將電洞注入層、電洞傳輸層與有機電致發光層、電子傳輸層。電洞注入層與電洞傳輸層例如可由真空蒸鍍法所形成，電洞注入層的材質例如是m-MTDATA(π-共軛分子-4,4’,4”-三偶(3-甲基苯基苯胺)三苯胺)，而電洞傳輸層例如是NPB(含氮元素的有機分子材料)層。有機電致發光層例如可由真空蒸鍍法所形成，其材質為添加有摻雜物(dopant)之有機材料。電子傳輸層例如是由真空蒸鍍法所形成，其材質例如是鋁錯合物。
具有富矽介電層之光學感測元件152可以成功結合於LTPS薄膜電晶體與a-Si薄膜電晶體技術，以使用電漿增強式化學氣相沉積(PECVD)將含有富矽元素的介電層薄膜(silicon-rich dielectrics)沉積於透明電極或金屬電極上。此富矽介電層中之矽原子受到入射光激發之後會產生電子電洞對，在有外加偏壓或外加電場的情況下，這些受光激發而產生電子電洞會被分離而形成光電流，作為感測訊號。富矽介電層之光學感測元件152的光電特性可由介電層薄膜中矽元素的含量與介電層薄膜的厚度等因素來調變與控制，進而提供最佳化之光電效應。此外，由於嵌入式之光學感測元件152可設置於透明電極或金屬電極之間，因此可以呈現一個金屬-介電層-金屬(MIM)堆疊結構而整合在像素讀取電路(in pixel readout TFT)上，繼而增加光學感測元件152的感光面積(fill factor)。
此外，本發明亦可先形成圖案化有機發光層132a之後，再形成圖案化感光介電層134a。第5圖繪示的是根據本發明第二實施例製作OLED觸控面板之方法示意圖。如第5圖所示，本實施例可先形成沉積一層有機發光層，並利用第十一光罩來進行圖案化製程，以於發光下電極部130a上形成圖案化有機發光層132a，其後再全面沉積一層感光介電層134。之後，再利用第十二光罩來對感光介電層134進行圖案化製程，以於感光下電極部130b上形成第4圖所示之圖案化感光介電層134a。
根據OLED本身之結構，OLED又可分為兩種，一種是頂發光型(top emitting)OLED結構，另一種是底發光型(bottom emitting)OLED結構。第6圖與第7圖繪示的分別是根據本發明第三與第四實施例之頂發光型OLED觸控面板190與底發光型OLED觸控面板180之示意圖。如第6圖所示，當製作頂發光型OLED觸控面板190時，前述之第一導電膜例如是由蒸鍍法或濺鍍法所形成之高反射金屬導電材料，其材質例如是鉑(Pt)、鈀(Pd)、銥(Ir)、金(Au)、鎢(W)、鎳(Ni)、銀(Ag)或鋁(Al)，而前述之第二導電膜例如是包含氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)等透明導電材料之薄膜。如此一來，頂發光型OLED元件150之光線182可穿過透明之發光上電極部138a向外照射。當觸控物184接近頂發光型OLED觸控面板190之上表面時，OLED元件150所發出之光線182會受到觸控物184之反射而朝向感測區域PS照射，進而被光學感測元件152所感測。光學感測元件152被激發出電子電洞對而形成光電流，而第三薄膜電晶體T3(讀取薄膜電晶體)可將形成之光電流轉換為感測訊號。另外，若於背景光源186之強度夠大的情況下，觸控物184之接近則會遮蔽背景光源186，進而從光電流的減少而判斷出觸控位置。其中，頂發光型OLED觸控面板190所發射的光較不易受到基板102上的薄膜電晶體結構的影響，可具有較大開口率(aperture ratio)。
如第7圖所示，當製作底發光型OLED觸控面板180時，前述之第一導電膜可包含透明導電材料，而前述之第二導電膜則包含高反射之金屬導電材料。底發光型OLED元件150之光線182可穿過透明之發光下電極部130a向外照射。當觸控物184接近底發光型OLED觸控面板180之下表面時，OLED元件150所發出之光線182會受到觸控物184之反射而朝向感測區域PS照射，進而被光學感測元件152所感測。同理，若於背景光源186之強度夠大的情況下，則可以從光電流的減少而判斷出觸控位置。
根據第三與第四實施例之OLED觸控面板的操作可知，顯示區內的光學感測元件152可作為觸控感測元件，用以感測出觸控位置。而於其他實施例中，亦可在顯示區邊緣或是顯示區外增設環境光感測元件(ambient light sensor，ALS)，其結構可跟光學感測元件152相同。當光學感測元件152作為環境光感測元件之用時，可在顯示裝置運作時偵測背景光源186的亮度變化而改變OLED觸控面板100的亮度，使顯示畫面的亮度最佳化。此外，環境光感測元件亦可提供參考訊號至觸控感測元件，藉此觸控感測元件可根據環境光強度作適當調整，以維持良好的觸控靈敏。
此外，前述實施例係以LTPS薄膜電晶體為例進行說明，而於其他實施例中亦可將a-Si薄膜電晶體之技術結合至本發明中。第8圖繪示的是根據本發明第五實施例製作OLED觸控面板200之方法示意圖，同時也是OLED觸控面板200之結構示意圖。如第8圖所示，於基板230表面上形成導電層，例如金屬層，再利用第一道光罩與圖案化製程，將導電層圖案化而於顯示區域PD與感測區域PS中形成閘極216a與電容元件C之下電極216b。然後，在閘極216a、下電極216b與基板230之表面上依序形成閘極絕緣層234、非晶矽層以及摻雜非晶矽層。隨後，利用第二道光罩以圖案化製程去除部分之非晶矽層以及摻雜非晶矽層，以於第一、第二與第三薄膜電晶體T1、T2、T3的預定區域上分別定義形成島狀結構，包含圖案化 非晶矽層236與圖案化之摻雜非晶矽層。
跟著，於基板230之整個表面上形成第一導電膜，例如透明導電膜或金屬導電膜，再利用第三道光罩與圖案化製程，將第一導電膜定義形成發光下電極部130a與感光下電極部130b。
接下來，於基板230之表面上全面形成另一導電層，再利用第四道光罩對此導電層與摻雜非晶矽層進行圖案化製程，以使導電層定義形成圖案化源極/汲極導電層244a與電容元件C之上電極244b，並且可使摻雜非晶矽層被區分成為源極/汲極區域238，至於暴露之圖案化非晶矽層236則是用來作為第一、第二與第三薄膜電晶體T1、T2、T3的通道。其後，可於基板230之整個表面上形成保護層248，再利用第五道光罩將顯示區域20上的保護層248去除，以於圖案化源極/汲極導電層244a上形成圖案化保護層，並完成a-Si薄膜電晶體製程。
後續，可利用如第2圖至第4圖所示各步驟，以形成發光下電極部130a、感光下電極部130b、圖案化有機發光層132a、圖案化感光介電層134a、發光上電極部138a、感光上電極部138b與保護層(圖未示)，即完成本實施例之OLED觸控面板200。
第9圖繪示的是本發明之OLED觸控面板之等效電路示意圖。如第9圖所示，OLED觸控面板之各顯示區域PD中，包含有第一薄膜電晶體T1(開關薄膜電晶體)、電容元件C、第二薄膜電晶體T2(驅動薄膜電晶體)與OLED元件150。第一薄膜電晶體T1之源極係連接至資料線DL，其閘極係連接至閘極線GL，而其汲極係連接至電容元件C之負電極以及第二薄膜電晶體T2之閘極。第二薄膜電晶體T2之汲極以及電容元件C之正電極係連接至內部電源線PL。第二薄膜電晶體T2之源極係連接至OLED元件150之陽極，而OLED元件150之陰極係連接至電壓Vss。感測區域PS則包括光學感測元件152及第三薄膜電晶體T3(讀取薄膜電晶體)。當光線照射至光學感測元件152時，光學感測元件152會產生感測訊號，可藉由第三薄膜電晶體T3傳送至感測訊號線RL，進而對OLED觸控面板進行控制。
綜上所述，本發明提供一種內嵌式OLED光學觸控面板(optical touch OLED panel integration on glass)及其製作方法。其中，感測區域之讀取薄膜電晶體可以利用顯示區域之驅動薄膜電晶體的製程一併形成。此外，感測區域之光學感測元件的上、下電極可以與顯示區域之OLED的上、下電極一併形成。因此，本發明僅需於OLED面板的製程之外，再進行一道形成圖案化感光介電層的製程，即可將光學感測元件有效地整合於OLED面板之畫素區域中，形成OLED觸控面板。其中，嵌入式感光介電層感測元件可成功整合在LTPS薄膜電晶體與a-Si薄膜電晶體上，其優點包括：光電特性可以超越一般p-i-n感光二極體、可以具有較大的感光面積、可易於調整吸收光譜範圍，並且易於與顯示面板之製程整合。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10～36．．．步驟
100．．．OLED觸控面板
102．．．基板
104．．．緩衝層
106．．．圖案化多晶矽層
110a．．．源極/汲極區域
110b．．．源極/汲極區域
111．．．電容下電極
112．．．閘極絕緣層
114．．．源極/汲極輕摻雜區域
116．．．閘極
117．．．電容上電極
118．．．層間絕緣層
120．．．第一介層洞
122．．．圖案化源極/汲極導電層
124．．．第一保護層
126．．．第二介層洞
128．．．第二保護層
130a．．．發光下電極部
130b．．．感光下電極部
132．．．有機發光層
132a．．．圖案化有機發光層
134．．．感光介電層
134a．．．圖案化感光介電層
138a．．．發光上電極部
138b．．．感光上電極部
150．．．OLED元件
152．．．光學感測元件
180．．．底發光型OLED觸控面板
182．．．光線
184．．．觸控物
190．．．頂發光型OLED觸控面板
186．．．背景光源
200．．．OLED觸控面板
216a．．．閘極
216b．．．下電極
230．．．基板
234．．．閘極絕緣層
236．．．圖案化非晶矽層
238．．．源極/汲極區域
248．．．保護層
244a．．．圖案化源極/汲極導電層
244b．．．上電極
C．．．電容元件
DL．．．資料線
GL．．．閘極線
P．．．畫素區域
PD．．．顯示區域
PL．．．內部電源線
PS．．．感測區域
RL．．．感測訊號線
T1．．．第一薄膜電晶體
T2．．．第二薄膜電晶體
T3．．．第三薄膜電晶體
Vss．．．電壓
第1圖為本發明第一較佳實施例製作OLED觸控面板之流程示意圖。
第2圖至第4圖繪示的是根據本發明第一實施例製作OLED觸控面板之方法示意圖。
第5圖繪示的是根據本發明第二實施例製作OLED觸控面板之方法示意圖。
第6圖繪示的是根據本發明第三實施例之頂發光型OLED觸控面板之示意圖。
第7圖繪示的是根據本發明第四實施例之底發光型OLED觸控面板之示意圖。
第8圖繪示的是根據本發明第五實施例製作OLED觸控面板之方法示意圖。
第9圖繪示的是本發明之OLED觸控面板之等效電路示意圖。
100．．．OLED觸控面板
102．．．基板
104．．．緩衝層
106．．．圖案化多晶矽層
110a．．．源極/汲極區域
110b．．．源極/汲極區域
111．．．電容下電極
112．．．閘極絕緣層
114．．．源極/汲極輕摻雜區域
116．．．閘極
117．．．電容上電極
118．．．層間絕緣層
120．．．第一介層洞
122．．．圖案化源極/汲極導電層
124．．．第一保護層
126．．．第二介層洞
128．．．第二保護層
130a．．．發光下電極部
130b．．．感光下電極部
132a．．．圖案化有機發光層
134a．．．圖案化感光介電層
138a．．．發光上電極部
138b．．．感光上電極部
150．．．有機發光二極體元件
152．．．光學感測元件
C．．．電容元件
P．．．畫素區域
PD．．．顯示區域
PS．．．感測區域
T1．．．第一薄膜電晶體
T2．．．第二薄膜電晶體
T3．．．第三薄膜電晶體

Claims (19)

  1. 一種有機發光二極體觸控面板之製作方法，包括：提供一基板，該基板上定義有至少一畫素區域，且該畫素區域中定義有一顯示區域與一感測區域；於該基板上形成一第一薄膜電晶體與一第二薄膜電晶體，分別位於該顯示區域與該感測區域中；於該第一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶體上方形成一第一導電膜；圖案化該第一導電膜而形成一發光下電極部與一感光下電極部，該發光下電極部與該感光下電極部分別位於該顯示區域與該感測區域中，且分別電連接至該第一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶體；於該發光下電極部上形成一圖案化有機發光層；於該感光下電極部上形成一圖案化感光介電層；於該圖案化有機發光層與該圖案化感光介電層上形成一第二導電膜；以及圖案化該第二導電膜而形成一發光上電極部與一感光上電極部，該發光上電極部與該感光上電極部分別位於該圖案化有機發光層與該圖案化感光介電層上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之製作方法，其中該圖案化感光介電層包括一富矽氧化矽層、一富矽氮化矽層、一富矽氮氧化矽層、一富矽碳化矽層或一富矽碳氧化矽。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之製作方法，其中該圖案化感光介電層包括一微米矽(micro-Si)層、一奈米矽(nano-Si)層、一多晶矽層或一非晶矽層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之製作方法，其中形成該第一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶體之步驟包括：於該基板上之該顯示區域與該感測區域中分別形成一圖案化多晶矽層；形成一閘極絕緣層覆蓋該等圖案化多晶矽層與該基板上；於各該圖案化多晶矽層上方之該閘極絕緣層表面分別形成一閘極；於各該多晶矽層中形成複數個源極/汲極區域；沉積一層間絕緣層，覆蓋該等閘極和該閘極絕緣層；蝕刻該層間絕緣層與該閘極絕緣層以形成複數個第一介層洞於該等源極/汲極區域上；於該等介層洞中與部分之該層間絕緣層上形成一圖案化源極/汲極導電層；於該圖案化源極/汲極導電層和該層間絕緣層之上形成一保護層；以及蝕刻該保護層，以於該圖案化源極/汲極導電層上形成複數個第二介層洞。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之製作方法，其中形成該第一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶體之步驟包括：於該基板上之該顯示區域與該感測區域中分別形成一閘極；形成一閘極絕緣層覆蓋該等閘極與該基板上；於各該閘極上方之該閘極絕緣層表面形成一圖案化非晶矽層與一圖案化摻雜非晶矽層；於該等圖案化摻雜非晶矽層上形成一導電層；蝕刻該導電層與該等圖案化摻雜非晶矽層，以形成複數個圖案化源極/汲極導電層與複數個源極/汲極區域；以及於該圖案化源極/汲極導電層上形成一圖案化保護層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之製作方法，其中該第一導電膜包括一透明導電材料，而該第二導電膜包括一金屬導電材料。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之製作方法，其中該第一導電膜包括一金屬導電材料，而該第二導電膜包括一透明導電材料。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之製作方法，其中於形成該圖案化有機發光層之後，再形成該圖案化感光介電層。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之製作方法，其中於形成該圖案化感光介電層之後，再形成該圖案化有機發光層。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之製作方法，其中形成該圖案化有機發光層之步驟包括沉積複數個圖案化有機發光膜。
  11. 一種有機發光二極體觸控面板，包括：一基板，該基板上定義有至少一畫素區域，且該畫素區域中定義有一顯示區域與一感測區域；一有機發光二極體元件，設置於該顯示區域中之該基板上，包括：一第一薄膜電晶體；一發光下電極部，設置於該發光下電極部上，且電連接至該第一薄膜電晶體；一圖案化有機發光層，設置於該發光下電極部上；以及一發光上電極部，設置於該圖案化有機發光層上；以及一光學感測元件，設置於該感測區域中之該基板上，包括：一第二薄膜電晶體；一感光下電極部，設置於該第二薄膜電晶體上，且電連接至該第二薄膜電晶體；一圖案化感光介電層，設置於該感光下電極部上；以及一感光上電極部，設置於該圖案化感光介電層上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體觸控面板，其中該圖案化感光介電層包括一富矽氧化矽層、一富矽氮化矽層、一富矽氮氧化矽層、一富矽碳化矽層或一富矽碳氧化矽。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體觸控面板，其中該圖案化感光介電層包括一微米矽層、一奈米矽層、一多晶矽層或一非晶矽層。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體觸控面板，其中該第一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶體分別包括一低溫多晶矽薄膜電晶體。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體觸控面板，其中該第一薄膜電晶體與該第二薄膜電晶體分別包括一非晶矽薄膜電晶體。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體觸控面板，其中該第一導電膜包括一透明導電材料，而該第二導電膜包括一金屬導電材料。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體觸控面板，其中該第一導電膜包括一金屬導電材料，而該第二導電膜包括一透明導電材料。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體觸控面板，其中該光學感測元件包括一觸控光學感測元件。
  19. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體觸控面板，其中該光學感測元件包括一環境光感測元件(ambient light sensor，ALS)。
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