CN101606229B - 切割带及半导体器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是在包括背面磨削结束后马上在磨削面贴附切割带的流水线化工序的半导体器件的制造方法中，通过简便的方法来消除切割工序后的芯片拾取工序中的拾取不良。本发明的切割带的特征在于，将含有粘接成分和游离的含环氧基的化合物但不含环氧固化剂的粘接剂层以无法剥离的状态层叠于基材上而形成。

Description

切割带及半导体器件的制造方法
技术领域
本发明涉及切割带及半导体器件的制造方法，特别涉及采用所谓的流水线(in line)化工艺时，实现芯片的拾取工序中的拾取不良的减少的切割带及使用了该切割带的半导体器件的制造方法。
背景技术
近年，IC卡快速普及，希望实现进一步的薄型化。因此，必须将现有的厚度为350μm左右的半导体芯片变薄至厚度为50～100μm或更低。背面磨削时，在电路面贴附表面保护片，进行电路面的保护及晶片的固定后再进行背面磨削。接着，经过切割、拾取、芯片接合、树脂密封等各工序而制得半导体器件。
切割半导体晶片将其芯片化时，切割带被贴合于半导体晶片的背面(磨削面)，在将晶片保持于切割带上的同时进行晶片的切割。作为切割带，有各种品种上市，特别优选使用被称为UV带的紫外线固化型粘接带。UV带具备通过紫外线照射使粘接剂层固化、从而导致粘接力消失或剧减的性质。因此，在晶片的切割时可以充分的粘接力固定晶片，在切割结束后通过使粘接剂层紫外线固化能够很容易地拾取芯片。
为了贴附切割带，完成了背面磨削的晶片随后被移送至切割带贴附装置(贴装机)。此时，晶片装入被称为晶片盒的收纳装置中再被移送至贴装机。
但是，如果将晶片磨削得极薄，则晶片本身的自我支持性消失，甚至其自重就可能导致破损。因此，很难将磨削得极薄的晶片单独装入晶片盒。
为了赋予强度下降的半导体晶片以支承性，提出了工艺的流水线化，即，在背面磨削结束后马上将切割带贴附于磨削面，然后再移送至切割工序。例如，专利文献1中记载了一例这样的流水线化工艺。利用该工艺，即使是被磨削得极薄的强度下降的晶片，由于其背面用切割带进行了补强，因此支承性能提高， 可实现前述的利用晶片盒的移送。
但是，所述流水线化会引发芯片的拾取不良增加这样的未预想到的问题。该问题是芯片背面和粘接剂层的粘接力增加、芯片的拾取变得困难，即使作为切割带使用了UV带时，拾取不良也会增加。
其原因在专利文献2中被指出是晶片背面的氧化物层的形成不足。即，刚完成背面磨削的晶片背面的氧化物层被除去，处于活性化的状态。如果在该状态下将切割带贴附于背面，则背面和粘接剂层之间的亲和性增强，因此晶片和粘接剂层过度地密合，这样就会导致拾取不良。专利文献2中，为了解决这一问题，提出了背面磨削结束后在晶片背面形成氧化物层使得晶片背面的活性下降的方案。
但是，专利文献2的方法中由于新加入了用于形成氧化物层的工序，因此工艺变得复杂，且需要用于形成氧化物层的装置。
此外，近年来为了生产性的提高，拾取速度加快。即，在芯片的拾取时用顶针上推芯片，再用吸引筒夹保持该芯片并进行剥离，此时的顶针的上推速度加快。其结果是，芯片和切割带的剥离变得不充分，难以进行芯片的拾取或芯片的受损时有发生。
专利文献1：日本专利特开2002-343756号公报
专利文献2：日本专利特开2005-72140号公报
发明的揭示
因此，在所述的包括背面磨削结束后马上在磨削面贴附切割带的流水线化工序的半导体器件的制造方法中，要求通过更简便的手段来消除拾取不良。本发明是鉴于所述现有技术完成的发明，其目的是对用于切割带的粘接剂的组成加以探讨以满足上述要求。
以解决所述问题为目的，本发明的技术思想如下所述。
(1)切割带，将含有粘接成分和游离的含环氧基的化合物但不含环氧固化剂的粘接剂层以无法剥离的状态层叠于基材上而形成。
(2)上述(1)记载的切割带，基材的粘接剂层侧的面的表面张力为45mN/m以上。
(3)上述(1)记载的切割带，粘接成分为能量线固化性。
(4)上述(2)记载的切割带，粘接成分为能量线固化性。
(5)半导体器件的制造方法，包括：
对表面形成有电路的半导体晶片的背面进行磨削的工序，
在该半导体晶片的背面贴附上述(1)～(4)中任一项记载的切割带，切割该晶片而芯片化的工序，以及
拾取半导体芯片的工序。
本发明中，由于使用具有特殊组成的粘接剂层的切割带，因此粘接剂层不会与刚完成背面磨削的晶片表面过度密合，能够切实地进行切割后的芯片的拾取。
实施发明的最佳方式
以下，对本发明更具体地说明。首先，对本发明的切割带进行说明。
本发明的切割带通过将粘接剂层以无法剥离的状态层叠于基材上而形成。这里，无法剥离是指在通常的使用条件下即使进行切割带的贴附、剥离，粘接剂层也不会转印至被粘接体，而是与基材一体化地从被粘接体剥离。
本发明的切割带的形状可以是带状、标签状等所有形状。
对于基材无特别限定，只要是耐水性和耐热性良好的材料即可，可采用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、低密度聚乙烯(LDPE)、直链低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯·丙烯共聚物、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、乙烯·氯乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、聚氨酯膜、聚酰胺膜、聚酰亚胺膜、离聚物等形成的膜等。此外，也可将这些合成树脂膜中的2种以上层叠或组合使用。另外，还可使用将这些膜进行着色处理而得的膜或对其施以印刷处理而得的膜等。膜可以是对热塑性树脂进行加压成形而得的片状化膜；也可采用通过规定手段将固化性树脂薄膜化，再固化而得的片状化膜。
对于基材的厚度无特别限定，通常为5～500μm，优选为10～300μm。另外，为了提高基材的与粘接剂层接触的面与粘接剂层的密合性，可施以电晕 处理或设置底涂层等其它层。与粘接剂层的密合性良好的基材通常显现出较高的表面张力值。用于本发明的基材的粘接剂层侧的面的表面张力较好为45mN/m以上，更好为50～80mN/m。
实施本发明的半导体器件的制造方法时，有时在芯片的拾取时扩展切割带，加大芯片间隔。这种情况下，作为基材，优选采用延伸性良好的乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、乙烯·氯乙烯·乙酸乙烯酯共聚物等。
此外，作为粘接成分使用通过紫外线等能量线照射而固化的类型的粘接剂时，使用对于紫外线等透明的基材。
在基材上形成的粘接剂层含有粘接成分和含环氧基的化合物，但不含环氧固化剂。
粘接成分只要具备合适的再剥离性即可，对其种类无特别限定，可由橡胶类、丙烯酸类、有机硅类、氨基甲酸酯类、乙烯基醚类等常用粘接剂形成。其中，特别优选采用丙烯酸类粘接剂。
作为丙烯酸类粘接剂，可例举例如以(甲基)丙烯酸酯共聚物为主成分的粘接剂，该(甲基)丙烯酸酯共聚物以(甲基)丙烯酸酯单体及含官能团的单体为主原料而得。这里，作为(甲基)丙烯酸酯单体，可采用例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯等。此外，作为(甲基)丙烯酸酯单体，也可使用(甲基)丙烯酸环己基酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯等具有脂环族基团或芳香族基团的烷基酯。这些单体可单独使用1种也可组合使用2种以上。
作为含官能团的单体，可采用分子内具有羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的单体，优选使用含羟基的不饱和化合物、含羧基的不饱和化合物。作为该含官能团的单体的具体例，可例举(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，(甲基)丙烯酸单甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸单乙基氨基乙酯等(甲基)丙烯酸单烷基氨基烷基酯，丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、马来酸、衣康酸、柠康酸等 含羧基的单体，(甲基)丙烯酸乙酰乙酰氧基甲酯等。这些单体可单独使用1种也可组合使用2种以上。
作为被用于(甲基)丙烯酸酯共聚物的除(甲基)丙烯酸酯单体及含官能团的单体以外的共聚性单体，可例举丙烯腈，丙烯酰胺，乙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯等乙烯酯等。
由于羧基和氨基等官能团存在与环氧基反应而消耗含环氧基的化合物的可能性，因此，作为(甲基)丙烯酸酯共聚物的原料掺入了含有这些官能团的单体时，其比例以少为宜。
(甲基)丙烯酸酯共聚物的分子量较好为100000以上，特好为150000～1000000。此外，丙烯酸类粘接剂的玻璃化温度通常为20℃以下，较好为-70～0℃左右，常温(23℃)下具有粘接性。
粘接剂层最好由含有通过紫外线等能量线的照射而固化并显现出再剥离性的能量线固化性粘接剂的组合物形成。能量线固化性粘接剂一般以所述(甲基)丙烯酸酯共聚物和能量线聚合性化合物为主成分。
作为能量线聚合性化合物，例如广泛使用可通过光照射而三维网状化的分子内至少具有2个以上的光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物，具体可采用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯等。
能量线固化性粘接剂层中的(甲基)丙烯酸酯共聚物和能量线聚合性化合物的配比是相对于100重量份(甲基)丙烯酸酯共聚物，使用10～1000重量份的能量线聚合性化合物，更好为20～500重量份，特好为50～200重量份。这种情况下，所得的粘接片的初始粘接力大，且能量线照射后粘接力大幅度下降。因此，在切割时可切实地保持晶片、芯片，在拾取时因能量线的照射使粘接力大幅度下降，因此可切实地进行芯片的拾取。
此外，能量线固化性粘接剂也可由侧链具有能量线聚合性基团的能量线固化型共聚物形成。该能量线固化型共聚物具有兼具粘接性和能量线固化性的性质。侧链具有能量线聚合性基团的能量线固化型共聚物可例举所述(甲基)丙烯 酸酯共聚物中包含具有能量线聚合性碳-碳双键的侧链的共聚物，例如使包含可与(甲基)丙烯酸酯共聚物的官能团反应的取代基和能量线聚合性碳-碳双键的化合物与(甲基)丙烯酸酯共聚物反应而得的共聚物。
作为能量线使用紫外线时，最好在粘接剂层中掺入光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，具体可例举二苯甲酮、乙酰苯、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻***、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮、2，4-二乙基噻吨酮、α-羟基环己基苯基酮、苯甲基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、苯偶酰、二苯偶酰、丁二酮、β-氯代蒽醌或2，4，6-三甲基苯甲酰二苯基氧化膦等。
光聚合引发剂的掺入比例因粘接剂层中的能量线聚合性化合物或能量线聚合性基团的比例或反应性而异，一般相对于能量线固化型粘接剂(能量线固化型共聚物)100质量份，使用0.1～10质量份，更好为0.5～5质量份左右。
此外，粘接剂层中还掺入了含环氧基的化合物。
作为本发明中使用的含环氧基的化合物，可例举分子内具有至少1个环氧基且可通过环氧固化剂加热固化的化合物，可例举例如双酚A型、双酚F型、双酚S型、联苯型、线型酚醛清漆型、甲酚-线型酚醛型环氧树脂等。
含环氧基的化合物的分子量以低为宜，为300～2000，优选350～1000。分子量如果在该范围内，则存在于贴附后的芯片和粘接剂的界面的含环氧基的化合物易转印至芯片侧，具有使芯片的拾取力减弱的效果。
含环氧基的化合物最好不与(甲基)丙烯酸酯共聚物反应，因此优选不具备氨基等会使环氧基活性化的官能团的化合物。
含环氧基的化合物的掺入比例因含环氧基的化合物的种类的不同无法一概而论，一般在构成粘接剂层的全部成分合计100质量份中为0.5～50质量份，优选2.5～25质量份左右。
所述含环氧基的化合物的掺入比例表示掺入时的组成，所述含环氧基的化合物以游离状态包含在粘接剂层中。即，粘接剂层中含有游离的含环氧基的化合物。这里，游离状态是指含环氧基的化合物与(甲基)丙烯酸酯共聚物实质上未反应的状态，含环氧基的化合物未进入到(甲基)丙烯酸酯共聚物的凝胶成分的基质中的状态。具体来讲，可通过粘接剂层的溶胶成分的环氧基的滴定来判 断有无未反应的含环氧基的化合物。本发明中，以环氧当量的倒数的1000倍表示的“环氧指数”来进行评价。“环氧指数”表示每1kg试样的环氧基的量，本发明中，测定粘接剂的溶胶成分中的环氧基的量，将其作为每1kg粘接剂总量(包含溶胶成分和凝胶成分)的值的换算值。环氧指数的值较好为0.05eq/kg以上，更好为0.1～2.0eq/kg。该“环氧指数”的值是通过后述的实施例中的测定方法获得的值。
因此，本发明的粘接剂层中实质上不包含具备使所述含环氧基的化合物聚合的作用的物质(环氧固化剂)。粘接剂层中如果含有环氧固化剂，则半导体晶片的贴附后含环氧基的化合物固化，有时半导体晶片和粘接剂层会发生粘接，这是导致拾取不良的原因。作为实质上不含有的环氧固化剂，可例举胺类、有机酸、酸酐、酚醛树脂、尿素树脂、聚酰胺。
如上所述，本发明的粘接剂层实质上仅由粘接成分和含环氧基的化合物形成。这里，粘接成分如上所述也可以是能量线固化性粘接成分。
此外，在无损本发明的效果的范围内，还可在本发明的粘接剂层中掺入粘接成分及含环氧基的化合物以外的其它成分。作为其它成分，除了所述的光聚合引发剂以外，可例举交联剂(所述粘接成分用交联剂)、无机填充材料、增塑剂、防静电剂、防氧化剂、防老化剂、颜料、染料等。
作为交联剂，可使用多元异氰酸酯化合物、多元氮杂环丙烷、螯合物等公知交联剂。作为多元异氰酸酯化合物，可采用甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、1，6-己二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯及这些多元异氰酸酯和多元醇的加成物等。作为多元氮杂环丙烷化合物，可采用三-2，4，6-(1-氮杂环丙烷基)-1，3，5-三嗪、三[1-(2-甲基)氮杂环丙烷基]三磷酸酯三嗪等。此外，作为螯合物，可采用乙基乙酰乙酸二异丙氧基铝、三乙基乙酰乙酸铝等。这些交联剂可单独使用也可混合使用。
交联剂通常以相对于100质量份的粘接成分为0.01～10质量份的比例使用，较好是0.1～5质量份，更好为0.5～3质量份。
对于粘接剂层的厚度无特别限定，通常为1～100μm，较好为5～40μm。
如果将半导体晶片等被粘接体贴附于包含所述未反应的含环氧基的化合物的粘接剂层，则粘接剂层中的含环氧基的化合物渗出，变成在被粘接体和粘 接剂层的界面形成油膜的状态。其结果是，粘接剂层不会与被粘接体过度地密合，即使是刚磨削完毕的晶片背面被活性化的状态，也可获得合适的剥离性。因此，切割后的芯片的拾取不良减少。
对于本发明的切割带的制造方法无特别限定，可通过在基材上涂布将构成粘接剂层的各成分溶解或分散于合适的溶剂中而形成的组合物并干燥而制得；也可通过在剥离膜上设置粘接剂层，再将其转印至所述基材而制得。在切割带的使用前，为了保护粘接剂层，可在粘接剂层的上表面层叠剥离膜。
以下，对使用了本发明的切割带的半导体器件的制造方法进行说明。
本发明的半导体器件的制造方法中，首先对表面形成有电路的半导体晶片的背面进行磨削。半导体晶片可以是硅晶片也可以是镓·砷等化合物半导体晶片。
在晶片表面形成电路可通过包括蚀刻法、提离法等以往广泛使用的方法的各种方法来进行。在半导体晶片的电路形成工序中，形成规定电路。对该晶片的磨削前的厚度无特别限定，通常为650～750μm左右。
此外，在背面磨削时，为了保护表面的电路，最好在电路面贴附表面保护片。作为表面保护片，对用于该用途的各种可再剥离的粘接片无特别限定。
背面的磨削可通过使用了磨削机及用于晶片固定的吸附台等的公知方法来实施。背面磨削工序后可进行除去因磨削而生成的破碎层的处理。
对背面磨削工序后的晶片的厚度无特别限定，根据本发明的目的，为了配合适合于极薄加工的流水线处理，该背面磨削后的厚度较好为20～100μm左右。但是，为了也能够适用于普通的工序，100～400μm左右的通常的厚度也可以。
然后，在晶片的背面贴附本发明的切割带。切割带的贴附一般通过具备辊的被称为贴装机的装置来实施，但并不特别限定于此。
作为切割带，所述紫外线固化型粘接带可减弱拾取力，因此特别好用。通过贴附本发明的切割带，包含于粘接剂层中的含环氧基的化合物在晶片的磨削面形成油膜，因此晶片磨削面和粘接剂的相互作用减少。所以，即使是刚完成磨削后的磨削面处于活性化状态的晶片，晶片和粘接剂层也不会过度粘接，可实现合适的剥离性，切割后的拾取工序中的拾取性显著提高。
因此，本发明对于刚磨削后的磨削面处于活性化状态的晶片特别适用。即，本发明对于解决使用了磨削机和切割带贴附装置一体化的流水线处理装置的半导体器件的制造工序中的拾取不良的问题显现出明显效果。因此，即使晶片磨削工序和切割带的贴附工序之间只相差0.5～3分钟左右，利用本发明也能够实现所希望的拾取性。
对于半导体晶片的切割方法无特别限定。作为一例，在晶片的切割时，用环形框固定切割带的周边部后，通过切片机等使用旋转圆形刀刃等的公知方法进行晶片的芯片化。表面保护片在切割带的贴附后可在任意阶段被剥离。
接着，将所得芯片从切割带拾取。芯片的拾取一般从电路面侧用吸引筒夹来进行，此外，也可以在用筒夹进行吸引的同时，从切割带侧用顶针上推芯片。此外，在作为切割带使用了能量线固化型粘接带时，最好在芯片的拾取前对粘接剂层照射能量线，使得粘接力下降。
拾取工序中，如果在顶针的一连串动作的顶部附近切割带的剥离充分，则吸引筒夹可把持住芯片而完成拾取。但是，近年来的半导体生产现场中，以提高生产性为目的，大多数情况下将拾取工序中的上顶速度设定得非常快。因此，用现有的切割带会使切割带和芯片背面过度密合，在顶针的一连串动作的顶部附近芯片的剥离不够充分。因此，即使吸引筒夹靠近芯片也无法把持芯片，导致拾取不良。
本发明中，通过切割带的贴附，在半导体晶片的背面形成含环氧基的化合物的油膜。藉此使得晶片背面和切割带的粘接剂层之间的相互作用变小，因此晶片和切割带不会过度粘接，可减少切割后的芯片的拾取工序中的拾取不良的发生。
被拾取的芯片随后通过常规方法进行芯片接合、树脂密封而制得半导体器件。被拾取的芯片的背面虽然附着了含环氧基的化合物的油膜，但在最终的半导体器件中与用于芯片接合及树脂密封的环氧树脂形成为一体并固化，因此不会产生残留物的不良影响。
实施例
以下，通过实施例对本发明进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。
以下的实施例及比较例中，拾取时间、拾取力的评价如下进行。
用磨削装置将硅制试机片(dummy wafer，直径125mm、厚度650μm)磨削至其厚度为350μm。在磨削装置的磨削处理结束后的5分钟以内将实施例及比较例的切割带贴附于晶片磨削面。然后，在磨削处理结束后的1小时以内将晶片切割成10mm×10mm的芯片尺寸。接着，在切割后的6小时以内从基材表面对切割带照射作为能量线的紫外线。紫外线照射后的12～24小时间拾取芯片，测定该芯片拾取时间(芯片从带剥离的时间)和拾取力(施加于顶针的最大荷重)，评价拾取性。
此外，作为比较，对于磨削后经过7天认为活性消失了的晶片同样地进行拾取性评价。
各工序的条件如下所述。
(磨削工序)
磨削装置：迪思科株式会社(デイスコ社)制DFG840
(切割带贴附工序)
贴附装置：琳得科株式会社(リンテツク社)制RAD2500m/8
环形框：迪思科株式会社制2-6-1
(切割工序)
切割装置：东京精密株式会社制A-WD-4000B
刀片：迪思科株式会社制NBC-ZH2050  27HECC
进刀量：全部进入(进入切割带30μm)
(紫外线照射工序)
紫外线照射装置：琳得科株式会社制RAD2000m/8
照度：330mW/cm2
光量：210mJ/cm2
(照度、光量测定使用了Eye Graphics公司制UV测定仪UVRF-36)
氮清除：有(流量30升/分钟)
(拾取工序)
顶针数：4个
针位置：1边8mm的正方形的顶点
扩展量：环形框下拉2mm
针上推量：1.5mm
上推速度：0.3mm/秒
(环氧指数)
实施例及比较例中，粘接剂的“环氧指数”的测定按照JIS K7236通过指示剂滴定法来进行。将在切割带的制造工序中以不层叠于基材上的状态采集的粘接剂于室温进行1周的陈化处理后作为试样用于测定。通过索式萃取器用乙酸乙酯溶剂萃取测定用粘接剂约0.1～1.0g，获得溶胶成分。环氧指数的滴定以将乙酸乙酯溶剂挥发、所述溶胶成分溶于约50ml氯仿的状态进行。表1中的环氧指数是萃取前的每1kg粘接剂重量的换算值。
(分子量)
测定装置：东曹株式会社(東ソ-社)制HLC-8020、AS-8020、SD-8000、UV-8020
柱：TSK凝胶GMH
流速：1.0ml/秒
溶剂：THF(四氢呋喃)
温度：35～40℃(入口：35℃，箱内：40℃，RI：35℃)
试样注入量：80μl
试样浓度：固形成分0.8～1.3％
校准曲线：聚苯乙烯换算
(实施例1)
作为能量线固化型粘接成分，使用了下述能量线固化型聚合物：
使甲基丙烯酰氧基乙基丙烯酸酯以80％当量(相对于100质量份丙烯酸聚合物为16质量份)与丙烯酸聚合物(丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸羟基乙酯＝65/20/15(质量比)、重均分子量＝约50万)反应而得的能量线固化型聚合物。
在100质量份能量线固化型聚合物中掺入光聚合引发剂(汽巴精化公司制，Irgacure(注册商标)184)3.5质量份、含环氧基的化合物(大日本油墨化学工业株式会社制，商品名エピクロン(注册商标)EXA-4850-150，分子量约为900)10 质量份及异氰酸酯化合物(东洋油墨制造株式会社制，BHS-8515)1.07质量份(全部都是通过固形成分换算的配比)，获得粘接剂组合物。
将该粘接剂组合物涂布于剥离膜(琳得科株式会社制，SP-PET3811(S)，厚度38μm)使得干燥后的涂布量达到10g/m2，于100℃干燥1分钟后，将其层叠于作为基材的一面实施了电晕处理的乙烯·甲基丙烯酸共聚物膜(厚80μm，电晕处理面的表面张力为54mN/m)的电晕处理面，获得切割带。
用所得切割带，通过所述方法进行了拾取时间、拾取力的评价。结果示于表1。
(实施例2)
除了含环氧基的化合物的掺入量改为20质量份以外，与实施例1同样操作，获得切割带。结果示于表1。
(实施例3)
除了作为能量线固化型粘接成分使用下述能量线固化型聚合物，并将光聚合引发剂(汽巴精化公司制，Irgacure(注册商标)184)的用量改为3.25质量份以外，与实施例1同样操作，获得切割带。结果示于表1。
使甲基丙烯酰氧基乙基丙烯酸酯以80％当量(相对于100质量份丙烯酸聚合物为16质量份)与丙烯酸聚合物(丙烯酸丁酯/丙烯酸羟基乙酯＝85/15(质量比)、重均分子量＝约84万)反应而得的能量线固化型聚合物。
(实施例4)
除了作为含环氧基的化合物使用日本环氧树脂株式会社制エピコ-ト(注册商标)828(分子量370)20质量份以外，与实施例3同样操作，获得切割带。结果示于表1。
(实施例5)
除了作为含环氧基的化合物使用日本环氧树脂株式会社制エピコ-ト(注册商标)806(分子量约330)20质量份以外，与实施例3同样操作，获得切割带。结果示于表1。
(比较例1)
除了未使用含环氧基的化合物以外，其它操作与实施例1及实施例2相同，获得切割带。结果示于表1。
(比较例2)
除了未使用含环氧基的化合物以外，其它操作与实施例3、实施例4及实施例5相同，获得切割带。结果示于表1。
[表1]
Figure G2008800040745D00131
从表1可知，实施例的刚磨削完毕后的拾取性与未使用含环氧基的化合物的比较例的磨削完毕7天后的拾取性相同或更佳。因此，实施例的切割带即使在对晶片表面的磨削刚完毕后贴附，也能够毫无问题地进行拾取工序。
产业上利用的可能性
本发明由于使用了具备特殊组成的粘接剂层的切割带，因此粘接剂层不会与刚完成背面磨削的晶片面过度密合，可切实地进行切割后的芯片的拾取。

Claims (5)

1.切割带，其特征在于，该切割带是在切割半导体晶片而芯片化的工序中贴附在半导体晶片背面的切割带；该切割带将粘接剂层以无法剥离的状态层叠于基材上而形成；其中的粘接剂层含有粘接成分和游离的含环氧基的化合物、但不含环氧固化剂。
2.如权利要求1所述的切割带，其特征在于，基材的粘接剂层侧的面的表面张力为45mN/m以上。
3.如权利要求1所述的切割带，其特征在于，粘接成分具有通过能量线的照射而固化的性质。
4.如权利要求2所述的切割带，其特征在于，粘接成分具有通过能量线的照射而固化的性质。
5.半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
对表面形成有电路的半导体晶片的背面进行磨削的工序，
在该半导体晶片的背面贴附权利要求1～4中任一项所述的切割带，切割该晶片而芯片化的工序，以及
拾取半导体芯片的工序。
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