CN101580963A - 300mm以上蓝宝石单晶的冷心放肩微量提拉制备法 - Google Patents
300mm以上蓝宝石单晶的冷心放肩微量提拉制备法 Download PDFInfo
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Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102021661A (zh) * | 2010-12-30 | 2011-04-20 | 北京华进创威电子有限公司 | 一种籽晶粘结装置 |
CN102115911A (zh) * | 2011-03-22 | 2011-07-06 | 北京工业大学 | 一种不同气氛下无坩埚生长蓝宝石晶体的方法 |
CN102127803A (zh) * | 2011-03-08 | 2011-07-20 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法 |
CN102154698A (zh) * | 2011-03-24 | 2011-08-17 | 哈尔滨奥瑞德光电技术股份有限公司 | 泡生法制备大尺寸蓝宝石单晶过程中引晶形态的控制方法 |
CN102162130A (zh) * | 2011-05-26 | 2011-08-24 | 浙江昀丰新能源科技有限公司 | 一种蓝宝石单晶的制备方法 |
CN102677170A (zh) * | 2012-05-29 | 2012-09-19 | 上海中电振华晶体技术有限公司 | 一种控制蓝宝石生长尺寸的方法及*** |
CN102703970A (zh) * | 2012-07-11 | 2012-10-03 | 浙江特锐新能源有限公司 | 泡生法生长掺钛蓝宝石晶体 |
CN102758255A (zh) * | 2012-08-02 | 2012-10-31 | 元亮科技有限公司 | 顶部籽晶温度梯度法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法 |
CN102912430A (zh) * | 2012-11-15 | 2013-02-06 | 上海中电振华晶体技术有限公司 | 一种蓝宝石晶体生长设备及生长方法 |
CN101984153B (zh) * | 2009-12-24 | 2013-03-20 | 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 | 一种降低碳化硅晶体应力的退火工艺 |
CN103060911A (zh) * | 2013-01-04 | 2013-04-24 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种大尺寸高品质因素掺碳钛宝石激光晶体及其制备方法 |
CN103194791A (zh) * | 2013-04-24 | 2013-07-10 | 哈尔滨工业大学 | 大尺寸板状蓝宝石单晶体的水平定向区熔结晶制备方法 |
CN103215632A (zh) * | 2013-04-02 | 2013-07-24 | 苏州海铂晶体有限公司 | 一种大尺寸c取向蓝宝石单晶的生长方法 |
CN103243388A (zh) * | 2013-04-02 | 2013-08-14 | 苏州海铂晶体有限公司 | 蓝宝石长晶中的预铸形状填料升温化料的方法 |
CN103328695A (zh) * | 2011-01-19 | 2013-09-25 | Lg矽得荣株式会社 | 电阻加热的蓝宝石单晶锭生长器、制造电阻加热的蓝宝石单晶锭的方法、蓝宝石单晶锭和蓝宝石晶片 |
CN103774214A (zh) * | 2014-01-02 | 2014-05-07 | 苏州晶特晶体科技有限公司 | 一种大尺寸氧化物晶体的生长方法 |
CN104099660A (zh) * | 2014-07-02 | 2014-10-15 | 厦门润晶光电有限公司 | 大公斤数蓝宝石晶体的旋转扩肩稳定拉升法 |
CN104562198A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-04-29 | 宁波循泽电子科技有限公司 | 一种改良泡生法的蓝宝石单晶生长方法 |
CN104674340A (zh) * | 2014-12-26 | 2015-06-03 | 浙江东海蓝玉光电科技有限公司 | 一种泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体旋转缩颈引晶控制方法 |
CN104911709A (zh) * | 2015-06-15 | 2015-09-16 | 哈尔滨奥瑞德光电技术股份有限公司 | 一种80kg以上大尺寸蓝宝石单晶的生长方法 |
CN104911710A (zh) * | 2015-06-16 | 2015-09-16 | 哈尔滨奥瑞德光电技术股份有限公司 | C偏m向蓝宝石单晶的生长方法 |
CN105350072A (zh) * | 2015-11-06 | 2016-02-24 | 南京晶升能源设备有限公司 | 泡生法晶体生长单晶炉脱锅方法、温控方法和控制方法 |
CN105671630A (zh) * | 2015-12-17 | 2016-06-15 | 南京晶升能源设备有限公司 | 泡生法生长蓝宝石晶体生长收尾方法和生长方法 |
CN105839177A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-08-10 | 齐齐哈尔市泰兴机械加工有限责任公司 | 一种大尺寸单质晶体的分阶段提拉制备方法 |
CN106987902A (zh) * | 2017-03-20 | 2017-07-28 | 宁夏佳晶科技有限公司 | 一种用于人造蓝宝石的冷心放肩提拉制备方法 |
CN113564694A (zh) * | 2021-07-22 | 2021-10-29 | 东莞晶驰光电科技有限公司 | 蓝宝石晶体生长工艺 |
US11401626B2 (en) | 2020-11-03 | 2022-08-02 | Zing Semiconductor Corporation | Seeding method for crystal growth |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1323195C (zh) * | 2005-06-24 | 2007-06-27 | 哈尔滨工业大学 | 大尺寸蓝宝石单晶的冷心放肩微量提拉制备法 |
-
2009
- 2009-06-26 CN CN2009100723781A patent/CN101580963B/zh active Active
Cited By (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101984153B (zh) * | 2009-12-24 | 2013-03-20 | 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 | 一种降低碳化硅晶体应力的退火工艺 |
CN102021661B (zh) * | 2010-12-30 | 2012-09-19 | 北京华进创威电子有限公司 | 一种籽晶粘结装置 |
CN102021661A (zh) * | 2010-12-30 | 2011-04-20 | 北京华进创威电子有限公司 | 一种籽晶粘结装置 |
CN103328695B (zh) * | 2011-01-19 | 2017-12-26 | 爱思开矽得荣株式会社 | 制造电阻加热的蓝宝石单晶锭的方法 |
CN103328695A (zh) * | 2011-01-19 | 2013-09-25 | Lg矽得荣株式会社 | 电阻加热的蓝宝石单晶锭生长器、制造电阻加热的蓝宝石单晶锭的方法、蓝宝石单晶锭和蓝宝石晶片 |
CN102127803A (zh) * | 2011-03-08 | 2011-07-20 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法 |
CN102127803B (zh) * | 2011-03-08 | 2012-05-30 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种长方体状异形蓝宝石晶体的生长方法 |
CN102115911B (zh) * | 2011-03-22 | 2012-08-15 | 北京工业大学 | 一种不同气氛下无坩埚生长蓝宝石晶体的方法 |
CN102115911A (zh) * | 2011-03-22 | 2011-07-06 | 北京工业大学 | 一种不同气氛下无坩埚生长蓝宝石晶体的方法 |
CN102154698A (zh) * | 2011-03-24 | 2011-08-17 | 哈尔滨奥瑞德光电技术股份有限公司 | 泡生法制备大尺寸蓝宝石单晶过程中引晶形态的控制方法 |
CN102154698B (zh) * | 2011-03-24 | 2013-01-23 | 哈尔滨奥瑞德光电技术股份有限公司 | 泡生法制备大尺寸蓝宝石单晶过程中引晶形态的控制方法 |
CN102162130A (zh) * | 2011-05-26 | 2011-08-24 | 浙江昀丰新能源科技有限公司 | 一种蓝宝石单晶的制备方法 |
CN102162130B (zh) * | 2011-05-26 | 2013-03-20 | 浙江昀丰新能源科技有限公司 | 一种蓝宝石单晶的制备方法 |
CN102677170A (zh) * | 2012-05-29 | 2012-09-19 | 上海中电振华晶体技术有限公司 | 一种控制蓝宝石生长尺寸的方法及*** |
CN102677170B (zh) * | 2012-05-29 | 2015-09-02 | 江苏中电振华晶体技术有限公司 | 一种控制蓝宝石生长尺寸的方法及*** |
CN102703970A (zh) * | 2012-07-11 | 2012-10-03 | 浙江特锐新能源有限公司 | 泡生法生长掺钛蓝宝石晶体 |
CN102758255A (zh) * | 2012-08-02 | 2012-10-31 | 元亮科技有限公司 | 顶部籽晶温度梯度法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法 |
CN102758255B (zh) * | 2012-08-02 | 2015-05-27 | 元亮科技有限公司 | 顶部籽晶温度梯度法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法 |
CN102912430B (zh) * | 2012-11-15 | 2015-04-08 | 江苏中电振华晶体技术有限公司 | 一种蓝宝石晶体生长设备及生长方法 |
CN102912430A (zh) * | 2012-11-15 | 2013-02-06 | 上海中电振华晶体技术有限公司 | 一种蓝宝石晶体生长设备及生长方法 |
CN103060911A (zh) * | 2013-01-04 | 2013-04-24 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种大尺寸高品质因素掺碳钛宝石激光晶体及其制备方法 |
CN103215632A (zh) * | 2013-04-02 | 2013-07-24 | 苏州海铂晶体有限公司 | 一种大尺寸c取向蓝宝石单晶的生长方法 |
CN103243388A (zh) * | 2013-04-02 | 2013-08-14 | 苏州海铂晶体有限公司 | 蓝宝石长晶中的预铸形状填料升温化料的方法 |
CN103215632B (zh) * | 2013-04-02 | 2016-02-24 | 苏州海铂晶体有限公司 | 一种大尺寸c取向蓝宝石单晶的生长方法 |
CN103194791B (zh) * | 2013-04-24 | 2016-05-04 | 哈尔滨工业大学 | 大尺寸板状蓝宝石单晶体的水平定向区熔结晶制备方法 |
CN103194791A (zh) * | 2013-04-24 | 2013-07-10 | 哈尔滨工业大学 | 大尺寸板状蓝宝石单晶体的水平定向区熔结晶制备方法 |
CN103774214A (zh) * | 2014-01-02 | 2014-05-07 | 苏州晶特晶体科技有限公司 | 一种大尺寸氧化物晶体的生长方法 |
CN104099660A (zh) * | 2014-07-02 | 2014-10-15 | 厦门润晶光电有限公司 | 大公斤数蓝宝石晶体的旋转扩肩稳定拉升法 |
CN104099660B (zh) * | 2014-07-02 | 2017-06-27 | 厦门润晶光电集团有限公司 | 大公斤数蓝宝石晶体的旋转扩肩稳定拉升法 |
CN104562198A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-04-29 | 宁波循泽电子科技有限公司 | 一种改良泡生法的蓝宝石单晶生长方法 |
CN104562198B (zh) * | 2014-12-12 | 2017-04-12 | 宁波循泽电子科技有限公司 | 一种改良泡生法的蓝宝石单晶生长方法 |
CN104674340A (zh) * | 2014-12-26 | 2015-06-03 | 浙江东海蓝玉光电科技有限公司 | 一种泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体旋转缩颈引晶控制方法 |
CN104911709A (zh) * | 2015-06-15 | 2015-09-16 | 哈尔滨奥瑞德光电技术股份有限公司 | 一种80kg以上大尺寸蓝宝石单晶的生长方法 |
CN104911710A (zh) * | 2015-06-16 | 2015-09-16 | 哈尔滨奥瑞德光电技术股份有限公司 | C偏m向蓝宝石单晶的生长方法 |
CN104911710B (zh) * | 2015-06-16 | 2017-10-27 | 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 | C偏m向蓝宝石单晶的生长方法 |
CN105350072A (zh) * | 2015-11-06 | 2016-02-24 | 南京晶升能源设备有限公司 | 泡生法晶体生长单晶炉脱锅方法、温控方法和控制方法 |
CN105671630A (zh) * | 2015-12-17 | 2016-06-15 | 南京晶升能源设备有限公司 | 泡生法生长蓝宝石晶体生长收尾方法和生长方法 |
CN105671630B (zh) * | 2015-12-17 | 2018-02-02 | 南京晶升能源设备有限公司 | 泡生法生长蓝宝石晶体生长收尾方法和生长方法 |
CN105839177A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-08-10 | 齐齐哈尔市泰兴机械加工有限责任公司 | 一种大尺寸单质晶体的分阶段提拉制备方法 |
CN105839177B (zh) * | 2016-04-08 | 2018-06-19 | 齐齐哈尔市泰兴机械加工有限责任公司 | 一种大尺寸单晶体的分阶段提拉制备方法 |
CN106987902A (zh) * | 2017-03-20 | 2017-07-28 | 宁夏佳晶科技有限公司 | 一种用于人造蓝宝石的冷心放肩提拉制备方法 |
US11401626B2 (en) | 2020-11-03 | 2022-08-02 | Zing Semiconductor Corporation | Seeding method for crystal growth |
TWI774174B (zh) * | 2020-11-03 | 2022-08-11 | 大陸商上海新昇半導體科技有限公司 | 一種用於晶體生長的引晶方法 |
CN113564694A (zh) * | 2021-07-22 | 2021-10-29 | 东莞晶驰光电科技有限公司 | 蓝宝石晶体生长工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101580963B (zh) | 2011-04-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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Owner name: HARBIN AURORA OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER NAME: HARBIN GONGDA AURORA OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. |
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CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 150431 Heilongjiang city of Harbin province Binxian Binxi Economic Development Zone No. 6 Haibinlu Patentee after: Harbin Aurora Optoelectronics Technology Co., Ltd. Address before: 150431 Heilongjiang city of Harbin province Binxian Binxi Economic Development Zone No. 6 Haibinlu Patentee before: Harbin Gongda Aurora Optoelectronics Technology Co., Ltd. |
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C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 150431 Heilongjiang city of Harbin province Binxian Binxi Economic Development Zone No. 6 Haibinlu Patentee after: HARBIN AURORA OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. Address before: 150431 Heilongjiang city of Harbin province Binxian Binxi Economic Development Zone No. 6 Haibinlu Patentee before: Harbin Aurora Optoelectronics Technology Co., Ltd. |
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PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: SAPMAC method for preparing sapphire single-crystal with size above 300mm Effective date of registration: 20180929 Granted publication date: 20110413 Pledgee: Longjiang bank Limited by Share Ltd Harbin Development Zone sub branch Pledgor: HARBIN AURORA OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. Registration number: 2018990000856 Denomination of invention: SAPMAC method for preparing sapphire single-crystal with size above 300mm Effective date of registration: 20180929 Granted publication date: 20110413 Pledgee: Longjiang bank Limited by Share Ltd Harbin Development Zone sub branch Pledgor: HARBIN AURORA OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. Registration number: 2018990000856 |
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PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20200509 Granted publication date: 20110413 Pledgee: Longjiang bank Limited by Share Ltd Harbin Development Zone sub branch Pledgor: HARBIN AURORA OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: 2018990000856 |