CN101447642B - 半导体设备及其半导体激光器驱动设备和图像形成设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够对应于各个半导体激光器特性来改变电路构成的半导体设备，以及使用该半导体设备的半导体激光器驱动设备和图像形成设备。其包括开关电流设定端子RSW、开关电流控制端子VSW、生成开关电流Isw以使各端子RSW和VSW的各自的输入电压相等的开关电流生成电路10、偏流电流设定端子RBI、偏流电流控制端子VBI、生成偏流电流Ibi以使各端子RBI和VBI的各自的输入电压相等的偏流电流生成电路20、对发出规定光量的驱动电流值进行记忆的记忆电路30、APC输出端子APCO、以及将开关电流Isw和偏流电流Ibi加算后生成驱动电流的电流加算电路52。

Description

半导体设备及其半导体激光器驱动设备和图像形成设备

技术领域

本发明涉及半导体设备，和使用该半导体设备并对用于激光打印机的光写入、光数据通信、光盘等里的半导体激光器进行驱动控制的半导体激光器驱动设备，和图像形成设备。

背景技术

在以往技术中，对用于图像形成设备的写入的半导体激光器的光量控制，一般采用的是APC(Automatic Power Control)，即，用配置在该半导体激光器附近的光传感器对该半导体激光器的激光作定期的检测，通过将该检测信号反馈到半导体激光器驱动回路里以对上述激光进行光量控制后，将所述半导体激光器的光量控制在规定值里。

半导体激光器的驱动电流通常是作为将偏流电流和开关电流之2个电流值加算后的电流来生成的。这是因为半导体激光器的光量和驱动电流特性之间的关系如图9和图10所示为非线性的缘故。即，当驱动电流在阈值电流Ith以下时，半导体激光器基本不发光，而在超过阈值电流Ith时，发光量正比于超过的电流而增加。超过阈值电流Ith的电流表示为发光电流Iη。

在半导体激光器的发光控制中，在将半导体激光器的驱动电流从零增加到可以获得规定光量的电流时，由于在该驱动电流到达阈值电流Ith之前，半导体激光器不发光，而导致因激光的开始产生时间变长而得不到规定的光量。因此，将偏流电流Ibi以接近于阈值电流Ith的电流值常时保持在半导体激光器里，通过仅对所述驱动电流和偏流电流Ibi之差的开关电流Isw的开/关(On/Off)，来进行高速的发光控制。

然而，如图9所示，阈值电流Ith是因半导体激光器而不同的，由于半导体激光器的温度变化也会使阈值电流Ith变动至阈值电流IthH，为了获得相同的发光量，就必须使偏流电流Ibi增加到偏流电流IbiH。更进一步地，如图10所示，发光电流Iη和发光量之间的关系(发光效率)也因半导体激光器而不同，由于半导体激光器因温度变化而变化，为了获得相同的发光量，就必须将开关电流Isw增加至IswH。

因此，在以往的APC中，存在有第1方式，即通过光传感器的检测信号来控制偏流电流Ibi的电流值，并吸收阈值电流Ith变化(参照专利文献1)；第2方式，即通过光传感器的检测信号来控制偏流电流Ibi的电流值和开关电流Isw的电流值(参照专利文献2)；第3方式，即通过光传感器的检测信号，将偏流电流Ibi的电流值和开关电流Isw的电流值控制在维持于规定的比例关系里(参照专利文献3)。

专利文献1：特开平8-83950号公报

专利文献2：特开平5-30314号公报

专利文献3：特许第2644722号公报

发明内容

然而，如上述第1方式那样，仅对偏流电流Ibi的电流值进行控制时，就不能对应于图10所示之发光效率大幅变动时的半导体激光器。还有，如上述第2方式那样，对偏流电流Ibi的电流值和开关电流Isw的电流值的双方进行控制，会产生电路变得复杂，成本变高的问题。更进一步，如上述第3方式那样，将偏流电流Ibi的电流值和开关电流Isw的电流值控制在维持于规定的比例关系里，虽然电路规模要小于所述第2方式，但却大于上述第1方式，而且由于半导体激光器因温度变化而导致阈值电流Ith大幅变动，或发光效率大幅变动，从而产生控制不完整的问题。

本发明的目的在于解决上述问题，来提供能够对应于半导体激光器的各自特性而改变电路构成的半导体设备，及使用该半导体设备的半导体激光器驱动设备和图像形成设备。

本发明的技术方案1提供一种半导体设备，其通过将偏流电流和开关电流加算后的驱动电流来驱动半导体激光器，为了使所述半导体激光器的光量达到规定的光量，而执行对供给到所述半导体激光器里的电流进行自动控制的APC，其特征在于包括：开关电流控制端子，其用于对所述开关电流进行电流控制；开关电流生成电路，其包括用于设定所述开关电流的电流值的开关电流设定端子，生成并输出所述开关电流以使输入到所述开关电流设定端子里的电压，和输入到所述开关电流控制端子里的电压相等；偏流电流控制端子，其用于对所示偏流电流进行电流控制；偏流电流生成电路，其包括用于设定所述偏流电流的电流值的偏流电流设定端子，生成并输出所述偏流电流以使输入到所述偏流电流设定端子里的电压，和输入到所述偏流电流控制端子里的电压相等；记忆电路，对应于所述半导体激光器的发光量的电压被输入后，所述记忆电路生成并记忆输出使所述被输入的电压与显示规定光量的规定的第2基准电压相等的电压；APC输出端子，其用于将所述记忆电路的输出电压输出到外部；电流加算电路，其将所述开关电流和所述偏流电流加算后生成所述驱动电流。

本发明的技术方案2根据技术方案1所述的半导体设备，其特征在于包括：基准电压发生电路，其生成并输出规定的第1基准电压；基准电压输出端子，其用于将所述第1基准电压输出到外部里。

本发明的技术方案3根据技术方案1所述的半导体设备，其特征在于：所述APC输出端子被连接到所述偏流电流控制端子或所述开关电流控制端子的其中—方里。

本发明的技术方案4根据技术方案2所述的半导体设备，其特征在于：所述APC输出端子在被连接到所述偏流电流控制端子里的同时，所述基准电压输出端子被连接到所述开关电流控制端子里，所述电流加算电路在，通过所述记忆电路的输出电压来控制其电流值的所述偏流电流里，将具有稳定电流值的所述开关电流加算后生成所述驱动电流。

本发明的技术方案5根据技术方案2所述的半导体设备，其特征在于：所述APC输出端子在被连接到所述开关电流控制端子里的同时，所述基准电压输出端子被连接到所述偏流电流控制端子里，所述电流加算电路在，通过所述记忆电路的输出电压来控制其电流值的所述开关电流里，将具有稳定电流值的所述偏流电流加算后生成所述驱动电流。

本发明的技术方案6根据技术方案2所述的半导体设备，其特征在于：所述开关电流控制端子输入有用于控制在外部生成的所述半导体激光器光量的光量控制信号，所述偏流电流控制端子连接到所述基准电压输出端子里。

本发明的技术方案7根据技术方案2所述的半导体设备，其特征在于：所述偏流电流控制端子输入有用于控制在外部生成的所述半导体激光器光量的光量控制信号，所述开关电流控制端子连接到所述基准电压输出端子里。

本发明的技术方案6根据技术方案2所述的半导体设备，其特征在于：所述开关电流控制端子以及偏流电流控制端子，分别输入有用于控制在外部生成的所述半导体激光器光量的光量控制信号。

本发明的技术方案9提供一种半导体设备，其通过将偏流电流和开关电流加算后的驱动电流来驱动半导体激光器，为了使所述半导体激光器的光量达到规定的光量，而执行对供给到所述半导体激光器里的电流进行自动控制的APC，其包括：开关电流生成电路，其分别包括用于设定所述开关电流的电流值的开关电流设定端子，以及用于对所述开关电流进行电流控制的开关电流控制端子，生成并输出所述开关电流以使输入到所述开关电流设定端子里的电压，和输入到所述开关电流控制端子里的电压相等；偏流电流生成电路，其分别包括用于设定所述偏流电流的电流值的偏流电流设定端子，以及用于对所示偏流电流进行电流控制的偏流电流控制端子，生成并输出所述偏流电流以使输入到所述偏流电流设定端子里的电压，和输入到所述偏流电流控制端子里的电压相等；记忆电路，对应于所述半导体激光器的发光量的电压被输入后，所述记忆电路生成并记忆输出使所述被输入的电压与显示规定光量的规定的第2基准电压相等的电压；基准电压发生电路，其生成并输出规定的第1基准电压；第1切换装置，其根据输入的切换信号，将所述记忆电路的输出电压输出到所述偏流电流控制端子和所述开关电流控制端子的其中一方里；第2切换装置，其根据输入的切换信号，将所述第1基准电压输出到所述偏流电流控制端子和所述开关电流控制端子的其中一方里；切换信号输入端子，其输入来自于外部的所述切换信号，其特征在于：所述第1切换装置和所述第2切换装置根据所述切换信号，将所述记忆电路的输出电压以及所述基准电压，对应于所述偏流电流控制端子以及开关电流控制端子来输出。

本发明的技术方案10根据技术方案9所述的半导体设备，其特征在于包括：用于将所述记忆电路的输出电压输出到外部里的APC输出端子。

本发明的技术方案11根据技术方案10所述的半导体设备，其特征在于：显示进行所述APC的APC信号包括由外部输入的APC信号输入端子，所述记忆电路根据输入到所述APC信号输入端子里的APC信号来输出所述电压，并在所述APC信号输入端子里，在输入所述APC信号以使所述记忆电路停止电压输出的同时，在所述APC输出端子里，由外部输入用于控制所述半导体激光器光量的光量控制信号。

本发明的技术方案12提供一种半导体激光器驱动设备，其执行对供给到半导体激光器里以获得规定光量的电流进行自动控制的APC，来对所述半导体激光器进行驱动控制，其包括：光量检测电路部，其对所述半导体激光器的发光量进行检测后，来生成并输出对应于所检测到的发光量的电压；半导体设备，其通过将偏流电流和开关电流加算后的驱动电流来驱动半导体激光器，并为了使由所述光量检测电路部所检测到的所述半导体激光器的光量达到规定的光量，而执行对供给到所述半导体激光器里的电流进行自动控制的APC；所述半导体设备包括：开关电流控制端子，其用于对所述开关电流进行电流控制；开关电流生成电路，其包括用于设定所述开关电流的电流值的开关电流设定端子，生成并输出所述开关电流以使输入到所述开关电流设定端子里的电压，和输入到所述开关电流控制端子里的电压相等；偏流电流控制端子，其用于对所示偏流电流进行电流控制；偏流电流生成电路，其包括用于设定所述偏流电流的电流值的偏流电流设定端子，生成并输出所述偏流电流以使输入到所述偏流电流设定端子里的电压，和输入到所述偏流电流控制端子里的电压相等；记忆电路，生成并记忆输出使所述光量检测电路部的输出电压与显示所述规定光量的规定的第2基准电压相等的电压；APC输出端子，其用于将所述记忆电路的输出电压输出到外部；电流加算电路，其将所述开关电流和所述偏流电流加算后生成所述驱动电流。

本发明的技术方案13根据技术方案12所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于所述半导体设备包括：基准电压发生电路，其生成并输出规定的第1基准电压；基准电压输出端子，其用于将所述第1基准电压输出到外部里。

本发明的技术方案14根据技术方案12所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于：所述APC输出端子被连接到所述偏流电流控制端子或所述开关电流控制端子的其中一方里。

本发明的技术方案15根据技术方案13所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于：所述APC输出端子在被连接到所述偏流电流控制端子里的同时，所述基准电压输出端子被连接到所述开关电流控制端子里，所述电流加算电路在，通过所述记忆电路的输出电压来控制其电流值的所述偏流电流里，将具有稳定电流值的所述开关电流加算后生成所述驱动电流。

本发明的技术方案16根据技术方案13所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于：所述APC输出端子在被连接到所述开关电流控制端子里的同时，所述基准电压输出端子被连接到所述偏流电流控制端子里，所述电流加算电路在，通过所述记忆电路的输出电压来控制其电流值的所述开关电流里，将具有稳定电流值的所述偏流电流加算后生成所述驱动电流。

本发明的技术方案17根据技术方案13所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于：所述开关电流控制端子输入有用于控制在外部生成的所述半导体激光器光量的光量控制信号，所述偏流电流控制端子连接到所述基准电压输出端子里。

本发明的技术方案18根据技术方案13所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于：所述偏流电流控制端子输入有用于控制在外部生成的所述半导体激光器光量的光量控制信号，所述开关电流控制端子连接到所述基准电压输出端子里。

本发明的技术方案19根据技术方案13所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于：所述开关电流控制端子以及偏流电流控制端子，分别输入有用于控制在外部生成的所述半导体激光器光量的光量控制信号。

本发明的技术方案20提供一种半导体激光器驱动设备，其执行对供给到半导体激光器里以获得规定光量的电流进行自动控制的APC，来对所述半导体激光器进行驱动控制，其包括：光量检测电路部，其对所述半导体激光器的发光量进行检测后，来生成并输出对应于所检测到的发光量的电压；半导体设备，其通过将偏流电流和开关电流加算后的驱动电流来驱动半导体激光器，并为了使由所述光量检测电路部所检测到的所述半导体激光器的光量达到规定的光量，而执行对供给到所述半导体激光器里的电流进行自动控制的APC；所述半导体设备包括：开关电流生成电路，其分别包括用于设定所述开关电流的电流值的开关电流设定端子，以及用于对所述开关电流进行电流控制的开关电流控制端子，生成并输出所述开关电流以使输入到所述开关电流设定端子里的电压，和输入到所述开关电流控制端子里的电压相等；偏流电流生成电路，其分别包括用于设定所述偏流电流的电流值的偏流电流设定端子，以及用于对所示偏流电流进行电流控制的偏流电流控制端子，生成并输出所述偏流电流以使输入到所述偏流电流设定端子里的电压，和输入到所述偏流电流控制端子里的电压相等；记忆电路，生成并记忆输出使所述光量检测电路部的输出电压与显示所述规定光量的规定的第2基准电压相等的电压；基准电压发生电路，其生成并输出规定的第1基准电压；第1切换装置，其根据输入的切换信号，将所述记忆电路的输出电压输出到所述偏流电流控制端子和所述开关电流控制端子的其中一方里；第2切换装置，其根据输入的切换信号，将所述第1基准电压输出到所述偏流电流控制端子和所述开关电流控制端子的其中一方里；切换信号输入端子，其输入来自于外部的所述切换信号，其特征在于：所述第1切换装置和所述第2切换装置根据所述切换信号，将所述记忆电路的输出电压以及所述基准电压，对应于所述偏流电流控制端子以及开关电流控制端子来输出。

本发明的技术方案21根据技术方案20所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于所述半导体设备包括：用于将所述记忆电路的输出电压输出到外部里的APC输出端子。

本发明的技术方案22根据技术方案21所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于：所述半导体设备包括由外部输入的显示进行所述APC之APC信号的APC信号输入端子，所述记忆电路根据输入到所述APC信号输入端子里的APC信号来输出所述电压，并在所述APC信号输入端子里，在输入所述APC信号以使所述记忆电路停止电压输出的同时，在所述APC输出端子里，由外部输入用于控制所述半导体激光器光量的光量控制信号。

本发明的技术方案23提供一种图像形成设备，其特征在于包括：技术方案1至11中任何一项所述的半导体设备。

本发明的技术方案24提供一种图像形成设备，其特征在于包括：技术方案12至22中任何一项所述的半导体激光器驱动设备。

根据本发明的半导体设备，及其使用该半导体设备的半导体激光器驱动设备和图像形成设备，由于具备能够对执行APC所必要的开关电流生成电路、偏流电流生成电路以及记忆电路，或开关电流生成电路、偏流电流生成电路、记忆电路以及基准电压发生电路进行分别单独地使用的外部端子，仅以改变半导体设备的外部连接，就能够执行通过APC对偏流电流控制和开关电流控制之双方的控制，从而能够根据各个半导体激光器的特性来改变电路的构成。

另外，通过以外部电路来取代内藏于半导体设备里的记忆电路，在能够进行更高精度的APC的同时，还能够同时控制偏流电流和开关电流的双方。

更进一步地，根据输入到半导体设备里的切换信号，通过设置切换装置，将APC所控制的电流，即可以切换到偏流电流里，也可以切换到开关电流里，不变更半导体设备的外部连接，就能够在阈值电流因温度变化而变动大的半导体激光器，和发光效率变化大的半导体激光器的其中之一里使用。

附图说明

参照下面对附图详细的说明可以更快·更好地理解对公开技术及其特征的完整描述。其中，

图1所示是本发明第1实施方式中的半导体激光器驱动设备的电路示意图。

图2所示是本发明第2实施方式中的半导体激光器驱动设备的电路示意图。

图3所示是本发明第2实施方式中的半导体激光器驱动设备的电路示意图。

图4所示是本发明第3实施方式中的半导体激光器驱动设备的电路示意图。

图5所示是本发明第4实施方式中的半导体激光器驱动设备的电路示意图。

图6所示是本发明第4实施方式中的半导体激光器驱动设备的电路示意图。

图7所示是本发明第4实施方式中的半导体激光器驱动设备的电路示意图。

图8所示是本发明第4实施方式中的半导体激光器驱动设备的电路示意图。

图9所示是半导体激光器的光量—驱动电流的特性示意图。

图10所示是半导体激光器的光量—驱动电流的另一个特性示意图。

具体实施方式

以下，根据附图所示实施方式来详细说明本发明。

第1实施方式

图1所示是本发明第1实施方式中的半导体激光器驱动设备的电路示意图。

在图1中，半导体激光器驱动设备1因为激光二极管等半导体激光器Ld的顺方向电流—光输出特性(i-L特性)因温度变化或历时劣化而变动，所以—般采用的是APC控制，即将半导体激光器Ld的光量常时保持为一定。半导体激光器驱动设备1通过光二极管Pd来接受半导体激光器Ld的光量，并根据所接受到的光量来进行上述APC。另外，以下是以半导体激光器驱动设备1使用于激光打印机或数字复印机等图像形成设备里为例来说明的。

半导体激光器驱动设备1包括作为IC的半导体设备2、光二极管Pd、可变电阻Rpd、开关电流设定电阻Rsw、偏流电流设定电阻Rbi、采样保持电容器Csh等。半导体设备2包括开关电流生成电路10、偏流电流生成电路20、记忆电路30、数据信号驱动电路51、电流加算电流52、开关电流控制开关SW51等。而且，半导体设备2还包括APC输出端子APCO、开关电流控制端子VSW、开关电流设定端子RSW、写入数据端子DATA、DATAB、偏流电流控制端子VBI、偏流电流设定端子RBI、半导体激光器连接端子LD、光二极管连接端子PD、基准电压输入端子VREFI、APC信号输入端子APCI、电源端子VDD、接地端子GND等。另外，光二极管Pd和可变电阻Rpd构成了光量检测电路部。

APC输出端子APCO被连接到偏流电流控制端子VBI里，在APC输出端子APCO和接地电压之间连接有采样保持电容器Csh。在开关电流控制端子VSW里输入有规定的第1基准电压Vref1，在开关电流设定端子RSW和接地电压之间连接有开关电流设定电阻Rsw，在偏流电流设定端子RBI和接地电压之间连接有偏流电流设定电阻Rbi。还有，当开关电流设定电阻Rsw和偏流电流设定电阻Rbi没有必要改变电阻值时，也可以内藏于半导体设备2里。

半导体激光器Ld的阳极(anode)连接在电源端子VDD，阴极(cathode)连接在半导体激光器连接端子LD里，光二极管Pd的阴极连接在电源端子VDD，阳极连接到光二极管连接端子PD里。电源端子VDD里输入有电源电压Vdd，在光二极管连接端子PD和接地电压之间连接有电阻值可以调整的可变电阻Rpd。在基准电压输入端子VREFI里输入有第2基准电压Vref2，在APC信号输入端子APCI里输入有APC信号，接地端子GND连接到接地电压里。

开关电流生成电路10包括运算放大电路11和PMOS晶体管M11、M12。运算放大电路11的反相输入端连接到开关电流控制端子VSW里，同相输入端连接到开关电流设定端子RSW里，输出端连接到PMOS晶体管M11、M12的各门极里。PMOS晶体管M11的源极连接到电源电压Vdd里，漏极连接到开关电流设定端子RSW里。另外，PMOS晶体管M12的源极连接到电源电压Vdd里，漏极连接到开关电流控制开关SW51的一端里，PMOS晶体管M11、M12分别输出成比例的漏极电流，PMOS晶体管M12的漏极电流作为开关电流Isw被输出。

偏流电流生成电路20具有与开关电流生成电路10相同的电路构成，包括运算放大电路21和PMOS晶体管M21、M22。运算放大电路21的反相输入端连接到偏流电流控制端子VBI里，同相输入端连接到偏流电流设定端子RBI里，输出端连接到PMOS晶体管M21、M22的各门极里。PMOS晶体管M21的源极连接到电源电压Vdd里，漏极连接到偏流电流设定端子RBI里。另外，PMOS晶体管M22的源极连接到电源电压Vdd里，漏极连接到电流加算电流52的一侧的输入端里，PMOS晶体管M21、M22分别输出成比例的漏极电流，PMOS晶体管M22的漏极电流作为偏流电流Ibi被输出。

记忆电路30包括运算放大电路31和开关SW31。运算放大电路31的反相输入端连接到光二极管连接端子PD里，同相输入端连接到基准电压输入端子VREFI里，输出端连接到开关SW31的一端里。开关SW31的另一端连接到APC输出端子APCO里，开关SW31的控制电极连接到APC信号输入端子APCI里。开关SW31可以设定为，当APC信号为低水平(Low Level)时接通(On)而处于导通状态，当APC信号为高水平(High Level)时切断(Off)而处于遮断状态。

数据信号驱动电路51的2个输入端被对应地连接到写入数据端子DATA以及DATAB里，其输出端被连接到开关电流控制开关SW51的控制电极里。

开关电流控制开关SW51的另一端被连接到电流加算电路52的另一个输入端里，当写入数据端子DATA和DATAB里输入规定的写入信号而接通(On)处于导通状态时，就将开关电流生成电路10所生成的开关电流Isw供给到电流加算电路52里。

在电流加算电路52的各输入端里，对应地连接有开关电流生成电路10和偏流电流生成电路20的各输出端，电流加算电路52的输出端被连接到半导体激光器连接端子LD里。电流加算电路52将所输入的开关电流Isw和偏流电流Ibi加算后，作为构成半导体激光器Ld驱动电流的灌电流(sink current)来输出。

在这种构成中，首先来对开关电流生成电路10的动作进行说明。

在连接于开关电流设定端子RSW和接地电压之间的开关电流设定电阻Rsw里，被供给有PMOS晶体管M11的漏电流，运算放大电路11为了使开关电流设定电阻Rsw引起的压降与第1基准电压Vref1相等，通过控制PMOS晶体管M11的门极电压后，来控制PMOS晶体管M11的漏电流。亦即，当开关电流设定电阻Rsw的电阻值为rsw时，PMOS晶体管M11的漏电流就变为Vref1/rsw，通过第1基准电压Vref1和开关电流设定电阻Rsw，电流值得到设定。

由于PMOS晶体管M12的漏电流比例于PMOS晶体管M11的漏电流，PMOS晶体管M12的漏电流也可以通过第1基准电压Vref1和开关电流设定电阻Rsw来设定其电流值。如此，由PMOS晶体管M12的漏极输出的开关电流Isw，如前所述，因为是通过第1基准电压Vref1和开关电流设定电阻Rsw来设定的，就成为稳定的电流。开关电流Isw介由开关电流控制开关SW51被输入到电流加算电路52里，在电流加算电路52处与偏流电流Ibi加算后，成为连接在半导体激光器连接端子LD里的半导体激光器Ld的驱动电流。

接下来，说明偏流电流生成电路20的动作。

在连接于偏流电流设定端子RBI和接地电压之间的偏流电流设定电阻Rbi里，被供给有PMOS晶体管M21的漏电流，运算放大电路21为了使偏流电流设定电阻Rbi引起的压降与记忆电路30的输出电压Vsh相等，通过控制PMOS晶体管M21的门极电压后，来控制PMOS晶体管M21的漏电流。亦即，当偏流电流设定电阻Rbi的电阻值为rbi时，PMOS晶体管M21的漏电流就变为Vsh/rbi，通过记忆电路30的输出电压Vsh偏流电流设定电阻Rbi，电流值得到设定。

与开关电流生成电路10相同地，由于PMOS晶体管M22的漏电流比例于PMOS晶体管M21的漏电流，PMOS晶体管M22的漏电流也可以通过记忆电路30的输出电压Vsh偏流电流设定电阻Rbi来设定。PMOS晶体管M22的漏电流就成为偏流电流Ibi。由于记忆电路30的输出电压Vsh如后所述会因半导体激光器Ld的不同或温度变化而变动，对应于该变动，偏流电流Ibi也变动。偏流电流Ibi被输入到电流加算电路52里，在电流加算电路52处与开关电流Isw加算后，成为连接在半导体激光器连接端子LD里的半导体激光器Ld的驱动电流。

接下来说明记忆电路30的动作。

在图像写入之前，被输入到APC信号输入端子APGI里的APC信号为低水平(Low Level)，接通开关SW31后成为导通状态。另外，开关电流控制开关SW51接通后为了成为导通状态，在写入数据端子DATA和DATAB里输入有写入数据信号。因此，由于半导体激光器Ld里被供给有上述将开关电流Isw和偏流电流Ibi加算后的驱动电流，半导体激光器Ld就发光了。该半导体激光器Ld的发光量通过设置在半导体激光器Ld附近的光二极管Pd来检测。

在光二极管Pd里，流有比例于半导体激光器Ld的发光量的光电流，该光电流通过电阻Rpd后转换成电压。该转换后的电压介由光二极管连接端子PD输入到运算放大电路31的反相输入端里。在运算放大电路31的同相输入端里，输入有外部开的第2基准电压Vref2，运算放大电路31为了使电阻Rpd引起的压降与第2基准电压Vref2相等，通过控制偏流电流Ibi后，使得半导体激光器Ld的光量为规定值。此时，采样保持电容器Csh以运算放大电路31输出电压Vsh来被充电。这里，第1基准电压Vref1也可以和第2基准电压Vref2相同。

在图像写入之前，APC信号为高水平(High Level)时，开关SW31就切断后成为遮断状态。由此，图像写入前的运算放大电路31的输出电压Vsh就被记忆在采样保持电容器Csh里。在图像写入期间，由于APC信号被保持在高水平(High Level)，偏流电流Ibi与图像写入前的电流值没有变化。在图像写入期间，对应于从外部输入的上述写入数据信号，开关电流控制开关SW51重复进行开/关(On/Off)的动作，使半导体激光器Ld忽亮忽灭后形成所需要的图像。

另外，在上述说明中，是将APC输出端子APCO与偏流电流控制端子VBI连接的，也可以是在将APC输出端子APCO连接到开关电流控制端子VSW里的同时，在偏流电流控制端子VBI里输入第1基准电压Vref1。这时，偏流电流Ibi为稳定电流，开关电流Isw的电流值根据记忆电路30的输出电压Vsh来变化。由此，通过阈值电流Ith，就能够构成适用于控制发光效率变化大的半导体激光器Ld的电路。

如此，在第1实施方式中的半导体激光驱动设备，因为能够通过APC来控制偏流电流Ibi，就能够获得比起发光效率来更适用于控制阈值电流Ith变化大的半导体激光器Ld的电路。还有，由于仅通过改变相同半导体设备2的APC输出端子APCO的连接处，就能够构成通过APC来控制偏流电流Ibi的电路，和控制开关电流Isw的电流，所以不仅能够对应于阈值电流Ith变化大的半导体激光器Ld，也能够对应于发光效率变化大的半导体激光器Ld。

第2实施方式

在上述第1实施方式中，是从外部来输入第1基准电压Vref1的，其也可以如本发明的第2实施方式所述地将生成第1基准电压Vref1的电路设置在半导体设备2的内部。

图2所示是本发明的第2实施方式中的半导体激光器驱动设备的电路示意图。还有，图2中用相同的符号来表示与图1等同或相同的部件，并在省略其说明的同时仅对不同于图1的部分作说明。

图2中不同于图1的地方是，在图1的半导体设备2里设置了生成并输出第1基准电压Vref1的基准电压发生电路40和，输出第1基准电压Vref1的输出端子VREFO，因此，将图1的半导体设备2改为半导体设备2a，并将图1的半导体激光器驱动设备1改为半导体激光器驱动设备1a。

在图2中，半导体激光器驱动设备1a包括构成IC的半导体设备2a、光二极管Pd、可变电阻Rpd、开关电流设定电阻Rsw、偏流电流设定电阻Rbi、采样保持电容器Csh等。半导体设备2a包括开关电流生成电路10、偏流电流生成电路20、记忆电路30、基准电压发生电路40、数据信号驱动电路51、电流加算电流52、开关电流控制开关SW51等。而且，半导体设备2a还包括APC输出端子APCO、开关电流控制端子VSW、开关电流设定端子RSW、写入数据端子DATA、DATAB、偏流电流控制端子VBI、偏流电流设定端子RBI、半导体激光器连接端子LD、光二极管连接端子PD、基准电压输入端子VREFI、APC信号输入端子APCI、电源端子VDD、接地端子GND、以及基准电压输出端子VREFO等。

基准电压输出端子VREFO连接到开关电流控制端子VSW里。另外，作为第2基准电压Vref2也可以使用由基准电压发生电路40产生的第1基准电压Vref1。

关于半导体激光器驱动设备1a的动作，因为除了将输入到开关电流控制端子VSW里的第1基准电压Vref1在半导体设备2a内生成之外，其他的都与前述第1实施方式相同，所以在此省略其说明。

如此，将半导体设备2a内生成的基准电压发生电路40所生成的第1基准电压Vref1输入到开关电流控制端子VSW里，并对应于记忆电路30的输出电压Vsh，在偏流电流Ibi得到控制的同时，由于开关电流Isw变成稳定电流，就能够构成比起发光效率来更适用于控制阈值电流Ith变化大的半导体激光器Ld的电路，从而获得和前述第1实施方式相同的效果。

这里，在图2中，也可以将APC输出端子APCO连接到开关电流控制端子VSW里，将基准电压输出端子VREFO连接到偏流电流控制端子VBI里，这样的话，图2就变成图3所示的了。在图3中，与图2等同或相同的部件用相同的符号来表示，即使在图3中，作为第2基准电压Vref2，也可以使用由基准电压发生电路40产生的第1基准电压Vref1。

图3的半导体激光器驱动设备1a，由于对应于记忆电路30的输出电压Vsh开关电流Isw得到控制，偏流电流Ibi变成稳定的电流，就能够构成比起控制阈值电流Ith来更适用于发光效率变化大的半导体激光器Ld的电路，从而获得和图2所示情况相同的效果。

如此，根据本第2实施方式的半导体激光器驱动设备，因为在半导体设备2a内设置了基准电压发生电路40，在能够获得与第1实施方式相同的效果的同时，还由于不需要外部来的基准电源，从而能够实现更小型化和比成本化。更进一步地，由于仅通过改变外部的连接，就能够构成通过APC来控制偏流电流Ibi的电路，和控制开关电流Isw的电流，不仅能够对应于阈值电流Ith变化大的半导体激光器Ld，也能够对应于发光效率变化大的半导体激光器Ld。第3实施方式

本发明的第3实施方式是在前述第2实施方式中，在半导体设备2a内分别设置了第1切换开关SW1以及第2切换开关SW2，来对输入到运算放大电路11以及21的各反相输入端里的电压进行切换，从而来进行图2以及图3所示的动作。

图4所示是本发明的第3实施方式中的半导体激光器驱动设备的电路示意图。还有，图4中用相同的符号来表示与图2等同或相同的部件，并在省略其说明的同时仅对不同于图2的部分作说明。

图4与图2的不同之处在于，在图2的半导体设备2a内分别设置第1切换开关SW1以及第2切换开关SW2的同时，在图2的半导体设备2a内的记忆电路30里设置图2的采样保持电容器Csh，因此将图2的记忆电路30改为记忆电流30b，将图2的半导体设备2a改为半导体设备2b，将图2的半导体激光器驱动设备1a改为半导体激光器驱动设备1b。

在图4中，半导体激光器驱动设备1b包括构成IC的半导体设备2b、光二极管Pd、可变电阻Rpd、开关电流设定电阻Rsw、偏流电流设定电阻Rbi等。半导体设备2b包括开关电流生成电路10、偏流电流生成电路20、记忆电路30b、基准电压发生电路40、数据信号驱动电路51、电流加算电流52、开关电流控制开关SW51、第1切换开关SW1、第2切换开关SW2等。而且，半导体设备2b还包括切换信号输入端子CHSW、开关电流设定端子RSW、写入数据端子DATA、DATAB、偏流电流设定端子RBI、半导体激光器连接端子LD、光二极管连接端子PD、基准电压输入端子VREFI、APC信号输入端子APCI、电源端子VDD、接地端子GND、以及基准电压输出端子VREFO等。

记忆电路30b包括运算放大电路31、开关SW31以及采样保持电容器Csh。开关SW31的一端连接在运算放大电路31的输出端里，开关SW31的另一端连接在第1切换开关SW1的共通端子C里，在该连接部和接地电压之间连接有采样保持电容器Csh。在第1切换开关SW1中，端子A连接到运算放大电路21的同相输入端里，端子B连接到运算放大电路11的反相输入端里，在共通端子C里输入有记忆电路30b的输出电压Vsh。在第2切换开关SW2中，端子A连接到运算放大电路11的反相输入端里，端子B连接到运算放大电路21的同相输入端里，在共通端子C里输入有第1基准电压Vref1。

第1切换开关SW1以及第2切换开关SW2的动作通过输入到切换信号输入端子CHSW里的切换信号Sch分别得到控制。例如，第1切换开关SW1以及第2切换开关SW2当切换信号Sch为低水平(low level)时，就分别将共通端子C连接到端子A里，当切换信号Sch为高水平(high level)时，就分别将共通端子C连接到端子B里。在切换信号Sch为低水平(low level)的第1切换开关SW1以及第2切换开关SW2中，当各自的共通端子C被连接到端子A里时，在记忆电路30b的输出电压Vsh被输入到偏流电流生成电路20中的运算放大电路21的反相输入端里的同时，来自于基准电压发生电路40的第1基准电压Vref1被输入到开关电流生成电路10中的运算放大电路11的反相输入端里。这种状态因为与图2的电路完全相同，所以偏流电流Ibi就通过APC来得到控制。

与此相对，当切换信号Sch为高水平(high level)时，在第l切换开关SW1以及第2切换开关SW2中，各自的共通端子C被连接到端子B里，记忆电路30b的输出电压Vsh被输入到开关电流生成电路10中的运算放大电路11的反相输入端里的同时，来自于基准电压发生电路40的第1基准电压Vref1被输入到偏流电流生成电路20中的运算放大电路21的反相输入端里。这种状态因为与图3的电路完全相同，所以开关电流Isw就通过APC来得到控制。

如此，第3实施方式中的半导体激光器驱动设备，在可以获得与第2实施方式相同效果的同时，因为能够通过切换信号Sch来切换控制电流，所以无需变更半导体设备的外部连接，就不仅能够在阈值电流Ith变动大的半导体激光器Ld中使用，也能够在发光效率变化大的半导体激光器Ld中使用。

第4实施方式

在第2以及第3实施方式中，也可以不使用半导体设备内的记忆电路，而使用设置在外部的APC控制电路5的输出电压。这种电路构成就如同本发明的第4实施方式所示了。

图5所示是本发明的第4实施方式中的半导体激光器驱动设备的电路示意图。还有，图5中用相同的符号来表示与图2等同或相同的部件，并在省略其说明的同时仅对不同于图2的部分作说明。

图5中不同于图2的地方是，不使用图2的记忆电路30，而通过外部的APC控制电路5来进行记忆电路30的动作，在除去图2的采样保持电容器Csh的同时，不需要APC信号以及第2基准电压Vref2的输入，而切断光二极管连接端子PD的连接，并因此将图2的半导体激光器驱动设备1a改为半导体激光器驱动设备1c。

在图5中，半导体激光器驱动设备1c包括构成IC的半导体设备2a、光二极管Pd、可变电阻Rpd、开关电流设定电阻Rsw以及偏流电流设定电阻Rbi等。图5中虽然在半导体设备2a里设置了记忆电路30，但也可以不设置。

通过电阻Rpd变换后的电压被输入到外部APC控制电路5里。通过或开放APC信号输入端子APCI，或将高水平的信号输入到APC信号输入端子APCI里，来使开关SW31处于常时切断的遮断状态里，从而停止记忆电路30的动作。外部APC控制电路5进行与图2的记忆电路30相同的动作，生成相当于记忆电路30的输出电压Vsh的电压后，输出到半导体设备2a的偏流电流控制端子VBI里。其他动作因为与图2情况相同，省略其说明。

另外，图5是以图2所示构成的半导体激光器驱动设备为例作了说明，图3所示构成的半导体激光器驱动设备的情况如图6所示。

在图6中，通过电阻Rpd变换后的电压被输入到外部APC控制电路5里。通过或开放APC信号输入端子APCI，或将高水平的信号输入到APC信号输入端子APCI里，来使开关SW31处于常时切断的遮断状态里，从而停止记忆电路30的动作。外部APC控制电路5进行与图3的记忆电路30相同的动作，生成相当于记忆电路30的输出电压Vsh的电压后，输出到半导体设备2a的开关电流控制端子VSW里。其他动作因为与图3情况相同，省略其说明。

另外，在图6中，也可以是通过外部APC控制电路5来产生第1基准电压Vref1，这时的情况就从图6变为图7了。在图7中，虽然在半导体设备2a里设置了基准电压发生电路40，也可以不使用基准电压发生电路40。图7中，除了由外部APC控制电路5所生成的电压被输入到偏流电流控制端子VBI里之外，其他部分因与图6相同而省略其说明。通过图7所示的构成，就能够通过APC来对偏流电流Ibi和开关电流Isw的双方同时进行控制。

还有，在图5以及图6中，是以第2实施方式为例作说明的，对于第3实施方式中图4所示的半导体激光器驱动设备的构成情况如图8所示。在图8中，用相同的符号来表示与图4等同或相同的部件，并在省略其说明的同时仅对不同于图4的部分作说明。

图5中不同于图4的地方是，在不使用图4的记忆电路30b，而通过外部的APC控制电路5来进行记忆电路30b的动作的同时，除去APC信号以及第2基准电压Vref2的输入，从而切断光二极管连接端子PD的连接，并因此将图4的半导体激光器驱动设备1b改为半导体激光器驱动设备1c。

在图8中，半导体激光器驱动设备1c包括半导体设备2b、光二极管Pd、可变电阻Rpd、开关电流设定电阻Rsw以及偏流电流设定电阻Rbi等。图8中虽然在半导体设备2b里设置了记忆电路30b，但也可以不设置。

通过电阻Rpd变换后的电压被输入到外部APC控制电路5里。通过或开放APC信号输入端子APCI，或将高水平的信号输入到APC信号输入端子APCI里，来使开关SW31处于常时切断的遮断状态里，从而停止记忆电路30的动作。外部APC控制电路5进行与图4的记忆电路30b相同的动作，生成相当于记忆电路30b的输出电压Vsh的电压后，输出到APC输出端子APCO里。其他动作因为与图4情况相同，省略其说明。

如此，第4实施方式的半导体激光器驱动设备由于是通过外部的外部APC控制电路5，来进行第2以及第3实施方式中的记忆电路30、30b的动作，还有记忆电路30和基准电压发生电路40的各动作，就能够进行更精确的APC。

另外，上述第1至第4实施方式中的半导体激光器驱动设备也可以使用于激光打印机或数字复印机等图像形成设备里。

本专利申请的基础和优先权要求是2007年11月30日、在日本专利局申请的日本专利申请JP2007-310418，其全部内容在此引作结合。

从以上所述还可以有许多的改良和变化。亦即，在权利要求的范围内，该专利说明书的公开内容不局限于上述的说明。

Claims (24)

1.一种半导体设备，其通过将偏流电流和开关电流加算后的驱动电流来驱动半导体激光器，为了使所述半导体激光器的光量达到规定的光量，而执行对供给到所述半导体激光器里的电流进行自动控制的APC，其特征在于包括：

开关电流控制端子，其用于对所述开关电流进行电流控制；

开关电流生成电路，其包括用于设定所述开关电流的电流值的开关电流设定端子，生成并输出所述开关电流以使输入到所述开关电流设定端子里的电压，和输入到所述开关电流控制端子里的电压相等；

偏流电流控制端子，其用于对所述偏流电流进行电流控制；

偏流电流生成电路，其包括用于设定所述偏流电流的电流值的偏流电流设定端子，生成并输出所述偏流电流以使输入到所述偏流电流设定端子里的电压，和输入到所述偏流电流控制端子里的电压相等；

记忆电路，对应于所述半导体激光器的发光量的电压被输入后，所述记忆电路生成并记忆输出使所述被输入的电压与显示规定光量的规定的第2基准电压相等的电压；

APC输出端子，其用于将所述记忆电路的输出电压输出到外部；

电流加算电路，其将所述开关电流和所述偏流电流加算后生成所述驱动电流。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于包括：

基准电压发生电路，其生成并输出规定的第1基准电压；

基准电压输出端子，其用于将所述第1基准电压输出到外部里。

3.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：

所述APC输出端子被连接到所述偏流电流控制端子或所述开关电流控制端子的其中一方里。

4.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于：

所述APC输出端子在被连接到所述偏流电流控制端子里的同时，所述基准电压输出端子被连接到所述开关电流控制端子里，所述电流加算电路在，通过所述记忆电路的输出电压来控制其电流值的所述偏流电流里，将具有稳定电流值的所述开关电流加算后生成所述驱动电流。

5.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于：

所述APC输出端子在被连接到所述开关电流控制端子里的同时，所述基准电压输出端子被连接到所述偏流电流控制端子里，所述电流加算电路在，通过所述记忆电路的输出电压来控制其电流值的所述开关电流里，将具有稳定电流值的所述偏流电流加算后生成所述驱动电流。

6.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于：

所述开关电流控制端子输入有用于控制在外部生成的所述半导体激光器光量的光量控制信号，所述偏流电流控制端子连接到所述基准电压输出端子里。

7.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于：

所述偏流电流控制端子输入有用于控制在外部生成的所述半导体激光器光量的光量控制信号，所述开关电流控制端子连接到所述基准电压输出端子里。

8.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于：

所述开关电流控制端子以及偏流电流控制端子，分别输入有用于控制在外部生成的所述半导体激光器光量的光量控制信号。

9.一种半导体设备，其通过将偏流电流和开关电流加算后的驱动电流来驱动半导体激光器，为了使所述半导体激光器的光量达到规定的光量，而执行对供给到所述半导体激光器里的电流进行自动控制的APC，其包括：

开关电流生成电路，其分别包括用于设定所述开关电流的电流值的开关电流设定端子，以及用于对所述开关电流进行电流控制的开关电流控制端子，生成并输出所述开关电流以使输入到所述开关电流设定端子里的电压，和输入到所述开关电流控制端子里的电压相等；

偏流电流生成电路，其分别包括用于设定所述偏流电流的电流值的偏流电流设定端子，以及用于对所述偏流电流进行电流控制的偏流电流控制端子，生成并输出所述偏流电流以使输入到所述偏流电流设定端子里的电压，和输入到所述偏流电流控制端子里的电压相等；

记忆电路，对应于所述半导体激光器的发光量的电压被输入后，所述记忆电路生成并记忆输出使所述被输入的电压与显示规定光量的规定的第2基准电压相等的电压；

基准电压发生电路，其生成并输出规定的第1基准电压；

第1切换装置，其根据输入的切换信号，将所述记忆电路的输出电压输出到所述偏流电流控制端子和所述开关电流控制端子的其中一方里；

第2切换装置，其根据输入的切换信号，将所述第1基准电压输出到所述偏流电流控制端子和所述开关电流控制端子的其中一方里；

切换信号输入端子，其输入来自于外部的所述切换信号，其特征在于：

所述第1切换装置和所述第2切换装置根据所述切换信号，将所述记忆电路的输出电压以及所述基准电压，对应于所述偏流电流控制端子以及开关电流控制端子来输出。

10.根据权利要求9所述的半导体设备，其特征在于包括：

用于将所述记忆电路的输出电压输出到外部里的APC输出端子。

11.根据权利要求10所述的半导体设备，其特征在于：

还包括APC信号输入端子，所述APC信号由外部输入，用于进行所述APC，所述记忆电路根据输入到所述APC信号输入端子里的APC信号来输出所述电压，并在所述APC信号输入端子里，在输入所述APC信号以使所述记忆电路停止电压输出的同时，在所述APC输出端子里，由外部输入用于控制所述半导体激光器光量的光量控制信号。

12.一种半导体激光器驱动设备，其执行对供给到半导体激光器里以获得规定光量的电流进行自动控制的APC，来对所述半导体激光器进行驱动控制，其包括：

光量检测电路部，其对所述半导体激光器的发光量进行检测后，来生成并输出对应于所检测到的发光量的电压；

半导体设备，其通过将偏流电流和开关电流加算后的驱动电流来驱动半导体激光器，并为了使由所述光量检测电路部所检测到的所述半导体激光器的光量达到规定的光量，而执行对供给到所述半导体激光器里的电流进行自动控制的APC；

所述半导体设备包括：

开关电流控制端子，其用于对所述开关电流进行电流控制；

开关电流生成电路，其包括用于设定所述开关电流的电流值的开关电流设定端子，生成并输出所述开关电流以使输入到所述开关电流设定端子里的电压，和输入到所述开关电流控制端子里的电压相等；

偏流电流控制端子，其用于对所述偏流电流进行电流控制；

偏流电流生成电路，其包括用于设定所述偏流电流的电流值的偏流电流设定端子，生成并输出所述偏流电流以使输入到所述偏流电流设定端子里的电压，和输入到所述偏流电流控制端子里的电压相等；

记忆电路，生成并记忆输出使所述光量检测电路部的输出电压与显示所述规定光量的规定的第2基准电压相等的电压；

APC输出端子，其用于将所述记忆电路的输出电压输出到外部；

电流加算电路，其将所述开关电流和所述偏流电流加算后生成所述驱动电流。

13.根据权利要求12所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于所述半导体设备包括：

基准电压发生电路，其生成并输出规定的第1基准电压；

基准电压输出端子，其用于将所述第1基准电压输出到外部里。

14.根据权利要求12所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于：

所述APC输出端子被连接到所述偏流电流控制端子或所述开关电流控制端子的其中一方里。

15.根据权利要求13所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于：

所述APC输出端子在被连接到所述偏流电流控制端子里的同时，所述基准电压输出端子被连接到所述开关电流控制端子里，所述电流加算电路在，通过所述记忆电路的输出电压来控制其电流值的所述偏流电流里，将具有稳定电流值的所述开关电流加算后生成所述驱动电流。

16.根据权利要求13所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于：

所述APC输出端子在被连接到所述开关电流控制端子里的同时，所述基准电压输出端子被连接到所述偏流电流控制端子里，所述电流加算电路在，通过所述记忆电路的输出电压来控制其电流值的所述开关电流里，将具有稳定电流值的所述偏流电流加算后生成所述驱动电流。

17.根据权利要求13所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于：

所述开关电流控制端子输入有用于控制在外部生成的所述半导体激光器光量的光量控制信号，所述偏流电流控制端子连接到所述基准电压输出端子里。

18.根据权利要求13所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于：

所述偏流电流控制端子输入有用于控制在外部生成的所述半导体激光器光量的光量控制信号，所述开关电流控制端子连接到所述基准电压输出端子里。

19.根据权利要求13所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于：

所述开关电流控制端子以及偏流电流控制端子，分别输入有用于控制在外部生成的所述半导体激光器光量的光量控制信号。

20.一种半导体激光器驱动设备，其执行对供给到半导体激光器里以获得规定光量的电流进行自动控制的APC，来对所述半导体激光器进行驱动控制，其包括：

光量检测电路部，其对所述半导体激光器的发光量进行检测后，来生成并输出对应于所检测到的发光量的电压；

半导体设备，其通过将偏流电流和开关电流加算后的驱动电流来驱动半导体激光器，并为了使由所述光量检测电路部所检测到的所述半导体激光器的光量达到规定的光量，而执行对供给到所述半导体激光器里的电流进行自动控制的APC；

所述半导体设备包括：

开关电流生成电路，其分别包括用于设定所述开关电流的电流值的开关电流设定端子，以及用于对所述开关电流进行电流控制的开关电流控制端子，生成并输出所述开关电流以使输入到所述开关电流设定端子里的电压，和输入到所述开关电流控制端子里的电压相等；

偏流电流生成电路，其分别包括用于设定所述偏流电流的电流值的偏流电流设定端子，以及用于对所述偏流电流进行电流控制的偏流电流控制端子，生成并输出所述偏流电流以使输入到所述偏流电流设定端子里的电压，和输入到所述偏流电流控制端子里的电压相等；

记忆电路，生成并记忆输出使所述光量检测电路部的输出电压与显示所述规定光量的规定的第2基准电压相等的电压；

基准电压发生电路，其生成并输出规定的第1基准电压；

第1切换装置，其根据输入的切换信号，将所述记忆电路的输出电压输出到所述偏流电流控制端子和所述开关电流控制端子的其中一方里；

第2切换装置，其根据输入的切换信号，将所述第1基准电压输出到所述偏流电流控制端子和所述开关电流控制端子的其中一方里；

切换信号输入端子，其输入来自于外部的所述切换信号，其特征在于：

所述第1切换装置和所述第2切换装置根据所述切换信号，将所述记忆电路的输出电压以及所述基准电压，对应于所述偏流电流控制端子以及开关电流控制端子来输出。

21.根据权利要求20所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于所述半导体设备包括：

用于将所述记忆电路的输出电压输出到外部里的APC输出端子。

22.根据权利要求21所述的半导体激光器驱动设备，其特征在于：

所述半导体设备包括APC信号输入端子，所述APC信号由外部输入，用于进行所述APC，所述记忆电路根据输入到所述APC信号输入端子里的APC信号来输出所述电压，并在所述APC信号输入端子里，在输入所述APC信号以使所述记忆电路停止电压输出的同时，在所述APC输出端子里，由外部输入用于控制所述半导体激光器光量的光量控制信号。

23.一种图像形成设备，其特征在于包括：

权利要求1至11中任何一项所述的半导体设备。

24.一种图像形成设备，其特征在于包括：

权利要求12至22中任何一项所述的半导体激光器驱动设备。

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