JP5292808B2 - 半導体レーザ駆動装置及びその半導体レーザ駆動装置を備えた画像形成装置 - Google Patents
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Description
図15は、半導体レーザ駆動装置の従来例を示した図である。
図15において、レーザダイオード等の半導体レーザLDから照射された光をフォトダイオードPDで受光すると、フォトダイオードPDは受光した光量に比例したモニタ電流Imを出力する。
図16及び17は、半導体レーザLDが劣化したときの特性例を示した図である。
図16及び17から分かるように、経年変化等によって半導体レーザLDが劣化すると、半導体レーザLDのしきい値電流Ithが増大し、駆動電流に対する発光量の傾きも劣化前よりも劣化後のほうが明らかに小さくなっている。このため、同じ光量を得るには、劣化前の駆動電流Iopより大きな駆動電流を必要とし、より大きな駆動電流を半導体レーザLDに供給する必要があった。更に、半導体レーザの劣化が進むと、半導体レーザLDに供給される駆動電流は絶対最大定格値Imaxを超えてしまい、半導体レーザLDに不具合が発生するという問題があった。
そこで、図18で示すように、半導体レーザLDに流れた電流値を、半導体レーザLDに直列に接続した抵抗111と増幅回路112で検出し、該検出した電流と予め設定された基準電流とを比較回路113で比較し、検出した電流が該基準電流以上になったときに半導体レーザLDが劣化したことを報知するようにしたものがあった(例えば、特許文献1参照。)。
入力されたスイッチング電流設定信号に応じた値の前記スイッチング電流を生成し、入力された制御信号に応じて、該生成したスイッチング電流を前記半導体レーザへ供給するスイッチ電流生成回路部と、
入力されたバイアス電流設定信号に応じた値の前記バイアス電流を生成して前記半導体レーザに供給するバイアス電流生成回路部と、
前記半導体レーザの発光量の検出を行い、該検出した発光量が所望の値になるように前記バイアス電流設定信号を生成して前記バイアス電流生成回路部の動作制御を行う制御回路部と、
該制御回路部から出力された前記バイアス電流設定信号から前記半導体レーザの劣化検出を行い、該劣化検出結果を示す劣化検出信号を生成して出力する劣化検出回路部と、
を備え、
前記劣化検出回路部は、前記バイアス電流設定信号が所定値以上のバイアス電流を生成することを示していると、前記半導体レーザの劣化を検出したことを示す所定の前記劣化検出信号を生成して出力するものである。
入力されたスイッチング電流設定信号に応じた値の前記スイッチング電流を生成し、入力された制御信号に応じて、該生成したスイッチング電流を前記半導体レーザへ供給するスイッチ電流生成回路部と、
入力されたバイアス電流設定信号に応じた値の前記バイアス電流を生成して前記半導体レーザに供給するバイアス電流生成回路部と、
前記半導体レーザの発光量の検出を行い、該検出した発光量が所望の値になるように前記スイッチング電流設定信号を生成して前記スイッチング電流生成回路部の動作制御を行う制御回路部と、
該制御回路部から出力された前記スイッチング電流設定信号から前記半導体レーザの劣化検出を行い、該劣化検出結果を示す劣化検出信号を生成して出力する劣化検出回路部と、
を備え、
前記劣化検出回路部は、前記スイッチング電流設定信号が所定値以上のスイッチング電流を生成することを示していると、前記半導体レーザの劣化を検出したことを示す所定の前記劣化検出信号を生成して出力するものである。
前記検出した発光量に応じたモニタ電圧を生成する光量検出回路と、
該モニタ電圧と所定の第1基準電圧との電圧差を増幅して出力する第1演算増幅回路と、
該第1演算増幅回路の出力電圧を、サンプリングして保持し前記バイアス電流設定信号をなす電圧を生成する第1サンプルホールド回路と、
を備え、
前記劣化検出回路部は、該第1サンプルホールド回路で生成された電圧が所定値以上の前記バイアス電流を生成することを示していると、前記半導体レーザの劣化を検出したことを示す所定の前記劣化検出信号を生成して出力するようにした。
前記検出した発光量に応じたモニタ電圧を生成する光量検出回路と、
該モニタ電圧と所定の第2基準電圧との電圧差を増幅して出力する第2演算増幅回路と、
該第2演算増幅回路の出力電圧を、サンプリングして保持し前記スイッチング電流設定信号をなす電圧を生成する第2サンプルホールド回路と、
を備え、
前記劣化検出回路部は、該第2サンプルホールド回路で生成された電圧が所定値以上の前記スイッチング電流を生成することを示していると、前記半導体レーザの劣化を検出したことを示す所定の前記劣化検出信号を生成して出力するようにした。
所定の第1電圧を生成して出力する第1電圧生成回路と、
前記第1サンプルホールド回路の出力電圧と該第1電圧との電圧比較を行い、該比較結果を示す前記劣化検出信号を生成して出力する第1電圧比較回路と、
を備えるようにした。
所定の第2電圧を生成して出力する第2電圧生成回路と、
前記第2サンプルホールド回路の出力電圧と該第2電圧との電圧比較を行い、該比較結果を示す前記劣化検出信号を生成して出力する第2電圧比較回路と、
を備えるようにした。
前記バイアス電流設定信号をなす電圧を電流に変換する第1電圧‐電流変換回路と、
該第1電圧‐電流変換回路で変換された電流が流れるバイアス電流設定用抵抗と、
を備えるようにした。
前記スイッチング電流設定信号をなす電圧を電流に変換する第2電圧‐電流変換回路と、
該第2電圧‐電流変換回路で変換された電流が流れるスイッチング電流設定用抵抗と、
外部から入力された信号に応じて、前記第2電圧‐電流変換回路及び該スイッチング電流設定用抵抗で生成されたスイッチング電流の出力制御を行うスイッチング電流制御用スイッチと、
を備えるようにした。
前記検出した発光量に応じたモニタ電圧を生成する光量検出回路と、
該モニタ電圧をA/D変換して得られたデジタルコードと所定の第1基準コードとの比較を行い、該比較結果を示す第1駆動コードを生成して前記バイアス電流設定信号として出力する第1駆動コード生成回路と、
を備え、
前記劣化検出回路部は、前記第1駆動コードが所定値以上のバイアス電流を生成することを示していると、前記半導体レーザの劣化を検出したことを示す所定の前記劣化検出信号を生成して出力するようにしてもよい。
前記検出した発光量に応じたモニタ電圧を生成する光量検出回路と、
該モニタ電圧をA/D変換して得られたデジタルコードと所定の第2基準コードとの比較を行い、該比較結果を示す第2駆動コードを生成して前記スイッチング電流設定信号として出力する第2駆動コード生成回路と、
を備え、
前記劣化検出回路部は、前記第2駆動コードが所定値以上のスイッチング電流を生成することを示していると、前記半導体レーザの劣化を検出したことを示す所定の前記劣化検出信号を生成して出力するようにしてもよい。
前記第2駆動コードに応じた前記スイッチング電流を生成し出力する電流出力型の第2D/A変換回路と、
外部から入力された信号に応じて、該第2D/A変換回路で生成されたスイッチング電流の出力制御を行うスイッチング電流制御用スイッチと、
を備えるようにした。
第1の実施の形態.
図1は、本発明の第1の実施の形態における半導体レーザ駆動装置の回路例を示した図である。
図1において、半導体レーザ駆動装置1は、レーザダイオード等の半導体レーザLDの順方向電流‐光出力特性(i‐L特性)が温度変化や経年劣化によって変動するため、一般的に、半導体レーザLDの光量を常に一定に保つための制御、すなわちAPCを行う。半導体レーザ駆動装置1は、半導体レーザLDの発光量をフォトダイオードPDで受光し、該受光した光量に応じて前記APCを実行する。なお、以下、半導体レーザ駆動装置1がレーザプリンタやデジタル複写機等の画像形成装置に使用される場合を想定して説明する。
半導体レーザLDには、NMOSトランジスタM1とバイアス電流設定用抵抗Rbiの直列回路に流れる電流であるバイアス電流Ibiが流れると共に、画像データ信号DATAによってスイッチSW2がオンしたときに、NMOSトランジスタM2とスイッチング電流設定用抵抗Rswの直列回路に流れる電流であるスイッチング電流Iswが流れる。このように、バイアス電流Ibiは、予め設定されたスイッチング電流Iswと加算されて半導体レーザLDから所定の光量を得るための駆動電流Iopとして半導体レーザLDに供給され、APC制御が行われる。
SW1がオフして遮断状態になるため、サンプルホールドコンデンサCshに充電された電圧が、バイアス電流設定電圧Vbiになる。バイアス電流Ibiは、半導体レーザLDのしきい値電流Ithに追随し、しきい値電流Ith以下であるようにAPC制御を行うことが望ましい。
スイッチング電流設定電圧Vswは外部から入力されるようにしてもよく、この場合、駆動電流制御回路6はなくても問題ないが、駆動電流制御回路6は、APC制御回路2からの出力電圧であるバイアス電流設定電圧Vbiやバイアス電流Ibiから個々の半導体レーザLDの特性、特にしきい値電流Ithを割り出し、スイッチング電流Iswの初期値を最適に設定するための回路をなす。このようなスイッチング電流設定電圧Vswの設定は、例えば特開2007−73543号公報や特許第3466599号公報に開示されているような方法で行うことができる。
Iopmax(又はImax)−Isw=Ibimax≒Verr/rbi(=Ierr)………………(1)
前記第1の実施の形態では、アナログ回路で構成した場合を例にして示したが、電流出力型のD/Aコンバータを使用したデジタル回路で構成するようにしてもよく、このようにしたものを本発明の第2の実施の形態とする。
図12は、本発明の第2の実施の形態における半導体レーザ駆動装置の回路構成例を示した図である。なお、図12では、図1と同じもの又は同様のものは同じ符号で示しており、図11のようにバイアス電流Ibiとスイッチング電流Iswの両方の電流に対してAPC制御を行う場合を例にして示している。
図12において、半導体レーザ駆動装置1cは、半導体レーザLDの光量をフォトダイオードPDで受光し、該受光した光量に応じて前記APCを実行する。
D/A変換回路31及び32は、各ビットに対応した数の電流セルを有している。例えば、図14で示すように、電流セルの数が、1ビット目に対して20個、2ビット目に対して21個、3ビット目に対して22個、nビット目に対して2n−1個になるように、電流セルの個数で各ビットが重み付けされており、ビットが「1」のときに該ビットに対応する電流セルから電流が出力される。すなわち、nビット目が「1」になると、対応する2n−1個の電流セルから電流が出力されることになる。また、各電流セルは、同一の形状で、同一の特性を有している。各電流セルの定電流を外部から設定できるようにすることにより、D/A変換回路のフルスケールを可変して、個々の半導体レーザLDの特性(例えば、Ithmax、Iηmax)に対応したバイアス電流Ibi及びスイッチング電流Iswのフルスケール電流を決定することにより、半導体レーザLDの劣化検出精度を向上させることができる。
また、APC制御論理回路から出力された駆動コードが示す電流値が、対応する参照コードが示す電流値を上回ると、該APC制御論理回路の出力コードを0に設定、又はある出力コードに制限することにより、半導体レーザLDの劣化がこれ以上進まないようにすることができる。
また、前記第1の実施の形態では、電源電圧VDDを分圧回路で分圧して参照電圧を生成するようにしたが、本発明は、これに限定するものではなく、該分圧回路の代わりに所定の参照電圧を生成して出力する電圧生成回路を使用してもよく、この場合、該電圧生成回路は生成する参照電圧の電圧値を変える手段を有するようにしてもよい。
2,2c APC制御回路
3,3c バイアス電流生成回路
4,4c スイッチング電流生成回路
5 劣化検出回路
6,6c 駆動電流制御回路
11,11a,11b,15,16,18 演算増幅回路
17,17a,17b コンパレータ
21,22 A/D変換回路
23,24 APC制御論理回路
25,26 参照コード設定回路
31,32 D/A変換回路
LD 半導体レーザ
PD フォトダイオード
Rpd 可変抵抗
Rbi バイアス電流設定用抵抗
Rsw スイッチング電流設定用抵抗
R1,R2,R1a,R2a,R1b,R2b 抵抗
SW1,SW2,SW1a,SW1b スイッチ
M1〜M3 NMOSトランジスタ
Csh,Csha,Cshb サンプルホールドコンデンサ
Claims (21)
- バイアス電流とスイッチング電流を加算した駆動電流により半導体レーザを駆動し、該半導体レーザの光量が所定の光量になるように該半導体レーザに供給する電流を自動的に制御する半導体レーザ駆動装置において、
入力されたスイッチング電流設定信号に応じた値の前記スイッチング電流を生成し、入力された制御信号に応じて、該生成したスイッチング電流を前記半導体レーザへ供給するスイッチ電流生成回路部と、
入力されたバイアス電流設定信号に応じた値の前記バイアス電流を生成して前記半導体レーザに供給するバイアス電流生成回路部と、
前記半導体レーザの発光量の検出を行い、該検出した発光量が所望の値になるように前記バイアス電流設定信号を生成して前記バイアス電流生成回路部の動作制御を行う制御回路部と、
該制御回路部から出力された前記バイアス電流設定信号から前記半導体レーザの劣化検出を行い、該劣化検出結果を示す劣化検出信号を生成して出力する劣化検出回路部と、
を備え、
前記劣化検出回路部は、前記バイアス電流設定信号が所定値以上のバイアス電流を生成することを示していると、前記半導体レーザの劣化を検出したことを示す所定の前記劣化検出信号を生成して出力することを特徴とする半導体レーザ駆動装置。 - 前記制御回路部は、前記検出した発光量が所望の値になるように前記スイッチング電流設定信号を生成して前記スイッチング電流生成回路部の動作制御を行い、前記劣化検出回路部は、該制御回路部から出力された前記バイアス電流設定信号及び該スイッチング電流設定信号から前記半導体レーザの劣化検出を行い、該劣化検出結果を示す劣化検出信号を生成して出力することを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ駆動装置。
- バイアス電流とスイッチング電流を加算した駆動電流により半導体レーザを駆動し、該半導体レーザの光量が所定の光量になるように該半導体レーザに供給する電流を自動的に制御する半導体レーザ駆動装置において、
入力されたスイッチング電流設定信号に応じた値の前記スイッチング電流を生成し、入力された制御信号に応じて、該生成したスイッチング電流を前記半導体レーザへ供給するスイッチ電流生成回路部と、
入力されたバイアス電流設定信号に応じた値の前記バイアス電流を生成して前記半導体レーザに供給するバイアス電流生成回路部と、
前記半導体レーザの発光量の検出を行い、該検出した発光量が所望の値になるように前記スイッチング電流設定信号を生成して前記スイッチング電流生成回路部の動作制御を行う制御回路部と、
該制御回路部から出力された前記スイッチング電流設定信号から前記半導体レーザの劣化検出を行い、該劣化検出結果を示す劣化検出信号を生成して出力する劣化検出回路部と、
を備え、
前記劣化検出回路部は、前記スイッチング電流設定信号が所定値以上のスイッチング電流を生成することを示していると、前記半導体レーザの劣化を検出したことを示す所定の前記劣化検出信号を生成して出力することを特徴とする半導体レーザ駆動装置。 - 前記劣化検出回路部は、前記スイッチング電流設定信号が所定値以上のスイッチング電流を生成することを示していると、前記半導体レーザの劣化を検出したことを示す所定の前記劣化検出信号を生成して出力することを特徴とする請求項2記載の半導体レーザ駆動装置。
- 前記制御回路部は、
前記検出した発光量に応じたモニタ電圧を生成する光量検出回路と、
該モニタ電圧と所定の第1基準電圧との電圧差を増幅して出力する第1演算増幅回路と、
該第1演算増幅回路の出力電圧を、サンプリングして保持し前記バイアス電流設定信号をなす電圧を生成する第1サンプルホールド回路と、
を備え、
前記劣化検出回路部は、該第1サンプルホールド回路で生成された電圧が所定値以上の前記バイアス電流を生成することを示していると、前記半導体レーザの劣化を検出したことを示す所定の前記劣化検出信号を生成して出力することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体レーザ駆動装置。 - 前記制御回路部は、
前記検出した発光量に応じたモニタ電圧を生成する光量検出回路と、
該モニタ電圧と所定の第2基準電圧との電圧差を増幅して出力する第2演算増幅回路と、
該第2演算増幅回路の出力電圧を、サンプリングして保持し前記スイッチング電流設定信号をなす電圧を生成する第2サンプルホールド回路と、
を備え、
前記劣化検出回路部は、該第2サンプルホールド回路で生成された電圧が所定値以上の前記スイッチング電流を生成することを示していると、前記半導体レーザの劣化を検出したことを示す所定の前記劣化検出信号を生成して出力することを特徴とする請求項3又は4記載の半導体レーザ駆動装置。 - 前記劣化検出回路部は、前記半導体レーザの劣化を検出すると、前記バイアス電流が低下するように前記第1サンプルホールド回路の出力端を所定の電圧に接続することを特徴とする請求項5記載の半導体レーザ駆動装置。
- 前記劣化検出回路部は、前記半導体レーザの劣化を検出すると、前記スイッチング電流が低下するように前記第2サンプルホールド回路の出力端を所定の電圧に接続することを特徴とする請求項6記載の半導体レーザ駆動装置。
- 前記劣化検出回路部は、
所定の第1電圧を生成して出力する第1電圧生成回路と、
前記第1サンプルホールド回路の出力電圧と該第1電圧との電圧比較を行い、該比較結果を示す前記劣化検出信号を生成して出力する第1電圧比較回路と、
を備えることを特徴とする請求項5又は7記載の半導体レーザ駆動装置。 - 前記劣化検出回路部は、
所定の第2電圧を生成して出力する第2電圧生成回路と、
前記第2サンプルホールド回路の出力電圧と該第2電圧との電圧比較を行い、該比較結果を示す前記劣化検出信号を生成して出力する第2電圧比較回路と、
を備えることを特徴とする請求項6又は8記載の半導体レーザ駆動装置。 - 前記第1電圧生成回路は、前記第1電圧の電圧値を変える手段を有することを特徴とする請求項9記載の半導体レーザ駆動装置。
- 前記第2電圧生成回路は、前記第2電圧の電圧値を変える手段を有することを特徴とする請求項10記載の半導体レーザ駆動装置。
- 前記バイアス電流生成回路部は、
前記バイアス電流設定信号をなす電圧を電流に変換する第1電圧‐電流変換回路と、
該第1電圧‐電流変換回路で変換された電流が流れるバイアス電流設定用抵抗と、
を備えることを特徴とする請求項5、7、9又は11記載の半導体レーザ駆動装置。 - 前記スイッチング電流生成回路部は、
前記スイッチング電流設定信号をなす電圧を電流に変換する第2電圧‐電流変換回路と、
該第2電圧‐電流変換回路で変換された電流が流れるスイッチング電流設定用抵抗と、
外部から入力された信号に応じて、前記第2電圧‐電流変換回路及び該スイッチング電流設定用抵抗で生成されたスイッチング電流の出力制御を行うスイッチング電流制御用スイッチと、
を備えることを特徴とする請求項6、8、10又は12記載の半導体レーザ駆動装置。 - 前記制御回路部は、
前記検出した発光量に応じたモニタ電圧を生成する光量検出回路と、
該モニタ電圧をA/D変換して得られたデジタルコードと所定の第1基準コードとの比較を行い、該比較結果を示す第1駆動コードを生成して前記バイアス電流設定信号として出力する第1駆動コード生成回路と、
を備え、
前記劣化検出回路部は、前記第1駆動コードが所定値以上のバイアス電流を生成することを示していると、前記半導体レーザの劣化を検出したことを示す所定の前記劣化検出信号を生成して出力することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体レーザ駆動装置。 - 前記制御回路部は、
前記検出した発光量に応じたモニタ電圧を生成する光量検出回路と、
該モニタ電圧をA/D変換して得られたデジタルコードと所定の第2基準コードとの比較を行い、該比較結果を示す第2駆動コードを生成して前記スイッチング電流設定信号として出力する第2駆動コード生成回路と、
を備え、
前記劣化検出回路部は、前記第2駆動コードが所定値以上のスイッチング電流を生成することを示していると、前記半導体レーザの劣化を検出したことを示す所定の前記劣化検出信号を生成して出力することを特徴とする請求項3又は4記載の半導体レーザ駆動装置。 - 前記バイアス電流生成回路部は、前記第1駆動コードに応じた前記バイアス電流を生成し出力する電流出力型の第1D/A変換回路を備えることを特徴とする請求項15記載の半導体レーザ駆動装置。
- 前記スイッチング電流生成回路部は、
前記第2駆動コードに応じた前記スイッチング電流を生成し出力する電流出力型の第2D/A変換回路と、
外部から入力された信号に応じて、該第2D/A変換回路で生成されたスイッチング電流の出力制御を行うスイッチング電流制御用スイッチと、
を備えることを特徴とする請求項16記載の半導体レーザ駆動装置。 - 前記第1D/A変換回路は、生成するバイアス電流を、外部から入力された制御信号に応じた電流値以下になるように制限することを特徴とする請求項17記載の半導体レーザ駆動装置。
- 前記第2D/A変換回路は、生成するスイッチング電流を、外部から入力された制御信号に応じた電流値以下になるように制限することを特徴とする請求項18記載の半導体レーザ駆動装置。
- 請求項1から20のいずれかに記載の半導体レーザ駆動装置を備えた画像形成装置。
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JP5504764B2 (ja) | 2009-09-02 | 2014-05-28 | 株式会社リコー | レーザダイオード駆動装置 |
WO2011048492A2 (en) * | 2009-10-20 | 2011-04-28 | Energy Micro AS | Ultra low power regulator |
JP2012033738A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ駆動装置及びその半導体レーザ駆動装置を備えた画像形成装置 |
WO2012106920A1 (zh) * | 2011-07-22 | 2012-08-16 | 华为技术有限公司 | 光模块及其突发发射方法、激光器及光网络*** |
DE102012210905B4 (de) * | 2012-06-26 | 2014-01-09 | Leica Microsystems Cms Gmbh | Mikroskop mit einer Beleuchtungseinrichtung |
JP6238649B2 (ja) * | 2013-09-03 | 2017-11-29 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
JP6682766B2 (ja) * | 2015-03-17 | 2020-04-15 | 日本電気株式会社 | 海底中継器、海底中継器の制御方法、及び海底中継器の制御プログラム |
JP6807811B2 (ja) | 2017-07-19 | 2021-01-06 | 株式会社フジクラ | レーザ装置、レーザ装置の光源の劣化度推定方法 |
JP2019041201A (ja) * | 2017-08-24 | 2019-03-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 駆動装置、駆動方法、及び、発光装置 |
JP2018025821A (ja) * | 2017-10-23 | 2018-02-15 | キヤノン株式会社 | 光走査装置 |
CN108802750B (zh) * | 2018-06-15 | 2023-12-26 | 湖北米朗科技股份有限公司 | 一种用于激光测距的调制驱动电路 |
CN117420479B (zh) * | 2023-12-19 | 2024-03-26 | 成都光创联科技有限公司 | 共阴光器件背光探测器负偏置电流测试电路 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4890288A (en) * | 1986-08-27 | 1989-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Light quantity control device |
JPH05190950A (ja) * | 1992-01-17 | 1993-07-30 | Hitachi Cable Ltd | Ld劣化検出回路 |
JPH07174629A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Mitsubishi Electric Corp | 光劣化検出回路 |
JPH08295048A (ja) | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置 |
JPH0983051A (ja) | 1995-09-19 | 1997-03-28 | Toshiba Corp | レーザダイオード劣化検出回路 |
JP3574580B2 (ja) * | 1999-01-14 | 2004-10-06 | ペンタックス株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2000269898A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Fujitsu Ltd | 光送信回路 |
JP2000280522A (ja) | 1999-03-29 | 2000-10-10 | Canon Inc | 画像形成装置 |
JP2001024272A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Asahi Optical Co Ltd | 半導体レーザの劣化判定回路 |
JP2002329924A (ja) | 2001-03-02 | 2002-11-15 | Ricoh Co Ltd | Ld制御装置及びldの劣化検知方法 |
US6917639B2 (en) | 2001-08-09 | 2005-07-12 | Ricoh Company, Ltd. | Laser driver circuit |
JP3466599B1 (ja) | 2002-05-29 | 2003-11-10 | 株式会社リコー | 半導体レーザ駆動回路及び画像形成装置 |
JP2004022744A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ光発生部制御回路、および、レーザ光発生部制御方法 |
JP2004281566A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Alps Electric Co Ltd | 半導体レーザの駆動回路 |
JP2005057069A (ja) | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ劣化検出装置およびそれを備えた半導体レーザ装置と半導体レーザモジュール組み立て工程 |
JP4066979B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2008-03-26 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子駆動回路、通信装置、及び発光素子駆動方法 |
JP4857579B2 (ja) | 2005-03-28 | 2012-01-18 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子駆動装置及び画像形成装置 |
JP2007073543A (ja) | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ駆動装置及び半導体レーザ駆動装置を有する画像形成装置 |
JP2007173591A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Nec Electronics Corp | レーザダイオード駆動回路 |
US7557519B2 (en) * | 2006-09-14 | 2009-07-07 | Infineon Technologies Ag | Controlling power to light-emitting device |
US7902906B2 (en) * | 2007-01-15 | 2011-03-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving circuit of driving light-emitting device |
US7983333B2 (en) * | 2007-02-09 | 2011-07-19 | Broadcom Corporation | Non-linear analog decision feedback equalizer |
JP4912283B2 (ja) | 2007-11-30 | 2012-04-11 | 株式会社リコー | 半導体装置、その半導体装置を使用した半導体レーザ駆動装置及び画像形成装置 |
JP5292808B2 (ja) | 2007-12-28 | 2013-09-18 | 株式会社リコー | 半導体レーザ駆動装置及びその半導体レーザ駆動装置を備えた画像形成装置 |
US8170506B2 (en) * | 2008-07-29 | 2012-05-01 | Qualcomm Incorporated | Direct current (DC) offset correction using analog-to-digital conversion |
US8089380B2 (en) * | 2009-08-17 | 2012-01-03 | Analog Devices, Inc. | Voltage mode DAC with calibration circuit using current mode DAC and ROM lookup |
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