JPH0530314A - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置Info
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- JPH0530314A JPH0530314A JP3186187A JP18618791A JPH0530314A JP H0530314 A JPH0530314 A JP H0530314A JP 3186187 A JP3186187 A JP 3186187A JP 18618791 A JP18618791 A JP 18618791A JP H0530314 A JPH0530314 A JP H0530314A
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- circuit
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- Laser Beam Printer (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Control Of Exposure In Printing And Copying (AREA)
- Fax Reproducing Arrangements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定性あるレーザ駆動制御を行うと共に、高
密度,高階調の画像記録をも可能とした画像形成装置を
提供すること。 【構成】 ビームによる記録区域外の走査によりビーム
強度を検出するビーム強度検出手段と、前記ビーム強度
検出手段の検出結果に基づいて、レーザビーム発光のた
めの最小しきい値電流を検出するしきい値電流検出手段
と、前記しきい値電流検出手段の検出結果に基づいて、
レーザ電流を制御する第1のレーザ電流制御手段と、前
記ビーム強度検出手段の検出結果に基づいて、ビーム強
度が所定の設定値と等しくなるようレーザ電流を制御す
る第2のレーザ電流制御手段とを具備した。
密度,高階調の画像記録をも可能とした画像形成装置を
提供すること。 【構成】 ビームによる記録区域外の走査によりビーム
強度を検出するビーム強度検出手段と、前記ビーム強度
検出手段の検出結果に基づいて、レーザビーム発光のた
めの最小しきい値電流を検出するしきい値電流検出手段
と、前記しきい値電流検出手段の検出結果に基づいて、
レーザ電流を制御する第1のレーザ電流制御手段と、前
記ビーム強度検出手段の検出結果に基づいて、ビーム強
度が所定の設定値と等しくなるようレーザ電流を制御す
る第2のレーザ電流制御手段とを具備した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザビームのラスタ
スキャンにより記録媒体を走査して画像記録を行う画像
形成装置に関するものである。
スキャンにより記録媒体を走査して画像記録を行う画像
形成装置に関するものである。
【0002】更に詳述すれば本発明は、記録信号により
変調された記録ビームを形成する記録ビーム形成部より
射出されたビームを偏向することにより、記録媒体上に
画像情報の記録を行なう画像形成装置に関するものであ
る。
変調された記録ビームを形成する記録ビーム形成部より
射出されたビームを偏向することにより、記録媒体上に
画像情報の記録を行なう画像形成装置に関するものであ
る。
【0003】
【従来の技術】従来から、感光体をラスタスキャンによ
り走査して静電潜像を形成するためのレーザビーム出力
を、温度変化に対して安定化するために、レーザビーム
出力を光出力検出回路により1水平走査に1度検出し、
この出力信号をレーザ駆動回路にフィードバックし、レ
ーザビーム強度を制御して、レーザ出力が所定の設定値
と常に等しくなるようにオートパワーコントロール(A
PC)を行なうことが知られている。
り走査して静電潜像を形成するためのレーザビーム出力
を、温度変化に対して安定化するために、レーザビーム
出力を光出力検出回路により1水平走査に1度検出し、
この出力信号をレーザ駆動回路にフィードバックし、レ
ーザビーム強度を制御して、レーザ出力が所定の設定値
と常に等しくなるようにオートパワーコントロール(A
PC)を行なうことが知られている。
【0004】このAPC回路については、光出力検出回
路信号をレーザのLED発光領域電流(バイアス電流)
へフィードバックする方式のものと、レーザ発光領域電
流(動作電流)へフィードバックする方式のものが知ら
れている。
路信号をレーザのLED発光領域電流(バイアス電流)
へフィードバックする方式のものと、レーザ発光領域電
流(動作電流)へフィードバックする方式のものが知ら
れている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例のうち、光
出力検出回路信号をレーザバイアス電流へフィードバッ
クするAPC回路において、レーザ温度変化による電流
−光出力カーブの平行シフトについては制御可能であ
る。
出力検出回路信号をレーザバイアス電流へフィードバッ
クするAPC回路において、レーザ温度変化による電流
−光出力カーブの平行シフトについては制御可能であ
る。
【0006】しかしながら、レーザ温度変化によるレー
ザ発光領域の電流−光出力傾き減少により、レーザバイ
アス電流のみを制御した場合、バイアス電流値がLED
発光領域からレーザ発光領域へと移行し、記録信号を入
力しなくても記録媒体への記録がなされてしまうことに
なる。その結果として、複写画像のトナーカブリが生じ
るため、温度変化によりバイアス電流が変化してもレー
ザ発光領域へ移行しない様に、バイアス電流の設定値に
予めマージンをとる必要があった。
ザ発光領域の電流−光出力傾き減少により、レーザバイ
アス電流のみを制御した場合、バイアス電流値がLED
発光領域からレーザ発光領域へと移行し、記録信号を入
力しなくても記録媒体への記録がなされてしまうことに
なる。その結果として、複写画像のトナーカブリが生じ
るため、温度変化によりバイアス電流が変化してもレー
ザ発光領域へ移行しない様に、バイアス電流の設定値に
予めマージンをとる必要があった。
【0007】また、光出力検出回路信号をレーザ動作電
流へフィードバックするAPC回路においては、記録信
号のON時にLED発光領域を経てレーザ発光領域へ移
行するために、さらに記録信号のOFF時にはレーザ発
光領域を経てLED発光領域へ移行するために、レーザ
ビームの出力の立上り・立下り時間が長くなった。その
結果として、この方式のAPC回路は高密度,高階調画
像記録には適さないという問題点があった。
流へフィードバックするAPC回路においては、記録信
号のON時にLED発光領域を経てレーザ発光領域へ移
行するために、さらに記録信号のOFF時にはレーザ発
光領域を経てLED発光領域へ移行するために、レーザ
ビームの出力の立上り・立下り時間が長くなった。その
結果として、この方式のAPC回路は高密度,高階調画
像記録には適さないという問題点があった。
【0008】よって本発明の目的は上述の点に鑑み、安
定性あるレーザ駆動制御を行うと共に、高密度,高階調
の画像記録をも可能とした画像形成装置を提供すること
にある。
定性あるレーザ駆動制御を行うと共に、高密度,高階調
の画像記録をも可能とした画像形成装置を提供すること
にある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、記録信号によ
り変調された記録ビームを形成する記録ビーム形成部よ
り射出されたビームを偏向することにより、記録媒体上
に画像情報の記録を行なう画像形成装置において、前記
ビームによる記録区域外の走査によりビーム強度を検出
するビーム強度検出手段と、前記ビーム強度検出手段の
検出結果に基づいて、レーザビーム発光のための最小し
きい値電流を検出するしきい値電流検出手段と、前記し
きい値電流検出手段の検出結果に基づいて、レーザ電流
を制御する第1のレーザ電流制御手段と、前記ビーム強
度検出手段の検出結果に基づいて、ビーム強度が所定の
設定値と等しくなるようレーザ電流を制御する第2のレ
ーザ電流制御手段とを具備したものである。
り変調された記録ビームを形成する記録ビーム形成部よ
り射出されたビームを偏向することにより、記録媒体上
に画像情報の記録を行なう画像形成装置において、前記
ビームによる記録区域外の走査によりビーム強度を検出
するビーム強度検出手段と、前記ビーム強度検出手段の
検出結果に基づいて、レーザビーム発光のための最小し
きい値電流を検出するしきい値電流検出手段と、前記し
きい値電流検出手段の検出結果に基づいて、レーザ電流
を制御する第1のレーザ電流制御手段と、前記ビーム強
度検出手段の検出結果に基づいて、ビーム強度が所定の
設定値と等しくなるようレーザ電流を制御する第2のレ
ーザ電流制御手段とを具備したものである。
【0010】
【作用】本発明によれば、温度変化による電流−光出力
カーブの平行シフトについては第1のレーザ電流制御手
段で補正し(バイアス電流補正)、レーザ発光領域の電
流−光出力傾き減少については第2のレーザ電流制御手
段で補正(動作電流補正)することができる。
カーブの平行シフトについては第1のレーザ電流制御手
段で補正し(バイアス電流補正)、レーザ発光領域の電
流−光出力傾き減少については第2のレーザ電流制御手
段で補正(動作電流補正)することができる。
【0011】
【実施例】以下、図面に従って本発明の実施例を説明す
る。
る。
【0012】実施例1
図1は本発明の一実施例によるレーザビーム強度制御回
路のブロック図、図2は図1に示した各部のタイミング
図である。
路のブロック図、図2は図1に示した各部のタイミング
図である。
【0013】(バイアス電流制御について)レーザビー
ム主走査方向の記録区域外を示すコントロール信号L1
が“L”から“H”状態になると、第1のカウンタコン
トロール回路7により第1のUP/DOWNカウンタ8
をカウントホールド状態からカウント状態にするチップ
イネーブル信号(反転CE1)L2が“H”から“L”
になり、第1のUP/DOWNカウンタ8に加えられ
る。
ム主走査方向の記録区域外を示すコントロール信号L1
が“L”から“H”状態になると、第1のカウンタコン
トロール回路7により第1のUP/DOWNカウンタ8
をカウントホールド状態からカウント状態にするチップ
イネーブル信号(反転CE1)L2が“H”から“L”
になり、第1のUP/DOWNカウンタ8に加えられ
る。
【0014】これを受けて第1のUP/DOWNカウン
タ8はUPカウントを開始するが、ここでプリセット値
として所定カウントからカウントが進むように初期設定
されている。第1のUP/DOWNカウンタ8の出力デ
ータは第1のD/Aコンバータ9に加えられアナログ信
号に変換される(D/A1,OUT L3)。
タ8はUPカウントを開始するが、ここでプリセット値
として所定カウントからカウントが進むように初期設定
されている。第1のUP/DOWNカウンタ8の出力デ
ータは第1のD/Aコンバータ9に加えられアナログ信
号に変換される(D/A1,OUT L3)。
【0015】階段状に増加する電圧信号が次に第1の定
電流源10に供給され、レーザダイオード(LD)1の
バイアス電流(IB )がそれにつれて増加していき、フ
ォトダイオード(PD)2は先ずLD1のLED領域発
光を受けてモニタ電流(IM)を流す。このモニタ電流
は、次に電流−電圧変換回路3により電圧信号に変換さ
れる(L4)。
電流源10に供給され、レーザダイオード(LD)1の
バイアス電流(IB )がそれにつれて増加していき、フ
ォトダイオード(PD)2は先ずLD1のLED領域発
光を受けてモニタ電流(IM)を流す。このモニタ電流
は、次に電流−電圧変換回路3により電圧信号に変換さ
れる(L4)。
【0016】LD1のバイアス電流(IB )が増加する
ことにより、LD1はLED発光領域からレーザ発光領
域へと移行し、レーザビーム強度が急激に増加して、P
D2のモニタ電流、つまりモニタ電圧変化が大きくなる
(L4)。
ことにより、LD1はLED発光領域からレーザ発光領
域へと移行し、レーザビーム強度が急激に増加して、P
D2のモニタ電流、つまりモニタ電圧変化が大きくなる
(L4)。
【0017】次に、微分回路4によりモニタ電圧の急激
な変化分のみを取り出し(L5)、第1のコンパレータ
(COMP)6の反転入力端子に供給する。
な変化分のみを取り出し(L5)、第1のコンパレータ
(COMP)6の反転入力端子に供給する。
【0018】一方、第1のコンパレータ6の非反転入力
端子には、モニタ電圧の急激な増加(負側)を検出する
ために、基準電圧設定回路5により所定の電圧が加えら
れている(REF1)。
端子には、モニタ電圧の急激な増加(負側)を検出する
ために、基準電圧設定回路5により所定の電圧が加えら
れている(REF1)。
【0019】第1のコンパレータ6の出力L6が“L”
から“H”になったのを第1のカウンタコントロール回
路7が受けて、所定カウントだけ第1のUP/DOWN
カウンタ8がダウンカウントとなるように、第1のUP
/DOWN信号(反転U/D1 L7)を“L”から
“H”にする。
から“H”になったのを第1のカウンタコントロール回
路7が受けて、所定カウントだけ第1のUP/DOWN
カウンタ8がダウンカウントとなるように、第1のUP
/DOWN信号(反転U/D1 L7)を“L”から
“H”にする。
【0020】所定カウントだけ第1のUP/DOWNカ
ウンタ8のダウンカウントが終了すると、反転U/D1
(L7)を“H”から“L”にしてバイアス電流設定が
終了する。
ウンタ8のダウンカウントが終了すると、反転U/D1
(L7)を“H”から“L”にしてバイアス電流設定が
終了する。
【0021】(動作電流制御について)反転U/D1
(L7)が“H”から“L”状態になると、第2のカウ
ンタコントロール回路13により第2のUP/DOWN
カウンタ14をカウントホールド状態からカウント状態
にするチップイネーブル信号(反転CE2)L8が
“H”から“L”になり、第2のUP/DOWNカウン
タ14に加えられる。又CE2はOR回路19に加えら
れ、L11によりスイッチング回路をONにする。
(L7)が“H”から“L”状態になると、第2のカウ
ンタコントロール回路13により第2のUP/DOWN
カウンタ14をカウントホールド状態からカウント状態
にするチップイネーブル信号(反転CE2)L8が
“H”から“L”になり、第2のUP/DOWNカウン
タ14に加えられる。又CE2はOR回路19に加えら
れ、L11によりスイッチング回路をONにする。
【0022】反転CE2により第2のUP/DOWNカ
ウンタ14はアップカウントを開始するが、ここでプリ
セット値として所定カウントからカウントが進むように
初期設定されている。
ウンタ14はアップカウントを開始するが、ここでプリ
セット値として所定カウントからカウントが進むように
初期設定されている。
【0023】第2のUP/DOWNカウンタ14の出力
データは第2のD/Aコンバータ15に加えられ、アナ
ログ信号に変換される(D/A2 OUT L9)。
データは第2のD/Aコンバータ15に加えられ、アナ
ログ信号に変換される(D/A2 OUT L9)。
【0024】階段状に増加する電圧信号が次に第2の定
電流源16に供給され、レーザダイオード(LD)1の
動作電流(IP )がそれにつれて増加していき、フォト
ダイオード(PD)2はLD1のレーザビームを受けて
モニタ電流(IM )を流す。このモニタ電流は、次に、
電流−電圧変換回路3により電圧信号に変換される(L
4)。
電流源16に供給され、レーザダイオード(LD)1の
動作電流(IP )がそれにつれて増加していき、フォト
ダイオード(PD)2はLD1のレーザビームを受けて
モニタ電流(IM )を流す。このモニタ電流は、次に、
電流−電圧変換回路3により電圧信号に変換される(L
4)。
【0025】モニタ電圧は第2のコンパレータ12の反
転入力端子に供給され、第2のコンパレータ12の非反
転入力端子にはパワー設定回路11によりレーザビーム
強度を所定値とする基準電圧(REF2)が加えられて
いる。そして、モニタ電圧がREF2のレベルよりも低
くなる(パワー大)と、第2のコンパレータ12の出力
が“L”から“H”となり、これを第2のカウンタコン
トロール回路13が受けて第2のUP/DOWNカウン
タ14がダウンカウントとなるように第2のUP/DO
WN信号(反転U/D2 L10)を“L”から“H”
にする。
転入力端子に供給され、第2のコンパレータ12の非反
転入力端子にはパワー設定回路11によりレーザビーム
強度を所定値とする基準電圧(REF2)が加えられて
いる。そして、モニタ電圧がREF2のレベルよりも低
くなる(パワー大)と、第2のコンパレータ12の出力
が“L”から“H”となり、これを第2のカウンタコン
トロール回路13が受けて第2のUP/DOWNカウン
タ14がダウンカウントとなるように第2のUP/DO
WN信号(反転U/D2 L10)を“L”から“H”
にする。
【0026】第2のD/Aコンバータ15の出力(L
9)は前よりも1ステップ(D/Aコンバータの1LS
Bに相当)だけレベルが小さくなり、これが第2の定電
流源16に加えられ、LD1の動作電流が小さくなり、
PD2のモニタ電圧(L4)レベルは上昇する。
9)は前よりも1ステップ(D/Aコンバータの1LS
Bに相当)だけレベルが小さくなり、これが第2の定電
流源16に加えられ、LD1の動作電流が小さくなり、
PD2のモニタ電圧(L4)レベルは上昇する。
【0027】モニタ電圧レベルがREF2のレベルより
も高くなる(パワー小)と、第2のコンパレータ12の
出力(L10)が“H”から“L”となり、これを第2
のカウンタコントロール回路13が受けて、第2のUP
/DOWNカウンタ14がアップカウントとなるように
第2のUP/DOWN信号(反転U/D2L10)を
“H”から“L”にする。
も高くなる(パワー小)と、第2のコンパレータ12の
出力(L10)が“H”から“L”となり、これを第2
のカウンタコントロール回路13が受けて、第2のUP
/DOWNカウンタ14がアップカウントとなるように
第2のUP/DOWN信号(反転U/D2L10)を
“H”から“L”にする。
【0028】これらの動作はコントロール信号(L1)
が“H”から“L”となるまで続けられ、コントロール
信号(L1)が“H”から“L”となった時点で、第2
のD/Aコンバータ15の出力レベル(L9)はホール
ドされる。
が“H”から“L”となるまで続けられ、コントロール
信号(L1)が“H”から“L”となった時点で、第2
のD/Aコンバータ15の出力レベル(L9)はホール
ドされる。
【0029】以上の一連の動作は、1水平走査期間(1
H)の記録区域外の期間に行なわれ、1H毎にレーザビ
ーム強度が所定値と等しくなるように制御される。
H)の記録区域外の期間に行なわれ、1H毎にレーザビ
ーム強度が所定値と等しくなるように制御される。
【0030】図3は、半導体レーザ電流−光出力の温度
特性を示す。
特性を示す。
【0031】バイアス電流制御は半導体レーザの温度が
T1 からT2 (T2 >T1 )となった時に、バイアス電
流をIB1からIB2に変化させることを意味し、温度変化
による半導体レーザの電流−光出力カーブの平行シフト
に対して、LED発光領域のバイアス電流が制御され
る。
T1 からT2 (T2 >T1 )となった時に、バイアス電
流をIB1からIB2に変化させることを意味し、温度変化
による半導体レーザの電流−光出力カーブの平行シフト
に対して、LED発光領域のバイアス電流が制御され
る。
【0032】動作電流制御は、半導体レーザの温度がT
1 からT2 (T2 >T1 )となった時に動作電流をIP1
からIP2に変化させることを意味し、温度変化による半
導体レーザの電流−光出力傾き(スロープ効率)変化に
対してレーザ発光領域の動作電流が制御される。
1 からT2 (T2 >T1 )となった時に動作電流をIP1
からIP2に変化させることを意味し、温度変化による半
導体レーザの電流−光出力傾き(スロープ効率)変化に
対してレーザ発光領域の動作電流が制御される。
【0033】図4の(a),(b) には、記録信号ON−OF
F時の温度変化によるバイアス電流(IB1→IB2)及び
動作電流(IP1→IP2)の変化を示す。
F時の温度変化によるバイアス電流(IB1→IB2)及び
動作電流(IP1→IP2)の変化を示す。
【0034】実施例2
図5は、本発明の第2の実施例によるレーザビーム強度
制御回路のブロック図を示す。図6は、図5の各部のタ
イミング図を示す。
制御回路のブロック図を示す。図6は、図5の各部のタ
イミング図を示す。
【0035】図1に示した第1の実施例においては、レ
ーザダイオードのバイアス電流及び動作電流制御をUP
/DOWNカウンタとD/Aコンバータを用いて行なっ
たが、図5に示す第2の実施例では、ランプ波発生回路
とサンプルホールド(以下S/Hと略す)回路を用い
て、レーザビーム強度制御を行なうものである。
ーザダイオードのバイアス電流及び動作電流制御をUP
/DOWNカウンタとD/Aコンバータを用いて行なっ
たが、図5に示す第2の実施例では、ランプ波発生回路
とサンプルホールド(以下S/Hと略す)回路を用い
て、レーザビーム強度制御を行なうものである。
【0036】(バイアス電流制御について)レーザビー
ム主走査方向の記録区域外を示すコントロール信号(L
1)が“L”から“H”状態になると、第1のランプ波
発生回路21により、電圧レベルが一定傾きでもって増
加するランプ波を発生させる(RAMP1 OUT L
12)。
ム主走査方向の記録区域外を示すコントロール信号(L
1)が“L”から“H”状態になると、第1のランプ波
発生回路21により、電圧レベルが一定傾きでもって増
加するランプ波を発生させる(RAMP1 OUT L
12)。
【0037】次に、コントロール信号(L1)を一方の
入力としてパルス生成回路20により出力されるS/H
1 GATE信号(L14)により、S/H1 GAT
E(L14)が“H”状態の時、第1のS/H回路22
でもってRAMP1 OUTL12信号レベルをサンプ
ルする(L13)。そして、抵抗R1 ,R2 (R1=R2
)により分圧され、オペアンプ23の非反転入力端子
に供給される。
入力としてパルス生成回路20により出力されるS/H
1 GATE信号(L14)により、S/H1 GAT
E(L14)が“H”状態の時、第1のS/H回路22
でもってRAMP1 OUTL12信号レベルをサンプ
ルする(L13)。そして、抵抗R1 ,R2 (R1=R2
)により分圧され、オペアンプ23の非反転入力端子
に供給される。
【0038】一方、その反転入力端子にはフィードバッ
ク抵抗R3,R4 およびアナログスイッチ24a,24b
が接続され、S/H1 GATE(L14)が“H”状
態の時、一方のアナログスイッチ24aが導通状態にな
り、抵抗R4 の一方の端子をGNDレベルにしている。
ク抵抗R3,R4 およびアナログスイッチ24a,24b
が接続され、S/H1 GATE(L14)が“H”状
態の時、一方のアナログスイッチ24aが導通状態にな
り、抵抗R4 の一方の端子をGNDレベルにしている。
【0039】また、抵抗R1 〜R4 はR1 =R2 =R3
=R4 +RON(RONはアナログスイッチ24a,24b
のON抵抗)となるように選ばれており、オペアンプ2
3の出力(L16)には第1のS/H回路22の出力
(L13)と同一レベルの信号が現われる。
=R4 +RON(RONはアナログスイッチ24a,24b
のON抵抗)となるように選ばれており、オペアンプ2
3の出力(L16)には第1のS/H回路22の出力
(L13)と同一レベルの信号が現われる。
【0040】一定傾きで増加する電圧信号が次に第1の
定電流源10に供給され、レーザダイオード(LD)1
のバイアス電流(IB )がそれにつれて増加していき、
フォトダイオード(PD)2は先ずLD1のLED領域
発光を受けてモニタ電流(IM )を流す。このモニタ電
流は、次に電流−電圧変換回路3により電圧信号に変換
される(L4)。
定電流源10に供給され、レーザダイオード(LD)1
のバイアス電流(IB )がそれにつれて増加していき、
フォトダイオード(PD)2は先ずLD1のLED領域
発光を受けてモニタ電流(IM )を流す。このモニタ電
流は、次に電流−電圧変換回路3により電圧信号に変換
される(L4)。
【0041】LD1のバイアス電流(IB )が増加する
ことにより、LD1はLED発光領域からレーザ発光領
域へと移行し、レーザビーム強度が急激に増加して、P
D2のモニタ電流、つまりモニタ電圧変化が大きくなる
(L4)。
ことにより、LD1はLED発光領域からレーザ発光領
域へと移行し、レーザビーム強度が急激に増加して、P
D2のモニタ電流、つまりモニタ電圧変化が大きくなる
(L4)。
【0042】次に、微分回路4によりモニタ電圧の急激
な変化分のみを取り出し(L5)、第1のコンパレータ
6の反転入力端子に供給する。
な変化分のみを取り出し(L5)、第1のコンパレータ
6の反転入力端子に供給する。
【0043】一方、第1のコンパレータ6の非反転入力
端子にはモニタ電圧の急激な増加(負側)を検出するた
めに、基準電圧設定回路5により所定の電圧が加えられ
ている(REF1)。
端子にはモニタ電圧の急激な増加(負側)を検出するた
めに、基準電圧設定回路5により所定の電圧が加えられ
ている(REF1)。
【0044】第1のコンパレータ6の出力(L6)が
“L”から“H”になったのをパルス生成回路20が受
けて、先ずS/H1 GATE信号(L14)を“H”
から“L”にして、第1のS/H回路22をサンプル状
態からホールド状態にする。
“L”から“H”になったのをパルス生成回路20が受
けて、先ずS/H1 GATE信号(L14)を“H”
から“L”にして、第1のS/H回路22をサンプル状
態からホールド状態にする。
【0045】また、もう一方のアナログスイッチ24b
を導通状態にして、バイアスプリセット回路25により
出力される所定の電圧(VBO)を抵抗R4 の一方の端子
に加え、第1のS/H回路のホールドレベルからVBOだ
け減算した電圧をオペアンプ23の出力(L16)とす
る。これは、第1の定電流源10でLD1のバイアス電
流を下げることにより、レーザ発光領域からLED発光
領域へ戻すためである。
を導通状態にして、バイアスプリセット回路25により
出力される所定の電圧(VBO)を抵抗R4 の一方の端子
に加え、第1のS/H回路のホールドレベルからVBOだ
け減算した電圧をオペアンプ23の出力(L16)とす
る。これは、第1の定電流源10でLD1のバイアス電
流を下げることにより、レーザ発光領域からLED発光
領域へ戻すためである。
【0046】次に、パルス生成回路20によりディスチ
ャージパルス1(L17)を“L”から“H”にして、
第1のランプ波発生回路21の出力レベルをリセットす
る。
ャージパルス1(L17)を“L”から“H”にして、
第1のランプ波発生回路21の出力レベルをリセットす
る。
【0047】以上により、バイアス電流設定が終了す
る。
る。
【0048】(動作電流制御について)第1のコンパレ
ータ6の出力(L6)が“L”から“H”になったのを
パルス生成回路20が受けて、S/H2 GATE信号
(L15)を“L”から“H”にして第2のランプ波発
生回路27をイネーブル状態とし、第2のS/H回路2
8をサンプル状態にし、さらにOR回路19を介してL
11によりスイッチング回路17をONとする。
ータ6の出力(L6)が“L”から“H”になったのを
パルス生成回路20が受けて、S/H2 GATE信号
(L15)を“L”から“H”にして第2のランプ波発
生回路27をイネーブル状態とし、第2のS/H回路2
8をサンプル状態にし、さらにOR回路19を介してL
11によりスイッチング回路17をONとする。
【0049】第2のランプ波発生回路27がイネーブル
状態となると、電圧レベルが一定傾きでもって増加する
ランプ波を発生させる(RAMP OUT L18)。
状態となると、電圧レベルが一定傾きでもって増加する
ランプ波を発生させる(RAMP OUT L18)。
【0050】次に、第2のS/H回路28でもってRA
MP2 OUT L18信号レベルをサンプルし出力す
る(L19)。一定傾きで増加する電圧信号が第2の定
電流源16に供給され、レーザダイオード(LD)1の
動作電流(IP )がそれにつれて増加していき、フォト
ダイオード(PD)2はLD1のレーザビームを受けて
モニタ電流(IM )を流す。このモニタ電流は、次に電
流−電圧変換回路3により電圧信号に変換される(L1
4)。
MP2 OUT L18信号レベルをサンプルし出力す
る(L19)。一定傾きで増加する電圧信号が第2の定
電流源16に供給され、レーザダイオード(LD)1の
動作電流(IP )がそれにつれて増加していき、フォト
ダイオード(PD)2はLD1のレーザビームを受けて
モニタ電流(IM )を流す。このモニタ電流は、次に電
流−電圧変換回路3により電圧信号に変換される(L1
4)。
【0051】モニタ電圧は第2のコンパレータ12の反
転入力端子に供給され、第2のコンパレータ12の非反
転入力端子にはパワー設定回路11によりレーザビーム
強度を所定値とする基準電圧(REF2)が加えられ
る。そして、モニタ電圧がREF2のレベルより低くな
る(パワー大)と、第2のコンパレータ12の出力(L
20)が“L”から“H”となり、OR回路26を介し
てディスチャージパルス2(L21)として第2のラン
プ波発生回路27に供給される。
転入力端子に供給され、第2のコンパレータ12の非反
転入力端子にはパワー設定回路11によりレーザビーム
強度を所定値とする基準電圧(REF2)が加えられ
る。そして、モニタ電圧がREF2のレベルより低くな
る(パワー大)と、第2のコンパレータ12の出力(L
20)が“L”から“H”となり、OR回路26を介し
てディスチャージパルス2(L21)として第2のラン
プ波発生回路27に供給される。
【0052】第2のランプ波発生回路27では所定の時
定数で出力レベルが小さくなり、第2のS/H回路28
を介して第2の定電流源16に加えられ、LD1の動作
電流が小さくなってPD2のモニタ電圧(L4)レベル
は上昇する。
定数で出力レベルが小さくなり、第2のS/H回路28
を介して第2の定電流源16に加えられ、LD1の動作
電流が小さくなってPD2のモニタ電圧(L4)レベル
は上昇する。
【0053】モニタ電圧レベルがREF2のレベルより
も高くなる(パワー小)と、第2のコンパレータ12の
出力(L20)が“H”から“L”となり、第2のラン
プ波発生回路27では所定の時定数で出力レベルが大き
くなり、第2のS/H回路28を介して第2の定電流源
16に加えられ、LD1の動作電流が大きくなって、P
D2のモニタ電圧レベルは低下する。
も高くなる(パワー小)と、第2のコンパレータ12の
出力(L20)が“H”から“L”となり、第2のラン
プ波発生回路27では所定の時定数で出力レベルが大き
くなり、第2のS/H回路28を介して第2の定電流源
16に加えられ、LD1の動作電流が大きくなって、P
D2のモニタ電圧レベルは低下する。
【0054】これらの動作はコントロール信号(L1)
が“H”から“L”となるまで続けられ、コントロール
信号(L1)が“H”から“L”となった時点でパルス
生成回路20によりS/H2 GATE信号(L15)
が“H”から“L”となり、第2のS/H回路28はサ
ンプル状態からホールド状態となり、ディスチャージパ
ルス(L21)が“H”となって第2のランプ波発生回
路27の出力信号はリセットされる。
が“H”から“L”となるまで続けられ、コントロール
信号(L1)が“H”から“L”となった時点でパルス
生成回路20によりS/H2 GATE信号(L15)
が“H”から“L”となり、第2のS/H回路28はサ
ンプル状態からホールド状態となり、ディスチャージパ
ルス(L21)が“H”となって第2のランプ波発生回
路27の出力信号はリセットされる。
【0055】以上の一連の動作は、1水平走査期間(1
H)の記録区域外の期間に行なわれ、1H毎にレーザビ
ーム強度が所定値と等しくなるように制御される。
H)の記録区域外の期間に行なわれ、1H毎にレーザビ
ーム強度が所定値と等しくなるように制御される。
【0056】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、し
きい値電流検出手段の結果に基づいてレーザ電流を制御
する第1のレーザ電流制御手段と、ビーム強度検出手段
の結果に基づいてビーム強度が設定値と等しくなるよう
レーザ電流を制御する第2のレーザ電流制御手段を具備
することにより、温度変化による電流−光出力カーブの
平行シフトについては第1のレーザ電流制御手段で補正
し(バイアス電流補正)、レーザ発光領域の電流−光出
力傾き減少については第2のレーザ電流制御手段で補正
(動作電流補正)することができるので、高安定高出力
のレーザ駆動制御を達成することが可能となる。
きい値電流検出手段の結果に基づいてレーザ電流を制御
する第1のレーザ電流制御手段と、ビーム強度検出手段
の結果に基づいてビーム強度が設定値と等しくなるよう
レーザ電流を制御する第2のレーザ電流制御手段を具備
することにより、温度変化による電流−光出力カーブの
平行シフトについては第1のレーザ電流制御手段で補正
し(バイアス電流補正)、レーザ発光領域の電流−光出
力傾き減少については第2のレーザ電流制御手段で補正
(動作電流補正)することができるので、高安定高出力
のレーザ駆動制御を達成することが可能となる。
【0057】また、本発明ではレーザバイアス電流の制
御も行なうので、記録ビームの立上り・立下り時間を最
小にすることが可能となり、高密度,高階調の画像形成
が行えるようになる。
御も行なうので、記録ビームの立上り・立下り時間を最
小にすることが可能となり、高密度,高階調の画像形成
が行えるようになる。
【図1】本発明の第1の実施例によるレーザビーム強度
制御回路を示すブロック図である。
制御回路を示すブロック図である。
【図2】図1に示した各部のタイミング図である。
【図3】半導体レーザ電流−光出力の温度特性を示す図
である。
である。
【図4】記録信号ON−OFF時の温度変化による電流
変化を示す図である。
変化を示す図である。
【図5】本発明の第2の実施例によるレーザビーム強度
制御回路を示すブロック図である。
制御回路を示すブロック図である。
【図6】図5に示した各部のタイミング図である。
1 レーザダイオード
2 フォトダイオード
3 電流電圧変換器
4 微分回路
6 第1のコンパレータ
7 第1のカウンタコントロール回路
8 第1のUP/DOWNカウンタ
9 第1のD/Aコンバータ
10 第1の定電流源
11 パワー設定回路
12 第2のコンパレータ
13 第2のカウンタコントロール回路
14 第2のUP/DOWNカウンタ
15 第2のD/Aコンバータ
16 第2の定電流源
17 スイッチング回路
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所
G03G 15/04 116 9122−2H
Claims (4)
- 【請求項1】 記録信号により変調された記録ビームを
形成する記録ビーム形成部より射出されたビームを偏向
することにより、記録媒体上に画像情報の記録を行なう
画像形成装置において、 前記ビームによる記録区域外の走査によりビーム強度を
検出するビーム強度検出手段と、 前記ビーム強度検出手段の検出結果に基づいて、レーザ
ビーム発光のための最小しきい値電流を検出するしきい
値電流検出手段と、 前記しきい値電流検出手段の検出結果に基づいて、レー
ザ電流を制御する第1のレーザ電流制御手段と、 前記ビーム強度検出手段の検出結果に基づいて、ビーム
強度が所定の設定値と等しくなるようレーザ電流を制御
する第2のレーザ電流制御手段とを具備したことを特徴
とする画像形成装置。 - 【請求項2】 請求項1において、前記記録ビーム形成
部は可視光半導体レーザ発生器を有して成ることを特徴
とする画像形成装置。 - 【請求項3】 請求項1において、前記第1のレーザ電
流制御手段は、可視光半導体レーザのLED発光領域電
流を制御することを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項4】 請求項1において、前記第2のレーザ電
流制御手段は、可視光半導体レーザのレーザ発光領域電
流を制御してレーザビーム強度を制御することを特徴と
する画像形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3186187A JPH0530314A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3186187A JPH0530314A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 画像形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0530314A true JPH0530314A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16183915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3186187A Pending JPH0530314A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0530314A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002240346A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-28 | Canon Inc | 画像形成装置 |
US7466333B2 (en) | 2005-10-12 | 2008-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical scanning apparatus and image-forming apparatus using the same |
KR100988900B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2010-10-20 | 가부시키가이샤 리코 | 반도체 장치, 그 반도체 장치를 사용한 반도체 레이저 구동장치 및 화상 형성 장치 |
WO2012043452A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | ブラザー工業株式会社 | 走査型画像表示装置 |
US20170314996A1 (en) * | 2016-05-02 | 2017-11-02 | Keller Hcw Gmbh | Method for Noncontact, Radiation Thermometric Temperature Measurement |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP3186187A patent/JPH0530314A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002240346A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-28 | Canon Inc | 画像形成装置 |
US7466333B2 (en) | 2005-10-12 | 2008-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical scanning apparatus and image-forming apparatus using the same |
US8063927B2 (en) | 2005-10-12 | 2011-11-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical scanning apparatus and image-forming apparatus using the same |
KR100988900B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2010-10-20 | 가부시키가이샤 리코 | 반도체 장치, 그 반도체 장치를 사용한 반도체 레이저 구동장치 및 화상 형성 장치 |
US7856039B2 (en) | 2007-11-30 | 2010-12-21 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device and semiconductor laser driving device |
WO2012043452A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | ブラザー工業株式会社 | 走査型画像表示装置 |
JP2012078533A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Brother Ind Ltd | 走査型画像表示装置 |
US20170314996A1 (en) * | 2016-05-02 | 2017-11-02 | Keller Hcw Gmbh | Method for Noncontact, Radiation Thermometric Temperature Measurement |
US10495517B2 (en) * | 2016-05-02 | 2019-12-03 | Keller Hcw Gmbh | Method for noncontact, radiation thermometric temperature measurement |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |