CN101009324A - 氮化物半导体装置 - Google Patents

氮化物半导体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101009324A
CN101009324A CNA2006101659295A CN200610165929A CN101009324A CN 101009324 A CN101009324 A CN 101009324A CN A2006101659295 A CNA2006101659295 A CN A2006101659295A CN 200610165929 A CN200610165929 A CN 200610165929A CN 101009324 A CN101009324 A CN 101009324A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nitride
semiconductor layer
layer
mentioned
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2006101659295A
Other languages
English (en)
Inventor
上野弘明
柳原学
上田哲三
上本康裕
田中毅
上田大助
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN101009324A publication Critical patent/CN101009324A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
    • H01L29/7783—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1066—Gate region of field-effect devices with PN junction gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/432—Heterojunction gate for field effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
    • H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02458—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02502—Layer structure consisting of two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/4175—Source or drain electrodes for field effect devices for lateral devices where the connection to the source or drain region is done through at least one part of the semiconductor substrate thickness, e.g. with connecting sink or with via-hole
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

本发明涉及一种氮化物半导体装置，此氮化物半导体装置中，在保证常非导通型的同时，且能够提高工作电流。氮化物半导体装置，包括：在由蓝宝石构成的衬底(101)上顺次形成的，分别由氮化物半导体构成的缓冲层(102)、基层(103)、第一半导体层(104)、第二半导体层(105)和控制层(106)以及接触层(107)。还有，在第二半导体层(105)上的控制层(106)两侧的区域，形成了分别由钛及铝构成的源极电极(108)及漏极电极(109)，另外在接触层(107)上形成了由镍构成的栅极电极(110)。

Description

氮化物半导体装置
技术领域
本发明涉及一种由氮化镓(GaN)为主要成分的III-V族元素的氮化物半导体构成的，并能够实现正电压工作(常非导通工作)的氮化物半导体装置。
背景技术
近年来，十分勇跃地开展了对于作为高频大电流器件且使用了氮化镓系列化合物半导体材料的场效应晶体管(FET＝Field Effect Transistor)的研究。因为氮化镓等氮化物半导体材料能够与氮化铝(AlN)或者氮化铟(InN)做成各种混合晶体，所以和以往所使用的由砷化镓(GaAs)做主要成份的砷系列半导体材料一样能够形成异质结。然而，在氮化物半导体的异质结中，即使在没有掺入杂质的状态下，在异质结界面也会产生由于氮化物半导体所具有的自发极化或者极电极化而生成的高浓度载流子。因此，在制作场效应晶体管时，容易形成为耗尽型(常导通型)，而要得到增强型(常非导通型)特性是很困难的。现在，在电力电子学市场上，一般贩卖的器件是常非导通型，即使对于氮化镓系列的氮化物半导体装置来说，更多需求的也是常非导通型。
下面，对以往使用了氮化物半导体材料的场效应晶体管进行说明。
如图7所示，以往使用了氮化镓铝(AlGaN)和氮化镓(GaN)构成的异质结的场效应晶体管，包括主面的面方位为(0001)面的由蓝宝石构成的衬底701，和在衬底701的主面上形成的非掺杂的氮化镓层702，及在非掺杂的氮化镓层702上形成的非掺杂的Al0.25Ga0.75N层703。
还有，在非掺杂的Al0.25Ga0.75N层703上形成了由钛(Ti)及铝(Al)构成的源极电极704以及漏极电极705，在源极电极704和漏极电极705之间形成了由钯(Pd)构成的栅极电极706。而且，在非掺杂的Al0.25Ga0.75N层703的上表面且没有形成源极电极704、漏极电极705及栅极电极706的区域形成了由氮化硅(SiN)构成的钝化膜707。
在非掺杂的氮化镓层702和非掺杂的Al0.25Ga0.75N层703的异质结界面上，由于非掺杂的Al0.25Ga0.75N层703所具有的自发极化和极电极化，形成了1×1013cm-2左右的2维电子气层。
关于在非掺杂的氮化镓层702和非掺杂的Al0.25Ga0.75N层703的异质结界面上的2维电子气层的形成，如图8所示的那样，从在以往的场效应晶体管中由于极化所生成的固定电荷和自由电子的分布来进行说明。也就是，在非掺杂的氮化镓层702及非掺杂的Al0.25Ga0.75N层703的上表面分别形成了带负电的固定电荷，还有，在它们的下表面分别形成了带正电的固定电荷。上述内容在图8中，用实线表示在非掺杂的Al0.25Ga0.75N层703上形成的固定电荷，用虚线表示在非掺杂的氮化镓层702上形成的固定电荷。这样一来，因为在非掺杂的Al0.25Ga0.75N层703上形成的固定电荷量比在非掺杂的氮化镓层702上形成的固定电荷量还要大，所以为弥补异质结界面上固定电荷量之间差量的薄层载流子就以2维电子气层的形式形成了(用图8中的粗线、Ns表示)。
因为通过这种极化在非掺杂的氮化镓层702及非掺杂的Al0.25Ga0.75N层703上形成了电场，所以，以往的场效应晶体管的能带就形成为如图9所示的那样。因此，如图10所示，栅极电压和漏极电流的电特性，基本上显示常导通状态时的特性。
还有，虽然源极电极704及漏极电极705是和非掺杂的Al0.25Ga0.75N层703相连接而成的，但当非掺杂的Al0.25Ga0.75N层703的膜厚在例如30纳米以下很薄的时候，因为源极电极704和漏极电极705，通过隧道电流能够和在异质结界面上形成的高浓度2维电子气层连接，所以成为了良好的欧姆接触。还有，栅极电极706拥有5.1eV的大工作函数，对于非掺杂的Al0.25Ga0.75N层703形成了良好的肖特基结(参照非专利文献1)。
这样一来，为了用容易形成常导通型的氮化镓系列化合物半导体材料实现常非导通型的工作特性，有必要通过氮化镓系列的氮化物半导体材料所具有的自发极化和极电极化减少在沟道内生成的载流子。在以往使用了氮化镓铝层和氮化镓层构成的异质结的场效应晶体管中，因为如果降低氮化镓铝层中铝的组成比例，能够减轻由于氮化镓铝层和氮化镓层的晶格常数差而引起的应力，所以能够使极电极化减少，其结果，是使薄层载流子浓度的降低成为可能(参照非专利文献2)。
具体如图7所示的非掺杂的Al0.25Ga0.75N层703在保持膜厚为30纳米不变的情况下一旦使铝的组成比由0.25下降到0.15的话，就能够使薄层载流子的浓度从12×1012cm-2大幅度下降到5×1012cm-2。然而，伴随着薄层载流子浓度的降低，工作电流随之减小，还有伴随着非掺杂的Al0.25Ga0.75N层703中铝组成比例的降低，栅极部的电位势垒也随之降低。还有，为了抑制栅极电极上漏电流的产生，能够向栅极电极706上施加的顺方向电压是有上限的。
因此，为了在保证常非导通型的同时又能够施加更大的顺方向电压，其中的一种方法是通过使栅极部进行p型化的办法提高电位势垒。具有此种特征的场效应晶体管是结型场效应晶体管(JFET＝Junction Field EffectTransistor)(参照非专利文献3及专利文献1)。
然而，在对结型场效应晶体管进行常非导通状态化时，即使向栅极电极施加顺方向的偏压，用以增大在沟道中已形成的电子浓度也是十分困难的。还有，能够对栅极电极施加顺方向偏压的时间截止到从栅极开始流出电流时为止，具体考虑到带隙，施加的电压到3V左右就已经是最大限度了。由于这种原因，在迄今为止的结型场效应晶体管中存在着很难增大漏极工作电流的问题。
图11显示的是为了解决上述问题的比较例氮化物半导体装置的剖面图。
如图11所示的那样，为了解决以往课题的比较例氮化物半导体装置，包括：主面的面方位为(0001)面的由蓝宝石构成的衬底901；在衬底901的主面上形成的氮化铝缓冲层902；在氮化铝缓冲层902上形成的非掺杂的氮化镓层903；在非掺杂的氮化镓层903上形成的非掺杂的氮化镓铝层904；和在非掺杂的氮化镓铝层904的一部分上形成的由含有p型杂质的氮化镓铝构成的p型控制层905；及在p型控制层905上形成的由含有比p型控制层905更高浓度p型杂质的氮化镓构成的p型接触层906。
还有，在p型接触层906上，形成了：和p型接触层906进行欧姆接触的栅极电极907；中间间隔着p型接触层906，且在非掺杂的氮化镓铝层904上形成的源极电极908及漏极电极909；在栅极电极907、源极电极908及漏极电极909以外的上述非掺杂的氮化镓铝层904的上部表面形成的钝化膜910。
在上述的氮化物半导体装置中，非掺杂的氮化镓铝层904的带隙，比作为沟道区域的非掺杂的氮化镓层903的带隙还要宽。因为非掺杂的氮化镓铝层904和p型控制层905是用同一种材料构成的，所以形成p型控制区域的p型控制层905的带隙也比非掺杂的氮化镓层903的带隙宽。还有，在非掺杂的氮化镓层903和非掺杂的氮化镓铝层904的界面上形成了异质势垒，在半导体装置工作时形成了2维电子气层。
这样一来，在由氮化物半导体构成的沟道区域(非掺杂的氮化镓层903)上面设置了宽带隙的p型控制区域(p型控制层905)，通过向该p型控制区域施加与沟道区域成顺方向的偏压，从而向沟道区域内注入了空穴。一旦这样做的话，因为在沟道区域内产生了和空穴同等数量的电子，所以能够实现大工作电流。根据这种结构，通过向沟道区域注入的空穴可以促使沟道区域内电子的产生，也可以使通过沟道区域的电流量大幅度增加。
还有，因为在氮化物半导体中空穴的迁移率与电子的迁移率相比非常小，所以向由氮化物半导体构成的沟道区域注入的空穴作为疏通电流的单体几乎不起作用。因此，从p型控制区域注入的空穴促使在沟道区域生成了同等数量的电子，且能够使工作电流的增大成为可能。因为向沟道区域注入的空穴的迁移率越接近于零，就会越使空穴起到象施主离子那样的作用，所以能够在沟道区域对载流子的浓度进行调整。因此，能够实现具有大工作电流的常非导通型氮化物半导体装置。
这种结构类似于结型场效应晶体管，但和在栅极电极的界面对沟道区域内的载流子浓度进行调节的结型场效应晶体管(JFET)相比，在有意识的进行载流子注入这一点上则是完全不同的工作原理。
(非专利文献1)M.Hikita et al.，Technical Digest of 2004 International Electron Devices Meeting(2004)p.803
(非专利文献2)O.Ambacher et al.，J.Appl.Phys.Vol.85(1999)p.3222
(非专利文献3) L.Zhang et al.，IEEE Transactions on Electron Devices，vol.47，no.3，pp.507-511，2000
(专利文献1)日本专利公开2004-273486号公报
(发明所要解决的课题)
在上述比较例所涉及的氮化物半导体装置的结构中，从p型控制区域向沟道区域注入空穴时，因空穴不能停留在沟道区域内部而向下方流出，所以存在着在沟道区域内部有效活动的空穴数量变少的问题。还有，因为转换速度受空穴和电子再结合速度的影响，所以为了提高工作电流，有必要使转换速度提高。
发明内容
鉴于上述以往的课题，本发明的目的在于：能够获得具有常非导通型特性，并能提高工作电流的氮化物半导体装置。
(解决课题的方法)
为了达到上述的目的，本发明的氮化物半导体装置，设定为装有半导体层的构成，且此半导体层是在由氮化物半导体材料形成的且包含沟道区域的半导体层的下部，相对于沟道区域来说在价电子带上具有电位势垒的氮化物半导体材料构成的。
具体来说，本发明所涉及的氮化物半导体装置，其特征为，包括：由第一氮化物半导体构成的第一半导体层；在第一半导体层的主面上形成的，由带隙比第一氮化物半导体还要宽的第二氮化物半导体构成的第二半导体层；在第二半导体层的上部或者上侧有选择性的形成的，由具有p型导电性的第三氮化物半导体构成的控制层；在第二半导体层上，且在控制层两侧的区域中分别形成的源极电极及漏极电极；和在控制层的上侧形成的栅极电极；以及在和第一半导体层的主面相反的面上形成的，由相对于第一氮化物半导体来说在价电子带上具有电位势垒，且组成中含有铝的第四氮化物半导体构成的第四半导体层。
根据本发明的氮化物半导体装置，通过在第一半导体层的下部设置由相对于第一半导体层来说在价电子带上具有电位势垒的氮化物半导体形成的第四半导体层，从而在控制层上施加与第一半导体层顺方向的偏压时，因为能够使向第一半导体层中注入的空穴没有散佚且十分有效地作用于提高第一半导体层的电子浓度，所以能够实现提高工作电流的常非导通型氮化物半导体装置。
还有，控制层在栅极电极上被施加了顺方向偏压时，最好向第一半导体层中形成的沟道区域注入空穴，从而控制源极电极和漏极电极之间的导电性。
还有，在本发明的氮化物半导体装置中，第四半导体层里铝的组成比值最好设定在大于或者等于0.03且小于或者等于0.10。
一旦形成这种结构，就能够实现具有更大工作电流的氮化物半导体装置。一旦铝的组成比值太小的话，作为价电子带的电位势垒就变得不起作用，并且使空穴也无法停留在第一半导体层中。还有，一旦铝的组成比值太大的话，第四半导体层和第一半导体层的极化差就变大第一半导体层的能带将升高，从而在第一半导体层中就变得很难积累电子。因此，为了提高氮化物半导体装置的工作电流，有必要将构成第四半导体层的半导体材料中铝的组成比值设定为合理的数值。这样一来，实现提高工作电流的常非导通型氮化物半导体装置将成为可能。
还有，在本发明的氮化物半导体装置中，第一氮化物半导体，其组成中最好含有铟。
一旦形成这种结构，因为在第一半导体层中含有铟(In)，所以第一半导体层的带隙变窄，从而能够更加促进向第一半导体层注入的空穴的积累及第一半导体层内电子的产生。因此，可以实现能够通过更大工作电流的常非导通型氮化物半导体装置。
还有，在本发明的氮化物半导体装置中，第一半导体层的厚度最好比0纳米大且小于或者等于30纳米。
一旦形成这种结构，在本发明的氮化物半导体装置中，进行高速的转换就将成为可能。一旦第一半导体层的厚度太厚的话，因为空穴及电子聚集的区域将分离，再结合时常数变长，从而无法实现高速的转换工作，所以有必要合理地设定第一半导体层的厚度。
(发明的效果)
根据本发明所涉及的氮化物半导体装置，能够实现具有常非导通型特性，并能够提高工作电流的氮化物半导体装置。
附图说明
图1是显示本发明的第一实施例所涉及的氮化物半导体装置的剖面图。
图2是显示本发明的第一实施例所涉及的氮化物半导体装置中非掺杂的AlxGa1-xN基层里铝的组成比x的值和器件的最大电流值之间关系的构成图。
图3是显示本发明的第二实施例所涉及的氮化物半导体装置的剖面图。
图4是显示本发明的第二实施例所涉及的氮化物半导体装置中非掺杂的InyGa1-yN层里铟的组成比y的值和器件的最大电流值之间关系的构成图。
图5是显示本发明的第三实施例所涉及的氮化物半导体装置的剖面图。
图6是显示本发明的第三实施例所涉及的氮化物半导体装置中非掺杂的氮化镓层的厚度和转换速度之间关系的构成图。
图7是显示以往的氮化物半导体场效应晶体管的剖面图。
图8是显示在以往的氮化物半导体场效应晶体管中由于极化所生成的固定电荷和自由电子分布的构成图。
图9是显示以往的氮化物半导体场效应晶体管能带图的构成图。
图10是显示以往的氮化物半导体场效应晶体管的漏极电流-栅极电压特性的构成图。
图11是显示比较例所涉及的氮化物半导体装置的剖面图。
(符号说明)
101   衬底
102   缓冲层
103   基层
104   第一半导体层
105   第二半导体层
106   控制层
107   接触层
108   源极电极
109   漏极电极
110   栅极电极
111   钝化膜
301   衬底
302   缓冲层
303   基层
304   第一半导体层
305   第二半导体层
306   控制层
307   接触层
308   源极电极
309   漏极电极
310   栅极电极
311   钝化膜
312   贯穿孔
501   衬底
502   缓冲层
503   基层
504   第一半导体层
505   第二半导体层
506   控制层
507   接触层
508   源极电极
509   漏极电极
510   栅极电极
511   钝化膜
701   衬底
702   非掺杂的氮化镓层
703   非掺杂的Al0.25Ga0.75N层
704   源极电极
705   漏极电极
706   栅极电极
707   钝化膜
901   衬底
902   氮化铝缓冲层
903   非掺杂的氮化镓层
904   非掺杂的氮化镓铝层
905   p型控制层
906   p型接触层
907   栅极电极
908   源极电极
909   漏极电极
910   钝化膜
具体实施方式
以下，关于本发明的实施例在参照附图的同时加以说明。
(第一实施例)
图1显示的是本发明的第一实施例所涉及的氮化物半导体装置剖面结构中的一例。
如图1所示的那样，本实施例的氮化物半导体装置的晶体管，包括：主面的面方位为(0001)面的由蓝宝石(Al2O3)构成的衬底101；在衬底101上形成的膜厚为100纳米的由氮化铝构成的缓冲层102；在缓冲层102上形成的膜厚为1微米的由非掺杂的AlxGa1-xN(但，x为0＜x≤1。)构成的基层103；在基层103上形成的膜厚为3.5纳米的由非掺杂的氮化镓构成的第一半导体层104；在第一半导体层104上形成的膜厚为25纳米的由非掺杂的Al0.15Ga0.85N构成的第二半导体层105；在第二半导体层105上形成的膜厚为100纳米的由p型Al0.15Ga0.85N构成的控制层106；在控制层106上形成的膜厚为5纳米的由高浓度的p型氮化镓构成的接触层107。
还有，通过对接触层107及控制层106进行有选择地蚀刻，从而形成了由控制层106及接触层107构成的控制区域，并在第二半导体层105上且在控制区域两侧的区域中形成了分别由钛和铝构成的源极电极108和漏极电极109。而且，在接触层107上形成了由镍(Ni)构成的栅极电极110。还有，在没有形成源极电极108、漏极电极109及栅极电极110的第二半导体层105的上部表面，被由氮化硅构成的钝化膜111所覆盖。并且，作为元件分隔区域，也可以通过例如硼(B)等离子注入的方法形成高电阻化层。
在控制层106中掺杂1×1019cm-3左右的镁(Mg)，且载流子浓度为1×1018cm-3左右，并在接触层107中掺杂1×1020cm-3左右的镁。从此氮化物半导体装置的上方向下俯视时，控制层106及接触层107，被蚀刻成为诸如1.5微米宽的条形带的形状，并在接触层107上形成了1微米宽的栅极电极110。
在本实施例的氮化物半导体装置中，第二半导体层105的带隙，比第一半导体层104的带隙还要宽。因为第二半导体层105和控制层106是用同一种材料构成的，所以控制层106的带隙比第一半导体层104的带隙还要宽。此时在第一半导体层104和第二半导体层105的界面上形成了异质势垒，本氮化物半导体装置工作时在第一半导体层104上的靠近此第一半导体层104与第二半导体层105的界面处，形成了由2维电子气层构成的沟道区域。
一旦在包含沟道区域的第一半导体层104的上侧形成了宽带隙的第二半导体层105，并在第一半导体层104的下侧形成相对于沟道区域来说在价电子带上具有电位势垒的基层103的话，那么在控制层106上施加了与沟道区域顺方向的偏压时，则向在第一半导体层104上形成的沟道区域注入了空穴，所注入的空穴，能够没有散佚且十分有效地作用于提高第一半导体层104的电子浓度。
还有，为了实现一个充分大的漏极耐压，图1所示的控制层106和漏极电极109之间的距离设定在5微米左右或者5微米以上。还有，像在上述以往的示例中说明的那样，源极电极108及漏极电极109是与第二半导体层105相连接而成的，因为借助隧道电流能够与在第二半导体层105和第一半导体层104的异质结界面上形成的2维电子气层连接，所以成为了良好的欧姆接触。在这里为了实现更加良好的欧姆接触还可以设定成使n型杂质硅(Si)有选择地扩散在源极电极108及漏极电极109下方的第二半导体层105中的这样一个结构。
图2，显示的是本发明第一实施例所涉及的氮化物半导体装置中构成基层103的铝的组成比x值和氮化物半导体装置的最大漏极电流值之间的关系(仿真值)。
如图2所示的那样，构成基层103的铝的组成比x值，在0.06附近时，氮化物半导体装置的最大漏极电流值在最高点处，而不管x变得过于小，或者过于大，氮化物半导体装置的最大漏极电流值都是在变小的。
如上所述，在本发明所涉及的氮化物半导体装置中，通过形成了包括由相对于沟道区域(第一半导体层104)来说在价电子带上具有电位势垒的半导体材料构成的基层103的这一结构，且将构成基层103的铝的组成比x值设定为大于或者等于0.03且小于或者等于0.10，从而能够达到很高的氮化物半导体装置最大漏极电流值。
在本实施例中，虽然作为衬底101的材料使用了蓝宝石，但可以用由诸如碳化硅(SiC)、氮化镓或者硅等材料构成的衬底取代由蓝宝石构成的衬底，还有只要能够实现良好的结晶性也可以选择任何的面方位。而且，栅极电极110的材料，只要是和接触层107具有良好的欧姆接触的材料，即使用钯等金属取代镍也可以。还有，虽然在本实施例中控制层106及第二半导体层105中铝的组成是一致的，但其实没有必要统一铝的组成，例如在控制层中也可以使用p型氮化镓。
如上所述，根据本发明所涉及的氮化物半导体装置的晶体管，通过在作为沟道层的第一半导体层的下部形成相对于第一半导体层来说在价电子带上具有电位势垒的基层103，并将构成基层103的铝的组成比设定为适当的数值，从而在形成常非导通型的同时仅通过上述的空穴注入就能够使漏极电流流出，且通过促使空穴滞留在沟道内部，就能够实现更大的工作电流。
(第二实施例)
图3显示的是本发明的第二实施例所涉及的氮化物半导体装置剖面结构中的一例。
如图3所示的那样，本实施例氮化物半导体装置的晶体管，包括：主面的面方位为(111)面的由n型硅构成的衬底301；在衬底301上形成的膜厚为40纳米的由氮化铝构成的缓冲层302；在缓冲层302上形成的膜厚为1微米的由非掺杂的Al0.05Ga0.95N构成的基层303；在基层303上形成的膜厚为3.5纳米的由非掺杂的InyGa1-y N(但，y为0＜y≤1。)构成的第一半导体层304；在第一半导体层304上形成的膜厚为25纳米的由非掺杂的Al0.15Ga0.85N构成的第二半导体层305；在第二半导体层305上形成的膜厚为100纳米的由p型Al0.15Ga0.85N构成的控制层306；在控制层306上形成的膜厚为5纳米的由高浓度的p型氮化镓构成的接触层307。
还有，通过对接触层307及控制层306进行有选择地蚀刻，从而形成了由控制层306及接触层307构成的控制区域，并在第二半导体层305上且在控制区域两侧的区域中形成了分别由钛和铝构成的源极电极308和漏极电极309。而且，在接触层307上形成了由镍构成的栅极电极310。还有，在没有形成源极电极308、漏极电极309及栅极电极310的第二半导体层305的上部表面，被由氮化硅构成的钝化膜311所覆盖。并且，源极电极308，为了降低控制区域以外的电极的布线电阻，具有借助延伸至衬底301的贯穿孔312连接而成的源极通孔结构。
本实施例的氮化物半导体装置和第一实施例相同，基层303，相对于第一半导体层304来说在价电子带上具有电位势垒，且控制区域的带隙比沟道区域的带隙还要宽。
图4显示的是本发明的第二实施例所涉及的氮化物半导体装置中构成第一半导体层304的铟的组成比y的值和氮化物半导体装置的最大漏极电流特性(仿真值)之间的关系。
如图4所示的那样，随着构成第一半导体层304的铟的组成比y值的增大，氮化物半导体装置的最大漏极电流值也随之增加。
这样一来，本发明所涉及的氮化物半导体装置，通过形成了包括由相对于第一半导体层304来说在价电子带上具有电位势垒的半导体材料构成的基层303的这一结构，且第一半导体层304的结构中含有铟，从而使得沟道区域的带隙变窄，电子和空穴均能够更多的累积在沟道区域中。还有，通过增大沟道区域中铟的组成比y的值，能够达到更高的最大漏极电流值。
(第三实施例)
图5显示的是本发明的第三实施例所涉及的氮化物半导体装置的剖面结构中的一例。
如图5所示的那样，本实施例氮化物半导体装置的晶体管，包括：主面的面方位为(0001)面的由蓝宝石构成的衬底501；在衬底501上形成的膜厚为100纳米的由氮化铝构成的缓冲层502；在缓冲层502上形成的膜厚为1微米的由非掺杂的Al0.05Ga0.95N构成的基层503；在基层503上形成的膜厚为3.5纳米的由非掺杂的氮化镓构成的第一半导体层504；在第一半导体层504上形成的膜厚为25纳米的由非掺杂的Al0.15Ga0.85N构成的第二半导体层505；在第二半导体层505上形成的膜厚为100纳米的由p型Al0.15Ga0.85N构成的控制层506；在控制层506上形成的膜厚为5纳米的由高浓度的p型氮化镓构成的接触层507。
还有，通过对接触层507及控制层506进行有选择地蚀刻，从而形成了由控制层506及接触层507构成的控制区域，并在第二半导体层505上且在控制区域两侧的区域中形成了分别由钛和铝构成的源极电极508和漏极电极509。而且，在接触层507上形成了由镍构成的栅极电极510。还有，在没有形成源极电极508、漏极电极509及栅极电极510的第二半导体层505的上部表面，被由氮化硅构成的钝化膜511所覆盖。
本实施例的氮化物半导体装置也和第一实施例相同，基层503，相对于第一半导体层504来说在价电子带上具有电位势垒，且控制区域的带隙比第一半导体层504的带隙还要宽。
图6显示的是本实施例所涉及的氮化物半导体装置中的一种晶体管的第一半导体层504的厚度和转换速度之间的关系。
如图6所示的那样，随着第一半导体层504厚度的增加，转换速度也随之变慢。
这样一来，在本发明所涉及的氮化物半导体装置中，通过形成了包括由相对于构成沟道层的第一半导体层504来说在价电子带上具有电位势垒的半导体构成的基层503的这一结构，且将第一半导体层504的厚度设定为合理的数值，从而使进行高速的转换成为可能。因此，实现常非导通型状态下的工作电流大漏电流小，且转换速度快的氮化物半导体晶体管将成为可能。
(实用性)
本发明所涉及的氮化物半导体装置，对于在常非导通型的状态下能够增大工作电流且能够进行高速转换的氮化物半导体装置等是十分有用的。

Claims (6)

1.一种氮化物半导体装置，其特征在于：
包括：
第一半导体层，是由第一氮化物半导体构成；
第二半导体层，是在上述的第一半导体层的主面上形成的，由带隙比上述的第一氮化物半导体还要宽的第二氮化物半导体构成；
控制层，是在上述的第二半导体层的上部或者上侧有选择性地形成的，由具有p型导电性的第三氮化物半导体构成；
源极电极及漏极电极，是在上述的第二半导体层上，且在上述的控制层两侧的区域中分别形成的；
栅极电极，是在上述的控制层的上侧形成的；
第四半导体层，是在和上述的第一半导体层的上述主面相反的面上形成的，由相对于上述的第一氮化物半导体来说在价电子带上具有电位势垒，且组成中含有铝的第四氮化物半导体构成。
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，其特征在于：
上述控制层，在上述栅极电极上被施加了顺方向的偏压时，向在上述的第一半导体层中形成的沟道区域内注入空穴，并且控制上述的源极电极和上述的漏极电极之间的导电性。
3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体装置，其特征在于：
在上述第四半导体层中铝的组成比值，被设定为大于或者等于0.03且小于或者等于0.10。
4.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体装置，其特征在于：
上述第一氮化物半导体的组成中含有铟。
5.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体装置，其特征在于：
上述第一半导体层的厚度比0纳米大且小于或者等于30纳米。
6.根据权利要求3所述的氮化物半导体装置，其特征在于：
上述第一氮化物半导体的组成中含有铟；
上述第一半导体层的厚度比0纳米大且小于或者等于30纳米。
CNA2006101659295A 2006-01-25 2006-12-11 氮化物半导体装置 Pending CN101009324A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006016622 2006-01-25
JP2006016622A JP4705481B2 (ja) 2006-01-25 2006-01-25 窒化物半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011101620703A Division CN102244097A (zh) 2006-01-25 2006-12-11 氮化物半导体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101009324A true CN101009324A (zh) 2007-08-01

Family

ID=38284671

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2006101659295A Pending CN101009324A (zh) 2006-01-25 2006-12-11 氮化物半导体装置
CN2011101620703A Pending CN102244097A (zh) 2006-01-25 2006-12-11 氮化物半导体装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011101620703A Pending CN102244097A (zh) 2006-01-25 2006-12-11 氮化物半导体装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7825434B2 (zh)
JP (1) JP4705481B2 (zh)
CN (2) CN101009324A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102859669A (zh) * 2010-04-28 2013-01-02 松下电器产业株式会社 氮化物半导体晶体管
CN103003930A (zh) * 2010-07-14 2013-03-27 松下电器产业株式会社 场效应晶体管
WO2013155929A1 (zh) * 2012-04-20 2013-10-24 苏州晶湛半导体有限公司 增强型开关器件及其制造方法
CN104916633A (zh) * 2014-03-14 2015-09-16 株式会社东芝 半导体装置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7531854B2 (en) * 2007-05-04 2009-05-12 Dsm Solutions, Inc. Semiconductor device having strain-inducing substrate and fabrication methods thereof
US7772056B2 (en) * 2007-06-18 2010-08-10 University Of Utah Research Foundation Transistors for replacing metal-oxide semiconductor field-effect transistors in nanoelectronics
JP4478175B2 (ja) * 2007-06-26 2010-06-09 株式会社東芝 半導体装置
US7875907B2 (en) * 2007-09-12 2011-01-25 Transphorm Inc. III-nitride bidirectional switches
JP2009200395A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Sanken Electric Co Ltd Ｈｆｅｔおよびその製造方法
JP2009231508A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Panasonic Corp 半導体装置
EP2166085A1 (en) * 2008-07-16 2010-03-24 Suomen Punainen Risti Veripalvelu Divalent modified cells
JP5595685B2 (ja) * 2009-07-28 2014-09-24 パナソニック株式会社 半導体装置
US9378965B2 (en) * 2009-12-10 2016-06-28 Infineon Technologies Americas Corp. Highly conductive source/drain contacts in III-nitride transistors
KR101108746B1 (ko) * 2010-07-07 2012-02-24 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자 및 그 제조 방법
US8946788B2 (en) * 2011-08-04 2015-02-03 Avogy, Inc. Method and system for doping control in gallium nitride based devices
JP2014072427A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP6161910B2 (ja) 2013-01-30 2017-07-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP6642883B2 (ja) * 2015-10-08 2020-02-12 ローム株式会社 窒化物半導体装置およびその製造方法
WO2018181237A1 (ja) 2017-03-31 2018-10-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置
CN112928161B (zh) * 2019-12-06 2024-01-02 联华电子股份有限公司 高电子迁移率晶体管及其制作方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0714056B2 (ja) * 1985-04-05 1995-02-15 日本電気株式会社 半導体装置
EP0200933B1 (en) * 1985-04-05 1992-11-04 Nec Corporation Heterojunction transistor having bipolar characteristics
JP2503616B2 (ja) * 1988-12-27 1996-06-05 日本電気株式会社 半導体装置
JPH11261053A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 高移動度トランジスタ
JP2000299325A (ja) * 1999-04-16 2000-10-24 Hitachi Cable Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体を用いた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ
JP3393602B2 (ja) * 2000-01-13 2003-04-07 松下電器産業株式会社 半導体装置
JP3716906B2 (ja) * 2000-03-06 2005-11-16 日本電気株式会社 電界効果トランジスタ
JP4906023B2 (ja) * 2001-08-14 2012-03-28 古河電気工業株式会社 ＧａＮ系半導体装置
US7030428B2 (en) * 2001-12-03 2006-04-18 Cree, Inc. Strain balanced nitride heterojunction transistors
JP3986887B2 (ja) * 2002-05-17 2007-10-03 松下電器産業株式会社 半導体装置
JP2004273486A (ja) 2003-03-05 2004-09-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US7098490B2 (en) * 2003-06-02 2006-08-29 Hrl Laboratories, Llc GaN DHFET
US7382001B2 (en) * 2004-01-23 2008-06-03 International Rectifier Corporation Enhancement mode III-nitride FET
JP4041075B2 (ja) * 2004-02-27 2008-01-30 株式会社東芝 半導体装置
JP4705412B2 (ja) * 2005-06-06 2011-06-22 パナソニック株式会社 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP4712459B2 (ja) * 2005-07-08 2011-06-29 パナソニック株式会社 トランジスタ及びその動作方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102859669A (zh) * 2010-04-28 2013-01-02 松下电器产业株式会社 氮化物半导体晶体管
CN103003930A (zh) * 2010-07-14 2013-03-27 松下电器产业株式会社 场效应晶体管
CN103003930B (zh) * 2010-07-14 2015-12-16 松下知识产权经营株式会社 场效应晶体管
WO2013155929A1 (zh) * 2012-04-20 2013-10-24 苏州晶湛半导体有限公司 增强型开关器件及其制造方法
US9812540B2 (en) 2012-04-20 2017-11-07 Enkris Semiconductor, Inc. Enhanced switch device and manufacturing method therefor
CN108807526A (zh) * 2012-04-20 2018-11-13 苏州晶湛半导体有限公司 增强型开关器件及其制造方法
CN108807526B (zh) * 2012-04-20 2021-12-21 苏州晶湛半导体有限公司 增强型开关器件及其制造方法
CN104916633A (zh) * 2014-03-14 2015-09-16 株式会社东芝 半导体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US7825434B2 (en) 2010-11-02
JP4705481B2 (ja) 2011-06-22
CN102244097A (zh) 2011-11-16
US20070170463A1 (en) 2007-07-26
US20100327320A1 (en) 2010-12-30
JP2007201093A (ja) 2007-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101009324A (zh) 氮化物半导体装置
JP5147197B2 (ja) トランジスタ
CN101022128A (zh) 氮化物半导体装置及其制作方法
US8148752B2 (en) Field effect transistor
Hwang et al. p-GaN gate HEMTs with tungsten gate metal for high threshold voltage and low gate current
Nanjo et al. AlGaN channel HEMT with extremely high breakdown voltage
Arulkumaran et al. Improved Power Device Figure-of-Merit (4.0× 108 V2 Ω-1 cm-2) in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on High-Resistivity 4-in. Si
JP5580602B2 (ja) デプレッションモードＧａＮベースＦＥＴを使用したカスコード回路
EP2747145B1 (en) Field-effect transistor
CN101185158A (zh) 晶体管及其驱动方法
CN104704608B (zh) 氮化物半导体结构物
CN104916633A (zh) 半导体装置
Lee et al. AlGaN/GaN-based lateral-type Schottky barrier diode with very low reverse recovery charge at high temperature
CN104269434A (zh) 一种高电子迁移率晶体管
Zhou et al. Device technologies of GaN-on-Si for power electronics: Enhancement-mode hybrid MOS-HFET and lateral diode
CN105870164B (zh) 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
Chiu et al. Analysis of the back-gate effect in normally OFF p-GaN gate high-electron mobility transistor
Wu et al. Au-free Al₀. ₄Ga₀. ₆N/Al₀. ₁Ga₀. ₉N HEMTs on silicon substrate with high reverse blocking voltage of 2 kV
Mao et al. Development and characteristic analysis of a field-plated Al2O3/AlInN/GaN MOS—HEMT
Zhou et al. Schottky source/drain Al 2 O 3/InAlN/GaN MIS-HEMT with steep sub-threshold swing and high ON/OFF current ratio
Vicknesh et al. Effective suppression of current collapse in both E-and D-mode AlGaN/GaN HEMTs on Si by [(NH 4) 2 S x] passivation
CN109148575B (zh) 一种含有混合漏电极的氮化镓hemt器件
Acurio et al. On-state reliability of gan-on-si schottky barrier diodes: Si3n4 vs. al2o3/sio2 get dielectric
CN208889667U (zh) 一种含有混合漏电极的氮化镓hemt器件
Atmaca et al. Surge current capability in lateral AlGaN/GaN hybrid anode diodes with p-GaN/Schottky anode

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20070801