CN100463238C - 半导体发光器件及其制造方法、以及半导体发光组件 - Google Patents

半导体发光器件及其制造方法、以及半导体发光组件 Download PDF

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Abstract

提供一种半导体发光器件，具备：埋入树脂；第一引脚，其具有在上述埋入树脂中被埋入的第一内引脚部、和从上述埋入树脂的一侧面突出的第一外引脚部；第二引脚，其具有在上述埋入树脂中被埋入的第二内引脚部、和从与上述埋入树脂的上述一侧面对置的侧面突出的第二外引脚部；半导体发光元件，被安装在上述第一内引脚部，所述第一内引脚部在设置于上述埋入树脂的上面的凹部中露出；以及金属线，所述金属线连接上述半导体发光元件和上述第二引脚；上述第一内引脚部的背面、上述第二内引脚部的背面、上述第一外引脚部的背面、和上述第二外引脚部的背面实质上位于相同平面上，上述第一内引脚部的背面和上述第二内引脚部的背面，不被上述埋入树脂覆盖而露出。

Description

半导体发光器件及其制造方法、以及半导体发光组件
技术领域
本发明涉及半导体发光器件及其制造方法、以及半导体发光组件，特别是涉及对液晶显示器的背光灯或高功率LED(light emittingdiode)灯那样的、需要大电流驱动的用途适合的半导体发光器件及其制造方法，以及搭载了该半导体发光器件的半导体发光组件。
背景技术
近年，在半导体发光器件中，LED、包括应用荧光体的紫外光激发的白色发光型LED等的技术进步显著。可以实现CIE(国际照明协会)坐标上的所有显示颜色的发光，因此，包括车载用途(制动灯、尾灯、仪表板等)、信号灯、便携设备在内的各种LED显示器、液晶显示器背光灯等新用途正在逐渐扩大。在这些用途、特别是新的用途中，要求装置的小型化或高密度安装，因此，需要表面安装型(SurfaceMount Device：SMD)(例如专利文献1)。
【专利文献】日本特开2003-60240号公报
由于以往的表面安装型的半导体发光器件热阻高，其驱动电流的上限在50微安左右，只能进行小电流驱动。因此，在需要高功率的用途中，不得不搭载多个LED。
一方面，在为了功率晶体管用而开发的大电流用封装中，用热传导率高的粘接剂等，将芯片被管芯焊接的引脚框与散热器接合，而对应于大电流工作。但是，在该结构中，在以下的点具有改良的余地。
1、粘接剂层的热阻还不是很低。
2、安装工序多，安装成本增加。
3、由于部件数量增加，成本增加。(散热器、引脚框、粘接剂等)
另一方面，在半导体装置中，为了用大电流驱动LED，如果增大引脚框的热传导率，则在回流焊接(reflow)工序中的热应力变大。即，在回流焊接工序中，回流的热容易传到LED。因此，如果作为LED管脚的粘接剂使用耐热性低的银焊剂等，具有产生粘接强度降低等可靠性下降的情况。因此，作为LED管脚的粘接剂最好使用共晶焊锡等耐热性高的材料。但是，在以往的SMD中，由于在引脚框的内引脚部分浇铸的树脂的耐热温度低，还存在用共晶焊锡安装LED困难的问题。
发明内容
为实现上述目的，根据本发明的第一个方式，提供一种半导体发光器件，其具备：埋入树脂；第一引脚，其具有在上述埋入树脂中被埋入的第一内引脚部、和从上述埋入树脂的一侧面突出的第一外引脚部；第二引脚，其具有在上述埋入树脂中被埋入的第二内引脚部、和从与上述埋入树脂的上述一侧面对置的侧面突出的第二外引脚部；半导体发光元件，被安装在上述第一内引脚部，所述第一内引脚部在设置于上述埋入树脂的上面的凹部中露出；以及金属线，所述金属线连接上述半导体发光元件和上述第二引脚；上述第一内引脚部的背面、上述第二内引脚部的背面、上述第一外引脚部的背面、和上述第二外引脚部的背面实质上位于相同平面上，上述第一内引脚部的背面和上述第二内引脚部的背面，不被上述埋入树脂覆盖而露出；上述第一内引脚部具有比上述第一外引脚部的前端厚的第一厚度部分，上述第一外引脚部具有比上述第一外引脚部的前端厚的第二厚度部分，上述第一厚度部分和上述第二厚部分相连续。
此外，根据本发明另一个方式，提供一种半导体发光器件的制造方法，其具备：在引脚框的凹部的底面安装厚度比上述凹部的深度小的半导体发光元件的工序，所述引脚框包括第一引脚和与上述第一引脚在大致相同直线上延伸且相对置地配置的第二引脚，所述第二引脚具有与上述第1引脚的背面位于大致相同平面上的背面，所述第一引脚具有设有凹部的第一内引脚部和第一外引脚部，上述第一内引脚部具有比上述第一外引脚部的前端厚的第一厚度部分，上述第一外引脚部具有比上述第一外引脚部的前端厚的第二厚度部分，上述第一厚度部分和上述第二厚部分被连续地设置；以及在上述凹部的上部开口端上抵接成形模具、防止树脂侵入上述凹部内的状态下，使上述第一引脚的背面和上述第二引脚的背面不被覆盖，由此通过树脂埋入上述第一和第二引脚的内引脚部的工序。
此外，根据本发明的又一方式，提供一种半导体发光组件，其具备：具有第一电极焊盘和第二电极焊盘的安装电路板；和半导体发光器件，其具备：埋入树脂；第一引脚，其具有在上述埋入树脂中被埋入的第一内引脚部、和从上述埋入树脂的一侧面突出的第一外引脚部；第二引脚，其具有在上述埋入树脂中被埋入的第二内引脚部、和从与上述埋入树脂的上述一侧面对置的侧面突出的第二外引脚部；半导体发光元件，被安装在上述第一内引脚部，所述第一内引脚部在设置于上述埋入树脂的上面的凹部中露出，；以及金属线，所述金属线连接上述半导体发光元件和上述第二引脚；上述第一内引脚部的背面、上述第二内引脚部的背面、上述第一外引脚部的背面、和上述第二外引脚部的背面实质上位于相同平面上，上述第一内引脚部的背面和上述第二内引脚部的背面，不被上述埋入树脂覆盖而露出；上述第一内引脚部具有比上述第一外引脚部的前端厚的第一厚度部分，上述第一外引脚部具有比上述第一外引脚部的前端厚的第二厚度部分，上述第一厚度部分和上述第二厚部分相连续；并且，上述第一和第二外引脚部的任意一方，被连接在上述第一和第二电极焊盘的任意一方；上述第一和第二外引脚部的任意另一方，被连接在上述第一和第二电极焊盘的任意另一方。
附图说明
图1是例示本发明的实施方式的半导体发光器件的主要部分结构的模式截面图。
图2是从斜上方看本发明的实施方式的半导体发光器件的模式立体图。
图3是从斜下方看本发明的实施方式的半导体发光器件的模式立体图。
图4是表示在电路板上安装了本实施方式的半导体发光器件的状态的模式截面图。
图5是例示加强引脚20、30和树脂40的接合强度的结构的模式图。
图6是例示本实施方式的半导体发光器件的制造工序的主要部分的工序截面图。
图7是例示本实施方式的半导体发光器件的制造工序的主要部分的工序截面图。
图8是例示本实施方式的半导体发光器件的制造工序的主要部分的工序截面图。
图9是例示本实施方式的半导体发光器件的制造工序的主要部分的工序截面图。
图10是例示本实施方式的半导体发光器件的制造工序的主要部分的工序截面图。
图11是表示引脚框的具体例的模式图。
图12是放大表示在图11例示的引脚框的引脚20、30的部分的模式图。
图13表示浇铸有树脂40的引脚框的具体例的模式图。
图14放大表示在图13例示的状态下的引脚框的引脚20、30的部分的模式图。
图15是表示本实施方式的半导体发光器件的第1的变形例的模式截面图。
图16是表示本实施方式的半导体发光器件的第2的变形例的模式截面图。
图17是表示本实施方式的半导体发光器件的第3的变形例的模式截面图。
图18是表示本实施方式的半导体发光器件的第4的变形例的模式截面图。
图19是表示用于本实施方式的半导体发光组件的安装电路板的俯视图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。
图1是例示本发明的实施方式的半导体发光器件的主要部分结构的模式截面图。
此外，图2是从斜上方看该半导体发光器件的模式立体图。
另外，图3是从斜下方看该半导体发光器件的模式立体图。
即，本实施方式的半导体发光器件是所谓的表面安装型(SMD)的发光器件，具有一对引脚20、30和包入这些引脚的内引脚部20B、30B而形成的埋入树脂40。在引脚20上安装有半导体发光元件10(以下称“LED芯片”)。该半导体发光元件例如在各种安装电路板的电极图案上方、通过焊接或熔接可安装外引脚部20A、30A。
并且，如图3所示，在本实施方式中，在半导体发光器件的底面(安装面)露出引脚的内引脚部20B、30B的背面。即，引脚20的位于半导体发光元件(以下，称“LED芯片”)10的正下方的部分，不被树脂40覆盖而露出，裸露着。
通过将这样裸露的LED芯片10正下方的部分焊接在未图示的安装电路板等上，在LED芯片10产生的热能有效率地向安装电路板放出。并且，在图3中，在半导体发光器件的背面侧，在固定孔180填充的树脂40外露，对此以后参照图5详细叙述。
在本实施方式中，引脚20的LED芯片10下方的厚度T2，比外引脚部20A的前端(焊接的部分)的厚度T3厚。如果这样，由于LED芯片正下方的金属厚度大，作为散热器的效果大，并促进冷却。另一方面，如果考虑后面详细叙述的引脚切割工序和与安装电路板的连接，最好是外引脚部20A、30A的前端部不比现有厚度大。
并且，引脚30的内引脚部30B的厚度没有必要一定与内引脚部20B的厚度T1相同。但是，如果使这些厚度大致相同，能使从LED芯片10连接的金属线60的两端的高度成为大致相同，引脚焊接变得容易。此外，在引脚焊接时，引脚30的焊接部分不会成为悬浮的状态，而是以在焊接装置的载物台上牢固地被保持的状态，焊接金属线。即，能可靠地在引脚30上焊接金属线60。
此外，如果使引脚30的内引脚部30B的厚度与引脚20的内引脚部20B的厚度为相同程度，则难以从树脂40中拔出，提高半导体发光器件的机械强度。
图4是表示在电路板上安装了本实施方式的半导体发光器件的半导体发光组件的模式截面图。
即，本实施方式的半导体发光组件具有印刷电路板等的电路板90和安装在其上的半导体发光器件。通过回流焊接等方法将半导体发光器件焊接在电路板90上时，事先在电路板90上设置有焊盘部，以网板印刷等涂敷焊接剂等。并且，外引脚20A和外引脚30A通过焊锡81分别被连接在电路板90上的电极图案上。并且，同时，引脚20的芯片正下方的部分通过焊锡82被连接在电路板90上的电极图案上。
这样地，在本实施方式中，一对引脚20、30的背面与安装面成为同一平坦面。因此，在安装时，没必要弯折或弯曲外引脚20A、30A，就能使其平坦的背面对着安装电路板直接焊接。此外，使引脚20、30的背面与安装面成为同一平坦面，由此，能使焊接的面积足够大，能使在安装电路板上的半导体发光器件的安装强度足够高。
本实施方式的半导体发光器件，由于芯片正下方的引脚暴露于底面，因此能通过焊锡82在电路板90的电极焊盘部接合。由注入到LED芯片10的p-n结中的大电流产生的热量，如该图中箭头H1所示地向下方放出，并通过芯片10正下方的钎焊接合部82如箭头H2所示地高效地向电路板90发散。其结果是，即使流过大电流，也能进行稳定的高功率工作，可用在以往的半导体发光组件中照度不足的各种用途，例如液晶显示器的背光灯、高亮度的显示板、车载用制动灯、尾灯、前照灯，或者化妆间或各种空间的点照明等。
此外，在本实施方式中，引脚20的厚的部分具有从树脂40突出的突起部20A。如果这样设置突起部20A，能降低以箭头H3表示的路径的热阻。即，使从LED芯片10放出的热的一部分，通过外引脚20A的下面的焊锡81，如箭头H4表示地高效率地向电路板90发散。此外，由于突起部20A不被树脂40覆盖着，因此，如箭头H5所示，也能促进向空气中的散热。
下面，参照图1至图4，更详细地说明本实施方式的半导体发光器件的各部分的结构。
在引脚20的内引脚部20B，设有杯状的凹部20C。另一方面，凹部40C被设置在埋入树脂40，在其底部露着包含引脚的凹部20C的、内引脚部20B、30B的一部分。而且，在引脚20的凹部20C的底面，焊接有LED芯片10。作为焊接的粘接剂，可用共晶焊锡、导电性焊剂或金(Au)凸块等。此外，LED芯片10的电极通过焊接金属线60已经连接在一方的内引脚部30B上。
在杯状的凹部20C设置有倾斜的侧壁，对从LED芯片10出射的光具有反射功能。此外，埋入树脂40的凹部40C的侧壁也具有反射功能。其结果是能提高光输出效率。如果将凹部20C的侧壁作为R形状等的曲面状，可维持期望的配光特性并提高光反射率，能得到较高的光输出效率。
其中，将LED芯片10配置在凹部20C的大致中心，由此可容易得到均匀的配光特性。此外，在埋入树脂40中设置的凹部40C，例如图2所示地具有以LED芯片10为中心的第一圆锥状部分、和为收容金属线60而附设的第二圆锥状部分。如果这样地形成凹部40C，能高效地向上方反射来自LED芯片10的光，并提高光的输出效率。
另一方面，如后面详细叙述，通过在凹部20C中收容LED芯片10，可在利用埋入树脂40的注入成形工序中防止树脂的铸模接触LED芯片10。即，在引脚20上安装LED芯片10后，能在埋入树脂40上进行注入成形。其结果是，还能得到作为焊接LED芯片10的粘接剂可使用熔点高的共晶焊锡等的效果。
作为LED芯片10，能使用各种可见光型的LED芯片。另外，通过适当组合紫外光型的LED芯片和荧光体，可得到包括白色光的各种发光颜色。这样，可实现用CIE(国际照明协会)标准的相对可见度曲线表示的所有颜色。
内部包入LED芯片10或焊接金属线60的埋入树脂40的凹部40C被密封树脂50埋入着。并且，为表示内部结构，在图2省略了密封树脂50。
作为LED芯片10，当使用了采用InGaAlP系化合物半导体等发出红色等可见光的芯片的情况下，作为密封树脂50的材料，例如可使用环氧树脂。
另一方面，作为LED芯片10，使用了发出紫外线的芯片的情况下，作为密封树脂50的材料，最好是使用硅系树脂。这是因为，通过紫外线的照射，存在环氧树脂变色的情况，但是，使用硅系树脂的情况下不发生变色，能长期地维持较高的光透过率。此外，这时在密封树脂50中适当混合荧光体，由此能得到期望的发光色。
一对引脚20、30最好是由金属形成。例如，如果用铜(Cu)系的合金，有利于得到较高的热传导率。此外，在其表面通过电镀等方法实施涂覆，则提高在杯状的凹部20C的侧壁上的光反射率，此外，能提高在外引脚部20A、30A和芯片10正下方的引脚20背面处的焊锡的接合强度。作为这样的涂覆，例如可举出将银(Ag)或镍(Ni)/钯(Pd)/金(Au)按这个顺序层叠的涂覆。涂覆银时的厚度，例如可以是10微米左右。此外，在后者的层叠结构的情况下，例如能使镍为1微米左右、钯为0.03微米左右、金为0.008微米左右。通过实施这样的涂覆，提高在凹部20C的反射率，也能提高焊接的接合强度。
可以是，内引脚部20B、30B的厚度T1例如为1.2毫米，安装有LED芯片10的凹部20C的部分的厚度T2例如为0.7毫米，外引脚部20A、30A的厚度T3例如为0.5毫米左右。此外，LED芯片10的尺寸例如在高功率的情况下，可以是一边为1毫米的正方形。
作为埋入树脂40的材料，例如可使用热塑性树脂。作为这样的树脂，例如可举出聚丙烯酰胺(PPA)等耐仑类树脂。引脚20、30可利用这样的热塑性的埋入树脂40进行注入成形。
如果作为埋入树脂40的材料采用热塑性树脂，可得到较高的耐热性和可靠性。例如，作为埋入树脂40的材料使用环氧树脂等的情况下，在回流焊接工序中的耐热性和对温度循环的可靠性等稍微下降。这是由于，环氧树脂的热膨胀率与构成引脚的金属比较非常大。因此，在采用环氧树脂的情况下，如果加热，有可能产生环氧树脂膨胀使LED芯片脱落或金属线断裂等问题。
与此对应，作为埋入树脂40的材料，如果使用热塑性树脂，在回流焊接中的耐热性提高，此外，对热循环的可靠性也提高。特别是，如果在聚丙烯酰胺等热塑性树脂中混入氧化钛等填充剂，则使热膨胀率变小，还能防止加热时的软化。例如，如果混入30～40％左右的包含氧化钛的填充材料，可得到耐热性极优良的半导体发光器件。
此外，通过在埋入树脂40中混合或混入反射率高的材料，能够促进在凹部40C的侧壁上的反射作用。例如，也可以在树脂40中混合钛酸钾的粉末。
埋入树脂40的外部尺寸，例如可以是长度L为7毫米、宽度W为5毫米，高度H为2毫米左右。
另一方面，在本实施方式中，由于是引脚20、30的背面在埋入树脂40的底面露出的结构，最好是采用提高接合强度的结构，以使这些引脚和埋入树脂40不剥离。
图5是例示增强了引脚20、30和树脂40的接合强度的结构的模式图。
即，设置贯穿引脚20(30)的固定孔180，如果使埋入树脂40填充在固定孔180的内部，则抑制引脚和注入成形体的“不平度”(ぶれ)，能够增加粘着强度和接触面积而抑制引脚与树脂40的剥离。
此外，通过在引脚20、30的内引脚部的前端设置凹凸20P、30P，可提高与树脂40的“咬合”，加强接合强度。
此外，如在图5(b)中以A-A截面图所示，也可以在引脚20(30)的侧面设置其宽度朝着背面缩小的锥形部20T(30T)。如果这样，在这些锥形部20T(30T)，通过树脂40引脚20(30)从斜下方被支承，能抑制树脂40的剥离。
以上说明的固定孔180或凹凸20P(30P)、锥形部20T(30T)，可通过引脚20、30的冲压加工形成。而且，通过设置这些，可抑制引脚和注入成形体的“不平度”，增加粘着强度和接触面积，抑制引脚和树脂40的剥离。
以下，对于本实施方式的半导体发光器件，参照其制造方法更详细地说明。
图6至图10是例示本实施方式的半导体发光器件的制造工序的主要部分的工序截面图。
首先，如图6所示，在引脚20的凹部20C安装LED芯片10。其中，引脚20、30最好是以所谓引脚框的方式提供。
图11是表示这样的引脚框的具体例的模式图。
此外，图12是放大了在图11例示过的引脚框的一对引脚20、30部分的模式图。
本具体例的引脚框的情况下，与图5相关地设有如前所述的固定孔180、凹凸20P(30P)、锥形部20T(30T)等。并且，固定孔180在引脚20的侧面被设置为切口状。
在LED芯片10的管芯焊接中，可使用银焊剂或共晶焊锡(AuSn、AuGe、AuSi等)、或者金(Au)凸块。在高功率型LED(也是大电流)中，由于p-n结温度上升，最好是使用耐高温工作的粘接材料。因此，最好是使用在高温下能得到稳定的接合强度的共晶焊锡或金凸块。例如，AuSn的熔融温度大概是280℃，因此，与银焊剂相比高温工作时的可靠性较高。利用AuSn共晶焊锡的安装，在320℃左右实施的情况较多。
如果安装了LED芯片10，接着注入成形埋入树脂40。
图7是表示在树脂40的成形模具140中注入引脚框的状态。
在本实施方式中，LED芯片10被收容在引脚20的凹部20C，因此，可以使成型模具140不与LED芯片10接触地进行注入成形。即，在安装LED芯片10后，进行树脂40的注入成形。
作为埋入树脂40的材料，使用PPA等热塑性树脂的情况下，其耐热温度在290℃左右。与此对应，用共晶焊锡的情况下，需要将焊接温度加热到320℃左右。即，在注入成形埋入树脂40后，利用共晶焊锡对LED芯片10进行共晶焊接安装是不容易的。
与此对应，根据本实施方式，在引脚的凹部20C中安装LED芯片，由此，可以使成形模具140不与芯片10接触地进行注入成形。其结果，可在利用共晶焊接的高温下的焊接后，进行树脂的注入成形，不会使树脂40热劣化，可使用热可靠性高的共晶焊锡。
图8是表示完成注入成形并从成形模具140中拔出引脚框的状态。
此外，图13是表示浇铸了树脂40的引脚框的具体例的模式图。
此外，图14是放大了在图13例示的状态的、引脚框的引脚20、30部分的模式图。
这样地，通过在成型模具140中注入并列配置了多个引脚20、30的引脚框，能一次成型树脂40。
接着，如图9所示，将设置在LED芯片10上的电极(未图示)和树脂的凹部40C底部的露出的引脚30的内引脚部30B，用金(Au)线等进行引脚接合。
然后，如图10所示，在埋入树脂40的凹部40C封入树脂，密封LED芯片10和金属线60。
接着，将通过引脚框连接着的一串半导体发光器件进行引脚切割，由此，半导体发光器件各自分离，制造工序完毕。并且，如果将在上述各工序中使用的制造装置(管芯焊接机、引脚焊接机、成形机、引脚切割装置等)自动化，能确保高生产率和高可靠性。
以上说明了本发明的实施方式涉及的半导体发光器件及其制造方法。以下说明本实施方式的半导体发光器件的变形例。
图15是表示本实施方式的半导体发光器件的第1的变形例的主要部分的模式截面图。
即，如图15(a)所示，使凹部20C的深度D比LED芯片10的厚度还大，由此，如前所述，能保护LED芯片10不受成形模具140的影响。并且，从LED芯片10发出的光，在凹部20C的侧壁被反射，能向上方输出。
并且，如图15(b)所示，如果在凹部20C的芯片10的周边设置突起部100、并在其外侧填充具有高反射率的材料200，则如在该图中以箭头表示的那样，从芯片10向横向发出的光能以高效率被反射，输出到上方。例如，作为具有高反射率的材料200，例如可例举钛酸钾的微粒。通过将这样的微粒混合填充在树脂中，能以高效率反射来自LED芯片10的光。即，如图15(a)所示，与在凹部20C的侧壁产生反射的情况相比，反射位置更接近芯片10，并且，材料200引起高反射率，因此可大幅度提高光输出效率。
图16是表示本实施方式的半导体发光器件的第2变形例的模式截面图。
在本变形例中，设有密封LED芯片10的第一密封树脂52、和进一步密封其外侧的第二密封树脂54。
例如，作为第一密封树脂52，使用硬度较低、机械性柔软的树脂，由此，缓冲附加在LED芯片10上的机械应力，能抑制断裂或剥离等问题。这种情况下，作为第二密封树脂54，通过使用机械性强度高的树脂，能抵御附加的外力或冲击。
此外，例如作为LED芯片10可以使用紫外线发光型的元件，作为第一密封树脂52可以使用在硅树脂中扩散荧光体的树脂，作为第二密封树脂54可以使用环氧树脂。从LED10发出的紫外线，通过包含在第一密封树脂52中的荧光体进行波长变换，例如变换为可见光。该可见光透过由环氧树脂构成的第二密封树脂，可输出到外部。由于紫外线通过荧光体进行波长变换，由环氧树脂构成的第二密封树脂54不会产生变色等问题。此外，作为第二密封树脂54的材料，通过使用环氧树脂，能提高对外力或冲击的耐久性。
图17是表示本实施方式的半导体发光器件的第3变形例的模式截面图。
在本变形例中，通过第一金属线60A连接了LED芯片10和引脚30，通过第二金属线60B连接了芯片10和引脚20。在例如在绝缘性电路板的上面形成有LED芯片10的情况下，这是有效的。即，作为将氮化镓类的半导体材料外延生长时的电路板，有时使用蓝宝石。在这样的情况下，LED芯片10的阳极和阴极设置在芯片10的上面。因此，有必要通过第二金属线60B连接在引脚20上。
此外，与LED芯片10一起安装保护用二极管等其它半导体元件(未图示)的情况下，同样地可通过第二金属线60B连接。
图18是表示本实施方式的半导体发光器件的第4变形例的模式截面图。
在本变形例中，引脚20、30和引脚框的连接部300的宽度形成为比引脚20、30的宽度还窄。在本实施方式的半导体发光器件由引脚框制造时，例如图13所示，有必要从连接着的引脚框切断，由此分离半导体发光器件。
但是，在引脚框上电镀银等的情况下，未电镀的母材面在切断部露出，有时产生焊接性的劣化等。与此对应，如本变形例，形成宽度较窄的连接部300，由此，缩小引脚切割后的母材面的裸露部分的面积，能抑制焊接性下降。
图19是表示在本实施方式的半导体发光组件中使用的安装电路板的一例的俯视图。
本具体例的情况下，在安装电路板90上设有可并列配置多个半导体发光器件的电极图案。即，与各自的半导体发光器件的引脚的外引脚部20A、30A对应，设有电极图案90A、90B。并且，在各自的半导体发光器件的芯片正下方的部分，设有用于焊接的电极图案90C。
这样地，在本实施方式中，在芯片正下方可以对安装电路板进行焊接，由此，结合图4所述的那样，可提供一种半导体发光组件，促进热的放出，即使在流过大电流的情况下，也能使其稳定而高功率工作。
以上，参照具体例说明了本发明的实施方式。但是，本发明并不限定在这些具体例。
例如，可以用作LED芯片的不限定于InGaAlP类或GaN类，也可以使用其它以GaAlAs类或InP类为代表的各种III-V族化合物半导体、或其它II-VI族化合物半导体、或其以外的各种半导体。
此外，对于构成半导体发光器件的LED芯片、引脚、埋入树脂和密封树脂等各要素的形状、尺寸、材质和配置关系等，即使本领域技术人员进行各种设计变更，只要具有本发明的主要内容，就包含在本发明的范围内。

Claims (18)

1.一种半导体发光器件，其特征在于，具备：
埋入树脂；
第一引脚，其具有在上述埋入树脂中被埋入的第一内引脚部、和从上述埋入树脂的一侧面突出的第一外引脚部；
第二引脚，其具有在上述埋入树脂中被埋入的第二内引脚部、和从与上述埋入树脂的上述一侧面对置的侧面突出的第二外引脚部；
半导体发光元件，被安装在从设置在上述埋入树脂的上面上的凹部中露出的上述第一内引脚部上；以及
金属线，所述金属线连接上述半导体发光元件和上述第二引脚；
上述第一内引脚部的背面、上述第二内引脚部的背面、上述第一外引脚部的背面、和上述第二外引脚部的背面实质上位于相同平面上，
上述第一内引脚部的背面和上述第二内引脚部的背面，不被上述埋入树脂覆盖而露出，
上述第一内引脚部具有第一壁厚部，所述第一壁厚部具有比上述第一外引脚部的前端部的厚度大的厚度；
上述第一外引脚部具有第二壁厚部，所述第二壁厚部具有比上述第一外引脚部的前端部的厚度大的厚度；
上述第一壁厚部和上述第二壁厚部被连续地设置。
2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，
上述埋入树脂的背面，与上述第一内引脚部的背面、上述第二内引脚部的背面、上述第一外引脚部的背面、以及上述第二外引脚部的背面实质上位于相同平面上。
3.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，
上述第一内引脚部的、安装了上述半导体发光元件的部分的厚度，比上述第一外引脚部的前端部的厚度大。
4.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，
上述第二内引脚部的至少一部分的厚度，比上述第二外引脚部的前端部的厚度大。
5.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，
上述埋入树脂是热塑性树脂。
6.如权利要求5所述的半导体发光器件，其特征在于，
上述热塑性树脂包含氧化钛。
7.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，
还具备密封树脂，所述密封树脂密封被设置在上述凹部中的半导体发光元件和上述金属线。
8.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，
在上述第一内引脚部设有凹部，并在该第一内引脚部的凹部中安装有半导体发光元件。
9.如权利要求8所述的半导体发光器件，其特征在于，
设置有包围上述半导体发光元件的周围的突起部，从上述半导体发光元件看时，在上述突起部的外侧填充有包含光反射材料的树脂。
10.如权利要求8所述的半导体发光器件，其特征在于，
设置在上述第一内引脚部的凹部的深度，比上述半导体发光元件的厚度大。
11.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，
在上述第一内引脚部的侧面设有锥形部，该锥形部的宽度朝着上述第一内引脚部的背面缩小。
12.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，
通过共晶焊锡或金凸块，上述半导体发光器件被安装在上述第一内引脚部。
13.一种半导体发光器件的制造方法，其特征在于，具备：
在引脚框的凹部的底面安装厚度比上述凹部的深度小的半导体发光元件的工序，上述引脚框具备：第一引脚，其具有设有上述凹部的第一内引脚部和第一外引脚部，上述第一内引脚部具有比上述第一外引脚部的前端部厚的第一壁厚部，上述第一外引脚部具有比上述第一外引脚部的前端部厚的第二壁厚部，上述第一壁厚部和上述第二壁厚部被连续地设置；和第二引脚，其与上述第一引脚在相同直线上延伸且相对置地配置，具有第二内引脚部和第二外引脚部，并具有与上述第一引脚的背面位于相同平面上的背面；以及
在上述凹部的上部开口端上抵接成形模具、防止树脂侵入上述凹部内的状态下，利用树脂埋入上述第一引脚的第一内引脚部和上述第二引脚的第二内引脚部，以便上述第一引脚的背面和上述第二引脚的背面不被树脂覆盖的工序。
14.如权利要求13所述的半导体发光器件制造方法，其特征在于，
作为安装上述半导体发光元件的粘接剂，使用共晶焊锡或金凸块，作为上述树脂使用热塑性树脂。
15.一种半导体发光组件，其特征在于，具备：
具有第一电极焊盘和第二电极焊盘的安装电路板；和
半导体发光器件，其具备：埋入树脂；第一引脚，其具有在上述埋入树脂中被埋入的第一内引脚部、和从上述埋入树脂的一侧面突出的第一外引脚部；第二引脚，其具有在上述埋入树脂中被埋入的第二内引脚部、和从与上述埋入树脂的上述一侧面对置的侧面突出的第二外引脚部；半导体发光元件，被安装在从设置在上述埋入树脂的上面上的凹部中露出的上述第一内引脚部上；以及金属线，所述金属线连接上述半导体发光元件和上述第二引脚；上述第一内引脚部的背面、上述第二内引脚部的背面、上述第一外引脚部的背面、和上述第二外引脚部的背面实质上位于相同平面上，上述第一内引脚部的背面和上述第二内引脚部的背面，不被上述埋入树脂覆盖而露出；
上述第一内引脚部具有第一壁厚部，所述第一壁厚部具有比上述第一外引脚部的前端部的厚度大的厚度；
上述第一外引脚部具有第二壁厚部，所述第二壁厚部具有比上述第一外引脚部的前端部的厚度大的厚度；
上述第一壁厚部和上述第二壁厚部被连续设置；
上述第一和第二外引脚部的任意一方，被连接在上述第一和第二电极焊盘的任意一方；
上述第一和第二外引脚部的任意另一方，被连接在上述第一和第二电极焊盘的任意另一方。
16.如权利要求15所述的半导体发光组件，其特征在于，
上述安装电路板还具有在上述第一和第二电极焊盘之间设置的连接焊盘；
在上述第一内引脚部中、安装有上述半导体发光元件的部分的背面，与上述连接焊盘连接。
17.如权利要求16所述的半导体发光组件，其特征在于，
上述埋入树脂的背面与上述第一内引脚部的背面、上述第二内引脚部的背面、上述第一外引脚部的背面和上述第二外引脚部的背面实质上位于相同平面上。
18.如权利要求16所述的半导体发光组件，其特征在于，
上述第一内引脚部的、安装有上述半导体发光元件的部分的厚度，比上述第一外引脚部的前端部的厚度大。
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