WO2023084634A1 - 蒸着装置 - Google Patents

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WO2023084634A1
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WO
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substrate
mask
touch plate
vapor deposition
hook portion
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PCT/JP2021/041307
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French (fr)
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修士 牛尾
聖士 藤原
裕士 今田
通 園田
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シャープディスプレイテクノロジー株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Definitions

  • the present invention relates to vapor deposition equipment.
  • Patent Document 1 discloses an alignment method for a vapor deposition apparatus.
  • alignment means aligning the alignment marks (film formation positions) of the mask and the substrate with each other in parallel. If the substrate bends under its own weight and is not parallel, the direction in which the substrate extends becomes non-uniform when placed on the mask after alignment. As a result, the positions of the alignment holes on the mask and the positions of the alignment marks on the substrate tend to be misaligned, and misalignment is detected in the final check. As a result, an alignment retry occurs.
  • a touch plate (hereinafter referred to as TP) is provided on the opposite side of the mask, and the weight of the TP presses the substrate to suppress the bending of the substrate.
  • the substrate Before being placed on the mask, the substrate is flexed and the peripheral edge of the substrate is supported by the hooks. If the TP is simply placed on the substrate in that state, a strong load is applied to the edge of the substrate that is in local contact with the hooks, causing the substrate to crack.
  • the state is shown in FIG.
  • the board 3 bent by its own weight is supported by the hook part 5, and the end part of the board 3 is slightly lifted from the hook part 5. - ⁇ When the TP4a is placed on the substrate 3 in this state, a pressing force is applied to the contact portions T1 and T2 where the substrate 3 and the TP4a are in contact with each other.
  • FIGS. 9A to 9D show the situation after the substrate 3 and the mask 2 have been aligned. Since the amount of bending of the TP4a is smaller than that of the substrate 3, the substrate 3 and the TP4a are in contact with each other at their peripheral edges and slightly separated from each other at their central portions. Next, the hook portion 5 descends, and the substrate 3 and the mask 2 come into contact with each other at the central portion as shown in FIG. 9B. At this time, the substrate 3 and TP4a are in contact with each other at the peripheral edge of the substrate 3 and TP4a as in FIG. 9A.
  • the hook portion 5 is further lowered, and the substrate 3 and the mask 2 come into contact with each other over the entire surface.
  • the amount of bending of the mask 2 is less than the amount of bending of the substrate 3 and TP4a, the bending of the substrate 3 is eliminated, and the substrate 3 and TP4a begin to come into contact with each other at the central portion. begin to move away a little.
  • the TP4a is lowered, and the substrate 3 and the peripheral edge of the TP4a are brought into contact with each other in FIG. 9C.
  • the contact point between the substrate 3 and TP4a moves from the peripheral edge to the central portion, so that the starting point of elongation of the substrate 3 (fixed point) is the central portion of the TP4a (contact point with the substrate 3). ) alone becomes unstable. Therefore, when the substrate 3 is caught by the contact point with the TP 4a and stretches, the direction in which the deflection is eliminated becomes random, and the substrate 3 and the mask 2 are misaligned.
  • An object of one embodiment of the present invention is to suppress displacement of a substrate after alignment in a vapor deposition apparatus.
  • a vapor deposition apparatus includes a metal mask, a touch plate that presses a substrate fixed on the mask from the side opposite to the mask, the substrate, and the periphery of the touch plate.
  • a supporting hook portion and a magnet installed on the side of the touch plate opposite to the substrate are provided, and the touch plate is warped to the side opposite to the substrate.
  • the touch plate is warped in the opposite direction to the substrate, it is possible to suppress displacement of the substrate after alignment.
  • FIG. 4 is a top view showing the appearance of the hook portion according to Embodiment 1 of the present invention;
  • FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a gap portion according to Embodiment 1 of the present invention;
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a gap portion according to Embodiment 1 of the present invention;
  • FIG. 4 is a diagram showing a contact state between the substrate and the touch plate according to Embodiment 1 of the present invention;
  • FIG. 4 is a diagram showing a contact state between the substrate and the touch plate according to Embodiment 1 of the present invention
  • FIG. 4 is a diagram showing contact of a touch plate, a substrate, and a mask according to Embodiment 1 of the present invention
  • FIG. 4 is a diagram showing contact of a touch plate, a substrate, and a mask according to Embodiment 1 of the present invention
  • FIG. 4 is a diagram showing contact of a touch plate, a substrate, and a mask according to Embodiment 1 of the present invention
  • FIG. 4 is a diagram showing contact of a touch plate, a substrate, and a mask according to Embodiment 1 of the present invention
  • It is a figure for demonstrating the effect which concerns on Embodiment 1 of this invention.
  • FIG. 10 is a diagram showing a substrate and a touch plate supported by hooks according to the prior art; It is a figure which shows the alignment method based on a prior art. It is a figure which shows the alignment method based on a prior art. It is a figure which shows the alignment method based on a prior art. It is a figure which shows the alignment method based on a prior art. It is a figure which shows the alignment method based on a prior art.
  • Embodiment 1 of the present invention will be described in detail below.
  • FIG. 1 is a diagram showing part of the configuration of a vapor deposition apparatus 1.
  • the vapor deposition device 1 is, for example, a device for forming an organic light-emitting diode (hereinafter referred to as OLED) light-emitting layer on a substrate 3 .
  • the vapor deposition device 1 includes a mask 2, a TP4, a hook portion 5, a magnet 6, and a vapor deposition source .
  • the mask 2 is a vapor deposition mask made of metal, and covers a region on the substrate 3 where the light-emitting layer is not formed.
  • the TP4 presses the substrate 3 fixed on the mask 2 from the side opposite to the mask 2 .
  • the hook portion 5 supports the substrate 3 and the periphery (periphery) of the TP4.
  • a magnet 6 is installed on the opposite side of the TP4 from the substrate 3 in order to bring the mask 2 into close contact with the substrate 3 by magnetic force.
  • the vapor deposition source 10 emits organic material vapor vertically upward in order to form a light-emitting layer on the substrate 3 .
  • FIG. 2 shows the size of TP4.
  • the horizontal size XT and the vertical size YT of the TP4 are set to be 1.05 to 1.1 times the horizontal size Xg and the vertical size Yg of the substrate 3, respectively, and the horizontal size XT and the vertical size The ratio with YT shall not be changed. Further, as shown in FIG. 1, the TP4 is warped vertically upward (the side opposite to the substrate 3) in the long side direction.
  • FIG. 3 is a top view showing the appearance of the hook portion 5 according to this embodiment.
  • the hook portions 5 are provided inside the frame 51 corresponding to the four sides of the substrate 3 and TP4, and support the ends of the substrate 3 and TP4.
  • the number of hook portions 5 may be changed according to the size of the substrate 3 or the like.
  • the hook portion 5 is provided with a cushioning material 8 in contact with the substrate 3 and a shim plate (plate member) 7 in contact with the TP 4 .
  • the hook portions 5 are not provided at the four corners (corner portions C) of the substrate 3 and TP4. In other words, the corners C of substrate 3 and TP4 are not supported by hooks 5 .
  • (Gap SP) 4A and 4B are cross-sectional views showing the gap portion (gap) SP according to the present embodiment.
  • TP4 is supported by hook portion 5 via shim plate 7 .
  • the substrate 3 is supported by the hook portion 5 without the shim plate 7 interposed therebetween.
  • a cushioning material 8 is provided on the mounting surface of the hook portion 5 that supports the substrate 3 and TP4, and the substrate 3 is placed on the cushioning material 8 .
  • the TP4 is placed on the shim plate 7 provided on the cushioning material 8 .
  • the thickness TS of the shim plate 7 is formed larger than the thickness of the substrate 3 .
  • FIG. 4A shows a state in which the substrate 3 and TP4 are placed on the hook portion 5 and a state in which the substrate 3 and the mask 2 are in contact with each other, and the edge of the TP4 is supported by the shim plate 7. Since the thickness TS of the shim plate 7 is larger than the thickness TK of the substrate 3 , a space SP is formed between the substrate 3 and TP4 in the hook portion 5 . The space SP is a space surrounded by the substrate 3, TP4, and shim plate 7. As shown in FIG. In addition, TP4 is embossed on the surface on the substrate 3 side, and projections 41 are provided. The protrusion 41 suppresses separation electrification that occurs when the substrate 3 and TP4 are separated.
  • TP4 is warped to the side opposite to the substrate 3.
  • the distance TG between the substrate 3 and the projections 41 is desirably 0.3 mm or more.
  • the thickness TS of the shim plate 7 is desirably 0.8 mm or more and 1.0 mm or less.
  • the height TT of the projection 41 is desirably 0.1 mm or more and 0.3 mm or less.
  • the substrate 3 and the protrusion 41 are brought into contact with each other with a force that does not crack the substrate 3.
  • the thickness TK is 0.5 mm
  • the thickness TS of the shim plate 7 is preferably 0.9 mm.
  • FIG. 4B shows a state in which the substrate 3, mask 2, TP4, and magnet 6 are in contact with each other over the entire surface.
  • the protrusion 41 contacts the substrate 3 when the substrate 3 and TP4 are horizontal.
  • FIG. 5A and 5B are diagrams showing the state of contact between substrate 3 and TP4 at corner C shown in FIG.
  • Protrusions 42 that thicken TP4 are provided at the four corners of the surface of TP4 on the substrate 3 side.
  • the convex portion 42 includes a slope portion 42a provided obliquely with respect to the surface of TP4, and a plane portion 42b provided parallel to the surface of TP4.
  • FIG. 5A shows a state in which the substrate 3 and TP4 are placed on the hook portion 5 and a state in which the substrate 3 and the mask 2 are in contact with each other.
  • TP4 is warped to the side opposite to substrate 3, projection 41 and substrate 3 are not in contact.
  • the convex portion 42 is in contact with the substrate 3 at a part of the slope portion 42a.
  • the substrate 3, the mask 2, the TP4, and the magnet 6 are in contact with each other over the entire surface. It is in contact with the substrate 3.
  • the TP4 stably presses the peripheral edge of the substrate 3, the contact point between the substrate 3 and the mask 2 does not move from the peripheral edge to the central portion, thereby suppressing substrate deviation. Furthermore, by reducing alignment retries, transfer of foreign matter between the mask 2 and the substrate 3 can be reduced. In addition, the center of the substrate 3 is less likely to be rubbed, and scratches on the back surface (the surface of the substrate 3 on the TP4 side) can be alleviated. For example, it is effective when performing a peeling process for peeling off a base of glass from the substrate 3 .
  • (Alignment method) 6A to 6D are diagrams showing the contact of convex TP 4, substrate 3 and mask 2 according to the present embodiment, showing the deposition alignment method.
  • the substrate 3 and the mask 2 are aligned with the substrate 3 and the TP4 placed on the hook portion 5 .
  • the peripheral edge of the substrate 3 is slightly pressed against the TP4.
  • FIG. 6C shows a state in which the hook portion 5 is further lowered and the substrate 3 and the mask 2 are in further contact. While the substrate 3 is placed along the mask 2, the TP4 is pressed from the periphery.
  • FIG. 6D shows a state in which the hook portion 5 is further lowered and the substrate 3 and the mask 2 are in contact with each other over the entire surface.
  • the TP4 is slightly stretched by its own weight, and the area for holding the periphery of the substrate 3 is enlarged compared to when it is placed on the hook portion 5 .
  • FIG. 7A shows the ratio of the average number of alignment retries per fixed period in the vapor deposition apparatus.
  • the number of retries (April f) in the vapor deposition apparatus 12 using the conventional TP4a was assumed to be 1 (100%) for calculation.
  • FIG. 7B shows the average number of retries at a particular stage during that total period.
  • FIG. 7C shows the ratio of the number of alignment retries and the number of defects due to foreign matter transfer.
  • the highest number of total retries (April 1st) and the number of defects (April m) were set to 1 (100%) for calculation.
  • the average number of retries from April l to May n decreased from 0.97 to 0.51 from June o to June t, and the average number of defects was also 0.74. to 0.25.
  • the number of alignment retries is reduced by using TP4, so the amount of deviation between the alignment mark and the mask hole is reduced. Therefore, the substrate 3 is flattened to some extent from the initial stage of temporary alignment by TP4, and the substrate 3 can be stretched uniformly when the substrate 3 comes into contact with the mask 2 . That is, displacement of the substrate 3 can be suppressed.
  • the unnecessary number of contacts between the substrate 3 and the mask 2 can be reduced. Therefore, transfer of foreign matter between the substrate 3 and the mask 2 can be suppressed.
  • a vapor deposition apparatus includes a metal mask, a touch plate that presses a substrate fixed on the mask from the opposite side of the mask, the substrate, and a hook portion that supports the periphery of the touch plate. and a magnet installed on the side of the touch plate opposite to the substrate, wherein the touch plate is curved to the side opposite to the substrate.
  • a plate member thicker than the substrate is further provided, the touch plate is supported by the hook portion via the plate member, and the substrate is supported by the hook portion without the plate member.
  • the hook portion has a gap between the substrate and the touch plate.
  • the hook portions are not provided at the corners of the substrate and the touch plate.
  • the touch plate has an embossed surface on the substrate side.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be modified in various ways within the scope of the claims, and can be obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. is also included in the technical scope of the present invention. Furthermore, new technical features can be formed by combining the technical means disclosed in each embodiment.
  • Vapor Deposition Device 2 Mask 3 Substrate 4 TP (Touch Plate) 5 hook portion 6 magnet 7 shim plate (plate member)

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Abstract

蒸着装置（１）は、金属製のマスク（２）と、マスク（２）の上に固定される基板（３）をマスク（２）とは反対側から押さえるタッチプレート（４）と、基板（３）、および、タッチプレート（４）の周囲を支持するフック部（５）と、タッチプレート（４）の、基板（３）とは反対側に設置されるマグネット（６）と、を備え、タッチプレート（４）は、基板（３）とは反対側に反っている。

Description

蒸着装置
　本発明は、蒸着装置に関する。
　特許文献１には、蒸着装置のアライメント方法が開示されている。ここで、アライメントとは、マスクと、基板とを平行にして、互いのアライメントマーク（成膜位置）を合わせることをいう。基板が自重で撓んで平行ではない場合、アライメント後にマスクに載った際に、基板の伸びる方向が不均一になる。これにより、マスクのアライメントホールの位置と、基板のアライメントマークの位置とがずれやすくなり、最終確認でアライメントズレが検出される。その結果、アライメントのリトライが発生してしまう。
　そこで、タッチプレート（Touch Plate、以降ＴＰという）をマスクとは反対側に設け、ＴＰの自重により、基板を押さえて、当該基板の撓みを抑制する。
国際公開２０２０／１８３５５２号
　マスクに載せる前の基板は、撓みつつ、基板の周縁がフック部に支えられている。その状態の基板に対して単純にＴＰを載せると、フックに局所接触している、基板の端部に強い負荷がかかり、基板割れが起きてしまう。その様子を、図８に示す。自重により撓んだ基板３がフック部５に支えられており、基板３の端部がフック部５から少し浮いた状態になっている。その状態でＴＰ４ａを基板３に載せると、基板３とＴＰ４ａが接する接触部Ｔ１やＴ２に押下力が加わる。その結果、接触部Ｔ１やＴ２からの下方向の圧力と、基板３の撓みによる上方向の圧力が加わり、接触点ＬＤに強い負荷が加わる。この強い負荷を軽減するため、フック部５とＴＰ４ａの間にシム板７を配置し、フック部５とＴＰ４ａの間に空隙を形成して、接触部Ｔ１やＴ２の押下力を軽減させる必要がある。
　また、ＴＰを用いた場合であっても、基板の撓みの抑制が不十分なため、上述のアライメントズレが発生する。その様子を図９Ａから９Ｄに示す。図９Ａは基板３とマスク２とをアライメントした後の様子を示す。ＴＰ４ａの撓み量は基板３の撓み量より軽度なため、基板３とＴＰ４ａは周縁で接触し、中央部では少し離れた状態になっている。次にフック部５が下降し、図９Ｂのように基板３とマスク２が中央部で接触する。この時、基板３とＴＰ４ａは図９Ａと同様に基板３とＴＰ４ａの周縁で接触している。その後、さらにフック部５が下降し、基板３とマスク２が全面で接触する。その際、マスク２の撓み量は基板３やＴＰ４ａの撓み量より軽度なため、基板３の撓みが解消されていくとともに、基板３とＴＰ４ａが中央部で接触しはじめ、基板３とＴＰ４ａの周縁は少し離れ始める。その後、ＴＰ４ａが下降し、図９Ｃで少し離れた基板３とＴＰ４ａの周縁が接触し、図９Ｄのようにマスク２と基板３とＴＰ４ａが全面で接触する。
　図９Ｂから図９Ｃに移る際、基板３とＴＰ４ａの接触点が周縁から中央部に移ることにより、基板３の伸びの起点（固定される点）がＴＰ４ａの中心部（基板３との接触点）だけで不安定になる。そのため、ＴＰ４ａとの接触点に引っかかって基板３が伸びる際に、撓みの解消方向が乱雑になり、基板３とマスク２のアライメントがずれてしまう。
　さらに、このアライメントズレを修正するアライメントのリトライ回数の増加に伴って、マスク２と基板３との間で異物転写が増加してしまう。
　本発明の一態様は、蒸着装置において、アライメント後の基板のずれを抑制することを目的とする。
　本発明の一態様に係る蒸着装置は、金属製のマスクと、前記マスクの上に固定される基板を前記マスクとは反対側から押さえるタッチプレートと、前記基板、および、前記タッチプレートの周囲を支持するフック部と、前記タッチプレートの、前記基板とは反対側に設置されるマグネットと、を備え、前記タッチプレートは、前記基板とは反対側に反っている。
　本発明の一態様によれば、蒸着装置において、タッチプレートが基板とは反対側に反っているので、アライメント後の基板のずれを抑制することができる。
本発明の実施形態１に係る蒸着装置の構成を示す図である。 本発明の実施形態１に係るタッチプレートを示す図である。 本発明の実施形態１に係るフック部の外観を示す上面図である。 本発明の実施形態１に係る空隙部を示す断面図である。 本発明の実施形態１に係る空隙部を示す断面図である。 本発明の実施形態１に係る基板と、タッチプレートとの接触状態を示す図である。 本発明の実施形態１に係る基板と、タッチプレートとの接触状態を示す図である。 本発明の実施形態１に係るタッチプレート、基板、および、マスクの接触を示す図である。 本発明の実施形態１に係るタッチプレート、基板、および、マスクの接触を示す図である。 本発明の実施形態１に係るタッチプレート、基板、および、マスクの接触を示す図である。 本発明の実施形態１に係るタッチプレート、基板、および、マスクの接触を示す図である。 本発明の実施形態１に係る効果を説明するための図である。 本発明の実施形態１に係る効果を説明するための図である。 本発明の実施形態１に係る効果を説明するための図である。 従来技術に係るフック部に支えられた基板とタッチプレートを示す図である。 従来技術に係るアライメント方法を示す図である。 従来技術に係るアライメント方法を示す図である。 従来技術に係るアライメント方法を示す図である。 従来技術に係るアライメント方法を示す図である。
　〔実施形態１〕
　以下、本発明の実施形態１について、詳細に説明する。
　（蒸着装置１の構成）
　図１は、蒸着装置１の構成の一部を示す図である。蒸着装置１は、例えば、基板３に有機エレクトロルミネッセンス（Organic Light-Emitting Diode、以降ＯＬＥＤという）の発光層を形成する装置である。図１に示すように、蒸着装置１は、マスク２、ＴＰ４、フック部５、マグネット６、および、蒸着源１０を備えている。マスク２は、金属製の蒸着マスクであり、基板３上の領域のうち、発光層を形成しない領域をカバーする。ＴＰ４は、マスク２の上に固定される基板３をマスク２とは反対側から押さえる。フック部５は、基板３、および、ＴＰ４の周縁（周囲）を支持する。マグネット６は、磁力によりマスク２を基板３に密着させるために、ＴＰ４の基板３とは反対側に設置される。蒸着源１０は、基板３上に発光層を形成するために、有機材料の蒸気を鉛直上方向に放出する。
　（タッチプレート４の構成）
　図２は、ＴＰ４のサイズを示す。ＴＰ４の横サイズＸＴ、および、縦サイズＹＴは、それぞれ、基板３の横サイズＸｇ、および、縦サイズＹｇの１．０５倍以上１．１倍以下とし、横サイズＸＴと、縦サイズＹＴとの比率は変えないものとする。また、図１に示すように、ＴＰ４は、長辺方向において鉛直上方向（基板３とは反対側）に反っている。
　（フック部５の構成）
　図３は、本実施形態に係るフック部５の外観を示す上面図である。図３に示すように、フック部５は、基板３およびＴＰ４の４辺に対応して、フレーム５１の内側に設けられ、基板３およびＴＰ４の終端を支持する。尚、フック部５の数は、基板３の大きさ等に応じて変更してもよい。詳細は後述するが、フック部５には、基板３と接する緩衝材８や、ＴＰ４と接するシム板（板部材）７が設置される。また、フック部５は、基板３およびＴＰ４の四隅（隅部Ｃ）には、設けられていない。換言すれば、基板３およびＴＰ４の隅部Ｃは、フック部５で支持されていない。
　（空隙部ＳＰ）
　図４Ａ、４Ｂは、本実施形態に係る空隙部（空隙）ＳＰを示す断面図である。ＴＰ４は、シム板７を介してフック部５に支持される。基板３は、シム板７を介さずにフック部５に支持される。
　詳細には、図４Ａに示すように、基板３およびＴＰ４を支持するフック部５の載置面には緩衝材８が設けられ、緩衝材８上に基板３が載置される。また、ＴＰ４は、緩衝材８上の設けられたシム板７上に載置される。シム板７の厚みＴＳは、基板３の厚みより大きく形成される。
　図４Ａは、基板３とＴＰ４がフック部５に載置された状態や基板３とマスク２が接している状態を示し、ＴＰ４の端部は、シム板７に支持される。シム板７の厚さＴＳは、基板３の厚さＴＫよりも大きいため、フック部５において、基板３とＴＰ４との間に空隙部ＳＰが形成される。空隙部ＳＰは、基板３、ＴＰ４、および、シム板７により囲まれた空間である。また、ＴＰ４は、基板３側の表面にエンボス加工が施され、突起４１が設けられる。突起４１は、基板３とＴＰ４を剥離する際に発生する剥離帯電を抑制する。
　図４Ａに示すように、ＴＰ４は基板３とは反対側に反っている。基板３が水平な状態において、基板３と突起４１との間隔ＴＧは、０．３ｍｍ以上離れていることが望ましい。シム板７の厚さＴＳは、０．８ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下であることが望ましい。突起４１の高さＴＴは、０．１ｍｍ以上、０．３ｍｍ以下であることが望ましい。
　また、基板３が自重によって撓んだ場合、基板３と突起４１とは、基板３が割れない程度の力で接触し、例えば、基板３のサイズ（Ｘｇ×Ｙｇ）が９２０ｍｍ×７３０ｍｍで、厚さＴＫが０．５ｍｍの場合、シム板７の厚さＴＳは０．９ｍｍであることが好ましい。
　図４Ｂは、基板３やマスク２、ＴＰ４、マグネット６が全面で接触した状態を示す。基板３とＴＰ４が水平になった場合、突起４１が基板３に接触する。
　（隅部Ｃ）
　図５Ａ、５Ｂは、図３に示す隅部Ｃにおける基板３と、ＴＰ４との接触状態を示す図である。ＴＰ４の、基板３側の面の四隅には、ＴＰ４を厚くする凸部４２が設けられる。凸部４２は、ＴＰ４の表面に対して斜めに設けられた斜面部４２ａと、ＴＰ４の表面に対して平行に設けられた平面部４２ｂとを備えている。
　図５Ａは、基板３とＴＰ４がフック部５に載置された状態や基板３とマスク２が接している状態を示す。ＴＰ４が基板３とは反対側に反っている場合、突起４１と基板３とは接触していない。一方、凸部４２は、斜面部４２ａの一部が基板３と接触している。
　図５Ｂでは、基板３やマスク２、ＴＰ４、マグネット６が全面で接触した状態になっており、基板３とＴＰ４が水平になっている場合、突起４１と、凸部４２の平面部４２ｂとが基板３に接触している。
　上記によれば、基板３にＴＰ４を載せるときの基板割れを考慮せずに済む。また、ＴＰ４は基板３の周縁を安定的に押さえていくので、基板３とマスク２の接触点が周縁から中央部に移ることがなくなり、基板ずれを抑制することができる。さらに、アライメントのリトライの軽減により、マスク２と基板３との間における異物転写を軽減できる。また、基板３の中央が擦れ難くなり、裏面（基板３のＴＰ４側の面）傷を緩和することができる。例えば、基板３からガラスの下地を剥離する剥離加工を行う際に有効である。
　（アライメント方法）
　図６Ａから６Ｄは、本実施形態に係る凸型のＴＰ４、基板３、および、マスク２の接触を示す図であり、蒸着アライメント方法を示す。
　まず、図６Ａに示すように、フック部５に基板３およびＴＰ４を載置した状態で、基板３とマスク２のアライメントを実施する。この際、基板３の周縁は、ＴＰ４にやや押し付けられた状態になっている。
　そして、図６Ｂに示すように、フック部５が降下して、マスク２と基板３とが接触する。この時、基板３とマスク２の位置がずれていないか確認し、位置がずれていたら、アライメントのリトライを行う。
　図６Ｃは、さらにフック部５が下降し、基板３とマスク２がさらに接触した状態を示す。マスク２に沿って基板３が載りつつ、さらにＴＰ４が周辺から押し付けていく。
　図６Ｄは、さらにフック部５が降下して、基板３とマスク２とが全面で接触した状態を示す。ＴＰ４は自重でやや伸びて、フック部５に載置されているときよりも、基板３の周辺を押さえる面積は拡大する。
　（実施形態１の効果）
　図７Ａから７Ｃは、本実施形態に係る効果を説明するための図である。
　図７Ａは、蒸着装置での一定期間毎におけるアライメントリトライの平均回数の比率を示す。従来のＴＰ４ａを用いた蒸着装置１２で最も多いリトライ回数（４月ｆ日）を１（１００％）として算出した。図７Ｂは、その総期間中の特定ステージでの平均リトライ回数を示す。
　図７Ａから、蒸着装置１の平均リトライ回数は、蒸着装置１１や蒸着装置１２よりも低く推移していたことが分かる。また、図７Ｂから、蒸着装置１の総平均値が低いことが分かる。
　図７Ｃは、アライメントリトライ回数と異物転写による欠陥数の比率を示す。最も多い総リトライ数（４月ｌ日）と欠陥数（４月ｍ日）を１（１００％）として算出した。４月ｌ日から５月ｎ日までの平均リトライ回数０．９７が、６月ｏ日から６月ｔ日までの平均リトライ回数０．５１に低下したことに伴い、平均欠陥数も０．７４から０．２５に低下したことが分かる。
　上記の結果から、ＴＰ４を用いることにより、アライメントのリトライ回数が低減するので、アライメントマークとマスクホールとのずれ量が少なくなる。このため、基板３がＴＰ４により仮アライメント初期からある程度平坦化されており、基板３がマスク２と接触する際における、基板３の伸びを均一にすることができる。すなわち、基板３のずれを抑制することができる。
　また、アライメントのリトライ回数が低減するので、基板３とマスク２との間で余計な接触回数が減らすことができる。このため、基板３とマスク２との間で異物の転写を抑制することができる。
　〔まとめ〕
　態様１の蒸着装置は、金属製のマスクと、前記マスクの上に固定される基板を前記マスクとは反対側から押さえるタッチプレートと、前記基板、および、前記タッチプレートの周囲を支持するフック部と、前記タッチプレートの、前記基板とは反対側に設置されるマグネットと、を備え、前記タッチプレートは、前記基板とは反対側に反っている。
　態様２では、前記基板よりも厚い板部材をさらに備え、前記タッチプレートは、前記板部材を介して前記フック部に支持され、前記基板は、前記板部材を介さずに前記フック部に支持される。
　態様３では、前記フック部において、前記基板と前記タッチプレートとの間に空隙を有する。
　態様４では、前記フック部は、前記基板および前記タッチプレートの隅部に設けられない。
　態様５では、前記タッチプレートは、前記基板側の表面にエンボス加工を有する。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　１　蒸着装置
　２　マスク
　３　基板
　４　ＴＰ（タッチプレート）
　５　フック部
　６　マグネット
　７　シム板（板部材）
 

Claims (5)

  1. 　金属製のマスクと、
    　前記マスクの上に固定される基板を前記マスクとは反対側から押さえるタッチプレートと、
    　前記基板、および、前記タッチプレートの周囲を支持するフック部と、
    　前記タッチプレートの、前記基板とは反対側に設置されるマグネットと、
    を備え、
    　前記タッチプレートは、前記基板とは反対側に反っている
    ことを特徴とする蒸着装置。
  2. 　前記基板よりも厚い板部材をさらに備え、
    　前記タッチプレートは、前記板部材を介して前記フック部に支持され、
    　前記基板は、前記板部材を介さずに前記フック部に支持される
    ことを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
  3. 　前記フック部において、前記基板と前記タッチプレートとの間に空隙を有する
    請求項２に記載の蒸着装置。
  4. 　前記フック部は、前記基板および前記タッチプレートの隅部に設けられない
    ことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の蒸着装置。
  5. 　前記タッチプレートは、前記基板側の表面にエンボス加工を有する
    請求項１から４の何れか１項に記載の蒸着装置。
     
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006172930A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 真空蒸着方法及びｅｌディスプレイ用パネル
JP2018193618A (ja) * 2016-03-10 2018-12-06 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスク、蒸着装置、蒸着方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
WO2020194469A1 (ja) * 2019-03-25 2020-10-01 シャープ株式会社 蒸着装置、および表示装置の製造方法
JP2021102811A (ja) * 2019-12-24 2021-07-15 キヤノントッキ株式会社 成膜装置及び電子デバイスの製造方法
JP2021143408A (ja) * 2020-03-13 2021-09-24 キヤノントッキ株式会社 マスク取付装置、成膜装置、マスク取付方法、成膜方法、電子デバイスの製造方法、マスク、基板キャリア、及び基板キャリアとマスクのセット

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006172930A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd 真空蒸着方法及びｅｌディスプレイ用パネル
JP2018193618A (ja) * 2016-03-10 2018-12-06 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスク、蒸着装置、蒸着方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
WO2020194469A1 (ja) * 2019-03-25 2020-10-01 シャープ株式会社 蒸着装置、および表示装置の製造方法
JP2021102811A (ja) * 2019-12-24 2021-07-15 キヤノントッキ株式会社 成膜装置及び電子デバイスの製造方法
JP2021143408A (ja) * 2020-03-13 2021-09-24 キヤノントッキ株式会社 マスク取付装置、成膜装置、マスク取付方法、成膜方法、電子デバイスの製造方法、マスク、基板キャリア、及び基板キャリアとマスクのセット

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