WO2019124031A1 - 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 Download PDF

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WO2019124031A1
WO2019124031A1 PCT/JP2018/044363 JP2018044363W WO2019124031A1 WO 2019124031 A1 WO2019124031 A1 WO 2019124031A1 JP 2018044363 W JP2018044363 W JP 2018044363W WO 2019124031 A1 WO2019124031 A1 WO 2019124031A1
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peripheral edge
substrate
grinding
wafer
substrate processing
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PCT/JP2018/044363
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理 大川
貴志 坂上
和哉 池上
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東京エレクトロン株式会社
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/04—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor involving a rotary work-table
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing system for processing a substrate, a substrate processing method using the substrate processing system, and a computer storage medium.
  • the back surface of the wafer is ground and polished to thin the wafer with respect to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) on which devices such as a plurality of electronic circuits are formed on the surface.
  • a wafer a semiconductor wafer
  • the wafer may be warped or broken.
  • the wafer is attached to a support substrate.
  • peripheral portion of the wafer is usually chamfered, if the wafer is subjected to grinding and polishing as described above, the peripheral portion of the wafer becomes sharp and sharp. As a result, chipping may occur at the periphery of the wafer, and the wafer may be damaged. Therefore, so-called edge trimming is performed in which the peripheral portion of the wafer is cut in advance before the grinding process.
  • Patent Document 1 discloses a vertical surface type grinding apparatus as an apparatus for performing edge trimming.
  • the wafer is fixed to a table, and the table is rotated about an axis parallel to the vertical axis. Then, the spindle is rotated to rotate the cup wheel, and then the spindle is moved in the vertical direction to bring the grinding surface of the cup wheel into contact with the wafer to grind the peripheral portion of the wafer.
  • the peripheral portion of the wafer is ground using a cup wheel.
  • the particle diameter of the abrasive grains of the cup wheel it is necessary to increase the particle diameter of the abrasive grains of the cup wheel.
  • the surface of the wafer exposed hereinafter referred to as an exposed surface
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and in grinding and removing the peripheral portion of a substrate, the substrate surface exposed by grinding the peripheral portion while shortening the time taken for the peripheral portion removal.
  • the purpose is to improve the surface quality of
  • One aspect of the present invention which solves the above-mentioned subject is a substrate processing system which processes a substrate, and it has the 1st whetstone which contacts the peripheral part of the substrate, and grinds the peripheral part to the 1st depth.
  • a second peripheral removal portion for removing by grinding to a second depth deeper than the depth, and the grain size of the abrasive provided in the second grindstone is greater than that of the abrasive provided in the first grindstone small.
  • Another aspect of the present invention is a substrate processing method for processing a substrate, wherein a first grinding stone is brought into contact with a peripheral edge of the substrate, and the peripheral edge is ground to a first depth.
  • a first peripheral edge removing step of removing, and thereafter, a second grinding stone is brought into contact with the peripheral edge portion of the substrate, and the peripheral edge portion is ground and removed to a second depth deeper than the first depth.
  • a peripheral edge removing step and the particle size of the abrasive provided in the second grindstone is smaller than the particle size of the abrasive provided in the first grindstone.
  • a readable computer storing a program operating on a computer of a control unit that controls the substrate processing system to cause the substrate processing system to execute the substrate processing method. It is a storage medium.
  • the time taken to remove the peripheral portion can be shortened by using the first grindstone to improve the throughput of the substrate processing. it can. Further, by using the second grindstone, it is also possible to improve the surface texture of the substrate surface exposed by grinding the peripheral portion.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of a substrate processing system 1.
  • the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction orthogonal to one another are defined, and the Z-axis positive direction is the vertically upward direction.
  • the superposed wafer T in which the processing target wafer W as a substrate and the supporting wafer S are joined is processed via the adhesive G, for example. Thin W.
  • the surface to be processed ground (surface opposite to the surface to which the adhesive G is bonded)
  • processing surface W1 the surface on the opposite side to the processing surface W1 is “non-processed It is called a processing surface W2.
  • the surface bonded to the processing target wafer W via the adhesive G is referred to as “bonding surface S1”, and the surface opposite to the bonding surface S1 is referred to as “non-bonding surface S2”.
  • the processing target wafer W and the support wafer S are bonded via the adhesive G, but the bonding method is not limited to this.
  • the processing target wafer W is, for example, a semiconductor wafer such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, and a plurality of devices are formed on the non-processed surface W2.
  • the peripheral portion of the processing target wafer W is chamfered, and the cross section of the peripheral portion has a thickness decreasing toward its tip.
  • the support wafer S is a wafer that supports the processing wafer W. Further, the support wafer S functions as a protective material for protecting the device on the non-processed surface W2 of the processing target wafer W together with the adhesive G. Although the case where a wafer is used as a supporting substrate is described in this embodiment, another substrate such as a glass substrate may be used, for example.
  • the substrate processing system 1 performs a predetermined process on the superposed wafer T, for example, the loading / unloading station 2 to which a cassette C capable of accommodating a plurality of superposed wafers T is carried in / out with the outside. It has the structure which connected the processing station 3 provided with various processing apparatuses.
  • a cassette mounting table 10 is provided at the loading / unloading station 2.
  • a plurality of, for example, four cassettes C can be mounted on the cassette mounting table 10 in a row in the X-axis direction.
  • a wafer transfer area 20 is provided adjacent to the cassette mounting table 10.
  • a wafer transfer apparatus 22 movable on the transfer path 21 extending in the X-axis direction is provided.
  • the wafer transfer apparatus 22 has, for example, two transfer arms 23 for holding and transferring the superposed wafer T.
  • Each transfer arm 23 is configured to be movable in the horizontal direction, the vertical direction, around the horizontal axis, and around the vertical axis.
  • the structure of the conveyance arm 23 is not limited to this embodiment, An arbitrary structure can be taken.
  • the processing station 3 is provided with a wafer transfer area 30.
  • a wafer transfer apparatus 32 movable on the transfer path 31 extending in the Y-axis direction is provided.
  • the wafer transfer apparatus 32 has, for example, two transfer arms 33 for holding and transferring the superposed wafer T.
  • Each transfer arm 33 is configured to be movable in the horizontal direction, the vertical direction, around the horizontal axis, and around the vertical axis.
  • the structure of the conveyance arm 33 is not limited to this embodiment, An arbitrary structure can be taken.
  • a processing device 40 At the processing station 3, around the wafer transfer area 30, a processing device 40, a CMP device 41 (CMP: Chemical Mechanical Polishing, chemical mechanical polishing), a first edge removing device 42, a second edge removing device 43, a first One cleaning device 44 and a second cleaning device 45 are provided.
  • the processing apparatus 40 and the CMP apparatus 41 are arranged side by side in the negative direction from the Y-axis positive direction on the X-axis negative direction side of the wafer transfer region 30.
  • a first peripheral edge removing device 42 and a second peripheral edge removing device 43 are arranged side by side from the Y-axis positive direction to the negative direction on the X-axis positive direction side of the wafer transfer area 30.
  • a first cleaning device 44 and a second cleaning device 45 are arranged side by side in the negative direction from the Y-axis positive direction above the wafer transfer region 30 and on the Y-axis negative direction side. Under the second cleaning device 45, a transition device (not shown) for delivering the superposed wafer T between the wafer transfer device 22 and the wafer transfer device 32 is provided.
  • the control unit 50 is provided in the substrate processing system 1 described above.
  • the control unit 50 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown).
  • the program storage unit stores a program for controlling processing of the superposed wafer T in the substrate processing system 1.
  • the program storage unit also stores a program for realizing the below-described wafer processing in the substrate processing system 1 by controlling the operation of drive systems such as the above-described various processing apparatuses and transport apparatuses.
  • the program is recorded in a computer readable storage medium H such as a computer readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical desk (MO), and a memory card. It may be one that has been installed in the control unit 50 from the storage medium H.
  • the processing apparatus 40 includes a rotary table 100, a transfer unit 110, an alignment unit 120, a cleaning unit 130, a rough grinding unit 140, a middle grinding unit 150, and a finish grinding unit 160.
  • the rotary table 100 is configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown).
  • Four chucks 101 for holding the superposed wafer T by suction are provided on the rotary table 100.
  • the chucks 101 are arranged uniformly on the same circumference as the rotary table 100, that is, every 90 degrees.
  • the four chucks 101 are movable to the delivery position A0 and the processing positions A1 to A3 by rotation of the rotary table 100.
  • the delivery position A0 is a position on the X-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side of the rotary table 100, and the alignment unit 120 and the cleaning unit 130 are arranged on the Y-axis negative direction side of the delivery position A0. Be done.
  • the first processing position A1 is a position on the X-axis positive direction side and the Y-axis positive direction side of the rotary table 100, and the rough grinding unit 140 is disposed.
  • the second processing position A2 is a position on the X axis negative direction side and the Y axis positive direction side of the rotary table 100, and the middle grinding unit 150 is disposed.
  • the third processing position A3 is a position on the X axis negative direction side and the Y axis negative direction side of the rotary table 100, and the finish grinding unit 160 is disposed.
  • the chuck 101 is held by a chuck base 102.
  • the chuck 101 and the chuck base 102 are configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown).
  • the transport unit 110 is an articulated robot including a plurality of, for example, three arms 111 to 113.
  • the three arms 111 to 113 are connected by joints (not shown), and by these joints, the first arm 111 and the second arm 112 are configured to be pivotable around their respective proximal ends.
  • a transfer pad 114 for attracting and holding the superposed wafer T is attached to the first arm 111 at the tip.
  • the third arm 113 at the proximal end is attached to a vertical movement mechanism 115 for moving the arms 111 to 113 in the vertical direction.
  • the transfer unit 110 having such a configuration can transfer the superposed wafer T to the delivery position A0, the alignment unit 120, and the cleaning unit 130.
  • the alignment unit 120 adjusts the horizontal direction of the superposed wafer T before the grinding process. For example, while rotating the superposed wafer T held by a spin chuck (not shown), the position of the notched portion is adjusted by detecting the position of the notched portion of the superposed wafer T with a detection unit (not shown). Thus, the horizontal direction of the superposed wafer T is adjusted.
  • the non-bonded surface S2 of the support wafer S in a state where the superposed wafer T after the grinding process is held by the transfer pad 114 is cleaned, and the transfer pad 114 is cleaned.
  • the rough grinding unit 140 roughly grinds the processing surface W1 of the processing target wafer W.
  • the rough grinding unit 140 has a rough grinding portion 141 provided with a ring-shaped rotatable rough grinding wheel (not shown).
  • the rough grinding portion 141 is configured to be movable in the vertical direction and the horizontal direction along the support 142. Then, while the processing target wafer W held by the chuck 101 is in contact with the rough grinding stone, the processing surface W1 of the processing target wafer W is roughly ground by rotating the chuck 101 and the rough grinding stone.
  • the processing surface W1 of the processing target wafer W is middle ground.
  • the middle grinding unit 150 has a middle grinding portion 151 having an annular shape and a rotatable middle grinding wheel (not shown).
  • the middle grinding portion 151 is configured to be movable in the vertical direction and the horizontal direction along the support column 152.
  • the grain size of the abrasive grains of the medium grinding wheel is smaller than the grain size of the abrasive grains of the rough grinding stone.
  • the processing surface W1 of the processing target wafer W is finish ground.
  • the finish grinding unit 160 has a finish grinding portion 161 provided with a ring-shaped rotatable finish grinding wheel (not shown).
  • the finish grinding unit 161 is configured to be movable in the vertical direction and the horizontal direction along the support column 162.
  • the grain size of the abrasive grains of the finish grinding wheel is smaller than the grain size of the abrasive grains of the medium grinding wheel.
  • the CMP apparatus 41 shown in FIG. 1 includes, for example, two polishing units (not shown) for polishing the processing surface W1 of the processing target wafer W.
  • the particle size of the abrasive used in the first polishing section is larger than the particle size of the abrasive used in the second polishing section.
  • the processing surface W1 is roughly polished in the first polishing section, and the processing surface W1 is finish-polished in the second polishing section.
  • the general structure which performs a chemical polishing process is employable as a structure of the CMP apparatus 41.
  • FIG. For example, processing may be performed in a so-called face-up state with the processing surface W1 of the processing target wafer W facing upward, or processing may be performed in a so-called face-down state with the processing surface W1 facing downward. .
  • the first periphery removing device 42 and the second periphery removing device 43 remove the periphery of the processing target wafer W, respectively. That is, in the substrate processing system 1, the peripheral portion of the processing target wafer W is removed in two steps.
  • the first peripheral edge removing device 42 has a chuck 200 as a substrate holding unit that holds the superposed wafer T (the processing target wafer W).
  • the chuck 200 is supported by the chuck table 201, and is configured to be movable on the conveyance path 202 extending in the X-axis direction.
  • the chuck 200 is configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown).
  • the chuck table 201 and the transport path 202 constitute a moving mechanism of the present invention.
  • the moving mechanism of the present invention may move the chuck 200 and the first grinding wheel 211 described later in the horizontal direction relatively, and may move the first grinding wheel 211 in the horizontal direction.
  • both the chuck 200 and the first grinding wheel 211 may be moved in the horizontal direction.
  • the first peripheral edge removing device 42 has a first peripheral edge removing portion 210 which is disposed above the chuck 200 and removes the peripheral edge portion of the processing target wafer W held by the chuck 200.
  • the first peripheral edge removing unit 210 includes a first grinding wheel 211, a support wheel 212, a spindle 213, and a drive unit 214.
  • the support wheel 212 to which the first grinding wheel 211 is fixed is supported by the spindle flange 213 a of the spindle 213, and the spindle 213 is provided with a driving unit 214.
  • the drive unit 214 incorporates, for example, a motor (not shown) and rotates the first grinding wheel 211 and the support wheel 212 via the spindle 213.
  • the spindle 213 and the drive unit 214 are configured to be able to move up and down by means of an elevation mechanism 215.
  • each of the first grinding wheel 211 and the support wheel 212 has an annular shape (ring shape) in plan view.
  • the first grinding wheel 211 includes abrasive grains, and abuts on the peripheral portion We of the processing target wafer W, and the peripheral portion We is ground and removed.
  • the first grinding wheel 211 is provided in an annular shape, but the present invention is not limited to this.
  • the first grinding wheel 211 may be divided and provided along the support wheel 212.
  • the wafer to be processed W is moved in the horizontal direction so that the range in which the first grinding wheel 211 abuts on the wafer to be processed W matches the predetermined width determined in advance.
  • the first grinding wheel 211 is disposed on the
  • the first grinding wheel 211 and the superposed wafer T are respectively rotated while the first grinding wheel 211 is lowered and in contact with the peripheral portion We of the processing target wafer W. Grind and remove the peripheral portion We.
  • the first grinding wheel 211 is moved vertically downward from the state in which the first grinding wheel 211 is in contact with the processing surface W1 of the processing target wafer W, whereby the peripheral edge portion We is lowered from above. Grind and remove.
  • the second peripheral edge removing device 43 also has the same configuration as the first peripheral edge removing device 42. That is, as shown in FIGS. 1 and 4, the second peripheral edge removing device 43 includes the chuck 220, the chuck table 221, the transport path 222, and the second peripheral edge removing portion 230 (the second grinding wheel 231 and the support wheel 232). , Spindle 233, drive unit 234, and lifting mechanism 235). However, the grain size of the abrasive grains of the second grinding wheel 231 is smaller than the grain size of the abrasive grains of the first grinding wheel 211.
  • the first cleaning device 44 has a spin chuck 300 for holding and rotating the superposed wafer T, and a scrub cleaning tool 301 provided with a brush, for example. Then, while rotating the superposed wafer T held by the spin chuck 300, the processing surface W1 is cleaned by bringing the scrub cleaning tool 301 into contact with the processing surface W1 of the processing target wafer W.
  • the second cleaning apparatus 45 has a spin chuck 310 for holding and rotating the superposed wafer T, and a nozzle 311 for supplying a cleaning liquid, for example, pure water, to the processing surface W1 of the processing target wafer W. Then, while rotating the superposed wafer T held by the spin chuck 310, the cleaning liquid is supplied from the nozzle 311 to the processing surface W1 of the processing target wafer W. Then, the supplied cleaning liquid diffuses on the processing surface W1, and the processing surface W1 is cleaned.
  • a cleaning liquid for example, pure water
  • a cassette C containing a plurality of superposed wafers T is placed on the cassette mounting table 10 of the loading / unloading station 2.
  • a superposed wafer T is stored such that the processing surface W1 of the processing target wafer W faces upward.
  • the superposed wafer T in the cassette C is taken out by the wafer transfer apparatus 22 and the superposed wafer T is further transferred to the wafer transfer apparatus 32 through the transition apparatus (not shown), and the first processing station 3 is It is conveyed to the edge removing device 42.
  • the peripheral edge portion We of the processing target wafer W is removed, but in the following description, the peripheral edge portion We removed by the first peripheral edge removing device 42 is referred to as a first peripheral edge portion We1. There is a case.
  • the superposed wafer T transferred to the first edge removing device 42 is held by the chuck 200. Then, as shown in FIG. 7A, the first grinding wheel 211 is moved vertically downward, and while the first grinding wheel 211 is rotated, the first grinding wheel 211 contacts the first peripheral edge We1 of the processing target wafer W. Let At this time, in the first grinding wheel 211, the range in which the first grinding wheel 211 abuts on the processing target wafer W matches a first circumferential width L1 (the distance from the end of the processing target wafer W). Be placed.
  • the first grinding wheel 211 and the overlapping wafer T are respectively rotated, as shown in FIG.
  • the first grinding wheel 211 is further moved vertically downward.
  • the first peripheral edge We1 is ground.
  • the first grindstone wheel 211 moves to a predetermined first depth H1 (the distance from the processing surface W1 of the processing target wafer W).
  • the first depth H1 is a depth at which the lower surface of the first grinding wheel 211 does not reach the adhesive G.
  • the grinding speed (falling speed) of the first peripheral portion We1 by the first grinding wheel 211 can be increased. As a result, it is possible to grind the first peripheral edge We1 in a short time.
  • the first grinding wheel 211 is raised while being rotated. At this time, the superposed wafer T is moved in the horizontal direction so as to be separated from the first grinding wheel 211.
  • the first grinding wheel 211 is used. When the lower end of the wafer W is in contact with the upper end of the processing target wafer W, these may be hooked and a crack may be generated on the upper end of the processing target wafer W.
  • the first peripheral edge We1 in the range of the first width L1 and the first depth H1 is removed, and the first peripheral edge removal processing is performed.
  • the process ends (step P1 in FIG. 6).
  • the superposed wafer T is transferred by the wafer transfer unit 32 to the second edge removing unit 43.
  • the second edge removing device 43 also removes the edge portion We of the processing target wafer W, but in the following description, the edge portion We removed by the second edge removing device 43 is referred to as a second edge portion We2. There is a case.
  • the superposed wafer T transferred to the second edge removing device 43 is held by the chuck 220. Then, as shown in FIG. 7E, the second grinding wheel 231 is moved vertically downward, and while the second grinding wheel 231 is rotated, the second grinding wheel 231 is in contact with the second peripheral portion We2 of the processing target wafer W. Let At this time, in the second grinding wheel 231, the range in which the second grinding wheel 231 abuts on the processing target wafer W matches the second width L2 in the circumferential direction (the distance from the end of the processing target wafer W). Be placed.
  • the second grinding wheel 231 and the superposed wafer T are respectively rotated, as shown in FIG. 7 (f).
  • the second grinding wheel 231 is further moved vertically downward.
  • the second peripheral edge We2 is ground.
  • the second grindstone wheel 231 moves to a predetermined second depth H2 (the distance from the processing surface W1 of the processing target wafer W).
  • the second depth H2 is a depth at which the lower surface of the second grinding wheel 231 reaches the bonding surface S1 of the support wafer S.
  • the second depth H2 can be set arbitrarily.
  • the second depth H2 may be set to the height of the adhesive G, and the bonding surface S1 of the support wafer S may not be cut.
  • the second width L2 of the second peripheral edge We2 to be ground for the second time is smaller than the first width L1 of the first peripheral edge We1 to be ground for the first time. That is, the second grinding wheel 231 is disposed outside the first grinding wheel 211 with respect to the peripheral edge portion We of the processing target wafer W. Then, on the outer side in the circumferential direction, the peripheral edge portion We remains by the range of the depth (H2-H1) and the width (L1-L2). As described above, since the grain size of the abrasive grains of the second grindstone wheel 231 is smaller than the grain size of the abrasive grains of the first grindstone wheel 211, the grinding speed by the second grindstone wheel 231 is determined by the first grindstone wheel 211.
  • the side surface (hereinafter referred to as an exposed side surface) of the processing target wafer W exposed by removing the first peripheral edge portion We1 is together when grinding the processing surface W1 by the processing device 40 as described later. Removed. For this reason, even if the surface quality of the exposed side surface of the processing target wafer W is bad, the quality is not affected because it is finally removed.
  • the second peripheral edge We2 in the range of the second width L2 and the second depth H2 is removed, and the second peripheral edge removal processing is performed.
  • the process ends (step P2 in FIG. 6).
  • the superposed wafer T is transferred by the wafer transfer unit 32 to the processing unit 40.
  • the superposed wafer T transferred to the processing apparatus 40 is delivered to the alignment unit 120.
  • the horizontal direction of the superposed wafer T is adjusted (Step P3 in FIG. 6).
  • the superposed wafer T is transported by the transport unit 110 from the alignment unit 120 to the delivery position A0 and delivered to the chuck 101 at the delivery position A0. Thereafter, the rotary table 100 is rotated 90 degrees counterclockwise to move the chuck 101 to the first processing position A1. Then, the rough grinding unit 140 roughly grinds the processing surface W1 of the processing target wafer W (Step P4 in FIG. 6).
  • the rotary table 100 is rotated 90 degrees counterclockwise to move the chuck 101 to the second processing position A2. Then, the processing surface W1 of the processing target wafer W is internally ground by the middle grinding unit 150 (Step P5 in FIG. 6).
  • the finish grinding unit 160 performs finish grinding on the processing surface W1 of the processing target wafer W (Step P6 in FIG. 6).
  • the processing surface W1 of the processing target wafer W is ground.
  • the range of dotted lines illustrated in FIG. 7I is a range in which the processing surface W1 of the processing target wafer W is ground by the grinding units 140, 150, and 160, and corresponds to the first peripheral edge We1 described above. Exposure side is included.
  • the depth to which the processing surface W1 of the processing target wafer W is ground is between the first depth H1 and the second depth H2.
  • the rotary table 100 is rotated 90 degrees counterclockwise, or the rotary table 100 is rotated 270 degrees clockwise to move the chuck 101 to the delivery position A0.
  • the processing surface W1 of the processing target wafer W is cleaned by the cleaning liquid discharged from the cleaning liquid nozzle (not shown) (Step P7 in FIG. 6).
  • the superposed wafer T is transferred by the transfer unit 110 from the delivery position A0 to the cleaning unit 130. Then, in the cleaning unit 130, the non-bonding surface S2 of the support wafer S is cleaned and dried in a state where the superposed wafer T is held by the transfer pad 114 (Step P8 in FIG. 6).
  • the superposed wafer T is transferred by the wafer transfer apparatus 32 to the CMP apparatus 41.
  • the processing surface W1 of the processing target wafer W is polished (rough CMP) by the first polishing unit (not shown), and the processing of the processing target wafer W is further performed by the second polishing unit (not shown).
  • the surface W1 is polished (finish CMP) (step P9 in FIG. 6).
  • the superposed wafer T is transferred by the wafer transfer unit 32 to the first cleaning unit 44.
  • the superposed wafer T transferred to the first cleaning device 44 is held by the spin chuck 300.
  • the scrub cleaning tool 301 is brought into contact with the processing surface W1 of the processing target wafer W to clean the processing surface W1 (step P10 in FIG. 6).
  • the cleaning in step P10 is to physically remove particles and the like on the processing surface W1, and is rough cleaning.
  • the superposed wafer T is transferred by the wafer transfer unit 32 to the second cleaning unit 45.
  • the superposed wafer T transferred to the second cleaning device 45 is held by the spin chuck 310.
  • the cleaning liquid is supplied from the nozzle to the processing surface W1 of the processing target wafer W, and the processing surface W1 is cleaned (Step P11 in FIG. 6).
  • the cleaning in this step P11 is a final finishing cleaning.
  • the superposed wafer T subjected to all the processes is delivered from the wafer transfer device 32 to the wafer transfer device 22 and transferred to the cassette C of the cassette mounting table 10.
  • a series of wafer processing in the substrate processing system 1 is completed.
  • the peripheral portion We of the processing target wafer W is removed in two steps of step P1 and step P2.
  • Step P1 since the particle size of the abrasive grains of the first grinding wheel 211 is large, the removal time of the first peripheral edge We1 can be shortened, and the throughput of wafer processing can be improved.
  • the subsequent step P2 since the particle size of the abrasive grains of the second grinding wheel 231 is small, the surface roughness of the finished surface of the removed second peripheral edge portion We2 can be reduced.
  • the time taken to remove the peripheral edge We is shortened, and the second peripheral edge We2 is exposed to grinding to expose the processing target wafer W.
  • the surface texture of the surface can be improved.
  • a series of processes can be continuously performed on a plurality of wafers W to be processed, and throughput can be improved.
  • the bottom surface of the second peripheral edge We2 is The corner portion N (portion surrounded by a dotted line in the drawing) may be curved.
  • a curved portion will remain on the end face of the processing target wafer W, and the peripheral portion We of the processing target wafer W becomes sharp. Chipping may occur at the peripheral portion We of the wafer W, and the processed wafer W may be damaged.
  • step P2 by controlling the grinding speed by the second grinding wheel 231, the rotational speed of the second grinding wheel 231, and the like, the corner portion N of the second peripheral portion We2 shown in FIG. Curvature can be suppressed to some extent.
  • the ground surface of the second grindstone wheel 231 wears, and the corner portion N of the second peripheral edge portion We2 tends to be curved.
  • a dress board 400 as an adjustment unit is used.
  • the dress board 400 has a circular shape in plan view, and has a step 401 at its peripheral edge.
  • the dress board 400 is provided, for example, on the X-axis positive direction side of the second peripheral edge removing portion 230 inside the second peripheral edge removing device 43.
  • a moving mechanism 410 is provided on the lower surface side of the dress board 400 to move and rotate the dress board 400 in the horizontal direction and the vertical direction.
  • the moving mechanism 410 includes, for example, a shaft 411, two arms 412 and 413, and a driving unit 414.
  • the shaft 411 is provided between the lower surface of the dress board 400 and the tip of the first arm 412.
  • a rotating portion (not shown) is provided at the tip of the first arm 412, and the dressboard 400 is configured to be rotatable via the shaft 411 by this rotating portion.
  • the first arm 412 and the second arm 413 are connected by a joint (not shown), by which the first arm 412 is configured to be pivotable around the proximal end.
  • the second arm 413 is attached to the drive unit 414, and the second arm 413 is pivotable about the proximal end by the drive unit 414 and is configured to be movable in the vertical direction.
  • the dress board 400 can be moved forward and backward with respect to the second peripheral edge removing unit 230 by the moving mechanism 410 having such a configuration.
  • the dress board 400 is not limited to the inside of the 2nd periphery removal apparatus 43 mentioned above, It can install in arbitrary positions.
  • the dress board 400 is placed on an installation site (not shown) such as a shelf provided outside the second peripheral edge removing device 43, and dressing is performed in a state of being held by the chuck 200. It is also good.
  • the step portion 401 of the dressboard 400 is brought into contact with the peripheral edge portion of the second grindstone wheel 231 while rotating the second grindstone wheel 231 and the dressboard 400 respectively.
  • the lower surface 231a and the outer side surface 231b are ground and flattened at the peripheral edge of the second grinding wheel 231. That is, in the second grinding wheel 231, the lower end of the second peripheral edge We2 shown in FIG.
  • the corner portion N of the second peripheral edge We2 can be formed at a right angle, and the curve It can be suppressed.
  • the surface condition of the lower surface 231a and the outer surface 231b in the peripheral portion of the second grinding wheel 231 may be inspected in advance using, for example, a laser displacement meter. Specifically, for example, the heights of the lower surface 231a and the outer surface 231b are measured. Then, when wear or an abnormal protrusion or the like is found on either or both of the lower surface 231a and the outer surface 231b as a result of the inspection, the dressing of the second grinding wheel 231 may be performed.
  • the second grindstone wheel 231 may have a tapered shape in a side view.
  • the diameter of the lower surface of the second grinding wheel 231 is made larger than the diameter of the upper surface, that is, the lower surface is protruded outward. In such a case, even if the second grindstone wheel 231 is worn, the lower end of the second grindstone wheel 231 has an acute angle in a side view, and the corner portion N of the second peripheral edge We2 is difficult to curve.
  • the dressing of the second grindstone wheel 231 has been described, but it is preferable to perform dressing on the first grindstone wheel 211 using the same dress board 400.
  • the configuration of the substrate processing system 1 is not limited to the above embodiment.
  • the second peripheral edge removing unit 230 is provided in the second peripheral edge removing device 43 outside the processing device 40.
  • the second peripheral edge removing portion 230 is disposed at the first processing position A1
  • the rough grinding unit 140 and the finish grinding unit 160 are respectively disposed at the second processing position A2 and the third processing position A3.
  • the middle grinding unit 150 is omitted.
  • the first peripheral edge removing device 42 removes the first peripheral edge We1 of the processing target wafer W, but the range (the first width L1 and the first depth H1) is usually large. For this reason, even if the first grinding wheel 211 having a large particle size is used, it may take some time to remove the first peripheral edge We1.
  • the range (the second width L2 and the second depth H2) of the second peripheral edge We2 to be removed by the second peripheral edge removing device 43 is usually small. Therefore, even if the second peripheral edge removing portion 230 is provided inside the processing device 40, the throughput in the processing device 40 is not reduced. Therefore, by providing the second peripheral edge removing portion 230 inside the processing apparatus 40 as in the present embodiment, it is also possible to improve the throughput of the entire wafer processing.
  • the processing apparatus 40 In the substrate processing system 1 of the above embodiment, the processing apparatus 40, the CMP apparatus 41, the first peripheral edge removing apparatus 42, the second peripheral edge removing apparatus 43, the first cleaning apparatus 44, and the second cleaning apparatus 45.
  • the number and arrangement can be designed arbitrarily.
  • the first peripheral edge removing unit 210 and the second peripheral edge removing unit 230 are separately provided, but they may be combined.
  • the first grinding wheel 211 and the second grinding wheel 231 are doubly concentrically attached to a common support wheel (not shown).
  • the second grinding wheel 231 is disposed inside the first grinding wheel 211.
  • the processing target wafer W and the support wafer S are bonded via the adhesive G.
  • the adhesive G for example, the processing target wafer W is used by using a double-sided tape.
  • the support wafer S may be bonded.

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Abstract

基板を処理する基板処理システムは、前記基板の周縁部に当接する第１の砥石を備え、前記周縁部を第１の深さまで研削して除去する第１の周縁除去部と、前記基板の周縁部に当接する第２の砥石を備え、前記第１の周縁除去部によって前記周縁部を除去した後、さらに当該周縁部を前記第１の深さより深い第２の深さまで研削して除去する第２の周縁除去部と、を有し、前記第２の砥石が備える砥粒の粒度は、前記第１の砥石が備える砥粒の粒度より小さい。

Description

基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
　本願は、２０１７年１２月１９日に日本国に出願された特願２０１７－２４３３０３号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　本発明は、基板を処理する基板処理システム、当該基板処理システムを用いた基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体に関する。
　近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ（以下、ウェハという）に対し、当該ウェハの裏面を研削及び研磨して、ウェハを薄化することが行われている。そして、この薄化されたウェハをそのまま搬送したり、後続の処理を行ったりすると、ウェハに反りや割れが生じるおそれがある。このため、ウェハを補強するために、例えば支持基板にウェハを貼り付けることが行われている。
　ところで、通常ウェハの周縁部は面取り加工がされているが、上述したようにウェハを研削及び研磨処理を行うと、ウェハの周縁部が鋭く尖った形状になる。そうすると、ウェハの周縁部でチッピングが発生し、ウェハが損傷を被るおそれがある。そこで、研削処理前に予めウェハの周縁部を削る、いわゆるエッジトリムが行われている。
　例えば特許文献１には、エッジトリムを行う装置として、縦軸型の平面研削装置が開示されている。この縦軸型の平面研削装置を用いてウェハの周縁部を研削する場合には、先ず、ウェハをテーブルに固定し、テーブルを鉛直軸に平行な軸の回りに回転させる。そして、スピンドルを回転させて、カップホイールに回転を与えた後、スピンドルを鉛直方向に移動させることにより、カップホイールの研削面をウェハに当接させて、ウェハの周縁部を研削する。
日本国特開平９－２１６１５２号公報
　上述したように特許文献１に記載の平面研削装置では、カップホイールを用いてウェハの周縁部を研削している。ここで、例えば周縁部の研削速度を大きくしようとすると、カップホイールの砥粒の粒径を大きくする必要がある。しかしながら、かかる場合、周縁部が研削されることで露出するウェハの表面（以下、露出面という）が粗くなり、所定の品質を満足できない場合があった。
　一方、例えばウェハの露出面の表面性状を向上させようとすると、カップホイールの砥粒の粒径を小さくする必要がある。しかしながら、かかる場合、周縁部の研削に時間がかかり、ウェハ処理全体のスループットを向上させることができない。したがって、従来のようにカップホイールを用いたエッジトリムには改善の余地がある。
　本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基板の周縁部を研削して除去するにあたり、周縁部除去にかかる時間を短縮しつつ、周縁部が研削されることで露出する基板表面の表面性状を向上させることを目的とする。
　上記課題を解決する本発明の一態様は、基板を処理する基板処理システムであって、前記基板の周縁部に当接する第１の砥石を備え、前記周縁部を第１の深さまで研削して除去する第１の周縁除去部と、前記基板の周縁部に当接する第２の砥石を備え、前記第１の周縁除去部によって前記周縁部を除去した後、さらに当該周縁部を前記第１の深さより深い第２の深さまで研削して除去する第２の周縁除去部と、を有し、前記第２の砥石が備える砥粒の粒度は、前記第１の砥石が備える砥粒の粒度より小さい。
　別な観点による本発明の一態様は、基板を処理する基板処理方法であって、前記基板の周縁部に第１の砥石を当接させて、前記周縁部を第１の深さまで研削して除去する第１の周縁除去工程と、その後、前記基板の周縁部に第２の砥石を当接させて、前記周縁部を前記第１の深さより深い第２の深さまで研削して除去する第２の周縁除去工程と、を有し、前記第２の砥石が備える砥粒の粒度は、前記第１の砥石が備える砥粒の粒度より小さい。
　また別な観点による本発明の一態様によれば、前記基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体である。
　本発明の一態様によれば、基板の周縁部を研削して除去するにあたり、第１の砥石を用いることで、周縁部除去にかかる時間を短縮して、基板処理のスループットを向上させることができる。また、第２の砥石を用いることで、周縁部が研削されることで露出する基板表面の表面性状を向上させることも可能となる。
本実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。 重合ウェハの構成の概略を示す側面図である。 加工装置の構成の概略を示す平面図である。 第１の周縁除去部（第２の周縁除去部）の構成の概略を示す側面図である。 第１の周縁除去部（第２の周縁除去部）の構成の概略を示す説明図である。 ウェハ処理の主な工程を示すフローチャートである。 ウェハ処理の主な工程において被処理ウェハが研削される様子を示す説明図である。 被処理ウェハの第２の周縁部を除去する際、第２の周縁部の底面のコーナー部が湾曲した様子を示す説明図である。 ドレスボードで第２の砥石ホイールの研削面を調整する様子を示す説明図である。 他の実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。
　以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
＜基板処理システム＞
　先ず、本実施形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。図１は、基板処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
　本実施形態の基板処理システム１では、図２に示すように例えば接着剤Ｇを介して、基板としての被処理ウェハＷと支持ウェハＳとが接合された重合ウェハＴを処理し、被処理ウェハＷを薄化する。以下、被処理ウェハＷにおいて、加工（研削）される面（接着剤Ｇが接着される面と反対側の面）を「加工面Ｗ１」といい、加工面Ｗ１と反対側の面を「非加工面Ｗ２」という。また、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合された面を「接合面Ｓ１」といい、接合面Ｓ１と反対側の面を「非接合面Ｓ２」という。なお、本実施形態では、被処理ウェハＷと支持ウェハＳは接着剤Ｇを介して接合されているが、接合方法はこれに限定されるものではない。
　被処理ウェハＷは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハであって、非加工面Ｗ２に複数のデバイスが形成されている。なお、被処理ウェハＷの周縁部は面取り加工がされており、周縁部の断面はその先端に向かって厚みが小さくなっている。
　支持ウェハＳは、被処理ウェハＷを支持するウェハである。また、支持ウェハＳは接着剤Ｇとともに、被処理ウェハＷの非加工面Ｗ２のデバイスを保護する保護材として機能する。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
　図１に示すように基板処理システム１は、例えば外部との間で複数の重合ウェハＴを収容可能なカセットＣが搬入出される搬入出ステーション２と、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション３とを接続した構成を有している。
　搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセットＣをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。
　搬入出ステーション２には、カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送領域２０が設けられている。ウェハ搬送領域２０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在なウェハ搬送装置２２が設けられている。ウェハ搬送装置２２は、重合ウェハＴを保持して搬送する、例えば２本の搬送アーム２３、２３を有している。各搬送アーム２３は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム２３の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。
　処理ステーション３には、ウェハ搬送領域３０が設けられている。ウェハ搬送領域３０には、Ｙ軸方向に延伸する搬送路３１上を移動自在なウェハ搬送装置３２が設けられている。ウェハ搬送装置３２は、重合ウェハＴを保持して搬送する、例えば２本の搬送アーム３３、３３を有している。各搬送アーム３３は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム３３の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。
　処理ステーション３において、ウェハ搬送領域３０の周囲には、加工装置４０、ＣＭＰ装置４１（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械研磨）、第１の周縁除去装置４２、第２の周縁除去装置４３、第１の洗浄装置４４、及び第２の洗浄装置４５が設けられている。ウェハ搬送領域３０のＸ軸負方向側には、加工装置４０とＣＭＰ装置４１がＹ軸正方向から負方向に向けて並べて配置されている。ウェハ搬送領域３０のＸ軸正方向側には、第１の周縁除去装置４２と第２の周縁除去装置４３がＹ軸正方向から負方向に向けて並べて配置されている。ウェハ搬送領域３０の上方であってＹ軸負方向側には、第１の洗浄装置４４と第２の洗浄装置４５がＹ軸正方向から負方向に向けて並べて配置されている。なお、第２の洗浄装置４５の下方には、ウェハ搬送装置２２とウェハ搬送装置３２の間で重合ウェハＴを受け渡すためのトランジション装置（図示せず）が設けられている。
　以上の基板処理システム１には、制御部５０が設けられている。制御部５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１における重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部５０にインストールされたものであってもよい。
（加工装置）
　図３に示すように加工装置４０は、回転テーブル１００、搬送ユニット１１０、アライメントユニット１２０、洗浄ユニット１３０、粗研削ユニット１４０、中研削ユニット１５０、及び仕上研削ユニット１６０を有している。
　回転テーブル１００は、回転機構（図示せず）によって回転自在に構成されている。回転テーブル１００上には、重合ウェハＴを吸着保持するチャック１０１が４つ設けられている。チャック１０１は、回転テーブル１００と同一円周上に均等、すなわち９０度毎に配置されている。４つのチャック１０１は、回転テーブル１００が回転することにより、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ１～Ａ３に移動可能になっている。
　本実施形態では、受渡位置Ａ０は回転テーブル１００のＸ軸正方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、受渡位置Ａ０のＹ軸負方向側には、アライメントユニット１２０と洗浄ユニット１３０が配置される。第１の加工位置Ａ１は回転テーブル１００のＸ軸正方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、粗研削ユニット１４０が配置される。第２の加工位置Ａ２は回転テーブル１００のＸ軸負方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、中研削ユニット１５０が配置される。第３の加工位置Ａ３は回転テーブル１００のＸ軸負方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、仕上研削ユニット１６０が配置される。
　チャック１０１はチャックベース１０２に保持されている。チャック１０１及びチャックベース１０２は、回転機構（図示せず）によって回転可能に構成されている。
　搬送ユニット１１０は、複数、例えば３つのアーム１１１～１１３を備えた多関節型のロボットである。３つのアーム１１１～１１３は関節部（図示せず）によって接続され、これら関節部によって、第１のアーム１１１と第２のアーム１１２はそれぞれ基端部を中心に旋回自在に構成されている。３つのアーム１１１～１１３のうち、先端の第１のアーム１１１には、重合ウェハＴを吸着保持する搬送パッド１１４が取り付けられている。また、３つのアーム１１１～１１３のうち、基端の第３のアーム１１３は、アーム１１１～１１３を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構１１５に取り付けられている。そして、かかる構成を備えた搬送ユニット１１０は、受渡位置Ａ０、アライメントユニット１２０、及び洗浄ユニット１３０に対して、重合ウェハＴを搬送できる。
　アライメントユニット１２０では、研削処理前の重合ウェハＴの水平方向の向きを調節する。例えばスピンチャック（図示せず）に保持された重合ウェハＴを回転させながら、検出部（図示せず）で重合ウェハＴのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節して重合ウェハＴの水平方向の向きを調節する。
　洗浄ユニット１３０では、研削処理後の重合ウェハＴが搬送パッド１１４に保持された状態の支持ウェハＳの非接合面Ｓ２を洗浄するとともに、搬送パッド１１４を洗浄する。
　粗研削ユニット１４０では、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を粗研削する。粗研削ユニット１４０は、環状形状で回転自在な粗研削砥石（図示せず）を備えた粗研削部１４１を有している。また、粗研削部１４１は、支柱１４２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。そして、チャック１０１に保持された被処理ウェハＷを粗研削砥石に当接させた状態で、チャック１０１と粗研削砥石をそれぞれ回転させることによって、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を粗研削する。
　中研削ユニット１５０では、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を中研削する。中研削ユニット１５０は、環状形状で回転自在な中研削砥石（図示せず）を備えた中研削部１５１を有している。また、中研削部１５１は、支柱１５２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、中研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック１０１に保持された被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を中研削砥石に当接させた状態で、チャック１０１と中研削砥石をそれぞれ回転させることによって加工面Ｗ１を中研削する。
　仕上研削ユニット１６０では、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を仕上研削する。仕上研削ユニット１６０は、環状形状で回転自在な仕上研削砥石（図示せず）を備えた仕上研削部１６１を有している。また、仕上研削部１６１は、支柱１６２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、仕上研削砥石の砥粒の粒度は、中研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック１０１に保持された被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を仕上研削砥石に当接させた状態で、チャック１０１と仕上研削砥石をそれぞれ回転させることによって加工面Ｗ１を仕上研削する。
（ＣＭＰ装置）
　図１に示したＣＭＰ装置４１は、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を研磨する研磨部（図示せず）を例えば２つ備えている。第１の研磨部で使用される砥粒の粒度は、第２の研磨部で使用される砥粒の粒度より大きい。そして、第１の研磨部において加工面Ｗ１を粗研磨し、第２の研磨部において加工面Ｗ１を仕上研磨する。なお、ＣＭＰ装置４１の構成には、化学研磨処理を行う一般的な構成を採用できる。例えば被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を上方に向けて、いわゆるフェイスアップの状態で処理を行ってもよいし、加工面Ｗ１を下方に向けて、いわゆるフェイスダウンの状態で処理を行ってもよい。
（周縁除去装置）
　第１の周縁除去装置４２と第２の周縁除去装置４３は、それぞれ被処理ウェハＷの周縁部を除去するものである。すなわち、基板処理システム１において、被処理ウェハＷの周縁部は２段階で除去される。
　第１の周縁除去装置４２は、重合ウェハＴ（被処理ウェハＷ）を保持する、基板保持部としてのチャック２００を有している。チャック２００は、チャックテーブル２０１に支持され、Ｘ軸方向に延伸する搬送路２０２上を移動自在に構成されている。また、チャック２００は、回転機構（図示せず）によって回転可能に構成されている。なお、本実施形態では、チャックテーブル２０１と搬送路２０２が、本発明の移動機構を構成している。また、本発明の移動機構は、チャック２００と後述する第１の砥石ホイール２１１を相対的に水平方向に移動させればよく、第１の砥石ホイール２１１を水平方向に移動させてもよいし、あるいはチャック２００と第１の砥石ホイール２１１の両方を水平方向に移動させてもよい。
　また、第１の周縁除去装置４２は、チャック２００の上方に配置され、チャック２００に保持された被処理ウェハＷの周縁部を除去する第１の周縁除去部２１０を有している。図４に示すように第１の周縁除去部２１０は、第１の砥石ホイール２１１、支持ホイール２１２、スピンドル２１３、及び駆動部２１４を有している。
　第１の砥石ホイール２１１を固定した支持ホイール２１２は、スピンドル２１３のスピンドルフランジ２１３ａに支持されており、スピンドル２１３には駆動部２１４が設けられている。駆動部２１４は例えばモータ（図示せず）を内蔵し、スピンドル２１３を介して、第１の砥石ホイール２１１と支持ホイール２１２を回転させる。また、スピンドル２１３と駆動部２１４は、昇降機構２１５によって昇降自在に構成されている。
　図５に示すように第１の砥石ホイール２１１と支持ホイール２１２は、それぞれ平面視において円環形状（リング形状）を有している。第１の砥石ホイール２１１は砥粒を含み、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅに当接し、当該周縁部Ｗｅを研削して除去する。なお、本実施形態では、第１の砥石ホイール２１１は円環形状で設けられていたが、これに限定されず、例えば支持ホイール２１２に沿って、分割して設けられていてもよい。
　第１の周縁除去装置４２では、先ず、被処理ウェハＷを水平方向に移動させて、第１の砥石ホイール２１１が被処理ウェハＷに当接する範囲が予め定められた所定の幅と合致するように第１の砥石ホイール２１１を配置する。
　続いて、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅに第１の砥石ホイール２１１を下降させ当接させた状態で、第１の砥石ホイール２１１と重合ウェハＴ（被処理ウェハＷ）をそれぞれ回転させることによって周縁部Ｗｅを研削し除去する。またこの際、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１に第１の砥石ホイール２１１を当接させた状態から、当該第１の砥石ホイール２１１を鉛直下方に移動させることで、周縁部Ｗｅを上方から下方に研削し除去する。
　なお、第２の周縁除去装置４３も、第１の周縁除去装置４２と同様の構成を有している。すなわち、図１及び図４に示すように第２の周縁除去装置４３は、チャック２２０、チャックテーブル２２１、搬送路２２２、及び第２の周縁除去部２３０（第２の砥石ホイール２３１、支持ホイール２３２、スピンドル２３３、駆動部２３４、及び昇降機構２３５）を有している。但し、第２の砥石ホイール２３１の砥粒の粒度は、第１の砥石ホイール２１１の砥粒の粒度より小さい。
（洗浄装置）
　図１に示すように第１の洗浄装置４４では被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を粗洗浄し、第２の洗浄装置４５では被処理ウェハＷの加工面Ｗ１を仕上洗浄する。
　第１の洗浄装置４４は、重合ウェハＴを保持して回転させるスピンチャック３００と、例えばブラシを備えたスクラブ洗浄具３０１とを有している。そして、スピンチャック３００に保持された重合ウェハＴを回転させながら、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１にスクラブ洗浄具３０１を当接させることで、加工面Ｗ１が洗浄される。
　第２の洗浄装置４５は、重合ウェハＴを保持して回転させるスピンチャック３１０と、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１に洗浄液、例えば純水を供給するノズル３１１とを有している。そして、スピンチャック３１０に保持された重合ウェハＴを回転させながら、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１にノズル３１１から洗浄液を供給する。そうすると、供給された洗浄液は加工面Ｗ１上を拡散し、当該加工面Ｗ１が洗浄される。
＜ウェハ処理＞
　次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。
　先ず、複数の重合ウェハＴを収納したカセットＣが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。カセットＣには、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１が上側を向くように重合ウェハＴが収納されている。
　次に、ウェハ搬送装置２２によりカセットＣ内の重合ウェハＴが取り出され、さらに重合ウェハＴはトランジション装置（図示せず）を介してウェハ搬送装置３２に受け渡され、処理ステーション３の第１の周縁除去装置４２に搬送される。第１の周縁除去装置４２では、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅを除去するが、以下の説明においては、第１の周縁除去装置４２で除去される周縁部Ｗｅを第１の周縁部Ｗｅ１という場合がある。
　第１の周縁除去装置４２に搬送された重合ウェハＴは、チャック２００に保持される。そして、図７（ａ）に示すように第１の砥石ホイール２１１を鉛直下方に移動させて、当該第１の砥石ホイール２１１を回転させながら被処理ウェハＷの第１の周縁部Ｗｅ１に当接させる。この際、第１の砥石ホイール２１１は、被処理ウェハＷに当接する範囲が、予め定められた周方向の第１の幅Ｌ１（被処理ウェハＷの端部からの距離）に合致するように配置される。
　その後、第１の砥石ホイール２１１を第１の周縁部Ｗｅ１に当接させた状態で、第１の砥石ホイール２１１と重合ウェハＴ（被処理ウェハＷ）をそれぞれ回転させ、図７（ｂ）に示すようにさらに第１の砥石ホイール２１１を鉛直下方に移動させる。そうすると、第１の周縁部Ｗｅ１が研削される。この際、第１の砥石ホイール２１１は、予め定められた第１の深さＨ１（被処理ウェハＷの加工面Ｗ１からの距離）まで移動する。この第１の深さＨ１は、第１の砥石ホイール２１１の下面が接着剤Ｇまで到達しない深さである。
　このように第１の周縁部Ｗｅ１を研削する際、第１の砥石ホイール２１１の砥粒の粒度が大きいため、当該第１の砥石ホイール２１１による第１の周縁部Ｗｅ１の研削速度（下降速度）を大きくすることができる。その結果、第１の周縁部Ｗｅ１の研削を短時間で行うことができる。
　その後、図７（ｃ）に示すように第１の砥石ホイール２１１を回転させながら上昇させる。この際、第１の砥石ホイール２１１から離間するように重合ウェハＴを水平方向に移動させる。ここで、第１の砥石ホイール２１１が被処理ウェハＷから離れる際、すなわち第１の砥石ホイール２１１の下端と被処理ウェハＷの上端が同じ高さになった際に、第１の砥石ホイール２１１の下端と被処理ウェハＷの上端が接触しているとこれらが引っ掛り、被処理ウェハＷの上端にクラックが発生するおそれがある。これに対し、本実施形態のように重合ウェハＴを水平方向に移動させることで、第１の砥石ホイール２１１の下端と被処理ウェハＷの上端が同じ高さになった際にこれらを離間させることができ、クラックの発生を抑制することができる。
　こうして、図７（ｄ）に示すように被処理ウェハＷにおいて、第１の幅Ｌ１かつ第１の深さＨ１の範囲の第１の周縁部Ｗｅ１が除去され、１回目の周縁部除去処理が終了する（図６のステップＰ１）。
　次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置３２により第２の周縁除去装置４３に搬送される。第２の周縁除去装置４３でも、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅを除去するが、以下の説明においては、第２の周縁除去装置４３で除去される周縁部Ｗｅを第２の周縁部Ｗｅ２という場合がある。
　第２の周縁除去装置４３に搬送された重合ウェハＴは、チャック２２０に保持される。そして、図７（ｅ）に示すように第２の砥石ホイール２３１を鉛直下方に移動させて、当該第２の砥石ホイール２３１を回転させながら被処理ウェハＷの第２の周縁部Ｗｅ２に当接させる。この際、第２の砥石ホイール２３１は、被処理ウェハＷに当接する範囲が、予め定められた周方向の第２の幅Ｌ２（被処理ウェハＷの端部からの距離）に合致するように配置される。
　その後、第２の砥石ホイール２３１を第２の周縁部Ｗｅ２に当接させた状態で、第２の砥石ホイール２３１と重合ウェハＴ（被処理ウェハＷ）をそれぞれ回転させ、図７（ｆ）に示すようにさらに第２の砥石ホイール２３１を鉛直下方に移動させる。そうすると、第２の周縁部Ｗｅ２が研削される。この際、第２の砥石ホイール２３１は、予め定められた第２の深さＨ２（被処理ウェハＷの加工面Ｗ１からの距離）まで移動する。この第２の深さＨ２は、第２の砥石ホイール２３１の下面が支持ウェハＳの接合面Ｓ１に到達する深さである。なお、第２の深さＨ２は、任意に設定することができる。例えば第２の深さＨ２を接着剤Ｇの高さに設定し、支持ウェハＳの接合面Ｓ１を削らないようにしてもよい。
　このように第２の周縁部Ｗｅ２を研削する際には、第２の砥石ホイール２３１の砥粒の粒度が小さいため、研削された第２の周縁部Ｗｅ２の仕上がり面の表面粗さを小さくすることができ、第２の周縁部Ｗｅ２が研削されることで露出する被処理ウェハＷの表面の表面性状を向上させることができる。そして、露出した被処理ウェハＷの側面Ｗｅ３の仕上がりもきれいに（表面粗さが小さく）なる。
　ここで、２回目に研削される第２の周縁部Ｗｅ２の第２の幅Ｌ２は、１回目に研削される第１の周縁部Ｗｅ１の第１の幅Ｌ１より小さい。すなわち、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅに対し、第２の砥石ホイール２３１は、第１の砥石ホイール２１１より外側に配置される。そして、周方向外側において、深さ（Ｈ２－Ｈ１）、幅（Ｌ１－Ｌ２）の範囲の分だけ、周縁部Ｗｅが残存する。上述したように第２の砥石ホイール２３１の砥粒の粒度は、第１の砥石ホイール２１１の砥粒の粒度より小さいため、第２の砥石ホイール２３１による研削速度は、第１の砥石ホイール２１１による研削速度より小さい。このため、第１の周縁部Ｗｅ１の研削は、第２の砥石ホイール２３１で行うよりも、第１の砥石ホイール２１１で行った方が効率がよい。また、この第１の周縁部Ｗｅ１が除去されることで露出する被処理ウェハＷの側面（以下、露出側面という）は、後述するように加工装置４０で加工面Ｗ１を研削する際に、一緒に除去される。このため、被処理ウェハＷの露出側面の表面性状が悪くても、最終的には除去されるため、被処理ウェハＷの品質に影響はない。
　その後、図７（ｇ）に示すように第２の砥石ホイール２３１を回転させながら上昇させる。この際、第２の砥石ホイール２３１から離間するように重合ウェハＴを水平方向に移動させる。その結果、図７（ｃ）を用いて説明したように、被処理ウェハＷにクラックが発生するのを抑制することができる。
　こうして、図７（ｈ）に示すように被処理ウェハＷにおいて、第２の幅Ｌ２かつ第２の深さＨ２の範囲の第２の周縁部Ｗｅ２が除去され、２回目の周縁部除去処理が終了する（図６のステップＰ２）。
　次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置３２により加工装置４０に搬送される。加工装置４０に搬送された重合ウェハＴは、アライメントユニット１２０に受け渡される。そして、アライメントユニット１２０において、重合ウェハＴの水平方向の向きが調節される（図６のステップＰ３）。
　次に、重合ウェハＴは搬送ユニット１１０により、アライメントユニット１２０から受渡位置Ａ０に搬送され、当該受渡位置Ａ０のチャック１０１に受け渡される。その後、回転テーブル１００を反時計回りに９０度回転させ、チャック１０１を第１の加工位置Ａ１に移動させる。そして、粗研削ユニット１４０によって、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１が粗研削される（図６のステップＰ４）。
　次に、回転テーブル１００を反時計回りに９０度回転させ、チャック１０１を第２の加工位置Ａ２に移動させる。そして、中研削ユニット１５０によって、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１が中研削される（図６のステップＰ５）。
　次に、回転テーブル１００を反時計回りに９０度回転させ、チャック１０１を第３の加工位置Ａ３に移動させる。そして、仕上研削ユニット１６０によって、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１が仕上研削される（図６のステップＰ６）。そして、図７（ｉ）に示すように被処理ウェハＷの加工面Ｗ１が研削される。なお、図７（ｉ）に図示した点線の範囲は、これら研削ユニット１４０、１５０、１６０で被処理ウェハＷの加工面Ｗ１が研削される範囲であり、上述した第１の周縁部Ｗｅ１に対応する露出側面も含まれる。また、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１が研削される深さは、第１の深さＨ１と第２の深さＨ２の間である。
　次に、回転テーブル１００を反時計回りに９０度回転させ、又は回転テーブル１００を時計回りに２７０度回転させて、チャック１０１を受渡位置Ａ０に移動させる。ここでは、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１が、洗浄液ノズル（図示せず）から吐出される洗浄液によって洗浄される（図６のステップＰ７）。
　次に、重合ウェハＴは搬送ユニット１１０により、受渡位置Ａ０から洗浄ユニット１３０に搬送される。そして、洗浄ユニット１３０では、重合ウェハＴが搬送パッド１１４に保持された状態で、支持ウェハＳの非接合面Ｓ２が洗浄し、乾燥される（図６のステップＰ８）。
　次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置３２によりＣＭＰ装置４１に搬送される。ＣＭＰ装置４１では、第１の研磨部（図示せず）によって被処理ウェハＷの加工面Ｗ１が研磨（粗ＣＭＰ）され、さらに第２の研磨部（図示せず）によって被処理ウェハＷの加工面Ｗ１が研磨（仕上ＣＭＰ）される（図６のステップＰ９）。
　次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置３２により第１の洗浄装置４４に搬送される。第１の洗浄装置４４に搬送された重合ウェハＴは、スピンチャック３００に保持される。そして、スピンチャック３００に保持された重合ウェハＴを回転させながら、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１にスクラブ洗浄具３０１を当接させて、加工面Ｗ１が洗浄される（図６のステップＰ１０）。このステップＰ１０における洗浄は、加工面Ｗ１上のパーティクルなどを物理的に除去するものであり、粗洗浄である。
　次に、重合ウェハＴはウェハ搬送装置３２により第２の洗浄装置４５に搬送される。第２の洗浄装置４５に搬送された重合ウェハＴは、スピンチャック３１０に保持される。そして、スピンチャック３１０に保持された重合ウェハＴを回転させながら、被処理ウェハＷの加工面Ｗ１にノズルから洗浄液を供給して、加工面Ｗ１が洗浄される（図６のステップＰ１１）。このステップＰ１１における洗浄は、最終的な仕上洗浄である。
　その後、すべての処理が施された重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置３２からウェハ搬送装置２２に受け渡され、カセット載置台１０のカセットＣに搬送される。こうして、基板処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。
　以上の実施形態によれば、ステップＰ１とステップＰ２の２段階で被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅを除去している。ステップＰ１では、第１の砥石ホイール２１１の砥粒の粒度が大きいため、第１の周縁部Ｗｅ１の除去時間を短縮することができ、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。また、その後のステップＰ２では、第２の砥石ホイール２３１の砥粒の粒度が小さいため、除去された第２の周縁部Ｗｅ２の仕上がり面の表面粗さを小さくすることができる。このように粒度の異なる２つの砥石ホイール２１１、２３１を用いることで、周縁部Ｗｅの除去にかかる時間を短縮しつつ、第２の周縁部Ｗｅ２が研削されることで露出する被処理ウェハＷの表面の表面性状を向上させることができる。
　また、本実施形態によれば、一の基板処理システム１において、一連の処理を複数の被処理ウェハＷに対して連続して行うことができ、スループットを向上させることができる。
＜砥石ホイールのドレッシング＞
　以上の実施形態のステップＰ２において、第２の砥石ホイール２３１を用いて被処理ウェハＷの第２の周縁部Ｗｅ２を除去した際、図８に示すように、第２の周縁部Ｗｅ２の底面のコーナー部Ｎ（図中の点線で囲った部分）が湾曲する場合がある。かかる場合、被処理ウェハＷから支持ウェハＳを剥離した後に、被処理ウェハＷの端面に湾曲部分が残ることになり、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅが鋭く尖った形状になるため、被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅでチッピングが発生し、被処理ウェハＷが損傷を被るおそれがある。
　この点、例えばステップＰ２において、第２の砥石ホイール２３１による研削速度や第２の砥石ホイール２３１の回転速度などを制御することで、図８に示した第２の周縁部Ｗｅ２のコーナー部Ｎの湾曲をある程度抑えることができる。しかしながら、第２の砥石ホイール２３１を繰り返し使用すると、当該第２の砥石ホイール２３１の研削面が摩耗し、第２の周縁部Ｗｅ２のコーナー部Ｎが湾曲しやすくなる。
　そこで、第２の砥石ホイール２３１の研削面を調整する、いわゆるドレッシングを行うのが好ましい。第２の砥石ホイール２３１のドレッシングに際しては、図１及び図９に示すように、調整部としてのドレスボード４００を用いる。ドレスボード４００は、平面視において円形状を有し、その周縁部に段部４０１を有している。
　ドレスボード４００は、例えば第２の周縁除去装置４３の内部において、第２の周縁除去部２３０のＸ軸正方向側に設けられている。ドレスボード４００の下面側には、当該ドレスボード４００を水平方向及び鉛直方向に移動させるとともに、回転させる移動機構４１０が設けられている。移動機構４１０は、例えばシャフト４１１、２本のアーム４１２、４１３、及び駆動部４１４を有している。シャフト４１１はドレスボード４００の下面と第１のアーム４１２の先端部との間に設けられている。第１のアーム４１２の先端部には回転部（図示せず）が設けられ、この回転部によりシャフト４１１を介してドレスボード４００が回転自在に構成されている。第１のアーム４１２と第２のアーム４１３は関節部（図示せず）によって接続され、この関節部によって第１のアーム４１２は基端部を中心に旋回自在に構成されている。第２のアーム４１３は駆動部４１４に取り付けられ、駆動部４１４によって第２のアーム４１３は基端部を中心に旋回自在であるとともに、鉛直方向に移動自在に構成されている。そして、かかる構成を備えた移動機構４１０により、ドレスボード４００は、第２の周縁除去部２３０に対して進退自在に移動できる。
　なお、ドレスボード４００は、上述した第２の周縁除去装置４３の内部に限定されず、任意の位置に設置できる。例えばドレスボード４００は、第２の周縁除去装置４３の外部に設けられた、例えば棚などの設置場所（図示せず）に載置しておき、チャック２００に保持された状態でドレッシングを行ってもよい。
　かかる場合、第２の砥石ホイール２３１とドレスボード４００をそれぞれ回転させながら、第２の砥石ホイール２３１の周縁部にドレスボード４００の段部４０１を当接させる。そうすると、第２の砥石ホイール２３１の周縁部において、下面２３１ａと外側面２３１ｂ（第２の周縁部Ｗｅ２の研削面）がそれぞれ研削され、平坦化される。すなわち、第２の砥石ホイール２３１において、図８に示した第２の周縁部Ｗｅ２のコーナー部Ｎに当接する下端が直角になる。そして、このようにドレッシングを施した第２の砥石ホイール２３１を用いて第２の周縁部Ｗｅ２を研削すると、当該第２の周縁部Ｗｅ２のコーナー部Ｎを直角に形成することができ、湾曲を抑制することができる。
　なお、第２の砥石ホイール２３１のドレッシングにあたっては、事前に、例えばレーザ変位計を用いて、第２の砥石ホイール２３１の周縁部における下面２３１ａと外側面２３１ｂの表面状態を検査してもよい。具体的には、例えば下面２３１ａと外側面２３１ｂの高さを測定する。そして、検査の結果、下面２３１ａと外側面２３１ｂのいずれか又は両方に、摩耗や異常突起などが発見された場合に、第２の砥石ホイール２３１のドレッシングを行うようにしてもよい。
　また、第２の周縁部Ｗｅ２のコーナー部Ｎの湾曲を抑制するという観点からは、第２の砥石ホイール２３１が、側面視においてテーパ形状を有するようにしてもよい。第２の砥石ホイール２３１の下面の径を上面の径よりも大きくし、すなわち、下面を外側に張り出させる。かかる場合、第２の砥石ホイール２３１が摩耗しても、当該第２の砥石ホイール２３１の下端が側面視において鋭角になり、第２の周縁部Ｗｅ２のコーナー部Ｎが湾曲し難くなる。
　さらに、上述した例では、第２の砥石ホイール２３１のドレッシングについて説明したが、第１の砥石ホイール２１１に対しても、同様のドレスボード４００を用いてドレッシングを行うのが好ましい。
＜他の実施形態＞
　基板処理システム１の構成は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記実施形態の基板処理システム１では、第２の周縁除去部２３０は、加工装置４０の外部の第２の周縁除去装置４３に設けられていたが、図１０に示すように加工装置４０の内部に設けてもよい。かかる場合、第２の周縁除去部２３０は第１の加工位置Ａ１に配置され、第２の加工位置Ａ２と第３の加工位置Ａ３にはそれぞれ粗研削ユニット１４０と仕上研削ユニット１６０が配置される。なお、この場合は、中研削ユニット１５０が省略される。
　第１の周縁除去装置４２では被処理ウェハＷの第１の周縁部Ｗｅ１を除去するが、その範囲（第１の幅Ｌ１と第１の深さＨ１）は通常、大きい。このため、粒度の大きい第１の砥石ホイール２１１を用いたとしても、第１の周縁部Ｗｅ１の除去にはある程度時間がかかる場合がある。
　一方、第２の周縁除去装置４３で除去される第２の周縁部Ｗｅ２の範囲（第２の幅Ｌ２と第２の深さＨ２）は通常、小さい。このため、第２の周縁除去部２３０を加工装置４０の内部に設けたとしても、加工装置４０内のスループットを下げることはない。したがって、本実施形態のように、第２の周縁除去部２３０を加工装置４０の内部に設けることで、ウェハ処理全体のスループットを向上させることも可能となる。
　また、上記実施形態の基板処理システム１において、加工装置４０、ＣＭＰ装置４１、第１の周縁除去装置４２、第２の周縁除去装置４３、第１の洗浄装置４４、第２の洗浄装置４５の、数や配置は任意に設計することができる。
　上記実施形態の基板処理システム１では、第１の周縁除去部２１０と第２の周縁除去部２３０は別々に設けられていたが、これらを合体させてもよい。例えば共通の支持ホイール（図示せず）に対して、第１の砥石ホイール２１１と第２の砥石ホイール２３１を同心円状に２重に取り付ける。例えば第１の砥石ホイール２１１の径を大きくし、第２の砥石ホイール２３１の径を小さくすると、第１の砥石ホイール２１１の内側に第２の砥石ホイール２３１が配置される。
　かかる場合、１つの周縁除去装置の内部で、２つの第１の周縁除去部２１０と第２の周縁除去部２３０を用いて、２段階で被処理ウェハＷの周縁部Ｗｅを除去することができる。したがって、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
　上記実施形態の基板処理システム１では、被処理ウェハＷと支持ウェハＳは接着剤Ｇを介して接合されていたが、この接着剤Ｇに代えて、例えば両面テープを用いて被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合してもよい。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
　　１　　　基板処理システム
　　２　　　搬入出ステーション
　　３　　　処理ステーション
　　４０　　加工装置
　　４１　　ＣＭＰ装置
　　４２　　第１の周縁除去装置
　　４３　　第２の周縁除去装置
　　５０　　制御部
　　１４０　粗研削ユニット
　　１４１　粗研削部
　　１５０　中研削ユニット
　　１５１　中研削部
　　１６０　仕上研削ユニット
　　１６１　仕上研削部
　　２００　チャック
　　２０１　チャックテーブル
　　２０２　搬送路
　　２１０　第１の周縁除去部
　　２１１　第１の砥石ホイール
　　２１２　支持ホイール
　　２１３　スピンドル
　　２１４　駆動部
　　２１５　昇降機構
　　２２０　チャック
　　２２１　チャックテーブル
　　２２２　搬送路
　　２３０　第２の周縁除去部
　　２３１　第２の砥石ホイール
　　２３２　支持ホイール
　　２３３　スピンドル
　　２３４　駆動部
　　２３５　昇降機構
　　４００　ドレスボード
　　Ｇ　　　接着剤
　　Ｓ　　　支持ウェハ
　　Ｔ　　　重合ウェハ
　　Ｗ　　　被処理ウェハ
　　Ｗ１　　加工面
　　Ｗ２　　非加工面
　　Ｗｅ（Ｗｅ１、Ｗｅ２）　周縁部（第１の周縁部、第２の周縁部）

Claims (17)

  1. 基板を処理する基板処理システムであって、
    前記基板の周縁部に当接する第１の砥石を備え、前記周縁部を第１の深さまで研削して除去する第１の周縁除去部と、
    前記基板の周縁部に当接する第２の砥石を備え、前記第１の周縁除去部によって前記周縁部を除去した後、さらに当該周縁部を前記第１の深さより深い第２の深さまで研削して除去する第２の周縁除去部と、を有し、
    前記第２の砥石が備える砥粒の粒度は、前記第１の砥石が備える砥粒の粒度より小さい。
  2. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記第２の周縁除去部によって前記周縁部を除去した後、前記基板の加工面を前記第１の深さと前記第２の深さの間まで研削する研削部を有する。
  3. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記第１の周縁除去部によって前記周縁部を除去する前の前記基板の非加工面には、デバイスが形成されるとともに、当該デバイスを保護する保護材が設けられている。
  4. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記第２の周縁除去部による前記周縁部の研削速度は、前記第１の周縁除去部による前記周縁部の研削速度よりも小さい。
  5. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記第２の周縁除去部で除去される前記周縁部の周方向の幅は、前記第１の周縁除去部で除去される前記周縁部の周方向の幅よりも小さい。
  6. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記第１の周縁除去部で前記周縁部を除去する際、前記基板を保持する基板保持部と、
    前記第１の砥石を昇降させる昇降機構と、
    前記第１の砥石と前記基板保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、を有する。
  7. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記第２の周縁除去部で前記周縁部を除去する際、前記基板を保持する基板保持部と、
    前記第２の砥石を昇降させる昇降機構と、
    前記第２の砥石と前記基板保持部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、を有する。
  8. 請求項１に記載の基板処理システムにおいて、
    前記第１の砥石の研削面又は前記第２の砥石の研削面を調整する調整部を有する。
  9. 基板を処理する基板処理方法であって、
    前記基板の周縁部に第１の砥石を当接させて、前記周縁部を第１の深さまで研削して除去する第１の周縁除去工程と、
    その後、前記基板の周縁部に第２の砥石を当接させて、前記周縁部を前記第１の深さより深い第２の深さまで研削して除去する第２の周縁除去工程と、を有し、
    前記第２の砥石が備える砥粒の粒度は、前記第１の砥石が備える砥粒の粒度より小さい。
  10. 請求項９に記載の基板処理方法において、
    前記第２の周縁除去工程の後、前記基板の加工面を前記第１の深さと前記第２の深さの間まで研削する研削工程を有する。
  11. 請求項９に記載の基板処理方法において、
    前記第１の周縁除去工程の前の前記基板の非加工面には、デバイスが形成されるとともに、当該デバイスを保護する保護材が設けられている。
  12. 請求項９に記載の基板処理方法において、
    前記第２の周縁除去工程における前記周縁部の研削速度は、前記第１の周縁除去工程における前記周縁部の研削速度よりも小さい。
  13. 請求項９に記載の基板処理方法において、
    前記第２の周縁除去工程で除去される前記周縁部の周方向の幅は、前記第１の周縁除去工程で除去される前記周縁部の周方向の幅よりも小さい。
  14. 請求項９に記載の基板処理方法において、
    前記第１の周縁除去工程において、
    基板保持部に保持された前記基板の周縁部に前記第１の砥石を当接させた状態で、当該第１の砥石を下降させて前記周縁部を前記第１の深さまで研削し、
    その後、前記第１の砥石を上昇させるとともに、前記第１の砥石と前記基板保持部を相対的に水平方向に移動させて離間させる。
  15. 請求項９に記載の基板処理方法において、
    前記第２の周縁除去工程において、
    基板保持部に保持された前記基板の周縁部に前記第２の砥石を当接させた状態で、当該第２の砥石を下降させて前記周縁部を前記第２の深さまで研削し、
    その後、前記第２の砥石を上昇させるとともに、前記第２の砥石と前記基板保持部を相対的に水平方向に移動させて離間させる。
  16. 請求項９に記載の基板処理方法において、
    前記第１の砥石の研削面又は前記第２の砥石の研削面を調整する調整工程を有する。
  17. 基板を処理する基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータであって、
    前記基板処理方法は、
    前記基板の周縁部に第１の砥石を当接させて、前記周縁部を第１の深さまで研削して除去する第１の周縁除去工程と、
    その後、前記基板の周縁部に第２の砥石を当接させて、前記周縁部を前記第１の深さより深い第２の深さまで研削して除去する第２の周縁除去工程と、を有し、
    前記第２の砥石が備える砥粒の粒度は、前記第１の砥石が備える砥粒の粒度より小さい。
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