JP2016127232A - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 81
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 68
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 20
- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
【解決手段】本発明のウェーハの加工方法は、外周余剰領域6においてのみ接着層11を介して表面保護テープ10を貼着するテープ貼着工程と、ウェーハ1の外周部7を回転する切削ブレード13により切削し、所定幅及び所定深さを有する外周切削部8を形成する切削工程とを有するため、切削時に生じるパーティクルをデバイス領域5に付着させることなく、容易に外周部7をエッジトリミングできる。また、支持基板をウェーハ1に貼り合わせてエッジトリミングした場合と比べて、切削ブレード13で切削する部分の体積が小さくなるため、切削ブレード13の加工速度を高く設定できウェーハ1の加工品質が向上する。さらには、切削後のウェーハ1のデバイス領域5に接着層が残ることがないため、デバイス領域5の洗浄が不要となる。
【選択図】図3
Description
切削工程を実施する際には、例えば支持基板をウェーハに貼り合わせて切削する場合と比べて、切削する部分の体積が小さくなるため、切削ブレードの加工速度を上げてもウェーハに加えられるダメージが少なくて済み、高い加工品質を得ることができる。また、切削工程後のウェーハから表面保護テープを剥離する際には、デバイス領域に接着層が残らないため、切削工程後におけるデバイス領域の洗浄が不要となる。
図1に示すウェーハ1は、被加工物の一例であって、例えば円板状のシリコン基板により構成されている。ウェーハ1の表面2aには、格子状の分割予定ライン3によって区画されたそれぞれの領域にデバイス4が形成されたデバイス領域5と、デバイス領域5を取り囲む外周余剰領域6とが形成されている。
図2に示すように、ウェーハ1の表面2aに形成されたデバイス4を保護する表面保護テープ10を、ウェーハ1の表面2aに貼着する。表面保護テープ10は、ウェーハ1の表面2aの全面を覆う面積を有している。表面保護テープ10には、図1に示したウェーハ1の外周余剰領域6に接触する周縁部分にのみ接着層11が形成されており、接着層11は、例えばシリコンなどからなる基板に対して接着力を有する糊で構成されている。一方、表面保護テープ10のデバイス4に接触する面には、接着層は形成されていない。
表面保護テープ貼着工程を実施した後、図3に示すように、回転可能な切削ブレード13によってウェーハ1の外周部7に対してエッジトリミングを行う。なお、使用する切削ブレード13としては、ブレードの刃先がフラットな形状で構成されたタイプのものが好適である。
切削工程を実施した後、図5に示すように、被加工物を研削する研削手段15によってウェーハ1を所望の仕上げ厚みに研削する。研削手段15は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル150と、スピンドル150の下端においてマウント151を介して装着された研削ホイール152と、研削ホイール152の下部において環状に固着された研削砥石153とを少なくとも備えている。
切削ブレード13でウェーハ1の表面保護テープ10ごと外周部7に対してエッジトリミングする切削工程を実施するため、ウェーハ1に対する表面保護テープ10の貼着状態を安定させたまま、切削時に生じるパーティクルをデバイス領域5に付着させることなく、容易に外周部7をエッジトリミングすることができる。
また、従来のように支持基板をウェーハ1に貼り合わせてエッジトリミングした場合と比べて、切削ブレード13で切削する部分の体積が小さくなるため、切削ブレード13の加工速度を高くすることができる。
また、表面保護テープ貼着工程では外周余剰領域においてのみ接着層を介して表面保護テープを貼着し、表面保護テープ10とデバイス領域5との間に接着層が介在しないため、切削後のウェーハ1の表面2aから表面保護テープ10を剥離してもデバイス領域5に接着層が残ることがなく、デバイス領域5の洗浄が不要となる。
次に、図6に示すウェーハ1の外周部7に対してエッジトリミングを行い、ウェーハ1を所望の仕上げ厚みに薄化する加工方法の第2例について説明する。なお、ウェーハの加工方法の第2例では、図1に示した外周余剰領域6のうち、デバイス領域5の近傍に位置する部分を第1の外周余剰領域6a,第1の外周余剰領域6aよりも径方向外側にありエッジトリミングが施される部分を第2の外周余剰領域6bとして説明する。
図6に示すように、ウェーハ1の表面2aにウェーハ1よりも小径の表面保護テープ20を貼着する。表面保護テープ20は、少なくとも図1に示したデバイス領域5を覆う大きさを有している。また、表面保護テープ20には、第1の外周余剰領域6aに接触する周縁部分にのみ接着層21が形成されている。
表面保護テープ貼着工程を実施した後、図7に示すように、ウェーハ1の外周縁において露出した最外周部7aを切削ブレード13によって切削する。ウェーハの加工方法の第1例と同様に、保持テーブル12でウェーハ1を吸引保持したら、保持テーブル12を切削ブレード13の下方に移動させる。続いて切削ブレード13を例えば矢印B方向に回転させながら、切削ブレード13をウェーハ1の表面2aに接近する方向に下降させ、切削ブレード13の刃先をウェーハ1の最外周部7aに直接切り込ませる。
5:デバイス領域 6:外周余剰領域 6a:第1の外周余剰領域
6b:第2の外周余剰領域 7:外周部 7a:最外周部 8,9:外周切削部
10:表面保護テープ 11:接着層
12,12a:保持テーブル 13:切削ブレード 14:支持基板
15:研削手段 150:スピンドル 151:マウント 152:研削ホイール
153:研削砥石
16:接着剤
20:表面保護テープ 21:接着層
Claims (3)
- 表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と前記デバイス領域を取り囲む外周余剰領域とが形成された被加工物の加工方法であって、
前記外周余剰領域においてのみ接着層を介して表面保護テープを貼着する表面保護テープ貼着工程と、
回転する切削ブレードにより被加工物の表面の外周部を切削し、所定幅及び所定深さを有する外周切削部を形成する切削工程と、を有するウェーハの加工方法。 - 前記表面保護テープは、ウェーハの表面の全面を覆う面積を有し、
前記切削工程では、前記表面保護テープを切削するとともにウェーハの外周部を切削する請求項1に記載のウェーハの加工方法。 - 前記表面保護テープは、少なくとも前記デバイス領域を覆う大きさを有し、
前記表面保護テープ貼着工程では、前記表面保護テープをウェーハの表面に貼着することによってウェーハの最外周部を全周にわたって露出させ、
前記切削工程では、露出されたウェーハの最外周部を切削する請求項1に記載のウェーハの加工方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015002218A JP2016127232A (ja) | 2015-01-08 | 2015-01-08 | ウェーハの加工方法 |
TW104141528A TWI686854B (zh) | 2015-01-08 | 2015-12-10 | 晶圓的加工方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015002218A JP2016127232A (ja) | 2015-01-08 | 2015-01-08 | ウェーハの加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016127232A true JP2016127232A (ja) | 2016-07-11 |
Family
ID=56233462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015002218A Pending JP2016127232A (ja) | 2015-01-08 | 2015-01-08 | ウェーハの加工方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9595463B2 (ja) |
JP (1) | JP2016127232A (ja) |
KR (1) | KR20160085704A (ja) |
CN (1) | CN105789126A (ja) |
DE (1) | DE102016200023A1 (ja) |
TW (1) | TWI686854B (ja) |
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- 2015-12-10 TW TW104141528A patent/TWI686854B/zh active
- 2015-12-30 CN CN201511020218.4A patent/CN105789126A/zh active Pending
-
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- 2016-01-04 KR KR1020160000529A patent/KR20160085704A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-01-05 US US14/988,438 patent/US9595463B2/en active Active
- 2016-01-05 DE DE102016200023.3A patent/DE102016200023A1/de active Pending
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Publication number | Publication date |
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TWI686854B (zh) | 2020-03-01 |
DE102016200023A1 (de) | 2016-07-14 |
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TW201633393A (zh) | 2016-09-16 |
US20160204016A1 (en) | 2016-07-14 |
KR20160085704A (ko) | 2016-07-18 |
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