JP6093328B2 - 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6093328B2 JP6093328B2 JP2014109233A JP2014109233A JP6093328B2 JP 6093328 B2 JP6093328 B2 JP 6093328B2 JP 2014109233 A JP2014109233 A JP 2014109233A JP 2014109233 A JP2014109233 A JP 2014109233A JP 6093328 B2 JP6093328 B2 JP 6093328B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- cleaning
- grinding
- damaged layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 254
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 183
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 181
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 175
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 158
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 34
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 21
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 359
- 230000008569 process Effects 0.000 description 29
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 6
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N Nitrous acid Chemical compound ON=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
2 搬入出ステーション
3 処理ステーション
22 ウェハ搬送装置
30 粗研削装置
30a 筐体
31 仕上研削装置
31a 筐体
32 ダメージ層除去装置
32a 筐体
33 ウェハ洗浄装置
33a 筐体
50 ウェハ搬送領域
51 ファンフィルターユニット
52 排気口
60 ウェハ搬送装置
61 第1の搬送アーム
62 第2の搬送アーム
70 制御装置
200 プラグ露出装置
200a 筐体
201 反転装置
201a 筐体
202 支持基板洗浄装置
202a 筐体
300 検査装置
G1 第1の処理ブロック
G2 第2の処理ブロック
G3 第3の処理ブロック
P プラグ
S 支持基板
SA 表面
SB 表面
W ウェハ
WA 表面
WB 表面
Claims (26)
- 表面にデバイスが形成され、さらに当該表面に対して支持基板の表面が接合された基板を薄化する基板処理システムであって、
基板に所定の処理を行う処理ステーションと、
基板を複数保有可能で、且つ前記処理ステーションに対して基板を搬入出する搬入出ステーションと、を有し、
前記処理ステーションは、
基板の裏面を研削する研削装置と、
前記研削装置で研削することで基板の裏面に形成されたダメージ層を除去するダメージ層除去装置と、
前記ダメージ層除去装置で前記ダメージ層を除去した後、支持基板の裏面を洗浄する洗浄装置と、
前記研削装置、前記ダメージ層除去装置及び前記洗浄装置に対して、基板を搬送するための基板搬送領域と、を有し、
前記研削装置、前記ダメージ層除去装置及び前記洗浄装置は、それぞれ鉛直方向又は水平方向に複数配置自在であり、
且つ前記研削装置、前記ダメージ層除去装置及び前記洗浄装置は、それぞれ内部に基板を収容する筐体を備え、それぞれ独立して前記筐体内で基板に所定の処理を行い、
前記研削装置の圧力及び前記ダメージ層除去装置内の圧力は、それぞれ前記基板搬送領域内の圧力に対して陰圧であり、
前記洗浄装置内の圧力は前記基板搬送領域内の圧力に対して陽圧であることを特徴とする、基板処理システム。 - 前記基板搬送領域には、基板を保持して搬送する基板搬送装置が設けられ、
前記基板搬送装置は、前記洗浄装置で支持基板の裏面が洗浄される前の基板を搬送する第1の搬送アームと、前記洗浄装置で支持基板の裏面が洗浄された後の基板を搬送する第2の搬送アームとを有することを特徴とする、請求項1に記載の基板処理システム。 - 前記ダメージ層除去装置は、ウェットエッチング、ドライエッチング又は研磨を行うことによって前記ダメージ層を除去することを特徴とする、請求項1又は2に記載の基板処理システム。
- 前記洗浄装置は、支持基板の裏面に純水を供給して洗浄することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記ダメージ層除去装置で前記ダメージ層を除去した後であって、前記洗浄装置で支持基板の裏面を洗浄する前に、基板の裏面を洗浄する他の洗浄装置をさらに有することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記他の洗浄装置内の圧力は前記基板搬送領域内の圧力に対して陽圧であることを特徴とする、請求項5に記載の基板処理システム。
- 前記他の洗浄装置は、基板の裏面に純水を供給して洗浄することを特徴とする、請求項5又は6に記載の基板処理システム。
- 前記ダメージ層除去装置で前記ダメージ層を除去した後であって、前記洗浄装置で支持基板の裏面を洗浄する前に、基板の表裏面を反転させる反転装置をさらに有することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 基板には表面から厚み方向に伸びるプラグが設けられ、
前記ダメージ層除去装置で前記ダメージ層を除去した後であって、前記洗浄装置で支持基板の裏面を洗浄する前に、前記プラグを露出させるプラグ露出装置をさらに有することを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記プラグ露出装置は、ウェットエッチングを行うことによって前記プラグを露出させることを特徴とする、請求項9に記載の基板処理システム。
- 前記研削装置で研削された基板、前記ダメージ層除去装置で前記ダメージ層が除去された基板、又は前記洗浄装置で支持基板の裏面が洗浄された基板を検査する検査装置をさらに有することを特徴とする、請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記検査装置における検査結果に基づいて、前記研削装置又は前記ダメージ層除去装置における処理条件を補正する制御装置をさらに有することを特徴とする、請求項11に記載の基板処理システム。
- 表面にデバイスが形成され、さらに当該表面に対して支持基板の表面が接合された基板を薄化する基板処理方法であって、
基板搬送領域を介して研削装置に基板を搬送し、当該研削装置の筐体内において基板の裏面を研削する研削工程と、
その後、前記基板搬送領域を介してダメージ層除去装置に基板を搬送し、当該ダメージ層除去装置の筐体内において、前記研削工程で基板の裏面に形成されたダメージ層を除去するダメージ層除去工程と、
その後、前記基板搬送領域を介して洗浄装置に基板を搬送し、当該洗浄装置の筐体内において支持基板の裏面を洗浄する洗浄工程と、を有し、
前記研削工程、前記ダメージ層除去工程及び前記洗浄工程を複数の基板に対して連続して行い、
且つ前記研削装置、前記ダメージ層除去装置及び前記洗浄装置は、それぞれ鉛直方向又は水平方向に複数配置自在に構成され、前記研削工程、前記ダメージ層除去工程及び前記洗浄工程は、それぞれ任意の前記研削装置、前記ダメージ層除去装置及び前記洗浄装置を選択して行われ、
前記研削装置の圧力及び前記ダメージ層除去装置内の圧力は、それぞれ前記基板搬送領域内の圧力に対して陰圧であり、
前記洗浄装置内の圧力は前記基板搬送領域内の圧力に対して陽圧であることを特徴とする、基板処理方法。 - 前記基板搬送領域には、基板を保持して搬送する2つの搬送アームを備えた基板搬送装置が設けられ、
前記洗浄工程が終了するまでの基板の搬送は、前記基板搬送装置の第1の搬送アームによって行われ、
前記洗浄工程が終了後の基板の搬送は、前記基板搬送装置の第2の搬送アームによって行われることを特徴とする、請求項13に記載の基板処理方法。 - 前記ダメージ層除去工程において、ウェットエッチング、ドライエッチング又は研磨を行うことによって前記ダメージ層を除去することを特徴とする、請求項13又は14に記載の基板処理方法。
- 前記洗浄工程において、支持基板の裏面に純水を供給して洗浄することを特徴とする、請求項13〜15のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記ダメージ層除去工程後であって前記洗浄工程前に、前記基板搬送領域を介して他の洗浄装置に基板を搬送し、当該他の洗浄装置の筐体内において基板の裏面を洗浄する他の洗浄工程をさらに有することを特徴とする、請求項13〜16のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記他の洗浄装置内の圧力は前記基板搬送領域内の圧力に対して陽圧であることを特徴とする、請求項17に記載の基板処理方法。
- 前記他の洗浄工程において、基板の裏面に純水を供給して洗浄することを特徴とする、請求項17又は18に記載の基板処理方法。
- 前記ダメージ層除去工程後であって前記洗浄工程前に、前記基板搬送領域を介して反転装置に基板を搬送し、当該反転装置の筐体内において基板の表裏面を反転させる反転工程をさらに有することを特徴とする、請求項13〜19のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 基板には表面から厚み方向に伸びるプラグが設けられ、
前記ダメージ層除去工程後であって前記洗浄工程前に、前記基板搬送領域を介してプラグ露出装置に基板を搬送し、当該プラグ露出装置の筐体内において前記プラグを露出させるプラグ露出工程をさらに有することを特徴とする、請求項13〜20のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記プラグ露出工程において、ウェットエッチングを行うことによって前記プラグを露出させることを特徴とする、請求項21に記載の基板処理方法。
- 前記研削工程後、前記ダメージ層除去工程後、又は前記洗浄工程後、前記基板搬送領域を介して検査装置に基板を搬送し、当該検査装置において基板を検査する検査工程をさらに有することを特徴とする、請求項13〜22のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記検査工程における検査結果に基づいて、前記研削工程又は前記ダメージ層除去工程における処理条件を補正することを特徴とする、請求項23に記載の基板処理方法。
- 請求項13〜24のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項25に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014109233A JP6093328B2 (ja) | 2013-06-13 | 2014-05-27 | 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
CN201480033610.XA CN105308725B (zh) | 2013-06-13 | 2014-05-30 | 基板处理***和基板处理方法 |
KR1020157035296A KR101629627B1 (ko) | 2013-06-13 | 2014-05-30 | 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 |
PCT/JP2014/064406 WO2014199845A1 (ja) | 2013-06-13 | 2014-05-30 | 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
TW106143222A TWI664670B (zh) | 2013-06-13 | 2014-06-11 | 基板處理系統、基板處理方法、程式及電腦記憶媒體 |
TW103120166A TWI613717B (zh) | 2013-06-13 | 2014-06-11 | 基板處理系統、基板處理方法、程式及電腦記憶媒體 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013124406 | 2013-06-13 | ||
JP2013124406 | 2013-06-13 | ||
JP2014109233A JP6093328B2 (ja) | 2013-06-13 | 2014-05-27 | 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015019053A JP2015019053A (ja) | 2015-01-29 |
JP6093328B2 true JP6093328B2 (ja) | 2017-03-08 |
Family
ID=52022143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014109233A Active JP6093328B2 (ja) | 2013-06-13 | 2014-05-27 | 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6093328B2 (ja) |
KR (1) | KR101629627B1 (ja) |
CN (1) | CN105308725B (ja) |
TW (2) | TWI664670B (ja) |
WO (1) | WO2014199845A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6242603B2 (ja) * | 2013-06-25 | 2017-12-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハ加工装置 |
JP2017108113A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-15 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板処理方法ならびに基板処理装置の制御プログラム |
JP2017212345A (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体製造装置、及び半導体製造方法 |
JP6727044B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-07-22 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
JP6902872B2 (ja) * | 2017-01-10 | 2021-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
US20200130124A1 (en) * | 2017-07-12 | 2020-04-30 | Tokyo Electron Limited | Grinding apparatus, grinding method and computer-readable recording medium |
JP7002874B2 (ja) * | 2017-07-21 | 2022-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
CN111480216B (zh) * | 2017-12-19 | 2023-09-29 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理***、基板处理方法以及计算机存储介质 |
WO2019176589A1 (ja) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 |
WO2019208359A1 (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
US11450578B2 (en) * | 2018-04-27 | 2022-09-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system and substrate processing method |
JP2020031158A (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
JP7037459B2 (ja) | 2018-09-10 | 2022-03-16 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP7387316B2 (ja) * | 2019-07-19 | 2023-11-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理システムおよび基板搬送方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61276224A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-06 | Wakomu:Kk | 物品洗浄装置 |
JP3579244B2 (ja) * | 1998-03-18 | 2004-10-20 | 株式会社荏原製作所 | ガスポリッシング用のノズル機構及び該機構を用いたガスポリッシング室及びポリッシング装置 |
US6315858B1 (en) * | 1998-03-18 | 2001-11-13 | Ebara Corporation | Gas polishing apparatus and method |
JP2993497B1 (ja) * | 1998-09-02 | 1999-12-20 | 日本電気株式会社 | 研磨装置および研磨方法 |
JP3646921B2 (ja) | 2000-03-06 | 2005-05-11 | 三菱住友シリコン株式会社 | 張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法 |
JP3633854B2 (ja) * | 2000-06-12 | 2005-03-30 | 株式会社ディスコ | 半導体ウェハの加工装置 |
TW492100B (en) * | 2000-03-13 | 2002-06-21 | Disco Corp | Semiconductor wafer processing apparatus |
JP4416108B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2010-02-17 | 株式会社ディスコ | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2008012622A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ面取り装置及びウェーハ面取り方法 |
JP5511190B2 (ja) * | 2008-01-23 | 2014-06-04 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置の運転方法 |
JP5357477B2 (ja) * | 2008-09-17 | 2013-12-04 | 株式会社ディスコ | 研削方法および研削装置 |
JP2010177541A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Pre-Tech At:Kk | Siウェーハの加工ダメージ除去方法 |
JP2011165994A (ja) | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 半導体基板の平坦化加工装置 |
JP5323867B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2013-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板反転装置、基板反転方法、剥離システム、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
-
2014
- 2014-05-27 JP JP2014109233A patent/JP6093328B2/ja active Active
- 2014-05-30 KR KR1020157035296A patent/KR101629627B1/ko active IP Right Grant
- 2014-05-30 WO PCT/JP2014/064406 patent/WO2014199845A1/ja active Application Filing
- 2014-05-30 CN CN201480033610.XA patent/CN105308725B/zh active Active
- 2014-06-11 TW TW106143222A patent/TWI664670B/zh active
- 2014-06-11 TW TW103120166A patent/TWI613717B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201515080A (zh) | 2015-04-16 |
CN105308725B (zh) | 2016-09-14 |
TWI613717B (zh) | 2018-02-01 |
TWI664670B (zh) | 2019-07-01 |
KR20160003873A (ko) | 2016-01-11 |
CN105308725A (zh) | 2016-02-03 |
JP2015019053A (ja) | 2015-01-29 |
KR101629627B1 (ko) | 2016-06-13 |
TW201828348A (zh) | 2018-08-01 |
WO2014199845A1 (ja) | 2014-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6093328B2 (ja) | 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
KR102263992B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 처리 방법 | |
JP6425639B2 (ja) | 基板処理システム | |
US10845777B2 (en) | Teaching device and teaching method | |
JP6584532B2 (ja) | 研削装置および研削方法 | |
TWI836128B (zh) | 基板處理方法及基板處理系統 | |
JP6587379B2 (ja) | 研磨装置 | |
JPWO2019013042A1 (ja) | 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 | |
US9737973B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2019021859A (ja) | 基板処理システム | |
US10573509B2 (en) | Cleaning apparatus and substrate processing apparatus | |
JP6995143B2 (ja) | 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 | |
CN213635912U (zh) | 基板磨削*** | |
JP6426965B2 (ja) | 処理コンポーネント、処理モジュール、及び、処理方法 | |
KR101066596B1 (ko) | 기판 연마 장치 | |
CN215342516U (zh) | 基板磨削*** | |
WO2022185929A1 (ja) | 基板処理方法及び基板処理システム | |
KR20070077979A (ko) | 화학적 기계적 연마 장치 및 이를 이용한 웨이퍼의 연마방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170131 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6093328 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |