WO2016111152A1 - 支持ガラス基板及びその製造方法 - Google Patents

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裕貴 片山
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日本電気硝子株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a supporting glass substrate and a manufacturing method thereof, and more specifically, to a supporting glass substrate used for supporting a processed substrate in a manufacturing process of a semiconductor package and a manufacturing method thereof.
  • Portable electronic devices such as mobile phones, notebook personal computers, and PDAs (Personal Data Assistance) are required to be smaller and lighter.
  • the mounting space of semiconductor chips used in these electronic devices is also strictly limited, and high-density mounting of semiconductor chips has become a problem. Therefore, in recent years, high-density mounting of semiconductor packages has been achieved by three-dimensional mounting technology, that is, by stacking semiconductor chips and interconnecting the semiconductor chips.
  • a conventional wafer level package is manufactured by forming bumps in a wafer state and then dicing them into individual pieces.
  • the semiconductor chip is likely to be chipped.
  • the fan-out type WLP can increase the number of pins, and can prevent chipping of the semiconductor chip by protecting the end portion of the semiconductor chip.
  • the fan-out type WLP includes a step of forming a processed substrate by molding a plurality of semiconductor chips with a resin sealing material and then wiring to one surface of the processed substrate, a step of forming a solder bump, and the like.
  • the sealing material may be deformed and the processed substrate may change in dimensions.
  • the dimension of the processed substrate changes, it becomes difficult to perform wiring with high density on one surface of the processed substrate, and it becomes difficult to accurately form solder bumps.
  • the processed substrate In order to suppress the dimensional change of the processed substrate, it is effective to use a glass substrate as the support substrate.
  • the glass substrate is easy to smooth the surface and has rigidity. Therefore, when a glass substrate is used, the processed substrate can be supported firmly and accurately.
  • the glass substrate easily transmits light such as ultraviolet light. Therefore, when a glass substrate is used, the processed substrate and the glass substrate can be easily fixed by providing an adhesive layer or the like. In addition, the processed substrate and the glass substrate can be easily separated by providing a release layer or the like.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and its technical problem is to create a supporting glass substrate suitable for supporting a processed substrate provided for high-density wiring and a method for manufacturing the same, thereby producing a semiconductor package. This contributes to higher density.
  • the present inventor may cause the support glass substrate to be slightly thermally deformed by the heat treatment at about 300 ° C. in the manufacturing process of the semiconductor package, and this slight heat deformation causes the wiring to the processed substrate.
  • the present inventors have found that the above technical problem can be solved by reducing the thermal shrinkage of the supporting glass substrate to a predetermined value or less, and propose as the present invention. That is, when the supporting glass substrate of the present invention is heated from room temperature to 400 ° C. at a rate of 5 ° C./minute, held at 400 ° C. for 5 hours, and then cooled to room temperature at a rate of 5 ° C./minute, The rate is 20 ppm or less.
  • the “heat shrinkage rate” can be measured by the following method.
  • a 160 mm ⁇ 30 mm strip sample is prepared as a measurement sample (FIG. 1A). Marking is performed with a # 1000 water-resistant abrasive paper in the vicinity of 20 to 40 mm from the edge of the long side direction of the strip-shaped sample G3, and it is folded in a direction perpendicular to the marking to obtain test pieces G31 and G32 (FIG. 1 (b )). After heat-treating only the folded test piece G31 under predetermined conditions, the non-heat-treated sample piece G31 and the heat-treated sample piece G32 are arranged and fixed with the tape T (FIG. 1 (c)), and the marking position The deviation amounts ( ⁇ L1, ⁇ L2) are read with a laser microscope, and the thermal contraction rate is calculated by the following mathematical formula 1.
  • the heat treatment temperature in the manufacturing process of the semiconductor package is about 300 ° C., but it is difficult to evaluate the thermal shrinkage rate of the supporting glass substrate by the heat treatment at 300 ° C. Therefore, in the present invention, the thermal shrinkage rate of the supporting glass substrate is evaluated under the heat treatment condition of 400 ° C. for 5 hours, and the thermal shrinkage rate obtained by this evaluation is the thermal shrinkage rate of the supporting glass substrate in the manufacturing process of the semiconductor package. There is a correlation with this trend.
  • the supporting glass substrate of the present invention preferably has a warp amount of 40 ⁇ m or less.
  • warp amount refers to the sum of the absolute value of the maximum distance between the highest point and the least square focal plane in the entire supporting glass substrate and the absolute value of the lowest point and the least square focal plane, For example, it can be measured by SBW-331ML / d manufactured by Kobelco Research Institute.
  • the support glass substrate of the present invention preferably has an overall thickness deviation of less than 2.0 ⁇ m. If the overall plate thickness deviation is reduced to less than 2.0 ⁇ m, it is easy to improve the processing accuracy. In particular, since the wiring accuracy can be increased, high-density wiring is possible. Further, the in-plane strength of the supporting glass substrate is improved, and the supporting glass substrate and the laminate are hardly damaged. Furthermore, the number of reuses (durable number) of the supporting glass substrate can be increased.
  • the “total plate thickness deviation” is a difference between the maximum plate thickness and the minimum plate thickness of the entire support glass substrate, and can be measured by, for example, SBW-331ML / d manufactured by Kobelco Kaken.
  • the support glass substrate of the present invention preferably has a warp amount of less than 20 ⁇ m.
  • the support glass substrate of the present invention has the entire or part of the surface being a polished surface.
  • the support glass substrate of the present invention is preferably formed by an overflow downdraw method.
  • the supporting glass substrate of the present invention preferably has a Young's modulus of 65 GPa or more.
  • Young's modulus refers to a value measured by a bending resonance method. 1 GPa corresponds to approximately 101.9 kgf / mm 2 .
  • the supporting glass substrate of the present invention preferably has a wafer shape in outer shape.
  • the supporting glass substrate of the present invention is preferably used for supporting a processed substrate in a manufacturing process of a semiconductor package.
  • the supporting glass substrate of the present invention is a laminate comprising at least a processed substrate and a supporting glass substrate for supporting the processed substrate, and the supporting glass substrate is preferably the above supporting glass substrate.
  • the supporting glass substrate of the present invention cuts the glass original plate to obtain the supporting glass substrate, and heats the obtained supporting glass substrate to a temperature equal to or higher than the annealing point of the supporting glass substrate. And a process.
  • the support glass substrate of the present invention is heated so that the warpage amount is 40 ⁇ m or less.
  • the support glass substrate of this invention shape
  • the supporting glass substrate of the present invention when the temperature was raised from room temperature to 400 ° C. at a rate of 5 ° C./min, held at 400 ° C. for 5 hours, and then cooled to room temperature at a rate of 5 ° C./min, 20 ppm or less, preferably 15 ppm or less, 12 ppm or less, 10 ppm or less, particularly 8 ppm or less.
  • the thermal shrinkage rate is large, the supporting glass substrate is slightly thermally deformed by the heat treatment at about 300 ° C. in the manufacturing process of the semiconductor package, and the accuracy of the processing process is hardly lowered. In particular, the wiring accuracy is lowered, and high-density wiring becomes difficult. Furthermore, it becomes difficult to increase the number of reuses (durable number) of the supporting glass substrate.
  • a heating method described later a method for increasing the strain point, and the like can be given.
  • the amount of warp is preferably 40 ⁇ m or less, 30 ⁇ m or less, 25 ⁇ m or less, 1 to 20 ⁇ m, particularly 5 to less than 20 ⁇ m. If the amount of warpage is large, the accuracy of processing becomes difficult to decrease. In particular, the wiring accuracy is lowered, and high-density wiring becomes difficult. Furthermore, it becomes difficult to increase the number of reuses (durable number) of the supporting glass substrate.
  • the overall plate thickness deviation is preferably less than 2 ⁇ m, 1.5 ⁇ m or less, 1 ⁇ m or less, less than 1 ⁇ m, 0.8 ⁇ m or less, 0.1 to 0.9 ⁇ m, particularly 0.2 to 0.7 ⁇ m. If the overall plate thickness deviation is large, it is difficult to reduce the accuracy of processing. In particular, the wiring accuracy is lowered, and high-density wiring becomes difficult. Furthermore, it becomes difficult to increase the number of reuses (durable number) of the supporting glass substrate.
  • the arithmetic average roughness Ra of the surface is preferably 10 nm or less, 5 nm or less, 2 nm or less, 1 nm or less, particularly 0.5 nm or less.
  • the smaller the arithmetic average roughness Ra of the surface the easier it is to improve the processing accuracy.
  • the wiring accuracy can be increased, high-density wiring is possible.
  • the strength of the supporting glass substrate is improved, and the supporting glass substrate and the laminate are hardly damaged. Further, the number of reuses (supporting times) of the supporting glass substrate can be increased.
  • the “arithmetic average roughness Ra” can be measured by an atomic force microscope (AFM).
  • the whole or a part of the surface is preferably a polished surface, more preferably 50% or more of the surface is a polished surface by area ratio, and 70% or more of the surface is a polished surface. It is more preferable that 90% or more of the surface is a polished surface. If it does in this way, it will become easy to reduce the whole board thickness deviation, and will also become easy to reduce the amount of curvature.
  • the polishing treatment method can be adopted as the polishing treatment method.
  • the supporting glass substrate is polished while the supporting glass substrate and the pair of polishing pads are rotated together by sandwiching both surfaces of the supporting glass substrate with the pair of polishing pads.
  • the method of processing is preferred.
  • the pair of polishing pads preferably have different outer diameters, and it is preferable to perform a polishing process so that a part of the supporting glass substrate protrudes from the polishing pad intermittently during polishing. This makes it easy to reduce the overall plate thickness deviation and to reduce the amount of warpage.
  • the polishing depth is not particularly limited, but the polishing depth is preferably 50 ⁇ m or less, 30 ⁇ m or less, 20 ⁇ m or less, particularly 10 ⁇ m or less. As the polishing depth is smaller, the productivity of the supporting glass substrate is improved.
  • the supporting glass substrate of the present invention is preferably in the form of a wafer (substantially perfect circle), and the diameter is preferably 100 mm or more and 500 mm or less, particularly 150 mm or more and 450 mm or less. In this way, it becomes easy to apply to the manufacturing process of a semiconductor package. You may process into other shapes, for example, shapes, such as a rectangle, as needed.
  • the plate thickness is preferably less than 2.0 mm, 1.5 mm or less, 1.2 mm or less, 1.1 mm or less, 1.0 mm or less, particularly 0.9 mm or less.
  • the plate thickness decreases, the mass of the laminate becomes lighter, and thus handling properties are improved.
  • the plate thickness is preferably 0.1 mm or more, 0.2 mm or more, 0.3 mm or more, 0.4 mm or more, 0.5 mm or more, 0.6 mm or more, particularly more than 0.7 mm.
  • the supporting glass substrate of the present invention preferably has the following characteristics.
  • the average thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380 ° C. is preferably 0 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or more and 165 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less.
  • the thermal expansion coefficients of the two match, it becomes easy to suppress a dimensional change (particularly warp deformation) of the processed substrate during processing.
  • wiring on one surface of the processed substrate can be performed with high density, and solder bumps can be accurately formed.
  • the “average thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380 ° C.” can be measured with a dilatometer.
  • the average coefficient of thermal expansion in the temperature range of 30 to 380 ° C. is preferably increased when the proportion of the semiconductor chip is small in the processed substrate and the proportion of the sealing material is large. When the ratio is large and the ratio of the sealing material is small, it is preferable to reduce the ratio.
  • the supporting glass substrate has a glass composition of mass% and SiO 2 It preferably contains 55 to 75%, Al 2 O 3 15 to 30%, Li 2 O 0.1 to 6%, Na 2 O + K 2 O 0 to 8%, MgO + CaO + SrO + BaO 0 to 10%, or SiO 2 55 ⁇ 75%, Al 2 O 3 10 ⁇ 30%, Li 2 O + Na 2 O + K 2 O 0 ⁇ 0.3%, preferably contains a MgO + CaO + SrO + BaO 5 ⁇ 20%.
  • the supporting glass substrate has a glass composition of mass% and SiO 2 55-70%, Al 2 O 3 3-15%, B 2 O 3 5-20%, MgO 0-5%, CaO 0-10%, SrO 0-5%, BaO 0-5%, ZnO 0- It preferably contains 5%, Na 2 O 5-15%, K 2 O 0-10%.
  • the average coefficient of thermal expansion in the temperature range of 30 to 380 ° C. is 75 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.
  • the supporting glass substrate has a glass composition of mass% and SiO 2 60-75%, Al 2 O 3 5-15%, B 2 O 3 5-20%, MgO 0-5%, CaO 0-10%, SrO 0-5%, BaO 0-5%, ZnO 0- It is preferable to contain 5%, Na 2 O 7 to 16%, and K 2 O 0 to 8%.
  • the average coefficient of thermal expansion in the temperature range of 30 to 380 ° C. is more than 85 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.
  • the supporting glass substrate has a glass composition of mass% and SiO 2 55-70%, Al 2 O 3 3-13%, B 2 O 3 2-8%, MgO 0-5%, CaO 0-10%, SrO 0-5%, BaO 0-5%, ZnO 0- It is preferable to contain 5%, Na 2 O 10 to 21%, and K 2 O 0 to 5%.
  • the average thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380 ° C. is more than 120 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.
  • the supporting glass substrate has a glass composition of mass% and SiO 2 53-65%, Al 2 O 3 3-13%, B 2 O 3 0-5%, MgO 0.1-6%, CaO 0-10%, SrO 0-5%, BaO 0-5%, ZnO It preferably contains 0 to 5%, Na 2 O + K 2 O 20 to 40%, Na 2 O 12 to 21%, and K 2 O 7 to 21%. If it does in this way, while it becomes easy to regulate a thermal expansion coefficient to a desired range and devitrification resistance improves, it will become easy to shape a supporting glass substrate with a small total board thickness deviation.
  • strain point is preferably 480 ° C or higher, 500 ° C or higher, 510 ° C or higher, 520 ° C or higher, particularly 530 ° C or higher. The higher the strain point, the easier it is to reduce the heat shrinkage rate. “Strain point” refers to a value measured based on the method of ASTM C336.
  • the Young's modulus is preferably 65 GPa or more, 67 GPa or more, 68 GPa or more, 69 GPa or more, 70 GPa or more, 71 GPa or more, 72 GPa or more, particularly 73 GPa or more. If the Young's modulus is too low, it is difficult to maintain the rigidity of the laminate, and the processed substrate is likely to be deformed, warped, or damaged.
  • the liquidus temperature is preferably less than 1150 ° C, 1120 ° C or less, 1100 ° C or less, 1080 ° C or less, 1050 ° C or less, 1010 ° C or less, 980 ° C or less, 960 ° C or less, 950 ° C or less, particularly 940 ° C or less.
  • it becomes easy to form a support glass substrate by the downdraw method, particularly the overflow downdraw method so that it is easy to produce a support glass substrate having a small thickness, and the thickness deviation after molding is reduced. Can do.
  • the “liquid phase temperature” is obtained by passing the standard sieve 30 mesh (500 ⁇ m) and putting the glass powder remaining on the 50 mesh (300 ⁇ m) in a platinum boat, and holding it in a temperature gradient furnace for 24 hours. It can be calculated by measuring the temperature at which precipitation occurs.
  • the viscosity at the liquidus temperature is preferably 10 4.6 dPa ⁇ s or more, 10 5.0 dPa ⁇ s or more, 10 5.2 dPa ⁇ s or more, 10 5.4 dPa ⁇ s or more, 10 5.6 dPa. ⁇ S or more, especially 10 5.8 dPa ⁇ s or more.
  • it becomes easy to form a support glass substrate by the downdraw method, particularly the overflow downdraw method so that it is easy to produce a support glass substrate having a small thickness, and the thickness deviation after molding is reduced. Can do.
  • the “viscosity at the liquidus temperature” can be measured by a platinum ball pulling method.
  • the viscosity at the liquidus temperature is an index of moldability. The higher the viscosity at the liquidus temperature, the better the moldability.
  • the temperature at 10 2.5 dPa ⁇ s is preferably 1580 ° C. or lower, 1500 ° C. or lower, 1450 ° C. or lower, 1400 ° C. or lower, 1350 ° C. or lower, particularly 1200 to 1300 ° C.
  • “temperature at 10 2.5 dPa ⁇ s” can be measured by a platinum ball pulling method. The temperature at 10 2.5 dPa ⁇ s corresponds to the melting temperature, and the lower the temperature, the better the melting property.
  • the support glass substrate of the present invention is preferably formed by a downdraw method, particularly an overflow downdraw method.
  • molten glass overflows from both sides of the heat-resistant bowl-shaped structure, and the molten glass overflows and joins at the lower top end of the bowl-shaped structure to form the original glass plate by drawing downward. Is the way to do.
  • the surface to be the surface of the supporting glass substrate is not in contact with the bowl-shaped refractory and is molded in a free surface state. For this reason, it becomes easy to produce a support glass substrate with a small plate thickness, and the overall plate thickness deviation can be reduced. As a result, the manufacturing cost of the support glass substrate can be reduced.
  • the glass original plate forming method in addition to the overflow downdraw method, for example, a slot downdraw method, a redraw method, a float method, a rollout method, etc. can be adopted.
  • the supporting glass substrate of the present invention preferably has a polished surface on the surface and is formed by an overflow down draw method.
  • the overall plate thickness deviation before the polishing process is reduced, the overall plate thickness deviation can be reduced as much as possible by the polishing process. For example, it becomes possible to reduce the overall thickness deviation to 1.0 ⁇ m or less.
  • the support glass substrate of the present invention is preferably not chemically strengthened from the viewpoint of reducing the amount of warpage.
  • chemical strengthening treatment it is preferable that chemical strengthening treatment is performed. That is, it is preferable not to have a compressive stress layer on the surface from the viewpoint of reducing the amount of warpage, and it is preferable to have a compressive stress layer on the surface from the viewpoint of mechanical strength.
  • the method for producing a supporting glass substrate of the present invention includes a step of cutting a glass original plate to obtain a supporting glass substrate, and a step of heating the obtained supporting glass substrate to a temperature equal to or higher than the annealing temperature of the supporting glass substrate. It is characterized by having.
  • the technical characteristics (preferable structure and effect) of the manufacturing method of the supporting glass substrate of the present invention overlap with the technical characteristics of the supporting glass substrate of the present invention. Therefore, in the present specification, detailed description of the overlapping portions is omitted.
  • the method for producing a supporting glass substrate of the present invention includes a step of obtaining a supporting glass substrate by cutting a glass original plate.
  • Various methods can be adopted as a method of cutting the glass original plate. For example, a method of cutting by a thermal shock at the time of laser irradiation, or a method of folding after scribing can be used.
  • the method for producing a supporting glass substrate of the present invention includes a step of heating the supporting glass substrate to a temperature equal to or higher than (an annealing point of the supporting glass substrate).
  • a heating step can be performed by a known electric furnace, gas furnace or the like.
  • the heating temperature is preferably heated at a temperature equal to or higher than the annealing point, more preferably heated at a temperature equal to or higher than (slow cooling point + 30 ° C.), and heating at a temperature equal to or higher than (annealing point + 50 ° C.). Further preferred.
  • the heating temperature is low, it is difficult to reduce the thermal shrinkage rate of the supporting glass substrate.
  • it is preferable to heat at a temperature below the softening point more preferably at a temperature below (softening point ⁇ 50 ° C.), and at a temperature below (softening point ⁇ 80 ° C.). Is more preferable. If the heating temperature is too high, the dimensional accuracy of the supporting glass substrate tends to be lowered.
  • the method for producing a supporting glass substrate of the present invention is preferably heated so that the warpage amount is 40 ⁇ m or less. Further, it is preferable to perform heating while sandwiching the supporting glass substrate between heat resistant substrates. Thereby, the curvature amount of a support glass substrate can be reduced.
  • a heat resistant substrate a mullite substrate, an alumina substrate, or the like can be used. Moreover, when heating is performed at a temperature equal to or higher than the annealing point, the amount of warp and the amount of heat shrinkage of the supporting glass substrate can be simultaneously reduced.
  • the method for producing a supporting glass substrate of the present invention preferably further includes a step of polishing the surface of the supporting glass substrate so that the total thickness deviation of the supporting glass substrate is less than 2.0 ⁇ m. This aspect is as described above.
  • the laminate of the present invention is a laminate comprising at least a processed substrate and a supporting glass substrate for supporting the processed substrate, wherein the supporting glass substrate is the supporting glass substrate described above.
  • the technical characteristics (preferable structure and effect) of the laminate of the present invention overlap with the technical characteristics of the support glass substrate of the present invention. Therefore, in the present specification, detailed description of the overlapping portions is omitted.
  • the laminate of the present invention preferably has an adhesive layer between the processed substrate and the supporting glass substrate.
  • the adhesive layer is preferably a resin, for example, a thermosetting resin, a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin), or the like.
  • a resin for example, a thermosetting resin, a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin), or the like.
  • what has the heat resistance which can endure the heat processing in the manufacturing process of a semiconductor package is preferable. Thereby, it becomes difficult to melt
  • the laminate of the present invention further has a release layer between the processed substrate and the supporting glass substrate, more specifically between the processed substrate and the adhesive layer, or between the supporting glass substrate and the adhesive layer. It is preferable to have a layer. If it does in this way, it will become easy to peel a processed substrate from a support glass substrate, after performing predetermined processing processing to a processed substrate. Peeling of the processed substrate is preferably performed by laser irradiation or the like from the viewpoint of productivity.
  • the peeling layer is made of a material that causes “in-layer peeling” or “interfacial peeling” by laser irradiation or the like. That is, when light of a certain intensity is irradiated, the bonding force between atoms or molecules in an atom or molecule disappears or decreases, and ablation or the like is caused to cause peeling. In addition, when the component contained in the release layer is released as a gas due to irradiation of irradiation light, the separation layer is released, and when the release layer absorbs light and becomes a gas, and its vapor is released, resulting in separation There is.
  • the supporting glass substrate is preferably larger than the processed substrate.
  • a method for manufacturing a semiconductor package according to the present invention includes a step of preparing a laminate including at least a processed substrate and a supporting glass substrate for supporting the processed substrate, and a step of performing a processing process on the processed substrate.
  • the supporting glass substrate is the above-mentioned supporting glass substrate.
  • the method for manufacturing a semiconductor package according to the present invention includes a step of preparing a laminate including at least a processed substrate and a supporting glass substrate for supporting the processed substrate.
  • a laminate including at least a processed substrate and a supporting glass substrate for supporting the processed substrate has the material configuration described above.
  • the method for manufacturing a semiconductor package according to the present invention further includes a step of transporting the stacked body.
  • the processing efficiency of a processing process can be improved. Note that the “process for transporting the laminate” and the “process for processing the processed substrate” do not need to be performed separately and may be performed simultaneously.
  • the processing is preferably performed by wiring on one surface of the processed substrate or forming solder bumps on one surface of the processed substrate.
  • the processing since the supporting glass substrate and the processed substrate are difficult to change in dimensions during these processings, these steps can be performed appropriately.
  • one surface of a processed substrate (usually the surface opposite to the supporting glass substrate) is mechanically polished, and one surface of the processed substrate (usually a supporting glass substrate) Either a process of dry-etching the surface on the opposite side or a process of wet-etching one surface of the processed substrate (usually the surface opposite to the supporting glass substrate) may be used.
  • substrate and a process board do not generate
  • a semiconductor package according to the present invention is manufactured by the above-described semiconductor package manufacturing method.
  • the technical characteristics (preferable configuration and effect) of the semiconductor package of the present invention overlap with the technical characteristics of the manufacturing method of the supporting glass substrate, the laminate, and the semiconductor package of the present invention. Therefore, in the present specification, detailed description of the overlapping portions is omitted.
  • An electronic device is an electronic device including a semiconductor package, and the semiconductor package is the semiconductor package described above.
  • the technical characteristics (preferable configuration and effect) of the electronic device of the present invention overlap with the technical characteristics of the supporting glass substrate, the laminate, the semiconductor package manufacturing method, and the semiconductor package of the present invention. Therefore, in the present specification, detailed description of the overlapping portions is omitted.
  • FIG. 2 is a conceptual perspective view showing an example of the laminate 1 of the present invention.
  • the laminate 1 includes a supporting glass substrate 10 and a processed substrate 11.
  • the supporting glass substrate 10 is attached to the processed substrate 11 in order to prevent a dimensional change of the processed substrate 11.
  • a release layer 12 and an adhesive layer 13 are disposed between the support glass substrate 10 and the processed substrate 11.
  • the peeling layer 12 is in contact with the supporting glass substrate 10, and the adhesive layer 13 is in contact with the processed substrate 11.
  • the laminate 1 is laminated in the order of the support glass substrate 10, the release layer 12, the adhesive layer 13, and the processed substrate 11.
  • the shape of the support glass substrate 10 is determined according to the processed substrate 11, in FIG. 3, the shape of the support glass substrate 10 and the processed substrate 11 is a wafer shape.
  • the release layer 12 is made of silicon oxide, silicate compound, silicon nitride, aluminum nitride, titanium nitride, or the like.
  • the release layer 12 is formed by plasma CVD, spin coating by a sol-gel method, or the like.
  • the adhesive layer 13 is made of a resin, and is applied and formed by, for example, various printing methods, inkjet methods, spin coating methods, roll coating methods, and the like.
  • the adhesive layer 13 is removed by dissolution with a solvent or the like after the supporting glass substrate 10 is peeled from the processed substrate 11 by the peeling layer 12.
  • FIG. 3 is a conceptual cross-sectional view showing a manufacturing process of a fan out type WLP.
  • FIG. 3A shows a state where the adhesive layer 21 is formed on one surface of the support member 20. A peeling layer may be formed between the support member 20 and the adhesive layer 21 as necessary.
  • FIG. 3B a plurality of semiconductor chips 22 are stuck on the adhesive layer 21. At that time, the surface on the active side of the semiconductor chip 22 is brought into contact with the adhesive layer 21.
  • the semiconductor chip 22 is molded with a resin sealing material 23.
  • the sealing material 23 is made of a material having little dimensional change after compression molding and little dimensional change when forming a wiring. Subsequently, as shown in FIGS.
  • the processed substrate 24 on which the semiconductor chip 22 is molded is separated from the support member 20, and then bonded and fixed to the support glass substrate 26 through the adhesive layer 25.
  • the surface of the processed substrate 24 opposite to the surface on which the semiconductor chip 22 is embedded is disposed on the supporting glass substrate 26 side.
  • the laminate 27 can be obtained.
  • a wiring 28 is formed on the surface of the processed substrate 24 on the side where the semiconductor chip 22 is embedded, and then a plurality of solder bumps 29 are formed. Form.
  • the processed substrate 24 is cut for each semiconductor chip 22 and used for a subsequent packaging process.
  • the glass raw material As a glass composition, in mass%, SiO 2 68.9%, Al 2 O 3 5%, B 2 O 3 8.2%, Na 2 O 13.5%, CaO 3.6%, ZnO 0.7%
  • the glass raw material is put into a glass melting furnace and melted at 1500 to 1600 ° C., and then the molten glass is supplied to an overflow downdraw molding apparatus. Molded to 1.2 mm.
  • the obtained glass original plate was cut into predetermined dimensions (30 mm ⁇ 160 mm) to obtain a supporting glass substrate. Further, three supporting glass substrates were laminated, and the upper and lower sides of the laminated substrates were sandwiched between mullite substrates. The laminated substrate in that state was heated under the temperature raising conditions shown in FIG. In FIG. 4, the maximum heating temperature is set to a temperature 50 ° C. higher than the annealing point of the supporting glass substrate.
  • the polishing apparatus by polishing the surface of the supporting glass substrate with a polishing apparatus, the overall thickness deviation of the supporting glass substrate was reduced. Specifically, both surfaces of the supporting glass substrate were sandwiched between a pair of polishing pads having different outer diameters, and both surfaces of the supporting glass substrate were polished while rotating the supporting glass substrate and the pair of polishing pads together. During the polishing process, control was sometimes performed so that a part of the supporting glass substrate protruded from the polishing pad.
  • the polishing pad was made of urethane, the average particle size of the polishing slurry used in the polishing treatment was 2.5 ⁇ m, and the polishing rate was 15 m / min.
  • the heat-treated support glass substrate was heated from room temperature to 400 ° C. at a rate of 5 ° C./minute, held at 400 ° C. for 5 hours, and then cooled to room temperature at a rate of 5 ° C./minute.
  • the shrinkage rate was evaluated by the equation (1).
  • the thermal shrinkage rate was evaluated also about the support glass substrate which has not been heat-processed.
  • the heat shrinkage rate of the support glass substrate subjected to the heat treatment was 7 ppm, but the heat shrinkage rate of the support glass substrate not subjected to the heat treatment was 58 ppm.
  • the glass raw material is put into a glass melting furnace and melted at 1550 to 1650 ° C., and then the molten glass is supplied to an overflow downdraw molding apparatus. Molded to 0.7 mm.
  • the obtained glass original plate was cut into a predetermined dimension ( ⁇ 300 mm) to obtain a supporting glass substrate. Further, three supporting glass substrates were laminated, and the upper and lower sides of the laminated substrates were sandwiched between mullite substrates. The laminated substrate in that state was heated under the temperature raising conditions shown in FIG. In FIG. 5, the maximum heating temperature is set to a temperature 50 ° C. higher than the annealing point of the supporting glass substrate.
  • the polishing apparatus by polishing the surface of the supporting glass substrate with a polishing apparatus, the overall thickness deviation of the supporting glass substrate was reduced. Specifically, both surfaces of the supporting glass substrate were sandwiched between a pair of polishing pads having different outer diameters, and both surfaces of the supporting glass substrate were polished while rotating the supporting glass substrate and the pair of polishing pads together. During the polishing process, control was sometimes performed so that a part of the supporting glass substrate protruded from the polishing pad.
  • the polishing pad was made of urethane, the average particle size of the polishing slurry used in the polishing treatment was 2.5 ⁇ m, and the polishing rate was 15 m / min.
  • the amount of warpage of the obtained supporting glass substrates before and after the polishing treatment (12 samples each) was measured by SBW-331ML / d manufactured by Kobelco Kaken. The results are shown in Table 1. In the measurement, the measurement pitch was 1 mm, the measurement distance was 294 mm, and the measurement lines were 4 lines (in 45 ° increments).
  • the warp amount of the heat-treated sample was 21 ⁇ m or less, but the warp amount of the sample not subjected to the heat treatment was 116 ⁇ m or more.
  • the thermal contraction rate of the sample which heat-processed is not measured, it is estimated that it is a sufficiently low value.
  • sample Nos After preparing the glass raw material so as to have a glass composition of 1 to 7, the glass raw material is put into a glass melting furnace and melted at 1500 to 1600 ° C., and then the molten glass is supplied to an overflow down-draw molding apparatus. Each was molded to 8 mm. Thereafter, the glass original plate was cut into a predetermined size ( ⁇ 300 mm) under the same conditions as in [Example 2], and further subjected to a slow cooling treatment at a temperature of (slow cooling point + 60 ° C.).
  • the average coefficient of thermal expansion ⁇ 30 to 380 in the temperature range of 30 to 380 ° C. is a value measured with a dilatometer.
  • the density ⁇ is a value measured by the well-known Archimedes method.
  • strain point Ps, the annealing point Ta, and the softening point Ts are values measured based on the method of ASTM C336.
  • the temperature at a high temperature viscosity of 10 4.0 dPa ⁇ s, 10 3.0 dPa ⁇ s, and 10 2.5 dPa ⁇ s is a value measured by a platinum ball pulling method.
  • the liquid phase temperature TL is the temperature at which crystals pass after passing through a standard sieve 30 mesh (500 ⁇ m), putting the glass powder remaining on 50 mesh (300 ⁇ m) into a platinum boat and holding it in a temperature gradient furnace for 24 hours. It is the value measured by microscopic observation.
  • the Young's modulus E refers to a value measured by the resonance method.
  • the surface of the supporting glass substrate was polished by a polishing apparatus. Specifically, both surfaces of the supporting glass substrate were sandwiched between a pair of polishing pads having different outer diameters, and both surfaces of the supporting glass substrate were polished while rotating the supporting glass substrate and the pair of polishing pads together. During the polishing process, control was sometimes performed so that a part of the supporting glass substrate protruded from the polishing pad.
  • the polishing pad was made of urethane, the average particle size of the polishing slurry used in the polishing treatment was 2.5 ⁇ m, and the polishing rate was 15 m / min.
  • the overall plate thickness deviation and warpage amount were measured by SBW-331ML / d manufactured by Kobelco Kaken. As a result, the overall plate thickness deviation was 0.45 ⁇ m, and the amount of warpage was 10 to 18 ⁇ m. Also, when the temperature was raised from room temperature to 400 ° C. at a rate of 5 ° C./min, held at 400 ° C. for 5 hours, and then cooled to room temperature at a rate of 5 ° C./min, the thermal contraction rate of each sample was 5-8 ppm. there were.

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Abstract

【課題】本発明の技術的課題は、高密度配線に供される加工基板の支持に好適な支持ガラス基板及びその製造方法を創案することにより、半導体パッケージの高密度化に寄与することである。本発明の支持ガラス基板は、室温から５℃／分の速度で４００℃まで昇温し、４００℃で５時間保持した後、５℃／分の速度で室温まで降温した時、熱収縮率が２０ｐｐｍ以下になることを特徴とする。

Description

支持ガラス基板及びその製造方法
　本発明は、支持ガラス基板及びその製造方法に関し、具体的には、半導体パッケージの製造工程で加工基板の支持に用いる支持ガラス基板及びその製造方法に関する。
　携帯電話、ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄａｔａ　Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ）等の携帯型電子機器には、小型化及び軽量化が要求されている。これに伴い、これらの電子機器に用いられる半導体チップの実装スペースも厳しく制限されており、半導体チップの高密度な実装が課題になっている。そこで、近年では、三次元実装技術、すなわち半導体チップ同士を積層し、各半導体チップ間を配線接続することにより、半導体パッケージの高密度実装を図っている。
　また、従来のウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）は、バンプをウエハの状態で形成した後、ダイシングで個片化することにより作製されている。しかし、従来のＷＬＰは、ピン数を増加させ難いことに加えて、半導体チップの裏面が露出した状態で実装されるため、半導体チップの欠け等が発生し易いという問題があった。
　そこで、新たなＷＬＰとして、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰが提案されている。ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰは、ピン数を増加させることが可能であり、また半導体チップの端部を保護することにより、半導体チップの欠け等を防止することができる。
　ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰでは、複数の半導体チップを樹脂の封止材でモールドして、加工基板を形成した後に、加工基板の一方の表面に配線する工程、半田バンプを形成する工程等を有する。
　これらの工程は、約３００℃の熱処理を伴うため、封止材が変形して、加工基板が寸法変化する虞がある。加工基板が寸法変化すると、加工基板の一方の表面に対して、高密度に配線することが困難になり、また半田バンプを正確に形成することも困難になる。
　加工基板の寸法変化を抑制するために、支持基板としてガラス基板を用いることが有効である。ガラス基板は、表面を平滑化し易く、且つ剛性を有する。よって、ガラス基板を用いると、加工基板を強固、且つ正確に支持することが可能になる。またガラス基板は、紫外光等の光を透過し易い。よって、ガラス基板を用いると、接着層等を設けることにより加工基板とガラス基板を容易に固定することができる。また剥離層等を設けることにより加工基板とガラス基板を容易に分離することもできる。
　しかし、支持ガラス基板を用いた場合であっても、加工基板の一方の表面に対して、高密度に配線することが困難になる場合があった。
　本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、その技術的課題は、高密度配線に供される加工基板の支持に好適な支持ガラス基板及びその製造方法を創案することにより、半導体パッケージの高密度化に寄与することである。
　本発明者は、種々の実験を繰り返した結果、半導体パッケージの製造工程における約３００℃の熱処理により、支持ガラス基板が僅かに熱変形することがあり、この僅かな熱変形が加工基板への配線精度に悪影響を与えることに着目すると共に、支持ガラス基板の熱収縮量を所定値以下に低減することにより、上記技術的課題を解決し得ることを見出し、本発明として、提案するものである。すなわち、本発明の支持ガラス基板は、室温から５℃／分の速度で４００℃まで昇温し、４００℃で５時間保持した後、５℃／分の速度で室温まで降温した時、熱収縮率が２０ｐｐｍ以下になることを特徴とする。ここで、「熱収縮率」は、次のような方法で測定可能である。まず測定用の試料として１６０ｍｍ×３０ｍｍの短冊状試料を準備する（図１（ａ））。この短冊状試料Ｇ３の長辺方向の端から２０～４０ｍｍ付近に＃１０００の耐水研磨紙にてマーキングを行い、マーキングと直交方向に折り割って、試験片Ｇ３１、Ｇ３２を得る（図１（ｂ））。折り割った試験片Ｇ３１のみを所定条件で熱処理した後、熱処理を行っていない試料片Ｇ３１と熱処理を行った試料片Ｇ３２とを並べてテープＴで固定し（図１（ｃ））、マーキングの位置ずれ量（△Ｌ１、△Ｌ２）をレーザー顕微鏡によって読み取り、下記数式１により熱収縮率を算出する。
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　なお、上記の通り、半導体パッケージの製造工程における熱処理温度は約３００℃であるが、３００℃の熱処理で支持ガラス基板の熱収縮率を評価することは困難である。このため、本発明では４００℃５時間の熱処理条件で支持ガラス基板の熱収縮率を評価しており、この評価で得られた熱収縮率は、半導体パッケージの製造工程における支持ガラス基板の熱収縮の傾向と相関が認められる。
　第二に、本発明の支持ガラス基板は、反り量が４０μｍ以下であることが好ましい。ここで、「反り量」は、支持ガラス基板全体における最高位点と最小二乗焦点面との間の最大距離の絶対値と最低位点と最小二乗焦点面との絶対値との合計を指し、例えばコベルコ科研社製のＳＢＷ－３３１ＭＬ／ｄにより測定可能である。
　第三に、本発明の支持ガラス基板は、全体板厚偏差が２．０μｍ未満であることが好ましい。全体板厚偏差を２．０μｍ未満まで小さくすると、加工処理の精度を高め易くなる。特に配線精度を高めることができるため、高密度の配線が可能になる。また支持ガラス基板の面内強度が向上して、支持ガラス基板及び積層体が破損し難くなる。更に支持ガラス基板の再利用回数（耐用数）を増やすことができる。ここで、「全体板厚偏差」は、支持ガラス基板全体の最大板厚と最小板厚の差であり、例えばコベルコ科研社製のＳＢＷ－３３１ＭＬ／ｄにより測定可能である。
　第四に、本発明の支持ガラス基板は、反り量が２０μｍ未満であることが好ましい。
　第五に、本発明の支持ガラス基板は、表面の全部又は一部が研磨面であることが好ましい。
　第六に、本発明の支持ガラス基板は、オーバーフローダウンドロー法により成形されてなることが好ましい。
　第七に、本発明の支持ガラス基板は、ヤング率が６５ＧＰａ以上であることが好ましい。ここで、「ヤング率」は、曲げ共振法により測定した値を指す。なお、１ＧＰａは、約１０１．９Ｋｇｆ／ｍｍ２に相当する。
　第八に、本発明の支持ガラス基板は、外形がウエハ形状であることが好ましい。
　第九に、本発明の支持ガラス基板は、半導体パッケージの製造工程で加工基板の支持に用いることが好ましい。
　第十に、本発明の支持ガラス基板は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることが好ましい。
　第十一に、本発明の支持ガラス基板は、ガラス原板を切断して、支持ガラス基板を得る工程と、得られた支持ガラス基板を（支持ガラス基板の徐冷点）以上の温度に加熱する工程と、を有することを特徴とする。
　第十二に、本発明の支持ガラス基板は、室温から５℃／分の速度で４００℃まで昇温し、４００℃で５時間保持した後、５℃／分の速度で室温まで降温した時、熱収縮率が２０ｐｐｍ以下になるように加熱することが好ましい。
　第十三に、本発明の支持ガラス基板は、反り量が４０μｍ以下になるように加熱することが好ましい。
　第十四に、本発明の支持ガラス基板は、オーバーフローダウンドロー法によりガラス原板を成形することが好ましい。
熱収縮率の測定方法を説明するための説明図である。 本発明の積層体の一例を示す概念斜視図である。 ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程を示す概念断面図である。 ［実施例１］に係る試料の加熱条件を示すグラフである。 ［実施例２］に係る試料の加熱条件を示すグラフである。
　本発明の支持ガラス基板において、室温から５℃／分の速度で４００℃まで昇温し、４００℃で５時間保持した後、５℃／分の速度で室温まで降温した時、熱収縮率は２０ｐｐｍ以下であり、好ましくは１５ｐｐｍ以下、１２ｐｐｍ以下、１０ｐｐｍ以下、特に８ｐｐｍ以下である。熱収縮率が大きいと、半導体パッケージの製造工程における約３００℃の熱処理により、支持ガラス基板が僅かに熱変形して、加工処理の精度が低下し難くなる。特に配線精度が低下して、高密度の配線が困難になる。更に支持ガラス基板の再利用回数（耐用数）を増加させることが困難になる。なお、熱収縮率を低減する方法として、後述の加熱する方法、歪点を高める方法等が挙げられる。
　本発明の支持ガラス基板において、反り量は、好ましくは４０μｍ以下、３０μｍ以下、２５μｍ以下、１～２０μｍ、特に５～２０μｍ未満である。反り量が大きいと、加工処理の精度が低下し難くなる。特に配線精度が低下して、高密度の配線が困難になる。更に支持ガラス基板の再利用回数（耐用数）を増加させることが困難になる。
　全体板厚偏差は、好ましくは２μｍ未満、１．５μｍ以下、１μｍ以下、１μｍ未満、０．８μｍ以下、０．１～０．９μｍ、特に０．２～０．７μｍである。全体板厚偏差が大きいと、加工処理の精度が低下し難くなる。特に配線精度が低下して、高密度の配線が困難になる。更に支持ガラス基板の再利用回数（耐用数）を増加させることが困難になる。
　表面の算術平均粗さＲａは、好ましくは１０ｎｍ以下、５ｎｍ以下、２ｎｍ以下、１ｎｍ以下、特に０．５ｎｍ以下である。表面の算術平均粗さＲａが小さい程、加工処理の精度を高め易くなる。特に配線精度を高めることができるため、高密度の配線が可能になる。また支持ガラス基板の強度が向上して、支持ガラス基板及び積層体が破損し難くなる。更に支持ガラス基板の再利用回数（支持回数）を増やすことができる。なお、「算術平均粗さＲａ」は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定可能である。
　本発明の支持ガラス基板は、表面の全部又は一部が研磨面であることが好ましく、面積比で表面の５０％以上が研磨面であることがより好ましく、表面の７０％以上が研磨面であることが更に好ましく、表面の９０％以上が研磨面であることが特に好ましい。このようにすれば、全体板厚偏差を低減し易くなり、また反り量も低減し易くなる。
　研磨処理の方法としては、種々の方法を採用することができるが、支持ガラス基板の両面を一対の研磨パッドで挟み込み、支持ガラス基板と一対の研磨パッドを共に回転させながら、支持ガラス基板を研磨処理する方法が好ましい。更に一対の研磨パッドは外径が異なることが好ましく、研磨の際に間欠的に支持ガラス基板の一部が研磨パッドから食み出すように研磨処理することが好ましい。これにより、全体板厚偏差を低減し易くなり、また反り量も低減し易くなる。なお、研磨処理において、研磨深さは特に限定されないが、研磨深さは、好ましくは５０μｍ以下、３０μｍ以下、２０μｍ以下、特に１０μｍ以下である。研磨深さが小さい程、支持ガラス基板の生産性が向上する。
　本発明の支持ガラス基板は、ウエハ状（略真円状）が好ましく、その直径は１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下、特に１５０ｍｍ以上４５０ｍｍ以下が好ましい。このようにすれば、半導体パッケージの製造工程に適用し易くなる。必要に応じて、それ以外の形状、例えば矩形等の形状に加工してもよい。
　本発明の支持ガラス基板において、板厚は、好ましくは２．０ｍｍ未満、１．５ｍｍ以下、１．２ｍｍ以下、１．１ｍｍ以下、１．０ｍｍ以下、特に０．９ｍｍ以下である。板厚が薄くなる程、積層体の質量が軽くなるため、ハンドリング性が向上する。一方、板厚が薄過ぎると、支持ガラス基板自体の強度が低下して、支持基板としての機能を果たし難くなる。よって、板厚は、好ましくは０．１ｍｍ以上、０．２ｍｍ以上、０．３ｍｍ以上、０．４ｍｍ以上、０．５ｍｍ以上、０．６ｍｍ以上、特に０．７ｍｍ超である。
　本発明の支持ガラス基板は、以下の特性を有することが好ましい。
　本発明の支持ガラス基板において、３０～３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数は０×１０－７／℃以上、且つ１６５×１０－７／℃以下が好ましい。これにより、加工基板と支持ガラス基板の熱膨張係数を整合させ易くなる。そして、両者の熱膨張係数が整合すると、加工処理時に加工基板の寸法変化（特に、反り変形）を抑制し易くなる。結果として、加工基板の一方の表面に対して、高密度に配線することが可能になり、また半田バンプを正確に形成することも可能になる。なお、「３０～３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数」は、ディラトメーターで測定可能である。
　３０～３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数は、加工基板内で半導体チップの割合が少なく、封止材の割合が多い場合は、上昇させることが好ましく、逆に、加工基板内で半導体チップの割合が多く、封止材の割合が少ない場合は、低下させることが好ましい。
　３０～３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数を０×１０－７／℃以上、且つ５０×１０－７／℃未満とする場合、支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５５～７５％、Ａｌ２Ｏ３　１５～３０％、Ｌｉ２Ｏ　０．１～６％、Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　０～８％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ　０～１０％を含有することが好ましく、或いはＳｉＯ２　５５～７５％、Ａｌ２Ｏ３　１０～３０％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　０～０．３％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ　５～２０％を含有することも好ましい。３０～３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数を５０×１０－７／℃以上、且つ７５×１０－７／℃未満とする場合、支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５５～７０％、Ａｌ２Ｏ３　３～１５％、Ｂ２Ｏ３　５～２０％、ＭｇＯ　０～５％、ＣａＯ　０～１０％、ＳｒＯ　０～５％、ＢａＯ　０～５％、ＺｎＯ　０～５％、Ｎａ２Ｏ　５～１５％、Ｋ２Ｏ　０～１０％を含有することが好ましい。３０～３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数を７５×１０－７／℃以上、且つ８５×１０－７／℃以下とする場合、支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　６０～７５％、Ａｌ２Ｏ３　５～１５％、Ｂ２Ｏ３　５～２０％、ＭｇＯ　０～５％、ＣａＯ　０～１０％、ＳｒＯ　０～５％、ＢａＯ　０～５％、ＺｎＯ　０～５％、Ｎａ２Ｏ　７～１６％、Ｋ２Ｏ　０～８％を含有することが好ましい。３０～３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数を８５×１０－７／℃超、且つ１２０×１０－７／℃以下とする場合、支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５５～７０％、Ａｌ２Ｏ３　３～１３％、Ｂ２Ｏ３　２～８％、ＭｇＯ　０～５％、ＣａＯ　０～１０％、ＳｒＯ　０～５％、ＢａＯ　０～５％、ＺｎＯ　０～５％、Ｎａ２Ｏ　１０～２１％、Ｋ２Ｏ　０～５％を含有することが好ましい。３０～３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数を１２０×１０－７／℃超、且つ１６５×１０－７／℃以下とする場合、支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５３～６５％、Ａｌ２Ｏ３　３～１３％、Ｂ２Ｏ３　０～５％、ＭｇＯ　０．１～６％、ＣａＯ　０～１０％、ＳｒＯ　０～５％、ＢａＯ　０～５％、ＺｎＯ　０～５％、Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　２０～４０％、Ｎａ２Ｏ　１２～２１％、Ｋ２Ｏ　７～２１％を含有することが好ましい。このようにすれば、熱膨張係数を所望の範囲に規制し易くなると共に、耐失透性が向上するため、全体板厚偏差が小さい支持ガラス基板を成形し易くなる。
　歪点は、好ましくは４８０℃以上、５００℃以上、５１０℃以上、５２０℃以上、特に５３０℃以上である。歪点が高い程、熱収縮率を低減し易くなる。なお、「歪点」は、ＡＳＴＭ　Ｃ３３６の方法に基づいて測定した値を指す。
　ヤング率は、好ましくは６５ＧＰａ以上、６７ＧＰａ以上、６８ＧＰａ以上、６９ＧＰａ以上、７０ＧＰａ以上、７１ＧＰａ以上、７２ＧＰａ以上、特に７３ＧＰａ以上である。ヤング率が低過ぎると、積層体の剛性を維持し難くなり、加工基板の変形、反り、破損が発生し易くなる。
　液相温度は、好ましくは１１５０℃未満、１１２０℃以下、１１００℃以下、１０８０℃以下、１０５０℃以下、１０１０℃以下、９８０℃以下、９６０℃以下、９５０℃以下、特に９４０℃以下である。このようにすれば、ダウンドロー法、特にオーバーフローダウンドロー法で支持ガラス基板を成形し易くなるため、板厚が小さい支持ガラス基板を作製し易くなると共に、成形後の板厚偏差を低減することができる。更に、支持ガラス基板の製造工程時に、失透結晶が発生して、支持ガラス基板の生産性が低下する事態を防止し易くなる。ここで、「液相温度」は、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れた後、温度勾配炉中に２４時間保持して、結晶が析出する温度を測定することにより算出可能である。
　液相温度における粘度は、好ましくは１０４．６ｄＰａ・ｓ以上、１０５．０ｄＰａ・ｓ以上、１０５．２ｄＰａ・ｓ以上、１０５．４ｄＰａ・ｓ以上、１０５．６ｄＰａ・ｓ以上、特に１０５．８ｄＰａ・ｓ以上である。このようにすれば、ダウンドロー法、特にオーバーフローダウンドロー法で支持ガラス基板を成形し易くなるため、板厚が小さい支持ガラス基板を作製し易くなると共に、成形後の板厚偏差を低減することができる。更に、支持ガラス基板の製造工程時に、失透結晶が発生して、支持ガラス基板の生産性が低下する事態を防止し易くなる。ここで、「液相温度における粘度」は、白金球引き上げ法で測定可能である。なお、液相温度における粘度は、成形性の指標であり、液相温度における粘度が高い程、成形性が向上する。
　１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、好ましくは１５８０℃以下、１５００℃以下、１４５０℃以下、１４００℃以下、１３５０℃以下、特に１２００～１３００℃である。１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度が高くなると、溶融性が低下して、支持ガラス基板の製造コストが高騰する。ここで、「１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度」は、白金球引き上げ法で測定可能である。なお、１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、溶融温度に相当し、この温度が低い程、溶融性が向上する。
　本発明の支持ガラス基板は、ダウンドロー法、特にオーバーフローダウンドロー法で成形されてなることが好ましい。オーバーフローダウンドロー法は、耐熱性の樋状構造物の両側から溶融ガラスを溢れさせて、溢れた溶融ガラスを樋状構造物の下頂端で合流させながら、下方に延伸成形してガラス原板を成形する方法である。オーバーフローダウンドロー法では、支持ガラス基板の表面となるべき面は樋状耐火物に接触せず、自由表面の状態で成形される。このため、板厚が小さい支持ガラス基板を作製し易くなると共に、全体板厚偏差を低減することができ、結果として、支持ガラス基板の製造コストを低廉化することができる。
　ガラス原板の成形方法として、オーバーフローダウンドロー法以外にも、例えば、スロットダウンドロー法、リドロー法、フロート法、ロールアウト法等を採択することもできる。
　本発明の支持ガラス基板は、表面に研磨面を有し、オーバーフローダウンドロー法で成形されてなることが好ましい。このようにすれば、研磨処理前の全体板厚偏差が小さくなるため、研磨処理により全体板厚偏差を可及的に低減することが可能になる。例えば、全体板厚偏差を１．０μｍ以下に低減することが可能になる。
　本発明の支持ガラス基板は、反り量を低減する観点から、化学強化処理がなされていないことが好ましい。一方、機械的強度の観点から、化学強化処理がなされていることが好ましい。つまり反り量を低減する観点から、表面に圧縮応力層を有しないことが好ましく、機械的強度の観点から、表面に圧縮応力層を有することが好ましい。
　本発明の支持ガラス基板の製造方法は、ガラス原板を切断して、支持ガラス基板を得る工程と、得られた支持ガラス基板を（支持ガラス基板の徐冷点）以上の温度に加熱する工程と、を有することを特徴とする。ここで、本発明の支持ガラス基板の製造方法の技術的特徴（好適な構成、効果）は、本発明の支持ガラス基板の技術的特徴と重複する。よって、本明細書では、その重複部分について、詳細な記載を省略する。
　本発明の支持ガラス基板の製造方法は、ガラス原板を切断して、支持ガラス基板を得る工程を有する。ガラス原板を切断する方法として、種々の方法を採択することができる。例えば、レーザー照射時のサーマルショックにより切断する方法、スクライブした後に折り割りを行う方法が利用可能である。
　本発明の支持ガラス基板の製造方法は、支持ガラス基板を（支持ガラス基板の徐冷点）以上の温度に加熱する工程を有する。このような加熱工程は、公知の電気炉、ガス炉等により行うことができる。
　加熱温度は、徐冷点以上の温度で加熱することが好ましく、（徐冷点＋３０℃）以上の温度で加熱することがより好ましく、（徐冷点＋５０℃）以上の温度で加熱することが更に好ましい。加熱温度が低いと、支持ガラス基板の熱収縮率を低減し難くなる。一方、加熱温度は、軟化点以下の温度で加熱することが好ましく、（軟化点－５０℃）以下の温度で加熱することがより好ましく、（軟化点－８０℃）以下の温度で加熱することが更に好ましい。加熱温度が高過ぎると、支持ガラス基板の寸法精度が低下し易くなる。
　本発明の支持ガラス基板の製造方法は、反り量が４０μｍ以下になるように加熱することが好ましい。また支持ガラス基板を耐熱基板で挟持しながら加熱を行うことが好ましい。これにより、支持ガラス基板の反り量を低減することができる。なお、耐熱基板として、ムライト基板、アルミナ基板等が使用可能である。また加熱を徐冷点以上の温度で行うと、支持ガラス基板の反り量と熱収縮量を同時に低減することもできる。
　また、複数枚の支持ガラス基板を積層させた状態で、加熱を行うことも好ましい。これにより、積層下方に積層された支持ガラス基板の反り量が、上方に積層された支持ガラス基板の質量によって適正に低減される。
　本発明の支持ガラス基板の製造方法は、更に、支持ガラス基板の全体板厚偏差が２．０μｍ未満になるように、支持ガラス基板の表面を研磨する工程を有することが好ましく、この工程の好適な態様は上記の通りである。
　本発明の積層体は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることを特徴とする。ここで、本発明の積層体の技術的特徴（好適な構成、効果）は、本発明の支持ガラス基板の技術的特徴と重複する。よって、本明細書では、その重複部分について、詳細な記載を省略する。
　本発明の積層体は、加工基板と支持ガラス基板の間に、接着層を有することが好ましい。接着層は、樹脂であることが好ましく、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化樹脂）等が好ましい。また半導体パッケージの製造工程における熱処理に耐える耐熱性を有するものが好ましい。これにより、半導体パッケージの製造工程で接着層が融解し難くなり、加工処理の精度を高めることができる。
　本発明の積層体は、更に加工基板と支持ガラス基板の間に、より具体的には加工基板と接着層の間に、剥離層を有すること、或いは支持ガラス基板と接着層の間に、剥離層を有することが好ましい。このようにすれば、加工基板に対して、所定の加工処理を行った後に、加工基板を支持ガラス基板から剥離し易くなる。加工基板の剥離は、生産性の観点から、レーザー照射等により行うことが好ましい。
　剥離層は、レーザー照射等により「層内剥離」又は「界面剥離」が生じる材料で構成される。つまり一定の強度の光を照射すると、原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失又は減少して、アブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ）等を生じ、剥離を生じさせる材料で構成される。なお、照射光の照射により、剥離層に含まれる成分が気体となって放出されて分離に至る場合と、剥離層が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
　本発明の積層体において、支持ガラス基板は、加工基板よりも大きいことが好ましい。これにより、加工基板と支持ガラス基板を支持する際に、両者の中心位置が僅かに離間した場合でも、支持ガラス基板から加工基板の縁部が食み出し難くなる。
　本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることを特徴とする。ここで、本発明に係る半導体パッケージの製造方法の技術的特徴（好適な構成、効果）は、本発明の支持ガラス基板及び積層体の技術的特徴と重複する。よって、本明細書では、その重複部分について、詳細な記載を省略する。
　本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程を有する。少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体は、上記の材料構成を有している。
　本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、更に積層体を搬送する工程を有することが好ましい。これにより、加工処理の処理効率を高めることができる。なお、「積層体を搬送する工程」と「加工基板に対して、加工処理を行う工程」とは、別途に行う必要はなく、同時であってもよい。
　本発明に係る半導体パッケージの製造方法において、加工処理は、加工基板の一方の表面に配線する処理、或いは加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する処理が好ましい。本発明に係る半導体パッケージの製造方法では、これらの加工処理時に支持ガラス基板及び加工基板が寸法変化し難いため、これらの工程を適正に行うことができる。
　加工処理として、上記以外にも、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）を機械的に研磨する処理、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）をドライエッチングする処理、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）をウェットエッチングする処理の何れかであってもよい。なお、本発明の半導体パッケージの製造方法では、支持ガラス基板及び加工基板に熱変形や反りが発生し難いと共に、積層体の剛性を維持することができる。結果として、上記加工処理を適正に行うことができる。
　本発明に係る半導体パッケージは、上記の半導体パッケージの製造方法により作製されたことを特徴とする。ここで、本発明の半導体パッケージの技術的特徴（好適な構成、効果）は、本発明の支持ガラス基板、積層体及び半導体パッケージの製造方法の技術的特徴と重複する。よって、本明細書では、その重複部分について、詳細な記載を省略する。
　本発明に係る電子機器は、半導体パッケージを備える電子機器であって、半導体パッケージが、上記の半導体パッケージであることを特徴とする。ここで、本発明の電子機器の技術的特徴（好適な構成、効果）は、本発明の支持ガラス基板、積層体、半導体パッケージの製造方法、半導体パッケージの技術的特徴と重複する。よって、本明細書では、その重複部分について、詳細な記載を省略する。
　図面を参酌しながら、本発明を更に説明する。
　図２は、本発明の積層体１の一例を示す概念斜視図である。図３では、積層体１は、支持ガラス基板１０と加工基板１１とを備えている。支持ガラス基板１０は、加工基板１１の寸法変化を防止するために、加工基板１１に貼着されている。支持ガラス基板１０と加工基板１１との間には、剥離層１２と接着層１３が配置されている。剥離層１２は、支持ガラス基板１０と接触しており、接着層１３は、加工基板１１と接触している。
　図２から分かるように、積層体１は、支持ガラス基板１０、剥離層１２、接着層１３、加工基板１１の順に積層配置されている。支持ガラス基板１０の形状は、加工基板１１に応じて決定されるが、図３では、支持ガラス基板１０及び加工基板１１の形状は、何れもウエハ形状である。剥離層１２は、非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）以外にも、酸化ケイ素、ケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等が用いられる。剥離層１２は、プラズマＣＶＤ、ゾル－ゲル法によるスピンコート等により形成される。接着層１３は、樹脂で構成されており、例えば、各種印刷法、インクジェット法、スピンコート法、ロールコート法等により塗布形成される。接着層１３は、剥離層１２により加工基板１１から支持ガラス基板１０が剥離された後、溶剤等により溶解除去される。
　図３は、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程を示す概念断面図である。図３（ａ）は、支持部材２０の一方の表面上に接着層２１を形成した状態を示している。必要に応じて、支持部材２０と接着層２１の間に剥離層を形成してもよい。次に、図３（ｂ）に示すように、接着層２１の上に複数の半導体チップ２２を貼付する。その際、半導体チップ２２のアクティブ側の面を接着層２１に接触させる。次に、図３（ｃ）に示すように、半導体チップ２２を樹脂の封止材２３でモールドする。封止材２３は、圧縮成形後の寸法変化、配線を成形する際の寸法変化が少ない材料が使用される。続いて、図３（ｄ）、（ｅ）に示すように、支持部材２０から半導体チップ２２がモールドされた加工基板２４を分離した後、接着層２５を介して、支持ガラス基板２６と接着固定させる。その際、加工基板２４の表面の内、半導体チップ２２が埋め込まれた側の表面とは反対側の表面が支持ガラス基板２６側に配置される。このようにして、積層体２７を得ることができる。なお、必要に応じて、接着層２５と支持ガラス基板２６の間に剥離層を形成してもよい。更に、得られた積層体２７を搬送した後に、図３（ｆ）に示すように、加工基板２４の半導体チップ２２が埋め込まれた側の表面に配線２８を形成した後、複数の半田バンプ２９を形成する。最後に、支持ガラス基板２６から加工基板２４を分離した後に、加工基板２４を半導体チップ２２毎に切断し、後のパッケージング工程に供される。
　以下、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、以下の実施例は単なる例示である。本発明は、以下の実施例に何ら限定されない。
　ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　６８．９％、Ａｌ２Ｏ３　５％、Ｂ２Ｏ３　８．２％、Ｎａ２Ｏ　１３．５％、ＣａＯ　３．６％、ＺｎＯ　０．７％、ＳｎＯ２　０．１％になるように、ガラス原料を調合した後、ガラス溶融炉に投入して１５００～１６００℃で溶融し、次いで溶融ガラスをオーバーフローダウンドロー成形装置に供給し、板厚が１．２ｍｍになるように成形した。
　次に、得られたガラス原板を所定寸法（３０ｍｍ×１６０ｍｍ）に切断して、支持ガラス基板を得た。更に、３枚の支持ガラス基板を積層し、その積層基板の上下をムライト基板で挟持した。その状態の積層基板を図４に記載の昇温条件で加熱した。なお、図４において、最高加熱温度は、支持ガラス基板の徐冷点よりも５０℃高い温度に設定されている。
　続いて、支持ガラス基板の表面を研磨装置で研磨処理することにより、支持ガラス基板の全体板厚偏差を低減した。具体的には、支持ガラス基板の両表面を外径が相違する一対の研磨パットで挟み込み、支持ガラス基板と一対の研磨パッドを共に回転させながら支持ガラス基板の両表面を研磨処理した。研磨処理の際、時折、支持ガラス基板の一部が研磨パッドから食み出すように制御した。なお、研磨パッドはウレタン製、研磨処理の際に使用した研磨スラリーの平均粒径は２．５μｍ、研磨速度は１５ｍ／分であった。
　最後に、加熱処理した支持ガラス基板について、室温から５℃／分の速度で４００℃まで昇温し、４００℃で５時間保持した後、５℃／分の速度で室温まで降温した時の熱収縮率を数１の式で評価した。比較対象として、加熱処理していない支持ガラス基板についても熱収縮率を評価した。その結果、加熱処理行った支持ガラス基板の熱収縮率は７ｐｐｍであったが、加熱処理していない支持ガラス基板の熱収縮率は５８ｐｐｍであった。
　ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　６０％、Ａｌ２Ｏ３　１６．５％、Ｂ２Ｏ３　１０％、ＭｇＯ　０．３％、ＣａＯ　８％、ＳｒＯ　４．５％、ＢａＯ　０．５％、ＳｎＯ２　０．２％になるように、ガラス原料を調合した後、ガラス溶融炉に投入して１５５０～１６５０℃で溶融し、次いで溶融ガラスをオーバーフローダウンドロー成形装置に供給し、板厚が０．７ｍｍになるように成形した。
　次に、得られたガラス原板を所定寸法（φ３００ｍｍ）に切断して、支持ガラス基板を得た。更に、３枚の支持ガラス基板を積層し、その積層基板の上下をムライト基板で挟持した。その状態の積層基板を図５に記載の昇温条件で加熱した。なお、図５において、最高加熱温度は、支持ガラス基板の徐冷点よりも５０℃高い温度に設定されている。
　続いて、支持ガラス基板の表面を研磨装置で研磨処理することにより、支持ガラス基板の全体板厚偏差を低減した。具体的には、支持ガラス基板の両表面を外径が相違する一対の研磨パットで挟み込み、支持ガラス基板と一対の研磨パッドを共に回転させながら支持ガラス基板の両表面を研磨処理した。研磨処理の際、時折、支持ガラス基板の一部が研磨パッドから食み出すように制御した。なお、研磨パッドはウレタン製、研磨処理の際に使用した研磨スラリーの平均粒径は２．５μｍ、研磨速度は１５ｍ／分であった。
　得られた研磨処理前後の支持ガラス基板（各１２サンプル）について、コベルコ科研社製のＳＢＷ－３３１ＭＬ／ｄにより反り量を測定した。その結果を表１に示す。なお、測定に際し、測定ピッチを１ｍｍ、測定距離を２９４ｍｍ、測定ラインを４ライン（４５°刻み）とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
  
　表１から分かるように、加熱処理を行った試料の反り量は２１μｍ以下であったが、加熱処理を行っていない試料の反り量は１１６μｍ以上であった。なお、加熱処理を行った試料の熱収縮率は測定されていないが、十分に低い値であるものと推定される。
　まず、表２に記載の試料Ｎｏ．１～７のガラス組成になるように、ガラス原料を調合した後、ガラス溶融炉に投入して１５００～１６００℃で溶融し、次いで溶融ガラスをオーバーフローダウンドロー成形装置に供給し、板厚が０．８ｍｍになるようにそれぞれ成形した。その後、［実施例２］と同様の条件にて、ガラス原板を所定寸法（φ３００ｍｍ）に切断し、更に（徐冷点＋６０℃）の温度で徐冷処理を行った。得られた各支持ガラス基板について、３０～３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数α３０～３８０、密度ρ、歪点Ｐｓ、徐冷点Ｔａ、軟化点Ｔｓ、高温粘度１０４．０ｄＰａ・ｓにおける温度、高温粘度１０３．０ｄＰａ・ｓにおける温度、高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度、高温粘度１０２．０ｄＰａ・ｓにおける温度、液相温度ＴＬ及びヤング率Ｅを評価した。なお、切断後、加熱処理前の各支持ガラス基板について、コベルコ科研社製のＳＢＷ－３３１ＭＬ／ｄにより全体板厚偏差と反り量を測定したところ、全体板厚偏差がそれぞれ３μｍであり、反り量がそれぞれ７０μｍであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
  
　３０～３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数α３０～３８０は、ディラトメーターで測定した値である。
　密度ρは、周知のアルキメデス法によって測定した値である。
　歪点Ｐｓ、徐冷点Ｔａ、軟化点Ｔｓは、ＡＳＴＭ　Ｃ３３６の方法に基づいて測定した値である。
　高温粘度１０４．０ｄＰａ・ｓ、１０３．０ｄＰａ・ｓ、１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、白金球引き上げ法で測定した値である。
　液相温度ＴＬは、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れて、温度勾配炉中に２４時間保持した後、結晶が析出する温度を顕微鏡観察にて測定した値である。
　ヤング率Ｅは、共振法により測定した値を指す。
　続いて、支持ガラス基板の表面を研磨装置により研磨処理した。具体的には、支持ガラス基板の両表面を外径が相違する一対の研磨パットで挟み込み、支持ガラス基板と一対の研磨パッドを共に回転させながら支持ガラス基板の両表面を研磨処理した。研磨処理の際、時折、支持ガラス基板の一部が研磨パッドから食み出すように制御した。なお、研磨パッドはウレタン製、研磨処理の際に使用した研磨スラリーの平均粒径は２．５μｍ、研磨速度は１５ｍ／分であった。得られた各研磨処理済み支持ガラス基板について、コベルコ科研社製のＳＢＷ－３３１ＭＬ／ｄにより全体板厚偏差と反り量を測定した。その結果、全体板厚偏差がそれぞれ０．４５μｍであり、反り量が１０～１８μｍであった。また室温から５℃／分の速度で４００℃まで昇温し、４００℃で５時間保持した後、５℃／分の速度で室温まで降温した時の各試料の熱収縮率は５～８ｐｐｍであった。
１０、２７　積層体
１１、２６　支持ガラス基板
１２、２４　加工基板
１３　剥離層
１４、２１、２５　接着層
２０　支持部材
２２　半導体チップ
２３　封止材
２８　配線
２９　半田バンプ

Claims (14)

  1. 　室温から５℃／分の速度で４００℃まで昇温し、４００℃で５時間保持した後、５℃／分の速度で室温まで降温した時、熱収縮率が２０ｐｐｍ以下になることを特徴とする支持ガラス基板。
  2. 　反り量が４０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の支持ガラス基板。
  3. 　全体板厚偏差が２．０μｍ未満であることを特徴とする請求項１又は２に記載の支持ガラス基板。
  4. 　反り量が２０μｍ未満であることを特徴とする請求項１～３の何れかに記載の支持ガラス基板。
  5. 　表面の全部又は一部が研磨面であることを特徴とする請求項１～４の何れかに記載の支持ガラス基板。
  6. 　オーバーフローダウンドロー法により成形されてなることを特徴とする請求項１～５の何れかに記載の支持ガラス基板。
  7. 　ヤング率が６５ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１～６の何れかに記載の支持ガラス基板。
  8. 　外形がウエハ形状であることを特徴とする請求項１～７の何れかに記載の支持ガラス基板。
  9. 　半導体パッケージの製造工程で加工基板の支持に用いることを特徴とする請求項１～８の何れかに記載の支持ガラス基板。
  10. 　少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が請求項１～９の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする積層体。
  11. 　ガラス原板を切断して、支持ガラス基板を得る工程と、
    　得られた支持ガラス基板を（支持ガラス基板の徐冷点）以上の温度に加熱する工程と、を有することを特徴とする支持ガラス基板の製造方法。
  12. 　室温から５℃／分の速度で４００℃まで昇温し、４００℃で５時間保持した後、５℃／分の速度で室温まで降温した時、熱収縮率が２０ｐｐｍ以下になるように加熱することを特徴とする請求項１１に記載の支持ガラス基板の製造方法。
  13. 　反り量が４０μｍ以下になるように加熱することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の支持ガラス基板の製造方法。
  14. 　オーバーフローダウンドロー法によりガラス原板を成形することを特徴とする請求項１１～１３の何れかに記載の支持ガラス基板の製造方法。
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