WO2018110163A1 - 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 - Google Patents

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鈴木　良太
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日本電気硝子株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a supporting glass substrate for supporting a processed substrate and a laminate using the same, and specifically, a supporting glass substrate used for supporting a processed substrate in a manufacturing process of a semiconductor package (semiconductor device) and the same. It relates to the laminate used.
  • Portable electronic devices such as mobile phones, notebook personal computers, and PDAs (Personal Data Assistance) are required to be smaller and lighter.
  • the mounting space of semiconductor chips used in these electronic devices is also strictly limited, and high-density mounting of semiconductor chips has become a problem. Therefore, in recent years, high-density mounting of semiconductor packages has been achieved by three-dimensional mounting technology, that is, by stacking semiconductor chips and interconnecting the semiconductor chips.
  • a conventional wafer level package is manufactured by forming bumps in a wafer state and then dicing them into individual pieces.
  • the semiconductor chip is likely to be chipped.
  • the fan-out type WLP can increase the number of pins, and can prevent chipping of the semiconductor chip by protecting the end portion of the semiconductor chip.
  • the fan-out type WLP for example, a process of arranging a plurality of semiconductor chips on a supporting glass substrate, molding with a resin sealing material, forming a processed substrate, and wiring to one surface of the processed substrate And a step of forming solder bumps.
  • the laminated body including the processed substrate and the support glass substrate is transported in the horizontal direction in a state where the support glass substrate side is in contact with the transport conveyor in the manufacturing process of the fan-out type WLP. Further, the transfer is performed while the edge of the supporting glass substrate is held by a robot arm or the like.
  • the supporting glass substrate is easily subjected to mechanical impacts from the transfer conveyor and the robot arm during transfer of the laminate.
  • the supporting glass substrate receives a mechanical impact, a crack is generated in the supporting glass substrate, and the supporting glass substrate may be damaged starting from the crack.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and its technical problem is to create a supporting glass substrate that is less likely to cause cracks during conveyance of a laminate in the manufacturing process of a fan-out type WLP.
  • the inventor adopted alkali aluminosilicate glass as a supporting glass substrate, and strictly controlled the glass composition range of the alkali aluminosilicate glass to increase the crack resistance. It is found that the technical problem can be solved and is proposed as the present invention. That is, the supporting glass substrate of the present invention is a supporting glass substrate for supporting a processed substrate, and the glass composition is SiO 2 45 to 70% by mass%, Al 2 O 3 more than 10.5 to 35%. , B 2 O 3 0 to 20%, Na 2 O 5 to 25%, K 2 O 0 to 10%, MgO 1 to 10%, ZnO 0 to 5%, and crack resistance of 500 gf or more It is characterized by.
  • crack resistance refers to a load with a crack occurrence rate of 50%.
  • “Crack occurrence rate” refers to a value measured as follows. First, in a constant temperature and humidity chamber maintained at a humidity of 30% and a temperature of 25 ° C., a Vickers indenter set to a predetermined load is driven into the glass surface (optical polishing surface) for 15 seconds, and 15 seconds later, it is generated from the four corners of the indentation. Count the number of cracks (maximum 4 per indentation). Thus, after indenting the indenter 20 times and determining the total number of cracks generated, the total number of cracks generated is calculated by the formula (total number of cracks generated / 80) ⁇ 100.
  • a crack resistance measuring device for example, a Multi-Vickers hardness meter FLC-50VX manufactured by Futuretec Corporation can be used.
  • the supporting glass substrate of the present invention has a glass composition, in mass%, SiO 2 50 ⁇ 67% , Al 2 O 3 19.7 ⁇ 33%, B 2 O 3 0 ⁇ 15%, Na 2 O It preferably contains 5 to 20%, K 2 O 0 to 3%, MgO 1 to 5.5%, ZnO 0 to 3%, and has a crack resistance of 700 gf or more.
  • the support glass substrate of the present invention preferably has an average linear thermal expansion coefficient of 40 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or more and 120 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less in a temperature range of 20 to 220 ° C. If it does in this way, when the ratio of a semiconductor chip and a sealing material will be changed in a processed substrate, it will become easy to match
  • the “average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 20 to 220 ° C.” can be measured with a dilatometer.
  • the supporting glass substrate of the present invention preferably has an average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 20 to 260 ° C. of 40 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or more and 120 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less.
  • the “average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 20 to 260 ° C.” can be measured with a dilatometer.
  • the support glass substrate of the present invention preferably has an average linear thermal expansion coefficient of 42 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or more and 125 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less in a temperature range of 30 to 380 ° C.
  • the “average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380 ° C.” can be measured with a dilatometer.
  • the supporting glass substrate of the present invention has a wafer shape or a substantially disc shape with a diameter of 100 to 500 mm, a plate thickness of less than 2.0 mm, and an overall plate thickness deviation (TTV) of 5 ⁇ m or less.
  • the amount of warpage is preferably 60 ⁇ m or less.
  • the “warp amount” refers to the sum of the absolute value of the maximum distance between the highest point and the least square focal plane in the entire supporting glass substrate and the absolute value of the lowest point and the least square focal plane. For example, it can be measured by a Bow / Warp measuring device SBW-331M / Ld manufactured by Kobelco Kaken.
  • the laminate of the present invention is a laminate comprising at least a processed substrate and a supporting glass substrate for supporting the processed substrate, and the supporting glass substrate is preferably the supporting glass substrate.
  • the processed substrate preferably includes a semiconductor chip molded with at least a sealing material.
  • the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention includes a step of preparing a laminate including at least a processed substrate and a supporting glass substrate for supporting the processed substrate, and a step of performing a processing process on the processed substrate.
  • the supporting glass substrate is the above supporting glass substrate.
  • the processing includes a step of wiring on one surface of the processed substrate.
  • the processing includes a step of forming solder bumps on one surface of the processed substrate.
  • the semiconductor package of the present invention is manufactured by the above-described semiconductor package manufacturing method.
  • the electronic device of the present invention is an electronic device including a semiconductor package, and the semiconductor package is preferably the above-described semiconductor package.
  • FIG. 4 is a conceptual cross-sectional view in the A-A ′ direction of FIG.
  • the supporting glass substrate of the present invention has a glass composition in terms of mass% of SiO 2 45 to 70%, Al 2 O 3 more than 10.5 to 35%, B 2 O 3 0 to 20%, Na 2 O 5 to 25 %, K 2 O 0 to 10%, MgO 1 to 10%, ZnO 0 to 5%.
  • the reason for limiting the content of each component as described above will be described below.
  • % display represents the mass%.
  • SiO 2 is a main component that forms a glass skeleton.
  • the Young's modulus, acid resistance tends to decrease.
  • the content of SiO 2 is too large, the high-temperature viscosity becomes high, and the meltability and moldability are likely to be lowered.
  • devitrification crystals such as cristobalite are liable to precipitate, and the liquidus temperature is increased. It becomes easy to rise. Therefore, the lower limit range of SiO 2 is 45% or more, preferably 47% or more, particularly 49% or more, and the upper limit range is 70% or less, preferably 68% or less, 66% or less, particularly 65% or less. In the case where priority is given to meltability, it is 64% or less, 63% or less, particularly 62% or less.
  • Al 2 O 3 is a component that increases crack resistance. It is a component that suppresses phase separation and devitrification. However, when the content of Al 2 O 3 is too large, the higher the viscosity at high temperature moldability and meltability tends to decrease. Therefore, the lower limit range of Al 2 O 3 is more than 10.5%, preferably 11% or more, 13% or more, 15% or more, 17% or more, particularly 19.7% or more, and the upper limit range is 35% or less. Yes, preferably 30% or less, and when priority is given to meltability and moldability, it is 25% or less, particularly 20% or less.
  • B 2 O 3 is a component that enhances meltability and devitrification resistance, and is a component that improves crack resistance.
  • the lower limit range of B 2 O 3 is 0% or more, preferably 1% or more, 2% or more, 3% or more, particularly 4% or more, and the upper limit range is 20% or less, preferably 15%.
  • it is 13% or less, 11% or less, and especially 9% or less.
  • Na 2 O is an important component for adjusting the thermal expansion coefficient, and is a component that contributes to the initial melting of the glass raw material.
  • the lower limit range of Na 2 O is 5% or more, preferably 6% or more, 7% or more, 8% or more, particularly 9% or more
  • the upper limit range is 25% or less, preferably 23% or less, 21% or less, particularly 18% or less.
  • K 2 O is a component for adjusting the thermal expansion coefficient, and is a component that contributes to the initial melting of the glass raw material. However, if the content of K 2 O is too large, the thermal expansion coefficient may be unduly high. Therefore, the content of K 2 O is 0 to 10%, preferably 0 to 6%, 0 to 5%, 0.1 to 1.9%, particularly 0.2 to less than 1%.
  • MgO is a component that increases crack resistance. In addition, it is a component that lowers the high-temperature viscosity and increases the meltability, and among the alkaline earth metal oxides, it is a component that significantly increases the Young's modulus. However, when the content of MgO increases, the devitrification resistance tends to decrease. Accordingly, the content of MgO is 1 to 10%, preferably 1 to 6%, 1 to 5.5%, 2 to 5%, particularly 3 to less than 4%.
  • the mass ratio (Al 2 O 3 + B 2 O 3 + MgO) / (Na 2 O + K 2 O) is preferably 1.3 or more, 1.5 or more, 2.0 or more, 2.5 or more, particularly 3.0 or more. It is. If the mass ratio (Al 2 O 3 + B 2 O 3 + MgO) / (Na 2 O + K 2 O) is too small, the crack resistance is reduced or the scratches are easily caused, and the supporting glass substrate is easily damaged by the cracks. .
  • ZnO is a component that lowers the high-temperature viscosity and remarkably increases the meltability and moldability, and also increases the weather resistance.
  • the content of ZnO is 0 to 5%, preferably 0 to 4%, 0.1 to 2%, particularly 0.3 to 1.5%.
  • other components may be introduced as optional components.
  • the content of other components other than the above components is 25% or less, 20% or less, 15% or less, 10% or less, particularly 5% or less in total, from the viewpoint of accurately enjoying the effects of the present invention. preferable.
  • Li 2 O is a component that lowers the high-temperature viscosity and remarkably increases meltability moldability. It is also a component that increases Young's modulus. However, when the content of Li 2 O is too large, easily glass devitrified. Therefore, the content of Li 2 O is preferably 0 to 7%, 0 to 3%, 0 to 1%, particularly 0.01 to 0.1%.
  • CaO is a component that lowers the high temperature viscosity and remarkably enhances melt moldability. Further, among the alkaline earth metal oxides, since the introduced raw material is relatively inexpensive, it is a component that lowers the raw material cost. However, when there is too much content of CaO, it will become easy to devitrify glass. Therefore, the content of CaO is preferably 0 to 10%, 1 to 8%, 3 to 8%, 2 to 6%, particularly 2 to 5%.
  • SrO is a component that suppresses phase separation and is a component that improves devitrification resistance.
  • the content of SrO is preferably 0-20%, 0-15%, 0-9%, 0-5%, 0-4%, 0-3%, 0-2%, especially 0-1%. Is less than.
  • a suitable lower limit range of SrO is 0.1% or more, 1% or more, 2% or more, 4% or more, particularly 7% or more.
  • BaO is a component that increases devitrification resistance.
  • the content of BaO is preferably 0-20%, 0-14%, 0-9%, 0-5%, 0-4%, 0-3%, 0-2%, especially 0-1%. Is less than.
  • a suitable lower limit range of BaO is 0.1% or more, 1% or more, particularly 3% or more.
  • Fe 2 O 3 is a component that can be introduced as an impurity component or a fining agent component.
  • the content of Fe 2 O 3 is preferably 0.05% or less, 0.03% or less, 0.001 to 0.02%, particularly 0.005 to 0.01%.
  • Fe 2 O 3 referred to in the present invention includes divalent iron oxide and trivalent iron oxide, and the divalent iron oxide is handled in terms of Fe 2 O 3 . Similarly, other oxides are handled based on the indicated oxide.
  • As 2 O 3 acts effectively as a fining agent, but it is preferable to reduce these components as much as possible from an environmental point of view.
  • the content of As 2 O 3 is preferably 1% or less, 0.5% or less, particularly 0.1% or less, and it is desirable not to contain it substantially.
  • substantially does not contain As 2 O 3 refers to the case where the content of As 2 O 3 in the glass composition is less than 0.05%.
  • Sb 2 O 3 is a component having a good clarification action in a low temperature range.
  • the content of Sb 2 O 3 is preferably 0 to 1%, 0.001 to 1%, 0.01 to 0.9%, particularly 0.05 to 0.7%. When the content of Sb 2 O 3 is too large, the glass tends to color.
  • SnO 2 is a component having a good clarification action in a high temperature region and a component that lowers the high temperature viscosity.
  • the SnO 2 content is preferably 0 to 1%, 0.001 to 1%, 0.01 to 0.9%, especially 0.05 to 0.7%.
  • the content of SnO 2 is too large, the devitrification crystal SnO 2 is likely to precipitate. Incidentally, when the content of SnO 2 is too small, it becomes difficult to enjoy the above-mentioned effects.
  • SO 3 is a component having a clarification action.
  • the content of SO 3 is preferably 0 to 1%, 0.001 to 1%, 0.01 to 0.5%, particularly 0.05 to 0.3%. When the content of SO 3 is too large, SO 2 reboyl tends to be generated.
  • metal powders such as F, C, Al, Si, etc. may be introduced up to about 1% as fining agents.
  • CeO 2 or the like can also be introduced up to about 1%, but it is necessary to pay attention to a decrease in the ultraviolet transmittance.
  • Cl is a component that promotes melting of glass. If Cl is introduced into the glass composition, the melting temperature can be lowered and the clarification action can be promoted. As a result, the melting cost can be lowered and the glass production kiln can be easily extended. However, when there is too much Cl content, there is a possibility of corroding the metal parts around the glass manufacturing kiln. Therefore, the Cl content is preferably 3% or less, 1% or less, 0.5% or less, and particularly 0.1% or less.
  • P 2 O 5 is a component that can suppress the precipitation of devitrified crystals.
  • the content of P 2 O 5 is preferably 0 to 15%, 0 to 2.5%, 0 to 1.5%, 0 to 0.5%, particularly 0.1 to 0.3%. .
  • TiO 2 is a component that lowers the high-temperature viscosity and increases the meltability, and also suppresses solarization. However, when a large amount of TiO 2 is introduced, the glass is colored and the transmittance tends to decrease. Therefore, the content of TiO 2 is preferably 0 to 5%, 0 to 3%, 0 to 1%, particularly 0 to 0.02%.
  • ZrO 2 is a component that improves chemical resistance and Young's modulus.
  • the glass tends to be devitrified, and since the introduced raw material is hardly meltable, unmelted crystalline foreign matter may be mixed into the product substrate. Therefore, the content of ZrO 2 is preferably 0 to 10%, 0 to 7%, 0 to 5%, 0.001 to 3%, 0.01 to 1%, particularly 0.1 to 0.5%. is there.
  • Y 2 O 3 , Nb 2 O 5 , and La 2 O 3 have a function of increasing the strain point, Young's modulus, and the like. However, if the content of these components is 5%, especially more than 1%, the raw material cost and product cost may increase.
  • the supporting glass substrate of the present invention preferably has the following characteristics.
  • Crack resistance is 500 gf or more, preferably 600 gf or more, 700 gf or more, 800 gf or more, 900 gf or more, particularly 1000 gf or more. If the crack resistance is low, the support glass substrate will be cracked by the mechanical impact from the transfer conveyor or robot arm in the manufacturing process of the fan-out type WLP, and the support glass substrate will be easily damaged. Become.
  • the average coefficient of thermal expansion in the temperature range of 20 to 220 ° C. is preferably 40 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or more and 120 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less, more preferably more than 50 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. and 110 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less, more preferably 60 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or more and 100 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less, particularly preferably 70 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or more and 95 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less. It is. If the average thermal expansion coefficient in the temperature range of 20 to 220 ° C. is outside the above range, the thermal expansion coefficients of the processed substrate and the supporting glass substrate are difficult to match. If the thermal expansion coefficients of the two are mismatched, a dimensional change (particularly warping deformation) of the processed substrate is likely to occur during processing.
  • the average thermal expansion coefficient in the temperature range of 20 to 260 ° C. is preferably 40 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or more and 120 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less, more preferably more than 50 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. and 110 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less, more preferably 60 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or more and 100 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less, particularly preferably 70 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or more and 95 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less. It is.
  • the average thermal expansion coefficient in the temperature range of 20 to 260 ° C. is outside the above range, the thermal expansion coefficients of the processed substrate and the supporting glass substrate are difficult to match. If the thermal expansion coefficients of the two are mismatched, a dimensional change (particularly warping deformation) of the processed substrate is likely to occur during processing.
  • the average thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380 ° C. is preferably not less than 42 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. and not more than 125 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C., more preferably more than 50 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. and 110 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less, more preferably 60 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or more and 100 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less, particularly preferably 70 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or more and 95 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or less. It is.
  • the average thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380 ° C. is outside the above range, the thermal expansion coefficients of the processed substrate and the supporting glass substrate are difficult to match. If the thermal expansion coefficients of the two are mismatched, a dimensional change (particularly warping deformation) of the processed substrate is likely to occur during processing.
  • the temperature at 10 2.5 dPa ⁇ s is preferably 1680 ° C. or lower, 1620 ° C. or lower, 1580 ° C. or lower, 1550 ° C. or lower, 1520 ° C. or lower, particularly 1500 ° C. or lower.
  • “temperature at 10 2.5 dPa ⁇ s” can be measured by a platinum ball pulling method. The temperature at 10 2.5 dPa ⁇ s corresponds to the melting temperature, and the lower the temperature, the better the melting property.
  • the liquidus temperature is preferably less than 1300 ° C, 1200 ° C or less, 1100 ° C or less, 1050 ° C or less, 1000 ° C or less, particularly 950 ° C or less.
  • the viscosity at the liquidus temperature is preferably 10000 dPa ⁇ s or more, 30000 dPa ⁇ s or more, 60000 dPa ⁇ s or more, 100000 dPa ⁇ s or more, 200000 dPa ⁇ s or more, 300000 dPa ⁇ s or more, 500000 dPa ⁇ s or more, 800000 dPa ⁇ s or more, particularly It is 1000000 dPa ⁇ s or more.
  • the “liquid phase temperature” is obtained by passing the standard sieve 30 mesh (500 ⁇ m) and putting the glass powder remaining on the 50 mesh (300 ⁇ m) in a platinum boat, and holding it in a temperature gradient furnace for 24 hours. It can be calculated by measuring the temperature at which precipitation occurs.
  • the “viscosity at the liquidus temperature” can be measured by a platinum ball pulling method. The viscosity at the liquidus temperature is an index of moldability. The higher the viscosity at the liquidus temperature, the better the moldability.
  • the Young's modulus is preferably 65 GPa or more, 68 GPa or more, 70 GPa or more, 72 GPa or more, 73 GPa or more, particularly 74 GPa or more. If the Young's modulus is too low, it is difficult to maintain the rigidity of the laminate, and the processed substrate is likely to be deformed, warped, damaged, and the like.
  • Young's modulus refers to a value measured by a bending resonance method.
  • the supporting glass substrate of the present invention preferably has the following shape.
  • the support glass substrate of the present invention preferably has a substantially disk shape or wafer shape, and the diameter is preferably 100 mm to 500 mm, particularly preferably 150 mm to 450 mm. This facilitates application to the manufacturing process of the fan out type WLP. You may process into other shapes, for example, shapes, such as a rectangle, as needed.
  • the roundness is preferably 1 mm or less, 0.1 mm or less, 0.05 mm or less, particularly 0.03 mm or less.
  • the “roundness” is a value obtained by subtracting the minimum value from the maximum value of the outer shape of the wafer, excluding the notch portion.
  • the plate thickness is preferably less than 2.0 mm, 1.5 mm or less, 1.2 mm or less, 1.1 mm or less, 1.0 mm or less, particularly 0.9 mm or less. As the plate thickness decreases, the mass of the laminate becomes lighter, and thus handling properties are improved. On the other hand, if the plate thickness is too thin, the strength of the support glass substrate itself is lowered, and it becomes difficult to perform the function as the support substrate. Therefore, the plate thickness is preferably 0.1 mm or more, 0.2 mm or more, 0.3 mm or more, 0.4 mm or more, 0.5 mm or more, 0.6 mm or more, particularly more than 0.7 mm.
  • the total thickness deviation (TTV) is preferably 5 ⁇ m or less, 4 ⁇ m or less, 3 ⁇ m or less, 2 ⁇ m or less, 1 ⁇ m or less, particularly 0.1 to less than 1 ⁇ m.
  • the arithmetic average roughness Ra is preferably 20 nm or less, 10 nm or less, 5 nm or less, 2 nm or less, 1 nm or less, particularly 0.5 nm or less.
  • the higher the surface accuracy the easier it is to improve the processing accuracy.
  • the wiring accuracy can be increased, high-density wiring is possible.
  • the strength of the supporting glass substrate is improved, and the supporting glass substrate and the laminate are hardly damaged. Furthermore, the number of reuses of the supporting glass substrate can be increased.
  • the “arithmetic average roughness Ra” can be measured by a stylus type surface roughness meter or an atomic force microscope (AFM).
  • the support glass substrate of the present invention is preferably formed by polishing the surface after being formed by the overflow downdraw method. In this way, it becomes easy to regulate the total thickness deviation (TTV) to less than 2.0 ⁇ m, 1.5 ⁇ m or less, 1.0 ⁇ m or less, particularly 0.1 to 1.0 ⁇ m or less.
  • TTV total thickness deviation
  • the amount of warp is preferably 60 ⁇ m or less, 55 ⁇ m or less, 50 ⁇ m or less, 1 to 45 ⁇ m, particularly 5 to 40 ⁇ m.
  • the smaller the warp amount the easier it is to improve the accuracy of the processing. In particular, since the wiring accuracy can be increased, high-density wiring is possible.
  • the support glass substrate of the present invention preferably has a notch portion (notch-shaped alignment portion), and the deep portion of the notch portion is more preferably substantially circular or substantially V-groove in plan view.
  • a positioning member such as a positioning pin
  • the notch portion of the support glass substrate is more preferably substantially circular or substantially V-groove in plan view.
  • the positioning member When the positioning member is brought into contact with the notch portion of the support glass substrate, the stress is easily concentrated on the notch portion, and the support glass substrate is easily damaged starting from the notch portion. In particular, when the supporting glass substrate is bent by an external force, the tendency becomes remarkable. Therefore, in the supporting glass substrate of the present invention, it is preferable that all or part of the edge region where the surface of the notch portion and the end surface intersect is chamfered. As a result, it is possible to effectively avoid damage starting from the notch portion.
  • all or part of the edge region where the surface and the end surface of the notch portion intersect is chamfered, and 50% or more of the edge region where the surface and the end surface of the notch portion intersect each other is chamfered. It is preferable that chamfering is performed, 90% or more of the edge region where the surface and the end surface of the notch portion intersect is more preferably chamfered, and the entire edge region where the surface and the end surface of the notch portion intersect each other is more preferable. More preferably, is chamfered. The larger the chamfered area at the notch, the lower the probability of breakage starting from the notch.
  • the chamfering width in the surface direction of the notch portion is preferably 50 to 900 ⁇ m, 200 to 800 ⁇ m, 300 to 700 ⁇ m, 400 to 650 ⁇ m, particularly 500 to 600 ⁇ m. If the chamfering width in the surface direction of the notch portion is too small, the support glass substrate is easily damaged starting from the notch portion. On the other hand, if the chamfering width in the surface direction of the notch portion is too large, the chamfering efficiency is lowered, and the manufacturing cost of the supporting glass substrate is likely to increase.
  • the chamfer width in the thickness direction of the notch is preferably 5 to 80%, 20 to 75%, 30 to 70%, 35 to 65%, particularly 40 to 60% of the thickness. If the chamfer width in the plate thickness direction of the notch portion is too small, the support glass substrate is likely to be damaged starting from the notch portion. On the other hand, if the chamfer width in the plate thickness direction of the notch portion is too large, the external force tends to concentrate on the end surface of the notch portion, and the support glass substrate is likely to be damaged starting from the end surface of the notch portion.
  • the support glass substrate of the present invention preferably has a two-dimensional code information identification part (mark) formed (marked) on the surface.
  • a two-dimensional code information identification part formed (marked) on the surface.
  • the information identification part is generally formed in the peripheral area of the supporting glass substrate, and is recognized by a human eye or the like as a character, a symbol, or the like.
  • the information identification unit of the support glass substrate may be automatically identified by an optical element such as a CCD camera.
  • the information identification unit can be formed by various methods.
  • the information identification unit is formed by irradiating a pulsed laser and ablating the glass in the irradiated region, that is, by laser ablation. It is preferable to form. In this way, ablation can be caused without accumulating excessive heat on the glass in the irradiated region. As a result, not only the length of cracks in the thickness direction but also the length of cracks in the surface direction extending from the dots can be reduced.
  • the support glass substrate of this invention has high crack resistance, when forming an information identification part (especially dot) by laser ablation, it has the advantage that it is hard to generate
  • the information identification unit is preferably composed of a plurality of dots.
  • the outer diameter of the dots is preferably 0.05 to 0.20 mm, 0.07 to 0.13 mm or less, and particularly 0.09 to 0.11 mm. If the external dimensions of the dots are too small, the visibility of the information identification unit tends to be reduced. On the other hand, if the external dimensions of the dots are too large, it is easy to ensure the strength of the support glass substrate.
  • the distance between the centers of adjacent dots is preferably 0.06 to 0.25 mm. If the distance between the centers of adjacent dots is too small, it is easy to ensure the strength of the support glass substrate. On the other hand, if the distance between the centers of the dots adjacent to each other is too large, the visibility of the information identification unit tends to be lowered.
  • the dot shape is preferably an annular groove.
  • the region surrounded by the annular groove (the region inside the groove) remains without being removed by the laser, and thus the strength of the region provided with the information identification unit is reduced. Can be prevented as much as possible.
  • the visibility is not greatly reduced even if the width of the groove is reduced unless the outer diameter is changed. Therefore, if the width dimension is reduced without changing the outer diameter dimension of the groove, the volume of the area inside the groove can be increased accordingly, thereby ensuring the required strength while ensuring visibility. It becomes possible to do.
  • the depth dimension of the groove for forming the dot is preferably 2 to 30 ⁇ m. If the depth dimension of the groove is too small, the visibility of the information identification unit is likely to be lowered. On the other hand, when the depth dimension of the groove is too large, it is easy to ensure the strength of the supporting glass substrate.
  • the support glass substrate of the present invention is preferably formed by a downdraw method, particularly an overflow downdraw method.
  • molten glass overflows from both sides of a heat-resistant bowl-shaped structure, and the overflowed molten glass joins at the lower top end of the bowl-shaped structure and is formed downward to produce a glass substrate. It is a method to do.
  • the surface to be the surface of the glass substrate is not in contact with the bowl-shaped refractory, and is formed in a free surface state. For this reason, with a small amount of polishing, the overall thickness deviation (TTV) can be reduced to less than 2.0 ⁇ m, particularly less than 1.0 ⁇ m. As a result, the manufacturing cost of the glass substrate can be reduced.
  • the support glass substrate of the present invention is preferably not subjected to ion exchange treatment, and preferably has no compressive stress layer on the surface.
  • the manufacturing cost of the supporting glass substrate increases, but when the ion exchange processing is not performed, the manufacturing cost of the supporting glass substrate can be reduced. Further, if the ion exchange process is performed, it becomes difficult to reduce the total thickness deviation (TTV) of the supporting glass substrate, but if the ion exchange process is not performed, such a problem is easily solved.
  • the support glass substrate of this invention does not exclude the aspect which performs an ion exchange process and forms a compressive-stress layer in the surface. Focusing only on the viewpoint of increasing the mechanical strength, it is preferable to perform ion exchange treatment and form a compressive stress layer on the surface.
  • the laminate of the present invention is a laminate comprising at least a processed substrate and a supporting glass substrate for supporting the processed substrate, wherein the supporting glass substrate is the supporting glass substrate described above.
  • the laminate of the present invention preferably has an adhesive layer between the processed substrate and the supporting glass substrate.
  • the adhesive layer is preferably a resin, for example, a thermosetting resin, a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin), or the like.
  • the thing which has the heat resistance which can endure the heat processing in the manufacturing process of a fan out type WLP is preferable. Thereby, it becomes difficult to melt
  • an ultraviolet curable tape can also be used as an adhesive layer.
  • the laminate of the present invention further has a release layer between the processed substrate and the supporting glass substrate, more specifically between the processed substrate and the adhesive layer, or between the supporting glass substrate and the adhesive layer. It is preferable to have a layer. If it does in this way, it will become easy to peel a processed substrate from a support glass substrate, after performing predetermined processing processing to a processed substrate. Peeling of the processed substrate is preferably performed with irradiation light such as laser light from the viewpoint of productivity.
  • the laser light source an infrared laser light source such as a YAG laser (wavelength 1064 nm) or a semiconductor laser (wavelength 780 to 1300 nm) can be used.
  • a resin that decomposes when irradiated with an infrared laser can be used for the release layer.
  • a substance that efficiently absorbs infrared rays and converts it into heat can also be added to the resin.
  • carbon black, graphite powder, fine metal powder, dye, pigment or the like can be added to the resin.
  • the peeling layer is made of a material that causes “in-layer peeling” or “interfacial peeling” by irradiation light such as laser light. That is, when light of a certain intensity is irradiated, the bonding force between atoms or molecules in an atom or molecule disappears or decreases, and ablation or the like is caused to cause peeling.
  • the component contained in the release layer is released as a gas due to irradiation of irradiation light, the separation layer is released, and when the release layer absorbs light and becomes a gas, and its vapor is released, resulting in separation There is.
  • the supporting glass substrate is preferably larger than the processed substrate.
  • the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention includes a step of preparing a laminate including at least a processed substrate and a supporting glass substrate for supporting the processed substrate, and a step of processing the processed substrate.
  • the supporting glass substrate is the above supporting glass substrate.
  • the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention further includes a step of transporting the stacked body.
  • the processing efficiency of a processing process can be improved. Note that the “process for transporting the laminate” and the “process for processing the processed substrate” do not need to be performed separately and may be performed simultaneously.
  • the processing is preferably performed by wiring on one surface of the processed substrate or forming solder bumps on one surface of the processed substrate.
  • the processing since the processed substrate is difficult to change in dimensions during these processes, these steps can be appropriately performed.
  • one surface of a processed substrate (usually the surface opposite to the supporting glass substrate) is mechanically polished, and one surface of the processed substrate (usually a supporting glass substrate) Either a process of dry-etching the surface on the opposite side or a process of wet-etching one surface of the processed substrate (usually the surface opposite to the supporting glass substrate) may be used.
  • the processed substrate is unlikely to warp and the rigidity of the stacked body can be maintained. As a result, the above processing can be performed appropriately.
  • FIG. 1 is a conceptual perspective view showing an example of a laminate 1 of the present invention.
  • the laminate 1 includes a supporting glass substrate 10 and a processed substrate 11.
  • the supporting glass substrate 10 is attached to the processed substrate 11 in order to prevent a dimensional change of the processed substrate 11.
  • a release layer 12 and an adhesive layer 13 are disposed between the support glass substrate 10 and the processed substrate 11.
  • the peeling layer 12 is in contact with the supporting glass substrate 10, and the adhesive layer 13 is in contact with the processed substrate 11.
  • the laminated body 1 is laminated in the order of the supporting glass substrate 10, the release layer 12, the adhesive layer 13, and the processed substrate 11.
  • the shape of the support glass substrate 10 is determined according to the processed substrate 11, in FIG. 1, the shapes of the support glass substrate 10 and the processed substrate 11 are both substantially disk shapes.
  • the release layer 12 for example, a resin that decomposes when irradiated with a laser can be used. A substance that efficiently absorbs laser light and converts it into heat can also be added to the resin. For example, carbon black, graphite powder, fine metal powder, dye, pigment and the like.
  • the release layer 12 is formed by plasma CVD, spin coating by a sol-gel method, or the like.
  • the adhesive layer 13 is made of a resin, and is applied and formed by, for example, various printing methods, inkjet methods, spin coating methods, roll coating methods, and the like.
  • An ultraviolet curable tape can also be used.
  • the adhesive layer 13 is removed by dissolution with a solvent or the like after the supporting glass substrate 10 is peeled from the processed substrate 11 by the peeling layer 12.
  • the ultraviolet curable tape can be removed with a peeling tape after being irradiated with ultraviolet rays.
  • FIG. 2 is a conceptual cross-sectional view showing a manufacturing process of a fan out type WLP.
  • FIG. 2A shows a state in which the adhesive layer 21 is formed on one surface of the support member 20. A peeling layer may be formed between the support member 20 and the adhesive layer 21 as necessary.
  • FIG. 2B a plurality of semiconductor chips 22 are pasted on the adhesive layer 21. At that time, the surface on the active side of the semiconductor chip 22 is brought into contact with the adhesive layer 21.
  • the semiconductor chip 22 is molded with a resin sealing material 23.
  • the sealing material 23 is made of a material having little dimensional change after compression molding and little dimensional change when forming a wiring. Subsequently, as shown in FIGS.
  • FIG. 3 is an upper conceptual view showing an example of the supporting glass substrate of the present invention.
  • the outer shape of the support glass substrate 31 is a substantially perfect wafer.
  • the outer shape of the support glass substrate 31 includes a notch portion 32 and an outer shape portion 33 that occupies an outer shape region other than the notch portion 32.
  • the notch portion 32 has a notch shape, that is, a shape having a depression.
  • the notch-shaped deep portion 34 has a substantially circular shape that is rounded in plan view, and the boundary between the notch portion 32 and the outer shape portion 33 is also a substantially circular shape that is rounded.
  • the outer shape of the support glass substrate 35 is a substantially circular wafer.
  • the outer shape of the support glass substrate 35 includes a notch portion 36 and an outer shape portion 37 that occupies an outer shape region other than the notch portion 36.
  • the notch portion 36 of the support glass substrate 35 has a notch shape, and the deep portion 38 of the notch shape has a substantially V-groove shape.
  • FIG. 4 is a conceptual cross-sectional view in the A-A ′ direction of FIG.
  • chamfered surfaces 42 and 43 are provided in an edge region where the surfaces 39 and 40 and the end surface 41 of the supporting glass substrate 31 intersect with each other.
  • the chamfering width X in the directions 39 and 40 of the supporting glass substrate 31 is 50 to 900 ⁇ m, for example, and the chamfering width Y + Y ′ of the supporting glass substrate 31 in the plate thickness direction is 20 to 80% of the plate thickness t, for example. Yes.
  • the end face 41 and the chamfered surfaces 41 and 42 are connected in a continuously rounded state, and the surfaces 39 and 40 and the chamfered surfaces 42 and 43 are connected in a continuously rounded state. is doing.
  • Tables 1 and 2 show examples of the present invention (sample Nos. 1 to 23).
  • Table 3 shows comparative examples (sample Nos. 24 to 38) of the present invention.
  • Crack resistance refers to a load at which the crack occurrence rate is 50%, and the crack occurrence rate was measured as follows. First, in a constant temperature and humidity chamber maintained at a humidity of 30% and a temperature of 25 ° C., a Vickers indenter set to a predetermined load is driven into the glass surface (optical polishing surface) for 15 seconds, and 15 seconds later, it is generated from the four corners of the indentation. Count the number of cracks (maximum 4 per indentation). Thus, after indenting 20 times and calculating
  • the average coefficient of thermal expansion in the above temperature range is a value measured with a dilatometer.
  • the density is a value measured by the well-known Archimedes method.
  • strain point Ps, the annealing point Ta, and the softening point Ts are values measured based on the method of ASTM C336.
  • the temperatures at high temperature viscosities of 10 4.0 dPa ⁇ s, 10 3.0 dPa ⁇ s and 10 2.5 dPa ⁇ s are values measured by the platinum ball pulling method.
  • the liquid phase temperature TL is the temperature at which crystals pass after passing through a standard sieve 30 mesh (500 ⁇ m), putting the glass powder remaining on 50 mesh (300 ⁇ m) into a platinum boat and holding it in a temperature gradient furnace for 24 hours. It is the value measured by microscopic observation.
  • the viscosity ⁇ at the liquidus temperature TL is a value obtained by measuring the viscosity of the glass at the liquidus temperature TL by a platinum ball pulling method.
  • the Young's modulus, rigidity, and Poisson's ratio are values measured by the resonance method.
  • sample No. In Nos. 1 to 23 the crack resistance is 600 gf or more, and therefore, it is considered that cracks are unlikely to occur during transport of the laminate in the manufacturing process of the fan-out type WLP.
  • sample No. Nos. 24 to 38 have crack resistance of 494 gf or less, and therefore, it is considered that cracks are likely to occur during transport of the laminate in the manufacturing process of the fan-out type WLP.
  • sample Nos. Listed in Tables 1 and 2 were used. After preparing a glass raw material so as to have the glass composition described in 1 to 23, it is supplied to a glass melting furnace and melted at 1600 to 1700 ° C., and then the molten glass is supplied to an overflow downdraw molding apparatus, Each was shaped so as to be 0.8 mm. About the obtained glass substrate, both surfaces were mechanically polished to reduce the overall thickness deviation (TTV) to less than 1 ⁇ m. After processing the obtained glass substrate to ⁇ 300 mm ⁇ 0.8 mm thickness, both surfaces thereof were polished by a polishing apparatus.
  • TTV thickness deviation
  • both surfaces of the glass substrate were sandwiched between a pair of polishing pads having different outer diameters, and both surfaces of the glass substrate were polished while rotating the glass substrate and the pair of polishing pads together.
  • the polishing pad was made of urethane, the average particle size of the polishing slurry used in the polishing treatment was 2.5 ⁇ m, and the polishing rate was 15 m / min.
  • the whole board thickness deviation (TTV) and curvature amount were measured by Bow / Warp measuring apparatus SBW-331ML / d by Kobelco Kaken. As a result, the total thickness deviation (TTV) was 0.85 ⁇ m or less and the warpage amount was 35 ⁇ m or less, respectively.

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Abstract

本発明の支持ガラス基板は、加工基板を支持するための支持ガラス基板であって、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　４５～７０％、Ａｌ２Ｏ３　１０．５超～３５％、Ｂ２Ｏ３　０～２０％、Ｎａ２Ｏ　５～２５％、Ｋ２Ｏ　０～１０％、ＭｇＯ　１～１０％、ＺｎＯ　０～５％を含有し、且つクラック抵抗が５００ｇｆ以上であることを特徴とする。

Description

支持ガラス基板及びこれを用いた積層体
　本発明は、加工基板を支持するための支持ガラス基板及びこれを用いた積層体に関し、具体的には、半導体パッケージ（半導体装置）の製造工程で加工基板の支持に用いる支持ガラス基板及びこれを用いた積層体に関する。
　携帯電話、ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄａｔａ　Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ）等の携帯型電子機器には、小型化及び軽量化が要求されている。これに伴い、これらの電子機器に用いられる半導体チップの実装スペースも厳しく制限されており、半導体チップの高密度な実装が課題になっている。そこで、近年では、三次元実装技術、すなわち半導体チップ同士を積層し、各半導体チップ間を配線接続することにより、半導体パッケージの高密度実装を図っている。
　また、従来のウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）は、バンプをウエハの状態で形成した後、ダイシングで個片化することにより作製されている。しかし、従来のＷＬＰは、ピン数を増加させ難いことに加えて、半導体チップの裏面が露出した状態で実装されるため、半導体チップの欠け等が発生し易いという問題があった。
　そこで、新たなＷＬＰとして、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰが提案されている。ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰは、ピン数を増加させることが可能であり、また半導体チップの端部を保護することにより、半導体チップの欠け等を防止することができる。
　ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰでは、例えば、複数の半導体チップを支持ガラス基板上に配列した後、樹脂の封止材でモールドして、加工基板を形成した後に、加工基板の一方の表面に配線する工程、半田バンプを形成する工程等を有する。
　ところで、加工基板と支持ガラス基板とを備える積層体は、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程において、支持ガラス基板側が搬送コンベアと接触した状態で水平方向に搬送される。またロボットアーム等により支持ガラス基板の端縁部を把持した状態で搬送が行われる。
　しかし、支持ガラス基板は、積層体の搬送時に、搬送コンベアやロボットアームから機械的衝撃を受け易い。そして、支持ガラス基板が機械的衝撃を受けると、支持ガラス基板にクラックが生じ、そのクラックを起点にして、支持ガラス基板が破損する場合があった。
　本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、その技術的課題は、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程において、積層体の搬送時にクラックが生じ難い支持ガラス基板を創案することである。
　本発明者は、種々の実験を繰り返した結果、支持ガラス基板としてアルカリアルミノシリケートガラスを採択すると共に、そのアルカリアルミノシリケートガラスのガラス組成範囲を厳密に規制してクラック抵抗を高めることにより、上記技術的課題を解決し得ることを見出し、本発明として、提案するものである。すなわち、本発明の支持ガラス基板は、加工基板を支持するための支持ガラス基板であって、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　４５～７０％、Ａｌ２Ｏ３　１０．５超～３５％、Ｂ２Ｏ３　０～２０％、Ｎａ２Ｏ　５～２５％、Ｋ２Ｏ　０～１０％、ＭｇＯ　１～１０％、ＺｎＯ　０～５％を含有し、且つクラック抵抗が５００ｇｆ以上であることを特徴とする。ここで、「クラック抵抗」とは、クラック発生率が５０％となる荷重のことを指す。「クラック発生率」は、次のようにして測定した値を指す。まず湿度３０％、温度２５℃に保持された恒温恒湿槽内において、所定荷重に設定したビッカース圧子をガラス表面（光学研磨面）に１５秒間打ち込み、その１５秒後に圧痕の４隅から発生するクラックの数をカウント（１つの圧痕につき最大４とする）する。このようにして圧子を２０回打ち込み、総クラック発生数を求めた後、（総クラック発生数／８０）×１００の式により求める。クラック抵抗の測定装置には、例えば、フューチュアテック社製のマルチビッカース硬度計ＦＬＣ－５０ＶＸが使用可能である。
　第二に、本発明の支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０～６７％、Ａｌ２Ｏ３　１９．７～３３％、Ｂ２Ｏ３　０～１５％、Ｎａ２Ｏ　５～２０％、Ｋ２Ｏ　０～３％、ＭｇＯ　１～５．５％、ＺｎＯ　０～３％を含有し、且つクラック抵抗が７００ｇｆ以上であることが好ましい。
　第三に、本発明の支持ガラス基板は、２０～２２０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が４０×１０－７／℃以上、且つ１２０×１０－７／℃以下であることが好ましい。このようにすれば、加工基板内で半導体チップと封止材の割合を変更した場合に、加工基板と支持ガラス基板の熱膨張係数を厳密に整合させ易くなる。そして、両者の熱膨張係数が整合すると、加工処理時に加工基板の寸法変化（特に、反り変形）を抑制し易くなる。結果として、加工基板の一方の表面に対して、高密度に配線することが可能になり、また半田バンプを正確に形成することも可能になる。ここで、「２０～２２０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数」は、ディラトメーターで測定可能である。
　第四に、本発明の支持ガラス基板は、２０～２６０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が４０×１０－７／℃以上、且つ１２０×１０－７／℃以下であることが好ましい。ここで、「２０～２６０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数」は、ディラトメーターで測定可能である。
　第五に、本発明の支持ガラス基板は、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が４２×１０－７／℃以上、且つ１２５×１０－７／℃以下であることが好ましい。ここで、「３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数」は、ディラトメーターで測定可能である。
　第六に、本発明の支持ガラス基板は、直径１００～５００ｍｍのウエハ形状又は略円板形状を有し、板厚が２．０ｍｍ未満であり、全体板厚偏差（ＴＴＶ）が５μｍ以下であり、且つ反り量が６０μｍ以下であることが好ましい。ここで、「反り量」は、支持ガラス基板全体における最高位点と最小二乗焦点面との間の最大距離の絶対値と、最低位点と最小二乗焦点面との絶対値との合計を指し、例えばコベルコ科研社製のＢｏｗ／Ｗａｒｐ測定装置ＳＢＷ－３３１Ｍ／Ｌｄにより測定可能である。
　第七に、本発明の積層体は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることが好ましい。
　第八に、本発明の積層体は、加工基板が、少なくとも封止材でモールドされた半導体チップを備えることが好ましい。
　第九に、本発明の半導体パッケージの製造方法は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることが好ましい。
　第十に、本発明の半導体パッケージの製造方法は、加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことが好ましい。
　第十一に、本発明の半導体パッケージの製造方法は、加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことが好ましい。
　第十二に、本発明の半導体パッケージは、上記の半導体パッケージの製造方法により作製されたことが好ましい。
　第十三に、本発明の電子機器は、半導体パッケージを備える電子機器であって、半導体パッケージが、上記の半導体パッケージであることが好ましい。
本発明の積層体の一例を示す概念斜視図である。 ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程を示す概念断面図である。 本発明の支持ガラス基板の一例を示す上方概念図である。 図３（ａ）のＡ－Ａ’方向の断面概念図である。
　本発明の支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　４５～７０％、Ａｌ２Ｏ３　１０．５超～３５％、Ｂ２Ｏ３　０～２０％、Ｎａ２Ｏ　５～２５％、Ｋ２Ｏ　０～１０％、ＭｇＯ　１～１０％、ＺｎＯ　０～５％を含有することを特徴とする。上記のように各成分の含有量を限定した理由を以下に示す。なお、各成分の含有量の説明において、％表示は、質量％を表す。
　ＳｉＯ２は、ガラスの骨格を形成する主成分である。ＳｉＯ２の含有量が少な過ぎると、ヤング率、耐酸性が低下し易くなる。しかし、ＳｉＯ２の含有量が多過ぎると、高温粘度が高くなり、溶融性や成形性が低下し易くなることに加えて、クリストバライト等の失透結晶が析出し易くなって、液相温度が上昇し易くなる。よって、ＳｉＯ２の下限範囲は４５％以上であり、好ましくは４７％以上、特に４９％以上であり、上限範囲は７０％以下であり、好ましくは６８％以下、６６％以下、特に６５％以下であり、溶融性を優先する場合、６４％以下、６３％以下、特に６２％以下である。
　Ａｌ２Ｏ３は、クラック抵抗を高める成分である。また分相、失透を抑制する成分である。しかし、Ａｌ２Ｏ３の含有量が多過ぎると、高温粘度が高くなり、溶融性と成形性が低下し易くなる。よって、Ａｌ２Ｏ３の下限範囲は１０．５％超であり、好ましくは１１％以上、１３％以上、１５％以上、１７％以上、特に１９．７％以上、上限範囲は３５％以下であり、好ましくは３０％以下、溶融性や成形性を優先する場合、２５％以下、特に２０％以下である。
　Ｂ２Ｏ３は、溶融性や耐失透性を高める成分であり、またクラック抵抗を改善する成分である。しかし、Ｂ２Ｏ３の含有量が多過ぎると、ヤング率や耐酸性が低下し易くなる。よって、Ｂ２Ｏ３の下限範囲は０％以上であり、好ましくは１％以上、２％以上、３％以上、特に４％以上であり、上限範囲は２０％以下であり、好ましくは１５％以下、１３％以下、１１％以下、特に９％以下である。
　Ｎａ２Ｏは、熱膨張係数を調整するために重要な成分であり、またガラス原料の初期の溶融に寄与する成分である。しかし、Ｎａ２Ｏの含有量が多過ぎると、熱膨張係数が不当に高くなる虞がある。よって、Ｎａ２Ｏ下限範囲は５％以上であり、好ましくは６％以上、７％以上、８％以上、特に９％以上であり、上限範囲は２５％以下であり、好ましくは２３％以下、２１％以下、特に１８％以下である。
　Ｋ２Ｏは、熱膨張係数を調整するための成分であり、またガラス原料の初期の溶融に寄与する成分である。しかし、Ｋ２Ｏの含有量が多過ぎると、熱膨張係数が不当に高くなる虞がある。よって、Ｋ２Ｏの含有量は０～１０％であり、好ましくは０～６％、０～５％、０．１～１．９％、特に０．２～１％未満である。
　ＭｇＯは、クラック抵抗を高める成分である。また高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であり、アルカリ土類金属酸化物の中では、ヤング率を顕著に高める成分である。しかし、ＭｇＯの含有量が多くなると、耐失透性が低下し易くなる。よって、ＭｇＯの含有量は１～１０％であり、好ましくは１～６％、１～５．５％、２～５％、特に３～４％未満である。
　質量比（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３＋ＭｇＯ）／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）は、好ましくは１．３以上、１．５以上、２．０以上、２．５以上、特に３．０以上である。質量比（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３＋ＭｇＯ）／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）が小さ過ぎると、クラック抵抗が低下したり、傷が付き易くなって、支持ガラス基板がクラックで破損し易くなる。
　ＺｎＯは、高温粘性を下げて、溶融性や成形性を顕著に高める成分であり、また耐候性を高める成分である。しかし、ＺｎＯの含有量が多過ぎると、ガラスが失透し易くなる。よって、ＺｎＯの含有量は０～５％であり、好ましくは０～４％、０．１～２％、特に０．３～１．５％である。
　上記成分以外にも、任意成分として、他の成分を導入してもよい。なお、上記成分以外の他の成分の含有量は、本発明の効果を的確に享受する観点から、合量で２５％以下、２０％以下、１５％以下、１０％以下、特に５％以下が好ましい。
　Ｌｉ２Ｏは、高温粘性を下げて、溶融性の成形性を顕著に高める成分である。またヤング率を高める成分である。しかし、Ｌｉ２Ｏの含有量が多過ぎると、ガラスが失透し易くなる。よって、Ｌｉ２Ｏの含有量は、好ましくは０～７％、０～３％、０～１％、特に０．０１～０．１％である。
　ＣａＯは、高温粘性を下げて、溶融性の成形性を顕著に高める成分である。またアルカリ土類金属酸化物の中では、導入原料が比較的安価であるため、原料コストを低廉化する成分である。しかし、ＣａＯの含有量が多過ぎると、ガラスが失透し易くなる。よって、ＣａＯの含有量は、好ましくは０～１０％、１～８％、３～８％、２～６％、特に２～５％である。
　ＳｒＯは、分相を抑制する成分であり、また耐失透性を高める成分である。しかし、ＳｒＯの含有量が多過ぎると、ガラスが失透し易くなる。よって、ＳｒＯの含有量は、好ましくは０～２０％、０～１５％、０～９％、０～５％、０～４％、０～３％、０～２％、特に０～１％未満である。なお、耐失透性の向上を優先する場合、ＳｒＯの好適な下限範囲は０．１％以上、１％以上、２％以上、４％以上、特に７％以上である。
　ＢａＯは、耐失透性を高める成分である。しかし、ＢａＯの含有量が多過ぎると、ガラスが失透し易くなる。よって、ＢａＯの含有量は、好ましくは０～２０％、０～１４％、０～９％、０～５％、０～４％、０～３％、０～２％、特に０～１％未満である。なお、耐失透性の向上を優先する場合、ＢａＯの好適な下限範囲は０．１％以上、１％以上、特に３％以上である。
　Ｆｅ２Ｏ３は、不純物成分、或いは清澄剤成分として導入し得る成分である。しかし、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が多過ぎると、紫外線透過率が低下する虞がある。すなわち、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が多過ぎると、樹脂層、剥離層を介して、加工基板と支持ガラス基板の接着と脱着を適正に行うことが困難になる場合がある。よって、Ｆｅ２Ｏ３の含有量は、好ましくは０．０５％以下、０．０３％以下、０．００１～０．０２％、特に０．００５～０．０１％である。なお、本発明でいう「Ｆｅ２Ｏ３」は、２価の酸化鉄と３価の酸化鉄を含み、２価の酸化鉄は、Ｆｅ２Ｏ３に換算して、取り扱うものとする。他の酸化物についても、同様にして、表記の酸化物を基準にして取り扱うものとする。
　清澄剤として、Ａｓ２Ｏ３が有効に作用するが、環境的観点で言えば、これら成分を極力低減することが好ましい。Ａｓ２Ｏ３の含有量は、好ましくは１％以下、０．５％以下、特に０．１％以下であり、実質的に含有させないことが望ましい。ここで、「実質的にＡｓ２Ｏ３を含有しない」とは、ガラス組成中のＡｓ２Ｏ３の含有量が０．０５％未満の場合を指す。
　Ｓｂ２Ｏ３は、低温域で良好な清澄作用を有する成分である。Ｓｂ２Ｏ３の含有量は、好ましくは０～１％、０．００１～１％、０．０１～０．９％、特に０．０５～０．７％である。Ｓｂ２Ｏ３の含有量が多過ぎると、ガラスが着色し易くなる。
　ＳｎＯ２は、高温域で良好な清澄作用を有する成分であり、また高温粘性を低下させる成分である。ＳｎＯ２の含有量は、好ましくは０～１％、０．００１～１％、０．０１～０．９％、特に０．０５～０．７％である。ＳｎＯ２の含有量が多過ぎると、ＳｎＯ２の失透結晶が析出し易くなる。なお、ＳｎＯ２の含有量が少な過ぎると、上記効果を享受し難くなる。
　ＳＯ３は、清澄作用を有する成分である。ＳＯ３の含有量は、好ましくは０～１％、０．００１～１％、０．０１～０．５％、特に０．０５～０．３％である。ＳＯ３の含有量が多過ぎると、ＳＯ２リボイルが発生し易くなる。
　更に、ガラス特性が損なわれない限り、清澄剤として、Ｆ、Ｃ、或いはＡｌ、Ｓｉ等の金属粉末を各々１％程度まで導入してもよい。また、ＣｅＯ２等も１％程度まで導入し得るが、紫外線透過率の低下に留意する必要がある。
　Ｃｌは、ガラスの溶融を促進する成分である。ガラス組成中にＣｌを導入すれば、溶融温度の低温化、清澄作用の促進を図ることができ、結果として、溶融コストの低廉化、ガラス製造窯の長寿命化を達成し易くなる。しかし、Ｃｌの含有量が多過ぎると、ガラス製造窯周囲の金属部品を腐食させる虞がある。よって、Ｃｌの含有量は、好ましくは３％以下、１％以下、０．５％以下、特に０．１％以下である。
　Ｐ２Ｏ５は、失透結晶の析出を抑制し得る成分である。但し、Ｐ２Ｏ５を多量に導入すると、ガラスが分相し易くなる。よって、Ｐ２Ｏ５の含有量は、好ましくは０～１５％、０～２．５％、０～１．５％、０～０．５％、特に０．１～０．３％である。
　ＴｉＯ２は、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であると共に、ソラリゼーションを抑制する成分である。しかし、ＴｉＯ２を多量に導入すると、ガラスが着色して、透過率が低下し易くなる。よって、ＴｉＯ２の含有量は、好ましくは０～５％、０～３％、０～１％、特に０～０．０２％である。
　ＺｒＯ２は、耐薬品性やヤング率を改善する成分である。しかし、ＺｒＯ２を多量に導入すると、ガラスが失透し易くなり、また導入原料が難熔解性であるため、未熔解の結晶性異物が製品基板に混入する虞がある。よって、ＺｒＯ２の含有量は、好ましくは０～１０％、０～７％、０～５％、０．００１～３％、０．０１～１％、特に０．１～０．５％である。
　Ｙ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｌａ２Ｏ３には、歪点、ヤング率等を高める働きがある。しかし、これらの成分の含有量が各々５％、特に１％より多いと、原料コスト、製品コストが高騰する虞がある。
　本発明の支持ガラス基板は、以下の特性を有することが好ましい。
　クラック抵抗は５００ｇｆ以上であり、好ましくは６００ｇｆ以上、７００ｇｆ以上、８００ｇｆ以上、９００ｇｆ以上、特に１０００ｇｆ以上である。クラック抵抗が低いと、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程において、搬送コンベアやロボットアームからの機械的衝撃により、支持ガラス基板にクラックが生じ、そのクラックを起点にして、支持ガラス基板が破損し易くなる。
　２０～２２０℃の温度範囲における平均熱膨張係数は、好ましくは４０×１０－７／℃以上、且つ１２０×１０－７／℃以下、より好ましくは５０×１０－７／℃超、且つ１１０×１０－７／℃以下、更に好ましくは６０×１０－７／℃以上、且つ１００×１０－７／℃以下、特に好ましくは７０×１０－７／℃以上、且つ９５×１０－７／℃以下である。２０～２２０℃の温度範囲における平均熱膨張係数が上記範囲外になると、加工基板と支持ガラス基板の熱膨張係数が整合し難くなる。そして、両者の熱膨張係数が不整合になると、加工処理時に加工基板の寸法変化（特に反り変形）が生じ易くなる。
　２０～２６０℃の温度範囲における平均熱膨張係数は、好ましくは４０×１０－７／℃以上、且つ１２０×１０－７／℃以下、より好ましくは５０×１０－７／℃超、且つ１１０×１０－７／℃以下、更に好ましくは６０×１０－７／℃以上、且つ１００×１０－７／℃以下、特に好ましくは７０×１０－７／℃以上、且つ９５×１０－７／℃以下である。２０～２６０℃の温度範囲における平均熱膨張係数が上記範囲外になると、加工基板と支持ガラス基板の熱膨張係数が整合し難くなる。そして、両者の熱膨張係数が不整合になると、加工処理時に加工基板の寸法変化（特に反り変形）が生じ易くなる。
　３０～３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数は、好ましくは４２×１０－７／℃以上、且つ１２５×１０－７／℃以下、より好ましくは５０×１０－７／℃超、且つ１１０×１０－７／℃以下、更に好ましくは６０×１０－７／℃以上、且つ１００×１０－７／℃以下、特に好ましくは７０×１０－７／℃以上、且つ９５×１０－７／℃以下である。３０～３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数が上記範囲外になると、加工基板と支持ガラス基板の熱膨張係数が整合し難くなる。そして、両者の熱膨張係数が不整合になると、加工処理時に加工基板の寸法変化（特に反り変形）が生じ易くなる。
　１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、好ましくは１６８０℃以下、１６２０℃以下、１５８０℃以下、１５５０℃以下、１５２０℃以下、特に１５００℃以下である。１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度が高くなると、溶融性が低下して、ガラス基板の製造コストが高騰する。ここで、「１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度」は、白金球引き上げ法で測定可能である。なお、１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、溶融温度に相当し、この温度が低い程、溶融性が向上する。
　液相温度は、好ましくは１３００℃未満、１２００℃以下、１１００℃以下、１０５０℃以下、１０００℃以下、特に９５０℃以下である。液相温度における粘度は、好ましくは１００００ｄＰａ・ｓ以上、３００００ｄＰａ・ｓ以上、６００００ｄＰａ・ｓ以上、１０００００ｄＰａ・ｓ以上、２０００００ｄＰａ・ｓ以上、３０００００ｄＰａ・ｓ以上、５０００００ｄＰａ・ｓ以上、８０００００ｄＰａ・ｓ以上、特に１００００００ｄＰａ・ｓ以上である。このようにすれば、成形時に失透結晶が析出し難くなるため、ダウンドロー法、特にオーバーフローダウンドロー法でガラス基板を成形し易くなる。ここで、「液相温度」は、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れた後、温度勾配炉中に２４時間保持して、結晶が析出する温度を測定することにより算出可能である。「液相温度における粘度」は、白金球引き上げ法で測定可能である。なお、液相温度における粘度は、成形性の指標であり、液相温度における粘度が高い程、成形性が向上する。
　本発明の支持ガラス基板において、ヤング率は、好ましくは６５ＧＰａ以上、６８ＧＰａ以上、７０ＧＰａ以上、７２ＧＰａ以上、７３ＧＰａ以上、特に７４ＧＰａ以上である。ヤング率が低過ぎると、積層体の剛性を維持し難くなり、加工基板の変形、反り、破損等が発生し易くなる。ここで、「ヤング率」は、曲げ共振法により測定した値を指す。
　本発明の支持ガラス基板は、以下の形状を有することが好ましい。
　本発明の支持ガラス基板は、略円板状又はウエハ状が好ましく、その直径は１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下、特に１５０ｍｍ以上４５０ｍｍ以下が好ましい。このようにすれば、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程に適用し易くなる。必要に応じて、それ以外の形状、例えば矩形等の形状に加工してもよい。
　真円度は、１ｍｍ以下、０．１ｍｍ以下、０．０５ｍｍ以下、特に０．０３ｍｍ以下が好ましい。真円度が小さい程、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程に適用し易くなる。なお、「真円度」は、ノッチ部を除き、ウエハの外形の最大値から最小値を減じた値である。
　板厚は、好ましくは２．０ｍｍ未満、１．５ｍｍ以下、１．２ｍｍ以下、１．１ｍｍ以下、１．０ｍｍ以下、特に０．９ｍｍ以下である。板厚が薄くなる程、積層体の質量が軽くなるため、ハンドリング性が向上する。一方、板厚が薄過ぎると、支持ガラス基板自体の強度が低下して、支持基板としての機能を果たし難くなる。よって、板厚は、好ましくは０．１ｍｍ以上、０．２ｍｍ以上、０．３ｍｍ以上、０．４ｍｍ以上、０．５ｍｍ以上、０．６ｍｍ以上、特に０．７ｍｍ超である。
　全体板厚偏差（ＴＴＶ）は、好ましくは５μｍ以下、４μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１μｍ以下、特に０．１～１μｍ未満である。また算術平均粗さＲａは、好ましくは２０ｎｍ以下、１０ｎｍ以下、５ｎｍ以下、２ｎｍ以下、１ｎｍ以下、特に０．５ｎｍ以下である。表面精度が高い程、加工処理の精度を高め易くなる。特に配線精度を高めることができるため、高密度の配線が可能になる。また支持ガラス基板の強度が向上して、支持ガラス基板及び積層体が破損し難くなる。更に支持ガラス基板の再利用回数を増やすことができる。なお、「算術平均粗さＲａ」は、触針式表面粗さ計又は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定可能である。
　本発明の支持ガラス基板は、オーバーフローダウンドロー法で成形した後に、表面を研磨されてなることが好ましい。このようにすれば、全体板厚偏差（ＴＴＶ）を２．０μｍ未満、１．５μｍ以下、１．０μｍ以下、特に０．１～１．０μｍ未満に規制し易くなる。
　反り量は、好ましくは６０μｍ以下、５５μｍ以下、５０μｍ以下、１～４５μｍ、特に５～４０μｍである。反り量が小さい程、加工処理の精度を高め易くなる。特に配線精度を高めることができるため、高密度の配線が可能になる。
　本発明の支持ガラス基板は、ノッチ部（ノッチ形状の位置合わせ部）を有することが好ましく、ノッチ部の深部は平面視で略円形状又は略Ｖ溝形状であることがより好ましい。これにより、支持ガラス基板のノッチ部に位置決めピン等の位置決め部材を当接させて、支持ガラス基板を位置固定し易くなる。結果として、支持ガラス基板と加工基板の位置合わせが容易になる。特に、加工基板にもノッチ部を形成して、位置決め部材を当接させると、積層体全体の位置合わせが容易になる。なお、ノッチ部は、位置決め部材が当接されるため、クラックが発生し易いが、本発明の支持ガラス基板は、クラック抵抗が高いため、ノッチ部を有する場合に特に有効である。
　支持ガラス基板のノッチ部に位置決め部材を当接すると、ノッチ部に応力が集中し易くなり、ノッチ部を起点にして、支持ガラス基板が破損し易くなる。特に、支持ガラス基板が外力により湾曲した時に、その傾向が顕著になる。よって、本発明の支持ガラス基板は、ノッチ部の表面と端面とが交差する端縁領域の全部又は一部が面取りされていることが好ましい。これにより、ノッチ部を起点にした破損を有効に回避することができる。
　本発明の支持ガラス基板は、ノッチ部の表面と端面とが交差する端縁領域の全部又は一部が面取りされており、ノッチ部の表面と端面とが交差する端縁領域の５０％以上が面取りされていることが好ましく、ノッチ部の表面と端面とが交差する端縁領域の９０％以上が面取りされていることがより好ましく、ノッチ部の表面と端面とが交差する端縁領域の全部が面取りされていることが更に好ましい。ノッチ部において面取りされている領域が大きい程、ノッチ部を起点にした破損の確率を低減することができる。
　ノッチ部の表面方向の面取り幅は、好ましくは５０～９００μｍ、２００～８００μｍ、３００～７００μｍ、４００～６５０μｍ、特に５００～６００μｍである。ノッチ部の表面方向の面取り幅が小さ過ぎると、ノッチ部を起点にして、支持ガラス基板が破損し易くなる。一方、ノッチ部の表面方向の面取り幅が大き過ぎると、面取り効率が低下して、支持ガラス基板の製造コストが高騰し易くなる。
　ノッチ部の板厚方向の面取り幅は、好ましくは板厚の５～８０％、２０～７５％、３０～７０％、３５～６５％、特に４０～６０％である。ノッチ部の板厚方向の面取り幅が小さ過ぎると、ノッチ部を起点にして、支持ガラス基板が破損し易くなる。一方、ノッチ部の板厚方向の面取り幅が大き過ぎると、外力がノッチ部の端面に集中し易くなり、ノッチ部の端面を起点にして、支持ガラス基板が破損し易くなる。
　本発明の支持ガラス基板は、表面に二次元コードの情報識別部(マーク)が形成（マーキング）されていること好ましい。このようにすれば、支持ガラス基板の生産情報等（例えば、ガラス基板の寸法、線熱膨張係数、ロット、全体板厚偏差、製造者名、販売者名）を管理、認識することができる。なお、情報識別部は、一般的に支持ガラス基板の周縁領域に形成されており、文字、記号等として、人間の目等により認識される。或いは、支持ガラス基板の情報識別部は、ＣＣＤカメラ等の光学素子により自動的に識別されることもある。
　情報識別部は、種々の方法で形成し得るが、本発明では、パルスレーザーを照射して、その照射領域のガラスをアブレーションして情報識別部を形成すること、つまりレーザーアブレーションにより情報識別部を形成することが好ましい。このようにすれば、照射領域のガラスに過剰な熱を蓄積させることなく、アブレーションを生じさせることができる。結果として、厚み方向のクラックの長さだけでなく、ドットから伸張する表面方向のクラックの長さを低減することができる。なお、本発明の支持ガラス基板は、クラック抵抗が高いため、レーザーアブレーションにより情報識別部（特にドット）を形成する際に、クラックが発生し難いという利点を有する。
　情報識別部は、複数のドットにより構成されていることが好ましい。ドットの外径寸法は、好ましくは０．０５～０．２０ｍｍ、０．０７～０．１３ｍｍ以下、特に０．０９～０．１１ｍｍである。ドットの外形寸法が小さ過ぎると、情報識別部の視認性が低下し易くなる。一方、ドットの外形寸法が大き過ぎると、支持ガラス基板の強度を確保し易くなる。
　互いに隣り合うドットの中心間距離は０．０６～０．２５ｍｍが好ましい。互いに隣り合うドットの中心間距離が小さ過ぎると、支持ガラス基板の強度を確保し易くなる。一方、互いに隣り合うドットの中心間距離が大き過ぎると、情報識別部の視認性が低下し易くなる。
　ドットの形状は環状の溝であることが好ましい。このようにドットを環状の溝にすると、この環状の溝で囲まれた領域（溝より内側の領域）がレーザーにより除去されることなく残存するため、情報識別部が設けられた領域の強度低下を可及的に防止することが可能となる。また、環状の溝であれば、外径寸法が変わらない限り溝の幅寸法を小さくしたとしても視認性がそれほど大きく低下することもない。よって、溝の外径寸法を変えることなく幅寸法を小さくすれば、その分だけ溝よりも内側の領域の体積を大きくとることができ、これにより視認性を確保しつつも所要の強度を確保することが可能となる。
　ドットを形成する溝の深さ寸法は２～３０μｍが好ましい。溝の深さ寸法が小さ過ぎると、情報識別部の視認性が低下し易くなる。一方、溝の深さ寸法が大き過ぎると、支持ガラス基板の強度を確保し易くなる。
　本発明の支持ガラス基板は、ダウンドロー法、特にオーバーフローダウンドロー法で成形されてなることが好ましい。オーバーフローダウンドロー法は、耐熱性の樋状構造物の両側から溶融ガラスを溢れさせて、溢れた溶融ガラスを樋状構造物の下頂端で合流させながら、下方に延伸成形してガラス基板を製造する方法である。オーバーフローダウンドロー法では、ガラス基板の表面となるべき面は樋状耐火物に接触せず、自由表面の状態で成形される。このため、少量の研磨によって、全体板厚偏差（ＴＴＶ）を２．０μｍ未満、特に１．０μｍ未満まで低減することができる。結果として、ガラス基板の製造コストを低廉化することができる。
　本発明の支持ガラス基板は、イオン交換処理が行われていないことが好ましく、表面に圧縮応力層を有しないことが好ましい。イオン交換処理を行うと、支持ガラス基板の製造コストが高騰するが、イオン交換処理を行わなければ、支持ガラス基板の製造コストを低下させることが可能になる。更にイオン交換処理を行うと、支持ガラス基板の全体板厚偏差（ＴＴＶ）を低減し難くなるが、イオン交換処理を行わなければ、そのような不具合を解消し易くなる。なお、本発明の支持ガラス基板は、イオン交換処理を行い、表面に圧縮応力層を形成する態様を排除するものではない。機械的強度を高める観点だけに着目すると、イオン交換処理を行い、表面に圧縮応力層を形成することが好ましい。
　本発明の積層体は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることを特徴とする。本発明の積層体は、加工基板と支持ガラス基板の間に、接着層を有することが好ましい。接着層は、樹脂であることが好ましく、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化樹脂）等が好ましい。またｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程における熱処理に耐える耐熱性を有するものが好ましい。これにより、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程で接着層が融解し難くなり、加工処理の精度を高めることができる。なお、加工基板と支持ガラス基板を容易に固定するため、紫外線硬化型テープを接着層として使用することもできる。
　本発明の積層体は、更に加工基板と支持ガラス基板の間に、より具体的には加工基板と接着層の間に、剥離層を有すること、或いは支持ガラス基板と接着層の間に、剥離層を有することが好ましい。このようにすれば、加工基板に対して、所定の加工処理を行った後に、加工基板を支持ガラス基板から剥離し易くなる。加工基板の剥離は、生産性の観点から、レーザー光等の照射光により行うことが好ましい。レーザー光源として、ＹＡＧレーザー（波長１０６４ｎｍ）、半導体レーザー（波長７８０～１３００ｎｍ）等の赤外光レーザー光源を用いることができる。また、剥離層には赤外線レーザーを照射することで分解する樹脂を使用することができる。また、赤外線を効率良く吸収し、熱に変換する物質を樹脂に添加することもできる。例えば、カーボンブラック、グラファイト粉、微粒子金属粉末、染料、顔料等を樹脂に添加することもできる。
　剥離層は、レーザー光等の照射光により「層内剥離」又は「界面剥離」が生じる材料で構成される。つまり一定の強度の光を照射すると、原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失又は減少して、アブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ）等を生じ、剥離を生じさせる材料で構成される。なお、照射光の照射により、剥離層に含まれる成分が気体となって放出されて分離に至る場合と、剥離層が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
　本発明の積層体において、支持ガラス基板は、加工基板よりも大きいことが好ましい。これにより、加工基板と支持ガラス基板を支持する際に、両者の中心位置が僅かに離間した場合でも、支持ガラス基板から加工基板の縁部が食み出し難くなる。
　本発明の半導体パッケージの製造方法は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることを特徴とする。
　本発明の半導体パッケージの製造方法は、更に積層体を搬送する工程を有することが好ましい。これにより、加工処理の処理効率を高めることができる。なお、「積層体を搬送する工程」と「加工基板に対して、加工処理を行う工程」とは、別途に行う必要はなく、同時であってもよい。
　本発明の半導体パッケージの製造方法において、加工処理は、加工基板の一方の表面に配線する処理、或いは加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する処理が好ましい。本発明の半導体パッケージの製造方法では、これらの処理時に加工基板が寸法変化し難いため、これらの工程を適正に行うことができる。
　加工処理として、上記以外にも、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）を機械的に研磨する処理、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）をドライエッチングする処理、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）をウェットエッチングする処理の何れかであってもよい。なお、本発明の半導体パッケージの製造方法では、加工基板に反りが発生し難いと共に、積層体の剛性を維持することができる。結果として、上記加工処理を適正に行うことができる。
　図面を参酌しながら、本発明を更に説明する。
　図１は、本発明の積層体１の一例を示す概念斜視図である。図１では、積層体１は、支持ガラス基板１０と加工基板１１とを備えている。支持ガラス基板１０は、加工基板１１の寸法変化を防止するために、加工基板１１に貼着されている。支持ガラス基板１０と加工基板１１との間には、剥離層１２と接着層１３が配置されている。剥離層１２は、支持ガラス基板１０と接触しており、接着層１３は、加工基板１１と接触している。
　つまり、積層体１は、支持ガラス基板１０、剥離層１２、接着層１３、加工基板１１の順に積層配置されている。支持ガラス基板１０の形状は、加工基板１１に応じて決定されるが、図１では、支持ガラス基板１０及び加工基板１１の形状は、何れも略円板形状である。剥離層１２は、例えばレーザーを照射することで分解する樹脂を使用することができる。また、レーザー光を効率よく吸収し、熱に変換する物質を樹脂に添加することもできる。例えば、カーボンブラック、グラファイト粉、微粒子金属粉末、染料、顔料等である。剥離層１２は、プラズマＣＶＤや、ゾル－ゲル法によるスピンコート等により形成される。接着層１３は、樹脂で構成されており、例えば、各種印刷法、インクジェット法、スピンコート法、ロールコート法等により塗布形成される。また、紫外線硬化型テープも使用可能である。接着層１３は、剥離層１２により加工基板１１から支持ガラス基板１０が剥離された後、溶剤等により溶解除去される。紫外線硬化型テープは、紫外線を照射した後、剥離用テープにより除去可能である。
　図２は、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程を示す概念断面図である。図２（ａ）は、支持部材２０の一方の表面上に接着層２１を形成した状態を示している。必要に応じて、支持部材２０と接着層２１の間に剥離層を形成してもよい。次に、図２（ｂ）に示すように、接着層２１の上に複数の半導体チップ２２を貼付する。その際、半導体チップ２２のアクティブ側の面を接着層２１に接触させる。次に、図２（ｃ）に示すように、半導体チップ２２を樹脂の封止材２３でモールドする。封止材２３は、圧縮成形後の寸法変化、配線を成形する際の寸法変化が少ない材料が使用される。続いて、図２（ｄ）、（ｅ）に示すように、支持部材２０から半導体チップ２２がモールドされた加工基板２４を分離した後、接着層２５を介して、支持ガラス基板２６と接着固定させる。その際、加工基板２４の表面の内、半導体チップ２２が埋め込まれた側の表面とは反対側の表面が支持ガラス基板２６側に配置される。このようにして、積層体２７を得ることができる。なお、必要に応じて、接着層２５と支持ガラス基板２６の間に剥離層を形成してもよい。更に、得られた積層体２７を搬送した後に、図２（ｆ）に示すように、加工基板２４の半導体チップ２２が埋め込まれた側の表面に配線２８を形成した後、複数の半田バンプ２９を形成する。最後に、支持ガラス基板２６から加工基板２４を分離した後に、加工基板２４を半導体チップ２２毎に切断し、後のパッケージング工程に供される（図２（ｇ））。
　図３は、本発明の支持ガラス基板の一例を示す上方概念図である。図３（ａ）に示すように、支持ガラス基板３１の外形は、略真円のウエハ状である。また、支持ガラス基板３１の外形は、ノッチ部３２とノッチ部３２以外の外形領域を占める外形部３３とで構成されている。ノッチ部３２は、ノッチ形状、つまり窪みを有する形状を有している。ノッチ形状の深部３４は、平面視で丸みを帯びた略円形状になっており、ノッチ部３２と外形部３３の境界も丸みを帯びた略円形状になっている。図３（ｂ）に示すように、支持ガラス基板３５の外形は、略真円のウエハ状である。また、支持ガラス基板３５の外形は、ノッチ部３６とノッチ部３６以外の外形領域を占める外形部３７とで構成されている。支持ガラス基板３５のノッチ部３６は、ノッチ形状を有しており、ノッチ形状の深部３８は略Ｖ溝形状になっている。
　図４は、図３（ａ）のＡ－Ａ’方向の断面概念図である。図４に示すように、支持ガラス基板３１の表面３９、４０と端面４１が交差する端縁領域に面取り面４２、４３を有している。支持ガラス基板３１の表面３９、４０方向の面取り幅Ｘは例えば５０～９００μｍになっており、支持ガラス基板３１の板厚方向の面取り幅Ｙ＋Ｙ’は例えば板厚ｔの２０～８０％になっている。そして、端面４１と面取り面４１、４２は、それぞれ連続的に丸みを帯びた状態で連結しており、表面３９、４０と面取り面４２、４３は、それぞれ連続的に丸みを帯びた状態で連結している。
　以下、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、以下の実施例は単なる例示である。本発明は、以下の実施例に何ら限定されない。
　表１、２は、本発明の実施例（試料Ｎｏ．１～２３）を示している。また表３は、本発明の比較例（試料Ｎｏ．２４～３８）を示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　まず表中のガラス組成になるように、ガラス原料を調合したガラスバッチを白金坩堝に入れ、１６００℃で４時間溶融した。ガラスバッチの溶解に際しては、白金スターラーを用いて攪拌し、均質化を行った。次いで、溶融ガラスをカーボン板上に流し出し、板状に成形した後、徐冷点より２０℃程度高い温度から、３℃／分で常温まで徐冷した。得られた各試料について、クラック抵抗、２０～２００℃の温度範囲における平均熱膨張係数α２０～２００、２０～２２０℃の温度範囲における平均熱膨張係数α２０～２２０、２０～２６０℃の温度範囲における平均熱膨張係数α２０～２６０、３０～３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数α３０～３８０、密度、歪点Ｐｓ、徐冷点Ｔａ、軟化点Ｔｓ、高温粘度１０４．０ｄＰａ・ｓにおける温度、高温粘度１０３．０ｄＰａ・ｓにおける温度、高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度、液相温度ＴＬ、液相温度ＴＬにおける粘度η、ヤング率、剛性率及びポアソン比を評価した。
　クラック抵抗は、クラック発生率が５０％となる荷重のことを指し、クラック発生率は、次のようにして測定した。まず湿度３０％、温度２５℃に保持された恒温恒湿槽内において、所定荷重に設定したビッカース圧子をガラス表面（光学研磨面）に１５秒間打ち込み、その１５秒後に圧痕の４隅から発生するクラックの数をカウント（１つの圧痕につき最大４とする）する。このようにして圧子を２０回打ち込み、総クラック発生数を求めた後、（総クラック発生数／８０）×１００の式により求めた。
　上記温度範囲における平均熱膨張係数は、ディラトメーターで測定した値である。
　密度は、周知のアルキメデス法によって測定した値である。
　歪点Ｐｓ、徐冷点Ｔａ、軟化点Ｔｓは、ＡＳＴＭ　Ｃ３３６の方法に基づいて測定した値である。
　高温粘度１０４．０ｄＰａ・ｓ、１０３．０ｄＰａ・ｓ及び１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、白金球引き上げ法で測定した値である。
　液相温度ＴＬは、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れて、温度勾配炉中に２４時間保持した後、結晶が析出する温度を顕微鏡観察にて測定した値である。液相温度ＴＬにおける粘度ηは、液相温度ＴＬにおけるガラスの粘度を白金球引き上げ法で測定した値である。
　ヤング率、剛性率、ポアソン比は、共振法により測定した値を指す。
　表１、２から明らかなように、試料Ｎｏ．１～２３は、クラック抵抗が６００ｇｆ以上であるため、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程において、積層体の搬送時にクラックが生じ難いものと考えられる。一方、試料Ｎｏ．２４～３８は、クラック抵抗が４９４ｇｆ以下であるため、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程において、積層体の搬送時にクラックが生じ易いものと考えられる。
　まず、表１、２に記載の試料Ｎｏ．１～２３に記載のガラス組成になるように、ガラス原料を調合した後、ガラス溶融炉に供給して１６００～１７００℃で溶融し、次いで溶融ガラスをオーバーフローダウンドロー成形装置に供給し、板厚が０．８ｍｍになるようにそれぞれ成形した。得られたガラス基板について、両表面を機械研磨して、全体板厚偏差（ＴＴＶ）を１μｍ未満に低減した。得られたガラス基板をφ３００ｍｍ×０．８ｍｍ厚に加工した後、その両表面を研磨装置により研磨処理した。具体的には、ガラス基板の両表面を外径が相違する一対の研磨パットで挟み込み、ガラス基板と一対の研磨パッドを共に回転させながらガラス基板の両表面を研磨処理した。研磨処理の際、時折、ガラス基板の一部が研磨パッドから食み出すように制御した。なお、研磨パッドはウレタン製、研磨処理の際に使用した研磨スラリーの平均粒径は２．５μｍ、研磨速度は１５ｍ／分であった。得られた各研磨処理済みガラス基板について、コベルコ科研社製のＢｏｗ／Ｗａｒｐ測定装置ＳＢＷ－３３１ＭＬ／ｄにより全体板厚偏差（ＴＴＶ）と反り量を測定した。その結果、全体板厚偏差（ＴＴＶ）がそれぞれ０．８５μｍ以下であり、反り量がそれぞれ３５μｍ以下であった。
１、２７　積層体
１０、２６、３１、３５　支持ガラス基板
１１、２４　加工基板
１２　剥離層
１３、２１、２５　接着層
２０　支持部材
２２　半導体チップ
２３　封止材
２８　配線
２９　半田バンプ
３２、３６　ノッチ部
３３、３７　外形部
３４、３８　ノッチ部の深部
３９、４０　支持ガラス基板の表面
４１　支持ガラス基板の端面
４２、４３　支持ガラス基板の面取り面

Claims (13)

  1. 　加工基板を支持するための支持ガラス基板であって、
    　ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　４５～７０％、Ａｌ２Ｏ３　１０．５超～３５％、Ｂ２Ｏ３　０～２０％、Ｎａ２Ｏ　５～２５％、Ｋ２Ｏ　０～１０％、ＭｇＯ　１～１０％、ＺｎＯ　０～５％を含有し、且つクラック抵抗が５００ｇｆ以上であることを特徴とする支持ガラス基板。
  2. 　ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０～６７％、Ａｌ２Ｏ３　１９．７～３３％、Ｂ２Ｏ３　０～１５％、Ｎａ２Ｏ　５～２０％、Ｋ２Ｏ　０～３％、ＭｇＯ　１～５．５％、ＺｎＯ　０～３％を含有し、且つクラック抵抗が７００ｇｆ以上であることを特徴とする請求項１に記載の支持ガラス基板。
  3. 　２０～２２０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が４０×１０－７／℃以上、且つ１２０×１０－７／℃以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の支持ガラス基板。
  4. 　２０～２６０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が４０×１０－７／℃以上、且つ１２０×１０－７／℃以下であることを特徴とする請求項１～３の何れかに記載の支持ガラス基板。
  5. 　３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が４２×１０－７／℃以上、且つ１２５×１０－７／℃以下であることを特徴とする請求項１～４の何れかに記載の支持ガラス基板。
  6. 　直径１００～５００ｍｍのウエハ形状又は略円板形状を有し、板厚が２．０ｍｍ未満であり、全体板厚偏差（ＴＴＶ）が５μｍ以下であり、且つ反り量が６０μｍ以下であることを特徴とする請求項１～５の何れかに記載の支持ガラス基板。
  7. 　少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が請求項１～６の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする積層体。
  8. 　加工基板が、少なくとも封止材でモールドされた半導体チップを備えることを特徴とする請求項７に記載の積層体。
  9. 　少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、
    　加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が請求項１～６の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
  10. 　加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
  11. 　加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体パッケージの製造方法。
  12. 　請求項９～１１の何れかに記載の半導体パッケージの製造方法により作製されたことを特徴とする半導体パッケージ。
  13. 　半導体パッケージを備える電子機器であって、
    　半導体パッケージが、請求項１２に記載の半導体パッケージであることを特徴とする電子機器。
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