WO2013005401A1 - フラットパネルディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法 - Google Patents
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Definitions
- This invention relates to the glass substrate for flat panel displays, and its manufacturing method.
- Thin flat panel displays with low power consumption such as thin film transistor (TFT) type liquid crystal displays and organic electroluminescence (EL) displays, have been widely used in recent years as displays for portable devices and the like.
- TFT thin film transistor
- EL organic electroluminescence
- a glass substrate is used as a substrate for these displays.
- TFT includes amorphous silicon ( ⁇ -Si) TFT and polysilicon (p-Si) TFT.
- p-Si • TFTs can realize ultra-high-definition and beautiful screens, can achieve high durability of displays, can be made thin and light, and can have low power consumption. This is superior to ⁇ -Si ⁇ TFT.
- high-temperature processing has been required for the production of p-Si • TFTs. Therefore, glass other than silica glass could not be used because heat shrinkage and thermal shock occurred in the glass substrate when manufacturing the p-Si • TFT. As a result, it has been difficult to apply p-Si.TFT to a liquid crystal display.
- LTPS low-temperature polysilicon
- the thermal shrinkage of the glass substrate can be suppressed by increasing the temperature in the low temperature viscosity region (low temperature viscosity property) represented by the glass transition point (hereinafter referred to as Tg) and the strain point (hereinafter referred to as this).
- Tg and strain point are representatively described as “low temperature viscosity characteristic temperature”.
- the degree of freedom of the manufacturing method is also decreased.
- the devitrification temperature is increased and the liquid phase viscosity is decreased, for example, there is a problem that it becomes difficult to manufacture a glass substrate using an overflow downdraw method.
- the present invention has both a high Tg and strain point and good devitrification resistance, and does not cause a problem of pixel pitch deviation even when used in a display to which p-Si TFT is applied. It aims at providing the glass substrate for flat panel displays.
- the glass substrate for flat panel display on which the first p-Si • TFT of the present invention is formed In mol% SiO 2 55-80% Al 2 O 3 3-20% B 2 O 3 3-15% RO (total amount of MgO, CaO, SrO, BaO) 3-25% Containing
- the strain point is 665 ° C. or higher, and It is composed of glass having a devitrification temperature of 1250 ° C. or lower, The heat shrinkage is 75 ppm or less.
- the heat shrinkage rate is a value obtained by the following equation using the shrinkage amount of the glass substrate after heat treatment at a heating / cooling rate of 10 ° C./min and 550 ° C. for 2 hours. is there.
- Thermal shrinkage (ppm) ⁇ Shrinkage of glass substrate after heat treatment / length of glass substrate before heat treatment ⁇ ⁇ 10 6
- the subsequent “heat shrinkage rate” is similarly defined.
- the glass substrate for flat panel display on which the second p-Si • TFT of the present invention is formed In mol% SiO 2 55-80% Al 2 O 3 3-20% B 2 O 3 3-15% RO (total amount of MgO, CaO, SrO, BaO) 3-25% Containing
- the glass substrate for flat panel display on which the third p-Si • TFT of the present invention is formed In mol% SiO 2 55-80% Al 2 O 3 3-20% B 2 O 3 3-15% RO (total amount of MgO, CaO, SrO, BaO) 3-25% Containing
- the strain point is 665 ° C. or higher, and A glass substrate composed of glass having a devitrification temperature of 1250 ° C.
- the thermal contraction rate of the glass substrate is 75 ppm or less.
- the present invention also provides: In mol%, SiO 2 is 55 to 80%, Al 2 O 3 is 3 to 20%, B 2 O 3 is 3 to 15%, and RO (total amount of MgO, CaO, SrO, BaO) is 3 to 25%.
- a slow cooling step of slow cooling the glass plate, The thermal shrinkage of the glass plate is 75 ppm or less,
- a first manufacturing method of a glass substrate for a flat panel display on which a p-Si • TFT is formed is also provided.
- the present invention also provides: In mol%, SiO 2 is 55 to 80%, Al 2 O 3 is 3 to 20%, B 2 O 3 is 3 to 15%, and RO (total amount of MgO, CaO, SrO, BaO) is 3 to 25%.
- the present invention further provides: In mol% SiO 2 55-80% Al 2 O 3 3-20% B 2 O 3 3-15% RO (total amount of MgO, CaO, SrO, BaO) 3-25% Containing
- the strain point is 665 ° C. or higher, and It is composed of glass having a devitrification temperature of 1250 ° C. or lower, The thermal shrinkage is 75 ppm or less,
- a first flat panel display glass substrate is also provided.
- the present invention further provides: In mol% SiO 2 55-80% Al 2 O 3 3-20% B 2 O 3 3-15% RO (total amount of MgO, CaO, SrO, BaO) 3-25% Containing
- the glass substrate of the present invention enables both high Tg and strain point and good devitrification resistance. Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a glass substrate having excellent characteristics in which thermal contraction due to heat treatment during display manufacturing is suppressed and the problem of pixel pitch deviation is not caused.
- the glass substrate for display of the present embodiment is expressed in mol%, 55 to 80% of SiO 2 , 3 to 20% of Al 2 O 3 , 3 to 15% of B 2 O 3 , RO (MgO, CaO , SrO, BaO) is 3 to 25%, and the content expressed as mol% of SiO 2 , Al 2 O 3 and B 2 O 3 is (SiO 2 + Al 2 O 3 ) / (B 2 O 3 )
- a glass substrate composed of glass satisfying the relationship of 8.45 to 17.0 is included.
- the glass substrate of the present embodiment can increase the Tg and strain point while maintaining good devitrification resistance. Due to the increase in Tg and strain point, the amount of thermal shrinkage generated during heat treatment during display manufacture is suppressed. Also, when the amount of SiO 2 and Al 2 O 3 is simply increased and the amount of B 2 O 3 is decreased for the purpose of increasing the Tg and strain point, the melting temperature is increased and the meltability is lowered. There is also.
- the glass substrate of this embodiment can raise Tg and a strain point, maintaining favorable devitrification resistance and favorable meltability.
- the glass constituting the glass substrate of the present embodiment can contain ZnO as an optional component at 5% or less.
- the content indicated in mole% of SiO 2 and Al 2 O 3 is, SiO 2 + Al 2 O 3 ⁇ 70%, more preferably, SiO 2 + Al 2 O 3 satisfy the ⁇ 75%, and, RO, ZnO
- the glass constituting the glass substrate of the present embodiment can have a strain point of 660 ° C. or higher.
- the strain point is preferably 665 ° C or higher, more preferably 675 ° C or higher, further preferably 680 ° C or higher, further preferably 685 ° C or higher, and 690 ° C or higher. Is more preferable, 695 ° C. or higher is more preferable, and 700 ° C. or higher is more preferable.
- the meltability of glass can be evaluated by the glass temperature (melting temperature) when the viscosity is 10 2.5 dPa ⁇ s.
- the glass constituting the glass substrate of the present embodiment preferably has a melting temperature of 1680 ° C. or lower. By setting the melting temperature to 1680 ° C. or less, the glass substrate of the present embodiment can have good meltability. On the other hand, if the melting temperature is too low, the Tg and strain point tend to be low. Therefore, in order to realize a high Tg and a high strain point, the melting temperature needs to have a certain height.
- the melting temperature is preferably 1550 to 1650 ° C., preferably 1550 to 1645 ° C., more preferably 1580 to 1640 ° C., more preferably 1590 to 1630 ° C., and further preferably 1600 to 1620 ° C. ° C.
- the amount of heat shrinkage can be reduced not only by adjusting the glass composition as described above but also by appropriately adjusting the conditions during glass production. Specifically, when the glass is slowly cooled, the amount of heat shrinkage can be reduced by cooling the glass at a necessary and sufficiently low speed in a temperature range from Tg to Tg-100 ° C. Therefore, in the glass substrate of this embodiment, in addition to the adjustment of the composition as described above, the thermal shrinkage rate is 75 ppm or less, preferably 65 ppm or less, more preferably by appropriately adjusting the slow cooling conditions if necessary. It can be 60 ppm or less.
- the thermal shrinkage rate is preferably 55 ppm or less, more preferably 50 ppm or less, further preferably 45 ppm or less, further preferably 43 ppm or less, further preferably 40 ppm or less, and further preferably 38 ppm or less.
- the heat shrinkage rate is 0 to 75 ppm, preferably 0 to 65 ppm, more preferably 0 to 60 ppm, still more preferably 0 to 55 ppm, still more preferably 0 to 50 ppm, and even more preferably.
- the heat shrinkage rate is, for example, 3 to 75 ppm, preferably 5 to 75 ppm, more preferably 5 to 65 ppm, still more preferably 8 to 55 ppm, and still more preferably 8 It is ⁇ 50 ppm, more preferably 10 to 45 ppm, further preferably 10 to 43 ppm, more preferably 10 to 40 ppm, and further preferably 15 to 38 ppm.
- the glass constituting the glass substrate of the present embodiment has a devitrification temperature of 1250 ° C. or lower.
- the devitrification temperature of the glass substrate of the present embodiment is preferably 1230 ° C. or lower, more preferably 1220 ° C. or lower, more preferably 1210 ° C. or lower, and further preferably 1200 ° C.
- the devitrification temperature of the glass constituting the glass substrate is preferably 1050 ° C. to 1250 ° C., more preferably 1110 ° C. to 1250 in order to realize the characteristics of the flat panel display substrate such as low heat shrinkage and low density.
- ° C more preferably 1150 ° C to 1240 ° C, more preferably 1160 ° C to 1230 ° C, and even more preferably 1170 ° C to 1220 ° C.
- the glass constituting the glass substrate of the present embodiment preferably has a liquidus viscosity of 10 4.0 dPa ⁇ s or more, and more preferably 10 4.5 dPa ⁇ s or more.
- a liquidus viscosity 10 4.0 dPa ⁇ s or more
- 10 4.5 dPa ⁇ s or more By setting the liquid phase viscosity to 10 4.0 dPa ⁇ s or more, it becomes easy to mold by the float process.
- the moldability is further improved by setting the liquid phase viscosity to 10 4.5 dPa ⁇ s or more. Therefore, by setting the liquid phase viscosity in such a range, the glass constituting the glass substrate of the present embodiment can be easily molded using the downdraw method (particularly, the overflow downdraw method).
- the liquid phase viscosity is more preferably 10 4.5 to 10 6.0 dPa ⁇ s, more preferably 10 4.5 to 10 5.9 dPa ⁇ s, and more preferably 10 4.6 to 10 5.8 dPa ⁇ s, more preferably 10 4.6 to 10 5.7 dPa ⁇ s, more preferably 10 4.7 to 10 5.7 dPa ⁇ s, more preferably 10 4. 0.8 to 10 5.6 dPa ⁇ s, more preferably 10 4.9 to 10 5.5 dPa ⁇ s.
- the glass constituting the glass substrate of the present embodiment preferably has an average coefficient of thermal expansion of less than 37 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1 in the range of 100 to 300 ° C., and is 28 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1 or more and 36 ⁇ . More preferably, it is less than 10 ⁇ 7 K ⁇ 1 , more preferably 30 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1 or more and less than 35 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1 , and 31 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1 or more. It is more preferably less than 5 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1 , and further preferably less than 32 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1 and less than 34 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1 .
- the thermal expansion coefficient is too large, the thermal shock and the amount of thermal shrinkage increase in the heat treatment process during display manufacturing.
- the thermal expansion coefficient is too small, it is difficult to match the thermal expansion coefficient of peripheral materials such as metals and organic adhesives formed on the glass substrate during display manufacturing, and the peripheral members may peel off. There is. In the p-Si • TFT manufacturing process, rapid heating and rapid cooling are repeated, and the thermal shock applied to the glass substrate increases. Furthermore, a large glass substrate tends to have a temperature difference (temperature distribution) in the heat treatment process, and the probability of destruction of the glass substrate increases.
- the thermal expansion coefficient in the above range, the thermal stress resulting from the thermal expansion difference can be reduced, and as a result, the probability of breaking the glass substrate in the heat treatment step is lowered.
- the average thermal expansion of the glass constituting the glass substrate in the range of 100 to 300 ° C.
- the coefficient is preferably less than 55 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1 , more preferably less than 40 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1 , and more preferably 28 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1 or more and less than 40 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1.
- it is 30 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1 or more and less than 39 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1 , more preferably 32 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1 or more and less than 38 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1. More preferably, it is 34 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1 or more and less than 38 ⁇ 10 ⁇ 7 K ⁇ 1 .
- Tg of the glass substrate of this embodiment is preferably 720 ° C. or higher, more preferably 740 ° C. or higher, further preferably 745 ° C. or higher, further preferably 750 ° C. or higher, further preferably 755 ° C. or higher, and 760 ° C. or higher. Further preferred.
- the density of the glass substrate of the present embodiment is preferably from 2.6 g / cm 3 or less, more preferably less than 2.5 g / cm 3, more preferably 2.45 g / cm 3 or less, 2.42 g / cm 3
- the following is more preferable, and 2.4 g / cm 3 or less is even more preferable.
- a glass substrate for flat display and a glass substrate for organic EL display provided with p-Si ⁇ TFT is required to be lightweight, it is preferably less than 2.5 g / cm 3 and is preferably 2.45 g / cm 3.
- the following is more preferable, 2.42 g / cm 3 or less is more preferable, and 2.4 g / cm 3 or less is even more preferable.
- the specific resistance of the glass melt is preferably 50 to 300 ⁇ ⁇ cm, more preferably 50 to 250 ⁇ ⁇ cm, still more preferably 80 to 240 ⁇ ⁇ cm, and more preferably 100 to 230 ⁇ ⁇ cm. cm is more preferable.
- the Young's modulus of the glass substrate of the present embodiment is preferably 70 GPa or more, more preferably 73 GPa or more, further preferably 74 GPa or more, and further preferably 75 GPa or more.
- the specific elastic modulus of the glass substrate of the present embodiment is preferably 28 GPa or more, more preferably 29 GPa or more, further preferably 30 GPa or more, and further preferably 31 GPa or more.
- mol% is simply abbreviated as%.
- SiO 2 is a skeleton component and an essential component. If the amount of SiO 2 is too small, there may be a decrease in acid resistance, a decrease in Tg and strain point, an increase in thermal expansion coefficient, and a decrease in resistance to buffered hydrofluoric acid (BHF). Moreover, it may be difficult to reduce the density. On the other hand, when the amount of SiO 2 is too large, the melting temperature becomes remarkably high and melting and molding may be difficult. In addition, the devitrification resistance may decrease. Further, the etching rate when slimming glass cannot be made sufficiently high.
- BHF buffered hydrofluoric acid
- the content of SiO 2 is preferably 55 to 80%, more preferably 60 to 78%, further preferably 62 to 78%, further preferably 65 to 78%, and further preferably 65 to 75%.
- the content of SiO 2 is more preferably 67 to 73%, and more preferably 69 to 72%.
- the content of SiO 2 is more preferably 62 to 78%, further preferably 62 to 73%, and further preferably 64 to 70%.
- the content of SiO 2 is more preferably 65 to 73%, and more preferably 66 to 71%.
- Al 2 O 3 is an essential component that suppresses phase separation and increases Tg and strain point. If the amount of Al 2 O 3 is too small, the glass is likely to undergo phase separation. In addition, a decrease in heat resistance, an increase in thermal shrinkage, and a decrease in Young's modulus may occur due to a decrease in Tg and strain point. Further, the glass etching rate cannot be increased sufficiently. On the other hand, when the amount of Al 2 O 3 is too large, the devitrification temperature of the glass rises, since the devitrification resistance decreases, moldability is deteriorated. Accordingly, the Al 2 O 3 content is preferably 3 to 20%, more preferably 5 to 18%, and even more preferably 5 to 15%.
- the content of Al 2 O 3 is more preferably 7 to 13%, and further preferably 9 to 12%. Further, in order to sufficiently increase the etching rate when slimming glass, the content of Al 2 O 3 is more preferably 7 to 15%, further preferably 9 to 14%, further preferably 10 to 14%. preferable. On the other hand, in a glass substrate containing 3% or more of SrO + BaO, the content of Al 2 O 3 is more preferably 8 to 15%, further preferably 10 to 14%.
- B 2 O 3 is an essential component that lowers the viscosity characteristic (high temperature viscosity characteristic) temperature in the high temperature range typified by the melting temperature and improves the meltability (hereinafter referred to as “high temperature viscosity characteristic” in this specification).
- high temperature viscosity characteristic As “temperature”, “melting temperature” is representatively described.) If the amount of B 2 O 3 is too small, a decrease in meltability, a decrease in BHF resistance, a decrease in devitrification resistance, and an increase in thermal expansion coefficient may occur. In addition, the density may increase and it may be difficult to reduce the density.
- the content of B 2 O 3 is preferably 3 to 15%, more preferably 3 to 13%, and further preferably 3 to 10%.
- the content of B 2 O 3 is more preferably 3% or more and less than 9.5%, more preferably 3.5% or more.
- the content of B 2 O 3 is more preferably 5 to 13%, further preferably 5 to 12%, and less than 6 to 10% (6% or more and 10%). Less).
- the content of B 2 O 3 is more preferably 3 to 9%, and further preferably 4 to 8%.
- MgO MgO is a component that improves meltability.
- MgO is a component that hardly increases the density among alkaline earth metals, and therefore, when the content is relatively increased, it becomes easy to reduce the density of the glass.
- MgO is not essential.
- MgO since MgO is included, improvement in meltability and suppression of chip generation can be realized, so MgO may be included.
- the amount of MgO is too large, a decrease in Tg and strain point, a decrease in heat resistance, and a decrease in acid resistance may occur. Further, since the devitrification temperature is increased and the devitrification resistance is decreased, it may be difficult to apply to the downdraw method.
- the MgO content is preferably 0 to 15%, more preferably 0 to 10%.
- the content of MgO is more preferably 0 to 5%, and 0 to less than 2% (0% or more and less than 2%) ) Is more preferable, 0 to 1.5% is more preferable, 0 to 1% is more preferable, 0 to 0.5% is preferable, and MgO is further substantially not included.
- “MgO is not substantially contained” means that MgO is not added as a raw material to the glass raw material, and the MgO content is preferably 0.2% or less, more preferably 0.
- a component is substantially not contained means the same content.
- the content of MgO is more preferably 1 to 9%, and further preferably 2 to 8%.
- CaO CaO is an effective component for improving the meltability of glass without rapidly increasing the devitrification temperature of the glass. Further, since CaO is a component that hardly increases the density among alkaline earth metals, relatively increasing the CaO amount makes it easier to reduce the density of the glass. If the amount of CaO is too small, a decrease in meltability and a decrease in devitrification resistance due to an increase in viscosity at high temperatures are likely to occur. On the other hand, if the amount of CaO is too large, the coefficient of thermal expansion tends to increase. For these reasons, the CaO content is preferably 0 to 20%, more preferably 0 to 18%.
- the CgO content is more preferably 3.6 to 16%, further preferably 4 to 16%, more preferably 6 to It is more preferably 16%, more preferably more than 7% and not more than 16%, further preferably 8 to 13%, further preferably 9 to 12%.
- the content of CaO is more preferably 0 to 10%, further preferably 0 to 5%, and further preferably 0 to 3%.
- SrO is a component that can lower the devitrification temperature of glass. SrO is not an essential component, but if it is contained, it can be contained since it can improve devitrification resistance and meltability. However, if the amount of SrO is too large, the density will increase. Therefore, when it is desired to reduce the density, it is preferable that SrO is not substantially contained. Therefore, in the glass substrate of the present embodiment, the SrO content is preferably 0 to 10%, more preferably 0 to 8%. In order to further reduce the weight, the SrO content is preferably less than 3%, more preferably 2% or less, further preferably 1% or less, further preferably 0.5% or less, and SrO is substantially contained.
- the content of SrO is preferably 0 to less than 3% (0% or more and less than 3%), more preferably 0 to 2%, further preferably 0 to 1%, further preferably 0 to 0.5%, More preferably, SrO is not substantially contained.
- the SrO content is preferably 1 to 8%, more preferably 3 to 8%.
- BaO BaO is a component that improves devitrification resistance and meltability. Moreover, by containing BaO, the thermal expansion coefficient increases and the density excessively increases. Therefore, in the glass substrate of the present embodiment, the BaO content is preferably 0 to 10%, more preferably 0 to 5%, further preferably 0 to 2%, and further preferably 0 to 1%. In addition, since there is a problem of environmental load, it is more preferable that BaO is not substantially contained.
- Li 2 O and Na 2 O are components that improve the meltability, but increase the thermal expansion coefficient of the glass to break the substrate during heat treatment in display manufacturing, and greatly reduce the Tg and strain point of the glass. It is a component that excessively decreases the heat resistance. Therefore, in the glass substrate of the present embodiment, the content of Li 2 O and Na 2 O is preferably 0 to 0.3%, more preferably 0 to 0.2%, still more preferably 0 to 0.1%, More preferably, Li 2 O and Na 2 O are not substantially contained.
- K 2 O K 2 O is a component that increases the basicity of the glass and exhibits clarity.
- K 2 O is a component that improves the meltability and further reduces the specific resistance of the glass melt. Therefore, K 2 O is not an essential component, but when it is contained, it is possible to realize a reduction in specific resistance and an improvement in clarity of the glass melt. However, if the amount of K 2 O is too large, the thermal expansion coefficient may increase, or the Tg and strain point may be greatly reduced, resulting in excessive reduction in heat resistance. Therefore, in the glass substrate of this embodiment, the K 2 O content is preferably 0 to 0.8%, more preferably 0.01 to 0.5%, and even more preferably 0.1 to 0.3%.
- ZrO 2 , TiO 2 are components that increase the chemical durability, Tg, and strain point of glass.
- ZrO 2 and TiO 2 are not essential components, but can be increased to increase Tg and strain point and improve acid resistance.
- ZrO 2 and the amount of TiO 2 are too large, the devitrification temperature is remarkably increased, so that the devitrification resistance and the moldability may be lowered.
- ZrO 2 may precipitate ZrO 2 crystals during the cooling process, which may cause deterioration of the quality of the glass as inclusions.
- TiO 2 is a component that colors glass, and thus is not preferable for a display substrate.
- the content of ZrO 2 and TiO 2 is preferably 0 to 5%, more preferably 0 to 3%, still more preferably 0 to 2%, and more preferably 0 to 1% is more preferable, and less than 0.5% is more preferable. More preferably, the glass substrate of the present embodiment does not substantially contain ZrO 2 and TiO 2 .
- the ZnO content is preferably 5% or less, more preferably 3% or less, further preferably 2% or less, and further preferably 1% or less. More preferably, it is that the glass substrate of this embodiment does not contain ZnO substantially. In other words, the ZnO content is preferably 0 to 5%, more preferably 0 to 3%, further preferably 0 to 2%, and further preferably 0 to 1%. More preferably, it is that the glass substrate of this embodiment does not contain ZnO substantially.
- P 2 O 5 may be included because it is a component that lowers the melting temperature and improves meltability, but is not an essential component. However, if the amount of P 2 O 5 is too large, non-uniformity of the glass becomes remarkable due to volatilization of P 2 O 5 during glass melting, and striae easily occur. Further, Tg and strain point are lowered, acid resistance is remarkably deteriorated, and milky white is likely to occur. Therefore, in the glass substrate of this embodiment, the P 2 O 5 content is preferably 3% or less, more preferably 1% or less, and even more preferably 0.5% or less. More preferably, the glass substrate of this embodiment is that it does not contain P 2 O 5 substantially. In other words, the content of P 2 O 5 is preferably 0 to 3%, more preferably 0 to 1%, and still more preferably 0 to 0.5%. More preferably, the glass substrate of this embodiment is that it does not contain P 2 O 5 substantially.
- the fining agent is not particularly limited as long as it has a small environmental load and is excellent in glass fining.
- at least one selected from the group of Sn, Fe, Ce, Tb, Mo, and W metal oxides can be given. If there is too little fining agent, the foam quality will deteriorate. Therefore, the amount of fining agent added depends on the type of fining agent and the composition of the glass, but is, for example, 0.01 to 1%, preferably 0.05 to 1%, preferably 0.05 to 0.5%. More preferably, it is 0.05 to 0.3%, more preferably 0.05 to 0.2%.
- SnO 2 is suitable. However, SnO 2 is a component that lowers the devitrification resistance of the glass. Therefore, for example, when SnO 2 is used as a fining agent, the content of SnO 2 is preferably 0.01 to 0.3%, more preferably 0.03 to 0.2%, and 0.05 to 0.15. % Is more preferable.
- Fe 2 O 3 is a component that functions to lower the specific resistance in the high temperature region of the glass melt in addition to the function as a fining agent.
- Fe 2 O 3 is not an essential component, but is preferably contained in a glass having a high melting temperature and difficult to melt in order to reduce the melting temperature and the specific resistance. If the amount of Fe 2 O 3 increases too much, the glass may be colored and the transmittance may decrease. Therefore, in the glass substrate of the present embodiment, the content of Fe 2 O 3 is preferably 0 to 0.1%, more preferably 0 to 0.08%, further preferably 0.001 to 0.05%, 0.005 to 0.03% is more preferable.
- the temperature of the melting step is high, and thus the effect of Fe 2 O 3 as a fining agent tends to be lowered.
- Fe 2 O 3 is used alone as a fining agent, the fining properties may be deteriorated and the foam quality of the glass substrate may be deteriorated. Therefore, it is preferably used in combination with SnO 2 .
- the content of Sb 2 O 3 is preferably 0 to 0.5%, more preferably 0 to 0.3%, and more preferably 0 to 0% from the viewpoint of environmental load. 0.1% is more preferable, 0 to 0.03% is more preferable, and Sb 2 O 3 is not substantially contained.
- composite parameters of the components included in the glass substrate of the present embodiment are as follows.
- (SiO 2 + Al 2 O 3 ) / (B 2 O 3 ) is 8 0.5 to 15.0 is preferable, 9.5 to 14.0 is more preferable, 10.0 to 13.0 is further preferable, and 10.0 to 12.5 is further preferable.
- (SiO 2 + Al 2 O 3 ) / (B 2 O 3 ) is preferably 8 to 15, more preferably 8 to 13, To 11 are more preferable, and 8 to 10 are more preferable.
- (SiO 2 + Al 2 O 3 ) / (B 2 O 3 ) is more preferably 9.5 to 17.0%, and 10.0 to 17. 0% is more preferable.
- RO Alkaline earth metal oxide
- the RO content is preferably 3 to 25%, more preferably 4 to 20%.
- the RO content is more preferably 5% or more and less than 14%, more preferably 6 to 14%, and more preferably 8 to 13%.
- the RO content is more preferably 5% or more and less than 18%, and more preferably 8 to 17%.
- CaO / RO In a glass containing less than 3% of SrO + BaO in order to reduce the weight, CaO / RO is preferably 0.5 or more, more preferably 0.7 or more, and even more preferably 0.85. 0.88 or more, more preferably 0.90 or more, further preferably 0.92 or more, and further preferably 0.95 or more.
- CaO / RO is preferably 0.5 to 1, more preferably 0.7 to 1, more preferably more than 0.85 to 1, still more preferably 0.88 to 1, and 0.90 to 1 More preferred is 0.92-1, more preferred is 0.95-1.
- Tg and a strain point can be raised by containing only CaO as a raw material rather than containing a plurality of alkaline earth metal oxides.
- the obtained glass may contain other alkaline earth metal oxides as impurities.
- the obtained glass has a CaO / RO value of, for example, about 0.98 to 1.
- CaO is also a preferred component in that the raw material is inexpensive and is easily available.
- SiO 2 - (Al 2 O 3/2) SiO 2 - If (Al 2 O 3/2) value is too small, although the etching rate is improved, in some cases devitrification resistance is decreased. On the other hand, if this value is too large, the etching rate may decrease. Accordingly, the glass for the glass substrate of the present embodiment, SiO 2 - (Al 2 O 3/2) is preferably 69 or less, more preferably 50-68, more preferably 55-65, 57-63 are more Preferably, 58 to 62 is even more preferable.
- the etching rate is preferably 50 ⁇ m / h or more.
- the etching rate of the glass constituting the glass substrate is preferably 160 ⁇ m / h or less.
- the etching rate is preferably 60 to 140 ⁇ m / h, more preferably 70 to 120 ⁇ m / h.
- the etching rate is defined as measured under the following conditions.
- the etching rate ( ⁇ m / h) is a unit time (1 hour) when a glass substrate is immersed in an etching solution at 40 ° C., which is a mixed acid having a HF ratio of 1 mol / kg and a HCl ratio of 5 mol / kg. ) Is expressed as a thickness reduction amount ( ⁇ m) of one surface of the glass substrate.
- SiO 2 + Al 2 O 3 is preferably 70% or more, preferably 75% or more, and more preferably 76 to 88%.
- SiO 2 + Al 2 O 3 is more preferably 78 to 88%, further preferably 79 to 85%, more preferably 80 to 84%. % Is more preferable.
- the SiO 2 + Al 2 O 3 content is more preferably 76 to 86%, and further preferably 77 to 83%.
- Al 2 O 3 / SiO 2 is 0.05 to 0.35, preferably 0.07 to 0.30, and more preferably 0.10 to 0.25. preferable.
- B 2 O 3 + P 2 O 5 is preferably 3 to 15%, more preferably 3 to 10%.
- B 2 O 3 + P 2 O 5 is more preferably 3% or more and less than 9.5%, and 4% or more and 8. It is more preferably less than 9%, further preferably 5 to 8.5%, and further preferably 6 to 8%. Further, in order to improve the devitrification resistance, 5 to 13% is more preferable, 5 to 12% is more preferable, and 6 to less than 10% (6% or more and less than 10%) is further more preferable. On the other hand, in a glass containing 3% or more of SrO + BaO, B 2 O 3 + P 2 O 5 is more preferably 3 to 9%, further preferably 4 to 8%.
- CaO / B 2 O 3 is preferably 0.5 or more, more preferably 0.7 or more, more preferably 0.9 or more, and further more preferably 1.2.
- More than 2 and 5 or less are more preferable, more than 1.2 and 3 or less are more preferable, 1.3 or more and 2.5 or less are more preferable, and 1.3 or more and 2 or less are more preferable. Further, in order to improve the meltability, 0.5 to 5 is preferable, 0.9 to 3 is more preferable, more than 1 is more preferably 2.5 or less, and more than 1 is more preferably 2 or less. More than .2 and 2 or less is more preferable, and more than 1.2 and 1.5 or less is more preferable.
- SrO + BaO are components that can lower the devitrification temperature of glass. Although these components are not essential, when they are contained, the devitrification resistance and the meltability can be improved. However, if the amount of these components is too large, the density will increase. Therefore, it is difficult to reduce the density and reduce the weight. In addition, the thermal expansion coefficient may increase. Therefore, in the glass constituting the glass substrate of the present embodiment, SrO + BaO is preferably 10% or less. In order to further reduce the weight, it is more preferably 5% or less, further preferably less than 3%, and further preferably less than 2%. More preferably, it is that the glass which comprises the glass substrate of this embodiment does not contain SrO and BaO substantially.
- SrO + BaO is preferably 0 to 10%, and for further weight reduction, 0 to 5% is more preferable, 0 to less than 3% (0% or more and less than 3%) is further preferable, and less than 0 to 2 % (0% or more and less than 2%) is more preferred, 0 to less than 1% (0% or more and less than 1%) is more preferred, and 0 to less than 0.5% (0% or more and less than 0.5%) is even more preferred. . More preferably, it is that the glass which comprises the glass substrate of this embodiment does not contain SrO and BaO substantially.
- RO + ZnO + B 2 O 3 When RO + ZnO + B 2 O 3 is too small, the viscosity of the high temperature region is increased, melting of clarity and glass tends to decrease. On the other hand, when there is too much RO + ZnO + B 2 O 3 , Tg and strain point are likely to decrease. Therefore, in the glass constituting the glass substrate of the present embodiment, RO + ZnO + B 2 O 3 is preferably 7 to 30%, more preferably 10 to 27%. In order to further reduce the weight, in the glass containing less than 3% of SrO + BaO, RO + ZnO + B 2 O 3 is more preferably 12-22%, further preferably 14-21%, more preferably 16-20%. Further preferred.
- RO + ZnO + B 2 O 3 is more preferably 12 to 27%, further preferably 14 to 25%, and further preferably 17 to 23%.
- RO + ZnO + B 2 O 3 is more preferably 13 to 27%, and further preferably 15 to 25%.
- R 2 O is a component that increases the basicity of the glass, facilitates the oxidization of the fining agent, and exhibits fining properties. Further, R 2 O, so is a component to facilitate achieve meltability improved and specific resistance decrease of the glass, it may be included. R 2 O is not an essential component, but when it is contained, it is possible to reduce specific resistance, improve clarity and improve meltability. However, when R 2 O content is too high, decrease excessively Tg and strain point further, there is a case where the thermal expansion coefficient is increased. Therefore, in the glass constituting the glass substrate of the present embodiment, R 2 O is preferably 0 to 0.8%, more preferably 0.01 to 0.5%, and further preferably 0.1 to 0.3%. .
- K 2 O / R 2 O Since K 2 O has a higher molecular weight than Li 2 O and Na 2 O, it is difficult to elute from the glass substrate. Therefore, when R 2 O is contained, it is preferable to contain K 2 O at a higher ratio. K 2 O is preferably contained in a higher ratio than Li 2 O (K 2 O> Li 2 O is satisfied). K 2 O is preferably contained in a higher ratio than Na 2 O (K 2 O> Na 2 O is satisfied). K 2 O / R 2 O is preferably 0.5 or more, preferably 0.6 or more, more preferably 0.7 or more, further preferably 0.8 or more, and further preferably 0.95 or more. In other words, K 2 O / R 2 O is preferably 0.5 to 1, preferably 0.6 to 1, more preferably 0.7 to 1, still more preferably 0.8 to 1, and 0.95 to 1 is more preferable.
- the combination of a component is not limited, The following combinations can be mentioned as an example: SiO 2 65-78% Al 2 O 3 3-20% B 2 O 3 3-15% MgO 0 to less than 2% (0% or more and less than 2%) CaO 3.6-16% SrO 0-2% BaO 0 to less than 1% (0% or more and less than 1%), Containing And,
- the glass substrate of the present embodiment is a display substrate.
- the glass substrate of the present embodiment is suitable for a glass substrate for a flat panel display on which p-Si • TFT is formed.
- the glass substrate of this embodiment is suitable for the glass substrate for liquid crystal displays, and the glass substrate for organic EL displays.
- it is suitable for a glass substrate for p-Si ⁇ TFT liquid crystal display and a glass substrate for organic EL display.
- it is suitable for the glass substrate for displays, such as a portable terminal in which high definition is calculated
- the glass substrate of this embodiment is suitable for the glass substrate for oxide semiconductor thin film flat panel displays.
- the glass substrate of this embodiment is suitable for the glass substrate used for the flat panel display manufactured by forming an oxide semiconductor thin film and TFT on the substrate surface.
- the size of the glass substrate of the present embodiment is not particularly limited because it can be appropriately changed according to the size of the display to be applied.
- the length in the width direction can be, for example, 500 mm to 3500 mm, preferably 1000 mm to 3500 mm, and more preferably 2000 mm to 3500 mm.
- the length in the longitudinal direction can be, for example, 500 mm to 3500 mm, preferably 1000 mm to 3500 mm, and more preferably 2000 mm to 3500 mm.
- the thickness of the glass substrate of the present embodiment is not particularly limited because it can be appropriately changed according to the size of the display to be applied. However, if the glass substrate is too thin, the strength of the glass substrate itself decreases. For example, breakage during liquid crystal display manufacturing is likely to occur. On the other hand, an excessively thick glass substrate is not preferable for a display that is required to be thin. Moreover, since the weight of a glass substrate will become heavy when a glass substrate is too thick, the weight reduction of a liquid crystal display will become difficult. Therefore, the thickness of the glass substrate of this embodiment is preferably 0.1 mm to 1.1 mm, more preferably 0.1 mm to 0.7 mm, still more preferably 0.3 to 0.7 mm, and 0.3 to 0. More preferably, 5 mm.
- the glass substrate of the present embodiment includes a melting step for melting a glass raw material to produce a molten glass, a forming step for forming the molten glass into a glass plate, and a slow cooling step for gradually cooling the glass plate. It can be manufactured by the method of including.
- the glass plate has a heat shrinkage rate of 75 ppm or less, preferably 60 ppm or less. Further, the glass constituting the glass substrate has a devitrification temperature of 1250 ° C.
- the strain point of the glass is preferably 665 ° C. or higher.
- the glass substrate of the present embodiment can be manufactured using a known glass substrate manufacturing method.
- a known method can be used as the molding method, it is preferable to use a float method or a downdraw method, and particularly preferably an overflow downdraw method.
- the glass substrate molded by the downdraw method has extremely high smoothness because its main surface is a hot-molded surface. Therefore, a polishing step for the glass substrate surface after molding is not required, so that the manufacturing cost can be reduced and the productivity can be improved.
- both main surfaces of the glass substrate formed using the downdraw method have a uniform composition, the etching can be performed uniformly when the etching process is performed.
- a glass substrate having a surface state free from microcracks can be obtained by molding using the downdraw method. As a result, the strength of the glass substrate itself can be improved.
- the downdraw method it is desirable to perform slow cooling so that the temperature of the glass plate is maintained within a temperature range from Tg to Tg-100 ° C. for 20 to 120 seconds.
- the downdraw method it is desirable to perform slow cooling so that the glass plate is cooled in a temperature range from Tg to Tg-100 ° C. in 20 to 120 seconds. If it is less than 20 seconds, the amount of heat shrinkage may not be sufficiently reduced.
- slow cooling is performed so that the temperature of the glass plate is maintained within the temperature range from Tg to Tg-100 ° C. for 20 to 120 seconds. It is preferably performed, more preferably 30 to 120 seconds, and still more preferably 50 to 100 seconds. In other words, it is preferable to perform slow cooling so that the glass plate is cooled in a temperature range from Tg to Tg-100 ° C. in 20 to 120 seconds, more preferably in 30 to 120 seconds, More preferably, the cooling is performed in 50 to 100 seconds.
- the average cooling rate at the center of the glass plate is 50 to 300 ° C./min within the temperature range of Tg to Tg ⁇ 100 ° C. If the average cooling rate exceeds 300 ° C./min, the amount of heat shrinkage may not be sufficiently reduced. On the other hand, when it is less than 50 ° C./min, productivity is lowered and the glass manufacturing apparatus (slow cooling furnace) is enlarged. Therefore, the preferable range of the average cooling rate for reducing the thermal shrinkage while maintaining the cost and productivity is 50 to 300 ° C./min, more preferably 50 to 200 ° C./min, and 60 to 120 ° C. / Min is more preferred.
- the thermal shrinkage rate can be reduced by separately providing a thermal shrinkage reduction treatment (offline annealing) step after the slow cooling step.
- a thermal shrinkage reduction treatment offline annealing
- beta-OH value is preferably set to 0.05 ⁇ 0.40 mm -1, and more preferably 0.10 ⁇ 0.35 mm -1 0.10 to 0.30 mm ⁇ 1 is more preferable, and 0.10 to 0.25 mm ⁇ 1 is more preferable.
- the ⁇ -OH value can be adjusted by selecting the raw material.
- ⁇ -OH value For example, increase or decrease the ⁇ -OH value by selecting a raw material with a high water content (for example, a hydroxide raw material) or adjusting the content of a raw material that reduces the water content in glass such as chloride. be able to. Further, the ⁇ -OH value can be adjusted by adjusting the ratio of gas combustion heating (oxygen combustion heating) and electric heating (direct current heating) used for glass melting. Furthermore, the ⁇ -OH value can be increased by increasing the amount of water in the furnace atmosphere or by bubbling water vapor into the molten glass during melting. Note that the ⁇ -OH value of glass is obtained by the following equation in the infrared absorption spectrum of glass.
- ⁇ -OH value (1 / X) log10 (T1 / T2)
- X Glass wall thickness (mm)
- T1 Transmittance (%) at a reference wavelength of 2600 nm
- T2 Minimum transmittance (%) near the hydroxyl absorption wavelength of 2800 nm
- Examples of the glass substrate for a flat panel display of the present embodiment obtained from the above disclosure include the following first to fourth glass substrates. Further, examples of the manufacturing method of the glass substrate of the present embodiment obtained from the above contents include the following first to fourth manufacturing methods.
- the strain point is 665 ° C. or higher, and It is composed of glass having a devitrification temperature of 1250 ° C. or lower, The thermal shrinkage is 75 ppm or less, A glass substrate is mentioned.
- the first to fourth flat panel display glass substrates are suitable for flat panel display glass substrates on which p-Si • TFTs are formed.
- the first to fourth flat panel display glass substrates are suitable for glass substrates for liquid crystal displays on which p-Si • TFTs are formed.
- the first to fourth flat panel display glass substrates are also suitable as glass substrates for organic EL displays.
- the first to fourth flat panel display glass substrates are also suitable as display glass substrates on which oxide semiconductor thin film transistors are formed.
- SiO 2 is 55 to 80%
- Al 2 O 3 is 3 to 20%
- B 2 O 3 is 3 to 15%
- RO total amount of MgO, CaO, SrO, BaO
- a slow cooling step of slow cooling the glass plate, The thermal shrinkage of the glass plate is 75 ppm or less, A manufacturing method is mentioned.
- SiO 2 is 55 to 80%
- Al 2 O 3 is 3 to 20%
- B 2 O 3 is 3 to 15%
- RO total amount of MgO, CaO, SrO, BaO
- SiO 2 is 65 to 78%
- Al 2 O 3 is 3 to 20%
- B 2 O 3 is 3 to 15%
- MgO is 0 to less than 2%
- CaO is 3.6 to 16%
- SrO is 0 to 2%
- BaO is 0 to less than 1%
- a glass material prepared so as to satisfy a relationship of CaO / B 2 O 3 > 1.2, a strain point of 665 ° C. or higher, and a devitrification temperature of 1250 ° C. or lower is melted to obtain a molten glass
- a melting process to produce A molding step of molding the molten glass into a glass plate;
- the manufacturing method containing is mentioned.
- SiO 2 is 65 to 78%
- Al 2 O 3 is 3 to 20%
- B 2 O 3 is 3 to 9.5%
- MgO is less than 0 to 2%
- CaO is 3.6 to 16%.
- SrO is 0 to 2%, does not substantially contain BaO
- the glass raw material prepared so as to satisfy the relationship of 0.5% and CaO / B 2 O 3 > 1.2 and to have a devitrification temperature of 1250 ° C. or lower is melted to produce a molten glass. Melting process; A molding step of molding the molten glass into a glass plate; A slow cooling step of slowly cooling the glass plate; The manufacturing method containing is mentioned.
- the slow cooling process in the first to fourth manufacturing methods of the glass substrate for flat panel display it is preferable to perform a heat shrinkage reduction process for controlling the cooling rate of the glass plate to reduce the heat shrinkage rate.
- the slow cooling step it is more preferable to perform a heat shrinkage reduction treatment in which the average cooling rate of the central portion of the glass plate is 50 to 300 ° C./min within a temperature range of Tg to Tg-100 ° C.
- the first glass substrate is In mol% SiO 2 55-80% Al 2 O 3 3-20% B 2 O 3 3-15% RO (total amount of MgO, CaO, SrO, BaO) 3-25% Containing
- the strain point is 665 ° C. or higher, and It is composed of glass having a devitrification temperature of 1250 ° C. or lower, The thermal shrinkage is 75 ppm or less, It is a glass substrate.
- Example 1-1 to 1-24 and Comparative Examples 1-1 to 1-6 Sample glasses of Examples 1-1 to 1-24 and Comparative Examples 1-1 to 1-6 were prepared according to the following procedure so that the glass compositions shown in Tables 1-1 and 1-2 were obtained. About the obtained sample glass and sample glass substrate, devitrification temperature, Tg, average thermal expansion coefficient in the range of 100 to 300 ° C., thermal contraction rate, density, strain point, melting temperature (viscosity is 10 2.5 dPa ⁇ s Glass temperature), liquid phase viscosity, and specific resistance at 1550 ° C. were measured.
- the blended batch was melted and clarified in a platinum crucible.
- the crucible was held in an electric furnace set at 1575 ° C. for 4 hours to melt the batch.
- the electric furnace was heated to 1640 ° C. and held for 2 hours to clarify the glass melt.
- the glass melt was poured out on the iron plate outside the furnace and cooled and solidified to obtain a glass body.
- the glass body was subsequently subjected to a slow cooling operation. In the slow cooling operation, this glass body was held in another electric furnace set at 800 ° C. for 2 hours, then cooled to 740 ° C. for 2 hours and further to 660 ° C. for 2 hours, and then the electric furnace was turned off. , By cooling to room temperature.
- the glass body that had undergone this slow cooling operation was used as a sample glass.
- the sample glass was used for measurement of characteristics (devitrification temperature, melting temperature, specific resistance, density, thermal expansion coefficient, Tg and strain point) that are not affected by the slow cooling conditions and / or cannot be measured in the form of a substrate. .
- the sample glass was cut, ground and polished to produce a sample glass substrate of 30 mm ⁇ 40 mm ⁇ 0.7 mm whose upper and lower surfaces are mirror surfaces.
- the sample glass substrate was used for ⁇ -OH measurement, which was not affected by the slow cooling conditions.
- sample glass substrate was formed into a rectangular parallelepiped having a width of 5 mm and a length of 20 mm by using a normal glass processing technique, and this was held at Tg for 30 minutes, and then cooled to Tg-100 ° C. at 100 ° C./minute, to room temperature. By allowing to cool, a sample glass substrate for heat shrinkage measurement was obtained.
- the sample glass was pulverized and passed through a 2380 ⁇ m sieve to obtain glass particles that remained on the 1000 ⁇ m sieve.
- the glass particles were immersed in ethanol, subjected to ultrasonic cleaning, and then dried in a thermostatic bath.
- the dried glass particles were placed on a platinum boat having a width of 12 mm, a length of 200 mm, and a depth of 10 mm so that the glass particles had a substantially constant thickness.
- This platinum boat was compared with Examples 1-1 to 1-6, 1-8 to 1-24 and Comparative Examples 1-1, 1-3 to 1-5 at 1080 to 1320 ° C., Examples 1-7, For Examples 1-2 and 1-6, the glass was kept in an electric furnace having a temperature gradient of 1140 to 1380 ° C. for 5 hours, and then removed from the furnace to remove devitrification generated in the glass into a 50 ⁇ optical microscope. And observed. The maximum temperature at which devitrification was observed was defined as the devitrification temperature.
- the melting temperature of the sample glass was measured using a platinum ball pulling type automatic viscosity measuring device. From the measurement results, the temperature at a viscosity of 10 2.5 dPa ⁇ s was calculated to obtain the melting temperature.
- the specific resistance at the time of melting of the sample glass was measured by a four-terminal method using a 4192A LF impedance analyzer manufactured by HP. From the measurement results, the specific resistance value at 1550 ° C. was calculated.
- the sample glass was processed into a cylindrical shape having a diameter of 5 mm and a length of 20 mm to obtain a test piece.
- a differential thermal dilatometer (Thermo Plus2 TMA8310) was used to measure the temperature and the amount of expansion / contraction of the test piece. The heating rate at this time was 5 ° C./min.
- the average thermal expansion coefficient and Tg in the temperature range of 100 to 300 ° C. were measured.
- the Tg in the present application means that the glass body is held in another electric furnace set at 800 ° C. for 2 hours, then cooled to 740 ° C. for 2 hours, further cooled to 660 ° C. for 2 hours, and then the electric furnace It is the value measured about the sample glass which turned off the power supply and cooled to room temperature.
- strain point The sample glass was cut and ground into a 3 mm square and 55 mm long prismatic shape to obtain a test piece.
- the test piece was measured using a beam bending measuring apparatus (manufactured by Tokyo Kogyo Co., Ltd.), and the strain point was determined by calculation according to the beam bending method (ASTM C-598).
- the sample glass was mirror-polished to produce a plate sample of 5 ⁇ 30 ⁇ 30 mm. Using this sample, the density of the glass was measured by the Archimedes method.
- Thermal shrinkage The thermal shrinkage rate was obtained by the following formula using the amount of shrinkage of the glass substrate after heat treatment was performed at 550 ° C. for 2 hours on the sample glass substrate for heat shrinkage measurement.
- Thermal shrinkage (ppm) ⁇ Shrinkage of glass substrate after heat treatment / length of glass substrate before heat treatment ⁇ ⁇ 10 6
- the amount of shrinkage was measured by the following method.
- the glass substrate was immersed in a 40 ° C. etching solution of a mixed acid having a HF ratio of 1 mol / kg and a HCl ratio of 5 mol / kg for 1 hour. Thereafter, the thickness reduction amount ( ⁇ m) of one surface of the glass substrate was measured. The etching rate ( ⁇ m / h) was determined as the amount of decrease ( ⁇ m) per unit time (1 hour).
- the glass substrates obtained in Examples 1-1 to 1-24 had a Tg of 720 ° C. or higher, and the thermal contraction rate and devitrification temperature also satisfied the conditions of the first glass substrate of the present invention. . Further, the glasses of Examples 1-1 to 1-24 also had a melting temperature of 1680 ° C. or less, and good meltability was realized. Therefore, the glass substrates obtained in Examples 1-1 to 1-24 can be said to be glass substrates having excellent characteristics that can be used for displays to which p-Si • TFTs are applied. On the other hand, the glass obtained in Comparative Examples 1-1 to 1-6 did not satisfy the conditions of the first glass substrate of the present invention in terms of heat shrinkage rate or devitrification temperature.
- the melting temperature exceeded 1680 degreeC, and the favorable meltability was not obtained.
- the glass substrates obtained in Comparative Examples 1-1 to 1-6 were not suitable for displays to which p-Si ⁇ TFT was applied.
- Example 1-25 The glass raw material prepared to have the composition shown in Example 1-4 was melted at 1560 to 1640 ° C. using a continuous melting apparatus equipped with a refractory brick melting tank and a platinum alloy clarification tank (regulation tank). The mixture was clarified at 1620 to 1670 ° C., stirred at 1440 to 1530 ° C., and then formed into a thin plate having a thickness of 0.7 mm by the overflow down draw method.
- the glass substrate for liquid crystal displays (or for organic EL displays) was obtained by cooling at an average rate of minutes. In addition, about each characteristic of the said description, it measured using the obtained glass substrate. In addition, regarding the characteristics (density, strain point, expansion coefficient, and Tg) that cannot be measured in the substrate form, the glass substrate was re-melted according to the sample preparation method, sample glass was prepared, and the characteristics were measured. .
- the glass substrate of Example 1-25 obtained as described above had a melting temperature of 1610 ° C., a ⁇ -OH value of 0.20 mm ⁇ 1 , a Tg of 754 ° C., a strain point of 697 ° C., and a thermal shrinkage of 51 ppm.
- the other characteristics were the same as those of Example 1-4.
- the glass substrate of Example 1-25 has a Tg of 720 ° C. or higher and a melting temperature of 1680 ° C. or lower, and a high Tg and strain point and good meltability are realized. It was. Furthermore, the heat shrinkage rate and the devitrification temperature also satisfied the conditions of the first glass substrate of the present invention.
- the glass substrate of Example 1-25 has a ⁇ -OH value that is about 0.1 mm ⁇ 1 larger than that of Example 1-4, so that Tg is 2 to 3 ° C. lower than that of Example 1-4. A sufficiently high Tg can be realized. Therefore, it can be said that the glass substrate obtained in Example 1-25 is a glass substrate having excellent characteristics that can be used for a display to which p-Si • TFT is applied.
- Example 1-26 A glass substrate was prepared in the same manner as in Example 1-25 using the glass raw material prepared so as to have the glass composition shown in Example 1-12, and each characteristic was measured.
- the glass substrate of Example 1-26 obtained as described above had a melting temperature of 1585 ° C., a ⁇ -OH value of 0.21 mm ⁇ 1 , a Tg of 761 ° C., a strain point of 710 ° C., and a heat shrinkage of 31 ppm.
- the other characteristics were the same as those of Example 1-12.
- the glass substrate of Example 1-26 has a Tg of 720 ° C. or higher and a melting temperature of 1680 ° C. or lower, and a high Tg and strain point and good meltability are realized. It was. Furthermore, the heat shrinkage rate and the devitrification temperature also satisfied the conditions of the first glass substrate of the present invention.
- the glass substrate of Example 1-26 has a ⁇ -OH value of about 0.1 mm ⁇ 1 larger than that of Example 1-12, so that Tg is 2 to 3 ° C. lower than that of Example 1-12. A sufficiently high Tg can be realized. Therefore, the glass substrate obtained in Example 1-26 can be said to be a glass substrate having excellent characteristics that can be used for a display to which p-Si • TFT is applied.
- ⁇ Second glass substrate> An example is given and demonstrated about a 2nd glass substrate.
- the second glass substrate is In mol% SiO 2 55-80% Al 2 O 3 3-20% B 2 O 3 3-15% RO (total amount of MgO, CaO, SrO, BaO) 3-25% Containing
- Sample glasses of Examples and Comparative Examples were prepared in the same manner as in Examples and Comparative Examples of the first glass substrate so that the glass compositions shown in Tables 2-1 and 2-2 were obtained, and each characteristic was measured. .
- ⁇ Third glass substrate> An example is given and demonstrated about a 3rd glass substrate.
- the third glass substrate is In mol% SiO 2 65-78% Al 2 O 3 3-20% B 2 O 3 3-15% MgO 0 to less than 2% CaO 3.6-16% SrO 0-2% BaO 0 to less than 1%, Containing
- the strain point is 665 ° C. or higher, and It is composed of glass having a devitrification temperature of 1250 ° C. or lower. It is a glass substrate.
- Sample glasses of the examples and comparative examples were prepared in the same manner as the examples and comparative examples of the first glass substrate so that the glass compositions shown in Table 3 were obtained, and each characteristic was measured.
- the fourth glass substrate is In mol% SiO 2 65-78% Al 2 O 3 3-20% B 2 O 3 3 to 9.5% MgO 0 to less than 2% CaO 3.6-16% SrO 0-2% Containing Substantially free of BaO,
- Sample glasses of the examples and comparative examples were prepared in the same manner as the examples and comparative examples of the first glass substrate so that the glass compositions shown in Table 4 were obtained, and each characteristic was measured.
- the first aspect of the present invention is: In mol% SiO 2 55-80% Al 2 O 3 3-20% B 2 O 3 3-15% RO (total amount of MgO, CaO, SrO, BaO) 3-25% Containing
- the strain point is 665 ° C. or higher, and It is composed of glass having a devitrification temperature of 1250 ° C. or lower, The thermal shrinkage is 75 ppm or less,
- the heat shrinkage rate is a value obtained by the following equation using the shrinkage amount of the glass substrate after heat treatment at a heating / cooling rate of 10 ° C./min and 550 ° C. for 2 hours. is there.
- Thermal shrinkage (ppm) ⁇ Shrinkage of glass substrate after heat treatment / length of glass substrate before heat treatment ⁇ ⁇ 10 6
- the “heat shrinkage rate” is similarly defined.
- the second aspect of the present invention is: In mol% SiO 2 55-80% Al 2 O 3 3-20% B 2 O 3 3-15% RO (total amount of MgO, CaO, SrO, BaO) 3-25% Containing
- the third aspect of the present invention is: In mol% SiO 2 65-78% Al 2 O 3 3-20% B 2 O 3 3-15% MgO 0 to less than 2% CaO 3.6-16% SrO 0-2% BaO 0 to less than 1%, Containing
- the strain point is 665 ° C. or higher, and It is composed of glass having a devitrification temperature of 1250 ° C. or lower.
- the fourth aspect of the present invention is: In mol% SiO 2 65-78% Al 2 O 3 3-20% B 2 O 3 3 to 9.5% MgO 0 to less than 2% CaO 3.6-16% SrO 0-2% Containing Substantially free of BaO,
- the strain point is 665 ° C. or higher, and A glass substrate composed of glass having a devitrification temperature of 1250 ° C.
- the thermal shrinkage of the glass substrate is 75 ppm or less, Provided is a glass substrate for a flat panel display on which a p-Si • TFT is formed.
- the sixth aspect of the present invention is:
- the glass is expressed in mol%, Containing 0-5% ZnO,
- the content indicated in mole% of SiO 2 and Al 2 O 3 is, satisfies the SiO 2 + Al 2 O 3 ⁇ 75%, and,
- the seventh aspect of the present invention is In the glass, the total content of MgO, CaO, SrO and BaO is 4 to 20 mol%.
- the eighth aspect of the present invention is In the glass, the ratio of the content of CaO to the total content of MgO, CaO, SrO and BaO in mol% is more than 0.5.
- the ninth aspect of the present invention provides The liquid phase viscosity of the glass is 10 4.5 dPa ⁇ s or more, and was obtained by molding the glass by a downdraw method.
- a glass substrate for a flat panel display on which the p-Si • TFT according to any one of the first to eighth aspects is formed.
- the tenth aspect of the present invention provides The glass is substantially free of As 2 O 3 and Sb 2 O 3 ; Provided is a glass substrate for a flat panel display on which the p-Si • TFT according to any one of the first to ninth aspects is formed.
- the eleventh aspect of the present invention is A glass substrate for a liquid crystal display, There is provided a glass substrate for a flat panel display on which the p-Si • TFT according to any one of the first to tenth aspects is formed.
- the mol% is SiO 2 55 to 80%, Al 2 O 3 3 to 20%, B 2 O 3 3 to 15%, RO (MgO, CaO, SrO, BaO
- the thirteenth aspect of the present invention provides In mol%, SiO 2 is 55 to 80%, Al 2 O 3 is 3 to 20%, B 2 O 3 is 3 to 15%, and RO (total amount of MgO, CaO, SrO, BaO) is 3 to 25%.
- generates molten glass A molding step of molding the molten glass into a glass plate; A slow cooling step of slow cooling the glass plate, The thermal shrinkage of the glass plate is 60 ppm or less, Provided is a method for producing a glass substrate for a flat panel display on which p-Si.TFT is formed.
- the fourteenth aspect of the present invention provides In the melting step, molten glass is produced so that ⁇ -OH is 0.05 to 0.40 mm ⁇ 1 , In the slow cooling step, the glass plate is cooled at an average rate of 50 to 300 ° C./min within a temperature range from the glass transition point (Tg) to Tg-100 ° C.
- Tg glass transition point
- a method for producing a glass substrate for a flat panel display on which the p-Si • TFT according to the twelfth or thirteenth aspect is formed is provided.
- the fifteenth aspect of the present invention provides In mol% SiO 2 55-80% Al 2 O 3 3-20% B 2 O 3 3-15% RO (total amount of MgO, CaO, SrO, BaO) 3-25% Containing
- the strain point is 665 ° C. or higher, and It is composed of glass having a devitrification temperature of 1250 ° C. or lower, The thermal shrinkage is 75 ppm or less, A glass substrate for a flat panel display is provided.
- the sixteenth aspect of the present invention provides In mol% SiO 2 55-80% Al 2 O 3 3-20% B 2 O 3 3-15% RO (total amount of MgO, CaO, SrO, BaO) 3-25% Containing
- the glass substrate for flat panel display of the present invention is suitable for a flat panel display using p-Si, and particularly for a glass substrate for liquid crystal display and a glass substrate for organic EL display using p-Si ⁇ TFT. Especially, it is suitable for the glass substrate for displays, such as a portable terminal in which high definition is calculated
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Abstract
Description
モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17の関係を満たし、
歪点が665℃以上であり、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成され、
熱収縮率が75ppm以下である。
熱収縮率(ppm)
={熱処理後のガラス基板の収縮量/熱処理前のガラス基板の長さ}×106
以降の「熱収縮率」も、同様に定義される。
モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0の関係を満たし、かつ、
失透温度が1250℃以下のガラスから構成され、
熱収縮率が60ppm以下である。
モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17の関係を満たし、
歪点が665℃以上であり、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成されるガラス基板であり、
Tgで30分保持した後、Tg-100℃まで100℃/分で冷却し、室温まで放冷後、昇降温速度が10℃/min、550℃で2時間保持の熱処理が施された後の前記ガラス基板の熱収縮率が75ppm以下である。
モル%でSiO2が55~80%、Al2O3が3~20%、B2O3が3~15%、RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量)が3~25%であり、SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17の関係を満たし、歪点が665℃以上であり、かつ、失透温度が1250℃以下のガラスとなるように調合したガラス原料を熔融して、熔融ガラスを生成する熔融工程と、
前記熔融ガラスをガラス板へと成形する成形工程と、
前記ガラス板を徐冷する徐冷工程と、を含み、
前記ガラス板の熱収縮率が75ppm以下である、
p-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の第1の製造方法も提供する。
モル%でSiO2が55~80%、Al2O3が3~20%、B2O3が3~15%、RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量)が3~25%であり、SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0の関係を満たし、かつ、失透温度が1250℃以下のガラスとなるように調合したガラス原料を熔融して、熔融ガラスを生成する熔融工程と、
前記熔融ガラスをガラス板へと成形する成形工程と、
前記ガラス板を徐冷する徐冷工程と、を含み、
前記ガラス板の熱収縮率が60ppm以下である、
p-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の第2の製造方法も提供する。
モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17の関係を満たし、
歪点が665℃以上であり、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成され、
熱収縮率が75ppm以下である、
第1のフラットパネルディスプレイ用ガラス基板も提供する。
モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0の関係を満たし、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成され、
熱収縮率が60ppm以下である、
第2のフラットパネルディスプレイ用ガラス基板も提供する。
SiO2は、骨格成分であり、必須成分である。SiO2量が少なすぎると、耐酸性低下、Tgおよび歪点の低下、熱膨張係数増加および耐バッファードフッ酸(BHF)低下が起こる場合がある。また、低密度化を図ることが困難となる場合もある。一方、SiO2量が多すぎると、熔融温度が著しく高くなり、熔解および成形が困難になる場合がある。また、耐失透性が低下する場合もある。また、ガラスをスリミングする場合のエッチング速度を十分に速くできない。そこで、SiO2の含有率は、55~80%が好ましく、60~78%がより好ましく、62~78%がさらに好ましく、65~78%がさらに好ましく、65~75%がさらに好ましい。なお、より軽量化を図るためにSrO+BaOを3%未満しか含まないガラス基板においては、SiO2の含有率は、67~73%がさらに好ましく、69~72%がさらに好ましい。さらに、ガラスをスリミングする場合のエッチング速度を十分に速くするためには、SiO2の含有率は、62~78%がさらに好ましく、62~73%がさらに好ましく、64~70%がさらに好ましい。他方、SrO+BaOを3%以上含有するガラス基板においては、SiO2の含有率は、65~73%がさらに好ましく、66~71%がさらに好ましい。
Al2O3は、分相を抑制し、Tgおよび歪点を上昇させる必須成分である。Al2O3量が少なすぎると、ガラスが分相しやすくなる。また、Tgおよび歪点の低下による耐熱性の低下や熱収縮率の増大、ヤング率低下が起こる場合もある。また、ガラスのエッチング速度を十分に速くできない。一方、Al2O3量が多すぎると、ガラスの失透温度が上昇して、耐失透性が低下するので、成形性が悪化する。したがって、Al2O3の含有率は、3~20%が好ましく、5~18%がより好ましく、5~15%がさらに好ましい。なお、より軽量化を図るためにSrO+BaOを3%未満しか含まないガラス基板においては、Al2O3の含有率は、7~13%がさらに好ましく、9~12%がさらに好ましい。さらに、ガラスをスリミングする場合のエッチング速度を十分に速くするためには、Al2O3の含有率は、7~15%がさらに好ましく、9~14%がさらに好ましく、10~14%がさらに好ましい。他方、SrO+BaOを3%以上含有するガラス基板においては、Al2O3の含有率は、8~15%がさらに好ましく、10~14%がさらに好ましい。
B2O3は、熔融温度に代表される高温度域での粘性特性(高温粘性特性)温度を低下させ、熔解性を改善する必須成分である(以下、本明細書では、「高温粘性特性温度」として、「熔融温度」を代表して記載する。)。B2O3量が少なすぎると、熔解性低下、耐BHF低下、耐失透性低下および熱膨張係数増加が起こる場合がある。また、密度が増加して、低密度化を図ることが困難となる場合もある。一方、B2O3量が多すぎると、Tgおよび歪点の低下、耐酸性低下およびヤング率低下が起こる場合がある。また、ガラス熔解時のB2O3の揮発により、ガラスの不均質が顕著となり、脈理が発生しやすくなる。そこで、B2O3の含有率は、3~15%が好ましく、3~13%がより好ましく、3~10%がさらに好ましい。なお、より軽量化を図るためにSrO+BaOを3%未満しか含まないガラス基板においては、B2O3の含有率は、3%以上9.5%未満がさらに好ましく、3.5%以上9.2%未満がさらに好ましく、4%以上8.9%未満がさらに好ましく、5~8.5%がさらに好ましく、6~8%がさらに好ましい。さらに、失透温度の上昇を防止するためには、B2O3の含有率は、5~13%がより好ましく、5~12%がさらに好ましく、6~10未満%(6%以上10%未満)がさらに好ましい。他方、SrO+BaOを3%以上含有するガラス基板においては、B2O3の含有率は、3~9%がさらに好ましく、4~8%がさらに好ましい。
MgOは、熔解性を向上させる成分である。また、MgOは、アルカリ土類金属の中では密度を増加させにくい成分であるので、その含有率を相対的に増加させると、ガラスの低密度化を図りやすくなる。本実施形態のガラス基板において、MgOは必須ではない。しかし、MgOを含有させることにより、熔解性の向上および切粉発生の抑制を実現できるので、MgOが含まれていてもよい。しかし、MgO量が多すぎると、Tgおよび歪点の低下、耐熱性低下および耐酸性低下が起こる場合がある。また、失透温度が高くなり、耐失透性が低下するので、ダウンドロー法に適用し難くなる場合がある。したがって、本実施形態のガラス基板では、MgOの含有率は0~15%が好ましく、0~10%がより好ましい。なお、より軽量化を図るためにSrO+BaOを3%未満しか含まないガラス基板においては、MgOの含有率は、0~5%がさらに好ましく、0~2未満%(0%以上2%未満)がさらに好ましく、0~1.5%がさらに好ましく、0~1%がさらに好ましく、0~0.5%が好ましく、MgOが実質的に含有されないことがさらに好ましい。なお、ここで、「MgOが実質的に含有されない」とは、ガラス原料にMgOが原料として添加されないことを意味しており、MgOの含有率が好ましくは0.2%以下、より好ましくは0.15%以下、さらに好ましくは0.1%以下であることをいう。以下、「ある成分が実質的に含有されない」とは、同じ内容を意味する。他方、SrO+BaOを3%以上含有するガラス基板においては、MgOの含有率は、1~9%がさらに好ましく、2~8%がさらに好ましい。
CaOは、ガラスの失透温度を急激に上げることなくガラスの熔解性を向上させるのに有効な成分である。また、CaOは、アルカリ土類金属の中では密度を増加させにくい成分であるので、CaO量を相対的に増加させると、ガラスの低密度化を図りやすくなる。CaO量が少なすぎると、高温時の粘性上昇による熔解性低下および耐失透性低下が起こりやすくなる。一方、CaO量が多すぎると、熱膨張係数の増加が起こりやすくなる。これらの理由から、CaOの含有率は、0~20%が好ましく、0~18%が好ましい。なお、より軽量化を図るためにSrO+BaOを3%未満しか含まないガラス基板においては、CgOの含有率は、3.6~16%がより好ましく、4~16%がさらに好ましく、6~16%がさらに好ましく、7%を超えて16%以下がさらに好ましく、8~13%がさらに好ましく、9~12%がさらに好ましい。他方、SrO+BaOを3%以上含有するガラス基板においては、CaOの含有率は、0~10%がさらに好ましく、0~5%がさらに好ましく、0~3%がさらに好ましい。
SrOは、ガラスの失透温度を下げることができる成分である。SrOは、必須成分ではないが、含有させると耐失透性向上および熔解性向上が実現できるので、含まれていてもよい。しかし、SrO量が多すぎると、密度が上昇してしまう。したがって、密度を低下させたい場合には、実質的にSrOを含有させないことが好ましい。したがって、本実施形態のガラス基板では、SrOの含有率は0~10%が好ましく、0~8%がより好ましい。なお、より軽量化を図るためには、SrOの含有率は、3%未満が好ましく、2%以下がより好ましく、1%以下がさらに好ましく、0.5%以下がさらに好ましく、SrOが実質的に含まれないことがさらに好ましい。言い換えると、SrOの含有率は0~3未満%(0%以上3%未満)が好ましく、0~2%がより好ましく、0~1%がさらに好ましく、0~0.5%がさらに好ましく、SrOが実質的に含まれないことがさらに好ましい。他方、熔解性を向上させたい場合には、SrOの含有率は、1~8%がさらに好ましく、3~8%がさらに好ましい。
BaOは、耐失透性および熔解性を向上させる成分である。また、BaOを含有させることにより、熱膨張係数が増大すると共に密度が過度に増加してしまう。したがって、本実施形態のガラス基板では、BaOの含有率は0~10%が好ましく、0~5%がより好ましく、0~2%がさらに好ましく、0~1%がさらに好ましい。なお、環境負荷の問題があるため、BaOが実質的に含まれないことがさらに好ましい。
Li2OおよびNa2Oは、熔解性を向上させる成分であるが、ガラスの熱膨張係数を大きくして、ディスプレイ製造における熱処理時に基板を破損したり、ガラスのTgおよび歪点を大きく低下させて、過度に耐熱性を低下させる成分である。したがって、本実施形態のガラス基板では、Li2OおよびNa2Oの含有率は0~0.3%が好ましく、0~0.2%がより好ましく、0~0.1%がさらに好ましく、Li2OおよびNa2Oが実質的に含有されないことがさらに好ましい。
K2Oは、ガラスの塩基性度を高め、清澄性を発揮させる成分である。また、K2Oは、熔解性を向上させ、さらにガラス融液の比抵抗を低下させる成分である。したがって、K2Oは、必須成分ではないが、含有させるとガラス融液の比抵抗低下および清澄性向上を実現できる。しかし、K2O量が多すぎると、熱膨張係数が増大したり、Tgおよび歪点が大きく低下して耐熱性が過度に低下する場合がある。そのため、本実施形態のガラス基板では、K2Oの含有率は0~0.8%が好ましく、0.01~0.5%がより好ましく、0.1~0.3%がさらに好ましい。
ZrO2およびTiO2は、ガラスの化学的耐久性と、Tgおよび歪点とを上昇させる成分である。ZrO2およびTiO2は、必須成分ではないが、含有させることでTgおよび歪点の上昇と、耐酸性向上とを実現できる。しかし、ZrO2量およびTiO2量が多くなりすぎると、失透温度が著しく上昇するため、耐失透性および成形性が低下する場合がある。特に、ZrO2は、冷却過程でZrO2の結晶を析出する場合があり、これがインクルージョンとしてガラスの品質悪化を引き起こすことがある。また、TiO2は、ガラスを着色させる成分なので、ディスプレイ用基板には好ましくない。以上の理由から、本実施形態のガラス基板では、ZrO2およびTiO2の含有率は、それぞれ、0~5%が好ましく、0~3%がより好ましく、0~2%がさらに好ましく、0~1%がさらに好ましく、0.5%未満がさらに好ましい。さらに好ましくは、本実施形態のガラス基板が、ZrO2およびTiO2を実質的に含有しないことである。
ZnOは、耐BHF性および熔解性を向上させる成分であるので含まれていてもよいが、必須成分ではない。しかし、ZnO量が多くなりすぎると、失透温度上昇、Tgおよび歪点の低下、および密度上昇が起こる場合がある。そのため、本実施形態のガラス基板では、ZnOの含有率は、5%以下が好ましく、3%以下がより好ましく、2%以下がさらに好ましく、1%以下がさらに好ましい。さらに好ましくは、本実施形態のガラス基板が、ZnOを実質的に含有しないことである。言い換えると、ZnOの含有率は、0~5%が好ましく、0~3%がより好ましく、0~2%がさらに好ましく、0~1%がさらに好ましい。さらに好ましくは、本実施形態のガラス基板が、ZnOを実質的に含有しないことである。
P2O5は、熔融温度を低下させ、熔解性を向上させる成分であるので含まれていてもよいが、必須成分ではない。しかし、P2O5量が多すぎると、ガラス熔解時のP2O5の揮発によりガラスの不均質が顕著となり、脈理が発生しやすくなる。また、Tgおよび歪点が低下すると共に、耐酸性が著しく悪化したり、乳白が生じやすくなったりする。そのため、本実施形態のガラス基板では、P2O5の含有率は、3%以下が好ましく、1%以下がより好ましく、0.5%以下がさらに好ましい。さらに好ましくは、本実施形態のガラス基板が、P2O5を実質的に含有しないことである。言い換えると、P2O5の含有率は、0~3%が好ましく、0~1%がより好ましく、0~0.5%がさらに好ましい。さらに好ましくは、本実施形態のガラス基板が、P2O5を実質的に含有しないことである。
清澄剤としては、環境への負荷が小さく、ガラスの清澄性に優れたものであれば特に制限されない。例えば、Sn、Fe、Ce、Tb、MoおよびWの金属酸化物の群から選ばれる少なくとも1種を挙げることができる。清澄剤が少なすぎると、泡品質が悪化する。したがって、清澄剤の添加量は、清澄剤の種類やガラスの組成にもよるが、例えば、0.01~1%、好ましくは0.05~1%、好ましくは0.05~0.5%、より好ましくは0.05~0.3%、さらに好ましくは0.05~0.2%の範囲とすることが適当である。清澄剤としては、SnO2が好適である。しかし、SnO2、は、ガラスの耐失透性を低下させる成分である。そのため、例えば清澄剤としてSnO2が用いられる場合は、SnO2の含有率は0.01~0.3%が好ましく、0.03~0.2%がより好ましく、0.05~0.15%がさらに好ましい。
Fe2O3は、清澄剤としての働きの他に、ガラス融液の高温域での粘性を低下させ、比抵抗を低下させる働きを行う成分である。Fe2O3は必須成分ではないが、熔融温度が高く、熔解が困難なガラスにおいては、熔融温度や比抵抗を低下させるために含有させることが好ましい。Fe2O3量が多くなりすぎると、ガラスが着色して透過率が低下する場合がある。そのため、本実施形態のガラス基板では、Fe2O3の含有率は0~0.1%が好ましく、0~0.08%がより好ましく、0.001~0.05%がさらに好ましく、0.005~0.03%がさらに好ましい。ここで、熔融温度が高いガラスにおいては、熔解工程の温度が高くなるので、Fe2O3の清澄剤としての効果は低下しやすい。そのため、清澄剤としてFe2O3を単独で用いると清澄性が低下し、ガラス基板の泡品質が悪化する場合があるので、SnO2と併用して用いることが好ましい。
As2O3、Sb2O3、PbOおよびFは、環境負荷の問題により、実質的に含有されないことがより好ましい。
本実施形態のガラス基板を構成するガラスでは、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17であり、8~17であることが好ましく、8.45~17.0の関係が満たされることがより好ましい。この関係を満たすことによって得られる効果は、上述のとおりである。なお、より軽量化を図るためにSrO+BaOを3%未満しか含まないガラスにおいては、その効果をより確実に得るために、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)は8.5~15.0が好ましく、9.5~14.0がより好ましく、10.0~13.0がさらに好ましく、10.0~12.5がさらに好ましい。さらに、失透温度の上昇防止と十分なエッチング速度を実現するためには、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)は8~15が好ましく、8~13がより好ましく、8~11がさらに好ましく、8~10がさらに好ましい。他方、SrO+BaOを3%以上含有するガラスにおいては、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)は、9.5~17.0%がさらに好ましく、10.0~17.0%がさらに好ましい。
ROは、熔解性を向上させる成分である。RO量が少なすぎると、熔解性が悪化する場合がある。しかし、RO量が多すぎると、Tgおよび歪点の低下、密度上昇、ヤング率低下および熱膨張係数の増加が起こる場合がある。したがって、本実施形態のガラス基板を構成するガラスでは、ROの含有率は3~25%が好ましく、4~20%がより好ましい。なお、より軽量化を図るためにSrO+BaOを3%未満しか含まないガラスにおいては、ROの含有率は、5%以上14%未満がさらに好ましく、6~14%がさらに好ましく、8~13%がさらに好ましく、9~12%がさらに好ましい。他方、SrO+BaOを3%以上含有するガラスにおいては、ROの含有率は、5%以上18%未満がさらに好ましく、8~17%がさらに好ましい。
より軽量化を図るためにSrO+BaOを3%未満しか含まないガラスにおいては、CaO/ROは、0.5以上が好ましく、0.7以上がより好ましく、0.85を超えることがさらに好ましく、0.88以上がさらに好ましく、0.90以上がさらに好ましく、0.92以上がさらに好ましく、0.95以上がさらに好ましい。言い換えると、CaO/ROは、0.5~1が好ましく、0.7~1がより好ましく、0.85超~1がさらに好ましく、0.88~1がさらに好ましく、0.90~1がさらに好ましく、0.92~1がさらに好ましく、0.95~1がさらに好ましい。CaO/ROをこのような範囲とすることで、耐失透性と熔解性とを両立することができる。さらに、低密度化を図ることができる。また、原料として、複数のアルカリ土類金属酸化物を含有させるよりもCaOのみを含有させた方が、Tgおよび歪点を上昇させることができる。なお、アルカリ土類金属酸化物としてCaOのみを原料として含有させた場合でも、得られるガラスには、他のアルカリ土類金属酸化物が不純物として含まれる場合がある。アルカリ土類金属酸化物としてCaOのみを原料として含有させた場合、得られるガラスのCaO/ROの値は、例えば0.98~1程度である。また、CaOは原料が安価であり、入手が容易であるという点でも、好ましい成分である。
SiO2-(Al2O3/2)の値が小さすぎると、エッチング速度は向上するものの、耐失透性が低下する場合がある。一方、この値が大きすぎると、エッチング速度が低下する場合がある。したがって、本実施形態のガラス基板を構成するガラスは、SiO2-(Al2O3/2)は69以下が好ましく、50~68がより好ましく、55~65がさらに好ましく、57~63が一層好ましく、58~62がより一層好ましい。
エッチング速度(μm/h)は、HFの割合が1mol/kg、HClの割合が濃度5mol/kgの混酸である40℃のエッチング液にガラス基板を1時間浸漬した場合の、単位時間(1時間)当たりのガラス基板の一方の表面の厚み減少量(μm)として表す。
SiO2+Al2O3が少なすぎると、Tgおよび歪点が低下しやすくなる。一方、SiO2+Al2O3が多すぎると、耐失透性が悪化しやすくなる。したがって、本実施形態のガラス基板を構成するガラスでは、SiO2+Al2O3は70%以上であることが好ましく、75%以上が好ましく、76~88%がより好ましい。なお、より軽量化を図るためにSrO+BaOを3%未満しか含まないガラスにおいては、SiO2+Al2O3は、78~88%がより好ましく、79~85%がさらに好ましく、80~84%がさらに好ましい。さらに、失透温度の上昇を防止するためには、76~85%がより好ましく、76~83%がさらに好ましく、78~82%がさらに好ましい。他方、SrO+BaOを3%以上含有するガラスにおいては、SiO2+Al2O3は、76~86%がより好ましく、77~83%がさらに好ましい。
Al2O3/SiO2が0.35を超えると、耐失透性が悪化しやすくなる。他方、Al2O3/SiO2が0.05以下となるとTgおよび歪点を十分に上昇させることができない。したがって、本実施形態では、Al2O3/SiO2が0.05~0.35であり、0.07~0.30であることが好ましく、0.10~0.25であることがさらに好ましい。
B2O3+P2O5が少なすぎると、熔解性が低下しやすくなる。一方、B2O3+P2O5が多すぎると、ガラス熔解時のB2O3+P2O5の揮発により、ガラスの不均質が顕著となり、脈理が発生しやすくなる。さらに、Tgおよび歪点が低下しやすくなる。したがって、本実施形態のガラス基板を構成するガラスでは、B2O3+P2O5は3~15%が好ましく、3~10%がより好ましい。なお、より軽量化を図るためにSrO+BaOを3%未満しか含まないガラスにおいては、B2O3+P2O5は、3%以上9.5%未満がさらに好ましく、4%以上8.9%未満がさらに好ましく、5~8.5%がさらに好ましく、6~8%がさらに好ましい。さらに、耐失透性を向上させるには、5~13%がより好ましく、5~12%がさらに好ましく、6~10未満%(6%以上10%未満)がさらに好ましい。他方、SrO+BaOを3%以上含有するガラスにおいては、B2O3+P2O5は、3~9%がさらに好ましく、4~8%がさらに好ましい。
なお、より軽量化を図るためにSrO+BaOを3%未満しか含まないガラスにおいては、CaO/B2O3が小さすぎると、Tgおよび歪点が低下しやすくなる。一方、CaO/B2O3が大きすぎると、熔解性が悪化しやすくなる。したがって、本実施形態では、CaO/B2O3は、0.5以上が好ましく、0.7以上がより好ましく、0.9以上がより好ましく、1.2を超えることがさらに好ましく、1.2を超えて5以下がさらに好ましく、1.2を超えて3以下がさらに好ましく、1.3以上2.5以下がさらに好ましく、1.3以上2以下がさらに好ましい。さらに、熔解性を向上させるには、0.5~5が好ましく、0.9~3がより好ましく、1を超えて2.5以下がさらに好ましく、1を超えて2以下がさらに好ましく、1.2を超えて2以下がさらに好ましく、1.2を超えて1.5以下がさらに好ましい。
SrOおよびBaOは、ガラスの失透温度を下げることができる成分である。これらの成分は必須ではないが、含有させると、耐失透性向上および熔解性向上を実現できる。しかし、これらの成分の量が多すぎると、密度が上昇してしまう。したがって、密度を低下させ、軽量化を図りがたくなる。また、熱膨張係数が増加する場合もある。したがって、本実施形態のガラス基板を構成するガラスでは、SrO+BaOは10%以下が好ましい。なお、より軽量化を図るためには、5%以下がより好ましく、3%未満がさらに好ましく、2%未満がさらに好ましい。さらに好ましくは、本実施形態のガラス基板を構成するガラスがSrOおよびBaOを実質的に含有しないことである。言い換えると、SrO+BaOは0~10%が好ましく、より軽量化を図るためには、0~5%がより好ましく、0~3未満%(0%以上3%未満)がさらに好ましく、0~2未満%(0%以上2%未満)がさらに好ましく、0~1未満%(0%以上1%未満)がさらに好ましく、0~0.5未満%(0%以上0.5%未満)が一層好ましい。さらに好ましくは、本実施形態のガラス基板を構成するガラスがSrOおよびBaOを実質的に含有しないことである。
RO+ZnO+B2O3が少なすぎると、高温域の粘性が高くなり、清澄性およびガラスの熔解性が低下しやすくなる。一方、RO+ZnO+B2O3が多すぎると、Tgおよび歪点が低下しやすくなる。したがって、本実施形態のガラス基板を構成するガラスでは、RO+ZnO+B2O3が7~30%が好ましく、10~27%がより好ましい。なお、より軽量化を図るためにSrO+BaOを3%未満しか含まないガラスにおいては、RO+ZnO+B2O3は、12~22%がさらに好ましく、14~21%がさらに好ましく、16~20%がさらに好ましい。さらに、熔解性を向上させるためには、RO+ZnO+B2O3は、12~27%がさらに好ましく、14~25%がさらに好ましく、17~23%がさらに好ましい。他方、SrO+BaOを3%以上含有するガラスにおいては、RO+ZnO+B2O3は、13~27%がより好ましく、15~25%がさらに好ましい。
R2Oは、ガラスの塩基性度を高め、清澄剤の酸化を容易にして、清澄性を発揮させる成分である。また、R2Oは、ガラスの熔解性向上および比抵抗低下を実現しやすくする成分であるので、含まれていてもよい。R2Oは必須成分ではないが、含有させると、比抵抗低下、清澄性向上および熔解性向上を実現できる。しかし、R2O量が多すぎると、Tgおよび歪点が過度に低下し、さらに、熱膨張係数が増大する場合もある。したがって、本実施形態のガラス基板を構成するガラスでは、R2Oは0~0.8%が好ましく、0.01~0.5%がより好ましく、0.1~0.3%がさらに好ましい。
K2Oは、Li2OおよびNa2Oと比較して分子量が大きいため、ガラス基板から溶出しにくい。そのため、R2Oを含有させる場合には、K2Oをより高い比率で含有させることが好ましい。K2Oは、Li2Oよりも高い比率で含有される(K2O>Li2Oを満たす)ことが好ましい。K2Oは、Na2Oよりも高い比率で含有される(K2O>Na2Oを満たす)ことが好ましい。K2O/R2Oは、0.5以上が好ましく、0.6以上が好ましく、0.7以上がより好ましく、0.8以上がさらに好ましく、0.95以上がさらに好ましい。言い換えると、K2O/R2Oは、0.5~1が好ましく、0.6~1が好ましく、0.7~1がより好ましく、0.8~1がさらに好ましく、0.95~1がさらに好ましい。
SiO2 65~78%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
MgO 0~2未満%(0%以上2%未満)
CaO 3.6~16%
SrO 0~2%
BaO 0~1未満%(0%以上1%未満)、
を含有し、
かつ、
B2O3、P2O5およびCaOのモル%で示す含有率が、B2O3+P2O5=3~15%、および、CaO/B2O3>1.2の関係を満たす。
SiO2 65~78%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~9.5%
MgO 0~2未満%(0%以上2%未満)
CaO 3.6~16%
SrO 0~2%
が含有され、
BaOが実質的に含有されず、かつ、
B2O3、P2O5およびCaOのモル%で示す含有率が、
B2O3+P2O5=3~9.5%、および
CaO/B2O3>1.2の関係を満たす。
β-OH値=(1/X)log10(T1/T2)
X :ガラス肉厚(mm)
T1:参照波長2600nmにおける透過率(%)
T2:水酸基吸収波長2800nm付近における最小透過率(%)
モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17の関係を満たし、
歪点が665℃以上であり、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成され、
熱収縮率が75ppm以下である、
ガラス基板が挙げられる。
モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0の関係を満たし、かつ、
失透温度が1250℃以下のガラスから構成され、
熱収縮率が60ppm以下である、
ガラス基板が挙げられる。
モル%表示で、
SiO2 65~78%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
MgO 0~2未満%
CaO 3.6~16%
SrO 0~2%
BaO 0~1未満%、
を含有し、
B2O3、P2O5およびCaOのモル%で示す含有率が、B2O3+P2O5=3~15%、および、CaO/B2O3>1.2の関係を満たし、
歪点が665℃以上であり、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成される、
ガラス基板が挙げられる。
モル%表示で、
SiO2 65~78%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~9.5%
MgO 0~2未満%
CaO 3.6~16%
SrO 0~2%
を含有し、
BaOを実質的に含有せず、
B2O3、P2O5およびCaOのモル%で示す含有率が、B2O3+P2O5=3~9.5%、およびCaO/B2O3>1.2の関係を満たし、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成される、
ガラス基板が挙げられる。
モル%でSiO2が55~80%、Al2O3が3~20%、B2O3が3~15%、RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量)が3~25%であり、SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17.0の関係を満たし、歪点が665℃以上であり、かつ、失透温度が1250℃以下のガラスとなるように調合したガラス原料を熔融して、熔融ガラスを生成する熔融工程と、
前記熔融ガラスをガラス板へと成形する成形工程と、
前記ガラス板を徐冷する徐冷工程と、を含み、
前記ガラス板の熱収縮率が75ppm以下である、
製造方法が挙げられる。
モル%でSiO2が55~80%、Al2O3が3~20%、B2O3が3~15%、RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量)が3~25%であり、SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0の関係を満たし、かつ、失透温度が1250℃以下のガラスとなるように調合したガラス原料を熔融して、熔融ガラスを生成する熔融工程と、
前記熔融ガラスをガラス板へと成形する成形工程と、
前記ガラス板を徐冷する徐冷工程と、を含み、
前記ガラス板の熱収縮率が60ppm以下である、
製造方法が挙げられる。
モル%でSiO2が65~78%、Al2O3が3~20%、B2O3が3~15%、MgOが0~2未満%、CaOが3.6~16%、SrOが0~2%、BaOが0~1未満%であり、B2O3、P2O5およびCaOのモル%で示す含有率がB2O3+P2O5=3~15%、および、CaO/B2O3>1.2の関係を満たし、歪点が665℃以上であり、かつ、失透温度が1250℃以下のガラスとなるように調合したガラス原料を熔融して、熔融ガラスを生成する熔融工程と、
前記熔融ガラスをガラス板へと成形する成形工程と、
前記ガラス板を徐冷する徐冷工程と、
を含む製造方法が挙げられる。
モル%表示でSiO2が65~78%、Al2O3が3~20%、B2O3が3~9.5%、MgOが0~2未満%、CaOが3.6~16%、SrOが0~2%であり、BaOを実質的に含有せず、B2O3、P2O5およびCaOのモル%で示す含有率がB2O3+P2O5=3~9.5%、および、CaO/B2O3>1.2の関係を満たし、かつ、失透温度が1250℃以下のガラスとなるように調合したガラス原料を熔融して、熔融ガラスを生成する熔融工程と、
前記熔融ガラスをガラス板へと成形する成形工程と、
前記ガラス板を徐冷する徐冷工程と、
を含む製造方法が挙げられる。
第1のガラス基板について、実施例を挙げて説明する。なお、第1のガラス基板とは、
モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17の関係を満たし、
歪点が665℃以上であり、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成され、
熱収縮率が75ppm以下である、
ガラス基板である。
表1-1および1-2に示すガラス組成になるように、実施例1-1~1-24および比較例1-1~1-6の試料ガラスを以下の手順に従って作製した。得られた試料ガラスおよび試料ガラス基板について、失透温度、Tg、100~300℃の範囲における平均熱膨張係数、熱収縮率、密度、歪点、熔融温度(粘度が102.5dPa・sの時のガラス温度)、液相粘度、および1550℃における比抵抗を測定した。
まず、表1-1および1-2に示すガラス組成となるように、通常のガラス原料である、シリカ、アルミナ、酸化ホウ素、炭酸カリウム、塩基性炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、二酸化スズおよび三酸化二鉄を用いて、ガラス原料バッチ(以下バッチと呼ぶ)を調合した。なお、ガラスで400gとなる量で調合した。
前記試料ガラスを粉砕し、2380μmのふるいを通過し、1000μmのふるい上に留まったガラス粒を得た。このガラス粒をエタノールに浸漬し、超音波洗浄した後、恒温槽で乾燥させた。乾燥させたガラス粒を、幅12mm、長さ200mm、深さ10mmの白金ボート上に、前記ガラス粒25gをほぼ一定の厚さになるように入れた。この白金ボートを、実施例1-1~1-6、1-8~1-24および比較例1-1、1-3~1-5については1080~1320℃、実施例1-7、比較例1-2および1-6については1140~1380℃の温度勾配をもった電気炉内に5時間保持し、その後、炉から取り出して、ガラス内部に発生した失透を50倍の光学顕微鏡にて観察した。失透が観察された最高温度を、失透温度とした。
前記試料ガラスの熔融温度は、白金球引き上げ式自動粘度測定装置を用いて測定した。前記測定結果より、粘度102.5dPa・sの時の温度を算出し、熔融温度を得た。
前記熔融温度の測定結果より、前記失透温度での粘性を算出し、液相粘度を得た。
前記試料ガラスの熔融時の比抵抗を、HP社製 4192A LF インピーダンス・アナライザーを用いて、四端子法にて測定した。前記測定結果より、1550℃での比抵抗値を算出した。
前記試料ガラスを、φ5mm、長さ20mmの円柱状に加工して、試験片とした。この試験片に対し、示差熱膨張計(Thermo Plus2 TMA8310)を用いて、昇温過程における温度と試験片の伸縮量を測定した。この時の昇温速度は5℃/minとした。前記温度と試験片の伸縮量との測定結果を元に100~300℃の温度範囲における平均熱膨張係数およびTgを測定した。なお、本願でのTgとは、ガラス体を800℃に設定した別の電気炉の中で2時間保持した後、740℃まで2時間、更に660℃まで2時間で冷却後、その電気炉の電源を切り、室温まで冷却した試料ガラスについて測定した値である。
前記試料ガラスを、3mm角、長さ55mmの角柱形状に切断・研削加工して、試験片とした。この試験片に対して、ビーム曲げ測定装置(東京工業株式会社製)を用いて測定を行い、ビーム曲げ法(ASTM C-598)に従い、計算により歪点を求めた。
前記試料ガラスを、鏡面研磨して5×30×30mmの板状サンプルを作製した。このサンプルを用いて、アルキメデス法によってガラスの密度を測定した。
熱収縮率は、前記熱収縮測定用試料ガラス基板に対して550℃で2時間の熱処理を施し、熱処理後のガラス基板の収縮量を用いて、以下の式にて求めた。
熱収縮率(ppm)
={熱処理後のガラス基板の収縮量/熱処理前のガラス基板の長さ}×106
ガラス基板を、HFの割合が1mol/kg、HClの割合が5mol/kgの混酸の40℃のエッチング液に1時間浸漬した。その後、ガラス基板の一方の表面の厚み減少量(μm)を測定した。単位時間(1時間)当たりの減少量(μm)としてエッチング速度(μm/h)を求めた。
実施例1-4に示す組成となるよう調合したガラス原料を、耐火煉瓦製の熔解槽と白金合金製の清澄槽(調整槽)を備えた連続熔解装置を用いて、1560~1640℃で熔解し、1620~1670℃で清澄し、1440~1530℃で攪拌した後にオーバーフローダウンドロー法により厚さ0.7mmの薄板状に成形し、TgからTg-100℃の温度範囲内において、100℃/分の平均速度で冷却を行い、液晶ディスプレイ用(または有機ELディスプレイ用)ガラス基板を得た。なお、前記記載の各特性については、得られたガラス基板を用いて測定した。なお、基板状では測定出来ない特性(密度、歪点、膨張係数およびTg)に関しては、前記試料作製方法に準じて、前記ガラス基板を再熔融し、試料ガラスを作製して、特性を測定した。
実施例1-12に示すガラス組成となるよう調合したガラス原料を用いて実施例1-25と同様にしてガラス基板を作製し、各特性を測定した。
第2のガラス基板について、実施例を挙げて説明する。なお、第2のガラス基板とは、
モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0の関係を満たし、かつ、
失透温度が1250℃以下のガラスから構成され、
熱収縮率が60ppm以下である、
ガラス基板である。
第3のガラス基板について、実施例を挙げて説明する。なお、第3のガラス基板とは、
モル%表示で、
SiO2 65~78%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
MgO 0~2未満%
CaO 3.6~16%
SrO 0~2%
BaO 0~1未満%、
を含有し、
B2O3、P2O5およびCaOのモル%で示す含有率が、B2O3+P2O5=3~15%、および、CaO/B2O3>1.2の関係を満たし、
歪点が665℃以上であり、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成される、
ガラス基板である。
第4のガラス基板について、実施例を挙げて説明する。なお、第4のガラス基板とは、
モル%表示で、
SiO2 65~78%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~9.5%
MgO 0~2未満%
CaO 3.6~16%
SrO 0~2%
を含有し、
BaOを実質的に含有せず、
B2O3、P2O5およびCaOのモル%で示す含有率が、B2O3+P2O5=3~9.5%、およびCaO/B2O3>1.2の関係を満たし、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成される、
ガラス基板である。
上記開示から、本発明は以下の態様を提供する。
モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17の関係を満たし、
歪点が665℃以上であり、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成され、
熱収縮率が75ppm以下である、
p-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板を提供する。
熱収縮率(ppm)
={熱処理後のガラス基板の収縮量/熱処理前のガラス基板の長さ}×106
以降の本発明の態様においても、「熱収縮率」は同様に定義される。
モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0の関係を満たし、かつ、
失透温度が1250℃以下のガラスから構成され、
熱収縮率が60ppm以下である、
p-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板を提供する。
モル%表示で、
SiO2 65~78%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
MgO 0~2未満%
CaO 3.6~16%
SrO 0~2%
BaO 0~1未満%、
を含有し、
B2O3、P2O5およびCaOのモル%で示す含有率が、B2O3+P2O5=3~15%、および、CaO/B2O3>1.2の関係を満たし、
歪点が665℃以上であり、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成される、
p-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板を提供する。
モル%表示で、
SiO2 65~78%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~9.5%
MgO 0~2未満%
CaO 3.6~16%
SrO 0~2%
を含有し、
BaOを実質的に含有せず、
B2O3、P2O5およびCaOのモル%で示す含有率が、B2O3+P2O5=3~9.5%、およびCaO/B2O3>1.2の関係を満たし、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成される、
p-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板を提供する。
モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17の関係を満たし、
歪点が665℃以上であり、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成されるガラス基板であり、
Tgで30分保持した後、Tg-100℃まで100℃/分で冷却し、室温まで放冷後、昇降温速度が10℃/min、550℃で2時間保持の熱処理が施された後の前記ガラス基板の熱収縮率が75ppm以下である、
p-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板を提供する。
前記ガラスは、モル%表示で、
ZnO 0~5%を含有し、
前記ガラスにおいて、SiO2およびAl2O3のモル%で示す含有率が、SiO2+Al2O3≧75%を満たし、かつ、
RO、ZnOおよびB2O3のモル%で示す含有率が、RO+ZnO+B2O3=7~25%を満たす、
前記第1~第5の態様の何れか1つの態様に記載のp-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板を提供する。
前記ガラスにおいて、MgO、CaO、SrOおよびBaOの含有率の合計が4~20モル%である、
前記第1~第6の態様の何れか1つの態様に記載のp-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板を提供する。
前記ガラスにおいて、モル%で、MgO、CaO、SrOおよびBaOの含有率の合計に対するCaOの含有率の比が0.5を超える、
前記第1~第7の態様の何れか1つの態様に記載のp-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板を提供する。
前記ガラスの液相粘度が104.5dPa・s以上であり、前記ガラスをダウンドロー法によって成形することによって得られた、
前記第1~第8の態様の何れか1つの態様に記載のp-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板を提供する。
前記ガラスは、As2O3およびSb2O3を実質的に含有しない、
前記第1~第9の態様の何れか1つの態様に記載のp-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板を提供する。
液晶ディスプレイ用ガラス基板である、
前記第1~第10の態様の何れか1つの態様に記載のp-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板を提供する。
モル%でSiO2が55~80%、Al2O3が3~20%、B2O3が3~15%、RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量)が3~25%であり、SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17の関係を満たし、歪点が665℃以上であり、かつ、失透温度が1250℃以下であるガラスとなるように調合したガラス原料を熔融して、熔融ガラスを生成する熔融工程と、
前記熔融ガラスをガラス板へと成形する成形工程と、
前記ガラス板を徐冷する徐冷工程と、を含み、
前記ガラス板の熱収縮率が75ppm以下である、
p-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法を提供する。
モル%でSiO2が55~80%、Al2O3が3~20%、B2O3が3~15%、RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量)が3~25%であり、SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0の関係を満たし、かつ、失透温度が1250℃以下であるガラスとなるように調合したガラス原料を熔融して、熔融ガラスを生成する熔融工程と、
前記熔融ガラスをガラス板へと成形する成形工程と、
前記ガラス板を徐冷する徐冷工程と、を含み、
前記ガラス板の熱収縮率が60ppm以下である、
p-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法を提供する。
前記熔融工程では、β-OHが0.05~0.40mm-1となるように熔融ガラスを生成し、
前記徐冷工程では、前記ガラス板をガラス転移点(Tg)からTg-100℃までの温度範囲内において、50~300℃/分の平均速度で冷却する、
前記第12又は13の態様に記載のp-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法を提供する。
モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17の関係を満たし、
歪点が665℃以上であり、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成され、
熱収縮率が75ppm以下である、
フラットパネルディスプレイ用ガラス基板を提供する。
モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0の関係を満たし、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成され、
熱収縮率が60ppm以下である、
フラットパネルディスプレイ用ガラス基板を提供する。
Claims (14)
- モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17の関係を満たし、
歪点が665℃以上であり、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成され、
熱収縮率が75ppm以下である、
p-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板。
ただし、前記熱収縮率とは、昇降温速度が10℃/min、550℃で2時間保持の熱処理が施された後のガラス基板の収縮量を用いて、以下の式にて求められる値である。
熱収縮率(ppm)
={熱処理後のガラス基板の収縮量/熱処理前のガラス基板の長さ}×106 - モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0の関係を満たし、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成され、
熱収縮率が60ppm以下である、
p-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板。
ただし、前記熱収縮率とは、昇降温速度が10℃/min、550℃で2時間保持の熱処理が施された後のガラス基板の収縮量を用いて、以下の式にて求められる値である。
熱収縮率(ppm)
={熱処理後のガラス基板の収縮量/熱処理前のガラス基板の長さ}×106 - 前記ガラスは、モル%表示で、
ZnO 0~5%を含有し、
前記ガラスにおいて、SiO2およびAl2O3のモル%で示す含有率が、SiO2+Al2O3≧75%を満たし、かつ、
RO、ZnOおよびB2O3のモル%で示す含有率が、RO+ZnO+B2O3=7~25%を満たす、
請求項1又は2に記載のp-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板。 - 前記ガラスにおいて、MgO、CaO、SrOおよびBaOの含有率の合計が4~20モル%である、
請求項1~3の何れか1項に記載のp-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板。 - 前記ガラスにおいて、モル%で、MgO、CaO、SrOおよびBaOの含有率の合計に対するCaOの含有率の比が0.5を超える、
請求項1~4の何れか1項に記載のp-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板。 - 前記ガラスの液相粘度が104.5dPa・s以上であり、前記ガラスをダウンドロー法によって成形することによって得られた、
請求項1~5の何れか1項に記載のp-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板。 - 前記ガラスは、As2O3およびSb2O3を実質的に含有しない、
請求項1~6の何れか1項に記載のp-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板。 - 液晶ディスプレイ用ガラス基板である、
請求項1~7の何れか1項に記載のp-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板。 - モル%でSiO2が55~80%、Al2O3が3~20%、B2O3が3~15%、RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量)が3~25%であり、SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17の関係を満たし、歪点が665℃以上であり、かつ、失透温度が1250℃以下であるガラスとなるように調合したガラス原料を熔融して、熔融ガラスを生成する熔融工程と、
前記熔融ガラスをガラス板へと成形する成形工程と、
前記ガラス板を徐冷する徐冷工程と、を含み、
前記ガラス板の熱収縮率が75ppm以下である、
p-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法。
ただし、前記熱収縮率とは、昇降温速度が10℃/min、550℃で2時間保持の熱処理が施された後のガラス板の収縮量を用いて、以下の式にて求められる値である。
熱収縮率(ppm)
={熱処理後のガラス基板の収縮量/熱処理前のガラス基板の長さ}×106 - モル%でSiO2が55~80%、Al2O3が3~20%、B2O3が3~15%、RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量)が3~25%であり、SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0の関係を満たし、かつ、失透温度が1250℃以下であるガラスとなるように調合したガラス原料を熔融して、熔融ガラスを生成する熔融工程と、
前記熔融ガラスをガラス板へと成形する成形工程と、
前記ガラス板を徐冷する徐冷工程と、を含み、
前記ガラス板の熱収縮率が60ppm以下である、
p-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法。
ただし、前記熱収縮率とは、昇降温速度が10℃/min、550℃で2時間保持の熱処理が施された後のガラス板の収縮量を用いて、以下の式にて求められる値である。
熱収縮率(ppm)
={熱処理後のガラス板の収縮量/熱処理前のガラス板の長さ}×106 - 前記熔融工程では、β-OHが0.05~0.40mm-1となるように熔融ガラスを生成し、
前記徐冷工程では、前記ガラス板をガラス転移点(Tg)からTg-100℃までの温度範囲内において、50~300℃/分の平均速度で冷却する、
請求項9又は10に記載のp-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造方法。 - モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17の関係を満たし、
歪点が665℃以上であり、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成され、
熱収縮率が75ppm以下である、
フラットパネルディスプレイ用ガラス基板。
ただし、前記熱収縮率とは、昇降温速度が10℃/min、550℃で2時間保持の熱処理が施された後のガラス基板の収縮量を用いて、以下の式にて求められる値である。
熱収縮率(ppm)
={熱処理後のガラス基板の収縮量/熱処理前のガラス基板の長さ}×106 - モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=8.45~17.0の関係を満たし、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成され、
熱収縮率が60ppm以下である、
フラットパネルディスプレイ用ガラス基板。
ただし、前記熱収縮率とは、昇降温速度が10℃/min、550℃で2時間保持の熱処理が施された後のガラス基板の収縮量を用いて、以下の式にて求められる値である。
熱収縮率(ppm)
={熱処理後のガラス基板の収縮量/熱処理前のガラス基板の長さ}×106 - モル%表示で、
SiO2 55~80%
Al2O3 3~20%
B2O3 3~15%
RO(MgO、CaO、SrO、BaOの合量) 3~25%
を含有し、
SiO2、Al2O3およびB2O3のモル%で表す含有率が、(SiO2+Al2O3)/(B2O3)=7.5~17の関係を満たし、
歪点が665℃以上であり、かつ、
失透温度が1250℃以下であるガラスから構成されたガラス基板であり、
Tgで30分保持した後、Tg-100℃まで100℃/分で冷却し、室温まで放冷後、昇降温速度が10℃/min、550℃で2時間保持の熱処理が施された後の前記ガラス基板の熱収縮率が75ppm以下である、
p-Si・TFTが形成されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板。
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