WO2010136591A1 - Elektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements - Google Patents

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WO2010136591A1
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electronic component
groups
substrate
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PCT/EP2010/057482
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Günther Schmid
Arvid Hunze
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
Siemens Aktiengesellschaft
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Definitions

  • the invention relates to an electronic component and a method for producing an electronic component.
  • the lifetime of electronic components depends, inter alia, on their shielding against atmospheric oxygen and moisture, as they often contain reactive materials, such as metals susceptible to corrosion, or hygroscopic layers.
  • reactive materials such as metals susceptible to corrosion, or hygroscopic layers.
  • electronically excited organic molecules can easily react with oxygen or water when operating an electronic device, which limits their life.
  • An object to be solved is to provide an electronic component having an improved shield. This object is achieved by an electronic component according to claim 1. Further embodiments of the component and a method for producing an electronic component, which has an improved shield, are the subject matter of further patent claims.
  • an electronic component which has a substrate, a layer sequence which comprises at least one functional layer on the substrate, and an encapsulation which is based on the layer sequence and is arranged on the substrate and completely encloses the layer sequence together with the substrate.
  • the encapsulation has at least two double layers, wherein a double layer has a first layer and a second layer, and the first layer is an organic monomolecular layer with a two-dimensional order. This two-dimensional order can be amorphous.
  • a layer system of double layers each comprising a first and a second layer, wherein the first and second layers are arranged alternately one above the other, so that a tight encapsulation is produced.
  • the outermost layers of the encapsulation may be either first or second layers, that is, the layer of the encapsulation adjacent to the layer sequence may be a first or a second layer, and the layer of the encapsulation farthest from the layer sequence may be a first or a second layer be the encapsulation.
  • the encapsulation shields the layer sequence, which contains at least one functional layer, from atmospheric oxygen and moisture, so that layers in the layer sequence that are sensitive to atmospheric oxygen and / or moisture are protected. As a result, the life of these layers and thus also the electronic component is extended.
  • the first layer may comprise linear molecules of a length selected from the range 0.5 nm to 5 nm and have a thickness corresponding to the length of the linear molecules.
  • a first layer of a double layer of the encapsulant is provided, which may have a thickness of 0.5 nm to 5 nm, for example, the thickness of the first layer may be between 1 and 3 nm.
  • the linear molecules may include a first end group, a middle group and a second end group.
  • the first end group may for example be an anchor group and the second end group may be, for example, a head group.
  • the first layer can be coupled well to the second layer or to the second layer of a further double layer.
  • a suitable choice of the first and second end groups leads to a good coupling of the respective end groups with one another, so that the first layer has a high density and thus chemical and thermal stability.
  • Such linear molecules which have a first end group at one end, can form thin, monomolecular layers (self-assembling monolayers: SAM) on surfaces.
  • SAM self-assembling monolayers
  • the monomolecular layers can also be called self-assembling monolayers.
  • a first layer formed from the linear molecules described above may form covalent bonds with the second layer and therefore have good adhesion to the surface of the second layer.
  • the bonding to the surface of the second layer can be spontaneous and directional. This results in a two-dimensional order in the organic monomolecular layer, with which particularly dense first layers can be produced.
  • very thin dielectrics can be produced which have no or few leakage current paths, which can be shown by high breakdown voltages.
  • the monomolecular layers are also impermeable or hardly permeable to larger molecules, for example water or oxygen. Defects such as pinholes in the second layer, which are less than 10 nm in size, can be closed by the linear molecules of the first layer. Due to the fact that the first layer comprises a monomolecular layer, the total thickness of the encapsulation can be made very small, which saves both material and process costs.
  • the middle group of the linear molecules can be a molecular chain and can be selected from a group comprising linear alkyls, linear fluorinated alkyls, polyethylene glycol and polyethylene diamine.
  • the middle groups can influence the electrical properties of the first layer by selecting as required insulating aliphatic systems or electrically conductive conjugated double bonds as a middle group.
  • Linear alkyls may have 2 to 20 carbon atoms, for example 10 to 18 carbon atoms.
  • linear fluorinated alkyls may have 2 to 20, for example, 10 to 18 carbon atoms.
  • linear alkyls having 2 to 20 carbon atoms as the second end group may have aryl groups which, by forming pi-pi interactions, stabilize the linear molecules with each other and with respect to the adjacent second layer.
  • the aryl groups may be substituted or unsubstituted.
  • Substituents may be fluorinated and / or unsaturated alkyl groups, halogens or S, N or P containing compounds.
  • Various linear molecules can also be used to prepare a first layer.
  • R 4 can be selected from H, Cl, Br, I, OH, OSiRiR 2 R 3, O-alkyl groups, benzyl groups and unsaturated alkylene groups.
  • R 5 and R 6 may independently of one another be selected from H, Cl, Br, I, OH, O-alkyl groups, benzyl groups and unsaturated alkenyl groups.
  • R 7 may be selected from Cl, Br, I, OH, O-alkyl groups, benzyl groups and unsaturated alkenyl groups.
  • Exemplary linear molecules of the first layer which have the above-mentioned properties can be constructed according to formula 1.
  • alkyl groups can be, for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, sec-butyl, tert-butyl, and their branched and branched higher homologs.
  • R 4 can be OSiRiR2R3 with Ri, R2, R3 - independent pending from each other - only be alkyl or H.
  • the first end group O P (Rs) Re may form particularly stable bonds to the adjacent second layer and / or adjacent first end groups.
  • the second end group can be selected from a group comprising the first end group, unsubstituted aryl groups, substituted aryl groups, substituted aromatics, unsubstituted aromatics, substituted heteroaromatics and unsubstituted heteroaromatics.
  • the second end group furan, tiophen, pyrrole, oxazole, thiazole, imidazole, isoxazole, isothiazole, pyrazole, benzo [b] furan, benzo [b] thiophene, indole, 2H-isoindole, benzothiazole, pyridine, Py - Razin, pyrimidine, pyrylium, ⁇ -pyrone, ⁇ -pyrone, quinoline, iso-quinoline, bipyridine and the respective derivatives.
  • Exemplary second end groups are shown in Formula 2.
  • the second end groups can be attached directly or via the heteroatoms O, S, N, P to the middle group. A connection via the CC double bond or CC triple bond is also possible.
  • the second end group may have substituents having first end group components.
  • the second end group may also be a methyl group or a methyl group oxidized to a carboxyl group. Thus, an adjacent second layer can be well connected to the first layer.
  • the second layer may comprise a material selected from a group comprising metals, metal alloys, metal oxides, and polymers.
  • Metals may be, for example, non-reactive or self-passivating metals or metal alloys, for example Al, Cr, Ni, Fe, Ag, stainless steel, AlMg 3 and other aluminum alloys.
  • metal oxides may be selected from SiO 2 or Al 2 O 3 as well as indium tin oxide (ITO) or zinc oxide, which may be deposited by known methods.
  • Polymers may be, for example, parylene, acrylates or novolaks. When using polymers as the second layer, a high OH group density should be present on the surface of the second layer in order to form a stable bond to the adjacent first layer.
  • a high OH density can be realized, for example, with an OH group on at least one tenth monomer unit.
  • poly-o-hydroxy-styrene or polyvinyl alcohol have a high OH density.
  • the second layer may have a thickness selected from the range of 5 nm to 1 ⁇ m.
  • the thickness may be selected from a range of 50 nm to 1 ⁇ m. The thicker the thickness of the second layer, the denser the second layer. It is therefore also possible to provide a hermetically sealed second layer.
  • the second layer may have pinholes which can not be closed by further deposition of metal atoms, since pinholes are not wetted by the newly deposited metal atoms.
  • the deposition of a first layer may then cause the surface energy to be reset if the metal wets worse on the first layer than on the metal atoms.
  • the pinhole is first closed with material of the first layer and then with other metal atoms and a total of a thin, dense layer sequence produced.
  • both the first and second layers can be made as thin layers.
  • a dense thin film encapsulation of the electronic device is provided.
  • the thin-film encapsulation can have up to 30 double layers.
  • the encapsulation may further comprise at least a third layer which binds water and oxygen molecules. This bond can be chemical and increases the encapsulation property of the bilayers.
  • the material for the third layer for example, Ca, Mg, Yb, Ba or Sr can be selected.
  • the at least one third layer may be arranged between the double layers.
  • the layer sequence of the electronic component may be selected from a group comprising organic light-emitting diodes, organic magnetoresistive components, inorganic magnetoresistive components, electrochromic display elements, organic solar cells, inorganic solar cells, organic photodiodes, inorganic photodiodes, organic sensors, inorganic sensors and surface acoustic wave filters.
  • Magnetoresistive devices can show the GMR or TMR effect.
  • Electrochromic display elements can be pixelated or segmented. For example, Si chips bonded to printed circuit boards can also be hermetically sealed by the double layers described above.
  • a method for producing an electronic component comprises the method steps A) arranging a layer sequence comprising at least one functional layer on a substrate, B) arranging an encapsulation with at least two double layers on the substrate and the layer sequence, so that the layer sequence is completely enclosed by the substrate and the encapsulation , wherein the method step B) the method steps Bl) applying a first layer and B2) applying a second layer, wherein as the first layer, an organic monomolecular layer having a two-dimensional order is made.
  • the method steps B1) and B2) are repeated alternately at least twice so that at least two double layers, each comprising a first layer and a second layer, are produced. This provides a simple method of encapsulating a layer sequence that is sensitive to oxygen and / or moisture.
  • a material for the second layer may be deposited by a method selected from the group consisting of vapor deposition, sputtering, printing and electroless plating.
  • a method for the first layer metals, metal alloys, metal oxides and polymers can be selected. Polymers can also be applied from the gas phase or liquid phase, and modified by an O 2 plasma to have a high OH group density on the surface.
  • a material for the first layer can be applied from the gas phase or from a solution.
  • the material for the first layer linear molecules having a first end group, a middle group and a second end group as described above can be used.
  • a temperature treatment and / or an exposure step can be carried out following method step B2) in order to improve the bonding of the first layer to the second layer.
  • a rinse is performed to remove excess first layer non-second layer bonded material.
  • the material of the first layer, when applied in solution may be dissolved in a solvent or a solvent mixture at a concentration of 0.0001 mol / 1 to 1 mol / l.
  • Solvents may be selected from a group comprising hydrocarbons, for example, pentane, hexane, heptane, octane, benzene, toluene, xylene, cresol, tetralin and decalin, chlorinated hydrocarbons, for example dichloromethane, chloroform, carbon tetrachloride, trichlorethylene, chlorobenzene and dichlorobenzene, alcohols For example, methanol, n-propanol, i-propanol and butanol, ethers or cyclic ethers, such as diethyl ether, diphenyl ether, tetrahydroforane and dioxane, esters such as acetic acid esters, dimethylformanide, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidinone, ⁇ -butyrolactone and cyclohexa - non includes.
  • hydrocarbons for example,
  • the material of the first layer in process step B1) can be applied diluted or undiluted from a vacuum reforming agent.
  • the material may be present in the gas phase with a proportion of 1%. Without dilution, the proportion of the material is 100% in the gas phase.
  • noble gases such as He, Ne, Ar, Kr or Xe or inert gases such as N 2 .
  • more easily evaporable derivatives of the materials for the first layer can also be used.
  • the pressure during the deposition may be 10 -8 mbar to 1000 mbar, the temperature may be 200 0 C.
  • the deposition can be carried out, for example, for 0.1 min to 10 min. After the deposition, excess material of the first layer can be removed by pumping or heating. Reactive silanes, for example, by let be fixed by water in the gas phase, wherein free Cl terminals of the silane polymerize.
  • a chemical bond and / or a complex bond and / or a van der Waals interaction can be formed between the first layer and the second layer. If a second double layer is deposited on a first double layer, a chemical bond and / or a complex bond and / or a van der Waals interaction can likewise be formed between the second layer of the first double layer and the first layer of the second double layer.
  • the second layer If defects occur in the second layer during the production of the second layer, so that the second layer is present in partial areas, these can be closed by the first layer of the next double layer deposited thereon.
  • the linear molecules of the first layer align spontaneously perpendicular to the second layer, so that at defects, linear molecules of the first layer are arranged parallel to the partial regions of the second layer.
  • the density of the second layer can be obtained and a reliable encapsulation can be made.
  • the sequence of method steps B1) and B2) is not fixed. Thus, firstly a first layer and then a second layer or first a second layer and then a first layer can be deposited on the layer sequence arranged in method step A). If the method step B1) is carried out first, ie first a first layer is deposited on the layer sequence, groups, for example metallic groups, must be present in the layer sequence which form a bond of the first layer to the layer Layer sequence enable.
  • the last process step carried out within process step B) can also be either process step B1) or B2). If further layers or elements are applied to the encapsulation in subsequent process steps, for example, process step B) can be terminated with process step B1), ie the application of a first layer.
  • the first layer can serve as a primer in this case.
  • Figure 1 shows the schematic side view of an electronic device with encapsulation.
  • FIG. 2 shows the schematic side view of a double layer.
  • Figure 3 shows the schematic side view of another double layer with defect.
  • FIG. 4 shows the recording of a drop of water on an upper surface of the first layer.
  • FIG. 5 shows a diagram with contact angle measurements on a surface of the first layer.
  • FIG. 6 shows the schematic side view of a layer sequence.
  • FIG. 7 shows the schematic, perspective view of a layer sequence.
  • FIG. 1 shows the schematic side view of an electronic component.
  • a layer sequence 20 is applied on the substrate 10.
  • a layer sequence 20 having six layers is shown here, wherein more or fewer layers may also be present in the layer sequence.
  • At least one layer in the layer sequence is a functional layer, for example a radiation-emitting layer. Furthermore, at least one of the layers in the layer sequence 20 is sensitive to oxygen and / or atmospheric moisture.
  • Two double layers 30 are arranged on the layer sequence 20 and the substrate 10, so that the layer sequence 20 is completely enclosed by the substrate 10 and the double layers 30.
  • the double layers 30 each comprise a first layer 31 and a second layer 32, which are arranged alternately one above the other. Two double layers 30 are shown by way of example in FIG. 1, but the number of double layers 30 can also be selected to be larger.
  • the double layers 30 can be deposited on the layer sequence 20, for example, from the gas phase.
  • the substrate can be exposed in a vacuum recipient with the diluted or undiluted vapors of the corresponding compound for 0.1 min to 10 min.
  • the pressure is for example between 10 ⁇ 8 mbar to 1000 mbar.
  • the temperature may be in a range from 20 0 C to 300 0 C, for example below 200 0 C.
  • Both the first and second layers can be deposited in the same vacuum receptor. Is used as the material for the first layer, a phosphonic acid, carboxylic acid or a sulfonic acid group as first end group chosen, their esters or other reactive derivatives can be used, which are more volatile.
  • a first layer or firstly a second layer can first be deposited on the layer sequence. If the first layer is deposited first, groups must be present on the layer sequence to which the first layer can bond. These groups may be, for example, metal groups.
  • the outer layer of the encapsulant may also be a first layer or a second layer. If the outer layer is a first layer, it can serve, for example, as adhesion promoter for further elements or layers to be applied. In FIG. 1, by way of example, a first layer 31 is applied to the layer sequence, and the encapsulation ends with a second layer 32.
  • Figure 2 shows the schematic side view of a double layer 30.
  • the first layer 31 and the second layer 32 is shown enlarged here as a composition of schematically represented molecules.
  • the materials described above can be selected.
  • the first layer 31 comprises a material comprising a first end group 31a, a middle group 31b and a second end group 31c.
  • the first end group 31a may form with the second layer 32 a chemical bond, a complex bond or a van der Waals interaction.
  • first and second layers 31 and 32 are sealed together.
  • the second end group 31c may also bond with a subsequent second layer 32 of another double layer 30.
  • the second end groups 31c may further interact with each other, so that the second Layer is formed dense.
  • the middle group 31b can also be designed such that it can interact with one another between the individual molecules.
  • the linear molecules of the first layer 31 are arranged in a two-dimensional order on the second layer 32. As a result, an overall dense double layer 30 is formed.
  • FIG. 3 shows a further variant of a schematic side view of a double layer 30.
  • a defect for example a pinhole
  • the second layer 32 for example a metal layer.
  • This defect is filled by arranging linear molecules of the first layer 31 between the partial regions of the second layer 32 and thus sealing the second layer 32.
  • This shutter mechanism works for imperfections in the second layer, which are smaller than 10 nm are especially good. Larger pinholes require the deposition of multiple bilayers.
  • FIG. 4 shows a photograph of a water droplet 40 on the surface of a first layer 31. It can be seen that the water droplet 40 forms a large contact angle ⁇ with respect to the first layer 31. This shows the strong hydrophobic property of the surface of the first layer, which causes the good shielding property of the double layer 30 comprising the first layer.
  • a substrate of AlMg3 having a size of 15 mm x 25 mm and a thickness of 0.5 mm was cleaned with N-methylpyrrolidone, then with acetone and isopropanol degreased.
  • an aqueous solution of sodium hydrogencarbonate the native oxide layers formed by self-pas- sion were removed at a current of 150 mA at 8 to 10 V by switching the substrate as cathode, ie by selecting a reductive purification method.
  • the substrate was immersed in a solution of octadecylphosphonic acid (100 mg) in isopropanol (100 ml) for 30 minutes.
  • the surface After rinsing with isopropanol and subsequent drying in a nitrogen stream, the surface is sealed with a mono- site of octadecylphosphonic acid.
  • the water drop 40 on the thus treated surface shows a contact angle in the range of 120 °.
  • the example shown above can also be performed with other aluminum alloys or pure aluminum. Instead of aluminum alloys and copper, nickel or titanium can be coated in an analogous manner. Hexadecylphosphonic acid or decylphosphonic acid can also be used instead of the octadecylphosphonic acid. Instead of the phosphonic acid as the first end group, a trichlorosilyl group can also be used. Anhydrous toluene is used as the solvent and worked in an inert atmosphere, for example nitrogen or argon.
  • Figure 5 shows a compilation of the measured contact angle ⁇ on the respective surfaces.
  • AlMg3 was used as the second layer in each case.
  • the length of the middle groups of the linear molecules in the first layer is 16 to 18 carbon atoms, ie hexyl, decyl or octadecyl.
  • the first end group used are phosphonic acid or trichlorosilyl groups.
  • the media are water 40, hexadecane 41, ethylene glycol 42 or dimethyl sulfoxide (DMSO) 43 used.
  • the materials of the first layer are hexanephosphonic acid A, decanephosphonic acid B, octadecanophosphonic acid C, hexane trichlorosilane D, decantrichlorosilane E and octadecane trichlorosilane F.
  • the contact angle ⁇ is given in degrees.
  • FIG. 6 shows the schematic side view of a layer sequence 20 on the substrate 10, which can be encapsulated by the double layers 30 described above.
  • the exemplary layer sequence comprises an anode 21, a hole transport layer 22, an organic emission layer 23 as a functional layer, an electron transport layer 24 and a cathode 25.
  • An electron injection layer in the layer sequence of, for example, Ca or LiF may also be present. This may be located between the electron transport layer and the cathode (not shown here).
  • the substrate 10 may be a glass substrate
  • the anode may include indium tin oxide
  • the cathode may be a metal cathode.
  • This exemplary layer sequence 20 can be deposited and patterned by successive vapor deposition processes, so that, for example, an OLED is produced.
  • a 120 nm thick aluminum cathode is finally vapor-deposited.
  • the substrate 10 with the layer sequence 20 is placed on the substrate 10 in a vacuum chamber.
  • the substrate 10 is heated to 80 ° C. at 1 mbar.
  • octadecylphosphonic acid diethyl ester is introduced for 10 min via nitrogen as the carrier gas.
  • the vacuum chamber is evacuated again to less than 5 x 10 -6 mbar to remove excess octa- decylphosphonklathylesther.
  • 100 nm of aluminum are deposited by evaporation.
  • This deposition process of the first 31 and second layer 32 can be repeated, for example, four more times.
  • the deposition of the double layer 30 can take place in the same vacuum chamber as the deposition of the aluminum cathode.
  • the deposition of the Octadecylphosphonklarediethylesther takes place at room temperature and the deposition time can be reduced to 2 min. Furthermore, the Octadecylphosphonklaredi- methylesther can be evaporated from a separate source.
  • the alloy AlMg3 can continue to be vapor-deposited. Instead of a steam process, sputtering processes are used.
  • the second layer in the double layer 30 may be made as a Ca layer.
  • FIG. 7 shows the schematic side view of a further component.
  • an anode 21, an organic layer 26 and a cathode 25 are patterned Manner applied.
  • a voltage V has to be applied in order to operate the component.
  • a voltage V is applied to the anode 21 and the cathode 25, so that the current i flows.
  • This component can be, for example, an OMR layer sequence.
  • This layer sequence can be deposited or patterned on the substrate 10 by successive vapor deposition processes and finally a 20 nm to 2 ⁇ m, for example a 120 nm thick, aluminum cathode can be vapor-deposited.
  • the encapsulation of the layer sequence takes place analogously to the encapsulation, as was explained with regard to the layer sequence of FIG.

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Abstract

Es wird ein elektronisches Bauelement mit einer Verkapselung, die zumindest zwei Doppelschichten aufweist, beschrieben. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements beschrieben, in dem eine Schichtenfolge verkapselt wird.

Description

Beschreibung
Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2009 023 350.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Lebensdauer von elektronischen Bauelementen hängt unter anderem von ihrer Abschirmung gegenüber Luftsauerstoff und Feuchtigkeit ab, da sie oft reaktive Materialien, beispielsweise korrosionsanfällige Metalle, oder hygroskopische Schichten enthalten. Beispielsweise können elektronisch angeregte organische Moleküle beim Betrieb eines elektronischen Bauelements leicht mit Sauerstoff oder Wasser reagieren, was deren Lebensdauer begrenzt.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein elektronisches Bauelement bereitzustellen, das eine verbesserte Abschirmung aufweist. Diese Aufgabe wird durch ein elektronisches Bauelement gemäß dem Patentanspruch 1 gelöst. Weitere Ausführungsformen des Bauelements und ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements, das eine verbesserte Abschirmung aufweist, sind Gegenstand weiterer Patentansprüche.
Gemäß einer Ausführungsform wird ein elektronisches Bauelement bereitgestellt, das ein Substrat, eine Schichtenfolge, die zumindest eine Funktionsschicht umfasst, auf dem Substrat, und eine Verkapselung, die auf der Schichtenfolge und dem Substrat angeordnet ist und zusammen mit dem Substrat die Schichtenfolge vollständig umschließt, bereitgestellt. Dabei weist die Verkapselung zumindest zwei Doppelschichten auf, wobei eine Doppelschicht eine erste Schicht und eine zweite Schicht aufweist, und die erste Schicht eine organische monomolekulare Schicht mit einer zweidimensionalen Ordnung ist. Diese zweidimensionale Ordnung kann amorph sein.
Es wird also ein Schichtsystem aus Doppelschichten, die jeweils eine erste und eine zweite Schicht umfassen, bereitgestellt, wobei die ersten und zweiten Schichten abwechselnd übereinander angeordnet sind, so dass eine dichte Verkapselung hergestellt wird. Die äußersten Schichten der Verkapselung können entweder erste oder zweite Schichten sein, das heißt, die an die Schichtenfolge angrenzende Schicht der Verkapselung kann eine erste oder eine zweite Schicht sein und die von der Schichtenfolge am weitesten entfernte Schicht der Verkapselung kann eine erste oder eine zweite Schicht der Verkapselung sein. Die Verkapselung schirmt die Schichtenfolge, die zumindest eine Funktionsschicht enthält, vor Luftsauerstoff und Feuchtigkeit ab, so dass Schichten in der Schichtenfolge, die empfindlich auf Luftsauerstoff und/oder Feuchtigkeit reagieren, geschützt werden. Dadurch wird die Lebensdauer dieser Schichten und damit auch des elektronischen Bauelements verlängert.
Die erste Schicht kann lineare Moleküle mit einer Länge, die aus dem Bereich 0,5 nm bis 5 nm ausgewählt ist, umfassen und eine Dicke aufweisen, die der Länge der linearen Moleküle entspricht. Damit wird eine erste Schicht einer Doppelschicht der Verkapselung bereitgestellt, die eine Dicke von 0,5 nm bis 5 nm aufweisen kann, beispielsweise kann die Dicke der ersten Schicht zwischen 1 und 3 nm betragen. Die linearen Moleküle können eine erste Endgruppe, eine Mittelgruppe und eine zweite Endgruppe umfassen. Die erste Endgruppe kann beispielsweise eine Ankergruppe sein und die zweite Endgruppe kann beispielsweise eine Kopfgruppe sein. Durch geeignete Wahl der ersten und der zweiten Endgruppe, kann die erste Schicht gut an die zweite Schicht beziehungsweise an die zweite Schicht einer weiteren Doppelschicht angekoppelt werden. Weiterhin führt eine geeignete Wahl der ersten und zweiten Endgruppen zu einer guten Ankopplung der jeweiligen Endgruppen unter sich, so dass die erste Schicht eine hohe Dichte und damit chemische und thermische Stabilität aufweist.
Solche linearen Moleküle, die an einem Ende eine erste Endgruppe aufweisen, können auf Oberflächen dünne, monomolekulare Schichten (self-assembling monolayers: SAM) ausbilden. Die monomolekularen Schichten können auch selbst organisierende Monolagen genannt werden.
Eine erste Schicht, die aus den oben beschriebenen linearen Molekülen gebildet ist, kann mit der zweiten Schicht beispielsweise kovalente Bindungen ausbilden und daher eine gute Haftung auf der Oberfläche der zweiten Schicht aufweisen. Die Bindung an die Oberfläche der zweiten Schicht kann spontan und gerichtet erfolgen. Dadurch entsteht eine zweidimensionale Ordnung in der organischen monomolekularen Schicht, womit besonders dichte erste Schichten erzeugt werden können. So können beispielsweise sehr dünne Dielektrika hergestellt werden, die keine oder wenige Leckstrompfade aufweisen, was durch hohe Durchbruchspannungen gezeigt werden kann. Dadurch sind die monomolekularen Schichten auch undurchlässig oder kaum durchlässig für größere Moleküle, beispielsweise Wasser oder Sauerstoff. Fehlstellen, wie beispielsweise Pinholes, in der zweiten Schicht, die eine Größe von weniger als 10 nm aufweisen, können durch die linearen Moleküle der ersten Schicht geschlossen werden. Dadurch, dass die erste Schicht eine monomolekulare Schicht umfasst, kann die Gesamtdicke der Verkapselung sehr gering ausgestaltet werden, womit sowohl Material- als auch Prozesskosten eingespart werden können.
Die Mittelgruppe der linearen Moleküle kann eine Molekülkette sein und aus einer Gruppe ausgewählt sein, die lineare Alky- Ie, lineare fluorierte Alkyle, Polyethylenglykol und Polye- thylendiamin umfasst. Die Mittelgruppen können die elektrischen Eigenschaften der ersten Schicht beeinflussen, indem je nach Bedarf isolierende aliphatische Systeme oder elektrisch leitende konjugierte Doppelbindungen als Mittelgruppe gewählt werden .
Lineare Alkyle können 2 bis 20 Kohlenstoffatome aufweisen, beispielsweise 10 bis 18 Kohlenstoffatome . Auch lineare fluorierte Alkyle können 2 bis 20, beispielsweise 10 bis 18 Kohlenstoffatome aufweisen. Beispielsweise können lineare Alkyle mit 2 bis 20 Kohlenstoffatomen als zweite Endgruppe Arylgrup- pen aufweisen, die durch die Ausbildung von pi-pi- Wechselwirkungen die linearen Moleküle untereinander und in Bezug auf die angrenzende zweite Schicht stabilisieren. Die Arylgruppen können substituiert oder unsubstituiert sein. Substituenten können fluorierte und/oder ungesättigte Al- kylgruppen, Halogene oder S-, N- oder P-haltige Verbindungen sein. Zur Herstellung einer ersten Schicht können auch verschiedene lineare Moleküle verwendet werden.
Die erste Endgruppe kann aus einer Gruppe ausgewählt sein, die Hydroxamsäuren, Oxime, Isonitrile, Phosphine, Ri-Si (R2) - R3, O=C-R4, O=P (R5) -R6 und O=S (R7) =0 umfassen. Dabei sind Ri, R2, R3 - unabhängig voneinander - ausgewählt aus H, Cl, Br, I, OH, O-Alkylgruppen, Benzylgruppen und ungesättigten Alke- nylgruppen, wobei mindestens eines aus Ri, R2 und R3 nicht H ist. Weiterhin kann R4 ausgewählt sein aus H, Cl, Br, I, OH, OSiRiR2R3, O-Alkylgruppen, Benzylgruppen und ungesättigten Al- kenylgruppen . R5 und R6 können - unabhängig voneinander - ausgewählt sein aus H, Cl, Br, I, OH, O-Alkylgruppen, Benzylgruppen und ungesättigten Alkenylgruppen . Weiterhin kann R7 ausgewählt sein aus Cl, Br, I, OH, O-Alkylgruppen, Benzylgruppen und ungesättigten Alkenylgruppen.
Beispielhafte lineare Moleküle der ersten Schicht, die die oben genannten Eigenschaften aufweisen, können gemäß Formel 1 aufgebaut sein.
R
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Formel 1
Für sämtliche Ri bis R7 gilt, dass Alkylgruppen beispielsweise Methyl, Ethyl, n-Propyl, i-Propyl, n-Butyl, sec-Butyl, tert-Butyl, sowie deren verzweigte und verzweigte höhere Homologen sein können. R4 kann OSiRiR2R3 mit Ri, R2, R3 - unab- hängig voneinander - nur Alkyl oder H sein. Die erste Endgruppe O=P(Rs)-Re kann besonders stabile Bindungen zu der angrenzenden zweiten Schicht und/oder benachbarten ersten Endgruppen ausbilden.
Die zweite Endgruppe kann ausgewählt sein aus einer Gruppe, die die erste Endgruppe, unsubstituierte Arylgruppen, substituierte Arylgruppen, substituierte Aromaten, unsubstituierte Aromaten, substituierte Heteroaromaten und unsubstituierte Heteroaromaten umfasst. Beispielsweise kann die zweite Endgruppe Furan, Tiophen, Pyrrol, Oxazol, Thiazol, Imidazol, I- soxazol, Isothiazol, Pyrazol, Benzo [b] furan, Ben- zo [b] thiophen, Indol, 2H-Isoindol, Benzothiazol, Pyridin, Py- razin, Pyrimidin, Pyrylium, α-Pyron, γ-Pyron, Chinolin, Iso- Chinolin, Bipyridin und die jeweiligen Derivate sein. Beispielhafte zweite Endgruppen sind in der Formel 2 gezeigt.
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Furan Thiophen Pyrrol Oxazol Thiazol Imidazol Isoxazol Isothiazol Pyrazol
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Benzo[b]fiιran Benzo[b]thiophen Indol 2H-lsoindole Benzothiazol
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Pyridin Pyrazin Pyrimidin
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Chinolin Iso-Chinolin Bipyridin & Derivate (0 - 2 ^ / Ring = N)
Formel 2 Die zweiten Endgruppen können direkt oder über die Heteroato- me O, S, N, P an die Mittelgruppe angebunden sein. Auch eine Anbindung über die C-C-Doppelbindung oder C-C-Dreifachbindung ist möglich. Die zweite Endgruppe kann Substituenten aufweisen, die Bestandteile der ersten Endgruppe aufweist. Weiterhin kann die zweite Endgruppe auch eine Methylgruppe oder eine zu einer Carboxylgruppe oxidierte Methylgruppe sein. Damit kann eine angrenzende zweite Schicht gut an die erste Schicht angebunden werden.
Die zweite Schicht kann ein Material aufweisen, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Metalle, Metalllegierungen, Metalloxide und Polymere umfasst. Metalle können beispielsweise nicht reaktive oder sich selbst passivierende Metalle oder Metalllegierungen sein, zum Beispiel Al, Cr, Ni, Fe, Ag, E- delstahl, AlMg3 und weitere Aluminiumlegierungen. Metalloxide können beispielsweise aus Siθ2 oder AI2O3 sowie aus Indiumzinnoxid (ITO) oder Zinkoxid ausgewählt sein, die durch bekannte Verfahren abgeschieden werden können. Polymere können beispielsweise Parylene, Acrylate oder Novolacke sein. Bei der Verwendung von Polymeren als zweite Schicht sollte auf der Oberfläche der zweiten Schicht eine hohe OH-Gruppendichte vorhanden sein, damit eine stabile Verbindung zu der angrenzenden ersten Schicht ausgebildet werden kann. Eine hohe OH- Dichte kann beispielsweise mit einer OH-Gruppe an mindestens jeder zehnten Monomereinheit realisiert werden. Beispielsweise weisen Poly-o-hydroxy-styrol oder Polyvinylalkohol eine hohe OH-Dichte auf. Wenn mehrere Doppelschichten mit jeweils einer zweiten Schicht auf der Schichtenfolge und dem Substrat angeordnet sind, können für die einzelnen zweiten Schichten auch verschiedene Materialien ausgewählt sein. Die zweite Schicht kann eine Dicke aufweisen, die aus dem Bereich 5 nm bis 1 μm ausgewählt ist. Beispielsweise kann die Dicke aus einem Bereich von 50 nm bis 1 μm ausgewählt sein. Je dicker die Dicke der zweiten Schicht gewählt wird, desto dichter ist die zweite Schicht. Es kann somit auch eine hermetisch dichte zweite Schicht bereitgestellt werden.
Wird die zweite Schicht als Metallschicht ausgeführt, kann diese Pinholes aufweisen, die sich durch eine weitere Abscheidung von Metallatomen nicht schließen lassen, da Pinholes durch die neu abgeschiedenen Metallatome nicht benetzt werden. Die Abscheidung einer ersten Schicht kann dann dazu führen, dass die Oberflächenenergie zurückgesetzt wird, wenn das Metall auf der ersten Schicht schlechter benetzt als auf den Metallatomen. Somit wird das Pinhole zuerst mit Material der ersten Schicht und dann mit weiteren Metallatomen verschlossen und insgesamt eine dünne, dichte Schichtenfolge erzeugt .
Insgesamt wird eine Doppelschicht mit einer geringen Dicke bereitgestellt, da sowohl die erste als auch die zweite Schicht als dünne Schichten ausgeführt werden können. Somit wird eine dichte Dünnfilmverkapselung des elektronischen Bauelements bereitgestellt. Die Dünnfilmverkapselung kann dabei bis zu 30 Doppelschichten aufweisen.
Zwischen der zweiten Schicht und den ersten Endgruppen der ersten Schicht und/oder zwischen der zweiten Schicht und den zweiten Endgruppe der ersten Schicht können chemische Bindungen und/oder Komplexbindungen und/oder Van-der-Waals- Wechselwirkungen vorhanden sein. Somit sind zwischen den einzelnen Schichten der Doppelschichten stabile Bindungen ausgebildet, die zu einer dichten Verkapselung führen. Die Verkapselung kann weiterhin zumindest eine dritte Schicht aufweisen, die Wasser- und Sauerstoffmoleküle bindet. Diese Bindung kann chemisch erfolgen und erhöht die Verkapselungs- eigenschaft der Doppelschichten. Als Material für die dritte Schicht kann beispielsweise Ca, Mg, Yb, Ba oder Sr ausgewählt werden. Die zumindest eine dritte Schicht kann zwischen den Doppelschichten angeordnet sein.
Die Schichtenfolge des elektronischen Bauelements kann ausgewählt sein aus einer Gruppe, die organische Leuchtdioden, organische magnetoresistive Bauelemente, anorganische magneto- resistive Bauelemente, elektrochrome Anzeigeelemente, organische Solarzellen, anorganische Solarzellen, organische Fotodioden, anorganische Fotodioden, organische Sensoren, anorganische Sensoren und Oberflächenwellenfilter umfasst. Magnetoresistive Bauelemente können dabei den GMR- oder TMR-Effekt zeigen. Elektrochrome Anzeigeelemente können pixeliert oder segmentiert sein. Beispielsweise können auch auf Leiterplatten aufgebondete Si-Chips, hermetisch dicht durch die oben beschriebenen Doppelschichten abgeschirmt werden.
Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements bereitgestellt. Das Verfahren umfasst die Verfahrensschritte A) Anordnen einer Schichtenfolge, die zumindest eine Funktionsschicht umfasst, auf einem Substrat, B) Anordnen einer Verkapselung mit zumindest zwei Doppelschichten auf dem Substrat und der Schichtenfolge, so dass die Schichtenfolge von dem Substrat und der Verkapselung vollständig umschlossen ist, wobei der Verfahrensschritt B) die Verfahrensschritte Bl) Aufbringen einer ersten Schicht und B2) Aufbringen einer zweiten Schicht, wobei als erste Schicht eine organische monomolekulare Schicht mit einer zweidimensionalen Ordnung hergestellt wird, umfasst. Die Verfahrensschritte Bl) und B2) werden dabei mindestens zweimal abwechselnd wiederholt, so dass zumindest zwei Doppelschichten, die jeweils eine erste Schicht und eine zweite Schicht umfassen hergestellt werden. Damit wird ein einfach durchzuführendes Verfahren bereitgestellt, mit dem eine Schichtenfolge, die empfindlich gegenüber Sauerstoff und/oder Feuchtigkeit ist, verkapselt wird.
Im Verfahrensschritt B2) kann ein Material für die zweite Schicht mit einer Methode aufgebracht werden, die aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Aufdampfen, Sputtern, Drucken und stromlose Metallisierung umfasst. Als Material für die erste Schicht können Metalle, Metalllegierungen, Metalloxide und Polymere gewählt werden. Polymere können auch aus der Gasphase oder Flüssigphase aufgebracht werden, und durch ein O2- Plasma modifiziert werden, damit an der Oberfläche eine hohe OH-Gruppendichte vorliegt.
Im Verfahrensschritt Bl) kann ein Material für die erste Schicht aus der Gasphase oder aus einer Lösung aufgebracht werden. Als Material für die erste Schicht können lineare Moleküle mit einer ersten Endgruppe, einer Mittelgruppe und einer zweiten Endgruppe wie oben beschrieben eingesetzt werden.
Wird das Material für die erste Schicht im Verfahrensschritt Bl) aus der Lösung aufgebracht, kann im Anschluss an den Verfahrensschritt B2) eine Temperaturbehandlung und/oder ein Belichtungsschritt vorgenommen werden, um die Bindung der ersten Schicht an die zweite Schicht zu verbessern. Anschließend wird eine Spülung durchgeführt, um überschüssiges nicht an die zweite Schicht gebundenes Material der ersten Schicht zu entfernen . Das Material der ersten Schicht kann, wenn es in Lösung aufgebracht wird, mit einer Konzentration von 0,0001 mol/1 bis 1 mol/1 in einem Lösungsmittel beziehungsweise einem Lösungsmittelgemisch gelöst vorliegen. Lösungsmittel können ausgewählt sein aus einer Gruppe, die Kohlenwasserstoffe beispielsweise Pentan, Hexan, Heptan, Octan, Benzol, Toluol, Xy- lol, Cresol, Tetralin und Decalin, chlorierte Kohlenwasserstoffe, beispielsweise Dichlormethan, Chloroform, Tetrachlorkohlenstoff, Trichlorethylen, Chlorbenzol und Dichlorbenzol, Alkohole, beispielsweise Methanol, n-Propanol, i-Propanol und Butanol, Ether oder zyklische Ether, beispielsweise Diethy- lether, Diphenylether, Tetrahydroforan und Dioxan, Ester wie beispielsweise Essigsäureester, Dimethylformanid, Dimethyl- sulfoxid, N-Methylpyrrolidinon, γ-Butyrolacton und Cyklohexa- non umfasst.
Wird das Material für die erste Schicht im Verfahrensschritt Bl) aus der Gasphase aufgebracht, kann das Material der ersten Schicht verdünnt oder unverdünnt aus einem Vakuumreze- pienten aufgebracht werden. Dabei kann das Material mit einem Anteil von 1% in der Gasphase vorhanden sein. Ohne Verdünndung beträgt der Anteil des Materials 100% in der Gasphase. Zur Verdünnung des Materials der ersten Schicht dienen Edelgase wie beispielsweise He, Ne, Ar, Kr oder Xe oder inerte Gase wie N2. Für die Abscheidung können auch leichter verdampfbare Derivate der Materialien für die erste Schicht verwendet werden. Der Druck während der Abscheidung kann 10~8 mbar bis 1000 mbar, die Temperatur kann 2000C betragen. Die Abscheidung kann beispielsweise für 0,1 min bis 10 min erfolgen. Im Anschluss an die Abscheidung kann überschüssiges Material der ersten Schicht durch Abpumpen oder Heizen entfernt werden. Reaktive Silane können beispielsweise durch Einlassen von Wasser in die Gasphase fixiert werden, wobei freie Cl- Enden des Silans polymerisieren .
Im Verfahrensschritt B2) kann zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht eine chemische Bindung und/oder eine Komplexbindung und/oder eine Van-der-Waals-Wechselwirkung gebildet werden. Wird auf eine erste Doppelschicht eine zweite Doppelschicht abgeschieden, kann zwischen der zweiten Schicht der ersten Doppelschicht und der ersten Schicht der zweiten Doppelschicht ebenfalls eine chemische Bindung und/oder eine Komplexbindung und/oder eine Van-der-Waals-Wechselwirkung gebildet werden.
Sollten bei der Herstellung der zweiten Schicht Fehlstellen in der zweiten Schicht entstehen, so dass die zweite Schicht in Teilbereichen vorliegt, können diese durch die darauf abgeschiedene erste Schicht der nächsten Doppelschicht geschlossen werden. Die linearen Moleküle der ersten Schicht richten sich spontan senkrecht zu der zweiten Schicht aus, so dass sich an Fehlstellen lineare Moleküle der ersten Schicht parallel zu den Teilbereichen der zweiten Schicht anordnen. Somit kann die Dichte der zweiten Schicht erhalten und eine zuverlässige Verkapselung hergestellt werden.
Die Reihenfolge der Verfahrensschritte Bl) und B2) ist nicht festgelegt. Somit kann auf die im Verfahrensschritt A) angeordnete Schichtenfolge zuerst eine erste Schicht und dann eine zweite Schicht oder zuerst eine zweite Schicht und dann eine erste Schicht abgeschieden werden. Wird zuerst der Verfahrensschritt Bl) durchgeführt, also zuerst eine erste Schicht auf der Schichtenfolge abgeschieden, müssen in der Schichtenfolge Gruppen, beispielsweise metallische Gruppen, vorhanden sein, die eine Anbindung der ersten Schicht auf der Schichtenfolge ermöglichen. Der innerhalb des Verfahrensschritts B) zuletzt durchgeführte Verfahrensschritt kann e- benso entweder Verfahrensschritt Bl) oder B2) sein. Werden auf der Verkapselung in nachfolgenden Verfahrensschritten noch weitere Schichten oder Elemente aufgebracht, kann beispielsweise der Verfahrensschritt B) mit dem Verfahrensschritt Bl), also dem Aufbringen einer ersten Schicht, beendet werden. Die erste Schicht kann in diesem Fall als Haftvermittler dienen.
Anhand der Figuren soll die Erfindung noch näher erläutert werden .
Figur 1 zeigt die schematische Seitenansicht eines elektronischen Bauelements mit Verkapselung.
Figur 2 zeigt die schematische Seitenansicht einer Doppelschicht .
Figur 3 zeigt die schematische Seitenansicht einer weiteren Doppelschicht mit Fehlstelle.
Figur 4 zeigt die Aufnahme eines Wassertropfens auf einer O- berflache der ersten Schicht.
Figur 5 zeigt ein Diagramm mit Kontaktwinkelmessungen auf einer Oberfläche der ersten Schicht.
Figur 6 zeigt die schematische Seitenansicht einer Schichtenfolge .
Figur 7 zeigt die schematische, perspektivische Ansicht einer Schichtenfolge . Figur 1 zeigt die schematische Seitenansicht eines elektronischen Bauelements. Auf dem Substrat 10 ist eine Schichtenfolge 20 aufgebracht. Beispielhaft wird hier eine Schichtenfolge 20 mit sechs Schichten gezeigt, wobei auch mehr oder weniger Schichten in der Schichtenfolge vorhanden sein können.
Zumindest eine Schicht in der Schichtenfolge ist eine Funktionsschicht, beispielsweise eine Strahlungsemittierende Schicht. Weiterhin ist zumindest eine der Schichten in der Schichtenfolge 20 empfindlich gegenüber Sauerstoff und/oder Luftfeuchtigkeit .
Auf der Schichtenfolge 20 und dem Substrat 10 sind zwei Doppelschichten 30 angeordnet, so dass die Schichtenfolge 20 zusammen von dem Substrat 10 und den Doppelschichten 30 vollständig umschlossen ist. Die Doppelschichten 30 umfassen jeweils eine erste Schicht 31 und eine zweite Schicht 32, die abwechselnd übereinander angeordnet sind. In Figur 1 sind beispielhaft zwei Doppelschichten 30 gezeigt, die Anzahl der Doppelschichten 30 kann aber auch größer gewählt werden.
Die Doppelschichten 30 können beispielsweise aus der Gasphase auf die Schichtenfolge 20 abgeschieden werden. Dabei kann das Substrat in einem Vakuumrezepienten mit den verdünnten oder unverdünnten Dämpfen der entsprechenden Verbindung für 0,1 min bis 10 min ausgesetzt werden. Der Druck dabei liegt beispielsweise zwischen 10~8 mbar bis 1000 mbar. Die Temperatur kann in einem Bereich von 200C bis 3000C, beispielsweise unterhalb von 2000C betragen. Sowohl die erste als auch die zweite Schicht können im gleichen Vakuumrezepienten abgeschieden werden. Wird als Material für die erste Schicht eine Phosphonsäure, Carbonsäure oder eine SuIfonsäuregruppe als erste Endgruppe gewählt, können deren Esther oder andere reaktive Derivate verwendet werden, die leichter verdampfbar sind.
Grundsätzlich kann auf der Schichtenfolge zuerst eine erste Schicht oder zuerst eine zweite Schicht abgeschieden werden. Wird zuerst die erste Schicht abgeschieden, müssen auf der Schichtenfolge Gruppen vorhanden sein, an die die erste Schicht anbinden können. Bei diesen Gruppen kann es sich beispielsweise um Metallgruppen handeln. Die äußere Schicht der Verkapselung kann ebenfalls eine erste Schicht oder eine zweite Schicht sein. Ist die äußere Schicht eine erste Schicht kann diese beispielsweise auch als Haftvermittler für weitere aufzubringende Elemente oder Schichten dienen. In Figur 1 ist beispielhaft eine erste Schicht 31 auf der Schichtenfolge aufgebracht und die Verkapselung schließt mit einer zweiten Schicht 32 ab.
Figur 2 zeigt die schematische Seitenansicht einer Doppelschicht 30. Die erste Schicht 31 und die zweite Schicht 32 wird hier vergrößert dargestellt als eine Zusammensetzung aus schematisch dargestellten Molekülen. Als Materialien dafür können die oben beschriebenen Materialien ausgewählt werden.
Die erste Schicht 31 umfasst ein Material, das eine erste Endgruppe 31a, eine Mittelgruppe 31b und eine zweite Endgruppe 31c umfasst. Die erste Endgruppe 31a kann mit der zweiten Schicht 32 eine chemische Bindung, eine Komplexbindung oder eine Van-der-Waals-Wechselwirkung ausbilden. Damit sind erste und zweite Schicht 31 und 32 dicht miteinander verbunden. Die zweite Endgruppe 31c kann mit einer darauf folgenden zweiten Schicht 32 einer weiteren Doppelschicht 30 ebenso eine Bindung eingehen. Die zweiten Endgruppen 31c können weiterhin untereinander Wechselwirkungen ausbilden, so dass die zweite Schicht dicht ausgebildet wird. Auch die Mittelgruppe 31b kann so ausgebildet sein, dass sie untereinander zwischen den einzelnen Molekülen Wechselwirkungen ausbilden kann. Die linearen Moleküle der ersten Schicht 31 sind in einer zweidimensionalen Ordnung auf der zweiten Schicht 32 angeordnet. Dadurch wird eine insgesamt dichte Doppelschicht 30 ausgebildet.
Die Figur 3 zeigt eine weitere Variante einer schematischen Seitenansicht einer Doppelschicht 30. Hier liegt in der zweiten Schicht 32, beispielsweise einer Metallschicht, eine Fehlstelle, beispielsweise ein Pinhole, vor. Diese Fehlstelle wird dadurch gefüllt, dass lineare Moleküle der ersten Schicht 31 zwischen den Teilbereichen der zweiten Schicht 32 angeordnet werden und somit die zweite Schicht 32 abdichten. Damit können Fehler, die bei der Herstellung einer zweiten Schicht 32 auftreten können, durch das Aufbringen der ersten Schicht behoben werden. Dieser Verschlussmechanismus funktioniert für Fehlstellen in der zweiten Schicht, die kleiner als 10 nm sind besonders gut. Bei größeren Pinholes ist die Abscheidung von mehreren Doppelschichten notwendig.
Figur 4 zeigt eine Aufnahme eines Wassertropfens 40 auf der Oberfläche einer ersten Schicht 31. Man sieht, dass der Wassertropfen 40 einen großen Kontaktwinkel Θ zu der ersten Schicht 31 ausbildet. Dies zeigt die starke hydrophobe Eigenschaft der Oberfläche ersten Schicht, was die gute abschirmende Eigenschaft der Doppelschicht 30, die die erste Schicht umfasst, bewirkt.
Für diese Aufnahme wurde ein Substrat aus AlMg3 mit einer Größe von 15 mm x 25 mm und einer Dicke von 0,5 mm mit N- Methylpyrrolidon gereinigt, danach mit Aceton und Isopropanol entfettet. In einer wässrigen Lösung von Natriumhydrogencar- bonat wurden die nativen Oxidschichten, die durch Selbstpas- sivierung entstehen, bei einem Strom von 150 mA bei 8 bis 10 V durch Schalten des Substrats als Kathode, also durch Wählen einer reduktiven Reinigungsmethode entfernt. Anschließend wurde das Substrat in eine Lösung von Octadecylphosphonsäure (100 mg) in Isopropanol (100 ml) für 30 Minuten eingetaucht. Nach Spülen mit Isopropanol und anschließendem Trocknen im Stickstoffström ist die Oberfläche versiegelt mit einer Mono- lage von Octadecylphosphonsäure. Der Wassertropfen 40 auf der derart behandelten Oberfläche zeigt einen Kontaktwinkel im Bereich von 120° .
Das oben gezeigte Beispiel kann auch mit anderen Aluminiumlegierungen oder reinem Aluminium durchgeführt werden. Anstelle von Aluminiumlegierungen können auch Kupfer, Nickel oder Titan in analoger Weise beschichtet werden. Anstelle der Octadecylphosphonsäure können auch Hexylphosphonsäure oder De- cylphosphonsäure verwendet werden. Anstelle der Phosphonsäure als erste Endgruppe kann auch eine Trichlorosilylgruppe verwendet werden. Dabei wird wasserfreies Toluol als Lösungsmittel verwendet und in einer Inertatmosphäre, beispielsweise Stickstoff oder Argon, gearbeitet.
Für die oben genannten Beispiele zeigt Figur 5 eine Zusammenstellung der gemessenen Kontaktwinkel Θ auf den jeweiligen Oberflächen. Als zweite Schicht wurde jeweils AlMg3 verwendet. Die Länge der Mittelgruppen der linearen Moleküle in der ersten Schicht beträgt 16 bis 18 Kohlenstoffatome, also He- xyl, Decyl oder Octadecyl . Als erste Endgruppe werden Phosphonsäure- oder Trichlorosilylgruppen verwendet. Zur Messung des Kontaktwinkels Θ werden die Medien Wasser 40, Hexa- decan 41, Ethylenglykol 42 oder Dimethylsulfoxid (DMSO) 43 verwendet. Die Materialien der ersten Schicht sind He- xanphosphonsäure A, Decanphosphonsäure B, Octadecanphosphon- säure C, Hexantrichlorsilan D, Decantrichlorsilan E und Octa- decantrichlorsilan F. Der Kontaktwinkel θ ist in Grad angegeben .
Je größer der Kontaktwinkel Θ, desto höher ist die hydrophobe Eigenschaft der Doppelschicht 30. Moleküle mit einem Phosphonsäuremolekül als erste Endgruppe (Endgruppen A, B und C) bilden somit die dichtesten ersten Schichten aus. Im Falle der Trichlorosilylgruppe als erste Endgruppe (Endgruppen D, E und F) liefert Octadecyltrichlorosilan als das längste Molekül nur wenig kleinere Kontaktwinkel Θ als die Moleküle mit Phosphonsäure als erste Endgruppen. Dies lässt den Schluss zu, dass Octadecylphosphonsäure besonders bevorzugte Eigenschaften in einer Doppelschicht 30 zeigt. Die linearen Moleküle mit Trichlorosilylgruppen als erste Endgruppen können ebenso in der Gasphase aufgebracht werden.
Figur 6 zeigt die schematische Seitenansicht einer Schichtenfolge 20 auf dem Substrat 10, die durch die oben beschriebenen Doppelschichten 30 verkapselt werden kann. Die beispielhafte Schichtenfolge umfasst eine Anode 21, eine Lochtransportschicht 22, eine organische Emissionsschicht 23 als Funktionsschicht, eine Elektronentransportschicht 24 und eine Kathode 25. Es kann auch eine Elektroneninjektionsschicht in der Schichtenfolge aus beispielsweise Ca oder LiF vorhanden sein. Diese kann zwischen der Elektronentransportschicht und der Kathode angeordnet sein (hier nicht gezeigt) . Das Substrat 10 kann beispielsweise ein Glassubstrat sein, die Anode kann Indiumzinnoxid enthalten und die Kathode eine Metallkathode sein. Diese beispielhafte Schichtenfolge 20 kann durch aufeinander folgende Aufdampfprozesse abgeschieden und strukturiert werden, so dass beispielsweise eine OLED hergestellt wird. Bei der Herstellung der OLED wird final eine 120 nm dicke Aluminiumkathode aufgedampft. Für die Abscheidung einer Verkapse- lung aus Doppelschichten 30 wird das Substrat 10 mit der Schichtenfolge 20 auf dem Substrat 10 in eine Vakuumkammer eingebracht. Dabei wird das Substrat 10 bei 1 mbar auf 800C aufgeheizt. In die geheizte Vakuumkammer wird über Stickstoff als Trägergas Octadecylphosphonsäurediethylesther für 10 min eingeleitet. Im Anschluss wird die Vakuumkammer wieder auf weniger als 5 x 10~6 mbar evakuiert, um überschüssigen Octa- decylphosphonsäurediethylesther zu entfernen. Nach Hochfahren der Aluminiumquelle werden 100 nm Aluminium durch Verdampfen abgeschieden .
Dieser Abscheidungsprozess der ersten 31 und zweiten Schicht 32 kann beispielsweise weitere viermal wiederholt werden. Die Abscheidung der Doppelschicht 30 kann in der gleichen Vakuumkammer wie die Abscheidung der Aluminiumkathode erfolgen. Die Abscheidung des Octadecylphosphonsäurediethylesther erfolgt bei Raumtemperatur und die Abscheidezeit kann auf 2 min reduziert werden. Weiterhin kann der Octadecylphosphonsäuredi- methylesther aus einer separaten Quelle verdampft werden.
Anstelle von reinem Aluminium kann weiterhin die Legierung AlMg3 aufgedampft werden. Anstelle eines Dampfprozesses werden Sputterprozesse verwendet. Die zweite Schicht in der Doppelschicht 30 kann als Ca-Schicht ausgeführt werden.
Figur 7 zeigt die schematische Seitenansicht eines weiteren Bauelements. Hier ist auf dem Substrat 10 eine Anode 21, eine organische Schicht 26 und eine Kathode 25 in strukturierter Weise aufgebracht. Beispielhaft ist hier auch gezeigt, wie eine Spannung V angelegt werden muss, um das Bauelement zu betreiben. So wird an die Anode 21 und die Kathode 25 eine Spannung V angelegt, so dass der Strom i fließt. Dieses Bauelement kann beispielsweise eine OMR-Schichtenfolge sein.
Diese Schichtenfolge kann durch aufeinander folgende Aufdampfprozesse auf dem Substrat 10 abgeschieden oder strukturiert werden und final eine 20 nm bis 2 μm, beispielsweise eine 120 nm dicke Aluminiumkathode aufgedampft werden. Die Verkapselung der Schichtenfolge erfolgt analog zu der Verkap- selung, wie sie bezüglich der Schichtenfolge der Figur 6 erläutert wurde.
Die in den Figuren gezeigten Ausführungsformen können beliebig variiert werden. Es ist weiterhin zu berücksichtigen, dass sich die Erfindung nicht auf die Beispiele beschränkt, sondern weitere hier nicht aufgeführte Ausgestaltungen zu- lässt .

Claims

Patentansprüche
1. Elektronisches Bauelement aufweisend
- ein Substrat,
- eine Schichtenfolge, die zumindest eine Funktionsschicht umfasst, auf dem Substrat, und
- eine Verkapselung, die auf der Schichtenfolge und dem Substrat angeordnet ist und zusammen mit dem Substrat die Schichtenfolge vollständig umschließt, wobei
- die Verkapselung zumindest zwei Doppelschichten aufweist,
- eine Doppelschicht eine erste Schicht und eine zweite Schicht aufweist, und
- die erste Schicht eine organische monomolekulare Schicht mit einer zweidimensionalen Ordnung ist.
2. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, wobei die erste Schicht lineare Moleküle mit einer Länge, die aus dem Bereich 0,5 nm bis 5 nm ausgewählt ist, umfasst und eine Dicke aufweist, die der Länge der linearen Moleküle entspricht.
3. Elektronisches Bauelement nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die linearen Moleküle eine erste Endgruppe, eine Mittelgruppe und eine zweite Endgruppe umfasst.
4. Elektronisches Bauelement nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Mittelgruppe aus einer Gruppe ausgewählt ist, die lineare Alkyle, lineare fluorierte Alkyle, Polyethy- lenglykol und Polyethylendiamin umfasst.
5. Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 3 oder 4, wobei die erste Endgruppe aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Hydroxamsäuren, Oxime, Isonitrile, Phosphine, Ri-Si (R2) - R3, O=C-R4, O=P (R5) -R6 und O=S (R7) =0 umfasst, wobei - Ri, R2, R3 - unabhängig voneinander - ausgewählt sind aus H, Cl, Br, I, OH, O-Alkylgruppen, Benzylgruppen und ungesättigten Alkenylgruppen, wobei mindestens eines aus Ri, R2 und R3 nicht H ist,
- R4 ausgewählt ist aus H, Cl, Br, I, OH, OSiRiR2R3, O- Aklkylgruppen, Benzylgruppen und ungesättigten Alkenylgruppen,
- R5 und Re - unabhängig voneinander - ausgewählt sind aus H, Cl, Br, I, OH, O-Alkylgruppen, Benzylgruppen und ungesättigten Alkenylgruppen,
- R7 ausgewählt ist aus Cl, Br, I, OH, O-Alkylgruppen, Benzylgruppen und ungesättigten Alkenylgruppen.
6. Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei die zweite Endgruppe ausgewählt ist aus einer Gruppe, die die erste Endgruppe, unsubstituierte Arylgruppen, substituierte Arylgruppen, substituierte Aromaten, unsubstituierte Aromaten, substituierte Heteroaromaten und unsubstituierte Heteroaromaten umfasst.
7. Elektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite Schicht ein Material aufweist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Metalle, Metalllegierungen, Metalloxide und Polymere umfasst.
8. Elektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite Schicht eine Dicke aufweist, die aus dem Bereich 5 nm bis 1 μm ausgewählt ist.
9. Elektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 3 bis 8, wobei zwischen der zweiten Schicht und ersten Endgruppe und/oder zwischen der zweiten Schicht und der zweiten End- gruppe chemische Bindungen und/oder Komplexbindungen und/oder Van-der-Waals-Wechselwirkungen vorhanden sind.
10. Elektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Verkapselung zumindest eine dritte Schicht aufweist, die Wasser- und Sauerstoffmoleküle bindet.
11. Elektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Schichtenfolge ausgewählt ist aus einer Gruppe, die organische Leuchtdioden, organische magnetore- sistive Bauelemente, anorganische magnetoresistive Bauelemen¬ te, elektrochrome Anzeigeelemente, organische Solarzellen, anorganische Solarzellen, organische Photodioden, anorganische Photodioden, organische Sensoren, anorganische Sensoren, und Oberflächenwellenfilter umfasst.
12. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit den Verfahrensschritten
A) Anordnen einer Schichtenfolge, die zumindest eine Funkti¬ onsschicht umfasst, auf einem Substrat,
B) Anordnen einer Verkapselung mit zumindest zwei Doppelschichten auf dem Substrat und der Schichtenfolge, so dass die Schichtenfolge von dem Substrat und der Verkapselung vollständig umschlossen ist, wobei der Verfahrensschritt B) die Verfahrensschritte
Bl) Aufbringen einer ersten Schicht und
B2) Aufbringen einer zweiten Schicht, wobei als erste Schicht eine organische monomolekulare Schicht mit einer zweidimensi¬ onalen Ordnung hergestellt wird, umfasst, und die Verfahrensschritte Bl) und B2) mindestens zweimal abwechselnd wiederholt werden.
13. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei im Verfahrensschritt Bl) ein Material für die erste Schicht aus der Gasphase oder aus einer Lösung aufgebracht wird.
14. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei im Verfahrensschritt B2) ein Material für die zweite Schicht mit einer Methode aufgebracht wird, die aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Aufdampfen, Sputtern, Drucken und stromlose Metallisierung umfasst.
15. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei im Verfahrensschritt B2) zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht eine chemische Bindungen und/oder eine Komplexbindung und/oder eine Van-der-Waals-Wechselwirkung gebildet wird.
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