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Description
(ここにおいて、Rは炭素原子数1〜8のアルキル基を表す。)
12.前記電解質層がイオン性液体を含有していることを特徴とする前記1〜11のいずれか1項に記載に表示素子。
本発明の表示素子は、表示コントラスト及び白表示反射率をより高める観点から多孔質白色散乱層を有している。
本発明の表示素子においては、多孔質白色散乱層が細孔を有し、該細孔の径(内径)をD(直径)、細孔の深さをLとしたとき、L/Dが3000以上であることが好ましい。
また、本発明でいう陽極酸化法とは、一般的にはアルミニウムを陽極とした電気化学的方法で人工的に酸化皮膜を生成させる処理であり、酸の種類と電圧の制御で様々な形状の細孔を形成することができる。本発明ではアルミニウム以外にも同手法を用いてもよい。
本発明に係る自己組織化膜は、銀と錯体を形成する部位と多孔質白色散乱層に吸着する基を有する化合物から構成されていることを特徴とし、好ましくは、銀と錯体を形成する部位がメルカプトトリアゾール誘導体またはメルカプトオキサジアゾール誘導体またはメルカプトチアジアゾール誘導体またはピリジン誘導体またはビピリジン誘導体またはターピリジン誘導体構造であり、多孔質白色散乱層に化学吸着または物理吸着する基が、−COOH、−P=O(OH)2、−Si(OR)3であることである。ここにおいて、Rは炭素原子数1〜8のアルキル基を表し、好ましくはメトキシ、エトキシ、イソプロポキシ等のアルコキシ基である。
本発明に係る対向電極間に形成する電解質層は、有機溶媒、イオン性液体、酸化還元活性物質(銀または銀を化学構造中に含む化合物)、支持電解質等を必要に応じて選択して構成されている。
本発明に係る電解質層で適用可能な有機溶媒としては、電解質層を形成した後、揮発を起こさず電解質層に留まることができる沸点が120〜300℃の範囲にある有機溶媒であれば特に制限はなく、例えば、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、エチルメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ブチレンカーボネート、γ−ブチルラクトン、テトラメチル尿素、スルホラン、ジメチルスルホキシド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、2−(N−メチル)−2−ピロリジノン、ヘキサメチルホスホルトリアミド、N−メチルプロピオンアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,Nジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアミド、ブチロニトリル、プロピオニトリル、アセトニトリル、アセチルアセトン、4−メチル−2−ペンタノン、2−ブタノール、1−ブタノール、2−プロパノール、1−プロパノール、無水酢酸、酢酸エチル、プロピオン酸エチル、ジメトキシエタン、ジエトキシフラン、テトラヒドロフラン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリクレジルホスフェート、2エチルヘキシルホスフェート、ジオクチルフタレート、ジオクチルセバケート等をあげることができる。
本発明に係わるイオン性液体とは、室温でも液体で存在する塩を指し、イミダゾリウム、ピリジニウム等の陽イオンと、フッ化物イオンやトリフラート等の陰イオンの組合せから選択することができる。
本発明の表示素子において、ED表示部には、対応する1つの対向電極が設けられている。
本発明に係る銀または銀を化学構造中に含む化合物とは、例えば、酸化銀、硫化銀、金属銀、銀コロイド粒子、ハロゲン化銀、銀錯体化合物、銀イオン等の化合物の総称であり、固体状態や液体への可溶化状態や気体状態等の相の状態種、中性、アニオン性、カチオン性等の荷電状態種は、特に問わない。
本発明に係る電解質層では、上記説明した銀または銀を化学構造中に含む化合物、有機溶媒と共に、メルカプト系化合物またはチオエーテル系化合物を含有していることが好ましく、更には、メルカプト系化合物が、下記一般式(1)で表される化合物であること、あるいはチオエーテル系化合物が、下記一般式(2)で表される化合物であることが好ましい。
R2−S−R3
前記一般式(2)において、R2、R3は各々アルキル基、アリール基または複素環基を表し、それぞれ同じであってもよく、異なってもよく、お互いに連結して環を形成してもよい。
本発明の表示素子においては、電解質に含まれるハロゲンイオンまたはハロゲン原子のモル濃度を[X](モル/kg)とし、前記電解質に含まれる銀または銀を化学構造中に含む化合物の銀の総モル濃度を[Ag](モル/kg)としたとき、下式(1)で規定する条件を満たすことが好ましい。
0≦[X]/[Ag]≦0.01
本発明でいうハロゲン原子とは、ヨウ素原子、塩素原子、臭素原子、フッ素原子のことをいう。[X]/[Ag]が0.01よりも大きい場合は、銀の酸化還元反応時に、X-からX2が生じ、X2は黒化銀と容易にクロス酸化して黒化銀を溶解させ、メモリー性を低下させる要因の1つになるので、ハロゲン原子のモル濃度は銀のモル濃度に対してできるだけ低い方が好ましい。本発明においては、0≦[X]/[Ag]≦0.001がより好ましい。ハロゲンイオンを添加する場合、ハロゲン種については、メモリー性向上の観点から、各ハロゲン種モル濃度総和が[I]<[Br]<[Cl]<[F]であることが好ましい。
本発明の表示素子においては、ヨウ化銀、塩化銀、臭化銀、酸化銀、硫化銀、クエン酸銀、酢酸銀、ベヘン酸銀、p−トルエンスルホン酸銀、メルカプト類との銀塩、イミノジ酢酸類との銀錯体、等の公知の銀塩化合物を用いることができる。これらの中でハロゲンやカルボン酸や銀との配位性を有する窒素原子を有しない化合物を銀塩として用いるのが好ましく、例えば、p−トルエンスルホン酸銀(トシル酸銀)が好ましい。
本発明の表示素子においては、本発明の目的効果を損なわない範囲で、本発明に係るブチラール樹脂の他に電解質層に増粘剤を使用することができ、例えば、ゼラチン、アラビアゴム、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリ(ビニルピロリドン)、ポリ(アルキレングリコール)、カゼイン、デンプン、ポリ(アクリル酸)、ポリ(メチルメタクリル酸)、ポリ(塩化ビニル)、ポリ(メタクリル酸)、コポリ(スチレン−無水マレイン酸)、コポリ(スチレン−アクリロニトリル)、コポリ(スチレン−ブタジエン)、ポリ(エステル)類、ポリ(ウレタン)類、フェノキシ樹脂、ポリ(塩化ビニリデン)、ポリ(エポキシド)類、ポリ(カーボネート)類、セルロースエステル類、ポリ(アミド)類、疎水性透明バインダーとして、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアクリル酸、ポリウレタン等が挙げられる。
本発明の表示素子においては、上記説明した構成要素の他、必要に応じて種々の構成層を設けることができる。
また、本発明の表示素子においては、金属酸化物を含む多孔質電極を用いることもできる。
本発明の表示素子においては、電子絶縁層を設けることができる。
本発明の表示素子の構成層には、保護層、フィルター層、ハレーション防止層、クロスオーバー光カット層、バッキング層等の補助層を挙げることができ、これらの補助層中には、写真材料において使用されている各種の化学増感剤、貴金属増感剤、感光色素、強色増感剤、カプラー、高沸点溶剤、カブリ防止剤、安定剤、現像抑制剤、漂白促進剤、定着促進剤、混色防止剤、ホルマリンスカベンジャー、色調剤、硬膜剤、界面活性剤、増粘剤、可塑剤、スベリ剤、紫外線吸収剤、イラジエーション防止染料、フィルター光吸収染料、防ばい剤、ポリマーラテックス、重金属、帯電防止剤、マット剤等を、必要に応じて含有させることができる。
頁 分類 頁 分類 頁 分類
化学増感剤 23 III 648右上 96 III
増感色素 23 IV 648〜649 996〜8 IV
減感色素 23 IV 998 IV
染料 25〜26 VIII 649〜650 1003 VIII
現像促進剤 29 XXI 648右上
カブリ抑制剤・安定剤
24 IV 649右上 1006〜7 VI
増白剤 24 V 998 V
硬膜剤 26 X 651左 1004〜5 X
界面活性剤 26〜7 XI 650右 1005〜6 XI
帯電防止剤 27 XII 650右 1006〜7 XIII
可塑剤 27 XII 650右 1006 XII
スベリ剤 27 XII
マット剤 28 XVI 650右 1008〜9 XVI
バインダー 26 XXII 1003〜4 IX
支持体 28 XVII 1009 XVII
(層構成)
本発明の表示素子の対向電極間の構成層について、更に説明する。
本発明の表示素子においては、対向電極の少なくとも一方の電極が、プラスチック基板上に構成されていることが好ましい。
本発明の表示素子は、対向電極の少なくとも1種が透明電極であることが好ましい。透明電極としては、透明で電気を通じるものであれば特に制限はない。例えば、Indium Tin Oxide(ITO:インジウム錫酸化物)、Indium Zinc Oxide(IZO:インジウム亜鉛酸化物)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、酸化インジウム、酸化亜鉛、白金、金、銀、ロジウム、銅、クロム、炭素、アルミニウム、シリコン、アモルファスシリコン、BSO(Bismuth Silicon Oxide)等が挙げられる。電極をこのように形成するには、例えば、基板上にITO膜をスパッタリング法等でマスク蒸着するか、ITO膜を全面形成した後、フォトリソグラフィ法でパターニングすればよい。表面抵抗値としては、100Ω/□以下が好ましく、10Ω/□以下がより好ましい。透明電極の厚みは特に制限はないが、0.1〜20μmであるのが一般的である。
本発明の表示素子においては、析出過電圧以上の電圧印加で黒化銀を析出させ、析出過電圧以下の電圧印加で黒化銀の析出を継続させる駆動操作を行なうことが好ましい。この駆動操作を行なうことにより、書き込みエネルギーの低下や、駆動回路負荷の低減や、画面としての書き込み速度を向上させることができる。一般に電気化学分野の電極反応において過電圧が存在することは公知である。例えば、過電圧については「電子移動の化学−電気化学入門」(1996年 朝倉書店刊)の121ページに詳しい解説がある。本発明の表示素子も電極と電解質中の銀との電極反応と見なすことができるので、銀溶解析出においても過電圧が存在することは容易に理解できる。過電圧の大きさは交換電流密度が支配するので、本発明のように黒化銀が生成した後に析出過電圧以下の電圧印加で黒化銀の析出を継続できるということは、黒化銀表面の方が余分な電気エネルギーが少なく容易に電子注入が行なえると推定される。
本発明の表示素子は、電子書籍分野、IDカード関連分野、公共関連分野、交通関連分野、放送関連分野、決済関連分野、流通物流関連分野等の用いることができる。具体的には、ドア用のキー、学生証、社員証、各種会員カード、コンビニストアー用カード、デパート用カード、自動販売機用カード、ガソリンステーション用カード、地下鉄や鉄道用のカード、バスカード、キャッシュカード、クレジットカード、ハイウェーカード、運転免許証、病院の診察カード、電子カルテ、健康保険証、住民基本台帳、パスポート、電子ブック等が挙げられる。
《電解質液の調製》
(電解質液1の調製)
クロロホルムの2.5g中に、トシル酸銀を75mg下記化合物1を150mg加えて加熱溶解して、電解質液1を得た。
ジメチルスルホキシドの2.5g中に、トシル酸銀を75mgと化合物1を150mg加えて加熱溶解して、電解質液2を得た。
下記化合物3の2.5g中に、トシル酸銀を75mgと化合物1を150mg加えて加熱溶解して、電解質液3を得た。
化合物3の2.5g中に、トシル酸銀を75mgと下記化合物2を150mg加えて加熱溶解して、電解質液4を得た。
TCP(トリクレジルフォスフェート)の2.5g中に、トシル酸銀を75mgと化合物2を150mg加えて加熱溶解して、電解質液5を得た。
クロロホルムの2.5g中に、トシル酸銀を75mgと化合物2を150mg加えて加熱溶解して、電解質液6を得た。
(電極1の作製)
厚さ1.5mmで3cm×3cmのガラス基板上に、ピッチ145μm、電極幅130μmのストライプ状にITO膜を公知の方法に従って形成して、透明電極(電極1)を得た。
厚さ1.5mmで3cm×3cmのガラス基板上に、公知の方法を用いて、電極厚み0.8μm、ピッチ145μm、電極間隔130μmのストライプ状に、銀−パラジウム電極(電極2)を形成して、電極2を得た。
(多孔質白色散乱層1の形成)
電解質液1にポリフッ化ビリニデンを10質量%添加した液を加熱溶解した後に、二酸化チタン20質量%を超音波分散機で分散させて得られた混和液を乾燥後の膜厚が40μmになるように電極2上に塗布し、その後80℃で30分間乾燥して溶媒を蒸発させて、電極2上に多孔質白色散乱層1を形成した。
電極2の上にポリビニルアルコール(平均重合度3500、けん化度87%)10質量%を含むイソプロパノール溶液中に、二酸化チタン20質量%を超音波分散機で分散させた混和液を乾燥後の膜厚が20μmになるように塗布し、その後15℃で30分間乾燥して溶媒を蒸発させた後、45℃の雰囲気中で1時間乾燥させて、電極2上に多孔質白色散乱層2を形成した。
上記で作製した多孔質白色散乱層2付き電極を、酸性水溶液中でアノード分極化+0.8V(vs SCE)において、超高圧水銀ランプを用いて、電極に対し90度の角度で20C/cm2の光エッチング量になるまで処理して、内径Dが10nm、深さ40μm、L/D=4000、細孔の面積比率20面積%の条件で細孔を形成し、これを多孔質白色散乱層3とした。
電極2の上にアルミニウム層をスパッタ法で40μmの厚さで形成し得られたアルミニウム層付き電極を、10%の硫酸水溶液中で電圧10V、電流密度1.0A/dm2、液温10℃の条件で陽極酸化し、内径Dが10nm、深さ40μm、L/D=4000、細孔の面積比率20面積%の条件で細孔を形成し、これを多孔質白色散乱層4とした。
多孔質白色散乱層2付き電極を、酸性水溶液中でアノード分極化+0.6V(vs SCE)において、超高圧水銀ランプを用いて、電極に対し90度の角度で20C/cm2の光エッチング量になるまで処理して、内径Dが5nm、深さ40μm、L/D=2000、細孔の面積比率20面積%の条件で細孔を形成し、これを多孔質白色散乱層5とした。
多孔質白色散乱層2付き電極を、酸性水溶液中でアノード分極化+0.6V(vs SCE)において、超高圧水銀ランプを用いて、電極に対し90度の角度で40C/cm2の光エッチング量になるまで処理して、内径Dが5nm、深さ80μm、L/D=2000、細孔の面積比率20面積%の条件で細孔を形成し、これを多孔質白色散乱層6とした。
(表示素子1の作製)
周辺部を、平均粒径が40μmのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として10%含むオレフィン系封止剤で縁取りした多孔質白色散乱層1が形成された電極2と電極1を貼り合わせ、加熱押圧して表示素子1を作製した。
周辺部を、平均粒径が40μmのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として10%含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りした多孔質白色散乱層2が形成された電極2と電極1を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液2を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子2を作製した。
周辺部を、平均粒径が40μmのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として10%含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りした多孔質白色散乱層2が形成された電極2と電極1を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液3を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子3を作製した。
周辺部を、平均粒径が40μmのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として10%含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りした多孔質白色散乱層3が形成された電極2と電極1を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液3を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子4を作製した。
多孔質白色散乱層3が形成された電極2を例示化合物(29)を0.1mol/L含んだアセトニトリル溶液に1晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物(29)の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が40μmのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として10%含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極1を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液3を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子5を作製した。
多孔質白色散乱層3が形成された電極2を例示化合物(31)0.1mol/L含んだアセトニトリル溶液に1晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物(31)の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が40μmのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として10%含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極1を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液4を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子6を作製した。
多孔質白色散乱層3が形成された電極2を例示化合物(2)0.1mol/L含んだアセトニトリル溶液に1晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物(2)の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が40μmのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として10%含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極1を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液4を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子7を作製した。
多孔質白色散乱層3が形成された電極2を例示化合物(38)0.1mol/L含んだアセトニトリル溶液に1晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物(38)の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が40μmのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として10%含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極1を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液4を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子8を作製した。
多孔質白色散乱層3が形成された電極2を例示化合物(10)0.1mol/L含んだアセトニトリル溶液に1晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物(10)の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が40μmのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として10%含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極1を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液4を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子9を作製した。
多孔質白色散乱層4が形成された電極2を例示化合物(38)0.1mol/L含んだアセトニトリル溶液に1晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物(38)の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が40μmのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として10%含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極1を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液4を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子10を作製した。
多孔質白色散乱層4が形成された電極2を例示化合物(10)0.1mol/L含んだアセトニトリル溶液に1晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物(10)の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が40μmのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として10%含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極1を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液4を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子11を作製した。
多孔質白色散乱層5が形成された電極2を例示化合物(38)0.1mol/L含んだアセトニトリル溶液に1晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物(38)の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が40μmのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として10%含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極1を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液4を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子12を作製した。
多孔質白色散乱層6が形成された電極2を例示化合物(38)0.1mol/L含んだアセトニトリル溶液に1晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物(38)の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が40μmのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として10%含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極1を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液4を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子13を作製した。
多孔質白色散乱層3が形成された電極2を例示化合物(38)0.1mol/L含んだアセトニトリル溶液に1晩浸漬し取り出した後に、多孔質白色散乱層中のアセトニトリルを十分に蒸発乾燥させて、多孔質白色散乱層の細孔表面に化合物(38)の自己組織化膜を形成した。得られた電極の周辺部を、平均粒径が40μmのガラス製球形ビーズ状スペーサーを体積分率として10%含むエポキシ系の紫外線硬化樹脂で縁取りし、電極1を貼り合わせた後、加熱押圧して空セルを作製した。該空セルに電解液5を真空注入し、注入口をエポキシ系の紫外線硬化樹脂にて封止し、表示素子14を作製した。
(表示速度の評価)
上記で作製した各表示素子に1.5Vの電圧を1.5秒間印加して白色を表示させた時の550nmの反射率と、−1.5Vの電圧を0.5秒間印加させてグレーを表示させた時の550nmの反射率をコニカミノルタセンシング社製の分光測色計CM−3700dで測定した。測定した反射率の差をΔRRateとし、ΔRRateを表示速度の指標とした。ここでは、ΔRRateが大きいほど表示速度が速いとする。
上記で作製した各表示素子を25℃の環境下20日間保存した後、1.5Vの電圧を1.5秒間印加して白色を表示させ、−1.5Vの電圧を0.5秒間印加させてグレーを表示させた状態の表示素子の任意の5箇所の550nmでの反射率をコニカミノルタセンシング社製の分光測色計CM−3700dで測定し、反射率の最大値と最小値の差を算出した。算出した反射率の差をΔRGlayとし、ΔRGlayを表示ムラの指標とした。ここでは、ΔRGlayが小さいほど表示ムラ耐性に優れていることを表す。
3 電解質
4 多孔質白色散乱層
5 金属酸化物粒子
6 細孔
D 細孔の内径
L 細孔の深さ
Claims (11)
- 対向電極間に、銀または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質層及び多孔質白色散乱層を有し、銀の溶解、析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子において、多孔質白色散乱層が細孔を有しており、かつ細孔の表面に銀と錯体を形成する部位を有する化合物からなる自己組織化膜が形成されており、かつ該自己組織化膜表面に銀が配位し、前記銀と錯体を形成する部位を有する化合物が、構造中に、多孔質白色散乱層に化学吸着または物理吸着する基を有していることを特徴とする表示素子。
- 前記多孔質白色散乱層の有する細孔の深さ/細孔の径の比が3000以上であることを特徴とする請求項1に記載の表示素子。
- 前記多孔質白色散乱層を形成する化合物が、二酸化チタンであることを特徴とする請求項1または2に記載の表示素子。
- 前記多孔質白色散乱層を形成する化合物が、アルミナであることを特徴とする請求項1または2に記載の表示素子。
- 光電気化学エッチング処理によって細孔が形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の表示素子。
- 陽極酸化処理によって細孔が形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の表示素子。
- 前記銀と錯体を形成する部位を有する化合物の錯体形成部位が、銀と配位結合可能なS原子またはN原子を含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の表示素子。
- 前記銀と錯体を形成する部位が、メルカプトトリアゾール誘導体、メルカプトオキサジアゾール誘導体またはメルカプトチアジアゾール誘導体構造であることを特徴とする請求項7に記載の表示素子。
- 前記銀と錯体を形成する部位が、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体またはターピリジン誘導体構造であることを特徴とする請求項7に記載の表示素子。
- 多孔質白色散乱層に化学吸着または物理吸着する基が、−COOH、−P=O(OH)2、−Si(OR)3であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の表示素子。
(ここにおいて、Rは炭素原子数1〜8のアルキル基を表す。) - 前記電解質層がイオン性液体を含有していることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載に表示素子。
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