WO2006104151A1 - ウエハダイシング用粘着テープおよびそれを用いたチップの製造方法 - Google Patents

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pressure
adhesive layer
radiation
layer
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PCT/JP2006/306309
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Akira Yabuki
Syozo Yano
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The Furukawa Electric Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to an adhesive tape for wafer dicing and a method for manufacturing a chip using the same.
  • These semiconductor chips can be obtained by thinning a semiconductor wafer to a predetermined thickness in a back grinding process, an etching process, etc., and then supporting and fixing with a dicing tape or the like and chipping in a dicing process.
  • the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape is a radiation-curing type, it is transferred to the pick-up process after being irradiated with radiation such as ultraviolet rays or electron beams, and is mounted on a lead frame or the like through the pick-up and die-bonding processes. Become.
  • the dicing process is generally performed by a blade cutting method in which a semiconductor wafer is supported and fixed by a dicing tape and cut by a dicing blade.
  • the blade rotation speed is set to about tens of thousands of rpm, the blade receives considerable cutting resistance and has frictional heat.
  • the temperature of the blade surface can rise to around 100 ° C.
  • the blade base material film is cut by the blade, so that part of the base film is melted by the heat of the blade to form thread-like dicing waste and the pattern on the wafer surface.
  • the force is scraped onto the wire.
  • a tape for wafer processing in which an adhesive is applied to a cross-linked base film is a viscoelasticity cured with energy rays on the base film.
  • a method has been proposed in which a layer is provided and the adhesive film for dicing is cut up to the adhesive layer by dicing, and the base film is not cut (see, for example, Patent Document 2).
  • the substrate film is cut with a blade in a high temperature state, but it is not always sufficient when the wafer thickness is in the region of 100 m or less.
  • the blade since the blade does not cut the base film, the tape is not melted by the heat of the blade and the yarn-like dicing waste is not generated as described above. Since the layer is a hard layer that is very thick up to 300 m and hardened with energy rays, if the blade cuts through this viscoelastic layer during dicing, a fine powdery form will form from the viscoelastic layer.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 5-211234
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-7646
  • the present invention relates to a wafer processing tape used for supporting and fixing a workpiece when processing the workpiece such as a wafer, and special processing such as crosslinking a base film.
  • the present invention provides a wafer dicing pressure-sensitive adhesive tape excellent in pick-up property and a chip manufacturing method using the tape, which can be manufactured without being subjected to the above-described process and does not generate cutting waste during dicing.
  • the inventors of the present invention have two or more pressure-sensitive adhesive layers, each of which contains a radiation polymerizable compound, and the pressure-sensitive adhesive layer Reduces cutting waste during dicing by using an adhesive tape for wafer dicing in which the content of the radiation polymerizable compound in the resin composition constituting the outermost layer is different from that in the resin composition constituting the inner adhesive layer. It was found that the pickup property was good.
  • a wafer dicing pressure-sensitive adhesive tape provided with a pressure-sensitive adhesive layer on a base film, the pressure-sensitive adhesive layer comprising two or more layers, and the resin composition constituting any pressure-sensitive adhesive layer is also radiation.
  • the content of the radiation-polymerizable compound in the resin composition that contains the polymerizable compound and constitutes the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer, and its strength in the resin composition that constitutes the inner pressure-sensitive adhesive layer A pressure-sensitive adhesive tape for wafer dicing, wherein the stress applied to the film is sufficiently transmitted to the outermost layer after irradiation, and is different enough to peel the chip from the layer,
  • the content of the radiation polymerizable compound in the resin composition constituting the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer is larger than the content of the radiation polymerizable compound in the resin composition constituting the inner pressure-sensitive adhesive layer.
  • the resin composition constituting the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer contains 50 to 200 parts by mass of the radiation-polymerizable compound with respect to 100 parts by mass of the acrylic base resin, and the inner adhesive.
  • the wafer according to (1) or (2), wherein the resin composition constituting the layer contains the radiation-polymerizable compound 5 to LOO parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic base resin. Dicing adhesive tape, and
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a cross section of an adhesive tape for wafer dicing according to the present invention.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing a process of dicing a semiconductor wafer with a blade.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which the lowermost part of the blade cut is in the adhesive layer 2 in the dicing process.
  • FIGS. 4 (a) to 4 (c) are cross-sectional views showing a pick-up process of a semiconductor chip using the dicing tape of the present invention
  • FIG. 4 (a) is a cross-sectional view in a state where the chip is cut.
  • FIG. 4 (b) is a cross-sectional view pushed up by the push-up pin
  • FIG. 4 (c) is a cross-sectional view showing a state where the pickup is picked up by the suction collet.
  • FIGS. 5 (a) to 5 (c) are cross-sectional views showing a pickup process when a dicing tape in which the pressure-sensitive adhesive layer on the base film is a non-radiation curable pressure-sensitive adhesive layer is used.
  • Fig. 5 (a) is a cross-sectional view of a state in which the chip is cut
  • Fig. 5 (b) is a cross-sectional view pushed up by a push-up pin
  • Fig. 5 (c) shows a state of picking up by an adsorption collet.
  • the inner pressure-sensitive adhesive layer contains no radiation polymerizable compound! , Wafer dicing adhesive tape composed of rosin composition
  • the “pressure-sensitive adhesive” means an agent that can be peeled off by being subjected to a treatment such as curing after the pressure-sensitive adhesive.
  • the wafer dicing adhesive tape 4 of the present invention As shown in the cross-sectional view of FIG. 1, an inner adhesive layer 2 and an outermost layer 1 of the adhesive layer are formed on a base film 3 in this order. As shown in the perspective view of FIG. 2, the wafer dicing adhesive tape 4 of the present invention is bonded to a ring frame 8 having a donut-like shape via an outermost layer 1 of an adhesive layer for fixing. The chuck table 9 is placed so that the outermost layer 1 of the adhesive layer is on the upper side. Thereafter, the wafer 5 to be shredded is bonded to the outermost layer 1 of the pressure-sensitive adhesive layer, and is shredded into tips 5 ′ with the blade 7.
  • the wafer dicing adhesive tape 4 of the present invention is preferably chopped together with the chip 5 ′ with a blade 7 so as not to reach the base film 3 as shown in the cross-sectional view of FIG.
  • the lowermost part of the blade cut during dicing exceeds the inner adhesive layer 2 and reaches the base film 3, thread-like cutting waste is generated during dicing.
  • cutting is performed along the scribe line 6 provided in the wafer 5.
  • the resin composition constituting the outermost layer 1 of the pressure-sensitive adhesive layer on the side opposite to the base film 3 contains a radiation-polymerizable compound, and the adhesive strength is reduced by irradiation with radiation. Is done.
  • the wafer dicing adhesive tape 4 of the present invention is not irradiated with radiation until the dicing step as shown in FIG. 3, and the wafer is sufficiently held. Therefore, during dicing, fine powdered chips are not generated from the cured adhesive layer.
  • the chip 5 ′ cut as shown in the cross-sectional view of FIG. 4 (a) is then turned into the cross-sectional view of FIG. 4 (b).
  • the back force of the base film 3 of the wafer dicing adhesive tape 4 is also pushed up by the push-up pin 11, and the stress at that time is sufficiently transmitted to the chip 5 ', and the tape at the end of the chip 5' is deformed.
  • the deformation causes the peeling 15 of the end of the tip 5 '.
  • the inner layer adhesive layer 2 also contains a radiation-polymerizable compound, it is possible to control the adhesive force widely after the dicing process so that the chip edge peel-off trigger 15 is likely to occur. You can.
  • the cut chip 5 ′ is picked up by the suction collect 12.
  • 10 is an adsorption stage.
  • the pressure-sensitive adhesive tape 14 for wafer dicing in which the inner pressure-sensitive adhesive layer 13 as shown in the cross-sectional view of FIG. 5 (a) is composed of a resin composition containing no radiation-polymerizable compound. Then, as shown in the sectional view of FIG. 5 (b), even if the tip 5 ′ is pushed up from the base film 3 side by the push-up pin 11, the push-up stress by the push-up pin 11 contains the radiation polymerizable compound. As a result, the stress is not transmitted to the tip 5 ′, causing no chipping of the end of the tip 5 ′. ) As shown in the sectional view of FIG. 5, the cut chip 5 ′ may not be picked up by the suction collet 12.
  • the present invention has a structure in which an adhesive layer is laminated on a base film, and by preventing the blade from reaching the base film, dicing waste is not generated! And so on.
  • the radiation-polymerizable compound used in the present invention is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the application.
  • acrylic resin is used as the base resin. It is preferable. Examples thereof include acrylic copolymers and methacrylic copolymers (hereinafter sometimes referred to as (meth) acrylic copolymers). In that case, it is possible to use one that is appropriately mixed with a curing agent and crosslinked before irradiation.
  • (Meth) acrylic copolymers include, for example, a polymer having (meth) acrylic acid ester as a polymer structural unit, and a (meth) acrylic polymer of (meth) acrylic acid ester copolymer, or a functional property. Examples include copolymers with monomers, and mixtures of these polymers. As the molecular weight of these polymers, those having a weight average molecular weight of about 500,000 to 1,000,000 are generally applied.
  • the curing agent is used for adjusting the adhesive force and the cohesive force by reacting with the functional group of the (meth) acrylic copolymer.
  • the functional group of the (meth) acrylic copolymer For example, 1,3 bis (N, N diglycidylaminomethyl) cyclohexane, 1,3 bis (N, N-diglycidylaminomethyl) toluene, 1,3-bis (N, N diglycidylaminomethyl) Benzene, N, N, N, N'—tetraglycidyl m-xylene diamine, etc., epoxy compounds with two or more epoxy groups in the molecule, 2, 4 tolylene diisocyanate, 2, 6 tolylene diisocyanate , 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylenomethane 4,4 'diisocyanate and the like, isocyanate compounds having two or more isocyanate groups in the molecule,
  • the radiation-polymerizable compound for example, a low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule that can be three-dimensionally reticulated by light irradiation is widely used, and the weight average molecular weight (Mw) It is preferred to use an oligomer with a value in the range of 100 to 30000.
  • Mw weight average molecular weight
  • examples of such compounds include urethane acrylates, epoxy acrylates, polyester acrylates, polyether acrylates, (meth) acrylic acid oligomers, and itaconic acid oligomers having an oligomer having a functional group such as a hydroxyl group or a carboxyl group.
  • Ma can be mentioned.
  • the radiation-polymerizable compound contains an acrylic polymer having one or more radiation-polymerizable carbon-carbon double bonds in the side chain as a structural unit.
  • a radiation-polymerizable compound having one or more radiation-polymerizable carbon-carbon double bonds in the side chain is a polymer having a carbon-carbon double bond in the molecule, such as an acrylic ester of acrylic acid or methacrylic acid.
  • a compound having one or more carbon-carbon double bonds in a homopolymer as a main structural unit or a copolymer of an alkyl ester of acrylic acid or methacrylic acid and another unsaturated monomer copolymerizable therewith Is obtained by addition polymerization.
  • This polymer preferably has a weight average molecular weight of 10,000 to 1,000,000, and the glass transition point can be appropriately adjusted by changing the blending ratio of the alkyl ester.
  • a urethane acrylate oligomer can also be used.
  • the content of the radiation-polymerizable compound in the resin composition constituting the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer is different from that in the resin composition constituting the inner pressure-sensitive adhesive layer. It will be.
  • the content of the radiation polymerizable compound in the composition of the outermost pressure-sensitive adhesive layer is made larger than the content of the radiation polymerizable compound in the composition of the inner pressure-sensitive adhesive layer.
  • the adhesive strength of the outermost adhesive layer in contact with the chip is sufficiently reduced and can be easily peeled off, while in particular when expanding and picking up
  • the inner pressure-sensitive adhesive layer has flexibility and can be picked up without peeling off the pressure-sensitive adhesive layers.
  • the ratio of the radiation-polymerizable compound in the composition of the outermost layer 1 of the pressure-sensitive adhesive layer is the ratio of the radiation-polymerizable compound in the composition of the inner pressure-sensitive adhesive layer 2.
  • the resin composition constituting the outermost layer 1 of the pressure-sensitive adhesive layer contains 50 to 200 parts by mass of the radiation-polymerizable compound with respect to 100 parts by mass of the acrylic base resin.
  • the resin composition constituting the inner pressure-sensitive adhesive layer 2 located on the inner side of the outermost layer 1 of the pressure-sensitive adhesive layer is the above-mentioned radiation polymerizable compound 5 to 100 parts by mass of the acrylic base resin 5-: LOO quality It is preferable to use a quantity part.
  • the radiation-polymerizable compound in the resin composition constituting the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer having a low content of the radiation-polymerizable compound in the pressure-sensitive adhesive layer 1 and a high content of the radiation-polymerizable compound in the pressure-sensitive adhesive layer 2 Is less than the content of the radiation-polymerizable compound in the resin composition constituting the inner layer of the pressure-sensitive adhesive layer, the adhesive force of the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive layer cannot be sufficiently reduced. Since it becomes hard, the pick-up performance is very poor, and it cannot be said that it is at a practical level, and the wafer diameter is not sufficient.
  • the content of the radiation-polymerizable compound in the resin composition constituting the outermost layer 1 of the pressure-sensitive adhesive layer is less than 50 parts by mass, the reduction of the adhesive strength is insufficient and the chip size exceeds 10 mm x 10 mm. Such a relatively large chip may not be able to cope with it, and if it is too much, it is not preferable because the adhesive strength is not reduced any more, and the cost is increased.
  • the content of the radiation-polymerizable compound in the resin composition constituting the inner pressure-sensitive adhesive layer 2 located inside the outermost layer 1 of the pressure-sensitive adhesive layer is too soft when it is less than 5 parts by mass. This may lead to bad up-ability and cause contamination of the backside of the chip.
  • the thickness ratio between the outermost layer 1 of the pressure-sensitive adhesive layer and the inner pressure-sensitive adhesive layer 2 varies depending on the relationship with the above-mentioned blade cut depth and the composition. Basically, the outermost layer 1 of the pressure-sensitive adhesive layer is a chip. Since it is the inner pressure-sensitive adhesive layer 2 that determines the overall hardness, considering only the peelability of the inner layer, the thickness of the inner pressure-sensitive adhesive layer 2> the thickness of the outermost layer 1 of the pressure-sensitive adhesive layer It is desirable.
  • each pressure-sensitive adhesive layer is preferably 5 to 70 ⁇ m for the inner pressure-sensitive adhesive layer 2 and more preferably 5 to 20 ⁇ m.
  • the outermost layer 1 of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 10 to 80 ⁇ m, more preferably 15 to 50 ⁇ m.
  • the adhesive layer provided with the outermost layer 1 of the pressure-sensitive adhesive layer after the inner pressure-sensitive adhesive layer 2 is cured is not included in the two or more pressure-sensitive adhesive layers in the present invention.
  • a photopolymerization initiator is usually used. Specifically, isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, black mouth thixanthone, dodecyl thioxanthone, dimethyl thioxanthone, jetyl thixanthone, benzyl dimethyl ketal, ⁇ -hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethyl phenol- Rupropane or the like is applicable.
  • the substrate film 3 of the wafer dicing pressure-sensitive adhesive tape 4 in the present invention is not particularly limited as long as it does not hinder radiation irradiation of the resin composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer.
  • polyvinyl chloride, polyethylene, various ethylene copolymers such as ethylene acetate butyl copolymer and ethylene (meth) acrylate copolymer, and various elastomers, polyesters, nylons, etc. Can be applied in various ways.
  • the thickness of the base film 3 is not limited, but generally a thickness of about 30 to 500 m is applied from the viewpoint of workability.
  • a copolymer consisting of 2-ethylhexyl acrylate, methyl acrylate, and 2-hydroxyethyl acrylate was used.
  • One 100 parts by mass of a polymer obtained by copolymerizing butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, methyl methacrylate, and 2-hydroxyscheryl acrylate is combined with one radiation-polymerizable carbon-carbon double bond.
  • a radiation curable acrylic polymer obtained by adding 5 parts by mass of 2-isocyanate ethyl methacrylate was used as a compound having two or more compounds.
  • a substrate film with a thickness of 100 m was prepared by the T-die method using EMMA resin (trade name, product name: ACLIFT WD201, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.).
  • EMMA resin trade name, product name: ACLIFT WD201, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.
  • ExampleThe inner pressure-sensitive adhesive layer (adhesive layer 2) and the outermost pressure-sensitive adhesive layer (pressure-sensitive adhesive layer 1) having the structure shown in the comparative example are each provided with an inner pressure-sensitive adhesive layer thickness of 35 m, Coating was performed in this order so that the thickness of the outermost pressure-sensitive adhesive layer was 10 m, and a pressure-sensitive adhesive tape for wafer dicing was obtained.
  • Table 1 and Table 2 'Adhesive tape for wafer dicing of comparative example is attached and fixed to an 8-inch ring frame, and 100 ⁇ m thick is attached to the wafer dicing adhesive tape in the state of being attached and fixed.
  • An 8-inch silicon wafer was bonded, and full-cut dicing was performed to a chip size of 5 mm ⁇ 5 mm with a disco dicing machine DA D340 (trade name). At this time, the cutting depth of the blade from the tape surface was set as shown in Tables 1 and 2. Die After singing, use a UV irradiation machine with a high-pressure mercury lamp lamp to irradiate the tape with a back side force of 500 m j / cm 2.
  • the number of thread-like dicing scraps generated by dicing was counted by microscopic observation. Observation was conducted for 5 scribe lines.
  • the number of powdered chips generated from the adhesive layer by dicing and adhering to the wafer was confirmed by microscopic observation.
  • CPS-100FM (trade name) manufactured by NEC Machinery
  • the chip is actually picked up with an expansion stroke of 2mm and 12mm, and the chip is pushed up without any problem ⁇ Adsorbed by a circular collet ⁇ Power applied to the lead frame Evaluated.
  • the evaluation picked up 200 chips for 8 inch wafers and evaluated how many of them succeeded.
  • Example 4 the pickup property was slightly lowered because the content of the radiation-polymerizable compound in the pressure-sensitive adhesive layer 1 was slightly low, but the other items were satisfactory as in Examples 1 to 3 without any problems. Results were obtained. In Examples 6, 7, 8, and 9, the content of the radiation polymerizable compound in the pressure-sensitive adhesive layer 2 was slightly low, so the pick-up property was slightly reduced. For other items, Examples 1 to Similar to 3, good results were obtained without any problems.
  • Example 5 the content of the radiation-polymerizable compound in the pressure-sensitive adhesive layer 2 was slightly increased, so that it became hard after irradiation with ultraviolet rays. Therefore, a hard pressure-sensitive adhesive layer with a wafer diameter of 12 mm due to the expand was not necessarily sufficient. Expand with stroke The force that slightly reduced pickup performance due to the
  • Comparative Example 1 the pressure-sensitive adhesive layer 2 was previously cured by ultraviolet irradiation, so that a large amount of swarf was generated from the pressure-sensitive adhesive layer 2 during the cutting with the blade and was attached to the wafer. This was a practical level.
  • Comparative Example 2 the pressure-sensitive adhesive layer 2 contained no radiation-curing pressure-sensitive adhesive and remained soft after UV irradiation. It was absorbed that I could not pick up the chip at all.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 1 contains a radiation-curable pressure-sensitive adhesive! / Cunning! As a result, the adhesive strength was not reduced, and as a result, the chip could hardly be picked up. Further, in Comparative Example 4, the pressure-sensitive adhesive layer 1 and the pressure-sensitive adhesive layer 2 have the same content ratio of the radiation-polymerizable compound to the acrylic pressure-sensitive adhesive, and the radiation-polymerizable compound content itself is high after the ultraviolet irradiation. Both layers became too hard and broke at the scribe line due to the 12mm stroke expand.
  • the adhesive tape for wafer dicing of the present invention can be used for supporting and fixing an object to be cut such as a wafer, and a chip using the same.
  • the manufacturing method it is possible to efficiently manufacture a semiconductor chip that has been thinned and reduced in size so that cutting chips are not generated during dicing.

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Abstract

　基材フィルム上に粘着剤層が設けられたウエハダイシング用粘着テープであって、該粘着剤層は２層以上からなり、いずれの粘着剤層を構成する樹脂組成物も放射線重合性化合物を含有するとともに、粘着剤層の最外層を構成する樹脂組成物における放射線重合性化合物の含有量と内側の粘着剤層を構成する樹脂組成物におけるそれが、基材フィルムに印加した応力が放射線照射後の最外層に十分に伝わり、該層とチップを剥離するに十分な程度に異なるウエハダイシング用粘着テープ、およびそれを用いたチップの製造方法。

Description

明 細 書
ウェハダイシング用粘着テープおよびそれを用いたチップの製造方法 技術分野
[0001] 本発明は、ウェハダイシング用粘着テープおよびそれを用いたチップの製造方法 に関する。
背景技術
[0002] 最近における半導体チップの薄膜化'小チップィ匕への進化はめざましぐ特に、メモ リカードやスマートカードの様な半導体 ICチップが内蔵された ICカードの場合、半導 体チップの厚さとしては 100 m以下が要求されるものであり、今後これらの需要が 増えるにつれ上記の薄膜化 ·小チップ化のニーズはより一層高まるものと考えられる
[0003] これらの半導体チップは、半導体ウェハをバックグラインド工程やエッチング工程等 において所定厚みに薄膜ィ匕した後、ダイシングテープ等により支持固定されダイシン グ工程にてチップィ匕され得られる。次いで、ダイシングテープの粘着剤層が放射線硬 化型である場合は紫外線や電子線などの放射線を照射した後にピックアップ工程に 移され、ピックアップ、ダイボンディング工程を経てリードフレーム等に搭載される事に なる。
[0004] 上記の一連の工程のうちダイシング工程は、ダイシングテープで半導体ウェハを支 持固定した状態でダイシングブレードにより切断するブレードカット方式が一般的な 方法であるが、この場合、一般的にはブレード回転数は数万 rpm程度に設定される ので、ブレードは相当の切削抵抗を受け、摩擦熱を持つ。場合によっては、ブレード 表面は 100°C前後まで温度が上昇する事もある。通常、ウェハをフルカットする際は テープの基材フィルムまでブレードによって切り込まれる事になるため、ブレードの熱 によって基材フィルムの一部が溶融し糸状のダイシング屑となってウェハ表面のパタ ーン上にかき出されるケースがある力 これが例えば電極パッド上に付着してしまうと 後のワイヤボンディング不良に繋がる可能性がある。糸状のダイシング屑は、従来の ように厚いウェハの場合は発生してもチップ側面に留まる程度であったため、前記の 様なワイヤボンディング不良に繋がる恐れは無力つた力 近年のウェハの薄膜ィ匕によ り、糸状のダイシング屑はウェハ表面にまで出現しやすくなり、前記の様な問題がより 深亥 ijになってきた。
[0005] これを解決する方法として、架橋された基材フィルムに粘着剤が塗布されたウェハ 加工用テープ (例えば、特許文献 1参照）ゃ基材フィルム上にエネルギー線で硬化さ れた粘弾性層を設け、ダイシングによるダイシング用粘着シートへの切り込みを粘弹 性層までとし基材フィルムは切り込まない方法が提案されている（例えば、特許文献 2 参照)。
[0006] し力しながら前者では、基材フィルムを高温状態のブレードで切り込むことになるた め、ウェハの厚みが 100 m以下の領域になると必ずしも十分とはいえない。それに 対し後者の方法では、ブレードは基材フィルムを切り込まないため、前記の様に、ブ レードの熱によってテープが溶融し糸状のダイシング屑が発生するような事はないが この場合の粘弾性層は最大 300 mと非常に厚ぐかつエネルギー線で硬化された 硬 、層となって 、るため、ダイシング時にブレードがこの粘弾性層を切り込んでしまう と、その粘弾性層から細かい粉状の切り屑が発生してしまい、この粉状の切り屑がパ ターン面の電極パッド上に付着してしまうとワイヤボンディング不良に繋がる可能性が あると同時に、硬くて厚い粘弾性層を切り込む事によりブレードの磨耗も顕著となりブ レードライフの低下に繋がる可能性があるという問題があった。
[0007] 特許文献 1 :特開平 5— 211234号公報
特許文献 2：特開 2003 - 7646号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0008] 本発明は、ウェハ等の被切断物を加工する際に、該被切断物を支持固定する際に 用いられるウェハ加工用テープであって、基材フィルムを架橋するなどという特殊な 処理を施すことなくテープを製造でき、ダイシング時に切削屑が発生することがなぐ ピックアップ性に優れたウェハダイシング用粘着テープおよびそれを用いたチップの 製造方法を提供するものである。
課題を解決するための手段 [0009] 本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、粘着剤層が 2層以 上からなり、該粘着剤層はいずれも放射線重合性化合物を含有し、粘着剤層の最外 層を構成する榭脂組成物における放射線重合性化合物の含有量が、内側の粘着剤 層を構成する榭脂組成物におけるそれと異なるウェハダイシング用粘着テープにより 、ダイシング時の切削屑を低減でき、ピックアップ性が良好であることを見出したもの である。
[0010] 本発明によれば、以下の手段が提供される：
(1)基材フィルム上に粘着剤層が設けられたウェハダイシング用粘着テープであって 、該粘着剤層は 2層以上からなり、いずれの粘着剤層を構成する榭脂組成物も放射 線重合性化合物を含有するとともに、粘着剤層の最外層を構成する榭脂組成物に おける放射線重合性化合物の含有量と、内側の粘着剤層を構成する榭脂組成物に おけるそれ力 基材フィルムに印加した応力が放射線照射後の最外層に十分に伝わ り、該層とチップを剥離するに十分な程度に異なることを特徴とするウェハダイシング 用粘着テープ、
(2)前記粘着剤層の最外層を構成する榭脂組成物中における放射線重合性化合物 の含有量が、内側の粘着剤層を構成する榭脂組成物における放射線重合性化合物 の含有量より大き 、ことを特徴とする（1)項記載のウェハダイシング用粘着テープ、
(3)前記粘着剤層の最外層を構成する榭脂組成物はアクリル系ベース榭脂 100質 量部に対して前記放射線重合性化合物 50〜200質量部を含有し、前記内側の粘 着剤層を構成する榭脂組成物はアクリル系ベース榭脂 100質量部に対して前記放 射線重合性化合物 5〜： LOO質量部を含有することを特徴とする（1)または（2)記載の ウェハダイシング用粘着テープ、及び
(4) (1)〜（3)の 、ずれか 1項記載のウェハダイシング用粘着テープで被切断物であ るウェハを支持固定する工程、ブレードの切り込みの最下部が前記ウェハダイシング 用粘着テープの前記最外層またはそれより内側の粘着剤層内部にくるようにウェハ をダイシングする工程、前記ウェハダイシング用粘着テープに放射線を照射し、切断 されたチップをピックアップする工程を有することを特徴とするチップの製造方法。 発明の効果 [0011] 本発明のウェハダイシング用粘着テープは、基材フィルムを架橋するなどという特 殊な処理を施すことなく製造でき、ダイシング時に切削屑が発生することがなぐその テープを用いることによりチップを効率的に製造する方法を提供することができる。
[0012] 本発明の上記及び他の特徴及び利点は、添付の図面とともに考慮することにより、 下記の記載力 より明らかになるであろう。
図面の簡単な説明
[0013] [図 1]図 1は、本発明のウェハダイシング用粘着テープの断面を示す断面図である。
[図 2]図 2は、半導体ウェハをブレードによりダイシングするプロセスを表す説明図で ある。
[図 3]図 3は、ダイシングプロセスにてブレードの切り込みの最下部が粘着剤層 2中に 在る状態を示す断面図である。
[図 4]図 4 (a)〜（c)は、本発明のダイシングテープを使用した半導体チップのピックァ ッププロセスを示す断面図であって、図 4 (a)はチップが切断された状態の断面図で あり、図 4 (b)は突き上げピンで突き上げられた断面図であり、図 4 (c)は吸着コレット によりピックアップする状態を示す断面図である。
[図 5]図 5 (a)〜 (c)は、基材フィルム上の粘着剤層が非放射線硬化型粘着剤層であ るダイシングテープを使用した場合のピックアッププロセスを示す断面図であって、図 5 (a)はチップが切断された状態の断面図であり、図 5 (b)は突き上げピンで突き上げ られた断面図であり、図 5 (c)は吸着コレットによりピックアップする状態を示す断面図 である。
符号の説明
[0014] 1 :粘着剤層の最外層
2 :内側の粘着剤層
3 :基材フィルム
4：ウェハダイシング用粘着テープ
5 :ウエノヽ
5 '：チップ
6 :スクライブライン 7 :ブレード
8 :リングフレーム
9 :固定用チャックテープノレ
10 :吸着ステージ
11 :突き上げピン
12 :吸着コレット
13：放射線重合性化合物を含有しな！ヽ内側の粘着剤層
14：内側の粘着剤層が放射線重合性化合物を含有しな！、榭脂組成物で構成された ウェハダイシング用粘着テープ
15：チップ端部の剥離のきっかけ
発明を実施するための最良の形態
[0015] 以下に本発明を詳細に説明する。
なお、本発明において、「粘着剤」とは、粘着後に硬化等の処理に付すことにより剥 離を可能にする剤を意味する。
本発明のウェハダイシング用粘着テープ 4は、図 1の断面図で示すように、基材フィ ルム 3上に内側の粘着剤層 2、粘着剤層の最外層 1がこの順に形成されている。図 2 の斜視図による説明図で示すように、本発明のウェハダイシング用粘着テープ 4は、 粘着剤層の最外層 1を介してドーナツ状の形状を有するリングフレーム 8に貼合され 、固定用チャックテーブル 9に粘着剤層の最外層 1が上側になるように、載置される。 その後、その粘着剤層の最外層 1に細断すべきウェハ 5は貼合され、ブレード 7でチ ップ 5'に細断される。
[0016] 本発明のウェハダイシング用粘着テープ 4は、図 3の断面図に示すように、基材フィ ルム 3に達しないようにブレード 7でチップ 5'と共に細断されるのが好ましい。ダイシン グ時のブレードの切り込みの最下部が内側の粘着剤層 2を超え、基材フィルム 3に達 すると、ダイシング時に糸状の切削屑が発生する。ダイシング工程においては、ゥェ ノ、 5に設けられたスクライブライン 6に沿って細断される。
[0017] 本発明にお 、ては、基材フィルム 3と反対側の粘着剤層の最外層 1を構成する榭脂 組成物は、放射線重合性化合物を含有し、放射線照射により粘着力が低減される。 しかしながら、本発明のウェハダイシング用粘着テープ 4は図 3に示すようなダイシン グ工程までは放射線は照射されず、十分にウェハは保持される。したがってダイシン グ時には、硬化された粘着剤層から細かい粉状の切削屑が発生することはない。
[0018] 本発明のウェハダイシング用粘着テープ 4を使用した場合には、図 4 (a)の断面図 に示すように切断されたチップ 5 'は、次いで、図 4 (b)の断面図に示すようにウェハ ダイシング用粘着テープ 4の基材フィルム 3の背面力も突き上げピン 11で突き上げら れ、その際の応力が十分にチップ 5 'に伝えられ、チップ 5 '端部におけるテープが変 形し、その変形によってチップ 5 'の端部の剥離のきっかけ 15が生じる。また内層の 粘着剤層 2にも放射線重合性ィ匕合物が含有されているので、ダイシング工程終了後 に、チップ端部の剥離のきっかけ 15が生じやすいように幅広く粘着力の制御を行うこ とができる。次いで、図 4 (c)の断面図に示すように切断されたチップ 5 'が吸着コレツ ト 12でピックアップされる。なお、図中 10は吸着ステージである。
[0019] それに対して図 5 (a)の断面図に示すような内側の粘着剤層 13が放射線重合性化 合物を含有しない榭脂組成物で構成されたウェハダイシング用粘着テープ 14の場 合には、次いで図 5 (b)の断面図に示すように突き上げピン 11で基材フィルム 3側か らチップ 5 'を突き上げても、突き上げピン 11による突き上げ応力が、放射線重合性 化合物を含有しない内側の粘着剤層 13の変形により吸収されてしまい、チップ 5 'に その応力が伝わらない結果、チップ 5 '端部の剥離のきっかけが生じず、ピックアップ 性に問題が生じ、図 5 (c)の断面図に示すように切断されたチップ 5 'が吸着コレット 1 2でピックアップされな ヽ場合がある。
[0020] また従来のウェハダイシング用粘着テープでは、基材フィルムまで完全に切り込む ことが一般的である。その場合には、細断のために用いられる高速回転したブレード により基材フィルムが溶融し、糸状のいわゆるダイシング屑が発生する。ところが本発 明においては、基材フィルム上に粘着剤層が積層された構造となっており、ブレード は基材フィルムまで到達しな 、ようにすることにより、ダイシング屑が発生しな！、ように することができる。
[0021] 本発明で用いる放射線重合性ィ匕合物は、特に制限されるわけではなく用途に応じ て適宜選択することができるが、本発明においてはアクリル系榭脂をベース榭脂とす ることが好ましい。その例として、アクリル系共重合体ゃメタクリル系共重合体 (以下、 (メタ)アクリル系共重合体ということもある）を挙げることができる。その場合には、適 宜硬化剤を配合し、放射線照射前に架橋しているものを使用することができる。 （メタ )アクリル系共重合体は、例えば (メタ)アクリル酸エステルを重合体構成単位とする重 合体、及び (メタ）アクリル酸エステル系共重合体の (メタ）アクリル系重合体、あるいは 官能性単量体との共重合体、及びこれらの重合体の混合物等が挙げられる。これら の重合体の分子量としては重量平均分子量が 50万〜 100万程度の高分子量のもの が一般的に適用される。
[0022] 硬化剤は、（メタ)アクリル系共重合体が有する官能基と反応させて粘着力及び凝 集力を調整するために用いられる。例えば、 1, 3 ビス (N, N ジグリシジルアミノメ チル）シクロへキサン、 1, 3 ビス（N, N—ジグリシジルアミノメチル）トルエン、 1, 3 —ビス（N, N ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、 N, N, N, N' —テトラグリシジ ルー m—キシレンジァミンなどの分子中に 2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化 合物、 2, 4 トリレンジイソシァネート、 2, 6 トリレンジイソシァネート、 1, 3 キシリ レンジイソシァネート、 1, 4ーキシレンジイソシァネート、ジフエ二ノレメタン 4, 4' ジイソシァネートなどの分子中に 2個以上のイソシァネート基を有するイソシァネート 系化合物、テトラメチロール—トリ— β—アジリジ-ルプロピオネート、トリメチロール —トリ— j8—アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン—トリ— β—アジリジ -ルプロピオネート、トリメチロールプロパン—トリ— β - (2—メチルアジリジン）プロピ ォネートなどの分子中に 2個以上のアジリジ-ル基を有するアジリジン系化合物等が 挙げられる。硬化剤の添加量は、所望の粘着力及び凝集力に応じて調整すればよく (メタ)アクリル系共重合体 100質量部に対して 0. 1〜5. 0質量部が適当である。
[0023] 放射線重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重 合性炭素 炭素二重結合を少なくとも 2個以上有する低分量化合物が広く用いられ 、重量平均分子量（Mw)が 100から 30000の範囲にあるオリゴマーを用いるのが好 ましい。このような化合物としては、ウレタンアタリレート、エポキシアタリレート、ポリエ ステルアタリレート、ポリエーテルアタリレート、（メタ）アクリル酸オリゴマーおよびイタコ ン酸オリゴマーのように水酸基あるいはカルボキシル基などの官能基を有するオリゴ マーを挙げることができる。
[0024] その他具体的には、トリメチロールプロパントリアタリレート、テトラメチロールメタンテ トラアタリレート、ペンタエリスリトールトリアタリレート、ペンタエリスリトールテトラアタリレ ート、ジペンタエリスリトーノレモノヒドロキシペンタアタリレート、ジペンタエリスリトーノレ へキサアタリレート、 1, 4ーブチレングリコールジアタリレート、 1, 6へキサンジオール ジアタリレート、ポリエチレングリコールジアタリレートや、オリゴエステルアタリレート、 又、ウレタンアタリレート系オリゴマーとしては、ポリエステノレ型またはポリエーテノレ型 などのポリオール化合物と、多価イソシアナ一トイ匕合物（例えば、 2, 4 トリレンジイソ シアナート、 2, 6 トリレンジイソシアナート、 1, 3 キシリレンジイソシアナート、 1, 4 —キシリレンジイソシアナート、ジフエ-ルメタン 4, 4—ジイソシアナートなど）を反応さ せて得られる末端イソシアナ一トウレタンプレボリマーに、ヒドロキシル基を有するァク リレートあるいはメタタリレート（例えば、 2—ヒドロキシェチルアタリレート、 2—ヒドロキ シェチルメタタリレート、 2—ヒドロキシプロピルアタリレート、 2—ヒドロキシプロピルメタ タリレート、ポリエチレングリコールアタリレート、ポリエチレングリコールメタタリレートな ど）を反応させて得られるものが適用可能である。
[0025] この放射線重合性化合物は、側鎖に放射線重合性炭素 炭素二重結合を一つ以 上有するアクリル系重合体を構成単位として含むものである。側鎖に放射線重合性 炭素 炭素二重結合を一つ以上有する放射線重合性化合物とは分子内に炭素 炭素二重結合を有しているポリマーであり、例えば、アクリル酸、メタクリル酸のアルキ ルエステルを主な構成単位とする単独重合体、もしくは、アクリル酸またはメタクリル 酸のアルキルエステルとこれに共重合が可能な他の不飽和モノマーとの共重合体に 炭素 炭素二重結合を一つ以上有する化合物を付加重合することによって得られる 。このポリマーは、好ましくは、重量平均分子量が 1万〜 100万であり、ガラス転移点 はアルキルエステルの配合比率を変更することで適宜調整可能である。
[0026] また上記の様なアタリレート系化合物のほかに、ウレタンアタリレート系オリゴマーを 用いる事も出来る。
[0027] 本発明にお ヽては、粘着剤層の最外層を構成する榭脂組成物における放射線重 合性化合物の含有量が、内側の粘着剤層を構成する榭脂組成物におけるそれと異 なるものである。このような構成とすることにより、粘着剤層の最外層と内側の粘着剤 層の放射線照射後の粘着力に差をつけることができ、基材フィルムに印加した応力 が放射線照射後の最外層に十分に伝わるので該層とチップを容易に剥離することが できる。好ましくは、最外層の粘着剤層の組成物中における放射線重合性化合物の 含有量が、内側の粘着剤層の組成物中における放射線重合性化合物の含有量より 大きくされる。このような構成とすることにより、放射線照射後にピックアップする場合 に、チップに接触する最外層の粘着剤層の粘着力は十分に低減され、容易に剥離 できる一方で、特にエキスパンドしてピックアップする場合には、内側の粘着剤層が 柔軟性を有し、粘着剤層同士が剥離することなくピックアップすることができる。
[0028] さらに本発明においては、粘着剤層の最外層 1の組成物中における放射線重合性 化合物の割合が、内側の粘着剤層 2の組成物中における放射線重合性ィ匕合物の割 合より大きくした上で、粘着剤層の最外層 1を構成する榭脂組成物はアクリル系べ一 ス榭脂 100質量部に対して前記放射線重合性化合物 50〜200質量部を含有し、前 記粘着剤層の最外層 1より内側に位置する内側の粘着剤層 2を構成する榭脂組成物 はアクリル系ベース榭脂 100質量部に対して前記放射線重合性ィ匕合物 5〜： LOO質 量部とすることが好ましい。粘着剤層 1の放射線重合性化合物の含有量が低ぐ且つ 、粘着剤層 2の放射線重合性化合物の含有量が多ぐ粘着剤層最外層を構成する 榭脂組成物中の放射線重合性化合物の含有量が、粘着剤層内層を構成する榭脂 組成物中の放射線重合性化合物の含有量よりも小さくなると、粘着剤層最外層の粘 着力低減が十分でなぐまた粘着剤層内層が若干硬くなるためピックアップ性が非常 に悪く、実用レベルにあるとはいえず、ウェハ拡径も十分なレベルとはならない。
[0029] 粘着剤層の最外層 1を構成する榭脂組成物中の放射線重合性化合物の含有量は 、 50質量部未満になると粘着力の低減が不十分でチップサイズが 10mm X 10mm を超えるような比較的大チップの場合に対応出来なくなる場合があり、多すぎてもそ れ以上は粘着力は低減せずかえってコストアップにつながってしまうため好ましくな い。
[0030] また粘着剤層の最外層 1の内側に位置する内側の粘着剤層 2を構成する榭脂組成 物中の放射線重合性化合物の含有量は、 5質量部未満になると柔らかすぎてピック アップ性の悪ィ匕に繋がったり、チップ裏面の汚染を誘発する原因となる場合がある。
10質量部以上とするのが好ましぐ 15質量部以上とするのがさらに好ましい。また 10 0質量部を超えると硬くなつてしまいピックアップ性'エキスパンド性の悪ィ匕に繋がる場 合がある。粘着剤層の最外層 1と内側の粘着剤層 2の厚み比率については前述のブ レード切り込み深さとの関係や組成構成によっても異なってくる力 基本的には粘着 剤層の最外層 1はチップの剥離性のみを考慮すればよぐ全体的な硬さを左右する のは内側の粘着剤層 2であるので、内側の粘着剤層 2の厚み >粘着剤層の最外層 1 の厚みとなることが望ましい。それぞれの粘着剤層の厚みとしては、内側の粘着剤層 2が 5〜70 μ mとするのが好ましぐさらに好ましくは 5〜20 μ mである。また粘着剤 層の最外層 1は 10〜80 μ mとするのが好ましぐさらに好ましくは 15〜50 μ mである 。ただし、内側の粘着剤層 2が硬化された後に、粘着剤層の最外層 1が設けられた粘 着剤層は、本発明における 2層以上の粘着剤層には含まれな ヽ。
[0031] またこれらの調整により得られた粘着剤層を例えば紫外線等の照射によって重合、 硬化させる場合には、通常光重合開始剤が用いられる。具体的には、イソプロピルべ ンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフエノン、ミヒラーズケトン、 クロ口チォキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジェチルチ ォキサントン、ベンジルジメチルケタール、 α—ヒドロキシシクロへキシルフェニルケト ン、 2—ヒドロキシメチルフエ-ルプロパン等が適用可能である。
[0032] 本発明におけるウェハ用ダイシング用粘着テープ 4の基材フィルム 3は、粘着剤層 を構成する榭脂組成物の放射線照射が妨げられないものであれば特に制限はない 。例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンのほ力、エチレン 酢酸ビュル共重合体や エチレン （メタ）アクリル酸エステル共重合体等の各種エチレン系共重合体、さらに は各種エラストマ一、ポリエステル、ナイロン系等のものが種々適用出来る。また基材 フィルム 3の厚みも制限は無いが、一般的には作業性等の点から 30〜500 m厚程 度のものが適用される。
実施例
[0033] 以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定さ れるものではない。 [0034] (実施例 1〜9及び比較例 1〜4)
くアクリル系ベース榭脂 >
2—ェチルへキシルアタリレート、メチルアタリレート、 2—ヒドロキシェチルアタリレー トからなる共重合体を使用した。
<放射線重合性化合物 >
ブチルアタリレート、 2—ェチルへキシルアタリレート、メチルメタタリレート、 2—ヒドロ キシェチルアタリレートを共重合して得られるポリマー 100質量部に対して、放射線 重合性炭素 炭素二重結合を一つ以上有する化合物として 2—イソシァネートェチ ルメタタリレートを 5質量部付加して得られた放射線硬化性アクリル系ポリマーを使用 した。
[0035] <粘着剤の調製 >
上記アクリル系ベース榭脂 100質量部に、硬化剤としてポリイソシァネートイ匕合物（ 日本ポリウレタン社製、商品名コロネート L)を 3質量部、上記放射線重合性化合物を 実施例、比較例に記載した配合部数、及び光重合開始剤として α—ヒドロキシシクロ へキシルフエ-ルケトンを 1質量部添加し、混合して粘着剤を得た。
[0036] <ウェハダイシング用粘着テープの作製 >
EMMA榭脂 (住友ィ匕学社製商品名、商品名：ァクリフト WD201)を用いて Tダイ法 により厚さ 100 mの基材フィルムを作製し、この基材フィルムに、表 1および表 2の 実施例 ·比較例に示された構成の内側の粘着剤層 (粘着剤層 2)及び最外層の粘着 剤層 (粘着剤層 1)を、それぞれ内側の粘着剤層の厚さが 35 m、最外層の粘着剤 層の厚さが 10 mとなるように、この順で塗工しウェハダイシング用粘着テープを得 た。
[0037] <評価 >
表 1および表 2の実施例'比較例のウェハダイシング用粘着テープを 8インチ用リン グフレームに貼着固定し、その貼着固定された状態でウェハダイシング用粘着テー プに 100 μ m厚の 8インチシリコンウェハを貼合し、ディスコ社製ダイシング装置 DA D340 (商品名）にて 5mm X 5mmのチップサイズにフルカットダイシングした。この際 のテープ面からのブレードの切り込み深さは表 1および表 2に示した深さとした。ダイ シング後、高圧水銀灯ランプの紫外線照射機にてテープ背面側力 照射量が 500m j/cm2となるように照射を行い、紫外線照射後、 NECマシナリー製 CPS— 100FM ( 商品名）を用いてエキスパンドストローク 12mmにてエキスパンドしその状態でピック アップを行った。ピックアップは先端径で R250の突き上げピンを用いて行った。評価 項目は以下の項目について実施した。結果を表 1および表 2に示す。
[0038] <糸状ダイシング屑発生数 >
ダイシングによりテープ力 発生した糸状のダイシング屑の発生数を顕微鏡観察に てカウントした。観察はスクライブライン 5本分にっ 、て実施した。
[0039] <細かい粉状の切り屑発生の有無 >
ダイシングにより粘着剤層から発生しウェハ上に付着した粉状の切り屑の発生数を 顕微鏡観察にてその有無を確認した。
[0040] <ピックアップ性評価 >
NECマシナリー製 CPS - 100FM (商品名）を用い、エキスパンドストロークを 2mm 及び 12mmとしてチップを実際にピックアップし、チップが問題なく突き上げ→円形コ レットにて吸着→リードフレーム上に設置、される力否を評価した。評価は、 8インチウ ェハの中力も 200チップをピックアップし、そのうち何チップが成功したかを評価した
[0041] <エキスパンド性 >
エキスパンドストローク 12mmでエキスパンドをした際ウェハ拡径率（エキスパンド時 のウェハ直径 Z8インチウェハの元の直径）、及びダイシングテープの破断の有無を 観祭した。
[0042] [表 1] 表 1
Figure imgf000015_0001
表 2]
表 2
Figure imgf000016_0001
* 1 ァクリ赚翻のみて職さ 非 ¾*t*s¾ft^i翻
* 2 nk ^ ιを^！する前に 蘭 utii匕させた
* 3 ァクリ J難翻 1のみて さ こ非 ^ J 表：!〜 2から、以下のことがわかる。
実施例 1〜3からわかるように、糸状ダイシング屑、細かい粉状の切り屑の発生も無 くピックアップ性にも問題なぐ 12mmのストロークのエキスパンドでテープ破断はなく 、ウェハも十分に拡径された。また実施例 4では、粘着剤層 1の放射線重合性化合物 の含有量が若干低力つたためピックアップ性が若干低下したが、それ以外の項目に ついては実施例 1〜3と同様、何ら問題なく良好な結果が得られた。実施例 6, 7, 8, 9では、粘着剤層 2の放射線重合性ィ匕合物の含有量が若干低力つたためピックアツ プ性が若干低下した力 それ以外の項目については実施例 1〜3と同様、何ら間題 なく良好な結果が得られた。また実施例 5では、粘着剤層 2の放射線重合性化合物 の含有量が若干多力つたために紫外線照射後に硬くなり、そのためエキスパンドによ るウェハ拡径が必ずしも十分でなぐ硬い粘着剤層を 12mmストロークでエキスパン ドしたために若干ピックアップ性が低下した力 これら以外の項目については実施例
1〜3と同様、何ら問題無く良好な結果が得られた。
[0045] それに対して、比較例 1では、粘着剤層 2が予め紫外線照射により硬化されていた ため、ブレードによる切断の際に粘着剤層 2から多量の切り粉が発生しウェハ上に付 着、実用レベルにはなカゝつた。比較例 2では、粘着剤層 2には放射線硬化型粘着剤 が含まれておらず紫外線照射後も柔らカ 、状態のままであったため、ピックアップ時 の突き上げピンによる突き上げ応力を柔らかい粘着剤層 2が吸収してしまい全くチッ プをピックアップする事が出来な力つた。
[0046] 比較例 3では、粘着剤層 1には放射線硬化型粘着剤が含まれて！/ヽな！ヽため粘着力 が低減せず、その結果、殆どチップをピックアップする事が出来な力つた。また比較 例 4では、粘着剤層 1と粘着剤層 2の、アクリル系粘着剤に対する放射線重合性化合 物の含有比率が同等で、且つ、放射線重合性化合物の含有量自体が多ぐ紫外線 照射後に両層とも硬くなりすぎて 12mmストロークのエキスパンドによりスクライブライ ン部で破断してしまった。
産業上の利用可能性
[0047] 本発明のウェハダイシング用粘着テープは、ウェハ等の被切断物をカ卩ェする際に 、該被切断物を支持固定する際に用いることができ、また、それを用いたチップの製 造方法においては、ダイシング時に切削屑が発生することがなぐ薄膜化'小チップ 化の進んだ半導体チップを効率的に製造することができる。
[0048] 本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明 を説明のどの細部においても限定しょうとするものではなぐ添付の請求の範囲に示 した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。

Claims

請求の範囲
[1] 基材フィルム上に粘着剤層が設けられたウェハダイシング用粘着テープであって、 該粘着剤層は 2層以上からなり、いずれの粘着剤層を構成する榭脂組成物も放射線 重合性化合物を含有するとともに、粘着剤層の最外層を構成する榭脂組成物におけ る放射線重合性化合物の含有量と、内側の粘着剤層を構成する榭脂組成物におけ るそれ力 基材フィルムに印加した応力が放射線照射後の最外層に十分に伝わり、 該層とチップを剥離するに十分な程度に異なることを特徴とするウェハダイシング用 粘着テープ。
[2] 前記粘着剤層の最外層を構成する榭脂組成物中における放射線重合性化合物の 含有量が、内側の粘着剤層を構成する榭脂組成物における放射線重合性化合物の 含有量より大き!、ことを特徴とする請求項 1記載のウェハダイシング用粘着テープ。
[3] 前記粘着剤層の最外層を構成する榭脂組成物はアクリル系ベース榭脂 100質量 部に対して前記放射線重合性化合物 50〜200質量部を含有し、前記内側の粘着 剤層を構成する榭脂組成物はアクリル系ベース榭脂 100質量部に対して前記放射 線重合性化合物 5〜： L00質量部を含有することを特徴とする請求項 1または 2記載の ウェハダイシング用粘着テープ。
[4] 請求項 1〜3の！、ずれか 1項記載のウェハダイシング用粘着テープで被切断物で あるウェハを支持固定する工程、ブレードの切り込みの最下部が前記ウェハダイシン グ用粘着テープの前記最外層またはそれより内側の粘着剤層内部にくるようにゥェ ハをダイシングする工程、前記ウェハダイシング用粘着テープに放射線を照射し、切 断されたチップをピックアップする工程を有することを特徴とするチップの製造方法。
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