JPH07235583A - 粘着シート - Google Patents

粘着シート

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JPH07235583A
JPH07235583A JP2641094A JP2641094A JPH07235583A JP H07235583 A JPH07235583 A JP H07235583A JP 2641094 A JP2641094 A JP 2641094A JP 2641094 A JP2641094 A JP 2641094A JP H07235583 A JPH07235583 A JP H07235583A
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洋範 高村
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Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ペレットマウント用接着剤の塗布工数及び装
置を不要に出来るペレット貼着用粘着シートを提供す
る。 【構成】 可撓性シート基材11上に、紫外線硬化型第１
粘着層12a及び紫外線非硬化型第２粘着層12bをそれぞれ
下層及び上層とする２層構造の粘着層を被着形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に半導体ペレット
（以下、単にペレット称す。）を形成した半導体ウェー
ハ（以下、単にウェーハと称す。）等の貼り付けに好適
な粘着シートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体装置の製造に際しては、図
２に示すように、多数のペレット（１）…が形成された
ウェーハ（２）を、ペレット（１）の検査後、展延性の
良いポリ塩化ビニール等をシート基材とした粘着シート
（３）に貼着する。そして、ウェーハ（２）の表面に格
子状スクライブ溝（４）…を切削形成してペレット毎に
細分割し、更にスクライブ溝（４）…に沿ってブレイキ
ングした後、図３に示すように、粘着シート（３）を引
き伸ばしてペレット同士を粘着シート上で分離し、ウェ
ーハリング（５）を形成する。
【０００３】一方、図４（ａ）に示すように、リードフ
レーム（６）を搬送路（７）に供給した後、定ピッチず
つ間歇送りし、且つ、ペレットマウントポジションで、
ウェーハリング（５）を搬送路（７）の側方に近接配置
する。又、ウェーハリング（５）と搬送路（７）上のリ
ードフレーム（６）との間でペレット（１）を移送する
上下及び水平動自在の真空吸引用吸着ヘッド（８）を配
設し、且つ、ウェーハリング（５）の下方に突き上げピ
ン（９）を上下動自在に配設する。
【０００４】そこで、上記ペレットマウントポジション
にて、ウェーハリング（５）のペレット（１）をパター
ン認識して所望のペレット（１）をピックアップポジシ
ョンに配置すると共に、図４（ｂ）に示すように、吸着
ヘッド（８）を水平及び下降動させてシート上でペレッ
ト（１）を真空吸着する。上記ペレット吸着後、図４
（ｃ）に示すように、吸着ヘッド（８）を上昇させ、且
つ、それに追従して突き上げピン（９）を上昇させ、真
空吸着されたペレット（１）を粘着シート（３）から剥
離する。次に、図４（ｄ）に示すように、吸着ヘッド
（８）のみを上昇、水平及び下降動させてペレット
（１）をリードフレーム（６）のランド部上に固着マウ
ントする。
【０００５】ここで、特開平１−１３６３５０号公報に
示すように、上記粘着シート（３）としてシート基材全
面に紫外線硬化型粘着剤を塗布したものを用い、その上
にペレット（１）を貼着してペレットマウントポジショ
ンでシート下方から粘着シート（３）に紫外線を照射す
る。そうすると、粘着シート（３）が若干、硬化して粘
着力が低下し、ペレット（１）が剥離し易くなる。或い
は、実開昭６３−２７０４７号公報に示すように、ペレ
ット（１）が剥離容易な下部シート上に、半導体ウェー
ハ（２）よりも若干小さな窓孔と充分な粘着力を有する
上部シートを貼着した粘着シートを用いると、同様にペ
レット（１）を容易に剥離出来る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする課題
は、ペレット取り出し後、マウントする際、予め塗布工
程でリードフレーム上又はペレット下面に導電性或いは
樹脂系接着剤を塗布しておく必要があるため、その分、
工数が増加して生産性が低下し、又、装置も多くなって
コスト増になり、更に、接着剤の拡がり具合や量がバラ
つき易く、粘度及び供給量の管理が面倒になる点であ
る。そこで、従来、実開昭６３−８８９８２号公報に示
すように、剥離によって電子部品に転移可能な接着剤層
を一方のテープ重合面に形成して部品を仮止めしたテー
ピング構体が知られているが、この場合、強力な接着剤
を使用すると、転移不可能になるため、接着剤としては
弱くて剥離し易いものを用い、且つ、テープ重合面も剥
離し易く処理する必要がある。そこで、このような接着
剤及びシートを用いて半導体ウェーハを保持して切断す
ると、半導体ウェーハの位置ずれ等が生じるため、半導
体装置の製造に適用することは出来ない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、可撓性シート
基材上に、紫外線硬化型第１粘着層及び紫外線非硬化型
第２粘着層をそれぞれ下層及び上層とする２層構造の粘
着層を被着形成したことを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記技術的手段によれば、粘着シートに第１、
第２粘着層によってペレットを貼着し、ペレットマウン
トポジションでシート下方から粘着シートに紫外線を照
射して第１粘着層を硬化させた後、下方から粘着シート
を突き上げピンにて突き上げると、まず粘着力の低下し
た第１粘着層が第２粘着層との界面から剥離する。そこ
で、下面に第２粘着層を被着したままペレットが粘着シ
ートから剥離すると、それを吸着して第２粘着層を接着
剤としてリードフレーム上にマウントする。
【０００９】
【実施例】本発明に係る粘着シートの実施例を図１を参
照して以下に説明する。図において（10）は粘着シー
ト、（11）はシート基材、（12a）は紫外線硬化型第１
粘着層、（12b）は紫外線非硬化型第２粘着層である。
上記粘着シート（10）は、従来と同じ展延性の良いポリ
塩化ビニール等からなるシート基材（11）の上に、紫外
線硬化型第１粘着層（12a）及び紫外線非硬化型第２粘
着層（12b）をそれぞれ下層及び上層とする２層構造の
粘着層を被着形成してなる。
【００１０】上記構成に基づき本発明の動作を次に説明
する。まず図２に示す従来例同様、多数のペレット
（１）…が形成されたウェーハ（２）を、ペレット検査
後、第１、第２粘着層（12a）（12b）によって粘着シー
ト（10）に確実に貼着する。次に、図１（ａ）の点線に
示すように、第２粘着層（12b）を貫通して第１粘着層
（12a）に入り込む深さ（Ｄ）までウェーハ面に格子状
スクライブ溝（図２を参照）を切削形成する。そして、
上記スクライブ溝に沿ってペレット毎に細分割してブレ
イキングした後、図３と同様に、粘着シート（10）を引
き伸ばしてペレット同士を粘着シート（10）上で分離
し、ウェーハリング（５）（図３を参照）を形成する。
又、図４（ａ）と同様、ペレットマウントポジション
で、ウェーハリング（５）をリードフレーム（６）の搬
送路（７）の側方に近接配置し、且つ、ペレット移送用
吸着ヘッド（８）及びシート突き上げ用突き上げピン
（９）をそれぞれ所定位置に配設する。
【００１１】そこで、上記ペレットマウントポジション
にてシート下方から紫外線を粘着シート（10）に照射
し、まず第１粘着層（12a）を硬化させて粘着力を低下
させる。そして、ウェーハリング（５）のペレット
（１）をパターン認識して所望のペレット（１）をピッ
クアップポジションに配置すると共に、図４（ｂ）に示
すように、吸着ヘッド（８）を水平及び下降動させてシ
ート上でペレット（１）を真空吸着する。その後、図４
（ｃ）と同様、吸着ヘッド（８）を上昇させ、且つ、そ
れに追従して突き上げピン（９）を上昇させる。そうす
ると、図２（ｂ）に示すように、シート基材（11）が撓
み、まず硬化して粘着力の低下した第１粘着層（12a）
が切削線に沿ってペレット毎に、且つ、第２粘着層（12
b）との界面から剥離し、真空吸着されたペレット
（１）が下面に第２粘着層（12b）を被着したまま粘着
シート（10）から剥離する。そして、図４（ｄ）と同様
に、吸着ヘッド（８）のみを上昇、水平及び下降動させ
てペレット（１）をリードフレーム（６）のランド部上
に移送する。そこで、第２粘着層（12b）を接着剤とし
て加圧又は加熱すると、予め接着剤をランド部上に塗布
しなくてもペレット（１）をそのままランド部に固着マ
ウントすることが出来る。
【００１２】尚、本発明は上記半導体製造に限らず、例
えば表面実装型チップ部品に適用し、粘着シート（10）
に貼着したチップ部品を適宜、シートから取り出してそ
のまま実装するようにしても良い。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、可撓性シート基材上
に、紫外線硬化型第１粘着層及び紫外線非硬化型第２粘
着層からなる２層構造の粘着層を積層形成してなる粘着
シートにペレットを貼着し、シート下方から粘着シート
に紫外線を照射して第１粘着層を硬化させた後、下方か
ら粘着シートを突き上げ、第１、第２粘着層の界面から
剥離したペレットを吸着して第２粘着層を接着剤として
被固着面上にマウントしたから、マウント用接着剤の塗
布工程及び装置が削減されて生産性が向上し、且つ、コ
ストが低減される。又、接着剤の粘度及び供給量の管理
が不要になって作業性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明に係る粘着シートの実施例を示
す要部平面図である。（ｂ）は本発明に係る粘着シート
の動作例を示す要部平面図である。
【図２】従来の粘着シートに半導体ウェーハを貼着した
状態を示す斜視図である。
【図３】図２の半導体ウェーハのペレット細分割を示す
斜視図である。
【図４】（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）はペレット取り出し
及びマウント工程を示す各側面図である。
【符号の説明】
１ 半導体ペレット 10 粘着シート 11 シート基材 12a 紫外線硬化型第１粘着層 12b 紫外線非硬化型第２粘着層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/301 // Ｂ６５Ｈ 37/04 Ｚ 9245−3Ｆ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 可撓性シート基材上に、紫外線硬化型の
    第１粘着剤と紫外線非硬化型の第２粘着剤とを順次積層
    させて２層構造の粘着層を形成したことを特徴とする粘
    着シート。
JP2641094A 1994-02-24 1994-02-24 粘着シート Pending JPH07235583A (ja)

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JP2641094A JPH07235583A (ja) 1994-02-24 1994-02-24 粘着シート

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2641094A JPH07235583A (ja) 1994-02-24 1994-02-24 粘着シート

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002121505A (ja) * 2000-10-18 2002-04-26 Nitto Denko Corp エネルギー線硬化型熱剥離性粘着シート、及びこれを用いた切断片の製造方法
JP2002121510A (ja) * 2000-10-18 2002-04-26 Nitto Denko Corp エネルギー線硬化型熱剥離性粘着シート、及びこれを用いた切断片の製造方法
JP2002201442A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ加工用保護シートおよび半導体ウエハの加工方法
JP2003007646A (ja) * 2001-06-18 2003-01-10 Nitto Denko Corp ダイシング用粘着シートおよび切断片の製造方法
WO2004069951A1 (ja) * 2003-02-05 2004-08-19 The Furukawa Electric Co., Ltd. ウエハ貼着用粘着テープ
WO2006104151A1 (ja) * 2005-03-29 2006-10-05 The Furukawa Electric Co., Ltd. ウエハダイシング用粘着テープおよびそれを用いたチップの製造方法
WO2018139667A1 (ja) * 2017-01-30 2018-08-02 株式会社新川 ピックアップ装置およびピックアップ方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4651799B2 (ja) * 2000-10-18 2011-03-16 日東電工株式会社 エネルギー線硬化型熱剥離性粘着シート、及びこれを用いた切断片の製造方法
JP2002121510A (ja) * 2000-10-18 2002-04-26 Nitto Denko Corp エネルギー線硬化型熱剥離性粘着シート、及びこれを用いた切断片の製造方法
JP2002121505A (ja) * 2000-10-18 2002-04-26 Nitto Denko Corp エネルギー線硬化型熱剥離性粘着シート、及びこれを用いた切断片の製造方法
JP4703833B2 (ja) * 2000-10-18 2011-06-15 日東電工株式会社 エネルギー線硬化型熱剥離性粘着シート、及びこれを用いた切断片の製造方法
JP2002201442A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ加工用保護シートおよび半導体ウエハの加工方法
JP2003007646A (ja) * 2001-06-18 2003-01-10 Nitto Denko Corp ダイシング用粘着シートおよび切断片の製造方法
WO2004069951A1 (ja) * 2003-02-05 2004-08-19 The Furukawa Electric Co., Ltd. ウエハ貼着用粘着テープ
US8722184B2 (en) 2003-02-05 2014-05-13 The Furukawa Electric Co., Ltd. Wafer-adhering adhesive tape
WO2006104151A1 (ja) * 2005-03-29 2006-10-05 The Furukawa Electric Co., Ltd. ウエハダイシング用粘着テープおよびそれを用いたチップの製造方法
US7985474B2 (en) 2005-03-29 2011-07-26 The Furukawa Electric Co., Ltd. Wafer-dicing adhesive tape and method of producing chips using the same
JP5019613B2 (ja) * 2005-03-29 2012-09-05 古河電気工業株式会社 ウエハダイシング用粘着テープおよびそれを用いたチップの製造方法
WO2018139667A1 (ja) * 2017-01-30 2018-08-02 株式会社新川 ピックアップ装置およびピックアップ方法
JPWO2018139667A1 (ja) * 2017-01-30 2019-07-25 株式会社新川 ピックアップ装置およびピックアップ方法
US11508599B2 (en) 2017-01-30 2022-11-22 Shinkawa Ltd. Pick-up device and pick-up method

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