JP5583080B2 - ウエハ加工用テープおよびそれを用いた半導体加工方法 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープおよびそれを用いた半導体加工方法に関し、特に、高速回転する薄型砥石によって半導体ウエハおよび接着剤層を分断するダイシング工程と、分断によって個片化された半導体ウエハを、分断によって個片化された接着剤層とともにピックアップして基板上に積層するダイボンディング工程とに用いられるダイシング・ダイボンディングテープおよびそれを用いた半導体加工方法に関する。
半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープとして、ダイシングテープ（粘着テープ）と、エポキシ樹脂成分を含む熱硬化性の接着フィルムとが積層されたダイシング・ダイボンディングテープが提案されている（例えば、特許文献１〜３）。これらのダイシング・ダイボンディングテープは、接着剤層（接着フィルム）にエポキシ基を有する化合物を含むことで、熱硬化によって半導体チップと基板とを強固に接着することができる。また、ダイシングテープの粘着剤層をエネルギー線硬化型とすることで、ダイシングテープの粘着力をＵＶ照射などによって低下させることができ、粘着剤層と接着剤層との界面を容易に剥離して、分断によって半導体チップに個片化された半導体ウエハを、分断によって個片化された接着剤層とともにダイシングテープ上からピックアップすることが可能となっている。
上記の様なダイシング・ダイボンディングテープには、半導体ウエハおよび接着剤層を確実に切断・個片化でき、一つずつピックアップして歩留まり良くダイボンディング工程に供する性能が要求され、且つ半導体チップと基板とを強固に接着する性能も要求されている。
しかしながら、上記の様なダイシング・ダイボンディングテープは、高速回転する薄型砥石で半導体ウエハとともに接着剤層を切削した場合、個片化されたはずの接着剤層が一部再癒着し、ピックアップする際に半導体チップの一部が隣接する半導体チップと繋がったままダイボンディング工程に供されてしまう、所謂「ダブルダイエラー」が発生し、工程の歩留まりが悪化するという欠点があった。
しかしながら、上記の様なダイシング・ダイボンディングテープは、高速回転する薄型砥石で半導体ウエハとともに接着剤層を切削した場合、個片化されたはずの接着剤層が一部再癒着し、ピックアップする際に半導体チップの一部が隣接する半導体チップと繋がったままダイボンディング工程に供されてしまう、所謂「ダブルダイエラー」が発生し、工程の歩留まりが悪化するという欠点があった。
「ダブルダイエラー」の発生を抑制する為には、ダイシングテープを拡張することによって半導体チップ同士の間隔をある程度広げてやることで再癒着の破壊を試みることが最低限必要である。従って、ダイシングテープの支持基材には均一拡張性が求められ、その様なダイシングテープとして、支持基材がエチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体またはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体、もしくはそれらを金属イオンでキレート架橋したアイオノマー樹脂よりなるテープが提案されている（例えば、特許文献４〜８）。
しかしながら、その様なダイシングテープであっても、ダブルダイエラー発生の抑制効果は必ずしも十分でなく、時折ダブルダイエラーが発生するという問題がある。そのため、ダブルダイエラーの発生を更に抑制するために、ピックアップ時における半導体チップ同士の再癒着を十分に抑制することが求められている。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、ピックアップ時における半導体チップ同士の再癒着を十分に抑制可能なウエハ加工用テープおよびそれを用いた半導体加工方法を提供することを目的とする。
請求項１に記載の発明は、
支持基材と粘着剤層とからなる粘着テープの該粘着剤層に、エポキシ基を有する化合物を含む熱硬化性の接着剤層が積層され、貼合された半導体ウエハを個片化する際に該半導体ウエハと前記接着剤層および前記粘着剤層とが切削されるとともに前記支持基材が厚み方向に所定深さ切削されるウエハ加工用テープにおいて、
前記支持基材は、エチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体またはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体を、金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂よりなり、
前記共重合体中の前記（メタ）アクリル酸成分の重量分率は、１％以上１０％未満であり、且つ前記アイオノマー樹脂中の前記（メタ）アクリル酸の中和度は、５０％以上であることを特徴とする。
支持基材と粘着剤層とからなる粘着テープの該粘着剤層に、エポキシ基を有する化合物を含む熱硬化性の接着剤層が積層され、貼合された半導体ウエハを個片化する際に該半導体ウエハと前記接着剤層および前記粘着剤層とが切削されるとともに前記支持基材が厚み方向に所定深さ切削されるウエハ加工用テープにおいて、
前記支持基材は、エチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体またはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体を、金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂よりなり、
前記共重合体中の前記（メタ）アクリル酸成分の重量分率は、１％以上１０％未満であり、且つ前記アイオノマー樹脂中の前記（メタ）アクリル酸の中和度は、５０％以上であることを特徴とする。
請求項２に記載の発明は、請求項１記載のウエハ加工用テープにおいて、
前記粘着剤層は、一層もしくは二層以上の構造を有し、その内の少なくとも一層がエネルギー線硬化型粘着剤で形成されていることを特徴とする。
前記粘着剤層は、一層もしくは二層以上の構造を有し、その内の少なくとも一層がエネルギー線硬化型粘着剤で形成されていることを特徴とする。
請求項３に記載の発明は、請求項１または２記載のウエハ加工用テープを用いた半導体加工方法において、
前記ウエハ加工用テープに半導体ウエハを貼合する工程と、
次いで、高速回転する薄型砥石を用いて前記半導体ウエハと前記ウエハ加工用テープの前記接着剤層および前記粘着剤層とを切削するとともに、該ウエハ加工用テープの前記支持基材を厚み方向に１０μｍ以上切削して、該半導体ウエハおよび該接着剤層を個片化する工程と、
次いで、前記ウエハ加工用テープの前記粘着テープを拡張した状態で、個片化された前記半導体ウエハを一つずつピックアップする工程と、
を有することを特徴とする。
前記ウエハ加工用テープに半導体ウエハを貼合する工程と、
次いで、高速回転する薄型砥石を用いて前記半導体ウエハと前記ウエハ加工用テープの前記接着剤層および前記粘着剤層とを切削するとともに、該ウエハ加工用テープの前記支持基材を厚み方向に１０μｍ以上切削して、該半導体ウエハおよび該接着剤層を個片化する工程と、
次いで、前記ウエハ加工用テープの前記粘着テープを拡張した状態で、個片化された前記半導体ウエハを一つずつピックアップする工程と、
を有することを特徴とする。
請求項４に記載の発明は、請求項３記載の半導体加工方法において、
前記支持基材の厚みは、６０μｍ以上であり、
前記個片化する工程では、前記支持基材を厚み方向に１０〜３０μｍ切削することを特徴とする。
前記支持基材の厚みは、６０μｍ以上であり、
前記個片化する工程では、前記支持基材を厚み方向に１０〜３０μｍ切削することを特徴とする。
以下に、本発明を完成するに至った経緯について説明する。
高速回転する薄型砥石を用いたダイシング工程において、個片化されたはずの接着剤層が一部再癒着する所謂「ダブルダイエラー」の発生について、本発明者らは半導体ウエハとともに切削された接着剤層の屑を含む切削屑の集合体が、図６に示すように隣接する半導体チップ同士の間に詰まることで、隣接する半導体チップ同士の再癒着を引き起こすことが原因であることを見出した。
高速回転する薄型砥石を用いたダイシング工程において、個片化されたはずの接着剤層が一部再癒着する所謂「ダブルダイエラー」の発生について、本発明者らは半導体ウエハとともに切削された接着剤層の屑を含む切削屑の集合体が、図６に示すように隣接する半導体チップ同士の間に詰まることで、隣接する半導体チップ同士の再癒着を引き起こすことが原因であることを見出した。
この様な接着剤成分を含む切削屑による隣接する半導体チップ同士の再癒着は、ピックアップ工程においてダイシングテープ（粘着テープ）を拡張して、半導体チップ同士の間隔を広げることで、再癒着を破壊できる場合もある。全ての半導体チップ同士の間隔を広げる為には、ダイシングテープの支持基材に均一拡張性が求められ、その様な支持基材の材料としては、エチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体またはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体、もしくはその何れかを金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂が挙げられる。
しかしながら、該再癒着が強固である場合、全ての再癒着を破壊するには、支持基材の均一拡張性のみでは不十分であり、再癒着部分を脆化することも併せて必要となる。
ダイシング・ダイボンディングテープの接着剤層中から、エポキシ基を有する化合物を除けば、該接着剤層の熱硬化による接着性能が低下するにともなって、ダイシング工程で発生する切削屑中の接着剤成分に由来する接着力も低下する。その結果、隣接する半導体チップ間の再癒着部分も脆化して、ダブルダイエラーの発生を抑制できるが、その様な場合は、接着剤層の半導体チップに対する接着力が低下して、本来の性能が損なわれてしまう。
よって、ダブルダイエラー発生の抑制策としては、接着材層に含まれるエポキシ基を有する化合物を減らすことなしに、接着剤成分を含む切削屑による半導体チップ同士の再癒着を脆化する様な方法が求められる。
ダイシング・ダイボンディングテープの接着剤層中から、エポキシ基を有する化合物を除けば、該接着剤層の熱硬化による接着性能が低下するにともなって、ダイシング工程で発生する切削屑中の接着剤成分に由来する接着力も低下する。その結果、隣接する半導体チップ間の再癒着部分も脆化して、ダブルダイエラーの発生を抑制できるが、その様な場合は、接着剤層の半導体チップに対する接着力が低下して、本来の性能が損なわれてしまう。
よって、ダブルダイエラー発生の抑制策としては、接着材層に含まれるエポキシ基を有する化合物を減らすことなしに、接着剤成分を含む切削屑による半導体チップ同士の再癒着を脆化する様な方法が求められる。
本発明者らは鋭意検討の結果、ダイシング・ダイボンディングテープの支持基材に用いられるエチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体またはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体中の（メタ）アクリル酸成分の割合を所定の量よりも少なくし、且つ金属イオンでアイオノマー化することで、ダブルダイエラーの発生を抑制することができる事を見出した。支持基材に用いられるアイオノマー樹脂の（メタ）アクリル酸成分を抑え、且つ金属イオンと安定な錯体を形成させて反応活性を低下させることで、（メタ）アクリル酸成分のカルボキシル基と接着剤層中のエポキシ基を有する化合物との間の反応を抑えることができるので、ダイシング工程で発生する切削屑中の基材屑成分と接着剤屑成分との間の接着力を低下させて、切削屑による半導体チップ間の癒着部分を脆化できる。
支持基材に十分な均一拡張性を付与しつつ、ダブルダイエラーの発生を抑制する効果があるのは、共重合体（２元共重合体、３元共重合体）中の（メタ）アクリル酸成分の重量分率が１０％未満、且つアイオノマー樹脂中の（メタ）アクリル酸の中和度が５０％以上のアイオノマー樹脂であり、更に好ましくは、（メタ）アクリル酸成分の重量分率が３％以上５％以下、且つ（メタ）アクリルの中和度が５０％以上のアイオノマー樹脂である。
支持基材（アイオノマー樹脂）における共重合体中の（メタ）アクリル酸成分の重量分率が１％以上であれば、支持基材に均一拡張性を期待でき、３％以上であれば、更に支持基材の均一拡張性が期待できる。
支持基材（アイオノマー樹脂）における共重合体中の（メタ）アクリル酸成分の重量分率が１％以上であれば、支持基材に均一拡張性を期待でき、３％以上であれば、更に支持基材の均一拡張性が期待できる。
アイオノマー樹脂における共重合体中の（メタ）アクリル酸成分の重量分率は、ＮＭＲと熱分解ＧＣ−ｍｓスペクトル測定などの方法を組み合わせることで定量することができる。
例えば、熱分解ＧＣ−ｍｓスペクトルのピークから、エチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体のアルキルエステルドメインにおけるアルキル基を同定できる。
また、１Ｈ−ＮＭＲを用いれば、エチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体のアイオノマー樹脂における（メタ）アクリル酸単位のα位水素或いは（メタ）アクリル酸単位のメチル基の水素のピークの積分値をエチレン単位の水素のピークの積分値と比較することで定量できる。（メタ）アクリル酸単位のメチル基に由来するピークと、化学シフトの近いエチレン末端や（メタ）アクリル酸アルキルエステルのエステル末端に由来するピークが、互いに一部重なり合って観測される場合は、（メタ）アクリル酸単位のメチル基に由来するピークの方がより低磁場側にピークが現れるので、低磁場側積分によって（メタ）アクリル酸成分の分率を見積もることができる。エチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体についても、やはり１Ｈ−ＮＭＲを用いることで、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸アルキルエステルのα位水素或いは（メタ）アクリル酸単位のメチル基の水素のピークから、（メタ）アクリル酸の分率と（メタ）アクリル酸アルキルエステルの分率の合計を定量でき、さらに（メタ）アクリル酸アルキルエステル単位の分率をアルキル基の１位炭素に結合した水素のピークから、（メタ）アクリル酸アルキルエステルのみの分率を定量できるので、（メタ）アクリル酸の重量分率を計算できる。
例えば、熱分解ＧＣ−ｍｓスペクトルのピークから、エチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体のアルキルエステルドメインにおけるアルキル基を同定できる。
また、１Ｈ−ＮＭＲを用いれば、エチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体のアイオノマー樹脂における（メタ）アクリル酸単位のα位水素或いは（メタ）アクリル酸単位のメチル基の水素のピークの積分値をエチレン単位の水素のピークの積分値と比較することで定量できる。（メタ）アクリル酸単位のメチル基に由来するピークと、化学シフトの近いエチレン末端や（メタ）アクリル酸アルキルエステルのエステル末端に由来するピークが、互いに一部重なり合って観測される場合は、（メタ）アクリル酸単位のメチル基に由来するピークの方がより低磁場側にピークが現れるので、低磁場側積分によって（メタ）アクリル酸成分の分率を見積もることができる。エチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体についても、やはり１Ｈ−ＮＭＲを用いることで、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸アルキルエステルのα位水素或いは（メタ）アクリル酸単位のメチル基の水素のピークから、（メタ）アクリル酸の分率と（メタ）アクリル酸アルキルエステルの分率の合計を定量でき、さらに（メタ）アクリル酸アルキルエステル単位の分率をアルキル基の１位炭素に結合した水素のピークから、（メタ）アクリル酸アルキルエステルのみの分率を定量できるので、（メタ）アクリル酸の重量分率を計算できる。
さらに、金属イオンによる（メタ）アクリル酸の中和度を５０％以上とすることで、アイオノマー樹脂の（メタ）アクリル酸成分を抑え、且つ金属イオンと安定な錯体を形成させて反応活性を低下させ、（メタ）アクリル酸成分のカルボキシル基と接着剤層中のエポキシ基を有する化合物との間の反応を抑えることができるので、ダイシング工程で発生する切削屑中の基材屑成分と接着剤屑成分との間の接着力を低下させて、切削屑による半導体チップ間の癒着部分を脆化できる。その結果、ダブルダイエラーの発生を的確に抑制できる。上記（メタ）アクリル酸の中和度は、ICP発光分析などの各種分光分析によって定量化できる。例えば、ICP発光分析によりアイオノマー中の金属イオン種の同定と、その重量分率の定量が同時にできる。更に、上記ＮＭＲと熱分解ＧＣ−ｍｓスペクトル測定を組み合わせた方法でアイノマー中の（メタ）アクリル酸の重量分率が分かれば、前記金属イオンの情報と合せて、中和度を定量化できる。
このような支持基材をダイシング・ダイボンディングテープ等のウエハ加工用テープに適用することで、ダブルダイエラーの発生を抑制することができ、加えて、ダイシング工程における支持基材への切りこみ量を深くする程、その効果は大きくなる。一方、支持基材への切りこみ量を必要以上に大きくすると、テープ拡張時に破断する虞がある。
支持基材への切りこみ量は厚み方向へ１０μｍ以上切削するのであれば、ダブルダイエラーの発生抑制に十分な効果があり、支持基材に厚み方向へ３０μｍ以下の切削を行い、且つ該支持基材の厚みが６０μｍ以上であれば、支持基材の破断を防止できる。
このような支持基材をダイシング・ダイボンディングテープ等のウエハ加工用テープに適用することで、ダブルダイエラーの発生を抑制することができ、加えて、ダイシング工程における支持基材への切りこみ量を深くする程、その効果は大きくなる。一方、支持基材への切りこみ量を必要以上に大きくすると、テープ拡張時に破断する虞がある。
支持基材への切りこみ量は厚み方向へ１０μｍ以上切削するのであれば、ダブルダイエラーの発生抑制に十分な効果があり、支持基材に厚み方向へ３０μｍ以下の切削を行い、且つ該支持基材の厚みが６０μｍ以上であれば、支持基材の破断を防止できる。
また、上記ダイシング・ダイボンディングテープの粘着剤層が一層もしくは二層以上の構造を有し、その内の少なくとも一層をエネルギー線硬化型粘着剤で形成することで、ダイシング工程では、半導体ウエハを強固に保持するのに十分な粘着力を持ちつつも、ダイシング後には、エネルギー線を照射することによってダイシングテープの粘着力を効果的に下げることができ、ピックアップ工程において半導体チップに過剰な負荷を与えることなく、半導体チップと個片化された接着剤層とをダイシングテープの粘着剤層表面から容易に剥離することが可能となる。
本発明のウエハ加工用テープによれば、共重合体中の（メタ）アクリル酸成分の重量分率が、１％以上１０％未満であり、且つアイオノマー樹脂中の（メタ）アクリル酸の中和度が、５０％以上であるので、ピックアップ時における半導体チップ同士の再癒着を十分に抑制することができ、ダブルダイエラーの発生の更なる抑制が可能となる。
また、本発明の半導体加工方法によれば、本発明のウエハ加工用テープを使用し、且つ半導体ウエハおよび接着剤層を個片化する工程で、ウエハ加工用テープの支持基材を厚み方向に１０μｍ以上切削するので、ピックアップ時における半導体チップ同士の再癒着をより一層十分に抑制することができ、ダブルダイエラーの発生の更なる抑制が可能となる。
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
本実施形態では、ウエハ加工用テープとしてダイシング・ダイボンディングテープを例示して説明することとする。
本実施形態では、ウエハ加工用テープとしてダイシング・ダイボンディングテープを例示して説明することとする。
図１は、本実施形態のダイシング・ダイボンディングテープ１０を示す断面図である。
図１に示すように、ダイシング・ダイボンディングテープ１０は、支持基材１２ａとその上に形成された粘着剤層１２ｂとからなる粘着テープとしてのダイシングテープ１２上に、接着剤層１３が積層されて構成されている。図１においては、接着剤層１３を保護するため、剥離ライナー１１がダイシング・ダイボンディングテープ１０に設けられている様子が示されている。
図１に示すように、ダイシング・ダイボンディングテープ１０は、支持基材１２ａとその上に形成された粘着剤層１２ｂとからなる粘着テープとしてのダイシングテープ１２上に、接着剤層１３が積層されて構成されている。図１においては、接着剤層１３を保護するため、剥離ライナー１１がダイシング・ダイボンディングテープ１０に設けられている様子が示されている。
なお、粘着剤層１２ｂは、一層の粘着剤層により構成されていてもよいし、二層以上の粘着剤層が積層されたもので構成されていてもよい。
また、ダイシングテープ１２及び接着剤層１３は、使用工程や装置にあわせて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。
また、ダイシング・ダイボンディングテープ１０は、半導体ウエハ一枚分ごとに切断された形態のものであってもよいし、これが複数形成された長尺のシートをロール状に巻き取った形態のものであってもよい。
また、ダイシングテープ１２及び接着剤層１３は、使用工程や装置にあわせて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。
また、ダイシング・ダイボンディングテープ１０は、半導体ウエハ一枚分ごとに切断された形態のものであってもよいし、これが複数形成された長尺のシートをロール状に巻き取った形態のものであってもよい。
（ダイシング・ダイボンディングテープの使用方法）
半導体装置の製造工程の中で、ダイシング・ダイボンディングテープ１０は、以下の様に使用される。
図２には、ダイシング・ダイボンディングテープ１０に、半導体ウエハ１とリングフレーム２０とが貼り合わされた様子が示されている。
半導体装置の製造工程の中で、ダイシング・ダイボンディングテープ１０は、以下の様に使用される。
図２には、ダイシング・ダイボンディングテープ１０に、半導体ウエハ１とリングフレーム２０とが貼り合わされた様子が示されている。
まず、図２に示すように、ダイシングテープ１２をリングフレーム２０に貼り付け、半導体ウエハ１を接着剤層１３に貼り合わせる。これらの貼り付け順序に制限はなく、半導体ウエハ１を接着剤層１３に貼り合わせた後にダイシングテープ１２をリングフレーム２０に貼り付けてもよいし、ダイシングテープ１２のリングフレーム２０への貼り付けと、半導体ウエハ１の接着剤層１３への貼り合わせとを、同時に行ってもよい。
そして、半導体ウエハ１のダイシング工程を高速回転する薄型砥石２１を用いて実施する（図３）。その際、半導体ウエハ１と共に接着剤層１３と粘着剤層１２ｂとを切削分断し、且つ支持基材１２ａを厚み方向に１０μｍ〜３０μｍ切削する。
なお、一回の切削によって半導体ウエハ１表面から所定の深さまで切削してもよいし、複数回の切削によって所定に深さまで切削してもよい。
具体的には、薄型砥石２１によって半導体ウエハ１と接着剤層１３とをダイシングするため、吸着ステージ２２により、ダイシング・ダイボンディングテープ１０をダイシングテープ１２側から吸着支持する。
そして、高速回転する薄型砥石２１によって半導体ウエハ１および接着剤層１３を半導体チップ単位に切断して個片化する。
なお、一回の切削によって半導体ウエハ１表面から所定の深さまで切削してもよいし、複数回の切削によって所定に深さまで切削してもよい。
具体的には、薄型砥石２１によって半導体ウエハ１と接着剤層１３とをダイシングするため、吸着ステージ２２により、ダイシング・ダイボンディングテープ１０をダイシングテープ１２側から吸着支持する。
そして、高速回転する薄型砥石２１によって半導体ウエハ１および接着剤層１３を半導体チップ単位に切断して個片化する。
ダイシングテープ１２の粘着剤層１２ｂが一層もしくは二層以上の構造を有し、その内の少なくとも一層がエネルギー線硬化型粘着剤で形成されている場合は、ダイシング工程後にダイシングテープ１２の下面側（支持基材１２ａ側）からエネルギー線を照射することで、粘着剤層１２ｂを硬化させてその粘着力を低下させることが望ましい。
また、粘着剤層１２ｂが二層以上の粘着剤層により積層されて構成されている場合、各粘着剤層の内の一層又は全層をエネルギー線硬化型粘着剤で形成し、エネルギー線照射によって硬化させて、各粘着剤層の内の該一層又は全層の粘着力を低下させてもよい。
なお、エネルギー線の照射に代えて、加熱などの外部刺激によってダイシングテープ１２の粘着力を低下させてもよい。
また、粘着剤層１２ｂが二層以上の粘着剤層により積層されて構成されている場合、各粘着剤層の内の一層又は全層をエネルギー線硬化型粘着剤で形成し、エネルギー線照射によって硬化させて、各粘着剤層の内の該一層又は全層の粘着力を低下させてもよい。
なお、エネルギー線の照射に代えて、加熱などの外部刺激によってダイシングテープ１２の粘着力を低下させてもよい。
その後、図４に示すように、ダイシングされた半導体ウエハ１（すなわち、半導体チップ２）及びダイシングされた接着剤層１３を保持したダイシングテープ１２をリングフレーム２０の径方向に引き伸ばすエキスパンド工程を実施する。
具体的には、複数の半導体チップ２及び接着剤層１３を保持した状態のダイシングテープ１２に対して、中空円柱形状の突き上げ部材３０を、ダイシングテープ１２の下面側から上昇させ、ダイシングテープ１２をリングフレーム２０の径方向に引き伸ばす。これにより、エキスパンド工程により、半導体チップ２同士の間隔を広げ、ダイシング工程において発生した切削屑による半導体チップ２同士の再接着（再癒着）を破壊して、ピックアップ工程におけるダブルダイエラーの発生を防止することができる。
具体的には、複数の半導体チップ２及び接着剤層１３を保持した状態のダイシングテープ１２に対して、中空円柱形状の突き上げ部材３０を、ダイシングテープ１２の下面側から上昇させ、ダイシングテープ１２をリングフレーム２０の径方向に引き伸ばす。これにより、エキスパンド工程により、半導体チップ２同士の間隔を広げ、ダイシング工程において発生した切削屑による半導体チップ２同士の再接着（再癒着）を破壊して、ピックアップ工程におけるダブルダイエラーの発生を防止することができる。
エキスパンド工程を実施した後、図５に示すように、ダイシングテープ１２をエキスパンドした状態のままで、半導体チップ２をピックアップするピックアップ工程を実施する。
具体的には、ダイシングテープ１２の下面側から半導体チップ２をピン３１によって突き上げるとともに、ダイシングテープ１２の上面側から吸着冶具３２で半導体チップ２を吸着することで、半導体チップ２を接着剤層１３とともにピックアップする。
具体的には、ダイシングテープ１２の下面側から半導体チップ２をピン３１によって突き上げるとともに、ダイシングテープ１２の上面側から吸着冶具３２で半導体チップ２を吸着することで、半導体チップ２を接着剤層１３とともにピックアップする。
そして、ピックアップ工程を実施した後、ダイボンディング工程を実施する。
具体的には、ピックアップ工程で半導体チップ２とともにピックアップされた接着剤層１３（接着フィルム）により、半導体チップ２をリードフレームやパッケージ基板等に接着し、積層する。
具体的には、ピックアップ工程で半導体チップ２とともにピックアップされた接着剤層１３（接着フィルム）により、半導体チップ２をリードフレームやパッケージ基板等に接着し、積層する。
以下、本実施形態のダイシング・ダイボンディングテープ１０の各構成要素について詳細に説明する。
（接着剤層）
接着剤層１３は、半導体ウエハ１等が貼り合わされてダイシングされた後、半導体チップ２をピックアップする際に、ダイシングテープ１２から剥離して半導体チップ２に付着し、半導体チップ２を基板やリードフレーム等に固定する際の接着剤として使用されるものである。従って、接着剤層１３は、ダイボンディング工程において、半導体チップ２を基板やリードフレーム等に接着固定するために、十分な接着信頼性を有するものである。
接着剤層１３は、半導体ウエハ１等が貼り合わされてダイシングされた後、半導体チップ２をピックアップする際に、ダイシングテープ１２から剥離して半導体チップ２に付着し、半導体チップ２を基板やリードフレーム等に固定する際の接着剤として使用されるものである。従って、接着剤層１３は、ダイボンディング工程において、半導体チップ２を基板やリードフレーム等に接着固定するために、十分な接着信頼性を有するものである。
接着剤層１３は、接着剤を予めフィルム化したものであり、エポキシ基を有する化合物を少なくとも１種類含み、その他必要に応じて、公知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物といった高分子成分や、無機フィラーや、硬化促進剤を含んでいてもよい。また、基板やリードフレーム等に対する接着力を高める為に、シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤を添加剤として加えてもよい。
上記エポキシ基を有する化合物としては、硬化して接着作用を呈するものであれば特に制限はないが、二官能基以上で、５００〜５０００未満のエポキシ樹脂が好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などの二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、多官能エポキシ樹脂や複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することもできる。
これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
さらに、特性を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
上記エポキシ基を有する化合物としては、硬化して接着作用を呈するものであれば特に制限はないが、二官能基以上で、５００〜５０００未満のエポキシ樹脂が好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などの二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、多官能エポキシ樹脂や複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することもできる。
これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
さらに、特性を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
接着剤層１３の厚さは特に制限されるものではないが、通常５〜１００μｍ程度が好ましい。
また、接着剤層１３はダイシングテープ１２の全面に積層してもよいが、予め貼り合わされる半導体ウエハ１に応じた形状に切断された（プリカットされた）接着フィルムを積層して、接着剤層１３を形成してもよい。半導体ウエハ１に応じた接着フィルムを積層する場合、図２に示すように、半導体ウエハ１が貼り合わされる部分には接着剤層１３があり、ダイシング用のリングフレーム２０が貼り合わされる部分には接着剤層１３がなくダイシングテープ１２のみが存在する。一般に、接着剤層１３は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着フィルムを使用することで、リングフレーム２０はダイシングテープ１２に貼り合わすことができ、使用後のテープ剥離時にリングフレーム２０への糊残りを生じにくいという効果が得られる。
また、接着剤層１３はダイシングテープ１２の全面に積層してもよいが、予め貼り合わされる半導体ウエハ１に応じた形状に切断された（プリカットされた）接着フィルムを積層して、接着剤層１３を形成してもよい。半導体ウエハ１に応じた接着フィルムを積層する場合、図２に示すように、半導体ウエハ１が貼り合わされる部分には接着剤層１３があり、ダイシング用のリングフレーム２０が貼り合わされる部分には接着剤層１３がなくダイシングテープ１２のみが存在する。一般に、接着剤層１３は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着フィルムを使用することで、リングフレーム２０はダイシングテープ１２に貼り合わすことができ、使用後のテープ剥離時にリングフレーム２０への糊残りを生じにくいという効果が得られる。
（ダイシングテープ）
ダイシングテープ１２は、半導体ウエハ１をダイシングする際には、半導体ウエハ１が剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後の半導体チップ２をピックアップする際には、容易に接着剤層１３から剥離できるよう低い粘着力を有するものであり、図１に示すように、支持基材１２ａに粘着剤層１２ｂを設けたものである。
ダイシングテープ１２は、半導体ウエハ１をダイシングする際には、半導体ウエハ１が剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後の半導体チップ２をピックアップする際には、容易に接着剤層１３から剥離できるよう低い粘着力を有するものであり、図１に示すように、支持基材１２ａに粘着剤層１２ｂを設けたものである。
支持基材１２ａは、エチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体またはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体を、金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂よりなる。
共重合体中の（メタ）アクリル酸成分の重量分率は１％以上１０％未満であり、且つアイオノマー樹脂中のアクリル酸の中和度は５０％以上である。
共重合体中の（メタ）アクリル酸成分の重量分率は１％以上１０％未満であり、且つアイオノマー樹脂中のアクリル酸の中和度は５０％以上である。
ここで、共重合体中の（メタ）アクリル酸成分の重量分率は、支持基材１２ａがエチレン−アクリル酸２元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂よりなる場合、下記構造式１中の“ｍ・Ｍｗｍ／（ｎ・Ｍｗｎ＋ｍ・Ｍｗｍ）”で規定される。
また、支持基材１２ａがエチレン−メタクリル酸２元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂よりなる場合、下記構造式２中の“ｂ・Ｍｗｂ／（ａ・Ｍｗａ＋ｂ・Ｍｗｂ）”で規定される。
また、支持基材１２ａがエチレン−アクリル酸−アクリル酸アルキルエステル３元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂よりなる場合、下記構造式３中の“ｍ・Ｍｗｍ／（ｎ・Ｍｗｎ＋ｍ・Ｍｗｍ＋ｌ・Ｍｗｌ）”で規定される。
また、支持基材１２ａがエチレン−メタクリル酸−メタクリル酸アルキルエステル３元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂よりなる場合、下記構造式４中の“ｂ・Ｍｗｂ／（a・Ｍｗａ＋ｂ・Ｍｗｂ+ｃ・Ｍｗｃ)”で規定される。
また、支持基材１２ａがエチレン−メタクリル酸２元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂よりなる場合、下記構造式２中の“ｂ・Ｍｗｂ／（ａ・Ｍｗａ＋ｂ・Ｍｗｂ）”で規定される。
また、支持基材１２ａがエチレン−アクリル酸−アクリル酸アルキルエステル３元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂よりなる場合、下記構造式３中の“ｍ・Ｍｗｍ／（ｎ・Ｍｗｎ＋ｍ・Ｍｗｍ＋ｌ・Ｍｗｌ）”で規定される。
また、支持基材１２ａがエチレン−メタクリル酸−メタクリル酸アルキルエステル３元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂よりなる場合、下記構造式４中の“ｂ・Ｍｗｂ／（a・Ｍｗａ＋ｂ・Ｍｗｂ+ｃ・Ｍｗｃ)”で規定される。
また、アイオノマー樹脂中の（メタ）アクリル酸の中和度は、アイオノマー樹脂の（メタ）アクリル酸部が金属イオンによりイオン化（中和）された程度として規定される（例えば、日本レオロジー学会誌 Ｖｏｌ．３２，Ｎｏ．２，６５−６９，２００４）。なお、ｍは下記構造式１や下記構造式３中のｍ（すなわち、アクリル酸の繰り返し単位数）であり、ｂは下記構造式２や下記構造式４中のｂ（すなわち、メタクリル酸の繰り返し単位数）である。
アイオノマー樹脂の金属イオンの種類は特に限定しないが、汚染性の面から鑑みてＺｎイオンが好ましい。
なお、アイオノマー樹脂には必要に応じて、酸化防止剤、アンチブロック剤、レべリング剤、などを添加してもよい。
なお、アイオノマー樹脂には必要に応じて、酸化防止剤、アンチブロック剤、レべリング剤、などを添加してもよい。
支持基材１２ａの厚みは特に規定しないが、ダイシング時に該支持基材１２ａを切削する場合でも、ダイシングテープ１２の拡張時に破断しないだけの強度を持たせる点で、６０μｍ以上の厚みを持つことが好ましい。
また、ピックアップ時にダイシングテープ１２の下面側からピン３１で半導体チップ２を突き上げて接着剤層１３と粘着剤層１２ｂとの剥離を促す場合を考慮して、支持基材１２ａの厚みは１５０μｍ以下が基材剛性の観点から好ましい。
なお、粘着剤層１２ｂと支持基材１２ａの剥離を防止する為に、粘着剤層１２ｂを積層する前の支持基材１２ａの表面に対して、コロナ放電やプラズマ照射、紫外線照射、その他の活性化処理を施してもよい。
また、支持基材１２ａの下面（粘着剤層１２ｂが形成された面とは反対側の面）には、ダイシング・ダイボンディングテープ１０をロール状に巻いた際のブロッキングを防止するため、表面に細かな凹凸を設けたり、滑り性を付与する様な公知のコーティング方法を施すなどしてもよい。
また、ピックアップ時にダイシングテープ１２の下面側からピン３１で半導体チップ２を突き上げて接着剤層１３と粘着剤層１２ｂとの剥離を促す場合を考慮して、支持基材１２ａの厚みは１５０μｍ以下が基材剛性の観点から好ましい。
なお、粘着剤層１２ｂと支持基材１２ａの剥離を防止する為に、粘着剤層１２ｂを積層する前の支持基材１２ａの表面に対して、コロナ放電やプラズマ照射、紫外線照射、その他の活性化処理を施してもよい。
また、支持基材１２ａの下面（粘着剤層１２ｂが形成された面とは反対側の面）には、ダイシング・ダイボンディングテープ１０をロール状に巻いた際のブロッキングを防止するため、表面に細かな凹凸を設けたり、滑り性を付与する様な公知のコーティング方法を施すなどしてもよい。
粘着剤層１２ｂは、ダイシング時には半導体ウエハ１を強固に保持し、ピックアップ時には接着剤層１３と容易に剥離するものであれば、その組成等は特に規定しないが、一層もしくは二層以上の構造を有し、その内の少なくとも一層がエネルギー線硬化型粘着剤で形成されていることが好ましい。
なお、粘着剤層１２ｂの厚さは、特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、５〜３０μｍが好ましい。
なお、粘着剤層１２ｂの厚さは、特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、５〜３０μｍが好ましい。
粘着剤層１２ｂを形成する粘着剤としては、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、付加反応型オルガノポリシロキサン系樹脂、シリコンアクリレート樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリイソプレンやスチレン・ブタジエン共重合体やその水素添加物等の各種エラストマー等やその混合物に、放射線重合性化合物を適宜配合して調製することが好ましい。また、各種界面活性剤や表面平滑化剤を加えてもよい。
上記放射線重合性化合物としては、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分量化合物や、光重合性炭素−炭素二重結合基を置換基に持つポリマーやオリゴマーが用いられる。
具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等、シリコンアクリレート等、アクリル酸や各種アクリル酸エステル類の共重合体等が適用可能である。
また、上記の様なアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。
具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等、シリコンアクリレート等、アクリル酸や各種アクリル酸エステル類の共重合体等が適用可能である。
また、上記の様なアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。
なお、粘着剤層１２ｂを形成する粘着剤は、上記の樹脂から選ばれる２種以上が混合されたものでもよい。
また、粘着剤層１２ｂを形成する粘着剤として挙げた上記粘着剤の材料は、トリフルオロメチル基、ジメチルシリル基、長鎖アルキル基等の無極性基をなるべく多く分子構造中に含むことが、極性の高いエポキシ基を含む接着剤層１３との剥離を容易にするうえで望ましい。
また、粘着剤層１２ｂを形成する粘着剤（樹脂）には、放射線を粘着剤層１２ｂに照射して該粘着剤層１２ｂを硬化させる放射線重合性化合物の他、アクリル系粘着剤、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して調製することもできる。
光重合開始剤を使用する場合、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。
また、粘着剤層１２ｂを形成する粘着剤として挙げた上記粘着剤の材料は、トリフルオロメチル基、ジメチルシリル基、長鎖アルキル基等の無極性基をなるべく多く分子構造中に含むことが、極性の高いエポキシ基を含む接着剤層１３との剥離を容易にするうえで望ましい。
また、粘着剤層１２ｂを形成する粘着剤（樹脂）には、放射線を粘着剤層１２ｂに照射して該粘着剤層１２ｂを硬化させる放射線重合性化合物の他、アクリル系粘着剤、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して調製することもできる。
光重合開始剤を使用する場合、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。
以上説明したウエハ加工用テープ（ダイシング・ダイボンディングテープ１０）によれば、支持基材１２ａと粘着剤層１２ｂとからなる粘着テープとしてのダイシングテープ１２の該粘着剤層１２ｂに、エポキシ基を有する化合物を含む熱硬化性の接着剤層１３が積層されて構成されており、支持基材１２ａは、エチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体またはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体を、金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂よりなり、共重合体（２元共重合体、３元共重合体）中の（メタ）アクリル酸成分の重量分率は、１％以上１０％未満であり、且つアイオノマー樹脂中の（メタ）アクリル酸の中和度は、５０％以上である。
したがって、支持基材１２ａが均一拡張性を有するとともに、半導体チップ２同士の再癒着部分を脆化できるので、ピックアップ時における半導体チップ２同士の再癒着を十分に抑制することができ、ダブルダイエラーの発生の更なる抑制が可能となる。
したがって、支持基材１２ａが均一拡張性を有するとともに、半導体チップ２同士の再癒着部分を脆化できるので、ピックアップ時における半導体チップ２同士の再癒着を十分に抑制することができ、ダブルダイエラーの発生の更なる抑制が可能となる。
また、以上説明したダイシング・ダイボンディングテープ１０によれば、接着剤層１３がエポキシ基を有する化合物を含むので、該接着剤層１３によって半導体チップ３を基板上に強固に接着することができる。
また、以上説明したダイシング・ダイボンディングテープ１０によれば、粘着剤層１２ｂは、一層もしくは二層以上の構造を有し、その内の少なくとも一層がエネルギー線硬化型粘着剤で形成されているので、半導体チップ２と個片化された接着剤層１３とをダイシングテープ１２の粘着剤層１２ｂ表面から容易に剥離することができる。
また、以上説明したダイシング・ダイボンディングテープ１０を用いた半導体加工方法によれば、ダイシング・ダイボンディングテープ１０に半導体ウエハ１を貼合する工程と、次いで、高速回転する薄型砥石２１を用いて半導体ウエハ１とダイシング・ダイボンディングテープ１０の接着剤層１３および粘着剤層１２ｂとを切削するとともに、ダイシング・ダイボンディングテープ１０の支持基材１２ａを厚み方向に１０μｍ以上切削して、半導体ウエハ１および接着剤層１３を個片化する工程（ダイシング工程）と、次いで、ダイシング・ダイボンディングテープ１０のダイシングテープ１２を拡張した状態で、個片化された半導体ウエハ２（すなわち、半導体チップ１）を個片化された接着剤層１３とともに一つずつピックアップする工程（エキスパンド工程およびピックアップ工程）と、を有している。
したがって、ダイシング・ダイボンディングテープ１０を使用するとともに、ダイシング工程において、ダイシング・ダイボンディングテープ１０の支持基材１２ａを厚み方向に１０μｍ以上切削するので、ピックアップ時における半導体チップ２同士の再癒着をより一層十分に抑制することができ、ダブルダイエラーの発生の更なる抑制が可能となる。
したがって、ダイシング・ダイボンディングテープ１０を使用するとともに、ダイシング工程において、ダイシング・ダイボンディングテープ１０の支持基材１２ａを厚み方向に１０μｍ以上切削するので、ピックアップ時における半導体チップ２同士の再癒着をより一層十分に抑制することができ、ダブルダイエラーの発生の更なる抑制が可能となる。
また、以上説明したダイシング・ダイボンディングテープ１０を用いた半導体加工方法によれば、支持基材１２ａの厚みは、６０μｍ以上であり、個片化する工程（ダイシング工程）では、支持基材１２ａを厚み方向に１０〜３０μｍ切削するようになっている。
したがって、支持基材１２ａの厚みが６０μｍ以上であり、ダイシング工程において支持基材１２ａを厚み方向に１０〜３０μｍ切削するので、ダイシングテープ１２を拡張しても支持基材１２ａが破断しないだけの強度を有するとともに、ピックアップ時における半導体チップ２同士の再癒着をほぼ完全に抑制することができる。
したがって、支持基材１２ａの厚みが６０μｍ以上であり、ダイシング工程において支持基材１２ａを厚み方向に１０〜３０μｍ切削するので、ダイシングテープ１２を拡張しても支持基材１２ａが破断しないだけの強度を有するとともに、ピックアップ時における半導体チップ２同士の再癒着をほぼ完全に抑制することができる。
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
まず、支持基材（基材フィルム）Ａ〜Ｋを作成するとともに、粘着剤組成物を調整した後、支持基材上に粘着剤組成物の乾燥後の厚さが２０μｍになるように、調整した粘着剤組成物を塗工し、１１０℃で３分間乾燥させて、支持基材上に粘着剤層が形成された粘着シート（ダイシングテープ）を作成した。
次いで、接着剤組成物を調整し、接着剤組成物を離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに、乾燥後の厚さが６０μｍになるように、調
整した接着剤組成物を塗工し、１１０℃で３分間乾燥させて、剥離ライナー上に接着フィルム（接着剤層）を作成した。
そして、作成した粘着シート及び接着フィルムを図１に示す形状に裁断した後、粘着シートの粘着剤層側に接着フィルムを貼り合わせて、実施例１〜５及び比較例１〜６のサンプルを作成した。
以下に、支持基材Ａ〜Ｋの作成方法、粘着剤組成物及び接着剤組成物の調整方法を示す。
次いで、接着剤組成物を調整し、接着剤組成物を離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに、乾燥後の厚さが６０μｍになるように、調
整した接着剤組成物を塗工し、１１０℃で３分間乾燥させて、剥離ライナー上に接着フィルム（接着剤層）を作成した。
そして、作成した粘着シート及び接着フィルムを図１に示す形状に裁断した後、粘着シートの粘着剤層側に接着フィルムを貼り合わせて、実施例１〜５及び比較例１〜６のサンプルを作成した。
以下に、支持基材Ａ〜Ｋの作成方法、粘着剤組成物及び接着剤組成物の調整方法を示す。
（支持基材Ａの作成）
メタクリル酸成分の重量分率が１％、該メタクリル酸の中和度が６０％の、エチレン−メタクリル酸２元共重合体亜鉛アイオノマーの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ａを得た。
メタクリル酸成分の重量分率が１％、該メタクリル酸の中和度が６０％の、エチレン−メタクリル酸２元共重合体亜鉛アイオノマーの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ａを得た。
（支持基材Ｂの作成）
メタクリル酸成分の重量分率が３％、該メタクリル酸の中和度が５０％の、エチレン−メタクリル酸２元共重合体亜鉛アイオノマーの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｂを得た。
メタクリル酸成分の重量分率が３％、該メタクリル酸の中和度が５０％の、エチレン−メタクリル酸２元共重合体亜鉛アイオノマーの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｂを得た。
（支持基材Ｃの作成）
メタクリル酸成分の重量分率が５％、該メタクリル酸の中和度が５０％の、エチレン−メタクリル酸２元共重合体亜鉛アイオノマーの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｃを得た。
メタクリル酸成分の重量分率が５％、該メタクリル酸の中和度が５０％の、エチレン−メタクリル酸２元共重合体亜鉛アイオノマーの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｃを得た。
（支持基材Ｄの作成）
メタクリル酸成分の重量分率が９％、該メタクリル酸の中和度が６０％の、エチレン−メタクリル酸２元共重合体亜鉛アイオノマーの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｄを得た。
メタクリル酸成分の重量分率が９％、該メタクリル酸の中和度が６０％の、エチレン−メタクリル酸２元共重合体亜鉛アイオノマーの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｄを得た。
（支持基材Ｅの作成）
メタクリル酸成分の重量分率が９％、メタクリル酸ブチルエステル成分の重量分率が１２％、該メタクリル酸の中和度が７０％の、エチレン−メタクリル酸−メタクリル酸ブチルエステル３元共重合体亜鉛アイオノマーの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｅを得た。
メタクリル酸成分の重量分率が９％、メタクリル酸ブチルエステル成分の重量分率が１２％、該メタクリル酸の中和度が７０％の、エチレン−メタクリル酸−メタクリル酸ブチルエステル３元共重合体亜鉛アイオノマーの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｅを得た。
（支持基材Ｆの作成）
メタクリル酸成分の重量分率が１０％、該メタクリル酸の中和度が６０％の、エチレン−メタクリル酸２元共重合体亜鉛アイオノマーの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｆを得た。
メタクリル酸成分の重量分率が１０％、該メタクリル酸の中和度が６０％の、エチレン−メタクリル酸２元共重合体亜鉛アイオノマーの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｆを得た。
（支持基材Ｇの作成）
メタクリル酸成分の重量分率が０％の、市販の低密度ポリエチレン（ペトロセン２１７：東ソー株式会社製）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｇを得た。
メタクリル酸成分の重量分率が０％の、市販の低密度ポリエチレン（ペトロセン２１７：東ソー株式会社製）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｇを得た。
（支持基材Ｈの作成）
メタクリル酸成分の重量分率が５％、該メタクリル酸の中和度が０％の、エチレン−メタクリル酸２元共重合体の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｈを得た。
メタクリル酸成分の重量分率が５％、該メタクリル酸の中和度が０％の、エチレン−メタクリル酸２元共重合体の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｈを得た。
（支持基材Ｉの作成）
メタクリル酸成分の重量分率が９％、該メタクリル酸の中和度が０％の、エチレン−メタクリル酸メタクリル酸ブチルエステル３元共重合の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｉを得た。
メタクリル酸成分の重量分率が９％、該メタクリル酸の中和度が０％の、エチレン−メタクリル酸メタクリル酸ブチルエステル３元共重合の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｉを得た。
（支持基材Ｊの作成）
メタクリル酸成分の重量分率が１％、該メタクリル酸の中和度が３０％の、エチレン−メタクリル酸２元共重合体亜鉛アイオノマーの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｊを得た。
メタクリル酸成分の重量分率が１％、該メタクリル酸の中和度が３０％の、エチレン−メタクリル酸２元共重合体亜鉛アイオノマーの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｊを得た。
（支持基材Ｋの作成）
メタクリル酸成分の重量分率が５％、該メタクリル酸の中和度が４０％の、エチレン−メタクリル酸２元共重合体亜鉛アイオノマーの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｋを得た。
メタクリル酸成分の重量分率が５％、該メタクリル酸の中和度が４０％の、エチレン−メタクリル酸２元共重合体亜鉛アイオノマーの樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押し出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形し、支持基材Ｋを得た。
（粘着剤組成物の調整）
ｎ−ブチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルメタアクリレート共重合体（平均分子量５０万、ガラス転移温度−４０℃）に、放射性硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物としてトリメチロールプロパントリメタクリレートを２０重量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）7重量部、さらに光重合開始剤としてイルガキュア１８４（日本チバガイギー株式会社製、商品名）５重量部を加えて、放射線硬化性の粘着剤組成物を得た。
ｎ−ブチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルメタアクリレート共重合体（平均分子量５０万、ガラス転移温度−４０℃）に、放射性硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物としてトリメチロールプロパントリメタクリレートを２０重量部、硬化剤としてポリイソシアネート化合物コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）7重量部、さらに光重合開始剤としてイルガキュア１８４（日本チバガイギー株式会社製、商品名）５重量部を加えて、放射線硬化性の粘着剤組成物を得た。
（接着剤組成物の調整）
アクリル系共重合体（グリシジルアクリレート系共重合体）１００重量部に、エポキシ基を有する化合物として、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂１００重量部を加え、更にキシレンノボラック型フェノール樹脂１０重量部に、エポキシ硬化剤として２−フェニルイミダゾール５重量部とキシレンジアミン０．５重量部を配合して、平均粒径：０．０１２μｍのナノシリカフィラー６０重量部を加え、接着剤組成物を得た。
アクリル系共重合体（グリシジルアクリレート系共重合体）１００重量部に、エポキシ基を有する化合物として、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂１００重量部を加え、更にキシレンノボラック型フェノール樹脂１０重量部に、エポキシ硬化剤として２−フェニルイミダゾール５重量部とキシレンジアミン０．５重量部を配合して、平均粒径：０．０１２μｍのナノシリカフィラー６０重量部を加え、接着剤組成物を得た。
＜実施例１＞
支持基材Ａに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、実施例１のサンプルを作成した。
支持基材Ａに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、実施例１のサンプルを作成した。
＜実施例２＞
支持基材Ｂに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、実施例２のサンプルを作成した。
支持基材Ｂに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、実施例２のサンプルを作成した。
＜実施例３＞
支持基材Ｃに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、実施例３のサンプルを作成した。
支持基材Ｃに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、実施例３のサンプルを作成した。
＜実施例４＞
支持基材Ｄに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、実施例４のサンプルを作成した。
支持基材Ｄに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、実施例４のサンプルを作成した。
＜実施例５＞
支持基材Ｅに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、実施例５のサンプルを作成した。
支持基材Ｅに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、実施例５のサンプルを作成した。
＜比較例１＞
支持基材Ｆに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、比較例１のサンプルを作成した。
支持基材Ｆに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、比較例１のサンプルを作成した。
＜比較例２＞
支持基材Ｇに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、比較例２のサンプルを作成した。
支持基材Ｇに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、比較例２のサンプルを作成した。
＜比較例３＞
支持基材Ｈに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、比較例３のサンプルを作成した。
支持基材Ｈに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、比較例３のサンプルを作成した。
＜比較例４＞
支持基材Ｉに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、比較例４のサンプルを作成した。
支持基材Ｉに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、比較例４のサンプルを作成した。
＜比較例５＞
支持基材Ｊに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、比較例５のサンプルを作成した。
支持基材Ｊに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、比較例５のサンプルを作成した。
＜比較例６＞
支持基材Ｋに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、比較例６のサンプルを作成した。
支持基材Ｋに上記調整した粘着剤組成物を塗工してダイシングテープを作成し、上記調整した接着剤組成物を該ダイシングテープに積層して、比較例６のサンプルを作成した。
＜評価方法＞
（ピックアップ試験）
実施例１〜５及び比較例１〜６の各サンプルに、厚さ５０μｍ、直径２００ｍｍのシリコンウェハを７０℃で加熱貼合し、ダイシング装置（Ｄｉｓｃｏ製 ＤＦＤ６３４０）を用いて５ｍｍ×５ｍｍサイズにダイシングした。その際、ダイシング・ダイボンディングテープの接着剤層および粘着剤層を切削分割し、さらに支持基材を厚み方向に所定の深さ（０μｍ、１０μｍ、２０μｍ）で切削する様に装置を調整した。
次いで、ダイシングした各サンプルに、メタルハライドランプを用いて、２００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射した。
その後、各サンプルに対して、ピックアップ装置（キヤノンマシナリー製 ＣＡＰ−３００II）を用いて、図４に示す方法で、各サンプルのダイシングテープに５％の拡張を加えた状態で、各サンプルに１００回ピックアップを試行し、その内、一つずつ個々に半導体チップがピックアップできた事例を成功として数えた。２つ以上の半導体チップが再癒着してピックアップされた事例は失敗とみなして数えた。
その評価の結果を表１および表２に示す。
（ピックアップ試験）
実施例１〜５及び比較例１〜６の各サンプルに、厚さ５０μｍ、直径２００ｍｍのシリコンウェハを７０℃で加熱貼合し、ダイシング装置（Ｄｉｓｃｏ製 ＤＦＤ６３４０）を用いて５ｍｍ×５ｍｍサイズにダイシングした。その際、ダイシング・ダイボンディングテープの接着剤層および粘着剤層を切削分割し、さらに支持基材を厚み方向に所定の深さ（０μｍ、１０μｍ、２０μｍ）で切削する様に装置を調整した。
次いで、ダイシングした各サンプルに、メタルハライドランプを用いて、２００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射した。
その後、各サンプルに対して、ピックアップ装置（キヤノンマシナリー製 ＣＡＰ−３００II）を用いて、図４に示す方法で、各サンプルのダイシングテープに５％の拡張を加えた状態で、各サンプルに１００回ピックアップを試行し、その内、一つずつ個々に半導体チップがピックアップできた事例を成功として数えた。２つ以上の半導体チップが再癒着してピックアップされた事例は失敗とみなして数えた。
その評価の結果を表１および表２に示す。
表１の結果から、支持基材における共重合体中の（メタ）アクリル酸成分の重量分率が１％以上１０％未満であり、且つアイオノマー樹脂中の（メタ）アクリル酸の中和度が５０％以上であるという条件を満たす実施例１〜５のサンプルでは、支持基材を切削した場合、ピックアップ時における再癒着の発生が抑制されることが分かった。特に、支持基材を厚み方向に２０μｍ切削した場合、ピックアップ時における再癒着の発生を完全に抑制できることが分かった。
これに対し、表２の結果から、支持基材における共重合体中の（メタ）アクリル酸成分の重量分率が１％以上１０％未満であり、且つアイオノマー樹脂中の（メタ）アクリル酸の中和度が５０％以上であるという条件を満たさない比較例１〜６のサンプルでは、支持基材を切削しない場合は、実施例１〜５のサンプルの支持基材を切削しない場合と同程度またはそれ以上の割合でピックアップ時における再癒着が発生し、支持基材を切削しても、ピックアップ時における再癒着が発生することが分かった。
以上から、支持基材における共重合体中の（メタ）アクリル酸成分の重量分率が１％以上１０％未満であり、且つアイオノマー樹脂中の（メタ）アクリル酸の中和度が５０％以上であれば、ダブルダイエラーの発生を十分に抑制できることが分かる。さらに、支持基材を厚み方向に１０μｍ以上切削すれば、ダブルダイエラーの発生をより一層抑制できることが分かる。
これに対し、表２の結果から、支持基材における共重合体中の（メタ）アクリル酸成分の重量分率が１％以上１０％未満であり、且つアイオノマー樹脂中の（メタ）アクリル酸の中和度が５０％以上であるという条件を満たさない比較例１〜６のサンプルでは、支持基材を切削しない場合は、実施例１〜５のサンプルの支持基材を切削しない場合と同程度またはそれ以上の割合でピックアップ時における再癒着が発生し、支持基材を切削しても、ピックアップ時における再癒着が発生することが分かった。
以上から、支持基材における共重合体中の（メタ）アクリル酸成分の重量分率が１％以上１０％未満であり、且つアイオノマー樹脂中の（メタ）アクリル酸の中和度が５０％以上であれば、ダブルダイエラーの発生を十分に抑制できることが分かる。さらに、支持基材を厚み方向に１０μｍ以上切削すれば、ダブルダイエラーの発生をより一層抑制できることが分かる。
１ 半導体ウエハ
２ 半導体チップ
１０ ダイシング・ダイボンディングテープ（ウエハ加工用テープ）
１１ 剥離ライナー
１２ ダイシングテープ（粘着テープ）
１２ａ 支持基材
１２ｂ 粘着剤層
１３ 接着剤層
２０ リングフレーム
２１ 薄型砥石
２２ 吸着ステージ
３０ 突き上げ部材
３１ ピン
３２ 吸着冶具
２ 半導体チップ
１０ ダイシング・ダイボンディングテープ（ウエハ加工用テープ）
１１ 剥離ライナー
１２ ダイシングテープ（粘着テープ）
１２ａ 支持基材
１２ｂ 粘着剤層
１３ 接着剤層
２０ リングフレーム
２１ 薄型砥石
２２ 吸着ステージ
３０ 突き上げ部材
３１ ピン
３２ 吸着冶具
Claims (4)
- 支持基材と粘着剤層とからなる粘着テープの該粘着剤層に、エポキシ基を有する化合物を含む熱硬化性の接着剤層が積層され、貼合された半導体ウエハを個片化する際に該半導体ウエハと前記接着剤層および前記粘着剤層とが切削されるとともに前記支持基材が厚み方向に所定深さ切削されるウエハ加工用テープにおいて、
前記支持基材は、エチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体またはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体を、金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂よりなり、
前記共重合体中の前記（メタ）アクリル酸成分の重量分率は、１％以上１０％未満であり、且つ前記アイオノマー樹脂中の前記（メタ）アクリル酸の中和度は、５０％以上であることを特徴とするウエハ加工用テープ。 - 前記粘着剤層は、一層もしくは二層以上の構造を有し、その内の少なくとも一層がエネルギー線硬化型粘着剤で形成されていることを特徴とする請求項１記載のウエハ加工用テープ。
- 請求項１または２記載のウエハ加工用テープを用いた半導体加工方法において、
前記ウエハ加工用テープに半導体ウエハを貼合する工程と、
次いで、高速回転する薄型砥石を用いて前記半導体ウエハと前記ウエハ加工用テープの前記接着剤層および前記粘着剤層とを切削するとともに、該ウエハ加工用テープの前記支持基材を厚み方向に１０μｍ以上切削して、該半導体ウエハおよび該接着剤層を個片化する工程と、
次いで、前記ウエハ加工用テープの前記粘着テープを拡張した状態で、個片化された前記半導体ウエハを一つずつピックアップする工程と、
を有することを特徴とする半導体加工方法。 - 前記支持基材の厚みは、６０μｍ以上であり、
前記個片化する工程では、前記支持基材を厚み方向に１０〜３０μｍ切削することを特徴とする請求項３記載の半導体加工方法。
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