WO2006064691A1 - 高周波回路、高周波回路部品及びこれを用いた通信装置 - Google Patents

高周波回路、高周波回路部品及びこれを用いた通信装置 Download PDF

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WO2006064691A1
WO2006064691A1 PCT/JP2005/022393 JP2005022393W WO2006064691A1 WO 2006064691 A1 WO2006064691 A1 WO 2006064691A1 JP 2005022393 W JP2005022393 W JP 2005022393W WO 2006064691 A1 WO2006064691 A1 WO 2006064691A1
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circuit
frequency
communication system
transmission
reception
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PCT/JP2005/022393
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Shigeru Kemmochi
Kazuhiro Hagiwara
Keisuke Fukamachi
Takahiro Yamashita
Masayuki Uchida
Mitsuhiro Watanabe
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Hitachi Metals, Ltd.
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    • H04B1/40Circuits
    • H04B1/44Transmit/receive switching

Definitions

  • the present invention relates to a wireless communication apparatus that performs wireless transmission between electronic appliances, and in particular, a high-frequency circuit that can be shared by at least two communication systems using substantially the same frequency band, a high-frequency circuit component, and the same
  • the present invention relates to a communication device using the.
  • the 2.4 GHz ISM (Industrial, Scientific and Medical) band is compliant with IEEE 802.11 standards such as those for D SSS (Direct Sequence Spread Spectrum) wireless communications Used for wireless LAN (WLAN) communication.
  • Bluetooth Bluetooth is a very convenient technology that uses the same 2.4 GHz ISM band as wireless LANs (WLANs) and can be connected to related electronic devices without using cables. TM) is proposed.
  • IEEE 802.111> is a 1 ⁇ 33 system and supports 5.5 Mbps and 11 Mbps high-speed communication.
  • IEEE 802.1lg uses OFDM (Orthogonal Frequency Division Multiplex) modulation and supports high-speed data communication of up to 54 Mbps.
  • Bluetooth divides the 2.4 GHz ISM frequency band into multiple radio channels, and divides each radio channel into unit times (1/1600 seconds) as time slots, and the radio channel to be used for each time slot. It uses a frequency hopping method that excels in switching noise resistance.
  • a wireless LAN used by a small group within a distance range of about 50 to 100 m consumes about 100 mW of power with a data transmission speed of several M to several tens of Mbps.
  • Bluetooth which is used in a relatively small area such as the same premises or buildings, has a short transmission speed of about 10 m and a short transmission speed of 2 Mbps. Designed for power.
  • wireless LAN and Bluetooth differ in transmission speed, transmission distance, etc., so they can be installed in one communication device at the same time, which is advantageous for each application. You can use any one.
  • Japanese Patent Laid-Open No. 2001-24579 discloses a first antenna port, a transmission side circuit of a first communication system, and a second switch circuit as a circuit that can be shared by a wireless LAN and Bluetooth.
  • a first switch circuit for switching the connection to the first switch circuit, a second switch circuit for switching the connection between the reception side circuit of the first communication system, the first switch circuit and the third switch circuit, and the second antenna.
  • a third switch circuit for switching the connection between the port and the transmission / reception circuit of the second communication system and the second switch circuit, and the first switch circuit and the transmission side circuit of the first communication system.
  • a circuit comprising a first filter, a second switch circuit, and a second filter disposed between the receiving side circuits of the first communication system is disclosed.
  • Japanese Patent Laid-Open No. 2002-208874 discloses a first distributor to which a first output and a second output are input, and a power to which an output of the first distributor is input.
  • An amplifier an antenna switching switch to which the output of the power amplifier is input, a low-noise amplifier configured on the receiving side of the antenna switching switch, and a second distributor to which the output of the low-noise amplifier is input.
  • This is a composite radio that uses a frequency band, and the transmission side circuit has a structure in which a signal to be output among two different transmission signals is selected by the first divider and then amplified by a power amplifier.
  • the circuit discloses a composite radio having a structure in which a received wave is distributed to two signals by a second distributor disposed on the output side of the low noise amplifier.
  • a power amplifier and a low noise amplifier are shared. Specifically, the power for wireless LAN transmission waves and Bluetooth transmission waves The amplifier is shared. However, with the recent Bluetooth, the output power of transmission is low, and a power amplifier is not required, so the need for such sharing has disappeared.
  • an object of the present invention relates to a high-frequency circuit that can share a wireless LAN and Bluetooth, and in particular, a high-frequency circuit that has a small number of components and can be miniaturized, and a high-frequency circuit component using such a high-frequency circuit, and It is to provide a communication device.
  • a first high-frequency circuit of the present invention used between an antenna capable of transmitting and receiving in at least two different communication systems and a transmission 'reception circuit in at least two different communication systems includes the antenna and the first Between the antenna and the high-frequency switch circuit, and a high-frequency switch circuit that switches three types of connection between the transmission-side circuit and the reception-side circuit of the communication system of FIG. It has a 1st bandpass filter, and the balance-unbalance conversion circuit arrange
  • a balanced-unbalanced conversion circuit is provided between the transmitting / receiving circuit of the second communication system and the high-frequency switch circuit.
  • a second high-frequency circuit of the present invention used between an antenna capable of transmitting and receiving in at least two different communication systems and a transmission 'reception circuit of at least two different communication systems includes the antenna and the first A high-frequency switch circuit that switches three types of connection with a transmission-side circuit of the communication system, a transmission-side circuit of the second communication system, and a reception-side circuit shared by the first communication system and the second communication system; A first band-pass filter disposed between the antenna and the high-frequency switch circuit; and a reception signal is distributed to the reception-side circuit of the first communication system and the reception-side circuit of the second communication system. Therefore, a distribution circuit or coupler circuit provided in a shared path for both circuits, and between the distribution circuit or the coupler circuit and the reception side circuit of the first communication system. Location a balanced - and having a unbalanced conversion circuit.
  • the distribution circuit or the coupler circuit and the second high frequency circuit Preferably, a balanced-unbalanced conversion circuit is provided between the receiving side circuit of the communication system and a balanced-unbalanced converting circuit is provided between the transmitting side circuit of the second communication system and the high-frequency switch circuit. Is preferred.
  • a third high-frequency circuit of the present invention used between an antenna capable of transmitting and receiving in at least two different communication systems and a transmission 'reception circuit in at least two different communication systems includes the antenna and the first A high-frequency switch circuit that switches two connections to a common path to a transmission-side circuit of the first communication system, a reception-side circuit of the first communication system, and a transmission-reception side circuit of the second communication system, and the antenna A first band-pass filter disposed between the high-frequency switch circuit and a signal for distributing the signal to the receiving-side circuit of the first communication system and the transmitting-receiving circuit of the second communication system; It has a distribution circuit or a coupler circuit arranged in a path shared by the circuit.
  • a balance-unbalance conversion circuit is provided between the distribution circuit or the coupler circuit and the reception-side circuit of the first communication system, and the distribution circuit or the A balanced-unbalanced conversion circuit is preferably provided between the coupler circuit and the transmission / reception side circuit of the second communication system.
  • a fourth high-frequency circuit used between an antenna capable of transmitting and receiving in at least two different communication systems and a transmission / reception circuit of at least two different communication systems includes the antenna and the first communication system.
  • a high-frequency switch circuit that switches between two connections between the transmission-side circuit and the reception-side circuit of the first communication system, and a first band-pass filter that is disposed between the antenna and the high-frequency switch circuit In order to distribute the signal to the transmission / reception side circuit of the second communication system, it is arranged between the first band-pass filter and the high-frequency switch circuit or between the first band-pass filter and the antenna. And a distributed circuit or coupler circuit.
  • a balanced-unbalanced conversion circuit is provided between the receiving-side circuit of the first communication system and the high-frequency switch circuit. It is preferable that a balance-unbalance conversion circuit is provided between the transmission / reception side circuit of the system and the distribution circuit or the coupler circuit.
  • a high-frequency power amplification circuit is provided between the transmission-side circuit of the first communication system and the high-frequency switch circuit. It is preferable to have a second bandpass filter between the circuit and the transmission side circuit of the first communication system. Furthermore, it is preferable to have a balanced-unbalanced conversion circuit between the transmission side circuit of the first communication system and the high-frequency power amplifier circuit.
  • a high-frequency circuit component of the present invention using the above-described high-frequency circuit has a laminate of a ceramic dielectric material and an electrode pattern, and at least one semiconductor element mounted on the laminate.
  • the electrode pattern comprises: (1) at least one of the first bandpass filter and the balanced / unbalanced conversion circuit; (2) at least one of the first bandpass filter and the distribution circuit or the coupler circuit. (3) At least one of the first bandpass filter, the balanced-unbalanced conversion circuit, and the distribution circuit or the coupler circuit that mainly constitute at least one of the inductance element and the Z or capacitance element.
  • the semiconductor element constitutes (1) the high-frequency switch circuit, or (2) the high-frequency switch circuit and Z or the high-frequency power amplifier circuit. It is referred to as Features.
  • the second bandpass filter is used, it is preferably formed by the electrode pattern in the laminate.
  • the inductance element and the Z or capacitance element for each circuit may be configured by an electrode pattern in the multilayer body or mounted on the multilayer body. It is possible to reduce the size of circuit components and reduce the number of components.
  • the high-frequency switch circuit may be composed of a single semiconductor element and may be mounted on the laminate.
  • the high-frequency switch circuit may be composed of a semiconductor element, an inductance element, and Z or a capacitance element. And at least part of Z or the capacitance element may be formed by the electrode pattern in the laminate.
  • the semiconductor element constituting the high-frequency power amplifier circuit is mounted on the laminate, and its control power supply circuit, matching circuit, and the like are provided as an inductance element, a capacitance element, a Z element, May be constituted by a resistance element, and at least a part of the inductance element and the Z or capacitance element may be constituted in the laminate.
  • a resistance element may be used, or it may be mounted on the laminate.
  • the communication device of the present invention includes any one of the high-frequency circuits or any of the high-frequency circuit components.
  • the communication device of the present invention includes personal computers (PCs), PCMCIA cards, printers, hard disks, broadband routers and other PC peripherals, FAX, refrigerator, standard television (SDTV), high definition television (HDTV), camera, video, Mobile phone etc.
  • the high-frequency circuit of the present invention that can be shared by at least two different communication systems that use substantially the same frequency band, and the high-frequency circuit component and communication device using the same, have a small number of components, and thus can be downsized. Is possible.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a high-frequency circuit according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a block diagram showing a high-frequency circuit according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a block diagram showing a high-frequency circuit according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a block diagram showing a high-frequency circuit according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a block diagram showing a high-frequency circuit according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a block diagram showing a high-frequency circuit according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a block diagram showing a high-frequency circuit according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a block diagram showing a high-frequency circuit according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a block diagram showing a high-frequency circuit according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a block diagram showing a high-frequency circuit according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a diagram showing an equivalent circuit of a high-frequency circuit according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a diagram showing an example of an equivalent circuit of a high-frequency switch circuit used in the present invention.
  • FIG. 13 is a diagram showing another example of an equivalent circuit of a high-frequency switch circuit used in the present invention.
  • FIG. 14 is a diagram showing still another example of the equivalent circuit of the high-frequency switch circuit used in the present invention.
  • FIG. 15 is a diagram showing still another example of an equivalent circuit of a high-frequency switch circuit used in the present invention.
  • FIG. 16 is a diagram showing still another example of the equivalent circuit of the high-frequency switch circuit used in the present invention.
  • FIG. 17 is a diagram showing still another example of the equivalent circuit of the high-frequency switch circuit used in the present invention.
  • FIG. 18 is a diagram showing an example of an equivalent circuit of a high-frequency power amplifier circuit used in the present invention.
  • FIG. 19 is a diagram showing an example of an equivalent circuit of a detection circuit used in the present invention.
  • ⁇ 20] is a diagram showing an example of an equivalent circuit of a high-frequency circuit component according to an embodiment of the present invention.
  • ⁇ 21] is a diagram showing an example of an equivalent circuit of a high-frequency switch used in the present invention.
  • FIG. 22 is a diagram showing another example of an equivalent circuit of a high-frequency switch used in the present invention.
  • FIG. 23 is a diagram showing another example of an equivalent circuit of a high-frequency switch used in the present invention.
  • FIG. 24 A diagram showing an example of an equivalent circuit of a high-frequency power amplifier circuit used in the present invention.
  • FIG. 25 is a diagram showing an example of an equivalent circuit of a coupler circuit used in the present invention.
  • FIG. 26 is a perspective view showing a high-frequency circuit device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 27 is a view showing the back surface of the multilayer substrate constituting the high-frequency circuit device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 28 is a development view showing the electrode pattern of each layer in the multilayer substrate constituting the high-frequency circuit device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 29 is a diagram showing an internal configuration of a multilayer substrate constituting the high-frequency circuit device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 30 is a perspective view showing a high-frequency circuit device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 31 (a)] is a development view showing electrode patterns from the first layer to the sixth layer in the multilayer substrate constituting the high-frequency circuit device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 31 (b)] is a development view showing electrode patterns from the seventh layer to the twelfth layer in the multilayer substrate constituting the high-frequency circuit device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 31 (c) is a development view showing electrode patterns from the 13th layer to the 16th layer in the multilayer substrate constituting the high-frequency circuit device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 32 is a diagram showing an equivalent circuit of a high-frequency circuit device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 33 is a perspective view showing a high-frequency circuit device according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 34 (a) is a development view showing electrode patterns from the first layer to the sixth layer in the multilayer substrate constituting the high-frequency circuit device according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 34 (b) is a development view showing electrode patterns from the seventh layer to the twelfth layer in the multilayer substrate constituting the high-frequency circuit device according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 34 (c) is a development view showing electrode patterns from the 13th layer to the 16th layer in the multilayer substrate constituting the high-frequency circuit device according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 35 is a block diagram showing a circuit of a communication device shared by a conventional wireless LAN and Bluetooth.
  • FIG. 36 is a block diagram showing a circuit of a communication device shared by a conventional wireless LAN and Bluetooth.
  • FIG. 1 shows a circuit of a communication apparatus that can be used for both wireless LAN and Bluetooth according to an embodiment of the present invention.
  • the first communication system is a wireless LAN (IEEE 802.11b, IEEE 802.11g, or a shared system of IEEE 802.lib and IEEE 802.llg) and the second communication system is bluetooth as an example.
  • the second communication system is bluetooth as an example.
  • parts that perform the same or similar functions are given the same reference numerals. Thus, the same reference number may not be exactly the same part.
  • the high-frequency circuit shown in FIG. 1 includes an antenna ANT that can transmit and receive wireless LAN and Bluetooth, an antenna ANT and a wireless LAN transmission side circuit llbg-T, a wireless LAN reception side circuit llbg-R, and Bluetooth transmission and reception.
  • High-frequency switch that switches between three connections with the BLT-TR circuit Between the antenna circuit ANT, the first band-pass filter 2 disposed between the antenna ANT and the high-frequency switch circuit 1, and between the wireless LAN reception circuit llbg-R and the high-frequency switch circuit 1.
  • Balanced-unbalanced conversion circuit 3 high-frequency power amplifier circuit 6 placed between wireless LAN transmitter circuit llbg-T and high-frequency switch circuit 1, wireless LAN transmitter circuit llbg-T and high-frequency power
  • a second band-pass filter 7 disposed between the amplifier circuit 6 and the amplifier circuit 6 is provided.
  • the band-pass filter that suppresses harmonics and thermal noise from the high-frequency power amplifier circuit 6 and the antenna that are necessary between the high-frequency power amplifier circuit 6 and the antenna ANT, and the antenna A band-pass filter that suppresses signal components other than the received signal to increase the reception sensitivity required between ANT and balanced-unbalanced conversion circuit 3, and antenna ANT and Bluetooth transceiver circuit BLT-TR.
  • the circuit configuration is simplified because it is summarized in Table 2.
  • a second bandpass filter 7 is connected between the wireless LAN transmission side circuit llbg-T and the high-frequency power amplification circuit 6 as necessary. May be arranged.
  • a balanced-unbalanced conversion circuit 3 in the path between the high-frequency switch circuit 1 and the wireless LAN reception side circuit llbg-R, the connection between the antenna ANT and the wireless LAN transmission side circuit llbg-T is possible. It is possible to support a balanced circuit that improves the noise resistance of the receiver circuit llbg-R of the wireless LAN without increasing the loss of the path and the path between the antenna ANT and the Bluetooth transceiver circuit BLT-TR. it can.
  • Bluetooth transmission / reception circuit BLT-TR with low transmission signal power is balanced without increasing the loss of the path of the wireless LAN transmission signal between antenna ANT and wireless LAN transmission side circuit llbg-T.
  • a balanced-unbalanced conversion circuit 4 may be arranged between the Bluetooth transmission / reception circuit BL T-TR and the high-frequency switch circuit 1.
  • FIG. 3 shows a high-frequency circuit for a communication device that can be shared with a wireless LAN and Bluetooth according to another embodiment of the present invention.
  • This high-frequency circuit consists of an antenna ANT that can transmit and receive with a wireless LAN and Bluetooth, a wireless LAN transmitter circuit llbg-T, and a Bluetooth transmitter circuit.
  • the high frequency switch circuit 1 Placed between the BLT-T, the high frequency switch circuit 1 that switches the three connections between the wireless LAN reception side circuit and the Bluetooth reception side circuit shared part PI, and the antenna ANT and the high frequency switch circuit 1
  • wireless LAN transmitter circuit llbg-T and high-frequency switch circuit 1 high-frequency power amplifier circuit 6 placed between wireless LAN transmitter circuit llbg-T and high-frequency power amplifier circuit 6
  • a second bandpass filter 7 arranged in
  • a band-pass filter that suppresses harmonics and thermal noise from the high-frequency power amplifier circuit 6 and the antenna ANT which are necessary between the high-frequency power amplifier circuit 6 and the antenna ANT, Necessary between the band-pass filter that suppresses signal components other than the received signal and the antenna ANT and the balance-unbalance conversion circuit 4 in order to increase the reception sensitivity required between the balance-unbalance conversion circuit 3 and
  • a band-pass filter that suppresses harmonics and thermal noise from T is a high-frequency switch circuit 1 through which the transmission signal and reception signal of the wireless LAN and the transmission signal and reception signal of Bluetooth pass and the antenna ANT.
  • Transmission side circuit of wireless LAN llbg-T In order to suppress noise caused by force, a second circuit is connected between the wireless LAN transmission side circuit llbg-T and the high-frequency power amplification circuit 6 as necessary. A band-pass filter 7 may be arranged. Also, by arranging the distribution circuit 9 in the shared part P1 of the wireless LAN reception side circuit and the Bluetooth reception side circuit, the reception signal of the wireless LAN and the reception signal of Bluetooth can be received simultaneously. Also, a balanced-unbalanced conversion circuit 3 is placed between the high-frequency switch circuit 1 and the wireless LAN receiver circuit llbg-R, and a balanced-unbalanced circuit is placed between the high-frequency switch circuit 1 and the Bluetooth receiver circuit BLT-R.
  • the balance conversion circuit 4 By arranging the balance conversion circuit 4 respectively, the path and antenna between the antenna ANT and the wireless LAN transmission side circuit llbg-T Balance that improves the noise immunity of the wireless LAN receiver circuit llbg-R and the Bluetooth receiver circuit BLT-R without increasing the path loss between the ANT and Bluetooth transmitter circuit BLT-T. It can cope with circuitization.
  • the Bluetooth transmission side circuit BLT-T with a small transmission signal power is used without increasing the loss of the path through which the wireless LAN transmission signal passes between the antenna ANT and the transmission side circuit llbg-T of the wireless LAN.
  • a balanced-unbalanced conversion circuit 5 may be arranged between the Bluetooth transmission side circuit BLT-T and the high-frequency switch circuit 1 as shown in FIG.
  • FIG. 5 shows a high-frequency circuit of a communication device that can be shared with a wireless LAN and Bluetooth according to another embodiment of the present invention.
  • This high-frequency circuit consists of an antenna ANT that can transmit and receive wireless LAN and Bluetooth, an antenna ANT and wireless LAN transmitter circuit llbg-T, and a wireless LAN receiver circuit llbg-R and Bluetooth transceiver circuit BLT-TR.
  • a high-frequency switch circuit 1 that switches two types of connection with the shared part PI, a first band-pass filter 2 arranged between the antenna ANT and the high-frequency switch circuit 1, a reception side circuit llbg-R of the wireless LAN, and It has a distribution circuit 9 arranged between the Bluetooth transmission / reception circuit BLT-TR and the shared part P1.
  • a balanced-unbalanced conversion circuit 3 is arranged between the receiver circuit llbg-R of the wireless LAN and the distribution circuit 9, and a balanced-unbalance conversion circuit 4 is connected between the Bluetooth transmission / reception circuit BLT-TR and the distribution circuit 9. Is arranged.
  • a high-frequency power amplifier circuit 6 is arranged between the wireless LAN transmission side circuit llbg-T and the high-frequency switch 1.
  • a band-pass filter that suppresses harmonics and thermal noise from the high-frequency power amplifier circuit 6 and the antenna ANT that are necessary between the high-frequency power amplifier circuit 6 and the antenna ANT.
  • the band-pass filter that suppresses signal components other than the received signal to increase the reception sensitivity required between the balanced-unbalanced conversion circuit 3 and the antenna ANT and Bluetooth transceiver circuit BLT-TR.
  • Bandpass filter and power required Wireless LAN transmission signal, wireless LAN reception signal, and Bluetooth transmission / reception signal are combined into the first bandpass filter 2 between the high-frequency switch 1 and the antenna ANT. Therefore, the circuit configuration is simplified.
  • Bluetooth transmission / reception circuit BLT-TR with low transmission signal power without increasing loss of path between antenna ANT and wireless LAN transmission side circuit llbg-T, Bluetooth transmission / reception A balanced-unbalanced conversion circuit 4 may be arranged between the circuit BLT-TR and the distribution circuit 9.
  • the high-frequency circuit in Fig. 5 distributes the wireless LAN reception side circuit 1 lbg-R and the Bluetooth transmission / reception circuit BLT-TR by the distribution circuit 9! /. Can be received simultaneously.
  • a coupler circuit can be used instead of the distribution circuit 9 V. Even using a coupler circuit, it is possible to receive a wireless LAN reception signal and a Bluetooth reception signal simultaneously.
  • change the distribution ratio between the wireless LAN reception circuit llbg-R and the Bluetooth transmission / reception circuit BLT-TR to 5: 1 or 10: 1, for example. The ratio can be set as appropriate.
  • the minimum reception sensitivity at a short distance is -70 dBm for Bluetooth, which is smaller than the force for wireless LAN -65 dBm. Therefore, when receiving a wireless LAN reception signal and a Bluetooth reception signal at the same time, a coupler circuit is used to reduce the distribution of the signal to the bluetooth side, which requires less power, and to the side of the wireless LAN that requires high power. Increasing the distribution of signals to the receiving circuit enables more efficient signal reception.
  • the balance between the Bluetooth transmission / reception circuit BLT-TR and the distribution circuit 9 can be omitted.
  • the transmission side circuit of the wireless LAN can be omitted as shown in FIG.
  • a balanced-unbalanced conversion circuit 12 may be provided between llbg-T and the high-frequency power amplifier circuit 6.
  • the terminal for llbg-T on the wireless LAN transmission side acts as a balanced terminal, and can be used as a balanced circuit to improve noise resistance.
  • a band pass filter 7 may be provided between the transmission side circuit llbg-T of the wireless LAN and the high frequency power amplifier circuit 6.
  • the band filter 7 can remove noise related to local signals from the transmitter circuit of the RF-IC for wireless LAN.
  • the addition and combination of these circuit elements can be changed as appropriate.
  • FIG. 9 is a wireless LAN and Bluetooth shareable according to still another embodiment of the present invention.
  • 1 shows a high-frequency circuit of a communication device.
  • This high-frequency circuit consists of an antenna ANT that can transmit and receive via wireless LAN and Bluetooth, and a high-frequency switch circuit that switches between two connections: the antenna ANT and the wireless LAN transmitter circuit 1 lbg-T and receiver circuit llbg-R. 1 and a first band-pass filter 2 disposed between the antenna AN T and the high-frequency switch circuit 1, and a first band-pass filter 2 disposed between the high-frequency switch circuit 1 and the first band-pass filter 2.
  • Transceiver circuit 11 connected to the BLT-TR, balanced-unbalanced conversion circuit 3 placed between the wireless LAN receiver circuit llbg-R and the high-frequency switch circuit 1, and the wireless LAN transmitter side
  • a high-frequency power amplifier circuit 6 is disposed between the circuit llbg-T and the high-frequency switch circuit 1.
  • a band-pass filter that suppresses harmonics and thermal noise from the high-frequency power amplifier circuit 6 and the antenna ANT, which are necessary between the high-frequency power amplifier circuit 6 and the antenna ANT, between the band-pass filter that suppresses signal components other than the received signal to increase the reception sensitivity required between the balanced-unbalanced conversion circuit 3 and the antenna ANT and Bluetooth transceiver circuit BLT-TR.
  • the necessary band-pass filter is combined into one first band-pass filter 2 between the high-frequency switch 1 and the antenna ANT! Therefore, the circuit configuration is simplified.
  • the coupler circuit 11 may be disposed between the force antenna ANT and the first bandpass filter 2 disposed between the high-frequency switch circuit 1 and the first bandpass filter 2.
  • a distribution circuit may be provided instead of the coupler circuit 11. In this way, by providing a branch circuit to the Bluetooth transmission / reception circuit BLT-TR at the top of the antenna before the high-frequency switch circuit 1, both the wireless LAN and Bluetooth communication systems without increasing the number of antennas can be used. Transmission and reception can be performed simultaneously. In addition, it is possible to prevent an increase in the number of switch control circuits that do not require a new switch circuit for connection between the antenna ANT and the Bluetooth transmission / reception circuit BLT-TR.
  • the ratio of the Bluetooth side signal and the wireless LAN side signal can be appropriately set by changing the distribution ratio of the wireless LAN side circuit and the Bluetooth side circuit.
  • the minimum receiving sensitivity of Bluetooth is -70 dBm, which is much less than the wireless LAN's -65 dBm, so the coupler circuit reduces the signal distribution to the Bluetooth side circuit, which requires less power, and requires higher power. Efficient signal transmission / reception becomes possible by increasing the distribution to the wireless LAN side circuit.
  • FIG. 11 shows an equivalent circuit of the high-frequency circuit of FIG.
  • the first band-pass filter 2 is arranged between the antenna port ANT and the high-frequency switch circuit 1, and includes magnetically coupled inductance elements Lpl and Lp2 and capacitance elements Cpl, Cp2, Cp3, Cp4, Cp5, Cp6, and Cp7. It is configured.
  • the first bandpass filter 2 attenuates harmonics generated from the high-frequency power amplification 6 or the high-frequency switch circuit 1 during transmission, and attenuates signals other than the frequencies used for reception of wireless LAN and bluetooth during reception. Let
  • the balanced-unbalanced conversion circuit 3 is connected to the high-frequency switch circuit 1 via the matching circuit Lbb. Since the matching circuit Lbb is necessary for matching the bandpass filter 2 and the balanced-unbalanced conversion circuit 3, the matching circuit Lbb is not limited to the arrangement shown in the figure, and may be arranged between the high-frequency switch circuit 1 and the bandpass filter 2. good.
  • the high-frequency switch circuit 1 side of the balanced-unbalanced conversion circuit 3 is an unbalanced circuit, and is composed of inductance elements Lbla and Lblb.
  • the receiving side circuit llbg-R + and llbg-R- side of the wireless LAN of the balanced-unbalanced conversion circuit 3 is a balanced circuit, and is composed of inductance elements Lb2 and Lb3 and a capacitance element Cbl.
  • Wireless LAN receiver side The signals llbg-R + and llbg-R- output ideally equal amplitude and 180 ° out-of-phase signals.
  • a capacitance element Cbl that appears to be short-circuited at high frequency is placed between the connection point of the inductance elements Lb2 and Lb3 and the ground.
  • a DC voltage is applied from the DC (NC) port, and the llbg-R + port and llbg-R- DC voltage can be output from the port.
  • the balance-unbalance conversion circuit 3 may be provided with an impedance change.
  • the transmitter side circuit llbg-T amplifies the power of the wireless LAN transmission signal, high frequency power amplifier circuit 6, and magnetically coupled inductance elements Ltl, Lt2 and capacitance elements Ctl, Ct2, Ct3, Ct4, Ct5,
  • a second bandpass filter 7 made of Ct6 is arranged.
  • the second bandpass filter 7 attenuates signals other than the transmission frequency among the wireless LAN transmission signals to which the wireless LAN transmission side circuit llbg-T force is also input.
  • diodes diodes
  • inductance elements including transmission lines
  • capacitance elements Use the
  • the ports are connected by voltages applied to the control terminals VI, V2, and V3.
  • High shown in Table 1 is a voltage value in the range of 2.5 to 4V
  • Low is a voltage value in the range of 0 to 0.5V.
  • a high-frequency switch circuit 1 may be configured by connecting two-path switching high-frequency switch circuits in series. Examples of such a high-frequency switch circuit 1 are shown in FIGS. As shown in Table 2, the ports are connected by the voltage applied to the control terminals V1 to V4 of the high-frequency switch circuit 1 in Fig. 14. Also, the ports are connected as shown in Table 3 by the voltage applied to the control terminals VI and V3 of the high-frequency switch circuit 1 in FIG. As shown in Table 4, the ports are connected by the voltage applied to the control terminals VI, V2, and V3 of the high-frequency switch circuit 1 in Fig. 16.
  • FIG. 18 shows an example of an equivalent circuit of the high-frequency power amplification circuit 6 connected between the transmission side circuit llbg-T of the wireless LAN and the detection circuit 8.
  • the high frequency power amplifier circuit 6 includes an input matching circuit 61, a power amplifier circuit 62 having a two-stage transistor power, a voltage supply circuit 6 3 that supplies a constant voltage, and a bias control circuit 64 that controls the output power of the high frequency power amplifier circuit 6 And an output matching circuit 65.
  • Each circuit 61-65 uses an inductance element and a capacitance element. Circuits 61-65 are MMIC (Microwave Monolithic Integrated Circuits) and can be used! ,.
  • FIG. 19 shows an example of an equivalent circuit of the detection circuit 8 connected between the high-frequency switch circuit 1 and the high-frequency power amplifier circuit 6.
  • the detection circuit 8 includes a directional coupler 81 including a main line, a sub line, and a resistance element, a matching circuit 82 including an inductance element connected to the ground and a phase circuit, a resistance element 83, a Schottky diode 84, And a voltage smoothing circuit 85 comprising a resistance element and a capacitor element.
  • the coupler 81 may be composed of a capacitor, and the matching circuit 82 may be composed of only a phase circuit.
  • a DC voltage corresponding to the output power of the high-frequency power amplifier circuit 6 is output from Vdet.
  • the detection circuit 8 may be integrated with the high-frequency power amplification circuit 6.
  • FIG. 20 shows an equivalent circuit of a portion 10 (corresponding to a high frequency circuit component) surrounded by a broken line in the high frequency circuit of FIG.
  • the first band-pass filter 2 arranged between the antenna port ANT and the high-frequency switch circuit 1 includes magnetically coupled inductance elements lrbl and lrb2 and capacitance elements crbl, crb2, crb4, crb5, crb6, and crb7. .
  • a high-pass filter 2b which is composed of an inductance element lhl and capacitance elements chl and ch3, is arranged!
  • the high-pass filter 2b This is to improve the out-of-band attenuation of the over-filter 2, and the high-pass filter 2b and the first band-pass filter 2 can be collectively regarded as a band-pass filter.
  • the high-pass filter 2b and the first band-pass filter 2 attenuate the harmonics generated from the high-frequency power amplification 6 or the high-frequency switch circuit 1 at the time of transmission, and other than the frequencies used for reception of wireless LAN and Bluetooth at the time of reception. Attenuate the signal.
  • the band pass filter 2 is connected to the high-frequency switch circuit 1 of the SPDT.
  • the first path of the high-frequency switch circuit 1 is connected to the high-frequency power amplifier circuit 6, and the high-frequency power amplifier circuit 6 is connected to the transmitter side circuit llbg-T of the wireless LAN via the capacitance element ct.
  • the second path of the high-frequency switch circuit 1 is connected to the distribution circuit 9 having the inductance elements lspl and lsp2, the resistance element rsp, and the capacitance element cspl through the capacitance element cs.
  • Distribution circuit 9 distributes to wireless LAN reception circuit llbg-R and Bluetooth transmission / reception circuit BLT-TR.
  • the receiving side circuit llbg-R side of the wireless LAN of the distribution circuit 9 is connected to the balanced-unbalanced conversion circuit 3 having balanced terminals llbg-R + and llbg-R- through the matching circuit lb2.
  • the balance-unbalance conversion circuit 3 includes inductance elements lb3, lb6, lbll, lbl5, and a capacitance element cb2.
  • Balanced-unbalanced conversion circuit 3 Wireless LAN receiver side circuit llbg-R side is a balanced circuit, and its balanced terminals llbg-R +, llbg-R-force Ideally equal amplitude and 180 ° out-of-phase signals Is output. Between the connection point of the inductance elements Ml and lbl5 and the ground, a capacitance element cb2 that appears to be short-circuited at high frequency is arranged.
  • the balanced-unbalanced conversion circuit 3 may have an impedance conversion function.
  • the Bluetooth transmission / reception circuit BLT-TR side of the distribution circuit 9 is connected to a balanced-unbalanced conversion circuit 4 having balanced terminals BLT-TR + and BLT-TR- via a matching circuit lb21.
  • the equilibrium-unbalance conversion circuit 4 includes inductance elements lb22, lb26, lb31, lb36, and a capacitance element cb3.
  • FIGs. 1 Examples of equivalent circuits of the high-frequency switch circuit 1 are shown in Figs. These high-frequency switches 1 are indicated by ordinary graphic symbols and will not be described. Main components are switching elements such as field effect transistors (FETs) and diodes, and appropriate inductance elements (including transmission lines). ) And a capacitance element.
  • FETs field effect transistors
  • diodes diodes
  • inductance elements including transmission lines
  • capacitance element a capacitance element.
  • the ports are connected as shown in Table 5 by the voltages applied to the control terminals Vcl and Vc2.
  • the ports are connected as shown in Table 6 by the voltage applied to the control terminal Vcl.
  • “High” in Tables 5 and 6 is a voltage value in the range of 2.5 to 4 V
  • “Low” is a voltage value in the range of 0 to 0.5 V.
  • FIG. 24 shows an example of an equivalent circuit of the high frequency power amplifier circuit 6.
  • the high-frequency power amplifier circuit 6 includes an input matching circuit, a power amplifier circuit, a voltage supply circuit, a bias control circuit, an output matching circuit, and a detection circuit.
  • a DC voltage corresponding to the output power of the high-frequency power amplifier circuit 6 is output from the Vdet terminal.
  • FIG. 25 shows an example of the coupler circuit 11.
  • the cutler circuit 11 has a main line lscl provided between the port P3 connected to the high frequency switch circuit 1 and the port P2 connected to the filter circuit 2, and a sub line lsc2 coupled to the main line lscl.
  • One end of the sub line lsc2 is connected to the Bluetooth transmission / reception circuit BLT-TR, and the other end is connected to the ground electrode via the resistor rcl.
  • Coupler circuit 11 and Bluetooth transceiver circuit BL As shown in FIG. 10, a balanced-unbalanced conversion circuit 4 having the equivalent circuit described above may be connected between the T-TR and the T-TR.
  • the high-frequency circuit component of the present invention includes a laminate of a ceramic dielectric material and an electrode pattern, and at least one semiconductor element mounted on the laminate.
  • 26 shows the appearance of the high-frequency circuit component 10 using the high-frequency circuit shown in FIGS. 1 and 11,
  • FIG. 27 shows the back surface of the multilayer substrate 100 of the high-frequency circuit component 10, and
  • FIG. 28 shows each layer of the multilayer substrate 100.
  • the configuration is shown.
  • the high-frequency circuit component 10 includes a high-frequency switch circuit 1, a first bandpass filter 2, a balanced-unbalanced conversion circuit 3, a high-frequency power amplifier circuit 6, and a detection circuit 8.
  • On the upper surface of the multilayer substrate 100 a plurality of land electrodes for mounting chip components not incorporated in the multilayer substrate 100 are formed. As shown in FIG.
  • the high frequency switch circuit 1 and the high frequency power amplifier are formed on the land electrodes.
  • Circuit 6, Schottky diode 83, chip capacitors 91, 94, 96 and chip resistors 92, 93, 95 are mounted.
  • the land electrode is connected to a connection line or a circuit element formed in the multilayer substrate 100 through a via hole.
  • the high-frequency switch circuit 1 may be mounted on the land electrode of the multilayer substrate 100 in a bare state and sealed with grease or a tube.
  • the high-frequency circuit component 10 is composed of the multilayer substrate 100 and its mounting components, the size can be reduced.
  • an RF-IC or baseband IC that constitutes the transmission / reception circuit section may be combined with the multilayer substrate 100.
  • the laminated substrate 100 is made of a ceramic dielectric material that can be sintered at a low temperature of 1000 ° C. or lower, for example.
  • the multilayer substrate 100 is formed of a plurality of green having electrode patterns by forming a predetermined electrode pattern by printing a low-resistivity conductive paste such as Ag or Cu on a ceramic green sheet having a thickness of 10 m to 200 m. It can be manufactured by laminating and sintering sheets together.
  • the ceramic dielectric material examples include: (a) a ceramic dielectric containing Al, Si and Sr as main components and Ti, Bi, Cu, Mn, Na, K, etc. as subcomponents; (b) Al Ceramic dielectrics with Si and Sr as main components and Ca, Pb, Na, K, etc. as minor components, (c) Ceramic dielectrics containing Al, Mg, Si and Gd, (d) Al, Si, Zr And ceramic dielectrics containing Mg.
  • the dielectric constant of the ceramic dielectric material is preferably about 5-15.
  • resin or resin It is also possible to use a composite material of ceramic dielectric powder.
  • HTCC high temperature co-fired ceramic
  • the internal structure of the multilayer substrate 100 will be described with reference to FIGS. 27 and 28.
  • the uppermost green sheet 201 is formed with land electrodes for component mounting, and the second layer green sheet 202 to the 16th layer green sheet 216 are formed with line electrodes, capacitor electrodes, and ground electrodes. They are connected by via holes (indicated by black circles in the figure) formed in the green sheet.
  • the lowermost green sheet 216 has a wide ground electrode GND, and a terminal electrode for mounting on a circuit board is formed on the back surface thereof.
  • FIG. 30 shows the appearance of the high-frequency circuit component 10 in which the high-frequency circuit shown in FIG. 5 and FIG. 20 (equivalent circuit) is configured using the laminated substrate 100, and FIGS. 31 (a) to 31 (c) show the laminated layers. Each layer in substrate 100 The configuration is shown.
  • the high-frequency circuit component 10 includes a high-frequency switch circuit 1, a first bandpass filter 2, balanced-unbalanced conversion circuits 3 and 4, a high-frequency power amplifier circuit 6 (with a detection circuit), and a distribution circuit 9.
  • the high-frequency switch circuit 1 is as shown in FIG. 21, and the high-frequency power amplifier circuit 6 is as shown in FIG.
  • the multiple land electrodes on the top surface of the multilayer substrate 100 are equipped with SPDT high-frequency switch circuit 1, power amplifier circuit PA for high-frequency power amplifier circuit 6, chip capacitors cb3, cs, c3, c9, c8, c30, ct, cl, c4, c5, c6 and chip resistors rsp, rl are mounted.
  • the land electrodes are connected to connection lines and circuit elements in the multilayer substrate 100 through via holes.
  • the chip capacitor and the chip resistor are mounted on the upper surface of the multilayer substrate 100, but may be formed inside the multilayer substrate 100.
  • the high-frequency switch circuit 1 and the power amplifier circuit PA may be mounted on the land electrode of the multilayer substrate in a bare state, and sealed with grease to obtain the high-frequency circuit component 10. If the high-frequency circuit component is configured as a laminated substrate in this way, the size can be reduced. Of course, an RF-IC or a baseband IC constituting the transmission / reception circuit unit may be combined on the multilayer substrate 100.
  • the green sheet 301 on the top (first layer) of the multilayer substrate 100 has a land electrode for component mounting, an electrode cspl for a capacitance element, In addition, electrodes lsp2e and lsple for inductance elements are formed.
  • a ground electrode e3 is formed on the second green sheet 302.
  • electrodes crbla and crb5a for capacitance elements, electrodes lb21 and li4 for inductance elements, and a ground electrode e4 are formed.
  • electrodes crblb and crb6b for capacitance elements and electrodes lb22, lb30 and lb2 for inductance elements are formed on the fourth layer green sheet 304.
  • electrodes crblc and crb5c for capacitance elements and electrodes lbl0, lsp2d, lspld, lol, 1 ⁇ 2, and li3 for inductance elements are formed on the fourth layer green sheet 304.
  • the sixth layer green sheet 306 is formed with electrodes crbld and crb5d for capacitance elements, and electrodes lb23, lb29, lb36, lb9, lb3, lbl5, lsp2c, lsplc, lo3, and lcl2 for inductance elements.
  • the seventh-layer green sheet 307 is formed with electrodes lb35, lb37, lb8, lb28, lbl6, lb8, lbl4, lb4, lsp2b, lsplb, lo4, lcl0, lcl l for inductance elements.
  • the green sheet 308 of the eighth layer includes the electrode ch3 for the capacitance element and the electrodes lb2 5, lb34, lb38, lb27, lb7, lbl7, lbl3, lb5, lsp2a, lspla, lo5, lc9, lrbl and lrb2 are formed ing.
  • the ninth-layer green sheet 309 is formed with electrodes ch2 for capacitance elements and electrodes lhla, lc5, and lc8 for inductance elements.
  • the tenth green sheet 310 is formed with electrodes chl for capacitance elements and electrodes lb26, lb33, lb39, lb6, lbl8, lbl2, lhlb, lc4, lc7, and lil for inductance elements.
  • the eleventh green sheet 311 is formed with electrodes lb32, lb40, lhlc, lc3, lc6, and li2 for inductance elements.
  • electrodes crb7 and crb6 for capacitance elements and electrodes lbl9, lbll and lc2 for inductance elements are formed on the twelfth layer green sheet 312, electrodes crb7 and crb6 for capacitance elements and electrodes lbl9, lbll and lc2 for inductance elements are formed.
  • the 14th green sheet 314 has a ground electrode e2.
  • electrodes cb2, crb2b, crb4b for capacitance elements and electrodes W4, ldl, lbb3 for inductance elements are formed.
  • a ground electrode el is formed on the green sheet 316 of the 16th layer (lowermost layer).
  • terminal electrodes for mounting on the circuit board are formed on the back surface of the green sheet 316.
  • the line electrode for the inductance element, the capacitor electrode for the capacitance element, and the ground electrode are connected through a via hole formed in the green sheet.
  • the symbols in FIGS. 31 (a) to (: c) almost coincide with the symbols in FIGS. 20 and 24 as shown in Table 7.
  • the line electrode lhl for the inductance element in FIG. 20 includes the electrodes lhla, lhlb, and lhlc in FIGS. 31 (a) to (c). The same applies to the other electrodes.
  • crb2 crbla crb2a, crb2b
  • High frequency power amplifier circuit 6 It is desirable to dispose the electrodes constituting the band-pass filter connected to the antenna ANT as far as possible from the high-frequency power amplifier circuit 6 so that they are not easily affected by unnecessary noise. Similarly, it is desirable that the electrodes constituting the balanced-unbalanced conversion circuit provided in the wireless LAN reception path and the Bluetooth transmission / reception path be arranged as far as possible from the high-frequency power amplification circuit 6. As a result, unwanted noise interference from the high-frequency power amplifier circuit 6 is reduced, and reception sensitivity is improved.
  • the back surface of the multilayer substrate 100 has a ground electrode GND at the center, an antenna port ANT at the periphery, a wireless LAN transmission port llbg-T, and wireless LAN reception port Mlbg- R +, llbg- R-, Bluetooth transmit / receive port BLT-TR +, BLT-TR-, ground port GND, control port for high-frequency switch circuit Vcl, Vc2, power supply for high-frequency power amplifier circuit Ports Vc, Vb, Vdd, and output voltage port Vdet of the detector circuit are arranged.
  • FIG. 32 shows an equivalent circuit of the high-frequency circuit device according to still another embodiment of the present invention.
  • the circuit of this embodiment is the same as the circuit shown in FIG. 20 except that the distribution circuit 9 is replaced with the coupler circuit 11.
  • the main line of the coupler circuit 11 is connected to the receiving circuit of the wireless LAN, and the sub line is connected to the Bluetooth transmission / reception circuit.
  • the coupling ratio between the main line and the sub line can be set arbitrarily, for example, the wireless LAN receiver circuit: Bluetooth transceiver circuit can be set to 10: 1.
  • FIG. 33 shows the appearance of the high-frequency circuit component of FIG. 32
  • FIGS. 34 (a) to (: c) show the configuration of each layer of the multilayer substrate 101.
  • FIG. The circuit of this embodiment is the same as that shown in FIGS. 30 and 31 (a) to (: c) except that the distribution circuit is replaced with a coupler circuit.
  • a resistive element rc of a coupler circuit is mounted instead of the resistive element rsp in FIG.
  • the green sheet 401 on the top (first layer) of the multilayer substrate 101 has a land electrode for component mounting and an electrode lcp2b for an inductance element.
  • Lcplb is formed.
  • a ground electrode e3 is formed on the second green sheet 402.
  • the third layer green sheet 403 is formed with electrodes crbla and crb5a for capacitance elements, electrodes lb21 and li4 for inductance elements, and a ground electrode e4.
  • the fourth layer green sheet 40 4 includes capacitance element electrodes crblb, crb6b, and inductance element electrodes. lb22, lb30, and lb2 are formed.
  • electrodes crblc and crb5c for capacitance elements and electrodes lbl0, lol, 1 ⁇ 2, and li3 for inductance elements are formed on the green sheet 405 of the fifth layer.
  • electrodes crbld and crb 5d for capacitance elements, and electrodes lb23, lb29, lb36, lb9, lb3, lbl5, lcp2a, lo3, and lcl2 for inductance elements are formed.
  • the seventh layer green sheet 407 is formed with electrodes lb3 5, lb37, lb8, lb28, lbl6, lb8, lbl4, lb4, lo4, lcl0, lcl l for inductance elements.
  • the eighth layer green sheet 408 includes capacitance electrode ch3 and inductance element electrodes lb25, lb34, lb38, lb27, lb7, lbl7, lbl3, lb5, lrbl, lrb2, lcpl a, lo5, lc9 Is formed.
  • the ninth-layer green sheet 409 is formed with electrodes ch2 for capacitance elements and electrodes lhla, lc5, and lc8 for inductance elements.
  • the tenth green sheet 4 10 is formed with electrodes chl for capacitance elements and electrodes lb26, lb33, lb39, lb6, lbl8, lbl2, lhlb, lc4, lc7, and lil for inductance elements.
  • the eleventh layer green sheet 411 is formed with electrodes lb32, lb40, lhlc, lc3, lc6, and li2 for inductance elements.
  • the 12th green sheet 412 is formed with electrodes crb7 and crb6 for capacitance elements, and electrodes lbl9, lbll and lc2 for inductance elements.
  • electrodes cb2, crb2b, crb4b for capacitance elements are formed on the 13th green sheet 413.
  • electrodes cb2, crb2b, crb4b for capacitance elements are formed on the 14th green sheet 414 .
  • a ground electrode e2 is formed on the 15th green sheet 415.
  • electrodes cb2, crb2b, crb4b for capacitance elements, and electrodes W4, ldl, lbb3 for inductance elements are formed.
  • a green electrode 416 on the 16th layer is formed with a dotted electrode el. Terminal electrodes for mounting on the circuit board are formed on the back surface of the lowermost green sheet 416.
  • the line electrode for the inductance element, the capacitor electrode for the capacitance element, and the ground electrode are connected by a via hole.
  • the symbols in FIGS. 34 (a) to (: c) are matched with the symbols in FIGS. 32 and 33 as much as possible.
  • the lcpl of the coupler circuit is composed of lcpla and lcplb in the stack, and lcp2 is composed of lcp2a and lcp2b.
  • a thermal via TV for improving heat dissipation is provided on the upper surface and the back surface of the laminated substrate 100 where the high frequency power amplifier circuit 6 is mounted.
  • Green Sheet 202 Wide ground electrodes GND are preferably formed on 214 and 216.
  • Circuits are formed three-dimensionally on the multilayer substrate 100, and the electrode patterns that make up the circuit are planar ground electrodes GN to prevent unnecessary electromagnetic interference with the electrode patterns that make up other circuits. It is preferable not to be separated by via holes connected to D and the ground electrode GND or to overlap each other in the stacking direction.
  • Fig. 29 shows an example of the arrangement of such a circuit in a plan view ignoring the position in the stacking direction.

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Abstract

 アンテナと、第一の通信システムの送信側回路、第一の通信システムの受信側回路及び第二の通信システムの送受信回路との三通りの接続を切り替える高周波スイッチ回路と、前記アンテナと前記高周波スイッチ回路との間に配置された第一の帯域通過フィルタと、前記第一の通信システムの受信側回路と前記高周波スイッチ回路との間に配置された平衡-不平衡変換回路とを備えた高周波回路。

Description

明 細 書
高周波回路、高周波回路部品及びこれを用いた通信装置
技術分野
[0001] 本発明は、電子電器機器間における無線伝送を行う無線通信装置に関し、特にほ ぼ同一の周波数帯を使用する少なくとも 2つの通信システムで共用可能な高周波回 路、高周波回路部品、及びこれを用いた通信装置に関する。
背景技術
[0002] 2.4 GHzの ISM (Industrial, Scientific and Medical,産業、科学及び医療)帯域は、 D SSS (Direct Sequence Spread Spectrumダイレクト 'シーケンス 'スペクトル拡散)無線 通信向けのもの等の IEEE 802.11規格に準拠する無線 LAN (WLAN)通信に利用され ている。このような無線 LAN (WLAN)と同じ 2.4 GHzの ISM帯域を利用し、関連し合う 電子機器との接続がケーブルを用いることなく実現できる極めて利便性の高い技術 である近距離無線規格ブルートゥース (Bluetooth™)が提案されて 、る。
[0003] 2.4 GHzの ISM帯域を利用する主な無線 LAN規格には、 IEEE 802. libと IEEE 802.1 lgがある。 IEEE 802.111>は1^33方式で、 5.5 Mbps及び 11 Mbpsの高速通信をサポー トする。 IEEE 802.1 lgは OFDM (Orthogonal Frequency Division Multiplex:直交周波 数多重分割)変調方式を用い、最大 54 Mbpsの高速データ通信をサポートする。
[0004] ブルートゥースは、 2.4 GHzの ISM周波数帯を複数の無線チャンネルに分割し、各 無線チャンネルを単位時間(1/1600秒)に分割してタイムスロットとし、使用する無線 チャンネルをタイムスロットごとに切り替える耐ノイズ性に優れた周波数ホッピング方 式を採用している。
[0005] 50〜100 m程度の距離の範囲内にある小グループが利用する無線 LANは、データ 伝送速度が数 M〜数十 Mbpsと速ぐ 100 mW程度の電力を消費する。しかし同一の 敷地内又は建物内等の比較的狭い地域内で利用されるブルートゥースは、電波が 到達する距離が 10 m程度と短ぐ伝送速度もせいぜい 2 Mbpsであるので、 10 mW@ 度の省電力に設計されている。このように無線 LANとブルートゥースは、伝送速度及 び伝送可能距離等が異なるため、同時に 1つの通信装置に搭載し、用途ごとに有利 な方を使用することができる。
[0006] 以下説明では、便宜上無線 LAN (IEEE 802.11b, IEEE 802. llg)を第一の通信シス テムとし、ブルートゥースを第二の通信システムとした場合を例にとる。
[0007] 特開 2001-24579号は、図 35に示すように、無線 LANとブルートゥースに共用可能な 回路として、第一のアンテナポートと第一の通信システムの送信側回路及び第二の スィッチ回路との接続を切替える第一のスィッチ回路と、第一の通信システムの受信 側回路と第一のスィッチ回路及び第三のスィッチ回路との接続を切替える第二のスィ ツチ回路と、第二のアンテナポートと第二の通信システムの送受信回路及び第二の スィッチ回路との接続を切替える第三のスィッチ回路と、第一のスィッチ回路と第一 の通信システムの送信側回路との間に配置された第一のフィルタと、第二のスィッチ 回路と第一の通信システムの受信側回路の間に配置された第二のフィルタとを備え た回路を開示している。
[0008] し力しながら、特開 2001-24579号に記載の回路では、 (a)第一のスィッチ回路と第 一の通信システムの送信側回路との間に第一のフィルタ、及び第二のスィッチ回路と 第一の通信システムの受信側回路との間に第二のフィルタの 2つのフィルタが必要で あり、また (b)第一の通信システムの受信側回路が第一のアンテナポートと第二のァ ンテナポートに接続するように構成されているため、回路が複雑であるという理由で、 通信装置を小型化することが難しかった。
[0009] 特開 2002-208874号は、図 36に示すように、第一の出力と第二の出力が入力される 第一の分配器と、第一の分配器の出力が入力されるパワーアンプと、パワーアンプ の出力が入力されるアンテナ切替スィッチと、アンテナ切替スィッチの受信側に構成 されたローノイズアンプと、ローノイズアンプの出力が入力される第二の分配器とを具 備するほぼ同じ周波数帯を利用する複合無線機であって、送信側回路は、異なる 2 つの送信信号のうち出力する信号を第一の分配器で選択した後でパワーアンプで 増幅する構造を有し、受信側回路は、ローノイズアンプの出力側に配置された第二 の分配器により受信波を 2つの信号に分配する構造を有する複合無線機を開示して いる。この複合無線機では、パワーアンプ及びローノイズアンプがそれぞれ共用化さ れている。具体的には、無線 LANの送信波及び Bluetoothの送信波に対してパワー アンプが共用されている。しかし最近の Bluetoothでは送信の出力電力が低くなり、パ ヮーアンプを必要としないため、このような共用の必要性はなくなつた。
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0010] 従って本発明の目的は、無線 LANとブルートゥースとを共用し得る高周波回路に関 し、特に部品点数が少なくて小型化が可能な高周波回路、及びかかる高周波回路を 用いた高周波回路部品並びに通信装置を提供することである。
課題を解決するための手段
[0011] 少なくとも 2つの異なる通信システムで送受信可能なアンテナと、少なくとも 2つの異 なる通信システムの送信 '受信回路との間に用いられる本発明の第一の高周波回路 は、前記アンテナと、第一の通信システムの送信側回路及び受信側回路、並びに第 二の通信システムの送受信側回路との三通りの接続を切り替える高周波スィッチ回 路と、前記アンテナと前記高周波スィッチ回路との間に配置された第一の帯域通過 フィルタと、前記第一の通信システムの受信側回路と前記高周波スィッチ回路との間 に配置された平衡一不平衡変換回路とを有することを特徴とする。
[0012] 第一の高周波回路において、前記第二の通信システムの送受信側回路と前記高 周波スィッチ回路との間に平衡ー不平衡変換回路を有するのが好ましい。
[0013] 少なくとも 2つの異なる通信システムで送受信可能なアンテナと、少なくとも 2つの異 なる通信システムの送信 '受信回路との間に用いられる本発明の第二の高周波回路 は、前記アンテナと、第一の通信システムの送信側回路、第二の通信システムの送 信側回路、及び第一の通信システム及び第二の通信システムに共用の受信側回路 との三通りの接続を切り替える高周波スィッチ回路と、前記アンテナと前記高周波ス イッチ回路との間に配置された第一の帯域通過フィルタと、受信信号を前記第一の 通信システムの受信側回路と前記第二の通信システムの受信側回路に分配するた めに両回路に共用の経路に設けられた分配回路又はカップラ回路と、前記分配回 路又は前記カップラ回路と前記第一の通信システムの受信側回路との間に配置され た平衡—不平衡変換回路とを有することを特徴とする。
[0014] 第二の高周波回路において、前記分配回路又は前記カップラ回路と前記第二の 通信システムの受信側回路との間に平衡ー不平衡変換回路を有するのが好ましく、 また前記第二の通信システムの送信側回路と前記高周波スィッチ回路との間に平衡 ー不平衡変換回路を有するのが好ましい。
[0015] 少なくとも 2つの異なる通信システムで送受信可能なアンテナと、少なくとも 2つの異 なる通信システムの送信 '受信回路との間に用いられる本発明の第三の高周波回路 は、前記アンテナと、第一の通信システムの送信側回路、並びに前記第一の通信シ ステムの受信側回路及び第二の通信システムの送受信側回路に共用の経路との二 通りの接続を切り替える高周波スィッチ回路と、前記アンテナと前記高周波スィッチ 回路との間に配置された第一の帯域通過フィルタと、信号を前記第一の通信システ ムの受信側回路と前記第二の通信システムの送受信側回路とに分配するために両 回路に共用の経路に配置された分配回路又はカップラ回路とを有することを特徴と する。
[0016] 第三の高周波回路において、前記分配回路又は前記カップラ回路と前記第一の 通信システムの受信側回路との間に平衡ー不平衡変換回路を有するのが好ましく、 また前記分配回路又は前記カップラ回路と前記第二の通信システムの送受信側回 路との間に平衡—不平衡変換回路を有するのが好ましい。
[0017] 少なくとも 2つの異なる通信システムで送受信可能なアンテナと、少なくとも 2つの異 なる通信システムの送信 ·受信回路との間に用いられる第四の高周波回路は、前記 アンテナと、第一の通信システムの送信側回路及び前記第一の通信システムの受信 側回路との二通りの接続を切り替える高周波スィッチ回路と、前記アンテナと前記高 周波スィッチ回路との間に配置された第一の帯域通過フィルタと、信号を第二の通信 システムの送受信側回路に分配するために、前記第一の帯域通過フィルタと前記高 周波スィッチ回路との間、又は前記第一の帯域通過フィルタとアンテナとの間に配置 された分配回路又はカップラ回路とを有することを特徴とする。
[0018] 第四の高周波回路において、前記第一の通信システムの受信側回路と前記高周 波スィッチ回路との間に平衡ー不平衡変換回路を有するのが好ましぐまた前記第 二の通信システムの送受信側回路と前記分配回路又は前記カップラ回路との間に 平衡ー不平衡変換回路を有するのが好ましい。 [0019] 第一〜第四の高周波回路の各々において、前記第一の通信システムの送信側回 路と前記高周波スィッチ回路との間に高周波電力増幅回路を有するのが好ましぐ 前記高周波電力増幅回路と前記第一の通信システムの送信側回路との間に第二の 帯域通過フィルタを有するのが好ま 、。さらに前記第一の通信システムの送信側回 路と前記高周波電力増幅回路との間に平衡ー不平衡変換回路を有するのが好まし い。
[0020] 上記高周波回路を用いた本発明の高周波回路部品は、セラミック誘電体材料と電 極パターンとの積層体と、前記積層体上に搭載された少なくとも 1つの半導体素子と を有し、 (a)前記電極パターンは、 (1)前記第一の帯域通過フィルタ及び前記平衡 不平衡変換回路の少なくとも一つ、(2)前記第一の帯域通過フィルタ及び前記分配 回路又は前記カップラ回路の少なくとも一つ、又は (3)前記第一の帯域通過フィルタ 、前記平衡ー不平衡変換回路、及び前記分配回路又は前記カップラ回路の少なくと も一つを主として構成するインダクタンス素子及び Z又はキャパシタンス素子の少な くとも一部を形成し、 (b)前記半導体素子は、 (1)前記高周波スィッチ回路、又は (2) 前記高周波スィッチ回路及び Z又は前記高周波電力増幅回路を構成することを特 徴とする。
[0021] 前記第二の帯域通過フィルタを用いる場合、それを前記積層体内の前記電極バタ ーンにより形成するのが好ましい。
[0022] 各回路用のインダクタンス素子及び Z又はキャパシタンス素子は、積層体内の電極 ノターンにより構成しても、積層体上に搭載しても良いが、可能な限り積層体内に設 けることにより、高周波回路部品の小型化及び部品点数の低減を達成することができ る。
[0023] 高周波スィッチ回路を一つの半導体素子で構成して、それを積層体に搭載しても 良ぐまた高周波スィッチ回路を半導体素子とインダクタンス素子及び Z又はキャパ シタンス素子とにより構成し、インダクタンス素子及び Z又はキャパシタンス素子の少 なくとも一部を前記積層体内の電極パターンにより形成しても良い。
[0024] 前記高周波電力増幅回路を構成する半導体素子を積層体に搭載するとともに、そ の制御電源回路や整合回路等をインダクタンス素子、キャパシタンス素子及び Z又 は抵抗素子により構成し、インダクタンス素子及び Z又はキャパシタンス素子の少な くとも一部を積層体内に構成しても良い。
[0025] 高周波電力増幅回路以外に抵抗素子を用いても良ぐそれを積層体上に搭載して も良い。
[0026] 本発明の通信装置は、上記高周波回路のいずれか、又は上記高周波回路部品の いずれかを有することを特徴とする。本発明の通信装置は、パーソナルコンピュータ( PC)、 PCMCIAカード、プリンタ、ハードディスク、ブロードバンドルータ等の PCの周辺 機器、 FAX,冷蔵庫、標準テレビ (SDTV)、高品位テレビ (HDTV)、カメラ、ビデオ、 携帯電話等である。
発明の効果
[0027] ほぼ同じ周波数帯を使用する少なくとも 2つの異なる通信システムで共用可能な本 発明の高周波回路、及びこれを用いた高周波回路部品並びに通信装置は、部品点 数が少な 、ために小型化が可能である。
図面の簡単な説明
[0028] [図 1]本発明の一実施例による高周波回路を示すブロック図である。
[図 2]本発明の他の実施例による高周波回路を示すブロック図である。
[図 3]本発明のさらに他の実施例による高周波回路を示すブロック図である。
[図 4]本発明のさらに他の実施例による高周波回路を示すブロック図である。
[図 5]本発明のさらに他の実施例による高周波回路を示すブロック図である。
[図 6]本発明のさらに他の実施例による高周波回路を示すブロック図である。
[図 7]本発明のさらに他の実施例による高周波回路を示すブロック図である。
[図 8]本発明のさらに他の実施例による高周波回路を示すブロック図である。
[図 9]本発明のさらに他の実施例による高周波回路を示すブロック図である。
[図 10]本発明のさらに他の実施例による高周波回路を示すブロック図である。
[図 11]本発明の一実施例による高周波回路の等価回路を示す図である。
[図 12]本発明に用いる高周波スィッチ回路の等価回路の一例を示す図である。
[図 13]本発明に用いる高周波スィッチ回路の等価回路の他の例を示す図である。
[図 14]本発明に用いる高周波スィッチ回路の等価回路のさらに他の例を示す図であ る。
圆 15]本発明に用いる高周波スィッチ回路の等価回路のさらに他の例を示す図であ る。
圆 16]本発明に用いる高周波スィッチ回路の等価回路のさらに他の例を示す図であ る。
圆 17]本発明に用いる高周波スィッチ回路の等価回路のさらに他の例を示す図であ る。
圆 18]本発明に用いる高周波電力増幅回路の等価回路の一例を示す図である。 圆 19]本発明に用いる検波回路の等価回路の一例を示す図である。
圆 20]本発明の一実施例による高周波回路部品の等価回路の一例を示す図である 圆 21]本発明に用いる高周波スィッチの等価回路の一例を示す図である。
圆 22]本発明に用いる高周波スィッチの等価回路の他の例を示す図である。
圆 23]本発明に用いる高周波スィッチの等価回路の他の例を示す図である。
圆 24]本発明に用いる高周波電力増幅回路の等価回路の一例を示す図である。 圆 25]本発明に用いるカップラ回路の等価回路の一例を示す図である。
圆 26]本発明の一実施例による高周波回路部品を示す斜視図である。
圆 27]本発明の一実施例による高周波回路部品を構成する積層基板の裏面を示す 図である。
圆 28]本発明の一実施例による高周波回路部品を構成する積層基板中の各層の電 極パターンを示す展開図である。
圆 29]本発明の一実施例による高周波回路部品を構成する積層基板の内部構成を 示す図である。
圆 30]本発明の他の実施例による高周波回路部品を示す斜視図である。
圆 31(a)]本発明の他の実施例による高周波回路部品を構成する積層基板中の 1層 目から 6層目までの電極パターンを示す展開図である。
圆 31(b)]本発明の他の実施例による高周波回路部品を構成する積層基板中の 7層 目から 12層目までの電極パターンを示す展開図である。 [図 31(c)]本発明の他の実施例による高周波回路部品を構成する積層基板中の 13層 目から 16層目までの電極パターンを示す展開図である。
[図 32]本発明の他の実施例による高周波回路部品の等価回路を示す図である。
[図 33]本発明のさらに他の実施例による高周波回路部品を示す斜視図である。
[図 34(a)]本発明のさらに他の実施例による高周波回路部品を構成する積層基板中 の 1層目から 6層目までの電極パターンを示す展開図である。
[図 34(b)]本発明のさらに他の実施例による高周波回路部品を構成する積層基板中 の 7層目から 12層目までの電極パターンを示す展開図である。
[図 34(c)]本発明のさらに他の実施例による高周波回路部品を構成する積層基板中 の 13層目から 16層目までの電極パターンを示す展開図である。
[図 35]従来の無線 LANとブルートゥースに共用の通信装置の回路を示すブロック図 である。
[図 36]従来の無線 LANとブルートゥースに共用の通信装置の回路を示すブロック図 である。
発明を実施するための最良の形態
[0029] 本発明を添付図面を参照して実施例ごとに詳細に説明するが、各実施例に関連し て説明した構成はその実施例に限定的である訳ではなぐ必要に応じて他の実施例 にも適用可能である。
[0030] [1]高周波回路
図 1は、本発明の一実施例による無線 LANとブルートゥースに共用可能な通信装置 の回路を示す。第一の通信システムを無線 LAN (IEEE 802.11b, IEEE 802.11g、又は IEEE 802. libと IEEE 802. llgの共用システム)とし、第二の通信システムをブルートウ ースとする場合を例に取り、説明する。図中、同一又は類似の機能を発揮する部品 に対して同一の参照番号を付してある。従って、同じ参照番号でも、全く同一の部品 ではないことがある。
[0031] 図 1に示す高周波回路は、無線 LANとブルートゥースで送受信可能なアンテナ ANT と、アンテナ ANTと無線 LANの送信側回路 llbg-T、無線 LANの受信側回路 llbg-R、 及びブルートゥースの送受信回路 BLT-TRとの三通りの接続を切り替える高周波スィ ツチ回路 1と、前記アンテナ ANTと前記高周波スィッチ回路 1との間に配置された第一 の帯域通過フィルタ 2と、無線 LANの受信側回路 llbg-Rと高周波スィッチ回路 1との 間に配置された平衡-不平衡変換回路 3と、無線 LANの送信側回路 llbg-Tと高周波 スィッチ回路 1との間に配置された高周波電力増幅回路 6と、無線 LANの送信側回路 llbg-Tと高周波電力増幅回路 6との間に配置された第二の帯域通過フィルタ 7とを有 する。
[0032] この実施例の高周波回路では、高周波電力増幅回路 6とアンテナ ANTとの間に必 要であった高周波電力増幅回路 6からの高調波や熱雑音を抑制する帯域通過フィル タと、アンテナ ANTと平衡-不平衡変換回路 3との間に必要であった受信感度を高め るために受信信号以外の信号成分を抑制する帯域通過フィルタと、アンテナ ANTと ブルートゥースの送受信回路 BLT-TRとの間に必要であった帯域通過フィルタとを、 無線 LANの送信信号及び受信信号及びブルートゥースの送信信号及び受信信号が 通過する高周波スィッチ回路 1とアンテナ ANTとの間の 1つの第一の帯域通過フィル タ 2にまとめたので、回路構成が簡略ィ匕されている。無線 LANの送信側回路 llbg-T からのノイズを抑制するために、無線 LANの送信側回路 llbg-Tと高周波電力増幅回 路 6との間に、必要に応じて第二の帯域通過フィルタ 7を配置しても良い。また高周波 スィッチ回路 1と無線 LANの受信側回路 llbg-Rとの間の経路に平衡-不平衡変換回 路 3を配置することにより、アンテナ ANTと無線 LANの送信側回路 llbg-Tの間の経路 、及びアンテナ ANTとブルートゥースの送受信回路 BLT-TRの間の経路の損失を増 大させずに、無線 LANの受信側回路 llbg-Rの耐ノイズ性を改善する平衡回路化に 対応することができる。
[0033] アンテナ ANTと無線 LANの送信側回路 llbg-Tとの間の無線 LANの送信信号が通 る経路の損失を増大させずに、送信信号電力の小さなブルートゥースの送受信回路 BLT-TRを平衡回路化する場合、図 2に示すように、ブルートゥースの送受信回路 BL T-TRと高周波スィッチ回路 1との間に平衡-不平衡変換回路 4を配置すれば良い。
[0034] 図 3は、本発明の他の実施例による無線 LANとブルートゥースに共用可能な通信装 置用の高周波回路を示す。この高周波回路は、無線 LANとブルートゥースで送受信 可能なアンテナ ANTと、無線 LANの送信側回路 llbg-T、ブルートゥースの送信側回 路 BLT-T、及び無線 LANの受信側回路とブルートゥースの受信側回路の共用部 PIと の三通りの接続を切り替える高周波スィッチ回路 1と、アンテナ ANTと高周波スィッチ 回路 1との間に配置された第一の帯域通過フィルタ 2と、前記共用部 P1と無線 LANの 受信側回路 1 lbg-R及びブルートゥースの受信側回路 BLT-Rとの間に配置された分 配回路 9と、無線 LANの受信側回路 llbg-Rと分配回路 9との間に配置された平衡-不 平衡変換回路 3と、ブルートゥースの受信側回路 BLT-Rと分配回路 9との間に配置さ れた平衡-不平衡変換回路 4と、無線 LANの送信側回路 llbg-Tと高周波スィッチ回 路 1との間に配置された高周波電力増幅回路 6と、無線 LANの送信側回路 llbg-Tと 高周波電力増幅回路 6の間に配置された第 2の帯域通過フィルタ 7とを有する。
[0035] 図 3の高周波回路では、高周波電力増幅回路 6とアンテナ ANTとの間に必要であつ た高周波電力増幅回路 6からの高調波や熱雑音を抑制する帯域通過フィルタと、ァ ンテナ ANTと平衡-不平衡変換回路 3との間に必要であった受信感度を高めるため に受信信号以外の信号成分を抑制する帯域通過フィルタと、アンテナ ANTと平衡- 不平衡変換回路 4との間に必要であった受信感度を高めるために受信信号以外の 信号成分を抑制する帯域通過フィルタと、ブルートゥースの送信側回路 BLT-Tとアン テナ ANTとの間に必要であったブルートゥースの送信側回路 BLT-Tからの高調波や 熱雑音を抑制する帯域通過フィルタとが、無線 LANの送信信号及び受信信号及び ブルートゥースの送信信号及び受信信号が通過する高周波スィッチ回路 1とアンテナ ANTとの間の 1つの第一の帯域通過フィルタ 2に纏められて 、るので、回路構成が簡 略化されている。
[0036] 無線 LANの送信側回路 llbg-T力ゝらのノイズを抑制するために、無線 LANの送信側 回路 llbg-Tと高周波電力増幅回路 6との間に、必要に応じて第二の帯域通過フィル タ 7を配置しても良 、。また無線 LANの受信側回路とブルートゥースの受信側回路の 共用部 P1に分配回路 9を配置することにより、無線 LANの受信信号とブルートゥース の受信信号を同時に受信することができる。また高周波スィッチ回路 1と無線 LANの 受信側回路 llbg-Rとの間に平衡-不平衡変換回路 3を、高周波スィッチ回路 1とブル 一トゥースの受信側回路 BLT-Rとの間に平衡-不平衡変換回路 4をそれぞれ配置す ることにより、アンテナ ANTと無線 LANの送信側回路 llbg-Tの間の経路及びアンテ ナ ANTとブルートゥースの送信側回路 BLT-Tの間の経路の損失を増大させずに、無 線 LANの受信側回路 llbg-R及びブルートゥースの受信側回路 BLT-Rの耐ノイズ性 を改善する平衡回路化に対応することができる。
[0037] アンテナ ANTと無線 LANの送信側回路 llbg-Tとの間の無線 LANの送信信号が通 る経路の損失を増大させずに、送信信号電力の小さなブルートゥースの送信側回路 BLT-Tを平衡回路化する場合、図 4に示すように、ブルートゥースの送信側回路 BLT -Tと高周波スィッチ回路 1との間に平衡-不平衡変換回路 5を配置すれば良い。
[0038] 図 5は、本発明の他の実施例による無線 LANとブルートゥースに共用可能な通信装 置の高周波回路を示す。この高周波回路は、無線 LANとブルートゥースで送受信可 能なアンテナ ANTと、アンテナ ANTと無線 LANの送信側回路 llbg-T、及び無線 LAN の受信側回路 llbg-Rとブルートゥースの送受信回路 BLT-TRの共用部 PIとの二通り の接続を切り替える高周波スィッチ回路 1と、アンテナ ANTと高周波スィッチ回路 1と の間に配置された第一の帯域通過フィルタ 2と、無線 LANの受信側回路 llbg-R及び ブルートゥースの送受信回路 BLT-TRと共用部 P1との間に配置された分配回路 9とを 有する。無線 LANの受信側回路 llbg-Rと分配回路 9との間に平衡-不平衡変換回路 3が配置され、ブルートゥースの送受信回路 BLT-TRと分配回路 9との間に平衡-不平 衡変換回路 4が配置されている。無線 LANの送信側回路 llbg-Tと高周波スィッチ 1と の間に高周波電力増幅回路 6が配置されている。
[0039] 図 5の高周波回路では、高周波電力増幅回路 6とアンテナ ANTとの間に必要であつ た高周波電力増幅回路 6からの高調波や熱雑音を抑制する帯域通過フィルタと、ァ ンテナ ANTと平衡-不平衡変換回路 3との間に必要であった受信感度を高めるため に受信信号以外の信号成分を抑制する帯域通過フィルタと、アンテナ ANTとブルー トゥースの送受信回路 BLT-TRとの間に必要であった帯域通過フィルタと力 無線 LA Nの送信信号、無線 LANの受信信号及びブルートゥースの送受信信号が通過する高 周波スィッチ 1とアンテナ ANTとの間の第一の帯域通過フィルタ 2に纏められているの で、回路構成が簡略化されている。
[0040] 分配回路 9と無線 LANの受信側回路 llbg-Rとの間に平衡-不平衡変換回路 3を配 置することにより、アンテナ ANTと無線 LANの送信側回路 llbg-Tとの間の経路の損 失を増大させずに、無線 LANの受信側回路 1 lbg-Rの耐ノイズ性を改善する平衡回 路化に対応することができる。
[0041] アンテナ ANTと無線 LANの送信側回路 llbg-Tとの間の経路の損失を増大させず に、送信信号電力の小さなブルートゥースの送受信回路 BLT-TRを平衡回路化する 場合、ブルートゥースの送受信回路 BLT-TRと分配回路 9との間に平衡-不平衡変換 回路 4を配置すれば良い。
[0042] 図 5の高周波回路は、無線 LANの受信側回路 1 lbg-Rとブルートゥースの送受信回 路 BLT- TRを分配回路 9で分配して!/、るので、無線 LANの受信信号とブルートゥース の受信信号を同時に受信することができる。分配回路 9の代わりにカップラ回路を用 V、ても良!、。カップラ回路を用いても無線 LANの受信信号とブルートゥースの受信信 号を同時に受信することができる。カップラ回路を用いる場合、無線 LANの受信側回 路 llbg-Rとブルートゥースの送受信回路 BLT- TRの分配比率を例えば 5 : 1や 10 : 1と 変えて、ブルートゥース側の信号と無線 LAN側の信号の比率を適宜設定することが できる。例えば近距離での最小受信感度は、ブルートゥースが- 70 dBmと、無線 LAN の- 65 dBmよりはる力に小さい。そのため、無線 LANの受信信号とブルートゥースの 受信信号を同時に受信する場合、カップラ回路を用いて、小電力で済むブルートウ ース側への信号の分配を小さくし、大電力を必要とする無線 LAN側受信回路への信 号の分配を大きくすることにより、より効率的な信号の受信が可能となる。
[0043] 図 6に示すようにブルートゥースの送受信回路 BLT-TRと分配回路 9との間の平衡- 不平衡変換回路 4を省略して良ぐまた図 7に示すように無線 LANの送信側回路 llbg -Tと高周波電力増幅回路 6との間に平衡-不平衡変換回路 12を設けてもよい。平衡- 不平衡変換回路 12により、無線 LANの送信側回路 llbg-T用端子は平衡端子として 作用し、耐ノイズ性改善のための平衡回路化に対応することができる。また図 8に示 すように、無線 LANの送信側回路 llbg-Tと高周波電力増幅回路 6との間に帯域通過 フィルタ 7を設けてもよい。帯域フィルタ 7により、無線 LAN用の RF-ICの送信側回路か らのローカル信号関連のノイズを除去することができる。なおこれらの回路素子の追 加及び組合せは適宜変更可能である。
[0044] 図 9は、本発明のさらに他の実施例による無線 LANとブルートゥースに共用可能な 通信装置の高周波回路を示す。この高周波回路は、無線 LANとブルートゥースで送 受信可能なアンテナ ANTと、アンテナ ANTと無線 LANの送信側回路 1 lbg-T及び受 信側回路 llbg-Rとの二通りの接続を切り替える高周波スィッチ回路 1と、アンテナ AN Tと高周波スィッチ回路 1との間に配置された第一の帯域通過フィルタ 2と、高周波ス イッチ回路 1と第一の帯域通過フィルタ 2との間に配置されるとともに、ブルートゥース の送受信回路 BLT-TRに接続されたカップラ回路 11と、無線 LANの受信側回路 llbg -Rと高周波スィッチ回路 1との間に配置された平衡-不平衡変換回路 3と、無線 LAN の送信側回路 llbg-Tと高周波スィッチ回路 1との間に配置された高周波電力増幅回 路 6とを有する。
[0045] 図 9の高周波回路では、高周波電力増幅回路 6とアンテナ ANTとの間に必要であつ た高周波電力増幅回路 6からの高調波や熱雑音を抑制する帯域通過フィルタと、ァ ンテナ ANTと平衡-不平衡変換回路 3との間に必要であった受信感度を高めるため に受信信号以外の信号成分を抑制する帯域通過フィルタと、アンテナ ANTとブルー トゥースの送受信回路 BLT-TRとの間に必要であった帯域通過フィルタとが、高周波 スィッチ 1とアンテナ ANTとの間の 1つの第一の帯域通過フィルタ 2に纏められて!、る ので、回路構成が簡略化されている。
[0046] 高周波スィッチ回路 1と無線 LANの受信側回路 llbg-Rとの間に平衡-不平衡変換 回路 3を配置することにより、アンテナ ANTと無線 LANの送信側回路 llbg-Tとの間の 経路の損失を増大させずに、無線 LANの受信側回路 llbg-Rの耐ノイズ性を改善す る平衡回路化に対応することができる。
[0047] 図 9ではカップラ回路 11は高周波スィッチ回路 1と第一の帯域通過フィルタ 2との間 に配置されている力 アンテナ ANTと第一の帯域通過フィルタ 2との間に配置しても 良ぐまたカップラ回路 11の代わりに分配回路を設けてもよい。このように高周波スィ ツチ回路 1より前のアンテナトップ部分でブルートゥースの送受信回路 BLT-TRへの分 岐回路を設けることにより、アンテナの本数を増やすことなぐ無線 LANとブルートウ 一スの両通信システムの送信及び受信を同時に行うことが可能となる。またアンテナ ANTとブルートゥースの送受信回路 BLT-TRとの接続に新たにスィッチ回路を設ける 必要がなぐスィッチ制御用回路の増加を防ぐことができる。さらにカップラ回路を用 いた場合、上記の通り、無線 LAN側回路とブルートゥース側回路の分配比率を変える ことによりブルートゥース側の信号と無線 LAN側の信号の比率を適宜設定することが できる。またブルートゥースの最小受信感度は- 70 dBmと無線 LANの- 65 dBmよりはる 力に小さいので、カップラ回路により、小電力で良いブルートゥース側回路への信号 の分配を小さくし、大電力を必要とする無線 LAN側回路への分配を大きくすることに より、効率的な信号の送受信が可能となる。
[0048] 送信信号電力の小さなブルートゥースの送受信回路 BLT-TRを平衡回路化する場 合、図 10に示すように、ブルートゥースの送受信回路 BLT-TRとカップラ回路 11との間 に平衡-不平衡変換回路 4を配置しても良 ヽ。
[0049] 無線 LANの送信側回路 llbg-Tと高周波電力増幅回路 6との間に平衡-不平衡変換 回路を設け、無線 LANの送信側回路 llbg-T用端子を平衡端子として用いると、耐ノ ィズ性改善のための平衡回路化に対応することができる。また無線 LANの送信側回 路 llbg-Tと高周波電力増幅回路 6との間に帯域通過フィルタを設けると、無線 LAN 送信回路 llbg-Tからのノイズを除去することができる。なおこれらの回路素子の追加 及び組合せは適宜変更可能である。
[0050] 図 11は図 1の高周波回路の等価回路を示す。第一の帯域通過フィルタ 2はアンテナ ポート ANTと高周波スィッチ回路 1との間に配置され、磁気結合したインダクタンス素 子 Lpl、 Lp2、及びキャパシタンス素子 Cpl、 Cp2、 Cp3、 Cp4、 Cp5、 Cp6、 Cp7により構 成されている。第一の帯域通過フィルタ 2は、送信時には高周波電力増幅 6又は高周 波スィッチ回路 1から発生する高調波を減衰させ、受信時には無線 LAN及びブルート ウースの受信で使用される周波数以外の信号を減衰させる。
[0051] 平衡-不平衡変換回路 3は整合回路 Lbbを介して高周波スィッチ回路 1と接続してい る。整合回路 Lbbは、帯域通過フィルタ 2と平衡-不平衡変換回路 3の整合に必要であ るので図示の配置に限定されず、高周波スィッチ回路 1と帯域通過フィルタ 2との間に 配置しても良い。平衡-不平衡変換回路 3の高周波スィッチ回路 1側は不平衡回路で あり、インダクタンス素子 Lbla、 Lblbにより構成されている。平衡-不平衡変換回路 3 の無線 LANの受信側回路 llbg-R+、 llbg-R-側は平衡回路であり、インダクタンス素 子 Lb2、 Lb3及びキャパシタンス素子 Cblにより構成されている。無線 LANの受信側回 路 llbg-R+及び llbg-R-から、理想的には振幅が等しく 180° 位相のずれた信号が 出力される。インダクタンス素子 Lb2と Lb3の接続点とグランドの間には高周波的にシ ョートに見えるキャパシタンス素子 Cblが配置され、 DC (NC)ポートから DC電圧を印 加し、 llbg-R+ポート及び llbg-R-ポートから DC電圧を出力できるようにしている。平 衡-不平衡変換回路 3にインピーダンス変 能を具備させても良 、。
[0052] 高周波スィッチ回路 1と無線 LANの送信側回路 llbg-Tの間には、高周波スィッチ回 路 1側から順に、高周波電力増幅回路 6から出力される電力をモニターする検波回路 8、無線 LANの送信側回路 llbg-Tカゝら来る無線 LANの送信信号の電力を増幅する 高周波電力増幅回路 6、及び磁気結合したインダクタンス素子 Ltl、 Lt2及びキャパシ タンス素子 Ctl、 Ct2、 Ct3、 Ct4、 Ct5、 Ct6からなる第二の帯域通過フィルタ 7が配置さ れている。第二の帯域通過フィルタ 7は、無線 LANの送信側回路 llbg-T力も入力さ れる無線 LANの送信信号のうち送信周波数以外の信号を減衰させる。
[0053] 図 12〜図 16は高周波スィッチ回路 1の等価回路を例示する。これらの高周波スイツ チ回路 1は通常の図記号で示し、説明を省略するが、電界効果トランジスタ (FET)や ダイオード等のスイッチング素子を主構成とし、適宜インダクタンス素子 (伝送線路を 含む)及びキャパシタンス素子を用いて 、る。
[0054] 図 12及び図 13の高周波スィッチ回路 1では、表 1に示すように、コントロール端子 VI 、 V2、 V3に与えられる電圧によりポート間が接続される。通常表 1に示す Highは 2.5〜 4Vの範囲の電圧値であり、 Lowは 0〜0.5Vの範囲の電圧値である。
[0055] [表 1]
Figure imgf000016_0001
図 12及び図 13に示す高周波スィッチ回路で無線 LANの送信側回路 llbg-Tとブル 一トゥースの送受信回路 BLT-TRとのアイソレーションが不足する場合、アイソレーシ ヨンを向上させるために、二経路切替え用の高周波スィッチ回路を直列に接続し、高 周波スィッチ回路 1を構成しても良い。このような高周波スィッチ回路 1の例を図 14〜1 6に示す。図 14の高周波スィッチ回路 1のコントロール端子 V1〜V4に与えられる電圧 により、表 2に示すようにポート間が接続される。また図 15の高周波スィッチ回路 1のコ ントロール端子 VI及び V3に与えられる電圧により、表 3に示すようにポート間が接続 される。図 16の高周波スィッチ回路 1のコントロール端子 VI、 V2及び V3に与えられる 電圧により、表 4に示すようにポート間が接続される。
[0057] [表 2]
Figure imgf000017_0001
[0058] [表 3]
Figure imgf000017_0002
[0059] [表 4] 接続モ Port Port Port
VI V2 V3
-ド la- lb間 la- lc間 la- Id間
1 High LOW Low 接続 切断 切断
2 Low High Low 切断 接続 切断
3 Low High High 切断 切断 接続 [0060] 図 14〜16に示す高周波スィッチ回路 1で無線 LANの送信側回路 llbg-Tと無線 LAN の受信回路 llbg-Rと間のアイソレーションが不足する場合、アイソレーションを向上さ せるために、無線 LANの受信回路 llbg-R側に接続される lc端子とアンテナ側に接続 される la端子との間の経路に、直列に又はグランドに接続するように一経路を ONZ OFFするスィッチ回路を配置しても良い。 PINダイオードを lc端子とグランドの間に接 続する例を図 17に示す。図 17の高周波スィッチ回路 1のコントロール端子 VI、 V2、 V3 、 V4に与えられる電圧により、表 2に示すようにポート間が接続される。
[0061] 図 18は、無線 LANの送信側回路 llbg-Tと検波回路 8の間に接続される高周波電力 増幅回路 6の等価回路の一例を示す。高周波電力増幅回路 6は、入力整合回路 61、 二段のトランジスタ力 なる電力増幅回路 62、一定の電圧を供給する電圧供給回路 6 3、高周波電力増幅回路 6の出力電力を制御するバイアス制御回路 64、及び出力整 合回路 65により構成される。各回路 61〜65にはインダクタンス素子及びキャパシタン ス素子が用いられている。回路 61〜65は MMIC (Microwave Monolithic Integrated Ci rcuits)化されて ヽても良!、。
[0062] 図 19は、高周波スィッチ回路 1と高周波電力増幅回路 6との間に接続される検波回 路 8の等価回路の一例を示す。検波回路 8は、主線路、副線路及び抵抗素子からな る方向性結合器 81、グランドに接続されたインダクタンス素子と位相回路カゝらなる整 合回路 82、抵抗素子 83、ショットキーダイオード 84、及び抵抗素子とコンデンサ素子 力 なる電圧平滑回路 85により構成される。なお、結合器 81はコンデンサで構成して も良ぐまた整合回路 82を位相回路のみで構成しても良い。 Vdetから、高周波電力増 幅回路 6の出力電力に応じた DC電圧が出力される。検波回路 8は高周波電力増幅 回路 6に集積ィ匕しても良い。
[0063] 図 20は、図 5の高周波回路のうち破線で囲った部分 10 (高周波回路部品に対応す る)の等価回路を示す。アンテナポート ANTと高周波スィッチ回路 1の間に配置された 第一の帯域通過フィルタ 2は、磁気結合したインダクタンス素子 lrbl、 lrb2と、キャパシ タンス素子 crbl、 crb2、 crb4、 crb5、 crb6、 crb7とからなる。第一の帯域通過フィルタ 2 のアンテナポート ANT側には、インダクタンス素子 lhlとキャパシタンス素子 chl、 ch3と 力 なるハイパスフィルタ 2bが配置されて!、る。ハイパスフィルタ 2bは第一の帯域通 過フィルタ 2の帯域外減衰を良好にするもので、ハイパスフィルタ 2bと第一の帯域通 過フィルタ 2とを纏めて帯域通過フィルタと見ることもできる。ハイパスフィルタ 2bと第一 の帯域通過フィルタ 2は、送信時に高周波電力増幅 6又は高周波スィッチ回路 1から 発生した高調波を減衰させ、また受信時に無線 LAN及びブルートゥースの受信で使 用される周波数以外の信号を減衰させる。
[0064] 帯域通過フィルタ 2は SPDTの高周波スィッチ回路 1に接続している。高周波スィッチ 回路 1の第一の経路は高周波電力増幅回路 6に接続し、高周波電力増幅回路 6はキ ャパシタンス素子 ctを介して無線 LANの送信側回路 llbg-Tに接続している。
[0065] 高周波スィッチ回路 1の第二の経路はキャパシタンス素子 csを介して、インダクタン ス素子 lspl、 lsp2、抵抗素子 rsp及びキャパシタンス素子 cspl力 なる分配回路 9に接 続している。分配回路 9は無線 LANの受信側回路 llbg-Rとブルートゥースの送受信 回路 BLT-TRに分配する。分配回路 9の無線 LANの受信側回路 llbg-R側は、整合 回路 lb2を介して、平衡端子 llbg-R+、 llbg-R-を有する平衡-不平衡変換回路 3に接 続している。平衡-不平衡変換回路 3は、インダクタンス素子 lb3、 lb6、 lbll、 lbl5及び キャパシタンス素子 cb2により構成されている。平衡-不平衡変換回路 3の無線 LANの 受信側回路 llbg-R側は平衡回路であり、その平衡端子 llbg-R+、 llbg-R-力 理想 的には振幅が等しく 180° 位相のずれた信号が出力される。インダクタンス素子 Ml と lbl5の接続点とグランドとの間には、高周波的にショートに見えるキャパシタンス素 子 cb2が配置されている。しかし、接続点に DC電圧を印加する DCポートを設け、平衡 端子 llbg-R+、 llbg-R-力も DC電圧を出力させても良い。平衡-不平衡変換回路 3は インピーダンス変換機能を具備しても良 、。
[0066] 分配回路 9のブルートゥースの送受信回路 BLT-TR側は、整合回路 lb21を介して、 平衡端子 BLT-TR+、 BLT-TR-を有する平衡-不平衡変換回路 4に接続している。平 衡-不平衡変換回路 4は、インダクタンス素子 lb22、 lb26、 lb31、 lb36及びキャパシタン ス素子 cb3により構成されている。
[0067] 高周波スィッチ回路 1の等価回路の例を図 21〜図 23に示す。これらの高周波スイツ チ 1は通常の図記号で示し、説明は省略するが、電界効果トランジスタ (FET)やダイ オード等のスイッチング素子を主構成とし、適宜インダクタンス素子 (伝送線路を含む )及びキャパシタンス素子を用いて構成されて 、る。
[0068] 図 21及び図 22の高周波スィッチ 1では、コントロール端子 Vcl、 Vc2に与えられる電 圧により、表 5に示すように、ポート間が接続される。図 23の高周波スィッチ 1では、コ ントロール端子 Vclに与えられる電圧により、表 6に示すように、ポート間が接続される 。通常表 5及び 6に示す Highは 2.5〜4 Vの範囲の電圧値であり、 Lowは 0〜0.5 Vの範 囲の電圧値である。
[0069] [表 5]
Figure imgf000020_0001
[0070] [表 6]
Figure imgf000020_0002
[0071] 図 24は高周波電力増幅回路 6の等価回路の一例を示す。高周波電力増幅回路 6 は入力整合回路、電力増幅回路、電圧供給回路、バイアス制御回路、出力整合回 路及び検波回路により構成される。 Vdet端子から、高周波電力増幅回路 6の出力電 力に応じた DC電圧が出力される。
[0072] 図 9に示す高周波回路の等価回路において、高周波スィッチ回路 1、高周波電力 増幅回路 6及び平衡-不平衡変換回路 3は既に説明したもので良いので、カップラ回 路 11の等価回路について以下説明する。図 25はカップラ回路 11の一例を示す。カツ ブラ回路 11は、高周波スィッチ回路 1に接続するポート P3とフィルタ回路 2に接続する ポート P2との間に設けられた主線路 lsclと、主線路 lsclに結合する副線路 lsc2とを有 し、副線路 lsc2の一端はブルートゥースの送受信回路 BLT-TRに接続し、他端は抵抗 rclを介して接地電極に接続する。カップラ回路 11とブルートゥースの送受信回路 BL T-TRとの間に、図 10に示すように、既に説明した等価回路を有する平衡-不平衡変 換回路 4を接続しても良い。
[0073] [2]高周波回路部品
本発明の高周波回路部品は、セラミック誘電体材料と電極パターンとの積層体と、 前記積層体上に搭載された少なくとも 1つの半導体素子とを有する。図 26は図 1及び 図 11に示す高周波回路を用いた高周波回路部品 10の外観を示し、図 27は高周波回 路部品 10の積層基板 100の裏面を示し、図 28は積層基板 100の各層の構成を示す。 この高周波回路部品 10は、高周波スィッチ回路 1、第一の帯域通過フィルタ 2、平衡- 不平衡変換回路 3、高周波電力増幅回路 6、及び検波回路 8を有する。積層基板 100 の上面には積層基板 100に内蔵されないチップ部品を搭載するための複数のランド 電極が形成されており、ランド電極上に図 26に示すように、高周波スィッチ回路 1、高 周波電力増幅回路 6、ショットキーダイオード 83、チップコンデンサ 91、 94、 96、及びチ ップ抵抗 92、 93、 95が実装されている。ランド電極は、積層基板 100内に形成された 接続線路や回路素子とビアホールを介して接続して ヽる。
[0074] 高周波スィッチ回路 1をベア状態で積層基板 100のランド電極に実装し、榭脂封止 や管封止しても良い。このように高周波回路部品 10を積層基板 100及びその搭載部 品により構成すれば、小型化が可能である。当然、送受信回路部を構成する RF-IC やベースバンド ICを積層基板 100に複合ィ匕しても良い。
[0075] 積層基板 100は例えば 1000°C以下で低温焼結が可能なセラミック誘電体材料から なる。積層基板 100は、厚さが 10 m〜200 mのセラミックグリーンシートに低抵抗率 の Agや Cu等の導電ペーストを印刷することにより所定の電極パターンを形成し、電 極パターンを有する複数のグリーンシートを一体的に積層し、焼結することにより製造 することができる。
[0076] セラミック誘電体材料としては、例えば (a) Al、 Si及び Srを主成分とし、 Ti、 Bi、 Cu、 M n、 Na、 K等を副成分とするセラミック誘電体、 (b) Al、 Si及び Srを主成分とし、 Ca、 Pb、 Na、 K等を副成分とするセラミック誘電体、 (c) Al、 Mg、 Si及び Gdを含むセラミック誘電 体、(d) Al、 Si、 Zr及び Mgを含むセラミック誘電体等が挙げられる。セラミック誘電体材 料の誘電率は 5〜15程度が好ましい。セラミック誘電体材料の他に、榭脂、又は榭脂 とセラミック誘電体粉末との複合材料を用いても良 、。 HTCC (高温同時焼成セラミツ ク)技術により、 A1 0を主体とするセラミック誘電体材料力 なる基板に、タングステン
2 3
、モリブデン等の高温焼結可能な金属パターンを形成し、一体的に燒結する。
[0077] 積層基板 100の内部構造を、図 27及び図 28を参照して説明する。最上部のグリーン シート 201には、部品搭載用のランド電極が形成され、 2層目のグリーンシート 202乃 至 16層目のグリーンシート 216にライン電極、コンデンサ用電極及びグランド電極が形 成されており、それぞれがグリーンシートに形成されたビアホール(図中、黒丸で表示 )で接続されている。最下層のグリーンシート 216には広いグランド電極 GNDが形成さ れており、その裏面には回路基板に実装するための端子電極が形成されている。
[0078] 高周波電力増幅回路 6の入力整合回路、電圧供給回路及び出力整合回路間のァ イソレーシヨンが不足すると、パワーアンプの誤動作及び発振が起きるおそれがある ので、これらの回路間のアイソレーションを十分に確保するように平面的なグランド電 極及びそれに連結するビアホールの配置を最適化する。高周波電力増幅回路 6から の不要ノイズの影響を受けにく 、ように、アンテナ ANTに接続する帯域通過フィルタ 2 を構成する電極を高周波電力増幅回路 6からできるだけ遠く配置するのが望ましい。 同様に、無線 LANの受信経路及びブルートゥースの送受信経路に設ける平衡-不平 衡変換回路を構成する電極も、高周波電力増幅回路 6からできるだけ遠く配置する のが望ましい。これにより、高周波電力増幅回路 6からの不要のノイズの混信が低減 され、受信感度が向上する。
[0079] 積層基板 100の裏面には、図 27に示すように、中央部分に 2つのグランド電極 GND 、周辺にアンテナポート ANT、無線 LANの送信ポート llgb- T、無線 LANの受信ポート llbg- R+、 llbg- R -、ブルートゥースの送受信ポート BLT-TR、グランドポート GND、高 周波スィッチ回路 1用のコントロールポート VI、 V2、 V3、高周波電力増幅回路用の電 源ポート Vc、 Vb、及び検波回路の出力電圧ポート Vdetが配置されている。各端子電 極は図 11と同様に表示されている。本実施例では端子電極を LGA (Land Grid Array )としている力 BGA(Ball Grid Array)等としても良い。
[0080] 図 30は、図 5及び図 20 (等価回路)に示す高周波回路を積層基板 100を用いて構成 した高周波回路部品 10の外観を示し、図 31(a)〜(c)はその積層基板 100中の各層の 構成を示す。高周波回路部品 10は、高周波スィッチ回路 1、第一の帯域通過フィルタ 2、平衡-不平衡変換回路 3、 4、高周波電力増幅回路 6 (検波回路付き)、及び分配回 路 9からなる。高周波スィッチ回路 1は図 21に示すものであり、高周波電力増幅回路 6 は図 24に示すものである。積層基板 100上面の複数のランド電極には、 SPDTの高周 波スィッチ回路 1、高周波電力増幅回路 6用の電力増幅回路部 PA、チップコンデンサ cb3、 cs、 c3、 c9、 c8、 c30、 ct、 cl、 c4、 c5、 c6、及びチップ抵抗 rsp、 rlが実装されてい る。ランド電極はビアホールを介して積層基板 100内の接続線路及び回路素子に接 続して 、る。図 30ではチップコンデンサ及びチップ抵抗は積層基板 100の上面に搭 載されているが、積層基板 100の内部に形成しても良い。
[0081] 高周波スィッチ回路 1及び電力増幅回路部 PAをベア状態で積層基板のランド電極 に実装し、榭脂封止を行って、高周波回路部品 10としても良い。このように高周波回 路部品を積層基板として構成すれば、小型化が可能である。当然、送受信回路部を 構成する RF-ICやベースバンド ICを積層基板 100に複合ィ匕しても良い。
[0082] 図 31(a)〜(; c)に示す通り、積層基板 100の一番上(1層目)のグリーンシート 301には、 部品搭載用のランド電極、キャパシタンス素子用の電極 cspl、及びインダクタンス素 子用の電極 lsp2e、 lspleが形成されている。 2層目のグリーンシート 302にはグランド電 極 e3が形成されている。 3層目のグリーンシート 303には、キャパシタンス素子用の電 極 crbla、 crb5a、インダクタンス素子用の電極 lb21、 li4、及びグランド電極 e4が形成さ れている。 4層目のグリーンシート 304には、キャパシタンス素子用の電極 crblb、 crb6 b、及びインダクタンス素子用の電極 lb22、 lb30、 lb2が形成されている。 5層目のダリー ンシート 305には、キャパシタンス素子用の電極 crblc、 crb5c、及びインダクタンス素 子用の電極 lbl0、 lsp2d、 lspld、 lol、 1ο2、 li3が形成されている。 6層目のグリーンシー ト 306には、キャパシタンス素子用の電極 crbld、 crb5d、及びインダクタンス素子用の 電極 lb23、 lb29、 lb36、 lb9、 lb3、 lbl5、 lsp2c、 lsplc、 lo3、 lcl2が形成されている。 7層 目のグリーンシート 307には、インダクタンス素子用の電極 lb35、 lb37、 lb8、 lb28、 lbl6 、 lb8、 lbl4、 lb4、 lsp2b、 lsplb、 lo4、 lcl0、 lcl lが形成されている。 8層目のグリーンシ ート 308には、キャパシタンス素子用の電極 ch3、及びインダクタンス素子用の電極 lb2 5、 lb34、 lb38、 lb27、 lb7、 lbl7、 lbl3、 lb5、 lsp2a、 lspla、 lo5、 lc9、 lrbl、 lrb2が形成され ている。 9層目のグリーンシート 309には、キャパシタンス素子用の電極 ch2、及びイン ダクタンス素子用の電極 lhla、 lc5、 lc8が形成されている。 10層目のグリーンシート 310 には、キャパシタンス素子用の電極 chl、及びインダクタンス素子用の電極 lb26、 lb33 、 lb39、 lb6、 lbl8、 lbl2、 lhlb、 lc4、 lc7、 lilが形成されている。 11層目のグリーンシート 311には、インダクタンス素子用の電極 lb32、 lb40、 lhlc、 lc3、 lc6、 li2が形成されてい る。 12層目のグリーンシート 312には、キャパシタンス素子用の電極 crb7、 crb6、及び インダクタンス素子用の電極 lbl9、 lbl l、 lc2が形成されている。 13層目のグリーンシー ト 313には、キャパシタンス素子用の電極 cb2、 crb2b、 crb4bが形成されている。 14層 目のグリーンシート 314にはグランド電極 e2が形成されている。 15層目のグリーンシー ト 315には、キャパシタンス素子用の電極 cb2、 crb2b、 crb4b、及びインダクタンス素子 用の電極 W4、 ldl、 lbb3が形成されている。 16層目(最下層)のグリーンシート 316には グランド電極 elが形成されている。グリーンシート 316の裏面には、回路基板に実装 するための端子電極が形成されて 、る。
[0083] インダクタンス素子用のライン電極、キャパシタンス素子用のコンデンサ用電極、及 びグランド電極はグリーンシートに形成されたビアホールを介して接続されて 、る。図 31(a)〜(: c)の符号は、表 7に示す通り、ほぼ図 20及び図 24の符号と一致する。例えば 図 20のインダクタンス素子用のライン電極 lhlは図 31(a)〜(c)の電極 lhla、 lhlb、 lhlcか らなる。他の電極についても同じである。
[0084] [表 7]
図 20 図 31(a)〜(c)
l l l l a, 1Mb、 lhlc
crbl crblb、 crblc、 crbld
crb5 crb5b、 crb5c、 crb5d
crb2 crbla、 crb2a、 crb2b
lspl lspla、 lsplb、 lsplc、 lspld、 lsple
lsp2 lsp2a、 lsp2b、 lsp2c、 lsp2d、 lsp2e
lb3 lb3、 lb4、 lb5、 lb6
lb6 lb6、 lb7、 lb8、 lb9、 lb 10
lb 11 lbll、 lb 12, lbl3、 lb 14, lb 15
lb 15 lb 15, lb 16, lb 17, lb 18, lb 19
lb22 lb22、 lb23、 lb24、 lb25、 lb26
lb26 lb26、 lb27、 lb28、 lb29、 lb30
lb31 lb31、 lb32、 lb33、 lb34、 lb 35, lb36
lb36 lb36、 lb37、 lb38、 lb39、 lb40
lc2 lc2、 lc3、 lc4、 lc5
lc6 lc6、 lc7、 lc8、 lc9、 lclO
lcll lcll, lcl2
lo2 1ο2、 1ο3、 1ο4、 lo6
li3 U3、 li4
lil lil、 H2 高周波電力増幅回路 6の入力整合回路、電圧供給回路及び出力整合回路間のァ イソレーシヨンが不足すると、パワーアンプの誤動作及び発振が起きるおそれがある ので、これらの回路間のアイソレーションを十分に確保するように平面的なグランド電 極やそれに連結するビアホールの配置を最適化する。高周波電力増幅回路 6からの 不要ノイズの影響を受けにく 、ように、アンテナ ANTに接続する帯域通過フィルタを 構成する電極を高周波電力増幅回路 6からできるだけ遠く配置するのが望ま 、。同 様に、無線 LANの受信経路及びブルートゥースの送受信経路に設ける平衡-不平衡 変換回路を構成する電極も、高周波電力増幅回路 6からできるだけ遠く配置するの が望ましい。これにより、高周波電力増幅回路 6からの不要のノイズの混信が低減さ れ、受信感度が向上する。
[0086] 図 31(a)〜(: c)に示すように、積層基板 100の裏面には、中央部分にグランド電極 GN D、周辺にアンテナポート ANT、無線 LANの送信ポート llbg-T、無線 LANの受信ポ 一 Mlbg- R+、 llbg- R -、ブルートゥースの送受信ポート BLT-TR+、 BLT- TR -、グラン ドポート GND、高周波スィッチ回路用のコントロールポート Vcl、 Vc2、高周波電力増 幅回路用の電源ポート Vc、 Vb、 Vdd、及び検波回路の出力電圧ポート Vdetが配置さ れている。
[0087] 図 32は、本発明のさらに他の実施例による高周波回路部品の等価回路を示す。こ の実施例の回路は、分配回路 9をカップラ回路 11に置き換えた以外図 20に示す回路 と同じである。カップラ回路 11の主線路を無線 LANの受信側回路と接続し、副線路を ブルートゥースの送受信回路に接続している。主線路と副線路の結合比を任意に、 例えば無線 LANの受信側回路:ブルートゥースの送受信回路を 10: 1に設定すること ができる。
[0088] 図 33は図 32の高周波回路部品の外観を示し、図 34(a)〜(: c)はその積層基板 101の 各層の構成を示す。この実施例の回路は、分配回路をカップラ回路に置換した以外 図 30及び図 31(a)〜(: c)に示すものと同じである。積層基板 101に、図 30の抵抗素子 rsp の代わりにカップラ回路の抵抗素子 rcを搭載する。
[0089] 図 34(a)〜(; c)に示すように、積層基板 101の一番上(1層目)のグリーンシート 401には 、部品搭載用のランド電極及びインダクタンス素子用の電極 lcp2b、 lcplbが形成され ている。 2層目のグリーンシート 402にはグランド電極 e3が形成されている。 3層目のグ リーンシート 403には、キャパシタンス素子用の電極 crbla、 crb5a、インダクタンス素子 用の電極 lb21、 li4、及びグランド電極 e4が形成されている。 4層目のグリーンシート 40 4には、キャパシタンス素子用の電極 crblb、 crb6b、及びインダクタンス素子用の電極 lb22、 lb30、 lb2が形成されている。 5層目のグリーンシート 405には、キャパシタンス素 子用の電極 crblc、 crb5c、及びインダクタンス素子用の電極 lbl0、 lol、 1ο2、 li3が形成 されている。 6層目のグリーンシート 406には、キャパシタンス素子用の電極 crbld、 crb 5d、及びインダクタンス素子用の電極 lb23、 lb29、 lb36、 lb9、 lb3、 lbl5、 lcp2a、 lo3、 lcl 2が形成されている。 7層目のグリーンシート 407には、インダクタンス素子用の電極 lb3 5、 lb37、 lb8、 lb28、 lbl6、 lb8、 lbl4、 lb4、 lo4、 lcl0、 lcl lが形成されている。 8層目のグ リーンシート 408には、キャパシタンス素子用の電極 ch3、及びインダクタンス素子用の 電極 lb25、 lb34、 lb38、 lb27、 lb7、 lbl7、 lbl3、 lb5、 lrbl、 lrb2、 lcpl a, lo5、 lc9が形成さ れている。 9層目のグリーンシート 409には、キャパシタンス素子用の電極 ch2、及びィ ンダクタンス素子用の電極 lhla、 lc5、 lc8が形成されている。 10層目のグリーンシート 4 10には、キャパシタンス素子用の電極 chl、及びインダクタンス素子用の電極 lb26、 lb 33、 lb39、 lb6、 lbl8、 lbl2、 lhlb、 lc4、 lc7、 lilが形成されている。 11層目のグリーンシ ート 411には、インダクタンス素子用の電極 lb32、 lb40、 lhlc、 lc3、 lc6、 li2が形成されて いる。 12層目のグリーンシート 412には、キャパシタンス素子用の電極 crb7、 crb6、及 びインダクタンス素子用の電極 lbl9、 lbl l、 lc2が形成されている。 13層目のグリーンシ ート 413には、キャパシタンス素子用の電極 cb2、 crb2b、 crb4bが形成されている。 14 層目のグリーンシート 414には、グランド電極 e2が形成されている。 15層目のグリーン シート 415には、キャパシタンス素子用の電極 cb2、 crb2b、 crb4b、及びインダクタンス 素子用の電極 W4、 ldl、 lbb3が形成されている。 16層目のグリーンシート 416にはダラ ンド電極 elが形成されている。最下層のグリーンシート 416の裏面には、回路基板に 実装するための端子電極が形成されている。
[0090] インダクタンス素子用のライン電極、キャパシタンス素子用のコンデンサ用電極、及 びグランド電極はビアホールで接続されて 、る。図 34(a)〜(: c)の符号はできるだけ図 3 2及び図 33の符号と一致させている。カップラ回路の lcplは、積層体内の lcpla、 lcplb により構成され、 lcp2は、 lcp2a、 lcp2bにより構成されている。
[0091] 上記いずれの実施例においても、積層基板 100のうち高周波電力増幅回路 6が搭 載される部分には、放熱性を高めるサーマルビア TVが上面力 裏面にかけて設けら れているのが好ましい。また不要なノイズ輻射を抑制するために、グリーンシート 202、 214、 216に広いグランド電極 GNDが形成されているのが好ましい。積層基板 100には 回路が三次元的に形成されており、回路を構成する電極パターンは、他の回路を構 成する電極パターンとの不要な電磁気的干渉を防ぐため、平面的なグランド電極 GN D及びグランド電極 GNDに連結するビアホールにより分離したり、積層方向に互いに 重なったりしないようにしているのが好ましい。図 29は、このような回路の配置例を積 層方向の位置を無視して平面的に示したものである。

Claims

請求の範囲
[1] 少なくとも 2つの異なる通信システムで送受信可能なアンテナと、少なくとも 2つの異 なる通信システムの送信 ·受信回路との間に用いられる高周波回路であって、 前記アンテナと、第一の通信システムの送信側回路及び受信側回路、並びに第二 の通信システムの送受信側回路との三通りの接続を切り替える高周波スィッチ回路と 前記アンテナと前記高周波スィッチ回路との間に配置された第一の帯域通過フィ ノレタと、
前記第一の通信システムの受信側回路と前記高周波スィッチ回路との間に配置さ れた平衡ー不平衡変換回路とを
有することを特徴とする高周波回路。
[2] 請求項 1に記載の高周波回路にぉ 、て、前記第二の通信システムの送受信側回路 と前記高周波スィッチ回路との間に平衡ー不平衡変換回路を有することを特徴とす る高周波回路。
[3] 少なくとも 2つの異なる通信システムで送受信可能なアンテナと、少なくとも 2つの異 なる通信システムの送信 ·受信回路との間に用いられる高周波回路であって、 前記アンテナと、第一の通信システムの送信側回路、第二の通信システムの送信 側回路、及び第一の通信システム及び第二の通信システムに共用の受信側回路と の三通りの接続を切り替える高周波スィッチ回路と、
前記アンテナと前記高周波スィッチ回路との間に配置された第一の帯域通過フィ ノレタと、
受信信号を前記第一の通信システムの受信側回路と第二の通信システムの受信 側回路に分配するために両回路に共用の経路に設けられた分配回路又はカップラ 回路と、
前記分配回路又は前記カップラ回路と前記第一の通信システムの受信側回路との 間に配置された平衡ー不平衡変換回路とを
有することを特徴とする高周波回路。
[4] 請求項 3に記載の高周波回路において、前記分配回路又は前記カップラ回路と前 記第二の通信システムの受信側回路との間に平衡ー不平衡変換回路を有することを 特徴とする高周波回路。
[5] 請求項 3又は 4に記載の高周波回路において、前記第二の通信システムの送信側 回路と前記高周波スィッチ回路との間に平衡ー不平衡変換回路を有することを特徴 とする高周波回路。
[6] 少なくとも 2つの異なる通信システムで送受信可能なアンテナと、少なくとも 2つの異 なる通信システムの送信 ·受信回路との間に用いられる高周波回路であって、 前記アンテナと、第一の通信システムの送信側回路、並びに前記第一の通信シス テムの受信側回路及び第二の通信システムの送受信側回路に共用の経路との二通 りの接続を切り替える高周波スィッチ回路と、
前記アンテナと前記高周波スィッチ回路との間に配置された第一の帯域通過フィ ノレタと、
信号を前記第一の通信システムの受信側回路と前記第二の通信システムの送受 信側回路とに分配するために、前記第一の通信システムの受信側回路及び前記第 二の通信システムの送受信側回路に共用の経路に配置された分配回路又はカップ ラ回路とを
有することを特徴とする高周波回路。
[7] 請求項 6に記載の高周波回路において、前記分配回路又は前記カップラ回路と前 記第一の通信システムの受信側回路との間に平衡ー不平衡変換回路を有することを 特徴とする高周波回路。
[8] 請求項 6又は 7に記載の高周波回路において、前記分配回路又は前記カップラ回 路と前記第二の通信システムの送受信側回路との間に平衡ー不平衡変換回路を有 することを特徴とする高周波回路。
[9] 少なくとも 2つの異なる通信システムで送受信可能なアンテナと、少なくとも 2つの異 なる通信システムの送信 ·受信回路との間に用いられる高周波回路であって、 前記アンテナと、第一の通信システムの送信側回路及び前記第一の通信システム の受信側回路との二通りの接続を切り替える高周波スィッチ回路と、
前記アンテナと前記高周波スィッチ回路との間に配置された第一の帯域通過フィル タと、
信号を第二の通信システムの送受信側回路に分配するために、前記第一の帯域 通過フィルタと前記高周波スィッチ回路との間、又は前記第一の帯域通過フィルタと アンテナとの間に配置された分配回路又はカップラ回路とを
有することを特徴とする高周波回路。
[10] 請求項 9に記載の高周波回路において、前記第一の通信システムの受信側回路と 前記高周波スィッチ回路との間に平衡ー不平衡変換回路を有することを特徴とする 高周波回路。
[11] 請求項 9又は 10に記載の高周波回路において、前記第二の通信システムの送受信 側回路と前記分配回路又は前記カップラ回路との間に平衡ー不平衡変換回路を有 することを特徴とする高周波回路。
[12] 請求項 1〜11のいずれかに記載の高周波回路において、前記第一の通信システム の送信側回路と前記高周波スィッチ回路との間に高周波電力増幅回路を有すること を特徴とする高周波回路。
[13] 請求項 12記載の高周波回路において、前記高周波電力増幅回路と前記第一の通 信システムの送信側回路との間に第二の帯域通過フィルタを有することを特徴とする 高周波回路。
[14] 請求項 12又は 13に記載の高周波回路において、前記第一の通信システムの送信 側回路と前記高周波電力増幅回路との間に平衡ー不平衡変換回路を有することを 特徴とする高周波回路。
[15] 請求項 1〜14のいずれかに記載の高周波回路を用いた高周波回路部品であって、 セラミック誘電体材料と電極パターンとの積層体と、前記積層体上に搭載された少な くとも 1つの半導体素子とを有し、 (a)前記電極パターンは、 (1)前記第一の帯域通過 フィルタ及び前記平衡ー不平衡変換回路の少なくとも一つ、(2)前記第一の帯域通 過フィルタ及び前記分配回路又は前記カップラ回路の少なくとも一つ、又は (3)前記 第一の帯域通過フィルタ、前記平衡ー不平衡変換回路、及び前記分配回路又は前 記カップラ回路の少なくとも一つを主として構成するインダクタンス素子及び Z又はキ ャパシタンス素子の少なくとも一部を形成し、 (b)前記半導体素子は、 (1)前記高周波 スィッチ回路、又は (2)前記高周波スィッチ回路及び Z又は前記高周波電力増幅回 路を構成することを特徴とする高周波回路部品。
請求項 1〜15のいずれかに記載の高周波回路又は高周波回路部品を用いたことを 特徴とする通信装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009141930A (ja) * 2007-11-15 2009-06-25 Tdk Corp 高周波電子部品
JP2009141929A (ja) * 2007-11-16 2009-06-25 Tdk Corp 高周波電子部品
JP2011523523A (ja) * 2008-04-24 2011-08-11 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 回路構成
US9166285B2 (en) 2012-05-07 2015-10-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101528495B1 (ko) * 2008-02-05 2015-06-15 삼성전자주식회사 동시대기 휴대 단말기의 정합 장치
JP2011014659A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Murata Mfg Co Ltd 複合電子部品モジュール
US8638698B2 (en) 2011-07-26 2014-01-28 Motorola Mobility Llc Front end employing pin diode switch with high linearity and low loss for simultaneous transmission
US9306613B2 (en) * 2013-01-10 2016-04-05 Google Technology Holdings LLC Variable antenna match linearity
US10224723B2 (en) * 2015-09-25 2019-03-05 Intel Corporation Radio frequency filter for wireless power system
CN105680899B (zh) * 2016-03-09 2018-08-24 宁波萨瑞通讯有限公司 频段兼容的实现***及方法
JP2017208656A (ja) * 2016-05-17 2017-11-24 株式会社村田製作所 スイッチモジュール及び高周波モジュール
US10547290B2 (en) * 2017-09-13 2020-01-28 Apple Inc. Multi-radio front-end circuitry for radio frequency imbalanced antenna sharing system
US11381279B2 (en) 2020-11-19 2022-07-05 Apple Inc. Transceiver with shared filter for both transmit and receive modes
DK202170109A1 (en) * 2021-03-10 2022-09-13 Gn Hearing 2 As Hearing device comprising a module

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003087150A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波複合スイッチモジュール
JP2003143033A (ja) * 2001-11-01 2003-05-16 Hitachi Metals Ltd 高周波スイッチモジュール
JP2003152590A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Ngk Spark Plug Co Ltd アンテナスイッチモジュール
JP2003198419A (ja) * 2001-10-02 2003-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ及び無線通信機器
JP2004140696A (ja) * 2002-10-18 2004-05-13 Hitachi Metals Ltd 高周波スイッチ回路およびこれを用いたアンテナスイッチモジュール、アンテナスイッチ積層モジュールならびに通信装置

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI49345C (fi) 1972-05-15 1975-05-12 Ahlstroem Oy Laite tiivistysraon tukkeutumisen estämiseksi etenkin jätevesipumpussa tai sentapaisessa.
KR19980065967A (ko) 1997-01-17 1998-10-15 김광호 시스템 성능 개선을 위한 다중채널 시분할교신방식의 신호 송수신 장치
JPH1174819A (ja) 1997-08-29 1999-03-16 Kenwood Corp 無線機
US6009314A (en) * 1997-11-17 1999-12-28 Telefonaktiebolaget L/M Ericsson Monolithic high frequency antenna switch
US6735418B1 (en) * 1999-05-24 2004-05-11 Intel Corporation Antenna interface
US6560443B1 (en) 1999-05-28 2003-05-06 Nokia Corporation Antenna sharing switching circuitry for multi-transceiver mobile terminal and method therefor
US6553210B1 (en) 1999-08-03 2003-04-22 Alliedsignal Inc. Single antenna for receipt of signals from multiple communications systems
JP3999429B2 (ja) 2000-01-20 2007-10-31 株式会社ケンウッド 単信式無線機
DE60030086T2 (de) 2000-01-20 2007-01-04 Lucent Technologies Inc. Interoperabilität von Bluetooth und IEEE 802.11
JP3903456B2 (ja) * 2000-01-28 2007-04-11 日立金属株式会社 マルチバンド用高周波スイッチモジュール
JP3707351B2 (ja) * 2000-03-31 2005-10-19 株式会社村田製作所 高周波モジュール及びそれを用いた無線機器
JP2002118487A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波複合スイッチモジュール
JP2002208874A (ja) 2001-01-11 2002-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波回路
JP2002261674A (ja) 2001-03-05 2002-09-13 Toshiba Corp 加入者無線通信システムおよび加入者局装置
JP3758157B2 (ja) * 2001-04-04 2006-03-22 日立金属株式会社 Rf段モジュール
JP4224802B2 (ja) * 2002-03-18 2009-02-18 日立金属株式会社 ハイパスフィルタおよびこれを用いたマルチバンドアンテナスイッチ回路、マルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール並びに通信装置
KR100902296B1 (ko) 2001-08-10 2009-06-10 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 멀티 밴드 안테나 스위치 회로 및 이들을 사용한 적층 모듈 복합 부품과 통신 기기
US6985712B2 (en) * 2001-08-27 2006-01-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. RF device and communication apparatus using the same
US6750737B2 (en) 2001-10-02 2004-06-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High frequency switch and radio communication apparatus with layered body for saw filter mounting
JP2003174453A (ja) 2001-12-06 2003-06-20 Mitsumi Electric Co Ltd アクセスポイント装置
US6982609B1 (en) * 2002-05-15 2006-01-03 Zeevo System method and apparatus for a three-line balun with power amplifier bias
US7283793B1 (en) * 2002-05-15 2007-10-16 Broadcom Corporation Package filter and combiner network
JP2004015162A (ja) * 2002-06-04 2004-01-15 Hitachi Metals Ltd マルチバンド通信装置用rf回路及びアンテナスイッチモジュール
JP4245311B2 (ja) 2002-06-27 2009-03-25 株式会社東芝 電子機器及び通信制御方法
JP3982683B2 (ja) 2002-07-01 2007-09-26 Tdk株式会社 無線通信回路
US20040198420A1 (en) 2002-08-21 2004-10-07 Ziming He RF front-end of dual-mode wireless transciver
JP3909701B2 (ja) * 2002-09-17 2007-04-25 日立金属株式会社 高周波部品及び高周波モジュール並びにこれらを用いた通信機
JP4126651B2 (ja) 2002-10-25 2008-07-30 日立金属株式会社 高周波スイッチモジュール及び複合積層モジュール並びにこれらを用いた通信機
US20040185795A1 (en) 2003-02-05 2004-09-23 Khosro Shamsaifar Electronically tunable RF Front End Module
JP2004304471A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Tdk Corp フロントエンドモジュール、及び、無線機器
TWI226761B (en) 2003-05-08 2005-01-11 Ind Tech Res Inst Dual band transceiver architecture for wireless application
US7292827B2 (en) * 2004-10-29 2007-11-06 Freescale Semiconductor, Inc. System and method for providing a single-ended receive portion and a differential transmit portion in a wireless transceiver

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003087150A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波複合スイッチモジュール
JP2003198419A (ja) * 2001-10-02 2003-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ及び無線通信機器
JP2003143033A (ja) * 2001-11-01 2003-05-16 Hitachi Metals Ltd 高周波スイッチモジュール
JP2003152590A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Ngk Spark Plug Co Ltd アンテナスイッチモジュール
JP2004140696A (ja) * 2002-10-18 2004-05-13 Hitachi Metals Ltd 高周波スイッチ回路およびこれを用いたアンテナスイッチモジュール、アンテナスイッチ積層モジュールならびに通信装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009141930A (ja) * 2007-11-15 2009-06-25 Tdk Corp 高周波電子部品
JP2009141929A (ja) * 2007-11-16 2009-06-25 Tdk Corp 高周波電子部品
JP2011523523A (ja) * 2008-04-24 2011-08-11 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 回路構成
US9166285B2 (en) 2012-05-07 2015-10-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module

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