JP2009141930A - 高周波電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の送信信号を処理する送信回路において、電力増幅器の数を少なくして、送信回路の小型化、低コスト化を可能にする。
【解決手段】高周波電子部品１０は、不平衡信号の形態の送信信号UMTS Txが入力される入力端子１０ａと、平衡信号の形態の送信信号GSM Txが入力される入力端子１０ｂ１，１０ｂ２と、入力端子１０ｂ１，１０ｂ２に入力された平衡信号の形態の送信信号GSM Txを不平衡信号の形態の送信信号GSM Txに変換して出力するバラン１１と、スイッチ１２とを備えている。スイッチ１２は、入力ポート１２ａ，１２ｂに入力される信号を切り替えて出力ポート１２ｃより出力する。入力ポート１２ａには入力端子１０ａに入力された送信信号UMTS Txが入力され、入力ポート１２ｂにはバラン１１より出力された不平衡信号の形態の送信信号GSM Txが入力される。出力ポート１２ｃは電力増幅器１４に接続される。
【選択図】図２

Description

本発明は、複数の送信信号を処理する送信回路に用いられる高周波電子部品に関する。

近年、複数の周波数帯（マルチバンド）に対応可能な携帯電話機が実用化されている。一方、高速データ通信機能を有する第３世代の携帯電話機も普及している。そのため、携帯電話機には、マルチモード（複数方式）およびマルチバンドに対応することが求められている。

例えば、時分割多重接続（以下、ＴＤＭＡと記す。）方式でマルチバンド対応の携帯電話機は実用化されている。一方で、広帯域符号分割多重接続（以下、ＷＣＤＭＡと記す。）方式の携帯電話機も実用化されている。そこで、ＴＤＭＡ方式の既存の基盤（インフラ）を活かしながらＷＣＤＭＡ方式の通信も利用可能にするために、両方式の通信機能を有するマルチモードおよびマルチバンド対応の携帯電話機が求められている。例えば、欧州では、ＴＤＭＡ方式であるＧＳＭ（Global System for Mobile Communications）方式の携帯電話機において、ＷＣＤＭＡ方式であるＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunications System）方式の通信を行うことができることが求められている。

ところで、携帯電話機のような無線通信装置において送信信号の処理を行う送信回路では、送信信号を増幅する電力増幅器が必須の構成要素となる。この電力増幅器は、送信回路を構成する電子部品の中で比較すると高価である。

従来、ＧＳＭ方式のマルチバンド対応の携帯電話機では、周波数の近い２つのバンド（周波数帯）で１つの電力増幅器を共用することが行われていた。しかし、ＧＳＭ方式とＵＭＴＳ方式の通信機能を有するマルチモード対応の携帯電話機では、ＧＳＭ方式とＵＭＴＳ方式で１つの電力増幅器を共用することは行われていなかった。また、ＧＳＭ方式の１以上のバンドとＵＭＴＳ方式の複数のバンドの通信機能を有するマルチモードおよびマルチバンド対応の携帯電話機では、ＵＭＴＳ方式の複数のバンドで１つの電力増幅器を共用することは行われていなかった。

なお、特許文献１には、ＴＤＭＡモードとＣＤＭＡ（符号分割多重接続）モードとを選択的に切り換えて用いるマルチモード送信回路を有する無線通信装置が記載されている。また、特許文献１には、１つの電力増幅器の入力端にスイッチを接続し、このスイッチを用いて、複数種類の送信信号を選択的に電力増幅器に入力する技術が記載されている。

また、特許文献２には、送信経路と受信経路を切り換えるスイッチ回路と、送信経路に接続されたバルントランス回路と、受信経路に接続されたバルントランス回路とを有する高周波スイッチモジュールが記載されている。

特開２００６−１８６９５６号公報 特開２００３−１４３０３３号公報

ところで、ＧＳＭ方式とＵＭＴＳ方式とに対応可能な携帯電話機では、主に信号の変調および復調を行う集積回路によって、ＧＳＭ方式の送信信号は平衡信号の形態で生成され、ＵＭＴＳ方式の送信信号は不平衡信号の形態で生成される場合が多い。このような携帯電話機では、平衡信号の形態でのＧＳＭ方式の送信信号と不平衡信号の形態でのＵＭＴＳ方式の送信信号が送信回路に入力される。従来、この送信回路では、ＧＳＭ方式の送信信号とＵＭＴＳ方式の送信信号を、それぞれ別個の電力増幅器を用いて増幅していた。そのため、このような送信回路では、前述のように比較的高価な電力増幅器が複数必要となり、その結果、携帯電話機の小型化および低コスト化が妨げられるという問題点があった。

なお、特許文献１に記載された技術では、不平衡信号の形態の送信信号のみが取り扱われており、上述のような平衡信号の形態の送信信号と不平衡信号の形態の送信信号とが混在する場合については考慮されていない。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、複数の送信信号を処理する送信回路に用いられる高周波電子部品であって、送信回路に含まれる電力増幅器の数を少なくして、送信回路の小型化、低コスト化を可能にする高周波電子部品を提供することにある。

本発明の第１の高周波電子部品は、複数の送信信号を処理する送信回路に用いられるものであって、不平衡信号の形態の第１の送信信号が入力される第１の入力端子と、平衡信号の形態の第２の送信信号が入力される第２の入力端子と、第２の入力端子に入力された平衡信号の形態の第２の送信信号を不平衡信号の形態の第２の送信信号に変換して出力するバランと、スイッチとを備えている。スイッチは、第１の入力ポート、第２の入力ポートおよび出力ポートを有し、第１および第２の入力ポートに入力される信号を切り替えて出力ポートより出力する。第１の入力ポートには第１の入力端子に入力された第１の送信信号が入力され、第２の入力ポートにはバランより出力された不平衡信号の形態の第２の送信信号が入力される。出力ポートは、この出力ポートより出力される信号を増幅する電力増幅器に接続される。

本発明の第１の高周波電子部品では、バランによって、第２の入力端子に入力された平衡信号の形態の第２の送信信号が不平衡信号の形態の第２の送信信号に変換される。そして、スイッチによって、第１の入力端子に入力された不平衡信号の形態の第１の送信信号とバランより出力された不平衡信号の形態の第２の送信信号とが切り替えられて出力ポートより電力増幅器に対して出力される。

本発明の第１の高周波電子部品は、更に、電力増幅器を備えていてもよいし、第１の入力端子と第１の入力ポートとの間に設けられたバンドパスフィルタを備えていてもよい。

また、本発明の第１の高周波電子部品は、更に、第１の入力ポート、第２の入力ポートおよび出力ポートのそれぞれに接続された信号経路のうちの少なくとも１つに設けられたキャパシタを備えていてもよい。

また、本発明の第１の高周波電子部品は、更に、積層された複数の誘電体層を含む積層基板を備え、バランは、積層基板内に設けられた複数の導体層を用いて構成され、スイッチは、積層基板に搭載されていてもよい。

本発明の第２の高周波電子部品は、複数の送信信号を処理する送信回路に用いられるものであって、不平衡信号の形態の第１の送信信号が入力される第１の入力端子と、平衡信号の形態の第２の送信信号が入力される第２の入力端子と、第１の入力端子に入力された不平衡信号の形態の第１の送信信号を平衡信号の形態の第１の送信信号に変換して出力するバランと、スイッチとを備えている。スイッチは、第１の入力ポート、第２の入力ポートおよび出力ポートを有し、第１および第２の入力ポートに入力される信号を切り替えて出力ポートより出力する。第１の入力ポートにはバランより出力された平衡信号の形態の第１の送信信号が入力され、第２の入力ポートには第２の入力端子に入力された第２の送信信号が入力される。出力ポートは、この出力ポートより出力される信号を増幅する電力増幅器に接続される。

本発明の第２の高周波電子部品では、バランによって、第１の入力端子に入力された不平衡信号の形態の第１の送信信号が平衡信号の形態の第１の送信信号に変換される。そして、スイッチによって、バランより出力された平衡信号の形態の第１の送信信号と第２の入力端子に入力された平衡信号の形態の第２の送信信号とが切り替えられて出力ポートより電力増幅器に対して出力される。

本発明の第２の高周波電子部品は、更に、電力増幅器を備えていてもよいし、第１の入力端子とバランとの間に設けられたバンドパスフィルタを備えていてもよい。

また、本発明の第２の高周波電子部品は、更に、第１の入力ポート、第２の入力ポートおよび出力ポートのそれぞれに接続された信号経路のうちの少なくとも１つに設けられたキャパシタを備えていてもよい。

また、本発明の第２の高周波電子部品は、更に、積層された複数の誘電体層を含む積層基板を備え、バランは、積層基板内に設けられた複数の導体層を用いて構成され、スイッチは、積層基板に搭載されて構成されていてもよい。

本発明の第１の高周波電子部品では、バランによって、第２の入力端子に入力された平衡信号の形態の第２の送信信号を不平衡信号の形態の第２の送信信号に変換し、スイッチによって、第１の入力端子に入力された不平衡信号の形態の第１の送信信号とバランより出力された不平衡信号の形態の第２の送信信号とを切り替えて出力ポートより電力増幅器に対して出力する。これにより、本発明の第１の高周波電子部品によれば、平衡信号の形態の送信信号と不平衡信号の形態の送信信号とを処理する送信回路において、送信回路に含まれる電力増幅器の数を少なくでき、その結果、送信回路の小型化、低コスト化が可能になるという効果を奏する。

また、本発明の第２の高周波電子部品では、バランによって、第１の入力端子に入力された不平衡信号の形態の第１の送信信号を平衡信号の形態の第１の送信信号に変換し、スイッチによって、バランより出力された平衡信号の形態の第１の送信信号と第２の入力端子に入力された平衡信号の形態の第２の送信信号とを切り替えて出力ポートより電力増幅器に対して出力する。これにより、本発明の第２の高周波電子部品によれば、平衡信号の形態の送信信号と不平衡信号の形態の送信信号とを処理する送信回路において、送信回路に含まれる電力増幅器の数を少なくでき、その結果、送信回路の小型化、低コスト化が可能になるという効果を奏する。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品を含む携帯電話機の高周波回路の一例について説明する。図１は、この高周波回路の一例の回路構成を示すブロック図である。この高周波回路は、ＴＤＭＡ方式であるＧＳＭ方式の信号と、ＷＣＤＭＡ方式であるＵＭＴＳ方式の信号とを処理する。

ここで、ＧＳＭ方式の信号の種類を表１に示し、ＵＭＴＳ方式の信号の種類について表２に示す。表１、２において、「上り」の欄は送信信号の周波数帯を表し、「下り」の欄は受信信号の周波数帯を表している。

図１に示した高周波回路は、アンテナ１０１と、スイッチ１と、集積回路（以下、ＩＣと記す。）２とを備えている。スイッチ１は、４つのポート１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄを有し、ポート１ａをポート１ｂ，１ｃ，１ｄのいずれかに選択的に接続する。ポート１ａは、アンテナ１０１に接続されている。

ＩＣ２は、主に信号の変調および復調を行う回路である。本実施の形態では、ＩＣ２は、ＵＭＴＳ方式の送信信号UMTS TxとＧＳＭ方式の送信信号GSM Txとを生成し出力する。ＩＣ２が出力する送信信号UMTS Txは不平衡信号の形態であり、ＩＣ２が出力する送信信号GSM Txは平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、ＵＭＴＳ方式の受信信号UMTS RxとＧＳＭ方式の受信信号GSM Rxとを受け取る。ＩＣ２が受け取る受信信号UMTS Rxは不平衡信号の形態であり、ＩＣ２が受け取る受信信号GSM Rxは平衡信号の形態である。また、ＩＣ２は、端子２ａ，２ｂ１，２ｂ２，２ｃ，２ｄ１，２ｄ２を有している。送信信号UMTS Txは端子２ａより出力され、送信信号GSM Txは端子２ｂ１，２ｂ２より出力される。受信信号UMTS Rxは端子２ｃに入力され、受信信号GSM Rxは端子２ｄ１，２ｄ２に入力される。

送信信号GSM Txおよび受信信号GSM Rxは、表１に示した４つのシステムのうちの周波数帯の近いGSM850(AGSM)とGSM900(EGSM)の少なくとも一方における送信信号および受信信号、または、表１に示した４つのシステムのうちの周波数帯の近いGSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)の少なくとも一方における送信信号および受信信号である。本実施の形態では、送信信号GSM Txおよび受信信号GSM Rxが、GSM850(AGSM)とGSM900(EGSM)の少なくとも一方における送信信号および受信信号である場合には、送信信号UMTS Txおよび受信信号UMTS Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM850(AGSM)およびGSM900(EGSM)と周波数帯の近いバンドＶ、VI、VIIIのいずれかにおける送信信号および受信信号である。また、送信信号GSM Txおよび受信信号GSM Rxが、GSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)の少なくとも一方における送信信号および受信信号である場合には、送信信号UMTS Txおよび受信信号UMTS Rxは、表２に示した１０のバンドのうち、GSM1800(DCS)およびGSM1900(PCS)と周波数帯の近いバンドＩ、II、III、IV、IX、Ｘのいずれかにおける送信信号および受信信号である。

高周波回路は、更に、スイッチ３と、デュプレクサ４と、バンドパスフィルタ（以下、ＢＰＦと記す。）５，６と、送信回路７と、ローパスフィルタ（以下、ＬＰＦと記す。）８とを備えている。スイッチ３は、３つのポート３ａ，３ｂ，３ｃを有し、ポート３ａをポート３ｂ，３ｃのいずれかに選択的に接続する。ポート３ｃは、ＬＰＦ８を介してスイッチ１のポート１ｃに接続されている。

デュプレクサ４は、第１ないし第３のポートと２つのＢＰＦ４ａ，４ｂとを有している。第１のポートは、スイッチ１のポート１ｂに接続されている。ＢＰＦ４ａは第１のポートと第２のポートとの間に設けられている。ＢＰＦ４ｂは第１のポートと第３のポートとの間に設けられている。デュプレクサ４の第２のポートは、ＢＰＦ５を介して、ＩＣ２の端子２ｃに接続されている。デュプレクサ４の第３のポートは、スイッチ３のポート３ｂに接続されている。

ＢＰＦ６は、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。ＢＰＦ６の２つの平衡出力端は、ＩＣ２の端子２ｄ１，２ｄ２に接続されている。ＢＰＦ６の不平衡入力端は、スイッチ１のポート１ｄに接続されている。

図２は、送信回路７の回路構成を示している。送信回路７は、複数の送信信号、すなわち送信信号UMTS Txと送信信号GSM Txとを処理する。送信回路７は、入力端７ａ，７ｂ１，７ｂ２と出力端７ｃとを備えている。入力端７ａは、ＩＣ２の端子２ａに接続されている。入力端７ｂ１，７ｂ２は、ＩＣ２の端子２ｂ１，２ｂ２に接続されている。出力端７ｃは、スイッチ３のポート３ａに接続されている。

また、送信回路７は、バラン１１と、スイッチ１２と、ＢＰＦ１３と、電力増幅器１４とを備えている。バラン１１は、２つの平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。バラン１１の２つの平衡入力端は、送信回路７の入力端７ｂ１，７ｂ２に接続されている。スイッチ１２は、２つの入力ポート１２ａ，１２ｂと１つの出力ポート１２ｃとを有し、出力ポート１２ｃを入力ポート１２ａ，１２ｂのいずれかに選択的に接続する。バラン１１の不平衡出力端は、スイッチ１２の入力ポート１２ｂに接続されている。スイッチ１２の入力ポート１２ａは、ＢＰＦ１３を介して、送信回路７の入力端７ａに接続されている。スイッチ１２の出力ポート１２ｃは、電力増幅器１４の入力端に接続されている。電力増幅器１４の出力端は、送信回路７の出力端７ｃに接続されている。電力増幅器１４は、スイッチ１２の出力ポート１２ｃより出力される信号を増幅する。本実施の形態に係る高周波電子部品１０は、図２に示した送信回路７に用いられるものである。

バラン１１は、例えば、インダクタとキャパシタとを用いるＬＣ回路によって構成されていてもよいし、共振器を用いて構成されていてもよい。スイッチ１２は、例えば、モノリシックマイクロ波集積回路（以下、ＭＭＩＣと記す。）によって構成されていてもよいし、ＰＩＮダイオードを用いて構成されていてもよい。ＢＰＦ１３は、例えば弾性表面波素子によって構成されていてもよい。電力増幅器１４は、例えばＭＭＩＣによって構成されていてもよい。

なお、図１に示したように、送信信号GSM Txの信号経路にはＢＰＦが設けられていないのに対し、送信信号UMTS Txの信号経路にはＢＰＦ１３が設けられている。その理由は、以下の通りである。ＴＤＭＡ方式では送信信号と受信信号が時分割されるが、ＵＭＴＳ方式では送信信号と受信信号が時分割されない。そのため、ＵＭＴＳ方式では、送信信号と受信信号の間における非常に高いアイソレーションが必要とされる。この高いアイソレーションを実現するために、通常、ＵＭＴＳ方式の送信信号を出力するＩＣとＵＭＴＳ方式の送信信号を増幅する電力増幅器との間にＢＰＦが設けられる。そのため、本実施の形態でも、ＩＣ２と電力増幅器１４との間の送信信号UMTS Txの信号経路にＢＰＦ１３を設けている。スイッチ３のポート３ｃとスイッチ１のポート１ｃとの間の送信信号GSM Txの信号経路に設けられたＬＰＦ８は、電力増幅器１４で発生した、送信信号に対する逓倍波のスプリアス信号を抑圧するためのものである。

図３は、高周波電子部品１０の回路構成を示す回路図である。高周波電子部品１０は、入力端子１０ａ，１０ｂ１，１０ｂ２と出力端子１０ｃと、上記のバラン１１とスイッチ１２とを備えている。入力端子１０ａは、ＢＰＦ１３の出力端とスイッチ１２の入力ポート１２ａとに接続されている。入力端子１０ｂ１，１０ｂ２は、送信回路７の入力端７ｂ１，７ｂ２に接続されている。また、入力端子１０ｂ１，１０ｂ２は、バラン１１の２つの平衡入力端に接続されている。出力端子１０ｃは、スイッチ１２の出力ポート１２ｃと電力増幅器１４の入力端とに接続されている。スイッチ１２は、このスイッチ１２を制御するための制御信号ＶＣ１，ＶＣ２が入力される制御端子１２ｄ，１２ｅを有している。

図３には、バラン１１がインダクタとキャパシタとを用いるＬＣ回路によって構成された例を示している。この例では、バラン１１は、２つのインダクタＬ１，Ｌ２と２つのキャパシタＣ１，Ｃ２とを有している。インダクタＬ１の一端とキャパシタＣ１の一端は、バラン１１の不平衡出力端に接続されている。インダクタＬ１の他端は、入力端子１０ｂ２に接続されたバラン１１の平衡入力端に接続されていると共に、キャパシタＣ２を介してグランドに接続されている。キャパシタＣ１の他端は、入力端子１０ｂ１に接続されたバラン１１の平衡入力端に接続されていると共に、インダクタＬ２を介してグランドに接続されている。

また、図３に示した例では、高周波電子部品１０は、スイッチ１２の入力ポート１２ｂとバラン１１の不平衡出力端との間の信号経路に設けられたキャパシタＣ３と、スイッチ１２の出力ポート１２ｃと出力端子１０ｃとの間の信号経路に設けられたキャパシタＣ４とを備えている。これらのキャパシタＣ３，Ｃ４は、制御信号ＶＣ１，ＶＣ２に起因した直流電流が、ポート１２ｂ，１２ｃに接続された信号経路に流れることを防止するためのものである。なお、図３に示した例では、スイッチ１２の入力ポート１２ａと入力端子１０ａとの間の信号経路にはキャパシタが設けられていない。これは、入力端子１０ａに接続されたＢＰＦ１３が直流電流の通過を阻止する機能を有しているためである。入力ポート１２ａより、制御信号ＶＣ１，ＶＣ２に起因した直流電流が発生する場合であって、ＢＰＦ１３が直流電流の通過を阻止する機能を有していない場合やＢＰＦ１３が直流電流に対する耐性が小さい場合には、スイッチ１２の入力ポート１２ａと入力端子１０ａとの間の信号経路に、直流電流の通過を阻止するキャパシタを設けてもよい。また、ポート１２ｂに接続された信号経路やポート１２ｃに接続された信号経路において、制御信号ＶＣ１，ＶＣ２に起因した直流電流の通過を阻止する必要がない場合には、キャパシタＣ３またはキャパシタＣ４を設けなくてもよい。スイッチ１２のポート１２ａ，１２ｂ，１２ｃに接続された各信号経路には、その信号経路において制御信号ＶＣ１，ＶＣ２に起因した直流電流の通過を阻止する必要がある場合にキャパシタが設けられる。スイッチ１２のポート１２ａ，１２ｂ，１２ｃに接続された各信号経路にキャパシタを設けることの要否については、後で詳しく説明する。なお、図１および図２では、キャパシタＣ３，Ｃ４の図示を省略している。

本実施の形態に係る高周波電子部品３０は、本発明の第１の高周波電子部品に対応する。本実施の形態において、不平衡信号の形態の送信信号UMTS Txは本発明の第１の高周波電子部品における第１の送信信号に対応し、平衡信号の形態の送信信号GSM Txは本発明の第１の高周波電子部品における第２の送信信号に対応する。また、入力端子１０ａは本発明の第１の高周波電子部品における第１の入力端子に対応し、入力端子１０ｂ１，１０ｂ２は本発明の第１の高周波電子部品における第２の入力端子に対応する。バラン１１は、入力端子１０ｂ１，１０ｂ２に入力された平衡信号の形態の送信信号GSM Txを不平衡信号の形態の送信信号GSM Txに変換して出力する。スイッチ１２の入力ポート１２ａには、入力端子１０ａに入力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Txが入力される。スイッチ１２の入力ポート１２ｂには、バラン１１より出力された不平衡信号の形態の送信信号GSM Txが入力される。スイッチ１２の出力ポート１２ｃは、この出力ポート１２ｃより出力される信号を増幅する電力増幅器１４に接続される。

次に、本実施の形態に係る高周波電子部品１０を含む高周波回路の作用について説明する。ＩＣ２は、不平衡信号の形態の送信信号UMTS Txと、平衡信号の形態の送信信号GSM Txとを生成し出力する。送信信号UMTS Txは、送信回路７のＢＰＦ１３を通過して、高周波電子部品１０のスイッチ１２の入力ポート１２ａに入力される。平衡信号の形態の送信信号GSM Txは、バラン１１によって不平衡信号の形態の送信信号GSM Txに変換され、この不平衡信号の形態の送信信号GSM Txがスイッチ１２の入力ポート１２ｂに入力される。スイッチ１２は、制御端子１２ｄ，１２ｅに入力される制御信号ＶＣ１，ＶＣ２の状態に応じて、入力ポート１２ａに入力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Txとバラン１１より出力された不平衡信号の形態の送信信号GSM Txとを切り替えて、電力増幅器１４に対して出力する。電力増幅器１４に入力された送信信号は、電力増幅器１４によって増幅されて、スイッチ３のポート３ａに入力される。

送信信号UMTS Txの送信時には、スイッチ３のポート３ａはポート３ｂに接続され、スイッチ１のポート１ａはポート１ｂに接続される。この場合、送信信号UMTS Txは、スイッチ３、デュプレクサ４のＢＰＦ４ｂおよびスイッチ１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。

送信信号GSM Txの送信時には、スイッチ３のポート３ａはポート３ｃに接続され、スイッチ１のポート１ａはポート１ｃに接続される。この場合、送信信号GSM Txは、スイッチ３、ＬＰＦ８およびスイッチ１を順に通過してアンテナ１０１に供給され、このアンテナ１０１より送信される。

図１に示した高周波回路において、スイッチ１のポート１ａがポート１ｂに接続されている状態では、受信信号UMTS Rxの処理が可能である。この状態では、アンテナ１０１によって受信された受信信号UMTS Rxは、スイッチ１、デュプレクサ４のＢＰＦ４ａおよびＢＰＦ５を順に通過して、ＩＣ２に入力される。

図１に示した高周波回路において、スイッチ１のポート１ａがポート１ｄに接続されている状態では、受信信号GSM Rxの処理が可能である。この状態では、アンテナ１０１によって受信された受信信号GSM Rxは、スイッチ１およびＢＰＦ６を順に通過して、ＩＣ２に入力される。

本実施の形態に係る高周波電子部品１０では、バラン１１によって、入力端子１０ｂ１，１０ｂ２に入力された平衡信号の形態の送信信号GSM Txを不平衡信号の形態の送信信号GSM Txに変換し、スイッチ１２によって、入力端子１０ａに入力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Txとバラン１１より出力された不平衡信号の形態のGSM Txとを切り替えて出力ポート１２ａより電力増幅器１４に対して出力する。これにより、本実施の形態によれば、平衡信号の形態の送信信号GSM Txと不平衡信号の形態の送信信号UMTS Txとを処理する送信回路７において、送信回路７に含まれる電力増幅器の数を少なくでき、その結果、送信回路７の小型化、低コスト化が可能になる。

次に、本実施の形態に係る高周波電子部品１０の構造について説明する。図４は、高周波電子部品１０の外観を示す斜視図である。図５は、高周波波電子部品１０の平面図である。図４および図５に示したように、高周波電子部品１０は、高周波電子部品１０の各要素を一体化する積層基板２０を備えている。後で詳しく説明するが、積層基板２０は、積層された複数の誘電体層を含んでいる。また、積層基板２０は、上面２０ａと底面２０ｂと４つの側面とを有し、直方体形状をなしている。

高周波電子部品１０における回路は、積層基板２０内に設けられた導体層と、上記誘電体層と、積層基板２０の上面２０ａに搭載された素子とを用いて構成されている。ここでは、一例として、上面２０ａに、スイッチ１２とキャパシタＣ３，Ｃ４が搭載されているものとする。

次に、図６ないし図１０を参照して、積層基板２０における誘電体層と導体層について詳しく説明する。図６において（ａ）、（ｂ）は、それぞれ上から１層目、２層目の誘電体層の上面を示している。図７において（ａ）、（ｂ）は、それぞれ上から３層目、４層目の誘電体層の上面を示している。図８において（ａ）、（ｂ）は、それぞれ上から５層目、６層目の誘電体層の上面を示している。図９において（ａ）、（ｂ）は、それぞれ上から７層目、８層目の誘電体層の上面を示している。図１０（ａ）は、上から９層目の誘電体層の上面を示している。図１０（ｂ）は、上から９層目の誘電体層およびその下の導体層を、上から見た状態で表したものである。図６ないし図１０において、丸印はスルーホールを表している。

図６（ａ）に示した１層目の誘電体層２１の上面には、スイッチ１２が接続される導体層２１２Ａ〜２１２Ｇと、キャパシタＣ３が接続される導体層２１３Ａ，２１３Ｂと、キャパシタＣ４が接続される導体層２１４Ａ，２１４Ｂとが形成されている。導体層２１２Ａはスイッチ１２のポート１２ａに接続されている。導体層２１２Ｃはスイッチ１２のポート１２ｂに接続されている。導体層２１２Ｅはスイッチ１２のポート１２ｃに接続されている。導体層２１２Ｆはスイッチ１２の制御端子１２ｄに接続されている。導体層２１２Ｄはスイッチ１２の制御端子１２ｅに接続されている。導体層２１２Ｂ，２１２Ｇは、スイッチ１２のグランドに接続されている。また、誘電体層２１には、上記各導体層に接続された複数のスルーホールが形成されている。

図６（ｂ）に示した２層目の誘電体層２２の上面には、導体層２２１，２２２，２２３，２２４，２２５，２２６が形成されている。導体層２２１には、誘電体層２１に形成されたスルーホールを介して導体層２１２Ａが接続されている。導体層２２２には、誘電体層２１に形成されたスルーホールを介して導体層２１２Ｄが接続されている。導体層２２３には、誘電体層２１に形成されたスルーホールを介して導体層２１２Ｆが接続されている。導体層２２４には、それぞれ誘電体層２１に形成されたスルーホールを介して導体層２１２Ｃ，２１３Ａが接続されている。導体層２２５には、誘電体層２１に形成されたスルーホールを介して導体層２１４Ａが接続されている。導体層２２６には、それぞれ誘電体層２１に形成されたスルーホールを介して導体層２１２Ｅ，２１４Ｂが接続されている。また、誘電体層２２には、それぞれ導体層２２１，２２２，２２３，２２５に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。

図７（ａ）に示した３層目の誘電体層２３の上面には、キャパシタ用導体層２３１とグランド用導体層２３２が形成されている。導体層２３１には、誘電体層２１，２２に形成されたスルーホールを介して導体層２１３Ｂが接続されている。導体層２３２には、誘電体層２１，２２に形成されたスルーホールを介して導体層２１２Ｂ，２１２Ｇが接続されている。また、誘電体層２３には、それぞれ導体層２３１，２３２に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。

図７（ｂ）に示した４層目の誘電体層２４の上面には、キャパシタ用導体層２４１，２４２と導体層２４３が形成されている。導体層２３１，２４１と、これらの間に配置された誘電体層２３は、図３におけるキャパシタＣ１を構成する。導体層２３２，２４２と、これらの間に配置された誘電体層２３は、図３におけるキャパシタＣ２を構成する。導体層２４３には、誘電体層２３に形成された２つのスルーホールを介して導体層２３２が接続されている。また、誘電体層２４には、それぞれ導体層２４１，２４２，２４３に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。

図８（ａ）に示した５層目の誘電体層２５の上面には、インダクタ用導体層２５１，２５２と導体層２５３が形成されている。導体層２５１には、誘電体層２４に形成されたスルーホールを介して導体層２４２が接続されている。導体層２５２には、誘電体層２４に形成されたスルーホールを介して導体層２４１が接続されている。導体層２５３には、誘電体層２４に形成された２つのスルーホールを介して導体層２４３が接続されている。また、誘電体層２５には、それぞれ導体層２５１，２５２，２５３に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。

図８（ｂ）に示した６層目の誘電体層２６の上面には、インダクタ用導体層２６１，２６２と導体層２６３が形成されている。導体層２６１には、誘電体層２５に形成されたスルーホールを介して導体層２５１が接続されている。導体層２６２には、誘電体層２５に形成されたスルーホールを介して導体層２５２が接続されている。導体層２６３には、誘電体層２５に形成された２つのスルーホールを介して導体層２５３が接続されている。また、誘電体層２６には、それぞれ導体層２６１，２６２，２６３に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。

図９（ａ）に示した７層目の誘電体層２７の上面には、インダクタ用導体層２７１，２７２と導体層２７３が形成されている。導体層２７１には、誘電体層２６に形成されたスルーホールを介して導体層２６１が接続されている。導体層２７２には、誘電体層２６に形成されたスルーホールを介して導体層２６２が接続されている。導体層２７３には、誘電体層２６に形成された２つのスルーホールを介して導体層２６３が接続されている。また、誘電体層２７には、それぞれ導体層２７１，２７２，２７３に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。

図９（ｂ）に示した８層目の誘電体層２８の上面には、インダクタ用導体層２８１，２８２と導体層２８３が形成されている。導体層２８１には、誘電体層２７に形成されたスルーホールを介して導体層２７１が接続されている。また、導体層２８１には、誘電体層２３〜２７に形成されたスルーホールを介して導体層２３１が接続されている。導体層２８２には、誘電体層２７に形成されたスルーホールを介して導体層２７２が接続されている。導体層２８３には、誘電体層２７に形成された２つのスルーホールを介して導体層２７３が接続されている。また、誘電体層２８には、それぞれ導体層２８２，２８３に接続されたスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。

図３に示したインダクタＬ１は、導体層２５１，２６１，２７１，２８１と、これらを直列に接続するスルーホールによって構成されている。図３に示したインダクタＬ２は、導体層２５２，２６２，２７２，２８２と、これらを直列に接続するスルーホールによって構成されている。

図１０（ａ）に示した９層目の誘電体層２９の上面には、グランド用導体層２９１が形成されている。導体層２９１には、それぞれ誘電体層２８に形成されたスルーホールを介して導体層２８２，２８３が接続されている。また、導体層２９１には、誘電体層２３〜２８に形成されたスルーホールを介して導体層２３２が接続されている。また、誘電体層２９には、導体層２９１に接続された複数のスルーホールと、その他の複数のスルーホールが形成されている。

図１０（ｂ）に示したように、誘電体層２９の下面、すなわち積層基板２０の底面２０ｂには、入力端子１０ａ，１０ｂ１，１０ｂ２を構成する導体層３１０ａ，３１０ｂ１，３１０ｂ２と、出力端子１０ｃを構成する導体層３１０ｃと、制御端子１２ｄ，１２ｅを構成する導体層３１２ｄ，３１２ｅと、グランド端子を構成する導体層Ｇ１〜Ｇ１１とが形成されている。

導体層３１０ａには、誘電体層２１〜２９に形成されたスルーホールと導体層２２１を介して導体層２１２Ａが接続されている。導体層３１０ｂ１には、誘電体層２４〜２９に形成されたスルーホールを介して導体層２４１が接続されている。導体層３１０ｂ２には、誘電体層２４〜２９に形成されたスルーホールを介して導体層２４２が接続されている。導体層３１０ｃには、誘電体層２１〜２９に形成されたスルーホールと導体層２２５を介して導体層２１４Ａが接続されている。導体層３１２ｄには、誘電体層２１〜２９に形成されたスルーホールと導体層２２３を介して導体層２１２Ｆが接続されている。導体層３１２ｅには、誘電体層２１〜２９に形成されたスルーホールと導体層２２２を介して導体層２１２Ｄが接続されている。導体層Ｇ１〜Ｇ１１には、誘電体層２９に形成されたスルーホールを介して導体層２９１が接続されている。また、導体層Ｇ１〜Ｇ１１は、グランドに接続されるようになっている。

上述の１層目ないし９層目の誘電体層２１〜２９および導体層が積層されて、図４に示した積層基板２０が形成される。この積層基板２０の上面２０ａには、スイッチ１２とキャパシタＣ３，Ｃ４が搭載される。バラン１１は、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いて構成されている。なお、本実施の形態において、積層基板２０としては、誘電体層の材料として樹脂、セラミック、あるいは両者を複合した材料を用いたもの等、種々のものを用いることができる。しかし、積層基板２０としては、特に、高周波特性に優れた低温同時焼成セラミック多層基板を用いることが好ましい。

次に、比較例と比較しながら、本実施の形態の効果について説明する。図１１は、比較例の高周波回路の回路構成を示すブロック図である。この比較例の高周波回路は、図１に示した高周波回路におけるスイッチ３，１２を備えておらず、図１に示した高周波回路における電力増幅器１４の代りに２つの電力増幅器１４Ａ，１４Ｂを備えている。比較例の高周波回路では、ＢＰＦ１３より出力された送信信号UMTS Txは、電力増幅器１４Ａによって増幅されて、デュプレクサ４のＢＰＦ４ｂに入力される。また、バラン１１より出力された送信信号GSM Txは、電力増幅器１４Ｂによって増幅されて、ＬＰＦ８を通過してスイッチ１のポート１ｃに入力される。比較例の高周波回路では、バラン１１、ＢＰＦ１３および電力増幅器１４Ａ，１４Ｂが送信回路を構成する。比較例の高周波回路のその他の構成は、図１に示した高周波回路と同様である。

図１１に示した比較例では、比較的高価な電力増幅器が２つ必要となり、その結果、送信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化および低コスト化が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、送信信号UMTS Txと送信信号GSM Txとで１つの電力増幅器１４を共用するため、比較例に比べて、送信回路７に含まれる電力増幅器の数を１つ少なくすることができ、その結果、送信回路７およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。なお、本実施の形態では、比較例と比べると、電力増幅器を１つ減らすことができるが、新たに２つのスイッチ３，１２が必要なる。しかし、スイッチは電力増幅器に比べると安価であるため、本実施の形態では比較例に比べてコストを低減することができる。

また、本実施の形態のように、バラン１１とスイッチ１２を含む１つの高周波電子部品１０を構成することにより、バラン１１とスイッチ１２を別個の素子として構成して、これらを基板に実装する場合に比べて、送信回路７におけるバラン１１およびスイッチ１２の占有面積を小さくすることが可能になる。この点からも、本実施の形態によれば、送信回路７およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化が可能になる。

また、本実施の形態に係る高周波電子部品１０は、積層基板２０を備え、バラン１１は、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いて構成され、スイッチ１２は、積層基板２０に搭載されている。図６ないし図１０に示したように、バラン１１は、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いて容易に構成することが可能である。そのため、本実施の形態のように、バラン１１を、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いて構成し、スイッチ１２を積層基板２０に搭載することにより、特に、送信回路７における高周波電子部品１０の占有面積を小さくすることが可能になる。従って、本実施の形態によれば、送信回路７およびそれを含む携帯電話機の高周波回路をより一層小型化することが可能になる。

ここで、本実施の形態に係る高周波電子部品１０におけるスイッチ１２の構成と、スイッチ１２に接続された信号経路にキャパシタを設けることの要否について詳しく説明する。まず、スイッチ１２としては、ＭＭＩＣによって構成されたスイッチや、ＰＩＮダイオードを用いて構成されたスイッチを用いることができる。ＭＭＩＣによって構成されたスイッチには、デプレッション型の電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴと記す。）を用いたものと、エンハンスメント型のＦＥＴを用いたものとがある。デプレッション型のＦＥＴでは、ゲート電圧が０でもドレイン電流が流れる。エンハンスメント型のＦＥＴでは、ゲート電圧が０のときにはドレイン電流は流れない。デプレッション型のＦＥＴとしては、例えばＧａＡｓ系のｐＨＥＭＴ（シュードモルフィック高電子移動度トランジスタ）がある。エンハンスメント型のＦＥＴとしては、例えばＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）がある。

スイッチ１２として、ＭＭＩＣによって構成されたスイッチであってデプレッション型のＦＥＴを用いて構成されたものを用いる場合、またはＰＩＮダイオードを用いて構成されたスイッチを用いる場合には、原則として、スイッチ１２の各ポートに接続された各信号経路に、直流電流の通過を阻止するキャパシタを設ける必要がある。ただし、上記信号経路に接続される素子が、直流電流の通過を阻止する機能を有し、且つ直流電流に対する耐性が大きい場合には、その信号経路には、直流電流の通過を阻止するキャパシタを設けなくてもよい。

スイッチ１２としてＭＭＩＣによって構成されたスイッチであってエンハンスメント型のＦＥＴを用いて構成されたものを用いる場合には、スイッチ１２の各ポートに接続された各信号経路に、直流電流の通過を阻止するキャパシタを設ける必要はない。

次に、図１２を参照して、バラン１１の他の構成について説明する。図１２に示したバラン１１は、共振器を用いて構成されたものである。このバラン１１は、２つの平衡入力端１１１，１１２と、１つの不平衡出力端１１３と、４つの１／４波長共振器１１４，１１５，１１６，１１７とを有している。１／４波長共振器１１４の一端は平衡入力端１１１に接続され、１／４波長共振器１１４の他端はグランドに接続されている。１／４波長共振器１１５の一端は平衡入力端１１２に接続され、１／４波長共振器１１５の他端はグランドに接続されている。１／４波長共振器１１６の一端は不平衡出力端１１３に接続され、１／４波長共振器１１６の他端は１／４波長共振器１１７の一端に接続されている。１／４波長共振器１１６は１／４波長共振器１１４と結合し、１／４波長共振器１１７は１／４波長共振器１１５と結合している。

図３に示したＬＣ回路によって構成されたバラン１１は、挿入損失は小さいが、振幅バランス特性のよい周波数帯域は狭い。一方、図１２に示した共振器を用いて構成されたバラン１１は、挿入損失はやや大きいが、振幅バランス特性のよい周波数帯域は広い。また、図１２に示した共振器を用いて構成されたバラン１１では、平衡入力端１１１，１１２と不平衡出力端１１３との間において直流電流の通過が阻止される。そのため、図１２に示したバラン１１を用いる場合には、スイッチ１２として原則として各ポートに接続された各信号経路に直流電流の通過を阻止するキャパシタを設ける必要のあるスイッチを用いる場合であっても、スイッチ１２とバラン１１との間の信号経路に、直流電流の通過を阻止するキャパシタを設けなくてもよい。

図１２に示した共振器を用いて構成されたバラン１１は、図３に示したＬＣ回路によって構成されたバラン１１と同様に、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いて構成することができる。

次に、図１３を参照して、本実施の形態に係る高周波電子部品の第１ないし第３の変形例について説明する。図１３は、送信回路７のうち各変形例の高周波電子部品に含まれる部分を示している。第１の変形例の高周波電子部品１０Ａは、バラン１１およびスイッチ１２に加えて電力増幅器１４を備えている。この高周波電子部品１０Ａにおいて、電力増幅器１４は積層基板２０の上面２０ａに搭載されてもよい。また、電力増幅器１４の入力端はスイッチ１２の出力ポート１２ｃに接続され、電力増幅器１４の出力端は高周波電子部品１０Ａの出力端に接続される。すなわち、電力増幅器１４は、出力ポート１２ｃと高周波電子部品１０Ａの出力端との間に設けられる。

第２の変形例の高周波電子部品１０Ｂは、バラン１１およびスイッチ１２に加えてＢＰＦ１３を備えている。この高周波電子部品１０Ｂにおいて、ＢＰＦ１３は、積層基板２０の上面２０ａに搭載されてもよい。また、ＢＰＦ１３の入力端は送信信号UMTS Txが入力される高周波電子部品１０Ｂの入力端子に接続され、ＢＰＦ１３の出力端はスイッチ１２の入力ポート１２ａに接続される。すなわち、ＢＰＦ１３は、入力ポート１２ａと送信信号UMTS Txが入力される高周波電子部品１０Ｂの入力端子との間に設けられる。

第３の変形例の高周波電子部品１０Ｃは、バラン１１およびスイッチ１２に加えて電力増幅器１４およびＢＰＦ１３を備えている。この高周波電子部品１０Ｃにおいて、電力増幅器１４およびＢＰＦ１３は、積層基板２０の上面２０ａに搭載されてもよい。電力増幅器１４の入力端はスイッチ１２の出力ポート１２ｃに接続され、電力増幅器１４の出力端は高周波電子部品１０Ｃの出力端に接続される。ＢＰＦ１３の入力端は送信信号UMTS Txが入力される高周波電子部品１０Ｃの入力端子に接続され、ＢＰＦ１３の出力端はスイッチ１２のポート１２ａに接続される。

［第２の実施の形態］
次に、図１４を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る高周波電子部品について説明する。図１４は、本実施の形態に係る高周波電子部品３０を含む送信回路７を示している。本実施の形態における送信回路７は、第１の実施の形態における電力増幅器１４の代りに、２つの平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有する平衡入力型の電力増幅器３４を備えている。また、本実施の形態における送信回路７は、第１の実施の形態に係る高周波電子部品１０の代りに本実施の形態に係る高周波電子部品３０を備えている。

高周波電子部品３０は、入力端子３０ａ，３０ｂ１，３０ｂ２と、出力端子３０ｃ１，３０ｃ２と、バラン３１と、２つのスイッチ３２，３３とを備えている。バラン３１は、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。バラン３１の回路構成は、第１の実施の形態におけるバラン１１の２つの平衡入力端が２つの平衡出力端に変わり、第１の実施の形態におけるバラン１１の１つの不平衡出力端が１つの不平衡入力端に変わること以外は、第１の実施の形態におけるバラン１１と同様である。スイッチ３２は、２つの入力ポート３２ａ，３２ｂと１つの出力ポート３２ｃとを有し、出力ポート３２ｃを入力ポート３２ａ，３２ｂのいずれかに選択的に接続する。スイッチ３３は、２つの入力ポート３３ａ，３３ｂと１つの出力ポート３３ｃとを有し、出力ポート３３ｃを入力ポート３３ａ，３３ｂのいずれかに選択的に接続する。

入力端子３０ａは、ＢＰＦ１３の出力端とバラン３１の不平衡入力端とに接続されている。バラン３１の一方の平衡出力端は、スイッチ３２の入力ポート３２ａに接続されている。バラン３１の他方の平衡出力端は、スイッチ３３の入力ポート３３ａに接続されている。入力端子３０ｂ１，３０ｂ２には、ＩＣ２より出力される平衡信号の形態の送信信号GSM Txが入力される。入力端子３０ｂ１は、スイッチ３２の入力ポート３２ｂに接続されている。入力端子３０ｂ２は、スイッチ３３の入力ポート３３ｂに接続されている。

スイッチ３２の出力ポート３２ｃは、出力端子３０ｃ１に接続されている。スイッチ３３の出力ポート３３ｃは、出力端子３０ｃ２に接続されている。出力端子３０ｃ１，３０ｃ２は、電力増幅器３４の２つの平衡入力端に接続されている。電力増幅器３４の不平衡出力端は、送信回路７の出力端７ｃに接続されている。

本実施の形態における送信回路７のその他の構成は、第１の実施の形態と同様である。本実施の形態に係る高周波電子部品３０は、本発明の第２の高周波電子部品に対応する。本実施の形態において、不平衡信号の形態の送信信号UMTS Txは本発明の第２の高周波電子部品における第１の送信信号に対応し、平衡信号の形態の送信信号GSM Txは本発明の第２の高周波電子部品における第２の送信信号に対応する。また、入力端子３０ａは本発明の第２の高周波電子部品における第１の入力端子に対応し、入力端子３０ｂ１，３０ｂ２は本発明の第２の高周波電子部品における第２の入力端子に対応する。

また、スイッチ３２，３３は、本発明の第２の高周波電子部品におけるスイッチに対応する。入力ポート３２ａ，３３ａは、本発明の第２の高周波電子部品における第１の入力ポートに対応する。入力ポート３２ｂ，３３ｂは、本発明の第２の高周波電子部品における第２の入力ポートに対応する。

高周波電子部品３０を含む送信回路７では、ＩＣ２より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Txは、ＢＰＦ１３を通過して、高周波電子部品３０の入力端子３０ａに入力される。バラン３１は、入力端子３０ａに入力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Txを平衡信号の形態の送信信号UMTS Txに変換して出力する。ＩＣ２より出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Txは、高周波電子部品３０の入力端子３０ｂ１，３０ｂ２に入力される。スイッチ３２，３３の入力ポート３２ａ，３３ａには、バラン３１より出力された平衡信号の形態の送信信号UMTS Txが入力される。スイッチ３２，３３の入力ポート３２ｂ，３３ｂには、入力端子３０ｂ１，３０ｂ２に入力された平衡信号の形態の送信信号GSM Txが入力される。スイッチ３２，３３は、入力ポート３２ａ，３３ａに入力された平衡信号の形態の送信信号UMTS Txと、入力ポート３２ｂ，３３ｂに入力された平衡信号の形態の送信信号GSM Txとを切り替えて、電力増幅器３４に対して出力する。電力増幅器３４に入力された平衡信号の形態の送信信号は、電力増幅器３４によって増幅されて、不平衡信号の形態の送信信号として出力される。電力増幅器３４より出力される送信信号は、図１におけるスイッチ３のポート３ａに入力される。

本実施の形態に係る高周波電子部品３０は、第１の実施の形態に係る高周波電子部品１０と同様に、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いてバラン３１を構成し、スイッチ３２，３３を積層基板２０に搭載することによって構成することができる。

次に、比較例と比較しながら、本実施の形態の効果について説明する。図１５は、比較例の送信回路の回路構成を示すブロック図である。この比較例の送信回路は、図１４に示した送信回路におけるバラン３１、スイッチ３２，３３、電力増幅器３４および出力端７ｃの代りに、２つの電力増幅器１４Ａ，３４Ｂと２つの出力端１５Ａ，１５Ｂを備えている。比較例の送信回路では、ＢＰＦ１３より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Txは、電力増幅器１４Ａによって増幅されて、出力端１５Ａより出力される。また、ＩＣ２より出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Txは、電力増幅器３４Ｂによって増幅されて、不平衡信号の形態の送信信号GSM Txとして、出力端１５Ｂより出力される。出力端１５Ａより出力された送信信号UMTS Txは、図１１に示したデュプレクサ４のＢＰＦ４ｂに入力される。また、出力端１５Ｂより出力された送信信号GSM Txは、図１１に示したスイッチ１のポート１ｃに入力される。

図１５に示した比較例では、比較的高価な電力増幅器が２つ必要となり、その結果、送信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化および低コスト化が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、送信信号UMTS Txと送信信号GSM Txとで１つの電力増幅器３４を共用するため、比較例に比べて、送信回路７に含まれる電力増幅器の数を１つ少なくすることができ、その結果、送信回路７およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。なお、本実施の形態では、比較例と比べると、電力増幅器を１つ減らすことができるが、新たに３つのスイッチ３，３２，３３が必要なる。しかし、スイッチは電力増幅器に比べると安価であるため、本実施の形態では比較例に比べてコストを低減することができる。

なお、本実施の形態に係る高周波電子部品は、第１の実施の形態における第１ないし第３の変形例と同様に、バラン３１およびスイッチ３２，３３に加えて、電力増幅器３４とＢＰＦ１３の少なくとも一方を備えていてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第３の実施の形態］
次に、図１６を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る高周波電子部品について説明する。図１６は、本実施の形態に係る高周波電子部品３０を含む送信回路７を示している。本実施の形態に係る高周波電子部品３０は、第２の実施の形態におけるスイッチ３２，３３の代りに、平衡信号を切り替えるスイッチ３５を備えている。スイッチ３５は、４つの入力ポート３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄと２つの出力ポート３５ｅ，３５ｆとを有し、出力ポート３５ｅが入力ポート３５ａに接続され、出力ポート３５ｆが入力ポート３５ｂに接続された状態と、出力ポート３５ｅが入力ポート３５ｃに接続され、出力ポート３５ｆが入力ポート３５ｄに接続された状態とを切り替えることができるようになっている。

バラン３１の２つの平衡出力端は、スイッチ３５の入力ポート３５ａ，３５ｂに接続されている。入力端子３０ｂ１，３０ｂ２は、スイッチ３５の入力ポート３５ｃ，３５ｄに接続されている。スイッチ３５の出力ポート３５ｅ，３５ｆは、出力端子３０ｃ１，３０ｃ２に接続されている。

本実施の形態において、スイッチ３５は、本発明の第２の高周波電子部品におけるスイッチに対応する。入力ポート３５ａ，３５ｂは、本発明の第２の高周波電子部品における第１の入力ポートに対応する。入力ポート３５ｃ，３５ｄは、本発明の第２の高周波電子部品における第２の入力ポートに対応する。

本実施の形態では、スイッチ３５の入力ポート３５ａ，３５ｂには、バラン３１より出力された平衡信号の形態の送信信号UMTS Txが入力される。スイッチ３５の入力ポート３５ｃ，３５ｄには、入力端子３０ｂ１，３０ｂ２に入力された送信信号GSM Txが入力される。スイッチ３５は、入力ポート３５ａ，３５ｂに入力された平衡信号の形態の送信信号UMTS Txと、入力ポート３５ｃ，３５ｄに入力された平衡信号の形態の送信信号GSM Txとを切り替えて、電力増幅器３４に対して出力する。

本実施の形態に係る高周波電子部品３０は、第１の実施の形態に係る高周波電子部品１０と同様に、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いてバラン３１を構成し、スイッチ３５を積層基板２０に搭載することによって構成することができる。

なお、本実施の形態に係る高周波電子部品は、第１の実施の形態における第１ないし第３の変形例と同様に、バラン３１およびスイッチ３５に加えて、電力増幅器３４とＢＰＦ１３の少なくとも一方を備えていてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同様である。

［第４の実施の形態］
次に、図１７を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る高周波電子部品について説明する。図１７は、本実施の形態に係る高周波電子部品４０を含む送信回路７を示している。本実施の形態に係る高周波電子部品４０は、２つのＵＭＴＳ方式の送信信号UMTS Tx1，UMTS Tx2と送信信号GSM Txとを処理する送信回路７に用いられるものである。本実施の形態では、送信信号GSM TxがGSM850(AGSM)とGSM900(EGSM)の少なくとも一方における送信信号である場合には、送信信号UMTS Tx1，UMTS Tx2は、GSM850(AGSM)およびGSM900(EGSM)と周波数帯の近いバンドＶ、VI、VIIIのうちの互いに異なる２つのバンドにおける送信信号である。また、送信信号GSM TxがGSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)の少なくとも一方における送信信号である場合には、送信信号UMTS Tx1，UMTS Tx2は、GSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)と周波数帯の近いバンドＩ、II、III、IV、IX、Ｘのうちの互いに異なる２つのバンドにおける送信信号である。本実施の形態における送信回路７を含む高周波回路において、ＩＣ２は、それぞれ不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx1，UMTS Tx2と、平衡信号の形態のＧＳＭ方式の送信信号GSM Txとを生成し出力する。

本実施の形態における送信回路７は、第１の実施の形態におけるＢＰＦ１３の代りに２つのＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂを備え、第１の実施の形態に係る高周波電子部品１０の代りに本実施の形態に係る高周波電子部品４０を備えている。ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂには、それぞれ、ＩＣ２より出力される送信信号UMTS Tx1，UMTS Tx2が入力される。

高周波電子部品４０は、入力端子４０ａ，４０ｂ，４０ｃ１，４０ｃ２と、出力端子４０ｄと、バラン１１と、スイッチ４１とを備えている。スイッチ４１は、３つの入力ポート４１ａ，４１ｂ，４１ｃと１つの出力ポート４１ｄとを有し、出力ポート４１ｄを入力ポート４１ａ，４１ｂ，４１ｃのいずれかに選択的に接続する。

入力端子４０ａは、ＢＰＦ１３Ａの出力端とスイッチ４１の入力ポート４１ａとに接続されている。入力端子４０ｂは、ＢＰＦ１３Ｂの出力端とスイッチ４１の入力ポート４１ｂとに接続されている。入力端子４０ｃ１，４０ｃ２には、ＩＣ２より出力される平衡信号の形態の送信信号GSM Txが入力される。バラン１１の２つの平衡入力端は、入力端子４０ｃ１，４０ｃ２に接続されている。バラン１１の不平衡出力端は、スイッチ４１の入力ポート４１ｃに接続されている。スイッチ４１の出力ポート４１ｄは、出力端子４０ｄに接続されている。出力端子４０ｄは、電力増幅器１４の入力端に接続されている。

本実施の形態に係る高周波電子部品４０は、本発明の第１の高周波電子部品に対応する。本実施の形態において、不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx1，UMTS Tx2は本発明の第１の高周波電子部品における第１の送信信号に対応し、平衡信号の形態の送信信号GSM Txは本発明の第１の高周波電子部品における第２の送信信号に対応する。また、入力端子４０ａ，４０ｂは本発明の第１の高周波電子部品における第１の入力端子に対応し、入力端子４０ｃ１，４０ｃ２は本発明の第１の高周波電子部品における第２の入力端子に対応する。

また、スイッチ４１の入力ポート４１ａ，４１ｂは、本発明の第１の高周波電子部品における第１の入力ポートに対応する。スイッチ４１の入力ポート４１ｃは、本発明の第１の高周波電子部品における第２の入力ポートに対応する。

高周波電子部品４０を含む送信回路７では、ＩＣ２より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx1は、ＢＰＦ１３Ａ、入力端子４０ａを通過して、スイッチ４１の入力ポート４１ａに入力される。ＩＣ２より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx2は、ＢＰＦ１３Ｂ、入力端子４０ｂを通過して、スイッチ４１の入力ポート４１ｂに入力される。ＩＣ２より出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Txは、入力端子４０ｃ１，４０ｃ２を通過し、バラン１１によって不平衡信号の形態の送信信号GSM Txに変換され、この不平衡信号の形態の送信信号GSM Txは、スイッチ４１の入力ポート４１ｃに入力される。スイッチ４１は、入力ポート４１ａに入力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx1と、入力ポート４１ｂに入力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx2と、入力ポート４１ｃに入力された不平衡信号の形態の送信信号GSM Txとを切り替えて、電力増幅器１４に対して出力する。電力増幅器１４に入力された送信信号は、電力増幅器１４によって増幅され、送信回路７の出力端７ｃに対して出力される。なお、本実施の形態では、出力端７ｃは、１つの入力ポートと３つの出力ポートとを有する図示しないスイッチの入力ポートに接続される。このスイッチは、３つの出力ポートのいずれかを選択的に入力ポートに接続して、入力ポートに入力される送信信号UMTS Tx1，UMTS Tx2，GSM Txをそれぞれ異なる出力ポートより出力する。

本実施の形態に係る高周波電子部品４０は、第１の実施の形態に係る高周波電子部品１０と同様に、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いてバラン１１を構成し、スイッチ４１を積層基板２０に搭載することによって構成することができる。

次に、比較例と比較しながら、本実施の形態の効果について説明する。図１８は、比較例の送信回路の回路構成を示すブロック図である。この比較例の送信回路は、図１７に示した送信回路におけるスイッチ４１、電力増幅器１４および出力端７ｃの代りに、３つの電力増幅器４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃと３つの出力端４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃを備えている。比較例の送信回路では、ＢＰＦ１３Ａより出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx1は、電力増幅器４２Ａによって増幅されて、出力端４３Ａより出力される。ＢＰＦ１３Ｂより出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx2は、電力増幅器４２Ｂによって増幅されて、出力端４３Ｂより出力される。また、バラン１１より出力された不平衡信号の形態の送信信号GSM Txは、電力増幅器４２Ｃによって増幅されて、出力端４３Ｃより出力される。

図１８に示した比較例では、比較的高価な電力増幅器が３つ必要となり、その結果、送信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化および低コスト化が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、送信信号UMTS Tx1，UMTS Tx2，GSM Txで１つの電力増幅器１４を共用するため、比較例に比べて、送信回路７に含まれる電力増幅器の数を２つ少なくすることができ、その結果、送信回路７およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。

なお、本実施の形態に係る高周波電子部品は、第１の実施の形態における第１ないし第３の変形例と同様に、バラン１１およびスイッチ４１に加えて、電力増幅器１４を備えていてもよいし、ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂを備えていてもよいし、電力増幅器１４およびＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂを備えていてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第５の実施の形態］
次に、図１９を参照して、本発明の第５の実施の形態に係る高周波電子部品について説明する。図１９は、本実施の形態に係る高周波電子部品５０を含む送信回路７を示している。本実施の形態における送信回路７は、第４の実施の形態における電力増幅器１４の代りに、２つの平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有する平衡入力型の電力増幅器３４を備えている。また、本実施の形態における送信回路７は、第４の実施の形態に係る高周波電子部品４０の代りに本実施の形態に係る高周波電子部品５０を備えている。

高周波電子部品５０は、入力端子５０ａ，５０ｂ，５０ｃ１，５０ｃ２と、出力端子５０ｄ１，５０ｄ２と、バラン５１Ａ，５１Ｂと、スイッチ５２とを備えている。バラン５１Ａ，５１Ｂは、それぞれ、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。バラン５１Ａ，５１Ｂの回路構成は、第２の実施の形態におけるバラン３１と同様である。

スイッチ５２は、６つの入力ポート５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ，５２ｅ，５２ｆと２つの出力ポート５２ｇ，５２ｈとを有している。スイッチ５２は、出力ポート５２ｇが入力ポート５２ａに接続され、出力ポート５２ｈが入力ポート５２ｂに接続された状態と、出力ポート５２ｇが入力ポート５２ｃに接続され、出力ポート５２ｈが入力ポート５２ｄに接続された状態と、出力ポート５２ｇが入力ポート５２ｅに接続され、出力ポート５２ｈが入力ポート５２ｆに接続された状態とを切り替えることができるようになっている。

入力端子５０ａは、ＢＰＦ１３Ａの出力端とバラン５１Ａの不平衡入力端とに接続されている。入力端子５０ｂは、ＢＰＦ１３Ｂの出力端とバラン５１Ｂの不平衡入力端とに接続されている。バラン５１Ａの２つの平衡出力端は、スイッチ５２の入力ポート５２ａ，５２ｂに接続されている。バラン５１Ｂの２つの平衡出力端は、スイッチ５２の入力ポート５２ｃ，５２ｄに接続されている。入力端子５０ｃ１，５０ｃ２は、スイッチ５２の入力ポート５２ｅ，５２ｆに接続されている。スイッチ５２の出力ポート５２ｇ，５２ｈは、出力端子５０ｄ１，５０ｄ２に接続されている。

本実施の形態において、スイッチ５２の入力ポート５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄは、本発明の第２の高周波電子部品における第１の入力ポートに対応する。入力ポート５２ｅ，５２ｆは、本発明の第２の高周波電子部品における第２の入力ポートに対応する。

高周波電子部品５０を含む送信回路７では、ＩＣ２より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx1は、ＢＰＦ１３Ａを通過して、高周波電子部品５０の入力端子５０ａに入力される。また、ＩＣ２より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx2は、ＢＰＦ１３Ｂを通過して、高周波電子部品５０の入力端子５０ｂに入力される。バラン５１Ａは、入力端子５０ａに入力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx1を平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx1に変換して出力する。バラン５１Ｂは、入力端子５０ｂに入力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx2を平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx2に変換して出力する。ＩＣ２より出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Txは、高周波電子部品５０の入力端子５０ｃ１，５０ｃ２に入力される。

スイッチ５２の入力ポート５２ａ，５２ｂには、バラン５１Ａより出力された平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx1が入力される。スイッチ５２の入力ポート５２ｃ，５２ｄには、バラン５１Ｂより出力された平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx2が入力される。スイッチ５２の入力ポート５２ｅ，５２ｆには、入力端子５０ｃ１，５０ｃ２に入力された平衡信号の形態の送信信号GSM Txが入力される。スイッチ５２は、入力ポート５２ａ，５２ｂに入力された平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx1と、入力ポート５２ｃ，５２ｄに入力された平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx2と、入力ポート５２ｅ，５２ｆに入力された平衡信号の形態の送信信号GSM Txとを切り替えて、入力ポート５２ｇ，５２ｈより、電力増幅器３４に対して出力する。

本実施の形態に係る高周波電子部品５０は、第１の実施の形態に係る高周波電子部品１０と同様に、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いてバラン５１Ａ，５１Ｂを構成し、スイッチ５２を積層基板２０に搭載することによって構成することができる。

次に、比較例と比較しながら、本実施の形態の効果について説明する。図２０は、比較例の送信回路の回路構成を示すブロック図である。この比較例の送信回路は、図１９に示した送信回路におけるバラン５１Ａ，５１Ｂ、スイッチ５２、電力増幅器３４および出力端７ｃの代りに、３つの電力増幅器４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｄと３つの出力端４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃを備えている。比較例の送信回路では、ＢＰＦ１３Ａより出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx1は、電力増幅器４２Ａによって増幅されて、出力端４３Ａより出力される。また、ＢＰＦ１３Ｂより出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx2は、電力増幅器４２Ｂによって増幅されて、出力端４３Ｂより出力される。また、ＩＣ２より出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Txは、電力増幅器４２Ｄによって増幅されて、不平衡信号の形態の送信信号GSM Txとして出力端４３Ｃより出力される。

図２０に示した比較例では、比較的高価な電力増幅器が３つ必要となり、その結果、送信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化および低コスト化が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、送信信号UMTS Tx1，UMTS Tx2，GSM Txで１つの電力増幅器３４を共用するため、比較例に比べて、送信回路７に含まれる電力増幅器の数を２つ少なくすることができ、その結果、送信回路７およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。

なお、本実施の形態において、スイッチ５２の代りに、３つの入力ポートのいずれかを選択的に１つの出力ポートに接続するスイッチを２つ設けてもよい。

また、本実施の形態に係る高周波電子部品５０は、第１の実施の形態における第１ないし第３の変形例と同様に、バラン５１Ａ，５１Ｂおよびスイッチ５２に加えて、電力増幅器３４を備えていてもよいし、ＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂを備えていてもよいし、電力増幅器３４およびＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂを備えていてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第４の実施の形態と同様である。

［第６の実施の形態］
次に、図２１を参照して、本発明の第６の実施の形態に係る高周波電子部品について説明する。図２１は、本実施の形態に係る高周波電子部品６０を含む送信回路７を示している。本実施の形態における送信回路７は、第５の実施の形態に係る高周波電子部品５０の代りに、スイッチ６３と、本実施の形態に係る高周波電子部品６０とを備えている。スイッチ６３は、ＢＰＦ１３Ａの出力端に接続された入力ポート６３ａと、ＢＰＦ１３Ｂの出力端に接続された入力ポート６３ｂと、出力ポート６３ｃとを有し、出力ポート６３ｃを入力ポート６３ａ，６３ｂのいずれかに選択的に接続する。

高周波電子部品６０は、入力端子６０ａ，６０ｂ１，６０ｂ２と、出力端子６０ｃ１，６０ｃ２と、バラン６１と、スイッチ６２とを備えている。入力端子６０ａは、スイッチ６３の出力ポート６３ｃに接続されている。バラン６１は、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。バラン６１の回路構成は、第２の実施の形態におけるバラン３１と同様である。バラン６１の不平衡入力端は、入力端子６０ａに接続されている。

スイッチ６２は、４つの入力ポート６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄと２つの出力ポート６２ｅ，６２ｆとを有している。スイッチ６２は、出力ポート６２ｅが入力ポート６２ａに接続され、出力ポート６２ｆが入力ポート６２ｂに接続された状態と、出力ポート６２ｅが入力ポート６２ｃに接続され、出力ポート６２ｆが入力ポート６２ｄに接続された状態とを切り替えることができるようになっている。

バラン６１の２つの平衡出力端は、スイッチ６２の入力ポート６２ａ，６２ｂに接続されている。入力端子６０ｂ１，６０ｂ２は、スイッチ６２の入力ポート６２ｃ，６２ｄに接続されている。スイッチ６２の出力ポート６２ｅ，６２ｆは、出力端子６０ｃ１，６０ｃ２に接続されている。

本実施の形態において、スイッチ６２の入力ポート６２ａ，６２ｂは、本発明の第２の高周波電子部品における第１の入力ポートに対応する。入力ポート６２ｃ，６２ｄは、本発明の第２の高周波電子部品における第２の入力ポートに対応する。

高周波電子部品６０を含む送信回路７では、ＩＣ２より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx1は、ＢＰＦ１３Ａを通過して、スイッチ６３の入力ポート６３ａに入力される。また、ＩＣ２より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx2は、ＢＰＦ１３Ｂを通過して、スイッチ６３の入力ポート６３ｂに入力される。スイッチ６３は、入力ポート６３ａに入力された送信信号UMTS Tx1と、入力ポート６３ｂに入力された送信信号UMTS Tx2とを切り替えて、出力ポート６３ｃより、高周波電子部品６０の入力端子６０ａに対して出力する。

高周波電子部品６０のバラン６１は、入力端子６０ａに入力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx1または不平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx2を、平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx1または平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx2に変換して出力する。ＩＣ２より出力された平衡信号の形態の送信信号GSM Txは、高周波電子部品６０の入力端子６０ｂ１，６０ｂ２に入力される。

スイッチ６２の入力ポート６２ａ，６２ｂには、バラン６１より出力された平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx1または平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx2が入力される。スイッチ６２の入力ポート６２ｃ，６２ｄには、入力端子６０ｂ１，６０ｂ２に入力された平衡信号の形態の送信信号GSM Txが入力される。スイッチ６２は、入力ポート６２ａ，６２ｂに入力された平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx1または平衡信号の形態の送信信号UMTS Tx2と、入力ポート６２ｃ，６２ｄに入力された平衡信号の形態の送信信号GSM Txとを切り替えて、出力ポート６２ｅ，６２ｆより、電力増幅器３４に対して出力する。

本実施の形態に係る高周波電子部品６０は、第１の実施の形態に係る高周波電子部品１０と同様に、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いてバラン６１を構成し、スイッチ６２を積層基板２０に搭載することによって構成することができる。

なお、本実施の形態において、スイッチ６２の代りに、２つの入力ポートのいずれかを選択的に１つの出力ポートに接続するスイッチを２つ設けてもよい。

また、本実施の形態に係る高周波電子部品６０は、バラン６１およびスイッチ６２に加えて、電力増幅器３４とスイッチ６３の少なくとも一方を備えていてもよい。また、本実施の形態に係る高周波電子部品６０は、スイッチ６３を備える場合には、更にＢＰＦ１３Ａ，１３Ｂを備えていてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第５の実施の形態と同様である。

［第７の実施の形態］
次に、図２２を参照して、本発明の第７の実施の形態に係る高周波電子部品について説明する。図２２は、本実施の形態に係る高周波電子部品７０を含む送信回路７を示している。本実施の形態に係る高周波電子部品７０は、３つのＵＭＴＳ方式の送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Tx1，UMTS-H Tx2と、２つの送信信号GSM-L Tx，GSM-H Txとを処理する送信回路７に用いられるものである。送信信号GSM-L Txは、表１に示した４つのシステムのうちの周波数帯の近いGSM850(AGSM)とGSM900(EGSM)の少なくとも一方における送信信号を含んでいる。送信信号GSM-H Txは、表１に示した４つのシステムのうちの周波数帯の近いGSM1800(DCS)とGSM1900(PCS)の少なくとも一方における送信信号を含んでいる。送信信号UMTS-L Txは、GSM850(AGSM)およびGSM900(EGSM)と周波数帯の近いバンドＶ、VI、VIIIのいずれかにおける送信信号である。送信信号UMTS-H Tx1，UMTS-H Tx2は、GSM1800(DCS)およびGSM1900(PCS)と周波数帯の近いバンドＩ、II、III、IV、IX、Ｘのうちの互いに異なる２つのバンドにおける送信信号である。本実施の形態における送信回路７を含む高周波回路において、ＩＣ２は、それぞれ不平衡信号の形態のＵＭＴＳ方式の送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Tx1，UMTS-H Tx2と、それぞれ平衡信号の形態のＧＳＭ方式の送信信号GSM-L Tx，GSM-H Txとを生成し出力する。

本実施の形態における送信回路７は、３つのＢＰＦ７３，７６，７７と、本実施の形態に係る高周波電子部品７０と、２つの電力増幅器１４Ｌ，１４Ｈと、２つの出力端７Ｌ，７Ｈとを備えている。ＢＰＦ７３，７６，７７には、それぞれ、ＩＣ２より出力される送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Tx1，UMTS-H Tx2が入力される。

高周波電子部品７０は、入力端子７０ａ，７０ｂ１，７０ｂ２，７０ｃ，７０ｄ，７０ｅ１，７０ｅ２と、出力端子７０ｆ，７０ｇと、バラン７１，７４と、スイッチ７２，７５とを備えている。バラン７１，７４は、それぞれ、２つの平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有している。バラン７１，７４の回路構成は、第１の実施の形態におけるバラン１１と同様である。

スイッチ７２は、２つの入力ポート７２ａ，７２ｂと１つの出力ポート７２ｃとを有し、出力ポート７２ｃを入力ポート７２ａ，７２ｂのいずれかに選択的に接続する。スイッチ７５は、３つの入力ポート７５ａ，７５ｂ，７５ｃと１つの出力ポート７５ｄとを有し、出力ポート７５ｄを入力ポート７５ａ，７５ｂ，７５ｃのいずれかに選択的に接続する。

入力端子７０ａは、ＢＰＦ７３の出力端とスイッチ７２の入力ポート７２ａとに接続されている。入力端子７０ｂ１，７０ｂ２には、ＩＣ２より出力される平衡信号の形態の送信信号GSM-L Txが入力される。バラン７１の２つの平衡入力端は、入力端子７０ｂ１，７０ｂ２に接続されている。バラン７１の不平衡出力端は、スイッチ７２の入力ポート７２ｂに接続されている。入力端子７０ｃは、ＢＰＦ７６の出力端とスイッチ７５の入力ポート７５ａとに接続されている。入力端子７０ｄは、ＢＰＦ７７の出力端とスイッチ７５の入力ポート７５ｂとに接続されている。入力端子７０ｅ１，７０ｅ２には、ＩＣ２より出力される平衡信号の形態の送信信号GSM-H Txが入力される。バラン７４の２つの平衡入力端は、入力端子７０ｅ１，７０ｅ２に接続されている。バラン７４の不平衡出力端は、スイッチ７５の入力ポート７５ｃに接続されている。

スイッチ７２の出力ポート７２ｃは、出力端子７０ｆに接続されている。出力端子７０ｆは、電力増幅器１４Ｌの入力端に接続されている。電力増幅器１４Ｌの出力端は出力端７Ｌに接続されている。スイッチ７５の出力ポート７５ｃは、出力端子７０ｇに接続されている。出力端子７０ｇは、電力増幅器１４Ｈの入力端に接続されている。電力増幅器１４Ｈの出力端は出力端７Ｈに接続されている。

本実施の形態に係る高周波電子部品７０は、本発明の第１の高周波電子部品に対応する。本実施の形態において、不平衡信号の形態の送信信号UMTS-L Tx，UMTS-H Tx1，UMTS-H Tx2は本発明の第１の高周波電子部品における第１の送信信号に対応し、平衡信号の形態の送信信号GSM Tx-L，GSM Tx-Hは本発明の第１の高周波電子部品における第２の送信信号に対応する。また、入力端子７０ａ，７０ｃ，７０ｄは本発明の第１の高周波電子部品における第１の入力端子に対応し、入力端子７０ｂ１，７０ｂ２，７０ｅ１，７０ｅ２は本発明の第１の高周波電子部品における第２の入力端子に対応する。

また、スイッチ７２の入力ポート７２ａおよびスイッチ７５の入力ポート７５ａ，７５ｂは、本発明の第１の高周波電子部品における第１の入力ポートに対応する。スイッチ７２の入力ポート７２ｂおよびスイッチ７５の入力ポート７５ｃは、本発明の第１の高周波電子部品における第２の入力ポートに対応する。

高周波電子部品７０を含む送信回路７では、ＩＣ２より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-L Txは、ＢＰＦ７３、入力端子７０ａを通過して、スイッチ７２の入力ポート７２ａに入力される。ＩＣ２より出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-L Txは、入力端子７０ｂ１，７０ｂ２を通過し、バラン７１によって不平衡信号の形態の送信信号GSM-L Txに変換され、この不平衡信号の形態の送信信号GSM-L Txは、スイッチ７２の入力ポート７２ｂに入力される。スイッチ７２は、入力ポート７２ａに入力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-L Txと、入力ポート７２ｂに入力された不平衡信号の形態の送信信号GSM-L Txとを切り替えて、電力増幅器１４Ｌに対して出力する。電力増幅器１４Ｌに入力された送信信号は、電力増幅器１４Ｌによって増幅され、送信回路７の出力端７Ｌに対して出力される。

また、ＩＣ２より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx1は、ＢＰＦ７６、入力端子７０ｃを通過して、スイッチ７５の入力ポート７５ａに入力される。ＩＣ２より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx2は、ＢＰＦ７７、入力端子７０ｄを通過して、スイッチ７５の入力ポート７５ｂに入力される。ＩＣ２より出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-H Txは、入力端子７０ｅ１，７０ｅ２を通過し、バラン７４によって不平衡信号の形態の送信信号GSM-H Txに変換され、この不平衡信号の形態の送信信号GSM-H Txは、スイッチ７５の入力ポート７５ｃに入力される。スイッチ７５は、入力ポート７５ａに入力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx1と、入力ポート７５ｂに入力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx2と、入力ポート７５ｃに入力された不平衡信号の形態の送信信号GSM-H Txとを切り替えて、電力増幅器１４Ｈに対して出力する。電力増幅器１４Ｈに入力された送信信号は、電力増幅器１４Ｈによって増幅され、送信回路７の出力端７Ｈに対して出力される。

なお、本実施の形態では、出力端７Ｌは、１つの入力ポートと２つの出力ポートとを有する図示しないスイッチの入力ポートに接続される。このスイッチは、２つの出力ポートのいずれかを選択的に入力ポートに接続して、入力ポートに入力される送信信号UMTS-L Tx，GSM-L Txをそれぞれ異なる出力ポートより出力する。また、出力端７Ｈは、１つの入力ポートと３つの出力ポートとを有する図示しないスイッチの入力ポートに接続される。このスイッチは、３つの出力ポートのいずれかを選択的に入力ポートに接続して、入力ポートに入力される送信信号UMTS-H Tx1，UMTS-H Tx2，GSM-H Txをそれぞれ異なる出力ポートより出力する。

本実施の形態に係る高周波電子部品７０は、第１の実施の形態に係る高周波電子部品１０と同様に、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いてバラン７１，７４を構成し、スイッチ７２，７５を積層基板２０に搭載することによって構成することができる。

次に、比較例と比較しながら、本実施の形態の効果について説明する。図２３は、比較例の送信回路の回路構成を示すブロック図である。この比較例の送信回路は、図２２に示した送信回路におけるスイッチ７２，７５、電力増幅器１４Ｌ，１４Ｈおよび出力端７Ｌ，７Ｈの代りに、５つの電力増幅器７８Ａ，７８Ｂ，７８Ｃ，７８Ｄ，７８Ｅと５つの出力端７９Ａ，７９Ｂ，７９Ｃ，７９Ｄ，７９Ｅを備えている。比較例の送信回路では、ＢＰＦ７３より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-L Txは、電力増幅器７８Ａによって増幅されて、出力端７９Ａより出力される。バラン７１より出力された不平衡信号の形態の送信信号GSM-L Txは、電力増幅器７８Ｂによって増幅されて、出力端７９Ｂより出力される。ＢＰＦ７６より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx1は、電力増幅器７８Ｃによって増幅されて、出力端７９Ｃより出力される。ＢＰＦ７７より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx2は、電力増幅器７８Ｄによって増幅されて、出力端７９Ｄより出力される。バラン７４より出力された不平衡信号の形態の送信信号GSM-H Txは、電力増幅器７８Ｅによって増幅されて、出力端７９Ｅより出力される。

図２３に示した比較例では、比較的高価な電力増幅器が５つ必要となり、その結果、送信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化および低コスト化が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、周波数帯の近い送信信号UMTS-L Tx，GSM-L Txで１つの電力増幅器１４Ｌを共用し、周波数帯の近い送信信号UMTS-H Tx1，UMTS-H Tx2，GSM-H Txで１つの電力増幅器１４Ｈを共用するため、比較例に比べて、送信回路７に含まれる電力増幅器の数を３つ少なくすることができ、その結果、送信回路７およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。

なお、本実施の形態に係る高周波電子部品は、第１の実施の形態における第１ないし第３の変形例と同様に、バラン７１，７４およびスイッチ７２，７５に加えて、電力増幅器１４Ｌ，１４Ｈを備えていてもよいし、ＢＰＦ７３，７６，７７を備えていてもよいし、電力増幅器１４Ｌ，１４ＨおよびＢＰＦ７３，７６，７７を備えていてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第８の実施の形態］
次に、図２４を参照して、本発明の第８の実施の形態に係る高周波電子部品について説明する。図２４は、本実施の形態に係る高周波電子部品８０を含む送信回路７を示している。本実施の形態における送信回路７は、第７の実施の形態における電力増幅器１４Ｌ，１４Ｈの代りに、それぞれ２つの平衡入力端と１つの不平衡出力端とを有する平衡入力型の電力増幅器３４Ｌ，３４Ｈを備えている。また、本実施の形態における送信回路７は、第７の実施の形態に係る高周波電子部品７０の代りに本実施の形態に係る高周波電子部品８０を備えている。

高周波電子部品８０は、入力端子８０ａ，８０ｂ１，８０ｂ２，８０ｃ，８０ｄ，８０ｅ１，８０ｅ２と、出力端子８０ｆ１，８０ｆ２，８０ｇ１，８０ｇ２と、バラン８１，８３，８４と、スイッチ８２，８５とを備えている。バラン８１，８３，８４は、それぞれ、１つの不平衡入力端と２つの平衡出力端とを有している。バラン８１，８３，８４の回路構成は、第２の実施の形態におけるバラン３１と同様である。

スイッチ８２は、４つの入力ポート８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄと２つの出力ポート８２ｅ，８２ｆとを有している。スイッチ８２は、出力ポート８２ｅが入力ポート８２ａに接続され、出力ポート８２ｆが入力ポート８２ｂに接続された状態と、出力ポート８２ｅが入力ポート８２ｃに接続され、出力ポート８２ｆが入力ポート８２ｄに接続された状態とを切り替えることができるようになっている。

スイッチ８５は、６つの入力ポート８５ａ，８５ｂ，８５ｃ，８５ｄ，８５ｅ，８５ｆと２つの出力ポート８５ｇ，８５ｈとを有している。スイッチ８５は、出力ポート８５ｇが入力ポート８５ａに接続され、出力ポート８５ｈが入力ポート８５ｂに接続された状態と、出力ポート８５ｇが入力ポート８５ｃに接続され、出力ポート８５ｈが入力ポート８５ｄに接続された状態と、出力ポート８５ｇが入力ポート８５ｅに接続され、出力ポート８５ｈが入力ポート８５ｆに接続された状態とを切り替えることができるようになっている。

入力端子８０ａは、ＢＰＦ７３の出力端とバラン８１の不平衡入力端とに接続されている。バラン８１の２つの平衡出力端は、スイッチ８２の入力ポート８２ａ，８２ｂに接続されている。入力端子８０ｂ１，８０ｂ２は、スイッチ８２の入力ポート８２ｃ，８２ｄに接続されている。スイッチ８２の出力ポート８２ｅ，８２ｆは、出力端子８０ｆ１，８０ｆ２に接続されている。

入力端子８０ｃは、ＢＰＦ７６の出力端とバラン８３の不平衡入力端とに接続されている。入力端子８０ｄは、ＢＰＦ７７の出力端とバラン８４の不平衡入力端とに接続されている。バラン８３の２つの平衡出力端は、スイッチ８５の入力ポート８５ａ，８５ｂに接続されている。バラン８４の２つの平衡出力端は、スイッチ８５の入力ポート８５ｃ，８５ｄに接続されている。入力端子８０ｅ１，８０ｅ２は、スイッチ８５の入力ポート８５ｅ，８５ｆに接続されている。スイッチ８５の出力ポート８５ｇ，８５ｈは、出力端子８０ｇ１，８０ｇ２に接続されている。

本実施の形態において、スイッチ８２の入力ポート８２ａ，８２ｂおよびスイッチ８５の入力ポート８５ａ，８５ｂ，８５ｃ，８５ｄは、本発明の第２の高周波電子部品における第１の入力ポートに対応する。スイッチ８２の入力ポート８２ｃ，８２ｄおよびスイッチ８５の入力ポート８５ｅ，８５ｆは、本発明の第２の高周波電子部品における第２の入力ポートに対応する。

高周波電子部品８０を含む送信回路７では、ＩＣ２より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-L Txは、ＢＰＦ７３を通過して、高周波電子部品８０の入力端子８０ａに入力される。バラン８１は、入力端子８０ａに入力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-L Txを平衡信号の形態の送信信号UMTS-L Txに変換して出力する。ＩＣ２より出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-L Txは、高周波電子部品８０の入力端子８０ｂ１，８０ｂ２に入力される。

また、ＩＣ２より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx1は、ＢＰＦ７６を通過して、高周波電子部品８０の入力端子８０ｃに入力される。ＩＣ２より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx2は、ＢＰＦ７７を通過して、高周波電子部品８０の入力端子８０ｄに入力される。バラン８３は、入力端子８０ｃに入力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx1を平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx1に変換して出力する。バラン８４は、入力端子８０ｄに入力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx2を平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx2に変換して出力する。ＩＣ２より出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-H Txは、高周波電子部品８０の入力端子８０ｅ１，８０ｅ２に入力される。

スイッチ８２の入力ポート８２ａ，８２ｂには、バラン８１より出力された平衡信号の形態の送信信号UMTS-L Txが入力される。スイッチ８２の入力ポート８２ｃ，８２ｄには、入力端子８０ｂ１，８０ｂ２に入力された平衡信号の形態の送信信号GSM-L Txが入力される。スイッチ８２は、入力ポート８２ａ，８２ｂに入力された平衡信号の形態の送信信号UMTS-L Txと、入力ポート８２ｃ，８２ｄに入力された平衡信号の形態の送信信号GSM-L Txとを切り替えて、出力ポート８２ｅ，８２ｆより、電力増幅器３４Ｌに対して出力する。電力増幅器３４Ｌに入力された送信信号は、電力増幅器３４Ｌによって増幅され、不平衡信号の形態の送信信号として、送信回路７の出力端７Ｌに対して出力される。

スイッチ８５の入力ポート８５ａ，８５ｂには、バラン８３より出力された平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx1が入力される。スイッチ８５の入力ポート８５ｃ，８５ｄには、バラン８４より出力された平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx2が入力される。スイッチ８５の入力ポート８５ｅ，８５ｆには、入力端子８０ｅ１，８０ｅ２に入力された平衡信号の形態の送信信号GSM-H Txが入力される。スイッチ８５は、入力ポート８５ａ，８５ｂに入力された平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx1と、入力ポート８５ｃ，８５ｄに入力された平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx2と、入力ポート８５ｅ，８５ｆに入力された平衡信号の形態の送信信号GSM-H Txとを切り替えて、出力ポート８５ｇ，８５ｈより、電力増幅器３４Ｈに対して出力する。電力増幅器３４Ｈに入力された送信信号は、電力増幅器３４Ｈによって増幅され、不平衡信号の形態の送信信号として、送信回路７の出力端７Ｈに対して出力される。

本実施の形態に係る高周波電子部品８０は、第１の実施の形態に係る高周波電子部品１０と同様に、積層基板２０内に設けられた複数の導体層を用いてバラン８１，８３，８４を構成し、スイッチ８２，８５を積層基板２０に搭載することによって構成することができる。

次に、比較例と比較しながら、本実施の形態の効果について説明する。図２５は、比較例の送信回路の回路構成を示すブロック図である。この比較例の送信回路は、図２４に示した送信回路におけるバラン８１，８３，８４、スイッチ８２，８５、電力増幅器３４Ｌ，３４Ｈおよび出力端７Ｌ，７Ｈの代りに、５つの電力増幅器８８Ａ，８８Ｂ，８８Ｃ，８８Ｄ，８８Ｅと５つの出力端８９Ａ，８９Ｂ，８９Ｃ，８９Ｄ，８９Ｅを備えている。比較例の送信回路では、ＢＰＦ７３より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-L Txは、電力増幅器８８Ａによって増幅されて、出力端８９Ａより出力される。ＩＣ２より出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-L Txは、電力増幅器８８Ｂによって増幅されて、不平衡信号の形態の送信信号GSM-L Txとして、出力端８９Ｂより出力される。ＢＰＦ７６より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx1は、電力増幅器８８Ｃによって増幅されて、出力端８９Ｃより出力される。ＢＰＦ７７より出力された不平衡信号の形態の送信信号UMTS-H Tx2は、電力増幅器８８Ｄによって増幅されて、出力端８９Ｄより出力される。ＩＣ２より出力された平衡信号の形態の送信信号GSM-H Txは、電力増幅器８８Ｅによって増幅されて、不平衡信号の形態の送信信号GSM-H Txとして、出力端８９Ｅより出力される。

図２５に示した比較例では、比較的高価な電力増幅器が５つ必要となり、その結果、送信回路およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化および低コスト化が妨げられる。これに対し、本実施の形態では、周波数帯の近い送信信号UMTS-L Tx，GSM-L Txで１つの電力増幅器３４Ｌを共用し、周波数帯の近い送信信号UMTS-H Tx1，UMTS-H Tx2，GSM-H Txで１つの電力増幅器３４Ｈを共用するため、比較例に比べて、送信回路７に含まれる電力増幅器の数を３つ少なくすることができ、その結果、送信回路７およびそれを含む携帯電話機の高周波回路の小型化、低コスト化が可能になる。

なお、本実施の形態において、スイッチ８２の代りに、２つの入力ポートのいずれかを選択的に１つの出力ポートに接続するスイッチを２つ設けてもよい。また、スイッチ８５の代りに、３つの入力ポートのいずれかを選択的に１つの出力ポートに接続するスイッチを２つ設けてもよい。

また、本実施の形態に係る高周波電子部品８０は、第１の実施の形態における第１ないし第３の変形例と同様に、バラン８１，８３，８４およびスイッチ８２，８５に加えて、電力増幅器３４Ｌ，３４Ｈを備えていてもよいし、ＢＰＦ７３，７６，７７を備えていてもよいし、電力増幅器３４Ｌ，３４ＨおよびＢＰＦ７３，７６，７７を備えていてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第７の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明は、携帯電話機における送信回路に限らず、複数の送信信号を処理する送信回路全般に適用することができる。

また、上記各実施の形態に係る高周波電子部品は、電力増幅器を含まない場合には、入力端子と出力端子を、実施の形態とは逆にすることにより、複数の受信信号を、不平衡信号の形態の受信信号と平衡信号の形態の受信信号とに分離して出力する高周波電子部品として用いることが可能である。例えば、図２および図３に示される第１の実施の形態に係る高周波電子部品１０において、端子１０ｃを入力端子とし、端子１０ａ，１０ｂ１，１０ｂ２を出力端子とすると、高周波電子部品１０を、例えば以下のような態様で使用することが可能である。すなわち、端子１０ｃには、不平衡信号の形態のＵＭＴＳ方式の受信信号UMTS Rxまたは不平衡信号の形態のＧＳＭ方式の受信信号GSM Rxが入力される。スイッチ１２は、入力される受信信号の種類に応じてポート１２ａ，１２ｂのいずれかをポート１２ｃに接続することによって、受信信号UMTS Rxをポート１２ａより端子１０ａに出力し、受信信号GSM Rxをポート１２ｂよりバラン１１に出力する。バラン１１は、不平衡信号の形態の受信信号GSM Rxを平衡信号の形態の受信信号GSM Rxに変換して、端子１０ｂ１，１０ｂ２より出力する。他の実施の形態に係る高周波電子部品についても、同様に、入力端子と出力端子を、実施の形態とは逆にして使用することが可能である。

本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品を含む携帯電話機の高周波回路の一例の回路構成を示すブロック図である。 図１に示した高周波回路における送信回路の回路構成を示すブロック図である。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品の回路構成を示す回路図である。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品の斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品の平面図である。 図４に示した積層基板における１層目および２層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 図４に示した積層基板における３層目および４層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 図４に示した積層基板における５層目および６層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 図４に示した積層基板における７層目および８層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 図４に示した積層基板における９層目の誘電体層の上面および９層目の誘電体層の下の導体層を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態における高周波回路に対する比較例の高周波回路を示すブロック図である。 本発明の第１の実施の形態におけるバランの他の構成を示す回路図である。 本発明の第１の実施の形態に係る高周波電子部品の第１ないし第３の変形例を示すブロック図である。 本発明の第２の実施の形態に係る高周波電子部品を含む送信回路を示すブロック図である。 本発明の第２の実施の形態における送信回路に対する比較例の送信回路を示すブロック図である。 本発明の第３の実施の形態に係る高周波電子部品を含む送信回路を示すブロック図である。 本発明の第４の実施の形態に係る高周波電子部品を含む送信回路を示すブロック図である。 本発明の第４の実施の形態における送信回路に対する比較例の送信回路を示すブロック図である。 本発明の第５の実施の形態に係る高周波電子部品を含む送信回路を示すブロック図である。 本発明の第５の実施の形態における送信回路に対する比較例の送信回路を示すブロック図である。 本発明の第６の実施の形態に係る高周波電子部品を含む送信回路を示すブロック図である。 本発明の第７の実施の形態に係る高周波電子部品を含む送信回路を示すブロック図である。 本発明の第７の実施の形態における送信回路に対する比較例の送信回路を示すブロック図である。 本発明の第８の実施の形態に係る高周波電子部品を含む送信回路を示すブロック図である。 本発明の第８の実施の形態における送信回路に対する比較例の送信回路を示すブロック図である。

符号の説明

１…スイッチ、２…ＩＣ、３…スイッチ、４…デュプレクサ、５，６…ＢＰＦ、７…送信回路、１０…高周波電子部品、１１…バラン、１２…スイッチ、１３…ＢＰＦ、１４…電力増幅器、２０…積層基板。

Claims (10)

1. 複数の送信信号を処理する送信回路に用いられる高周波電子部品であって、
   不平衡信号の形態の第１の送信信号が入力される第１の入力端子と、
   平衡信号の形態の第２の送信信号が入力される第２の入力端子と、
   前記第２の入力端子に入力された平衡信号の形態の第２の送信信号を不平衡信号の形態の第２の送信信号に変換して出力するバランと、
   第１の入力ポート、第２の入力ポートおよび出力ポートを有し、第１および第２の入力ポートに入力される信号を切り替えて出力ポートより出力するスイッチとを備え、
   前記第１の入力ポートには前記第１の入力端子に入力された第１の送信信号が入力され、
   前記第２の入力ポートには前記バランより出力された不平衡信号の形態の第２の送信信号が入力され、
   前記出力ポートは、この出力ポートより出力される信号を増幅する電力増幅器に接続されることを特徴とする高周波電子部品。
2. 更に、前記電力増幅器を備えたことを特徴とする請求項１記載の高周波電子部品。
3. 更に、前記第１の入力端子と前記第１の入力ポートとの間に設けられたバンドパスフィルタを備えたことを特徴とする請求項１または２記載の高周波電子部品。
4. 更に、前記第１の入力ポート、第２の入力ポートおよび出力ポートのそれぞれに接続された信号経路のうちの少なくとも１つに設けられたキャパシタを備えたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の高周波電子部品。
5. 更に、積層された複数の誘電体層を含む積層基板を備え、前記バランは、前記積層基板内に設けられた複数の導体層を用いて構成され、前記スイッチは、前記積層基板に搭載されていることを特徴とする請求項１記載の高周波電子部品。
6. 複数の送信信号を処理する送信回路に用いられる高周波電子部品であって、
   不平衡信号の形態の第１の送信信号が入力される第１の入力端子と、
   平衡信号の形態の第２の送信信号が入力される第２の入力端子と、
   前記第１の入力端子に入力された不平衡信号の形態の第１の送信信号を平衡信号の形態の第１の送信信号に変換して出力するバランと、
   第１の入力ポート、第２の入力ポートおよび出力ポートを有し、第１および第２の入力ポートに入力される信号を切り替えて出力ポートより出力するスイッチとを備え、
   前記第１の入力ポートには前記バランより出力された平衡信号の形態の第１の送信信号が入力され、
   前記第２の入力ポートには第２の入力端子に入力された第２の送信信号が入力され、
   前記出力ポートは、この出力ポートより出力される信号を増幅する電力増幅器に接続されることを特徴とする高周波電子部品。
7. 更に、前記電力増幅器を備えたことを特徴とする請求項６記載の高周波電子部品。
8. 更に、前記第１の入力端子と前記バランとの間に設けられたバンドパスフィルタを備えたことを特徴とする請求項６または７記載の高周波電子部品。
9. 更に、前記第１の入力ポート、第２の入力ポートおよび出力ポートのそれぞれに接続された信号経路のうちの少なくとも１つに設けられたキャパシタを備えたことを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに記載の高周波電子部品。
10. 更に、積層された複数の誘電体層を含む積層基板を備え、前記バランは、前記積層基板内に設けられた複数の導体層を用いて構成され、前記スイッチは、前記積層基板に搭載されていることを特徴とする請求項６記載の高周波電子部品。

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