JP4288529B2 - 高周波部品及びマルチバンド通信装置 - Google Patents
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Description
本発明の第二の目的は、少ないスイッチ手段で複数のマルチバンドアンテナと送信側回路及び受信側回路との接続を切り替えることが可能な高周波回路を提供することである。
本発明の第三の目的は、高周波回路を小型の三次元積層構造に構成した高周波部品を提供することである。
本発明の第四の目的は、各通信システムでの送信データを変調し、受信データを復調する送受信部と、高周波スイッチのスイッチ回路の制御部を備えたマルチバンド通信装置を提供することである。
前記高周波回路は、前記第一及び第二の周波数帯域において送受信が可能なアンテナと接続するアンテナ端子と、
前記第一の周波数帯域の送信信号が入力される第一の送信端子と、
前記第二の周波数帯域の送信信号が入力される第二の送信端子と、
前記第一の周波数帯域の受信信号が出力される第一の受信端子と、
前記第二の周波数帯域の受信信号が出力される第二の受信端子と、
前記アンテナ端子と、前記第一及び第二の送信端子又は前記第一及び第二の受信端子との接続を切り替えるスイッチ回路と、
前記スイッチ回路と前記第一の送信端子との間に設けられた第一のパワーアンプ回路と、
前記スイッチ回路と前記第二の送信端子との間に設けられた第二のパワーアンプ回路と、
前記アンテナ端子と、前記第一及び第二の送信端子並びに前記第一及び第二の受信端子の少なくとも1つとの間に設けられたバンドパスフィルタ回路と、
前記第一及び第二のパワーアンプ回路の出力電力をモニターする検波電圧端子を有する検波回路とを具備し、
前記スイッチ回路は、送信端子側に設けられた第一の分波回路と、受信端子側に設けられた第二の分波回路と、前記アンテナ端子と前記第一の及び第二の分波回路との接続を切り替える高周波スイッチとを具備し、
前記高周波回路中のインダクタンス素子及びキャパシタンス素子の一部又は全部は前記電極パターンにより構成され、
前記パワーアンプ回路を構成する半導体素子及び前記高周波スイッチは前記積層体の表面に搭載され、
前記第一及び第二の分波回路は積層方向に重ならないように、前記積層体内に、積層方向から見て別領域に形成され、
前記第一の分波回路の少なくとも一部と第二の分波回路の少なくとも一部とは同じ層に形成され、
前記第一及び第二の分波回路を形成した層と前記積層体表面との間に、平面的なグランド電極が形成された層を有する。
前記高周波回路は、前記第一及び第二の周波数帯域において送受信が可能なアンテナと接続するアンテナ端子と、
前記第一の周波数帯域の送信信号が入力される第一の送信端子と、
前記第二の周波数帯域の送信信号が入力される第二の送信端子と、
前記第一の周波数帯域の受信信号が出力される第一の受信端子と、
前記第二の周波数帯域の受信信号が出力される第二の受信端子と、
前記アンテナ端子と、前記第一及び第二の送信端子又は前記第一及び第二の受信端子との接続を切り替えるスイッチ回路と、
前記スイッチ回路と前記第一の送信端子との間に設けられた第一のパワーアンプ回路と、
前記スイッチ回路と前記第二の送信端子との間に設けられた第二のパワーアンプ回路と、
前記アンテナ端子と、前記第一及び第二の送信端子並びに前記第一及び第二の受信端子の少なくとも1つとの間に設けられたバンドパスフィルタ回路と、
前記第一及び第二のパワーアンプ回路の出力電力をモニターする検波電圧端子を有する検波回路とを具備し、
前記スイッチ回路は、送信端子側に設けられた第一の分波回路と、受信端子側に設けられた第二の分波回路と、前記アンテナ端子と前記第一の及び第二の分波回路との接続を切り替える高周波スイッチとを具備し、
前記高周波回路中のインダクタンス素子及びキャパシタンス素子の一部又は全部は前記電極パターンにより構成され、
前記パワーアンプ回路を構成する半導体素子及び前記高周波スイッチは前記積層体の表面に搭載され、
前記バンドパスフィルタ回路は前記積層体内の端部に形成され、平面配置において前記積層体の端辺との間に他の機能の回路ブロックを介さないとともに、前記バンドパスフィルタ回路の伝送線路共振器が前記端辺と平行に延設されている。
2,3・・・パワーアンプ回路
4,5,6,7・・・バンドパスフィルタ回路
8・・・検波回路
10,11,12・・・高周波スイッチ
13,14・・・分波回路
19,26・・・ローパスフィルタ回路
20,21,23,24・・・平衡−不平衡回路
Claims (11)
- セラミック誘電体からなる複数の層に電極パターンを形成してなる積層体と、前記積層体の表面に搭載された素子とを具備し、第一及び第二の周波数帯域を選択的に用いて無線通信を行うデュアルバンド無線装置に用いられる高周波回路を有する高周波部品であって、
前記高周波回路は、前記第一及び第二の周波数帯域において送受信が可能なアンテナと接続するアンテナ端子と、
前記第一の周波数帯域の送信信号が入力される第一の送信端子と、
前記第二の周波数帯域の送信信号が入力される第二の送信端子と、
前記第一の周波数帯域の受信信号が出力される第一の受信端子と、
前記第二の周波数帯域の受信信号が出力される第二の受信端子と、
前記アンテナ端子と、前記第一及び第二の送信端子又は前記第一及び第二の受信端子との接続を切り替えるスイッチ回路と、
前記スイッチ回路と前記第一の送信端子との間に設けられた第一のパワーアンプ回路と、
前記スイッチ回路と前記第二の送信端子との間に設けられた第二のパワーアンプ回路と、
前記アンテナ端子と、前記第一及び第二の送信端子並びに前記第一及び第二の受信端子の少なくとも1つとの間に設けられたバンドパスフィルタ回路と、
前記第一及び第二のパワーアンプ回路の出力電力をモニターする検波電圧端子を有する検波回路とを具備し、
前記スイッチ回路は、送信端子側に設けられた第一の分波回路と、受信端子側に設けられた第二の分波回路と、前記アンテナ端子と前記第一の及び第二の分波回路との接続を切り替える高周波スイッチとを具備し、
前記高周波回路中のインダクタンス素子及びキャパシタンス素子の一部又は全部は前記電極パターンにより構成され、
前記パワーアンプ回路を構成する半導体素子及び前記高周波スイッチは前記積層体の表面に搭載され、
前記第一及び第二の分波回路は積層方向に重ならないように、前記積層体内に、積層方向から見て別領域に形成され、
前記第一の分波回路の少なくとも一部と第二の分波回路の少なくとも一部とは同じ層に形成され、
前記第一及び第二の分波回路を形成した層と前記積層体表面との間に、平面的なグランド電極が形成された層を有することを特徴とする高周波部品。 - 請求項1に記載の高周波部品において、前記第一の分波回路のポート間に直列に接続されたコンデンサ用の電極のうち前記積層体表面に最も近い電極、及び前記第二の分波回路のポート間に直列に接続されたコンデンサ用の電極のうち前記積層体表面に最も近い電極は、前記平面的なグランド電極と積層方向に対向しないことを特徴とする高周波部品。
- 請求項1又は2に記載の高周波部品において、
前記第一の分波回路において、前記第一の周波数帯域の送信信号を通過させるが前記第二の周波数帯域の送信信号を減衰させるフィルタ回路と、前記第二の周波数帯域の送信信号を通過させるが前記第一の周波数帯域の送信信号を減衰させるフィルタ回路とが積層方向に重ならないように前記積層体内に形成されており、
前記第二の分波回路において、前記第一の周波数帯域の受信信号を通過させるが前記第二の周波数帯域の受信信号を減衰させるフィルタ回路と、前記第二の周波数帯域の受信信号を通過させるが前記第一の周波数帯域の受信信号を減衰させるフィルタ回路とが積層方向に重ならないように前記積層体内に形成されていることを特徴とする高周波部品。 - 請求項1又は2に記載の高周波部品において、
前記第一及び第二の分波回路はそれぞれ低周波側フィルタ回路及び高周波側フィルタ回路を有し、前記第一及び第二の分波回路の低周波側フィルタ回路はそれぞれ前記第一及び第二の分波回路の共通端子に接続した伝送線路からなり、
前記伝送線路の前記共通端子と反対側にバンドパスフィルタ回路が接続され、
前記伝送線路は前記積層体内に螺旋状に形成され、
前記伝送線路と前記伝送線路に接続された前記バンドパスフィルタ回路とは積層方向に重ならないように、前記積層体内に積層方向から見て別領域に形成され、
前記伝送線路の少なくとも一部は前記バンドパスフィルタ回路の少なくとも一部と同じ層に形成され、
前記伝送線路は、前記共通端子から前記伝送線路側を見たときのインピーダンスが、前記第一及び第二の周波数帯域のうち減衰させようとする周波数帯域でオープンになるように長さを調整されていることを特徴とする高周波部品。 - 請求項3に記載の高周波部品において、
前記第一及び第二の分波回路のフィルタ回路のうち低周波側のフィルタ回路はそれぞれ前記第一及び第二の分波回路の共通端子に接続した伝送線路からなり、
前記伝送線路の前記共通端子と反対側にバンドパスフィルタ回路が接続され、
前記伝送線路は前記積層体内に螺旋状に形成され、
前記伝送線路と前記伝送線路に接続された前記バンドパスフィルタ回路とは積層方向に重ならないように、前記積層体内に積層方向から見て別領域に形成され、
前記伝送線路の少なくとも一部は前記バンドパスフィルタ回路の少なくとも一部と同じ層に形成され、
前記伝送線路は、前記共通端子から前記伝送線路側を見たときのインピーダンスが、前記第一及び第二の周波数帯域のうち減衰させようとする周波数帯域でオープンになるように長さを調整されていることを特徴とする高周波部品。 - セラミック誘電体からなる複数の層に電極パターンを形成してなる積層体と、前記積層体の表面に搭載された素子とを具備し、第一及び第二の周波数帯域を選択的に用いて無線通信を行うデュアルバンド無線装置に用いられる高周波回路を有する高周波部品であって、
前記高周波回路は、前記第一及び第二の周波数帯域において送受信が可能なアンテナと接続するアンテナ端子と、
前記第一の周波数帯域の送信信号が入力される第一の送信端子と、
前記第二の周波数帯域の送信信号が入力される第二の送信端子と、
前記第一の周波数帯域の受信信号が出力される第一の受信端子と、
前記第二の周波数帯域の受信信号が出力される第二の受信端子と、
前記アンテナ端子と、前記第一及び第二の送信端子又は前記第一及び第二の受信端子との接続を切り替えるスイッチ回路と、
前記スイッチ回路と前記第一の送信端子との間に設けられた第一のパワーアンプ回路と、
前記スイッチ回路と前記第二の送信端子との間に設けられた第二のパワーアンプ回路と、
前記アンテナ端子と、前記第一及び第二の送信端子並びに前記第一及び第二の受信端子の少なくとも1つとの間に設けられたバンドパスフィルタ回路と、
前記第一及び第二のパワーアンプ回路の出力電力をモニターする検波電圧端子を有する検波回路とを具備し、
前記スイッチ回路は、送信端子側に設けられた第一の分波回路と、受信端子側に設けられた第二の分波回路と、前記アンテナ端子と前記第一の及び第二の分波回路との接続を切り替える高周波スイッチとを具備し、
前記高周波回路中のインダクタンス素子及びキャパシタンス素子の一部又は全部は前記電極パターンにより構成され、
前記パワーアンプ回路を構成する半導体素子及び前記高周波スイッチは前記積層体の表面に搭載され、
前記バンドパスフィルタ回路は前記積層体内の端部に形成され、平面配置において前記積層体の端辺との間に他の機能の回路ブロックを介さないとともに、前記バンドパスフィルタ回路の伝送線路共振器が前記端辺と平行に延設されていることを特徴とする高周波部品。 - 請求項6に記載の高周波部品において、前記バンドパスフィルタ回路と他の機能の回路ブロックとの間にグランド電極及び/又はグランド電極に連結した複数のビアホールが配置されていることを特徴とする高周波部品。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の高周波部品において、前記第一及び第二の受信端子の少なくとも一方にローノイズアンプ回路が設けられていることを特徴とする高周波部品。
- 請求項8に記載の高周波部品であって、前記ローノイズアンプ回路と前記アンテナ端子との間に高調波低減用のローパスフィルタ回路又はノッチフィルタ回路が設けられていることを特徴とする高周波部品。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の高周波部品を用いて第一及び第二の周波数帯域を選択的に用いて無線通信を行うマルチバンド通信装置であって、各通信システムでの送信データ及び受信データを復調する送受信部と、前記スイッチ回路及び/又は前記パワーアンプ回路の制御を行う回路制御部とを具備することを特徴とするマルチバンド通信装置。
- 請求項8又は9に記載の高周波部品を用いて第一及び第二の周波数帯域を選択的に用いて無線通信を行うマルチバンド通信装置であって、各通信システムでの送信データ及び受信データを復調する送受信部と、前記スイッチ回路、前記パワーアンプ回路及び前記ローノイズアンプ回路からなる群から選ばれた少なくとも1つの制御を行う回路制御部とを具備することを特徴とするマルチバンド通信装置。
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