WO2000055894A1 - Appareil de traitement au plasma et son procede d'entretien - Google Patents

Appareil de traitement au plasma et son procede d'entretien Download PDF

Info

Publication number
WO2000055894A1
WO2000055894A1 PCT/JP2000/001590 JP0001590W WO0055894A1 WO 2000055894 A1 WO2000055894 A1 WO 2000055894A1 JP 0001590 W JP0001590 W JP 0001590W WO 0055894 A1 WO0055894 A1 WO 0055894A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
openable
plasma
processing apparatus
plasma processing
processing chamber
Prior art date
Application number
PCT/JP2000/001590
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Toshio Masuda
Hiroshi Kanekiyo
Tetsuo Fujimoto
Mitsuru Suehiro
Katsuji Matano
Kazue Takahashi
Original Assignee
Hitachi, Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi, Ltd. filed Critical Hitachi, Ltd.
Priority to KR1020017011655A priority Critical patent/KR20010112324A/ko
Publication of WO2000055894A1 publication Critical patent/WO2000055894A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Definitions

  • the present invention relates to a plasma processing apparatus and a maintenance method thereof, and more particularly to a plasma processing apparatus suitable for forming a fine pattern in a semiconductor manufacturing process and a maintenance method thereof.
  • plasma processing apparatuses are widely used in microfabrication processes such as film formation, etching, and asshing.
  • the plasma processing apparatus include, for example, Japanese Patent Publication No. 07-161695 (hereinafter, known example 1) and Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 05-33653 (hereinafter, known example 2). ), Etc.
  • Known example 1 discloses a high-frequency inductively coupled plasma processing method having quartz glass or the like in the upper part of a processing chamber.
  • the ceiling lid of the processing chamber is rotatably provided by a hinge so as to be openable, a magnetic field coil for plasma enhancement is supported independently of the ceiling lid, and the magnetic field coil is made movable. It discloses that the upper part of the processing chamber can be opened.
  • a process gas introduced into a vacuum vessel is turned into plasma by plasma generating means, and is reacted on the surface of a semiconductor wafer to perform fine processing.
  • predetermined treatment is performed by exhausting volatile reaction products.
  • the sample is processed.
  • the reaction product adheres to the surface around the lower electrode on which the sample is placed, and eventually peels off and adheres to the wafer surface as foreign matter, which lowers the yield. For this reason, it is necessary to periodically open the plasma processing apparatus to the atmosphere to remove the attached matter, and perform a cleaning operation called jet cleaning. Parts that are exposed to plasma in the vacuum chamber are consumed as the process is repeated, so it is necessary to periodically replace consumable parts.
  • Examples of such techniques relating to the maintenance of the inside of the vacuum vessel include, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 07-147241 (hereinafter known example 3) and Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • Known example 3 discloses a maintenance mechanism in which the entire wafer stage (a wafer is placed with its surface facing down) provided in the upper part of the processing chamber is moved by an elevating mechanism and a horizontal moving mechanism.
  • the openable and closable part at the top of the vacuum vessel is a vertically / horizontally movable wafer holding mechanism.
  • the stage provided on the upper part which can be opened and closed is constituted by a mechanical system, that is, a mechanical part.
  • Known example 4 discloses a device in which an upper exhaust chamber UC, a processing chamber PC, and a lower exhaust chamber DC are configured to be separable, and the upper exhaust chamber UC is vertically movable and can be inverted upside down by a rotating mechanism.
  • the upper exhaust chamber can be moved up and down freely and can be turned upside down by a rotating mechanism.
  • the wall of the upper exhaust chamber U C is covered.
  • the upper wall of the vacuum vessel can be opened and closed by a mechanism such as a hinge, and the upper part of the vacuum vessel is opened at approximately 90 degrees.
  • maintenance methods such as replacement of parts have been adopted in a state of being almost upright.
  • a nonmetallic brittle part such as silicon-quartz is used for a part of the upper electrode and the gas supply means.
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and contributes to improvement of productivity by improving maintainability and usability when replacing consumable parts in a vacuum vessel and wet cleaning. It is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus capable of performing the above and a maintenance method thereof.
  • the present invention is particularly directed to a plasma processing apparatus and a plasma processing apparatus which are excellent in maintenance workability of a processing chamber which may include a non-metal brittle member as a vacuum vessel.
  • the purpose is to provide a solution method.
  • a feature of the present invention is that a movable closed container is provided corresponding to a plurality of vacuum processing modules provided with a vacuum processing chamber in which a sample is vacuum-processed. Opening and closing means for opening and closing the closed container; and means provided between each of the closed containers and the vacuum processing chamber of the vacuum processing module, for transferring the sample into and out of the closed container via the opening and closing means. And that
  • a movable closed container arranged corresponding to a plurality of vacuum processing modules including a vacuum processing chamber in which a sample is vacuum-processed, and the closed container is provided in the vacuum processing module.
  • Other features of the present invention include a vacuum vessel having a processing chamber formed therein, a plasma generator for generating plasma in the processing chamber, and an electrode for holding a sample to be processed in the processing chamber.
  • the plasma processing apparatus may be configured such that an upper wall of the vacuum vessel is configured to be openable and closable, and the openable and closable part includes a nonmetallic brittle member. And at least a part of the upper wall constituting the upper surface of the processing chamber is rotated around a substantially horizontal axis so that the openable / closable portion faces the inside of the processing chamber upward.
  • the openable portion is opened, the inside of the processing chamber is held at an angle of 30 degrees or less from a horizontal plane while holding the component. Are formed, the the or the ⁇ moiety holding the component, said open portion
  • the maintenance operation of the plasma processing apparatus is performed in such a manner that the inside of the processing chamber faces upward.
  • the inside of the process chamber of the enclosable portion be kept at an angle of 30 degrees or less from a horizontal plane. .
  • At least one of the components constituting the plasma generator including the non-metallic brittle member is disposed on the openable upper wall portion of the vacuum vessel, and the processing chamber of the upper wall of the vacuum vessel is provided.
  • the inner side can be held almost flat, that is, open within 30 degrees from the horizontal position. This facilitates maintenance work inside the vacuum container. Within the range of 3 degrees, the non-metallic brittle parts constituting the upper wall can be physically stably held by friction.
  • power is supplied to an antenna installed above the reactor to generate plasma, and the antenna itself, which is a plasma generator, can be closed.
  • the non-metallic brittle part when detaching the non-metallic brittle part from the upper wall part, the non-metallic brittle part is substantially horizontal with respect to the antenna and the upper electrode in the upper wall even when all the mounting screws are removed. In a stable state due to frictional force Is done.
  • non-metallic brittle components such as quartz / silicon, which is a part of the material constituting the antenna, are difficult to crack, and the handling of the upper wall becomes difficult. It will be easier. In other words, when attaching or detaching a non-metallic brittle part, the part is held horizontally, so no excessive force is applied to the mounting screw during detaching work, and the part is not accidentally dropped. (4) It has the effect of preventing cracks and breakage even in non-metallic brittle parts such as silicon.
  • the posture of the worker becomes easier and workability is improved.
  • This facilitates maintenance work inside the vacuum vessel, especially for the plasma generator.
  • the physical and psychological burden on the worker can be greatly reduced because the worker who performs the part replacement work can perform the work of attaching / detaching / handling the part in an easy posture.
  • the plasma generator since the structure and mounting method of components are complicated, the plasma generator has the following advantages: the device is kept in a horizontal position, there is no need to worry about dropping components, and the components can be handled in an easy manner. It is big.
  • the power supply portion to the coil and the plasma generator is configured to be separable from the upper wall portion by using a detachable connection portion.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of an embodiment in which the present invention is applied to a plasma etching apparatus of a magnetic field UHF band electromagnetic wave radiation discharge system.
  • FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a maintenance method in the plasma etching apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a maintenance method in the plasma etching apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a maintenance method in the plasma etching apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram showing connection of the introduction terminals in the plasma etching apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram showing details of connection of the introduction terminals in FIG. FIG.
  • FIG. 7 is a schematic view schematically showing a state during a maintenance operation in the plasma etching apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic diagram schematically showing a state during maintenance work in a conventional plasma etching apparatus.
  • FIG. 9 is a schematic view showing an embodiment in which a vacuum container having a full flat open structure of the present invention is mounted on a plasma processing apparatus system.
  • FIG. 10 is a diagram showing one embodiment of a hinge mechanism of the plasma processing apparatus of the embodiment of FIG.
  • FIG. 11 is a diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to a RIE device using a magnetic field (for example, a magnetron RIE device).
  • FIG. 12 is a diagram showing an example in which the present invention is applied to a parallel plate type plasma processing apparatus.
  • Figure 1 of the present invention which shows an embodiment applied to a plasma Etsuchi ring system magnetic field UHF band electromagnetic wave radiation discharge type, the processing chamber 1 0 0, a vacuum degree of about 1 0- 6 T 0 rr A vacuum vessel that can be achieved and emits electromagnetic waves And a lower electrode 130 on which a sample W such as a wafer is placed.
  • the antenna 110 and the lower electrode 130 are installed in parallel and opposed to each other.
  • a magnetic field forming means 101 composed of, for example, an electromagnetic coil and a yoke is provided. Then, by the interaction between the electromagnetic wave radiated from the antenna 110 and the magnetic field formed by the magnetic field forming means 101, the processing gas introduced into the processing chamber is turned into plasma, and the plasma P is generated. Process sample W.
  • the processing chamber 100 is evacuated to vacuum by a vacuum exhaust system 106 connected to the vacuum chamber 105, and the pressure is controlled by a pressure control means 107.
  • the vacuum chamber 105 is at ground potential.
  • a side wall inner unit 103 is installed so as to be exchangeable, and the heat medium is circulated and supplied from the heat medium supply means 104, so that the temperature of the inner surface is increased. Is controlled in the range of 0 ° C to 100 ° C, preferably in the range of 20 ° C to 80 ° C, with an accuracy within ⁇ 10 ° C. Alternatively, it may be controlled by a heater heating mechanism and a temperature detecting means. It is preferable that the side walls 1 and 2 and the side wall inner unit 103 are made of aluminum, for example, and that the surface be subjected to a surface treatment such as alumite having plasma resistance.
  • the antenna 110 includes a disc-shaped conductor 111, a dielectric plate 112, and a dielectric ring 113, and is held in a housing 114 as a part of a vacuum vessel.
  • a plate 115 is provided on the surface of the disk-shaped conductor 111 which is in contact with the plasma, and an outer peripheral ring 116 is provided outside the plate.
  • the temperature of the disc-shaped conductor 111 is adjusted by temperature control means (not shown), and the surface temperature of the plate 115 in contact with the disc-shaped conductor 111 is controlled.
  • the processing gas for etching the sample is supplied from the gas supply means 117 with a predetermined flow rate and mixing ratio, and a large number of gases provided on the disc-shaped conductor 111 and the plate 115 are provided. It is supplied to the processing chamber 100 through the hole.
  • the plate 1 1 5 and the outer ring 1 1 6 For example, silicon or carbon is used for the plate 1 1 5 and the outer ring 1 1 6
  • quartz or alumina is preferably used.
  • the plate 115 is made of silicon
  • the outer ring 116 is made of quartz.
  • the antenna 110 is attached to the side wall 102 by a hinge 118, and is separated from the side wall 102 at a portion indicated by an arrow A and is lifted upward, so that the horizontal direction of the hinge 118 is substantially horizontal. It can be opened up to approximately 180 degrees (the position shown by the broken line in the figure) by rotating it as shown by the arrow (1) with the rotation axis installed at the fulcrum as a fulcrum.
  • the magnetic field forming means 101 is moved upward in advance as indicated by the arrow, and is retracted to a position where it does not interfere with the antenna and does not hinder maintenance.
  • the antenna 110 has an antenna power supply system 120 as an antenna power supply system 120, an antenna bias power supply 122, and a matching circuit 'filter system 123 and 124, respectively. It is connected by the lead-in terminal 126, and is also connected to the ground through the filter 125.
  • the antenna power supply 121 supplies power in the UHF band frequency from 300 MHz to 1 GHz. In the present embodiment, the frequency of the antenna power supply 121 is set to 450 MHz.
  • the antenna bias power supply 122 applies bias power to the antenna 110 with a frequency in the range of several 10 KHz to several 10 MHz. In this embodiment, the frequency is 13.56 MHz.
  • the distance between the lower surface of the plate 115 and the wafer W (hereinafter referred to as a gap) is 30 to 150 mm, preferably 50 to 120 mm.
  • a lower electrode 130 is provided below the processing chamber 100 so as to face the antenna 110.
  • the lower electrode 130 is provided with a bias power supply 141 that supplies a bias power in a range of, for example, 400 KHZ to 13.56 MHz. It is connected via a circuit and filter system 142 to control the bias applied to the sample W, and is connected to the ground via the filter 144.
  • the frequency of the bias power supply 141 is 800 kHz.
  • the lower electrode 130 holds and holds a sample W such as a wafer on its upper surface, that is, a sample mounting surface, by the electrostatic suction device 131.
  • the electrostatic attraction device 1 3 1 has an electrostatic attraction film formed on the surface, and a DC voltage of several 100 V to several KV from the DC power supply 14 4 for electrostatic attraction and the filter 14 5 By applying a voltage, the sample W is adsorbed and held on the lower electrode 130 by the electrostatic adsorption force.
  • a forcing sling 13 made of, for example, silicon is provided on the upper surface of the electrostatic chuck 13 1 and on the outer side of the sample W. Insulated.
  • An outer electrode cover 134 is provided outside the electrode.
  • alumina or quartz for the insulator 133 and the electrode outer cover 134. Furthermore, a lower cover 135 is provided on the inner surface of the lower part of the processing chamber.
  • the plasma etching apparatus according to the present embodiment is configured as described above, and a specific process when etching a silicon oxide film using the plasma etching apparatus will be described with reference to FIG.
  • the wafer W to be processed is loaded into the processing chamber 100 from a sample loading mechanism (not shown), and then placed and sucked on the lower electrode 130, and if necessary, The height of the lower electrode is adjusted to set a predetermined gap.
  • gases necessary for the etching process of the sample W for example, C 4 F 8, Ar, and 02 are put into the processing chamber 100 from the gas supply means 117 through the plate 115 to the processing chamber 1. It is supplied to 00.
  • the processing chamber 100 is adjusted by the evacuation system 106 to a predetermined processing pressure.
  • electromagnetic waves are radiated by power supply of 450 MHz from the antenna power supply 121.
  • an electron cyclotron magnetic field of 160 Gauss 450 MHz is formed inside the processing chamber 100 by the magnetic field forming means 101.
  • Plasma P is generated in the processing chamber 100 by the interaction with the substantially horizontal magnetic field (intensity), and the processing gas is dissociated to generate ions and radicals.
  • the wafer W is etched by controlling ions and radicals with the antenna bias power from the antenna bias power supply 122 and the bias power from the bias power supply 141 from the lower electrode. Then, along with the end of the etching process, the supply of the electric power, the magnetic field and the processing gas is stopped to end the etching.
  • the etching of the wafer by the plasma processing apparatus in the present embodiment is performed as described above. As the treatment process is repeated, the reaction products gradually accumulate in the treatment chamber, and foreign substances are generated due to the separation of the deposited film. When the number of foreign substances exceeds a certain management standard (for example, 0.2 foreign substances and 20 wafers or less), the processing chamber is opened to the atmosphere and jet cleaning is performed.
  • a certain management standard for example, 0.2 foreign substances and 20 wafers or less
  • FIG. 2 is a perspective view schematically showing a main part of the plasma etching apparatus shown in FIG. 1 in order to show a state of maintenance according to the present invention, and a part thereof is shown in cross section.
  • the antenna 110 is mounted on the side wall 102 mounted on the vacuum chamber 105, the magnetic field forming means 101 is set around the antenna 110, and the introduction terminal 1 2 is connected to the antenna 110.
  • the antenna power supply system 120 is connected via 6.
  • the processing chamber 100 and the vacuum chamber 105 are opened to the atmosphere, and the connection of the introduction terminals 126 connecting the antenna 110 and the antenna power supply system 120 is released.
  • the next step is shown in Fig. 4, and as shown by arrows (5) and (6), remove the side wall inner unit 103 and the lower cover 135 by pulling them upward. Also, for the lower electrode, remove the focus ring 13 2 and the outer electrode cover 1 3 4. The removed parts are subjected to processes such as removal of deposited film, ultrasonic cleaning and drying. Then, install the components in the reverse order to the above, restore the device to its original state, and evacuate.
  • the work of replacing parts is improved by improving the workability of wet cleaning by improving the workability of wet cleaning, such as fixing the vacuum flange with a clamp without using bolts.
  • the equipment downtime Good Wafer to Good Wafer
  • the operation confirmation such as vacuum pumping and foreign matter and rate check. Is secured.
  • the antenna 110 is rotated around the axis of the hinge 118 to open, so that the entire antenna 110 is lifted up from the processing chamber and removed. And the burden of lifting heavy objects is not imposed on the operator.
  • silicon When removing the plate 1 15 and the quartz ring 1 16 that are made of glass, it is only necessary to lift them upward as shown by arrows (3) and (4) in Fig. 4 for good workability. Therefore, work efficiency can be increased and the possibility of damage to parts is reduced.
  • the antenna power supply system 120 above the processing chamber is detachably connected to the antenna 110 at the introduction terminal 126 so that coupling and separation can be easily performed. Therefore, it is possible to open the antenna 110 to a substantially horizontal position.
  • the introduction terminals 126 have a structure in which the inner hot-side terminal for supplying power and the outer ground are insulated. When the connection of the lead-in terminals 126 is released, the inner hot-side terminal of the antenna 110 is brought into contact with the outer ground part using a simple mechanism such as a ground wire or a spring.
  • the antenna 110 may be charged by the refrigerant circulating inside due to friction with the inner wall surface of the coolant channel, but even if the antenna is charged by connecting the antenna to the ground, The safety is ensured even if the worker accidentally touches the hot side terminal by releasing it.
  • the antenna power supply system 120 and the antenna 110 are provided with lead-in terminals 1 26 to facilitate coupling and separation.
  • the antenna power supply system 120 and the magnetic field forming means 101 can move up and down integrally.
  • the antenna power supply system 120 and the antenna 110 are disconnected by releasing the connection of the introduction terminals 126 and moving the antenna power supply system 120 and the magnetic field forming means 101 upward together. It is possible to separate.
  • the antenna power supply system 120 and the magnetic field forming means 101 are lowered integrally in order to connect the introduction terminals 126. Terminals 1 and 6 must be connected smoothly with good reproducibility. Therefore, the relative positions of the magnetic field forming means 101 and the antenna 110 are determined by the positioning mechanism 127.
  • the positioning mechanism 127 a vertical bar 110A installed on the antenna 110 and a sleeve 101A installed on the magnetic field forming means 101 are used.
  • the antenna power supply system 120 and the magnetic field forming means 101 are integrated and lowered, a plurality of sets of vertical bars 11A and sleeves 10A position each other.
  • the central axes of the antenna 110 and the magnetic field forming means 101 coincide exactly. As a result, it is possible to smoothly perform the reproducibility without deviating from the connection and connection at the introduction terminals 126 described below.
  • the introduction terminals 126 have a structure to which a coaxial tube for transmitting UHF band electromagnetic waves is connected.
  • the antenna power supply system 120 and the magnetic field forming means 101 are lowered, the center conductors 12 OA and 11 OA are combined and coupled, and at this time, a position sensor (not shown) detects the stop position. The descent stops. Then, the shields 120 B and 110 B are connected to each other by a connection unit 128 on the outside thereof.
  • connection unit 128 is released by releasing the clamp 128A and rotating around the hinge 128B as a center axis. It has a structure that can be divided into R.
  • the left and right united units 128R and 128R have semicircular inner surfaces at the center of each unit, and the left and right semicircular The part becomes round and becomes circular, and the earth shields 120B and 11OB shown in Fig. 5 are attached to this part. Fix it so that it indents.
  • the units 128 L and 128 R have the following characteristics in order to secure contact with the ground shields 120 B and 11 ⁇ B and to prevent leakage of UHF band electromagnetic waves.
  • Electromagnetic shields 128 C are installed on the contact surfaces of each other and the semicircular upper and lower parts. As the electromagnetic shield 128 C, for example, a wire mesh having cushioning properties, or a more rigid finger or spiral electromagnetic shield member is suitable.
  • a clamp (not shown) is installed inside the clamp 1 28 A, and the interlock is released by fixing the clamp, and the antenna power supply system 1 shown in Fig. 5 is released. It is configured so that 20 inputs can be made. Needless to say, in order to release the interlock, it is necessary to further lower the antenna power supply system 120 and the magnetic field forming means 101 to predetermined positions. These lock-in mechanisms allow workers to forget the connection of the lead-in terminals 126 and the connection unit 128 during wet cleaning. The power supply to the antenna power supply system 120 cannot be turned on by the fin lock mechanism.
  • the antenna itself which is a plasma generator installed above the reactor and supplied with electric power, can be opened and closed.
  • the antenna 110 and the antenna power supply system 120 can be easily coupled and separated.
  • FIG. 7 schematically shows a state of maintenance in a state of a full-flat oven in the plasma etching apparatus of the embodiment shown in FIG.
  • an antenna 110 that emits an electromagnetic wave is attached to a side wall 102 by a hinge 118 that can be opened and closed at approximately 180 degrees.
  • Figure 7 shows that the antenna 110 is opened at about 180 degrees and the outer ring 1116 of the antenna 110 is in the full flat open state where the inside of the antenna is almost horizontal with the inside facing up. It is about to remove the inner plate 1 15.
  • the outer peripheral ring 116 is a quartz ring
  • the plate 115 is a silicon shaped plate having a large number of gas holes, all of which are broken or broken. They are crisp and expensive parts.
  • the antenna 110 to which these are attached substantially horizontal the operator M can attach and handle these parts in an easy posture from above.
  • the part is held in a substantially horizontal position, that is, in a physically stable state by friction or by a locking portion, and the part is supported. No need.
  • the opening direction of the antenna 110 is set to the direction toward the worker in the maintenance area, the antenna 110 is held at a position easily accessible to the worker, so that the worker is stable. Work can be performed in a posture that has been adjusted. Needless to say, there is no need for co-workers since the parts can be replaced by one person.
  • FIG. 8 shows a case where maintenance is performed in the present embodiment with the processing chamber approximately upright at an opening and closing angle of approximately 90 degrees as in the prior art. Show.
  • To remove the quartz outer ring 1 16 ⁇ silicon plate 1 15 remove the mounting screws and the parts will come off. For this reason, the worker M has to remove the mounting screws while holding down the part with one hand, and it cannot be said that the workability is good. Not only that, they can even slip parts down. Or, when mounting parts, excessive force is applied to the screw holes, and the parts are likely to be damaged. Expensive and fragile quartz and silicon parts can be damaged, giving workers a feeling of psychological pressure.
  • FIG. 9 is a plan view of another embodiment of the present invention, in which a vacuum vessel having a full flat open structure is mounted on a plasma processing system, as viewed from above.
  • This equipment is equipped with two plasma processing chambers E 1 and E 2, and the sample wafer is transferred from the mouth mechanism 15 1 through the load lock chamber 15 2 to the buffer chamber 15 3, and the sample is transferred. It is transferred to the plasma processing chambers E 1 and E 2 by the mechanism 154.
  • the plasma processing chamber E 1 is in a state where the apparatus is assembled, and a magnetic field forming means 101 and an antenna power supply system 120 are mounted on a vacuum chamber 105.
  • the plasma processing chamber E 2 is in the state of performing wet cleaning, and The inside of the room 100 is open to the atmosphere, and the antenna 110 is placed in a full flat state by the hinge 118.
  • the magnetic field forming means 101 and the antenna power supply system 120 are retracted to a position where they do not hinder the work.
  • the antenna 110 is oriented in the direction of the worker M (outside the base frame 150) in the maintenance area (in this case, the maintenance area is about 80 cm wide around the device).
  • the worker M can easily perform maintenance work because it is shaped so that about half of the base frame 150 protrudes from the base frame 150 of the system. Also, the antenna 110 does not excessively protrude into the maintenance area, and does not occupy extra space in the clean room.
  • the clean room is an expensive space because the cleanliness is maintained by down flow. For this reason, it is necessary not only to reduce the floor occupied area (footprint) in the operating state, but also to install the equipment with as small an interval as possible. For this reason, the mass production factory actually provides only the minimum required space for maintenance and traffic around the equipment, for example, a width of about 80 cm.
  • the fact that the reactor is confined to at most half of the maintenance time, that is, only about several tens of cm at the time of maintenance, as in the present embodiment, is equivalent to mass production equipment in view of the efficient use of the clean room space. It is desirable.
  • the entire wafer stage is moved by the elevating mechanism and the horizontal moving mechanism, or in the known example 4, the exhaust chamber is rotated by the elevating mechanism and the rotating mechanism.
  • Such a mechanism becomes large-scale, or during maintenance, the moving mechanism protrudes around the device, and the compactness of the entire device is lost.
  • a heating medium for controlling the temperature of the disk-shaped conductor 111 is supplied to the antenna 110.
  • the antenna 110 is set to the full flat open state in which the antenna 110 is opened 180 degrees, if the supply path of the heat medium (for example, a hose) is detached and connected at a connection portion such as a connector, the connector is not connected. Refrigerant may leak from one part, and extra work time is required.
  • the antenna part is repeatedly closed to 180 degrees, the hose that supplies the heat medium is greatly bent, and the hose is repeatedly bent, which may result in damage to the hose. is there.
  • FIG. 10 shows an embodiment of such a hinge mechanism.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the structure of the hinge 118 that can be opened and closed at approximately 180 degrees in the plasma processing apparatus of the embodiment of FIG. 18 is viewed from above with 180 degrees open.
  • a support portion 162 is attached to the housing 114 of the antenna 100, and is fixed to the shaft 163 by a locking member 1664 such as a set screw.
  • the shaft 163 is rotatably mounted on a hinge mounting portion 161, which is mounted on the side surface of the side wall 102.
  • the shaft 163 is axially moved by a locking member 1665 such as a retaining ring. Are restrained, the mutual positional relationship is determined.
  • the heat medium flows from the universal joint 16 A, which can rotate around the shaft of the shaft 16 3, through the flow path 16 7 A provided in the shaft, and the flow path 16 inside the antenna housing 1 14 Flow through 8 A, flow through 1 6 8 B, 1 6 7 B, 1 6 6 Emitted from B.
  • the passage of the heat medium is sealed by a “sealing” sealing member 169 so that the heat medium does not leak.
  • a refrigerant such as, for example, Linnaut (trade name) and set the temperature at about 30 ° C. to 80 ° C.
  • the present embodiment when opening and closing the antenna unit, it is not necessary to detach the connector for connecting the heat medium, so that leakage of the refrigerant from the seal portion of the connector can be prevented, and the reliability of the operation is improved. And work time can be reduced.
  • the plasma processing apparatus of the magnetic field emission UHF band electromagnetic wave radiation discharge method was used, but the emitted electromagnetic waves were not limited to the UHF band, and for example, a 2.45 GHz microwave was used. It may be a wave or a VHF band from about 10 MHz to about 300 MHz.
  • the magnetic field strength was described in the case of 160 gauss, which is the electron cyclotron resonance magnetic field strength for 450 MHZ.However, it is not always necessary to use a resonance magnetic field, and a stronger magnetic field or vice versa.
  • a weak magnetic field of several tens Gauss or less may be used.
  • a non-magnetic field microwave discharge that does not use a magnetic field may be used.
  • a magnet-type plasma processing apparatus using a magnetic field for example, a parallel plate type capacitively-coupled plasma processing apparatus, or an inductively-coupled plasma processing apparatus, etc. Embodiments can be applied.
  • FIG. 11 shows that the present invention relates to a RIE device (for example, magnetron) using a magnetic field.
  • RIE device for example, magnetron
  • the processing chamber 100 as a vacuum vessel includes a side wall 102, a lower electrode 130 on which a sample W such as a wafer is placed, and an upper electrode grounded opposite thereto.
  • a power source 205 and a magnetic field generating means 204 for generating a magnetic field in the vacuum vessel are provided.
  • the raw means 204 has a plurality of permanent magnets or coils arranged in a ring shape on the outer circumference or upper side of the processing chamber 100, and forms a magnetic field substantially parallel to the electrodes inside the processing chamber.
  • the magnetic field can be rotated by giving a gradient.
  • the processing gas is converted into a plasma by an electric field generated between the electrodes by the electric power supplied from the lower power supply 205, plasma P is generated, and the sample W is processed.
  • a magnetic field is generated in a direction substantially orthogonal to the electric field by the magnetic field generating means 204, so that the frequency of collision between electrons and molecules and atoms in the plasma is reduced by the magnetic field or magnetron.
  • the frequency of the lower power source 205 is preferably in the range of a low frequency band of about 100 KHz to about 10 MHZ to a high frequency band.
  • the upper electrode 200 is provided with a plate 202 having a large number of gas holes formed on an electrode plate 201 grounded to the ground, and is covered by an outer ring 203.
  • the plate 202 is preferably made of silicon or carbon, or may be made of anodized aluminum.
  • the upper electrode 200 is attached to the side wall 102 by a hinge 118. Then, it is separated from the side wall 102 at the portion indicated by the arrow A and lifted upward, and is rotated about the approximately horizontal support axis of the hinge 118 as a fulcrum. (The position indicated by the broken line).
  • FIG. 12 shows an example in which the present invention is applied to a parallel plate type plasma processing apparatus.
  • the processing chamber 100 as a vacuum vessel is constituted by a side wall 102, a lower electrode 130 on which a sample W such as a wafer is placed, and an upper electrode 210 opposed thereto. It further comprises a gas supply means 117 for introducing a predetermined gas into the vacuum vessel, and a vacuum evacuation system 106 for evacuating the vacuum vessel. Then, an electric field is generated between the electrodes by electric power supplied from the upper power supply 2 21 to the upper electrode 2 10, the processing gas is turned into plasma, and the plasma P is generated to process the sample W.
  • the upper electrode 210 is held by the housing 214 with the electrode plate 211 insulated by insulators 212,213. Further, a plate 2 15 is provided on the surface of the electrode plate 2 11 in contact with the plasma, and a seal ring 2 16 is provided on the outer periphery thereof.
  • the shield ring 2 16 protects the insulators 2 1 2 and 2 1 3 from the plasma and, at the same time, forms a pair with the focus ring 13 2 so that the plasma P is sealed in the processing chamber 100. Improve plasma density and obtain high etching characteristics.
  • silicon or carbon is preferably used for the plate 215, and quartz or alumina is preferably used for the shield ring 216, for example.
  • the frequency of the upper power supply 222 is preferably in a VHF band exceeding approximately 100 MHz from a high frequency band of approximately 100 MHz.
  • the electrode plate 211, the matching circuit, the filter system 223, and the filter 225 are kept as short as possible. It is desirable that they be connected and securely connected using a copper plate or copper pipe. Therefore, in the case of the present embodiment, a matching box 220 in which a small-sized and lightweight matching circuit using a switching circuit by a diode and a filter system 222 are integrated with the upper electrode 2 is used.
  • a matching box 220 in which a small-sized and lightweight matching circuit using a switching circuit by a diode and a filter system 222 are integrated with the upper electrode 2 is used.
  • At the top of 10 It is configured to be directly mounted and connected to the upper power supply 221 via the connection terminal 226.
  • the upper electrode 210 is attached to the side wall 102 by the hinge 118, and is separated from the side wall 102 at the portion indicated by the arrow A and lifted upward, so that the hinge 118 It is configured so that it can be rotated about a substantially horizontal support shaft as a fulcrum.
  • the size of the matching circuit and the filter and the filter mounted on the upper electrode are made smaller and lighter so that they can be removed from the upper electrode without removing them. It is possible to set the angle of 2 1 to an opening angle of 16.5 degrees or 1800 degrees, that is, within 15 degrees from the horizontal plane.
  • the upper power supply 2 21 is configured to be separable by the connection terminal 2 26.
  • the high-efficiency, compact and lightweight upper power supply 2 21 is mounted directly on the upper electrode 210. You may. In this case, it is possible to open the opening angle to about 150 to 180 degrees, that is, to within 30 degrees from the horizontal plane, and replace the plate 2 15 and the insulator 2 16 It can be done efficiently and safely.
  • the processing target is a semiconductor wafer.
  • the present invention is not limited to this.
  • the present invention can be applied to a case where a processing target is a liquid crystal substrate, and the processing itself is not limited to etching. For example, sputtering or CVD processing is performed. It is also applicable to
  • a part of the vacuum chamber constituting the processing chamber is configured as an openable and closable part, and the openable and closable part is arranged so that the processing chamber is directed upward and friction is caused in a state where components are almost horizontal. Or a physically stable state by the locking portion.
  • the upper part of the processing chamber is set as the maintenance work area, the worker can easily access the processing chamber, and the maintenance work can be performed in an easy posture from above.
  • workers can easily handle parts during maintenance and workability is improved, so that a plasma processing apparatus with excellent maintainability and ease of use can be realized. It is possible to provide a plasma processing apparatus that contributes to improvement in performance.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Description

明 細 書 ブラズマ処理装置及びそのメンテナンス方法 技術分野
本発明は、 プラズマ処理装置及びそのメ ンテナンス方法に係り、 特に半 導体製造工程における微細なパターンを形成するのに好適なプラズマ処理 装置及びそのメ ンテナンス方法に関する。 背景技術
半導体製造工程では、 たとえば成膜、 エッチング、 アツシングなどの微 細加工プロセスで、 プラズマ処理装置が広く用いられている。 プラズマ処 理装置と しては、 例えば、 特鬨平 0 7— 1 6 1 6 9 5号公報 （以下公知例 1 )、 特開平 0 5— 3 3 5 2 6 3号公報 （以下公知例 2 )等に記載されたも のがある。
公知例 1 には、 処理室上部に石英ガラスなどをそなえた高周波誘導結合 方式のプラズマ処理方法が開示されている。 また、 公知例 2には、 処理室 の天井蓋をヒンジによ り回転して開放可能に設け、 プラズマ増強用の磁場 コイルを天井蓋とは独立して支持し、 磁場コイルを移動可能にして処理室 の上方を開放可能としたものが開示されている。
このようなプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理によるプロセスは、 真空容器 （リアクタ） 内部に導入されたプロセスガスをプラズマ発生手段 によ り プラズマ化し、 半導体ウェハ表面で反応させて微細加工を行う と と もに、 揮発性の反応生成物を排気するこ とによ り、 所定の処理を行うもの である。
このプラズマ処理装置及びプラズマ処理プロセスにおいては、 試料を処 理加工する際に、 試料を載置する下部電極周辺の表面に反応生成物が付着 し、 やがて剥離して異物としてウェハ表面に付着して歩留まりを低下させ る問題がある。 このため、 定期的にプラズマ処理装置を大気開放して、 付 着物を除去するゥエツ トクリーニングと呼ばれる清掃作業を行う必要があ る。 また、 真空容器内でプラズマにさらされる部品は、 プロセスを重ねる とともに消耗していくので、 定期的に消耗部品を交換する必要がある。 このような、 真空容器内部のメンテナンスに関する技術として、 例えば、 特開平 0 7— 1 4 7 2 4 1号公報 （以下公知例 3 )、 特開平 1 0— 4 1 0 9
6号公報 （以下公知例 4 )等に記載されたものがある。
公知例 3には、 処理室上部に設けられたウェハステージ （ウェハを表面 を下側にして設置する） 全体を昇降機構と水平移動機構により移動させる メンテナンス機構が開示されている。 公知例 3では、 真空容器の上部にあ る開閉可能な部分は、 鉛直/水平に移動可能なウェハ保持機構となつてい る。 公知例 3において、 開閉可能な上部に設けられたステージは、 機構系 すなわち機械部品で構成されている。
また、 公知例 4には、 上部排気室 U Cと処理室 P Cと下部排気室 D Cが 分離可能に構成され、 上部排気室 U Cが昇降自在であるとともに回転機構 により天地逆転可能な装置が開示されている。 例えば、 図 6に示されてい るように、 上部排気室が昇降自在であるとともに回転機構により天地逆転 可能になっている。 上部排気室 U Cの壁は、 カバ一となっている。 このような、 真空容器内部のメンテナンスの際に作業性を確保するため の他の方法として、 真空容器の上部壁をヒンジなどの機構により開閉可能 として、 真空容器上部を概略 9 0度に開けて、 ほぼ直立した状態にして部 品交換などのメンテナンスを行う方法がとられている。
しかしながら、 上記のように真空容器上部壁が概略直立した状態では、 交換部品の取付けネジをはずすと部品は自立的に保持されず、 はずれてき てしまう可能性がある。 このため、 作業者は、 交換部品の取付け '取外しの 際に、 同時に部品を手で支えている必要があり、 部品取付け用のジグを用 いるなどしても作業がしにくいという難点があった。 また、 取付け時に部 品の位置決めがずれたり、 取付けネジを締付ける際に部品に無理な力が加 わって欠けがはいったり、 部品に均等に力がかからずに稼働中に熱応力サ ィクルにより破損したり、 といった様々な不都合が生じる可能性があった。 特に、 たとえばシリコン酸化膜エッチング装置では、 真空容器上部にあ たるアンテナや上部電極などの部分に、 高価で割れやすいシリコン製シャ ヮプレートゃ石英製リングなどの非金属脆性部品を用いている。
また、 マグネ トロン型プラズマ処理装置や平行平板型プラズマ処理装置 でも、 上部電極及びガス供給手段の一部にシリコンゃ石英のような非金属 脆性部品を用いている。 そして、 これらの部品を交換する際に、 真空容器 上部が 9 0度程度までしか鬨かないと、 部品を滑って落としたり、 無理な 力がかかったり して、 部品を破損することがあった。
と りわけ、 ウェハ径の大口径化にともない、 真空容器内部の構成部品も 大型化し、 あるいは重量が増加する方向にあるので、 作業者にとっては部 品のハンドリングがしにく くなつて、 ますます負担が増加する傾向にある。 こう した事態をさけるために、 一人作業ではなく二人で作業するのも一 つの方法ではあるが、 この場合、 メンテナンスのために余計な人員が必要 となり、 人件費の増大につながってしまう。
本発明は、 上記の課題を解決するためになされたものであり、 真空容器 内部の消耗部品の交換やウエッ トクリーニングなどの際のメンテナンス性 や使い勝手をよくすることで、 生産性の向上に寄与できるプラズマ処理装 置及びそのメ ンテナンス方法を提供することを目的とする。
本発明は特に、 真空容器として非金属脆性部材を含む可能性のある処理 室のメンテナンス作業性に優れた、 プラズマ処理装置及びそのメンテナン ス方法を提供することを目的とする。
発明の開示
上記の目的を達成するために、 本発明の特徴とするところは、 試料が真 空処理される真空処理室を備えた複数の真空処理モジュールに対応して配 置される移動可能な閉容器と、 前記閉容器を開閉する開閉手段と、 前記各 閉容器と前記真空処理モジュールの真空処理室との間に設けられ、 前記閉 容器内に前記各開閉手段を介して前記試料を搬出入する手段とを備えたこ とにある。
また、 本発明の他の特徴は、 試料が真空処理される真空処理室を備えた 複数の真空処理モジュールに対応して配置される移動可能な閉容器と、 該 閉容器を前記真空処理モジユールに対応する位置に移動させる手段と、 前 記閉容器を鬨閉する開閉手段と、 前記各閉容器と前記真空処理モジュール の真空処理室との間に設けられ、 前記閉容器内に前記各開閉手段を介して 前記試料を搬出入する手段とを備えたことにある。 本発明の他の特徴は、 内部に処理室が形成された真空容器と、 前記処理 室内にプラズマを発生させるためのプラズマ発生装置と、 前記処理室内で 処理される試料を保持する電極とを有するプラズマ処理装置のメンテナン ス方法において、 前記プラズマ処理装置は、 前記真空容器の上部壁を開閉 可能部分とし、 該開閉可能部分に非金属脆性部材を含む前記プラズマ発生 装置を構成する部品の少なく とも 1つを配置し、 該処理室の上側の面を構 成する上部壁の少なく とも一部を概略水平な軸のまわりに回転させて該開 閉可能部分が処理室内部側を上方に向けた状態で安定して保持可能とし、 前記開閉可能部分の処理室内部側が、 該開閉可能部分の開放時に、 前記部 品を保持したまま、 水平面から 3 0度以内の角度に保待されるように構成 されており、 前記部品を保持したま前記閧閉可能部分を、 該開閉可能部分 の処理室内側が上方に向けた角度に閧故して、 前記プラズマ処理装置のメ ンテナンス作業を行うことにある。
前記開閉可能部分の開放時、 前記部品類が安定して自然に保持されるた めには、 該閧閉可能部分の処理室内側が水平面から 3 0度以内の角度に保 持されることが望ましい。
本発明のさらに他の特徴は、 前記開閉可能部分が開く方向をメンテナン ス作業用エリア方向としたことにある。 本発明のさらに他の特徴は、 前記開閉可能部分への電力供給部を該閧閉 可能部分に対して着脱可能に接続されて容易に結合と分離が可能な構造と し、 この接続が結合されたときにのみイ ンタ一ロック機構が解除されて電 力供給部からの電力供給が可能となるように構成し、 さらに、 電力供給部 の分離時に開閉可能部分のホッ ト側端子がアース接続されるようにしたこ とにある。
本発明によれば、 真空容器の開閉可能な上部壁部分に非金属脆性部材を 含むプラズマ発生装置を構成する部品の少なく とも 1つを配置したものに おいて、 真空容器の上部壁の処理室内部側をほぼフラッ ト、 すなわち水平 位置から 3 0度以内の範囲で開放状態に保持できる。 これにより、 真空容 器内のメ ンテナンス作業が容易になる。 3 ◦度以内の範囲であれば、 上部 壁を構成する非金属脆性部品を摩擦により物理的に安定して保持可能であ る。
本発明の実施例では、 リアクタの上部に設置されたアンテナに電力を供 給してプラズマを発生させており、 プラズマ発生装置であるアンテナその ものを閧閉可能としている。
本発明によれば、 上部壁部分から非金属脆性部品を脱着する際に、 取付 けネジをすベてはずした状態でも、 非金属脆性部品が上部壁内のアンテナ や上部電極に対してほぼ水平な状態で摩擦力により物理的に安定して保持 される。
本発明によれば、 プラズマ発生装置を構成する部品のうち、 例えばアン テナの構成材料の一部である石英ゃシリコンのような、 非金属脆性部品が 割れにく くなり、 上部壁のハンドリングが容易となる。 すなわち、 非金属 脆性部品を脱着する場合に、 部品が水平に保持されるため、 たとえば脱着 作業時に取り付けネジ部に無理な力がかかったり、 部品をあやまって落と したりすることがないので、 石英ゃシリコンといった非金属脆性部品でも 割れや破損が生じない効果がある。
また、 内側を上向きにほぼフラッ トに保持することにより、 作業者の姿 勢が楽になり、 作業性が向上する。 これにより、 真空容器内、 特にブラズ マ発生装置部分のメ ンテナンス作業が容易になる。 すなわち、 部品交換作 業をおこなう作業者が、 楽な姿勢で部品の脱着ゃハン ドリ ングの作業がで きるので作業者の肉体的また心理的な負担を大きく軽減できる利点がある。 特にプラズマ発生装置は部品の構造や取付け方法が複雑であるため、 装 置が水平位置に保たれていて、 部品を落下させる心配がないこと、 楽な姿 勢で部品を扱えること、 の効果は大きいものである。
また、 本願発明の他の特徴によれば、 コイルやプラズマ発生装置への電 力供給部分を上部壁部分から着脱可能な接続部分を用いて分離可能に構成 したため、 上部壁部分に非金属脆性部材を含むものにおけるメンテナンス 作業が一層容易になる。 さらに、 着脱可能な接続部分が結合されたときに のみ電力供給部からの電力供給を可能とし、 電力供給部の分離時には開閉 可能部分の接続部のホッ ト側端子を外側のアース部分に接触させることで、 接続が不十分な状態で電力が供給されたり、 作業者が帯電部に接触したり することがなく、 装置や作業者の安全を確保するができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明を、 有磁場 U H F帯電磁波放射放電方式のプラズマエツ チング装置へ適用した実施例の模式図である。 図 2は、 本実施例によるプ ラズマエッチング装置におけるメンテナンス方法を示す模式図である。 図 3は、 本実施例によるプラズマエッチング装置におけるメ ンテナンス方法 を示す模式図である。 図 4は、 本実施例によるプラズマエッチング装置に おけるメ ンテナンス方法を示す模式図である。 図 5は、 本実施例によるプ ラズマエッチング装置における導入端子の接続を示す図である。 図 6は、 図 5における導入端子の接続の詳細を示す図である。 図 7は、 本実施例に よるプラズマエッチング装置におけるメンテナンス作業時の状況を模式的 に示す模式図である。 図 8は、 従来のプラズマエッチング装置におけるメ ンテナンス作業時の状況を模式的に示す模式図である。 図 9は、 本発明の フルフラッ トオープン構造の真空容器をプラズマ処理装置システムに搭載 した実施例を示す模式図である。 図 1 0は、 図 1の実施例のプラズマ処理 装置のヒンジ機構の一実施例を示す図である。 図 1 1は、 本発明を、 磁場 を用いた R I E装置 （たとえばマグネ トロン R I E装置） に適用した実施 例を示す図である。 図 1 2は、 本発明を、 平行平板型プラズマ処理装置に 適用した例を示す図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施例について、 図面に基づいて説明する。
まず、 本実施例における装置の構成を図 1 により詳しく説明した上で、 部品交換やメ ンテナンス作業の方法について具体的に説明する。
図 1は本発明を、 有磁場 U H F帯電磁波放射放電方式のプラズマエツチ ング装置へ適用した実施例を示すものであり、 処理室 1 0 0は、 1 0— 6 T 0 r r程度の真空度を達成可能な真空容器であり、 その上部に電磁波を放 射するアンテナ 1 1 0を備え、 下部にはウェハなどの試料 Wを載置する下 部電極 1 3 0を備えている。 アンテナ 1 1 0と下部電極 1 3 0は、 平行し て対向する形で設置される。 処理室 1 0 0の周囲には、 たとえば電磁コィ ルとヨークよりなる磁場形成手段 1 0 1が設置されている。 そして、 アン テナ 1 1 0から放射される電磁波と磁場形成手段 1 0 1で形成される磁場 との相互作用により、処理室内部に導入された処理ガスをプラズマ化して、 プラズマ Pを発生させ、 試料 Wを処理する。
処理室 1 0 0は、 真空室 1 0 5に接続された真空排気系 1 0 6により真 空排気され、 圧力制御手段 1 0 7により圧力が制御される。 真空室 1 0 5 はアース電位となっている。 処理室 1 0 0の側壁 1 0 2には、 側壁イ ンナ —ュニッ ト 1 0 3が交換可能に設置され、 熱媒体供給手段 1 0 4から熱媒 体が循環供給されて、 内表面の温度が 0 °C〜 1 0 0 °C、 望ましくは 2 0 °C 〜 8 0 °Cの範囲で、 ± 1 0 °C以内の精度をもって制御される。 あるいはヒ —タ加熱機構と温度検知手段によって制御してもよい。 側壁 1 ◦ 2、 側壁 インナーュニヅ ト 1 0 3はたとえばアルミニウムとして、 表面に耐プラズ マ性のアルマイ トなどの表面処理を施すのが望ましい。
アンテナ 1 1 0は、 円板状導電体 1 1 1、 誘電体プレート 1 1 2、 誘電 体リ ング 1 1 3からなり、 真空容器の一部としてのハウジング 1 1 4に保 持される。 また、 円板状導電体 1 1 1のプラズマに接する側の面にはブレ —ト 1 1 5が設置され、さらにその外側に外周リング 1 1 6が設置される。 円板状導電体 1 1 1は図示しない温度制御手段により温度が調整され、 円 板状導電体 1 1 1に接するプレー ト 1 1 5の表面温度が制御される。 試料 のエッチング処理を行なう処理ガスは、 ガス供給手段 1 1 7から所定の流 量と混合比をもつて供給され、 円板状導電体 1 1 1 とプレート 1 1 5に設 けられた多数の孔を通して、 処理室 1 0 0に供給される。
プレート 1 1 5にはたとえばシリコンやカーボンを、 外周リング 1 1 6 にはたとえば石英やアルミナを用いるのが好適である。 本実施例では、 プ レー ト 1 1 5にはシリコンを、 外周リング 1 1 6には石英を用いている。 アンテナ 1 1 0は、 ヒンジ 1 1 8によ り側壁 1 0 2に取り付けられてお り、 矢印 Aの部分において側壁 1 0 2と分離されて上方に持ち上げること で、 ヒンジ 1 1 8の概略水平に設置された回転軸を支点にして矢印 （ 1 ) のように回転させることで概略 1 8 0度 （図中に破線で示す位置） にまで 開く ことができる。 この状態でプレー ト 1 1 5や外周リ ング 1 1 6の取付 けネジをはずしても、 摩擦により、 あるいはたとえば数 mm から 1 0 mm 程 度の高さの段差などの係止部分によ り、 物理的に安定した状態で保持され る。 アンテナ 1 1 0を開く際には、 磁場形成手段 1 0 1 をあらかじめ矢印 のように上方に移動させて、 アンテナと位置的に干渉せずメ ンテナンスの 支障にならない位置に退避させておく。
アンテナ 1 1 0には、 アンテナ電源系 1 2 0 と して、 アンテナ電源 1 2 1、 アンテナバイアス電源 1 2 2が、 それそれマッチング回路 ' フ ィルタ 系 1 2 3、 1 2 4を介して、 導入端子 1 2 6によ り接続され、 またフ ィ ル 夕 1 2 5を通してアースに接続される。 アンテナ電源 1 2 1は、 3 0 0 M H Z〜 1 GHz の U H F帯周波数の電力を供給する。 本実施例では、 アンテ ナ電源 1 2 1の周波数を 4 5 0 MH Zと している。 一方、 アンテナバイァ ス電源 1 2 2は、 アンテナ 1 1 0に、 周波数が数 1 0 K H Zから数 1 0 M H Zの範囲のバイアス電力を印加する。 本実施例では、 周波数は 1 3. 5 6 MH Zと している。 プレー ト 1 1 5の下面とウェハ Wの距離 （以下、 ギ ャ ヅ プと呼ぶ） は、 3 0醒 以上 1 5 0 mm 以下、 望ま しくは 5 0匪 以上 1 2 0 mm以下とする。
処理室 1 0 0の下部には、 アンテナ 1 1 0に対向して下部電極 1 3 0が 設けられている。 下部電極 1 3 0には、 例えば 4 0 0 K H Zから 1 3. 5 6 MH Zの範囲のバイァス電力を供給するバイァス電源 1 4 1がマヅチン グ回路 · フィルタ系 1 4 2を介して接続されて試料 Wに印加するバイァス を制御するとともに、 フィル夕 1 4 3を介してアースに接続される。 本実 施例では、 バイァス電源 1 4 1の周波数を 8 0 0 KH Zとしている。
下部電極 1 3 0は、 静電吸着'装置 1 3 1により、 その上面、 すなわち試 料載置面にウェハなどの試料 Wを載置保持する。 静電吸着装置 1 3 1の表 面には静電吸着膜が形成されており、 静電吸着用の直流電源 1 4 4とフィ ル夕 1 4 5から数 1 0 0 V〜数 KVの直流電圧を印加することで、 静電吸 着力により、 試料 Wを下部電極 1 3 0上に吸着 ·保持する。 静電吸着装置 1 3 1の上面でかつ試料 Wの外側部には、 たとえばシリコン製のフォ一力 スリング 1 3 2が設けられており、 絶縁体 1 3 3により静電吸着装置 1 3 1 と絶縁される。 電極の外側には電極外周カバ一 1 34を設けてある。 絶 縁体 1 3 3、 電極外周カバー 1 3 4にはアルミナや石英を用いるのが好適 である。 さらに、 処理室下部の内面には下部カバ一 1 3 5が設けてある。 本実施例によるプラズマエッチング装置は以上のように構成されており、 このプラズマエッチング装置を用いて、 たとえばシリコン酸化膜のエッチ ングを行う場合の具体的なプロセスを、 図 1 を用いて説明する。
まず、 処理の対象物であるウェハ Wは、 図示していない試料搬入機構か ら処理室 1 0 0に搬入された後、 下部電極 1 3 0の上に載置 · 吸着され、 必要に応じて下部電極の高さが調整されて所定のギヤップに設定される。 ついで、 処理室 1 0 0内に試料 Wのエッチング処理に必要なガス、 たとえ ば C 4 F 8 と A rと 02が、 ガス供給手段 1 1 7からプレート 1 1 5を通 して処理室 1 0 0に供給される。 同時に、 処理室 1 0 0は真空排気系 1 0 6により所定の処理圧力になるように調整される。
次に、 アンテナ電源 1 2 1からの 4 5 0 MH Zの電力供給により電磁波 が放射される。 そして、 磁場形成手段 1 0 1 により処理室 1 0 0の内部に 形成される 1 6 0ガウス （ 4 5 0 MH Zに対する電子サイクロ トロン磁場 強度） の概略水平な磁場との相互作用により処理室 1 0 0内にプラズマ P が生成され、 処理ガスが解離されてイオン ·ラジカルが発生する。 さらに、 アンテナバイァス電源 1 2 2からのアンテナバイァス電力や下部電極から のバイアス電源 1 4 1からのバイアス電力によりィオンやラジカルを制御 して、 ウェハ Wにエッチング処理を行う。 そして、 ェヅチング処理の終了 にともない、 電力 · 磁場及び処理ガスの供給を停止してエッチングを終了 する。
本実施例におけるプラズマ処理装置によるウェハのエッチング処理は上 記のようにして行われる。 そして、 処理プロセスを繰り返すうちに処理室 内部には反応生成物が徐々に堆積していき、 堆積膜が剥離するなどして異 物が発生するようになる。 そして異物数がある管理基準 （たとえば 0 0 . 2〃ιιι 異物で 2 0個 Zウェハ以下） を越えた時点で、 処理室を大気開放し てゥエツ トクリーニングを行う。
次に、 本実施例の装置におけるウエッ トク リ -ニング時の装置の分解 ·組 立の概略の手順や部品類の取外し方法を、 図 2〜図 7を用いて説明する。 図 2は、 本発明によるメンテナンスの状況を示すために、 図 1で示した ブラズマエッチング装置の要部を斜視図により模式的に示したものであり、 一部を断面で示している。 真空室 1 0 5に載置された側壁 1 0 2の上にァ ンテナ 1 1 0が取り付けられ、 その周囲に磁場形成手段 1 0 1が設置され るとともに、 アンテナ 1 1 0に導入端子 1 2 6を介してアンテナ電源系 1 2 0が接続されている。
ゥェヅ トク リーニングにおける装置分解時には、 処理室 1 0 0及び真空 室 1 0 5を大気開放し、 アンテナ 1 1 ◦ とアンテナ電源系 1 2 0を接続す る導入端子 1 2 6の接続を解除する。
次のステップは図 3に示されている。 まず図 3の矢印 （ 1 ) に示すよう に、 磁場形成手段 1 ◦ 1及びアンテナ電源系 1 2 0 (図示しない） を上昇 させて、 メンテナンス作業に支障がない位置に固走する。そして、 矢印（ 2 ) に示すように、 アンテナ 1 1 0をヒンジ 1 1 8の軸の回りに回転させて閧 いて概略水平位置に保持し、 プレート 1 1 5、 リング 1 1 6を矢印 （ 3 )、 ( 4 ) で示すように上方に取り外す。
さらに次のステップは図 4に示されており、 矢印 （ 5 )、 （ 6 ) で示すよ うに、 側壁インナ一ュニッ ト 1 0 3と下部カバー 1 3 5を上方に引上げて 取り外す。 また、 下部電極についても、 フォ一カスリング 1 3 2や電極外 周カバ一 1 3 4などを取り外す。 取り外した部品は、 堆積膜の除去や超音 波洗浄と乾燥などの処理を行う。 そして、 上記と逆の手順により部品類を とりつけて、 装置をもとの状態に復旧させ、 真空引きを行う。
その後、 処理室 1 0 0の真空度が所定の値に達したことを確認し、 必要 に応じて異物チェックゃエッチングレートチヱヅクなどの性能確認を行つ て、 装置の動作を確認して装置は稼動状態に復旧して、 ウエッ トクリ一二 ング作業を終了する。 あらかじめ交換部品を一式用意しておけば、 装置の 復旧 · 真空引きがすみやかに行えるので、 装置のダウンタイムを短縮でき る。
さらに、 真空フランジ部の封止部分などにボルト類を使わないでクラン プで固定するなどの工夫により、 ウエッ トク リ一ニングの作業性を向上さ せることで、 部品交換の作業は 1 . 5〜 2時間で可能であり、 真空引きゃ異 物やレートチェックなどの動作確認を含めても装置のダウンタイム （Good Wafer to Good Wafer ) をおよそ 3〜 4時間程度に抑えて、 装置の稼働率を 確保している。
本実施例においては、 図 3に示したように、 アンテナ 1 1 0をヒンジ 1 1 8の軸の回りに回転させて開く構造としているため、 アンテナ 1 1 0全 体を処理室から持ち上げて取り外したりする必要がなく、 作業者には重量 物の持ち上げといった負担がかからない。 すでに述べたように、 シリコン 製シャヮブレートであるプレート 1 1 5や石英製のリング 1 1 6を取り外 す際にも、 図 4の矢印 （ 3 )、 （4 ) のように上方に持ち上げればよく、 作 業性がよいので、 作業の効率をあげることができ、 部品を破損する可能性 も小さくなる。
また、 本実施例においては、 処理室の上側にあるアンテナ電源系 1 2 0 を、 導入端子 1 2 6においてアンテナ 1 1 0に対して着脱可能に接続され て容易に結合と分離が可能な構造としており、 このためにアンテナ 1 1 0 を概略水平位置にまで開く ことが可能となっている。 導入端子 1 2 6は、 電力を供給する内側のホッ ト側端子と外側のアースが絶縁された構造とな つている。 導入端子 1 2 6の接続を解除した際には、 アンテナ 1 1 0の内 側のホッ ト側端子を、たとえばアース線ゃバネなどの簡便な機構を用いて、 外側のアース部分に接触させる構造としている。 アンテナ 1 1 0はその内 部を循環する冷媒により冷媒流路内壁面との摩擦によって帯電しているこ とがあるが、 アンテナをアースに接続することでアンテナが帯電している 場合でも電荷を逃がすようにして、 作業者が誤ってホッ ト側端子に触れた 場合でも作業者の安全を確保するようにしている。
上記の導入端子 1 2 6の部分の分離 ' 結合の構造および方法を図 5によ り説明する。 先に図 1で説明したように、 アンテナ電源系 1 2 0 とアンテ ナ 1 1 0 (図 5では一部のみを示す） は、 結合と分離が容易に可能なよう に、 導入端子 1 2 6において着脱可能に接続されている。 アンテナ電源系 1 2 0と磁場形成手段 1 0 1は一体となって上下に移動可能である。
したがって、 導入端子 1 2 6の接続を解除して、 アンテナ電源系 1 2 0 と 磁場形成手段 1 0 1 を上方に一体に移動させることで、 アンテナ電源系 1 2 0とアンテナ 1 1 0とを分離することが可能である。
一方、 導入端子 1 2 6を結合するには、 アンテナ電源系 1 2 0 と磁場形 成手段 1 0 1 を一体にして下降させてく るわけであるが、 このときに導入 端子 1 2 6の接続が再現性よくスムーズに行える必要がある。このために、 磁場形成手段 1 0 1 とアンテナ 1 1 0のお互いの相対的な位置が位置決め 機構 1 2 7により決定される。 ここでは位置決め機構 1 2 7として、 アン テナ 1 1 0に設置された垂直バー 1 1 0 Aと磁場形成手段 1 0 1 に設置さ れたスリーブ 1 0 1 Aを用いている。 そして、 アンテナ電源系 1 2 0と磁 場形成手段 1 0 1を一体にして下方に降ろしてく ると、 複数組の垂直バ一 1 1 O Aとスリーブ 1 0 1 Aによりおたがいの位置決めがなされて、 アン テナ 1 1 0と磁場形成手段 1 0 1の中心軸が正確に一致する。 この結果、 次に述べる導入端子 1 2 6における嚙合と接続がずれることなくスムーズ に再現性よくおこなうことができる。
次に、 導入端子 1 2 6の部分の詳細構造を同じく図 5により説明する。 導入端子 1 2 6は、 U H F帯電磁波を伝達するための同軸管が接続される 構造になっている。 アンテナ電源系 1 2 ◦ とアンテナ 1 1 0のそれそれの 中心導体 （ホヅ ト側端子） 1 2 0 A、 1 1 0 Aと外側のァ一スシ一ルド 1 2 0 B、 1 1 0 Bが絶縁体 1 2 0 C、 1 1 0 Cを介して絶縁されている。 そして、 アンテナ電源系 1 2 0と磁場形成手段 1 0 1 を下降させてく ると 中心導体 1 2 O A、 1 1 O Aが嚙合して結合され、 この時点で図示しない 位置センサが停止位置を検出して下降が停止する。 そして、 ァ一スシール ド 1 2 0 B、 1 1 0 Bをその外側において接続ュニッ 卜 1 2 8により接続 する。
接続ュニヅ ト 1 2 8は図 6に示すように、 クランプ 1 2 8 Aを解除して、 ヒンジ 1 2 8 Bを中心軸に回転するようにして 2つのュニヅ ト 1 2 8 L、 1 2 8 Rに分割可能な構造をとる。 左右に分割されたュニッ ト 1 2 8 L、 1 2 8 Rは、 それそれの中心に内面が半円形の部分を設けてあり、 クラン ブ 1 2 8 Aを結合することにより左右の半円形の部分があわさって円形と なり、 この部分に図 5で示したアースシールド 1 2 0 B、 1 1 O Bをはさ みこむようにして固定する。 このさいに、 アースシール ド 1 2 0 B、 1 1 ◦ Bとの接触を確保し、 かつ U H F帯電磁波のもれを防止する目的で、 ュ ニッ ト 1 2 8 L、 1 2 8 Rにはお互いの接触面および半円形の上下部分に 電磁シール ド 1 2 8 Cが設置される。 電磁シール ド 1 2 8 Cとしては、 た とえばクッショ ン性のあるワイヤメ ッシュや、 よ り剛性の高いフ ィ ンガー 夕イ ブのあるいはスパイラル状の電磁シールド部材が好適である。
さ らに、 クランプ 1 2 8 Aには図示しないイ ン夕一口 ヅクスイ ッチが内 設されており、 クランプを固定することでイ ンターロックが解除されて、 図 5で示したアンテナ電源系 1 2 0の投入が可能になるように構成してい る。 イ ンターロ ックが解除されるためには、 さらにアンテナ電源系 1 2 0 と磁場形成手段 1 0 1 を所定位置まで下降させることが必要であることは いう までもない。 これらのイ ン夕一ロック機構によ り、 ウエッ トク リ一二 ングの際に作業者が導入端子 1 2 6や接続ュニッ ト 1 2 8の結合を忘れる ことがあっても、 フエ一ルセ一フィ ン夕一ロ ック機構によって、 アンテナ 電源系 1 2 0への電力投入ができないようにしている。
本実施例では、 リアクタの上部に設置されて電力が供給されるプラズマ 発生装置であるアンテナそのものを開閉可能と しているので、 たとえば公 知例 2 に示されるように単にコイルを上下移動させるだけではなく、 アン テナ 1 1 0 とアンテナ電源系 1 2 0 とが容易に結合と分離が可能な構造と することによ りはじめて良好なメ ンテナンス性を達成することが可能にな る。
本実施例におけるプラズマエッチング装置の構成および部品交換ゃメ ン テナンス作業の方法は上記のとおりである。 上述のように、 フルフラッ ト オープン構造とするこ とで部品交換ゃメ ンテナンスの作業性が向上してい る。 このことは、 メ ンテナンス時の作業者の姿勢や作業状況を摸式的に示 した図 7、 図 8 を用いて説明することで、 よ り明らかに理解される。 図 7は、 図 1 で示した実施例のプラズマエッチング装置におけるフルフ ラヅ トオーブン状態でのメンテナンスの状況を模式的に示したものである。 図 7において、 電磁波を放射するアンテナ 1 1 0は、 概略 1 8 0度に開閉 可能なヒンジ 1 1 8 によ り側壁 1 0 2に取り付けられている。 図 7は、 ァ ンテナ 1 1 0 をおよそ 1 8 0度に開け、 アンテナの内側を上面に向けて概 略水平と したフルフラ ッ トオープン状態において、 アンテナ 1 1 0の外周 リ ング 1 1 6 とその内周のプレー ト 1 1 5を取り外そう と しているところ である。
本実施例においては、 外周リ ング 1 1 6は石英製リ ング、 プレー ト 1 1 5は多数のガス孔が閧けられたシ リ コン製シャヮプレー トであ り、 いずれ も割れた り破損した り しゃすく、 かつ高価な部品である。 しかしながら、 これらが取り付けられるアンテナ 1 1 0 を概略水平とすることによ り、 作 業者 Mは上方から楽な姿勢でこれらの部品の取付けゃハン ド リ ングを行う ことができる。 また、 部品の取付けネジをすベて外した状態でも、 部品は 摩擦によ りあるいは係止部分によ り、 概略水平位置にすなわち物理的に安 定した状態に保持されており、 部品を支える必要がない。
このため、 図 7に示されているように、 作業者 Mは部品を両手で扱える ので、 部品類を滑って落した りする心配がない。 また、 部品取付けの際に ネジ部などに無理な力がかかった り して、 部品を破損することも生じに く い。 また、 アンテナ 1 1 0 を開く 方向を、 メ ンテナンスエリアにいる作業 者に向かう方向と しているために、 アンテナ 1 1 0は作業者にアクセス し やすい位置に保持されるので、 作業者は安定した姿勢で作業を行える。 さ らに部品交換が一人で行えるため、 共同作業者を必要と しないことは言う までもなかろう。
比較のために、 本実施例において、 従来技術のように概略 9 0度の開閉 角として処理室を概略直立させた状態でメ ンテナンスを行う場合を図 8 に 示す。 石英製の外周リ ング 1 1 6ゃシリコン製のプレー ト 1 1 5 を取り外 すさいには、 取付けネジを外すと部品がはずれて く る。 このため、 作業者 Mは、 一方の手で部品を押さえながら、 取り付けネジを外さざるをえず、 作業性が良いとは言えない。 そればかりか、 部品を滑って落す可能性さえ ある。 あるいは、 部品取付けの際にネジ穴部に無理な力がかかって、 部品 を破損することも生じやすい。 高価で割れやすい石英 · シリコン部品を破 損する可能性が作業者に与える心理的圧迫感もあろう。 また、 アンテナ 1 1 0の内面が作業者に相対する位置にないので、 作業者は身を乗り出すよ うにして作業することになり、 この点でも作業者にかかる負担は大きい。 こう した点を比較すれば、 図 7 に示したようなフルフラ ッ トオープン構 造がメ ンテナンス作業性に優れていることが明らかである。 このことは、 実際に装置のメ ンテナンス作業を行えば等し く実感するところであ り、 こ の構造が作業者の負担を大き く軽減し、 作業効率をあげることで生産性の 向上に寄与することは容易に推察されるものである。
処理室の一部をフルフラ ッ トオープン構造とすることは、 内部にプラズ マ処理室が構成される真空容器 （リアクタ） を搭載したプラズマ処理装置 システムにおいても、 全体の配置ゃメンテナンスがバランスよく行える。 図 9は、 フルフラ ッ トオープン構造の真空容器をプラズマ処理装置シス テムに搭載した本発明の他の実施例であ り、 上方から見た平面図である。 本装置は、 2つのプラズマ処理室 E 1、 E 2 を備えており、 試料ウェハは 口一ダ機構 1 5 1 からロー ドロ ック室 1 5 2 を通してバッファ室 1 5 3 に 搬送され、 試料搬送機構 1 5 4によ り プラズマ処理室 E 1、 E 2 に搬送さ れる。
プラズマ処理室 E 1 は、 装置が組み立てられた状態であ り、 真空室 1 0 5の上に磁場形成手段 1 0 1 · アンテナ電源系 1 2 0が搭載されている。 プラズマ処理室 E 2は、 ウエッ トク リーニング作業中の状態であ り、 処理 室 1 0 0内部が大気開放されており、 アンテナ 1 1 0がヒンジ 1 1 8によ りフルフラ ヅ トな状態に閧かれている。 磁場形成手段 1 0 1、 アンテナ電 源系 1 2 0は、 作業に支障のない位置に退避されている。 アンテナ 1 1 0 はメ ンテナンスエリア （ここでは装置周囲の 8 0 cm 程度の幅の領域をメ ン テナンスエリアとしている。） にいる作業者 Mの方向 （ベースフレーム 1 5 0の外側方向） に閧かれており、 システムのベースフレーム 1 5 0に対し て半分ほどが突き出た形になっているので、 作業者 Mはメ ンテナンス作業 が容易に行える。 またアンテナ 1 1 0がメ ンテナンスエリァに過度に出つ 張って、 ク リーンルーム内のスペースを余分に占有するこ ともない。 ク リ —ンルームはダウンフローなどによ り ク リーン度が維持されており、 高価 な空間である。 このため装置は稼働状態における床専有面積 （フ ッ トプリ ン ト） を小さ く することだけでなく、 装置の間隔をできるだけ小さ く して 設置できることが求められる。 このため、 装置の周囲にはメ ンテナンスや 通行のために必要な最低限、 たとえば 8 0 cm 程度の幅のスペースしか与え られないのが量産工場の実際である。 このため、 本実施例のようにメ ンテ ナンス時にも リアクタがたかだか半分ほど、 すなわち最大でも数 1 ◦ cm 程 度しかでつばらないことは、 ク リーンルーム空間の効率利用から見て量産 装置と して望ま しいことである。 また、 公知例 3では昇降機構や水平移動 機構によ り ウェハステージ全体を移動させた り、 あるいは公知例 4では昇 降機構と回転機構によ り排気室を回転させた り しているが、 こう した機構 は大がかり になった り、 メ ンテナンス時に移動機構が装置の周囲にはり だ して装置全体のコンパク トさが失われた りすることになる。 この点、 本実 施例では、 処理室を引き出し機構によ りひっぱりだした り、 クレーンなど の昇降機構でアンテナをつりあげた りする必要もない。 このようにフルフ ラッ トオープン構造のプラズマ処理室 （リアクタ） を搭載するこ とで、 全 体の配置のコンパク 卜さとメ ンテナンス性を兼ね備えたバランスのよぃプ ラズマ処理装置システムを実現することができる。
ところで、 図 1 の実施例のプラズマ処理装置においては、 図示はされて いないが、 円板状導電体 1 1 1 の温度を制御するための熱媒体がアンテナ 1 1 0 に供給されている。 ここで、 アンテナ 1 1 0 を 1 8 0度開いたフル フラ ヅ トオープン状態とするときに、 熱媒体の供給路 （たとえばホース） をコネクタなどの接続部分で脱着するようにすると、 コネクタのシ一ル部 から冷媒がもれる可能性があり、 また余分な作業時間がかかってしまう。 また、 アンテナ部分は 1 8 0度にまで繰り返し鬨閉されるので、 熱媒体を 供給するホースの屈曲が大き く、 しかもホースはく りかえして曲げられる ことになり、 ホースが破損する可能性がある。 そこで、 アンテナを開閉す るヒンジ 1 1 8内に熱媒体の導入路を設けることで、 アンテナ部を開閉す る際にも接続部を脱着する必要がなくな り、 接続シール部やホース破損に よる冷媒のもれに対する信頼性の向上と作業時間の短縮をはかることがで きる。
図 1 0は、 このようなヒンジ機構の一実施例を示している。 図 1 0は、 図 1 の実施例のブラズマ処理装置において、 熱媒体流路を内部に設けた概 略 1 8 0度に開閉可能なヒンジ 1 1 8の構造の断面図であ り、 ヒンジ 1 1 8を 1 8 0度に開いた状態で上方から見たものである。 アンテナ 1 0 0の ハウジング 1 1 4には支持部 1 6 2が取り付けられ、 シャフ ト 1 6 3に対 してたとえば止めネジなどの係止部品 1 6 4によ り固定される。 シャフ ト 1 6 3は、 側壁 1 0 2の側面に取付けられたヒンジ取付部 1 6 1 に対して 回転可能に取付られ、 たとえば止め輪などの係止部品 1 6 5によ り軸方向 の動きが拘束されることでお互いの位置関係が決定される。
熱媒体はシャフ ト 1 6 3の軸回 りに回転可能な自在継手 1 6 6 Aから、 シャフ ト内に設けた流路 1 6 7 Aを通して、 アンテナハウジング 1 1 4の 内部の流路 1 6 8 A内を流れ、 流路 1 6 8 B、 1 6 7 Bを通って、 1 6 6 Bよ り排出される。 熱媒体の通路は、 〇 リ ングな 'のシ一ル部材 1 6 9 に より熱媒体のもれがないように封止される。 熱媒体としては、 たとえばフ 口 リナ一ト （商標名） などの冷媒を用いて、 温度は 3 0 °Cから 8 0 °C程度 に設定するのが好適である。
本実施例によれば、 アンテナ部を開閉する際に熱媒体を接続するコネク タを脱着する必要がなくなるので、 コネクタのシール部からの冷媒のもれ が防止できて作業の信頼性を向上させることができるとともに、 作業時間 の短縮をはかることができる。
なお、 前記の各実施例は、 いずれも有磁場 U H F帯電磁波放射放電方式 のプラズマ処理装置の場合であつたが、 放射される電磁波は U H F帯以外 にも、 たとえば 2 . 4 5 GHz のマイ クロ波や、 あるいは数 1 0 M H Zから 3 0 0 M H Z程度までの V H F帯でもよい。 また、 磁場強度は、 4 5 0 M H Zに対する電子サイ クロ トロン共鳴磁場強度である 1 6 0ガウスの場合 について説明したが、 必ずしも共鳴磁場を用いる必要はなく、 これよ り も 強い磁場やあるいは逆に数 1 0ガウス以下の弱い磁場を用いてもよい。 さ らには、 磁場を用いない例えば無磁場マイ クロ波放電でもよい。 さ らに、 上記以外にも、 たとえば磁場を用いたマグネ ト 口ン型のプラズマ処理装置 や平行平板型の容量結合方式プラズマ処理装置、 あるいは誘導結合型のプ ラズマ処理装置などに、 前記の各実施例を適用できる。
図 1 1 は、 本発明を、 磁場を用いた R I E装置 （たとえばマグネ トロ ン
R I E装置） に適用 した実施例である。 本実施例では、 真空容器と しての 処理室 1 0 0は、 側壁 1 0 2 と、 ウェハなどの試料 Wを載置する下部電極 1 3 0 と、 これに対向して接地される上部電極 2 0 0 を備え、 また真空容 器内に所定のガスを導入するガス供給手段 1 1 7 と、 真空容器内を減圧排 気する真空排気系 1 0 6 と、下部電極に電力を供給する下部電源 2 0 5 と、 真空容器内に磁場を発生させる磁場発生手段 2 0 4 を備えている。 磁場発 生手段 2 0 4は、 複数の永久磁石またはコイルが処理室 1 0 0の外周また は上側にリ ング状に配置され、 処理室内部に電極に対してほぼ平行な磁場 を形成する。 磁場は勾配を与えて回転可能と している。 そして、 下部電源 2 0 5から供給される電力で電極間に発生する電界によ り処理ガスをブラ ズマ化して、 プラズマ Pを発生させ、 試料 Wを処理する。 磁場を用いた R I E装置では、 磁界発生手段 2 0 4によ り電界とほぼ直交する方向に磁場 が形成されるので、 電子とプラズマ中の分子 · 原子との衝突頻度が磁場や マグネ ト ロ ンの効果によ り高まって、 プラズマ密度が増加し、 高いェヅチ ング特性が得られる。 下部電源 2 0 5の周波数は数 1 0 0 K H Z〜数 1 0 M H Z程度の低周波帯から高周波帯が好適である。
上部電極 2 ◦ 0は、 アースに接地された電極板 2 0 1 に多数のガス孔が 開けられたプレー ト 2 0 2 が取付けられ、 外周リ ング 2 0 3によ りカバ一 される。 プレー ト 2 0 2はシリコンやカーボンが好適であ り、 あるいはァ ルマイ ト処理されたアルミ を用いてもよい。 上部電極 2 0 0はヒンジ 1 1 8によ り側壁 1 0 2 に取り付けられている。 そ して、 矢印 Aの部分におい て側壁 1 0 2 と分離されて上方に持ち上げ、 ヒンジ 1 1 8の概略水平な支 持軸を支点にして回転させることで、 概略 1 8 0度 （図中に破線で示す位 置） にまで開く ことができる。
このような構成とすることで、 プレー ト 2 0 2や外周リ ング 2 0 3 を取 外した り交換したりする際に、 上部電極 2 0 0 をフルフラ ッ トオーブンと した状態で上方から作業できるので作業性がよ く、 作業の効率を向上させ るとともに信頼性 · 安全性を確保するこ とができる。 また、 部品を落と し たり無理な力をかけた り して破損する可能性も小さ く なる。 さ らに、 上部 電極 2 0 0全体を持上げて取外した りする必要がな く、 重量物の持ち上げ といった負担が作業者にかからない。 なお、 本実施例の場合は上部電極 2 0 0に電源が接続されていないので、 図 1 の実施例のように、 電源を端子 部分で分離する必要がなく、 さらに作業性が向上する利点がある。
図 1 2は、 本発明を、 平行平板型プラズマ処理装置に適用した例である。 本実施例では、 真空容器と しての処理室 1 0 0は、 側壁 1 0 2 と、 ウェハ などの試料 Wを載置する下部電極 1 3 0 と、 これに対向する上部電極 2 1 0から構成され、 さ らに、 真空容器内に所定のガスを導入するガス供給手 段 1 1 7と、真空容器内を減圧排気する真空排気系 1 0 6とを備えている。 そして、 上部電源 2 2 1から上部電極 2 1 0に供給する電力によ り電極間 に電界を発生させ、 処理ガスをプラズマ化し、 プラズマ Pを発生させて試 料 Wを処理する。
上部電極 2 1 0は、 電極板 2 1 1が絶縁体 2 1 2、 2 1 3で絶縁されて ハウジング 2 1 4に保持される。 また、 電極板 2 1 1のプラズマに接する 側の面にはプレート 2 1 5が、 その外周にはシール ド リ ング 2 1 6が設置 される。 シール ド リ ング 2 1 6は、 絶縁体 2 1 2、 2 1 3をプラズマから 保護すると同時に、 フ ォーカス リ ング 1 3 2 と対をなして、 プラズマ Pを 処理室 1 0 0に封じ込めることでプラズマ密度を向上させて、 高いエッチ ング特性を得る。 プレート 2 1 5にはたとえばシ リコンやカーボンを、 シ —ル ド リ ング 2 1 6にはたとえば石英やアルミ ナなどを用いるのが好適で ある。
また、 上部電源 2 2 1の周波数は概略 1 0 MH Zの高周波帯から 1 0 0 MH Zを越える VH F帯が好適である。 このような、 高周波帯あるいは V H F帯では、 表皮効果や接触部でのパワー損失の観点から、 電極板 2 1 1 とマッチング回路 · フ ィルタ系 2 2 3およびフ ィルタ 2 2 5をできるだけ 短い距離で接続し、 かつ銅板や銅パイ プなどを用いて確実に結合するこ と が望ま しい。 そこで、 本実施例の場合は、 ダイオー ドによるスイ ッチング 回路を用いた小型 ' 軽量のマッチング回路 ' フ ィルタ系 2 2 3 とフ ィルタ 2 2 5を一体化したマツチングボヅ クス 2 2 0を上部電極 2 1 0の上部に 直接搭載して、 接続端子 2 2 6により上部電源 2 2 1 と接続する構成とし ている。
本実施例においては、 上部電極 2 1 0がヒンジ 1 1 8により側壁 1 0 2 に取り付けられており、 矢印 Aの部分において側壁 1 0 2 と分離されて上 方に持ち上げ、 ヒンジ 1 1 8の概略水平な支持軸を支点にして回転させて 閧く ことができるように構成されている。 そして、 上部電極 2 1 0に搭載 されたマッチング回路 · フィル夕系 2 2 3とフ ィル夕 2 2 5を小型 .軽量 化することで、 これらを上部電極 2 1 0から取外すことなく上部電極 2 1 〇を 1 6 5度ないし 1 8 0度の開き角、 すなわち水平面から 1 5度以内に まで閧くことを可能としている。
このような構成とすることで、 たとえばシリコン製のプレート 2 1 5や 石英製の絶縁体 2 1 6を交換する際に取付けネジをはずしても、 部品は摩 擦や係止部分により物理的に安定した状態に保持されるので、 部品に無理 な力がかかったり落としたり して破損する可能性が小さい利点がある。 ま た、 作業者は上方から作業できるので、 作業性もよく、 上部電極 2 1 0を 上に持ち上げて外す必要もないので、 作業者に負担がかからない利点があ る。
なお本実施例では、 上部電源 2 2 1 を接続端子 2 2 6により分離可能な 構造としているが、 高効率で小型 · 軽量な上部電源 2 2 1 を上部電極 2 1 0の上部に直接搭載してもよい。 この場合、 開き角をおよそ 1 5 0度ない し 1 8 0度、 すなわち水平面から 3 0度以内にまで開くことが十分に可能 であり、 プレート 2 1 5や絶縁体 2 1 6の交換作業を効率よく安全に行う ことができる。
また、 上部電源 2 2 1 を接続端子部分で分離する必要がないので、 さら に作業性が向上する利点がある。
また、 前記の各実施例は、 いずれも処理対象が半導体ウェハであり、 こ れに対するエッチング処理の場合であつたが、 本 明はこれに限らず、 例 えば処理対象が液晶基板の場合にも適用でき、 また処理自体もエッチング に限らず、 たとえばスパッ夕 リ ングやや C V D処理に対しても適用可能で ある。
本発明によれば、 処理室を構成する真空容器の一部を開閉可能な開閉可 能部分として構成し、 この開閉可能部分が処理室側を上方に向けて部品類 が水平に近い状態で摩擦によ りあるいは係止部分により物理的に安定な状 態に保持される。 そのため、 処理室上部がメ ンテナンス作業用エリアに閧 くので、 作業者の処理室へのアクセスが容易にな り、 メ ンテナンス作業を 上方から楽な姿勢で行うことができる。 この結果、 作業者にとってはメ ン テナンス時の部品類のハン ド リ ングが容易になり、作業性が向上するので、 メ ンテナンス性や使い勝手にすぐれたプラズマ処理装置を実現することが でき、 生産性の向上に寄与するプラズマ処理装置を提供することができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 内部に処理室が形成された真空容器と、 前記処理室内にプラズマを 発生させるためのプラズマ発生装置と、 前記処理室内で処理される試料を 保持する電極とを有するプラズマ処理装置において、
前記真空容器の上部壁を開閉可能部分とし、 該開閉可能部分に非金属脆 性部材を含む前記プラズマ発生装置を構成する部品の少なく とも 1つを配 置し、
該処理室の上側の面を構成する上部壁の少なく とも一部を概略水平な軸 のまわりに回転させて該閧閉可能部分が処理室内部側を上方に向けた状態 で安定して保持可能とし、
前記開閉可能部分の処理室内部側が、 該開閉可能部分の開放時に、 前記 部品を保持したまま、 水平面から 3 0度以内の角度に保待されるようにし たことを特徴とするプラズマ処理装置。
2 . 請求項 1に記載のプラズマ処理装置において、
前記開閉可能部分をメンテナンス作業用ェリア方向に鬨くようにしたこ とを特徴とするプラズマ処理装置。
3 . 請求項 1に記載のプラズマ処理装置において、
前記開閉可能部分に設けられた前記部品への電力供給部を有し、 該電力供給部は、 前記開閉可能部分に対して着脱可能に接続されて結合 と分離が可能としたことを特徴とするプラズマ処理装置。
4 . 請求項 3に記載のプラズマ処理装置において、
前記開閉可能部分への電力供給部を該開閉可能部分から分離した際に、 該電力供給部のホッ ト側端子がアース接続され、 また、 電力供給部と該開 閉可能部分との接続が結合されたときにのみ電力供給部からの電力供給が 可能となるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
5 . 請求項 1ないし 4の何れかに記載のプラズマ処理装置において、 前記開閉可能部分に前記プラズマ発生装置のアンテナを配置し、 前記処 理室の周囲に磁場形成手段を配置し、 前記アンテナは、 石英製の外周リ ン グと、 シリコン製ブレートを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
6 . 請求項 1ないし 4のいずれかに記載のプラズマ処理装置において、 前記プラズマ発生装置が、 平行平板型プラズマ処理装置であり、 前記開閉可能部分に前記プラズマ発生装置の上部電極及びガス供給手段 を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
7 . 内部に処理室が形成された真空容器と、 前記処理室内にプラズマを 発生させるためのプラズマ発生装置と、 前記処理室内で処理される試料を 保持する電極とを有するプラズマ処理装置のメンテナンス方法において、 前記プラズマ処理装置は、 前記真空容器の上部壁を開閉可能部分とし、 該開閉可能部分に非金属脆性部材を含む前記プラズマ発生装置を構成する 部品の少なく とも 1つを配置し、 該処理室の上側の面を構成する上部壁の 少なく とも一部を概略水平な軸のまわりに回転させて該開閉可能部分が処 理室内部側を上方に向けた状態で安定して保持可能とし、 前記開閉可能部 分の処理室内部側が、 該鬨閉可能部分の開放時に、 前記部品を保持したま ま、 水平面から 3 0度以内の角度に保待されるように構成されており、 前記部品を保持したま前記開閉可能部分を、 該開閉可能部分の処理室内 側が上方に向けた角度に開故して、 前記プラズマ処理装置のメンテナンス 作業を行うことを特徴とするブラズマ処理装置のメンテナンス方法。
8 . 請求項 7に記載のプラズマ処理装置のメンテナンス方法において、 前記閧閉可能部分を、 メ ンテナンス作業用エリア方向に開いて、 前記ブ ラズマ処理装置のメンテナンス作業を行うことを特徴とするプラズマ処理 装置のメ ンテナンス方法。
PCT/JP2000/001590 1999-03-17 2000-03-16 Appareil de traitement au plasma et son procede d'entretien WO2000055894A1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020017011655A KR20010112324A (ko) 1999-03-17 2000-03-16 플라즈마처리장치 및 그 메인티넌스방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP07257799A JP3205312B2 (ja) 1999-03-17 1999-03-17 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のメンテナンス方法
JP11/72577 1999-03-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2000055894A1 true WO2000055894A1 (fr) 2000-09-21

Family

ID=13493387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2000/001590 WO2000055894A1 (fr) 1999-03-17 2000-03-16 Appareil de traitement au plasma et son procede d'entretien

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP3205312B2 (ja)
KR (1) KR20010112324A (ja)
WO (1) WO2000055894A1 (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3424280B2 (ja) 1993-09-24 2003-07-07 エヌオーケー株式会社 膜状合成ゼオライトの製造法
JP4837163B2 (ja) * 2000-07-27 2011-12-14 株式会社アルバック スパッタリング装置
JP3591642B2 (ja) * 2001-02-07 2004-11-24 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
EP1371751B1 (en) 2001-02-09 2011-08-17 Tokyo Electron Limited Film forming device
JP4782761B2 (ja) * 2001-02-09 2011-09-28 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP4513329B2 (ja) * 2004-01-16 2010-07-28 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP4246654B2 (ja) * 2004-03-08 2009-04-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
KR100688954B1 (ko) 2005-09-16 2007-03-02 주식회사 아이피에스 플라즈마 처리장치의 개폐구조
JP4704088B2 (ja) * 2005-03-31 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4624856B2 (ja) 2005-05-30 2011-02-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4642608B2 (ja) * 2005-08-31 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理システム
JP4840127B2 (ja) * 2006-12-21 2011-12-21 パナソニック株式会社 プラズマエッチング装置
KR101440786B1 (ko) * 2008-07-30 2014-09-24 참엔지니어링(주) 플라즈마 처리 장치
KR101022780B1 (ko) * 2008-11-18 2011-03-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR101312505B1 (ko) * 2010-12-10 2013-10-01 엘아이지에이디피 주식회사 안테나 높이 조절이 가능한 기판처리장치
CN103477721B (zh) 2011-04-04 2016-05-18 佳能安内华股份有限公司 处理装置
US8826857B2 (en) 2011-11-21 2014-09-09 Lam Research Corporation Plasma processing assemblies including hinge assemblies
US9530626B2 (en) * 2014-07-25 2016-12-27 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ESC charge control for wafer clamping
JP6491891B2 (ja) * 2015-01-23 2019-03-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP7169786B2 (ja) * 2018-06-25 2022-11-11 東京エレクトロン株式会社 メンテナンス装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH031960U (ja) * 1989-05-30 1991-01-10
JPH05267235A (ja) * 1992-03-18 1993-10-15 Tokyo Electron Yamanashi Kk ドライエッチング装置
JPH07161695A (ja) * 1993-12-02 1995-06-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法
JPH07331445A (ja) * 1994-06-01 1995-12-19 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び該処理装置に用いられるカバー体の洗浄方法
JPH0860374A (ja) * 1994-08-19 1996-03-05 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH1041096A (ja) * 1996-07-19 1998-02-13 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH11140648A (ja) * 1997-11-07 1999-05-25 Tokyo Electron Ltd プロセスチャンバ装置及び処理装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH031960U (ja) * 1989-05-30 1991-01-10
JPH05267235A (ja) * 1992-03-18 1993-10-15 Tokyo Electron Yamanashi Kk ドライエッチング装置
JPH07161695A (ja) * 1993-12-02 1995-06-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法
JPH07331445A (ja) * 1994-06-01 1995-12-19 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び該処理装置に用いられるカバー体の洗浄方法
JPH0860374A (ja) * 1994-08-19 1996-03-05 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH1041096A (ja) * 1996-07-19 1998-02-13 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH11140648A (ja) * 1997-11-07 1999-05-25 Tokyo Electron Ltd プロセスチャンバ装置及び処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000269183A (ja) 2000-09-29
JP3205312B2 (ja) 2001-09-04
KR20010112324A (ko) 2001-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2000055894A1 (fr) Appareil de traitement au plasma et son procede d'entretien
JP4554824B2 (ja) プラズマ処理装置，そのメンテナンス方法およびその施工方法
JP4896337B2 (ja) 処理装置およびそのメンテナンス方法，処理装置部品の組立機構およびその組立方法，ロック機構およびそのロック方法
KR102385717B1 (ko) 진공 처리 챔버 및 진공 처리된 플레이트형 기판의 제조방법
US20020179245A1 (en) Plasma processing apparatus and maintenance method therefor
KR100429581B1 (ko) 플라즈마 생성원, 진공 펌핑 장치 및/또는 외팔보형기판지지체와같은장비모듈을구비하는만능진공챔버
KR100801346B1 (ko) 기판 프로세싱 챔버, 기판 프로세싱 챔버에서 플라즈마를 형성하는 방법, 및 기판 프로세싱 시스템
TWI644382B (zh) 真空處理裝置
WO2017221829A1 (ja) プラズマ処理装置
KR102106382B1 (ko) 플라스마 처리 장치
KR20170092135A (ko) 플라즈마 처리 용기 및 플라즈마 처리 장치
TW201923822A (zh) 真空處理裝置及真空處理裝置的運轉方法
JPH08339984A (ja) プラズマ処理装置
KR101463984B1 (ko) 플라즈마 처리 시스템
JP3363405B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置システム
JP2024028752A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
TW202123302A (zh) 基板處理裝置、基板處理裝置之製造方法及維修方法
JP3193815B2 (ja) プラズマ処理装置およびその制御方法
JP3422292B2 (ja) プラズマ処理装置
JP3193575B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP2003321774A (ja) プラズマ処理装置及び電極ユニット
JP3559760B2 (ja) プラズマ処理装置及びそのメンテナンス方法
KR100480342B1 (ko) 플라즈마발생소스,진공펌프장치및/또는캔티레버화된기판지지부와같은장비모듈을구비하는고유동진공챔버
KR20230086303A (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20230064019A (ko) 반송 로봇, 이를 가지는 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): KR US

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020017011655

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 09936766

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020017011655

Country of ref document: KR

WWR Wipo information: refused in national office

Ref document number: 1020017011655

Country of ref document: KR