JPH11140648A - プロセスチャンバ装置及び処理装置 - Google Patents

プロセスチャンバ装置及び処理装置

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JPH11140648A
JPH11140648A JP9304795A JP30479597A JPH11140648A JP H11140648 A JPH11140648 A JP H11140648A JP 9304795 A JP9304795 A JP 9304795A JP 30479597 A JP30479597 A JP 30479597A JP H11140648 A JPH11140648 A JP H11140648A
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process chamber
chambers
separated
joining
process chambers
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JP9304795A
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English (en)
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Jiyunichi Arami
淳一 荒見
Norisuke Endou
昇佐 遠藤
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 プロセスチャンバを上下に分割して互いに分
離可能にし、プロセスチャンバ内部のメンテナンスを容
易に行えるようにしたプロセスチャンバ装置及びこのプ
ロセスチャンバ装置を有する処理装置を提供する。 【解決手段】 プロセスチャンバ装置は、それぞれ下端
及び上端に互いに接合可能な接合縁５，６を有する上側
プロセスチャンバ部３及び下側プロセスチャンバ部４を
含むプロセスチャンバ２と、両プロセスチャンバ部３，
４を接離させるための移動機構１８,２３とを具備し、
処理装置１，１０１，２０１はこのプロセスチャンバ装
置を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、プロセスチャン
バ装置及びこのプロセスチャンバ装置を用いた処理装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＣＶＤ装置、エッチング装置等
の処理装置のプロセスチャンバ内には、例えば、被処理
物が載置される下部電極等の部材が配置されており、プ
ロセスチャンバ内部のメンテナンス、例えば、前述の部
材やプロセスチャンバ内壁の点検、清掃等が日常的に行
われている。そして、従来の処理装置においては、プロ
セスチャンバの上方から、手作業によるか治具を用いて
プロセスチャンバ内部のメンテナンスを行っている。し
かし、これらの作業は、厄介で時間がかかり、処理装置
の生産性を低下させるばかりでなく、メンテナンスが必
ずしも十分に行われないことがあるという問題があっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この発明の課題は、プ
ロセスチャンバ内部のメンテナンスを容易に行えるよう
にしたプロセスチャンバ装置及びこのプロセスチャンバ
装置を用いた処理装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、請求項１に記載の発明のプロセスチャンバ装置は、
下方に開放し下端に接合縁を有する上側プロセスチャン
バ部と、上方に開放し上端に該上側プロセスチャンバ部
の接合縁に合致する接合縁を有する下側プロセスチャン
バ部とを具備するプロセスチャンバと、前記両プロセス
チャンバ部を相対的に接離させるための移動機構とを具
備して成ることを特徴とする。
【０００５】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記移動機構が、両プロセスチャンバ
部が相互に離間した時に、該両プロセスチャンバ部のう
ちの一方の干渉を受けること無く他方のプロセスチャン
バ部の内部のメンテナンスができる程度に、前記下側プ
ロセスチャンバ部を前記上側プロセスチャンバ部の真下
から少なくとも横方向に相対的にずれるように離間させ
る構成にしたことを特徴とする。
【０００６】請求項３記載の発明は、請求項１又は２に
記載の発明において、前記移動機構が、前記両プロセス
チャンバ部を水平方向に離間させる構成にしたことを特
徴とする。
【０００７】請求項４記載の発明は、請求項１乃至３の
いずれかの１に記載の発明において、前記両プロセスチ
ャンバ部が離間された際に、前記両プロセスチャンバ部
の内の少なくとも一方の接合面は、水平面に対して傾斜
していることを特徴とする。
【０００８】請求項５記載の発明は、請求項１乃至４の
いずれかの１に記載の発明において、一方のプロセスチ
ャンバ部を他方のプロセスチャンバ部に対して両プロセ
スチャンバ部の接合面が離間するように一方向に移動さ
せて、前記両プロセスチャンバ部を離間させる構成にし
たことを特徴とする。
【０００９】請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５
のいずれかの１に記載の発明において、前記両プロセス
チャンバ部が相対的に近接して接合する際に、一方のプ
ロセスチャンバ部の接合縁によって他方のプロセスチャ
ンバ部の接合縁が当接係止されるように、前記両プロセ
スチャンバ部を近接させる構成にしたことを特徴とす
る。
【００１０】請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６
のいずれかの１に記載の発明において、前記両プロセス
チャンバ部を離間させる際に、前記両プロセスチャンバ
部の接合面が水平面に対して傾斜し、前記移動機構が前
記両プロセスチャンバ部を水平に離間させる構成にした
ことを特徴とする。
【００１１】請求項８に記載の発明は、請求項１乃至７
のいずれかの１に記載の発明において、前記両プロセス
チャンバ部を近接させて接合する際に、前記両プロセス
チャンバ部の接合面が水平面に対して傾斜し、前記移動
機構が前記両プロセスチャンバ部を水平方向に近接させ
る構成にしたことを特徴とする。
【００１２】請求項９記載の発明に処理装置は、請求項
１乃至８のいずれかの１に記載のプロセスチャンバ装置
と、該プロセスチャンバの内部において所定の処理を行
うための手段とを具備して成ることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
を実施の形態に基づいて説明する。図１乃至図６はこの
発明のプロセスチャンバ装置の一実施形態とこれを用い
た処理装置の１種であるＣＶＤ装置の一実施形態を示
し、図１は上側チャンバ部及び下側チャンバ部が接続さ
れＣＶＤ装置を使用状態にした時の正面図、図２は図１
の右側面図、図３は図１においてプロセスチャンバ及び
上部電極の下部を縦断面で示した図、図４は本実施形態
において上側及び下側プロセスチャンバ部の分離した状
態を示す右側面図、図５は図４においてプロセスチャン
バを縦断面で示した図、図６は下側プロセスチャンバ部
の斜視図、図７はこの発明が適用されるＣＶＤ装置又は
エッチング装置の一実施形態の主要部の一部縦断面図、
図８はこの発明が適用されるスパッタリング装置の一実
施形態の主要部の一部断面図である。
【００１４】図１乃至図５に示すように、本実施形態の
ＣＶＤ装置１は、直立するプロセスチャンバ２を有して
いる。このプロセスチャンバ２は、上端及び下端に開口
を有する上側プロセスチャンバ部３と、下端が閉塞され
上端に開口を有する下側プロセスチャンバ部４と、上側
プロセスチャンバ部３の上端の開口を気密に閉塞する上
部電極９を具備している。プロセスチャンバ２は、図２
の紙面に垂直でプロセスチャンバ２の外周面との交線が
図２における上側プロセスチャンバ部３と下側プロセス
チャンバ部４との境界線で示されるような切断面によっ
て斜めに切断された状態で上側プロセスチャンバ部３と
下側プロセスチャンバ部４が分離されるようになってい
る。即ち、上側プロセスチャンバ部３と下側プロセスチ
ャンバ部４との境界面となる前記切断面はプロセスチャ
ンバ２の周面に交わり、前記切断面は水平面に対して傾
斜している。上側及び下側プロセスチャンバ部３，４を
接合させた時、上側プロセスチャンバ部３の下縁の傾斜
した切断面である接合縁５は下側プロセスチャンバ部４
の上縁の傾斜した切断面である接合縁６とこの接合縁６
上に設けられたＯリング７（図６）を介して圧接し合
い、プロセスチャンバ２内部を外部に対して密封してい
る。なお、本実施形態においては、上側プロセスチャン
バ部３の接合縁５及び下側プロセスチャンバ部４の接合
縁６は、それぞれ、ＣＶＤ装置１の背面向き及び正面向
きになっている。また、下側プロセスチャンバ部４の側
面に排気口（図示せず）を介してプロセスチャンバ２内
を排気するターボポンプ８を接続する。
【００１５】９は上部電極で、常時は、上側プロセスチ
ャンバ部３の上端の開口部を密閉しているが、下側プロ
セスチャンバ部４の側面に固定された上部電極昇降機構
１０によって昇降することができるようになっている。
また、この上部電極９は、上部電極昇降機構１０に固定
された上部電極回転機構１１によって、一端部を上部電
極９に固定し他端部を上部電極回転機構１１に軸支され
た腕１２を介して回転され、上側プロセスチャンバ部３
に対して開閉するようになっており、蓋の役目もする。
なお、上部電極昇降機構１０及び上部電極回転機構１１
は、従来のものと同様であるので、それらの構造につい
ては図示も説明も省略する。また、上部電極９には、プ
ロセスチャンバ２の内部に処理ガスを供給するための機
構が設けられているが、図１乃至５では図示を省略して
いる。
【００１６】１３は、１対のＬ字形の第１の支持フレー
ムであり、それらの水平脚部１４は互いに平行に機台１
５上に固定され、それらの垂直支持部１６の上部は、上
側プロセスチャンバ部３の正面壁に固設された取付部１
７に固定されて、上側プロセスチャンバ部３を支持して
いる。１８は第２の支持フレームで、下側プロセスチャ
ンバ部４の接合縁６に沿って傾斜して延びて下側プロセ
スチャンバ部４の両側壁に固定された固定部１９と、そ
の下端から下方に延びる垂直部２０と、下端の水平部２
１を具備し、下側プロセスチャンバ部４を支持してい
る。水平部２１にローラ２２が軸支されており、第１の
支持フレーム１３の内側に水平に延びるように設けられ
たレール２３上をローラ２２が転動することによって下
部プロセスチャンバ部４が移動するようになっている。
本実施形態においては、第２の支持フレーム１８とレー
ル２３とで上側プロセスチャンバ部３及び下側プロセス
チャンバ部４を相対的に接離させるための移動機構が構
成される。本実施形態のプロセスチャンバ装置は、この
移動機構とプロセスチャンバ２とを具備して構成され
る。
【００１７】図３及び図５において、２４は、被処理物
が載置される下部電極であり、その下面中央に下方に延
びる給電棒２５が接続されている。この給電棒２５を囲
繞している箱状部２７の下端部に雌ねじ部２８が形成さ
れている。また、下側プロセスチャンバ部４の下端に電
動モータ２６が固定され、雌ねじ部２８に螺合する送り
ねじ２９を回転させるようになっている。３０は、下部
電極２４の下面と下側プロセスチャンバ部４の内側底面
との間に設けられたベローズで、箱状部２７を囲繞して
いる。
【００１８】次に、下側プロセスチャンバ部４を上側プ
ロセスチャンバ部３から分離する工程について述べる。
【００１９】下部電極２４が、図４及び図５に示すよう
に、すでに下側プロセスチャンバ部４内へ下降してお
り、下側プロセスチャンバ部４を上側プロセスチャンバ
部３から離間させるに当たって下部電極２４が上側プロ
セスチャンバ部３に干渉しないようになっている場合は
事前の下部電極２４の下降操作を必要としない。しか
し、ＣＶＤ装置１が使用状態のままになっている場合
は、下部電極２４は、図３に示すように、上側プロセス
チャンバ部３内部の所望の高さまで上昇した状態にあ
る。この状態で、下側プロセスチャンバ部４を上側プロ
セスチャンバ部３から離間させようとすると、下部電極
２４は上側プロセスチャンバ部３に当ってしまう。この
下部電極２４と上側プロセスチャンバ部３との干渉を避
けるため、電動モータ２６により送りねじ２９を回転さ
せて、下部電極２４を図４及び図５に示すように下側プ
ロセスチャンバ部４内部へ下降させる。
【００２０】次いで、上部電極９を図２中で上側プロセ
スチャンバ部３の上方の破線で示す位置へ上部電極昇降
機構１０により上昇させる。しかる後、上部電極回転機
構１１により上部電極９を時計方向へ図中右側の破線位
置まで回転させ、最後に、上部電極昇降機構１０により
一点鎖線の位置まで下降させる。
【００２１】次に、第２の支持フレーム１８に図２及び
図３で右方向の力をかけると、第２の支持フレーム１８
はレール２３上をローラ２２が転動することによって右
行し、下側プロセスチャンバ部４は、その中の下側電極
２４を上側プロセスチャンバ部３に干渉させることなく
上側プロセスチャンバ部３から離間し、図４及び図５に
示したメンテナンス位置で停止する。この位置では、下
側プロセスチャンバ部４は上側プロセスチャンバ部３の
真下から十分に横方向へずれており、作業者が下側プロ
セスチャンバ部４にアクセスするのに上側プロセスチャ
ンバ部３が何ら邪魔にならない。従って、このメンテナ
ンス位置において、プロセスチャンバ内部のメンテナン
ス、例えば、上部及び下部電極９，２４、上側及び下側
プロセスチャンバ部３，４の内壁の点検、清掃などを十
分に、確実に、かつ、容易に行うことができる。メンテ
ナンスの終了後、上記の分離工程と全く逆の工程で、Ｃ
ＶＤ装置１を図２及び図３の状態に復帰させることがで
きる。
【００２２】下側プロセスチャンバ部４がメンテナンス
位置にある状態から、図２及び図３で左方向の力をかけ
て第２の支持フレーム１８を左行させて下側プロセスチ
ャンバ部４を上側プロセスチャンバ部３に近接させる
と、下側プロセスチャンバ部４の接合縁６が上側プロセ
スチャンバ部３の接合縁５によって０リング７を介して
当接係止されて両プロセスチャンバ部が接合する。
【００２３】上述の実施形態においては、以上の構成か
ら明らかなように、上側プロセスチャンバ部３と下側プ
ロセスチャンバ部４が分離されるので、プロセスチャン
バ２の内部のメンテナンスを容易に行うことができる。
【００２４】図１乃至図６の実施形態は、エッチング装
置にも適用できる。その構造及び各構成要素の名称はＣ
ＶＤ装置と同じであるから、改めてそれらを詳述するの
は省略する。
【００２５】また、上記説明においては、下側プロセス
チャンバ部を、固定された上側プロセスチャンバ部に対
して接離可能であるものとしているが、逆に上側プロセ
スチャンバ部を固定された下側プロセスチャンバ部に対
して接離可能に、又は、双方のプロセスチャンバ部とも
移動可能にして互いに接離可能にしてもよい。具体的に
は、第２の支持フレーム１８の水平部２１を機台１５上
に固定し、第１の支持フレーム１３の水平脚部１４にロ
ーラを軸支させ、このローラをレール上で転動させるよ
うにすることで上側プロセスチャンバ部を固定された下
側プロセスチャンバ部に対して接離可能にすることがで
きる。また、第１の支持フレーム１３の水平脚部１４と
第２の支持フレーム１８の水平部２１の双方にローラを
軸支させて、それぞれのローラをレール上で転動させる
ようにすることで双方のプロセスチャンバ部とも移動可
能にして互いに接離可能にすることができる。
【００２６】上述の実施形態においては、上側及び下側
プロセスチャンバ部は互いに水平方向へ接離するように
なっているが、これに限らず、両プロセスチャンバ部を
相互から離間させた時に、該上側プロセスチャンバ部の
干渉を受けること無く該下側プロセスチャンバ部内部の
メンテナンスができる程度に、前記下側プロセスチャン
バ部が前記上側プロセスチャンバ部の真下から少なくと
も横方向にずれるようになっていることが好ましい。こ
の構成では、離間位置では、下側プロセスチャンバ部が
上側プロセスチャンバ部から横方向にずれているため
に、両プロセスチャンバ部の内部のメンテナンスを互い
から干渉されることがなく行うことができる利点があ
る。
【００２７】両プロセスチャンバ部の接合面（接合縁を
含む面）は、上側プロセスチャンバ部３及び下側プロセ
スチャンバ部４が分離されたときに、水平面に対して傾
斜していることが好ましい。これによって、水平方向か
ら両プロセスチャンバ部の内部のメンテナンスを行うこ
とができ、両プロセスチャンバ部の内部のメンテナンス
を容易に行うことができる。
【００２８】両プロセスチャンバ部が接合した状態から
両プロセスチャンバ部を離間させるにあたっては、両プ
ロセスチャンバ部が接合した状態から、一方のプロセス
チャンバ部を他方のプロセスチャンバ部に対して両プロ
セスチャンバ部の接合面が離間するように一方向に移動
させて両プロセスチャンバ部を離間させることが好まし
い。これによって、一方のプロセスチャンバ部を一方向
に移動させるのみで両プロセスチャンバ部を離間させる
ことができ、両プロセスチャンバ部の離間を容易に行う
ことができる。
【００２９】両プロセスチャンバ部を近接させて接合す
るにあたっては、両プロセスチャンバ部が近接して接合
する際に、一方のプロセスチャンバ部に対して移動する
他方のプロセスチャンバ部の接合縁が、前記一方のプロ
セスチャンバ部の接合縁によって当接係止されるように
両プロセスチャンバ部を近接させることが好ましい。こ
れによって両プロセスチャンバ部を接合するための両プ
ロセスチャンバ部の近接を容易に行うことができる。
【００３０】図７を参照して、この発明を適用したＣＶ
Ｄ装置（この場合プラズマＣＶＤ装置である）を図１乃
至図５に示した場合よりも詳しく説明する。このＣＶＤ
装置は、被処理物、例えば、半導体ウエハやＬＣＤ基板
等の基板に成膜処理を施すものである。このＣＶＤ装置
１０１に用いられるプロセスチャンバ２は図１乃至図６
の場合と同じ構造のものを用いている。ＣＶＤ装置１０
１は、上側プロセスチャンバ部３の上端開口部を密閉す
る上部電極９を有する。この上部電極９内にガス室１０
２が形成され、この内部に、上方の処理ガス入口１０３
を通じて処理ガスが導入される。上部電極９の下面に複
数のガス孔１０４が形成され、ガス室１０２内の処理ガ
スを下方に噴出させるようになっている。
【００３１】上部電極９の真下には、すでに図５を参照
して述べたように、下部電極２４が、上側プロセスチャ
ンバ部３内と下側プロセスチャンバ部４内との間を上下
可能にプロセスチャンバ２内に設けられており、ＣＶＤ
装置１０１の使用時には、図７に示すように、上昇され
て上部電極９の真下に対峙し、上部電極９と下部電極２
４との間隔が所望の値に設定されるようになっている。
また、下部電極２４の内部には、加熱体１０６が埋設さ
れ、下部電極２４の上面に載置された基板Ｗを加熱する
ようになっている。このプラズマＣＶＤ装置１０１によ
って、被処理物である基板Ｗに成膜処理を施す際には、
ターボポンプ８によってプロセスチャンバ２内を所定の
圧力に維持し、加熱体１０６によって下部電極２４の上
面に載置された基板Ｗを加熱し、ガス孔１０４から膜の
原料ガスを基板Ｗの上面に向けて噴出させると共に、上
部電極９及び下部電極２４の内の一方若しくは双方とプ
ロセスチャンバ２との間に、又は、上部電極９と下部電
極２４との間に、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波電
圧を印加することによって膜の原料ガスをプラズマ化
し、プラズマＣＶＤによって基板Ｗに成膜処理を施す。
使用済みの処理ガスはターボポンプ８によって排気口か
ら排気される。このＣＶＤ装置１０１において、プロセ
スチャンバ内部のメンテナンス、例えば、上部電極９、
下部電極２４、上側プロセスチャンバ部３及び下側プロ
セスチャンバ部４の内壁に付着した膜の除去等は、上述
のように上側プロセスチャンバ部３と下側プロセスチャ
ンバ部４とを離間させることによって行う。なお、図７
を参照して説明した構造は、エッチング装置にも用いら
れるものである。そして、エッチング装置においては、
処理ガスとしてエッチングガスを用いればよい。
【００３２】図８を参照して、この発明をスパッタリン
グ装置に適用した実施形態を説明する。このスパッタリ
ング装置２０１は、上述の上側プロセスチャンバ部３及
び下側プロセスチャンバ部４を有するプロセスチャンバ
２と、上側プロセスチャンバ部３内の上方に位置するタ
ーゲット２０２を有する。そして、このターゲット２０
２の上方にマグネット２０３が設けられている。
【００３３】ターゲット２０２の真下には、サセプタ２
０４が、図７の場合の下部電極２４と同様に、上側プロ
セスチャンバ部３内と下側プロセスチャンバ部４内との
間を上下可能にプロセスチャンバ２内に設けられてい
る。そして、このサセプタ２０４は、スパッタリング装
置２０１の使用時には、図８に示すように、上昇され
て、ターゲット２０２の真下に対峙するようになってい
る。このスパッタリング装置２０１によって被処理物で
あるウエハＷに成膜処理を施す際には、ターボポンプ８
によってプロセスチャンバ２内を所定の圧力に維持し、
ターゲット２０２をカソードとしてプロセスチャンバ２
とターゲット２０２との間に電圧を印加すると共に、マ
グネット３によりターゲット２０２の近傍に磁場を形成
して処理ガス、例えば、アルゴン等の不活性ガスをプラ
ズマ化し、これによりターゲット２０２から粒子を叩き
出して、サセプタ２０４上に載置されたウエハＷに成膜
処理を施す。使用済みの処理ガスはターボポンプ８によ
って排気口から排気される。他の構成は図１乃至図６の
場合と同様であるのでその説明は省略する。
【００３４】このスパッタリング装置２０１において、
プロセスチャンバ内部のメンテナンス、例えば、サセプ
タ２０４、上側及び下側プロセスチャンバー部３，４の
内壁に付着した膜の除去等は、上述のように上側プロセ
スチャンバ部３と下側プロセスチャンバ部４とを離間さ
せて行う。
【００３５】以上に、この発明をＣＶＤ装置、エッチン
グ装置及びスパッタリング装置に適用した場合について
説明したが、他の処理装置にも適用できる。
【００３６】
【発明の効果】この発明によれば、プロセスチャンバ内
のメンテナンスを容易に行なえる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】使用状態でのこの発明のプロセスチャンバ装置
の一実施形態及びこのプロセスチャンバ装置を用いた処
理装置の一実施形態であるＣＶＤ装置の正面図である。
【図２】図１の右側面図である。
【図３】図１の使用状態における、プロセスチャンバの
縦断面と上部電極の下部の縦断面で示した側面図であ
る。
【図４】図１乃至図３の実施形態において、下側プロセ
スチャンバ部を上側プロセスチャンバ部から離間させて
メンテナンス位置へ移動させた状態を示す側面図であ
る。
【図５】図４において、下側プロセスチャンバ部を縦断
面で示した図である。
【図６】本実施形態のプロセスチャンバ装置の下側プロ
セスチャンバ部の斜視図である。
【図７】この発明を適用したＣＶＤ装置及びエッチング
装置の一実施形態の主要部の一部縦断面図である。
【図８】この発明を適用したスパッタリング装置の一部
断面図である。
【符号の説明】
１ ＣＶＤ装置（又はエッチング装置） ２ プロセスチャンバ ３ 上側プロセスチャンバ部 ４ 下側プロセスチャンバ部 ５ 接合縁 ６ 接合縁 ７ Ｏリング ９ 上部電極 １０ 上部電極昇降機構 １１ 上部電極回転機構 １２ 腕 １３ 第１の支持フレーム １４ 水平脚部 １５ 機台 １６ 垂直支持部 １７ 取付部 １８ 第２の支持フレーム １９ 固定部 ２０ 垂直部 ２１ 水平部 ２２ ローラ ２３ レール ２４ 下部電極 １０１ ＣＶＤ装置（又はエッチング装置） ２０１ スパッタリング装置 ２０２ ターゲット ２０３ マグネット ２０４ サセプタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｃ２３Ｃ 14/00 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下方に開放し下端に接合縁を有する上側
    プロセスチャンバ部と、上方に開放し上端に該上側プロ
    セスチャンバ部の接合縁に合致する接合縁を有する下側
    プロセスチャンバ部とを具備するプロセスチャンバと、 前記両プロセスチャンバ部を相対的に接離させるための
    移動機構とを具備して成ることを特徴とするプロセスチ
    ャンバ装置。
  2. 【請求項２】 前記移動機構は、両プロセスチャンバ部
    が相互に離間した時に、該両プロセスチャンバ部のうち
    の一方の干渉を受けること無く他方のプロセスチャンバ
    部の内部のメンテナンスができる程度に、前記下側プロ
    セスチャンバ部を前記上側プロセスチャンバ部の真下か
    ら少なくとも横方向に相対的にずれるように離間させる
    構成にしたことを特徴とする請求項１に記載のプロセス
    チャンバ装置。
  3. 【請求項３】 前記移動機構は、前記両プロセスチャン
    バ部を水平方向に離間させる構成にしたことを特徴とす
    る請求項１又は２に記載のプロセスチャンバ装置。
  4. 【請求項４】 前記両プロセスチャンバ部が離間された
    際に、前記両プロセスチャンバ部の内の少なくとも一方
    の接合面は、水平面に対して傾斜していることを特徴と
    する請求項１乃至３のいずれかの１に記載のプロセスチ
    ャンバ装置。請求項
  5. 【請求項５】 一方のプロセスチャンバ部を他方のプロ
    セスチャンバ部に対して両プロセスチャンバ部の接合面
    が離間するように一方向に移動させて、前記両プロセス
    チャンバ部を離間させる構成にしたことを特徴とする請
    求項１乃至４のいずれかの１に記載のプロセスチャンバ
    装置。
  6. 【請求項６】 前記両プロセスチャンバ部が相対的に近
    接して接合する際に、一方のプロセスチャンバ部の接合
    縁によって他方のプロセスチャンバ部の接合縁が当接係
    止されるように、前記両プロセスチャンバ部を近接させ
    る構成にしたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれ
    かの１に記載のプロセスチャンバ装置。
  7. 【請求項７】 前記両プロセスチャンバ部を離間させる
    際に、前記両プロセスチャンバ部の接合面が水平面に対
    して傾斜し、前記移動機構が前記両プロセスチャンバ部
    を水平に離間させる構成にしたことを特徴とする請求項
    １乃至６のいずれかの１に記載のプロセスチャンバ装
    置。
  8. 【請求項８】 前記両プロセスチャンバ部を近接させて
    接合する際に、前記両プロセスチャンバ部の接合面が水
    平面に対して傾斜し、前記移動機構が前記両プロセスチ
    ャンバ部を水平方向に近接させる構成にしたことを特徴
    とする請求項１乃至７のいずれかの１に記載のプロセス
    チャンバ装置。
  9. 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれかの１に記載の
    プロセスチャンバ装置と、該プロセスチャンバの内部に
    おいて所定の処理を行うための手段とを具備して成るこ
    とを特徴とする処理装置。
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