TWI681689B - 電子元件的製造方法及電子元件 - Google Patents
電子元件的製造方法及電子元件 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI681689B TWI681689B TW105101612A TW105101612A TWI681689B TW I681689 B TWI681689 B TW I681689B TW 105101612 A TW105101612 A TW 105101612A TW 105101612 A TW105101612 A TW 105101612A TW I681689 B TWI681689 B TW I681689B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electronic component
- contact hole
- gas barrier
- barrier film
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 118
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical group [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 105
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 99
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 8
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S13/00—Systems using the reflection or reradiation of radio waves, e.g. radar systems; Analogous systems using reflection or reradiation of waves whose nature or wavelength is irrelevant or unspecified
- G01S13/02—Systems using reflection of radio waves, e.g. primary radar systems; Analogous systems
- G01S13/06—Systems determining position data of a target
- G01S13/42—Simultaneous measurement of distance and other co-ordinates
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
- A61B5/103—Detecting, measuring or recording devices for testing the shape, pattern, colour, size or movement of the body or parts thereof, for diagnostic purposes
- A61B5/107—Measuring physical dimensions, e.g. size of the entire body or parts thereof
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/08—Measuring electromagnetic field characteristics
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L27/00—Modulated-carrier systems
- H04L27/26—Systems using multi-frequency codes
- H04L27/2601—Multicarrier modulation systems
- H04L27/2647—Arrangements specific to the receiver only
- H04L27/2655—Synchronisation arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L5/00—Arrangements affording multiple use of the transmission path
- H04L5/003—Arrangements for allocating sub-channels of the transmission path
- H04L5/0032—Distributed allocation, i.e. involving a plurality of allocating devices, each making partial allocation
- H04L5/0035—Resource allocation in a cooperative multipoint environment
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L5/00—Arrangements affording multiple use of the transmission path
- H04L5/003—Arrangements for allocating sub-channels of the transmission path
- H04L5/0048—Allocation of pilot signals, i.e. of signals known to the receiver
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L5/00—Arrangements affording multiple use of the transmission path
- H04L5/003—Arrangements for allocating sub-channels of the transmission path
- H04L5/0058—Allocation criteria
- H04L5/0073—Allocation arrangements that take into account other cell interferences
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/88—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Pathology (AREA)
- Dentistry (AREA)
- Heart & Thoracic Surgery (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Surgery (AREA)
- Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本發明提供一種電子元件的製造方法及電子元件，所述電子元件的製造方法於電子部件的電極上形成導電性的凸起後，將形成有接著劑層及接觸孔的阻氣膜積層於形成有電子部件的基板上並進行壓接，或者將形成有接著劑層及接觸孔的阻氣膜積層於形成有電子部件的基板上，於接觸孔內的電極上形成導電性的凸起後，將基板與阻氣膜壓接，以導電性材料填滿接觸孔。藉此，即便為小型的電子元件，亦可以小的接觸孔來連接用以確實地與外部裝置連接的伸出配線。
Description
本發明是有關於一種有機電致發光(Electroluminescence，EL)元件或有機薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)等電子元件的製造方法及電子元件。詳細而言，本發明是有關於一種以阻氣膜將電子部件密封的電子元件的製造方法及電子元件。
作為各種電子部件，有機EL部件(有機電致發光部件)或有機TFT(有機薄膜電晶體)等有機電子部件的開發不斷進步。
通常，電子部件對水分或氧的耐受性弱。其中，有機電子部件由水分所致的劣化劇烈。
因此，電子部件是於形成後藉由不會透過水分或氣體的密封層加以密封。此處，若考慮到生產性，則可想到使用阻氣膜作為密封層。即，於基板上形成多個電子部件，並且藉由接著劑將阻氣膜接著於基板，由此將多個電子部件一次性密封。
於以阻氣膜將電子部件密封的情形時，為了將電子部件與外部裝置連接而必須將配線引出。
大型的顯示器等的情況下，通常自周邊部引出配線。
相對於此，小型的電子部件的情況下，大多情況下亦難以自周邊部引出配線。於該情形時，可想到貫穿阻氣膜及接著劑層而形成用以進行配線的取出的配線用接觸孔(contact hole)，於該接觸孔內設置用以將電子部件與外部裝置連接的引出配線。
例如專利文獻1中揭示有以下方法：連續地供給含有阻氣膜及接著劑層的膜複合體，對膜複合體的一部分進行衝壓加工或狹縫加工而形成接觸孔(配線引出部分)，將形成有接觸孔的膜複合體連續地輥式貼合於形成有電子部件的基板上，並且以線內式(in-line)進行膜複合體的連續供給、接觸孔的形成及輥式貼合。
[專利文獻1]日本專利特開2011-62958號公報
根據專利文獻1中記載的方法，藉由利用所謂輥對輥(roll-to-roll)，能以高的生產效率利用設有引出配線用的接觸孔的阻氣膜將電子部件密封。
再者，電子部件中，有顯示器般的大型電子部件、或積體電路(Integrated Circuit，IC)標籤般的小型電子部件等各種大小的電子部件。
於電子部件小的情形時，接觸孔亦必須對應於電子部件的尺寸而減小。特別是IC標籤等小型電子部件，近年來小型化的要求
嚴格，與此相對應而亦必須減小接觸孔。
另外，即便是大型的電子部件，若考慮到顯示器的顯示面積等電子部件的有效面積，則接觸孔以小為佳。
如專利文獻1中亦記載般，形成有接著劑層的阻氣膜與形成有電子部件的基板的貼附通常是藉由將兩者積層並加壓的壓接而進行。另外，於進行壓接時，視需要進行接著劑層的加熱或光的照射。
此處，於阻氣膜與基板的壓接時，接著劑以填埋接觸孔的方式移動，但於接觸孔小的情形時，接著劑堵塞接觸孔，導致無法引出配線。
本發明的目的在於解決此種現有技術的問題，且在於提供一種電子元件的製造方法及電子元件，所述電子元件的製造方法即便於以阻氣膜將電子部件密封而成的電子元件中，用以形成用於與外部裝置連接的引出配線的接觸孔小的情形時，亦可穩定地進行配線的引出。
為了達成此種目的，本發明的電子元件的製造方法的第1態樣提供如下電子元件的製造方法，其特徵在於包括：於阻氣膜上形成接著劑層，進而形成貫穿阻氣膜及接著劑層的接觸孔的步驟；於形成有至少一個電子部件的基板的電子部件的電極上，形成具有導電性的凸起的步驟；以及
將接觸孔與凸起對位，使接著劑層與形成有電子部件的面相向，將基板與阻氣膜積層並進行壓接的步驟，且，於將接觸孔的大小設為X[μm]、凸起的高度設為Y[μm]、接著劑的厚度設為L[μm]時，滿足下述式(1)及式(2)。
另外，本發明的電子元件的製造方法的第2態樣提供如下電子元件的製造方法，其特徵在於包括：於阻氣膜上形成接著劑層，進而形成貫穿阻氣膜及接著劑層的接觸孔的步驟；將形成有至少一個電子部件的基板的電子部件的電極與接觸孔對位，使接著劑層與形成有電子部件的面相向，將基板與阻氣膜積層的步驟；於接觸孔內的電子部件的電極上形成具有導電性的凸起的步驟；以及將基板與阻氣膜壓接的步驟，且，於將接觸孔的大小設為X[μm]、凸起的高度設為Y[μm]、接著劑的厚度設為L[μm]時，滿足下述式(1)及式(2)。
[數2]
於此種本發明的電子元件的製造方法中，較佳為凸起的最大部的大小較接觸孔的大小更小。
另外，較佳為凸起的高度高於接著劑層的厚度。
另外，較佳為凸起的大小朝向高度方向上方逐漸減小。
另外，較佳為更包括以導電性材料填充接觸孔的步驟。
另外，較佳為阻氣膜及基板具有可撓性。
進而，較佳為使用長條的基板及阻氣膜，一面將基板及阻氣膜的至少一者於長度方向上搬送，一面進行接著劑層的形成、接觸孔的形成、凸起的形成、基板與阻氣膜的積層以及基板與阻氣膜的壓接的至少一個步驟。
另外，本發明的電子元件提供如下電子元件，其特徵在於具有：基板、形成於基板上的至少一個電子部件、將電子部件密封的阻氣膜、將阻氣膜接著於基板的接著劑層、貫穿阻氣膜及接著劑層且形成於與電子部件的電極相對應的位置的接觸孔、及
通過接觸孔而連接於電子部件的電極的引出配線，且接觸孔是由引出配線填埋，進而引出配線具有尺寸的變動部。
於此種本發明的電子元件中，較佳為引出配線具有朝向上方逐漸減小、自最小部朝向上方逐漸增大的縮頸部。
另外，較佳為於基板上形成有多個電子部件。
根據此種本發明，即便於以阻氣膜將電子部件密封而成的電子元件中，配線引出用的接觸孔小的情形時，亦可穩定地進行配線的引出。
10‧‧‧電子元件
12‧‧‧基板
14‧‧‧電子部件
14a‧‧‧電子部件本體
14b‧‧‧電極
20‧‧‧阻氣膜
24‧‧‧接著劑層
26‧‧‧引出配線
30‧‧‧接觸孔
32‧‧‧凸起
L‧‧‧厚度
X‧‧‧直徑
Y‧‧‧高度
圖1為概念性地表示本發明的電子元件的一例的圖。
圖2為用以說明本發明的電子元件的製造方法的概念圖。
圖3為用以說明本發明的電子元件的製造方法的概念圖。
以下，根據隨附圖式所示的較佳例，對本發明的電子元件的製造方法及電子元件加以詳細說明。
圖1中概念性地示出本發明的電子元件的一例。
圖1所示的電子元件10基本上具有基板12、電子部件14、阻氣膜20、接著劑層24及引出配線26。於圖示例中，電子部件14是由電子部件本體14a及電極14b所構成。該電子元件10是利用本發明的電子元件的製造方法所製造。
圖示例中，於一片基板12上形成有多個電子部件14。
本發明不限定於此，亦可於一片基板12上僅形成有一個電子部件14。然而，若考慮到生產性等，則基板12較佳為具有多個電子部件14。
本發明中，電子部件14即電子元件10並無特別限定，可利用公知的各種電子部件14。其中，可較佳地利用使用有機半導體所製作的電子部件14。
作為一例，可例示：有機EL顯示器或有機EL照明等有機EL部件、由包含有機TFT的邏輯電路所形成的RFID標籤等元件、使用有機TFT的各種感測器、有機太陽電池等光電變換部件、有機系熱電變換部件等。
另外，電極14b亦為設置於公知的電子部件中的公知的電極。
電子部件14、即電子部件本體14a及電極14b均只要利用公知的方法來形成即可。
基板12為可用於各種電子部件14(電子元件10)中的公知品，可利用具有絕緣性的各種片狀物(膜)或板狀物。
具體可例示：包含聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醯亞胺(PI)、環烯烴共聚物(COC)、環烯烴聚合物(COP)等樹脂、或於表面上設有絕緣膜的金屬(鋁箔等)、玻璃、陶瓷等的片狀物或板狀物。
另外，與後述阻氣膜20相同的阻氣膜亦可較佳地用作基板12。
基板12的厚度只要根據要製作的電子元件10的大小或種類等而適當設定即可。
另外，基板12較佳為具有可撓性。通常的阻氣膜20亦具有可撓性。因此，藉由基板12具有可撓性，可利用所謂輥對輥(Roll to Roll，以下亦稱為R to R)來實施本發明的製造方法。
阻氣膜20為於支撐體上形成阻氣層而成的公知的阻氣膜。
阻氣膜20可利用公知的各種阻氣膜。其中，含有鋁箔等導電性層的阻氣膜會與引出配線26導通，故較佳為包含無機氧化物或無機氮化物等的阻氣膜。更佳可例示有機無機積層型的阻氣膜，該有機無機積層型的阻氣膜是於包含塑膠膜等的支撐體上，形成一個以上的包含氮化矽等的無機層、與成為該無機層的基底層的包含丙烯酸系樹脂或甲基丙烯酸系樹脂等的有機層的組合而成。有機無機積層型的阻氣膜中，最上層可為有機層亦可為無機層。
有機無機積層型的阻氣膜例如可例示日本專利特開2009-094051號公報的段落編號[0011]~段落編號[0030]中記載的構成。
阻氣膜20的厚度只要根據要製作的電子元件10的大小或種類等而適當設定即可。
再者，由於與基板12相同的原因，阻氣膜20較佳為具有可撓性。再者，通常的阻氣膜具有可撓性。
接著劑層24將阻氣膜20與形成有電子部件14的基板
12接著。
接著劑層24中，可利用能將阻氣膜20與形成有電子部件14的基板12接著的各種接著劑。作為一例，可利用熱密封劑、感熱性接著劑、感壓性接著劑、感光性接著劑等。另外，接著劑層24的形成材料較佳為阻氣性高的環氧系的接著劑。
引出配線26是用於將電子部件14的電極14b連接於電源或驅動電路等外部裝置，且自電極14b豎立設置，穿過接著劑層24及阻氣膜20而形成至阻氣膜20的上表面(與基板12為相反側的面)。
下文中於製造方法的說明中亦描述，於利用本發明的製造方法所製造的本發明的電子元件10中，引出配線26於高度方向上具有尺寸的變動部。較佳為引出配線26具有朝向上方逐漸減小、自最小部朝向上方逐漸增大的縮頸部。
再者，本發明中，所謂上方是指自基板12朝向阻氣膜20的方向。另外，本發明中所謂引出配線26的大小，是指與高度方向、即接著劑層24及阻氣膜20的厚度方向即上下方向正交的方向的大小。
即，於引出配線26為圓柱或圓錐等旋轉體般的形狀的情形時，引出配線26於高度方向即中心線的延伸方向上具有直徑的變動部，較佳為具有朝向上方而直徑逐漸縮小、自最小徑部朝向上方而直徑逐漸擴大的縮頸部。
引出配線26只要由銀、金、鋁、銅、鉑、鉛、鋅、錫、
鉻等金屬、碳等公知的導電性材料形成即可。
以下，參照圖2及圖3對本發明的電子元件的製造方法加以說明，藉此對本發明加以更詳細說明。
首先，如圖2左側的上段所示，於阻氣膜20上形成接著劑層24。關於接著劑層24的厚度L，將於下文中詳述。
接著劑層24只要利用與接著劑層24的形成材料或厚度等相對應的公知的方法來形成即可。作為一例，可例示：塗佈成為接著劑層24的接著劑並加以乾燥、或進一步進行半硬化的方法；利用接著片(黏著片)的貼附的方法等。
繼而，於該阻氣膜20與接著劑層24的積層體中形成接觸孔30。接觸孔30是形成於與要密封的電子部件14的電極14b相對應的位置。
接觸孔30只要利用公知的方法來形成即可。作為一例，可例示衝壓加工、雷射加工等。其中，就可防止阻氣膜20的阻氣層的損傷等方面而言，可較佳地利用雷射加工。
接觸孔30的直徑X只要根據電子部件14的大小等而適當設定即可。關於接觸孔30的直徑X，將於下文中詳述。
接觸孔30基本上為圓筒狀。然而，接觸孔30未必一定要為圓筒狀，亦可利用橢圓筒狀或角筒狀或不定形筒狀等各種形狀的接觸孔。另外，圓錐台狀或角錐台狀、將兩個圓錐台於上表面接合的形狀等的接觸孔30的直徑可於高度方向上變化。於該情形時，只要設想與接觸孔30內接的圓筒(即最小徑)，將該圓筒的
直徑設定為接觸孔30的直徑X即可。
再者，接觸孔30較佳為於與基板12積層時，以與電子部件本體14a具有某種程度的距離的方式形成。
接觸孔30是由引出配線26所填埋。然而，引出配線26不具有阻氣膜20般的阻氣性，故有可能因長期間的使用而水分通過引出配線26滲入至接著劑層24中，到達電子部件本體14a。
相對於此，藉由與電子部件本體14a具有某種程度的距離而形成接觸孔30，可抑制通過引出配線26而滲入的水分到達電子部件本體14a。
此處，水分到達電子部件本體14a的時間依存於溫濕度環境、及接觸孔30與電子部件本體14a的距離。
因此，考慮到該方面，接觸孔30與電子部件本體14a的距離只要以可獲得必要的耐久性的方式適當設定即可。
另外，如圖2的左下段所示，準備形成有一個以上的電子部件14(電子部件本體14a及電極14b)的基板12。
於該電子部件14的電極14b上，與形成於所述阻氣膜20與接著劑層24的積層體中的接觸孔30對位，形成包含導電性材料的凸起32。或者，亦可與凸起32對位而於阻氣膜20與接著劑層24的積層體中形成接觸孔30。
凸起32只要根據凸起32的形成材料或大小等利用公知的方法來形成即可。作為一例，可例示：使用點膠機(dispenser)等滴加銀膠或金膠等金屬膠，並進行乾燥或進一步進行硬化的方
法；利用使用金屬膠的印刷的方法；利用使用導電性油墨的噴墨的方法等。
凸起32的形狀並無特別限定，只要自電極14b豎立設置，則可利用圓柱狀或圓錐狀等各種形狀。
凸起32的形狀較佳可例示：圓錐狀、圓錐台狀、角錐狀、上表面成為曲面的圓錐台狀、上部成為曲面的圓錐狀般，朝向上方而大小逐漸縮小(縮徑)的形狀。藉由將凸起32的形狀設定為朝向上方逐漸縮小的形狀，凸起32的形成變容易，容易使凸起32***至接觸孔30中，於壓接阻氣膜20時氣泡不易進入，就此方面而言較佳。
凸起32的高度Y只要根據電子部件14的大小等而適當設定即可。關於凸起32的高度Y，將於下文中詳述。
於阻氣膜20及接著劑層24的積層體中形成接觸孔30，且於電子部件14上形成凸起32後，如圖2右側所示，將接觸孔30與凸起32對位，使接著劑層24與形成有電子部件14的面相向，將阻氣膜20及接著劑層24的積層體與基板12積層。繼而，如圖3的上段所示，將阻氣膜20與基板12壓接。
此處，於本發明的製造方法中，具有凸起32，且接觸孔30的直徑X[μm]、凸起32的高度Y[μm]及壓接前的接著劑層24的厚度L[μm]滿足下述式(1)及式(2)。
[數3]
本發明的製造方法藉由具有此種構成，即便於小的電子元件等中接觸孔30微細的情形時，亦可防止接著劑層24填埋接觸孔30，穩定地形成用以將電極14b與外部裝置連接的引出配線26。
如上文所述般，於以阻氣膜將IC標籤等小型的電子部件密封的情形時，可想到於阻氣膜中形成接觸孔，自該接觸孔設置用以與外部裝置連接的引出配線。於電子部件小的情形時，接觸孔亦必須對應於電子部件的尺寸而減小。另外，於大的電子部件中，若考慮到顯示器的有效面積，則接觸孔亦以小為佳。
此處，如專利文獻1中亦記載般，形成有接著劑層的阻氣膜與形成有電子部件的基板的貼附通常是藉由將兩層積層並加壓的壓接而進行。另外，壓接時，視需要進行接著劑層的加熱或光照射。
於該阻氣膜與基板的壓接時，接著劑層(接著劑)以填埋接觸孔的方式移動。然而，於接觸孔小的情形時，會於阻氣膜與基板的壓接時堵塞接觸孔，導致無法引出配線。
相對於此，本發明的製造方法中，於電子部件14的電極14b上形成凸起32，且接觸孔30的直徑X(接觸孔30的大小X)、凸起32的高度Y及壓接前的接著劑層24的厚度L滿足式(1)及式(2)。
藉此，如圖3的上段所示，即便將阻氣膜20與基板12壓接
而接著劑層24以填埋接觸孔30的方式移動，凸起32亦以自接著劑層24凸出的狀態存在於接觸孔30內。因此，如後述，藉由在接觸孔30中填充導電性材料，可穩定地形成與電極14b連接的引出配線26。
根據本發明者等人的研究，接觸孔30的直徑X越大，接觸孔30經接著劑層24填埋的可能性越降低。另外，凸起32的高度Y越高，接觸孔30經接著劑層24填埋的可能性越降低。進而，接著劑層24的厚度L越薄，接觸孔30經接著劑層24填埋的可能性越降低。
此處，於不滿足式(1)的情形、即接觸孔30的直徑X為5000μm以上的情況下，產生無法搭載於小型的電子元件10等不良狀況。另外，於接觸孔30的直徑X為5000μm以上的情況下，即便將阻氣膜20與基板12壓接，接觸孔30經接著劑層24填埋的情況亦極少，形成凸起32並無意義。
另外，於接觸孔30的直徑X、凸起32的高度Y及接著劑層24的厚度L不滿足式(2)的情形時，相對於接觸孔30的直徑X及接著劑層24的厚度L，凸起32的高度Y過低。因此，於將阻氣膜20與基板12壓接時，凸起32埋沒於接著劑層24中，導致無法形成與電極14b連接的引出配線26。
接觸孔30的直徑X、凸起32的高度Y及接著劑層24的厚度L基本上只要滿足上述式(1)及式(2)即可。
再者，凸起32的高度Y較佳為高於接著劑層24的厚度L。
藉由將凸起32的高度Y設定為高於接著劑層24的厚度L，而更確實地防止凸起32埋沒於接著劑層24中，可穩定地形成與電極14b連接的引出配線26。
凸起32較佳為最大的大小較接觸孔30的直徑X(接觸孔30的大小)更小。藉由將凸起32的最大的大小設定為小於接觸孔30的直徑X，可將凸起32較佳地***至接觸孔30中，穩定地形成與電極14b連接的引出配線26。
再者，所謂凸起32的大小，如上文所述，是指與凸起32的高度正交的方向的大小。即，於凸起32為圓錐狀或圓錐台狀的情形時，底面的大小成為凸起32的最大的大小。
接著劑層24的厚度L較佳為於可維持充分的接著力的範圍內變薄。藉由使接著劑層24的厚度L變薄，可抑制自接著劑層24的端部的水分滲入，進而可更確實地防止凸起32埋沒於接著劑層24中。
如上文所述般，於阻氣膜20與接著劑層24的積層體中形成接觸孔30，並於電子部件14上形成凸起32後，如圖2的右側所示，將接觸孔30與凸起32對位，將阻氣膜20及接著劑層24的積層體與基板12積層。繼而，如圖3的上段所示，將阻氣膜20與基板12壓接(按壓阻氣膜20與基板12)。再者，於阻氣膜20與基板12的壓接時，視需要亦可進行接著劑層24的加熱(加熱壓接)或光照射。
繼而，如圖3的中段所示，以將接觸孔30完全填埋的方式於
接觸孔30中填充導電性材料，形成用以將電子部件14與外部裝置連接的引出配線26。
此處，若將阻氣膜20與基板12壓接，則接著劑層24以填埋接觸孔30的方式移動。然而，於本發明的製造方法中，如上文所述般形成凸起32，且接觸孔30的直徑X[μm]、凸起32的高度Y[μm]及壓接前的接著劑層24的厚度L[μm]滿足式(1)及式(2)。
因此，即便如圖3的上段所示般將阻氣膜20與基板12壓接，而接著劑層24以填埋接觸孔30的方式移動，凸起32亦不會埋沒於接著劑層24中。即，與電極14b連接的凸起32於接觸孔30內露出。因此，藉由在接觸孔30中填充導電性材料，凸起32與導電性材料連接，可形成連接於電子部件14的電極14b的引出配線26。
另外，於阻氣膜20與基板12的壓接時，接著劑層24移動至接觸孔30中，藉此於填埋接觸孔30而形成的引出配線26中形成尺寸的變動部。例如於凸起32具有圓錐狀般朝向上方逐漸縮小般的形狀的情形時，形成如上文所述般的具有縮頸部的引出配線26。
阻氣膜20與基板12的壓接只要利用公知的方法來進行即可。例如於利用R to R的情形時，只要使用壓接輥對而連續地進行阻氣膜20與基板12的壓接即可。
另外，關於壓接力，只要根據接著劑層24的形成材料或厚度L等，適當地設定可藉由接著劑層24將阻氣膜20與基板12適當
接著的壓接力即可。
接觸孔30中的導電性材料的填充、即引出配線26的形成只要根據接觸孔30的大小等利用公知的方法來進行即可。
作為一例，可例示：填充銀膠或金膠等金屬膠，視需要進行成形，加以乾燥或進一步進行硬化的方法；利用使用金屬膠的印刷的方法；利用使用導電性油墨的噴墨的方法等。
如此般製作電子元件10後，如圖3的下段所示，進行切斷而製成各個電子元件10a。切斷只要利用公知的方法來進行即可。
此種電子元件10a是藉由將引出配線26連接於形成有其他電子元件等的基板而安裝於顯示器等各種裝置。
本發明的製造方法亦可使用形成有多個電子部件14的片狀的基板12及片狀的阻氣膜20，以所謂批次式來進行。
然而，較佳為使用在長度方向上以既定間隔形成有電子部件14的長條的基板12及長條的阻氣膜20，利用所謂R to R。如眾所周知般，所謂R to R，是指自將長條的被處理材料捲繞成卷狀而成的材料卷送出被處理材料，一面將被處理材料於長度方向上搬送一面進行各種處理，將經處理的被處理材料再次捲繞成卷狀的製造方法。
本發明的製造方法中，藉由利用R to R來進行阻氣膜20上的接著劑層24的形成、接觸孔30的形成、凸起32的形成、基板12與阻氣膜20及接著劑層24的積層體的積層、基板12與
阻氣膜20的壓接的至少一個步驟、較佳為所有步驟，能以更高的生產性製造電子元件10。
另外，切斷成各個電子元件10a亦較佳為以R to R來進行。
於圖2及圖3所示的本發明的第1態樣的電子元件的製造方法中，於電子部件14上形成凸起32後，將基板12與阻氣膜20積層並進行壓接。
相對於此，於本發明的電子元件的製造方法的第2態樣中，於電子部件14上形成凸起32之前，將接觸孔30與電極14b對位，使接著劑層24與形成有電子部件14的面相向，將基板12、與形成有接觸孔30的阻氣膜20及接著劑層24的積層體積層。繼而，經由接觸孔30於電子部件14的電極14b上形成凸起32，其後進行基板12與阻氣膜20的壓接。
於該構成中，亦藉由形成凸起32，且接觸孔30的直徑X[μm]、凸起32的高度Y[μm]及壓接前的接著劑層24的厚度L[μm]滿足式(1)及式(2)，而可與圖2及圖3所示的電子元件的製造方法同樣地，穩定地製造圖1所示般的具有連接於電極14b的引出配線26的電子元件10。
以上，對本發明的電子元件的製造方法及電子元件進行了詳細說明，但本發明不限定於上述示例，當然可於不偏離本發明的主旨的範圍內進行各種改良或變更。
以下，列舉本發明的具體實施例對本發明加以更詳細說
明。
<阻氣膜20的製作>
準備厚度75μm的PET膜(東洋紡公司製造，科斯莫曬(Cosmoshine))作為支撐體。對該支撐體實施電漿處理。
於支撐體的實施了電漿處理的面上，以含有下述所示的聚合性化合物、聚合起始劑(寧柏迪(Lamberti)公司製造，艾薩固(Esacure)KTO46)及2-丁酮的聚合性組成物塗佈成乾燥膜厚為2000nm的膜，再於含氧量100ppm以下的氮氣環境下以0.5J/cm2的紫外線照射量進行照射而使其硬化，製作出第1有機層。
於第1有機層上，藉由電漿化學氣相沈積(Plasma CVD)形成厚度40nm的氮化矽膜(於膜中含有氧、氫)作為無機層。
進而，於無機層上與第1有機層同樣地形成第2有機層，製作於支撐體上具有將有機層與無機層交替積層而成的阻氣層的有機無機積層型的阻氣膜20。
<接著劑層24及接觸孔30的形成>
將二液混合型熱硬化型接著劑(大造-北山化學(Daizo-Nichimoly)製造，愛博特(Evotec)310)以成為所需膜厚的方式塗佈於離型膜上，將其轉印至如上文所述般製作的阻氣膜20上，而形成接著劑層24。
於如此般形成的阻氣膜20與接著劑層24的積層體中形成兩點的接觸孔30。再者，直徑為50μm及100μm的接觸孔30是藉由雷射加工而形成，直徑為200μm以上的接觸孔30是藉由使用衝壓機(punch)及模具(die)的衝壓加工而形成。
[實施例1]
於厚度75μm的PET膜(東洋紡公司製造，科斯莫曬(Cosmoshine))製的基板12上形成測試用的條紋電極。
於該條紋電極的兩點上，與接觸孔30對位而形成底面的直徑為50μm的大致圓錐狀的凸起32。凸起32是使用點膠機以銀膠而形成。再者，凸起32的底面的直徑是藉由變更點膠機的噴嘴徑而調節。另外，凸起32的高度是藉由銀膠的塗佈量而調節。
使凸起32與接觸孔30對位，將基板12與阻氣膜20積層，以橡膠製輥壓接後，進行加熱硬化。
硬化後，以銀膠填充接觸孔30，形成引出配線26，確認兩點的引出配線26間的導通。
將接著劑層24的厚度L、接觸孔30的直徑X及凸起32的高度Y加以各種變更而進行該導通試驗。再者，如上文所述般，凸
起32為底面的直徑為50μm的大致圓錐狀。
將結果示於下述表中，將於兩點的引出配線26之間取得導通的情況示作『OK』，將未取得導通的情況示作『NG』。
如所述表1~表3所示，形成凸起32且根據接觸孔30的直徑X[μm]、凸起32的高度Y[μm]及壓接前的接著劑層24的厚度L[μm]滿足式(1)及式(2)的本發明，例如即便為直徑100μm或200μm的微細的接觸孔，亦可形成連接於電極的引出配線。
再者，如上文所述般，接觸孔30的直徑為5000μm以上的情況下，無論是否取得導通，電子元件均不必要地變大，且於電子部件14的電極14b上形成凸起32變得並無意義，並未達成本發明的目的，即，形成凸起32並與經接著劑層24填埋般的大小的接觸孔30相對應，形成連接於電子部件14的電極14b的引出配
線。
由以上結果而表明本發明的效果。
本發明可較佳地用於有機EL顯示器或有機TFT等電子元件。
12‧‧‧基板
14‧‧‧電子部件
14a‧‧‧電子部件本體
14b‧‧‧電極
20‧‧‧阻氣膜
24‧‧‧接著劑層
30‧‧‧接觸孔
32‧‧‧凸起
L‧‧‧厚度
X‧‧‧直徑
Y‧‧‧高度
Claims (10)
- 一種電子元件的製造方法，其特徵在於包括：於阻氣膜上形成接著劑層，進而形成貫穿所述阻氣膜及所述接著劑層的接觸孔的步驟；於形成有至少一個電子部件的基板的所述電子部件的電極上，形成具有導電性的凸起的步驟；以及將所述接觸孔與所述凸起對位，使所述接著劑層與形成有所述電子部件的面相向，將所述基板與所述阻氣膜積層並進行壓接的步驟，且，於將所述接觸孔的大小設為X[μm]、所述凸起的高度設為Y[μm]、所述接著劑的厚度設為L[μm]時，滿足下述式(1)及式(2)，
- 一種電子元件的製造方法，其特徵在於包括：於阻氣膜上形成接著劑層，進而形成貫穿所述阻氣膜及所述接著劑層的接觸孔的步驟；將形成有至少一個電子部件的基板的所述電子部件的電極與所述接觸孔對位，使所述接著劑層與形成有所述電子部件的面相 向，將所述基板與所述阻氣膜積層的步驟；於所述接觸孔內的所述電子部件的所述電極上，形成具有導電性的凸起的步驟；以及將所述基板與所述阻氣膜壓接的步驟，且，於將所述接觸孔的大小設為X[μm]、所述凸起的高度設為Y[μm]、所述接著劑的厚度設為L[μm]時，滿足下述式(1)及式(2)，
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電子元件的製造方法，其中所述凸起的最大部的大小較所述接觸孔的大小更小。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電子元件的製造方法，其中所述凸起的高度高於所述接著劑層的厚度。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電子元件的製造方法，其中所述凸起的大小朝向高度方向上方逐漸減小。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電子元件的製造方法，更包括以導電性材料填充所述接觸孔的步驟。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電子元件的製造方法，其中所述阻氣膜及所述基板具有可撓性。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電子元件的製造方法，其中使用長條的所述基板及所述阻氣膜，一面將所述基板及所述阻氣膜的至少一者於長度方向上搬送，一面進行所述接著劑層的形成、所述接觸孔的形成、所述凸起的形成、所述基板與阻氣膜的積層及所述基板與所述阻氣膜的壓接的至少一個步驟。
- 一種電子元件，其特徵在於具有：基板；形成於所述基板上的至少一個電子部件；將所述電子部件密封的阻氣膜；將所述阻氣膜接著於所述基板的接著劑層；貫穿所述阻氣膜及所述接著劑層且形成於與所述電子部件的電極相對應的位置的接觸孔；以及通過所述接觸孔而連接於所述電子部件的所述電極的引出配線，且所述接觸孔是由所述引出配線填埋，將貫穿所述接著劑層的接觸孔填埋的引出配線具有朝向上方逐漸變小、自最小部朝向上方逐漸變大的縮頸部，將貫穿所述阻氣膜的接觸孔填埋的引出配線為圓柱狀，將貫穿所述接著劑層的接觸孔填埋的引出配線與將貫穿所述阻氣膜的接觸孔填埋的引出配線是以連續的直徑連通。
- 如申請專利範圍第9項所述的電子元件，其中於所述 基板上形成有多個所述電子部件。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015009110 | 2015-01-21 | ||
| JP2015-009110 | 2015-01-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201639409A TW201639409A (zh) | 2016-11-01 |
| TWI681689B true TWI681689B (zh) | 2020-01-01 |
Family
ID=56417076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105101612A TWI681689B (zh) | 2015-01-21 | 2016-01-20 | 電子元件的製造方法及電子元件 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20170315222A1 (zh) |
| JP (1) | JP6469728B2 (zh) |
| TW (1) | TWI681689B (zh) |
| WO (1) | WO2016117534A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020039864A1 (ja) * | 2018-08-24 | 2020-02-27 | 富士フイルム株式会社 | 有機薄膜トランジスタ、および、有機薄膜トランジスタの製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003084684A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Sony Corp | ディスプレイ装置及びディスプレイ装置の製造方法、並びに電子機器 |
| JP2008033095A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置 |
| US20110068682A1 (en) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Satoshi Aiba | Method for bonding gas barrier film and electronic device, and electronic device and method for producing same |
| TW201248740A (en) * | 2011-03-30 | 2012-12-01 | Dainippon Printing Co Ltd | Laminate substrate for electron device, electron device, display apparatus for organic electroluminescence, electronic paper, and manufacturing method for laminate substrate for electron device |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6111227A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-18 | Fujikura Ltd | フレキシブルプリント配線板のカバ−レイの形成方法 |
| JPH04199773A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-20 | Sharp Corp | フレキシブルプリント配線板の製造方法 |
| KR100630880B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2006-10-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법 |
| JP2005234091A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| TWI427682B (zh) * | 2006-07-04 | 2014-02-21 | Semiconductor Energy Lab | 顯示裝置的製造方法 |
| KR20120047541A (ko) * | 2010-11-04 | 2012-05-14 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
| WO2016073049A1 (en) * | 2014-08-11 | 2016-05-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor structures for assembly in multi-layer semiconductor devices including at least one semiconductor structure |
-
2016
- 2016-01-19 WO PCT/JP2016/051380 patent/WO2016117534A1/ja active Application Filing
- 2016-01-19 JP JP2016570642A patent/JP6469728B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-01-20 TW TW105101612A patent/TWI681689B/zh not_active IP Right Cessation
-
2017
- 2017-07-13 US US15/648,682 patent/US20170315222A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003084684A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Sony Corp | ディスプレイ装置及びディスプレイ装置の製造方法、並びに電子機器 |
| JP2008033095A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置 |
| US20110068682A1 (en) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | Satoshi Aiba | Method for bonding gas barrier film and electronic device, and electronic device and method for producing same |
| TW201248740A (en) * | 2011-03-30 | 2012-12-01 | Dainippon Printing Co Ltd | Laminate substrate for electron device, electron device, display apparatus for organic electroluminescence, electronic paper, and manufacturing method for laminate substrate for electron device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201639409A (zh) | 2016-11-01 |
| JP6469728B2 (ja) | 2019-02-13 |
| US20170315222A1 (en) | 2017-11-02 |
| JPWO2016117534A1 (ja) | 2017-12-21 |
| WO2016117534A1 (ja) | 2016-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9722146B2 (en) | Phosphor film, method of manufacturing the same, coating method of phosphor layer, method of manufacturing LED package and LED package manufactured thereby | |
| US9984900B2 (en) | Semiconductor device including at least one element | |
| TWI655797B (zh) | Laminated sheet for electronic component packaging and method of manufacturing electronic device | |
| DE102008031533B4 (de) | Organisches elektronisches Bauelement | |
| DE102013106855B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement unter Verwendung einer flüssigen ersten Legierung | |
| US20110057332A1 (en) | Semiconductor chip with conductive adhesive layer and method of manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP2012142364A (ja) | 封止部材、封止方法、および、光半導体装置の製造方法 | |
| CN106816547B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| JP5800640B2 (ja) | 発光ダイオード装置の製造方法 | |
| US10923677B2 (en) | Film structure, display device and method for fabricating the film structure | |
| TWI681689B (zh) | 電子元件的製造方法及電子元件 | |
| JP2009049051A (ja) | 半導体基板の接合方法及びそれにより製造された積層体 | |
| WO2007099759A1 (ja) | 部品接合方法、部品積層方法および部品接合構造体 | |
| WO2010140383A1 (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| JP5720748B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP5423563B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| CN106784361A (zh) | 一种发光器件及其制作方法 | |
| CN105247667A (zh) | 密封片材粘贴方法 | |
| JP2006173441A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| TW201320281A (zh) | 記憶裝置、半導體裝置及半導體裝置之製造方法 | |
| CN104885567B (zh) | 有机电致发光面板及其制造方法和制造装置 | |
| JP5902291B2 (ja) | 封止シートおよびその製造方法 | |
| TW201606036A (zh) | 異向性導電膜及其製造方法 | |
| JP2022113250A (ja) | 半導体装置 | |
| TWM410982U (en) | Semiconductor package structure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |