JP5902291B2 - 封止シートおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、封止シートおよびその製造方法、詳しくは、封止シートの製造方法およびそれによって製造される封止シートに関する。
従来、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの光半導体素子を、封止シートで封止することが知られている。
例えば、長尺状の剥離シートに、長尺方向に連続するように、蛍光体やシリカなどの粒子を含有する封止樹脂層を積層した封止シートによって、長尺方向に間隔を隔てて配置される複数のＬＥＤに封止樹脂層を対向配置して、ＬＥＤを封止する方法が提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。
しかるに、各光半導体素子の比較的近傍に位置する封止樹脂層（すなわち、封止領域）は、光半導体素子の上面および側面を被覆するなどして、光半導体素子の封止に寄与する。一方、各光半導体素子に対して比較的遠隔に位置する封止樹脂層、具体的には、隣接する光半導体素子間の中央（長尺方向途中）に位置する封止樹脂層（すなわち、非封止領域）は、光半導体素子の封止に実質的に寄与しない。そのため、非封止領域の封止樹脂層は、光半導体素子の封止において不要な領域となり、その分、上記した粒子を含有する封止樹脂層の歩留まりが低下する。その結果、封止シートの製造コストが増大するという不具合がある。
他方、上記した非封止領域を、封止樹脂層を一旦形成した後に除去することも試案されるが、封止樹脂層は、上記した粒子の他に、樹脂や添加物を含有するので、除去した非封止領域から、粒子のみを回収して再利用することは困難である。そのため、やはり、非封止領域の形成に起因する封止樹脂層の歩留まりの低下およびそれに起因する封止シートの製造コストの増大を防止することができないという不具合がある。
本発明の目的は、封止層の歩留まりを向上させて、封止シートの製造コストを低減することのできる、封止シートの製造方法およびそれによって製造される封止シートを提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の封止シートの製造方法は、第１方向に互いに間隔を隔てて配置される複数の封止部材を備える封止シートの製造方法であって、前記第１方向に連続するように、粒子を含有する封止層を形成する封止層形成工程、前記封止層形成工程の後に、前記封止層が前記第１方向において複数分割されるように前記封止層を切断して、複数の前記封止部材を形成する切断工程、および、前記切断工程の後に、複数の前記封止部材を、前記第１方向に互いに間隔を隔てるように配置する配置工程を備えることを特徴としている。
この封止シートの製造方法では、封止層が第１方向において複数分割されるように封止層を切断して、複数の封止部材を形成し、その後、複数の封止部材を、第１方向に互いに間隔を隔てるように配置する。そのため、切断後の複数の封止部材を、簡便な方法によって、第１方向に互いに間隔を隔てるように配置するので、第１方向に連続するように形成される封止層を、有効に利用することができる。そのため、封止層の歩留まりを向上させて、封止シートの製造コストを低減することができる。
また、本発明の封止シートの製造方法では、前記封止層形成工程では、前記封止層を、前記第１方向に連続する第１基材シートの表面に形成することによって、前記封止層および前記第１基材シートを備える積層シートを形成し、前記切断工程では、前記積層シートが前記第１方向において複数分割されるように、前記積層シートを切断することによって、前記封止層および前記第１基材シートから前記封止部材を形成することが好適である。
この封止シートの製造方法によれば、封止層形成工程では、封止層および第１基材シートを備える積層シートを形成するので、封止層を第１基材シートによって支持することができ、続いて、切断工程において、積層シートを切断するので、封止層の取扱性を向上させて、切断工程における封止層の切断の精度を向上させることができる。
また、本発明の封止シートの製造方法では、前記配置工程では、複数の前記封止部材を、前記第１方向に連続して形成される第２基材シートの表面に、前記第１方向に互いに間隔を隔てるように配置することが好適である。
この封止シートの製造方法では、複数の封止部材を第２基材シートの表面に配置するので、複数の封止部材の配置の精度を向上させることができる。そのため、複数の封止部材によって複数の光半導体素子を精度よく封止することができる。
また、本発明の封止シートの製造方法では、粒子が、蛍光体を含有することが好適である。
この封止シートの製造方法では、蛍光体を含有する粒子の歩留まりを向上させることができる。
本発明の封止シートの製造方法は、第１方向に互いに間隔を隔て、かつ、前記第１方向に対する交差する第２方向に沿い、粒子を含有する封止層を形成する封止層形成工程、および、前記封止層が前記第２方向において複数分割されるように前記封止層を切断する切断工程を備えることを特徴としている。
この封止シートの製造方法では、第１方向に互いに間隔を隔て、かつ、第１方向に対する交差する第２方向に沿い、粒子を含有する封止層を形成するので、その後、封止層を、第１方向に互いに間隔を隔てて配置される封止対象に対して封止すれば、封止層を有効に利用することができる。そのため、封止層の歩留まりを向上させて、封止シートの製造コストを低減することができる。
本発明の封止シートの製造方法において、前記封止層形成工程では、封止組成物を前記第２方向に沿って塗布することによって、前記封止層を形成することが好適である。
この封止シートの製造方法では、封止層形成工程では、封止組成物を第２方向に沿って塗布することによって、封止層を形成するので、第２方向に沿う封止層を効率よく形成することができる。
さらに、この方法では、封止組成物を第２方向に沿って塗布する封止層形成工程の後に、封止層が第２方向において複数分割されるように封止層を切断する切断工程を実施するので、第２方向における封止層の歩留まりを向上させて、封止シートの製造コストを低減することができる。
本発明の封止シートの製造方法は、封止対象に対応する封止領域を仕切るように、前記封止層を切断する工程、および、前記封止領域の外側の前記封止層を除去する工程をさらに備えることが好適である。
この封止シートの製造方法では、封止対象に対応する封止領域を仕切るように、封止層を切断し、封止領域の外側の封止層を除去するので、封止層をより一層有効に利用することができる。
本発明の封止シートの製造方法では、粒子が、蛍光体を含有することが好適である。
この封止シートの製造方法では、粒子が、蛍光体を含有するので、蛍光体を含有する粒子の歩留まりを向上させることができる。
本発明の封止シートは、粒子を含有しない蛍光体不含封止層を前記第１方向に連続して形成する工程をさらに備え、前記封止層形成工程では、前記封止層を、前記蛍光体不含封止層に対して積層し、前記切断工程では、前記蛍光体不含封止層を前記封止層とともに、前記蛍光体不含封止層が前記第２方向において複数分割されるように、切断することが好適である。
蛍光体不含封止層は、蛍光体を含有しないので、蛍光体不含封止層を第１方向に連続して形成しても、蛍光体不含封止層を低コストで製造することができる。そのため、かかる蛍光体不含封止層を形成し、その蛍光体不含封止層に対して封止層を積層すれば、種々の物性を有する封止シートを構成することができる。
また、本発明の封止シートは、第１方向に連続するように形成される第２基材シートと、前記第２基材シートの表面に、前記第１方向に互いに間隔を隔てて配置される複数の封止部材とを備え、複数の前記封止部材は、前記第２基材シートの表面に積層される第１基材シートと、前記第１基材シートの表面に積層され、粒子を含有する封止層とを備えることを特徴としている。
この封止シートでは、封止層を、第１方向に連続するように形成される第２基材シートによって、第１方向に互いに間隔を隔てて配置される第１基材シートを介して、支持することができる。そのため、製造コストを低減しながら、第１基材シートおよび第２基材シートによって、封止層を柔軟に支持することができる。
本発明の封止シートは、第１方向に連続する基材シートと、前記第１方向に互いに間隔を隔てて配置される複数の封止部材とを備え、複数の前記封止部材は、前記基材シートの表面に積層される蛍光体不含封止層と、前記蛍光体不含封止層の表面に積層される粒子を含有する封止層とを備えることを特徴としている。
この封止シートでは、蛍光体不含封止層と封止層とによって、種々の物性を有することができる。
本発明の封止シートの製造方法では、封止層の歩留まりを向上させて、封止シートの製造コストを低減することができる。
本発明の封止シートは、製造コストを低減しながら、第１基材シートおよび第２基材シートによって、封止層を柔軟に支持することができる。また、種々の物性を有する封止部材を構成することができる。
＜第１実施形態＞
図１Ａの矢印で示す前後方向（あるいは縦方向）は、第１方向の一例であり、図１Ａの矢印で示す左右方向（あるいは横方向）は、第１方向に直交する第２方向の一例であり、図１Ａの矢印で示す上下方向は、第１方向および第２方向に直交する第３方向の一例（あるいは厚み方向）である。図１Ａ以外の図面については、特記しない限り、図１Ａの方向を基準とする。
図１Ａの矢印で示す前後方向（あるいは縦方向）は、第１方向の一例であり、図１Ａの矢印で示す左右方向（あるいは横方向）は、第１方向に直交する第２方向の一例であり、図１Ａの矢印で示す上下方向は、第１方向および第２方向に直交する第３方向の一例（あるいは厚み方向）である。図１Ａ以外の図面については、特記しない限り、図１Ａの方向を基準とする。
図１〜図８に示すように、本発明の第１実施形態である封止シート１の製造方法は、封止層形成工程（図１参照）、切断工程としての第１切断工程（図２参照）、配置工程（図３および図４参照）、第２切断工程（図５参照）、除去工程（図６参照）、第３切断工程（図７参照）、および、回収工程（図８参照）を備える。
［封止層形成工程］
封止層形成工程では、図１Ａおよび図１Ｂが参照されるように、まず、積層基材シート２を用意する。
封止層形成工程では、図１Ａおよび図１Ｂが参照されるように、まず、積層基材シート２を用意する。
積層基材シート２は、前後方向（縦方向）および左右方向（横方向）に延びる略矩形の平板形状に形成されている。積層基材シート２は、第１基材シート３と、第１基材シート３の下面に積層される接着剤層４と、接着剤層４の下面に積層される離型シート５とを備える。
第１基材シート３は、積層基材シート２の平面視における外形形状をなし、具体的には、前後方向および左右方向に連続する略矩形の平板形状に形成されている。第１基材シート３は、次に説明する封止層６を支持できる材料から形成されており、そのような材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートのポリエステル、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィンなどの樹脂材料などが挙げられる。また、材料として、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔なども挙げられる。第１基材シート３の厚みは、例えば、０．０３ｍｍ以上、好ましくは、０．０５ｍｍ以上であり、また、例えば、２ｍｍ以下、好ましくは、１ｍｍ以下である。また、第１基材シート３の寸法は、次に説明する封止層６の寸法によって適宜調節され、具体的には、１辺の長さが、例えば、１０ｍｍ以上、好ましくは、２０ｍｍ以上であり、また、例えば、３００ｍｍ以下、好ましくは、２５０ｍｍ以下である。
接着剤層４は、第１基材シート３の下面全面に設けられている。接着剤層４は、例えば、アクリル系感圧接着剤、ウレタン系感圧接着性などの接着剤などから形成されている。接着剤層４の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上であり、また、１ｍｍ以下、好ましくは、０．５ｍｍ以下である。
離型シート５は、接着剤層４の下面が汚染されることを防止するために、接着剤層４の下面全面に設けられている。離型シート５としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。好ましくは、ポリマーフィルムが挙げられる。また、離型シート５の表面には、フッ素処理などの剥離処理を施すこともできる。離型シート５の厚みは、例えば、０．３ｍｍ以上、好ましくは、０．５ｍｍ以上であり、また、例えば、２ｍｍ以下、好ましくは、１ｍｍ以下である。
積層基材シート２を作製するには、例えば、まず、第１基材シート３を用意し、続いて、接着剤層４を第１基材シート３の下面に積層し、その後、離型シート５を接着剤層４の下面に積層する。なお、積層基材シート２は、市販のものを用いることもできる。
積層基材シート２の厚みは、例えば、０．６ｍｍ以上、好ましくは、１ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、３ｍｍ以下である。
積層基材シート２を用意した後、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、封止層６を積層基材シート２の上面に設ける。
封止層６を積層基材シート２の上面に設けるには、例えば、まず、封止組成物を用意する。
封止組成物は、粒子を必須成分として含有し、具体的には、粒子および樹脂を含有する。
粒子としては、例えば、蛍光体、充填剤などが挙げられる。
蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。蛍光体は、単独使用または併用することができる。蛍光体の配合割合は、樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、８０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下である。
充填剤としては、例えば、シリコーン粒子などの有機微粒子、例えば、シリカ、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの無機微粒子が挙げられる。また、充填剤の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。充填剤は、単独使用または併用することができる。充填剤の配合割合は、樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、また、例えば、７０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下である。
粒子の配合割合は、樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、また、例えば、８０質量部以下、好ましくは、６０質量部以下である。
樹脂としては、例えば、加熱により可塑化する熱可塑性樹脂、例えば、加熱により硬化する熱硬化性樹脂、例えば、活性エネルギー線（例えば、紫外線、電子線など）の照射により硬化する活性エネルギー線硬化性樹脂などが挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、塩化ビニル樹脂、ＥＶＡ・塩化ビニル樹脂共重合体などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。樹脂としては、好ましくは、熱硬化性樹脂および活性エネルギー線硬化性樹脂などの硬化性樹脂が挙げられる。
硬化性樹脂として、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。また、硬化性樹脂としては、例えば、２段階硬化性樹脂、１段階硬化性樹脂などが挙げられ、好ましくは、２段階硬化性樹脂が挙げられる。
２段階硬化性樹脂は、２段階の反応機構を有しており、１段階目の反応でＢステージ化（半硬化）し、２段階目の反応でＣステージ化（最終硬化）する。一方、１段階硬化性樹脂は、１段階の反応機構を有しており、１段階目の反応で完全硬化する。また、Ｂステージは、硬化性樹脂が、液状であるＡステージと、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージの弾性率よりも小さい状態である。
封止組成物を調製するには、粒子および樹脂を配合する。なお、樹脂が硬化性樹脂である場合には、配合時の樹脂は、Ａステージである。
続いて、この方法では、調製した封止組成物を、積層基材シート２の上に塗布する。具体的には、封止組成物を、第１基材シート３の上面に、例えば、キャスティング、スピンコーティング、ロールコーティングなどの方法により適当な厚さで、上記したパターンで塗布して、皮膜７を形成する。具体的には、皮膜７を、平面視において、第１基材シート３より小さいパターンに形成し、詳しくは、第１基材シート３の上面の周端部を露出する略矩形状のパターンに皮膜７を形成する。換言すれば、皮膜７は、少なくとも前後方向に連続するパターンに形成される。
その後、必要により、樹脂が硬化性樹脂である場合には、皮膜７を、加熱および／または活性エネルギー線照射する。より具体的には、樹脂が２段階硬化性樹脂を含有する場合には、加熱および／または活性エネルギー線照射によって、封止層６をＢステージ化（半硬化）させる。
これにより、シート状の封止層６を第１基材シート３の上面に上記したパターンに形成する。
あるいは、封止組成物を、図示しない離型シートに塗布して皮膜７を形成し、その後、皮膜７に、必要により、加熱および／または活性エネルギー線照射して、封止層６を形成した後、封止層６を、第１基材シート３の上面に転写することもできる。
封止層６の寸法は、その用途および目的によって適宜調節され、具体的には、１辺の長さが、例えば、５ｍｍ以上、好ましくは、１０ｍｍ以上であり、また、例えば、３００ｍｍ以下、好ましくは、２５０ｍｍ以下である。
これによって、積層基材シート２および封止層６を備える第１積層シート８を形成する。
［第１切断工程］
この方法では、図２に示す第１切断工程を、図１に示す封止層形成工程の後に実施する。第１切断工程では、第１積層シート８が前後方向（第１方向の一例）において複数（具体的には、５つに）分割されるように、第１積層シート８を切断する。
この方法では、図２に示す第１切断工程を、図１に示す封止層形成工程の後に実施する。第１切断工程では、第１積層シート８が前後方向（第１方向の一例）において複数（具体的には、５つに）分割されるように、第１積層シート８を切断する。
例えば、第１積層シート８が、封止層６の外側の外側部分１３と、封止層６を含み、外側部分１３に囲まれる内側部分１２とに仕切られ、かつ、内側部分１２における封止層６が前後方向において複数（具体的には、５つに）分割されるように、第１積層シート８を切断する。第１積層シート８の切断によって、複数の左右方向に沿う第１横切断ライン９と、複数の切断ライン９の左右方向両端部のそれぞれに連続する第１縦切断ライン１０とからなる第１切断ライン１７が形成される。
複数の第１横切断ライン９は、前後方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。複数の第１横切断ライン９のうち、最前側に位置する第１横切断ライン９Ａは、平面視において、封止層６の前端縁と重なるように、形成されている。また、複数の第１横切断ライン９のうち、最後側に位置する第１横切断ライン９Ｂは、平面視において、封止層６の後端縁と重なるように、形成されている。
第１縦切断ライン１０は、前後方向に沿うように形成されており、左右方向に互いに間隔を隔てて対向するように１対形成されている。第１縦切断ライン１０は、封止層６の左右方向両外側に間隔を隔てて形成されている。
第１切断ライン１７において外側に位置する切断ライン、具体的には、最前側および最後側に位置する第１横切断ライン９Ａおよび９Ｂと、１対の第１縦切断ライン１０とにより、平面視略矩形状を形成し、第１積層シート８を外側部分１３と内側部分１２とに仕切っている。
第１積層シート８を切断するには、例えば、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）を用いるダイシング装置、カッターを用いるカッティング装置、レーザー照射装置、トムソン刃を用いるトムソン刃切断機などが用いられる。
切断工程によって、封止層６、および、封止層６に対応する積層基材シート２（具体的には、複数の封止層６のそれぞれが積層される複数の積層基材シート２）を備える封止部材１１が複数形成される。詳しくは、封止部材１１は、内側部分１２が前後方向において複数分割されることによって、前後方向に並んで複数形成されている。複数の封止部材１１のそれぞれは、左右方向に延びる平面視略矩形の短冊状に形成されている。
封止部材１１において、その左右方向両端部は、第１基材シート３、接着剤層４および離型シート５からなり、また、第１基材シート３の左右方向両端部は、封止層６から露出している。つまり、封止部材１１において、封止層６は、第１基材シート３の左右方向途中に形成されている。
各封止部材１１の前後方向長さは、例えば、５ｍｍ以上、好ましくは、８ｍｍ以上であり、また、例えば、１００ｍｍ以下、好ましくは、５０ｍｍ以下である。
［配置工程］
次いで、この方法では、図３および図４に示す配置工程を、図２に示す第１切断工程の後に実施する。配置工程は、図３に示す剥離工程、および、図４に示す載置工程を備える。
次いで、この方法では、図３および図４に示す配置工程を、図２に示す第１切断工程の後に実施する。配置工程は、図３に示す剥離工程、および、図４に示す載置工程を備える。
〔剥離工程〕
剥離工程では、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、まず、各封止部材１１を外側部分１３から順次引き上げる。具体的には、例えば、各封止部材１１を手で剥離することによって、各封止部材１１を引き上げる。
剥離工程では、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、まず、各封止部材１１を外側部分１３から順次引き上げる。具体的には、例えば、各封止部材１１を手で剥離することによって、各封止部材１１を引き上げる。
〔載置工程〕
図３Ａおよび図３Ｂに示す剥離工程に続いて、載置工程では、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、複数の封止部材１１を第２基材シート１４の上に配置する。
図３Ａおよび図３Ｂに示す剥離工程に続いて、載置工程では、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、複数の封止部材１１を第２基材シート１４の上に配置する。
具体的には、複数の封止部材１１を、前後方向に互いに間隔を隔てるように、第２基材シート１４の上面に配置する。詳しくは、まず、図３Ａおよび図３Ｂの仮想線で示すように、封止部材１１の離型シート５を接着剤層４から剥離し、続いて、図４Ａおよび図４Ｂに示す接着剤層４を第２基材シート１４の上面に載置して、第１基材シート３と第２基材シート１４とを接着剤層４を介して接着する。
第２基材シート１４は、前後方向および左右方向に延びる略矩形の平板形状に形成されている。第２基材シート１４は、第１基材シート３と同様の材料から形成されている。また、第２基材シート１４は、封止層６（図１Ａ参照）より大きく形成されており、具体的には、第２基材シート１４は、少なくとも、その前後方向長さが、切断前の封止層６（図１Ａ参照）の前後方向長さより長く形成されている。また、第２基材シート１４の左右方向長さは、封止部材１１の左右方向長さよりが長く形成されている。第２基材シート１４の寸法は、その用途および目的によって適宜調節され、具体的には、前後方向長さが、例えば、２０ｍｍ以上、好ましくは、４０ｍｍ以上であり、また、例えば、３００ｍｍ以下、好ましくは、２００ｍｍ以下である。また、左右方向長さが、例えば、２０ｍｍ以上、好ましくは、５０ｍｍ以上であり、また、例えば、３００ｍｍ以下、好ましくは、２００ｍｍ以下である。
また、配置される封止部材１１の前後方向の間隔Ｌ１は、次に説明する光半導体素子１５のピッチなどによって適宜設定され、具体的には、例えば、１ｍｍ以上、好ましくは、３ｍｍ以上であり、また、例えば、２０ｍｍ以下、好ましくは、１０ｍｍ以下である。また、封止部材１１間のピッチＬ２、すなわち、上記した間隔Ｌ１および封止部材１１の前後方向長さの総長さＬ２が、例えば、５ｍｍ以上、好ましくは、１０ｍｍ以上であり、また、例えば、１００ｍｍ以下、好ましくは、５０ｍｍ以下である。
これによって、複数の封止部材１１と、第２基材シート１４とを備える第２積層シート２８が構成される。
［第２切断工程］
この方法では、図５に示す第２切断工程を、図４に示す配置工程の後に、実施する。第２切断工程では、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、後述する光半導体素子１５（図９Ａ参照）に対応する封止領域１６を仕切るように、封止層６を切断する。
この方法では、図５に示す第２切断工程を、図４に示す配置工程の後に、実施する。第２切断工程では、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、後述する光半導体素子１５（図９Ａ参照）に対応する封止領域１６を仕切るように、封止層６を切断する。
具体的には、各封止領域１６が平面視略円形状をなすように、封止層６を切断する。
封止層６を切断するには、例えば、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）を用いるダイシング装置、カッターを用いるカッティング装置、レーザー照射装置、トムソン刃を用いるトムソン刃切断機などが用いられる。
なお、図５Ｂに示すように、積層基材シート２が厚み方向にわたって切断されないように、具体的には、第１基材シート３が厚み方向にわたって切断されないように、封止層６を切断する。詳しくは、第２切断工程において厚み方向に形成される切断線が、第１基材シート３に全く形成されない一方、封止層６に形成される。
［除去工程］
この方法では、図６に示す除去工程を、図５に示す第２切断工程の後に、実施する。除去工程では、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、封止領域１６の外側の封止層６を除去する。
この方法では、図６に示す除去工程を、図５に示す第２切断工程の後に、実施する。除去工程では、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、封止領域１６の外側の封止層６を除去する。
封止領域１６の外側の封止層６を除去するには、例えば、封止領域１６の外側の封止層６を、第１基材シート３から剥離する。封止領域１６の外側の封止層６を剥離するには、公知の剥離装置が用いられる。具体的には、吸着装置などが用いられる。
これによって、円形状の封止層６は、光半導体素子１５の封止に実質的に寄与する封止領域１６を構成する。
封止領域１６の直径は、例えば、例えば、５ｍｍ以上、好ましくは、８ｍｍ以上であり、また、例えば、５０ｍｍ以下、好ましくは、３０ｍｍ以下である。
［第３切断工程］
この方法では、図７に示す第３切断工程を、図６Ａおよび図６Ｂに示す除去工程の後に、実施する。第３切断工程では、図７Ａ〜図７Ｃに示すように、封止部材１１を、封止部材１１が左右方向において複数（具体的には、５つに）分割されるように、第２積層シート２８を切断する。また、封止部材１１の分割と同時に、第２基材シート１４の前後方向両端部に、貫通孔２４を形成する。
この方法では、図７に示す第３切断工程を、図６Ａおよび図６Ｂに示す除去工程の後に、実施する。第３切断工程では、図７Ａ〜図７Ｃに示すように、封止部材１１を、封止部材１１が左右方向において複数（具体的には、５つに）分割されるように、第２積層シート２８を切断する。また、封止部材１１の分割と同時に、第２基材シート１４の前後方向両端部に、貫通孔２４を形成する。
第２積層シート２８の切断によって、複数の前後方向に沿う第２縦切断ライン１９と、複数の第２縦切断ライン１９の前後方向両端部のそれぞれに連続する第２横切断ライン２０とからなる第２切断ライン１８が形成される。
複数の第２縦切断ライン１９は、左右方向に互いに間隔を隔てて並列して形成されている。第２縦切断ライン１９は、第１基材シート３、接着剤層４および第２基材シート１４を左右方向に分断するように、かつ、複数の封止層６を個片化するように、形成される。第２横切断ライン１９によって、封止層６は、前後方向に複数列（具体的には、４列）に配列される。なお、左右方向両外側の第２縦切断ライン１９Ｃは、封止層６に対応する第１基材シート３、接着剤層４および第２基材シート１４（すなわち、左右方向内側部分）と、封止層６に対応しない第１基材シート３および接着剤層４（すなわち、左右方向外側部分）とを仕切るように、形成されている。
第２横切断ライン２０は、左右方向に沿うように形成されており、前後方向に互いに間隔を隔てて１対形成されている。１対の第２横切断ライン２０は、最前側の封止部材１１より前側、および、最後側の封止部材１１より後側に、間隔を隔てて形成されている。
なお、第２切断ライン１８において外側に位置する切断ライン、具体的には、左右方向両外側の１対の第２縦切断ライン１９Ｃと、１対の第２縦切断ライン２０とにより、平面視略矩形状を形成し、かつ、複数の封止層６を含むように、形成されている。
貫通孔２４は、第１基材シート３および接着剤層４の前後方向両外側の第２基材シート１４を厚み方向を貫通することによって形成される。貫通孔２４は、第２縦切断ライン２０によって複数列に仕切られる第２基材シート１４の各１列に対して、１対設けられており、各貫通孔２４は、平面視略円形状に形成されている。
［回収工程］
この方法では、図８に示す回収工程を、図７に示す第３切断工程の後に、実施する。回収工程では、図８Ａ〜図８Ｄに示すように、第２切断ライン１８により仕切られた、封止部材１１を含む第２積層シート２８（図７参照）を、回収する。
この方法では、図８に示す回収工程を、図７に示す第３切断工程の後に、実施する。回収工程では、図８Ａ〜図８Ｄに示すように、第２切断ライン１８により仕切られた、封止部材１１を含む第２積層シート２８（図７参照）を、回収する。
この回収によって、前後方向に連続するように形成される第２基材シート１４と、第２基材シート１４の上面（表面）に、前後方向に互いに間隔を隔てて配置される複数の封止部材１１とを備える封止シート１を得る。また、封止シート１において、複数の封止部材１１は、第２基材シート１４の上面に、前後方向に間隔を隔てて積層される複数の接着剤層４と、複数の接着剤層４のそれぞれに上面にそれぞれ接着される複数の第１基材シート３と、複数の第１基材シート３のそれぞれの上面にそれぞれ積層される複数の封止層６とを備える。また、複数の封止層６のそれぞれは、封止領域１６を区画している。
その後、封止シート１の貫通孔２４に、搬送容器に設けられたピンなどの固定部材（図示せず）を挿入することによって、封止シート１が搬送容器に固定されながら、例えば、光半導体装置製造工場などに搬送される。
次に、図９Ａ〜図９Ｃを参照して、封止シート１によって、光半導体素子１５を封止する方法を説明する。
この方法では、図９Ａに示すように、まず、封止対象としての光半導体素子１５が実装された基板２１を用意する。
基板２１は、少なくとも前後方向に延びる略矩形の平板状に形成されている。基板２１は、例えば、シリコン基板、セラミック基板、ポリイミド樹脂基板、金属基板に絶縁層が積層された積層基板などの絶縁基板からなる。
また、基板２１の上面には、光半導体素子１５の端子（図示せず）と電気的に接続するための電極（図示せず）と、それに連続する配線とを備える導体パターン（図示せず）が形成されている。導体パターンは、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から形成されている。
基板２１の平面視における寸法は適宜選択され、具体的には、前後方向の長さが、例えば、５ｍｍ以上、好ましくは、１０ｍｍ以上であり、また、例えば、２００ｍｍ以下、好ましくは、１５０ｍｍ以下である。基板２１の厚みは、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、５００μｍ以上であり、また、例えば、５０００μｍ以下、好ましくは、３０００μｍ以下である。
光半導体素子１５は、電気エネルギーを光エネルギーに変換する光半導体素子であり、例えば、厚みが面方向長さ（厚み方向に対する直交方向長さ、具体的には、前後方向長さおよび左右方向長さ）より短い断面視略矩形状に形成されている。また、光半導体素子１５は、平面視略矩形状に形成されている。
光半導体素子１５としては、例えば、青色光を発光する青色ＬＥＤなどのＬＥＤ（発光ダイオード素子）や、ＬＤ（レーザーダイオード）などが挙げられる。光半導体素子１５の寸法は、用途および目的に応じて適宜設定され、具体的には、厚みが、例えば、１０〜１０００μｍ、平面視における前後方向の長さおよび／または左右方向の長さが、例えば、０．０１ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１５ｍｍ以下、好ましくは、２０ｍｍ以下である。
光半導体素子１５は、前後方向に間隔を隔てて整列配置されている。各光半導体素子１５間の間隔（前後方向の間隔）Ｌ３は、例えば、３ｍｍ以上、好ましくは、５ｍｍ以上であり、また、例えば、１５０ｍｍ以下、好ましくは、７０ｍｍ以下である。また、光半導体素子１５間のピッチＬ４、すなわち、上記した間隔Ｌ３および光半導体素子１５の長さの総長さＬ４は、上記した封止部材１１間のピッチＬ２と同一であって、具体的には、例えば、５ｍｍ以上、好ましくは、１０ｍｍ以上であり、また、例えば、１００ｍｍ以下、好ましくは、５０ｍｍ以下である。
光半導体素子１５は、基板２１に対して、例えば、フリップチップ実装されている。あるいは、光半導体素子１５は、基板２１の電極（図示せず）とワイヤボンディング接続されている。
続いて、この方法では、封止シート１を、各封止層６が、厚み方向において光半導体素子１５と対向するように、配置する。
この方法では、次いで、図９Ｂに示すように、封止シート１によって、光半導体素子１５を封止する。具体的には、封止シート１を、基板２１に対して相対的に押し下げる。これによって、複数の封止層６のそれぞれが複数の光半導体素子１５のそれぞれを被覆して封止する。つまり、複数の封止層６のそれぞれが複数の光半導体素子１５のそれぞれを埋設する。その後、封止層６が硬化性樹脂を含有する場合には、封止層６をＣステージ化（完全硬化）させる。
その後、この方法では、図９Ｃに示すように、第２基材シート１４、接着剤層４および第１基材シート３を、封止層６から引き剥がす。
これによって、基板２１、複数の光半導体素子１５および複数の封止層６を備える光半導体装置２２を得る。
光半導体装置２２において、複数の封止層６は、前後方向に間隔を隔てて設けられており、封止領域１６をなす。複数の封止層６のそれぞれは、複数の光半導体素子１５のそれぞれを封止している。具体的には、封止領域１６は、光半導体素子１５の上面および側面を被覆している。
その後、必要によって、図９Ｃの破線で示すように、各光半導体素子１５に対応する基板２１を切断して個片化する。これによって、基板２１、単数の光半導体素子１５および単数の封止層６を備える光半導体装置２２を得る。
そして、この封止シート１の製造方法では、封止層６が前後方向において複数分割されるように封止層６を切断して、複数の封止部材１１を形成し、その後、複数の封止部材１１を、前後方向に互いに間隔を隔てるように配置する（図４Ａ参照）。そのため、切断後の複数の封止部材１１を、簡便な方法によって、前後方向に互いに間隔を隔てるように配置するので、前後方向に連続するように形成される封止層６（図１Ａ参照）を、有効に利用することができる。そのため、封止層６の歩留まりを向上させて、封止シートの製造コストを低減することができる。
また、この方法によれば、図１に示す封止層形成工程では、封止層６および第１基材シート３を備える第１積層シート８を形成するので、封止層６を第１基材シート３によって支持することができ、続いて、図２に示す第１切断工程において、第１積層シート８を切断するので、封止層６の取扱性を向上させて、第１切断工程における封止層６の切断の精度を向上させることができる。
この封止シート１の製造方法では、図４に示すように、複数の封止部材１１を第２基材シート１４の上面に配置するので、複数の封止部材１１の配置の精度を向上させることができる。そのため、複数の封止部材１１によって、複数の光半導体素子１５を精度よく封止することができる。
この封止シート１の製造方法では、蛍光体を含有する粒子の歩留まりを向上させることができる。
この封止シート１では、封止層６を、前後方向に連続するように形成される第２基材シート１４によって、前後方向に互いに間隔を隔てて配置される第１基材シート３を介して、支持することができる。そのため、封止シート１の製造コストを低減しながら、第１基材シート３および第２基材シート１４によって、封止層６を柔軟に支持することができる。
＜第１実施形態の変形例＞
図１０および図１１に示すように、封止シート１に位置決めマーク２３を設けることもできる。
図１０および図１１に示すように、封止シート１に位置決めマーク２３を設けることもできる。
位置決めマーク２３は、図７に示される第３切断工程において、第２切断ライン１８の形成と同時に、形成される。
位置決めマーク２３は、図１０および図１１に示すように、封止層６の外側に形成される。また、位置決めマーク２３は、各封止層６に対して、１対設けられている。１対の位置決めマーク２３は、各封止層６を挟むように設けられており、一方の位置決めマーク２３は、封止層６に対して、後側かつ右側に設けられ、また、他方の位置決めマーク２３は、封止層６に対して、前側かつ左側に設けられている。
各位置決めマーク２３は、封止シート１を厚み方向に貫通する平面視略円形状の貫通孔として形成されている。
図１０に示す変形例では、位置決めマーク２３は、第１基材シート３および接着剤層４の外側、具体的には、前後方向両外側に形成されており、第２基材シート１４を貫通するように形成されている。なお、複数の封止層６の間に設けられる位置決めマーク２３は、左右方向に対向して形成されている。
一方、図１１に示す変形例では、位置決めマーク２３は、封止層６の外側であって、第１基材シート３の周縁の内側において、第１基材シート３、接着剤層４および第２基材シート１４を貫通するように形成されている。詳しくは、１対の位置決めマーク２３は、略矩形状の第１基材シート３の対角線上に形成されている。
なお、図１０および図１１において、最前側に設けられる位置決めマーク２３は、前側の貫通孔２４の左方斜め後側に間隔を隔てて形成される。一方、最後側に設けられる位置決めマーク２３は、後側の貫通孔２４の右方斜め前側に間隔を隔てて形成される。
図８Ｃに示すように、各封止層６の封止領域１６を略円形状に形成しているが、その形状は、特に限定されず、例えば、図１２に示すように、前後方向に長い略楕円形状、例えば、図１３に示すように、略６角形状、例えば、図１４に示すように、略矩形状に形成することもできる。
また、図５に示す第２切断工程を、図２に示す第１切断工程の後または第１切断工程と同時に実施することもできる。
好ましくは、後述する光半導体素子１５に対する封止層６の位置決め精度の観点から、図４に示す配置工程の後に、図５に示す第２切断工程を実施する。
また、図５に示す第１切断工程を実施することなく、例えば、ドライエッチングなどのエッチングによって、図４に示す載置工程の後に、図６の除去工程を実施して、封止層６の封止領域１６を形成することもできる。
さらに、図１Ａに示すように、積層基材シート２に接着剤層４を設けているが、接着剤層４を設けることなく、積層基材シート２を第１基材シート３および離型シート５から構成することもできる。その場合には、好ましくは、第１基材シート３は、好ましくは、接着性を有しており、その下面に、離型シート５が積層されている。
さらにまた、図１で示す封止層形成工程では、封止層６を積層基材シート２の上に形成して、続いて、図２で示す第１切断工程において、封止層６を積層基材シート２とともに切断しているが、例えば、図示しないが、積層基材シート２を切断せず、封止層６のみを切断し、続いて、載置工程において、図４が参照されるように、接着剤層４のみを第２基材シート１４に載置することもできる。さらに、封止層６を積層基材シート２の上に形成することなく、単独でシート状に形成することもでき、かかる封止層６を切断して、その後、切断した封止層６を第２基材シート１４に載置することもできる。
また、第１切断工程において、積層基材シート２を切断せず、封止層６のみを切断する場合において、載置工程において、切断した封止層６のみを、積層基材シート２から一旦剥離し、再度、積層基材シート２の上面に、前後方向において間隔を隔てるように載置（再配置）することもできる。
第１実施形態では、図１Ａおよび図１Ｂの封止層形成工程において、接着剤層４を第１基材シート３および離型シート５の間に設け、また、図８Ａおよび図８Ｂの回収工程で回収される封止部材１１において、接着剤層４を、第２基材シート１４と第１基材シート３との間に設けている。しかしながら、図１Ａおよび図１Ｂでは図示しないが、封止層形成工程において、接着剤層４を設けず、第１基材シート３および離型シート５から積層基材シート２を構成し、また、図８Ａおよび図８Ｂでは図示しないが、回収工程で回収される第２基材シート１４、第１基材シート３および封止層６から封止部材１１を構成することもできる。つまり、封止部材１１において、第１基材シート３を第２基材シート１４の上面に直接積層することもできる。
また、図５の第２切断工程と、図７の第３切断工程とを、同時に実施することもできる。この方法では、第２切断工程と第３切断工程とにおいて、封止領域１６を仕切るように、封止層６を切断するとともに、封止部材１１が複数に分割されるように第２積層シート２８を切断する。
第２切断工程および第３切断工程の後に、図６の除去工程を実施する。すなわち、この除去工程では、封止領域１６の外側の封止層６を除去する。
この方法によれば、第２切断工程と第３切断工程とを同時に実施するので、封止シート１における封止層６の位置精度を向上させることができる。
＜第２実施形態＞
本発明の封止シートおよびその製造方法の第２実施形態を、図１〜図４、図１５および図１６を参照して説明する。
本発明の封止シートおよびその製造方法の第２実施形態を、図１〜図４、図１５および図１６を参照して説明する。
図１５および図１６において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第１実施形態では、図５に示す第２切断工程および図６に示す除去工程を実施しているが、第２切断工程および除去工程を実施せず、図４に示す配置工程の後に、図１５に示す第３切断工程を実施することもできる。
つまり、本発明の第２実施形態である封止シート１の製造方法は、封止層形成工程（図１参照）、第１切断工程（図２参照）、配置工程（図３および図４参照）、第３切断工程（図１５参照）、および、回収工程（図１６参照）を備えており、これら各工程が順次実施される。
図１６に示すように、回収工程後の封止層６は、平面視略矩形状をなし、前後方向に互いに間隔を隔てて対向配置されている。
第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができ、さらに、第２切断工程（図５参照）および除去工程（図６参照）を実施しないので、製造工数を削減して、製造コストをより一層低減することができる。
＜第３実施形態＞
本発明の封止シートおよびその製造方法の第３実施形態を、図１７〜図２０を参照して説明する。
本発明の封止シートおよびその製造方法の第３実施形態を、図１７〜図２０を参照して説明する。
図１７〜図２０において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
［第１切断工程］
第１切断工程では、図１７に示すように、第１積層シート８が前後方向および左右方向において複数分割されるように、第１積層シート８を切断する。第１積層シート８の切断によって、第１切断ライン１７は、平面視略碁盤目状に形成される。具体的には、第１縦切断ライン１０は、左右方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。
第１切断工程では、図１７に示すように、第１積層シート８が前後方向および左右方向において複数分割されるように、第１積層シート８を切断する。第１積層シート８の切断によって、第１切断ライン１７は、平面視略碁盤目状に形成される。具体的には、第１縦切断ライン１０は、左右方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。
［配置工程］
〔剥離工程〕
配置工程における剥離工程では、図１７の矢印で示すように、封止部材１１を引き上げる。
〔剥離工程〕
配置工程における剥離工程では、図１７の矢印で示すように、封止部材１１を引き上げる。
〔載置工程〕
続いて、載置工程では、図１８の矢印で示すように、複数の封止部材１１を、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てるように、第２基材シート１４の上面に配置する。
続いて、載置工程では、図１８の矢印で示すように、複数の封止部材１１を、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てるように、第２基材シート１４の上面に配置する。
［第２切断工程および除去工程］
図１９に示すように、第２切断工程において、封止層６を切断し、続いて、図１９の矢印で示すように、除去工程において、封止領域１６の外側の封止層６を除去する。
図１９に示すように、第２切断工程において、封止層６を切断し、続いて、図１９の矢印で示すように、除去工程において、封止領域１６の外側の封止層６を除去する。
［第３切断工程］
図２０に示すように、封止部材１１を、封止部材１１が左右方向において複数列（具体的には、４列に）分割されるように、第２基材シート１４を切断する。
図２０に示すように、封止部材１１を、封止部材１１が左右方向において複数列（具体的には、４列に）分割されるように、第２基材シート１４を切断する。
具体的には、第２切断ライン１８の第２縦切断ライン１９が、左右方向に隣接する第１基材シート３および接着剤層４の間を通過するように、形成される。
これによって得られる封止シート１において、第１基材シート３および接着剤層４は、各第２基材シート１４の左右方向中央（途中）に形成される。つまり、第２基材シート１４の周端部の上面は、第１基材シート３から露出している。
第３実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができ、さらに、図１７に示すように、第１切断工程において、第１積層シート８が左右方向にも複数分割されるように、第１積層シート８を切断し、続いて、図１８に示すように、複数の封止部材１１を、左右方向にも互いに間隔を隔てるように、第２基材シート１４に配置するので、封止層６の歩留まりをより一層向上させて、封止シート１の製造コストを低減することができる。
＜第４実施形態＞
図２１、図２３、図２４、図２６および図２７において、矢印で示す左右方向（あるいは横方向）は、第１方向の一例であり、図２１〜図２７の矢印で示す前後方向（あるいは縦方向）は、第２方向の一例である。
図２１、図２３、図２４、図２６および図２７において、矢印で示す左右方向（あるいは横方向）は、第１方向の一例であり、図２１〜図２７の矢印で示す前後方向（あるいは縦方向）は、第２方向の一例である。
本発明の封止シートの製造方法の第４実施形態を、図２１〜図２３を参照して説明する。
図２１〜図２３において、第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図２１に示すように、本発明の第３実施形態である封止シート１の製造方法は、封止層形成工程（図２１Ａおよび図２１Ｂ参照）、切断工程（図２１Ｃ参照）を備える。
[封止層形成工程]
図２１Ａに示すように、まず、基材シート３１を用意する。基材シート３１は、前後方向および左右方向に延びる略矩形の平板形状に形成されており、第１実施形態の第１基材シート３と同様に構成されている。
図２１Ａに示すように、まず、基材シート３１を用意する。基材シート３１は、前後方向および左右方向に延びる略矩形の平板形状に形成されており、第１実施形態の第１基材シート３と同様に構成されている。
次いで、図２１Ｂに示すように、封止層６を、基材シート３１の上面に設ける。具体的には、複数の封止層６を、基材シート３１の上面において、左右方向に互いに間隔を隔てて、前後方向に沿うように、設ける。図２２Ａが参照されるように、各封止層６の間隔Ｌ５は、封止対象としての光半導体素子１５（図２２Ａ参照）のピッチなどによって適宜設定され、具体的には、例えば、１ｍｍ以上、好ましくは、３ｍｍ以上であり、また、例えば、２０ｍｍ以下、好ましくは、１０ｍｍ以下である。複数の封止層６間のピッチＬ６、すなわち、上記した間隔Ｌ５および封止層６の前後方向長さの総長さＬ６が、例えば、５ｍｍ以上、好ましくは、１０ｍｍ以上であり、また、例えば、１００ｍｍ以下、好ましくは、５０ｍｍ以下である。
封止層６を基材シート３１の上面に設けるには、例えば、上記した封止組成物を基材シート３１の塗布する方法、例えば、別途用意した剥離シート（図示せず）の上に、上記した封止組成物を左右方向に互いに間隔を隔てて一旦塗布して封止層６を形成した後、この封止層６を基材シート３１に転写する方法が挙げられる。好ましくは、製造工程数の低減の観点から、封止組成物を基材シート３１の塗布する。
封止組成物を基材シート３１の塗布する方法では、封止組成物を、基材シート３１の上面において、基材シート３１より小さいエリアに、左右方向に互いに間隔を隔て、前後方向に連続するパターンで塗布して、皮膜７を形成する。
その後、必要により、樹脂が硬化性樹脂である場合には、皮膜７を、加熱および／または活性エネルギー線照射する。より具体的には、樹脂が２段階硬化性樹脂を含有する場合には、加熱および／または活性エネルギー線照射によって、封止層６をＢステージ化（半硬化）させる。
これにより、シート状の封止層６を基材シート３１の上面に左右方向に互いに間隔を隔て設ける。
また、基材シート３１および複数の封止層６から構成される積層シート３２を得る。
［切断工程］
切断工程では、図２１Ｃに示すように、積層シート３２が前後方向において複数分割されるように、積層シート３２を切断する。
切断工程では、図２１Ｃに示すように、積層シート３２が前後方向において複数分割されるように、積層シート３２を切断する。
具体的には、複数の封止層６のそれぞれが、前後方向に複数分割されるように、封止層６を基材シート３１とともに切断する。
これによって、左右方向に延びる基材シート３１と、基材シート３１の上面において、左右方向に互いに間隔を隔てて配置される封止層６とを備える封止シート１を得る。
次に、図２２Ａ〜図２２Ｃを参照して、封止シート１によって、光半導体素子１５を封止する方法を説明する。
この方法では、図２２Ａに示すように、まず、光半導体素子１５が実装された基板２１を用意する。
続いて、この方法では、封止シート１を、各封止層６が、厚み方向において光半導体素子１５と対向するように、配置する。
この方法では、次いで、図２２Ｂに示すように、封止シート１によって、光半導体素子１５を封止する。具体的には、封止シート１を、基板２１に対して相対的に押し下げる。これによって、複数の封止層６のそれぞれが複数の光半導体素子１５のそれぞれを被覆して封止する。つまり、複数の封止層６のそれぞれが複数の光半導体素子１５のそれぞれを埋設する。その後、封止層６が硬化性樹脂を含有する場合には、封止層６をＣステージ化（完全硬化）させる。
その後、この方法では、図２２Ｃに示すように、基材シート３１を封止層６から引き剥がす。
これによって、基板２１、複数の光半導体素子１５および複数の封止層６を備える光半導体装置２２を得る。
その後、必要によって、図２２Ｃの破線で示すように、各光半導体素子１５に対応する基板２１を切断して個片化する。これによって、基板２１、単数の光半導体素子１５および単数の封止層６を備える光半導体装置２２を得る。
そして、この封止シート１の製造方法では、左右方向に互いに間隔を隔て、かつ、前後方向に沿い、粒子を含有する封止層６を形成するので、その後、封止層６を、左右方向に互いに間隔を隔てて配置される光半導体素子１５に対して封止する。そのため、封止層６を有効に利用することができる。その結果、封止層６の歩留まりを向上させて、封止シート１の製造コストを低減することができる。
また、この封止シート１の製造方法では、封止層形成工程では、封止組成物を前後方向に沿って塗布することによって、封止層６を形成するので、前後方向に沿う封止層６を効率よく形成することができる。
さらに、この方法では、封止組成物を前後方向に沿って塗布する封止層形成工程の後に、封止層６が前後方向において複数分割されるように封止層６を切断する切断工程を実施するので、前後方向における封止層６の歩留まりを向上させて、封止シート１の製造コストを低減することができる。
この封止シート１の製造方法では、粒子が、蛍光体を含有すれば、蛍光体を含有する粒子の歩留まりを向上させることができる。
＜第４実施形態の変形例＞
図２３Ａに示すように、上記した切断工程（図２１Ｃ参照）に先立ち、図２１Ｂで示される封止層６を所定形状に切断することもできる。詳しくは、封止層６を、基材シート３１を切断しないように、略円形状に切断する。具体的には、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）を用いるダイシング装置、カッターを用いるカッティング装置、レーザー照射装置、トムソン刃を用いるトムソン刃切断機などが用いられる。
図２３Ａに示すように、上記した切断工程（図２１Ｃ参照）に先立ち、図２１Ｂで示される封止層６を所定形状に切断することもできる。詳しくは、封止層６を、基材シート３１を切断しないように、略円形状に切断する。具体的には、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）を用いるダイシング装置、カッターを用いるカッティング装置、レーザー照射装置、トムソン刃を用いるトムソン刃切断機などが用いられる。
これによって、封止層６からなる略円形状の封止領域１６が構成される。
続いて、図２３Ｂに示すように、封止領域１６の外側の封止層６を除去する。
これによって、基材シート３１の上面に形成される封止領域１６を備える封止シート１を得る。
その後、図２３Ｃに示すように、切断工程を実施する。
＜第５実施形態＞
本発明の封止シートおよびその製造方法の第５実施形態を、図２４〜図２６を参照して説明する。
本発明の封止シートおよびその製造方法の第５実施形態を、図２４〜図２６を参照して説明する。
図２４〜図２６において、第４実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第４実施形態では、図２１Ｂに示すように、封止シート１において、基材シート３１の上に、封止層６のみを設けているが、例えば、図２４Ｃに示すように、蛍光体不含封止層３３をさらに設けることもができる。
図２４および図２５に示すように、本発明の第４実施形態である封止シート１の製造方法は、蛍光体不含封止層形成工程（図２４Ａおよび図２４Ｂ参照）、封止層形成工程（図２４Ｃ参照）、切断工程（図２４Ｄ参照）を備える。
[蛍光体不含封止層形成工程]
図２４Ａに示すように、まず、基材シート３１を用意する。
図２４Ａに示すように、まず、基材シート３１を用意する。
次いで、図２４Ｂに示すように、蛍光体不含封止層３３を、基材シート３１の上面に設ける。具体的には、蛍光体を含まない封止組成物から蛍光体不含封止層３３を基材シート３１の上面に形成する。これにより、基材シート３１よりわずかに小さい平面視略矩形状の蛍光体不含封止層３３を形成する。つまり、蛍光体不含封止層３３を、基材シート３１の外周端部を露出するパターンに形成する。
[封止層形成工程]
次いで、図２４Ｃに示すように、封止層６を、蛍光体不含封止層３３の上面に形成する。
次いで、図２４Ｃに示すように、封止層６を、蛍光体不含封止層３３の上面に形成する。
封止層６を形成する封止組成物において、粒子は、好ましくは、蛍光体を含有する。
封止層形成工程により、基材シート３１、蛍光体不含封止層３３および封止層６から構成される積層シート３２を得る。
[切断工程]
切断工程では、積層シート３２が前後方向において複数分割されるように、積層シート３２を切断する。より具体的には、蛍光体不含封止層３３のそれぞれ、および、封止層６のそれぞれが、前後方向に複数分割されるように、蛍光体不含封止層３３および封止層６を基材シート３１とともに切断する。
切断工程では、積層シート３２が前後方向において複数分割されるように、積層シート３２を切断する。より具体的には、蛍光体不含封止層３３のそれぞれ、および、封止層６のそれぞれが、前後方向に複数分割されるように、蛍光体不含封止層３３および封止層６を基材シート３１とともに切断する。
これによって、左右方向に延びる基材シート３１と、基材シート３１の上面において左右方向に連続して形成される蛍光体不含封止層３３と、蛍光体不含封止層３３の上面において、左右方向に互いに間隔を隔てて配置される封止層６とを備える封止シート１を得る。
次に、図２５Ａ〜図２５Ｃを参照して、封止シート１によって、光半導体素子１５を封止する方法を説明する。
この方法では、図２５Ａに示すように、まず、光半導体素子１５が実装された基板２１を用意する。
続いて、この方法では、封止シート１を、各封止層６が、厚み方向において光半導体素子１５と対向するように、配置する。
この方法では、次いで、図２５Ｂに示すように、封止シート１によって、光半導体素子１５を封止する。具体的には、封止シート１を、基板２１に対して相対的に押し下げる。これによって、複数の封止層６のそれぞれが複数の光半導体素子１５のそれぞれを被覆して封止する。つまり、複数の封止層６のそれぞれが複数の光半導体素子１５のそれぞれを埋設する。また、封止層６から露出する蛍光体不含封止層３３が、複数の封止層６間の隙間を充填する。その後、封止層６および／または蛍光体不含封止層３３が硬化性樹脂を含有する場合には、封止層６および／または蛍光体不含封止層３３をＣステージ化（完全硬化）させる。
その後、この方法では、図２５Ｃに示すように、基材シート３１を蛍光体不含封止層３３から引き剥がす。
これによって、基板２１、複数の光半導体素子１５、単数の蛍光体不含封止層３３および複数の封止層６を備える光半導体装置２２を得る。
その後、必要によって、図２５Ｃの破線で示すように、各光半導体素子１５に対応する基板２１および蛍光体不含封止層３３を切断して個片化する。これによって、基板２１、単数の光半導体素子１５、単数の蛍光体不含封止層３３および単数の封止層６を備える光半導体装置２２を得る。
そして、この封止シート１の製造方法では、蛍光体不含封止層３３は、蛍光体を含有しないので、蛍光体不含封止層３３を左右方向に連続するパターで形成しても、蛍光体不含封止層３３を低コストで製造することができる。そのため、かかる蛍光体不含封止層３３を形成し、その蛍光体不含封止層３３に対して封止層６を積層すれば、種々の物性を有する封止シート１を構成することができる。
また、この封止シート封止シート１では、蛍光体不含封止層３３と封止層６とによって、種々の物性を有することができる。
＜第５実施形態の変形例＞
図２６Ａに示すように、切断工程（図２４Ｄ参照）に先立ち、図２４Ｃで示される封止層６および蛍光体不含封止層３３を所定形状に切断することもできる。詳しくは、封止層６および蛍光体不含封止層３３を、基材シート３１を切断しないように、略円形状に切断する。
図２６Ａに示すように、切断工程（図２４Ｄ参照）に先立ち、図２４Ｃで示される封止層６および蛍光体不含封止層３３を所定形状に切断することもできる。詳しくは、封止層６および蛍光体不含封止層３３を、基材シート３１を切断しないように、略円形状に切断する。
これによって、封止層６および蛍光体不含封止層３３からなる略円形状の封止領域１６が構成される。
続いて、図２６Ｂに示すように、封止領域１６の外側の封止層６および蛍光体不含封止層３３を除去する。
これによって、基材シート３１の上面に形成される封止領域１６を備える封止シート１を得る。
その後、図２６Ｃに示すように、切断工程を実施する。
そして、図２７Ａおよび図２７Ｂに示すように、この封止シート１によって、光半導体素子１５を封止すれば、基板２１、複数の光半導体素子１５、複数の蛍光体不含封止層３３および複数の封止層６を備える光半導体装置２２を得る。
その後、必要によって、図２７Ｃの破線で示すように、各光半導体素子１５に対応する基板２１および蛍光体不含封止層３３を切断して個片化する。これによって、基板２１、単数の光半導体素子１５、単数の蛍光体不含封止層３３および単数の封止層６を備える光半導体装置２２を得る。
なお、上記説明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は、後記の特許請求の範囲に含まれるものである。
封止シートの製造方法は、封止シートの製造に用いられる。
１ 封止シート
３ 第１基材シート
６ 封止層
８ 積層シート
１１ 封止部材
１４ 第２基材シート
１５ 光半導体素子
１６ 封止領域
３１ 基材シート
３３ 蛍光体不含封止層
３ 第１基材シート
６ 封止層
８ 積層シート
１１ 封止部材
１４ 第２基材シート
１５ 光半導体素子
１６ 封止領域
３１ 基材シート
３３ 蛍光体不含封止層
Claims (5)
- 蛍光体を含有しない蛍光体不含封止層を第１方向に連続して形成する工程、
前記第１方向に互いに間隔Ｌ１を隔て、かつ、前記第１方向に対する交差する第２方向に沿い、粒子を含有する封止層を形成する封止層形成工程、および、
前記封止層が前記第２方向において複数分割されるように前記封止層を切断する切断工程を備え、
前記間隔Ｌ１は、前記第１方向に互いに間隔Ｌ３を隔てて配置される封止対象に対応するように、１ｍｍ以上、２０ｍｍ以下に設定され、
前記封止層形成工程では、前記封止層を、前記蛍光体不含封止層に対して積層し、
前記切断工程では、前記蛍光体不含封止層を前記封止層とともに、前記蛍光体不含封止層が前記第２方向において複数分割されるように、切断することを特徴とする、封止シートの製造方法。 - 前記封止層形成工程では、封止組成物を前記第２方向に沿って塗布することによって、前記封止層を形成することを特徴とする、請求項１に記載の封止シートの製造方法。
- 前記封止対象に対応する封止領域を仕切るように、前記封止層を切断する工程、および、
前記封止領域の外側の前記封止層を除去する工程
をさらに備えることを特徴とする、請求項１または２に記載の封止シートの製造方法。 - 粒子が、蛍光体を含有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の封止シートの製造方法。
- 第１方向に連続する基材シートと、
前記第１方向に互いに間隔Ｌ１を隔てて配置される複数の封止部材とを備え、
複数の前記封止部材は、
前記基材シートの表面に積層され、蛍光体を含有しない蛍光体不含封止層と、
前記蛍光体不含封止層の表面に積層され、粒子を含有する封止層と
を備え、
前記間隔Ｌ１は、前記第１方向に互いに間隔Ｌ３を隔てて配置される封止対象に対応するように、１ｍｍ以上、２０ｍｍ以下に設定されていることを特徴とする、封止シート。
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