TWI668732B - Projection exposure device, projection exposure method, photomask for projection exposure device, and method of manufacturing substrate - Google Patents

Abstract

在投影曝光裝置上，將遮罩圖案以良好的精度轉印至基板鏡格區域。

在光罩上形成與複數個鏡格區域之變形對應的遮罩圖案，採取逐次重複曝光方法，對已形成複數個鏡格區域的基板轉印遮罩圖案。採取全局對齊方式，測量取樣用對齊記號的位置，從全局對齊區域的形狀誤差檢測出鏡格區域的形狀誤差。然後，選取具有與該形狀誤差對應亦即與其變形傾向相同的曝光場形狀的遮罩圖案。

Description

投影曝光裝置、投影曝光方法、投影曝光裝置用光罩以及基板之製造方法

本發明是關於一種將在光罩上所形成的圖案轉印於基板上的投影曝光裝置，特別是關於針對已變形之基板的對齊(對位)。

使用投影曝光裝置製造的半導體元件、液晶顯示元件、封裝基板等元件中的大多數是構成多層構造，其藉由重疊圖案並轉印來製造基板。在將2層以下的圖案轉印於基板時，需要正確地使事先形成於基板上之鏡格區域及遮罩上之圖案的位置重合，亦即，使光罩與基板的位置正確地對齊。

在位置對齊的方式中，有一種一般習知的方法叫做全局對齊(GA)。因此，沿著基板上的格線規範出複數個鏡格區域，在格線上，為了規定出各個鏡格區域，形成對齊記號。然後，決定含有複數個鏡格區域的全局對齊區域，再檢測出規定該區域的取樣用對齊記號的位置座標。

當轉印2層以下的圖案時，平台的對位精度誤差、基板伸縮等會導致在鏡格之間產生排列誤差。因此，從被測量過的取樣用對齊記號的位置座標與原設計的取樣用對齊記號的位置座標的差，算出鏡格之間的排列誤差，進行偏離度的修 正，再進行縮放的修正等，藉此，來進行對位(關於範例，請參照專利文獻1)。另一方面，當進行與基板伸縮對應的縮放修正時，可藉由調整投影光學系統的變倍鏡片的位置，來對遮罩圖案的投影進行放大/縮小的修正(參照專利文獻2)。

基板的變形不只是沿著座標軸的垂直水平的線性伸縮，也有沿著對角方向等其他方向的伸縮，各種都有，也有變形成菱形、梯形等形狀的情況。此種變形難以藉由縮放修正來復原。因此，有一個一般習知的方法是，在遮罩基板與工作基板的光路上設置變形得和工作基板一樣的平板，再轉印與變形對應的遮罩圖案(參照專利文獻3)。

【先行技術文獻】 【專利文獻】

[專利文獻1]日本特開2006-269562號公報

[專利文獻2]日本特開2004-29546號公報

[專利文獻3]日本特開2011-248260號公報

基板變形的情況不是都一樣，各種扭曲狀態都會在基板上產生。特別是，當採用陶瓷或樹脂製的基板時，基板會隨著複雜的扭曲而變形。此種基板的扭曲或裝置特性等會導致鏡格區域的形狀與實際原設計已經決定的形狀不同，此時，無法進行以沿著座標軸方向的伸縮為前提的縮放修正來解決問題。

投影曝光裝置為用來形成高精度、高解像度之圖案的曝光裝置，配合半導體晶片等用途，大多數的基板都使用矽晶圓。當採用矽晶圓時，其材質上會使鏡格區域的變形變得不顯著。

但是，即使用陶瓷、樹脂等來成形的基板(例如，中繼基板)，為了形成高解像度的圖案，必須使用投影曝光裝置。在此情況下，即使藉由GA方式進行對位以修正鏡格區域的排列誤差，也無法應付鏡格區域本身的複雜變形。結果，恐怕會在各層之間產生通孔的位置偏移，導致圖案的重合精度惡化。

於是，即使是針對各種鏡格區域的變形，也要要求以良好的精度來進行對位。

本發明之投影曝光裝置為採用逐次重複曝光步驟將遮罩圖案(以縮小、等倍放大等狀態)轉印至基板上的投影曝光裝置，包括掃描部，其中，二維排列的複數個鏡格區域及沿著複數個鏡格區域之排列而設置的複數個對齊記號形成於基板上，掃描部使該基板相對於形成於光罩的遮罩圖案的投影區域作間歇性的相對移動，投影曝光裝置又包括曝光控制部，其中，採用逐次重複曝光方法，將遮罩圖案轉印至複數個鏡格區域。

再者，投影曝光裝置包括形狀誤差測量部，其從複數個對齊記號的位置，測量出以原設計之鏡格區域為基準時的既定鏡格區域之二維形狀誤差。由於基板的變形等，實際測 量出的鏡格區域的形狀、區域位置會偏離作為基準的原設計之鏡格區域的形狀(如矩形)、區域位置，此情況被當作「形狀誤差」而被測量並檢測出來。

在此，所謂「二維形狀誤差」，是指鏡格區域沿著與在基板上被規定的座標軸不同的方向產生變形或變動而引起的鏡格區域的變形，例如，也包含沿著座標軸(單軸或雙軸)放大或縮小以外的形狀誤差。當原設計的鏡格區域為矩形時，菱形、平行四邊形、梯形、酒桶形、捲線形、扇形等非矩形的變形與原設計相異，或者，旋轉偏離度這種整個區域的位置與原設計的區域位置相異，也屬於二維形狀誤差。此種鏡格區域的二維形狀誤差會因為沿著與基板之座標軸不同的方向所產生的扭曲、裝置的特性等而引起。

在本發明的光罩中，針對原設計之鏡格區域，設置複數個遮罩圖案，其分別與二維形狀誤差相異的複數個鏡格區域對應。在此，「形狀誤差相異」也包含平行四邊形、梯形等鏡格區域之變形型態不同的情況，又，也包含垂直偏離度亦即相對於座標軸的偏離角度的大小相異這種變形量相異的情況，再者，也包含鏡格區域的位置變動的變動量相異的情況。

另外，曝光控制部從複數個遮罩圖案中，選取與已測量到之形狀誤差對應的遮罩圖案，並轉印該遮罩圖案。例如，具有曝光場與已變形之鏡格區域之形狀相等的遮罩圖案、具有曝光場與垂直偏離度等變形量一致的遮罩圖案、具有曝光場與鏡格區域之變動位置相等的遮罩圖案會被選取，針對形狀誤差，可選取在區域變形的種類、變形量、區域變動量方面具 有相同傾向的遮罩圖案。

例如，當複數個對齊記號包含用來規範既定數目之鏡格區域所構成之全局對齊區域的取樣用對齊記號時，曝光控制部可根據取樣用對齊記號的位置測量出全局對齊區域的形狀誤差，選取對應該形狀誤差的遮罩圖案。又，當為了對應在基板上被規定的複數個全局對齊區域而設置取樣用對齊記號時，曝光控制部可針對各全局對齊區域來測量形狀誤差。再者，曝光控制部可根據取樣用對齊記號的位置算出全局對齊區域內的鏡格區域排列誤差，另一方面，可根據用來規範全局對齊區域內之鏡格區域的對齊記號的位置，測量鏡格區域的形狀誤差。

本發明另一實施型態之投影曝光方法，其針對形成有二維排列之複數個鏡格區域及沿著複數個鏡格區域之排列而設置之複數個對齊記號的基板，從複數個對齊記號的位置，測量以原設計之鏡格區域為基準時的變形鏡格區域的形狀誤差；使其對形成於光罩之遮罩圖案之投影區域作間歇性之相對移動，採取逐次重複曝光方法將遮罩圖案轉印至上述複數個鏡格區域內；其特徵為：光罩具有與形狀誤差互異之複數個變形鏡格區域對應的複數個遮罩圖案；從複數個遮罩圖案中，選取與已經測量到之形狀誤差對應的遮罩圖案，並轉印該遮罩圖案。

本發明另一實施型態之投影曝光裝置用光罩為採用逐次重複曝光步驟將遮罩圖案(以縮小、等倍放大等狀態)轉印至基板上的投影曝光裝置用光罩，可使用光罩來製造基板。

例如，在投影曝光裝置中，包括掃描部，其中，二維排列的複數個鏡格區域及沿著複數個鏡格區域之排列而設置的複數個對齊記號形成於基板上，掃描部使該基板相對於形成於光罩的遮罩圖案的投影區域作間歇性的相對移動，投影曝光裝置又包括曝光控制部，其中，採用逐次重複曝光方法，將遮罩圖案轉印至複數個鏡格區域。

在本發明之光罩中，包括複數個遮罩圖案，複數個遮罩圖案與複數個鏡格區域對應，其分別具有以原設計之鏡格區域為基準時各自不同的二維形狀誤差。

藉由將此種光罩使用於投影用曝光裝置，可從複數個遮罩圖案中，選取出遮罩圖案，其具有所測量之鏡格區域以二維狀態與形狀誤差對應的曝光場(區域)，藉此，可使遮罩圖案和該鏡格區域毫無偏離地重合在一起。例如，具有曝光場與已變形之鏡格區域之形狀相等的遮罩圖案、具有曝光場與垂直偏離度等變形量一致的遮罩圖案、具有曝光場與鏡格區域之變動位置相等的遮罩圖案會被選取，針對形狀誤差，可選取在區域變形的種類、變形量、區域變動量方面具有相同傾向的遮罩圖案。

例如，複數個遮罩圖案具有平行四邊形、菱形、梯形、酒桶形、捲線形中任一種形狀。若考慮鏡格區域不實質變形的情況下其形狀與原設計之鏡格區域相同，可在光罩上，設置形狀與原設計之鏡格區域之形狀相等的遮罩圖案。

根據本發明，在投影曝光裝置中，可將遮罩圖案 以高精度重合於基板之鏡格區域上，且以高精度轉印於其上。

10‧‧‧投影曝光裝置

20‧‧‧光源

21‧‧‧燈光驅動部

22‧‧‧反射鏡

24‧‧‧鏡片陣列

26‧‧‧反射鏡

28‧‧‧準直鏡

30‧‧‧光罩用平台

32‧‧‧平台驅動部

34‧‧‧投影光學系統

36‧‧‧對齊記號攝影部(形狀誤差測量部)

38‧‧‧影像處理部(形狀誤差測量部)

40‧‧‧基板用平台

42‧‧‧平台驅動部(掃描部)

50‧‧‧控制部(操作部、曝光控制部)

W‧‧‧基板

P2~P8‧‧‧變形遮罩圖案

SA‧‧‧鏡格區域

SM‧‧‧取樣用對齊記號

AM‧‧‧對齊記號

ARM‧‧‧全局對齊區域

R‧‧‧光罩

第1圖為第1實施型態之投影曝光裝置的概略方塊圖。

第2圖表示排列有鏡格區域的基板。

第3圖表示複數個已形成遮罩圖案的光罩。

第4圖表示基板變形所引起的鏡格區域的形狀誤差。

第5圖表示採取逐次重複曝光方法來進行的曝光動作的流程。

第6圖表示全局對齊區域的變形形狀的一例。

第7圖表示第2實施型態之全局對齊區域的形狀誤差及鏡格區域的形狀誤差。

以下將參照圖面說明本發明之實施型態。

第1圖為第1實施型態之投影曝光裝置的概略方塊圖。以下將以曝光製程為前提來作說明，其中，曝光製程是於基板上形成第1層圖案，在第2層以後，將遮罩圖案重合於基板的鏡格區域。

投影曝光裝置10為一種將形成於光罩R的遮罩圖案以逐次重複曝光方式轉印於基板(工作基板)W上的曝光裝置，包括放電電燈之類的光源20、投影光學系統34。光罩R由石英等材料所構成，形成具有遮光區域的遮罩圖案。基板W在此採用矽、陶瓷、玻璃或樹脂製的基板(例如中繼基板)。

從光源20放射出來的照明光透過反射鏡22射入 鏡片陣列24，照明光量變得均勻。變均勻之後的照明光透過反射鏡26射入準直鏡28。藉此，平行光射入光罩R。光源20受到燈光驅動部21驅動控制。

在光罩R上形成遮罩圖案，為了使遮罩圖案位於投影光學系統34的光源側焦點位置，光罩R搭載於光罩用平台30。光罩R的前方(光源側)設有光圈(未圖示)，僅在一部分的遮罩圖案射入照明光。

在搭載光罩R的光罩用平台30、搭載基板W的基板用平台40上，設定相互垂直的X-Y-Z這3個座標軸。光罩用平台30為了使光罩R沿著焦點面，可在X-Y方向移動，被平台驅動部32所驅動。又，光罩用平台30也可在X-Y座標平面上旋轉。光罩用平台30的座標位置在此由雷射干涉儀或線性編碼器(未圖示)所測定。

通過光罩R之遮罩圖案之曝光場(區域)的光藉由投影光學系統34作為圖案光投影在基板W上。基板W為了使該曝光面與投影光學系統34的像側焦點位置一致，搭載於基板用平台40上。

基板用平台40為了使基板W沿著焦點面移動，可在X-Y方向移動，被平台驅動部42所驅動。又，基板用平台40可朝向與焦點面(X-Y方向)垂直的Z軸方向(投影光學系統34光軸方向)移動，再者，亦可在X-Y座標平面上旋轉。基板用平台40的座標位置由未圖示出的雷射干涉儀或線性編碼器所測定。

控制器50控制平台驅動部32,42以決定光罩R、 基板W的位置，並且，控制燈光驅動部21。然後，以逐次重複曝光方式執行曝光動作。設置於控制部50的記憶體(未圖示)儲存有光罩R的遮罩圖案位置座標、形成於基板W上的鏡格區域的原設計之位置座標、逐次移動量等。

配置於投影光學系統34旁邊的對齊記號攝影部36為將形成於基板W上之對齊記號拍攝下來的相機(或顯微鏡)，在鏡格曝光前拍攝對齊記號。影像處理部38根據從對齊記號攝影部36送來的影像訊號，檢測出對齊記號的位置座標。此外，亦可以TTL方式檢測出對齊記號。

隨著逐次重複曝光方式的採用，控制部50在形成於基板W上的各鏡格區域依序轉印光罩R的遮罩圖案。換言之，控制部50根據鏡格區域的間隔使基板用平台40作間歇性移動，在遮罩圖案的投影位置上決定作為曝光對象之鏡格區域的位置，此時，驅動光源20以將圖案光投影於鏡格區域上。

在遮罩圖案的轉印之前，控制部50採用全局對齊方式，檢測出鏡格區域的排列誤差，進行基板W的鏡格區域與遮罩圖案的投影區域的位置重合。再者，在本實施型態中，檢測出基板變形等所引起的鏡格區域之形狀誤差，投影出與該形狀誤差對應的遮罩圖案，藉此，進行鏡格區域與圖案投影區域的位置重合。此時，檢測出全局對齊區域的形狀誤差，將該誤差看成是鏡格區域的形狀誤差。

第2圖表示排列有鏡格區域的基板。第3圖表示複數個已形成遮罩圖案的光罩。第4圖表示基板變形所引起的鏡格區域的形狀誤差。在此使用第2圖至第4圖說明鏡格區域 的形狀誤差。

如第2圖所示，在基板W上，根據X-Y座標系，形成以一定間隔排列成矩陣狀的鏡格區域SA。然後，沿著鏡格區域SA的排列，將位置重合用的對齊記號AM形成於各鏡格區域的四個角落。

採用全局對齊方式，設定出包含既定數目(1以上)之鏡格區域的全局對齊區域，藉由統計運算算出鏡格區域的排列誤差及修正值。在此，在鄰接的4個鏡格區域SA上分別設定出取樣用(測量用)對齊記號SM，並設定出全局對齊區域ARM。在基板W上，另外設定出一個全局對齊區域(在此未圖示)，作為一例，在此於一共4個全局對齊區域上以相同排列分別形成鏡格區域。

藉由原設計之取樣用對齊記號SM的位置座標與實際測量到之取樣用對齊記號SM的位置座標的差，檢測出全局對齊區域ARM內的鏡格區域的定向前進的偏離度、旋轉誤差、基板W之線性伸縮所引起的尺寸縮放誤差。控制部50根據所檢測出之統計誤差，算出每個鏡格區域的偏離值、尺寸縮放值、旋轉量的修正值，使基板用平台40沿著X-Y座標軸移動，或者，沿著X-Y座標平面旋轉。

在鏡格區域的排列誤差中，尺寸縮放誤差為基板變形所引起的誤差，可根據尺寸縮放修正值來修正。不過，鏡格區域本身沿著與X方向或Y方向不同的方向所產生的變形，無法求出修正值。鏡格區域的排列誤差的前提為，維持鏡格區域SA的矩形形狀，其中，鏡格區域SA具有沿著X軸的 邊與沿著Y軸的邊的垂直度(90度)。

不過，在樹脂製的基板W上因為熱收縮等原因而產生複雜的變形，鏡格區域的矩形形狀變形為沒有維持垂直度的形狀(在此，稱為非矩形形狀)。在垂直度產生偏離度的情況下，矩形形狀變化為平行四邊形(菱形)、梯形等。又，垂直偏離度的程度不一樣也會導致非矩形形狀變化。

在第4圖中，表示鏡格區域的變形情況。鏡格區域VP1在基板沒有變形的情況下維持矩形形狀，是作為基準的鏡格區域形狀。當在基板W上產生線性伸縮時，基準的鏡格區域VP1維持矩形形狀，只有尺寸產生變化。鏡格區域VP2,VP3表示線性變形的形狀。

另一方面，若針對X方向/Y方向朝向+/-方向而相向的邊產生同程度的垂直度，鏡格區域就變化成平行四邊形。鏡格區域VP4為朝向-X方向而產生垂直偏離度的平行四邊形(菱形)，鏡格區域VP6朝向-Y方向而產生垂直偏離度。又，鏡格區域VP5,VP7表示大於垂直偏離度的非矩形形狀。此外，垂直偏離度也有朝向+X方向、+Y方向產生的情況。

再者，基準鏡格區域VP1如在鏡格區域VP’所示，也可能因相對的邊很靠近而產生垂直偏離度，導致變形成梯形形狀的鏡格區域VP’的樣子。如此，基板W的扭曲導致鏡格區域從矩形形狀變成非矩形形狀的情況也是各式各樣的。

在本實施型態中，於基板的同一圖案形成層(在此為第2層)中配合變形為各種非矩形形狀的鏡格區域，複數個遮罩圖案(變形遮罩圖案)形成於光罩R。如第3圖所示，在此 有8個遮罩圖案形成於光罩R，各遮罩圖案的曝光場形狀(圖案區域形狀)與鏡格區域的變形形狀對應。

在此，遮罩圖案P1具有與基準鏡格區域VP1對應的曝光場形狀。另外，遮罩圖案P2~P7具有與鏡格區域VP2~VP7對應的曝光場形狀。在此情況下，遮罩圖案配合該曝光場形狀而形成圖案。例如，就鏡格區域VP4而言，直線狀的配線沿著垂直偏離度(θ)而傾斜。

於是，測量已變形的鏡格區域形狀，選取與該變形之非矩形形狀對應(亦即，變形程度、變形特徵具有相同傾向)的遮罩圖案，藉此，遮罩圖案的投影影像可高精度地重合於其變形的鏡格區域。此外，鏡格區域也可設定為矩形以外的形狀(例如，具有部分缺口的矩形等)，對於此種鏡格區域，也可根據形狀誤差來提供遮罩圖案。

僅有尺寸縮放誤差的鏡格區域VP2,VP3可藉由投影光學系統的調整等來進行尺寸縮放修正，僅將無法對應尺寸縮放之形狀誤差所對應的遮罩圖案形成於光罩R上。又，亦可針對投影光學系統的調整所引起的圖案影像扭曲，選取遮罩圖案。

第5圖表示採取逐次重複曝光方法來進行的曝光動作的流程。第6圖表示全局對齊區域的變形形狀的其中一例。

如上所述，在基板W上設定出4個全局對齊區域ARO,ARP,ARN,ARM，然後分別針對各個全局對齊區域測量鏡格區域的排列誤差及形狀誤差(S101)。鏡格區域的形狀誤差由於是直接利用全局對齊區域的形狀誤差，所以可以測定出取 樣用對齊記號SM的位置座標，從全局對齊區域的垂直偏離度、尺寸縮放誤差算出鏡格區域的形狀誤差。

在第6圖中，表示出基板變形所導致的全局對齊區域ARM的垂直偏離度。當針對全局對齊區域ARM藉由統計運算來測量菱形、平行四邊形的這種變形時，也可針對其中的鏡格區域SA，看成具有同樣的矩形形狀的東西。

然後，根據鏡格區域的排列誤差算出尺寸縮放值、偏離量、旋轉量等修正值，並且選取具有與鏡格區域之形狀對應的曝光場形狀的遮罩圖案(S102)。然後，藉由光罩用平台30的移動，所選取的遮罩圖案有照明光通過，光罩R得以定位，並且，作為曝光對象的鏡格區域與圖案投影區域一致，採取逐次重複曝光方式進行曝光(S103)。當1個全局對齊區域的曝光結束時，另一個全局對齊區域也開始進行同樣的曝光動作(S104)。此種曝光動作針對基板進行許多層，藉此來製造出基板。

如此，根據本實施型態，針對光罩R，形成複數個遮罩圖案，其對應著在基板的既定圖案形成層上所形成的鏡格區域的變形，採用逐次重複曝光的方法，在已形成複數個鏡格區域的基板上轉印遮罩圖案。以全局對齊方式測量取樣用對齊記號的位置座標，從全局對齊區域的形狀誤差檢測出鏡格區域的形狀誤差。然後，選取出遮罩圖案，其具有與該形狀誤差對應亦即有相同變形傾向的曝光場形狀。

接著，使用第7圖說明第2實施型態之投影曝光裝置。在第2實施型態中，鏡格區域的形狀誤差是和全局對齊 區域分開來測量的。

第7圖表示第2實施型態之全局對齊區域的形狀誤差和鏡格區域的形狀誤差。

在第2實施型態中，根據全局對齊區域ARM的取樣用對齊記號SM測量鏡格區域的排列誤差，另一方面，設定於各鏡格區域SA四個角落的對齊記號AM被對齊記號攝影部36拍攝下來，算出各鏡格區域的位置座標的平均值等統計值，藉此，算出鏡格區域SA的形狀誤差。

在此，鏡格區域SA變形為梯形形狀，並且，產生旋轉偏離度(整個鏡格區域對X軸或Y軸的旋轉)，旋轉偏離量隨鏡格區域的位置而異。藉此，每個鏡格區域都能正確測量出形狀誤差。此外，當採用第1實施型態的全局對齊方式時，亦可測量全局對齊區域的旋轉偏離度，將此看成是鏡格區域的旋轉偏離度來測量。

此外，亦可在不求形狀誤差的平均值的情況下算出每個形狀誤差。或者，可算出全局對齊區域中的特定位置的鏡格區域的形狀誤差，推斷其他的鏡格區域也有相同的形狀誤差。

在第1及第2實施型態中，基板沿著和X-Y座標軸不同之方向產生扭曲，在此提供根據此扭曲來考慮垂直偏離度的遮罩圖案，但，亦可提供與鏡格區域之其他變形對應的遮罩圖案。例如，亦可形成捲線形、酒桶形、扇形、半圓形等遮罩圖案。

再者，也可配合基於基板扭曲以外的原因而導致 鏡格區域的形狀誤差(變形)而提供遮罩圖案。例如，亦可形成用來修正投影光學系統之變形的遮罩圖案，或者，亦可提供因基板之凹凸所引起的鏡格區域之形狀變形所對應的遮罩圖案。

此外，對齊記號可作為孔之類的指標。光罩不限於1個，亦可提供複數個光罩在各光罩上形成1個或複數個遮罩圖案。在此情況下，控制複數個光罩的定位。

Claims (13)

1. 一種投影曝光裝置，其特徵為包括：掃描部，使形成有二維排列之複數個鏡格區域及沿著上述複數個鏡格區域之排列而設置之複數個對齊記號的基板對形成於光罩之遮罩圖案之投影區域作間歇性之相對移動；曝光控制部，採取逐次重複曝光方法將遮罩圖案轉印至上述複數個鏡格區域內：及形狀誤差測量部，從上述複數個對齊記號的位置測量以原設計之鏡格區域為基準時所設定之鏡格區域之二維形狀誤差；上述光罩針對原設計之鏡格區域，具有與形狀誤差互異之複數個鏡格區域對應的遮罩圖案；上述曝光控制部從上述複數個遮罩圖案中，選取與已經測量到之形狀誤差對應的遮罩圖案，並轉印該遮罩圖案。
2. 如申請專利範圍第1項之投影曝光裝置，其中，上述複數個對齊記號包含取樣用對齊記號，其可規範由既定數目之鏡格區域所構成之全局對齊區域；上述曝光控制部根據取樣用對齊記號的位置，測量全局對齊區域的形狀誤差，選取與該形狀誤差對應的遮罩圖案。
3. 如申請專利範圍第2項之投影曝光裝置，其中，對應被上述基板所規範之複數個全局對齊區域，設置取樣用對齊記號；上述曝光控制部測量各全局對齊區域的形狀誤差。
4. 如申請專利範圍第2或3項之投影曝光裝置，其中，上述曝光控制部根據取樣用對齊記號的位置，算出全局對齊區 域內的鏡格區域排列誤差，另一方面，根據用來規範全局對齊區域內之鏡格區域的對齊記號的位置，測量鏡格區域的形狀誤差。
5. 如申請專利範圍第4項之投影曝光裝置，其中，鏡格區域的形狀誤差至少包含鏡格區域的垂直偏離度。
6. 如申請專利範圍第5項之投影曝光裝置，其中，鏡格區域的形狀誤差至少包含鏡格區域的旋轉偏離度。
7. 一種投影曝光方法，其針對形成有二維排列之複數個鏡格區域及沿著上述複數個鏡格區域之排列而設置之複數個對齊記號的基板，從上述複數個對齊記號的位置，測量以原設計之鏡格區域為基準時的變形鏡格區域的形狀誤差；使其對形成於光罩之遮罩圖案之投影區域作間歇性之相對移動，採取逐次重複曝光方法將遮罩圖案轉印至上述複數個鏡格區域內；其特徵為：上述光罩具有與形狀誤差互異之複數個變形鏡格區域對應的複數個遮罩圖案；從上述複數個遮罩圖案中，選取與已經測量到之形狀誤差對應的遮罩圖案，並轉印該遮罩圖案。
8. 一種投影曝光裝置用光罩，其特徵為：上述光罩包括複數個遮罩圖案，其與具有以原設計之鏡格區域為基準時彼此互異之二維形狀誤差的複數個鏡格區域對應。
9. 如申請專利範圍第8項之投影曝光裝置用光罩，其中，上述複數個變形遮罩圖案具有一種遮罩圖案，其與相對於原 設計之鏡格區域有垂直偏離度或旋轉偏離度的鏡格區域對應。
10. 如申請專利範圍第8項之投影曝光裝置用光罩，其中，上述複數個遮罩圖案具有平行四邊形、菱形、梯形、酒桶形、捲線形中任一種曝光場形狀。
11. 如申請專利範圍第8至10項中任一項之投影曝光裝置用光罩，其中，上述光罩進一步具有遮罩圖案，該遮罩圖案具有與原設計之鏡格區域之形狀相等的曝光場。
12. 一種投影曝光裝置，包括如申請專利範圍第8項之投影曝光裝置用光罩。
13. 一種基板之製造方法，其特徵為：將如申請專利範圍第8項之投影曝光裝置用光罩使用於投影曝光裝置上來製造基板。