KR102333943B1 - 노광장치, 스테이지 교정 시스템, 및 스테이지 교정방법 - Google Patents

노광장치, 스테이지 교정 시스템, 및 스테이지 교정방법 Download PDF

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Abstract

스테이지 구동영역보다 작은 기준 플레이트를 이용하여 스테이지의 구동 정밀도를 교정한다.
기준 플레이트를 이용하여 이동 스테이지의 이동 정밀도 교정정보를 작성하는 교정부를 구비하는 노광장치에 있어서, 이동 스테이지의 제1 계측영역에 적재된 기준 플레이트를 이용하여 제1 교정정보를 작성하고, 제1 계측영역과의 중복영역을 가지는 적어도 하나의 제2 계측영역에 적재된 기준 플레이트를 이용하여 제2 교정정보를 작성하는 교정부를 구비한다.

Description

노광장치, 스테이지 교정 시스템, 및 스테이지 교정방법{EXPOSURE APPARATUS, STAGE CALIBRATION SYSTEM, AND STAGE CALIBRATION METHOD}
본 발명은 노광장치, 스테이지 교정 시스템 및 스테이지 교정방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기준 플레이트를 이용하여 이동 스테이지의 교정정보를 작성하고, 이동 스테이지의 구동 정밀도를 보정하는 노광장치, 스테이지 교정 시스템, 스테이지 교정방법 및 교정 시 사용하는 교정 지그에 관한 것이다.
종래의 반도체 패키지 기판 등을 제조하는 리소그래피 공정에서는 스텝 앤드 리피트 방식의 축소 투영 노광장치, 스텝 앤드 스캔 방식의 투영 노광장치 등이 주로 이용되고 있다.
이러한 노광장치에서는 이미 기판 상에 형성되어 있는 회로패턴과, 그 위에 중첩되어 노광되는 회로패턴의 위치정렬, 즉 중첩에 높은 정밀도가 요구된다.
지금까지의 노광장치는 레이저 간섭계를 이용하여 피노광 기판을 유지하는 기판 스테이지의 위치를 계측함으로써 고정밀 중첩을 실현하였으나, 레이저 간섭계의 빔 광로 상의 분위기 온도변동(공기변동)에 기인하는 계측값의 단기적인 변동을 무시할 수 없게 되었다.
그래서 간섭계에 비해 공기변동의 영향을 받기 어려운 인코더를 이용하여 웨이퍼 스테이지의 위치계측을 수행하고, 기존의 위치 관계에 있는 복수의 마크가 부여된 기준 웨이퍼를 이용하여 기판 스테이지를 위치결정 하면서 복수의 마크를 각각 검출하고, 검출한 위치결정 위치와 목표위치로부터 기판 스테이지의 구동 정밀도를 보정하는 교정정보를 작성하는 노광장치가 개발되고 있다 (예를들어 특허문헌 1).
종래의 반도체 패키지 기판은 웨이퍼를 사용하고 있지만, 최근에는 웨이퍼보다 대형의 구형(矩形) 기판의 사용이 시도되고 있다. 더욱 상세하게는, 종래는 이른바 FAN-IN WLP라고 하는 반도체 웨이퍼 상에 재배선, 절연막, 포스트를 형성한 후 개별화하는 패키지 기술이 이용되었지만, 최근에는 이른바 FAN-OUT WLP라고 하는 개별화된 칩을 기판 상에 재구성하고 재배선, 절연막, 포스트를 형성하는 패키지 기술이 이용되며, 이러한 경우 재구성하기 위한 기판 웨이퍼뿐 아니라 보다 대형의 구형형상의 기판을 사용하는 것이 시도되고 있다.
기판의 대형화에 따라 노광장치의 기판 스테이지가 대형화되고, 노광시의 기판 스테이지 구동영역도 커지고 있다. 따라서 기판 스테이지의 교정에 사용되는 기준 플레이트 (기준 웨이퍼와 동일하게 기존의 위치관계에 있는 복수의 마크가 부여된 플레이트)의 대형화가 요구되고 있다. 또한, 레티클 스테이지에 대해서도 동일하며, 노광영역의 확대 또는 축소 투영 광학계의 고배율화에 따라 레티클 스테이지가 대형화되고 있기 때문에 교정을 위한 기준 플레이트의 대형화가 요구되고 있다.
일본 공개특허공보 특개 2009-164306호
기준 플레이트에 복수의 마크를 형성할 때 포토 리소그래피 공정을 이용하지만, 대형의 판형 부재는 열팽창 등의 영향으로 왜곡이 생기기 쉽다. 또한, 포토 리소그래피 장비도 대형 스테이지를 사용하기 때문에 기준 플레이트 상에 묘사된 마크의 위치오차가 커지기 쉽다. 따라서, 대형의 기준 플레이트는 소형의 기준 플레이트에 비해 기준마크의 배열 오차가 발생하기 쉽다.
따라서, 교정대상의 이동 스테이지(스테이지) 구동영역보다 작은 기준 플레이트를 이용하여 이동 스테이지의 구동영역 전체의 구동 정밀도를 보정하는 것이 바람직하다.
본 발명의 노광장치는 기준 플레이트를 이용하여 이동 스테이지의 이동 정밀도(구동 정밀도)의 교정정보를 작성하는 교정부를 구비하는 노광장치에 있어서, 이동 스테이지의 제1 계측영역에 적재한 기준 플레이트를 이용하여 제1 교정정보를 작성하고, 제1 계측영역과의 중복영역을 가지는 적어도 하나의 제2 계측영역에 적재한 기준 플레이트를 이용하여 제2 교정정보를 작성하는 교정부를 구비한다. 바람직하게는 이동 스테이지의 적재면(기준 플레이트, 기판, 레티클 등을 적재하는 면)을 복수로 분할(예를 들어 사분할)한 복수의 제2 계측영역을 가진다. 또한, 본 발명의 노광장치는 이동 스테이지에 적재한 기준 플레이트의 복수의 마크위치를 이동 스테이지의 이동에 따라 검출하는 검출부를 구비하고, 교정부가 검출한 마크위치와, 그 때의 이동 스테이지 위치와의 관계에서 이동 스테이지의 이동 정밀도를 보정하는 보정 맵을 작성한다. 또한, 교정부가 제1 교정정보와 제2 교정정보에 기초하여 이동 스테이지의 제1 계측영역과 제2 계측영역을 합친 영역에 대응하는 교정정보를 작성한다.
이러한 노광장치에 의해 기준 플레이트가 이동 스테이지의 판상체를 적재하는 면(즉, 이동 스테이지의 구동범위)에 대해 작은 경우라도, 이동 스테이지의 이동 정밀도를 교정할 수 있다.
또한, 본 발명의 노광장치는, 교정부가 제2 계측영역에 적재된 기준 플레이트의 중복영역에 위치하는 마크의 위치에 따라, 제2 계측영역에 적재된 기준 플레이트의 위치오차를 보정하여 제2 교정정보를 작성한다. 이러한 노광장치로 인해 상이한 계측영역에 기준 플레이트를 적재함에 따른 오차를 보정하고, 제1 계측영역을 기준으로 다른 계측영역에 대응하는 교정정보를 작성할 수 있다.
본 발명의 스테이지 교정 시스템은, 기준 플레이트를 이용하여 이동 스테이지를 교정하는 스테이지 교정 시스템에 있어서, 이동 스테이지의 제1 계측영역에 적재한 기준 플레이트를 이용하여 제1 교정정보를 작성하고, 제1 계측영역과의 중복영역을 가지는 적어도 하나의 제2 계측영역에 적재한 기준 플레이트를 이용하여 제2 교정정보를 작성하는 교정부를 구비한다. 이러한 스테이지 교정 시스템으로 인해 기준 플레이트가 이동 스테이지에 대해 작은 경우라도 이동 스테이지의 이동 정밀도를 교정할 수 있다.
또한, 본 발명의 스테이지 교정방법은, 이동 스테이지의 제1 계측영역에 기준 플레이트를 적재하는 단계와, 검출수단이 기준 플레이트의 복수의 마크 위치를 이동 스테이지의 이동에 따라 검출하는 단계와, 교정수단이 복수의 마크 위치에서 제1 계측영역에 대응하는 제1 교정정보를 작성하는 단계와, 제1 계측영역과 부분적으로 중복하는 중복영역을 가지는 적어도 하나의 제2 계측영역에 기준 플레이트를 적재하는 단계와, 검출수단이 복수의 마크 위치를 이동 스테이지의 이동에 따라 검출하는 단계와, 교정수단이 복수의 마크 위치에서 제2 계측영역에 대응하는 제2 교정정보를 작성하는 단계, 및 교정수단이 제1 교정정보와 제2 교정정보에 기초하여 이동 스테이지의 이동 정밀도를 보정하는 교정정보를 작성하는 단계를 포함한다.
이러한 교정방법으로 인해, 기준 플레이트의 크기보다 넓은 영역에 대응한 교정정보를 작성할 수 있다.
또한 제2 계측영역에 기준 플레이트를 적재하는 단계에서는 복수의 기준 플레이트를 상기 적재부에 적재하도록 하면 더욱 작업 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 교정방법은 검출수단이 복수의 제2 계측영역의 중복영역에 위치하는 마크의 위치를 검출하는 단계와, 교정부가 중복영역의 복수의 마크 위치에 따라 제2 계측영역에 적재한 각 기준 플레이트의 마크위치 오차를 구하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 각 기준 플레이트의 마크위치 오차(기준 플레이트의 설치오차를 포함함)를 보정하고, 제1 계측영역을 기준으로 다른 계측영역에 대응하는 교정정보를 작성할 수 있다.
또한 제2 계측영역에 복수의 기준 플레이트를 적재하는 대신에 판형상의 기재(基材)와, 복수의 기준 플레이트를 구비하고, 기재를 적재부에 적재할 때 복수의 계측영역(제2 계측영역)에 따른 위치에 기준 플레이트가 각각 위치하도록, 기재에 기준 플레이트가 고정된 교정 지그를 사용할 수도 있다. 이와 같은 지그를 이용함으로써 작업성을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 이동 스테이지의 구동영역보다 작은 기준 플레이트를 이용하여 이동 스테이지의 구동 정밀도를 보정하기 위한 교정정보를 정밀하게 작성하고, 기판 스테이지의 구동 정밀도를 보정하는 것이 가능하다.
도 1은, 본 발명의 노광장치의 개략 블록도이다.
도 2는, 제1 실시예의 기준 플레이트(SP)와 기준 플레이트(SP)에 배열된 기준마크(Mij)를 나타내는 도면이다.
도 3은, 제1 실시예의 기판 스테이지(40)와 계측영역(AS1 내지 AS5)을 나타내는 도면이다.
도 4는, 제1 실시예의 기판 스테이지(40)의 계측영역(AS1)에 기준 플레이트(SP)가 적재된 상태를 나타내는 도면이다.
도 5는, 제1 실시예의 계측영역(AS1)의 보정 맵(CM1)의 일부 데이터를 나타내는 표이다.
도 6은, 제1 실시예의 기판 스테이지(40)의 계측영역(AS2)에 기준 플레이트(SP)가 적재된 상태를 나타내는 도면이다.
도 7은, 제1 실시예의 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도의 교정방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 8은, 제2 실시예의 기판 스테이지(40)에 기준 플레이트(SPa 내지 SPd)를 배치한 상태를 나타내는 도면이다.
도 9는, 제2 실시예의 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도의 교정방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 10은, 제3 실시예의 제2 기준 플레이트(SP2)를 나타내는 도면이다.
도 11은, 제3 실시예의 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도의 교정방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 12는, 기판 스테이지(40)의 전체영역(AS)을 다수의 계측영역으로 분할한 예를 나타내는 도면이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다.
<노광장치(10)의 개요>
도 1은 본 실시예인 노광장치(10)의 블록도이다.
노광장치(10)는 포토 마스크로서의 레티클(R)에 형성된 마스크 패턴을 스텝 & 리피트 방식에 따라 기판(워크 기판)(W)에 전사하는 투영 노광장치이고, 방전램프 등의 광원(20)과, 투영 광학계(34)를 구비하고 있다. 레티클(R)은 석영재 등으로 구성되어 있고, 차광영역을 가지는 마스크 패턴이 형성되어 있다. 기판(W)은 여기에서는 실리콘, 세라믹, 유리 또는 수지제의 기판 등이 적용된다.
광원(20)으로부터 방사된 조명광은 거울(22)을 통해 적분기(24)에 입사하여 조명광의 양이 균일하게 된다. 균일하게 된 조명광은 거울(26)을 통해 콜리메이터 렌즈(28)에 입사한다. 이에 따라, 평행광이 레티클(R)에 입사된다. 광원(20)은 램프 구동부(21)에 의해 구동 제어된다.
레티클(R)을 탑재한 레티클 스테이지(30), 기판(W)을 탑재한 기판 스테이지(40)에는 서로 직교하는 X-Y-Z의 3 축 좌표계가 규정되어 있다. 레티클 스테이지(30)는 레티클(R)을 초점면에 따라 이동하도록 X-Y 방향으로 이동가능하며, 구동부(32)에 의해 구동된다. 또한, 레티클 스테이지(30)는 X-Y 좌표평면에 있어서 회전도 가능하다. 레티클 스테이지(30)의 위치좌표는 여기에서는 레이저 간섭계(미도시) 또는 리니어 엔코더(미도시)에 의해 측정된다.
레티클(R)을 투과한 광은 투영 광학계(34)에 의해 기판(W)에 패턴 광으로 투영된다. 기판(W)은 그 노광면이 투영 광학계(34)의 이미지 측(像側) 초점 위치와 일치하도록 기판 스테이지(40)에 탑재되어 있다.
기판 스테이지(40)(이동 스테이지)는 기판(W)을 초점면에 따라 이동하도록 X-Y 방향으로 이동가능하며, 스테이지 구동부(42)(구동부)에 의해 구동된다. 또한 기판 스테이지(40)는 초점면(X-Y방향)으로 수직인 Z축 방향(투영 광학계(34)의 광축방향)으로 이동가능하며, 또한, X-Y 좌표 평면에 있어서 회전할 수도 있다. 기판 스테이지(40)의 위치좌표는 레이저 간섭계 또는 리니어 엔코더에 의한 계측부(43)에 의해 측정된다.
제어부(50)는 스테이지 구동부(42)를 제어하여 레티클(R), 기판(W)을 위치 결정함과 동시에 램프 구동부(21)를 제어한다. 그리고 스텝 & 리피트 방식에 따른 노광동작을 수행한다. 이 때, 기판 스테이지(40)의 이동에 따라 계측부(43)가 그 이동량을 계측하고 제어부(50)에 출력한다. 제어부(50)에 구비된 기억부(51)에는 레티클(R)의 마스크 패턴 위치좌표, 기판(W)에 형성된 쇼트 영역의 설계상의 위치좌표, 스텝 이동량 등이 기억되어 있다. 또한, 제어부(50)에는 후술하는 교정정보를 산출하는 교정수단(교정부)(52)이 구비되어 있다.
촬상부(36)는 기판(W)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬상하는 카메라 또는 광학센서이며, 쇼트 노출 전에 얼라인먼트 마크를 촬상한다. 또한 촬상부(37)는 레티클(R)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬상하는 카메라 또는 광학센서이고, 도시하지 않은 이동기구에서 도 1의 X 방향으로 이동가능하게 설치되어 있다. 화상 처리부(38)는 촬상부(36) 또는 촬상부(37)에서 송신되는 화상신호에 기초하여 얼라인먼트 마크의 위치좌표를 산출한다. 여기서, 촬상부(36)와 촬상부(37) 및 화상 처리부(38)를 모두 마크위치 검출수단이라고 칭한다.
노광장치(10)는 스텝 & 리피트 방식에 따라 기판(W)에 형성된 각 쇼트 영역에 레티클(R)의 마스크 패턴을 순차 전사해 간다. 즉, 제어부(50)는 스테이지 구동부(42)를 통해 쇼트 공간 간격에 따라 기판 스테이지(40)를 간헐적으로 이동시키고, 마스크 패턴의 투영위치에 노출대상이 되는 쇼트 영역이 위치결정 되면, 광원(20)을 구동하여 패턴광을 쇼트 영역에 투영시킨다.
얼라인먼트 측정 시에는, 계측부(43)는 기판 스테이지(40)의 XY 평면내에서의 위치(X, Y, θz)를 산출한다.
다음으로, 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도를 보정하기 위한 교정정보를 작성하는 방법에 대해 설명한다. 해당 방법을 설명하기 앞서 상기 방법에 이용되는 기준 플레이트에 대해서 설명한다.
도 2에는 기준 플레이트(SP)의 일례가 도시되어 있다. 기준 플레이트(SP)는 기판 스테이지(40)보다 작은 판형 부재이다. 기준 플레이트(SP)의 부재로 유리, 실리콘, 세라믹 등이 이용된다. 도 2는 구형의 예를 도시하고 있지만, 원형이나 다각형일 수도 있다.
기준 플레이트(SP)는 도 2에 도시한 바와 같이, m×n개의 기준마크(Mij)가 부여된다. 이들 기준마크는 X방향으로 m개가 늘어선 기준마크열과, Y방향으로 n개가 늘어선 기준마크의 열이 서로 직교하는 2 차원 매트릭스 형태의 위치관계에 있다.
기준마크(Mij)는 기준 플레이트(SP)의 표면에 촬상부(36)에서 촬상했을 때 콘트라스트가 상이한(기준 플레이트(SP)의 표면과 상이한 광 반사율을 가짐) 패턴으로 형성되어 있다. 기준마크(Mij)는 화상 처리부(38)에서 마크로 인식가능한 패턴형상이다 (예를 들어 원형, 구형(矩形), 십자형 등). 또한 기준마크(Mij)의 크기는 촬상부(36)의 촬상시야의 크기에 따라 적절하게 설정된다.
기준마크 배열의 피치(Px, Py)는 기판 스테이지(40)의 설계사양 또는 노광되는 기판 등에 따라 적절히 설정된다. 예를 들어, 패키지 기판의 제조인 경우, 칩의 배열 피치와 동일한 피치 기준마크(Mij)를 구비할 수도 있다. 이 때 기준마크(Mij)의 중심은 칩 중심에 근접한 위치에 구비될 수 있으며, 또는 노광하는 패키지에 구비되는 얼라인먼트 마크에 따른 위치에 구비할 수도 있다. 또는, 노광하는 기판에 상관없이 일률적으로, 예를 들어 10mm 피치로 기준마크를 구비할 수도 있다.
<제1 실시예>
다음으로, 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도를 교정하기 위한 교정정보를 작성하는 제1 실시예에 대해서 도3 내지 도 6의 개략도 및 도 7의 플로우차트를 이용하여 설명한다.
이하, 제1 실시예의 구성을 설명한다.
도 3은, 기판 스테이지(40)의 계측영역을 나타내는 도이다. 기판 스테이지(40)의 중앙부에 계측영역(AS1)이 구비되고, 또한 기판 스테이지(40)의 전체영역(AS)을 4 분할하여 계측영역(AS1)과 중복되는 영역을 갖도록 계측영역(AS2 내지 AS5)이 구비되어 있다. 여기서, 계측영역이란, 마크 위치를 계측하는 범위를 나타내는 영역이지만, 동시에 마크위치를 계측하기 위해 이동 스테이지의 구동 시 구동영역을 나타내는 영역이기도 하다.
다음으로, 제1 실시예에 따른 교정방법의 순서를 설명한다 (도 7참조).
단계 S101. 먼저 도 4와 같이 기준 플레이트(SP)를 기판 스테이지(40) 상의 중앙부의 계측영역(AS1)에 설치한다. 이때 기준마크 배열의 X방향의 열과 Y방향의 열이 X축 및 Y축과 각각 평행하도록 기준 플레이트(SP)의 방향(회전)을 대략 맞춘 상태에서 기판 스테이지(40)위에 설치한다. 이 때 후술하는 방법에 따라 기준 플레이트(SP)의 2점의 기준마크의 위치를 구하고, 기준 플레이트(SP)의 XYθ을 보정하도록 할 수 있다. 또한, 기준 플레이트(SP)는 반송장치(미도시)를 통해 기판 스테이지(40)상으로 이동할 수도 있고, 또는 작업자가 직접 기판 스테이지(40)상에 설치할 수도 있다.
단계 S102. 다음으로, 스테이지 구동부(42)에 의해 촬상부(36)가 소정의 기준마크(예를 들어 기준마크(M11))를 촬상하는 위치로 기판 스테이지(40)를 이동시킨다. 다음으로 촬상부(36)가 기준 플레이트(SP)를 촬상하고, 화상 처리부(38)가 기준마크(Mij)의 위치를 산출한다. 제어부(50)는 화상 처리부(38)에서 송신된 기준마크(Mij)의 위치정보를 기억부(51)에 저장한다. 다음으로, 제어부(50)가 계측부(43)의 계측하는 기판 스테이지(40)의 현위치를 참조하면서 스테이지 구동부(42)를 제어하고, 기판 스테이지(40)를 기준 플레이트(SP)의 기준마크(Mij)의 배열에 따라 소정 거리(기준마크 배열의 설계 피치(Px) 또는(Py)) 이동시킨다. 전단계와 동일하게 하여 촬상부(36)가 기준 플레이트(SP)를 촬상하고, 화상 처리부(38)가 기준마크(Mij)의 위치를 산출하고 기억부(51)에 저장한다. 이렇게 하여 기판 스테이지(40)의 스텝이동을 반복하여 기준 플레이트(SP)의 모든 기준마크의 위치를 측정하고 위치 정보를 기억부(51)에 저장한다.
또한, 계측영역(AS1)은 다른 계측영역을 측정할 때 기준이 되는 계측영역이기 때문에, 특히 정밀하게 측정할 필요가 있다. 따라서 상기 단계(S102)를 여러번(예를들면 3회) 반복하고, 기준마크(Mij)마다 측정값의 평균을 내어 이를 기준마크 배열의 위치정보로 할 수도 있다.
단계 S103. 다음으로, 제어부(50)에 접속된 교정수단(52)이, 기억부(51)에 미리 기억된 기준마크 배열의 설계좌표 데이터와, 단계 S102에서 계측된 기준마크(Mij)의 실제 스텝이동 후 위치좌표 데이터의 차분을 구한다. 상기 차분이 바로 기준마크(Mij)위치에서의 스테이지 이동오차(Dij(ΔXij, ΔYij))가 된다. 다음으로, 교정수단(52)은 상기 스테이지 이동오차(Dij)의 부호를 반전한 값인 보정값(Rij(-ΔXij, -ΔYij))을 산출한다. 이 Rij를 각 기준마크(Mij) 대해서 각각 산출하고, 다음으로 기준마크 배열에 따라 보정값(Rij)을 배열하여 계측영역(AS1)의 보정맵(CM1)을 작성하고 기억부(51)에 저장한다.
도 5는 보정 맵(CM1)의 일례를 표로 나타내는 것이다. 이 표에서는 보정 맵(CM1) 중 기준마크 배열(M11 내지 M35)의 범위의 보정값(ΔX,-ΔY)을 예로 보여주고 있다. 예를 들어, 기준마크(M11)에서의 보정값(R11(-ΔX11,-ΔY11))은 표에 따르면(0.24, - 0.12)[μm]이다. 또한 M11의 기판 스테이지(40)에서의 위치는 스테이지 좌표(X, Y)로 표시되며, (187.0,112.0)[mm]이다.
단계 S104. 다음으로, 도 6과 같이 기준 플레이트(SP)를 기판 스테이지(40) 상의 계측영역(AS2)에 설치한다.
단계 S105. 다음으로, 스테이지 구동부(42)가 촬상부(36)가 소정의 기준마크(예를 들어 기준마크(M11))를 촬상하는 위치로 기판 스테이지(40)를 이동시킨다. 그 후, 기억부(51)에 미리 기억된 기준마크 배열의 설계좌표에 따라 제어부(50)가 스테이지 구동부(42)를 통해 기판 스테이지(40)를 구동하고, 촬상부(36)가 계측영역(AS1)과 계측영역(AS2)의 중복영역(AS2a)에 존재하는 적어도 2점(십자마크 등의 자세각도가 명백한 마크인 경우는 적어도 1점)의 기준마크를 촬상하고 화상 처리부(38)가 그 위치를 측정한다. 이 때, X방향 또는 Y방향에 쌍을 이루는 복수의 기준마크의 위치를 계측하면 계측 정밀도를 높일 수 있으므로 바람직하다. 예를 들어, 도 5에서 M11과 M41, M12와 M42의 2쌍이 X방향으로 쌍을 이루는 기준마크에 해당한다. 또한 M11 및 M12, M21 및 M22, M31 및 M32, M41과 M42의 4쌍이 Y방향에 쌍을 이루는 기준마크에 해당한다.
단계 S105에서의 계측 시, 보정 맵(CM1)을 토대로 기존의 보간처리(예를 들면 선형 보간)를 수행하여 기판 스테이지(40)의 현위치에 따른 보정값을 산출하고, 그 보정값을 이용하여 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도를 교정한다. 여기서, 구동 정밀도의 교정은, 계측부(43)의 계측결과를 제어부(50)에서 보정하는 것(즉 계측량의 보정) 또는 제어부(50)가 스테이지 구동부(42)에 기판 스테이지(40)의 이동을 지령할 때, 목표값을 보정하는 것(즉, 구동량의 보정)을 의미한다. 어느 보정방법을 이용하여도 무방하지만, 여기에서는 구동량의 보정을 수행하는 것을 전제로 설명한다.
단계 S106. 다음으로 제어부(50)가 복수의 기준마크를 잇는 선분의 각도를 산출한다. 다음으로 X방향 및 Y방향의 선분에서 기판 스테이지(40)의 X축 및 Y축에 대한 기준 플레이트(SP)의 설치각도 및 설치위치를 산출한다. 그 후, 제어부(50)가 기억부(51)에 저장되어 있는 기준마크 배열의 설계좌표 데이터와, 기준 플레이트의 설치각도 및 위치를 토대로, 다음 단계 S107에서 사용하는 기판 스테이지(40)의 이동목표 좌표데이터(즉, 기준마크 배열의 설계 좌표 데이터)의 보정을 수행한다.
단계 S107. 다음으로 단계 S102에서 설명한 것과 동일하게 하여 기준 플레이트(SP)의 모든 기준마크의 위치를 측정하고 위치정보를 기억부(51)에 기억한다.
단계 S108. 다음으로 단계 S103에서 설명한 바와 같이, 제어부(50)에 접속된 교정수단(52)이 계측영역(AS2)의 보정 맵(CM2)을 작성하고 기억부(51)에 기억한다.
단계 S109, S110. 계측영역(AS3 내지 AS5)에 대해서도 동일한 처리를 수행한다. 즉, 모든 계측영역의 보정 맵 작성이 완료하였는지를 판정하고(단계 S109), 종료하지 않은 경우에는 나머지 계측영역에 대해서도 순차적으로 단계 S105 내지 단계 S108과 마찬가지로 기준 플레이트(SP)를 측정하여 보정 맵(CM3 내지 CM5)을 작성하고 기억부(51)에 기억한다(단계 S110).
단계 S111. 제어부(50)는 보정 맵(CM1 내지 CM5)을 토대로 기판 스테이지(40) 전체영역(AS)의 보정 맵을 작성한다. 계측영역의 중복부에 대해서는 보정 맵(CM1)을 사용한다. 이 때, 보정 맵의 경계부분은 인접하는 2개의 보정 맵의 비선형 보정을 수행한다.
상술한 바와 같이 하여, 기판 스테이지(40)의 보정 맵이 기억부(51)내에 저장된다. 그리고 예를 들어, 웨이퍼의 노광 시 등, 그 보정 맵을 이용하여 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도가 교정된다.
여기서, 상기의 실시예에서는 보정 맵(CM1 내지 CM5)의 5개의 보정 맵을 기초로 기판 스테이지(40) 전체영역(AS)의 보정 맵을 작성하였으나, 이를 보정 맵(CM2 내지 CM5)의 4개의 보정 맵에 의해 기판 스테이지(40) 전체영역(AS)의 보정 맵을 작성하도록 할 수 있다.
<제2 실시예>
제1 실시예에서는 기판 스테이지(40)상에서 한 장의 기준 플레이트(SP)의 적재위치를 변경함으로써 계측영역(AS1 내지 AS5)의 스테이지 이동오차를 순서대로 계측하였다. 제2 실시예에서는, 도 8과 같이 복수의 기준 플레이트(Spa)(기준 플레이트(Spa)는 기준 플레이트(SP)를 사용할 수도 있음)(SPb, SPc, SPd)를 이용하여 계측영역(AS2 내지 AS5)의 스테이지 이동 오차계측을 연속적으로 실시한다.
이러한 경우, 기준 플레이트(SPa 내지 SPd)는 기준마크의 배열에 있어서 기준 플레이트(SP)와 동일한 특성으로 간주하는 것이 바람직하다. 또한, 기판 스테이지(40)상에 적재한 경우 촬상하는 기준마크의 배열에 개체 차이가 나지 않도록 동일한 재질, 동일한 판 두께로 평면도가 양호한 것이 바람직하다.
제2 실시예에 따른 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도를 교정하기 위한 교정정보를 작성하는 방법을 도 9를 참고하여 설명한다. 단계 S201 내지 S203은 제1 실시예의 단계 S101 내지 단계 S103과 동일한 절차를 가진다. 다음으로, 계측영역(AS2 내지 AS5)에 기준 플레이트(SPa 내지 SPd)를 각각 적재한다 (단계 S204).
다음으로, 제1 실시예의 단계 S105 내지 단계 S110과 동일하게 하여 각 계측영역의 보정 맵을 작성하고, 단계 S111과 동일하게 하여 기판 스테이지(40) 전체영역(AS)의 보정 맵을 작성한다(단계 S205 내지 S209).
제2 실시예에 따르면, 기판 스테이지(40)에 기준 플레이트의 적재를 하나의 공정에서 수행하고, 연속하여 마크위치의 계측이 가능하기 때문에 작업성이 향상된다. 또한, 교정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.
<제3 실시예>
제2 실시예에서는 계측영역(AS2 내지 AS5)의 스테이지 이동오차의 계측을 복수의 기준 플레이트(SPa 내지 SPd)를 이용하여 연속적으로 실시하였으나, 제3 실시예에서는 상기 복수의 기준 플레이트를 한 장의 기재 상에 고정하여 하나의 기준 플레이트로 다룬다.
도 10은, 제2 기준 플레이트(SP2)의 일례이다. 제2 기준 플레이트(SP2)는 기판 스테이지(40)의 기판 적재면과 동일한 정도의 크기의 기재(PB) 및 상기 기재(PB)에 붙여서 고정되어 있는 4 개의 기준 플레이트 부재(PSP1 내지 PSP4)로 구성된다.
제2 기준 플레이트(SP2)를 기재(PB)는 기준 플레이트 부재(PSP1 내지 PSP4)와 근접한 열팽창 계수의 재료를 사용하면 좋고, 예를 들면 세라믹이 이용된다.
제2 기준 플레이트(SP2)의 기준 플레이트 부재(PSP1 내지 PSP4)는 각각 기준 플레이트(SP)와 동일한 피치로 동일한 형상의 기준마크(M2ij)가 2 차원 매트릭스 형태로 형성되어 있다. 제2 기준 플레이트(SP2)의 기준 플레이트 부재(PSP1 내지 PSP4)는 기준 플레이트(SP)와 동일한 재료, 동일한 제조법으로 제조하는 것이 바람직하다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 기준 플레이트 부재(PSP1 내지 PSP4)에는 접착 등의 공정에 기인하여 서로 상이한 설치 오차가 발생할 수 있다. 이 때문에, 제2 기준 플레이트(SP2)를 한 장의 연속된 기준 플레이트로 간주하여 사용할 수 없다. 따라서 제2 실시예와 마찬가지로, 기준 플레이트 부재(PSP1 내지 PSP4)에 대해서 기판 스테이지(40)로 적재오차를 각각 구하고, 각 적재오차에 따라 기준 플레이트 부재(PSP1 내지 PSP4)마다 스테이지 이동오차를 계측함으로써 기판 스테이지(40)의 보정 맵을 작성한다.
제3 실시예에 따른 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도를 교정하기 위한 교정정보를 작성하는 방법에 대해서 도 11을 참조하여 설명한다. 단계 S301 내지 S303은 제2 실시예의 단계 S201 내지 단계 S203과 동일한 절차이다. 다음은 전체영역(AS)에 제2 기준 플레이트(SP2)를 각각 적재한다 (단계 S304). 다음으로 제2 실시예의 단계 S205 내지 단계 S209와 동일하게 하여 각 계측영역의 보정 맵을 작성하고, 기판 스테이지(40) 전체영역(AS)의 보정 맵을 작성한다 (단계 S305 내지 S309).
제3 실시예에 따르면, 기판 스테이지(40)로 기준 플레이트의 적재를 한번에 수행할 수 있기 때문에, 보다 작업성이 향상된다. 또한 교정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에 따르면, 스테이지 구동영역보다 작은 기준 플레이트를 사용하여도 이동 스테이지의 구동 정밀도를 보정하기 위한 교정정보를 작성하는 것이 가능하게 된다.
또한, 이동 스테이지가 기판 스테이지(40)인 경우를 예로 들어 설명하였으나, 레티클 스테이지(30)도 동일한 방법으로 구동 정밀도를 교정할 수 있다. 이러한 경우, 촬상부(37)를 이용하여 레티클 스테이지 상에 적재한 기준 플레이트의 마크를 검출한다.
또한, 기판 스테이지(40)를 4분할한 영역이 제2 계측영역인 경우를 예로 들어 설명하였으나, 분할수 또는 배치는 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 12와 같이 기판 스테이지(40)를 중앙부의 제1 계측영역(AS1)과, 제1 계측영역과 부분적으로 중복하는 제2 계측영역(AS2 내지 AS5)과, 제2 계측영역 중 하나와 부분적으로 중복하는 제3계측영역(AS6 내지 AS13)을 구비하여도 좋다. 이러한 경우 교정부(52)는 계측영역(AS1내지 AS2)에 대응하는 보정 맵(CM1 내지 CM13)에 기초하여 구동부의 구동 정밀도를 보정하는 교정정보를 작성한다.
또한, 노광장치의 용도로서 반도체 패키지 제조용의 노광장치로 한정되지 않고, 액정표시 패널용 노광장치, 프린트 기판용 노광장치 등에도 널리 적용할 수 있다.
또한 노광장치(10)는 실시예의 투영 노광장치로 한정하는 것이 아니며, 예를 들어, 레티클이 없는 마스크리스 노광장치도 본 발명을 실시할 수 있다. 또한, 본 발명은 노광장치 이외의 장치의 스테이지 교정 시스템으로서 이용하는 것도 가능하다.
10: 투영 노광장치
38: 화상 처리부
40: 기판 스테이지
42: 스테이지 구동부
43: 계측부
50: 제어부
51: 기억부
52: 교정수단(교정부)
SP: 기준 플레이트
SP2: 제2 기준 플레이트
Mij: 기준마크
PSP1 내지 PSP4: 기준 플레이트 부재
R: 레티클
AS1 내지 AS13: 계측영역

Claims (10)

  1. 행과 열이 서로 직교하는 2 차원 매트릭스 형태의 위치 관계를 갖는 기준마크가 부여된 기준 플레이트를 이용하여 이동 스테이지의 이동 정밀도의 교정정보를 작성하는 교정부를 구비하는 노광장치에 있어서,
    상기 이동 스테이지의 제1 계측영역에 적재된 상기 기준 플레이트를 이용하여 제1 교정정보를 작성하고, 상기 제1 교정정보의 작성이 완료된 이후, 상기 제1 계측영역에서, 상기 제1 계측영역과 부분적으로 중복하는 중복영역을 가지는 적어도 하나의 제2 계측영역으로 이동되어 적재된 상기 기준 플레이트를 이용하여 제2 교정정보를 작성하는 상기 교정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 교정부가, 상기 제2 계측영역에 적재된 상기 기준 플레이트에 부여된 복수의 기준마크 중, 상기 중복영역에 위치하는 기준마크의 위치를 기초로, 상기 제2 계측영역에 적재된 상기 기준 플레이트의 위치오차를 보정하여 상기 제2 교정정보를 작성하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 교정부가, 상기 제1 교정정보와 상기 제2 교정정보를 기초로 상기 이동 스테이지의 상기 제1 계측영역과 상기 제2 계측영역을 합친 영역에 대응하는 상기 교정정보를 작성하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 교정부가, 상기 이동 스테이지의 적재면을 복수로 분할한 복수의 상기 제2 계측영역을 기초로 상기 제2 교정정보를 작성하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 이동 스테이지에 적재된 상기 기준 플레이트에 부여된 복수의 기준마크의 위치를 상기 이동 스테이지의 이동에 따라 검출하는 검출부를 구비하고,
    상기 교정부가 검출한 상기 마크위치와, 그 때의 상기 이동 스테이지 위치의 관계에서 상기 이동 스테이지의 이동 정밀도를 보정하는 보정 맵을 작성하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  6. 행과 열이 서로 직교하는 2 차원 매트릭스 형태의 위치 관계를 갖는 기준마크가 부여된 기준 플레이트를 이용하여 이동 스테이지를 교정하는 스테이지 교정 시스템에 있어서,
    상기 이동 스테이지의 제1 계측영역에 적재된 상기 기준 플레이트를 이용하여 제1 교정정보를 작성하고, 상기 제1 교정정보의 작성이 완료된 이후, 상기 제1 계측영역에서, 상기 제1 계측영역과 부분적으로 중복하는 중복영역을 가지는 적어도 하나의 제2 계측영역으로 이동되어 적재된 상기 기준 플레이트를 이용하여 제2 교정정보를 작성하는 교정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 스테이지 교정 시스템.
  7. 이동 스테이지의 제1 계측영역에, 행과 열이 서로 직교하는 2 차원 매트릭스 형태의 위치 관계를 갖는 기준마크가 부여된 기준 플레이트를 적재하는 단계와,
    검출수단이 상기 기준 플레이트에 부여된 복수의 기준마크의 위치를 상기 이동 스테이지의 이동에 따라 검출하는 단계와,
    교정부가 상기 복수의 기준마크의 위치에서 상기 제1 계측영역에 대응하는 제1 교정정보를 작성하는 단계와,
    상기 제1 교정정보의 작성이 완료된 이후, 상기 기준 플레이트를, 상기 제1 계측영역에서, 상기 제1 계측영역과 부분적으로 중복하는 중복영역을 가지는 적어도 하나의 제2 계측영역으로 이동하여 적재하는 단계와,
    상기 검출수단이 상기 기준 플레이트에 부여된 복수의 기준마크의 위치를 상기 이동 스테이지의 이동에 따라 검출하는 단계와,
    상기 교정부가 상기 복수의 기준마크의 위치에서 상기 제2 계측영역에 대응하는 제2 교정정보를 작성하는 단계와,
    상기 교정부가 제1 교정정보와 제2 교정정보를 기초로 상기 이동 스테이지의 이동 정밀도를 보정하는 교정정보를 작성하는 단계
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 스테이지 교정방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 이동 스테이지가 복수의 제2 계측영역을 갖는 경우,
    상기 복수의 제2 계측영역 각각으로, 복수의 기준 플레이트를 적재하는 단계
    를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 스테이지 교정방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 검출수단이, 상기 복수의 제2 계측영역에 적재된 각 기준 플레이트에 부여된 복수의 기준마크 중, 상기 중복영역에 위치하는 기준마크의 위치를 검출하는 단계와,
    상기 교정부가 상기 검출된 기준마크의 위치에 따라 상기 복수의 제2 계측영역에 적재된 각 기준 플레이트의 마크위치 오차를 구하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 스테이지 교정방법.
  10. 삭제
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009164306A (ja) 2007-12-28 2009-07-23 Nikon Corp 較正方法、移動体駆動方法及び移動体駆動装置、露光方法及び露光装置、パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法
JP2011129654A (ja) 2009-12-16 2011-06-30 Canon Inc 位置計測装置およびそれを用いた露光装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5751404A (en) * 1995-07-24 1998-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates
KR100525521B1 (ko) * 1996-10-21 2006-01-27 가부시키가이샤 니콘 노광장치및노광방법
JP2002280288A (ja) * 2001-03-19 2002-09-27 Nikon Corp 較正用基準ウエハ、較正方法、位置検出方法、位置検出装置、及び露光装置
US7894075B2 (en) * 2006-12-11 2011-02-22 Zygo Corporation Multiple-degree of freedom interferometer with compensation for gas effects
US7684011B2 (en) * 2007-03-02 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Calibration method for a lithographic apparatus
JP2010192470A (ja) * 2009-02-13 2010-09-02 Canon Inc 計測装置、露光装置及びデバイスの製造方法
US8514395B2 (en) * 2009-08-25 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP3177293U (ja) * 2012-05-16 2012-07-26 株式会社エイチアンドエフ カメラキャリブレーション用ボード
JP6309740B2 (ja) * 2013-11-01 2018-04-11 ビアメカニクス株式会社 直接描画露光装置
WO2017056473A1 (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 日本電気株式会社 カメラ校正用ボード、カメラ校正用装置、カメラ校正用方法、及びカメラ校正用プログラム記録媒体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009164306A (ja) 2007-12-28 2009-07-23 Nikon Corp 較正方法、移動体駆動方法及び移動体駆動装置、露光方法及び露光装置、パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法
JP2011129654A (ja) 2009-12-16 2011-06-30 Canon Inc 位置計測装置およびそれを用いた露光装置

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