JPH08264431A - 走査投影露光装置 - Google Patents

走査投影露光装置

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JPH08264431A
JPH08264431A JP7093193A JP9319395A JPH08264431A JP H08264431 A JPH08264431 A JP H08264431A JP 7093193 A JP7093193 A JP 7093193A JP 9319395 A JP9319395 A JP 9319395A JP H08264431 A JPH08264431 A JP H08264431A
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JP
Japan
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scanning
plate
plane
magnification
optical system
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JP7093193A
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English (en)
Inventor
Toru Koda
徹 香田
Shinji Tsutsui
慎二 筒井
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 走査方向に垂直な方向の位置の関数で表され
る非線形誤差成分のうちの偶関数成分を補正する。 【構成】 横断面が直線形状ではないスリット形状の露
光光12により、転写用パタ−ンが形成された原版11
を照明する照明光学系と、これによって照明される前記
転写用パターンの像を感光基板10上に所定の倍率で投
影する投影光学系と、前記露光光による照明領域の長手
方向に対して直角あるいは一定角度をなす走査方向に、
前記原版および感光基板を前記投影倍率に応じた速度比
でもって同期させて移動する移動手段とを備えた走査投
影露光装置において、前記投影光学系の倍率を少なくと
も走査方向について補正する倍率補正手段14,19を
備え、これにより、感光基板上に露光転写された像に対
して重ねて露光転写する場合の前記走査方向の結像位置
ずれのうち、前記原版および感光基板間の相対位置の補
正では補正が不能な成分を補正する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路または
液晶表示素子等を、フォトリソグラフィ工程で製造する
際に利用される走査投影露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子および液晶表示素子等
をフォトリソグラフィ技術を用いて製造する際には、フ
ォトマスクまたはレチクルなどの原版(以下、マスクと
いう)のパターンを、投影光学系を介して、フォトレジ
スト等の感光性物質が塗布されたウエハまたは光透過性
プレートに露光転写する投影露光装置が使用されている
が、近年、素子1ケのパターンサイズが大型化する傾向
にある。したがって、投影露光装置に対しては、マスク
上のより大きな面積のパターンを感光基板上に転写露光
する技術が求められている。
【0003】このような大面積化の要求に応えるため、
矩形あるいは一定の幅を有する円弧形状の照明領域(以
下、スリット状露光領域という)に対してマスクおよび
感光基板を投影系倍率に比例する速度で相対的に同期し
て走査すること(以下、同期走査という)により、スリ
ット状露光領域より広い面積のマスクパターンを感光基
板上に露光する、いわゆる、走査露光方式の露光装置の
開発が行われている。この走査露光方式の露光装置にお
いても従来の露光装置に要求されていた高いレベルの重
ね合せ精度が同様に要求されることは言うまでもない。
一般に、半導体素子および液晶表示素子の回路構造は単
層ではなく、初回のリソグラフィ工程で形成されるパタ
ーンを基準として各層毎に異なるマスクを用いて高い寸
法精度で重ね焼きしていく必要がある。このため、最低
2点の位置合せマークを感光基板上に形成し、装置毎に
設けられた基準点からのずれ量を計測することにより、
感光基板を位置合せし、露光を行っている。
【0004】しかしながら、マスク上のより大きな面積
のパターンを感光基板上に露光する技術が求められる現
在では、結像位置の微妙なずれや感光基板の熱膨張、熱
収縮等により、2点で位置合せを行っても、その他の点
でずれが発生してしまう。この現象が起こることを、デ
ィストーションが発生している、と表現する。
【0005】このディストーションのモードとしては、
図8のように感光基板10上に設けられたX−Y座標の
1次関数として表現される単純倍率誤差や、非線形成分
誤差と称されるX−Y座標値の2次以上の成分で表され
る誤差がある。従来の走査露光装置では倍率誤差につい
て、一様な倍率のディストーションは勿論、X方向、Y
方向に関して各々異なる倍率をもつ、いわゆる、偏倍率
誤差に関しても、様々な補正方法が発明され、開示され
ている。
【0006】前記走査露光装置において、非線形成分誤
差としては、マスクおよび感光基板を投影光学系倍率に
比例する速度差で同期走査する(以下単に、同期走査す
る、という)方向の位置の関数で表現されるものがあ
る。この非線形成分誤差に関しては、マスクと感光基板
を同期走査する際にマスク若しくは感光基板をX,Y,
θ方向に非線形成分に応じた微小量だけ同期位置に対し
て相対的に駆動することにより倍率誤差は勿論、非線形
成分も補正可能である。
【0007】図2に示すように、スリット状露光領域1
2の幅方向の中心線をW座標軸、同期走査の方向をY座
標軸、感光基板上でY座標軸に直交する座標軸をX座標
軸として感光基板上に座標軸を設定すると、上記補正可
能な結像位置ずれ成分ΔX,ΔY,Δθは、感光基板上
全面について数1式の通り表される。但し、Y座標値は
W軸からY座標軸に平行な方向の距離を絶対値としたも
のとする。
【0008】
【数1】
【0009】
【発明が解決しようとしている課題】しかし、投影光学
系およびスリット状露光光により同時に露光照射される
方向、すなわちW座標軸に沿った位置の関数で表される
成分の非線形成分については投影光学系のディストーシ
ョン特性を非線形に変更可能としない限り補正が不能で
ある。このため、非線形成分を振り分けて位置ずれ最大
値を小さくするために、計測によりその都度オフセット
を求めたり、予めオフセットを装置定数として登録した
りして結像位置ずれを振り分けた状態で重ね焼きを行っ
ている。
【0010】図2のW方向に沿った位置の関数で表され
る成分について具体的に説明するため、この成分を数2
式で表す。但し、W座標値はX座標値と等しい値である
とする。
【0011】
【数2】 上式において、D0 ,E0 の項は単なる位置ずれであ
り、露光前にマスクあるいは感光基板を相対的に移動す
れば補正可能である。またD1 ・W+D2 ・W2+・・
・・+Dn ・Wn の項は広義の横倍率として考えること
ができるものであり、これについては、様々な補正方法
が知られている。
【0012】また、E1 ・Wの項はθ成分を表すもので
あり、これについては、θ成分を補正した後、回転中心
と焼付位置の距離をLとすれば、数2式で表される補正
量だけ走査露光中にX位置を補正することにより、単純
なθ回転により補正可能である。
【0013】
【数3】 また、干渉計等によりX位置をクロ−ズドル−プサ−ボ
コントロ−ルしている時は、θ回転によりX方向距離測
定用ミラーが回転するようにして、スリット状露光領域
の延長線上にレーザ光軸を置けば上記X方向の補正も不
要である。すなわち、従来、補正不能である成分は、数
2式のうちの数4式で表される成分である。
【0014】
【数4】 本発明の目的は、この成分のうち、偶関数成分を補正す
る手段を有する走査露光装置を提供することにである。
【0015】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明では、横断面が直線形状ではないスリット形
状の露光光により、転写用パタ−ンが形成された原版を
照明する照明光学系と、これによって照明される前記転
写用パターンの像を感光基板上に所定の倍率で投影する
投影光学系と、前記露光光による照明領域の長手方向に
対して直角あるいは一定角度をなす走査方向に、前記原
版および感光基板を前記投影倍率に応じた速度比でもっ
て同期させて移動する移動手段とを備えた走査投影露光
装置において、前記投影光学系の倍率を少なくとも走査
方向について補正する倍率補正手段を備え、これによ
り、感光基板上に露光転写された像に対して重ねて露光
転写する場合の前記走査方向の結像位置ずれのうち、前
記原版および感光基板間の相対位置の補正では補正が不
能な成分を補正することを特徴とする。
【0016】
【作用】まず、投影光学系の光路中に結像位置のずれ以
外の結像性能に対して実質的に影響を与えない程度の光
学的厚さの平行平面板を入れて広義の横倍率を補正する
走査露光装置において、結像位置のずれを補正する方法
を説明する。
【0017】図3において、挿入した光学的な平行平面
板14の厚みをd、屈折率をn’とし、感光基板10上
で結像位置を横ずれさせたい方向をX軸にとり、これと
垂直な主光線の方向をZ軸とすると、挿入した平行平面
板14のZ方向への湾曲量はXの関数として表される。
このとき得られるX方向での焼付像の横ずれ量ΔXは数
5式で表される。
【0018】
【数5】 すなわち、結像位置のずれ量は、平行平面板14各部の
傾きに比例する。よって、一般的な横倍率が発生してい
る場合には、平行平面板14の傾きがX座標に比例する
ように曲げることにより補正されることになり、換言す
れば、平行平面板14の撓み量がXの2乗に比例するよ
う撓ませれば良い。
【0019】広義の横倍率として結像位置がXのn乗に
比例してずれている場合は平行平面板14がXの(n+
1)乗に比例するような撓みをもつように、平行平面板
14の形状もしくは平行平面板14のホルダ形状につい
て材料力学上の工夫をすれば良い。
【0020】走査露光方式の露光装置において、図4の
ようにマスクおよび感光基板の矢印36で示される同期
走査方向の軸回りに平行平面板14を曲げて結像位置を
補正することは、これまで述べてきた通り、数2式で
表されるような像歪みを補正する手段として有効であ
り、この事実は周知である。しかし図5のようにX座標
軸回りに平行平面板14を曲げることは、像歪みの補正
に対して何ら効果が無いとして顧みられることがなかっ
た。
【0021】本発明の走査投影露光装置においては、投
影光学系およびスリット状露光光により同時に露光照射
される方向(X方向)の位置の関数で表現されるY方向
ずれについて、スリット状露光光の形状を、Y=F
(X)でかつF(X)が偶関数であるような式で代表さ
れる形状に変更することにより、X軸回りに光学的平行
平面板14を曲げて偶関数成分が補正される。
【0022】スリット状露光光の形状を、数6式で表さ
れる形状とし、計算上、スリット形状をY=F(X)で
代表する。
【0023】
【数6】 ここで、スリット状露光光に対する投影系のY方向像歪
みが絶対基準格子に対して、ΔY=G(X)だけあると
仮定する。即ちY=F(X)で代表されるスリット上の
点は、露光基板上に結像する時、ΔY=G(X)分だけ
正規の結像位置に対してずれた状態で結像する。
【0024】走査露光方式の露光装置においてはスリッ
ト状露光光に対応する投影光学系に起因する像歪みのう
ち、数4式で表されるような非線形成分は、感光基板お
よびマスクの不均一変形や装置構造の走査に伴う変形等
が無視できる場合、マスクおよび感光基板の同期走査方
向の位置の関数にはならず一定となり、図6で代表され
るようなディストーションとなる。
【0025】実工程上で図6のようなディストーション
が発生した場合、感光基板の前回のフォトリソグラフィ
工程で設けられたアライメントターゲット位置を多点計
測してずれの振分けが通常行われ、図7の通りのディス
トーションとなるが、ばらつき自体は小さくならず、こ
のばらつきを補正することが必要である。
【0026】数4式で表現されるY方向非線形成分のう
ち奇関数成分は、θ成分で近似できるため、θ補正によ
りその誤差成分を近似補正することが可能である。しか
し偶関数成分についてはθ補正によってはばらつきをま
ったく補正することができない。
【0027】次に、数4式の偶関数成分を補正するため
の光学的平行平面板の曲げ形状を決定する方法を述べ
る。光学的平行平面板の曲げ形状を決定するためには、
Y方向非線形成分を近似する関数を先に決定しなければ
ならない。今、スリット上のY方向非線形変位が、
【0028】
【数7】 で近似されるとする。このとき、スリット形状が
【0029】
【数8】 で代表される形状とする。そして、
【0030】
【数9】 を満足するようF(X)あるいはG(X)を決める。す
なわち、数8式を数9式に代入し、その式をさらに数7
式に代入して数10式を得る。
【0031】
【数10】 数10式は結像位置をそのスリット上のY座標値に比例
してY方向にずらすことにより補正が実現することを示
す。よってスリット状の露光光が数9式のような形状を
している場合、Y座標に比例して平行平面板14を傾け
ることにより補正が実現する。よって数5式のΔXに数
10式のΔYを代入し、dZ/dXをdZ/dYに書き
換えて、数11式を得る。
【0032】
【数11】 数11式の形状で平行平面板14を曲げてやれば良い。
この曲げを実現するためには、平行平面板14もしくは
その保持部材を平行平面板14の剛性よりも十分に大き
くしたうえで、平行平面板14の形状を材料力学上でい
う片持ちの等応力ばりにし、自由端に集中荷重あるいは
強制変位を与えるか、あるいは両端支持の等応力ばりに
して、はり中央荷重あるいは強制変位を与えてやれば良
い。但し、補正誤差が実用上問題にならない場合には、
単純な片持ちばり、あるいは両端支持ばりとしても構わ
ない。
【0033】また、このように、平行平面板14で結像
ずれを発生させて補正を行う代わりに、少なくとも1方
向の倍率を投影光学系内部で変更可能であれば、直線状
でないスリット状露光光と組み合わせることにより同様
の補正が可能である。
【0034】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図1は、本発明の一実施例に係る走査投影露光装置
を示す斜視図である。図1において、10は感光基板、
11はマスク、12a〜12dはスリット状露光光、1
3は投影光学系、そして14は光学的平行平面板であ
る。不図示の照明光学系からのスリット状露光光により
マスク11上のパターンが照射され、その像が投影光学
系13および平行平面板14を通過し、感光基板10上
に投影光学系13の倍率に応じた大きさの像を結ぶよう
になっている。
【0035】そして、マスク11を矢印15方向に一定
速度Vで走査するのに同期して、感光基板10を矢印1
6方向に一定速度V/β(βは投影光学系13の縮小倍
率)で走査する。マスク11および感光基板10はそれ
ぞれ不図示のマスクステージおよび感光基板ステージで
保持されており、両ステージのX、Y、θ位置は、不図
示のレーザ干渉計でモニタされており、この位置情報に
基づく、クローズドループフィードバックサーボにより
その位置座標は管理されている。
【0036】なお、クローズドループフィードバックサ
ーボを行うのを感光基板ステージのみにして、マスクス
テージの位置情報に基づいて感光基板ステージのサーボ
位置に補正を加えてもよい。図9はマスク11上に配置
された、感光基板10との位置合せ基準マーク(以下、
マスク側AAマークという)25a〜33aの配置を示
す。感光基板10側にも投影光学系13を介した共軛位
置にマスク側AAマークに対応する位置合せターゲット
マーク(以下、プレート側AAマークという)25b〜
33bが前回のフォトリソグラフィ工程で設けられてい
る。これらのマークは、通常の場合、マスクに設けられ
た素子パターン34の内側に配置することを許されない
ため、素子パターン34の周囲を囲むように配置され
る。
【0037】図1の24aおよび24bはスリット状露
光光12aにより照射される領域に沿ってその観察位置
のスパンが変更可能な顕微鏡であり、その観察像は内蔵
カメラにより画像処理装置へ送れるようになっている。
画像処理装置は、重なって取り込まれるマスク側AAマ
ーク像とプレート側AAマーク像のずれ量を算出するも
のである。
【0038】走査露光に際しては、マスク11をマスク
ステージ上に設けられた不図示のマスク位置基準マーク
に対して位置決めした後、2つのマスク側AAマーク2
5aがスリット状露光光12aの略直下に同時に位置す
るよう移動する。
【0039】次に、プレート側AAマークが形成済の感
光基板10をプレート側AAマーク25bの投影光学系
13によるマスク11上への投影像がマスク側AAマー
ク25aに重なるように相互の位置関係を調整し、顕微
鏡24a,24bにおいて重なった像をカメラ上へ結像
させ、画像処理装置により自動位置合せを実行する。こ
の位置合せ完了後のマスクステージ、感光基板ステージ
各々の位置をイニシャル位置として、投影光学系倍率に
比例した同期走査を行うものとする。
【0040】マスク側および感光基板側AAマーク26
a〜29a,26b〜29bについても順次アライメン
トを行い、その時のステージのイニシャル位置からのオ
フセット量をメモリに記憶させた後、スリット状露光領
域に沿って顕微鏡24a,24b間のスパンVSを縮め
る。この場合、図2に示すように、顕微鏡の視野位置3
5aおよび35bをVYだけ走査方向に移動させる必要
があるため、マスク11および感光基板10をVYに対
応する量だけ移動する。移動量VYは、スリットの形状
を表す式Y=F(X)により与えられ、AAマーク25
a〜29a,25b〜29bまでの位置合せ実行時のス
パンVSをVS0とすれば、数12式となる。
【0041】
【数12】 感光基板10は投影光学系13の縮小倍率βを考慮し、
マスク11の移動量VYに対し、VY’=VY/βだけ
同期させて動かす。
【0042】このようにして、スパンVSをVS0から
VS1,VS2に縮め、AAマーク30a〜33a,3
0b〜33bの位置合せマークに対して、今度は位置合
せを実行せず、そのずれ量のみ読み取り、そのY方向ず
れ量を各々30aY〜32aYとする。次にこのずれ量
の補正について説明する。
【0043】数11式は、平行平面板14の傾きが、
そのY座標に比例するよう曲げることにより、スリット
上のY方向非線形成分誤差を全面で補正可能であること
を示している。そこで、図11に示すようにスリットに
固定されたX、Y座標系を考える。顕微鏡24a、24
bの初期スパンをVS0とし、このときのY座標を0と
する。補正量を増やすのは数11式におけるk1 の値
を大きくすることに他ならない。これは平行平面板14
の傾き量を増加させることであり、図1においては後述
するように、パルスモータ19a,19bの駆動量を増
加させることと等価である。平行平面板14を全体に湾
曲させた場合、X=VS0/2の位置の像も、ずれを発
生させられてしまうため、数11式を書き換えて数1
3式とする。
【0044】
【数13】 但し、k1 ,k2 は新たに定めた比例定数、Pはパルス
モータ19a,19bの駆動パルス数である。そこで、
観察顕微鏡のスパンおよびパルスモータ19a,19b
のパルス数を振って、その駆動パルスが0のときに対し
て像のずれがどれだけ発生するかを調べる。これにより
nヶのデ−タを得たとする。このときのY方向ずれ量を
ΔYiとすれば、数14式を最小にするk1 ,k2 を求
めることにより、図1の後述する補正機構の特性が求ま
る。
【0045】
【数14】 具体的にはFをk1 で偏微分した式および、Fをk2
偏微分した式が0となる条件においてFを最小とするk
1 およびk2 を求めることが可能である。
【0046】実際の露光前のずれ量計測時には、
【0047】
【数15】 と置き、ずれ量30aY〜33aYを数15式に代入
してGを最小にするPを同様に求め、パルスモータ19
a,19bの駆動パルス数を求める。これにより平行平
面板14の曲げ補正量が求まったことになる。
【0048】最後に、平行平面板14を湾曲させること
による、観察顕微鏡のスパンがVS0であるときの結像
位置のずれ量を数13式により求め、露光時にはマスク
ステージもしくは感光基板ステージをVS0時の像のず
れ分だけY方向に補正して走査露光する。
【0049】なお、ここでは、1回の露光走査における
平行平面板14の湾曲は一定としたが、数15式か
ら、パルスモータ19a,19bの駆動パルス数Pを求
める際、図9のAAパターン29a〜31aを用いて求
めた値と、AAパターン27a,32a,33aを用い
て求めた値を使用して、露光中、リニアにパルス数を変
えて露光を行うことも可能である。この場合、観察顕微
鏡のスパンがVS0の場合に相当する位置の補正量もパ
ルス数に応じてリニアに変更することが必要である。
【0050】次に、平行平面板14を湾曲させる部分の
構造と動作について図1を用いて詳細に説明する。装置
電源の投入により、または電源入力後のオペレータの走
査により、静電センサ20a,20bの測定値が予め設
定された値となるようにパルスモータ19a,19bを
駆動する。これにより、平行平面板14の初期状態が平
面となるよう直ちにイニシャライズされ、その精度もフ
ォトセンサ等の精度と比べ十分であると共に、駆動精度
の補正も可能である。
【0051】パルスモーター19a,19bの軸が回転
すると、送りネジ18a,18bが回転し、連結棒21
が上下に移動する。連結棒21と送りネジ18a,18
bのナットは、図示しないボーズピンで連結され、互い
にこじり等は発生しない。連結棒21が上下することに
より、平行平面板14を保持する等応力はり17aおよ
び17bが、Y座標に比例してその傾きが変化するよう
湾曲する。17aおよび17bは、平行平面板14に比
べて、大きい剛性を有し、かつ平行平面板14は部材2
2a,22bによりはり17a,17bに固定されてい
るため、平行平面板14は等応力はり17a,17bに
ならって湾曲する。また、平行平面板14はその中央部
も部材22cおよび22dにより保持されているため、
全体的に等応力はり17a,17bの湾曲と同様に一様
に湾曲する。
【0052】なお、部材22a,22bの代わりに真空
吸着を用いて平行平面板14を等応力はり17a,17
bに固定するようにしてもよい。また、パルスモータ1
9a,19bの代わりにダイヤフラムとサーボバルブに
よる圧力によって平行平面板14を湾曲させることも可
能であり、また、サーボモータやピエゾスタックで行う
ことも可能である。
【0053】また、本実施例では、投影光学系13の下
部に平行平面板14を配置しているが、投影光学系13
とマスクの間に平行平面板14を配置することも可能で
ある。但しこの場合は、投影光学系13の下に平行平面
板14を配置した場合とは、補正のための駆動方向が異
なる。すなわち、図1のように感光基板側に平行平面板
を凸状になるように曲げた場合と、マスク側に平行平面
板14を挿入してマスク側に凸状になるように曲げた場
合とでは、結像位置のずれ方向は逆となる。
【0054】さらに、投影光学系13中の光屈折手段を
平行移動することにより結像位置ずれを偏倍補正的ある
いは一様倍率補正的に発生させるような光学系として、
前者の場合は上述の実施例とまったく同様に、後者の場
合は横倍率補正手段と組み合わせて、走査露光方向の非
線形成分補正を行うときに同時に発生する、走査露光に
直交する成分の補正を行うことにより、同様な補正を実
現可能である。
【0055】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、直
線形状ではないスリット状の露光光の長手方向に対し、
直交あるいは一定の角度をなす方向の結像位置ずれを補
正するように倍率補正手段を駆動させることにより、従
来の走査投影露光装置では不可能とされていたスリット
状露光光の長手方向に直交する方向の非線形像歪を投影
光学系に複雑な調整および変更を加えることなく補正可
能である。
【0056】また、スリット状露光領域が円弧を表す方
程式もしくはスリットの長手方向を示す直線上の点に対
して偶関数で示すことのできる形状にすることにより、
Y方向非線形成分のうち、θ回転で補正可能な成分を除
く非線形成分のみを補正することが可能である。
【0057】また、倍率補正手段を光学的な平行平面板
とすることにより、複雑な計算を要する偏倍ズーム光学
系を設計する必要なく、倍率補正手段を構成することが
できる。
【0058】更に、平行平面板を支持して撓ませるホル
ダあるいは平行平面板自体が前記スリット状露光領域形
状を代表する方程式と補正すべき結像位置ずれを表す方
程式により決定される撓み方程式を満足するような形状
となっていることにより、Y方向非線形成分の誤差を補
正するときの平行平面板の曲げ駆動量を数学的に一意に
精度良く算出可能であると共に、平行平面板の一端もし
くは両端面を駆動するのみで所望の平行平面板の曲げ形
状が実現可能である。
【0059】また、平行平面板を撓ませる手段として電
気的アクチュエータを備え、光学的平行平面板あるいは
そのホルダの撓み量を検知することが可能なセンサを有
することにより、自動でY方向非線形誤差成分を補正す
ることが可能である。
【0060】露光に先立ち結像位置のずれ量を計測し、
このずれ量から平行平面板を撓ませる量を計算し、これ
に基づいて、露光走査前あるい露光走査中に平行平面板
を撓ませる量を変更することにより、投影光学系のドリ
フトや、感光基板個々の熱膨張、熱収縮に伴う像のずれ
も精度良く補正することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係る走査投影露光装置を
示す斜視図である。
【図2】 図1の装置において、直線状ではない露光光
に沿って観察顕微鏡の視野が移動したときにY方向に視
野が移動することを示す図である。
【図3】 図1の装置において、光学的平行平面板を湾
曲させたときの像ずれを示す模式図である。
【図4】 広義の横倍率補正を行うときの光学的平行平
面板の曲げ方向を示す図である。
【図5】 従来例でのスリット形状ではY方向非線形誤
差成分の補正が不能であることを直感的に説明する図で
ある。
【図6】 Y方向非線形誤差成分が発生したときの像ず
れ状態を示すベクトル図である。
【図7】 図6の像ずれ時、振分けによりずれの最大値
を少なくした時のずれ状態図である。
【図8】 感光基板が一様に熱膨張した時の像ずれ図で
ある。
【図9】 図1の走査露光装置を使用した時のマスクパ
ターン上AAパターンの配置例を示す図である。
【図10】 図1の走査露光装置を使用した時の感光基
板上AAパターンの配置例を示す図である。
【図11】 図1の装置において、直線状ではないスリ
ット状露光光上に固定した座標系を示す図である。
【図面の主要な部分を表す符号の説明】
10:感光基板、11:マスク或いはレチクル、12
a,12b,12c,12d:スリット状露光光、1
3:投影光学系、14:光学的平行平面板、15:マス
クの走査方向を示す矢印、16:感光基板の走査方向を
示す矢印、17a,17b:光学的平行平面板を保持す
る梁、18a,18b:送りネジ、19a,19b:パ
ルスモーター、20a,20b:静電センサ、21:連
結棒、22a,22b,22c,22d:光学的平行平
面板抑え金具、23a,23b:折り曲げミラー、24
a,24b:観察顕微鏡、25a〜33a,25b〜3
3b:位置合わせマーク、34:実素子パターン、35
a,35b:観察顕微鏡の視野位置、36:光学的平行
平面板の走査露光方向を示す矢印、37:変位量、3
8:基準格子。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 横断面が直線形状ではないスリット形状
    の露光光により、転写用パタ−ンが形成された原版を照
    明する照明光学系と、これによって照明される前記転写
    用パターンの像を感光基板上に所定の倍率で投影する投
    影光学系と、前記露光光による照明領域の長手方向に対
    して直角あるいは一定角度をなす走査方向に、前記原版
    および感光基板を前記投影倍率に応じた速度比でもって
    同期させて移動する移動手段とを備えた走査投影露光装
    置において、前記投影光学系の倍率を少なくとも走査方
    向について補正する倍率補正手段を備え、これにより、
    感光基板上に露光転写された像に対して重ねて露光転写
    する場合の前記走査方向の結像位置ずれのうち、前記原
    版および感光基板間の相対位置の補正では補正が不能な
    成分を補正することを特徴とする走査投影露光装置。
  2. 【請求項2】 前記スリット形状は円弧を表す方程式も
    しくは偶関数で示すことができることを特徴とする請求
    項1記載の走査投影露光装置。
  3. 【請求項3】 前記倍率補正手段は、前記原版と感光基
    板との間に配置した平行平面板、およびこれを湾曲させ
    る湾曲手段を備えることを特徴とする請求項1記載の走
    査投影露光装置。
  4. 【請求項4】 前記湾曲手段は、前記スリット形状を示
    す方程式と前記結像位置ずれを表す方程式により決定さ
    れる撓みを示す方程式を満足するような形状となるよう
    に前記平行平面板を湾曲させるものであることを特徴と
    する請求項3記載の走査投影露光装置。
  5. 【請求項5】 前記湾曲手段は、前記平行平面板を湾曲
    させるための力を付与するアクチュエータ、および、光
    学的平行平面板あるいはそのホルダの撓み量を検知する
    センサを有することを特徴とする請求項3記載の走査投
    影露光装置。
  6. 【請求項6】 露光に先立ち前記結像位置のずれ量を検
    知する手段、およびこのずれ量から前記平行平面板を湾
    曲させる量を計算する手段を有し、前記湾曲手段はこの
    結果に基づき、露光走査前あるいは露光走査中に湾曲量
    を変更するものであることを特徴とする請求項3〜5記
    載の走査投影露光装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133223A (ja) * 2001-10-30 2003-05-09 Canon Inc 露光装置
US6947122B2 (en) 2002-06-28 2005-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Scanning exposure apparatus and method
JP2006235321A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Hoya Corp マスクブランク用透明基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法
JP2009206513A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Asml Netherlands Bv 基板にパターンを転写するリソグラフィ方法およびリソグラフィ装置
JP2009206323A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Canon Inc 露光装置
KR100938191B1 (ko) * 2001-11-12 2010-01-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133223A (ja) * 2001-10-30 2003-05-09 Canon Inc 露光装置
KR100938191B1 (ko) * 2001-11-12 2010-01-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
US6947122B2 (en) 2002-06-28 2005-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Scanning exposure apparatus and method
JP2006235321A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Hoya Corp マスクブランク用透明基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法
TWI454835B (zh) * 2005-02-25 2014-10-01 Hoya Corp 遮罩坯料用透明基板的製造方法、遮罩坯料的製造方法及曝光遮罩製造方法
JP2009206513A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Asml Netherlands Bv 基板にパターンを転写するリソグラフィ方法およびリソグラフィ装置
US9423688B2 (en) 2008-02-26 2016-08-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic method to apply a pattern to a substrate and lithographic apparatus
US9891532B2 (en) 2008-02-26 2018-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic method to apply a pattern to a substrate and lithographic apparatus
JP2009206323A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Canon Inc 露光装置

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