TWI620239B - 半導體晶圓之切割方法及使用於其之半導體加工用切割帶 - Google Patents

半導體晶圓之切割方法及使用於其之半導體加工用切割帶 Download PDF

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Abstract

一種半導體晶圓之切割方法及半導體加工用切割帶，該半導體晶圓之切割方法包含下述步驟：(a)經由接著劑將支持構件黏合於半導體晶圓之電路面側；(b)對該晶圓之電路面相反側之背面進行薄型加工；(c)將至少具有紫外線硬化型黏著劑層之切割帶黏合於該晶圓之電路面相反側的背面上；(d)將該晶圓自該接著劑層及支持構件剝離；(e)使用有機溶劑對該半導體晶圓上之該接著劑的殘渣進行清洗；以及(f)切斷該半導體晶圓而晶片化；於上述(e)步驟之前，上述切割帶之未黏著有上述半導體晶圓之區域的黏著劑層已因紫外線照射而硬化。

Description

半導體晶圓之切割方法及使用於其之半導體加工用切割帶
本發明係關於製造半導體裝置之步驟中半導體晶圓之切割方法及使用於其之半導體加工用切割帶。更詳細而言，本發明係關於使用有支持構件之半導體元件之製造步驟中的半導體晶圓之切割方法及使用於其之半導體加工用切割帶。
於對形成有配線圖案之半導體晶圓之背面進行薄型加工時，為了保護半導體晶圓之圖案面及對半導體晶圓自身進行固定，一般係於將保護片材貼附於圖案面後，對背面實施研磨、研削等薄型加工。作為此種保護片材，一般使用於由塑膠膜構成之基材上塗佈丙烯系黏著劑等而成之保護片材。然而，近年來，由於IC卡或行動電話之薄型化、小型化，要求半導體晶片之厚度亦達到50μm以下之水準，於先前使用保護帶之步驟中，無法僅以保護帶支持半導體晶圓，由於研削後之半導體晶圓之翹曲、或收納於晶圓盒時之撓曲等，對於半導體晶圓之操作變得困難，難以實現處理或搬送之自動化。
針對上述問題，已提出如下方法：經由接著劑將玻璃基板、陶瓷基板或矽晶圓基板等黏合於半導體晶圓，對半導體晶圓賦予支持性(參 照專利文獻1)。使用玻璃基板、陶瓷基板或矽晶圓基板等支持構件代替保護片材，藉此，半導體晶圓之處理性大幅度地提高，且能夠實現搬送之自動化。
於使用支持構件之半導體晶圓之處理過程中，需要如下步驟，即，於半導體晶圓之背面研削後，自半導體晶圓剝離支持構件。支持構件之剝離一般係利用如下方法進行，例如(1)利用化學品將支持構件與半導體晶圓之間的接著劑予以溶解或分解，(2)對支持構件與半導體晶圓之間的接著劑照射雷射光而進行光分解，但存在如下等問題：對於(1)方法而言，需要長時間之處理來使化學品擴散至接著劑中，另外，對於(2)方法而言，需要長時間之處理來進行雷射掃描，另外，任一種方法均需要準備特殊基板作為支持構件。
因此，提出有如下方法：於剝離支持構件時，在出現剝離契機後，物理地、機械地使其剝離(參照專利文獻2、3)。該方法無需於先前之利用化學品對接著劑進行之溶解或分解、或者藉由雷射掃描進行之光分解中所需的長時間處理，能夠於短時間內進行處理。於自半導體晶圓剝離支持構件後，藉由利用化學品對剝離支持構件時所產生之半導體晶圓上之接著劑的殘渣進行清洗。
然後，自支持構件剝離之半導體晶圓被移送至切割步驟，從而被切斷為各個晶片，但如上所述，若半導體晶片之厚度為50μm以下，則對於單獨半導體晶圓而言，由於研削後之半導體晶圓之翹曲、或收納於晶圓盒時之撓曲等，對於半導體晶圓之操作變得非常困難，因此，通常於對半導體晶圓之背面進行研削後且於剝離支持構件之前，先將切割帶黏合於半導體 晶圓之研削面，且將該半導體晶圓支持固定於環形框架。因此，於半導體晶圓黏貼於切割帶之狀態下，藉由化學品對剝離支持構件時所產生之半導體晶圓上之接著劑殘渣進行清洗，從而存在要求切割帶具有高耐溶劑性之問題。
為了解決該問題，已提出如下方案：使黏著劑層中含有能量線硬化型丙烯酸樹脂組成物，且將凝膠分率設為70%以上(參照專利文獻4)，但由於該半導體加工用膠帶之材料受到極大限定，因此存在如下情形：難以表現出切割帶原本所需之特性，即，僅可於切割時抑制晶片飛散之黏著力、或拾取時之易剝離性。
又，已提出如下電路元件形成方法，其係於經由接著劑，將支持構件貼附於形成有電路之晶圓電路面後，對晶圓背面進行研削，繼而於已薄板化之基板之背面形成貫通電極，其後進行切割而將其小片化為各個元件，將切割帶黏合於該經小片化所得之元件之貫通電極側，對上述切割帶照射紫外線，繼而使供給至在支持板之厚度方向上形成之多個貫通孔之溶劑接觸於支持板與基板之間的上述接著劑，使該接著劑溶解，從而自基板剝離支持板(參照專利文獻5)。
然而，對於上述方法而言，其步驟繁雜，例如需要重新黏貼切割帶，而且需要長時間之處理來使化學品擴散至接著劑中，且尚未解決上述專利文獻1中之問題，進而，存在如下情形：由於切割帶對於半導體晶圓之黏著力會因紫外線照射而降低，因此當如專利文獻2、3般，經自半導體晶圓機械地剝離支持構件之步驟時，不僅會於支持構件與半導體晶圓間發生剝離，而且會於半導體晶圓與切割帶間發生剝離，從而產生無法除 去支持構件之問題。又，即便可除去支持構件，亦存在如下問題，即，切割時之黏著力不足，引起晶片飛散。
[專利文獻1]日本特開2006-135272號公報
[專利文獻2]日本特表2011-510518號公報
[專利文獻3]美國專利申請案公開第2011/0272092號說明書
[專利文獻4]日本特開2009-224621號公報
[專利文獻5]日本特開2009-177033號公報
本發明之課題在於提供一種解決上述問題點之半導體晶圓之切割方法及使用於其之半導體加工用切割帶，其於使用支持構件之半導體元件之製造步驟中，即便於剝離液濺至黏著劑之情形時，亦不會使黏著劑溶解而污染半導體元件，且可耐受支持構件之物理性、機械性剝離。
本發明人等為了實現上述目的而反覆進行了潛心研究，結果，於使用支持構件之半導體元件之製造方法中，經由接著劑將支持構件黏合於半導體晶圓之電路面側，將具有紫外線硬化型黏著劑層之切割帶，用作黏合於對半導體晶圓背面進行薄型加工所得之面的切割帶，藉此，對該黏著劑層之化學特性、物理特性之利用進行了各種研究，結果發現有效果的是利用硬化型黏著劑層硬化前後之相對於有機溶劑之溶解性的變化。本發明係基於上述見解而成之發明。
即，本發明係利用下述方法解決上述問題。
(1)一種半導體晶圓之切割方法，其包含下述步驟： (a)經由接著劑將支持構件黏合於半導體晶圓之電路面側；(b)對上述半導體晶圓之電路面相反側之背面進行薄型加工；(c)將至少具有紫外線硬化型黏著劑層之切割帶黏合於上述半導體晶圓之電路面相反側的背面上；(d)將上述半導體晶圓自上述接著劑層及支持構件剝離；(e)使用有機溶劑對上述半導體晶圓上之上述接著劑的殘渣進行清洗；以及(f)切斷上述半導體晶圓而晶片化；其特徵在於：於上述(e)步驟前，上述切割帶中之未黏著有上述半導體晶圓之區域的黏著劑層已因紫外線照射而硬化。
(2)如(1)所記載之半導體晶圓之切割方法，其中，上述藉由照射紫外線而進行之硬化係於上述(c)步驟後，(h1)自半導體晶圓側照射紫外線，(h2)自切割帶側隔著遮罩而照射紫外線，或(h3)於上述(c)步驟之前，隔著遮罩對未黏著有半導體晶圓之區域的黏著劑層部分照射紫外線。
(3)如(1)或(2)所記載之半導體晶圓之切割方法，其中，上述切割帶之黏著劑硬化前之凝膠分率為20%以上。
(4)如(1)至(3)中任一項所記載之半導體晶圓之切割方法，其中，上述黏著劑之放射線硬化型樹脂組成物之樹脂成分為(甲基)丙烯酸系共聚物，於聚合物支鏈或主鏈，經由胺酯(urethane)鍵而鍵結有含有(甲基)丙烯醯氧基之基。
(5)一種半導體加工用切割帶，其於基材樹脂膜之至少一個面形成有 黏著劑層，其特徵在於：該黏著劑層為放射線硬化性黏著劑層，上述黏著劑層中之未黏著有半導體晶圓及切割框架之區域的黏著劑層預先已因紫外線照射而硬化。
(6)如(5)所記載之半導體加工用切割帶，其中，上述黏著劑之放射線硬化型樹脂組成物之樹脂成分為(甲基)丙烯酸系共聚物，於聚合物支鏈或主鏈，經由胺酯鍵而鍵結有含有(甲基)丙烯醯氧基之基。
根據本發明，可提供如下半導體晶圓之切割方法及使用於其之半導體加工用切割帶：於使用支持構件之半導體元件之製造步驟中，即便於剝離液濺至黏著劑之情形時，亦不會使黏著劑溶解而污染半導體元件，且可耐受支持構件之物理性、機械性剝離。
適當參照隨附圖式，且根據下述記載，本發明之上述以及其他特徵及優點顯而易見。
1‧‧‧半導體晶圓
2‧‧‧接著劑
3‧‧‧支持構件
4‧‧‧切割帶
5‧‧‧紫外線硬化型黏著劑層(硬化前)
6‧‧‧紫外線硬化型黏著劑層(硬化後)
7‧‧‧基材膜
8‧‧‧環形框架(切割框架)
9‧‧‧紫外線
10‧‧‧遮罩
11‧‧‧有機溶劑
12‧‧‧半導體晶片
13‧‧‧拾取針
14‧‧‧切割帶
15‧‧‧隔離膜
圖1係示意性地表示本發明之第1實施形態之概略剖面圖。
圖2係示意性地表示本發明之第1實施形態的整體步驟圖。
圖3係本發明之第1實施形態中之經由接著劑將支持構件黏合於半導體晶圓上，且固定於環形框架上所得之示意性俯視圖。
圖4係示意性地表示本發明之第2實施形態之預先因紫外線照射而硬化之半導體加工用切割帶的概略剖面圖。
圖5係示意性地表示本發明之第2實施形態之整體步驟圖。
本發明之半導體晶圓之切割方法至少包含以下步驟，於下述(e)步驟前，藉由紫外線照射使下述切割帶中未黏著有半導體晶圓之區域的黏著劑層硬化。
(a)經由接著劑將支持構件黏合於半導體晶圓之電路面側；(b)對上述半導體晶圓之電路面相反側之背面進行薄型加工；(c)將至少具有紫外線硬化型黏著劑層之切割帶黏合於上述半導體晶圓之電路面相反側的背面上；(d)將上述半導體晶圓自上述接著劑層及支持構件剝離；(e)使用有機溶劑對上述半導體晶圓上之上述接著劑的殘渣進行清洗；以及(f)切斷上述半導體晶圓而晶片化
此處，對於利用上述紫外線照射而進行之硬化而言，較佳為於上述(c)步驟後、(h1)自半導體晶圓側照射紫外線，(h2)自切割帶側隔著遮罩而照射紫外線、或(h3)於上述(c)步驟之前，隔著遮罩對未黏著有半導體晶圓之區域的黏著劑層部分照射紫外線，藉此硬化。
以下，基於圖式，詳細地對本發明之實施形態進行說明。再者，於以下說明及圖式中，對於具有大致相同之功能構成之構成要素標注相同符號，藉此省略重複說明。
(第1實施形態)
首先，一面參照圖1~圖3，一面對本發明之半導體晶圓之加工方法(切割方法)之第1實施形態進行說明。
圖1係表示第1實施形態之半導體晶圓1之加工方法之概略剖面圖， 圖2係整體之步驟圖，且係固定於環形框架(切割框架)8之半導體晶圓1之剖面圖。
本發明之半導體晶圓1係於一方具有形成有電路等之圖案面(未圖示)的矽晶圓等，經由接著劑(接著劑層)2將支持構件3黏合於電路面側[圖2(a)]後，移送至背面研削(背面研磨)步驟[圖2(b)]。
於背面研削(背面研磨)步驟結束後，切割帶4之紫外線硬化型黏著劑層(硬化前)5黏合於半導體晶圓1之電路面之背面，且，切割帶(半導體加工用切割帶)4之紫外線硬化型黏著劑層(硬化前)5黏合於環形框架8之下面[圖2(c)、圖1]。環形框架8為環狀之平板，且為金屬製或樹脂製，尤其為不銹鋼製。此時，切割帶4之紫外線硬化型黏著劑層(硬化前)5處於因紫外線照射而硬化之前的狀態。
於黏合切割帶4後，藉由照射紫外線(9)而使切割帶4中之露出有半導體晶圓1與環形框架8之間的紫外線硬化型黏著劑層(硬化前)5之區域硬化，從而形成紫外線硬化型黏著劑層(硬化後)6[圖2(d)、圖1]。
剝離支持構件3[圖2(e)]。支持構件3之剝離步驟與對切割帶4中之露出有紫外線硬化型黏著劑層(硬化前)5之區域照射紫外線之步驟亦可顛倒，但於在剝離支持構件3時使用有機溶劑11之情形時，較佳為先實施紫外線(9)照射步驟。
使用有機溶劑11對殘留於半導體晶圓1之電路面上之接著劑2進行清洗而將其除去[圖2(f)、圖2(g))]。
藉由切割步驟，將半導體晶圓1分割為各個半導體晶片 12[圖2(h)]。
利用紫外線9對切割帶4中之黏合有半導體晶片12(半導體晶圓1)之區域進行照射，藉此，使其硬化，從而形成紫外線硬化型黏著劑層(硬化後)6[圖2(i)]。
利用拾取針13拾取半導體晶片12[圖2(j)]。
(第2實施形態)
首先，一面參照圖4及圖5，一面對本發明之半導體晶圓1之加工方法(切割方法)之第2實施形態進行說明。
圖4係第2實施形態之切割帶(半導體加工用切割帶)14之概略剖面圖，圖5係第2實施形態之整體之步驟圖，且係表示半導體晶圓1之加工方法之概略剖面圖。
本發明之切割帶(半導體加工用切割帶)14[圖4(a)]係於基材膜(基材樹脂膜)7之至少一個面形成有黏著劑層之半導體加工用切割帶，該黏著劑層為放射線硬化性黏著劑層，上述黏著劑層中之未黏著有半導體晶圓1及環形框架(切割框架)8之區域的黏著劑層預先因紫外線照射而硬化。
可隔著遮擋紫外線9之遮罩10，對通常之紫外線硬化型切割帶4照射紫外線(9)，藉此，製作放射線硬化性黏著劑層之一部分預先因紫外線照射而硬化之切割帶14[圖4(b)~圖4(d)]。可自切割帶4之基材側隔著遮罩10而照射紫外線9，亦可自隔離膜15側隔著遮罩10而照射紫外線9。
本發明之半導體晶圓1係於一方具有形成有電路等之圖案 面(未圖示)的矽晶圓等，經由接著劑2將支持構件3黏合於電路面側[圖5(a)]後，移送至背面研削(背面研磨)步驟[圖5(b)]。
於背面研削(背面研磨)步驟結束後，切割帶14之紫外線硬化型黏著劑層(硬化前)5黏合於半導體晶圓1之電路面之背面，且，切割帶14之紫外線硬化型黏著劑層(硬化前)5黏合於環形框架8之下面[圖5(c)]。環形框架8為環狀之平板，且為金屬製或樹脂製，尤其為不銹鋼製。此時，切割帶14之紫外線硬化型黏著劑層(硬化前)5處於因照射紫外線(9)而硬化之前的狀態，紫外線硬化型黏著劑層(硬化後)6處於因照射紫外線(9)而硬化後之狀態。
於剝離支持構件3[圖5(d)]後，使用有機溶劑11對殘留於半導體晶圓1之電路面上之接著劑2進行清洗而將其除去[圖5(e)、圖5(f)]。
藉由切割步驟將半導體晶圓1分割為各個半導體晶片12[圖5(g)]。
藉由照射紫外線(9)使切割帶14中之黏合有半導體晶片12(半導體晶圓1)之區域硬化，從而形成紫外線硬化型黏著劑層(硬化後)6[圖5(h)]。
利用拾取針13拾取半導體晶片12[圖5(i)]。
其次，對支持構件進行說明。
(支持構件)
支持構件3係由如下素材構成，該素材選自由矽、藍寶石、水晶、金屬(例如鋁、銅、鋼)、各種玻璃及陶瓷組成之群。該支持構件3之貼附接著劑之面亦可包含經堆積之其他素材。例如，亦可於矽晶圓上蒸鍍氮化矽， 可藉此改變接合特性。
(支持構件之貼附)
於貼附上述支持構件3時，在將下述接著劑2之接著劑液塗佈於半導體晶圓1之電路形成面後，利用烘箱或熱板使已塗佈之接著劑2乾燥。又，為了使接著劑(接著劑層)2獲得必需之厚度，亦可將接著劑液之塗佈與預乾燥反覆多次。
又，於將接著劑2之接著劑液塗佈於半導體晶圓1之電路形成面時，存在如下情形，即，於塗佈接著劑2之接著劑液之前，如日本特表2009-528688號公報所示，使電漿聚合物分離層堆積於半導體晶圓1之電路面，藉此，於剝離支持構件時，在半導體晶圓1之電路形成面與電漿聚合物分離層之間剝離支持構件。
又，存在如下情形，即，若利用旋塗機將接著劑液塗佈於半導體晶圓1之電路形成面，則可於周緣部形成高出一截之珠狀部。於此情形時，較佳為在對該接著劑液進行預乾燥之前，藉由溶劑將珠狀部除去。
(接著劑)
於本發明中，可使用市售之接著劑作為接著劑2。例如，可列舉：Wafer BONDTM材料(由密蘇里州羅拉鎮之Brewer Science公司出售)(滑動接合製程用之Wafer BONDTM HT 10.10、化學接合製程用之Wafer BONDTMCR200)、或Berghausen之WACKER製之材料即ELASTOSIL LR 3070等。又，對半導體素材、玻璃或金屬表示出高接著力之樹脂或聚合物類亦較佳，尤佳為例如可列舉：(1)高固含量之如反應性環氧類及丙烯酸類般之紫外線(UV)硬化樹脂；(2)如雙液性環氧接著劑或矽接著劑或者聚矽氧橡膠接著劑般 之熱硬化樹脂；(3)熱塑性丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、鹵化乙烯(不含氟系)樹脂或者如下樹脂，該樹脂係以聚醯胺類、聚醯亞胺類、聚碸類、聚醚碸類或聚胺酯類，使乙烯酯之聚合物類或共聚物類成為溶融狀態或作為溶液塗膜而進行塗佈，並於塗佈後藉由煆燒而使其乾燥，從而使支持構件與半導體晶圓更緻密者；進而可列舉(4)以環狀烯烴類、聚烯烴橡膠類(例如聚異戊二烯)或烴為基礎之增黏樹脂類。
由於在研磨時使用水，因此，接著劑2較佳為非水溶性之高分子化合物，另外，較理想的是該接著劑2之軟化點高。作為此種高分子化合物，可列舉將酚醛樹脂、環氧樹脂、醯胺樹脂、矽樹脂、丙烯酸樹脂、胺酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醚樹脂、聚乙酸乙烯酯及其變性物或該等之混合物溶解於溶劑所得的高分子化合物。其中，丙烯酸系樹脂材料具有200℃以上之耐熱性，產生之氣體亦少，且不易產生裂縫，因此較佳。又，根據如下內容，酚醛樹脂亦較佳，該內容係指該酚醛樹脂不會產生浮渣，雖於耐熱性、氣體產生量及裂縫產生之方面遜色於丙烯酸系樹脂材料，但軟化點高，且於接著後之剝離方面，亦容易利用溶劑進行剝離。除此之外，亦可混合可塑劑以防止成膜時之裂縫。
又，作為溶劑，較理想的是可溶解上述樹脂且可均一地於晶圓成膜之溶劑，可列舉：酮類(例如丙酮、甲基乙基酮、環己烷、甲基異丁基甲酮、甲基異戊基甲酮、及2-庚酮等)、多價乙醇類或其衍生物(例如乙二醇、丙二醇、二甘醇、乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯或該等之單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚或單苯基醚等)、環狀***類(例如二氧己環)、酯類(例如乳酸乙酯、乙酸甲酯、 乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、及乙氧基丙酸乙酯等)或芳香族烴類(例如苯、甲苯、及二甲苯等)。其中，上述多價乙醇類或其衍生物尤佳。
可單獨地使用該等溶劑，亦可混合地使用2種以上之溶劑。又，亦可為了提高膜厚之均一性而於該等溶劑中添加活性劑。
(接著劑殘渣之清洗液)
作為於自半導體晶圓1剝離接著劑2與支持構件3後，用於將殘存在半導體晶圓1上之接著劑殘渣除去之清洗液，除了於上述之接著劑2中使用之有機溶劑以外，亦可使用一價乙醇類(例如甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、及丁醇等)、內酯類(例如γ-丁內酯等)、內醯胺類(例如γ-丁內醯胺等)、***類(例如二乙基醚或苯甲醚等)、及醯胺類(例如二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺等)。該等清洗液中，酮類(較佳為甲基異丁基甲酮)、及一價乙醇類較佳，且由於溶解速度較快，因此甲醇尤佳。
(半導體加工用切割帶)
半導體加工用切割帶(切割帶)4或14只要具有紫外線硬化型黏著劑，則並無特別限定，可無特別限制地使用先前已眾所周知之切割帶，但於自半導體晶圓1剝離支持構件3時，切割帶4需要不自半導體晶圓1剝離之程度之紫外線硬化前的黏著力。較理想的是：切割帶4之紫外線硬化前之黏著力較佳為1.0N/25mm以上，更佳為2.0N/25mm以上。
(基材樹脂膜)
構成基材樹脂膜(基材膜)7之材料只要具有紫外線穿透性，則可無特別限制地使用先前已眾所周知之材料。
例如，作為構成基材膜7之材料，可列舉：聚乙烯、聚丙烯、乙烯丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙基共聚物、乙烯-丙烯酸甲基共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離聚物等之α-烯烴之單獨聚合物或共聚物或者該等之混合物、聚胺酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚醯胺-多元醇共聚物等熱可塑性彈性體、及該等之混合物。又，基材膜7可為混合有選自該等材料之群之2種以上之材料的基材膜，亦可為將該等材料予以單層化或多層化而成之基材膜。基材膜7之厚度並無特別限定，可適當地進行設定，但較佳為50μm~200μm。
(紫外線硬化型黏著劑層)
可於基材膜7上塗佈紫外線硬化型黏著劑而製造紫外線硬化型黏著劑層。紫外線硬化型黏著劑層並無特別限定，可無特別限定地使用先前已眾所周知之紫外線硬化型黏著劑層，但必須具有在切割時半導體晶片12不會剝離之程度的保持性，或必須具有易剝離性，以於拾取時，在紫外線硬化型黏著劑層與半導體晶片12之間進行剝離。
作為用於紫外線硬化型黏著劑層之放射線硬化型樹脂組成物，可使用具有碳-碳雙鍵等放射線硬化性官能基，且表現出黏著性之放射線硬化型樹脂組成物。例如，作為放射線硬化型樹脂組成物，除了使用在聚合物支鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳-碳雙鍵之放射線硬化型樹脂組成物以外，亦可例示於一般之黏著劑中摻合放射線硬化性之單體成分或低聚物成分等放射線硬化樹脂而成之放射線硬化性黏著劑。
用於紫外線硬化型黏著劑層之放射線硬化型樹脂組成物並無特別限 定，例如可列舉：如胺酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚***(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸低聚物及衣康酸低聚物般具有羥基或羰基等官能基之低聚物。
作為使用有在聚合物支鏈中具有碳-碳雙鍵之化合物的放射線硬化型樹脂組成物，例如較佳為以如下(甲基)丙烯酸系共聚物為主成分，且凝膠分率為20%以上，該(甲基)丙烯酸系共聚物於主鏈中至少分別具有含有放射線硬化性碳-碳雙鍵之基、與含有羥基及羰基之基。再者，凝膠分率更佳為55%以上(較佳為55%~90%)，進而較佳為60%以上(較佳為60%~85%)。進而，較佳為含有使化合物(A)與化合物(B)發生加成反應而成之聚合物，上述化合物(A)係於分子中具有碘價為0.5~20之放射線硬化性碳-碳雙鍵之化合物、上述化合物(B)係選自聚異氰酸酯類、三聚氰胺-甲醛樹脂及環氧樹脂之至少1種化合物。
對作為紫外線硬化型黏著劑層之主成分之一的化合物(A)進行說明。
以碘價計，化合物(A)之放射線硬化性碳-碳雙鍵之較佳導入量為0.5~20，更佳為0.8~10。若碘價為0.5以上，則可獲得使放射線照射後之黏著力降低之效果，若碘價為20以下，則放射線照射後之黏著劑之流動性充分，且可充分地獲得延伸後之元件間隙，因此，可抑制於拾取時難以辨認各元件圖像之問題。進而，化合物(A)本身具有穩定性，且容易製造。
上述化合物(A)之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-70℃~0℃，更佳為-66℃~-28℃。若Tg為-70℃以上，則對於伴隨照射放射線而產生之熱之耐熱性充分，若Tg為0℃以下，可充分獲得如下效果，即， 防止對表面狀態粗糙之半導體晶圓1進行切割後之元件的飛散。
上述化合物(A)亦可為以任何方式製造之化合物，例如，可使用使化合物((1))與化合物((2))發生反應所得之化合物，上述化合物((1))係(甲基)丙烯酸系共聚物等具有放射線硬化性碳-碳雙鍵且具有官能基的化合物，上述化合物((2))係具有可與上述化合物((1))之官能基發生反應之官能基的化合物。
其中，上述具有放射線硬化性碳-碳雙鍵及官能基之化合物((1))係可使(甲基)丙烯酸烷基酯等具有放射線硬化性碳-碳雙鍵之單體((1)-1)、與具有官能基之單體((1)-2)共聚合而獲得。關於黏著劑雙鍵量，可藉由利用真空中暗處之溴加成反應之質量增加法，對經加熱乾燥之約10g之黏著劑中所含之碳-碳雙鍵量進行量化測定。
作為單體((1)-1)，可列舉：碳數為6~12之己基丙烯酸酯、n-辛基丙烯酸酯、異辛基丙烯酸酯、2-乙基己酯丙烯酸酯、十二烷基丙烯酸酯、及癸基丙烯酸酯；或為碳數為5以下之單體即戊基丙烯酸酯、n-丁基丙烯酸酯、異丁基丙烯酸酯、乙基丙烯酸酯、及甲基丙烯酸酯；或者與該等相同之甲基丙烯酸酯等。
越使用碳數大之單體作為單體((1)-1)，則Tg越低，因此，可製作具有所期望之Tg之化合物。又，除了Tg以外，以提高相溶性與各種性能為目的，亦可於單體((1)-1)之總質量之5質量%以下的範圍內，摻合乙酸乙烯酯、苯乙烯、及丙烯腈等具有碳-碳雙鍵之低分子化合物。
作為單體((1)-2)所具有之官能基，可列舉：羰基、羥 基、胺基、環狀酸酐基、環氧基、及異氰酸酯基等，且作為單體((1)-2)之具體例，可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富馬酸、酞酸、2-羥基烷基丙烯酸酯類、2-羥基烷基甲基丙烯酸酯類、乙二醇單丙烯酸酯類、乙二醇單甲基丙烯酸酯類、N-亞甲醇丙烯酸醯胺、N-亞甲醇甲基丙烯酸醯胺、烯丙基乙醇、N-烷基胺基乙基丙烯酸酯類、N-烷基胺基乙基甲基丙烯酸酯類、丙烯酸醯胺類、甲基丙烯酸醯胺類、馬來酸酐、衣康酸酐、富馬酸酐、酞酸酐、丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、烯丙基縮水甘油醚、及以具有羥基或羰基及放射線硬化性碳-碳雙鍵的單體將聚異氰酸酯化合物之異氰酸酯基的一部分予以胺酯化所得者等。
作為用於化合物(2)之官能基，於化合物(1)即單體((1)-2)所具有之官能基為羰基或環狀酸酐基之情形時，可列舉：羥基、環氧基、及異氰酸酯基等；於上述官能基為羥基之情形時，可列舉：環狀酸酐基、異氰酸酯基等；於上述官能基為胺基之情形時，可列舉：環氧基、異氰酸酯基等；於上述官能基為環氧基之情形時，可列舉：羰基、環狀酸酐基、胺基等。作為該等之具體例，可列舉與單體((1)-2)之具體例中所列舉之內容相同者。
於化合物(1)與化合物(2)之反應中會殘留未反應之官能基，藉此，關於酸價或羥基價等特性，可製造本發明所規定者。
於上述化合物(A)之合成中，作為利用溶液聚合來進行反應時之有機溶劑，可使用酮系、酯系、乙醇系、及芳香族系之有機溶劑，其中，甲苯、乙酸乙酯、異丙基乙醇、苯甲基賽路蘇、乙基賽路蘇、丙酮、及甲基乙基酮等一般作為丙烯系聚合物之良溶劑且沸點為60℃~120℃之 溶劑較佳。
又，通常使用α,α'-偶氮二異丁腈等雙偶氮系、過氧化苯甲醯等有機過氧化物系等之自由基產生劑作為聚合起始劑。此時，可根據需要併用觸媒、聚合禁止劑，且可藉由調節聚合溫度及聚合時間而獲得所期望之分子量之化合物(A)。又，較佳為使用硫醇、四氯化碳系之溶劑調節分子量。再者，上述反應並不限定於溶液聚合，亦可為塊狀聚合、懸濁聚合等其他方法。
雖可以上述方式獲得化合物(A)，但化合物(A)之質量平均分子量較佳為30萬~120萬左右。若未達30萬，則由放射線照射產生之凝聚力會變小，有時於對半導體晶圓1進行切割時，易產生晶片偏移，導致難以辨別圖像。為了極力防止該晶片偏移，質量平均分子量較佳為40萬以上。又，若質量平均分子量超過120萬，則有可能會於合成時及塗佈時發生凝膠化。再者，本發明中之質量平均分子量係指聚苯乙烯換算之質量平均分子量。
再者，若化合物(A)具有羥基價為5~100之羥基，則可藉由使放射線照射後之黏著力減小而進一步減小拾取錯誤之危險性，因此較佳。又，較佳為化合物(A)具有酸價為0.5~30之羰基。
此處，若化合物(A)之羥基價過低，則使放射線照射後之黏著力減小之效果不充分，若化合物(A)之羥基價過高，則存在損害放射線照射後之黏著劑之流動性的傾向。又，若酸價過低，則改善膠帶復原性之效果不充分，若酸價過高，則存在損害黏著劑之流動性之傾向。
其次，對作為紫外線硬化型黏著劑層之另一主成分之化合物 (B)進行說明。
化合物(B)係選自聚異氰酸酯類、三聚氰胺-甲醛樹脂及環氧樹脂之化合物，可單獨地使用化合物(B)或可組合地使用2種以上之化合物(B)。該化合物(B)係作為交聯劑而發揮作用，可藉由與化合物(A)或基材膜7發生反應所得之交聯構造，於塗佈黏著劑後，提高將化合物(A)及(B)作為主成分之黏著劑之凝聚力。
聚異氰酸酯類並無特別限制，例如可列舉：4,4'-二苯基二異氰酸酯、甲代亞苯基二異氰酸酯、亞二甲苯基二異氰酸酯、4,4，-二苯基醚二異氰酸酯、4,4'-[2,2-雙(4-氧基苯基)丙烷]二異氰酸酯等芳香族異氰酸酯、環己烷二異氰酸酯、2,2,4-三甲基-環己烷二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、4,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、2,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、及離胺酸三異氰酸酯等。具體而言，可使用CORONATE L(日本聚氨酯股份有限公司製造、商品名)等。
又，具體而言，可使用NIKALAC MX-45(三和化學股份有限公司製造、商品名)、MELAN(日立化成工業股份有限公司製造、商品名)等作為三聚氰胺-甲醛樹脂。進而，可使用TETRAD-X(三菱化學股份有限公司製造、商品名)等作為環氧樹脂。
必需以相對於100質量份之化合物(A)達到0.1質量份~10質量份，較佳為達到0.4質量份~7質量份之比例的方式，選擇化合物(B)之添加量。於上述範圍內進行選擇，藉此，可獲得適當之凝聚力，交聯反應不會急遽地進行，因此，黏著劑之摻合或塗佈等之作業性良好。
於本發明中，上述黏著劑之放射線硬化型樹脂組成物之樹脂成分為(甲 基)丙烯酸系共聚物，且較佳為於聚合物支鏈或主鏈中經由胺酯鍵而鍵結有含有(甲基)丙烯醯氧基之基。
又，較佳為於紫外線硬化型黏著劑層中含有光聚合起始劑。光聚合起始劑並無特別限定，可使用先前已知之光聚合起始劑。例如，可列舉：二苯甲酮、4,4'-二甲胺基苯甲酮、4,4'-二乙胺基二苯甲酮、4,4'-二氯苯甲酮等二苯甲酮類、苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等苯乙酮類、2-乙基蒽醌、第三丁基蒽醌等蒽醌類、2-氯噻噸酮、安息香***、安息香異丙醚、苯偶醯、2,4,5-三芳基咪唑二聚物(咯吩二聚物)、及吖啶系化合物等，可單獨地使用該等光聚合起始劑或可組合地使用2種以上之光聚合起始劑。相對於100質量份之化合物(A)，光聚合起始劑之添加量較佳為為0.1質量份~10質量份，更佳為0.5質量份~5質量份。
進而，可根據需要於放射線硬化性之黏著劑中摻合增黏劑、黏著調整劑、界面活性劑等或其他改質劑等。又，亦可適當添加無機化合物填料。紫外線硬化型黏著劑層之厚度較佳為至少為5μm，更佳為10μm以上。此處，紫外線硬化型黏著劑層之厚度之上限並無特別限定，但較佳為50μm以下。再者，紫外線硬化型黏著劑層亦可為積層有複數個層之構成。
[實施例]
其次，基於實施例更詳細地對本發明進行說明。以下根據實施例對本發明進行說明，但本發明並不限定於該等實施例。
<基本切割帶之製作>
以下述方式製作基本切割帶C1~C5。
(切割帶C1之製作)
將甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸2-乙基己酯與2-丙烯酸羥乙酯作為單體成分，以質量比為5：14：1之比例，使上述單體成分於乙酸乙酯中共聚合，獲得包含在主鏈中鍵結有羥基之丙烯聚合物(A1)的溶液。繼而，相對於100質量份之上述丙烯聚合物A1，添加使新戊四醇三丙烯酸酯及二異氰酸酯反應而獲得之50質量份之紫外線硬化性低聚物作為紫外線硬化性化合物，且分別添加2.5質量份之商品名「IRGACURE 651」(Ciba Specialty Chemicals公司製造)及1.0質量份之聚異氰酸酯系化合物(商品名「CORONATE L」，日本聚氨酯工業公司製造)作為光聚合起始劑，從而獲得紫外線硬化型丙烯系黏著劑溶液B1。以使乾燥膜厚為20μm之方式，將上述樹脂組成物塗佈於厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜(PET膜)上，且以110℃乾燥3分鐘而形成黏著劑層後，將該黏著劑層黏貼於100μm之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜，藉此進行轉印，從而製作出切割帶C1。
以上述方式製作出之切割帶之紫外線硬化型黏著劑層之凝膠分率為82%。
(切割帶C2之製作)
將丙烯酸丁酯與2-丙烯酸羥乙酯作為單體成分，以質量比為8：2之比例，使上述單體成分於乙酸乙酯中共聚合，獲得包含在主鏈中鍵結有羥基之丙烯聚合物(A2)的溶液。繼而，相對於100質量份之上述丙烯聚合物A2，添加使新戊四醇三丙烯酸酯及二異氰酸酯反應而獲得之100質量份之紫外線硬化性低聚物作為紫外線硬化性化合物，且分別添加2.5質量份之商品名「IRGACURE 651」(Ciba Specialty Chemicals公司製造)及0.5質量份之聚異 氰酸酯系化合物(商品名「CORONATE L」日本聚氨酯工業公司製造)作為光聚合起始劑，從而獲得紫外線硬化型丙烯系黏著劑溶液B2。以使乾燥膜厚為10μm之方式，將上述樹脂組成物塗佈於厚度為38μm之PET膜上，且以110℃乾燥3分鐘而形成黏著劑層後，將該黏著劑層黏貼於100μm之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜，藉此進行轉印，從而製作出切割帶C2。
以上述方式製作出之切割帶之紫外線硬化型黏著劑層之凝膠分率為74%。
(切割帶C3之製作)
將丙烯酸丁酯與2-丙烯酸羥乙酯作為單體成分，以質量比為8：2之比例，使上述單體成分於乙酸乙酯中共聚合，獲得包含在主鏈中鍵結有羥基之丙烯聚合物(A2)的溶液。
其次，於含有上述丙烯酸共聚物(A2)之溶液中添加2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯、作為觸媒之二月桂酸二丁基錫，以50℃反應24小時，從而獲得含有丙烯聚合物(A3)之溶液，該丙烯聚合物(A3)於支鏈之末端具有碳-碳雙鍵。
繼而，相對於100質量份之上述包含在支鏈之末端具有碳-碳雙鍵之丙烯系聚合物的溶液A3，分別添加2.5質量份之商品名「IRGACURE 651」(Ciba Specialty Chemicals公司製造)及0.5質量份之聚異氰酸酯系化合物(商品名「CORONATE L」日本聚氨酯工業公司製造)作為光聚合起始劑，從而獲得紫外線硬化型丙烯系黏著劑溶液B3。以使乾燥膜厚為10μm之方式，將上述樹脂組成物塗佈於厚度為38μm之PET膜上，且以110℃乾燥3分鐘而形成黏著劑層後，將該黏著劑層黏貼於100μm之 乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜，藉此進行轉印，從而製作出切割帶C3。
以上述方式製作出之切割帶之紫外線硬化型黏著劑層之凝膠分率為68%。
(切割帶C4之製作)
相對於100質量份之丙烯酸聚合物A3，添加使新戊四醇三丙烯酸酯及二異氰酸酯反應而獲得之25質量份之紫外線硬化性低聚物作為紫外線硬化性化合物，除此之外，與切割帶C3同樣地製作出切割帶C4。
以上述方式製作出之切割帶之紫外線硬化型黏著劑層之凝膠分率為55%。
(切割帶C5之製作)
相對於100質量份之丙烯聚合物A3，添加使新戊四醇三丙烯酸酯及二異氰酸酯發生反應而獲得之100質量份之紫外線硬化性低聚物作為紫外線硬化性化合物，除此之外，與切割帶C3同樣地製作出切割帶C5。
以上述方式製作出之切割帶之紫外線硬化型黏著劑層之凝膠分率為20%。
此處，藉由以下之方法對各切割帶之凝膠分率進行評價。
「凝膠分率」
自切割為50mm×50mm之大小的半導體加工用切割帶除去隔離膜，並秤量出該半導體加工用切割帶之質量A。其次，以浸漬於100g之甲基異丁基甲酮(MIBK)中之狀態，將上述經秤量之半導體加工用切割帶之樣本放置48小時後，以50℃之恆溫層進行乾燥，秤量出該樣本之質量B。進而，使用100g之乙酸乙酯將樣本之黏著劑層擦拭除去後，秤量出樣本之質量C， 藉由下述式(1)算出凝膠分率。
凝膠分率(%)=(B-C)/(A-C) (1)
(實施例1)
對於各切割帶(C1~C5)，自切割帶剝離PET膜，將切割帶之紫外線硬化型黏著劑層黏合於半導體晶圓與環形框架後，於氮環境下，自半導體晶圓側照射紫外線，藉此，預先使未黏著有上述半導體晶圓之區域之黏著劑層硬化，從而製作出評價樣本。
(實施例2)
對於各切割帶(C1~C5)，自切割帶剝離PET膜，將切割帶之紫外線硬化型黏著劑層黏合於半導體晶圓與環形框架後，於氮環境下，以不使紫外線照射於晶圓黏著區域之方式，自切割帶側隔著遮罩照射紫外線，藉此，預先使未黏著有上述半導體晶圓之區域之黏著劑層硬化，從而製作出評價樣本。
(實施例3)
對於各切割帶(C1~C5)，於自切割帶剝離PET膜之前，以不使紫外線照射於切割帶之紫外線硬化型黏著劑層中之黏貼有半導體晶圓之區域與黏著有環形框架之區域的方式，隔著遮罩照射紫外線，藉此，製作出未黏著有半導體晶圓之區域之黏著劑層預先已硬化的半導體加工用切割帶(C1C~C5C)。將半導體晶圓與環形框架黏合於該等半導體加工用切割帶之未因紫外線照射而硬化之區域之黏著劑層，藉此，製作出評價樣本。
(比較例1)
對於各切割帶(C1~C5)，自切割帶剝離PET膜，將切割帶之紫外線硬 化型黏著劑層黏合於半導體晶圓與環形框架，藉此，製作出評價樣本。
(比較例2)
對於各切割帶(C1~C5)，自切割帶剝離PET膜，將切割帶之紫外線硬化型黏著劑層黏合於半導體晶圓與環形框架後，於氮環境下，自切割帶側照射紫外線，藉此，製作出評價樣本。
(比較例3)
對於各切割帶(C1~C5)，於自切割帶剝離PET膜之前，對切割帶之紫外線硬化型黏著劑層之整個面照射紫外線，藉此，製作出紫外線硬化型黏著劑層預先已硬化之半導體加工用切割帶(C1E~C5E)。
已嘗試了自該等半導體加工用切割帶剝離PET膜，將半導體加工用切割帶之經紫外線硬化之黏著劑層黏合於半導體晶圓與環形框架，但黏著劑層之黏著力因紫外線硬化而消失，因此無法黏合。
試驗例
對於實施例1~實施例3及比較例1~比較例3之各樣本，以如下方式進行耐溶劑性、支持構件剝離性之評價試驗。
將所獲得之結果一併表示於下述表1~表3中。
「耐溶劑性」
一面自於實施例、比較例中經調整之評價樣本之半導體晶圓側噴射甲基異丁基甲酮(MIBK)作為有機溶劑，一面使該半導體晶圓以20rpm之轉速旋轉而實施旋轉清洗。於清洗、乾燥結束後，觀察半導體加工用切割帶之未黏貼有半導體晶圓之區域之黏著劑層，將黏著劑未出現溶解或膨潤之半導體加工用切割帶作為A且判定為合格，將黏著劑出現溶解或膨潤之半 導體加工用切割帶作為C且判定為不合格。
「支持構件剝離性」
藉由使用美國專利申請案公開第2011/0272092號說明書所揭示之方法，獲得如下構造體，該構造體於厚度約為700μm之6吋矽晶圓上依序積層有電漿聚合物分離層、聚矽氧橡膠接著劑層、及作為支持構件之厚度為2.5mm之玻璃板。
代替實施例、比較例中之半導體晶圓，將切割帶黏合於以上述方式獲得之構造體之晶圓背面(未積層有電漿聚合物分離層等之面)，且固定於環形框架後，移送至Suss公司製造之De-Bonder DB12T，藉此，對支持構件之剝離性進行評價。
將支持構件中之於電漿聚合物分離層與晶圓表面之間發生了剝離之支持構件作為A且判定為合格，將支持構件中之於電漿聚合物分離層與晶圓表面之間未發生剝離，而是於晶圓背面與切割帶之間發生了剝離之支持構件作為C且判定為不合格。又，同樣將無法將切割帶貼附於構造體1之晶圓背面(未積層有電漿聚合物分離層等之面)者亦作為C且判定為不合格。
根據上述表1~表3，對於實施例1~實施例3而言，與切割帶之紫外線硬化型黏著劑層之紫外線硬化前之凝膠分率無關，全部切割帶之耐溶劑性、支持構件剝離性均合格，結果良好。另一方面，對於比較例1而言，於切割帶之紫外線硬化型黏著劑層之紫外線硬化前的凝膠分率低之情形時，耐溶劑性不合格，結果為評價結果取決於切割帶之構成，且缺乏通用性。又，對於比較例2、比較例3而言，結果為：雖然由於紫外線硬化，耐溶劑性合格，但是無法剝離支持構件，或切割帶之貼附本身無法進行，不適合作為半導體製造步驟。
雖說明本發明與其實施態樣，但只要本發明沒有特別指定，則即使在說明本發明之任一細部中，皆非用以限定本發明，且只要在不違反本案申請專利範圍所示之發明精神與範圍下，應作最大範圍的解釋。
本案主張基於2012年5月15日於日本提出申請之特願2012-111971之優先權，本發明係參照此申請案並將其內容加入作為本說明書記載之一部份。

Claims (7)

  1. 一種半導體晶圓之切割方法，其包含下述步驟：(a)經由接著劑將支持構件黏合於半導體晶圓之電路面側；(b)對該半導體晶圓之電路面相反側之背面進行薄型加工；(c)將至少具有紫外線硬化型黏著劑層之切割帶黏合於該半導體晶圓之電路面相反側的背面上；(d)將該半導體晶圓自該接著劑層及支持構件剝離；(e)使用有機溶劑對該半導體晶圓上之該接著劑的殘渣進行清洗；以及(f)切斷該半導體晶圓而晶片化；其特徵在於：於該(e)步驟前，該切割帶中之未黏著有該半導體晶圓之區域的黏著劑層已因紫外線照射而硬化。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之切割方法，其中，該藉由照射紫外線而進行之硬化係於該(c)步驟後，(h1)自半導體晶圓側照射紫外線，(h2)自切割帶側隔著遮罩而照射紫外線，或(h3)於該(c)步驟之前，隔著遮罩對未黏著有半導體晶圓之區域的黏著劑層部分照射紫外線。
  3. 一種半導體加工用切割帶，其用於包含下述步驟之半導體晶圓之切割方法：(a)經由接著劑將支持構件黏合於半導體晶圓之電路面側；(b)對該半導體晶圓之電路面相反側之背面進行薄型加工； (c)將至少具有紫外線硬化型黏著劑層之切割帶黏合於該半導體晶圓之電路面相反側的背面上；(d)將該半導體晶圓自該接著劑層及支持構件剝離；(e)使用有機溶劑對該半導體晶圓上之該接著劑的殘渣進行清洗；以及(f)切斷該半導體晶圓而晶片化；於該(e)步驟前，該切割帶中之未黏著有該半導體晶圓之區域的黏著劑層已因紫外線照射而硬化。
  4. 如申請專利範圍第3項之半導體加工用切割帶，其中，該黏著劑之放射線硬化型樹脂組成物之樹脂成分為(甲基)丙烯酸系共聚物，於聚合物支鏈或主鏈，經由胺酯(urethane)鍵而鍵結有含有(甲基)丙烯醯氧基之基。
  5. 一種半導體加工用切割帶，其用於申請專利範圍第1項之半導體晶圓之切割方法，且，該藉由照射紫外線而進行之硬化係於該(c)步驟後，(h1)自半導體晶圓側照射紫外線，(h2)自切割帶側隔著遮罩而照射紫外線，或(h3)於該(c)步驟之前，隔著遮罩對未黏著有半導體晶圓之區域的黏著劑層部分照射紫外線。
  6. 一種半導體加工用切割帶，其用於申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓之切割方法，其中，該切割帶之黏著劑硬化前之凝膠分率為20%以上。
  7. 一種半導體加工用切割帶，其用於申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓之切割方法，其中，該黏著劑之放射線硬化型樹脂組成物之樹脂 成分為(甲基)丙烯酸系共聚物，於聚合物支鏈或主鏈，經由胺酯(urethane)鍵而鍵結有含有(甲基)丙烯醯氧基之基。
TW102113389A 2012-05-15 2013-04-16 半導體晶圓之切割方法及使用於其之半導體加工用切割帶 TWI620239B (zh)

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