KR101886939B1 - 반도체 가공용 점착 테이프 - Google Patents

Abstract

서포트 부재를 사용한 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 서포트 부재를 반도체 웨이퍼에 접합하였던 접착제 잔사를 세정하기 위한 세정액이 점착제에 닿은 경우에 있어서도, 점착제가 용해되어 반도체 소자를 오염시키는 경우가 없고, 또한, 서포트 부재의 물리적·기계적 박리 시에 필요하게 되는 견고한 접착성을 구비하는 반도체 가공용 점착 테이프를 제공한다. 본 발명의 반도체 가공용 점착 테이프는, 기재 수지 필름의 적어도 한쪽 면에 방사선 경화성의 점착제층이 형성된 반도체 가공용 점착 테이프로서, 상기 점착제층의 자외선 조사 전에 있어서의 겔 분율이 65％ 이상 100％ 이하이고, 또한, 상기 점착제층의 자외선 조사 전에 있어서의 프로브 태크 시험의 피크값이 100 내지 600kPa인 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 가공용 점착 테이프{ADHESIVE TAPE FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING}

본 발명은 반도체 디바이스를 제조하는 공정에서의 반도체 웨이퍼의 다이싱에 사용하는 반도체 가공용 점착 테이프에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 서포트 부재를 사용한 반도체 소자의 제조에 사용하는 반도체 가공용 점착 테이프에 관한 것이다.

배선 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼의 이면을 박형 가공하는 데 있어서는, 반도체 웨이퍼의 패턴면의 보호와 반도체 웨이퍼 자체의 고정을 행하기 위해서, 패턴면에 보호 시트를 부착한 후에, 이면에 연마, 연삭 등의 박형 가공을 실시하는 것이 일반적이다. 이러한 보호 시트로서는, 플라스틱 필름을 포함하는 기재 상에 아크릴계 점착제 등이 도포되어 이루어지는 것이 일반적으로 사용되고 있다. 그러나, 최근 들어, IC 카드나 휴대 전화의 박형화, 소형화에 의해, 반도체칩의 두께도 50㎛ 이하의 레벨이 요구되어 오고 있어, 종래의 보호 테이프를 사용한 공정에서는, 보호 테이프만으로는 반도체 웨이퍼를 지지할 수 없어, 연삭 후에 있어서의 반도체 웨이퍼의 휨이나, 웨이퍼 카세트에의 수납 시에 있어서의 휨 등에 의해, 반도체 웨이퍼의 취급이 어려워져 핸들링이나 반송의 자동화를 곤란하게 하고 있었다.

이 문제에 대하여 반도체 웨이퍼에 유리 기판, 세라믹 기판이나 실리콘 웨이퍼 기판 등을, 접착제를 통하여 접합하여, 반도체 웨이퍼에 서포트성을 부여하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이렇게 보호 시트를 대신하여 유리 기판, 세라믹 기판이나 실리콘 웨이퍼 기판 등의 서포트 부재를 사용함으로써, 반도체 웨이퍼의 핸들링성은 크게 향상시켜서, 반송의 자동화가 가능해진다.

서포트 부재를 사용하여 반도체 웨이퍼를 핸들링한 경우, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 후에, 반도체 웨이퍼로부터 서포트 부재를 박리하는 공정이 필요하게 된다. 서포트 부재의 박리는, (1) 서포트 부재와 반도체 웨이퍼 사이의 접착제를 화학 약품으로 용해 또는 분해하거나, (2) 서포트 부재와 반도체 웨이퍼 사이의 접착제에 레이저광을 조사하여 광분해하는 등의 방법으로 행해지는 것이 일반적이다. 그러나, (1)의 방법에서는, 접착제 중에 화학 약품을 확산시키는 데도 장시간의 처리가 필요하게 되고, 또한 (2)의 방법에서는, 레이저의 스캔에 장시간의 처리가 필요하다는 문제가 있었다. 또한, 어느 방법도, 서포트 부재로서 특수한 기판을 준비할 필요가 있다고 하는 문제가 있었다.

이 때문에, 서포트 부재의 박리 시에, 박리의 시작점을 형성한 후, 물리적·기계적으로 박리시키는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2, 3 참조). 이 방법은, 종래의 접착제의 화학 약품에 의한 용해 또는 분해나 레이저 스캐닝에 의한 광분해에서 필요하였던 장시간의 처리가 불필요하게 되어, 단시간의 처리가 가능해진다. 반도체 웨이퍼로부터 서포트 부재를 박리한 후, 서포트 부재의 박리 시에 발생한 반도체 웨이퍼 상의 접착제의 잔사는, 그 후, 화학 약품으로 세정된다.

이면이 연삭된 반도체 웨이퍼는, 그 후, 다이싱 공정으로 옮겨져, 개개의 칩으로 절단되는데, 상술한 바와 같이, 반도체칩의 두께가 50㎛ 이하가 되면, 반도체 웨이퍼 단독으로는, 연삭 후에 있어서의 반도체 웨이퍼의 휨이나, 웨이퍼 카세트에의 수납 시에 있어서 휨 등에 의해, 반도체 웨이퍼의 취급이 매우 곤란해지기 때문에, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 직후에 서포트 부재의 박리에 앞서, 반도체 웨이퍼의 연삭면에 다이싱 테이프가 접합되어, 링 프레임에 지지 고정되는 것이 통례이다. 따라서, 서포트 부재의 박리 시에 발생한 반도체 웨이퍼 상의 접착제 잔사의 화학 약품에 의한 세정은, 다이싱 테이프에 반도체 웨이퍼가 붙여진 상태에서 행하여지게 되어, 다이싱 테이프에는 높은 내용제성이 요구된다.

높은 내용제성을 갖는 다이싱 테이프로서는, 점착제층에 에너지선 경화형 아크릴 수지 조성물을 포함하고, 또한 겔 분율을 70％ 이상으로 하는 것이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 4 참조).

일본 특허 공개 제2006-135272호 공보 일본 특허 공표 제2011-510518호 공보 미국 특허 출원 공개 제2011/0272092호 명세서 일본 특허 공개 제2009-224621호 공보

그러나, 특허문헌 4에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프는, 전술한 특허문헌 2, 3에 나타낸 바와 같은 서포트 부재의 물리적·기계적 박리 시에 필요하게 되는 견고한 접착성을 구비하고 있지 않고, 반도체 웨이퍼로부터 서포트 부재를 박리할 때에, 반도체 가공용 점착 테이프로부터 반도체 웨이퍼가 박리되어 버린다는 문제가 있었다.

따라서, 본 발명은 서포트 부재를 사용한 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 서포트 부재를 반도체 웨이퍼에 접합하였던 접착제 잔사를 세정하기 위한 세정액이 점착제에 닿은 경우에 있어서도, 점착제가 용해되어 반도체 소자를 오염시키는 경우가 없고, 또한, 서포트 부재의 물리적·기계적 박리 시에 필요하게 되는 견고한 접착성을 구비하는 반도체 가공용 점착 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 연구를 거듭한 결과, 기재 수지 필름 상에 점착제층을 갖고 이루어지는 반도체 가공용 점착 테이프로서, 그 겔 분율을 특정한 값으로 하고, 또한, 그 프로브 태크를 특정한 값으로 함으로써, 서포트 부재의 물리적·기계적 박리 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 점착제에 세정액이 닿은 경우에도 점착제가 용해되어 반도체 소자를 오염시키는 경우가 없고, 또한, 서포트 부재의 물리적·기계적 박리 시에 필요하게 되는 견고한 접착성을 구비할 수 있는 것을 발견하였다. 본 발명은 이 지견에 기초하여 이루어진 것이다.

즉, 본원 발명에 의한 반도체 가공용 점착 테이프는, 기재 수지 필름의 적어도 한쪽 면에 방사선 경화성의 점착제층이 형성된 반도체 가공용 점착 테이프로서, 상기 점착제층의 자외선 조사 전에 있어서의 겔 분율이 65％ 이상 100％ 이하이고, 또한, 상기 점착제층의 자외선 조사 전에 있어서의 프로브 태크 시험의 피크값이 200 내지 600kPa인 것을 특징으로 한다.

상기 반도체 가공용 점착 테이프는, 상기 점착제층이, 적어도, 분자 내에 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴 중합체와, 광중합 개시제와, 폴리프로필렌옥시드를 함유하여 이루어지고, 상기 폴리프로필렌옥시드가, 상기 점착제층의 전체 고형분에 대하여 0.1질량％ 이상 2.0질량％ 이하 포함되어 있는 것이 바람직하다.

또한, 상기 반도체 가공용 점착 테이프는, 상기 폴리프로필렌옥시드는, 수 평균 분자량이 3000보다도 크고 10000 이하인 것이 바람직하다.

또한, 상기 반도체 가공용 점착 테이프는, 기재 수지 필름측으로부터 입사한 파장 1064nm의 광선의 평행 광선 투과율이 88％ 이상 100％ 미만인 것이 바람직하다.

또한, 상기 반도체 가공용 점착 테이프는, 기재 수지 필름의 점착제층과는 반대측의 표면 조도 Ra가 0.1㎛ 이상 0.3㎛ 이하인 것이 바람직하다. 표면 조도 Ra는 0.12㎛ 이상 0.19㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.

본 발명에 따르면, 서포트 부재를 사용한 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 서포트 부재를 반도체 웨이퍼에 접합하였던 접착제 잔사를 세정하기 위한 세정액이 점착제에 닿은 경우에 있어서도, 점착제가 용해되어 반도체 소자를 오염시키는 경우가 없고, 또한, 서포트 부재의 물리적·기계적 박리 시에 필요하게 되는 견고한 접착성을 구비할 수 있다.

이하에, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.

본 발명의 실시 형태에 따른 반도체 가공용 점착 테이프는, 기재 수지 필름의 적어도 편측에, 적어도 1층의 점착제층이 형성되어 있다.

본 발명의 실시 형태에 따른 반도체 가공용 점착 테이프는, 점착제층의 겔 분율이, 65％ 이상, 바람직하게는 70％ 이상, 더욱 바람직하게는 80％ 이상이다. 겔 분율은, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 시에 반도체 웨이퍼에 서포트 부재를 접합 하는 데 사용된 접착제를 용해 또는 분해하기 위한 약품에 대한 겔 분율이며, 바람직하게는 메틸이소부틸케톤에 대한 겔 분율이다. 겔 분율이 너무 작으면, 점착제층의 내약품성이 낮아, 반도체 가공용 점착 테이프가 메틸이소부틸케톤 및 그의 유도체 등의 약품에 노출될 가능성이 있는 반도체 소자의 제조 공정에 있어서는, 상기 약품에 의해 용융된 점착제가 반도체칩을 오염시켜버린다.

또한, 본 발명에 있어서 겔 분율이란, 점착제층 중의 피가교 성분을 제외한 가교한 점착제 성분의 비율을 의미한다. 겔 분율의 산출에는, 이하에 설명하는 방법을 사용하였다. 또한, 본 발명에 있어서, 겔 분율은, 점착제층 형성 직후에, 세퍼레이터 등으로 점착제층 표면을 보호한 상태이며, 에너지선 조사 전의 점착제층에 대하여 측정된 것으로 한다.

(겔 분율의 산출)

50mm×50mm의 크기로 커트한 반도체 가공용 점착 테이프로부터, 세퍼레이터를 제거하고, 그 질량 A를 칭량하였다. 다음으로 이 칭량한 반도체 가공용 점착 테이프의 샘플을 예를 들어 메틸이소부틸케톤(MIBK) 100g중에 침지한 상태에서 48시간 방치한 후, 50℃의 항온층에서 건조하고, 그 질량 B를 칭량하였다. 또한 100g의 아세트산에틸을 사용하여 샘플의 점착제층을 닦아내어 제거한 후, 샘플의 질량 C를 칭량하고, 하기 수학식 1에 의해 겔 분율을 산출하였다.

또한, 점착제층의 방사선 조사 전에 있어서의 프로브 태크 시험의 피크값이 200 내지 600kPa이다. 프로브 태크 시험의 피크값이 너무 작으면, 점착제층의 피착체에 대한 밀착성이 불충분해서, 서포트 부재의 박리가 곤란해진다. 프로브 태크 시험의 피크값이 너무 크면, 풀 잔류나 칩핑이 발생하기 쉬워진다. 프로브 태크의 측정에는 이하에 설명하는 방법을 사용한다.

(프로브 태크의 측정)

프로브 태크의 측정은, 예를 들어 가부시키가이샤 레스카의 태킹 시험기 TAC-II를 사용하여 행한다. 측정 모드는, 설정한 가압값까지 프로브를 압입하고, 설정한 시간이 경과할 때까지 가압값을 유지하도록 계속하여 컨트롤하는 Constant Load를 사용한다. 세퍼레이터를 박리한 후, 점착 테이프의 점착제층을 위로 하여, 상측으로부터 직경 3.0mm의 SUS304제의 프로브를 접촉시킨다. 프로브를 측정 시료에 접촉시킬 때의 스피드는 30mm/min이며, 접촉 하중은 0.98N이며, 접촉 시간은 1초이다. 그 후, 프로브를 600mm/min의 박리 속도로 상방으로 떼고, 떼는 데 요하는 힘을 측정한다. 프로브 온도는 23℃이며, 플레이트 온도는 23℃로 한다.

이하, 본 실시 형태의 반도체 가공용 점착 테이프의 각 구성 요소에 대하여 상세하게 설명한다.

(기재 수지 필름)

기재 수지 필름으로서는, 점착제층을 경화시키는 방사선으로서 UV를 사용하는 경우에는 기재 수지 필름은 광투과성일 필요가 있다. 또한, 반도체 가공용 점착 테이프 너머로 레이저를 입사시킬 필요가 있게 된 경우에 있어서는, 마찬가지로 광투과성일 필요가 있다. 반도체 가공용 점착 테이프 너머로 레이저를 입사시키기 위해서는, 반도체 가공용 점착 테이프의 평행 광선 투과율이 88％ 이상, 100％ 미만일 필요가 있지만, 점착제층 도포에 의해 확산광을 저감할 수 있기 때문에, 기재 수지 필름 단독에서는 확산광을 고려할 필요는 없고, 기재 수지 필름의 평행 광선 투과율은 반드시 88％ 이상, 100％ 미만일 필요는 없다.

한편, 방사선으로서 전자선을 사용하고, 또한, 반도체 가공용 점착 테이프 너머로 레이저를 입사시킴으로써 반도체 웨이퍼에 개질 영역을 형성시킬 필요가 없는 경우에는 기재 수지 필름은 반드시 광투과성일 필요는 없다.

기재 수지 필름을 구성하는 재료로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 및 폴리부텐과 같은 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체 및 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체와 같은 에틸렌 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리메타크릴산메틸 등의 엔지니어링 플라스틱, 연질 폴리염화비닐, 반경질 폴리염화비닐, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리이미드 천연 고무 및 합성 고무 등의 고분자 재료가 바람직하다. 또한 이들 군에서 선택되는 2종 이상이 혼합된 것 또는 복층화된 것이어도 되고, 점착제층과의 접착성에 따라 임의로 선택할 수 있다. 기재 수지 필름으로서는, 에틸렌-아크릴산 공중합체의 아이오노머를 사용하여 이루어지는 필름인 것이 더욱 바람직하다.

기재 수지 필름의 두께는, 특별히 제한하는 것은 아니지만, 바람직하게는 10 내지 500㎛이며, 보다 바람직하게는 40 내지 400㎛, 특히 바람직하게는 70 내지 250㎛이다.

기재 수지 필름의 점착제층이 접하는 면과는 반대측의 면의 표면 조도(산술 평균 조도 Ra)는 특별히 제한되지 않지만, 반도체 가공용 점착 테이프 너머로 레이저를 입사시킬 필요가 있게 된 경우에 있어서는, 0.1 내지 0.3㎛인 것이 바람직하고, 0.12 내지 0.19㎛인 것이 보다 바람직하다. 반도체 가공용 점착 테이프 너머로 레이저를 입사시킬 필요가 있게 된 경우에 있어서, 기재 수지 필름의 점착제층이 접하는 면과는 반대측의 면의 표면 조도(산술 평균 조도 Ra)가 0.3㎛보다도 크면, 스텔스 다이싱이라고 불리는 방법(반도체 웨이퍼의 이면에 다이싱 테이프가 부착된 상태에서, 다이싱 테이프에 대하여 투과성을 갖는 레이저광을, 반도체 웨이퍼의 내부에 집광점을 맞춰서 다이싱 테이프를 통하여 반도체 웨이퍼의 이면으로부터 입사시켜서, 반도체 웨이퍼의 절단 예정 라인을 따라 반도체 웨이퍼의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역을 기점으로 하여 절단 예정 라인을 따라 반도체 웨이퍼를 나눔으로써 반도체 웨이퍼를 절단하는 방법)에 있어서, 입사한 레이저광이 기재 수지 필름의 점착제층이 접하는 면과는 반대측의 면의 표면에서 확산되어, 반도체 웨이퍼의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 효율적으로 형성할 수 없다. 한편, 기재 수지 필름의 점착제층이 접하는 면과는 반대측의 면의 표면 조도(산술 평균 조도 Ra)가 0.1㎛보다도 작으면, 기재 수지 필름의 점착제층이 접하는 면과는 반대측의 면의 미끄럼성이 낮아져, 분할한 칩의 간격을 익스팬드 공정에 의해 확장할 때에 균일하게 칩 간격을 확장하는 것이 어려워진다. 기재 수지 필름의 점착제층이 접하는 면과는 반대측의 면의 표면 조도는, T다이법, 캘린더법의 경우에는 필름 압출 시의 냉각 롤의 표면 조도를 조절에 의해, 용액 유연법의 경우에는 드럼이나 벨트의 표면 조도를 조절함으로써 제어할 수 있다. 또한, 임의의 표면 조도를 갖는 필름에 각종 수지를 코팅함으로써도 제어 가능하다.

기재 수지 필름의 점착제층에 접하는 면에는 밀착성을 향상시키기 위해서, 코로나 처리를 실시하거나, 프라이머 등의 처리를 실시해도 된다.

(점착제층)

점착제층은, 분자 내에 불포화 이중 결합을 갖는 아크릴계 화합물을 주성분으로 하고, 부성분으로서 광중합 개시제, 경화제 등을 포함하는 아크릴계 점착제의 에너지선 경화형 아크릴 수지 조성물을 사용하여 형성되어 있다.

상기 분자 내에 불포화 이중 결합을 갖는 아크릴계 화합물로서는, 예를 들어, 펜틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 헥실아크릴레이트, n-옥틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 도데실아크릴레이트, 데실아크릴레이트, 메톡시에틸아크릴레이트, 에톡시에틸아크릴레이트, 펜틸메타크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 헥실메타크릴레이트, n-옥틸메타크릴레이트, 이소옥틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 도데실메타크릴레이트, 데실메타크릴레이트, 메톡시에틸메타크릴레이트, 에톡시에틸메타크릴레이트, 관능기를 갖는 아크릴산, 메타크릴산, 신남산, 이타콘산, 푸마르산, 프탈산, 히드록시알킬아크릴레이트류, 히드록시알킬메타크릴레이트류, 글리콜모노아크릴레이트류, 글리콜모노메타크릴레이트류, N-메틸올아크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드, 알릴알코올, N-알킬아미노에틸아크릴레이트류, N-알킬아미노에틸메타크릴레이트류, 아크릴아미드류, 메타크릴아미드류, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 푸마르산, 무수 프탈산, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 알릴글리시딜에테르, 아세트산비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴, 비닐알코올로부터 선택되는 1종 또는 복수종의 단량체의 중합체, 또는, 몇종의 중합체의 혼합물(이하, 「(화합물 1)」이라고 한다)에, 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 도입한 것을 들 수 있다.

여기서, 점착제층의 겔 분율을 높이기 위해서, 특허문헌 4에서 제안되는 바와 같이, 아크릴 수지 조성물로서는 고분자량의 것을 선정하고, 그들을 가교제에 의해 가교시키는 일반적인 방법을 사용한 경우, 이에 의해 반도체 가공용 테이프의 접착성은 저하되는 경향이 있어, 서포트 부재의 물리적·기계적 박리 시에 필요하게 되는 견고한 접착성이 손상되는 결과가 된다.

따라서, (화합물 1)에 공중합되는, 관능기를 갖는 아크릴계 화합물로서는 특별히 제한되지 않지만, 후술하는 가교제와 반응시킴으로써 얻어지는 가교 구조 형성 시에, 아크릴계 화합물과 경화제를 포함하는 아크릴계 점착제의 분자량 증대 (즉 가교점수의 증대)와, 점착제의 유연성(태크력)을 양립시키기 위해서, 관능기를 갖는 아크릴계 화합물은 큰 분자량을 갖는 것이 바람직하고, 그 분자량은 100 이상인 것이 바람직하고, 115 이상인 것이 보다 바람직하다. 예를 들어, 관능기를 갖는 아크릴계 화합물로서 히드록시알킬아크릴레이트류를 사용하는 경우, 2-히드록시에틸아크릴레이트(분자량 116)보다는 2-히드록시프로필아크릴레이트(분자량 130), 4-히드록시부틸아크릴레이트(분자량 144), 1,4-시클로헥산디메탄올모노아크릴레이트(분자량 198)가 바람직하다. 또한, 관능기를 갖는 아크릴계 화합물로서 히드록시알킬아크릴아미드류를 사용하는 경우, N-(히드록시메틸)아크릴아미드(분자량 101)보다는 N-(2-히드록시에틸)아크릴아미드(분자량 115), N-(2-히드록시프로필)아크릴아미드(분자량 129)가 바람직하다. 관능기를 갖는 아크릴계 화합물로서 분자량이 큰 단량체를 사용함으로써, 가교점의 분자 운동이 용이해지고, 점착제층에 의해 유연성을 갖게 하는 것이 가능해진다.

(화합물 1)에, 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 도입하는 방법으로서는, (화합물 1)의 측쇄에 관능기를 갖고, 이것과 부가 반응 가능한 관능기와 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 (화합물 1)에 부가시키는 방법을 들 수 있다. (화합물 1)에 부가 반응 가능한 관능기와 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 부가 반응의 대상이 되는 측쇄가 카르복실기 또는 산무수물일 경우에는, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 부가 반응의 대상이 되는 측쇄가 에폭시기일 경우에는, (메트)아크릴산 등을 들 수 있고, 부가 반응의 대상이 되는 측쇄가 수산기일 경우에는, 2-이소시아네이트알킬(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

분자 내에 불포화 이중 결합을 갖는 아크릴계 화합물은, 내약품성의 점에서 중량 평균 분자량 100000 이상 2000000 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 중량 평균 분자량 300000 이상 1500000 이하이다. 중량 평균 분자량 100000 이하에서는 수지의 내약품성이 낮기 때문에, 서포트 부재를 제거할 때에 사용되는 세정액에 의해 점착제층이 용해되어, 반도체 기판을 오염시키게되어버릴 경우가 있다. 한편, 중량 평균 분자량 1000000 이상의 고분자량체는 매우 고점도가 되기 때문에, 점착제로서의 이용에 적합한 상태에서의 제조가 곤란하다.

본 발명에 사용할 수 있는 광중합 개시제는 특별히 제한없이, 종래 알려져 있는 임의의 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 벤조페논, 4,4'-디메틸아미노벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논 등의 벤조페논류, 아세토페논, 디에톡시아세토페논 등의 아세토페논류, 2-에틸안트라퀴논, t-부틸안트라퀴논 등의 안트라퀴논류, 2-클로로티오크산톤, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체(로핀 2량체), 아크리딘계 화합물 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

광중합 개시제의 첨가량으로서는, 광중합성 탄소-탄소 이중 결합이 도입된 아크릴계 화합물 100질량부에 대하여 0.1 내지 15질량부로 하는 것이 바람직하고, 0.5 내지 12질량부로 하는 것이 보다 바람직하다.

경화제는, 폴리이소시아네이트류, 멜라민·포름알데히드 수지, 및 에폭시 수지로부터 선택되는 화합물이며, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 아크릴계 화합물과 반응한 결과 생기는 가교 구조에 의해, 아크릴계 화합물과 경화제를 포함하는 아크릴계 점착제의 분자량을 증가시켜서, 내용제성을 점착제 도포 후에 향상시킬수 있다.

폴리이소시아네이트류로서는, 특별히 제한이 없고, 예를 들어, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 4,4'-〔2,2-비스(4-페녹시페닐)프로판〕디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸-헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 2,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트, 리신트리이소시아네이트 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 시판품으로서 코로네이트 L(닛본 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤 제조) 등을 사용할 수 있다.

또한, 멜라민·포름알데히드 수지로서는, 구체적으로는, 시판품으로서, 니칼락 MX-45(가부시키가이샤 산와 케미컬 제조), 멜란(히다치 가세이 가부시키가이샤 제조) 등을 사용할 수 있다.

본 발명에 있어서는, 특히 폴리이소시아네이트류를 사용하는 것이 바람직하다.

가교제의 종류로서는 특별히 제한되지 않지만, 전술한 바와 같이, (화합물 1)의 관능기와 반응시킴으로써 얻어지는 가교 구조 형성 시에, 아크릴계 화합물과 경화제를 포함하는 아크릴계 점착제의 분자량 증대(즉 가교점수의 증대)와, 동 점착제의 유연성(태크력)을 양립시키기 위해서, 1 관능기당의 분자량이 큰 것이 바람직하고, 가교제의 1 관능기당의 분자량은, 바람직하게는 150 이상, 보다 바람직하게는 200 이상인 것이 바람직하다. 예를 들어, 가교제로서 폴리이소시아네이트류를 사용하는 경우, 이소시아네이트기 1개당의 분자량이 큰 것이 바람직하다. 뷰렛형, 이소시아누레이트형보다는 알로파네이트형, 어덕트형이 바람직하다. 아크릴계 화합물과 경화제를 포함하는 아크릴계 점착제가 같은 가교점수를 가지면, 즉, 아크릴계 화합물과 경화제를 포함하는 아크릴계 점착제의 가교 구조 형성 후의 분자량이 거의 동등하면, 아크릴계 화합물과 경화제를 포함하는 아크릴계 점착제의 내용제성은 동등하고, 이때, 이소시아네이트기 1개당의 분자량이 큰 것을 사용한 쪽이, 가교점의 분자 운동이 보다 용이하게 되기 때문에, 아크릴계 화합물과 경화제를 포함하는 아크릴계 점착제는 보다 유연하게 되어, 태크력을 크게 할 수 있다.

경화제의 첨가량으로서는 특별히 한정되지는 않지만, 분자 내에 불포화 이중 결합을 갖는 아크릴계 화합물 100질량부에 대하여 0.1 내지 15질량부로 하는 것이 바람직하고, 1 내지 10질량부로 하는 것이 보다 바람직하다. 그 양이 0.1질량부 미만이면 응집력 향상 효과가 충분하지 않은 경향이 있고, 15질량부를 초과하면 점착제의 배합 및 도포 작업 중에 경화 반응이 급속하게 진행하여 가교 구조가 형성되기 때문에, 작업성이 손상되는 경우가 있다.

또한, 분자 내에 불포화 이중 결합을 갖는 아크릴계 화합물과 상기 아크릴계 화합물과 반응할 수 있는 가교제의, 점착제층의 전체 고형분에 차지하는 비율이 85질량％ 이상인 것이 바람직하다.

또한, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 직후에 서포트 부재의 박리에 앞서, 반도체 웨이퍼의 연삭면에 반도체 가공용 점착 테이프가 접합되게 되는데, 특허문헌 4에 나타나는 반도체 가공용 점착 테이프에서는, 이면 연삭 직후에 있어서의 산화막 형성 전의 웨이퍼면에 접합된 경우, 그 후의 박리가 곤란해진다는 문제가 있었다. 따라서, 이면 연삭 직후에 있어서의 산화막 형성 전의 웨이퍼면에 접합된 경우에도, 그 후의 박리가 용이해지도록 하기 위해서, 폴리프로필렌옥시드를 첨가하는 것이 바람직하다.

폴리프로필렌옥시드로서는, 특별히 제한되지 않고, 종래의 폴리프로필렌옥시드 중에서 적절히 선택할 수 있다. 폴리프로필렌옥시드의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 3000보다도 크고 10000 이하, 더욱 바람직하게는, 4000 내지 10000이다. 폴리프로필렌옥시드의 수 평균 분자량이 너무 크면, 폴리프로필렌옥시드와 상기 아크릴 중합체 (X)와의 친화성이 나빠서, 피착체의 오염이 발생한다. 폴리프로필렌옥시드의 수 평균 분자량이 너무 작으면, 점착제층의 내수성이 불충분해져서, 절삭수에 의해 점착제층이 팽윤하여, 다이싱 라인의 사행이 발생한다.

피착체에 대한 오염의 관점에서, 수 평균 분자량이 3000보다도 크고 10000 이하, 더욱 바람직하게는, 4000 내지 10000인 폴리옥시프로필렌-글리세릴에테르가 바람직하다. 수 평균 분자량이 이 범위인 폴리옥시프로필렌-글리세릴에테르를 사용함으로써 폴리프로필렌옥시드 분자 내의 수산기수가 2로부터 3으로 증가하기 때문에, 폴리이소시아네이트 등의 가교제와의 반응에 의해, 폴리프로필렌옥시드가 가교 구조 중에 도입될 확률이 증가하여, 폴리프로필렌옥시드가 피착체 계면으로 이행하여, 피착체 표면의 오염을 저감할 수 있다.

수 평균 분자량이 3000보다도 크고 10000 이하인 폴리프로필렌옥시드로서는, 유니올 D-4000(수 평균 분자량 4000)((상품명), 니치유 가부시키가이샤 제조), 프레미놀 S4007(수 평균 분자량 5000)((상품명), 아사히 가라스 가부시키가이샤 제조), 프레미놀 S4011(수 평균 분자량 10000)((상품명), 아사히 가라스 가부시키가이샤 제조) 등을 들 수 있다. 수 평균 분자량이 3000보다도 크고 10000 이하인 폴리옥시프로필렌-글리세릴에테르로서는, 유니올 TG-4000(수 평균 분자량 4000)((상품명), 니치유 가부시키가이샤 제조)), 프레미놀 S3006(수 평균 분자량 5000)((상품명), 아사히 가라스 가부시키가이샤 제조), 프레미놀 S3011(수 평균 분자량 10000)((상품명), 아사히 가라스 가부시키가이샤 제조) 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.

수 평균 분자량이 3000보다도 크고 10000 이하인 폴리프로필렌옥시드의 배합량으로서는, 분자 내에 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴 중합체(X) 및/또는 아크릴 중합체(Y) 100질량부에 대하여 0.1 내지 3.0질량부, 바람직하게는 0.5 내지 2.0질량부의 범위로부터 적절히 선택할 수 있다. 폴리프로필렌옥시드의 배합량이 너무 적으면, 자연 산화막이 전면적으로 형성되어 있지 않은 상태의 불안정한 웨이퍼 연삭면에, 다이싱용 점착 테이프 또는 시트가 접합된 경우에 대구경의 반도체 웨이퍼로부터 박형의 반도체칩을 효율적으로 픽업할 수 없다. 폴리프로필렌옥시드의 배합량이 너무 많으면, 방사선 경화 전에 있어서의 점착성이 불충분해져서, 다이싱 시에 칩의 단부가 박리되어, 칩 이면에 절삭 더스트가 부착된다.

점착제층을 형성하기 위한 점착제 조성물 중에는, 필요에 따라, 예를 들어, 점착 부여제, 노화 방지제, 충전제, 착색제, 난연제, 대전 방지제, 연화제, 자외선 흡수제, 산화 방지제, 가소제, 계면 활성제 등의 공지된 첨가제 등이 포함되어 있어도 된다.

또한 본 발명에 사용되는 점착제층을 형성하는 아크릴계 수지 조성물에는, 필요에 따라 자외선 경화성 단량체, 자외선 경화성 올리고머, 점착 부여제, 점착 조정제, 계면 활성제 등, 또는 기타의 개질제 등을 배합할 수 있지만, 이들 재료의 첨가는 점착제의 겔 분율을 저하시키고, 내약품성을 손상시키는 경우가 있기 때문에, 분자 내에 불포화 이중 결합을 갖는 아크릴계 화합물 100질량부에 대하여 20질량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10질량부 이하, 더욱 바람직하게는 5질량부 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.

점착제층의 두께는 바람직하게는 5㎛ 이상 70㎛ 이하, 보다 바람직하게는 8㎛ 이상 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 10㎛ 이상 30㎛ 이하이다. 점착제층이 너무 얇으면 전극의 요철에 추종할 수 없고, 다이싱 가공 시에 절삭수나 절삭 칩이 침입되어 버린다는 문제가 발생하고, 반대로 너무 두꺼우면 다이싱 가공 시에 있어서 칩핑이 커져서, 반도체 소자의 품질이 떨어진다.

본 발명에 있어서, 점착제층을 경화시키는 에너지선으로서는, 방사선이 바람직하고, 방사선으로서는, 자외선(UV) 등의 광선, 전자선 등을 들 수 있다.

본 발명에 있어서, 점착제층은, 다음의 (a) 내지 (c)의 화합물 모두를 함유하는 것이 바람직하다.

(a) 다음의 화합물 (a1) 내지 (a3)을 포함하는 불포화 이중 결합을 갖는 아크릴계 화합물로서, 중량 평균 분자량이 100000 이상 2000000 이하를 만족하는 것

(a1) 펜틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 헥실아크릴레이트, n-옥틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 도데실아크릴레이트, 데실아크릴레이트, 메톡시에틸아크릴레이트, 에톡시에틸아크릴레이트, 펜틸메타크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 헥실메타크릴레이트, n-옥틸메타크릴레이트, 이소옥틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 도데실메타크릴레이트, 데실메타크릴레이트, 메톡시에틸메타크릴레이트, 에톡시에틸메타크릴레이트, 아크릴산, 메타크릴산, 신남산, 이타콘산, 푸마르산, 프탈산, 히드록시알킬아크릴레이트류, 히드록시알킬메타크릴레이트류, 글리콜모노아크릴레이트류, 글리콜모노메타크릴레이트류, N-메틸올아크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드, 알릴알코올, N-알킬아미노에틸아크릴레이트류, N-알킬아미노에틸메타크릴레이트류, 아크릴아미드류, 메타크릴아미드류, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 푸마르산, 무수 프탈산, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 알릴글리시딜에테르, 아세트산비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴, 비닐알코올로부터 선택되는 1종 또는 복수종의 단량체의 중합체, 또는, 몇종의 중합체의 혼합물

(a2) 상기 화합물 (a1)에 공중합되는 관능기를 갖는 아크릴계 화합물로서, 히드록시알킬아크릴레이트류, 또는 히드록시알킬아크릴아미드류이며, 분자량이 100 이상을 만족하는 것

(a3) 상기 화합물 (a1)에 부가 반응 가능한 관능기와 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서, 부가 반응의 대상이 되는 측쇄가 카르복실기 또는 산무수물일 경우에는, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 부가 반응의 대상이 되는 측쇄가 에폭시기일 경우에는, (메트)아크릴산, 부가 반응의 대상이 되는 측쇄가 수산기일 경우에는, 2-이소시아네이트알킬(메트)아크릴레이트

(b) 광중합 개시제

(c) 상기 화합물 (a) 100질량부에 대하여 0.1 내지 15질량부의 폴리이소시아네이트류

기재 수지 필름 상에 점착제층을 형성하는 방법은 특별히 한정은 없고, 예를 들어, 상기 아크릴 수지 조성물을 통상 사용되는 도포 방법에 의해 기재 수지 필름 상에 도포, 건조시켜서 형성하는 외에, 세퍼레이터 상에 도포한 점착제층을 기재 수지 필름과 접합함으로써 기재 수지 필름에 전사함으로써 제작할 수 있다.

또한, 필요에 따라, 실용에 이용될 때까지의 동안, 점착제층을 보호하기 위하여 통상 세퍼레이터로서 사용되는 합성 수지 필름을 점착제층측에 부착해 두어도 된다. 합성 수지 필름의 구성 재료로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름이나 종이 등을 들 수 있다. 합성 수지 필름의 표면에는, 점착제층 3으로부터의 박리성을 높이기 위해서, 필요에 따라 실리콘 처리, 장쇄 알킬 처리, 불소 처리 등의 박리 처리가 실시되어 있어도 된다. 합성 수지 필름의 두께는, 통상 10 내지 100㎛, 바람직하게는 25 내지 50㎛ 정도이다.

또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 반도체 가공용 점착 테이프에 대해서, 반도체 가공용 점착 테이프 너머로 레이저광을 입사시킬 필요가 있게 된 경우, 예를 들어, 전술한 스텔스 다이싱이라고 불리는 방법에 제공된 경우에는, 기재 수지 필름측으로부터 입사한 파장 1064nm의 광선의 평행 광선 투과율이 88％ 이상 100％ 미만인 것이, 레이저광이 반도체 웨이퍼에 도달하기 전에 감쇠 또는 확산되는 것을 방지하여, 반도체 웨이퍼 내부에 개질층을 적절하게 형성하는 관점에서 바람직하다. 물론, 반도체 가공용 점착 테이프 너머로 레이저광을 입사시킬 필요가 없는 경우에는, 파장 1064nm의 광선의 평행 광선 투과율에는 특별히 제약은 없다.

계속해서, 서포트 부재에 대하여 설명한다.

(서포트 부재)

서포트 부재는, 규소, 사파이어, 수정, 금속(예를 들어, 알루미늄, 구리, 강), 여러가지 유리 및 세라믹스로 이루어지는 군에서 선택된 소재를 포함한다. 이 서포트 부재의 접착제를 부착하는 면에는 퇴적된 다른 소재를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼 상에 질화규소를 증착하는 것도 가능하고, 이에 의해 접합 특성을 바꿀 수 있다.

(서포트 부재의 부착)

상기 서포트 부재를 부착함에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 후술하는 접착제의 접착제액을 도포한 후, 도포한 접착제를 오븐 또는 핫 플레이트에서 건조시킨다. 또한, 접착제(접착제층)의 필요한 두께를 얻기 위해서, 접착제액의 도포와 예비 건조를 복수회 반복해도 된다.

또한, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 접착제의 접착제액을 도포하는 데 있어서는, 접착제의 접착제액의 도포를 행하기 전에, 일본 특허 공표 제2009-528688호 공보에 개시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼의 회로면에 플라즈마 중합체 분리층을 퇴적시킴으로써, 서포트 부재의 박리 시에, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면과 플라즈마 중합체 분리층 사이에서 박리시키는 경우가 있다.

또한, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 접착제액을 스핀 코터로 도포하면 주연부에 한층 높아진 비드부가 생기는 경우가 있다. 이 경우에는, 그 접착제액을 예비 건조하기 전에, 비드부를 용제에 의해 제거하는 것이 바람직하다.

(접착제)

접착제로서는, 본 발명에 있어서는 시판하는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 브루어 사이언스사(미주리주 롤라)로부터 판매되고 있는 WaferBONDTM 재료(슬라이드 본딩 프로세스용의 WaferBONDTM HT 10.10, 케미컬 본딩 프로세스용의 WaferBONDTM CR200)나, WACKER사가 제조한 재료인 ELASTOSIL LR 3070 등을 들 수 있다.

또한, 반도체 소재, 유리 또는 금속에 대하여 높은 접착력을 나타내는 수지 또는 중합체류도 바람직하고, 특히 바람직하게는, 예를 들어, (가) 고고형분이고, 반응성 에폭시류 및 아크릴류와 같은 UV 경화 수지, (나) 2액성 에폭시 또는 실리콘 접착제와 같은 동족의 열경화 수지, (다) 열가소성의 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 할로겐화 비닐(불소계 불포함) 수지 또는 비닐에스테르의 중합체류나 공중합체류를, 폴리아미드류, 폴리이미드류, 폴리술폰류, 폴리에테르술폰류 또는 폴리우레탄류로, 용융 상태 또는 용액 도막으로서 도포하고, 도포 시공 후에 굽는 것에 의해 건조하여 서포트 부재와 반도체 웨이퍼를 일층 치밀하게 하며, 또한, (라) 환상 올레핀류, 폴리올레핀고무류(예를 들어 폴리이소부틸렌) 또는 (마) 탄화수소를 베이스로 한 점착 부여 수지류를 들 수 있다.

접착제로서는, 연마 시에 물을 사용하므로 비수용성의 고분자 화합물이 바람직하고, 또한 연화점이 높은 것이 바람직하다. 이러한 고분자 화합물로서는, 노볼락 수지, 에폭시 수지, 아미드 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 폴리스티렌, 폴리비닐에테르, 폴리아세트산비닐 및 그 변성물 또는 그들의 혼합물을 용제에 용해한 것을 들 수 있다. 그 중에서도 아크릴계 수지 재료는 200℃ 이상의 내열성이 있고, 발생되는 가스도 적고, 크랙이 발생되기 어려우므로 바람직하다. 또한 노볼락 수지도 스컴이 없고, 내열성, 발생 가스량 및 크랙의 발생에 대해서는 아크릴계 수지 재료에 비해 떨어지지만, 연화점이 높고, 접착 후의 박리에 대해서도 용제 박리가 용이한 점에서 바람직하다. 이것 외에 성막 시의 크랙 방지에 가소제를 혼합해도 된다.

또한, 용제로서는 상기 수지를 용해할 수 있고, 또한 균일하게 웨이퍼에 성막할 수 있는 것이 바람직하고, 케톤류(예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산, 메틸이소부틸케톤, 메틸이소아밀케톤, 2-헵타논 등), 다가 알코올류 또는 그의 유도체(예를 들어, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트또는 이들의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 또는 모노페닐에테르 등), 환식 에테르류(예를 들어, 디옥산), 에스테르류(예를 들어, 락트산에틸, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등) 또는 방향족 탄화수소류(예를 들어, 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등)를 들 수 있다. 이들 중에서도 특히 상기 케톤류 또는 그의 유도체가 바람직하다.

이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 또한 막 두께의 균일성을 향상시키기 위하여 이들에 활성제를 첨가해도 된다.

(접착제 잔사의 세정액)

반도체 웨이퍼로부터 접착제와 서포트 부재를 박리한 후에, 반도체 웨이퍼 1 상에 잔존하는 접착제 잔사를 제거하기 위한 세정액으로서는, 상기 접착제에 사용되는 유기 용제 외에, 1가 알코올류(예를 들어, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올 등), 락톤류(예를 들어, γ-부티로락톤 등), 락탐류(예를 들어, γ-부티로락탐 등), 에테르류(예를 들어, 디에틸에테르나 아니솔 등), 알데히드류(예를 들어, 디메틸포름알데히드, 디메틸아세트알데히드 등)를 사용해도 된다. 이들 중에서도 특히 전술한 케톤류 또는 그의 유도체가 바람직하다.

이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 또한 접착제 잔사의 세정을 효율적으로 행하기 위해서, 이들에 활성제를 첨가해도 된다.

다음으로 본 발명을 실시예에 기초하여 더욱 상세하게 설명한다. 이하 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

(실시예 1)

2-에틸헥실아크릴레이트(70mol％), 메타크릴산(1mol％), 2-히드록시프로필아크릴레이트(29mol％)의 공중합체에 2-히드록시프로필아크릴레이트 측쇄 말단 OH기에, 광중합성 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 갖는 화합물로서, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트의 NCO기를 부가 반응시킨 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 화합물(A1: 분자량 700000)을 얻었다. 이 화합물 (A1) 100질량부에 대하여 폴리이소시아네이트로서 트리메틸올프로판 변성 헥사메틸렌디이소시아네이트를 1질량부, 광중합 개시제로서 BASF사 제조: 이르가큐어―184를 5.0질량부 첨가하여 합쳐서, 방사선 경화성 점착제인 수지 조성물을 조제하였다. 이 수지 조성물을, 미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에 건조 후의 점착층의 두께가 10㎛가 되도록 도포 시공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 미리 표면에 코로나 처리가 실시된 저밀도 폴리에틸렌의 코로나 처리면과 접합하여 기재 수지 필름에 점착제를 전사시킴으로써 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.

(실시예 2)

에틸아크릴레이트(70mol％), 메타크릴산(1mol％), 4-히드록시부틸아크릴레이트(29mol％)의 공중합체의 4-히드록시부틸아크릴레이트 측쇄 말단 OH기에, 광중합성 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 갖는 화합물로서, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트의 NCO기를 부가 반응시킴으로써 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 화합물(A2: 분자량 180000)을 얻었다. 이 화합물 (A2) 100질량부에 대하여 폴리이소시아네이트로서 트리메틸올프로판 변성 헥사메틸렌디이소시아네이트를 1질량부, 광중합 개시제로서 BASF사 제조: 이르가큐어―184를 5질량부 첨가하여 합쳐서, 방사선 경화성 점착제인 수지 조성물을 조제하였다. 이 수지 조성물을, 미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에 건조 후의 점착층의 두께가 10㎛가 되도록 도포 시공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 미리 표면에 코로나 처리가 실시되고, 그 반대측의 면의 표면 조도가 0.3이 되도록 조제된 에틸렌-아크릴산 공중합체의 아이오노머 필름(기재 수지 필름)의 코로나 처리면과 접합하여 기재 수지 필름에 점착제를 전사시킴으로써 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.

(실시예 3)

폴리이소시아네이트로서 트리메틸올프로판 변성 헥사메틸렌디이소시아네이트를 3질량부 배합한 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.

(실시예 4)

폴리이소시아네이트로서 트리메틸올프로판 변성 헥사메틸렌디이소시아네이트를 0.1질량부 배합한 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.

(실시예 5)

실시예 1의 방사선 경화성 점착제에, 추가로 자외선 경화성 수지로서 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트를 20.0질량부 배합한 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.

(실시예 6)

실시예 1의 방사선 경화성 점착제에, 추가로 폴리프로필렌옥시드로서 아사히 가라스 가부시키가이샤 제조의 프레미놀 S3011(수 평균 분자량 10000)을 0.1질량부 배합한 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.

(실시예 7)

실시예 1의 방사선 경화성 점착제에, 추가로 폴리프로필렌옥시드로서 아사히 가라스 가부시키가이샤 제조의 프레미놀 S3006(수 평균 분자량 5000)을 1.0질량부 배합한 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.

(실시예 8)

실시예 1의 방사선 경화성 점착제에, 추가로 폴리프로필렌옥시드로서 니치유 가부시키가이샤 제조의 유니올 TG-4000(수 평균 분자량 4000)을 2.0질량부 배합한 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.

(실시예 9)

실시예 1의 방사선 경화성 점착제에, 추가로 폴리프로필렌옥시드로서 아사히 가라스 가부시키가이샤 제조의 프레미놀 S3006(수 평균 분자량 5000)을 2.5질량부 배합한 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.

(실시예 10)

기재 수지 필름으로서, 미리 표면에 코로나 처리가 실시되고, 그 반대측의 면의 표면 조도가 0.19㎛가 되도록 조제된 저밀도 폴리에틸렌을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.

(실시예 11)

기재 수지 필름으로서, 미리 표면에 코로나 처리가 실시되고, 그 반대측의 면의 표면 조도가 0.12㎛가 되도록 조제된 에틸렌-아크릴산 공중합체의 아이오노머 필름을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.

(실시예 12)

기재 수지 필름으로서, 미리 표면에 코로나 처리가 실시되고, 그 반대측의 면의 표면 조도가 0.1㎛가 되도록 조제된 에틸렌-메타크릴산 공중합체를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.

(실시예 13)

기재 수지 필름으로서, 미리 표면에 코로나 처리가 실시되고, 그 반대측의 면의 표면 조도가 0.08㎛가 되도록 조제된 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.

(비교예 1)

실시예 1의 방사선 경화성 점착제에, 추가로 자외선 경화성 수지로서 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트를 30.0질량부 배합한 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.

(비교예 2)

2-에틸헥실아크릴레이트(75mol％), 메타크릴산(1mol％), 2-히드록시에틸아크릴레이트(24mol％)의 공중합체에 2-히드록시에틸아크릴레이트 측쇄 말단 OH기에, 광중합성 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 갖는 화합물로서, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트의 NCO기를 부가 반응시킨 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 화합물(A1: 분자량800000)을 얻었다. 이 화합물 (A1) 100질량부에 대하여 폴리이소시아네이트로서 닛본 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤 제조: 코로네이트 L을 1질량부, 광중합 개시제로서 BASF사 제조: 이르가큐어―184를 5.0질량부 첨가하여 합쳐서, 방사선 경화성 점착제인 수지 조성물을 조제하였다. 이 수지 조성물을 이 미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에 건조 후의 점착층의 두께가 10㎛가 되도록 도포 시공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 미리 표면에 코로나 처리가 실시되고, 그 반대측의 면의 표면 조도가 0.41이 되도록 조제된 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름(기재 수지 필름)의 코로나 처리면과 접합하여 기재 수지 필름에 점착제를 전사시킴으로써 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.

(비교예 3)

폴리이소시아네이트로서 트리메틸올프로판 변성 헥사메틸렌디이소시아네이트를 5질량부 배합한 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.

(비교예 4)

폴리이소시아네이트로서 닛본 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤 제조: 트리메틸올프로판 변성 헥사메틸렌디이소시아네이트를 0.05질량부 배합한 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.

실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 4의 각 샘플에 대하여 겔 분율, 프로브 태크, 내용제성, 서포트 부재의 박리성, 픽업성, 반도체칩의 이면에의 점착제의 잔사 부착(풀 잔류), 절삭 더스트의 침입에 대해서, 평가 시험을 이하와 같이 행하였다. 얻어진 결과를 정리하여 하기 표 1 및 2에 나타내었다.

<겔 분율>

50mm×50mm의 크기로 커트한 반도체 가공용 점착 테이프로부터, 세퍼레이터를 제거하고, 그 질량 A를 칭량하였다. 다음으로 이 칭량한 반도체 가공용 다이싱 테이프의 샘플을 100g의 메틸이소부틸케톤(MIBK) 중에 침지한 상태에서 48시간 방치한 후, 50℃의 항온층에서 건조하고, 그 질량 B를 칭량하였다. 또한 100g의 아세트산에틸을 사용하여 샘플의 점착제층을 닦아내서 제거한 후, 샘플의 질량 C를 칭량하고, 하기 수학식 1에 의해 겔 분율을 산출하였다.

<수학식 1>

<프로브 태크>

가부시키가이샤 레스카의 태킹 시험기 TAC-II를 사용해서 행하였다. 측정 모드는, 설정한 가압값까지 프로브를 압입하고, 설정한 시간이 경과할 때까지 가압값을 유지하도록 계속하여 컨트롤하는 "Constant Load"를 사용하였다. 세퍼레이터를 박리한 후, 반도체 가공용 점착 테이프의 점착제층을 위로 하여, 상측으로부터 직경 3.0mm의 SUS304제의 프로브를 접촉시켰다. 프로브를 측정 시료에 접촉시킬 때의 스피드는 30mm/min이며, 접촉 하중은 0.98N이며, 접촉 시간은 1초이다. 그 후, 프로브를 600mm/min의 박리 속도로 상방으로 떼고, 떼는 데 요하는 힘을 측정하고, 그 피크값을 판독하였다. 프로브 온도는 23℃이며, 플레이트 온도는 23℃로 하였다.

<표면 조도 Ra>

실시예, 비교예에서 얻어진 반도체 가공용 점착 테이프의, 점착제가 도포 시공되는 면측을 평활한 미러 웨이퍼에 접합함으로써 고정하고, 점착제의 도포 시공되지 않는 면측의 산술 표면 조도 Ra를 표면 조도 측정기(가부시키가이샤 미츠토요 제조, 상품명: 서프 테스트 SJ-301)를 사용하여 기재 수지 필름의 압출 방향(MD 방향)으로 임의의 5군데에서 측정하여 평균값을 구하였다.

<평행 광선 투과율>

실시예, 비교예에서 얻어진 반도체 가공용 점착 테이프의 점착제 도포 시공되지 않는 면측으로부터 파장 1064nm에서의 평행 광선 투과율을 투과율 측정기(가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조, 상품명: UV3101PC&MPC-3100)를 사용하여 임의의 5군데에서 측정하여 평균값을 구하였다. 이 장치는 적분구 방식의 수광부를 갖는 전체 광선 투과율 측정이 가능한 장치로 되어 있는데, 샘플의 고정 위치를 적분구 입사창으로부터 70mm 분리함으로써 평행 광선 투과율을 측정하였다.

<내용제성>

8인치의 반도체 웨이퍼에, 실시예, 비교예에서 얻어진 반도체 가공용 점착 테이프를 접합하고, 링 프레임에 고정한 후, 반도체 웨이퍼측으로부터 유기 용제로서 메틸이소부틸케톤(MIBK)을 분사하면서, 20rpm으로 회전시켜 스핀 세정을 실시하였다. 세정·건조 종료 후에 반도체 가공용 다이싱 테이프의 반도체 웨이퍼가 붙여져 있지 않은 영역의 점착제층을 관찰하고, 점착제의 용해 또는 팽윤이 보이지 않은 것을 ○으로 하여 합격이라고 판정하고, 점착제의 용해 또는 팽윤이 보인 것을 ×로 하여 불합격으로 하였다.

<서포트 부재 박리성>

미국 특허 출원 공개 제2011/0272092호 명세서에 개시되는 방법을 사용함으로써, 두께 약 700㎛의 6인치의 실리콘 웨이퍼 상에 플라즈마 중합체 분리층, 실리콘 고무 접착제층, 서포트 부재로서 두께 2.5mm의 유리판이, 순서대로 적층된 구조체 1을 얻었다. 상기와 같이 하여 얻어진 구조체 1의 웨이퍼 배면(플라즈마 중합체 분리층 등이 적층되어 있지 않은 면)에 실시예, 비교예에서 얻어진 반도체 가공용 점착 테이프를 접합하고, 링 프레임 상에 고정한 후, Suss Microtec사 제조의 De-Bonder DB12T에 제공함으로써, 서포트 부재의 박리성을 평가하였다. 서포트 부재의 플라즈마 중합체 분리층과 웨이퍼 표면 사이에서 박리된 것을 ○으로 하여 합격이라고 판정하고, 서포트 부재의 플라즈마 중합체 분리층과 웨이퍼 표면 사이에서 박리되지 않고, 웨이퍼 배면과 반도체 가공용 점착 테이프 사이에서 박리된 것을 ×로 하여 불합격으로 하였다.

<픽업성>

이하의 수순에 따라, 픽업성의 평가를 행하였다.

(1) 8인치의 반도체 웨이퍼를 다음의 조건에서 두께 50㎛까지 연삭하였다.

(그라인드 조건)

그라인더: 가부시키가이샤 디스코(DISCO) 제조의 「DFG-840」

1축: ＃600 지석(회전수: 4800rpm, 다운 스피드: P1: 3.0㎛/sec, P2: 2.0㎛/sec)

2축: ＃2000 지석(회전수: 5500rpm, 다운 스피드: P1: 0.8㎛/sec, P2: 0.6㎛/sec)

실리콘 웨이퍼의 이면을 2축으로 30㎛ 연삭 후, 실리콘 웨이퍼의 최종 두께가 50㎛가 되도록 연삭하였다.

(2) (1)의 연삭 종료 후, 5분 이내(이하, 조건 (ii)라 한다) 또는 24시간 방치 후(이하, 조건 (i)이라 한다)에, 각 예의 다이싱 테이프를, 상기 (1)에서 얻어진 반도체 웨이퍼의 연삭면에 접착함과 함께, 링 프레임에 고정하였다.

(3) (2)에서 링 프레임에 고정된 반도체 웨이퍼를, 다이싱 장치(디스코사 제조의 DAD340)를 사용하여, 다음의 조건으로, 설정한 분할 예정 라인을 따라 각변 15×10mm로 풀커트하였다.

(다이싱 조건)

다이서: 가부시키가이샤 디스코(DISCO) 제조의 「DFD-340」

블레이드: 가부시키가이샤 디스코(DISCO) 제조의 「27HECC」

블레이드 회전수: 40000rpm

다이싱 속도: 100mm/sec

다이싱 깊이: 25㎛

커트모드: 다운 커트

다이싱 사이즈: 10.0×10.0mm

(4) 반도체 가공용 점착 테이프를 접착하고 나서 7일간 경과한 후, 반도체 가공용 점착 테이프의 기재 수지 필름측으로부터, 자외선을 100mJ/㎟ 조사하여 점착제층을 경화시킨 후, 개편화된 반도체칩을, 다이스 피커 장치(캐논 머시너리사 제조의 CAP-300II)를 사용하여 픽업하였다. 임의의 반도체칩 50개를, 다음의 픽업 조건으로 픽업하고, 픽업이 성공인 반도체칩수를 카운트하고, 상기 조건 (i), (ii) 모두에 50개 모두의 반도체칩의 픽업이 성공한 경우를 ◎, 조건 (i)에 있어서 50개 모두의 반도체칩의 픽업이 성공했지만, 조건 (ii)에 있어서는 픽업 미스가 발생한 것을 ○으로 하고, 조건 (i)에서 픽업 미스가 발생한 것은 ×로 하고, ◎ 및 ○을 합격, ×을 불합격이라고 판정하였다.

(픽업 조건)

다이 본더: 캐논 머시너리 가부시키가이샤 제조의 「CAP-300II」

핀수: 4개

핀의 간격: 7.8×7.8mm

핀 선단 곡률: 0.25mm

핀 밀어올림량: 0.40mm

<풀 잔류>

픽업성의 평가에 의해 얻어진 반도체칩의 이면을 현미경 관찰하고, 풀 잔류가 전혀 없었던 것을 ○으로 하여 합격이라고 판정하고, 풀 잔류가 발생한 것을 ×로 하여 불합격으로 하였다.

<절삭 더스트 침입>

픽업성의 평가에 의해 얻어진 반도체칩의 이면을 현미경 관찰하고, 절삭 더스트 침입이 전혀 없었던 것을 ○, 일부 절삭 더스트 침입이 발생했지만 실사용상 문제가 없는 레벨의 것을 △로 하여 합격이라고 판정하고, 절삭 더스트 침입이 심하여 실사용상 문제가 발생할 우려가 있는 것을 ×로 하여 불합격으로 하였다.

<칩 분할률>

100㎛ 두께의 8인치의 반도체 웨이퍼에, 실시예, 비교예에서 얻어진 반도체 가공용 점착 테이프를 접합하고, 링 프레임에 고정한 후, 하기에 나타내는 스텔스 다이싱 조건에서, 반도체 가공용 점착 테이프 너머로 레이저를 조사하여 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성한 후, 익스팬드 장치(가부시키가이샤 디스코 제조, DDS2300)를 사용하여, 300mm/초, 10mm 인출의 조건에서 반도체 가공용 점착 테이프를 익스팬드하고, 웨이퍼를 칩 단위로 분할하였다. 그 후, 육안으로 완전히 개편화된 칩의 수를 세고, 전체의 98％ 이상이 분할되어 있었던 것을 ○, 90％ 이상 98％ 미만의 것을 실용상 허용할 수 있는 △로 하여, 합격이라고 판정하고, 90％ 미만의 것을 ×로 하여 불합격으로 하였다.

<스텔스 다이싱 조건>

·장치: Nd-YAG 레이저

·파장: 1064nm

·반복 주파수: 100kHz

·펄스폭: 30ns

·커트속도: 100mm/초

·커트 칩 사이즈: 5mm×5mm

<칩 간격비>

상기한 칩 분할률의 평가에 사용한 반도체 웨이퍼를, 광학 현미경을 사용하여 관찰하고, 분할에 성공한 칩 중에서 무작위로 추출한 20칩과, 그들 칩의 상하 좌우로 각각 인접하는 칩 간의 칩 간격을 계측하였다. 이들 칩 간격 중, 상하로 인접하는 칩과의 칩 간격의 평균값과, 좌우로 인접하는 칩과의 칩 간격의 평균값의 비(상하로 인접하는 칩과의 칩 간격의 평균값/좌우로 인접하는 칩과의 칩 간격의 평균값)가 0.8 이상 1.25 이하인 것을 매우 양호한 ◎로 하고, 0.6 이상 내지 0.8％ 미만 및 1.25보다도 크고 1.67 이하인 것을 비교적 양호한 ○로 하고, 0.4 이상 내지 0.6％ 미만 및 1.67보다도 크고 2.5 이하인 것을 실용상 허용할 수 있는 △로 하여, 합격이라고 판정하고, 그 이외의 것, 및 칩 분할률의 평가 시에 불합격이 된 것을 ×로 하여 불합격으로 하였다.

표 1, 2에 나타낸 바와 같이, 점착제층의 겔 분율이 65％ 이상이고, 또한, 점착제층의 자외선 조사 전에 있어서의 프로브 태크 시험의 피크값이 200 내지 600kPa인 실시예 1 내지 13의 반도체 가공용 점착 테이프는, 모든 평가 항목에 있어서 합격 판정으로서, 유리 서포트 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조에 있어서 실용상 문제 없이 사용할 수 있다. 특히, 점착제층이, 적어도, 분자 내에 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴 중합체와, 광중합 개시제와, 폴리프로필렌옥시드를 사용하여 이루어지고, 상기 폴리프로필렌옥시드가 방사선 경화성 점착제층의 전체 고형분에 대하여 0.1질량％ 이상이며 2.0질량％ 이하인 실시예 6 내지 8에서는 픽업성에 있어서 더욱 우수하고, 또한, 절삭 더스트 침입의 발생도 없어, 특히 우수한 것이었다. 상기 폴리프로필렌옥시드가 방사선 경화성 점착제층의 전체 고형분에 대하여 2.0질량％를 초과하는 실시예 9에서는, 픽업성은 실시예 1 내지 5보다도 우수했지만, 절삭 더스트의 침입이 일부에 발생했지만 실사용상 문제가 없는 레벨이었다. 또한, 반도체 가공용 점착 테이프에 있어서의 기재 수지 필름측으로부터 입사한 파장 1064nm의 광선의 평행 광선 투과율이 88％ 이상 100％ 미만인 실시예 1 내지 13은, 모두 칩 분할률에 있어서 실용상 문제가 없는 레벨이며, 반도체 가공용 점착 테이프 너머로 레이저를 조사하여 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성한 후, 익스팬드 장치를 사용하여 웨이퍼를 칩 단위로 분할하는 스텔스 다이싱에 적절하게 사용할 수 있었다. 특히, 평행 광선 투과율이 93 내지 99％인 실시예 10 내지 13에 대해서는, 모두 칩 분할률이 우수한 결과가 되었다. 또한, 기재 수지 필름의 점착제층과는 반대측의 표면 조도 Ra가 0.1㎛ 이상 0.3㎛ 이하인 실시예 1 내지 12는, 칩 간격비에 있어서 우수한 결과가 되었다.

한편, 점착제층의 겔 분율이 65％ 미만인 비교예 1에서는 내용제성 시험에 있어서 점착제의 용해 또는 팽윤이 보이고, 태크력이 200kPa 미만인 비교예 2, 3에서는 서포트 부재의 박리에 실패하고, 태크력이 600kPa보다도 큰 비교예 3에서는 칩 이면에 풀 잔류가 발생하고, 모두 유리 서포트 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조에는 적합하지 않은 것이 나타났다. 또한, 반도체 가공용 점착 테이프에 있어서의 기재 수지 필름측으로부터 입사한 파장 1064nm의 광선의 평행 광선 투과율이 88％ 미만인 비교예 2는, 칩 분할률이 불충분하였다.

Claims (6)

1. 반도체 웨이퍼에 서포트성을 부여하는 서포트 부재를 접합하여 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연마한 후에, 상기 서포트 부재의 박리에 앞서 상기 반도체 웨이퍼의 연마면에 접합되고, 상기 서포트 부재를 기계적으로 박리한 후에, 상기 반도체 웨이퍼의 다이싱에 사용되는 반도체 가공용 점착 테이프로서,
   기재 수지 필름의 적어도 한쪽 면에 방사선 경화성의 점착제층이 형성되고,
   상기 점착제층이, 다음의 (a) 내지 (c)의 화합물 모두를 함유하고,
   (a) 다음의 화합물 (a1) 내지 (a3)을 포함하는 불포화 이중 결합을 갖는 아크릴계 화합물로서, 중량 평균 분자량이 100000 이상 2000000 이하를 만족하는 것
   (a1) 펜틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 헥실아크릴레이트, n-옥틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 도데실아크릴레이트, 데실아크릴레이트, 메톡시에틸아크릴레이트, 에톡시에틸아크릴레이트, 펜틸메타크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 헥실메타크릴레이트, n-옥틸메타크릴레이트, 이소옥틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 도데실메타크릴레이트, 데실메타크릴레이트, 메톡시에틸메타크릴레이트, 에톡시에틸메타크릴레이트, 아크릴산, 메타크릴산, 신남산, 이타콘산, 푸마르산, 프탈산, 히드록시알킬아크릴레이트류, 히드록시알킬메타크릴레이트류, 글리콜모노아크릴레이트류, 글리콜모노메타크릴레이트류, N-메틸올아크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드, 알릴알코올, N-알킬아미노에틸아크릴레이트류, N-알킬아미노에틸메타크릴레이트류, 아크릴아미드류, 메타크릴아미드류, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 푸마르산, 무수 프탈산, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 알릴글리시딜에테르, 아세트산비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴, 비닐알코올로부터 선택되는 1종 또는 복수종의 단량체의 중합체, 또는, 몇 종의 중합체의 혼합물
   (a2) 상기 화합물 (a1)에 공중합되는 관능기를 갖는 아크릴계 화합물로서, 히드록시알킬아크릴레이트류, 또는 히드록시알킬아크릴아미드류이며, 분자량이 100 이상을 만족하는 것
   (a3) 상기 화합물 (a1)에 부가 반응 가능한 관능기와 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서, 부가 반응의 대상이 되는 측쇄가 카르복실기 또는 산무수물일 경우에는, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 부가 반응의 대상이 되는 측쇄가 에폭시기일 경우에는, (메트)아크릴산, 부가 반응의 대상이 되는 측쇄가 수산기일 경우에는, 2-이소시아네이트알킬(메트)아크릴레이트
   (b) 광중합 개시제
   (c) 상기 화합물 (a) 100질량부에 대하여 0.1 내지 15질량부의 폴리이소시아네이트류
   상기 점착제층의 자외선 조사 전에 있어서의 상기 서포트 부재의 접합에 사용한 접착제의 잔사를 세정하는 세정액인 메틸이소부틸케톤에 대한 겔 분율이 65％ 이상 100％ 이하로 되고,
   또한, 상기 점착제층의 자외선 조사 전에 있어서의 23℃에서의, 직경 3.0mm의 SUS304제의 프로브를 30mm/min의 속도, 0.98N의 접촉 하중으로 1초간 접촉시킨 후, 상기 프로브를 600mm/min의 박리 속도로 상방으로 떼는 데 요하는 힘을 측정하는 프로브 태크 시험의 피크값이 200 내지 600kPa가 되도록, 상기 점착제층의 화합물 (a) 내지 (c)가 조정되어 있으며,
   상기 기재 수지 필름의 점착제층과는 반대측의 표면 조도 Ra가 0.1㎛ 이상 0.3㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 테이프.
2. 제1항에 있어서, 상기 점착제층이, 폴리프로필렌옥시드를 더 함유하여 이루어지고,
   상기 폴리프로필렌옥시드가, 상기 점착제층의 전체 고형분에 대하여 0.1질량％ 이상 2.0질량％ 이하 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 테이프.
3. 제2항에 있어서, 상기 폴리프로필렌옥시드는, 수 평균 분자량이 3000보다도 크고 10000 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 테이프.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 기재 수지 필름측으로부터 입사한 파장 1064nm의 광선의 평행 광선 투과율이 88％ 이상 100％ 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 테이프.
5. 제1항에 있어서, 기재 수지 필름의 점착제층과는 반대측의 표면 조도 Ra가 0.12㎛ 이상 0.19㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 테이프.
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