JP5601682B2 - ダイボンド用接着フィルム、及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Description
(一般式(1)中、Rはアルキル基を示す。)で表される有機リン系化合物を含有する硬化促進剤(D)、を含有する接着剤組成物から形成されている接着フィルムを用いた、ダイボンド用接着フィルムであって、
前記エポキシ樹脂(A)が、下記一般式(4):
(一般式(4)中、Gはグリシジル基を示し、Rは−Hまたは−CH3を示し、nは1以上の整数を示す。)で表されるノボラック型エポキシ樹脂を主成分とするもの、下記一般式(5):
(一般式(5)中、Rは−Hまたは−CH3を示す。)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂を主成分とするもの、下記一般式(6):
(一般式(6)中、Gはグリシジル基を示し、Rは−Hまたは−CH3を示し、nは0または1以上の整数を示す。)で表されるトリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂を主成分とするもの、又は、下記一般式(7):
(一般式(7)中、Gはグリシジル基を示し、R1、R2はそれぞれ独立に−Hまたは−CH3を示す。)で表されるテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂を主成分とするものの何れかであることを特徴とするダイボンド用接着フィルム。
で表される有機リン系化合物であることを特徴とする上記1記載のダイボンド用接着フィルム。
で表される有機リン系化合物であることを特徴とする上記1または2記載のダイボンド用接着フィルム。
(一般式(10)中、x:y=1〜99:1〜99である。)で表される繰り返し単位を主要構成成分とするアクリロニトリル−ブタジエンゴムであることを特徴とする上記1〜3のいずれかに記載のダイボンド用接着フィルム。
(一般式(11)中、Rは−Hまたは−CH3を示し、x:y:z=1〜98:1〜98:1〜98である。)で表される繰り返し単位を主要構成成分とするカルボキシル化アクリロニトリル−ブタジエンゴムであることを特徴とする上記1〜4のいずれかに記載のダイボンド用接着フィルム。
(一般式(12)中、Rは一価の有機基を示し、xは1以上の整数である。)で表される繰り返し単位を主要構成成分とするカルボキシル化アクリルゴムであることを特徴とする上記1〜5のいずれかに記載のダイボンド用接着フィルム。
上記本発明の接着剤組成物では、上記一般式(1)乃至(3)で表される有機リン系化合物を含有する硬化促進剤(D)を使用している。かかる接着剤組成物から形成される接着フィルムは(D)成分の存在により硬化反応を制御することができる。たとえば、当該接着フィルムをダイボンド用接着フィルムとして用いると、電極部材上に厚さ等が均一な優れた接着剤層を形成することができる。すなわち、塗工量のバラツキがなく安定した固着強度の接着剤層を形成することができる。また前記接着剤組成物および粘着シートは貯蔵安定性に優れているため、塗工時の作業性、生産性が向上する。さらには、貯蔵安定性に優れているため、低温で半導体チップの固着処理が可能であり、半導体装置の製造において、後続のワイヤーボンディング接続や樹脂モールド封止等の処理に耐え得る。
(一般式(8)中、nは0または1以上の整数を示す。)
(一般式(9)中、nは0または1以上の整数を示す。)
A1:一般式(4)で表されるノボラック型エポキシ樹脂(但し、Rは−CH3、nは1以上の整数、エポキシ当量195g/eq、軟化点80℃)
A2:一般式(5)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂(但し、Rは−CH3、エポキシ当量190g/eq、軟化点105℃)
A3:一般式(6)で表されるトリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂(但し、Rは−H、nは0または1以上の整数、エポキシ当量174当量/eq、軟化点53℃)
A4:一般式(7)で表されるテトラフェニロ−ルエタン型エポキシ樹脂(但し、R1およびR2はいずれも−Hであり、エポキシ当量187g/eq、軟化点82℃)
B1:一般式(8)で表されるフェノールノボラック樹脂(但し、nは0または1以上の整数、水酸基当量106g/eq、軟化点60℃)
B2:一般式(9)で表されるフェノールアラルキル樹脂(但し、nは0または1以上の整数、水酸基当量175当量/eq、軟化点60℃)
C1:一般式(10)で表される繰り返し単位を主要構成成分とするアクリロニトリル−ブタジエンゴム(但し、アクリロニトリル含有量40重量%)
C2:一般式(11)で表される繰り返し単位を主要構成成分とするカルボキシル化アクリロニトリル−ブタジエンゴム(但し、Rは−CH3、アクリロニトリル含有量27重量%、結合カルボキシル基量0.027当量/100g)
C3:一般式(12)で表される繰り返し単位を主要構成成分とするカルボキシル化アクリルゴム(但し、Rは−CH2CH3を示し、ムーニー粘度40poise)
D1:テトラフェニルホスホニウム・テトラ(4−メチルフェニル)ボレート
D2:テトラフェニルホスホニウム・テトラ(4−エチルフェニル)ボレート
E1:トリフェニルホスフィン
E2:テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート
E3:1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕ウンデセン−7
平均粒径0.5μmの球状溶融シリカ
上記各成分を下記表1に示す割合で配合し、撹拌装置付きガラスフラスコ中でメチルエチルケトンを用いて溶解し、接着剤組成物溶液(濃度20重量%)を作製した。次いで、この接着剤組成物溶液を、表面をシリコーン処理したポリエチレンテレフタレート基材(厚み50μm)上に、コンマ方式の塗工機を用いて塗工し、120℃にて加熱、乾燥を行った。次いで、上記ポリエチレンテレフタレート基材から剥離することにより目的とする厚み25μmの接着フィルムを作製した。
接着フィルムとシリコンチップとのせん断接着力をつぎのようにして測定した。すなわち、得られた接着フィルムをセパレータから剥離除去した後、一辺が3cmの正方形に切断した。このフィルムを2mm×2mm×760μmにダイシングしたシリコンチップ(パッシべ−ション:窒化ケイ素)と3cm×5cmの大きさのガラスエポキシ基板の間に挟み、フリップチップボンダ−(渋谷工業製,DB100)を用いて100〜150℃の温度下で荷重(0.25MPa)をかけて、1秒間加熱して接着した。さらに150℃の熱風乾燥機にて60分間硬化させた後、そのせん断接着力を常温(23℃)にて測定した。
接着フィルムを40℃の温度条件下にて1週間放置した。この放置後の接着フィルムを用い、上記と同様の方法にて、せん断接着力を測定した。上記の初期せん断接着力と保存後のせん断接着力から、下記式により、せん断接着力保持率(%)を算出した。
せん断接着力保持率(%)=(保存後せん断接着力)/(初期せん断接着力)×100
Claims (10)
- エポキシ樹脂(A)、フェノール樹脂(B)、合成ゴム(C)および、下記一般式(1):
前記エポキシ樹脂(A)が、下記一般式(4):
- 前記有機リン系化合物が、下記一般式(2):
- 前記有機リン系化合物が、下記一般式(3):
- 合成ゴム(C)が、下記の一般式(10):
- 合成ゴム(C)が、下記の一般式(11):
- 合成ゴム(C)成分が、下記の一般式(12):
- 硬化促進剤(D)の含有量が、エポキシ樹脂(A)とフェノール樹脂(B)の合計100重量部に対して0.2〜6重量部であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のダイボンド用接着フィルム。
- さらに、無機充填剤を含有してなることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のダイボンド用接着フィルム。
- 請求項1〜8のいずれかに記載のダイボンド用接着フィルムと粘着フィルムとが積層されていることを特徴とするダイボンド用積層接着フィルム。
- 請求項1〜8のいずれかに記載のダイボンド用接着フィルムを用いて半導体素子がダイボンドされていることを特徴とする半導体装置。
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