KR101558834B1 - 반도체 가공용 점착 테이프 - Google Patents

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Abstract

다이싱시에 칩 비산을 억제할 수 있을 만큼의 점착력이나, 픽업시에 있어서의 박리 용이성을 구비하는 다이싱 테이프이며, 서포트 부재를 사용한 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 서포트 부재를 반도체 웨이퍼에 접합하고 있었던 접착제 잔사를 세정하기 위한 세정액이 점착제에 묻은 경우에 있어서도, 점착제가 용해되어 반도체 소자를 오염시키는 일이 없는 반도체 가공용 점착 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 반도체 가공용 점착 테이프는, 기재 수지 필름의 적어도 한쪽의 면에 방사선 경화성의 점착제층이 형성된 반도체 가공용 점착 테이프이며, 상기 점착제층의 자외선 조사 전에 있어서의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이 25.1°∼60°인 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 가공용 점착 테이프 {PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE TAPE FOR USE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING}
본 발명은, 반도체 디바이스를 제조하는 공정에 있어서의 반도체 웨이퍼의 다이싱에 사용하는 반도체 가공용 점착 테이프에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 화학 약품을 사용한 반도체 소자 표면의 세정 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조에 사용하는 반도체 가공용 점착 테이프에 관한 것이다.
배선 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼의 이면을 박형 가공하는 데 있어서는, 반도체 웨이퍼의 패턴면의 보호와 반도체 웨이퍼 자체의 고정을 행하기 위해, 패턴면에 보호 시트를 부착한 후에, 이면에 연마, 연삭 등의 박형 가공을 실시하는 것이 일반적이다. 이러한 보호 시트로서는, 플라스틱 필름을 포함하는 기재 상에 아크릴계 점착제 등이 도포되어 이루어지는 것이 일반적으로 사용되고 있다. 그러나, 최근, IC 카드나 휴대 전화의 박형화, 소형화에 의해, 반도체 칩의 두께도 50㎛ 이하의 레벨이 요구되고 있고, 종래의 보호 테이프를 사용한 공정에서는, 보호 테이프만으로는 반도체 웨이퍼를 지지할 수 없어, 연삭 후에 있어서의 반도체 웨이퍼의 휨이나, 웨이퍼 카세트에의 수납시에 있어서의 휨 등에 의해, 반도체 웨이퍼의 취급이 어려워져 핸들링이나 반송의 자동화를 곤란하게 하고 있었다.
이 문제에 대해, 반도체 웨이퍼에 유리 기판, 세라믹 기판이나 실리콘 웨이퍼 기판 등을, 접착제를 통해 접합하여, 반도체 웨이퍼에 서포트성을 부여하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이와 같이 보호 시트 대신에 유리 기판, 세라믹 기판이나 실리콘 웨이퍼 기판 등의 서포트 부재를 사용함으로써, 반도체 웨이퍼의 핸들링성은 크게 향상되어, 반송의 자동화가 가능해진다.
서포트 부재를 사용하여 반도체 웨이퍼를 핸들링한 경우, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 후에, 반도체 웨이퍼로부터 서포트 부재를 박리하는 공정이 필요해진다. 서포트 부재의 박리는, (1) 서포트 부재와 반도체 웨이퍼 사이의 접착제를 화학 약품으로 용해 또는 분해하거나, (2) 서포트 부재와 반도체 웨이퍼 사이의 접착제에 레이저광을 조사하여 광 분해하는 등의 방법에 의해 행해지는 것이 일반적이다. 그러나, (1)의 방법에서는, 접착제 중에 화학 약품을 확산시키는 데 장시간의 처리를 필요로 하고, 또한 (2)의 방법에서는, 레이저의 스캔에 장시간의 처리가 필요하다고 하는 문제가 있었다. 또한, 어느 방법이나, 서포트 부재로서 특수한 기판을 준비할 필요가 있다고 하는 문제가 있었다.
이로 인해, 서포트 부재의 박리시에, 박리의 계기를 형성한 후, 물리적·기계적으로 박리시키는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2, 3 참조). 이 방법은, 종래의 접착제의 화학 약품에 의한 용해 또는 분해나 레이저 스캐닝에 의한 광 분해에서 필요로 하고 있었던 장시간의 처리가 불필요해져, 단시간에의 처리가 가능해진다. 반도체 웨이퍼로부터 서포트 부재를 박리한 후, 서포트 부재의 박리시에 발생한 반도체 웨이퍼 상의 접착제의 잔사는, 그 후, 화학 약품으로 세정된다.
이면이 연삭된 반도체 웨이퍼는, 그 후, 다이싱 공정으로 옮겨져, 개개의 칩으로 절단되지만, 상술한 바와 같이, 반도체 칩의 두께가 50㎛ 이하로 되면, 반도체 웨이퍼 단독으로는, 연삭 후에 있어서의 반도체 웨이퍼의 휨이나, 웨이퍼 카세트에의 수납시에 있어서의 휨 등에 의해, 반도체 웨이퍼의 취급이 매우 곤란해지므로, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 직후에 서포트 부재의 박리에 앞서, 반도체 웨이퍼의 연삭면에 다이싱 테이프가 접합되어, 링 프레임에 지지 고정되는 것이 일반적이다. 따라서, 서포트 부재의 박리시에 발생한 반도체 웨이퍼 상의 접착제 잔사의 화학 약품에 의한 세정은, 다이싱 테이프에 반도체 웨이퍼가 부착된 상태에서 행해지게 되어, 다이싱 테이프에는 높은 내 용제성이 요구된다.
높은 내 용제성을 갖는 다이싱 테이프로서는, 점착제층에 에너지선 경화형 아크릴 수지 조성물을 포함하고, 또한 겔 분율을 70％ 이상으로 하는 것이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 4 참조).
일본 특허 공개 제2006-135272호 공보 일본 특허 공표 제2011-510518호 공보 미국 특허 출원 공개 제2011/0272092호 명세서 일본 특허 공개 제2009-224621호 공보
그러나, 특허문헌 4에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프는, 재료가 매우 한정되므로, 본래 다이싱 테이프에 요구되는 특성, 즉, 다이싱시에 칩 비산을 억제할 수 있을 만큼의 점착력이나, 픽업시에 있어서의 박리 용이성을 발현하는 것이 곤란해지는 경우가 있었다.
따라서, 본 발명은 다이싱시에 칩 비산을 억제할 수 있을 만큼의 점착력이나, 픽업시에 있어서의 박리 용이성을 구비하는 다이싱 테이프이며, 서포트 부재를 사용한 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 서포트 부재를 반도체 웨이퍼에 접합하고 있었던 접착제 잔사를 세정하기 위한 세정액이 점착제에 묻은 경우에 있어서도, 점착제가 용해되어 반도체 소자를 오염시키는 일이 없는 반도체 가공용 점착 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 기재 수지 필름 상에 점착제층을 갖고 이루어지는 반도체 가공용 점착 테이프이며, 점착제층에 대한 메틸이소부틸케톤의 접촉각을 특정 값으로 함으로써, 점착제에 세정액이 묻은 경우에도 점착제가 용해되어 반도체 소자를 오염시키는 일이 없는 것을 발견하였다. 본 발명은 이 지식에 기초하여 이루어진 것이다.
즉, 본원 발명에 의한 반도체 가공용 점착 테이프는, 기재 수지 필름의 적어도 한쪽의 면에 방사선 경화성의 점착제층이 형성된 반도체 가공용 점착 테이프이며, 상기 점착제층의 자외선 조사 전에 있어서의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이 25.1°∼60°인 것을 특징으로 한다.
상기 점착제층은, 실리콘 아크릴레이트 또는 불소 함유 올리고머를 함유하고, 상기 실리콘 아크릴레이트 또는 불소 함유 올리고머의 함유량이, 상기 점착제층의 전 고형분에 대해 0질량％보다도 많고 5질량％보다도 적은 것이 바람직하다.
상기 반도체 가공용 점착 테이프는, 상기 점착제층의 방사선 조사 전에 있어서의 상기 메틸이소부틸케톤에 대한 겔 분율이, 65％ 이상 100％ 이하인 것이 바람직하다.
상기 반도체 가공용 점착 테이프는, 상기 방사선 경화성 점착제층의 자외선 조사 전에 있어서의 프로브 태크 시험의 피크값이, 200∼600㎪인 것이 바람직하다.
또한, 본원 발명에 의한 반도체 가공용 점착 테이프는, 기재 수지 필름의 적어도 한쪽의 면에 방사선 경화성의 점착제층이 형성된 반도체 가공용 점착 테이프이며, 반도체 웨이퍼에 서포트성을 부여하기 위해 상기 반도체 웨이퍼에 접착제를 통해 접착된 서포트 부재를 박리하였을 때 발생하는 상기 반도체 웨이퍼 상의 상기 접착제의 잔사를 세정하기 위해 사용되는 화학 약품에 대한, 상기 점착제층의 자외선 조사 전에 있어서의 접촉각이 25°이상이고 180°보다도 작은 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 다이싱시에 칩 비산을 억제할 수 있을 만큼의 점착력이나, 픽업시에 있어서의 박리 용이성을 구비하고, 또한 서포트 부재를 사용한 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 서포트 부재를 반도체 웨이퍼에 접합하고 있었던 접착제 잔사를 세정하기 위한 세정액이 점착제에 묻은 경우에 있어서도, 점착제가 용해되어 반도체 소자를 오염시키는 일이 없다.
이하에, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 실시 형태에 따른 반도체 가공용 점착 테이프는, 기재 수지 필름의 적어도 편측에, 적어도 1층의 점착제층이 형성되어 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 반도체 가공용 점착 테이프는, 점착제층의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이, 25°이상, 바람직하게는 28°이상, 보다 바람직하게는 30°이상이다. 더욱 바람직하게는 점착제층의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이 25.1°∼60°이고, 그 중에서도 25.1°∼54°인 것이 바람직하다. 일반적으로, 서포트 부재의 박리시에 발생한 반도체 웨이퍼 상의 접착제 잔사의 화학 약품에 의한 세정은, 다이싱 테이프를 통해 링 프레임에 접착된 반도체 웨이퍼를 스핀 회전하면서, 반도체 웨이퍼의 상방으로부터 화학 약품을 샤워 형상으로 분사함으로써 행해지고, 화학 약품의 액적은 회전하는 반도체 웨이퍼의 중앙부로부터 원심력에 의해 방사상으로 배출된다. 이때, 점착제층의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이, 25°이상이면, 점착제층에 대한 메틸이소부틸케톤의 습윤성이 낮고, 점착제층과 메틸이소부틸케톤의 접촉 면적이 작아져, 화학 약품의 액적 배출을 효율적으로 행할 수 있으므로, 점착제층이 메틸이소부틸케톤으로부터 받는 용해 작용이 작아져, 반도체 가공용 점착 테이프가 메틸이소부틸케톤 및 그 유도체 등의 약품에 노출될 가능성이 있는 반도체 소자의 제조 공정에 있어서는, 상기 약품에 의해 점착제가 용융되어 반도체 칩을 오염시키는 일이 없다. 한편, 접촉각이 25°보다 작으면, 점착제층에 대한 메틸이소부틸케톤의 습윤성이 높고, 점착제층과 메틸이소부틸케톤의 접촉 면적이 커져, 점착제층이 메틸이소부틸케톤으로부터 받는 용해 작용이 커져, 반도체 가공용 점착 테이프가 메틸이소부틸케톤 및 그 유도체 등의 약품에 노출될 가능성이 있는 반도체 소자의 제조 공정에 있어서는, 상기 약품에 의해 용융된 점착제가 반도체 칩을 오염시켜 버린다.
또한, 본 발명에 있어서, 점착제층 표면의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이라 함은, 점착제층 표면과 메틸이소부틸케톤의 접촉 직후의 접촉각을 의미한다. 이 접촉각은, 온도 23℃, 습도 50％에서 측정한 값이다. 측정은 시판되고 있는 접촉각 측정 장치를 사용하여 행할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서의 점착제층 표면의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이라 함은, 방사선 조사 전의 점착제층에 대해 측정된 것으로 한다.
또한, 점착제층의 방사선 조사 전에 있어서의 메틸이소부틸케톤에 대한 겔 분율이, 65％ 이상 100％ 이하인 것이 바람직하다. 점착제층의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이 25°이상이고, 또한 겔 분율이 65％ 이상 100％ 이하인 것에 의해, 서포트 부재의 박리시에 발생한 반도체 웨이퍼 상의 접착제 잔사의 화학 약품에 의한 세정시, 만일, 장치 고장 등의 문제가 발생하여, 다이싱 테이프의 점착제가 장시간 화학 약품에 노출되는 사태가 발생한 경우에 있어서도, 상기 약품에 의해 점착제가 용융되어 반도체 칩을 오염시키는 일이 없다.
본 발명에 있어서 겔 분율이라 함은, 점착제층 중의 피가교 성분을 제외한 가교한 점착제 성분의 비율을 의미한다. 겔 분율의 산출에는, 이하에 설명하는 방법을 사용하였다. 또한, 본 발명에 있어서, 겔 분율은, 점착제층 형성 직후에, 세퍼레이터 등으로 점착제층 표면을 보호한 상태이며, 에너지선 조사 전의 점착제층에 대해 측정된 것으로 한다.
(겔 분율의 산출)
50㎜×50㎜의 크기로 커트한 반도체 가공용 점착 테이프로부터, 세퍼레이터를 제거하고, 그 질량 A를 칭량하였다. 다음으로, 이 칭량한 반도체 가공용 점착 테이프의 샘플을, 예를 들어 메틸이소부틸케톤(MIBK) 100g 중에 침지한 상태에서 48시간 방치한 후, 50℃의 항온층에서 건조하고, 그 질량 B를 칭량하였다. 또한 100g의 아세트산에틸을 사용하여 샘플의 점착제층을 닦아내어 제거한 후, 샘플의 질량 C를 칭량하고, 하기 식(1)에 의해 겔 분율을 산출하였다.
Figure 112014103212075-pct00001
또한, 점착제층의 방사선 조사 전에 있어서의 프로브 태크 시험의 피크값이 200∼600㎪이다. 프로브 태크 시험의 피크값이 지나치게 작으면, 점착제층의 피 착체에 대한 밀착성이 불충분하여, 반도체 웨이퍼에 서포트성을 부여하기 위해 반도체 웨이퍼에 접착제를 통해 접착된 서포트 부재를 박리할 때, 반도체 웨이퍼와 점착 테이프 사이에서 박리되어 버려, 반도체 웨이퍼로부터 서포트 부재를 박리하는 것이 곤란해진다. 프로브 태크 시험의 피크값이 지나치게 크면, 반도체 웨이퍼를 분할하여 픽업한 칩에 점착제층의 잔사가 부착되는 점착제 잔류나, 칩을 픽업할 때 칩과 칩이 접촉하여 칩핑이 발생하기 쉬워진다. 프로브 태크의 측정에는 이하에 설명하는 방법을 사용한다.
(프로브 태크의 측정)
프로브 태크의 측정은, 예를 들어 가부시끼가이샤 레스카의 태킹 시험기 TAC-II를 사용하여 행한다. 측정 모드는, 설정한 가압값까지 프로브를 압입하고, 설정한 시간이 경과할 때까지 가압값을 유지하도록 계속 컨트롤하는 Constant Load를 사용한다. 세퍼레이터를 박리한 후, 점착 테이프의 점착제층을 위로 하고, 상측으로부터 직경 3.0㎜의 SUS304제의 프로브를 접촉시킨다. 프로브를 측정 시료에 접촉시킬 때의 속도는 30㎜/min이고, 접촉 하중은 100gf이고, 접촉 시간은 1초이다. 그 후, 프로브를 600㎜/min의 박리 속도로 상방으로 박리하고, 박리하는 데 필요로 하는 힘을 측정한다. 프로브 온도는 23℃이고, 플레이트 온도는 23℃로 한다.
이하, 본 실시 형태의 반도체 가공용 점착 테이프의 각 구성 요소에 대하여 상세하게 설명한다.
(기재 수지 필름)
기재 수지 필름으로서는, 점착제층을 경화시키는 방사선으로서 UV를 사용하는 경우에는 기재 수지 필름은 광 투과성인 것이 필요하지만, 방사선으로서 전자선을 사용하는 경우에는 기재 수지 필름은 반드시 광 투과성일 필요는 없다. 기재 수지 필름을 구성하는 재료로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체 및 폴리부텐과 같은 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체 및 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체와 같은 에틸렌 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리메타크릴산메틸 등의 엔지니어링 플라스틱, 연질 폴리염화비닐, 반경질 폴리염화비닐, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리이미드 천연 고무 및 합성 고무 등의 고분자 재료가 바람직하다. 또한 이들 군으로부터 선택되는 2종 이상이 혼합된 것, 혹은 복층화된 것이어도 되고, 점착제층과의 접착성에 의해 임의로 선택할 수 있다. 기재 수지 필름으로서는, 에틸렌-아크릴산 공중합체의 아이오노머를 사용하여 이루어지는 필름인 것이 더욱 바람직하다.
기재 수지 필름의 두께는, 특별히 제한하는 것은 아니지만, 바람직하게는 10∼500㎛이고, 보다 바람직하게는 40∼400㎛, 특히 바람직하게는 70∼250㎛이다.
기재 수지 필름의 점착제층에 접하는 면에는 밀착성을 향상시키기 위해, 코로나 처리를 실시하거나, 프라이머 등의 처리를 실시해도 된다.
(점착제층)
점착제층을 구성하는 점착제는, 자외선 경화형 점착제이며, 점착제층 표면의 자외선 조사 전에 있어서의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이 25°이상이고, 180°보다도 작은 한은 특별히 제한은 없고, 종래 공지의 점착제 중으로부터 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 천연 고무나 합성 고무 등을 사용한 고무계 점착제, 폴리(메트)아크릴산알킬에스테르나 (메트)아크릴산알킬에스테르와 다른 모노머의 공중합체 등을 사용한 아크릴계 점착제, 그 밖에 폴리우레탄계 점착제나 폴리에스테르계 점착제나 폴리카르보네이트계 점착제 등의 일반적인 점착제를 사용할 수 있고, 이들 일반적인 점착제에 자외선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분 등의 자외선 경화 수지를 배합한 자외선 경화형 점착제 외에, 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 갖는 탄소-탄소 이중 결합 도입형 아크릴계 폴리머를 사용하는 자외선 경화형 점착제를 예시할 수 있다. 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 혹은 주쇄 중 또는 주쇄 말단에 갖는 탄소-탄소 이중 결합 도입형 아크릴계 폴리머를 사용한 경우는, 반드시 자외선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분 등의 자외선 경화 수지를 배합할 필요는 없다.
점착제층을 구성하는 점착제로서는, 폴리(메트)아크릴산에스테르나 (메트)아크릴산에스테르와 다른 모노머의 공중합체 등(이후, 총칭하여 아크릴 폴리머라 기재함)을 사용한 아크릴계 점착제가 바람직하다.
상기 아크릴 폴리머의 구성 성분으로서, (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산이소프로필, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산s-부틸, (메트)아크릴산t-부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산노닐, (메트)아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산이소데실, (메트)아크릴산운데실, (메트)아크릴산도데실, (메트)아크릴산트리데실, (메트)아크릴산테트라데실, (메트)아크릴산펜타데실, (메트)아크릴산헥사데실, (메트)아크릴산헵타데실, (메트)아크릴산옥타데실 등의 (메트)아크릴산알킬에스테르 ; (메트)아크릴산시클로헥실 등의 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르 ; (메트)아크릴산페닐 등의 (메트)아크릴산아릴에스테르 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 아크릴 폴리머를 제조하는 방법으로서는 특별히 제한되지 않지만, 가교제에 의해 중량 평균 분자량을 높이거나, 축합 반응 또는 부가 반응에 의해 자외선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 도입하거나 하기 위해, 수산기나 카르복실기, 글리시딜기 등의 관능기를 갖는 것이 바람직하다.
아크릴 폴리머에의 자외선 경화성 탄소-탄소 이중 결합의 도입은, 아크릴 폴리머의 구성 성분과, 관능기를 갖는 모노머를 사용하여 공중합하여, 관능기를 갖는 아크릴 폴리머를 제조한 후, 관능기를 갖는 아크릴 폴리머 중의 관능기와 반응할 수 있는 관능기와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 관능기를 갖는 아크릴 폴리머에, 탄소-탄소 이중 결합의 자외선 경화성(자외선 중합성)을 유지한 상태에서, 축합 반응 또는 부가 반응시킴으로써 제조할 수 있다.
관능기를 갖는 아크릴 폴리머는, 구성 성분인 (메트)아크릴산에스테르에 대하여 공중합이 가능하고, 또한 수산기, 카르복실기, 글리시딜기 등의 관능기를 갖는 모노머(공중합성 모노머)를 공중합함으로써 얻을 수 있다. (메트)아크릴산에스테르에 대하여 공중합이 가능하고, 또한 수산기를 갖는 모노머로서는, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 6-히드록시헥실(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 글리세린모노(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르에 대하여 공중합이 가능하고, 또한 카르복실기를 갖는 모노머로서는, (메트)아크릴산(아크릴산, 메타크릴산), 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이소크로톤산 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르에 대하여 공중합이 가능하고, 또한 글리시딜기를 갖는 모노머로서는, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
관능기와 반응할 수 있는 관능기와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 축합 반응 또는 부가 반응의 대상으로 되는 관능기가 수산기인 경우에는, 2-이소시아네이토에틸(메트)아크릴레이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트 등을 들 수 있다. 축합 반응 또는 부가 반응의 대상으로 되는 관능기가 카르복실기인 경우에는, 글리시딜메타크릴레이트나 알릴글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 축합 반응 또는 부가 반응의 대상으로 되는 관능기가 글리시딜기인 경우에는, (메트)아크릴산 등의 불포화 카르복실산 등을 들 수 있다.
아크릴 폴리머는, 반도체 디바이스 등의 피가공물의 오염 방지 등의 관점에서, 저분자량물의 함유량이 적은 것이 바람직하다. 이 관점에서, 아크릴 폴리머의 중량 평균 분자량으로서는, 10만 이상인 것이 바람직하고, 나아가서는 20만∼200만인 것이 적합하다. 아크릴 폴리머의 중량 평균 분자량이, 지나치게 작으면, 반도체 디바이스 등의 피가공물에 대한 오염 방지성이 저하되고, 지나치게 크면 점착제층(5)을 형성하기 위한 점착제 조성물의 점도가 매우 높아져, 점착 테이프(1)의 제조가 곤란해진다.
또한, 아크릴 폴리머는 점착성 발현의 관점에서, 유리 전이점이 -70℃∼0℃인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는, -65℃∼-20℃이다. 유리 전이점이 지나치게 낮으면, 폴리머의 점도가 낮아져, 안정된 도막 형성이 곤란해지고, 유리 전이점이 지나치게 높으면, 점착제가 단단해져, 피착체에 대한 습윤성이 악화된다.
상기 아크릴 폴리머는 단독으로 사용해도 되고, 상용성이 허용하는 한 2종 이상의 아크릴 폴리머를 혼합하여 사용해도 된다.
일반적인 점착제에 배합하여 점착제층에 사용하는 자외선 경화형 수지는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예로서, 우레탄(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 폴리에테르(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴산올리고머 및 이타콘산올리고머와 같이 수산기 혹은 카르복실기 등의 관능기를 갖는 올리고머를 들 수 있다.
또한 본 발명에 사용되는 점착제 중에 광 중합 개시제를 배합할 수 있다. 광 중합 개시제로서는, 예를 들어 이소프로필벤조인에테르, 이소부틸벤조인에테르, 벤조페논, 미힐러케톤, 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 벤질디메틸케탄올, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시메틸페닐프로판 등을 들 수 있다. 이들 중 적어도 1종을 점착제 중에 첨가함으로써, 점착제층(5)의 경화 반응을 효율적으로 진행시킬 수 있고, 그것에 의해 반도체 디바이스의 고정 점착력을 적절하게 저하시킬 수 있다.
광 중합 개시제의 첨가량은, 상기 자외선 경화형 수지 100질량부에 대하여 0.5∼10질량부로 하는 것이 좋다. 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 갖는 탄소-탄소 이중 결합 도입형 아크릴계 폴리머를 사용한 경우는, 탄소-탄소 이중 결합 도입형 아크릴계 폴리머 100질량부에 대하여 0.5∼10질량부로 하는 것이 좋다.
또한 본 발명에 사용되는 점착제에는 필요에 따라서 점착 부여제, 점착 조정제, 계면 활성제 등, 혹은 그 밖의 개질제 등을 배합할 수 있다. 또한, 무기 화합물 필러를 적절히 첨가해도 된다.
점착제층(5)의 점착성은, 점착 재료의 가교 밀도를 제어함으로써 적절히 제어 가능하다. 점착 재료의 가교 밀도 제어는, 예를 들어 다관능 이소시아네이트계 화합물이나 에폭시계 화합물, 멜라민계 화합물이나 금속염계 화합물, 금속 킬레이트계 화합물이나 아미노 수지계 화합물이나 과산화물 등의 적절한 가교제를 통해 가교 처리하는 방식, 탄소-탄소 이중 결합을 2개 이상 갖는 화합물을 혼합하고, 에너지선의 조사 등에 의해 가교 처리하는 방식 등의 적절한 방식으로 행할 수 있다.
점착제층(5)의 자외선 조사 전의 점착제층(5) 표면의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각은, 아크릴 폴리머의 코모노머 비율을 조정하는 것 외에, 첨가제로서 실리콘 수지, 불소 수지 등을 배합함으로써 조정 가능하다. 또한, 이들에 자외선 경화 수지의 수 평균 분자량에 의한 조정을 조합함으로써도 가능하다. 아크릴 폴리머의 코모노머 비율에 의한 조정에서는, 알킬쇄의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르, 보다 바람직하게는, 알킬쇄의 탄소수가 8 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르를 사용하는 것이 효과적이고, 알킬쇄의 탄소수가 4 이상, 보다 바람직하게는, 알킬쇄의 탄소수가 8 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르가 코모노머 전체의 50질량％ 이상 포함하는 것이 바람직하다. 첨가제로서 사용하는 실리콘 수지로서는, 실리콘 변성 아크릴레이트, 불소 수지로서는 불소 함유 올리고머를 사용 가능하고, 특히 실리콘 변성 아크릴레이트를 적합하게 사용할 수 있다. 그 중에서도, 실리콘 아크릴레이트 또는 불소 함유 올리고머를 함유하는 것이 바람직하고, 그 함유량은, 점착제층의 전 고형분에 대하여 0질량％보다도 많고 5질량％ 보다도 적은 것이 바람직하다.
점착제층의 두께는 바람직하게는 5㎛ 이상 70㎛ 이하, 보다 바람직하게는 8㎛ 이상 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 10㎛ 이상 30㎛ 이하이다. 점착제층이 지나치게 얇으면 전극의 요철에 추종할 수 없어, 다이싱 가공시에 절삭수나 절삭 칩이 침입해 버린다고 하는 문제가 발생하고, 반대로 지나치게 두꺼우면 다이싱 가공시에 있어서 칩핑이 커져, 반도체 소자의 품질이 저하된다.
본 발명에 있어서, 점착제층을 경화시키는 에너지선으로서는, 방사선이 바람직하고, 방사선으로서는, 자외선(UV) 등의 광선, 전자선 등을 들 수 있다.
기재 수지 필름 상에 점착제층을 형성하는 방법은 특별히 한정은 없고, 예를 들어 상기한 아크릴 수지 조성물을 통상 사용되는 도포 방법에 의해 기재 수지 필름 상에 도포, 건조시켜 형성하는 것 외에, 세퍼레이터 상에 도포한 점착제층을 기재 수지 필름과 접합함으로써 기재 수지 필름에 전사함으로써 제작할 수 있다.
또한, 필요에 따라서, 실용에 사용할 때까지의 동안, 점착제층을 보호하기 위해 통상 세퍼레이터로서 사용되는 합성 수지 필름을 점착제층측에 부착해 두어도 된다. 합성 수지 필름의 구성 재료로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름이나 종이 등을 들 수 있다. 합성 수지 필름의 표면에는, 점착제층(3)으로부터의 박리성을 높이기 위해, 필요에 따라서 실리콘 처리, 장쇄 알킬 처리, 불소 처리 등의 박리 처리가 실시되어 있어도 된다. 합성 수지 필름의 두께는, 통상 10∼100㎛, 바람직하게는 25∼50㎛ 정도이다.
이어서, 서포트 부재에 대하여 설명한다.
(서포트 부재)
서포트 부재는, 규소, 사파이어, 수정, 금속(예를 들어, 알루미늄, 구리, 강), 각종 유리 및 세라믹스를 포함하는 군으로부터 선택된 소재로 구성된다. 이 서포트 부재의 접착제를 부착하는 면에는 퇴적된 다른 소재를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼 상에 질화규소를 증착하는 것도 가능하고, 이에 의해 접합 특성을 변화시킬 수 있다.
(서포트 부재의 부착)
상기 서포트 부재를 부착하는 데 있어서는, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 후술하는 접착제의 접착제액을 도포한 후, 도포한 접착제를 오븐 또는 핫 플레이트에서 건조시킨다. 또한, 접착제(접착제층)의 필요한 두께를 얻기 위해, 접착제액의 도포와 예비 건조를 복수 회 반복해도 된다.
또한, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 접착제의 접착제액을 도포하는 데 있어서는, 접착제의 접착제액의 도포를 행하기 전에, 일본 특허 공표 제2009-528688호 공보에서 개시되는 바와 같이, 반도체 웨이퍼의 회로면에 플라즈마 폴리머 분리층을 퇴적시킴으로써, 서포트 부재의 박리시에, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면과 플라즈마 폴리머 분리층의 사이에서 박리시키는 경우가 있다.
또한, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 접착제액을 스핀 코터로 도포하면 주연부에 한층 높아진 비드부가 생기는 경우가 있다. 이 경우에는, 당해 접착제액을 예비 건조하기 전에, 비드부를 용제에 의해 제거하는 것이 바람직하다.
(접착제)
접착제로서는, 본 발명에 있어서는 시판되는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 브루어 사이언스사[미주리주(州) 롤라]로부터 판매되고 있는 Wafer BONDTM 재료(슬라이드 본딩 프로세스용의 Wafer BONDTM HT 10. 10, 케미컬 본딩 프로세스용의 Wafer BONDTM CR200)나, WACKER제의 버그하우젠의 재료인 ELASTOSIL LR 3070 등을 들 수 있다.
또한, 반도체 소재, 유리 또는 금속에 대하여 높은 접착력을 나타내는 수지 혹은 폴리머류도 바람직하고, 특히 바람직하게는, 예를 들어 (가) 고(高)고형분으로, 반응성 에폭시류 및 아크릴류와 같은 UV 경화 수지, (나) 2액성 에폭시 또는 실리콘 접착제와 같은 동족의 열경화 수지, (다) 열가소성의 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 할로겐화 비닐(불소계 불포함) 수지 또는 비닐에스테르의 폴리머류나 코폴리머류를, 폴리아미드류, 폴리이미드류, 폴리술폰류, 폴리에테르술폰류 또는 폴리우레탄류로, 용융 상태 또는 용액 도막으로서 도포하고, 도포 시공 후에 가열함으로써 건조시켜 서포트 부재와 반도체 웨이퍼를 한층 치밀하게 하거나, 또한, (라) 환상 올레핀류, 폴리올레핀 고무류(예를 들어, 폴리이소부틸렌) 또는 (마) 탄화수소를 베이스로 한 점착 부여 수지류를 들 수 있다.
접착제로서는, 연마시에 물을 사용하므로 비수용성의 고분자 화합물이 바람직하고, 또한 연화점이 높은 것이 바람직하다. 이러한 고분자 화합물로서는, 노볼락 수지, 에폭시 수지, 아미드 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 폴리스티렌, 폴리비닐에테르, 폴리아세트산 비닐 및 그 변성물 또는 그들의 혼합물을 용제에 용해한 것을 들 수 있다. 그 중에서도 아크릴계 수지 재료는 200℃ 이상의 내열성이 있고, 발생하는 가스도 적고, 크랙이 발생하기 어려우므로 바람직하다. 또한 노볼락 수지도 스컴이 없고, 내열성, 발생 가스량 및 크랙의 발생에 대해서는 아크릴계 수지 재료에 떨어지지만, 연화점이 높고, 접착 후의 박리에 대해서도 용제 박리가 용이한 점에서 바람직하다. 이것에 더하여, 성막시의 크랙 방지에 가소제를 혼합해도 된다.
또한, 용제로서는 상기한 수지를 용해할 수 있고, 또한 균일하게 웨이퍼에 성막할 수 있는 것이 바람직하고, 케톤류(예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산, 메틸이소부틸케톤, 메틸이소아밀케톤, 2-헵타논 등), 다가 알코올류 혹은 그 유도체(예를 들어, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트 혹은 이들의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 또는 모노페닐에테르 등), 환식 에테르류(예를 들어, 디옥산), 에스테르류(예를 들어, 락트산에틸, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등) 또는 방향족 탄화수소류(예를 들어, 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등)를 들 수 있다. 이들 중에서도, 특히 상기한 케톤류 혹은 그 유도체가 바람직하다.
이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 또한 막 두께의 균일성을 향상시키기 위해 이들에 활성제를 첨가해도 된다.
(접착제 잔사의 세정액)
반도체 웨이퍼로부터 접착제와 서포트 부재를 박리한 후에, 반도체 웨이퍼(1) 상에 잔존하는 접착제 잔사를 제거하기 위한 세정액으로서는, 상기한 접착제에 사용되는 유기 용제에 더하여, 1가 알코올류(예를 들어, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올 등), 락톤류(예를 들어, γ-부티로락톤 등), 락탐류(예를 들어, γ-부티로락탐 등), 에테르류(예를 들어, 디에틸에테르나 아니솔 등), 알데히드류(예를 들어, 디메틸포름알데히드, 디메틸아세트알데히드 등)를 사용해도 된다. 이들 중에서도, 특히 전술한 케톤류 혹은 그 유도체가 바람직하다.
이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 또한 접착제 잔사의 세정을 효율적으로 행하기 위해, 이들에 활성제를 첨가해도 된다.
다음으로, 본 발명을 실시예에 기초하여 더욱 상세하게 설명한다. 이하 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
아크릴산메틸, 아크릴산2-에틸헥실 및 2-히드록시에틸아크릴레이트를 5:14:1의 비율로, 아세트산에틸 중에서 통상법에 의해 공중합시켜, 아크릴계 폴리머를 포함하는 용액을 얻었다. 계속해서, 상기 아크릴계 폴리머를 포함하는 용액에, 자외선 경화성 화합물로서, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트 및 디이소시아네이트를 반응시켜 얻은 자외선 경화성 올리고머 50질량부와, 광 중합 개시제로서 이르가큐어 651(상품명, BASF사제) 2.5질량부와, 폴리이소시아네이트계 화합물로서 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트를 1.0질량부, 또한 실리콘 변성 아크릴레이트를 0.15질량부 첨가하여, 방사선 경화성 점착제인 수지 조성물을 제조하였다. 이 수지 조성물을, 미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에, 건조 후의 점착층의 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 미리 표면에 코로나 처리가 실시된 저밀도 폴리에틸렌의 코로나 처리면과 접합하여 기재 수지 필름에 점착제를 전사시킴으로써 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.
(실시예 2)
실리콘 변성 아크릴레이트를 0.77질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.
(실시예 3)
실리콘 변성 아크릴레이트를 8.08질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.
(실시예 4)
2-에틸헥실아크릴레이트(70mol％), 메타크릴산(1mol％), 2-히드록시프로필아크릴레이트(29mol％)의 공중합체의 3-히드록시프로필아크릴레이트 측쇄 말단 OH기에, 광 중합성 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 갖는 화합물로서, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트의 NCO기를 부가 반응시킨 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 화합물(A1 : 분자량 700000)을 얻었다. 이 화합물(A1) 100질량부에 대하여 폴리이소시아네이트로서 트리메틸올프로판 변성 헥사메틸렌디이소시아네이트를 1질량부, 광 중합 개시제로서 이르가큐어 184(상품명, BASF사제)를 5.0질량부 첨가하여, 방사선 경화성 점착제인 수지 조성물을 제조하였다. 이 수지 조성물을, 미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에, 건조 후의 점착층의 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 미리 표면에 코로나 처리가 실시된 저밀도 폴리에틸렌의 코로나 처리면과 접합하여 기재 수지 필름에 점착제를 전사시킴으로써 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.
(실시예 5)
실리콘 변성 아크릴레이트를 0.11질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.
(실시예 6)
실리콘 변성 아크릴레이트를 0.53질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.
(실시예 7)
실리콘 변성 아크릴레이트를 5.58질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.
(실시예 8)
불소 함유 올리고머를 0.15질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.
(실시예 9)
아크릴산에틸, 아크릴산부틸 및 2-히드록시에틸아크릴레이트를 10:9:1의 비율로, 아세트산에틸 중에서 통상법에 의해 공중합시켜, 아크릴계 폴리머를 포함하는 용액을 얻었다. 계속해서, 상기 아크릴계 폴리머를 포함하는 용액에, 자외선 경화성 화합물로서, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트 및 디이소시아네이트를 반응시켜 얻은 자외선 경화성 올리고머 50질량부와, 광 중합 개시제로서 이르가큐어 651(상품명, BASF사제) 2.5질량부와, 폴리이소시아네이트계 화합물로서 트리메틸올프로판 변성 톨릴렌디이소시아네이트를 1.0질량부, 또한 실리콘 변성 아크릴레이트를 0.31질량부 첨가하여, 방사선 경화성 점착제인 수지 조성물을 제조하였다. 이 수지 조성물을, 미리 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌테레프탈레이트 세퍼레이터의 이형 처리면 상에, 건조 후의 점착층의 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공하고, 80℃에서 10분간 건조시킨 후, 미리 표면에 코로나 처리가 실시된 저밀도 폴리에틸렌의 코로나 처리면과 접합하여 기재 수지 필름에 점착제를 전사시킴으로써 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.
(실시예 10)
실리콘 변성 아크릴레이트를 0.77질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 9와 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.
(실시예 11)
폴리이소시아네이트로서 트리메틸올프로판 변성 헥사메틸렌디이소시아네이트를 0.1질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.
(비교예 1)
실리콘 변성 아크릴레이트를 배합하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.
(비교예 2)
실리콘 변성 아크릴레이트를 0.15질량부 배합한 것 이외에는, 실시예 9와 마찬가지로 하여, 반도체 가공용 점착 테이프를 제작하였다.
실시예 1∼11 및 비교예 1, 2의 각 샘플에 대하여 접촉각, 프로브 태크, 겔 분율, 내 용제성, 서포트 부재의 박리성에 대해서, 평가 시험을 이하와 같이 행하였다. 얻어진 결과를 통합하여 하기 표 1 및 2에 나타낸다.
<점착제층 표면의 접촉각>
편평한 면에서 측정을 행할 필요가 있으므로, 기재 필름의 점착제층이 형성되어 있지 않은 쪽의 면을, 양면 테이프를 사용하여 표면이 평평한 유리판에 고정하였다. 세퍼레이터를 박리한 후, 메틸에틸케톤을 적하하고, 접촉각 θ를 교와 가가꾸 가부시끼가이샤제 FACE 접촉각계 CA-S150형을 사용하여 측정하였다. 측정 온도는 23℃, 측정 습도는 50％이다. 점착제층 표면의 접촉각 측정은 점착 테이프에의 자외선 조사를 행하기 전의 상태에서 행하였다.
<프로브 태크>
가부시끼가이샤 레스카의 태킹 시험기 TAC-II를 사용하여 행하였다. 측정 모드는, 설정한 가압값까지 프로브를 압입하여, 설정한 시간이 경과할 때까지 가압값을 유지하도록 계속 컨트롤하는 Constant Load를 사용하였다. 세퍼레이터를 박리한 후, 반도체 가공용 점착 테이프의 점착제층을 위로 하고, 상측으로부터 직경 3.0㎜의 SUS304제의 프로브를 접촉시켰다. 프로브를 측정 시료에 접촉시킬 때의 속도는 30㎜/min이고, 접촉 하중은 100gf이고, 접촉 시간은 1초이다. 그 후, 프로브를 600㎜/min의 박리 속도로 상방으로 박리하고, 박리하는 데 필요로 하는 힘을 측정하여, 그 피크값을 판독하였다. 프로브 온도는 23℃이고, 플레이트 온도는 23℃로 하였다.
<겔 분율>
50㎜×50㎜의 크기로 커트한 반도체 가공용 점착 테이프로부터, 세퍼레이터를 제거하고, 그 질량 A를 칭량하였다. 다음으로, 이 칭량한 반도체 가공용 다이싱 테이프의 샘플을 100g의 메틸이소부틸케톤(MIBK) 중에 침지한 상태에서 48시간 방치한 후, 50℃의 항온층에서 건조시켜, 그 질량 B를 칭량하였다. 또한, 100g의 아세트산에틸을 사용하여 샘플의 점착제층을 닦아내어 제거한 후, 샘플의 질량 C를 칭량하여, 하기 식(1)에 의해 겔 분율을 산출하였다.
Figure 112014103212075-pct00002
<내 용제성 1>
8인치의 반도체 웨이퍼에, 실시예, 비교예에서 얻어진 반도체 가공용 점착 테이프를 접합하고, 링 프레임에 고정한 후, 반도체 웨이퍼측으로부터 유기 용제로서 메틸이소부틸케톤(MIBK)을 분사하면서, 20rpm으로 회전시켜 스핀 세정을 실시하였다. 세정·건조 종료 후에 반도체 가공용 다이싱 테이프의 반도체 웨이퍼가 부착되어 있지 않은 영역의 점착제층을 관찰하여, 점착제의 용해 또는 팽윤이 보이지 않은 것을 ○, 일부 점착제의 팽윤이 보였지만 실용상 문제가 없는 경미한 것을 △로 하여 합격이라 판정, 점착제의 용해가 보인 것, 실용상 문제가 되는 레벨의 중도(重度)의 팽윤이 보인 것을 ×로 하여 불합격으로 하였다.
<내 용제성 2>
8인치의 반도체 웨이퍼에, 실시예, 비교예에서 얻어진 반도체 가공용 점착 테이프를 접합하고, 링 프레임에 고정한 후, 메틸이소부틸케톤(MIBK) 중에 1시간 침지하였다. 그 후, 20rpm으로 회전시켜 스핀 건조를 실시한 후에 반도체 가공용 다이싱 테이프의 반도체 웨이퍼가 부착되어 있지 않은 영역의 점착제층을 관찰하여, 점착제의 용해 또는 팽윤이 보이지 않은 것을 ○, 일부 점착제의 팽윤이 보였지만 실용상 문제가 없는 경미한 것을 △로 하여 합격이라 판정, 점착제의 용해가 보인 것, 실용상 문제가 되는 레벨의 중도의 팽윤이 보인 것을 ×로 하여 불합격으로 하였다.
<서포트 부재 박리성>
미국 특허 출원 공개 제2011/0272092호 명세서에 개시되는 방법을 사용함으로써, 두께 약 700㎛의 6인치의 실리콘 웨이퍼 상에, 플라즈마 폴리머 분리층, 실리콘 고무 접착제층, 서포트 부재로서 두께 2.5㎜의 유리판이, 차례로 적층된 구조체 1을 얻었다. 상기한 바와 같이 하여 얻어진 구조체 1의 웨이퍼 배면(플라즈마 폴리머 분리층 등이 적층되어 있지 않은 면)에 실시예, 비교예에서 얻어진 반도체 가공용 점착 테이프를 접합하고, 링 프레임 상에 고정한 후, Suss사제 De-Bonder DB12T에 제공함으로써, 서포트 부재의 박리성을 평가하였다. 서포트 부재의 플라즈마 폴리머 분리층과 웨이퍼 표면의 사이에서 박리하여, 서포트 부재를 웨이퍼 표면으로부터 제거할 수 있었던 것을 ○, 일부에서 웨이퍼 배면과 반도체 가공용 점착 테이프의 사이에서의 박리가 발생하였지만, 서포트 부재를 웨이퍼 표면으로부터 제거할 수 있어, 실용상 허용할 수 있는 것을 △로 하여 합격이라 판정, 서포트 부재의 플라즈마 폴리머 분리층과 웨이퍼 표면의 사이에서 박리하지 않고, 웨이퍼 배면과 반도체 가공용 점착 테이프의 사이에서 박리하고, 서포트 부재를 웨이퍼 표면으로부터 제거할 수 없었던 것을 ×로 하여 불합격으로 하였다.
Figure 112014103212075-pct00003
Figure 112014103212075-pct00004
표 1, 2에 나타나는 바와 같이, 점착제층의 자외선 조사 전에 있어서의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이 25.1°이상이고 180°보다도 작은(60°이하인) 실시예 1∼11은 내 용제성의 평가 항목에 있어서 합격 판정으로, 화학 약품을 사용한 반도체 소자 표면의 세정 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조에 있어서 실용상 문제없이 사용할 수 있다. 실시예 1 및 실시예 8과 비교예 1의 비교에서는, 점착제층이, 실리콘 아크릴레이트 혹은 불소 함유 올리고머를 함유함으로써 내 용제성을 향상시킬 수 있었다. 특히, 태크력이 200∼600㎪인 실시예 1, 실시예 2, 실시예 4, 실시예 5, 실시예 6, 실시예 8, 실시예 9, 실시예 10, 실시예 11에서는 서포트 부재의 박리 시험에 있어서 더욱 우수한 결과였다. 또한, 겔 분율이 65％ 이상인 실시예 4∼실시예 7, 실시예 11에서는, 메틸이소부틸케톤(MIBK) 중에 1시간 침지한 경우의 내 용제성도 우수한 것을 알 수 있었다.
한편, 점착제층의 자외선 조사 전에 있어서의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이 25°미만인 비교예 1, 2에서는 어느 내 용제성 시험에 있어서 점착제의 용해 또는 중도의 팽윤이 보여, 화학 약품을 사용한 반도체 소자 표면의 세정 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조에는 적합하지 않은 것이 나타났다.

Claims (4)

  1. 기재 수지 필름의 적어도 한쪽의 면에 방사선 경화성의 점착제층이 형성되고, 반도체 웨이퍼의 표면에 접착제를 통해 서포트 부재를 접합하고, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭한 후에, 상기 반도체 웨이퍼로부터 상기 서포트 부재를 박리해서, 상기 반도체 웨이퍼 표면의 상기 접착제의 잔사를 화학 약품으로 세정하는 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조에 이용하는 반도체 가공용 점착 테이프로서,
    상기 점착제층의 방사선 조사 전에 있어서의 메틸이소부틸케톤에 대한 접촉각이 25.1°∼60°인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 테이프.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 점착제층이, 실리콘 아크릴레이트 또는 불소 함유 올리고머를 함유하고, 상기 실리콘 아크릴레이트 또는 불소 함유 올리고머의 함유량이, 상기 점착제층의 전체 고형분에 대해 0질량％보다 많고 5질량％ 보다 적은 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 테이프.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 점착제층의 방사선 조사 전에 있어서의 상기 메틸이소부틸케톤에 대한 겔 분율이, 65％ 이상 100％ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 테이프.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 점착제층의 방사선 조사 전에 있어서의 프로브 태크 시험의 피크값이, 200∼600㎪인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 테이프.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5607847B1 (ja) * 2013-11-29 2014-10-15 古河電気工業株式会社 半導体加工用粘着テープ
JP5718515B1 (ja) * 2014-01-23 2015-05-13 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法
WO2015132852A1 (ja) * 2014-03-03 2015-09-11 古河電気工業株式会社 半導体加工用粘着テープ
KR102143801B1 (ko) * 2016-09-23 2020-08-12 동우 화인켐 주식회사 광학 투명 점착제 조성물, 그를 포함하는 광학 투명 점착 필름 및 평판표시장치
JP7031141B2 (ja) * 2017-06-01 2022-03-08 昭和電工マテリアルズ株式会社 半導体加工用テープ
JP7348838B2 (ja) * 2018-06-05 2023-09-21 積水化学工業株式会社 粘着テープ
JP7060547B2 (ja) * 2019-05-29 2022-04-26 古河電気工業株式会社 ガラス加工用テープ
KR20230125004A (ko) * 2020-12-25 2023-08-28 닛토덴코 가부시키가이샤 수지 조성물
JP7084535B1 (ja) 2021-09-17 2022-06-14 日東電工株式会社 樹脂組成物
JP7084536B1 (ja) * 2021-09-17 2022-06-14 日東電工株式会社 粘着シート
CN115011274B (zh) * 2022-06-24 2023-07-18 浙江权威胶粘制品有限公司 一种改性丙烯酸酯耐高温胶粘带及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011236261A (ja) * 2010-05-06 2011-11-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体用接着フィルム及び半導体装置の製造方法
JP5019657B1 (ja) * 2011-10-27 2012-09-05 古河電気工業株式会社 半導体デバイス加工用粘着テープ

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3247211B2 (ja) * 1993-08-02 2002-01-15 富士通株式会社 配線用銅膜表面の酸化銅除去方法
JP3917384B2 (ja) * 2001-02-15 2007-05-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板洗浄装置
JP5137937B2 (ja) * 2009-12-16 2013-02-06 日東電工株式会社 半導体装置製造用耐熱性粘着シート、該シートに用いる粘着剤、及び該シートを用いた半導体装置の製造方法
JP5554118B2 (ja) * 2010-03-31 2014-07-23 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011236261A (ja) * 2010-05-06 2011-11-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体用接着フィルム及び半導体装置の製造方法
JP5019657B1 (ja) * 2011-10-27 2012-09-05 古河電気工業株式会社 半導体デバイス加工用粘着テープ

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