TWI614064B - 濾材潤濕方法、濾材潤濕裝置及記憶媒體 - Google Patents
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Abstract
本發明之目的在於提供一種處理液供給方法,其可在處理液供給路徑上安裝新過濾部時,減少為了從過濾部去除氣泡所消耗的處理液,及縮短啟動時間。為達成上述之目的,本發明之處理液供給方法中,依序進行下述步驟:處理液充滿步驟,使處理液充滿於新過濾部內;第1壓力氛圍形成步驟,為了從該過濾部去除氣泡,而使該過濾部內形成負壓氛圍亦即第1壓力氛圍;升壓步驟,使該過濾部內升壓;液體通入步驟,在使該過濾部的二次側成為高於該第1壓力氛圍的第2壓力氛圍的狀態下,將處理液從該過濾部的該一次側通入該過濾部;及液體處理進行步驟,將通入該過濾部的處理液,透過噴嘴供給至被處理體,以進行液體處理。藉此可快速地去除氣泡。
Description
本發明係關於一種,在經由過濾部將處理液從噴嘴吐出的處理液供給裝置中,去除過濾部內之氣泡的技術。
在半導體裝置的製程中,將光阻、酸或鹼的洗淨液、溶劑、用以形成絶緣膜之含有前驅物的液體等的藥液,從噴嘴供給至基板,以進行液體處理。在這樣的藥液供給裝置中,於供給路徑上插設過濾部,以去除雜質。專利文獻1中揭示作為這種藥液供給裝置的光阻塗佈裝置。
該等步驟中,因為光阻與藥液中的溶解氣體而產生氣泡,隨著圖案之線寬逐漸往細微化邁進,必須迫切地注意以往未成為問題的微小氣泡,並提出相對應的方法。
另外,在塗佈該等處理液的裝置中,新安裝用以去除處理液中之雜質的過
濾部的情況(包含裝置啟動時,以及更換過濾部的兩種情況),進行藉由將處理液通入所安裝的過濾部來去除過濾部中之氣體的步驟(以下稱為「濾材潤濕」)(專利文獻2)。作為以往的濾材潤濕的方法,係在設置過濾部之後,藉由使用因為N2氣或泵的壓力所形成的正壓(大氣壓力以上的壓力)進行過濾,並監控晶圓上因為氣泡所引起的缺陷數量。接著在將缺陷數量減少至一定程度的時間點,視為已去除過濾部中的氣體,而結束該步驟。
然而從量產成本的觀點來看,必須要求減少過濾部啟動前所消耗的處理液,以及縮短啟動時間。
〔專利文獻1〕日本特許第3461725號公報
〔專利文獻2]日本特開平04-196517號公報
本發明係在這種情事中所完成者,其目的在於提供一種技術,可實現在將新過濾部安裝於處理液供給路徑上時,減少為了從過濾部去除氣泡而消耗的處理液,以及縮短啟動時間。
本發明之特徵為包含:處理液充滿步驟,使處理液充滿於新過濾部內;第1壓力氛圍形成步驟,為了從該過濾部去除氣泡,而使該過濾部內形成負壓氛圍、即第1壓力氛圍;升壓步驟,以使該過濾部內成為目標壓力氛圍的方式,在該過濾部中從該第1壓力氛圍升壓;液體通入步驟,在使該過濾部的二次側成為高於該第1壓力氛圍的第2壓力氛圍的狀態下,將處理液從該一次側通入該過濾部;液體處理進行步驟,將通入該過濾部的處理液,透過噴嘴供給至被處理體,以進行液體處理。
另一發明係一處理液供給裝置,其中從上游側依序設有處理液供給源、過濾部及噴嘴,從噴嘴將處理液供給至被處理體以進行液體處理,該處理液供給裝置之特徵為包含:一次側閥、二次側閥、排放閥,分別設於該過濾部的一次側、二次側及排放口;減壓部,用以使該過濾部內減壓;及控制部,控制該閥及減壓部;該控制部具備一程式,其執行下述步驟:處理液充滿步驟,從該一次側供給處理液,使過濾部內充滿處理液;第1壓力氛圍形成步驟,使該一次側閥、二次側閥及排放閥中的至少1個為關閉狀態,並使其他閥為開啟狀態,藉由該減壓部使該過濾部內成為負壓氛圍、即第1壓力氛圍;
升壓步驟,將該成為關閉狀態的閥開啟,以使該過濾部內成為目標壓力氛圍的方式,使該過濾部內從該第1壓力氛圍升壓;及液體處理進行步驟,在使該過濾部的二次側成為高於該第1壓力氛圍之第2壓力氛圍的狀態下,從該一次側將處理液通入該過濾部,並透過該噴嘴將處理液供給至被處理體,以進行液體處理。
再另一發明,係一儲存媒體,其儲存一用於處理液供給裝置的電腦程式,該處理液供給裝置中,從上游側依序設有處理液供給源、過濾部及噴嘴,並從噴嘴將處理液供給至被處理體以進行液體處理,該儲存媒體的特徵在於:該電腦程式,以進行本發明之處理液供給方法的方式,組合步驟群組。
本發明,係在處理液供給路上安裝新過濾部時,在過濾部中形成負壓的壓力氛圍,該壓力低於將處理液通入過濾部而供給至被處理體之過程時的壓力狀態。因此,可快速去除過濾部內的氣泡,另外,因為可減少殘留之氣泡,故可縮短在以處理液浸漬過濾部之後,到將處理液供給至實際運作之前,所必需的啟動時間以及減少該期間的處理液消耗量。又,在安裝新過濾部時,包含裝置啟動時的安裝以及更換過濾部的安裝兩種情形。
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧光阻塗佈裝置
10‧‧‧控制部
11‧‧‧旋轉夾頭
13‧‧‧杯體
14‧‧‧噴嘴
101~107、121、122、131、133、501~504‧‧‧配管
111~115‧‧‧排液管
132、134、135‧‧‧排氣管
136‧‧‧排氣路徑
2‧‧‧減壓供給源
21‧‧‧容器
22‧‧‧N2(氮)氣體供給部
23‧‧‧液體終端槽
24、26‧‧‧收集槽
25‧‧‧泵
3‧‧‧過濾部
31‧‧‧濾筒
32‧‧‧囊體
33‧‧‧內筒部
34‧‧‧保持部
35‧‧‧過濾構件
36‧‧‧導引構件
301‧‧‧流路
302、303、304‧‧‧開口部
311‧‧‧光阻導入接點
312‧‧‧外部供給接點
313‧‧‧排放用接點
314~316‧‧‧流路
321‧‧‧孔
322、323‧‧‧箭號
4‧‧‧減壓部
40‧‧‧氣泡
41、42‧‧‧收集槽
43‧‧‧真空收集槽
44‧‧‧內部空間
45‧‧‧液面量測計
46‧‧‧排氣量調整部
47‧‧‧真空計
5、50‧‧‧光阻塗佈裝置
51、52‧‧‧泵
53‧‧‧真空槽
501、502‧‧‧空氣供給管
60‧‧‧顯影液供給系統
61‧‧‧純水供給系統
62‧‧‧供給部
63‧‧‧儲存槽
64‧‧‧N2氣體供給源
65、68‧‧‧分支路形成部
66‧‧‧噴嘴
67‧‧‧流量計
69‧‧‧純水供給源
7‧‧‧塗佈、顯影裝置
71‧‧‧載置台
72‧‧‧開閉部
73‧‧‧搬運機構
74‧‧‧保護膜形成模組
75‧‧‧傳遞手臂
76‧‧‧加熱模組
77‧‧‧邊緣曝光模組
78、79、80‧‧‧介面手臂
A1~A6‧‧‧搬送手臂
B1~B6‧‧‧單元區塊
C‧‧‧載體
D1‧‧‧載體區塊
D2‧‧‧處理區塊
D3‧‧‧介面區塊
D4‧‧‧曝光裝置
R‧‧‧搬送區域
T1~T4‧‧‧塔
U‧‧‧架座單元
V11~V65‧‧‧閥
〔圖1〕係本發明之第1實施態樣的光阻塗佈裝置的整體圖。
〔圖2〕係該光阻塗佈裝置中所設置的過濾部的縱剖面側視圖。
〔圖3〕係設於該過濾部中之過濾構件的概略圖。
〔圖4〕係顯示該光阻塗佈裝置中的閥之開閉的作用圖。
〔圖5〕係顯示該光阻塗佈裝置中的閥之開閉的作用圖。
〔圖6〕係顯示該光阻塗佈裝置中的閥之開閉的作用圖。
〔圖7〕係顯示該光阻塗佈裝置中的閥之開閉的作用圖。
〔圖8〕係顯示該光阻塗佈裝置中的閥之開閉的作用圖。
〔圖9〕係顯示該光阻塗佈裝置中的閥之開閉的作用圖。
〔圖10〕係顯示該光阻塗佈裝置中的閥之開閉的作用圖。
〔圖11〕係顯示該光阻塗佈裝置中的閥之開閉的作用圖。
〔圖12〕係顯示該過濾部內之態樣的說明圖。
〔圖13〕係顯示該過濾部內之態樣的說明圖。
〔圖14〕係顯示該過濾部內之態樣的說明圖。
〔圖15〕係顯示該過濾部內之態樣的說明圖。
〔圖16〕係顯示該過濾部內之態樣的說明圖。
〔圖17〕係顯示該過濾部內之態樣的說明圖。
〔圖18〕係顯示該過濾部內之態樣的說明圖。
〔圖19〕係顯示該過濾部內之態樣的說明圖。
〔圖20〕係顯示該過濾部內之態樣的說明圖。
〔圖21〕係第2實施態樣的光阻塗佈裝置的配管圖。
〔圖22〕係第2實施態樣的光阻塗佈裝置的配管圖。
〔圖23〕係第3實施態樣的光阻塗佈裝置的配管圖。
〔圖24〕係第4實施態樣的光阻塗佈裝置的整體圖。
〔圖25〕係顯示該光阻塗佈裝置中的閥之開閉的作用圖。
〔圖26〕係顯示該光阻塗佈裝置中的閥之開閉的作用圖。
〔圖27〕係顯示該光阻塗佈裝置中的閥之開閉的作用圖。
〔圖28]係顯示該過濾部內之態樣的說明圖。
〔圖29]係第5實施態樣的光阻塗佈裝置的整體圖。
〔圖30〕係本發明中所應用的顯影液及純水之配管系統的配管圖。
〔圖31〕係第1實施態樣所應用的塗佈、顯影裝置的平面圖。
〔圖32〕係該塗佈、顯影裝置之立體圖。
〔圖33〕係該塗佈、顯影裝置的概略縱剖面側視圖。
〔圖34]係顯示評價實驗之結果的圖表。
〔圖35]係顯示評價實驗之結果的圖表。
以下,就本發明之處理液供給裝置的一實施態樣之光阻塗佈裝置1進行說明。該光阻塗佈裝置1,進行在背景技術的段落中敘述過的濾材潤濕處理以及光阻塗佈處理(將藉由已潤濕之濾材所過濾的光阻,供給至作為基板的晶圓W)。圖1係表示該光阻塗佈裝置1的整體構成。
光阻塗佈裝置1具備:杯體13,包含水平保持晶圓W的旋轉夾頭11;及噴嘴
14,用以將處理液(即光阻)供給至保持於旋轉夾頭11的晶圓W的中心部。該光阻塗佈裝置1更具備配管系統,與該噴嘴14連接。該配管系統中,從上游側開始,設有成為光阻供給源的光阻供給源2、過濾部3、泵25;其係以「藉由泵25的運作,使光阻供給源2的光阻經由過濾部3過濾後從噴嘴14吐出」的方式構成。另外,該配管系統與用以進行該濾材潤濕處理的減壓部4連接。
該杯體13,係以圍住旋轉夾頭11的方式設置,接受從晶圓W甩出的光阻。杯體13的底部,與使杯體內排氣的排氣路徑及去除杯體內之廢液的廢液路徑連接。
就光阻供給源2進行說明,該光阻供給源2具備容器21、N2(氮)氣體供給部22及液體終端槽(liquid end tank)23。
容器21係儲存光阻液的密閉型容器,該容器21分別與配管101、102的一端連接。配管101的另一端,透過閥V11與N2氣體供給部22連接。該N2氣體為用於將容器21內加壓的氣體。配管102的另一端,透過閥V12延伸至液體終端槽23內。
該液體終端槽23,係設置用以將光阻穩定供給至下游側,具備圖中未顯示的液面檢測器,以進行液體量的管理。液體終端槽23的上部,與排液管111的一端連接,排液管111的另一端透過閥V13與大氣氛圍的排液路徑(排液)連接。液體終端槽23的底部與配管103的一端連接,配管103的另一端透過閥V14與過濾部3連接。該閥V14,係過濾部3之一次側(光阻供給源側)的閥。
過濾部3,收集從上游側朝向下游側的光阻中所含有的雜質(粒子),並將其從該光阻液中去除。就過濾部3的構成,參照圖2的縱剖面側視圖,進行簡單說明。過濾部3具備濾筒31及圍住濾筒31的囊體32。濾筒31具備立起的內筒部33、覆蓋內筒部33之周圍的保持部34、以在保持部34內圍住內筒部33之側周的方式設置的過濾構件35。圖中301係內筒部33內的流路,302係設於內筒部33之側壁的開口部,303係設於保持部34之側壁的開口部,304係設於保持部34之上部的開口部。流路301、開口部302、304互相連通。另外,該過濾構件35,係以阻斷該開口部302、303之間的方式設置。
囊體32的上側設有接點311、312、313。接點311,係與該配管103連接的光阻導入接點。另外,囊體32內設有導引構件36,從該光阻導入接點311流入的光阻,藉由該導引構件36通過囊體32的底部側之後,以沿著導引構件36朝向上側的方式被引導。圖中314藉由導引構件36及囊體32的內壁形成,其為從光阻導入接點311朝向下方的流路。圖中315,係以從該流路314水平延展的方式,形成於濾筒31下方的流路,316係從流路315沿著保持部34的外壁往上側延伸的流路。
該接點312,係將已過濾的光阻供給至外部的外部供給接點,於該濾筒31的開口部304開口。該接點313係排放用接點,於該流路316開口。該等接點311、312、313,係分別以相對於與該等接點連接的配管103、104、131自由拆卸的方式構成。
在說明該過濾構件35的同時,對於在背景技術之段落中敘述的濾材潤濕處
理時的問題進行補充說明。該過濾構件35,例如係將以不織布所構成的薄膜構件彎折的方式構成。該過濾構件35,在將過濾部3安裝於光阻塗佈裝置1時雖為乾燥,但在使用時係浸入光阻之中。過濾構件35具備多數的微細的孔321。圖3,係示意顯示該孔321的特寫。圖中的箭號322、箭號323,分別表示朝向過濾構件35光阻、流經過濾構件35的光阻。上游側的光阻所含有的雜質,若大於孔321,則直接被過濾構件35捕捉。接著,即使雜質小於孔321,亦可藉由為人所知的攔截捕捉、慣性捕捉、擴散捕捉及靜電吸附捕捉,使該雜質被過濾構件35所捕捉,以防止其往過濾構件35的下游側流出。然而,如上所述,孔321的大小具有不平均的情形,因為該孔321的大小,導致光阻對於孔321的浸透難以發生。
亦即,吾人認為即使將光阻供給至過濾部3以進行濾材潤濕,亦會產生過濾構件35中具有未浸入光阻之區域的情形。若在這樣的狀態下進行光阻塗佈處理,則上游側的光阻僅在過濾構件35中的有限範圍內流通,就被供給至過濾構件35的下游側。如此,就難以充分進行上述的攔截捕捉,慣性捕捉,擴散捕捉及靜電吸附捕捉。為了防止該情況,在該光阻塗佈裝置1中,進行後述的負壓脫氣處理及大氣開放處理,以作為該濾材潤濕處理。負壓係低於大氣壓的壓力。
回到圖1繼續說明配管系統。該過濾部3的外部供給接點312,與配管104的一端連接,配管104的另一端透過閥V15,與收集槽24的壁面連接。收集槽24的上部側,與排液管112的一端連接,排液管112的另一端,透過閥V16與該大氣氛圍的排液路徑連接。圖中V16係插設於排液管112的閥。收集槽24,具有捕捉光阻中的氣泡,並將其透過排液管112去除的功能。
收集槽24的下部與配管105的一端連接,配管105的另一端透過閥V17連接於泵25的上游側。作為該泵25,可使用例如,具有反映從泵外部之吸引加壓之構造的泵。可舉例如:隔膜泵等空壓泵。隔膜因為泵25內所設置的空間之內壓而變形,藉此進行以該隔膜所構成之光阻流路的擴張、收縮。藉由該流路的擴張,使得該泵25的上游側,亦即過濾部3的二次側(噴嘴側)因為減壓而形成負壓氛圍,結果,使得光阻被往該流路吸引。另外,藉由該流路的收縮,進行將光阻從該流路往下游側吐出。圖中121係用以供給空氣以將該空間加壓的配管,122係用以將空氣從該空間空氣排出以使該空間減壓的配管。圖中V21、V22,係分別插設於配管121、122的閥。
泵25透過該閥V18與配管106的一端連接,配管106的另一端與收集槽26的壁面連接。收集槽26,與該收集槽24相同,係設置用以捕捉及去除氣泡。收集槽26的上部側,與排液管113的一端連接,排液管113的另一端透過閥V19與該排液路徑連接。該收集槽26的下部與配管107的一端連接,配管107的另一端透過閥V23與該噴嘴14連接。
接著就減壓部4進行說明。該減壓部4,係由以下所述的配管(包含記載為排氣管者)、收集槽41、42、真空收集槽43、排氣路徑136及各閥所構成。該過濾部3之中,排放用的接點313與配管131的一端連接。配管131的另一端,透過作為排放閥的閥V41連接於該收集槽41的底部。該收集槽41,在該負壓脫氣處理時,其內部成為負壓氛圍,以收集從過濾部3吸引而來的光阻。收集槽41的底部與排
液管114的一端連接,排液管114的另一端透過閥V42與該排液路徑連接。收集槽41的上部與排氣管132的一端連接,排氣管132的另一端,透過閥V43與真空收集槽43連接。
另外,與過濾部3之外部供給接點312連接的配管104中,閥V15的前段側與配管133的一端連接。配管133的另一端,透過成為過濾部3之二次側閥的閥V44,連接於收集槽42的底部。該收集槽42,與收集槽41相同,在負壓脫氣處理時,其內部為負壓氛圍,以收集從過濾部3吸引而來的光阻。收集槽42的底部與排液管115的一端連接,其將儲存於收集槽42之光阻從排液路徑去除。排液管115的另一端透過閥V45與該排液路徑連接。收集槽42的上部與排氣管134的一端連接,排氣管134的另一端,透過閥V46與真空收集槽43連接。
真空收集槽43,具有確實抑制光阻流入排氣路徑136的功能。將真空收集槽43中所設置的內部空間44減壓,使從收集槽41、42透過排氣管132、134漏出的光阻儲存於該內部空間44內。該內部空間44中設有液面量測計45,若檢測出該漏出之光阻的液面,則將既定信號輸出至後述控制部10。真空收集槽43的上側,與排氣管135的一端連接,排氣管135的另一端透過閥V47與插設於空氣之排氣路徑136上的排氣量調整部46連接。藉由排氣量調整部46,將排氣管135的排氣流量調整至適當的值。圖中47為真空計,與排氣管135內的真空度對應地將信號輸出至控制部10。
光阻塗佈裝置1,具備控制部10。控制部10係由程式、中央處理器及匯流排
等所構成。該程式,從該控制部10對光阻塗佈裝置1的各部分輸出控制信號,並以使後述處理進行的方式,組合命令(各步驟)。該程式儲存於電腦記憶媒體,例如軟碟、光碟、硬碟、磁光碟(MO)等的記憶部,並安裝於主記憶體。作為該程式,其包含了用以進行旋轉夾頭11之旋轉、以各閥之開閉所進行的泵25的動作、光阻往下游側的流通及負壓脫氣處理的程式,各程式係透過該中央處理器來執行該等動作。
控制部10具備圖中未顯示的操作部。光阻塗佈裝置1的操作者,藉由從該操作部進行既定操作,以自動地進行該濾材潤濕處理的方式,將控制信號輸出至光阻塗佈裝置1的各部。另外,控制部10監視來自真空計47及液面量測計45的信號,在測出真空度之異常及光阻漏出時,藉由圖中未顯示的警示產生部,輸出警告訊號。警告訊號可為例如音效或顯示畫面。
前述之濾材潤濕處理,係由依順序進行的下述各處理所構成:浸漬處理,將光阻導入過濾部3使過濾構件35浸漬於光阻;負壓脫氣處理,使該過濾部3內為負壓氛圍以進行脫氣;大氣開放處理,使過濾部3內開放為大氣壓力;流通處理,從過濾部3的一次側使光阻往噴嘴14流通。以下,將顯示光阻塗佈裝置1之各閥開閉態樣的圖4~圖11,與顯示光阻流經過濾部3之內部的態樣的圖12~圖20互相對應,以說明該濾材潤濕處理以及其後進行的光阻塗佈處理。圖4~圖11中,以粗線表示配管中之光阻的流動。圖13~圖20中,亦顯示與各接點311~313連接的閥V14、V41、V15、V44的開閉狀態。
首先,準備圖12所示的新過濾部3,亦即該過濾構件35未浸入液體,係乾燥狀態的過濾部3。將該過濾部3,安裝於圖1中,該過濾部3為拆除狀態的光阻塗佈裝置1。具體而言,該接點311、312、313與配管103、104、131連接,形成圖1所示的光阻塗佈裝置1。例如,各閥V11~V47,在該時間點係為關閉的態樣。
光阻塗佈裝置1的操作者,若從控制部10的操作部進行既定操作,則閥V12、V14、V41、V42開啟,使得從容器21經由過濾部3及收集槽41到排液路徑為止的路徑為開放的狀態,而開始過濾部3的浸漬處理。閥V11開啟,N2氣體供給至容器21,使其內壓上升,如圖4中所示,光阻從光阻供給源2流通至過濾部3。供給至過濾部3的光阻,從圖13所示的光阻導入接點311供給至囊體32內的流路314、315、316,再供給至過濾構件35。接著,如圖14所示,光阻更被供給至流路316而填滿該流路316,透過排放用接點313流入排液路徑的同時,光阻從流路316浸透至過濾構件35。
在開始浸漬處理之後經過既定時間,將閥V41、閥V42關閉,則從過濾部3之排放用接點313透過收集槽41至排液路徑的路徑成為阻斷狀態。在阻斷該路徑的同時,圖5所示的閥V44、V45開啟,則從過濾部3之外部供給接點312透過收集槽42至排液路徑的路徑成為開放狀態。藉此光阻如圖15所示,經由過濾構件35往該流路316之內側的流路301流動,更進行該過濾構件35的浸漬。持續光阻的流通,使光阻充滿流路301,從外部供給接點312透過收集槽42而排出至排液路徑。此時,過濾構件35中,未面向開口部303的區域,與面向開口部303的區域相比,較難以與光阻接觸,另外,如上所述,因為光阻未均勻的浸入過濾構
件35,故如圖16所示,過濾構件35中存在未浸入光阻之處,亦即存在有氣泡40殘留之處。
在從該浸漬處理開始經過既定時間後,將閥V11、V12、V14關閉,停止對容器21供給N2氣體並同時關閉從容器21至過濾部3的路徑,以結束浸漬處理。與此同時進行,將閥V45關閉,以關閉從收集槽42至排液路徑的路徑。接著,如圖6所示,使閥V41、V43、V44、V46、V47開啟,以使從過濾部3的排放用接點313透過收集槽41、真空收集槽43至排氣路徑136的路徑,及從過濾部3之外部供給接點312透過收集槽42、真空收集槽43至排氣路徑136的路徑為開放的狀態。藉此,開始負壓脫氣處理,使得過濾部3之囊體32被吸引而減壓。
該囊體32內成為負壓氛圍,維持在例如-51kPa~-80kPa。此例中,維持在-80kPa(-80000Pa)。使用圖17,說明此時的過濾部3內部的態樣,光阻所含有之氣泡40的容積變大,則相對於該光阻的浮力變大。另外,藉由這種方式從接點312、313吸引光阻,使過濾部3內的光阻產生流動。除了藉由將吸引力作用至光阻而使其流動,亦可如後述之評價實驗中所示,藉由形成負壓氛圍,使囊體32的內部收縮而使得該光阻流動。藉由該光阻的流動,促進過濾構件35中的光阻的毛細現象,使得光阻往蓄積了一定程度之氣泡40的過濾構件35之流路浸透,同時使氣泡40從過濾構件35被抽出。因為這樣被抽出的氣泡40其浮力變大,故如圖18所示,往進行吸引之接點312、313的方式被收集。藉由這種方式從過濾構件35中去除氣泡40。
在該負壓脫氣處理時,從接點312、313所吸引的光阻,被收集槽41、42捕捉而加以儲存。從開始負壓脫氣處理經過既定時間之後,將閥V43、V46、V47關閉,使從收集槽41、42透過真空收集槽43至排氣路徑136的路徑關閉,結束負壓脫氣處理。於此路徑關閉的同時,進行將閥V42、V45開啟的大氣開放處理,如圖7所示,使從過濾部3透過收集槽41、42至大氣氛圍之排液路徑的路徑為開放狀態。藉此,過濾部3內之壓力以成為大氣壓的方式上升,如圖19所示,使得作用於從接點312、313抽出之氣泡40的壓力上昇,結果,該氣泡40,如圖20所示,溶解於光阻之中。在該氣泡40溶解的同時,收集槽41、42所捕捉的光阻,被往排液路徑排出。
之後,閥V41、V42、V44、V45關閉,從過濾部3透過收集槽41、42,使得至排液路徑的路徑為封閉狀態。接著,閥V12、V14、V15、V16開啟,使得從容器21透過液體終端槽23、過濾部3、收集槽24至排液路徑的路徑為開放狀態。更進一步閥V11開啟,藉由N2氣體將容器21加壓,開始光阻流通處理。光阻從圖8所示的光阻供給源2被供給至該路徑,在過濾部3內,該氣泡40已溶解的光阻,被往過濾部3的外部推壓,透過收集槽24從排液路徑被去除。藉此,可防止溶解的氣泡40再次發泡而成為粒子。
在光阻流通處理開始經過既定時間後,關閉閥V16,從過濾部3透過收集槽24至排液路徑的路徑呈現關閉狀態。與該路徑之關閉並行,閥V17、V18、V23開啟,從圖9所示之過濾部3透過收集槽24、泵25及收集槽26至噴嘴14的路徑呈現開放狀態,以使光阻從該噴嘴14排出的方式,繼續進行光阻流通處理。藉此,
過濾部3之上游側的粒子被過濾部3捕集,過濾部3之下游側的粒子,與光阻一起被排出,而從配管系統被去除。又,如此,在光阻流通時的適當時機,將閥V19、閥V23開閉,使光阻儲存於收集槽26。
在流通處理開始經過既定時間後,閥V11關閉,並在停止對容器21內供給N2氣的同時,將閥V18、V23關閉,以阻斷從泵25至噴嘴14的路徑,結束光阻的流通處理。之後進行光阻塗佈處理。首先,藉由圖中未顯示的搬送機構,將晶圓W保持於旋轉夾頭11,在繞著垂直軸旋轉的同時,進行圖10所示的泵25的吸引動作,以使過濾部3的2次側減壓。藉此,光阻從容器21流入過濾部3的2次側,使得光阻停留於於泵25。藉由該吸引動作,使該過濾部3內及該配管內之壓力為-1kPa~-50kPa,例如-1kPa(-1000Pa)。
該負壓脫氣處理時,因為係以將氣泡40從過濾構件35去除為目的,故使過濾部3內為較大的負壓氛圍。然而,若負壓氛圍過大,則溶解於光阻中之溶劑的成分析出,具有光阻性質改變的可能性。以防止在光阻塗佈處理時,這種變質的光阻被供給至晶圓W為目的,及防止該析出之成分成為粒子為目的,以使含有過濾部3之配管系統內的壓力,形成高於上述負壓脫氣處理時過濾部3內之壓力的壓力氛圍的方式,控制泵25的吸引量。又,即使在該負壓脫氣處理時,於過濾部3析出的光阻成分,亦會在之後去除過濾部3之光阻時,被過濾構件35所捕捉,並與溶解了氣泡的光阻一起從配管系統排出,故對於光阻塗佈處理並沒有影響。
閥V17關閉,泵25的吸引動作結束後,在閥V18開啟的同時,將空氣供給至泵25,在調整空間壓力(其用以控制前述隔膜形狀)之後,閥V23開啟,以進行將光阻從泵25吐出至噴嘴14的動作。接著,如圖11所示,從噴嘴14將光阻供給至晶圓W的中心部。該光阻藉由離心力,擴展至晶圓W的邊緣部,而塗佈於晶圓W的整個表面。吐出後,閥V18、V23關閉,結束光阻塗佈處理。又,實際上,光阻塗佈處理時的泵25的加壓係階段性地進行,此處省略其詳細敘述。
連續將複數片晶圓W搬送至光阻塗佈裝置1,並重複上述泵25之吸引、吐出動作,以將光阻塗佈於各晶圓W。又,在該反覆的塗佈處理中的適當時機,在從泵25經由過濾部3之排放用接點、收集槽41至排液路徑的路徑呈現開放狀態的同時,進行泵25的吐出動作,藉此進行過濾部3的排放(氣體排除)。與液體終端槽23、收集槽24、收集槽26連接的排液管的閥,亦在相同適當的時機呈現開啟狀態,以將從容器21或是泵25壓送而來的光阻予以排放。
根據該光阻塗佈裝置1,將光阻供給至過濾部3的囊體32內,在過濾構件35浸入光阻之後,以減壓部4吸引囊體32的內部,使其成為負壓氛圍(其壓力低於塗佈處理時的負壓氛圍之壓力),以將所含有的氣泡從過濾構件35的孔321抽出。之後,使過濾部3回到大氣壓力的氛圍,並使該氣泡溶解至光阻。藉由這樣進行處理,可快速的從過濾構件35去除氣泡,另外,可降低殘留在過濾部3中的氣泡。因此,在重新啟動光阻塗佈裝置1之情況及更換過濾部3之情況的任一情況中,可謀求光阻塗佈裝置1在「將過濾部3安裝於光阻塗佈裝置1並使過濾部3浸漬於光阻液之後,到對晶圓W進行處理之前」所需要之啟動時間的縮短。另外,亦
可抑制「到該光阻塗佈裝置1啟動之前」,通入過濾部3之光阻的量。作為該等結果,可謀求藉由光阻塗佈裝置1之處理效率的提升,亦可抑制該啟動所需要的成本。
接著就第2實施態樣參照圖21,以與第1實施態樣的差異點為中心進行說明。該第2實施態樣中,減壓部4的構成與第1實施態樣相異。圖21中係顯示該減壓部4及其周邊的構成,閥V14的上游側、閥V15的下游側,分別與第1實施態樣為相同的構成,故省略其敘述。該第2實施態樣中,分別設置泵51、52以代替收集槽41、42。該等泵51、52,透過排氣管132、134,與真空槽53連接。真空槽53,除了未設有液面量測計45以外,與第1實施態樣的真空收集槽43為相同構成,透過閥V47與排氣路徑136連接。
該泵51、52,例如,係藉由與泵25相同的隔膜泵所構成。另外,泵51、52上,分別連接有空氣供給管501、502。藉由從空氣供給管501、502供給空氣,以及從排氣管132、134排氣,可分別驅動泵51、52。圖中V51、V52,係分別插設於空氣供給管501、502上的閥。
在進行該負壓脫氣處理時,閥V47開啟,使從泵51、52透過真空槽53至排氣路徑136的路徑為開放狀態。此時,如圖21所示,閥V14、V15、V42、V45、V51、V52關閉,使得過濾部3及其上游側、過濾部3及其下游側至收集槽24的路徑、從泵51、52至排液路徑的路徑分別為阻斷的狀態。另外,閥V41、V44開啟,使從
過濾部3之排放用接點313、外部供給接點312至泵51、52的路徑呈現開放狀態。如此控制各閥之開閉,以使泵51、52進行吸引動作,藉此透過外部供給接點312、排放用接點313吸引過濾部3的內部,使過濾部3內形成與第1實施態樣相同的負壓氛圍。
在負壓脫氣處理結束時,閥V47、V41、V44關閉,以阻斷從過濾部3至泵51、52的路徑,及從真空槽53至排氣路徑136的路徑,結束泵51、52的吸引動作。接著,閥V42、V45開啟,使從過濾部3透過泵51、52至排液路徑的路徑呈現開放狀態,以進行前述的大氣開放處理。之後,如圖22所示,閥V41、V44關閉,在阻斷從過濾部3至泵51、52之路徑的同時,閥V51、V52開啟,泵51、52進行吐出動作。藉此殘留於泵51、52的光阻排出至排液路徑。第2實施態樣中,該負壓脫氣處理及大氣開放處理以外的各處理,與第1實施態樣中所進行的處理相同,故省略其詳細說明。該第2實施態樣中,亦可得到與第1實施態樣同樣的效果。
圖23所示的第3實施態樣中,其減壓部4的構成,與第2實施態樣有所差異。與第2實施態樣相同地設有泵51、52。該等泵51、52,未與排氣路徑136連接,而是藉由是否有來自空氣供給管501、502的空氣,切換吐出動作、吸引動作。為了進行這樣的動作,泵51、52可由例如具備注射器(syringe)或汽缸的泵所構成。各閥之開閉,係以與第2實施態樣相同的方式進行負壓脫氣處理,及其後的過濾部3內的大氣開放處理。另外,此例中,真空計47,係以測量與過濾部3及泵51連接之配管131的真空度的方式所構成。另外,亦可以例如電動泵代替藉由
空壓動作的泵,來構成泵51、52。該等第3實施態樣中,亦與第1實施態樣相同,可謀求光阻塗佈裝置1之啟動時間的快速化。
亦可未設有減壓部4,而是使用泵25進行負壓脫氣處理。圖24,係顯示這種第4實施態樣的光阻塗佈裝置5。若說明與第1實施態樣的差異點,除了未設有該減壓部4以外,可舉例如與過濾部3之排放用接點連接的配管131,透過閥V41與排液路徑連接。另外,該實施態樣中,過濾部3的二次側閥,相當於收集槽24之排液管112中所設置的閥V16。
使用圖24~圖27,說明光阻塗佈裝置5的動作。在將過濾部3安裝於光阻塗佈裝置5的各配管之後,與第1實施態樣相同地,從光阻供給源2經由過濾部3之排放用接點313,將光阻供給至排液路徑,更進一步,如圖24所示,以依序透過外部供給接點312、收集槽24、閥V16至排液路徑的方式供給光阻,進行過濾部3的浸漬處理。
之後,分別封閉從容器21至液體終端槽23的路徑、從液體終端槽23至過濾部3的路徑,在停止將光阻從容器21供給至下游側的同時,停止對容器21供給N2氣體。更進一步,關閉閥V16,使從收集槽24至排液路徑的路徑呈現封閉狀態,同時使閥V17開啟,以使從過濾部3透過收集槽24至泵25的路徑呈現開放狀態。接著,如圖25所示,進行泵25的吸引動作,以進行負壓脫氣處理。該負壓脫氣處理中,藉由控制泵25的吸引量,使過濾部3內維持在-51kPa~-80kPa,例如
-80kPa(-80000Pa)。藉此,如圖28所示,使氣泡40朝向過濾部3之外部供給接點312,並從過濾構件35被抽出。
之後,如圖26所示,閥V41、V16開啟,過濾部3之排放用接點313在排液路徑中開放的同時,過濾部3之外部供給接點312,透過收集槽24朝向排液路徑中開放,而使過濾部3內部成為大氣氛圍。藉此,與第1實施態樣相同地,使光阻溶解於氣泡40。另外,解除泵25的吸引狀態,而成為吐出狀態。
之後,與第1實施態樣相同地,使光阻從光阻供給源2依序流經過濾部3、泵25、收集槽26、噴嘴14而排出,以進行流通處理。又,亦與第1實施態樣相同地,將光阻填充至收集槽26。該光阻的排出持續既定時間之後,開始光阻塗佈處理,並如圖27所示,藉由泵25進行吸引。此處的吸引,係與第1實施態樣之光阻塗佈處理時相同地,以成為高於過濾部3在負壓脫氣處理時之壓力的方式進行控制。之後進行泵25的吐出動作,將吸引的光阻從噴嘴14供給至晶圓W。
這樣的光阻塗佈裝置5中,亦可得到與第1實施態樣相同的效果。此實施態樣中,因為泵25具有減壓部4的效果,故具有可使裝置構成簡單的優點。然而,使過濾部3如上所述地維持在較大的負壓氛圍,具有對泵25施加較大負載而使其劣化的情況,故從防止這種劣化的觀點來看,如第1實施態樣一般,設置用以進行負壓脫氣處理的專用減壓部4係為有效。
圖29所示的第5實施態樣的光阻塗佈裝置50,係第4實施態樣的變形例,其與第4實施態樣相同地,藉由泵25進行負壓脫氣處理。若敘述與第4實施態樣之差異點,可舉例如設有配管503、504,及插設於該等配管上的閥V53、V54。配管503,將收集槽24與配管103之閥V14的上游側連接。配管504,將泵25與收集槽24相互連接。又,為了圖示方便,來自泵25的光阻吐出路徑,雖顯示出延伸為該配管504與配管107的兩個配管,但實際上,配管504、配管107,係從泵25延伸出的配管之前端側分支的構成。
此實施態樣的流通處理中,包含為了抑制光阻的使用量而使用配管503、504,如下所述地,使光阻流通的步驟。開啟閥V11、V12、V14、V17,在進行容器21之加壓的同時,使從容器21經由過濾部3、收集槽24至泵25的路徑呈現開放狀態。接著,在進行泵25之吸引動作之後,關閉閥V12,在阻斷容器21與液體終端槽23的連接的同時,閥V54、V53、V13開啟,而使從泵25透過收集槽24至液體終端槽23的路徑開放。進行來自泵25的吐出動作,使光阻回到液體終端槽23側。過濾部3的浸漬處理、負壓脫氣處理、大氣開放處理及光阻塗佈處理與第4實施態樣中所進行的處理相同,故此處省略其說明。
雖就將本發明應用於光阻塗佈裝置的情況進行說明,但並不僅限於使用光阻作為處理液的情況。圖30係概略顯示供給顯影液的顯影液供給系統60及供給純水的純水供給系統61。顯影液供給系統60及純水供給系統61構成顯影裝置,其係將顯影液供給至晶圓W,更藉由將純水供給至晶圓W去除晶圓W上的該顯影
液。為了這樣地將顯影液及純水供給至晶圓W,顯影裝置中,與光阻塗佈裝置1相同地,設有杯體13及旋轉夾頭11。另外,雖設有控制各閥之開閉等動作的控制部10,但省略該等杯體13、旋轉夾頭11、控制部10的圖示。
圖中,62係顯影液的供給部,63係儲存從供給部所供給之顯影液的儲存槽,該等元件一起構成顯影液的供給源。儲存槽63,藉由來自N2氣體供給源64的N2氣供給,具有將顯影液在加壓的狀態下送至下游側的功能。圖中V61、V62,係分別控制將顯影液、N2氣供給至儲存槽63的閥。圖中,65係用以使來自槽63之流路分支的分支路形成部。圖式中,形成例如3個分支路徑。
分支路形成部65的下游,分別透過閥V63設有過濾部3,過濾部3的下游設有閥V64。過濾部3的排放用接點313,在過濾部3之下游側且閥V64之上游側,與第1實施態樣中所說明的減壓部4連接。關於閥V64的下游側之構成,圖中顯示3種型態。其一,係流量計67之下游側藉由分支路形成部68而形成分支的態樣,且各分支端透過閥V65與噴嘴66連接的例子。其二,係在過濾部3之下游側分支,各分支端依序透過流量計67、閥V65與噴嘴66連接的例子。其三,係不分支地依序透過流量計67,閥V65與噴嘴66連接的例子。以這種方式安裝過濾部3的配管系統可為任意之構成。
顯影液供給系統60中,與第1實施態樣相同地,進行濾材潤濕處理。然而,作為處理液,使用從供給部62透過儲存槽63供給至下游側的顯影液代替光阻。濾材潤濕處理後,在從噴嘴66將顯影液供給至晶圓W時,被加壓的顯影液從儲
存槽63被供給至下游側。亦即,此例中,在供給顯影液時,包含過濾部3內的從儲存槽63至噴嘴66的路徑成為正壓氛圍。亦即,如同上述的各實施態樣,在將處理液供給至晶圓W時,並不限於在過濾部3的下游側形成負壓氛圍。另外,該顯影液供給系統60中,亦可使用稀釋劑代替顯影液來作為處理液,以構成稀釋劑供給系統。該稀釋劑供給系統可應用於例如上述的光阻塗佈裝置1,在光阻塗佈前將稀釋劑供給至晶圓W,而提高光阻對於晶圓W的潤濕性。
純水供給系統61,具備從純水供給源69透過閥V61、閥V63、過濾部3、流量計67、閥V65至噴嘴66的配管系統。接著,與顯影液供給系統60相同,該配管系統與減壓部4連接,並與第1實施態樣相同地,進行濾材潤濕處理。該潤濕處理中,使用從純水供給源69所供給的純水,來代替光阻。純水供給源69,係藉由以例如工廠端的輸入而使該純水流動的流路所構成,以藉由從該純水供給源69流入該配管系統的該純水的水壓,使純水往噴嘴66側流通的方式,構成該配管系統。亦即,該純水供給系統61中,在對晶圓W供給純水時,從純水供給源69至噴嘴66的配管內亦成為正壓氛圍。
上述各實施態樣中,亦可反覆進行負壓脫氣處理與過濾部3的大氣開放處理。另外,上述範例中,過濾部3中,雖從外部供給接點312或外部供給接點312及排放用接點313進行吸引,但從哪個接點進行吸引,並非僅限於該等實施例。例如,亦可以從光阻導入接點311進行吸引的方式構成減壓部4。
接著,說明例如應用上述光阻塗佈裝置1的塗佈、顯影裝置7。圖31、圖32、
圖33,分別係塗佈、顯影裝置7的平面圖、立體圖,及概略縱剖面側視圖。該塗佈、顯影裝置7中,係以載體區塊D1、處理區塊D2、介面區塊D3連接成直線狀的方式所構成。介面區塊D3更與曝光裝置D4連接。以下說明中,區塊D1~D3的配置方向為前後方向。載體區塊D1,具有將包含多片作為基板之晶圓W的載體C搬出入裝置內的功能,其具備:載體C的載置台71;開閉部72;及搬運機構73,透過開閉部72,從載體C搬送晶圓W。
處理區塊D2,係以將對晶圓W進行液體處理之第1~第6的單元區塊B1~B6從下方開始依序堆疊的方式構成。為了說明上方便,具有分別將在晶圓W形成下層側之反射防止膜的處理表示為「BCT」,在晶圓W上形成光阻膜的處理表示為「COT」,在曝光後之晶圓W上形成光阻圖案的處理表示為「DEV」的情況。另外,以下的說明中,具有將單元區塊記為「層」的情況,以避免繁複的敘述。
此例中,由下往上堆疊各兩層的BCT層、COT層、DEV層,以COT層(B3、B4)為代表,參照圖31進行說明。從載體區塊D1面向介面區塊D3的搬送區域R的左右中的一側,配置有架座單元U。另一側前後並排地設有上述光阻塗佈裝置1與保護膜形成模組74,以作為液體處理模組。塗佈、顯影裝置7中,載至晶圓W之處稱為模組,相應於此,此處將光阻塗佈裝置1記為光阻塗佈模組1。
該搬送區域R中,設有搬送手臂A3,係作為用以搬送晶圓W的基板搬送機構。該搬送手臂A3係以可自由進退、升降並繞著垂直軸旋轉,且在搬送區域R的長度方向上自由移動的方式構成,可在單元區塊B3的各模組之間進行晶圓W
的傳遞。另外,該架座單元U,係以對晶圓W進行加熱處理的加熱模組76、及邊緣曝光模組77所構成。邊緣曝光模組77,對光阻塗佈後的晶圓W的邊緣部進行曝光。
其他的單元區塊B1、B2、B5及B6,在液體處理模組中,除了供給至晶圓W的藥液不同以外,與單元區塊B3、B4之構成相同。單元區塊B1、B2,具備反射防止膜形成模組作為液體處理模組,以代替光阻塗佈模組1、保護膜形成模組74;單元區塊B5、B6,具備顯影模組以作為液體處理模組。
處理區塊D2中的載體區塊D1側,設有塔T1,而對於該塔T1,設有作為傳遞機構的自由升降的傳遞手臂75,用以進行晶圓W的傳遞。塔T1,除了該傳遞模組以外,雖設有暫時保管多片晶圓W的緩衝模組、及使晶圓W表面疎水化的疎水化處理模組等,但為了使說明簡單化,將該等模組稱為傳遞模組TRS,其在傳遞手臂75與各單元區塊B1~B6的搬送手臂A1~A6之間傳遞晶圓W。另外,塔T1中,設有檢測晶圓W之表面粒子的檢査模組70。
介面區塊D3中,具備橫跨單元區塊B1~B6並在上下方向上延伸的塔T2、T3、T4,並設有:介面手臂79,係自由升降的傳遞機構,對塔T2與塔T3進行晶圓W的傳遞;介面手臂78,係自由升降的傳遞機構,對塔T2與塔T4進行晶圓W的傳遞;及介面手臂80,在塔T2與曝光裝置D4之間,進行晶圓W的傳遞。圖33所示的塔T2,係由傳遞模組TRS相互堆疊而成。又,省略關於塔T3、T4的說明。
以下就該塗佈、顯影裝置7及曝光裝置D4所構成之系統中,晶圓W概略的搬送路徑,進行簡單說明。晶圓W係以下述順序移動:載體C→搬運機構73→塔T1的傳遞模組TRS→傳遞手臂75→塔T1的傳遞模組TRS→單元區塊B1(B2)→單元區塊B3(B4)→介面區塊D3→曝光裝置D4→介面區塊D3→單元區塊B5(B6)→塔T1的傳遞模組TRS→搬運機構73→載體C。
茲就處理區塊D2內的晶圓W的移動進行更詳細加以說明。形成反射防止膜的單元區塊B1、B2、形成光阻膜的單元區塊B3、B4及進行顯影的單元區塊B5、B6,皆具有兩層。同一批內的複數晶圓W,被分送給該兩層的單元區塊,亦即交互地被搬送至單元區塊。例如,在單元區塊B1中傳遞晶圓W的情況下,在塔T1中的傳遞模組TRS之中,藉由傳遞手臂75,將晶圓W傳遞給與單元區塊B1對應的傳遞模組TRS1(可藉由搬送手臂A1進行晶圓W之傳遞的傳遞模組)。塔T1中的傳遞手臂75之接受晶圓W的來源模組,為藉由搬運機構73將晶圓W搬入之傳遞模組TRSO。
另外,若使對應單元區塊B2的傳遞模組為TRS2,則藉由傳遞手臂75,在傳遞模組TRS0與傳遞模組TRS2之間,進行晶圓W的傳遞。因此,同一批內的晶圓W,係藉由傳遞手臂75交互分送至傳遞模組TRS1、TRS2。
搬送手臂A1、A2接受該等傳遞模組TRS1、TRS2的晶圓W,並將其依序搬送至反射防止膜形成模組、加熱模組,以形成反射防止膜。已結束形成該反射防止膜的晶圓W,例如透過傳遞模組TRS1或TRS2,藉由傳遞手臂75,分送到與
單元區塊B3對應的傳遞模組TRS3,及與單元區塊B4對應的傳遞模組TRS4。搬送手臂A3、A4接受該等傳遞模組TRS3、TRS4的晶圓W,並依序搬送至光阻塗佈模組1、加熱模組76、邊緣曝光模組77,進行光阻膜的形成以及邊緣曝光。之後,晶圓W如上所述地,被搬送至塔T2,並在曝光裝置D4中曝光。
更進一步,另外,曝光結束的晶圓W,藉由介面區塊D3的介面手臂78、79、80,透過塔T2的傳遞模組TRS,交互地搬入單位區塊B5、B6。單元區塊B5、B6中,晶圓W藉由搬送手臂A5、A6,依照加熱模組→顯影模組→加熱模組的順序進行搬送之後,透過塔T1回到載體C。藉由例如前述的控制部10,對塗佈、顯影裝置7的各部發送控制信號,藉此控制晶圓W的搬送及模組的動作,以進行這樣的處理。另外,藉由控制部10,在後述的檢査處理中,控制各部位的動作。
接著,就使用該檢査模組70的檢査處理進行說明。第3單位區塊B3的光阻塗佈模組1中,如第1實施態樣中所說明,在依序進行負壓脫氣處理、大氣開放處理、光阻流通處理之後,以圖中未顯示的搬送機構,將收納有多片測試用晶圓W的載體C搬送至塗佈、顯影裝置7。從載體C,以搬運機構73→傳遞模組TRS3→搬送手臂A3→光阻塗佈模組1的順序搬送測試用晶圓W1,並對該測試用晶圓W1進行光阻塗佈處理。之後,測試用晶圓W1,依照搬送手臂A3→傳遞模組TRS3→傳遞手臂75→檢査模組70的順序搬送,在該檢査模組70中接受檢査,再藉由搬運機構73回到載體C。
檢査模組70的檢査結果被發送至控制部10,以計算光阻膜中的粒子數。只
要所計算的粒子數在基準值以下,則控制部10使塗佈、顯影裝置7為可使用的狀態。亦即,在將載體C搬送至該載置台71時,可如前述一般,從該載體C搬送晶圓W以進行處理。若計算出來的粒子數超過基準值,控制部10,例如以再次進行負壓脫氣處理、大氣開放處理及光阻通液體處理的方式,控制光阻塗佈模組1的動作。之後,從載體C將新測試用晶圓搬送至該光阻塗佈模組1。例如,在粒子數低於基準值之前,反覆進行上述負壓脫氣處理、光阻通液體處理、將光阻塗佈於測試用晶圓的處理。
在該粒子降至基準值以下之前,即使載體C被搬送至載置台71,亦暫停從該載體C送出用於製造製品的晶圓W。藉由這樣進行晶圓W的搬送控制及光阻塗佈模組1的動作控制,可更確實抑制粒子混入製品製造用的晶圓W。是否再次進行負壓脫氣處理、大氣開放處理及光阻通液體處理,亦可由裝置的操作者根據檢査模組70所檢測出來的粒子數來決定,以代替控制部10的決定。
另外,上述各例中,雖藉由大氣開放處理使氣泡溶解於光阻之後進行流通處理,以使該氣泡已溶解之光阻排出,但亦可不進行這種藉由流通處理的排液,而是將氣泡已溶解之狀態的光阻塗佈於晶圓W。然而,如前所述,為了避免再次產生氣泡,宜進行該流通處理。
另外,申請專利範圍中所稱的目標壓力氛圍,係為了以「在負壓脫氣處理後使氣泡溶解,而將過濾部3內的壓力上升以使氣泡溶解」為目標的既定壓力氛圍,其在上述各實施態樣中,相當於大氣氛圍。然而,該目標壓力氛圍並不限於大氣氛圍,可為任意的壓力氛圍。例如,於第1實施態樣中,進行過濾部3的
浸漬處理,之後使光阻在從噴嘴14至容器21的路徑中流通。之後進行負壓脫氣處理,使過濾部3內開放為大氣氛圍。此時過濾部3內的壓力上升,在達到大氣壓時,關閉已開放的閥,使過濾部3內維持在負壓氛圍。之後,進行泵25的吸引動作、吐出動作,將光阻供給至晶圓W。亦即,此情況下,該負壓氛圍為目標壓力氛圍。
(評價實驗1)
準備現有的前述的過濾部3,使其內部的壓力變化。接著,在這樣使壓力變化時,測定該容積相對於內部壓力為大氣壓時之容積的變化量。該實驗中,以形成大氣壓以上的方式,使該壓力變化。使該3個過濾部3為3A、3B、3C。圖34的圖表中,分別以實線、一點虛線、二點虛線表示過濾部3A、3B、3C的實驗結果。圖表的横軸,係大氣壓與所設定之壓力的差值(單位MPa),縱軸係容積變化量(單位mL)。
由圖表可得知,各過濾部3,隨著內部壓力變高,容積變大。從該實驗結果來看,吾人認為在壓力為大氣壓以下的情況中,如以點線的圖表所示,各過濾部3A~3C的容積有所變化。亦即,吾人認為,如上所述在負壓脫氣處理時,使過濾部3內為負壓時,過濾部3內的容積變化,藉此引起處理液在過濾構件35的周圍流動。亦即,吾人認為即使不從過濾部3的外部供給處理液,亦可在過濾部3內使處理液流動。吾人推論,藉由該處理液的流動,如第1實施態樣所說明地促進毛細現象,以促進處理液對於過濾構件35的浸透,以及從過濾構件35去除氣泡。
(評價實驗2)
接著,依照上述第1實施態樣,進行負壓脫氣處理、過濾部3的大氣開放處理、流通處理、對晶圓W的塗佈處理。然而,該評價實驗2中,使用稀釋劑作為處理液進行實驗,以代替光阻。該流通處理中,變更供給至下游側之稀釋劑的流量,以將稀釋劑供給至多片晶圓W。接著,對於各晶圓W,測定大小在32nm以上的粒子。將此作為評價實驗2-1。另外,作為評價實驗2-2,除了不進行負壓脫氣處理及之後的大氣開放處理以外,進行與評價實驗2-1相同的實驗。
圖35係顯示該等評價實驗2-1、2-2之結果的圖表。圖表的横軸表示在該稀釋劑之流通處理中所使用的稀釋劑的流量,縱軸係表示粒子的個數。如該圖表所示,評價實驗2-1中,藉由使用500mL左右以上的稀釋劑,可將粒子數抑制在10個以下。然而,評價實驗2-2中,稀釋劑的流量即使在500mL左右以上,亦檢測出100個以上的粒子。根據該評價實驗2之結果顯示,藉由使用本發明之方法,可快速從過濾構件35去除氣泡,並抑制其後的處理液流通步驟所需要的時間,而可謀求將裝置啟動所需要的時間縮短。
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧光阻塗佈裝置
10‧‧‧控制部
11‧‧‧旋轉夾頭
13‧‧‧杯體
14‧‧‧噴嘴
101~107、121、122、131、133‧‧‧配管
111~115‧‧‧排液管
132、134、135‧‧‧排氣管
136‧‧‧排氣路徑
2‧‧‧減壓供給源
21‧‧‧容器
22‧‧‧N2(氮)氣體供給部
23‧‧‧液體終端槽
24、26‧‧‧收集槽
25‧‧‧泵
3‧‧‧過濾部
4‧‧‧減壓部
41,42‧‧‧收集槽
43‧‧‧真空收集槽
44‧‧‧內部空間
45‧‧‧液面量測計
46‧‧‧排氣量調整部
47‧‧‧真空計
311‧‧‧光阻導入接點
312‧‧‧外部供給接點
313‧‧‧排放用接點
V11~V47‧‧‧閥
Claims (7)
- 一種濾材潤濕方法,包含下列步驟:處理液供給與充滿步驟,從處理液供給源供給處理液,並且使該處理液充滿於新過濾部內;其次為第1壓力氛圍形成步驟,為了從該過濾部去除氣泡,在關閉連接該處理液供給源與該過濾部之流路而不使該處理液從該處理液供給源流入該過濾部的狀態下,藉由用以使該過濾部內減壓的減壓部,使該過濾部內形成負壓氛圍亦即第1壓力氛圍;其後為升壓步驟,使該過濾部內從該第1壓力氛圍升壓,俾令該過濾部內成為目標壓力氛圍;其後為液體通入步驟,在使該過濾部的二次側成為高於該第1壓力氛圍的第2壓力氛圍的狀態下,將該處理液從該過濾部的一次側通入該過濾部。
- 如申請專利範圍第1項之濾材潤濕方法,其中,該第1壓力氛圍的壓力為-51kPa~-80kPa。
- 如申請專利範圍第1或2項之濾材潤濕方法,其中,使該過濾部內升壓至該目標壓力氛圍的該步驟,係使該過濾部內成為大氣氛圍的步驟。
- 一種濾材潤濕裝置,具有相互連接的處理液供給源與過濾部,並用以從該過濾部去除氣泡,該濾材潤濕裝置包含:一次側閥、二次側閥與排放閥,分別設於該過濾部的一次側、二次側及排放口;減壓部,用以使該過濾部內減壓;及控制部,用以控制該等閥及該減壓部;該控制部具備執行下述步驟的程式:處理液充滿步驟,從該一次側供給處理液,使該處理液充滿於該過濾部內;第1壓力氛圍形成步驟,在使包含該一次側閥、該二次側閥及該排放閥中之至少該一次側閥的閥成為關閉狀態,並使其他閥成為開啟狀態,而令連接該處理液供給源與該過濾部之流路關閉而不使該處理液從該處理液供給源流入該過濾部內的狀態下,藉由該減壓部使該過濾部內形成負壓氛圍亦即第1壓力氛圍;其後為升壓步驟,開啟該成為關閉狀態的閥,使該過濾部內從該第1壓力氛圍升壓,以使該過濾部內成為目標壓力氛圍;其後為液體通入步驟,在使該過濾部的該二次側成為高於該第1壓力氛圍的第2壓力氛圍的狀態下,將該處理液從該過濾部的該一次側通入該過濾部。
- 如申請專利範圍第4項之濾材潤濕裝置,其中,該第1壓力氛圍的壓力為-51kPa~-80kPa。
- 如申請專利範圍第4或5項之濾材潤濕裝置,其中,使該過濾部內升壓至目標壓力氛圍的步驟,係使該過濾部內成為大氣氛圍的步驟。
- 一種記憶媒體,儲存有用於濾材潤濕裝置的電腦程式,該濾材潤濕裝置具有相互連接的處理液供給源與過濾部並用以從該過濾部去除氣泡,其特徵為: 該電腦程式包含有用以實施申請專利範圍第1或2項之濾材潤濕方法的步驟群組。
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