TWI671127B - 處理液供給方法、可讀取之電腦記憶媒體及處理液供給裝置 - Google Patents
處理液供給方法、可讀取之電腦記憶媒體及處理液供給裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI671127B TWI671127B TW105109775A TW105109775A TWI671127B TW I671127 B TWI671127 B TW I671127B TW 105109775 A TW105109775 A TW 105109775A TW 105109775 A TW105109775 A TW 105109775A TW I671127 B TWI671127 B TW I671127B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- filter
- processing liquid
- container
- liquid
- diluent
- Prior art date
Links
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本發明之目的係自濾器去除微小氣泡,藉以抑制濾器之性能降低。 本發明係一種將作為處理液之稀釋劑供給至晶圓上的方法,包括:已脫氣處理液產生步驟,藉由脫氣機構將稀釋劑脫氣處理而產生已脫氣稀釋劑;處理液貯存步驟,將已脫氣稀釋劑貯存至泵P1的貯存室210內;液體通入濾器步驟,使「經由稀釋劑供給管200而與貯存室210的下游側連接之濾器201的更下游側」相較於泵P1的貯存室210內的壓力成為負壓,藉以將貯存室210內的已脫氣稀釋劑通入至濾器201;以及負壓維持步驟,於停止自泵P1的貯存室210往濾器201之稀釋劑之供給後,以既定時間維持使濾器201的下游側成為負壓之狀態。
Description
本發明係關於將處理液供給至基板上之處理液供給方法、可讀取之電腦記憶媒體及處理液供給裝置。
舉例而言,半導體元件的製造過程中之光刻步驟,例如依序進行以下處理等,將既定光阻圖案形成在半導體晶圓上(以下稱作「晶圓」):塗布處理,將既定處理液供給至作為基板的晶圓上而形成稱作反射防止膜或光阻膜之塗布膜;曝光處理,將光阻膜曝光成既定圖案;以及顯影處理,將已曝光之光阻膜顯影。
上述塗布處理之中,有時處理液中含有細微異物(微粒)。又,於微粒附著在將處理液加以供給之裝置的泵、閥、配管之類的途徑中之情形下,亦同樣
地有時微粒混入處理液中。因此,吾人將濾器配置在將處理液加以供給之裝置的途徑中,且藉由該濾器而進行微粒之去除(專利文獻1)。
然而,有時處理液內含有氣泡(氣體)。具體而言,處理液通過濾器之際,濾器成為阻力,處理液的壓力降低。藉此,處理液中產生氣泡,且該氣泡游離於濾器內。其結果,氣泡混入濾器而濾器的有效面積會變小,且濾器的性能降低。於是,專利文獻1亦揭露:藉由氣體排除管而將濾器內所積聚之氣泡排出至濾器外。
[專利文獻1]日本特開平成7-326570號公報
但是,雖能藉由氣體排除管而將濾器內較大的氣泡排出至濾器外,但不易將微小氣泡(Micro Bubble)排出至濾器外。
本發明係鑒於此點而成者,其目的係自濾器去除微小氣泡,藉以抑制濾器之性能降低。
為了達成前述目的,本發明係一種將處理液供給至基板上的方法,其特徵為包括:已脫氣處理液產生步驟,藉由脫氣機構將前述處理液施以脫氣處理而產生已脫氣處理液;處理液貯存步驟,將前述已脫氣處理液貯存至容器內;液體通入濾器步驟,將經由處理液供給管而與前述容器的下游側連接之濾器之更下游側定為與前述容器內的壓力相較係負壓,藉以將前述容器內的前述已脫氣處理液通入前述濾器;以及負壓維持步驟,於停止自前述容器往前述濾器之前述處理液之供給後,以既定時間維持使前述濾器下游側成為負壓之狀態。
本案發明人得到以下見解:於將處理液通入濾器之際,使濾器內成為負壓,藉以促進來自處理液之氣泡的分離,氣泡變得容易排出。本發明係基於此見解,而於液體通入濾器步驟之中,將濾器下游側定為與容器內的壓力相較係負壓,藉以將容器內的處理液通入濾器,因此能促進濾器內之氣泡的分離及體積膨脹。而且,因為對濾器通入已脫氣處理液,所以已分離及體積膨脹之氣泡溶入此已脫氣處理液,氣泡自濾器去除。又,以既定時間維持濾器的下游側成為負壓之狀態,藉以進一步進行氣泡之去除。因此,依據本發明,能自濾器去除微小氣泡,藉以抑制濾器之性能降低。
亦可反複進行前述液體通入濾器步驟與前述負壓維持步驟。
另一態樣所成之處理液供給方法,係一種將處理液供給至基板上的方法,其特徵為包括:已脫氣處理液產生步驟,藉由脫氣機構將前述處理液施以脫氣
處理而產生已脫氣處理液;處理液貯存步驟,將前述已脫氣處理液貯存至容器內;液體通入濾器步驟,將經由處理液供給管而與前述容器的下游側連接之濾器之更下游側定為與前述容器內的壓力相較係負壓,藉以將前述容器內的前述已脫氣處理液通入至前述濾器;以及雙向脫氣步驟,由前述濾器的上游側與下游側減壓而將處理液脫氣。
於此場合,亦可反複進行液體通入濾器步驟與雙向脫氣步驟。
亦可更具有:處理液排出步驟,於前述已脫氣處理液產生步驟之前,將前述容器內所貯存之處理液排出至前述容器外。
前述液體通入濾器步驟之中,亦可使與前述處理液供給管中之前述濾器的下游側連接之容積可變之貯存室的容積增大,藉以使前述濾器的下游側成為負壓。
亦可使前述容器具有容積可變之其他貯存室,且前述液體通入濾器步驟之中,伴隨自前述容器朝向前述濾器之前述已脫氣處理液的移動,而使前述其他貯存室的容積減小。
又,另一態樣所成之本發明,提供一種可讀取之電腦記憶媒體,其儲存有程式,此程式係在將處理液供給裝置加以控制之控制部的電腦上動作,用以藉由前述處理液供給裝置而執行前述處理液供給方法。
再者,另一態樣所成之本發明,係一種處理液供給裝置,自處理液供給源經由處理液供給管而將處理液供給至對基板供給處理液之供給噴嘴,其特徵為包括:容器,暫時貯存由前述處理液供給源供給之處理液,且設在前述處理液供給管中之前述供給噴嘴的上游側;脫氣機構,設在前述處理液供給管中之前述處理液供給源與前述容器之間,將前述處理液施以脫氣處理而產生已脫氣處理液;濾器,設在前述處理液供給管中之前述容器與前述供給噴嘴之間;容積可變之貯存室,連接於自前述處理液供給管中之前述濾器與前述供給噴嘴之間分歧之分歧管;以及控制部,調整前述貯存室的容積,用以使前述貯存室的容積擴大,而將前述處理液供給管中之前述濾器的下游側定為與前述容器內的壓力相較為負壓,藉以將前述容器內的前述已脫氣處理液供給至前述濾器,且於停止自前述容器往前述濾器之前述處理液之供給後,以既定時間維持使前述濾器的下游側成為負壓的狀態。
亦可使前述容器具有容積可變之其他貯存室,且前述控制部控制為:使前述貯存室的容積擴大,而於將前述容器內的前述已脫氣處理液供給至前述濾器之際,伴隨自前述容器朝向前述濾器之前述已脫氣處理液的移動,使前述其他貯存室的容積縮小。
再者,依據另一態樣,處理液供給裝置自處理液供給源經由處理液供給管而將處理液供給至對基板供給處理液之供給噴嘴,其特徵為包括:容器,暫時貯存由前述處理液供給源供給之處理液,且設在前述處理液供給管中之前述供
給噴嘴的上游側;脫氣機構,設在前述處理液供給管中之前述處理液供給源與前述容器之間,將前述處理液施以脫氣處理而產生已脫氣處理液;濾器,設在前述處理液供給管中之前述容器與前述供給噴嘴之間;容積可變之二個貯存室,連接於自前述處理液供給管中之前述濾器與前述供給噴嘴之間分歧之分歧管;以及控制部,調整前述二個貯存室的容積,用以使前述二個貯存室中之一個貯存室的容積擴大,而將前述處理液供給管中之前述濾器的下游側定為與前述容器內的壓力相較戲負壓,藉以將前述容器內的前述已脫氣處理液供給至前述濾器,且於停止自前述容器往前述濾器之前述處理液的供給後,由前述濾器的上游側與下游側減壓而將處理液脫氣。
前述容器亦可連接有:排出管,排出該容器內所貯存之處理液或已脫氣處理液。
依據本發明,能自濾器去除微小氣泡,藉以抑制濾器之性能降低。
1‧‧‧基板處理系統
10‧‧‧匣盒站
11‧‧‧處理站
12‧‧‧曝光裝置
13‧‧‧介面站
20‧‧‧匣盒載置台
21‧‧‧匣盒載置板
22‧‧‧搬運道
23‧‧‧晶圓搬運裝置
30‧‧‧顯影處理裝置
31‧‧‧下部反射防止膜形成裝置
32‧‧‧光阻塗布裝置
33‧‧‧上部反射防止膜形成裝置
40‧‧‧熱處理裝置
41‧‧‧接著裝置
42‧‧‧周邊曝光裝置
50~56‧‧‧傳遞裝置
60~62‧‧‧傳遞裝置
70‧‧‧晶圓搬運裝置
80‧‧‧穿梭搬運裝置
110‧‧‧晶圓搬運裝置
111‧‧‧傳遞裝置
130‧‧‧處理容器
140‧‧‧旋轉夾盤
141‧‧‧夾盤驅動部
142‧‧‧杯體
143‧‧‧排出管
144‧‧‧排氣管
150‧‧‧光阻液供給噴嘴
151‧‧‧稀釋劑供給噴嘴
152、153‧‧‧臂部
160、161‧‧‧待機部
170‧‧‧光阻液供給裝置
171‧‧‧稀釋劑供給裝置
200‧‧‧釋劑供給管
201‧‧‧濾器
210‧‧‧貯存室
211‧‧‧壓力室
220、221‧‧‧切換閥
222‧‧‧供氣排氣管
223‧‧‧供氣管
224‧‧‧排氣管
225‧‧‧空氣***器
226‧‧‧驅動空氣源
227‧‧‧驅動空氣管
228a、228b‧‧‧調節器
229a、229b‧‧‧切換閥
230、231‧‧‧切換閥
232‧‧‧氣體供給管
233、234‧‧‧調節器
235‧‧‧氣體供給源
240~243‧‧‧切換閥
250‧‧‧流量測定機構
251‧‧‧循環配管
252、253‧‧‧切換閥
260‧‧‧供給切換閥
261‧‧‧循環切換閥
262‧‧‧補充配管
263‧‧‧稀釋劑供給源
264‧‧‧補充閥
265‧‧‧排液管
266、267‧‧‧排液閥
268‧‧‧止回閥
300‧‧‧箱體
300a‧‧‧側壁
300b‧‧‧底板
301‧‧‧蓋體
302‧‧‧支持板
303‧‧‧風箱構造
304‧‧‧活塞板
310‧‧‧排出口
311‧‧‧脫氣噴嘴
312‧‧‧排液口
313‧‧‧連接口
314‧‧‧排出管
315‧‧‧排出閥
320‧‧‧磁鐵
321、322‧‧‧感測器
330‧‧‧箱體
330a‧‧‧導入口
330b‧‧‧排出口
330c‧‧‧排液口
331‧‧‧濾器元件
332‧‧‧濾器收容構件
332a‧‧‧貫穿孔
333‧‧‧固持構件
334‧‧‧流通道
340‧‧‧通氣管
341‧‧‧通氣閥
500‧‧‧控制部
P1、P2‧‧‧泵
C‧‧‧匣盒
D‧‧‧晶圓搬運區域
G1~G4‧‧‧第一~第四模塊
W‧‧‧晶圓
圖1係顯示本實施形態之基板處理系統的構成的概略之俯視圖。
圖2係顯示本實施形態之基板處理系統的構成的概略之前視圖。
圖3係顯示本實施形態之基板處理系統的構成的概略之後視圖。
圖4係顯示光阻塗布裝置的構成的概略之縱剖面圖。
圖5係顯示稀釋劑供給裝置的構成的概略之配管系統圖。
圖6係顯示泵的構成的概略的縱剖面之說明圖。
圖7係顯示泵的構成的概略的縱剖面之說明圖。
圖8係顯示濾器的構成的概略的縱剖面之說明圖。
圖9顯示用於說明稀釋劑供給裝置的構成的概略之配管系統、且係已實施已脫氣處理液產生步驟與處理液貯存步驟之狀態的說明圖。
圖10顯示用於說明稀釋劑供給裝置的構成的概略之配管系統、且係已實施處理液排出步驟之狀態的說明圖。
圖11顯示用於說明稀釋劑供給裝置的構成的概略之配管系統、且係將自稀釋劑分離之氣體由通氣管排出之狀態之說明圖。
圖12顯示用於說明稀釋劑供給裝置的構成的概略之配管系統、且係由排液管排出稀釋劑之狀態之說明圖。
圖13顯示用於說明稀釋劑供給裝置的構成的概略之配管系統、且係實施液體通入濾器步驟之狀態之說明圖。
圖14顯示用於說明稀釋劑供給裝置的構成的概略之配管系統、且係將稀釋劑供給至晶圓上之狀態說明圖。
圖15顯示用於說明稀釋劑供給裝置的構成的概略之配管系統、且係已實施雙向脫氣步驟之狀態之說明圖。
圖16顯示僅實施負壓維持步驟之情形下、及於負壓維持步驟之後實施雙向脫氣步驟之情形下之濾器的上下游側的配管內的各壓力之時間經過變化之圖表。
圖17顯示用於說明稀釋劑供給裝置的構成的概略之配管系統、且係顯示由泵將氣泡、稀釋劑排出至系統外之狀態之說明圖。
以下說明本發明實施形態。圖1係將具備本實施形態之處理液供給裝置之基板處理系統1的構成之概略加以顯示的說明圖。圖2及圖3分別係將基板處理系統1的內部構成之概略加以示意性顯示的前視圖與後視圖。此外,本說明書及圖式對實質上具有相同功能性構成之元件標註同一符號,藉以省略重複說明。
基板處理系統1如圖1所示,具有將下者一體連接之構成:匣盒站10,將收容有複數片晶圓W之匣盒C搬入搬出;處理站11,具備對晶圓W施行既定處理之複數的各種處理裝置;以及介面站13,在與處理站11鄰接的曝光裝置12之間進行晶圓W的傳遞。
匣盒站10設有匣盒載置台20。匣盒載置台20複數地設有:匣盒載置板21,於對著基板處理系統1的外部而將匣盒C搬入搬出之際載置匣盒C。
匣盒站10如圖1所示,設有在沿X方向延伸之搬運道22上自由移動的晶圓搬運裝置23。晶圓搬運裝置23亦沿上下方向及繞鉛直軸(θ方向)自由移動,且能
在各匣盒載置板21上的匣盒C與後述之處理站11的第三模塊G3的傳遞裝置之間搬運晶圓W。
處理站11設有具備各種裝置之複數模塊,例如四個模塊G1、G2、G3、G4。舉例而言,處理站11的正面側(圖1的X方向負向側)設有第一模塊G1,處理站11的背面側(圖1的X方向正向側)設有第二模塊G2。此外,處理站11的匣盒站10側(圖1的Y方向負向側)設有第三模塊G3,處理站11的介面站13側(圖1的Y方向正向側)設有第四模塊G4。
舉例而言,第一模塊G1如圖2所示,自下方而依以下順序配置有複數液體處理裝置,例如:顯影處理裝置30,將晶圓W顯影處理;下部反射防止膜形成裝置31,將反射防止膜(以下稱作「下部反射防止膜」)形成在晶圓W的光阻膜的下層;光阻塗布裝置32,將光阻液塗布在晶圓W而形成光阻膜;以及上部反射防止膜形成裝置33,將反射防止膜(以下稱作「上部反射防止膜」)形成在晶圓W的光阻膜的上層。
舉例而言,顯影處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗布裝置32、上部反射防止膜形成裝置33分別沿水平方向排列三個而配置。另外,此等顯影處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗布裝置32、上部反射防止膜形成裝置33的數量或配置可任意選擇。
此等顯影處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗布裝置32、上部反射防止膜形成裝置33之類的液體處理裝置例如進行:旋轉塗布(spin coating),將既定處理液塗布在晶圓W上。旋轉塗布例如由塗布噴嘴將處理液噴吐在晶圓W上,並一併使晶圓W旋轉而使處理液擴散在晶圓W的表面。另外,此等液體處理裝置的構成將後述。
舉例而言,第二模塊G2如圖3所示,沿上下方向與水平方向排列設有:熱處理裝置40,進行晶圓W之加熱或冷卻之類的熱處理;接著(Adhesion)裝置41,用於提昇光阻液與晶圓W之固定性;以及周邊曝光裝置42,將晶圓W的外周部曝光。此等熱處理裝置40、接著裝置41、周邊曝光裝置42的數量或配置亦可任意選擇。
舉例而言,第三模塊G3自下方依序設有複數傳遞裝置50、51、52、53、54、55、56。此外,第四模塊G4自下方依序設有複數傳遞裝置60、61、62。
如圖1所示,第一模塊G1~第四模塊G4所圍繞的區域形成有晶圓搬運區域D。晶圓搬運區域D配置有:複數晶圓搬運裝置70,例如具有沿Y方向、X方向、θ方向、及上下方向自由移動的搬運臂。晶圓搬運裝置70移動在晶圓搬運區域D內,能將晶圓W搬運至周圍的第一模塊G1、第二模塊G2、第三模塊G3、及第四模塊G4內的既定裝置。
此外,晶圓搬運區域D設有在第三模塊G3與第四模塊G4之間直線搬運晶圓W之穿梭(shuttle)搬運裝置80。
穿梭搬運裝置80例如係沿圖3的Y方向直線自由移動。穿梭搬運裝置80能於支持晶圓W之狀態下沿Y方向移動,並在第三模塊G3的傳遞裝置52與第四模塊G4的傳遞裝置62之間搬運晶圓W。
如圖1所示,第三模塊G3的X方向正向側的旁鄰設有晶圓搬運裝置100。晶圓搬運裝置100例如具有沿X方向、θ方向、及上下方向自由移動的搬運臂。晶圓搬運裝置100能於支持晶圓W的狀態下沿上下移動,並將晶圓W搬運至第三模塊G3內的各傳遞裝置。
介面站13設有晶圓搬運裝置110與傳遞裝置111。晶圓搬運裝置110例如具有沿Y方向、θ方向及上下方向自由移動的搬運臂。晶圓搬運裝置110例如能將晶圓W支持在搬運臂,而在第四模塊G4內的各傳遞裝置、傳遞裝置111及曝光裝置12之間搬運晶圓W。
其次,說明上述液體處理裝置的構成。此外,本實施形態之中,就液體處理裝置的一例而言,說明光阻塗布裝置32的構成。光阻塗布裝置32如圖4所示,具有能密封內部的處理容器130。處理容器130的側面形成有晶圓W的搬入搬出口(未圖示)。
處理容器130內設有:旋轉夾盤140,作為將晶圓W固持而使其旋轉的基板固持部。旋轉夾盤140能藉由例如馬達等夾盤驅動部141而旋轉至既定速度。此外,夾盤驅動部141例如設有汽缸等昇降驅動機構,且旋轉夾盤140係自由昇降。
旋轉夾盤140的周圍設有將自晶圓W飛散或落下的液體加以接收、回收的杯體142。杯體142的下底面連接有:排出管143,將回收的液體加以排出;以及排氣管144,將杯體142內的環境氣體加以排氣。
又,處理容器130內設有:光阻液供給噴嘴150,供給光阻液;以及稀釋劑供給噴嘴151,供給作為處理液的稀釋劑。光阻液供給噴嘴150及稀釋劑供給噴嘴151分別由臂部152及臂部153支持。各臂部152、153藉由未圖示的驅動機構而沿著圖4的Y方向自由移動。藉此,光阻液供給噴嘴150自由移動在設於杯體142的外方之待機部160與晶圓W的上方之間。同樣地,稀釋劑供給噴嘴151亦自由移動在設於杯體142的外方之待機部161與晶圓W的上方之間。
各臂部152、153藉由驅動機構(未圖示)而自由昇降,且能調整光阻液供給噴嘴150及稀釋劑供給噴嘴151的高度。
光阻液供給噴嘴150連接有:光阻液供給裝置170,將光阻液供給至該光阻液供給噴嘴150。又,稀釋劑供給噴嘴151連接有:作為處理液供給裝置的稀釋劑供給裝置171,將稀釋劑供給至該稀釋劑供給噴嘴151。
其次,說明此稀釋劑供給裝置171的構成。圖5係顯示稀釋劑供給裝置171的構成之概略之配管系統圖。
稀釋劑供給裝置171具有:泵P1、P2,經由作為處理液供給管之稀釋劑供給管200,而將作為處理液之稀釋劑供給至稀釋劑供給噴嘴151;以及濾器201,設在稀釋劑供給管200中之泵P1、P2的下游側兼稀釋劑供給噴嘴151的上游側,亦即設在泵P1、P2與稀釋劑供給噴嘴151之間,將混入稀釋劑中的異物或氣泡去除。此外,以下有時將稀釋劑供給管200的泵P1、P2側稱作上游側、將稀釋劑供給噴嘴151側稱作下游側。
泵P1、P2對稀釋劑供給噴嘴151壓送稀釋劑,並亦作為將由後述稀釋劑供給源263供給之稀釋劑加以暫時貯存之容器而發揮功能,且包括:容積可變之貯存室210;以及壓力室211,鄰接於貯存室210,且於其內部例如將氮氣等加以供氣排氣,藉以使貯存室210的容積變化。此外,於後描述此泵P1、P2、及濾器201的構成之詳細。
稀釋劑供給管200在濾器201的上游側分歧,而連接至各泵P1、P2的貯存室210。稀釋劑供給管200的分歧點的上游側設有切換閥220、221。能利用開閉此切換閥220、221,而操作稀釋劑供給管200與貯存室210之連接狀態。
各泵P1、P2的壓力室211分別連接有供氣排氣管222。供氣排氣管222分別連接有:供氣管223,例如將氮作為加壓用氣體而供給至壓力室211;以及排氣管224,將壓力室211內加以排氣。
各泵P1、P2的壓力室211所連接之供氣排氣管222,例如其與壓力室211側為相反側之端部匯合,且一排氣管224連接至此匯合之供氣排氣管222。排氣管224之與供氣排氣管222側為相反側的端部連接有空氣***器225。空氣***器225經由驅動空氣管227而連接有驅動該空氣***器225之驅動空氣源226。
驅動空氣管227排列設有:調節器228a、228b,將流在該驅動空氣管227之驅動空氣的流量加以調節。各調節器228a、228b的下游側設有切換閥229a、229b。調節器228a、228b分別定設為不同流量,且能利用將切換閥229a、229b加以開閉操作,而將供給至空氣***器225之驅動空氣的流量加以調整。藉此,能調整以空氣***器225產生的真空壓。又,分別在相較於供氣排氣管222中之與排氣管224的匯合點更靠泵P1側設有切換閥230、更靠泵P2側設有切換閥231,且能利用將此切換閥230、231加以開閉操作,而選擇是否將泵P1或泵P2中之任一壓力室211加以排氣。
供氣管223分別在供氣排氣管222中之切換閥230與泵P1之間、切換閥231與P2之間,各連接有兩處。亦即,本實施形態如圖5所示,合計設有四支供氣管223。而且切換閥230與泵P1之間所連接的供氣管223、切換閥231與泵P2之間所連接的
供氣管223,其等與供氣排氣管222側為相反側之端部分別匯合,且供給加壓用氣體之氣體供給管232分別連接至此匯合之各供氣管223。
各氣體供給管232分別設有:調節器233、234,調整流在該氣體供給管232之加壓用氣體的流量。各調節器233、234分別設定為不同流量。各氣體供給管232在較調節器233、234更靠上游側匯合,且匯合後的氣體供給管232連接有對著該氣體供給管232而供給加壓用氣體之氣體供給源235。又,在相較於各供氣管223中之與氣體供給管232之連接點更靠供氣排氣管222側分別設有切換閥240、241、242、243。因此,能藉由操作各切換閥240、241、242、243,而將經由供氣管223而供給至各供氣排氣管222之加壓用氣體的流量加以調整。
稀釋劑供給管200中之濾器201與稀釋劑供給噴嘴151之間,設有:流量測定機構250,將通過濾器201之稀釋劑的流量加以測定。自流量測定機構250與稀釋劑供給噴嘴151之間分歧設有循環配管251。循環配管251之與稀釋劑供給管200側為相反側的端部分歧而分別連接於泵P1的貯存室210及泵P2的貯存室210。分別在相較於循環配管251的分歧點更靠泵P1側設有切換閥252、更靠泵P2側設有切換閥253。又,分別在稀釋劑供給管200中之與循環配管251之分歧點的下游側設有供給切換閥260、循環配管251中之與稀釋劑供給管200之分歧點的下游側兼切換閥252、253的上游側設有循環切換閥261。因此,當於將供給切換閥260定為閉狀態、將循環切換閥261定為開狀態,且進一步例如將泵P1側的切換閥252定為閉狀態、將泵P2側切換閥253定為開狀態並由泵P1噴吐稀釋劑,則能使該稀釋劑循環在泵P2的貯存室210。
又,循環配管251中之循環切換閥261與切換閥252、253之間連接有補充配管262。補充配管262中之與循環配管251相反側的端部連接有對著各泵P1、P2供給稀釋劑之稀釋劑供給源263。因此,能自稀釋劑供給源263經由補充配管262及循環配管251而將稀釋劑供給至各泵P1、P2。補充配管262設有:補充閥264,控制來自稀釋劑供給源263之稀釋劑之供給。
舉例而言,自循環配管251與補充配管262之匯合點與循環切換閥261之間分歧設有:排液管265,將該循環配管251內的稀釋劑排出至系統外。排液管265設有排液閥266。又,在相較於排液管265與循環配管251之匯合點更靠泵P1、P2側設有排液切換閥267。因此,能將排液切換閥267定為閉狀態、排液閥266定為開狀態,藉以將循環配管251內的稀釋劑排出至系統外。又,循環配管251與排液管265之分歧點與循環切換閥261之間設有:止回閥268,用以防止稀釋劑之逆流。
其次說明泵P1、P2的構成。此外,泵P1、P2的構成於本實施形態係同一,因此以下說明泵P1,省略說明泵P2。
泵P1如圖6所示,包括:略圓筒狀的箱體300,有底而頂部開口;蓋體301,配置在箱體300的上端部;風箱構造(bellows)303,配置在箱體300內,且隔著支持板302而與蓋體301的下底面氣密銜接;以及活塞板304,氣密連接在風箱構造303的下端部。
風箱構造303係配置為沿著箱體300的高度方向而伸縮。活塞板304具抵接於箱體300的側壁300a的內側面之略圓盤形狀,且與蓋體301及箱體300的底板300b平行配置。又,活塞板304於保持與側壁300a的內側面之間氣密之狀態下,沿著側壁300a的延伸方向(圖6的上下方向)而自由滑動。藉由此蓋體301、風箱構造303、及活塞板304所圍繞之空間形成貯存室210。同樣地,藉由活塞板304、側壁300a、及底板300b所圍繞之空間形成壓力室211。
在蓋體301,貫穿該蓋體301而形成有排出口310、作為脫氣機構之脫氣噴嘴311、排液口312。排出口310連接有稀釋劑供給管200,脫氣噴嘴311連接有循環配管251。在箱體300的底板300b,貫穿該底板300b而形成有連接口313。連接口313連接有供氣排氣管222。因此,自氣體供給源235經由供氣排氣管222而對著壓力室211供給加壓用氣體,藉以例如圖7所示,將壓力室211內加壓,而能將活塞板304往蓋體301的方向推昇。藉此,貯存室210的容積減小,能自排出口310壓送貯存室210內的流體,本實施形態之中即為稀釋劑。相反地,藉由空氣***器225而經由供氣排氣管222將壓力室211內排氣,而能將活塞板304往底板300b的方向拉入。藉此,能使貯存室210的容積增大,換言之,能使貯存室210內成為負壓,而經由脫氣噴嘴311將稀釋劑拉入貯存室210。
又,蓋體301的排液口312連接有:排出管314,將貯存室210內的稀釋劑排出至系統外。排出管314如圖5所示,設有排出閥315。因此,能例如將切換閥220及切換閥252定為閉狀態、且將排出閥315定為開狀態而將壓力室211內加壓,藉以將貯存室210內的稀釋劑排出至系統外。
脫氣噴嘴311構成為貯存室210側的流道面積小於循環配管251側的流道面積。因此,當例如自稀釋劑供給源263供給稀釋劑、且稀釋劑自脫氣噴嘴311的循環配管251側朝貯存室210側而流動,則該稀釋劑的流速朝貯存室210側增大。藉此,在脫氣噴嘴311內稀釋劑的靜壓降低,溶解而存於稀釋劑之氣體脫氣。藉此,貯存室210內導入:已由脫氣噴嘴311脫氣處理之處理液即已脫氣稀釋劑;以及自該已脫氣稀釋劑分離之氣體。此外,脫氣噴嘴311的配置不限定於本實施形態的內容,若能將已脫氣處理之稀釋劑供給至貯存室210內,亦可不設有蓋體301。具體而言,例如亦可另外獨立設置在與循環配管251中之補充配管262之匯合點更靠泵P1側。
活塞板304的外周部內建有磁鐵320。又,箱體300的側壁300a的外方,以與磁鐵320相向的方式,自圖6之上至下方向地依此順序設有檢測磁鐵320的磁場之感測器321、322。感測器321設在例如與風箱構造303縮至極限之際之活塞板304的位置(上死點)對應之高度。因此,能藉由感測器321偵測出已無法從泵P1噴吐稀釋劑。換言之,能偵測泵P1內(貯存室210)已成空。感測器322設在大致與活塞板304的下死點對應之高度,能偵測貯存室210內的容積大致已增大至最大。換言之,能偵測泵P1內(貯存室210)已填充稀釋劑。
其次,說明濾器201的構成。濾器201如圖8所示,包括:略圓筒狀的箱體330,有底且頂部開口;濾器元件331,設在箱體330內,將異物或氣泡加以過濾、補捉;濾器收容構件332,收容濾器元件331;以及固持構件333,固持濾器收容構
件332。箱體330的頂部形成有:導入口330a,將自泵P1、P2供給之稀釋劑導入箱體330的內部;排出口330b,將由濾器元件331過濾之稀釋劑排出至箱體330的外部;以及排液口330c,將未以濾器元件331過濾過之稀釋劑直接排出至箱體330的外部。
濾器元件331具略圓筒狀,且例如由尼龍或聚乙烯等構成。濾器收容構件332構成為覆蓋濾器元件331的內側面及外面。濾器收容構件332中之與濾器元件331的內側面及外側面對應之處形成有複數貫穿孔332a。
固持構件333構成為:於固持濾器收容構件332之狀態下,濾器收容構件332的貫穿孔332a的至少一部分不封閉。又,固持構件333配置在濾器元件331係與箱體330大致同軸之位置。
又,固持構件333的外面或濾器收容構件332與箱體330之間形成有既定間隙,作為使自導入口330a導入之稀釋劑流通的流通道334而發揮功能。
導入口330a及排出口330b連接有稀釋劑供給管200,而且,自導入口330a導入並通過濾器元件331之稀釋劑從排出口330b排出。又,排液口330c如圖5所示,連接有通氣管340,能例如將供給切換閥260與循環切換閥261定為閉狀態,並從泵P1或泵P2壓送稀釋劑,藉以將箱體330內的稀釋劑或氣體由排液口330c排出至通氣管340。通氣管340設有通氣閥341。
此外,其他液體處理裝置即顯影處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、上部反射防止膜形成裝置33之構成,係噴嘴形狀、數量、自噴嘴供給之液不同,此外與上述光阻塗布裝置32的構成同樣,因此省略說明。
以上基板處理系統1如圖1所示,設有控制部500。控制部500例如係電腦,且具有程式儲存部(未圖示)。程式儲存部儲存有將基板處理系統1中之晶圓W的處理加以控制之程式。又,程式儲存部亦儲存有用於將上述各種處理裝置或搬送裝置等的驅動系統的動作加以控制而實現基板處理系統1中之後述基板處理之程式。此外,前述程式例如亦可係記錄於電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等可在電腦讀取之記憶媒體H、且由此記憶媒體安裝至控制部500。
此外,於無特別說明之情形下,設在稀釋劑供給裝置171的各閥係使用電磁閥或氣動閥之類可藉由遙距控制而自動開閉者。而且,此等各閥或感測器321、322等全部電性連接至控制部500,並利用控制部500適當進行狀態監視及操作。
本實施形態之基板處理系統1構成為如同以上說明。其次,說明使用此基板處理系統1而進行晶圓處理。
首先,將收納有複數晶圓W的匣盒C搬入至基板處理系統1的匣盒站10,且藉由晶圓搬運裝置23而將匣盒C內的各晶圓W依序搬運至處理站11的傳遞裝置53。
其次,將晶圓W搬運至第二模塊G2的熱處理裝置40並進行溫度調節處理。其後,將晶圓W藉由晶圓搬運裝置70而搬運至例如第一模塊G1的下部反射防止膜形成裝置31,將下部反射防止膜形成在晶圓W上。其後,將晶圓W搬運至第二模塊G2的熱處理裝置40,進行加熱處理、溫度調節。
其次,將晶圓W搬運至接著裝置41,進行接著處理。其後,將晶圓W搬運至第一模塊G1的光阻塗布裝置32,在晶圓W上形成光阻膜。
於此,詳述光阻塗布裝置32中之光阻塗布處理。光阻的塗布處理之際,預先產生已脫氣稀釋劑。已脫氣稀釋劑之產生之際,例如圖9所示,將切換閥220、221、253、排液切換閥267、排出閥315定為閉狀態,並且一併將補充閥264及切換閥252定為開狀態,而由稀釋劑供給源263將稀釋劑供給至例泵P1內。藉此,藉由脫氣噴嘴311,稀釋劑受到脫氣處理,產生作為已脫氣處理液之已脫氣稀釋劑(已脫氣處理液產生步驟),並且一併將已脫氣稀釋劑貯存至泵P1的貯存室210內(處理液貯存步驟)。又,由稀釋劑供給源263供給稀釋劑之際,將切換閥230定為開狀態、切換閥231定為閉狀態,例如使用調節器228a的系統而驅動空氣***器225,藉以使壓力室211成為負壓而推降活塞板304。此外,圖9~圖15之中,以塗黑表示閉狀態、且以粗線表示稀釋劑或氣體之類的流體流通之管,藉以省略說明其它閥之開閉狀態。
此外,於稀釋劑殘留在泵P1的貯存室210內之情形下,亦可於進行已脫氣處理液產生步驟前,例如圖10所示,將泵P1的系統的排出閥315定為開狀態,而例如使用調節器233的系統而由氣體供給源235供給加壓用氣體,加壓泵P1的壓力室211內,藉以將貯存室210內的稀釋劑由排出管314排出(處理液排出步驟)。
其次,如圖11所示,停止空氣***器225,並且一併將補充閥264及切換閥252切換為閉狀態後,將切換閥220定為開狀態。而且,例如使用調節器233的系統而由氣體供給源235供給加壓用氣體,加壓泵P1的壓力室211內。此際,將供給切換閥260及循環切換閥261定為閉狀態,且將設在濾器201之通氣閥341定為開狀態,由泵P1將貯存室210內的稀釋劑壓送至稀釋劑供給管200。藉此,藉由脫氣噴嘴311而自稀釋劑分離之氣體係與貯存室210內的稀釋劑一同自通氣管340排出,且稀釋劑供給管200的濾器201的上游側受已脫氣稀釋劑充滿。此外,此際,將調節器233設定為供給至濾器201之已脫氣稀釋劑的流量係約60mL/min左右。
其次,以既定時間進行60mL/min之已脫氣稀釋劑之供給後,由調節器234的系統進行朝向泵P1的壓力室211之加壓用氣體之供給,例如將供給至濾器201之已脫氣稀釋劑的流量增加為約75mL/min左右。當起初即將較大流量的已脫氣稀釋劑供給至濾器201的濾器元件331,則會有已脫氣稀釋劑未滲透濾器元件331全體,而大小氣泡仍存在於濾器元件331內之可能性,但如上所述,能首先以小流量供給已脫氣稀釋劑,而使已脫氣稀釋劑逐漸滲透濾器元件331,有效率地將氣泡排出至濾器201的外部。
其次,如圖12所示,將通氣閥341定為閉狀態,且將循環切換閥261及排液閥266定為開狀態而由泵P1壓送已脫氣稀釋劑,由排液閥266排出已脫氣稀釋劑。藉此,循環配管251內受通過濾器201之已脫氣稀釋劑清潔,成為潔淨狀態。
其次,如圖13所示,將排液閥266定為閉狀態、將排液切換閥267及泵P2的切換閥253定為開狀態。並且一併使用調節器228b的系統而驅動空氣***器225,藉以使壓力室211成為負壓。此外,流在調節器228b的系統之驅動空氣的流量大於流在調節器228a的系統之驅動空氣的流量。亦即,壓力室211內的壓力較使用調節器228a的系統之情況低。藉由此空氣***器225的驅動,將泵P2的活塞板304往下方拉入,使泵P2的貯存室210內相對於泵P1的貯存室210為負壓。藉此,於稀釋劑供給管200及循環配管251內成為負壓(低於大氣壓的壓力)的狀態下,將泵P1內的已脫氣稀釋劑經由濾器201拉入泵P2內(液體通入濾器步驟)。藉此,例如濾器201內亦為負壓,因此,泵P1所行之已脫氣稀釋劑之供給時無法完全去除之濾器201內的氣泡的體積膨脹,容易由濾器201內排出。此外,於僅藉由空氣***器225之驅動使泵P2的壓力室211成為負壓而無法提昇泵P1的活塞板304之情形下,亦可適當將加壓用氣體供給至泵P1的壓力室211內而使貯存室210的容積減小,藉以輔助活塞板304的提昇。於此情形,例如由調節器233的系統,以泵P1的貯存室210內的壓力不高於泵P2的貯存室210內的壓力方式,換言之,以維持稀釋劑供給管200或循環配管251內係低於大氣壓之負壓狀態之方式,進行朝向泵P1的壓力室211之加壓用氣體之供給。
其後,將稀釋劑供給管200及循環配管251內以負壓狀態維持,並直接停止泵P2所行之朝向濾器201之液體通入,並將此狀態保持固定時間(負壓維持步驟)。藉此,進一步促進濾器201內之氣泡的膨脹,來自濾器201之氣泡的排出變容易。又,氣泡溶解於已脫氣稀釋劑,亦促進來自濾器201內之氣泡的去除。此外,例如利用將泵P1的下游側的切換閥220從開狀態往閉狀態操作而實現維持負壓並且停止朝向濾器201之液體通入。
以固定時間維持負壓後,再將切換閥220定為開狀態,將已脫氣稀釋劑自泵P1的貯存室210拉入泵P2的貯存室210。亦即,再次進行液體通入濾器步驟。藉此,因為重新將已脫氣稀釋劑供給至濾器201,所以於負壓維持步驟,即使例如氣泡溶存於濾器201內的已脫氣稀釋劑達飽和狀態為止,亦能藉由重新供給之已脫氣稀釋劑而再次進行氣泡的去除。而且,再次進行負壓維持步驟,進行進一步之氣泡的去除。而且,以既定次數進行液體通入濾器步驟與負壓維持步驟,藉以將濾器201內的氣泡幾乎完全去除。
其後,例如當已脫氣稀釋劑以既定量貯存至泵P2的貯存室210,則如圖14所示,循環切換閥261切換為閉狀態、供給切換閥260切換為開狀態。並且一併停止空氣***器225的驅動,且一併使用調節器234的系統而將加壓用氣體供給至泵P2的壓力室211。藉此,泵P2內的已脫氣稀釋劑由稀釋劑供給噴嘴151供給至晶圓W上,而將晶圓W預濕。其次,光阻液由光阻液供給噴嘴150供給至晶圓W上,而在晶圓W上形成光阻膜。
當光阻膜形成在晶圓W時,則其次將晶圓W搬運至第一模塊G1的上部反射防止膜形成裝置33,將上部反射防止膜形成在晶圓W上(圖7的步驟S3)。其後,將晶圓W搬運至第二模塊G2的熱處理裝置40,進行加熱處理。其後,將晶圓W搬運至周邊曝光裝置42,進行周邊曝光處理。
其次,將晶圓W藉由晶圓搬運裝置100搬運至傳遞裝置52,且藉由穿梭搬運裝置80而搬運至第四模塊G4的傳遞裝置62。其後,將晶圓W藉由介面站13的晶圓搬運裝置110搬運至曝光裝置12,以既定圖案進行曝光處理。
其次,將晶圓W藉由晶圓搬運裝置70搬運至熱處理裝置40,進行曝光後烘烤處理。藉此,藉由在光阻膜的曝光部產生的氧而使光阻進行去保護反應。此後,將晶圓W藉由晶圓搬運裝置70搬運至顯影處理裝置30,進行顯影處理。
顯影處理結束後,將晶圓W搬運至熱處理裝置40,進行後烘烤處理(圖7的步驟S7)。然後,晶圓W藉由熱處理裝置40進行溫度調整。其後,晶圓W經由晶圓搬運裝置70、晶圓搬運裝置23而搬運至既定的匣盒載置板21的匣盒C,結束一連串的光刻步驟。
依據以上實施形態,將濾器201的下游側之泵P2的貯存室210定為相對於泵P1的貯存室210內的壓力為負壓,藉以將泵P1內的已脫氣稀釋劑液體通入至濾器201,因此能促進濾器201內之氣泡的分離及體積膨脹。而且,因為對著濾器201通人已脫氣稀釋劑液體,所以已分離及體積膨脹之氣泡溶入此已脫氣稀釋劑,
而將氣泡自濾器201去除。又,藉由以既定時間維持使濾器201的下游側成為負壓之狀態,進一步促進氣泡之去除。因此,能藉由自濾器201去除微小氣泡,而抑制濾器201之性能降低。
又,能藉由反複進行負壓所行之朝向濾器201之液體通入(液體通入濾器步驟)、負壓之維持(負壓維持步驟),而更確實去除濾器201內的氣泡。
再者,有效率地自濾器201去除氣泡,藉以於例如因濾器201之保養而交換濾器元件331之情形後等,令稀釋劑供給裝置171迅速成為可使用,並且能一併將使用於濾器201之復原之藥液的使用量降低。
此外,本案發明人已確認:如同本發明地藉由負壓將已脫氣稀釋劑通入至濾器201,且反複進行液體通入濾器步驟與負壓維持步驟,相較於對著濾器加壓而通入液體之情形,稀釋劑內的氣泡約能降低90%。
以上實施形態之中,將使已脫氣稀釋劑自泵P1朝向泵P2流通之情形為例說明,但已脫氣稀釋劑的流通方向不限定於本實施形態的內容,亦可定為使已脫氣稀釋劑自泵P2朝向泵P1流通。於此情形下,上述實施形態只要在泵P1與泵P2將各切換閥等的操作反轉即可。
又,以上實施形態之中,反複進行液體通入濾器步驟與負壓維持步驟後,已由泵P2而將已脫氣稀釋劑供給至稀釋劑供給噴嘴151,但於進一步重複液體通
入濾器步驟與負壓維持步驟之情形下,已脫氣稀釋劑已以既定量貯存至泵P2的貯存室210後,更具體而言,例如藉由感測器321檢測出泵P1的貯存室210內的已脫氣稀釋劑已成空後,亦可藉由空氣***器225將泵P1的壓力室211排氣,並且一併使用調節器233的系統加壓泵P2的壓力室,藉以形成自泵P2朝向泵P1之已脫氣稀釋劑的流向。如上所述,因為能使用循環配管251而使已脫氣稀釋劑自由循環在泵P1與泵P2之間,所以能因應須要而以期望次數重複液體通入濾器步驟與負壓維持步驟。
此外,以上實施形態之中,以使用二台泵P1、P2之情形為例說明,但泵並非必須設置二台,只要係例如具有二以上之可自由切換正壓與負壓之獨立機構之泵,亦可僅設置一台泵。
然而,發明人進一步實驗後,發現:僅實施前述負壓維持步驟之情況下,依據配管的長度等,則到達所期望之減壓度例如-45kPa左右為止,須要相當程度例如約90秒的時間。如同公知,半導體元件的製造之中,產出量(throughput)之縮短極受到關注。於是,為了有效率減壓,以更短時間達成既定負壓,發明人提案如同下述之製程。
圖15顯示該情形下之各種閥、稀釋劑的液流。亦即,將排液閥266定為閉狀態,且將排液切換閥267及泵P2的切換閥253定為開狀態。藉此,在泵P2之系統之中,形成將稀釋劑供給管200、循環配管251、貯存室210加以連結之管道。另
一方面,在泵P1系統之中,將切換閥220定為開狀態,且將切換閥252、排出閥315定為閉狀態,形成將稀釋劑供給管200與泵P1的貯存室210加以連結之管道。
而且,氣體供給源235系統將各切換閥240、241、242、243均定為閉狀態。另一方面,空氣***器225系統將切換閥230、231定為開狀態,且將切換閥229a定為閉狀態,將切換閥229b定為開狀態。
於此狀態下驅動空氣***器225。藉此,將泵P1、P2的各活塞板304均往下方拉入,且泵P1、P2的各壓力室211均成為相等的負壓,泵P1、P2的各貯存室210亦成為同一負壓。因此,稀釋劑供給管200及循環配管251內亦成為負壓,若將濾器201視為壓力阻力,則以濾器201為分界,稀釋劑供給管200內的稀釋劑於上游側欲流往泵P1的貯存室210側、於下游側欲流往泵P2的貯存室210側。然而,如同上述,泵P1、P2的各貯存室210均成為同一負壓,因此稀釋劑供給管200及循環配管251內的稀釋劑不流動。
如同上述,由濾器201的上游側、下游側雙方向減壓而成為負壓,藉以使稀釋劑供給管200及循環配管251內的稀釋劑進行所謂自雙向之脫氣(雙向脫氣步驟)。因此,亦促進脫氣本身。於此情形,因為由雙向使其成為負壓,所以成為既定負壓為止的時間短於前述負壓維持步驟,亦即成為既定負壓為止的時間短於維持使稀釋劑供給管200及循環配管251內成為負壓狀態而直接停止泵P2所行之朝向濾器201之液體通入,並以一定時間保持該狀態之情形。
圖16顯示針對該點實際實驗之結果,圖16的圖表顯示下者情形下,濾器201之上游側與下游側的配管內的壓力各者之隨著時間的變化:已實施前述負壓維持步驟的情形;以及已實施雙向脫氣步驟的情形;且同一圖表中,a係表示於實施80kPa之負壓維持步驟之情形下,濾器201的上游側的壓力變化、b係表示於實施80kPa之負壓維持步驟之情形下,濾器201的下游側的壓力變化、c係表示於實施20秒80kPa之負壓維持步驟後,實施80kPa之雙向脫氣步驟之情形之濾器201的上游側的壓力變化、d係表示於實施20秒80kPa之負壓維持步驟後,實施80kPa之雙向脫氣步驟之情形之濾器201的下游側的壓力變化。
由此結果可知,於實施負壓維持步驟之情形下,到達-45kPa為止須要約45秒,但於實施雙向脫氣步驟之情形下,能自開始以約0.5秒實現-80kPa。因此,可知遠較僅負壓維持步驟之情形,能以短時間實現更高的減壓度。藉此,能使稀釋劑供給管200及循環配管251內的稀釋劑中的氣泡以短時間顯現更多的氣泡。
就實際製程而言,因為須要藉由已述之液體通入濾器步驟而去除濾器201的氣泡,所以亦可組合進行前述雙向脫氣步驟與液體通入濾器步驟。於此情形,就製程的順序而言可先實施任一者,但亦可最初使稀釋劑流通於濾器201,亦即亦可先實施液體通入濾器步驟,而後實施雙向脫氣步驟。
當然亦可一併實施前述負壓維持步驟,但亦可取代負壓維持步驟而實施雙向脫氣步驟。又,亦可重複實施液體通入濾器步驟與雙向脫氣步驟。藉此可去除更多氣泡。
此外,於實施雙向脫氣步驟之情形下,將泵P1、P2的各貯存室210均定為同一負壓、使稀釋劑不會流動為最佳,但當稀釋劑流入至泵P1的貯存室210,則其後之排出繁瑣。因此於不易定為同一負壓之情形下、或定為同一負壓則耗費時間之情形下,若考慮稀釋劑流入P1的貯存室210之風險,則亦可將泵P2的貯存室210側的負壓定為稍微高(減壓度大)的狀態。
若考慮此事由,則為了使泵P1、P2的各貯存室210同等地成為負壓,先實施前述液體通入濾器步驟,而暫時僅使泵P2的貯存室210側成為負壓狀態,其後逐漸使泵P1系統的切換閥230成為開狀態較為實際,且由事先使稀釋劑流通於前述濾器201之觀點而言亦佳。
此外,如此進行而實施液體通入濾器步驟與雙向脫氣步驟,達成所期望之氣泡去除後,只要如圖17所示,將排出閥315定為開狀態,而將滯留在泵P2的貯存室210之混存有氣泡之稀釋劑排出至系統外即可。
以上實施形態之中,以處理液係稀釋劑之情形為例說明,但使用何種液體作為處理液並不限定於本實施形態的內容,就處理液而言例如亦可使用光阻液或顯影液。
以上,已參照添加圖式說明本發明適宜的實施形態,但本發明不限定於該例。本發明所屬技術領域中具有通常知識者顯然能在申請專利範圍所記載之思想範疇內思及各種變更例或修正例,此等當然亦屬於本發明的技術性範圍。本發明不限於此例而能採用各種態樣。本發明亦可適用於基板係晶圓以外之FPD(平板顯示器)、光罩用遮罩/倍縮遮罩等其他基板之情形。
本發明於將處理液塗布在基板上之際有用。
Claims (12)
- 一種處理液供給方法,將處理液供給至基板上,其特徵為包括:已脫氣處理液產生步驟,藉由脫氣機構將該處理液施以脫氣處理而產生已脫氣處理液;處理液貯存步驟,將該已脫氣處理液貯存至容器內;液體通入濾器步驟,使「經由處理液供給管而與該容器的下游側連接之濾器之下游側」相較於該容器內的壓力成為負壓,藉以將該容器內的該已脫氣處理液通入至該濾器;以及負壓維持步驟,於停止自該容器朝向該濾器之該處理液之供給後,以既定時間維持使該濾器的下游側成為負壓之狀態。
- 如申請專利範圍第1項記載之處理液供給方法,其中,反複進行該液體通入濾器步驟與該負壓維持步驟。
- 一種處理液供給方法,將處理液供給至基板上,其特徵為包括:已脫氣處理液產生步驟,藉由脫氣機構將該處理液施以脫氣處理而產生已脫氣處理液;處理液貯存步驟,將該已脫氣處理液貯存至容器內;液體通入濾器步驟,使「經由處理液供給管而與該容器的下游側連接之濾器之下游側」相較於該容器內的壓力成為負壓,藉以將該容器內的該已脫氣處理液通入至該濾器;以及雙向脫氣步驟,由該濾器的上游側與下游側減壓而將處理液脫氣。
- 如申請專利範圍第3項記載之處理液供給方法,其中,反複進行該液體通入濾器步驟與該雙向脫氣步驟。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項記載之處理液供給方法,其中,更包括:處理液排出步驟,於該已脫氣處理液產生步驟之前,將該容器內所貯存之處理液排出至該容器外。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項記載之處理液供給方法,其中,該液體通入濾器步驟之中,使與該處理液供給管中之該濾器的下游側連接之容積可變之貯存室的容積增大,藉以使該濾器的下游側成為負壓。
- 如申請專利範圍第6項記載之處理液供給方法,其中,該容器具備容積可變之其他貯存室,且該液體通入濾器步驟之中,伴隨著自該容器朝向該濾器之該已脫氣處理液的移動,而使該其他貯存室的容積減小。
- 一種可讀取之電腦記憶媒體,其儲存有程式,該程式係在將處理液供給裝置加以控制之控制部的電腦上動作,俾藉由該處理液供給裝置而執行第1至7項任一項記載之處理液供給方法。
- 一種處理液供給裝置,自處理液供給源經由處理液供給管而將處理液供給至對於基板供給處理液之供給噴嘴,其特徵為包括:容器,暫時貯存由該處理液供給源供給之處理液,且設在該處理液供給管中之該供給噴嘴的上游側;脫氣機構,設在該處理液供給管中之該處理液供給源與該容器之間,將該處理液施以脫氣處理而產生已脫氣處理液;濾器,設在該處理液供給管中之該容器與該供給噴嘴之間;容積可變之貯存室,連接於自該處理液供給管中之該濾器與該供給噴嘴之間分歧之循環配管;以及控制部,調整該貯存室的容積,以使該貯存室的容積擴大,而令「該處理液供給管中之該濾器的下游側」相較於該容器內的壓力成為負壓,藉以將該容器內的該已脫氣處理液供給至該濾器,且於停止自該容器朝向該濾器之該處理液之供給後,以既定時間維持使該濾器的下游側成為負壓之狀態。
- 如申請專利範圍第9項記載之處理液供給裝置,其中,該容器具備容積可變之其他貯存室,且該控制部控制為:於使該貯存室的容積擴大,而將該容器內的該已脫氣處理液供給至該濾器之際,伴隨自該容器朝向該濾器之該已脫氣處理液的移動,使該其他貯存室的容積縮小。
- 一種處理液供給裝置,自處理液供給源經由處理液供給管而將處理液供給至對於基板供給處理液之供給噴嘴,其特徵為包括:容器,暫時貯存由該處理液供給源供給之處理液,且設在該處理液供給管中之該供給噴嘴的上游側;脫氣機構,設在該處理液供給管中之該處理液供給源與該容器之間,將該處理液施以脫氣處理而產生已脫氣處理液;濾器,設在該處理液供給管中之該容器與該供給噴嘴之間;容積可變之二個貯存室,連接於自該處理液供給管中之該濾器與該供給噴嘴之間分歧之循環配管;以及控制部,調整該二個貯存室的容積,用以使該二個貯存室中之一個貯存室的容積擴大,而使「該處理液供給管中之該濾器的下游側」相較於該容器內的壓力成為負壓,藉以將該容器內的該已脫氣處理液供給至該濾器,且於停止自該容器朝向該濾器之該處理液之供給後,由該濾器的上游側與下游側減壓而將處理液脫氣。
- 如申請專利範圍第9至11項中任一項記載之處理液供給裝置,其中,該容器連接有:排出管,將該容器內所貯存之處理液或已脫氣處理液予以排出。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015-071960 | 2015-03-31 | ||
JP2015071960 | 2015-03-31 | ||
JP2016011836A JP6425669B2 (ja) | 2015-03-31 | 2016-01-25 | 処理液供給方法、読み取り可能なコンピュータ記憶媒体及び処理液供給装置 |
JP2016-011836 | 2016-01-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201706042A TW201706042A (zh) | 2017-02-16 |
TWI671127B true TWI671127B (zh) | 2019-09-11 |
Family
ID=57323860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW105109775A TWI671127B (zh) | 2015-03-31 | 2016-03-29 | 處理液供給方法、可讀取之電腦記憶媒體及處理液供給裝置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6425669B2 (zh) |
TW (1) | TWI671127B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6979852B2 (ja) * | 2017-10-26 | 2021-12-15 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 |
JP7161955B2 (ja) * | 2019-02-20 | 2022-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタウェッティング方法及び処理液供給装置 |
JP7490500B2 (ja) * | 2019-09-12 | 2024-05-27 | 住友化学株式会社 | ポリビニルアルコール除去装置及び偏光子の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120241469A1 (en) * | 2009-11-11 | 2012-09-27 | Koganei Corporation | Chemical liquid supply device and chemical liquid supply method |
US20140097147A1 (en) * | 2012-10-09 | 2014-04-10 | Tokyo Electron Limited | Processing liquid supply method, processing liquid supply apparatus and storage medium |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3461725B2 (ja) * | 1998-06-26 | 2003-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
JP5524154B2 (ja) * | 2011-09-09 | 2014-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
JP5910401B2 (ja) * | 2012-08-03 | 2016-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置の運転方法、処理液供給装置及び記憶媒体 |
US9446331B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for dispensing photoresist |
-
2016
- 2016-01-25 JP JP2016011836A patent/JP6425669B2/ja active Active
- 2016-03-29 TW TW105109775A patent/TWI671127B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120241469A1 (en) * | 2009-11-11 | 2012-09-27 | Koganei Corporation | Chemical liquid supply device and chemical liquid supply method |
US20140097147A1 (en) * | 2012-10-09 | 2014-04-10 | Tokyo Electron Limited | Processing liquid supply method, processing liquid supply apparatus and storage medium |
JP2014078562A (ja) * | 2012-10-09 | 2014-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給方法、処理液供給装置及び記憶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201706042A (zh) | 2017-02-16 |
JP2016195237A (ja) | 2016-11-17 |
JP6425669B2 (ja) | 2018-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102091984B1 (ko) | 처리액 공급 방법, 처리액 공급 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 | |
KR102369120B1 (ko) | 처리액 공급 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 및 처리액 공급 장치 | |
US11342198B2 (en) | Processing liquid supplying apparatus and processing liquid supplying method | |
JP4879253B2 (ja) | 処理液供給装置 | |
US10268116B2 (en) | Processing liquid supplying apparatus and method of supplying processing liquid | |
JP5018255B2 (ja) | 薬液供給システム及び薬液供給方法並びに記憶媒体 | |
JP5999073B2 (ja) | 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体 | |
TWI671127B (zh) | 處理液供給方法、可讀取之電腦記憶媒體及處理液供給裝置 | |
TWI755422B (zh) | 處理液供給裝置 | |
JP2007311603A (ja) | 処理液供給装置及び処理液供給方法並びに処理液供給用制御プログラム | |
KR102581314B1 (ko) | 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 시스템 | |
TWI795432B (zh) | 處理液供給裝置及基板處理系統 | |
JP3189821U (ja) | 処理液供給配管回路 | |
JP3958993B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
JP2016189493A (ja) | 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体 | |
JP5991403B2 (ja) | フィルタウエッティング方法、フィルタウエッティング装置及び記憶媒体 | |
JP2023038790A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP3205915U (ja) | 処理液供給配管回路 | |
JP2023038790A5 (zh) |