TWI584957B - Laminated processing methods, the processing of the laminated board - Google Patents

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TWI584957B
TWI584957B TW102145439A TW102145439A TWI584957B TW I584957 B TWI584957 B TW I584957B TW 102145439 A TW102145439 A TW 102145439A TW 102145439 A TW102145439 A TW 102145439A TW I584957 B TWI584957 B TW I584957B
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Akira Wagatsuma
Yutaka Otsubo
Yuki Tateyama
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Asahi Glass Co Ltd
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Description

積層板之加工方法、經加工之積層板
本發明係關於一種積層板之加工方法及經加工之積層板。
要求液晶面板(LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器))或電漿面板(PDP(Plasma Display Panel，電漿面板))、有機EL(Electroluminescence，電致發光)面板(OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發光二極體))等顯示面板以及太陽電池、薄膜2次電池等電子裝置之薄型化及輕量化，該等電子裝置所用之基板向薄板化發展。若由於薄板化使基板之剛性變低，則基板之處理性會變差。此外，若由於薄板化使基板之厚度改變，則難以製造使用現有之設備之電子裝置。
因此，提出於可剝離地與補強板結合之基板上形成特定之功能膜(例如，導電層)之後，將基板與補強板剝離之方法(例如參照專利文獻1)。根據該方法，可確保基板之處理性，且可製造使用現有之設備之薄型之電子裝置。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-326358號公報
具有基板及可剝離地與該基板結合之補強板的積層板之端部以 提耐衝擊性為目的，而利用磨石研磨，並實施倒角。
於基板之利用磨石研磨而成之研磨面會產生微小裂痕，產生之微小裂痕到達基板與補強板之界面，從而基板出現缺口。
又，藉由將基板與補強板剝離之操作會使基板開裂。
本發明係鑒於上述課題而成者，其目的在於提供一種可抑制研磨時之缺口及剝離時之裂痕的積層板之加工方法。
為解決上述課題，根據本發明之一態樣，提供一種積層板之加工方法，其係加工具有基板及可剝離地與該基板結合之補強板的積層板之方法，且具有利用磨石研磨上述積層板之端部之倒角加工步驟，上述基板和上述補強板之界面與上述基板之利用上述磨石研磨而成之研磨面所成之角大於26°且為30°以下。
根據本發明，提供一種可抑制研磨時之缺口及剝離時之裂痕的積層板之加工方法。
10‧‧‧積層板
12‧‧‧基板
14‧‧‧補強板
15‧‧‧剝離膜
16‧‧‧支持板
30‧‧‧磨石
32‧‧‧研磨槽
A‧‧‧基板之厚度
B‧‧‧補強板之厚度
C‧‧‧支持板之厚度
D‧‧‧剝離膜之厚度
E‧‧‧補強板之突出尺寸
F‧‧‧積層板之研磨面之垂直部之於積層板之板厚方向之尺寸
G‧‧‧力
G1‧‧‧分力
R‧‧‧曲率半徑
θ‧‧‧角
圖1係表示本發明之一實施例之積層板之加工方法的側視圖。
圖2係表示本發明之一實施例之積層板之加工方法的俯視圖。
圖3係表示本發明之一實施例之於倒角加工步驟中自磨石作用於積層板之力的剖面圖。
以下參照圖式對實施方式進行說明。於各圖式中，對同一或相對應之構成附上同一或相對應之符號而省略說明。
圖1係表示本發明之一實施例之積層板之加工方法的側視圖。圖 2係表示本發明之一實施例之積層板之加工方法的俯視圖。
首先，參照圖1對積層板10進行說明。例如如圖1所示，積層板10包括基板12及可剝離地與基板12結合之補強板14。積層板10以下述加工方法加工之後，可用於製品之製造。一個製品之製造時亦可使用複數塊積層板10。作為製品，例如可列舉顯示面板、太陽電池、薄膜2次電池等電子裝置。
基板12係成為製品之一部分者，於製品之製造步驟中，於基板12上形成有對應製品之種類之功能膜。亦可由複數層功能膜構成。
基板12例如為玻璃基板、陶瓷基板、樹脂基板、金屬基板或半導體基板等。該等基板之中，較佳為玻璃基板。其原因在於，玻璃基板之耐化學藥品性、耐透濕性優異，且線膨脹係數較小。若基板12之線膨脹係數較大，則於熱處理時容易產生各種不良情況，例如使高溫下形成之功能膜冷卻至室溫時功能膜有時會變形。
作為玻璃基板之玻璃，例如可列舉無鹼玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高矽玻璃、其他以氧化矽為主要成分之氧化物系玻璃等。較佳為氧化物系玻璃為根據氧化物換算之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。根據製品之種類選擇玻璃基板之玻璃。例如，於液晶面板之情形時，使用實質上不含有鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)。
於基板12為玻璃基板之情形時，基板12之厚度A例如為0.3mm以下，更佳為0.1mm以下，進而較佳為0.05mm以下。又，於基板12為玻璃基板之情形時，就成形性之觀點而言，基板12之厚度A較佳為0.001mm以上。
於進行將補強板14與基板12剝離之操作之前，使補強板14與基板12結合而對基板12進行補強。補強板14之厚度B可大於基板12之厚度A。於製品之製造步驟之中途，補強板14自基板12剝離，不成為製品之一部分。
為防止因熱處理引起之翹曲或剝離，較佳為補強板14為與基板12之熱膨脹差較小者。於基板12為玻璃基板之情形時，較佳為補強板14為含有玻璃板者，基板12之玻璃與補強板14之玻璃為同種之玻璃。
補強板14例如含有可剝離地與基板12結合之剝離膜15及隔著剝離膜15而支持基板12之支持板16。剝離膜15與基板12藉由作用於該等之間之凡得瓦力等而可剝離地結合。剝離膜15可為樹脂膜、無機膜中之任一者。無機膜例如可為金屬氧化物膜。
再者，雖然本實施例之補強板14係由剝離膜15及支持板16所構成，但亦可僅由支持板16構成且支持板16(例如玻璃板)與基板12(例如玻璃基板)直接結合。支持板16之與基板12接觸之面及基板12之與支持板16接觸之面可分別具有特定值以下之表面粗糙度，以使上述兩個面容易相互結合。又，亦可藉由於至少一個接觸面設置表面粗糙度不同之區域，而於支持板16與基板12之界面設有結合力不同之區域。從而剝離操作會變得容易。支持板16之與基板12接觸之面及基板12之與支持板16接觸之面的各者可為實施有提高表面之活性之處理(例如洗淨處理)者。
再者，補強板14可為玻璃板與樹脂膜交替地積層而成者，可具有複數個支持板16及複數層樹脂膜。於此情形時，最外層之樹脂膜成為剝離膜。
支持板16隔著剝離膜15而支持基板12。支持板16例如為玻璃板、陶瓷板、樹脂板、半導體板或金屬板等。於基板12為玻璃基板之情形時，支持板16較佳為玻璃板。另一方面，若支持板16為樹脂板或金屬板，則補強板14容易彎曲變形，故補強板14與基板12容易剝離。
支持板16與基板12之平均線膨脹係數差(絕對值)係根據基板12之尺寸形狀等適當進行設定，例如較佳為35×10-7/℃以下。於此處，所謂「平均線膨脹係數」係指於50℃~300℃之溫度範圍內之平均線膨 脹係數(JIS R 3102)。
於支持板16為玻璃板之情形時，支持板16之厚度C例如為0.7mm以下。又，於支持板16為玻璃板之情形時，為了對基板12進行補強，較佳為支持板16之厚度C為0.4mm以上。
如圖1所示，支持板16之外形與剝離膜15之外形相同或較剝離膜15之外形更大，從而支持板16可支持剝離膜15之整體。
在進行將剝離膜15與基板12剝離之操作之前，剝離膜15可防止基板12之錯位。剝離膜15係藉由剝離操作而輕易地自基板12剝離。從而可防止因剝離操作引起之基板12之破損。
剝離膜15形成為其與支持板16之結合力較其與基板12之結合力而言相對地變高。可藉由剝離操作防止積層板10於預計外之位置(剝離膜15與支持板16之間)剝離。
剝離膜15之樹脂並無特別限定。例如，作為剝離膜15之樹脂，可列舉丙烯酸樹脂、聚烯烴樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚矽氧樹脂、聚醯亞胺聚矽氧樹脂等。亦可將幾種樹脂混合而使用。其中，就耐熱性或剝離性之觀點而言，較佳為聚矽氧樹脂、聚醯亞胺聚矽氧樹脂。
雖然關於剝離膜15之厚度D並無特別限定，但於剝離膜15為樹脂膜之情形時，其厚度較佳為1μm~50μm，更佳為4μm~20μm。藉由將剝離膜15之厚度D設為1μm以上，於氣泡或異物混入至剝離膜15與基板12之間之情形時剝離膜15可變形以吸收氣泡或異物之厚度。另一方面，若剝離膜15之厚度D為50μm以下，則可縮短剝離膜15之形成時間，進而不會超出需要地使用剝離膜15之樹脂，故較為經濟。
較佳為如圖1所示，剝離膜15之外形與基板12之外形相同或較基板12之外形更大，從而剝離膜15可支持基板12之整體。若剝離膜15之外形較基板12之外形更大，則藉由使剝離膜15之自基板12露出之部分 彎曲變形而將補強板14與基板12之剝離緩緩地進行，從而使剝離順利地進行。
再者，剝離膜15亦可包括複數種樹脂膜。於此情形時，「剝離膜之厚度」意指全部之樹脂膜之合計之厚度。
繼而，對積層板10之製造方法進行說明。作為積層板10之製造方法，例如有下述之(1)~(3)之方法。
(1)於支持板16上塗佈具有流動性之樹脂組合物，使其硬化而形成剝離膜15之後，使基板12壓接於剝離膜15上。樹脂組合物硬化時，由於樹脂組合物與支持板16相互作用，故支持板16與剝離膜15之結合力較剝離膜15與基板12之間之結合力而言更容易變高。
(2)於特定之基材上塗佈具有流動性之樹脂組合物，使其硬化而形成剝離膜15之後，使剝離膜15自特定之基材剝離，並進行壓接，使上述剝離膜以膜之形態夾於基板12與支持板16之間。於剝離膜15經壓接後，對基板12之結合力較低，對支持板16之結合力較高之情形較為有效。亦可於與剝離膜15接觸之前，對基板12或支持板16之表面進行表面處理，從而使與剝離膜15之壓接後之結合力存在差異。
(3)於基板12與支持板16之間夾有樹脂組合物，使該樹脂組合物硬化而形成剝離膜15。於樹脂組合物硬化後，對基板12之結合力較低，對支持板16之結合力較高之情形較為有效。亦可於與樹脂組合物接觸之前，對基板12或支持板16之表面進行表面處理，從而使樹脂組合物於硬化後之結合力存在差異。
可於潔淨度較高之環境下實施上述(1)及(2)之方法中之壓接。雖然壓接時之周邊之氣壓亦可為大氣壓，但為了抑制空氣之侵入，較佳為上述周邊之氣壓為低於大氣壓之負壓。作為壓接之方式，有輥式、按壓式等。雖然壓接溫度亦可為高於室溫之溫度，但為了防止作為剝離膜15之樹脂膜之劣化，以室溫為佳。
成為剝離膜15之樹脂組合物亦可為利用縮合反應型、加成反應型、紫外線硬化型、電子束硬化型中之任一方法進行硬化者。加成反應型之樹脂組合物容易硬化，剝離性優異，耐熱性亦較高，因此尤佳。
又，雖然成為剝離膜15之樹脂組合物可為以溶劑型、乳液型、無溶劑型中之任一形態而使用者，但就生產性、環境特性之觀點而言，較佳為無溶劑型。又，無溶劑型之樹脂組合物不含可能會於硬化時起泡之溶劑，故可獲得缺陷較少之剝離膜15。
作為硬化之方法為加成反應型且使用形態為無溶劑型之聚矽氧樹脂組合物，有含具有乙烯基之直鏈狀聚有機矽氧烷及具有氫矽烷基之甲基氫聚矽氧烷者。該聚矽氧樹脂組合物於存在鉑觸媒之情況下經加熱硬化，成為聚矽氧樹脂膜。
成為剝離膜15之樹脂組合物之塗佈方法例如有噴塗法、模具塗佈法、旋轉塗佈法、浸塗法、輥式塗佈法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法等。根據樹脂組合物之種類適當地選擇該等塗佈方法。
根據樹脂組合物之種類等適當地選擇成為剝離膜15之樹脂組合物之塗佈量。例如，於樹脂組合物之種類為上述聚矽氧樹脂組合物之情形時，塗佈量較佳為1g/m2~100g/m2，更佳為5g/m2~20g/m2。
根據樹脂組合物之種類等適當地選擇成為剝離膜15之樹脂組合物之硬化條件。例如，作為上述聚矽氧樹脂組合物，於相對於合計量為100質量份之直鏈狀聚有機矽氧烷與甲基氫聚矽氧烷而調配2質量份之鉑系觸媒之情形時，於大氣中進行加熱之溫度為50℃~250℃，較佳為100℃~200℃。又，此情形之反應時間設為5分鐘~60分鐘，較佳為設為10分鐘~30分鐘。只要樹脂組合物之硬化條件在上述反應時間之範圍及反應溫度之範圍內，則聚矽氧樹脂之氧化分解不會同時發 生，低分子量之聚矽氧成分不會生成，補強板與基板剝離時樹脂不易殘留於基板側。
繼而，再次參照圖1及圖2對所製造之積層板之加工方法進行說明。如圖1及圖2所示，積層板之加工方法具有利用磨石30研磨積層板10之端部的倒角加工步驟。
磨石30為圓板狀，且於磨石30之外周面形成有環狀之研磨槽32。研磨槽32之剖面形狀可為例如大致梯形，亦可為大致等腰梯形。研磨槽32之槽寬朝向磨石30之徑向內部而緩緩地變窄。研磨槽32之底面與研磨槽32之各側面之交界部朝向磨石30之徑向內部而形成凸起之曲面狀。
於倒角加工步驟中，首先，如圖1所示，以積層板10之板厚方向相對於磨石30之中心線平行之方式安置積層板10。於此狀態下，一面以磨石30之中心線為中心使磨石30旋轉，一面使研磨槽32之壁面抵壓於積層板10之端部，從而利用磨石30研磨積層板10之端部。此時，於研磨槽32之兩個側面夾著積層板10之端部而進行磨削之同時，研磨槽32之底面磨削積層板10之端部。藉由研磨槽32之兩個側面夾著積層板10之端部可防止積層板10與磨石30之錯位。於倒角加工步驟中，如圖2所示，使磨石30與積層板10相對地移動而對積層板10之外周之至少一部分進行研磨。
圖3係表示本發明之一實施例之倒角加工步驟中自磨石作用於基板之力的剖面圖。如圖3所示，於倒角加工步驟中，力G自磨石30作用於基板12。該力G沿著與磨石30之中心線(即積層板10之板厚方向)垂直之方向起作用。該力G之中，由於相對於研磨槽32之壁面而垂直之分力G1，於基板12之研磨面可能會產生微小裂痕。基板12和補強板14之界面與基板12之研磨面所成之角θ越小，可能產生微小裂痕之分力G1越小。
於本實施例中，基板12和補強板14之界面與基板12之研磨面所成之角θ為30°以下，從而可能於基板12之研磨面產生微小裂痕之分力G1充分小，從而基板12不易產生缺口。
可以基板12與補強板14之界面相對於基板12之研磨面傾斜之方式，不利用研磨槽32之底面而如圖1所示利用研磨槽32之一個側面進行研磨。於此情形時，基板12之研磨面僅由平坦之部分構成。
再者，於本實施例中，雖然基板12與補強板14之界面利用研磨槽32之一個側面進行研磨，但亦可利用研磨槽32之一個側面與研磨槽32之底面之曲面狀之交界部進行研磨。於此情形時，基板12之研磨面包括平坦之部分及彎曲之部分。只要該彎曲之部分之切線與基板12和補強板14之界面所成之角為30°以下即可。
又，基板12和補強板14之界面與基板12之研磨面所成之角θ大於26°。由於基板12和補強板14之界面與基板12之研磨面相交之部分並不過尖，故於為了將基板12與補強板14剝離而於基板12與補強板14之間***薄刀時，基板12不易產生缺口。
積層板10之利用磨石30研磨之研磨面(以下簡稱為「積層板10之研磨面」)具有例如積層板10之分別自其正面及背面傾斜地延伸之傾斜部、積層板10之相對於其正面及背面垂直之垂直部，及形成於各傾斜部與垂直部之間之曲面部。
只要經加工之積層板10之自其正面傾斜地延伸之傾斜部與經加工之積層板10之自其背面傾斜地延伸之傾斜部相對於經加工之積層板10之正面與背面之間之中心面對稱即可。
經加工之積層板10之研磨面之曲面部之剖面形狀為朝向磨石30之徑向內部而凸起之形狀，例如為圓弧狀。經加工之積層板10之研磨面之曲面部之曲率半徑R例如為0.05mm~0.20mm。
經加工之積層板10之研磨面之垂直部於經加工之積層板10之板 厚方向之尺寸F例如為0.05mm~0.30mm。
另外，關於經加工之積層板10，有時使補強板14朝下而置於平台上，與設於平台上之定位塊抵接。
於本實施例中，以經加工之積層板10之板厚方向來看，補強板14較基板12更向外突出，基板12不與定位塊接觸，故基板12不易破損。補強板14之突出尺寸E例如為0.05mm~0.30mm。
繼而，對使用經加工之積層板10之電子裝置之製造方法進行說明。電子裝置之製造方法可具有於經加工之積層板10之基板12上形成功能膜之步驟及將形成有功能膜之基板12與補強板14剝離之步驟。
功能膜之形成時有時使用微影技術或蝕刻技術並使用抗蝕液。有時抗蝕液會擴散至經加工之積層板10之研磨面。
本實施例之經加工之積層板10之研磨面於基板12與補強板14之界面附近無缺口，故容易除去抗蝕劑之殘渣。殘渣於熱處理過程中會成為揚塵之起源，故藉由減少殘渣而提高電子裝置之良率。
將基板12與補強板14剝離係藉由如下方法進行，例如，於基板12與補強板14之間***薄刀，於形成成為剝離起點之間隙之後，一面平坦地保持基板12，一面使補強板14自剝離起點側朝向相反側而依序彎曲變形。
繼而，對作為電子裝置之液晶面板之製造方法進行說明。液晶面板之製造方法具有例如TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)基板製作步驟、CF(Color Filter，彩色濾光片)基板製作步驟、裝配步驟及剝離步驟。
於TFT基板製作步驟中，於經加工之積層板10之基板12上形成薄膜電晶體(TFT)等而製作TFT基板。TFT基板之製作時使用微影技術或蝕刻技術且使用抗蝕液。
於CT基板製作步驟中，於經加工之另一積層板10之基板12上形 成透明導電膜或彩色濾光片(CF)等而製作CF基板。CF基板之製作時使用微影技術且使用抗蝕液。
裝配步驟具有將液晶材料密封於TFT基板與CF基板之間之步驟。作為向TFT基板與CF基板之間注入液晶材料之方法，有減壓注入法或滴加注入法。
於減壓注入法中，例如，首先藉由使TFT基板與CF基板隔著密封材料及間隔材料而貼合從而製作大型面板。將製作而成之大型面板切割為複數個單元。繼而，將各單元之內部抽真空，自設於各單元之側面之注入孔向各單元之內部注入液晶材料之後，對注入孔進行密封。繼而，藉由將偏光板貼於各單元而製造液晶面板。
於滴加注入法中，例如，首先向TFT基板及CF基板中之任一者滴加液晶材料，繼而，藉由使TFT基板與CF基板隔著密封材料及間隔材料而貼合從而製作大型面板。將製作而成之大型面板切割為複數個單元。繼而，藉由將偏光板貼於各單元而製造液晶面板。
於剝離步驟中，將基板12與補強板14剝離。剝離步驟可於TFT基板製作步驟及CF基板製作步驟之後、裝配步驟之前或裝配步驟之中途或裝配步驟之後進行。
例如，於利用減壓注入法之裝配步驟之中途進行剝離步驟之情形時，剝離步驟可於大型面板之製作後、大型面板之切割前，或於液晶材料之封入後、偏光板之貼附前進行。
又，於利用滴加注入法之裝配步驟之中途進行剝離步驟之情形時，剝離步驟可於大型面板之製作後、大型面板之切割前，或於大型面板之切割後、偏光板之貼附前進行。
繼而，對作為電子裝置之有機EL面板(OLED)之製造方法進行說明。有機EL面板之製造方法例如具有有機EL元件形成步驟、貼合步驟及剝離步驟。
於有機EL元件形成步驟中，於經加工之積層板10之基板12上形成有機EL元件。有機EL元件例如包括透明電極層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等。有機EL元件之形成時使用光微影技術且使用抗蝕液。
於貼合步驟中，使形成有機EL元件之基板與對向基板貼合。可將形成有機EL元件之基板切割為複數個單元，且使各單元與對向基板貼合。
於剝離步驟中，將基板12與補強板14剝離。關於剝離步驟，例如可於有機EL元件形成步驟之後、貼合步驟之前或貼合步驟之中途或貼合步驟之後進行。
繼而，對作為電子裝置之太陽電池之製造方法進行說明。太陽電池之製造方法具有太陽電池元件形成步驟及剝離步驟。
於太陽電池元件形成步驟中，於經加工之積層板10之基板12上形成太陽電池元件。太陽電池元件例如包括透明電極層、半導體層等。太陽電池元件之形成時使用光微影技術且使用抗蝕液。
於剝離步驟中，將基板12與補強板14剝離。關於剝離步驟，例如可於太陽電池元件形成步驟之後進行。
[實施例] [試驗例1~4]
於試驗例1~4中，準備如下者作為積層板：藉由於支持板上塗佈具有流動性之樹脂組合物，使其硬化而形成剝離膜，並使玻璃基板壓接於所形成之剝離膜上而成。試驗例1~4之積層板係設為相同之構成。
使用旭硝子公司製造之無鹼玻璃板(920mm×730mm×厚度0.5mm)作為支持板之玻璃板。
使用100質量份之無溶劑加成反應型聚矽氧(信越聚矽氧(Shin- Etsu Silicone)公司製造，KNS-320A)與2質量份之鉑系觸媒(信越聚矽氧公司製造，CAT-PL-56)之混合物作為樹脂組合物。藉由利用模具塗佈機將該混合物塗佈於玻璃板上並於220℃下進行30分鐘熱處理而形成剝離膜(920mm×730mm×厚度8μm)。
使用旭硝子公司製造之無鹼玻璃板(920mm×730mm×厚度0.1mm)作為玻璃基板。
於試驗例1~4中，利用磨石將大致矩形之積層板之4邊之各個研磨成表1所示之尺寸，並利用顯微鏡檢查玻璃基板是否產生缺口。使用平均粒徑為30μm之金剛石研磨粒作為磨石之研磨粒。又，磨石之研磨槽之剖面形狀製成大致等腰梯形。將玻璃基板之研磨面未產生長度為0.03mm以上之缺口之情形記為「○」，將玻璃基板之研磨面產生長度為0.03mm以上且未達0.05mm之缺口之情形記為「△」，將玻璃基板之研磨面產生長度為0.05mm以上之缺口之情形記為「×」。
繼而，於試驗例1~4中，於使補強板朝下而將積層板置於平台之狀態下，使積層板以100mm/s之速度與設於平台上之定位塊相碰撞，並利用顯微鏡檢查玻璃基板之上表面與研磨面之角部是否產生缺口。使定位塊之與積層板碰撞之面相對於平台上表面垂直。將玻璃基板之上表面與研磨面之角部未產生長度為0.03mm以上之缺口之情形記為「○」，將玻璃基板之上表面與研磨面之角部產生長度為0.03mm以上且未達0.05mm之缺口之情形記為「△」，將玻璃基板之上表面與研磨面之角部產生長度為0.05mm以上之缺口之情形記為「×」。
繼而，於試驗例1~4中，將玻璃基板與補強板剝離，並於剝離過程中檢查玻璃基板是否開裂。於剝離試驗中，將薄刀***至利用磨石研磨而成之積層板之四角之中未與定位塊碰撞之部分之玻璃基板與補強板之間，從而形成成為剝離起點之間隙，並一面平坦地保持玻璃基板，一面使補強板自剝離起點側朝向相反側依序彎曲變形。於剝離 過程中，將基板未開裂之情形記為「○」，將基板開裂之情形記為「×」。
將試驗之結果顯示於表1中。於表1中，A表示玻璃基板之厚度，B表示補強板之厚度，C表示作為支持板之玻璃板之厚度，D表示作為剝離膜之聚矽氧膜之厚度，θ表示玻璃基板和補強板之界面與玻璃基板之研磨面所成之角。又，於表1中，R表示積層板之研磨面之曲面部之曲率半徑，E表示經加工之積層板之以板厚方向來看之補強板之自玻璃基板突出之尺寸，F表示積層板之研磨面之垂直部之於積層板之板厚方向之尺寸。
如表1所示，只要玻璃基板和補強板之界面與玻璃基板之研磨面所成之角θ為30°以下，則幾乎不會產生研磨時之缺口。又，只要經加工之積層板之以板厚方向來看之補強板之自玻璃基板突出之尺寸E為0.05mm以上，則幾乎不會產生定位時之缺口。又，只要玻璃基板和補強板之界面與玻璃基板之研磨面所成之角θ大於26°，則幾乎不會產生剝離時之裂痕。
[試驗例5~8]
於試驗例5~8中，除了使用旭硝子公司製造之無鹼玻璃板(920mm×730mm×厚度0.2mm)作為玻璃基板以外，進行與試驗例1~4同樣之試驗。將試驗之結果示於表2中。
如表2所示，只要玻璃基板和補強板之界面與玻璃基板之研磨面所成之角θ為30°以下，則幾乎不會產生研磨時之缺口。又，只要經加工之積層板之以板厚方向來看之補強板之自玻璃基板突出之尺寸E為0.05mm以上，則幾乎不會產生定位時之缺口。又，只要玻璃基板和補強板之界面與玻璃基板之研磨面所成之角θ大於26°，則幾乎不會產生剝離時之裂痕。
以上對積層板之加工方法、經加工之積層板之實施例等進行了說明，但本發明並不限於上述實施例等，可於申請專利範圍所記載之本發明之主旨之範圍內進行各種變形及改良。
例如，於上述實施例等中，雖然積層板10之研磨面包括積層板10之分別自其正面及背面傾斜地延伸之傾斜部、積層板10之相對於其正面及背面垂直之垂直部及形成於各傾斜部與垂直部之間的曲面部，但上述研磨面之構成亦可多種多樣。例如，積層板之研磨面亦可包括積層板10之分別自其正面及背面傾斜地延伸之傾斜部及形成於兩個傾 斜部之間的曲面部。曲面部例如為圓弧面狀，且以積層板10之板厚方向來看較傾斜部更向外突出。
又，於上述實施例等中，雖然經加工之積層板10之自其正面傾斜地延伸之傾斜部與經加工之積層板10之自其背面傾斜地延伸之傾斜部相對於經加工之積層板10之正面與背面之間的中心面對稱，但亦可為不對稱。
本申請案係基於2012年12月10日提出申請之日本專利申請案2012-269500者，其內容作為參照而併入本文中。
10‧‧‧積層板
12‧‧‧基板
14‧‧‧補強板
15‧‧‧剝離膜
16‧‧‧支持板
30‧‧‧磨石
32‧‧‧研磨槽
A‧‧‧基板之厚度
B‧‧‧補強板之厚度
C‧‧‧支持板之厚度
D‧‧‧剝離膜之厚度
E‧‧‧補強板之突出尺寸
F‧‧‧積層板之研磨面之垂直部之於積層板之板厚方向之尺寸
R‧‧‧曲率半徑
θ‧‧‧角

Claims (8)

  1. 一種積層板之加工方法，其係加工具有基板及可剝離地與該基板結合之補強板的積層板之方法，且具有利用磨石研磨上述積層板之端部之倒角加工步驟，上述基板和上述補強板之界面與上述基板之利用上述磨石研磨而成之研磨面所成之角大於26°且為30°以下。
  2. 如請求項1之積層板之加工方法，其中上述基板為玻璃基板，上述補強板包含可剝離地與上述玻璃基板結合之樹脂膜及隔著該樹脂膜而支持上述玻璃基板之玻璃板。
  3. 如請求項1之積層板之加工方法，其中上述基板為玻璃基板，上述補強板包含可剝離地與上述玻璃基板結合之玻璃板。
  4. 如請求項1之積層板之加工方法，其中上述基板為玻璃基板，上述補強板包含可剝離地與上述玻璃基板結合之無機膜及隔著該無機膜而支持上述玻璃基板之玻璃板。
  5. 一種經加工之積層板，其係具有基板及可剝離地與該基板結合之補強板，且於端部具有利用磨石研磨而成之研磨面者，且上述基板和上述補強板之界面與上述基板之利用上述磨石研磨而成之研磨面所成之角大於26°且為30°以下。
  6. 如請求項5之經加工之積層板，其中上述基板為玻璃基板，上述補強板包含可剝離地與上述玻璃基板結合之樹脂膜及隔著該樹脂膜而支持上述玻璃基板之玻璃板。
  7. 如請求項5之經加工之積層板，其中上述基板為玻璃基板，上述補強板包含可剝離地與上述玻璃基板結合之玻璃板。
  8. 如請求項5之經加工之積層板，其中上述基板為玻璃基板，上述補強板包含可剝離地與上述玻璃基板結合之無機膜及隔著該無機膜而支持上述玻璃基板之玻璃板。
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