TW201332768A - 電子裝置之製造方法 - Google Patents

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Kenichi Ebata
Daisuke Uchida
Junichi Kakuta
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Asahi Glass Co Ltd
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Abstract

本發明係關於一種電子裝置之製造方法，其係製造包含剝離性玻璃基板與電子裝置用構件之電子裝置者，且包括：表面處理步驟，其係利用剝離劑對具有第1主表面及第2主表面之玻璃基板之上述第1主表面進行處理，而獲得具有呈易剝離性之表面之剝離性玻璃基板；硬化性樹脂組成物層形成步驟，其係於上述剝離性玻璃基板之呈易剝離性之表面上塗佈硬化性樹脂組成物，而形成未硬化之硬化性樹脂組成物層；積層步驟，其係將具有較上述未硬化之硬化性樹脂組成物層之外形尺寸小之外形尺寸之載體基板，以於上述未硬化之硬化性樹脂組成物層中殘留未與上述載體基板接觸之周緣區域之方式，積層於上述未硬化之硬化性樹脂組成物層上，而獲得硬化前積層體；硬化步驟，其係使上述硬化前積層體中之上述未硬化之硬化性樹脂組成物層硬化，而獲得具有樹脂層之硬化後積層體；切斷步驟，其係沿著上述硬化後積層體中之上述載體基板之外周緣將上述樹脂層及上述剝離性玻璃基板切斷；構件形成步驟，其係於上述剝離性玻璃基板之上述第2主表面上形成電子裝置用構件，而獲得附電子裝置用構件之積層體；以及分離步驟，其係自附上述電子裝置用構件之積層體將具有上述剝離性玻璃基板與上述電子裝置用構件之電子裝置分離。

Description

電子裝置之製造方法
本發明係關於一種電子裝置之製造方法。
近年來，太陽電池(PV，Photovoltaic，太陽能光伏)、液晶面板(LCD，Liquid Crystal Display，液晶顯示器))、有機EL(Electro Luminescence，電致發光)面板(OLED，Organic Light Emitting Diode，有機發光二極體)等裝置(電子機器)之薄型化、輕量化正不斷進展，該等裝置所使用之玻璃基板之薄板化正不斷進展。若因薄板化而導致玻璃基板之強度不足，則於裝置之製造步驟中玻璃基板之操作性降低。
因此，自先前以來廣泛採用於在較最終厚度厚之玻璃基板上形成裝置用構件(例如，薄膜電晶體)後，藉由化學蝕刻處理而使玻璃基板薄板化之方法。然而，於該方法中，例如於使1片玻璃基板之厚度自0.7 mm薄板化為0.2 mm或0.1 mm之情形時，利用蝕刻液將原本之玻璃基板之大半材料削掉，故而就生產性或原材料之使用效率之觀點而言欠佳。
又，於藉由上述化學蝕刻而產生之玻璃基板之薄板化方法中，於在玻璃基板表面存在微小之損傷之情形時，存在因蝕刻處理而以損傷為起點形成微小之凹坑(腐蝕坑)而成為光學上之缺陷之情況。
最近，為應對上述問題，提出有準備積層有玻璃基板與 增強板之積層體，於在積層體之玻璃基板上形成顯示裝置等電子裝置用構件後自玻璃基板分離增強板之方法(例如，參照專利文獻1)。增強板具有支持體、及固定於該支持體上之樹脂層，且樹脂層與玻璃基板可剝離地密接。將積層體之樹脂層與玻璃基板之界面剝離，自玻璃基板分離之增強板可與新玻璃基板積層，作為積層體而再利用。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第07/018028號小冊子
另一方面，近年來，伴隨著電子裝置之高性能化之要求，電子裝置用構件之更微小化不斷進展，所實施之步驟更繁雜化。即便於該狀況下，亦要求生產性良好地製造性能優異之電子裝置。
本發明者等人使用專利文獻1中記載之積層體進行電子裝置之製造，結果發現有所獲得之電子裝置之性能低劣之情形。例如，進行OLED面板之製作之結果為，有於該面板之驅動區域內產生顯示不均之情形。
本發明者等人對上述原因進行了研究，結果發現，存在專利文獻1中記載之積層體中之樹脂層之厚度不均(尤其於周緣部具有凸部)，其會損害玻璃基板之平坦性，結果使電子裝置之製造良率降低。
於圖8(A)中表示於製作專利文獻1中記載之積層體時所 使用之具有載體基板14與樹脂層18之附樹脂層之載體基板28之剖面圖。於附樹脂層之載體基板28中之樹脂層18之露出表面上積層玻璃基板，而形成積層體。如圖8(A)所示，利用專利文獻1中記載之方法形成之樹脂層18具有厚度不均。尤其，該厚度不均於樹脂層18之外周緣附近較為顯著，且形成凸部80。若於具有該種厚度不均之樹脂層18上積層玻璃基板82，則玻璃基板82之中央部以凹陷之方式彎曲，而損害玻璃基板82之平坦性(參照圖8(B))。由於損害玻璃基板82之平坦性，故而有產生配置於玻璃基板82上之電子裝置用構件之位置偏移等，結果引起電子裝置之性能降低之虞。
又，如圖8(B)所示，若於該種附樹脂層之載體基板28上積層玻璃基板82，則於玻璃基板82與樹脂層18之間形成空隙84。積層體被供給至電子裝置用構件之製造步驟，且導電層等功能層形成於玻璃基板82之露出表面上。此時，使用抗蝕液等各種溶液。
若於積層體中存在空隙84，則各種溶液藉由毛細現象而進入。進入至空隙84之材料即便藉由清洗亦難以去除，乾燥後作為異物而容易殘留。該異物因加熱處理等而成為污染電子裝置用構件之污染源，故而引起電子裝置之性能降低，結果使良率降低。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種使用平坦性優異之附樹脂層之載體基板之生產性優異的電子裝置的製造方法。
本發明者等人為了解決上述問題而進行銳意研究，結果完成本發明。
即，本發明之第1態樣係一種電子裝置之製造方法，其係製造包含剝離性玻璃基板與電子裝置用構件之電子裝置者，且包括：表面處理步驟，其係利用剝離劑對具有第1主表面及第2主表面之玻璃基板之上述第1主表面進行處理，而獲得具有呈易剝離性之表面之剝離性玻璃基板；硬化性樹脂組成物層形成步驟，其係於上述剝離性玻璃基板之呈易剝離性之表面上塗佈硬化性樹脂組成物，而形成未硬化之硬化性樹脂組成物層；積層步驟，其係將具有較上述未硬化之硬化性樹脂組成物層之外形尺寸小之外形尺寸之載體基板，以於上述未硬化之硬化性樹脂組成物層中殘留未與上述載體基板接觸之周緣區域之方式，積層於上述未硬化之硬化性樹脂組成物層上，而獲得硬化前積層體；硬化步驟，其係使上述硬化前積層體中之上述未硬化之硬化性樹脂組成物層硬化，而獲得具有樹脂層之硬化後積層體；切斷步驟，其係沿著上述硬化後積層體中之上述載體基板之外周緣將上述樹脂層及上述剝離性玻璃基板切斷；構件形成步驟，其係於上述剝離性玻璃基板之上述第2主表面上形成電子裝置用構件，而獲得附電子裝置用構件之積層體；以及分離步驟，其係自附上述電子裝置用構件之積層體將具有上述剝離性玻璃基板與上述電子裝置用構件之電子裝置分離。
於第1態樣中，較佳為進而包括消泡步驟，該消泡步驟係於上述積層步驟後且上述硬化步驟前進行上述未硬化之硬化性樹脂組成物層之消泡處理。
於第1態樣中，較佳為上述剝離劑包含具有甲基矽基或氟烷基之化合物。
於第1態樣中，較佳為上述剝離劑含有矽氧油或氟系化合物。
於第1態樣中，較佳為上述樹脂層含有矽氧樹脂。
於第1態樣中，較佳為上述樹脂層為包含具有烯基之有機烯基聚矽氧烷、與具有鍵結於矽原子之氫原子之有機氫聚矽氧烷之組合的加成反應型矽氧之硬化物。
較佳為上述有機氫聚矽氧烷之鍵結於矽原子之氫原子相對於上述有機烯基聚矽氧烷之烯基之莫耳比為0.5~2。
於第1態樣中，較佳為上述樹脂層含有非硬化性之有機矽氧烷5質量%以下。
於第1態樣中，較佳為於上述切斷步驟中，由載物台支持上述硬化後積層體中之載體基板之主表面，並且使上述載體基板之外周抵接於設置於上述載物台上之定位塊。
於第1態樣中，較佳為於上述切斷步驟中，於上述硬化後積層體中之剝離性玻璃基板之表面形成切割線後，沿著切割線將上述硬化後積層體中之剝離性玻璃基板及樹脂層之各者之外周部一次割斷。
根據本發明，可提供一種使用平坦性優異之附樹脂層之 載體基板之生產性優異的電子裝置的製造方法。
以下，參照圖式對用以實施本發明之形態進行說明，但本發明並不限制於以下實施形態，可於不脫離本發明之範圍之情況下對以下實施形態施加各種變形及置換。
本發明者等人對專利文獻1之發明之問題進行了研究，結果發現，受到硬化性樹脂組成物之塗佈所產生之影響、或空氣界面之表面張力之影響，而於樹脂層表面產生凹凸。
因此，發現於使樹脂層以未硬化之狀態與呈現特定之剝離性之玻璃基板接觸而賦予有平坦性後，使其硬化，藉此可獲得包含具有特定之平坦性之樹脂層之積層體，結果可抑制電子裝置之性能降低。
以下，按照各步驟之順序對電子裝置之製造方法進行說明。
再者，於本發明中，將下述之硬化後積層體中之樹脂層與載體基板之層之界面之剝離強度較玻璃基板之層與樹脂層之界面之剝離強度高於以下亦稱為樹脂層固定於載體基板，且樹脂層可剝離地密接於玻璃基板。
[第1實施態樣]
圖1係表示本發明之電子裝置之製造方法之一實施形態之製造步驟的流程圖。如圖1所示，電子裝置之製造方法包括表面處理步驟S102、硬化性樹脂組成物層形成步驟S104、積層步驟S106、硬化步驟S108、切斷步驟S110、構 件形成步驟S112、及分離步驟S114。
又，圖2(A)~2(G)係依序表示本發明之電子裝置之製造方法之各製造步驟之模式性剖面圖。
以下，一面參照圖2(A)~2(G)一面對各步驟中使用之材料及其次序進行詳細敍述。首先，對表面處理步驟S102進行詳細敍述。
[表面處理步驟]
表面處理步驟S102如下之步驟：利用剝離劑對具有第1主表面及第2主表面之玻璃基板之第1主表面進行處理，而獲得具有呈易剝離性之表面之剝離性玻璃基板。藉由實施該步驟S102，而可獲得與下述之樹脂層可剝離地密接之剝離性玻璃基板10(參照圖2(A))。此處所謂之剝離性玻璃基板10，係指具有對於下述之樹脂層呈易剝離性之表面10a之玻璃基板。再者，所謂剝離性玻璃基板之表面具有之易剝離性，係指於施加用以自下述之硬化後積層體將剝離性玻璃基板剝離之外力之情形時，不於載體基板與樹脂層之界面及樹脂層內部剝離而於剝離性玻璃基板與樹脂層之界面剝離之性質。
首先，對本步驟中使用之玻璃基板及剝離劑進行詳細詳述，其後對該步驟S102之次序進行詳細敍述。
(玻璃基板)
玻璃基板係具有第1主表面及第2主表面之板狀基板，藉由剝離劑對其第1主表面進行表面處理。經表面處理而呈現易剝離性之第1主表面與下述之樹脂層可剝離地密接， 於與樹脂層密接之側之相反之側之第2主表面設置有電子裝置用構件。
玻璃基板之種類可為通常者，例如可列舉LCD、OLED等顯示裝置用玻璃基板等。玻璃基板之耐化學品性、耐透濕性優異，且熱收縮率較低。作為熱收縮率之指標，使用JIS(Japanese Industrial Standards，日本工業標準)R3102(1995年改正)中所規定之線膨脹係數。
若玻璃基板之線膨脹係數較大，則構件形成步驟S112大多伴隨有加熱處理，故而容易產生各種不良情形。例如於在玻璃基板上形成TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)之情形時，若將於加熱下形成TFT之玻璃基板冷卻，則有因玻璃基板之熱收縮而使TFT之位置偏移變得過大之虞。
玻璃基板係使玻璃原料熔融並使熔融玻璃成形為板狀而獲得。該種成形方法可為通常者，例如可使用：浮式法、熔融法、流孔下引法、富可法、魯伯法等。又，尤其厚度較薄之玻璃基板係將暫時成形為板狀之玻璃加熱為可成形之溫度，並利用以延伸等手段將其拉長而變薄之方法(再曳引法)成形而獲得。
玻璃基板之玻璃並無特別限定，但較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽為主成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為藉由氧化物換算而得之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃基板之玻璃，採用適於電子裝置用構件之種類 或其製造步驟之玻璃。例如，液晶面板用玻璃基板因鹼金屬成分之溶出而容易對液晶產生影響，故而包含實質上不含有鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)(但是，通常包含鹼土金屬成分)。如此，玻璃基板之玻璃根據所應用之裝置之種類及其製造步驟而適當選擇。
玻璃基板之厚度並無特別限定，就玻璃基板之薄型化及/或輕量化之觀點而言，通常較佳為0.8 mm以下，更佳為0.3 mm以下，進而較佳為0.15 mm以下。於超過0.8 mm之情形時，無法滿足玻璃基板之薄型化及/或輕量化之要求。於0.3 mm以下之情形時，可對玻璃基板賦予良好之軟性。於0.15 mm以下之情形時，可將玻璃基板捲取為輥狀。又，就容易製造玻璃基板、及容易操作玻璃基板等理由而言，玻璃基板之厚度較佳為0.03 mm以上。
再者，玻璃基板亦可包含2層以上，於此情形時，形成各層之材料可為同種材料，亦可為不同種材料。又，於此情形時，「玻璃基板之厚度」係指所有層之合計之厚度。
又，亦可於玻璃基板之一表面積層其他層狀材料。例如，為了增強玻璃基板之強度，可積層樹脂層等，亦可積層氧化銦錫或氧化矽等無機物薄膜層。
(剝離劑)
作為剝離劑，可使用公知之剝離劑，例如可列舉：矽氧系化合物(例如，矽氧油等)、矽烷化劑(例如，六甲基二矽氮烷等)、氟系化合物(例如，氟樹脂等)等。剝離劑可用作乳液型、溶劑型、無溶劑型。就剝離力、安全性、成本等 而言，作為一較佳例，可列舉含有甲基矽基(≡SiCH3、=Si(CH3)2、-Si(CH3)3中之任一者)或氟烷基(-CmF2m+1)(m較佳為1~6之整數)之化合物，作為其他較佳例，可列舉矽氧系化合物或氟系化合物，尤其較佳為矽氧油。
矽氧油之種類並無特別限定，可例示：二甲基矽氧油、甲基苯基矽氧油、甲基氫矽氧油等純矽氧油，於純矽氧油之側鏈或末端導入有烷基、氫基、環氧基、胺基、羧基、聚醚基、鹵基等之改性矽氧油。作為純矽氧油之具體例，可列舉：甲基氫聚矽氧烷、二甲基聚矽氧烷、甲基苯基聚矽氧烷、二苯基聚矽氧烷等，且耐熱性以列舉之順序增加，耐熱性最高者為二苯基聚矽氧烷。該等矽氧油通常用於玻璃基板或經底層處理之金屬基板等基板之表面之撥水處理。
就與玻璃基板之被處理表面結合之處理之效率性之觀點而言，矽氧油較佳為25℃下之動黏度為5000 mm2/s以下，更佳為500 mm2/s以下。動黏度之下限並無特別限制，但考慮到操作方面或成本，較佳為0.5 mm2/s以上。
就與樹脂層之剝離性良好之方面而言，上述矽氧油較佳為純矽氧油，就賦予尤其高之剝離性之方面而言，上述矽氧油較佳為二甲基聚矽氧烷。又，於必需具有剝離性且特別是耐熱性之情形時，較佳為甲基苯基聚矽氧烷或二苯基聚矽氧烷。
氟系化合物之種類並無特別限定，可列舉：全氟烷基銨鹽、全氟烷基磺酸醯胺、全氟烷基磺酸鹽(例如，全氟烷 基磺酸鈉)、全氟烷基鉀鹽、全氟烷基羧酸鹽、全氟烷基環氧乙烷加成物、全氟烷基三甲基銨鹽、全氟烷基胺基磺酸鹽、全氟烷基磷酸酯、全氟烷基化合物、全氟烷基甜菜鹼、全氟烷基鹵化物等。再者，作為含有氟烷基(CmF2m+1)之化合物，例如可列舉上述氟系化合物之例示化合物中之具有氟烷基之化合物。m之上限於剝離性能上並無特別限制，但就操作上之安全性更優異之方面而言，m較佳為1~6之整數。
(步驟之次序)
玻璃基板之表面之處理方法根據所使用之剝離劑而適當選擇最佳方法。通常，藉由將剝離劑賦予(例如塗佈)至玻璃基板之第1主表面之表面而進行處理。
例如，於使用矽氧油之情形時，可列舉將矽氧油塗佈於玻璃基板表面之方法。其中，較佳為於塗佈矽氧油後進行使矽氧油與玻璃基板之被處理表面結合之處理。使矽氧油與被處理表面結合之處理係如將矽氧油之分子鏈切斷之處理，所切斷之斷片與被處理表面結合(以下，將該處理稱為矽氧油之低分子化)。
矽氧油之塗佈方法可為通常之方法。例如，可自噴塗法、擠壓式塗佈法、旋轉塗佈法、浸塗法、輥塗法、棒式塗佈法、絲網印刷法、凹版塗佈法等中根據矽氧油之種類或塗佈量等而適當選擇。
作為塗佈液，較為理想的是使用於己烷、庚烷、二甲苯、異構石蠟等之溶劑中稀釋有矽氧油5質量%以下之溶 液。若超過5質量%，則低分子化之處理時間過長。
塗佈液所含之溶劑視需要利用加熱及/或減壓乾燥等方法去除。亦可藉由低分子化步驟中之加熱而去除。
矽氧油之塗佈量較佳為0.1~10 μg/cm2。若為0.1 μg/cm2以上，則剝離性更優異，就此方面而言較佳，若為10 μg/cm2以下，則塗佈液之塗佈性及低分子化處理性更優異，就此方面而言較佳。
於使矽氧油低分子化之方法中，使用通常之方法，例如有藉由光分解或熱分解而將矽氧油之矽氧鍵切斷之方法。於光分解中利用自低壓水銀燈或氙弧燈等照射之紫外線，亦可併用大氣中之紫外線照射所產生之臭氧。熱分解可利用批次爐、輸送爐等進行，亦可利用電漿或電弧放電等。
若將矽氧油之矽氧鍵、或矽原子與碳原子之鍵切斷，則產生之活性點與被處理表面之羥基等活性基反應。結果為，被處理表面之甲基等疏水性官能基之密度變高，親水性之極性基之密度降低，結果對被處理表面賦予易剝離性。
再者，進行表面處理之玻璃基板之表面較佳為足夠潔淨之面，較佳為剛清洗後之面。作為清洗方法，使用玻璃表面或樹脂表面之清洗中所使用之通常方法。
較理想的是，未進行表面處理之表面由遮罩等保護膜預先保護。
又，於使用六甲基二矽氮烷等矽烷化劑之情形時，較佳為使矽烷化劑之蒸氣與玻璃基板表面接觸。再者，亦可於 加熱玻璃基板之狀態下使其與矽烷化劑之蒸氣接觸。
矽烷化劑之蒸氣濃度較高者即接近飽和濃度者可縮短處理時間，故而較佳。
矽烷化劑與玻璃基板之接觸時間只要不損害剝離性玻璃基板之功能，則可縮短。
藉由上述次序而製造之剝離性玻璃基板之呈易剝離性之表面之表面粗糙度Ra就進一步抑制下述之硬化步驟S108中獲得之樹脂層之厚度不均之方面而言，較佳為2.0 nm以下，更佳為1.0 nm以下，進而較佳為0.5 nm以下。下限並無特別限制，但尤佳為0 nm。
再者，表面粗糙度Ra之測定可使用原子力顯微鏡(Pacific Nanotechnology公司製造，Nano Scope IIIa；Scan Rate 1.0 Hz，Sample Lines256，Off-line Modify Flatten order-2，Planefit order-2等)且依據JIS B 0601(2001)進行。
就容易進一步進行剝離性玻璃基板與樹脂層之界面之剝離之方面而言，剝離性玻璃基板之呈易剝離性之表面之水接觸角較佳為90°以上，更佳為90~120°，進而較佳為90~110°。
再者，水接觸角之測定可使用接觸角計(Kurusu公司製造，DROP SHAPE ANALYSIS SYSTEM DSA 10Mk2等)進行。
[硬化性樹脂組成物層形成步驟]
硬化性樹脂組成物層形成步驟S104係如下之步驟：於上 述表面處理步驟S102中獲得之剝離性玻璃基板之呈易剝離性之表面上塗佈硬化性樹脂組成物，而形成未硬化之硬化性樹脂組成物層。更具體而言，如圖2(B)所示，於剝離性玻璃基板10之呈剝離性之表面10a上形成未硬化之硬化性樹脂組成物層12。
未硬化之硬化性樹脂組成物層與剝離性玻璃基板之呈剝離性之表面未空出間隙地接觸。因此，於下述之硬化步驟S108中，若使該硬化性樹脂組成物層硬化，則可獲得轉印有剝離性玻璃基板之平坦之表面之樹脂層，而可抑制剝離性玻璃基板之變形。
首先，對本步驟中使用之硬化性樹脂組成物進行詳細敍述，其後對該步驟S104之次序進行詳細敍述。
(硬化性樹脂組成物)
本步驟S104中使用之硬化性樹脂組成物係可於下述之硬化步驟S108中形成樹脂層(密接性樹脂層)之組成物。
作為硬化性樹脂組成物中所含之硬化性樹脂，只要具有其硬化膜對於對象物可剝離地密接之密接性即可，可使用公知之硬化性樹脂(例如，熱硬化性組成物、光硬化性組成物等)。例如可列舉：硬化性丙烯酸系樹脂、硬化性胺基甲酸酯樹脂、硬化性矽氧等。亦可混合使用若干種硬化性樹脂。其中，較佳為硬化性矽氧。其原因在於，使硬化性矽氧硬化而獲得之矽氧樹脂之耐熱性或剝離性優異。又，其原因在於，若使用硬化性矽氧，則因與下述之玻璃基板表面之矽烷醇基之縮合反應而容易固定於玻璃基板。
作為硬化性樹脂組成物，較佳為硬化性矽氧樹脂組成物(尤其較佳為使用於剝離紙用之硬化性矽氧樹脂組成物)。使用該硬化性矽氧樹脂組成物而形成之樹脂層密接於玻璃基板表面，並且其自由表面具有優異之易剝離性，故而較佳。
成為該種剝離紙用矽氧樹脂之硬化性矽氧根據其硬化機構而分類為縮合反應型矽氧、加成反應型矽氧、紫外線硬化型矽氧及電子束硬化型矽氧，可使用任一者。於該等中，較佳為加成反應型矽氧。其原因在於，硬化反應容易進行，形成樹脂層時剝離性之程度良好，且耐熱性亦較高。
加成反應型矽氧樹脂組成物係含有主劑及交聯劑且於鉑系觸媒等觸媒之存在下硬化之硬化性組成物。加成反應型矽氧樹脂組成物之硬化係藉由加熱處理而促進。加成反應型矽氧樹脂組成物中之主劑較佳為具有鍵結於矽原子之烯基(乙烯基等)之有機聚矽氧烷(即，有機烯基聚矽氧烷，再者，較佳為直鏈狀)，烯基等成為交聯點。加成反應型矽氧樹脂組成物中之交聯劑較佳為具有鍵結於矽原子之氫原子(氫矽烷基)之有機矽氧烷(即，有機氫聚矽氧烷，再者，較佳為直鏈狀)，氫矽烷基等成為交聯點。
加成反應型矽氧樹脂組成物係藉由主劑與交聯劑之交聯點進行加成反應而硬化。
再者，就源自交聯結構之耐熱性更優異之方面而言，較佳為有機氫聚矽氧烷之鍵結於矽原子之氫原子相對於有機 烯基聚矽氧烷之烯基之莫耳比為0.5~2。
又，用以形成剝離紙等剝離層之硬化性矽氧樹脂組成物就形態而言有溶劑型、乳液型及無溶劑型，可使用任一型。於該等中，較佳為無溶劑型。其原因在於，生產性、安全性、環境特性方面優異。又，其原因在於，因不含有於形成下述之樹脂層時之硬化時即加熱硬化、紫外線硬化或電子束硬化時產生發泡之溶劑，故而氣泡難以殘留於樹脂層中。
又，作為用以形成剝離紙等剝離層之硬化性矽氧樹脂組成物，具體而言可列舉：作為市售之商品名或型號之KNS-320A、KS-847(均為Shin-Etsu Silicones公司製造)、TPR6700(Momentive Performance Materials JaPan有限公司製造)、乙烯基矽氧「8500」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合、乙烯基矽氧「11364」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合、乙烯基矽氧「11365」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合等。
再者，KNS-320A、KS-847及TPR6700為預先含有主劑與交聯劑之硬化性矽氧樹脂組成物。
(步驟之次序)
於剝離性玻璃基板之呈易剝離性之表面上塗佈硬化性樹脂組成物之方法並無特別限制，可採用公知之方法。例如，作為塗佈方法，可列舉：噴塗法、擠壓式塗佈法、旋 轉塗佈法、浸塗法、輥塗法、棒式塗佈法、絲網印刷法、凹版塗佈法等。可自該種方法中根據硬化性樹脂組成物之種類而適當選擇。
又，硬化性樹脂組成物之塗佈量並無特別限制，就可獲得樹脂層之較佳厚度之方面而言，較佳為1~100 g/m2，更佳為5~20 g/m2。
再者，於硬化性樹脂組成物含有溶劑之情形時，亦可視需要進行硬化性樹脂未硬化之程度之加熱處理而使溶劑揮發。
將硬化性樹脂組成物塗佈於剝離性玻璃基板上而獲得之未硬化之硬化性樹脂組成物層之厚度並無特別限制，為了獲得下述之具有較佳厚度之樹脂層而適當調整。
所形成之未硬化之硬化性樹脂組成物層之外形尺寸與剝離性玻璃基板之外形尺寸為相同程度，或較其小。
[積層步驟]
積層步驟S106係如下之步驟：將具有較未硬化之硬化性樹脂組成物層之外形尺寸小之外形尺寸之載體基板，以於上述硬化性樹脂組成物層形成步驟S104中獲得之未硬化之硬化性樹脂組成物層中殘留未與載體基板接觸之周緣區域之方式，積層於未硬化之硬化性樹脂組成物層上，而獲得硬化前積層體(實施硬化處理前之積層體)。換而言之，載體基板以於載體基板之外周露出未硬化之硬化性樹脂組成物層之方式積層於未硬化之硬化性樹脂組成物層上。
更具體而言，如圖2(C)所示，根據本步驟S106，將較未 硬化之硬化性樹脂組成物層12之外形尺寸小之載體基板14，以於未硬化之硬化性樹脂組成物層12中產生未與載體基板14接觸之周緣區域12a之方式，積層於未硬化之硬化性樹脂組成物層12上，而獲得硬化前積層體16。圖3(A)係硬化前積層體16之俯視圖，如該圖所示，未硬化之硬化性樹脂組成物層12之周緣區域12a未與載體基板14接觸。
通常，於未硬化之硬化性樹脂組成物層12之露出表面，因其表面張力之影響而容易於周緣部附近產生凸部(參照圖3(B))。於積層載體基板14時，若與該種凸部接觸，則有於載體基板14與未硬化之硬化性樹脂組成物層12之間產生空隙32等之情形，結果有產生載體基板14與未硬化之硬化性樹脂組成物層12未接觸之區域之情形(圖3(C))。若存在該種區域，則有硬化步驟S108中獲得之樹脂層對於載體基板14之密接性降低之情形。又，亦有產生樹脂層之厚度不均之情形，亦可能成為於附樹脂層之載體基板之露出表面可形成表面凹凸之原因。進而，異物進入至該空隙32中而成為污染電子裝置用構件之污染源，而亦可能成為使電子裝置之良率降低之原因。
因此，藉由使用具有較未硬化之硬化性樹脂組成物層12之外形尺寸小之外形尺寸之載體基板14，而可於不與該凸部接觸之情況下使載體基板14與未硬化之硬化性樹脂組成物層12接觸。結果為，進一步抑制產生載體基板14與未硬化之硬化性樹脂組成物層12未接觸之區域，而使樹脂層對於載體基板14之密接性更優異，並且亦進一步抑制產生樹 脂層之厚度不均。
首先，對本步驟中使用之載體基板進行詳細敍述，其後對該步驟S106之次序進行詳細敍述。
(載體基板)
載體基板係於下述之構件形成步驟S112(製造電子裝置用構件之步驟)中於電子裝置用構件之製造時防止剝離性玻璃基板之變形、附損傷、破損等之基板。
作為載體基板，例如可使用玻璃板、塑膠板、SUS(Steel Use Stainless，日本不鏽鋼標準)板等金屬板等。載體基板於構件形成步驟S112伴隨有熱處理之情形時，較佳為由與剝離性玻璃基板之線膨脹係數之差較小之材料形成，更佳為由與剝離性玻璃基板相同之材料形成，載體基板較佳為玻璃板。尤其，載體基板較佳為包含與剝離性玻璃基板相同之玻璃材料之玻璃板。
載體基板之厚度可較剝離性玻璃基板厚，亦可較其薄。較佳為根據剝離性玻璃基板之厚度、樹脂層之厚度、及下述之切斷後積層體之厚度而選擇載體基板之厚度。例如，現行之構件形成步驟係為了對厚度0.5 mm之構件形成用基板(無載體基板之積層而作為載體基板之單板進行操作之現行之情形)進行構件形成用處理(例如清洗、成膜、曝光現象、檢查等)而設計者，於剝離性玻璃基板之厚度與樹脂層之厚度之和為0.1 mm之情形時，將載體基板之厚度設為0.4 mm。載體基板之厚度於通常之情形時較佳為0.2~5.0 mm。
於載體基板為玻璃板之情形時，就容易操作、難以破裂等理由而言，玻璃板之厚度較佳為0.08 mm以上。又，就期望如於電子裝置用構件形成後進行剝離時不破裂而適度地彎曲般之剛性之理由而言，玻璃板之厚度較佳為1.0 mm以下。
剝離性玻璃基板與載體基板之於25~300℃下之平均線膨脹係數(以下，僅稱為「平均線膨脹係數」)之差較佳為500×10-7/℃以下，更佳為300×10-7/℃以下，進而較佳為200×10-7/℃以下。若差過大，則有於構件形成步驟S112中之加熱冷卻時積層體嚴重翹曲之虞。於剝離性玻璃基板之材料與載體基板之材料相同之情形時，可抑制該種問題產生。
(步驟之次序)
將載體基板積層於未硬化之硬化性樹脂組成物層上之方法並無特別限制，可採用公知之方法。
例如，可列舉於常壓環境下於未硬化之硬化性樹脂組成物層之表面上堆疊載體基板之方法。再者，視需要亦可於在未硬化之硬化性樹脂組成物層之表面上堆疊載體基板後使用輥或壓機使載體基板壓接於未硬化之硬化性樹脂組成物層。藉由利用輥或壓機之壓接，而比較容易去除未硬化之硬化性樹脂組成物層與載體基板之層之間混入之氣泡，故而較佳。
若藉由真空層壓法或真空加壓法壓接，則進行氣泡之混入之抑制或良好之密接之確保，故而更佳。藉由於真空下 壓接，而具有即便於殘留微小之氣泡之情形時亦不會因加熱而使氣泡成長，而難以導致產生載體基板之變形缺陷之優點。
於積層載體基板時，較佳為對與未硬化之硬化性樹脂組成物層接觸之載體基板之表面進行充分清洗，而於清潔度較高之環境下積層。清潔度越高，則載體基板之平坦性越良好，故而較佳。
於藉由上述步驟而獲得之硬化前積層體中依序包含剝離性玻璃基板之層、未硬化之硬化性樹脂組成物層、及載體基板之層。
於該態樣中，未硬化之硬化性樹脂組成物層之外形尺寸較載體基板之外形尺寸大。未硬化之硬化性樹脂組成物層之與載體基板接觸之區域之面積A與未硬化之硬化性樹脂組成物層之總面積B之比(面積A/總面積B)較佳為0.98以下，更佳為0.95以下。若為上述範圍內，則進一步抑制樹脂層之厚度不均之產生。下限並無特別限制，但就生產性等方面而言，較佳為0.75以上，更佳為0.80以上。
又，自載體基板之外周緣至未硬化之硬化性樹脂組成物層之外周緣為止之長度較佳為10 mm以上，更佳為15 mm以上。若為上述範圍內，則進一步抑制樹脂層之厚度不均之產生。上限並無特別限制，但就生產性等方面而言，較佳為100 mm以下。
[硬化步驟]
硬化步驟S108係如下之步驟：對上述積層步驟S106中獲 得之硬化前積層體實施硬化處理，使硬化前積層體中之未硬化之硬化性樹脂組成物層硬化，而獲得具有樹脂層之硬化後積層體(實施硬化處理之積層體)。更具體而言，如圖2(D)所示，藉由實施該步驟，而使未硬化之硬化性樹脂組成物層12硬化從而獲得樹脂層18，而獲得依序具有剝離性玻璃基板10之層、樹脂層18、及載體基板14之層之硬化後積層體20。
以下，對本步驟中實施之步驟之次序進行詳細敍述，其後對所獲得之積層體之構成進行詳細敍述。
(步驟之次序)
本步驟中實施之硬化處理根據所使用之硬化性樹脂之種類而適當選擇最佳方法，但通常進行加熱處理或曝光處理。
於硬化性樹脂組成物層中所含之硬化性樹脂為熱硬化性之情形時，可藉由對未硬化之硬化性樹脂組成物層實施加熱處理而使該層硬化。加熱處理之條件根據所使用之熱硬化性樹脂之種類而適當選擇最佳條件。其中，就硬化性樹脂之硬化速度及所形成之樹脂層之耐熱性等方面而言，較佳為於150~300℃(較佳為180~250℃)下進行加熱處理10~120分鐘(較佳為30~60分鐘)。
於硬化性樹脂組成物層中所含之硬化性樹脂為光硬化性樹脂之情形時，可藉由對未硬化之硬化性樹脂組成物層實施曝光處理而使該層硬化。曝光處理時所照射之光之種類根據光硬化性樹脂之種類而適當選擇，例如可列舉：紫外 光、可見光、紅外光等。又，就硬化性樹脂之硬化速度及所形成之樹脂層之耐光性等方面而言，曝光處理時之照射時間較佳為0.1~10分鐘(較佳為0.5~5分鐘)。
(樹脂層)
其次，對硬化後積層體中之樹脂層進行詳細敍述。
樹脂層之厚度並無特別限定，較佳為1~100 μm，更佳為5~30 μm，進而較佳為7~20 μm。其原因在於，若樹脂層之厚度為該種範圍，則樹脂層與載體基板之密接變得充分。又，其原因在於，即便有於樹脂層與載體基板之間夾雜有氣泡或異物之情形，亦可抑制剝離性玻璃基板之變形缺陷之產生。又，若樹脂層之厚度過厚，則於形成時需要時間及材料，故而不經濟。
再者，樹脂層亦可包含2層以上。於此情形時，「樹脂層之厚度」係指所有層之合計之厚度。
又，於樹脂層包含2層以上之情形時，形成各層之樹脂之種類亦可不同。
樹脂層較佳為包含玻璃轉移點較室溫(25℃左右)低或不具有玻璃轉移點之材料。其原因在於，可更容易地與剝離性玻璃基板剝離，同時與剝離性玻璃基板之密接亦變得充分。
形成樹脂層之樹脂之種類並無特別限定，根據上述硬化性樹脂組成物所含之樹脂之種類而不同。例如可列舉：丙烯酸系樹脂、聚烯烴樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、或矽氧樹脂。其中，如上所述較佳為矽氧樹脂。
再者，樹脂層視需要亦可含有非硬化性之有機矽氧烷，其含量具體而言為5質量%以下(0~5質量%)，較佳為可列舉0.01~1質量%。若非硬化性之有機矽氧烷含於樹脂層中，則下述之分離步驟S114中之剝離性玻璃基板與樹脂層之界面之剝離進一步效率良好地進行。
使樹脂層含有該非硬化性之有機矽氧烷之方法並無特別限制，可列舉添加於上述硬化性樹脂組成物中之方法。
再者，作為非硬化性之有機矽氧烷，可列舉不含有Si-H鍵之矽氧油，具體而言可列舉聚二甲基矽氧烷系或聚甲基苯基矽氧烷系矽氧油等。
(硬化後積層體)
藉由上述硬化步驟而獲得之硬化後積層體依序具有剝離性玻璃基板之層、樹脂層、及載體基板之層。
所獲得之硬化後積層體中，樹脂層固定(接著)於載體基板上，而且可剝離地密接於剝離性玻璃基板。樹脂層係防止剝離性玻璃基板之位置偏移直至於下述之分離步驟S114中進行將剝離性玻璃基板與附樹脂層之載體基板分離之操作為止。
剝離性玻璃基板之與樹脂層接觸之表面可剝離地密接於樹脂層之表面。於本發明中，將該剝離性玻璃基板之可容易剝離之性質稱為易剝離性。
於本發明中，上述固定與(可剝離之)密接於剝離強度(即，剝離所需要之應力)方面存在差異，固定係指相對於密接而言剝離強度較大。具體而言，硬化後積層體中之樹 脂層與載體基板之層之界面之剝離強度較剝離性玻璃基板之層與樹脂層之界面之剝離強度大。
又，可剝離之密接係指可剝離，同時亦指於不產生固定之面之剝離之情況下可剝離。具體而言係指於硬化後積層體中，於進行將剝離性玻璃基板與載體基板分離之操作之情形時，於密接之面剝離，而於固定之面不剝離。因此，若進行將硬化後積層體分離成剝離性玻璃基板與載體基板之操作，則硬化後積層體被分離成剝離性玻璃基板與附樹脂層之載體基板之該2個。
如上所述，使未硬化之硬化性樹脂組成物層於與載體基板表面接觸之狀態下反應硬化，故而所形成之樹脂層較強地接著於載體基板表面。另一方面，未硬化之硬化性樹脂組成物層係於亦與剝離性玻璃基板接觸之狀態下反應硬化，但由於剝離性玻璃基板表面之易剝離性(非附著性)，故而所形成之樹脂層對於剝離性玻璃基板以固體分子間之凡得瓦(Van Der Waals)力所致之結合力等較弱之結合力密接。
[切斷步驟]
切斷步驟S110係沿著上述硬化步驟S108中獲得之硬化後積層體中之載體基板之外周緣將樹脂層及剝離性玻璃基板切斷之步驟。換而言之，係將硬化後積層體中之樹脂層及剝離性玻璃基板之各者之外周部切斷而使載體基板、樹脂層、及剝離性玻璃基板之各者之外周緣之全周對齊之步驟。更具體而言，如圖2(E)所示，根據本步驟，沿著載體 基板14之外周緣將樹脂層18及剝離性玻璃基板10切斷，而獲得切斷後積層體22(實施切斷處理之積層體)。
以下，對本步驟S110之次序進行詳細敍述。
將樹脂層及剝離性玻璃基板切斷之方法並無特別限制，可採用公知之方法。例如，就操作性等方面而言基於圖4~圖6所說明之切斷方法較佳。
圖4係透視載置於載物台上之硬化後積層體之一部分而表示之平面圖，圖5係破壞載置於載物台上之硬化後積層體及加工頭(working head)之一部分而表示之剖面圖，圖6係表示載置於另一載物台上之硬化後積層體及夾持夾具之剖面圖。
如圖4所示，硬化後積層體20係由載物台50支持載體基板14之主表面，並且使載體基板之外周緣抵接於設置於載物台50上之定位塊51~53。
於圖4中，載體基板14之露出表面由載物台50之上表面支持，並且使矩形狀之載體基板14之相互垂直之2邊14a及14b抵接於定位塊51~53。其後，使移動塊54、55接近、抵接於載體基板14之剩餘之各邊14c、14d。
如圖4所示，若使載體基板14之外周緣抵接於定位塊51~53，則載體基板14之外周緣與載物台50之位置對準精度變得良好。因此，將載體基板14之外周緣、與樹脂層18及剝離性玻璃基板10之外周緣精度良好地對齊。
又，設置於載物台50之上表面之複數個吸附孔內由真空泵等減壓，將載體基板14吸附於載物台50之上表面。為了 保護載體基板14，亦可於載物台50之上表面設置樹脂膜等。
其次，攝像裝置對載物台50上之硬化後積層體20進行攝像。所攝像之圖像被傳送至電腦中。電腦對所接收之圖像進行圖像處理，檢測載體基板14之外周緣與載物台50之位置關係。
其次，電腦基於圖像處理之結果而使加工硬化後積層體20之加工頭60相對於載物台50相對移動。加工頭60之移動軌跡以俯視下與載體基板14之外周緣重疊之方式控制(參照圖5)。
再者，於本實施形態中，電腦為了控制加工頭之移動軌跡而利用圖像處理之結果，但亦可取而代之利用預先記錄於硬碟等記錄媒體等中之有關載體基板之形狀尺寸的資訊。於此情形時，不需要攝像裝置。
圖5所示之加工頭60根據剝離性玻璃基板10之種類或厚度等而構成。例如，加工頭60係於剝離性玻璃基板10之表面形成切割線66者且由切割器62等構成。
切割器62例如為圓板狀，且外周部由金剛石或超合金等形成，固持器64可旋轉地被支持。若於將切割器62之外周部按壓於剝離性玻璃基板10之表面之狀態下使固持器64於剝離性玻璃基板10之面內方向上相對移動，則切割器62一面旋轉一面於剝離性玻璃基板10之表面形成切割線66。
切割線66係對應於矩形狀之載體基板14之4邊14a、14b、14c、14d而設置有4條，且各者以俯視下與載體基板 14之對應之邊重疊之方式形成。各切割線66以將剝離性玻璃基板10之表面分斷之方式自剝離性玻璃基板10之一邊延伸至另一邊。
再者，圖5中所示之本實施形態之加工頭60由切割器62等構成，但前端亦可為圓錐狀且由金剛石形成且藉由滑刻而切入切割線之點刻劃器，亦可由雷射光源等構成。雷射光源對剝離性玻璃基板10之表面照射光點。光點於剝離性玻璃基板10之表面上掃描，藉由熱應力而形成切割線66。
於藉由加工頭60形成切割線66後，使真空泵停止動作，使抽吸孔內開放於大氣中，而解除抽吸。其次，使移動塊54、55與載體基板14相離，並且使載體基板14與定位塊51~53相離。其後，硬化後積層體20被提昇至載物台50之上方，然後被移送至另一載物台70之上方。繼而，硬化後積層體20被降至下方，然後被載置於載物台70(參照圖6)。
其次，如圖6所示，設置於載物台70之上表面之複數個抽吸孔內由真空泵等減壓，將載體基板14吸附於載物台70之上表面。於此狀態下，於載物台70之外側伸出一條切割線66。
其次，較一條切割線66靠外側之部分於板厚方向上由夾持夾具72所夾持。於此狀態下，若夾持夾具72向下方向旋動，則對剝離性玻璃基板10及樹脂層18施加彎曲應力，故而以1條切割線66為起點於板厚方向上使裂痕68延伸展開，而將剝離性玻璃基板10及樹脂層18一次割斷(參照圖6)。
其次，解除載物台50上之載體基板14之吸附，硬化後積層體20於平行移動或旋動90°後再次被吸附。其後，沿著另一條切割線66將剝離性玻璃基板10及樹脂層18割斷。重複進行上述動作，沿著4條切割線66將剝離性玻璃基板10及樹脂層18割斷。
再者，於本實施形態中，為了進行割斷，將硬化後積層體自載物台50移送至另一載物台70，但亦可於相同之載物台50上平行移動或旋動90°後進行割斷。又，亦可視需要對割斷部實施倒角處理。
[構件形成步驟]
構件形成步驟S112係如下之步驟：於上述切斷步驟S110中獲得之切斷後積層體中之剝離性玻璃基板之第2主表面上形成電子裝置用構件，而獲得附電子裝置用構件之積層體。
更具體而言，如圖2(F)所示，於剝離性玻璃基板10之第2主表面10b上形成電子裝置用構件24，而獲得附電子裝置用構件之積層體26。
首先，對本步驟中使用之電子裝置用構件進行詳細敍述，其後對步驟之次序進行詳細敍述。
(電子裝置用構件(功能性元件))
電子裝置用構件係形成於切斷後積層體中之剝離性玻璃基板之第2主表面上而構成電子裝置之至少一部分之構件。更具體而言，作為電子裝置用構件，可列舉：顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜二次電池、或於表面形成有電 路之半導體晶圓等電子零件等中所使用之構件。作為顯示裝置用面板，包含有機EL面板、電漿顯示器面板、場發射面板等。
例如，作為太陽電池用構件，就矽型而言，可列舉：正極之氧化錫等透明電極、由p層/i層/n層表示之矽層、及負極金屬等，除此以外，可列舉與化合物型、色素增感型、量子點型等對應之各種構件等。
又，作為薄膜二次電池用構件，就鋰離子型而言，可列舉：正極及負極金屬或金屬氧化物等透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬、作為密封層之樹脂等，除此以外，可列舉與鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質型等對應之各種構件等。
又，作為電子零件用構件，就CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合器件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體)而言，可列舉：導電部之金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等，除此以外，可列舉與壓力感測器、加速感測器等各種感測器或硬性印刷基板、軟性印刷基板、硬性軟性印刷基板等對應之各種構件等。
(步驟之次序)
上述附電子裝置用構件之積層體之製造方法並無特別限定，根據電子裝置用構件之構成構件之種類而利用先前公知之方法，於切斷後積層體之剝離性玻璃基板之第2主表面上形成電子裝置用構件。
再者，電子裝置用構件亦可並非為最終形成於剝離性玻璃基板之第2主表面之構件之全部(以下稱為「全部構件」)，而為全部構件之一部分(以下稱為「部分構件」)。亦可將自樹脂層剝離之附部分構件之剝離性玻璃基板於之後之步驟中設為附全部構件之剝離性玻璃基板(與下述之電子裝置相當)。
又，亦可組裝附全部構件之積層體，並於其後自附全部構件之積層體將附樹脂層之載體基板剝離而製造電子裝置。進而，亦可使用2片附全部構件之積層體組裝電子裝置，並於其後自附全部構件之積層體將2片附樹脂層之載體基板剝離而製造電子裝置。
例如，若取製造OLED之情形為例，則為了於切斷後積層體之剝離性玻璃基板之與樹脂層側相反之側之表面上(與剝離性玻璃基板之第2主表面相當)形成有機EL結構體，而進行形成透明電極，進而於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層等，形成背面電極，使用密封板密封等各種層形成或處理。作為該種層形成或處理，具體而言，例如可列舉：成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
又，例如，TFT-LCD之製造方法具有如下等各步驟：TFT形成步驟，其係於切斷後積層體之剝離性玻璃基板之第2主表面上，使用抗蝕液圖案形成於藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法及濺鍍法等通常之成膜法而形成之金屬膜及金屬氧化膜等而形成薄膜電晶體 (TFT)；CF(Color Filter，彩色濾光片)形成步驟，其係於另一切斷後積層體之玻璃基板之第2主表面1上，將抗蝕液用於圖案形成而形成彩色濾光片(CF)；以及貼合步驟，其係將TFT形成步驟中獲得之附TFT之積層體與CF形成步驟中獲得之附CF之積層體以TFT與CF相對向之方式介隔片材積層。
於TFT形成步驟或CF形成步驟中，使用眾所周知之光微影技術或蝕刻技術等於剝離性玻璃基板之第2主表面形成TFT或CF。此時，作為圖案形成用之塗佈液，使用抗蝕液。
再者，於形成TFT或CF前，視需要亦可清洗剝離性玻璃基板之第2主表面。作為清洗方法，可使用眾所周知之乾式清洗或濕式清洗。
於貼合步驟中，例如於附TFT之積層體與附CF之積層體之間注入液晶材而積層。作為注入液晶材之方法，例如有減壓注入法、滴下注入法。
[分離步驟]
分離步驟S114係如下之步驟：自上述構件形成步驟S112中獲得之附電子裝置用構件之積層體，以剝離性玻璃基板與樹脂層之界面為剝離面去除具有樹脂層及載體基板之附樹脂層之載體基板，而獲得具有剝離性玻璃基板與電子裝置用構件之電子裝置。更具體而言，如圖2(G)所示，根據該步驟S114，自附電子裝置用構件之積層體26將附樹脂層之載體基板28分離、去除，而獲得包含剝離性玻璃基板10 與電子裝置用構件24之電子裝置30。
於剝離時之剝離性玻璃基板上之電子裝置用構件為所需之全部構成構件之形成之一部分之情形時，亦可於分離後於剝離性玻璃基板上形成剩餘之構成構件。
將剝離性玻璃基板與樹脂層剝離之方法並無特別限定。具體而言，例如可於剝離性玻璃基板與樹脂層之界面***銳利之刀具狀者而賦予剝離之起點，然後噴出水與壓縮空氣之混合流體等進行剝離。較佳為以附電子裝置用構件之積層體中之載體基板成為上側、電子裝置用構件成為下側之方式設置於壓盤上，將電子裝置用構件側真空吸附於壓盤上，於該狀態下首先使刀具進入至剝離性玻璃基板與樹脂層之界面。而且，於其後利用複數個真空吸附墊吸附載體基板側，自***有刀具之部位附近依序使真空吸附墊上升。如此一來，於剝離性玻璃基板與樹脂層之界面形成空氣層，且該空氣層擴展於界面之整個面，而可容易將附樹脂層之載體基板剝離。
又，於自附電子裝置用構件之積層體去除附樹脂層之載體基板時，藉由控制電離器之噴出或濕度，而可抑制可能對電子裝置產生影響之靜電。或者，亦可於電子裝置組入消耗靜電之電路，或組入犧牲電路而自端子部至積層體外取得導通。
藉由上述步驟而獲得之電子裝置較佳用於行動電話或PDA(Personal Digital Assistant，個人數位助理)之類之移動末端所使用之小型顯示裝置之製造。顯示裝置主要為 LCD或OLED，作為LCD，包含TN(Twisted Nematic，扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)型、FE(Field Effect，場效應)型、TFT型、MIM(Metal Insulator Metal，金屬-絕緣體-金屬)型、IPS(In-Plane Switching，橫向電場驅動)型、VA(Vertical Alignment，垂直配向)型等。基本上於被動驅動型、主動驅動型中之任一型顯示裝置之情形時均可應用。
[第2實施態樣]
圖7係表示本發明之電子裝置之製造方法之另一實施形態中之製造步驟的流程圖。如圖7所示，電子裝置之製造方法包括：表面處理步驟S102、硬化性樹脂組成物層形成步驟S104、積層步驟S106、消泡步驟S116、硬化步驟S108、切斷步驟S110、構件形成步驟S112、及分離步驟S114。
圖7所示之各步驟除包括消泡步驟S116之該點外，為與圖1所示之步驟相同之次序，於相同之步驟中標附相同之參照符號，並省略其說明，以下主要對消泡步驟S116進行說明。
[消泡步驟]
消泡步驟S116係於上述積層步驟S106後且硬化步驟S108前進行未硬化之硬化性樹脂組成物層之消泡處理之步驟。藉由設置該步驟S116，而自未硬化之硬化性樹脂組成物層去除氣泡或易揮發成分，而使所獲得之樹脂層與載體基板之密接性進一步強化。
消泡步驟之處理方法根據所使用之未硬化之硬化性樹脂組成物層之材料而適當選擇最佳方法，例如可列舉：使用真空泵之減壓消泡、或使用離心力之離心分離消泡、使用超音波消泡裝置之超音波消泡等。就生產性等方面而言，較佳為於減壓下進行消泡處理之減壓消泡，作為其條件，較佳為於1000 Pa以下(較佳為100 Pa以下)實施消泡處理1~30分鐘左右。
[實施例]
以下，藉由實施例等對本發明進行具體說明，但本發明並不由該等例限定。
於以下之實施例1及4~6、比較例1~2中，作為剝離性玻璃基板用之玻璃基板，使用包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(縱760 mm，橫640 mm，板厚0.3 mm，線膨脹係數38×10-7/℃，旭硝子公司製造，商品名「AN100」)。又，作為載體基板，相同地使用包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(縱720 mm，橫600 mm，板厚0.7 mm，線膨脹係數38×10-7/℃，旭硝子公司製造，商品名「AN100」)。
(實施例1)
對用作剝離性玻璃基板之玻璃基板進行純水清洗、UV(Ultraviolet，紫外線)清洗，而使表面潔淨化。其後，於玻璃基板之單面即第2主表面實施遮罩，然後於相反側之第1主表面噴塗矽氧油含量為1質量%之庚烷溶液並進行乾燥。矽氧油係使用二甲基聚矽氧烷(Dow Corning Toray公司製造，SH200，動黏度190~210 mm2/s)。繼而，為了 實現矽氧油之低分子化，進行350℃下之加熱處理5分鐘，而獲得剝離性玻璃基板。
其後，使用接觸角計(kurusu公司製造，DROP SHAPE ANALYSIS SYSTEM DSA 10Mk2)測定剝離性玻璃基板之第1主表面之水接觸角，結果為100°。
又，使用原子力顯微鏡(Pacific Nanotechnology公司製造，Nano Scope IIIa；Scan Rate 1.0 Hz，Sample Lines256，Off-line Modify Flatten order-2，Planefit order-2)測定剝離性玻璃基板之第1主表面之平均表面粗糙度Ra，結果為0.5 nm。平均表面粗糙度Ra係根據測定範圍10 μm見方之測定值而算出。
其次，於剝離性玻璃基板之第1主表面上，將於兩末端具有乙烯基之直鏈狀有機烯基聚矽氧烷(乙烯基矽氧，荒川化學工業公司製造，8500)、於分子內具有氫矽烷基之甲基氫矽氧烷(荒川化學工業公司製造，12031)、及鉑系觸媒(荒川化學工業公司製造，CAT12070)之混合液利用絲網印刷機塗敷成縱750 mm、橫630 mm之大小且長方形，將含有未硬化之硬化性矽氧之層設置於剝離性玻璃基板上(塗敷量35 g/m2)。此處，直鏈狀有機烯基聚矽氧烷、與甲基氫聚矽氧烷之混合比係以乙烯基與氫矽烷基之莫耳比成為1：1之方式調節。又，鉑系觸媒相對於直鏈狀有機烯基聚矽氧烷與甲基氫聚矽氧烷之合計100質量份設為5質量份。
其次，對板厚0.4 mm之載體基板之與矽氧樹脂接觸之側 之面(第1主表面)進行純水清洗，其後進行UV清洗而使其潔淨化。其後，將載體基板之第1主表面、與含有未硬化之硬化性矽氧之層於室溫下利用真空壓機貼合，並於30 Pa下靜置5分鐘，進行含有未硬化之硬化性矽氧之層之消泡處理，而獲得硬化前積層體A0。此時，以於含有未硬化之硬化性矽氧之層中殘留未與載體基板接觸之周緣區域之方式，將載體基板積層於含有未硬化之硬化性矽氧之層上。再者，自載體基板之外周緣至未硬化之硬化性樹脂組成物層之外周緣之長度為約15 mm以上。又，未硬化之硬化性樹脂組成物層之與載體基板接觸之區域之面積A與未硬化之硬化性樹脂組成物層之總面積B之比(面積A/總面積B)為0.91。
其次，將其於250℃下於大氣中加熱硬化30分鐘，而獲得含有厚度10 μm之硬化之矽氧樹脂層之硬化後積層體A1。
繼而，於安裝有定位夾具之壓盤上固定硬化後積層體A1之載體基板，自壓盤之上表面以與載體基板之外周緣中之一邊重疊之方式，於剝離性玻璃基板之第2主表面上利用金剛石輪切割器刻劃切割線後，利用夾持夾具將剝離性玻璃基板之切割線之外側夾入並割斷。同樣地，亦將與載體基板之外周緣之剩餘之3邊重疊之剝離性玻璃之外側割斷，之後利用具有曲面之磨石對剝離性玻璃基板之割斷面進行研磨並實施倒角，而獲得切斷後積層體A2。
繼而，將切斷後積層體A2之剝離性玻璃基板之與矽氧樹 脂之接觸面相反之面(第2主表面)真空吸附於壓盤後，於剝離性玻璃基板之4個部位之角部中之1個部位之角部的剝離性玻璃基板與矽氧樹脂層之界面***厚度0.1 mm之不鏽鋼製刀具，對剝離性玻璃基板與矽氧樹脂層之界面賦予剝離之起點。而且，於利用24個真空吸附墊吸附載體基板表面後，自靠近***刀具之角部之吸附墊依序使其上升。此處，刀具之***係一面自電離器(KEYENCE公司製造)將除電性流體噴出至該界面一面進行。其次，一面自電離器繼續向形成之空隙噴出除電性流體一面提拉真空吸附墊。其結果為，可於壓盤上將於第1主表面形成有矽氧樹脂層之載體基板(附樹脂層之載體基板)剝離。此時，於剝離性玻璃基板之與矽氧樹脂層密接之面(第1主表面)上未目視觀察到矽氧樹脂之附著。再者，根據該結果確認，樹脂層與載體基板之層之界面之剝離強度較剝離性玻璃基板之層與樹脂層之界面之剝離強度大。
(實施例2)
作為載體基板及玻璃基板，使用包含鈉鈣玻璃之玻璃板，除此以外藉由與實施例1相同之方法獲得切斷後積層體B2。再者，使用之載體基板與玻璃基板之大小、與實施例1中使用之載體基板與玻璃基板之大小相同。
其次，藉由與實施例1相同之方法，自切斷後積層體B2將附樹脂層之載體基板剝離，而獲得鈉鈣玻璃基板B3(剝離性玻璃基板)。此時，於鈉鈣玻璃基板B3之與矽氧樹脂層密接之面(第1主表面)上未目視觀察到矽氧樹脂之附著。
(實施例3)
作為載體基板及玻璃基板，使用包含經化學強化之玻璃板之玻璃板，除此以外藉由與實施例1相同之方法獲得切斷後積層體C2。再者，使用之載體基板與玻璃基板之大小、與實施例1中使用之載體基板與玻璃基板之大小相同。
其次，藉由與實施例1相同之方法，自切斷後積層體C2將附樹脂層之載體基板剝離，而獲得經化學強化之玻璃基板C3(剝離性玻璃基板)。此時，於玻璃基板C3之與矽氧樹脂層密接之面(第1主表面)上未目視觀察到矽氧樹脂之附著。
(實施例4)
對玻璃基板之第1主表面上即與矽氧樹脂接觸之側之面進行純水清洗，其後進行UV清洗而使其潔淨化，進而於潔淨化之面藉由磁控濺鍍法(加熱溫度300℃，成膜壓力5 mTorr，功率密度0.5 W/cm2)形成厚度10 nm之氧化銦錫之薄膜(片材電阻300 Ω/□)，其後於氧化銦錫之薄膜上噴塗矽氧油含量為1質量%之庚烷溶液並進行乾燥，除此以外藉由與實施例1相同之方法獲得切斷後積層體D2。
其次，藉由與實施例1相同之方法，自切斷後積層體D2將附樹脂層之載體基板剝離，而獲得於第1主表面形成有氧化銦錫之薄膜層之玻璃基板D3(剝離性玻璃基板)。此時，於玻璃基板D3之與矽氧樹脂層密接之面(第1主表面)上未目視觀察到矽氧樹脂之附著。
(實施例5)
於本例中，使用實施例1中獲得切斷後積層體A2製作OLED。
更具體而言，於切斷後積層體A2之剝離性玻璃基板之第2主表面上，藉由濺鍍法使鉬成膜，且藉由使用光微影法之蝕刻形成閘極電極。其次，藉由電漿CVD法於設置有閘極電極之剝離性玻璃基板之第2主表面側進而使氮化矽、本徵非晶矽、n型非晶矽依序成膜，繼而藉由濺鍍法使鉬成膜，且藉由使用光微影法之蝕刻形成閘極絕緣膜、半導體元件部及源極/汲極電極。其次，藉由電漿CVD法於剝離性玻璃基板之第2主表面側進而使氮化矽成膜而形成鈍化層後，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，且藉由使用光微影法之蝕刻形成像素電極。
繼而，於剝離性玻璃基板之第2主表面側，進而藉由蒸鍍法使作為正孔注入層之4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺、作為正孔輸送層之雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺、於作為發光層之8-羥基喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合有40體積%之2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二甲腈(BSN-BCN)者、及作為電子輸送層之Alq3依序成膜。其次，於剝離性玻璃基板之第2主表面側藉由濺鍍法使鋁成膜，且藉由使用光微影法之蝕刻形成對向電極。其次，於形成有對向電極之剝離性玻璃基板之第2主表面上，介隔紫外線硬化型之接著層貼合另一片玻璃基板並進行密封。藉由上述次序而獲得之於剝離性玻璃基 板上具有有機EL結構體之切斷後積層體A2與附載體基板之顯示裝置用面板(面板A2)(附電子裝置用構件之積層體)相當。
繼而，將面板A2之密封體側真空吸附於壓盤，於面板A2之角部之剝離性玻璃基板與矽氧樹脂層之界面***厚度0.1 mm之不鏽鋼製刀具，自面板A2將附樹脂層之載體基板分離，而獲得OLED面板(與電子裝置相當，以下稱為面板A)。
於製作之面板A連接IC(Integrated Circuit，積體電路)驅動器並使其驅動，結果於驅動區域內未確認到顯示不均。
(實施例6)
於本例中，使用實施例1中獲得之切斷後積層體A2製作LCD。
準備2片切斷後積層體A2，首先，於一片切斷後積層體A2之剝離性玻璃基板之第2主表面上，藉由濺鍍法使鉬成膜，且藉由使用光微影法之蝕刻形成閘極電極。其次，藉由電漿CVD法於設置有閘極電極之剝離性玻璃基板之第2主表面側進而使氮化矽、本徵非晶矽、n型非晶矽依序成膜，繼而藉由濺鍍法使鉬成膜，且藉由使用光微影法之蝕刻形成閘極絕緣膜、半導體元件部及源極/汲極電極。其次，藉由電漿CVD法於剝離性玻璃基板之第2主表面側進而使氮化矽成膜而形成鈍化層後，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，且藉由使用光微影法之蝕刻形成像素電極。其次，於形成有像素電極之剝離性玻璃基板之第2主表面上，藉 由輥塗法塗佈聚醯亞胺樹脂液，藉由熱硬化而形成配向層，且進行摩擦。將所獲得之切斷後積層體A2稱為切斷後積層體A2-1。
其次，於另一片切斷後積層體A2之剝離性玻璃基板之第2主表面上，藉由濺鍍法使鉻成膜，且藉由使用光微影法之蝕刻形成遮光層。其次，於設置有遮光層之剝離性玻璃基板之第2主表面側進而藉由擠壓式塗佈法塗佈彩色光阻，藉由光微影法及熱硬化形成彩色濾光片層。其次，於剝離性玻璃基板之第2主表面側進而藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，形成對向電極。其次，於設置有對向電極之剝離性玻璃基板之第2主表面上，藉由擠壓式塗佈法塗佈紫外線硬化樹脂液，藉由光微影法及熱硬化形成柱狀間隔件。其次，於形成有柱狀間隔件之剝離性玻璃基板之第2主表面上，藉由輥塗法塗佈聚醯亞胺樹脂液，藉由熱硬化而形成配向層，且進行摩擦。其次，於剝離性玻璃基板之第2主表面側，藉由分配法將片材用樹脂液描畫成框狀，於框內藉由分配法滴下液晶後，使用上述切斷後積層體A2-1將2片切斷後積層體A2之剝離性玻璃基板之第2主表面側彼此貼合，藉由紫外線硬化及熱硬化而獲得具有LCD面板之積層體。將此處之具有LCD面板之積層體於以下稱為附面板之積層體B2。
其次，與實施例1同樣地，自附面板之積層體B2將兩面之附樹脂層之載體基板剝離，而獲得包含形成有TFT陣列之玻璃基板及形成有彩色濾光片之玻璃基板之LCD面板 B(與電子裝置相當)。
於製作之LCD面板B連接IC驅動器並使其驅動，結果於驅動區域內未確認到顯示不均。
(比較例1)
與實施例1同樣地，對載體基板之第1主表面進行純水清洗、UV清洗，而使其潔淨化。
其次，將實施例1中之於末端具有乙烯基之直鏈狀有機烯基聚矽氧烷、於分子內具有氫矽烷基之甲基氫聚矽氧烷、及鉑系觸媒之混合液99.5質量份與矽氧油(Dow Corning Toray公司製造，SH200)0.5質量份之混合物藉由絲網印刷而塗佈於載體基板之第1主表面上。其次，將其於250℃下於大氣中加熱硬化30分鐘，而形成厚度10 μm之硬化之矽氧樹脂層。
繼而，對玻璃基板之第1主表面進行純水清洗、UV清洗而使其潔淨化後，於室溫下藉由真空壓機使其與形成於載體基板之第1主表面上之矽氧樹脂層密接，而獲得積層體P1。
而且，於積層體P1之玻璃基板上，藉由與實施例5相同之次序製作OLED後將附樹脂層之載體基板剝離，而獲得OLED面板(以下稱為面板P)。
於製作之面板P連接IC驅動器並使其驅動，結果於驅動區域內確認到顯示不均，不良部存在於與積層體P1之端部附近相當之部分。
(比較例2)
以與比較例1相同之方法獲得2片積層體P1。
其次，依據與實施例6相同之次序，使用2片積層體P1獲得具有LCD面板之積層體。進而，自所獲得之積層體將兩面之附樹脂層之載體基板剝離，而獲得LCD面板(以下稱為面板Q)。
於製作之面板Q連接IC驅動器並使其驅動，結果於驅動區域內確認到顯示不均，不良部存在於與積層體P1之端部附近相當之部分。
如上述實施例5及6所示，根據本發明之電子裝置之製造方法，可良率良好地製造性能優異之電子裝置。
另一方面，於專利文獻1中記載之先前之方法中，如上述比較例1及2所示，有引起所獲得之電子裝置之性能降低之情形。於比較例1及2中，於電子裝置之端部(周緣部)附近觀察到顯示不均。認為其係如上所述般因藉由硬化處理而獲得之樹脂層(尤其是樹脂層之外周緣附近)存在厚度不均，而於玻璃基板與樹脂層之間產生空隙，異物進入至該空隙中而產生電子裝置之性能降低。
本申請案係基於2011年10月12日提出申請之日本專利申請案2011-225239者，其內容作為參照而併入本文。
10‧‧‧剝離性玻璃基板
12‧‧‧未硬化之硬化性樹脂組成物層
14‧‧‧載體基板
16‧‧‧硬化前積層體
18‧‧‧樹脂層
20‧‧‧硬化後積層體
22‧‧‧切斷後積層體
24‧‧‧電子裝置用構件
26‧‧‧附電子裝置用構件之積層體
28‧‧‧附樹脂層之載體基板
30‧‧‧電子裝置
32‧‧‧空隙
50‧‧‧載物台
51~53‧‧‧定位塊
54‧‧‧移動塊
55‧‧‧移動塊
60‧‧‧加工頭
62‧‧‧切割器
64‧‧‧固持器
66‧‧‧切割線
68‧‧‧裂痕
70‧‧‧載物台
72‧‧‧夾持夾具
80‧‧‧凸部
82‧‧‧玻璃基板
84‧‧‧空隙
圖1係表示本發明之電子裝置之製造方法之一實施形態之製造步驟的流程圖。
圖2(A)~2(G)係按照步驟順序表示本發明之電子裝置之製造方法之一實施形態之模式性剖面圖。
圖3(A)係於積層步驟中獲得之硬化前積層體之俯視圖。圖3(B)係表示載體基板之積層前之狀態之部分剖面圖。圖3(C)係表示積層載體基板後之狀態之部分剖面圖。
圖4係透視載置於載物台上之硬化後積層體之一部分而表示之平面圖。
圖5係破壞載置於載物台上之硬化後積層體及加工頭之一部分而表示之剖面圖。
圖6係表示載置於另一載物台上之硬化後積層體及夾持夾具之剖面圖。
圖7係表示本發明之電子裝置之製造方法之另一實施形態之製造步驟的流程圖。
圖8(A)係基於先前技術之附樹脂層之載體基板之剖面圖。圖8(B)係基於先前技術之積層體之端部之部分剖面圖。
10‧‧‧剝離性玻璃基板
14‧‧‧載體基板
18‧‧‧樹脂層
20‧‧‧硬化後積層體
50‧‧‧載物台
52‧‧‧定位塊
60‧‧‧加工頭
62‧‧‧切割器
64‧‧‧固持器
66‧‧‧切割線

Claims (10)

  1. 一種電子裝置之製造方法，其係製造包含剝離性玻璃基板與電子裝置用構件之電子裝置者，且包括：表面處理步驟，其係利用剝離劑對具有第1主表面及第2主表面之玻璃基板之上述第1主表面進行處理，而獲得具有呈易剝離性之表面之剝離性玻璃基板；硬化性樹脂組成物層形成步驟，其係於上述剝離性玻璃基板之呈易剝離性之表面上塗佈硬化性樹脂組成物，而形成未硬化之硬化性樹脂組成物層；積層步驟，其係將具有較上述未硬化之硬化性樹脂組成物層之外形尺寸小之外形尺寸之載體基板，以於上述未硬化之硬化性樹脂組成物層中殘留未與上述載體基板接觸之周緣區域之方式，積層於上述未硬化之硬化性樹脂組成物層上，而獲得硬化前積層體；硬化步驟，其係使上述硬化前積層體中之上述未硬化之硬化性樹脂組成物層硬化，而獲得具有樹脂層之硬化後積層體；切斷步驟，其係沿著上述硬化後積層體中之上述載體基板之外周緣將上述樹脂層及上述剝離性玻璃基板切斷；構件形成步驟，其係於上述剝離性玻璃基板之上述第2主表面上形成電子裝置用構件，而獲得附電子裝置用構件之積層體；以及分離步驟，其係自附上述電子裝置用構件之積層體將 具有上述剝離性玻璃基板與上述電子裝置用構件之電子裝置分離。
  2. 如請求項1之電子裝置之製造方法，其進而包括消泡步驟，該消泡步驟係於上述積層步驟後且上述硬化步驟前進行上述未硬化之硬化性樹脂組成物層之消泡處理。
  3. 如請求項1或2之電子裝置之製造方法，其中上述剝離劑包含含有甲基矽基或氟烷基之化合物。
  4. 如請求項1或2之電子裝置之製造方法，其中上述剝離劑含有矽氧油或氟系化合物。
  5. 如請求項1至4中任一項之電子裝置之製造方法，其中上述樹脂層含有矽氧樹脂。
  6. 如請求項1至5中任一項之電子裝置之製造方法，其中上述樹脂層為包含具有烯基之有機烯基聚矽氧烷、與具有鍵結於矽原子之氫原子之有機氫聚矽氧烷之組合的加成反應型矽氧之硬化物。
  7. 如請求項6之電子裝置之製造方法，其中上述有機氫化聚矽氧烷之鍵結於矽原子之氫原子相對於上述有機烯基聚矽氧烷之烯基之莫耳比為0.5~2。
  8. 如請求項1至7中任一項之電子裝置之製造方法，其中上述樹脂層含有非硬化性之有機聚矽氧烷5質量%以下。
  9. 如請求項1至8中任一項之電子裝置之製造方法，其中於上述切斷步驟中，由載物台支持上述硬化後積層體中之載體基板之主表面，並且使上述載體基板之外周抵接於設置於上述載物台上之定位塊。
  10. 如請求項1至9中任一項之電子裝置之製造方法，其中於上述切斷步驟中，於在上述硬化後積層體中之剝離性玻璃基板之表面形成切割線後，沿著該切割線將上述硬化後積層體中之剝離性玻璃基板及樹脂層之各者之外周部一次割斷。
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