KR102133780B1

KR102133780B1 - 적층판의 가공 방법, 가공된 적층판

Info

Publication number: KR102133780B1
Application number: KR1020130152304A
Authority: KR
Inventors: 아키라 와가츠마; 유타카 오츠보; 유키 다테야마
Original assignee: 에이지씨 가부시키가이샤
Priority date: 2012-12-10
Filing date: 2013-12-09
Publication date: 2020-07-14
Also published as: KR20140074852A; JP6003604B2; JP2014114183A; CN103864294B; TWI584957B; TW201433462A; CN103864294A

Abstract

본 발명은 기판 및 상기 기판과 박리 가능하게 결합한 보강판을 갖는 적층판의 가공 방법으로서, 상기 적층판의 단부를 지석으로 연삭하는 모따기 공정을 갖고, 상기 기판과 상기 보강판의 계면과, 상기 기판의 상기 지석으로 연삭한 연삭면이 이루는 각이 26° 보다 크고 30° 이하인 적층판의 가공 방법에 관한 것이다.

Description

적층판의 가공 방법, 가공된 적층판{METHOD FOR PROCESSING LAMINATED SHEET AND PROCESSED LAMINATED SHEET}

본 발명은 적층판의 가공 방법, 가공된 적층판에 관한 것이다.

액정 패널(LCD)이나 플라스마 패널(PDP), 유기 EL 패널(OLED) 등의 표시 패널, 태양 전지, 박막 2차 전지 등의 전자 디바이스는 박형화, 경량화가 요망되고 있고, 이들 전자 디바이스에 사용되는 기판의 박판화가 진행하고 있다. 박판화에 의해 기판의 강성이 낮아지면, 기판의 핸들링성이 나빠진다. 추가로, 박판화에 의해 기판의 두께가 바뀌면, 기존의 설비를 사용한 전자 디바이스의 제조가 곤란해진다.

따라서, 보강판과 박리 가능하게 결합한 기판 상에 소정의 기능막(예를 들어, 도전층)을 형성한 후, 기판과 보강판을 박리하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 상기 방법에 의하면, 기판의 핸들링성을 확보할 수 있고, 또한, 기존의 설비를 사용한 박형의 전자 디바이스의 제조를 할 수 있다.

일본 특허 공개 2007-326358호 공보

기판 및 상기 기판과 박리 가능하게 결합한 보강판을 갖는 적층판의 단부는, 내충격성의 향상을 목적으로 하여, 지석으로 연삭되어, 모따기 되는 경우가 있다.

기판의 지석으로 연삭한 연삭면에는 마이크로 균열이 발생하는 경우가 있고, 발생한 마이크로 균열이 기판과 보강판의 계면에 달하여, 기판이 손상되는 경우가 있었다.

또한, 기판과, 보강판과의 박리 조작에 의해 기판이 깨지는 경우가 있었다.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 연마 시의 손상 및 박리 시의 깨짐을 억제할 수 있는 적층판의 가공 방법의 제공을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일 형태에 의하면,

기판 및 상기 기판과 박리 가능하게 결합한 보강판을 갖는 적층판의 가공 방법으로서,

상기 적층판의 단부를 지석으로 연삭하는 모따기 공정을 갖고,

상기 기판과 상기 보강판의 계면과, 상기 기판의 상기 지석으로 연삭한 연삭면이 이루는 각이 26° 보다 크고 30° 이하인 적층판의 가공 방법이 제공된다.

본 발명에 따르면, 연마 시의 손상 및 박리 시의 깨짐을 억제할 수 있는 적층판의 가공 방법이 제공된다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층판의 가공 방법을 도시하는 측면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층판의 가공 방법을 도시하는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 모따기 공정에서 지석으로부터 적층판에 작용하는 힘을 도시하는 단면도이다.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 각 도면에 있어서, 동일한 또는 대응하는 구성에는, 동일한 또는 대응하는 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적층판의 가공 방법을 도시하는 측면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층판의 가공 방법을 도시하는 평면도이다.

우선, 도 1을 참조하여, 적층판(10)에 대하여 설명한다. 적층판(10)은, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이 기판(12) 및 기판(12)과 박리 가능하게 결합한 보강판(14)을 구비한다. 적층판(10)은, 후술하는 가공 방법으로 가공된 후, 제품의 제조에 사용된다. 하나의 제품의 제조에 복수의 적층판(10)이 사용되어도 된다. 제품으로서는, 예를 들어 표시 패널, 태양 전지, 박막 2차 전지 등의 전자 디바이스를 들 수 있다.

기판(12)은, 제품의 일부가 되는 것으로서, 기판(12) 상에는, 제품의 제조 공정에 있어서, 제품의 종류에 따른 기능막이 형성된다. 기능막은 복수의 층으로 구성되어도 된다.

기판(12)은, 예를 들어 유리 기판, 세라믹스 기판, 수지 기판, 금속 기판 또는 반도체 기판 등이다. 이들 중에서도, 유리 기판이 바람직하다. 유리 기판은 내약품성, 내투습성이 우수하고, 또한, 선팽창 계수가 작기 때문이다. 기판(12)의 선팽창 계수가 크면, 열 처리 시에 여러가지 문제가 발생하기 쉬워, 예를 들어 고온에서 형성한 기능막을 실온까지 냉각할 때에 기능막의 패턴이 변형되는 경우가 있다.

유리 기판의 유리로서는, 예를 들어 무알칼리 유리, 붕규산 유리, 소다석회 유리, 고실리카 유리, 그 밖의 산화규소를 주된 성분으로 하는 산화물계 유리 등을 들 수 있다. 산화물계 유리는, 산화물 환산에 의한 산화규소의 함유량이 40 내지 90 질량％인 유리가 바람직하다. 유리 기판의 유리는, 제품의 종류에 따라 선택된다. 예를 들어, 액정 패널의 경우, 알칼리 금속 성분을 실질적으로 포함하지 않는 유리(무알칼리 유리)가 사용된다.

기판(12)의 두께 A는, 기판(12)이 유리 기판인 경우, 예를 들어 0.3 mm 이하고, 보다 바람직하게는 0.1 mm 이하, 더욱 바람직하게는 0.05 mm 이하이다. 또한, 기판(12)의 두께 A는, 기판(12)이 유리 기판인 경우, 성형성의 관점에서 바람직하게는 0.001 mm 이상이다.

보강판(14)은, 보강판(14)과 기판(12)의 박리 조작이 행해질때까지 기판(12)과 결합하여 기판(12)을 보강한다. 보강판(14)의 두께 B는 기판(12)의 두께 A보다 두꺼워도 된다. 보강판(14)은, 제품의 제조 공정의 도중에 기판(12)으로부터 박리되어, 제품의 일부로는 되지 않는다.

보강판(14)은, 열처리에 의한 휨이나 박리를 방지하기 위해서, 기판(12)과의 열팽창차가 작은 것이 바람직하다. 기판(12)이 유리 기판인 경우, 보강판(14)은 유리판을 포함하는 것이 바람직하고, 기판(12)의 유리와, 보강판(14)의 유리는 동종의 유리인 것이 바람직하다.

보강판(14)은, 예를 들어 기판(12)과 박리 가능하게 결합하는 박리막(15) 및 박리막(15)을 개재하여 기판(12)을 지지하는 지지판(16)을 포함한다. 박리막(15)과 기판(12)은, 그 사이에 작용하는 반데르발스 힘 등에 의해 박리 가능하게 결합된다. 박리막(15)은, 수지막, 무기막 중의 어느 것이어도 된다. 무기막은, 예를 들어 금속 산화물막이어도 된다.

또한, 본 실시예의 보강판(14)은, 박리막(15) 및 지지판(16)으로 구성되지만, 지지판(16)만으로 구성되고, 지지판(16)(예를 들어 유리판)과 기판(12)(예를 들어 유리 기판)이 직접 결합해도 된다. 지지판(16)에 있어서의 기판(12)과의 접촉면 및 기판(12)에 있어서의 지지판(16)과의 접촉면은, 서로 결합하기 쉽도록, 각각, 소정값 이하의 표면 조도를 가져도 된다. 또한, 적어도 한쪽의 접촉면에 표면 조도가 상이한 영역을 설치함으로써, 지지판(16)과 기판(12)의 계면에 결합력이 상이한 영역이 설치되어도 된다. 박리 조작이 용이해진다. 지지판(16)에 있어서의 기판(12)과의 접촉면 및 기판(12)에 있어서의 지지판(16)과의 접촉면은, 각각, 표면의 활성을 높이는 처리(예를 들어 세정 처리)가 실시된 것이어도 된다.

또한, 보강판(14)은, 유리판과 수지막을 교대로 적층한 것이어도 되고, 복수의 지지판(16), 복수의 수지막을 가져도 된다. 이 경우, 최외층의 수지막이 박리막이 된다.

지지판(16)은, 박리막(15)을 개재하여 기판(12)을 지지한다. 지지판(16)은, 예를 들어 유리판, 세라믹스판, 수지판, 반도체판 또는 금속판 등이다. 기판(12)이 유리 기판인 경우, 지지판(16)은 유리판인 것이 바람직하다. 한편, 지지판(16)이 수지판 또는 금속판이면, 보강판(14)의 휘어짐 변형이 용이하므로, 보강판(14)과 기판(12)의 박리가 용이하다.

지지판(16)과 기판(12)의 평균 선팽창 계수차(절댓값)는 기판(12)의 치수 형상 등에 따라 적절히 설정되어, 예를 들어 35×10^-7/℃ 이하인 것이 바람직하다. 여기서, 「평균 선팽창 계수」란, 50℃ 내지 300℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선팽창 계수(JIS R3102)를 말한다.

지지판(16)의 두께 C는, 지지판(16)이 유리판인 경우, 예를 들어 0.7 mm 이하이다. 또한, 지지판(16)의 두께 C는, 지지판(16)이 유리판인 경우, 기판(12)의 보강을 위해 0.4 mm 이상인 것이 바람직하다.

지지판(16)의 외형은, 지지판(16)이 박리막(15)의 전체를 지지할 수 있도록, 도 1에 도시한 바와 같이 박리막(15)의 외형과 동일하거나, 박리막(15)의 외형보다 큰 것이 바람직하다.

박리막(15)은, 박리막(15)과 기판(12)의 박리 조작이 행해질때까지, 기판(12)의 위치 어긋남을 방지한다. 박리막(15)은 박리 조작에 의해 기판(12)으로부터 용이하게 박리된다. 박리 조작에 의한 기판(12)의 파손을 방지할 수 있다.

박리막(15)은, 지지판(16)과의 결합력이 기판(12)과의 결합력보다 상대적으로 높아지도록 형성된다. 박리 조작에 의해 적층판(10)이 의도하지 않는 위치(박리막(15)과 지지판(16)의 사이)에서 박리되는 것을 방지할 수 있다.

박리막(15)의 수지는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 박리막(15)의 수지로서는, 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리이미드 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 몇가지의 종류의 수지를 혼합하여 사용할 수도 있다. 그 중에서도, 내열성이나 박리성의 관점에서, 실리콘 수지, 폴리이미드 실리콘 수지가 바람직하다.

박리막(15)의 두께 D는, 특별히 한정되지 않지만, 박리막(15)이 수지막인 경우, 바람직하게는 1 ㎛ 내지 50 ㎛, 보다 바람직하게는 4 ㎛ 내지 20 ㎛이다. 박리막(15)의 두께 D를 1 ㎛ 이상으로 함으로써 박리막(15)과 기판(12)의 사이에 기포나 이물이 혼입된 경우에, 기포나 이물의 두께를 흡수하도록 박리막(15)을 변형할 수 있다. 한편, 박리막(15)의 두께 D가 50 ㎛ 이하이면, 박리막(15)의 형성 시간을 단축할 수 있고, 또한 박리막(15)의 수지를 필요 이상으로 사용하지 않기 때문에 경제적이다.

박리막(15)의 외형은, 박리막(15)이 기판(12)의 전체를 지지할 수 있도록, 도 1에 도시한 바와 같이 기판(12)의 외형과 동일하거나, 기판(12)의 외형보다 큰 것이 바람직하다. 박리막(15)의 외형이 기판(12)의 외형보다 크면, 박리막(15)의 기판(12)으로부터 밀려나오는 부분을 휨 변형시킴으로써 보강판(14)과 기판(12)의 박리가 서서히 행해져서, 박리가 원활하게 행해진다.

또한, 박리막(15)은 복수 종류의 수지막으로 되어 있어도 된다. 이 경우 「박리막의 두께」는 모든 수지막의 합계의 두께를 의미한다.

이어서, 적층판(10)의 제조 방법에 대하여 설명한다. 적층판(10)의 제조 방법으로서는, 예를 들어, 하기의 (1) 내지 (3)의 방법이 있다.

(1) 지지판(16) 상에 유동성을 갖는 수지 조성물을 도포하고 경화시켜서 박리막(15)을 형성한 후, 박리막(15) 상에 기판(12)을 압착한다. 수지 조성물이 경화할 때, 수지 조성물이 지지판(16)과 상호 작용하므로, 지지판(16)과 박리막(15)의 결합력이 박리막(15)과 기판(12)의 결합력보다 높아지기 쉽다.

(2) 소정의 기재 상에 유동성을 갖는 수지 조성물을 도포하고, 경화시켜서 박리막(15)을 형성한 후, 박리막(15)을 소정의 기재로부터 박리하고, 필름의 형태로, 기판(12)과 지지판(16)의 사이에 끼워서 압착한다. 박리막(15)의 압착 후의 결합력이 기판(12)에 대하여 낮고, 지지판(16)에 대하여 높은 경우에 유효하다. 박리막(15)과의 접촉 전에 기판(12) 또는 지지판(16)의 표면을 표면 처리하여, 박리막(15)과의 압착 후의 결합력에 차를 발생시켜도 된다.

(3) 기판(12)과 지지판(16)의 사이에 수지 조성물을 끼우고, 경화시켜서 박리막(15)을 형성한다. 수지 조성물의 경화 후의 결합력이 기판(12)에 대하여 낮고, 지지판(16)에 대하여 높은 경우에 유효하다. 수지 조성물과의 접촉 전에, 기판(12) 또는 지지판(16)의 표면을 표면 처리하여, 수지 조성물의 경화 후의 결합력에 차를 발생시켜도 된다.

상기 (1) 및 (2)의 방법에 있어서의 압착은 클린도가 높은 환경 하에서 실시되어도 된다. 압착 시의 주변의 기압은 대기압이어도 되지만, 공기의 말려듬을 억제하기 위해서, 대기압보다 낮은 부압인 것이 바람직하다. 압착의 방식으로서는, 롤식, 프레스식 등이 있다. 압착 온도는, 실온보다 높은 온도여도 되지만, 박리막(15)으로서의 수지막의 열화를 방지하기 위해서, 실온이어도 된다.

박리막(15)이 되는 수지 조성물은, 축합 반응형, 부가 반응형, 자외선 경화형, 전자선 경화형 중의 어느 방법으로 경화하는 것이어도 된다. 부가 반응형의 수지 조성물은, 경화하기 쉽고, 박리성이 우수하고, 내열성도 높기 때문에, 특히 바람직하다.

또한, 박리막(15)이 되는 수지 조성물은, 용제형, 에멀전형, 무용제형의 어느 형태로 사용되는 것이어도 되지만, 생산성, 환경 특성의 관점에서, 무용제형이 바람직하다. 또한, 무용제형의 수지 조성물은, 경화 시에 발포할 수 있는 용제를 포함하지 않기 때문에, 결함이 적은 박리막(15)이 얻어진다.

경화의 구조가 부가 반응형이며, 사용 형태가 무용제형인 실리콘 수지 조성물로서는, 비닐기를 갖는 직쇄상 폴리오르가노실록산과, 히드로실릴기를 갖는 메틸히드로겐폴리실록산을 포함하는 경우가 있다. 이 실리콘 수지 조성물은, 백금 촉매의 존재 하에서 가열 경화되어 실리콘 수지막이 된다.

박리막(15)이 되는 수지 조성물의 도포 방법은, 예를 들어 스프레이 코팅법, 다이 코팅법, 스핀 코팅법, 딥 코팅법, 롤 코팅법, 바 코팅법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코팅법 등이 있다. 이들 도포 방법은, 수지 조성물의 종류에 따라 적절히 선택된다.

박리막(15)이 되는 수지 조성물의 도포 시공량은, 수지 조성물의 종류 등에 따라 적절히 선택된다. 예를 들어, 상기 실리콘 수지 조성물의 경우, 바람직하게는 1 g/㎡ 내지 100 g/㎡, 보다 바람직하게는 5 g/㎡ 내지 20 g/㎡이다.

박리막(15)이 되는 수지 조성물의 경화 조건은, 수지 조성물의 종류 등에 따라 적절히 선택된다. 예를 들어, 상기 실리콘 수지 조성물로서, 직쇄상 폴리오르가노실록산과 메틸히드로겐폴리실록산의 합계량 100 질량부에 대하여 백금계 촉매를 2 질량부 배합한 경우, 대기 중에서 가열하는 온도는, 50℃ 내지 250℃, 바람직하게는 100℃ 내지 200℃이다. 또한, 이 경우의 반응 시간은 5분간 내지 60분간, 바람직하게는 10분간 내지 30분간으로 한다. 수지 조성물의 경화 조건이 상기의 반응 시간의 범위 및 반응 온도의 범위이면, 실리콘 수지의 산화 분해가 동시에 일어나지 않아, 저분자량의 실리콘 성분이 생성되지 않고, 보강판과 기판의 박리 시에 기판측에 수지가 남기 어렵다.

이어서, 제조된 적층판의 가공 방법에 대하여 도 1 및 도 2를 다시 참조하여 설명한다. 적층판의 가공 방법은, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 적층판(10)의 단부를 지석(30)으로 연삭하는 모따기 공정을 갖는다.

지석(30)은 원판 형상이며, 지석(30)의 외주면에는 환상의 연삭 홈(32)이 형성되어 있다. 연삭 홈(32)의 단면 형상은, 예를 들어 대략 사다리꼴 형상이며, 대략 등변사다리꼴 형상이이어도 된다. 지석(30)의 직경 방향 내측을 향하여 연삭 홈(32)의 홈폭이 서서히 좁아져 있다. 연삭 홈(32)의 저면과, 연삭 홈(32)의 각 측면과의 경계부는, 지석(30)의 직경 방향 내측을 향하여 볼록의 곡면 형상이 되어 있다.

모따기 공정에서는, 우선, 도 1에 도시한 바와 같이, 지석(30)의 중심선에 대하여 적층판(10)의 판 두께 방향이 평행해지도록 적층판(10)을 세팅한다. 이 상태에서, 지석(30)의 중심선을 중심으로 지석(30)을 회전시키면서, 연삭 홈(32)의 벽면을 적층판(10)의 단부에 가압하고, 적층판(10)의 단부를 지석(30)으로 연삭한다. 이때, 연삭 홈(32)의 양측면이 적층판(10)의 단부를 끼워서 깎음과 함께, 연삭 홈(32)의 저면이 적층판(10)의 단부를 깎는다. 연삭 홈(32)의 양측면이 적층판(10)의 단부를 끼움으로써 적층판(10)과 지석(30)의 위치 어긋남을 방지할 수 있다. 모따기 공정에서는, 도 2에 도시한 바와 같이, 지석(30)과, 적층판(10)을 상대적으로 이동시켜서 적층판(10)의 외주의 적어도 일부를 연삭한다.

도 3은, 본 발명의 일 실시예에 따른 모따기 공정에서 지석으로부터 기판에 작용하는 힘을 도시하는 단면도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 모따기 공정에서는, 지석(30)으로부터 기판(12)에 힘 G가 작용한다. 이 힘 G는, 지석(30)의 중심선(즉, 적층판(10)의 판 두께 방향)과 수직인 방향으로 작용한다. 이 힘 G 중, 연삭 홈(32)의 벽면에 대하여 수직한 분력 G1에 의해, 기판(12)의 연삭면에 마이크로 균열이 발생할 수 있다. 기판(12)과 보강판(14)의 계면과, 기판(12)의 연삭면이 이루는 각 θ가 작을수록 마이크로 균열을 발생시킬 수 있는 분력 G1이 작다.

본 실시예에서는, 기판(12)과 보강판(14)의 계면과, 기판(12)의 연삭면이 이루는 각 θ가 30° 이하로 되어 있고, 기판(12)의 연삭면에 마이크로 균열을 발생시킬 수 있는 분력 G1이 충분히 작아, 기판(12)이 손상되기 어렵다.

기판(12)과 보강판(14)의 계면은, 기판(12)의 연삭면에 대하여 경사지도록 연삭 홈(32)의 저면이 아니라, 도 1에 도시한 바와 같이, 연삭 홈(32)의 일측면에서 연삭되어도 된다. 이 경우, 기판(12)의 연삭면은, 평탄한 부분만으로 구성된다.

또한, 본 실시예에서는, 기판(12)과 보강판(14)의 계면은, 연삭 홈(32)의 일측면에서 연삭되지만, 연삭 홈(32)의 일측면과, 연삭 홈(32)의 저면과의 곡면 형상의 경계부에서 연삭되어도 된다. 이 경우, 기판(12)의 연삭면은, 평탄한 부분과, 만곡된 부분으로 구성된다. 이 만곡된 부분의 접선과, 기판(12)과 보강판(14)의 계면이 이루는 각이 30° 이하로 되어 있으면 된다.

또한, 기판(12)과 보강판(14)의 계면과, 기판(12)의 연삭면이 이루는 각 θ는 26° 보다 크다. 기판(12)과 보강판(14)의 계면과, 기판(12)의 연삭면과의 교차하는 부분이 지나치게 뾰족해져 있지 않으므로, 기판(12)과 보강판(14)을 박리하기 위해서, 기판(12)과 보강판(14)의 사이에 얇은 날을 삽입했을 때, 기판(12)이 손상되기 어렵다.

적층판(10)의 지석(30)으로 연삭한 연삭면(이하, 간단히 「적층판(10)의 연삭면」이라고 함)은 예를 들어 적층판(10)의 표면 및 이면으로부터 각각 비스듬히 연장하는 경사부와, 적층판(10)의 표면 및 이면에 대하여 수직한 수직부와, 각 경사부와 수직부의 사이에 형성되는 곡면부를 갖는다.

가공된 적층판(10)의 표면으로부터 비스듬히 연장하는 경사부와, 가공된 적층판(10)의 이면으로부터 비스듬히 연장하는 경사부는, 가공된 적층판(10)의 표면과 이면의 사이의 중심면에 대하여 대칭이어도 된다.

가공된 적층판(10)의 연삭면의 곡면부의 단면 형상은, 지석(30)의 직경 방향 내측을 향하여 볼록의 형상이며, 예를 들어 원호 형상이다. 가공된 적층판(10)의 연삭면의 곡면부의 곡률 반경 R는, 예를 들어 0.05 mm 내지 0.20 mm이다.

가공된 적층판(10)의 연삭면의 수직부는, 가공된 적층판(10)의 판 두께 방향에 있어서의 치수 F가 예를 들어 0.05 mm 내지 0.30 mm이다.

그런데, 가공된 적층판(10)은, 보강판(14)을 하향으로 하여 스테이지 상에 적재되고, 스테이지 상에 설치되는 위치 결정 블록과 접촉되는 경우가 있다.

본 실시예에서는, 가공된 적층판(10)의 판 두께 방향에서 보아, 기판(12)보다 외측에 보강판(14)이 돌출되어 있어, 기판(12)이 위치 결정 블록과 접촉하지 않으므로, 기판(12)이 파손되기 어렵다. 보강판(14)의 돌출 치수 E는 예를 들어 0.05 mm 내지 0.30 mm이다.

이어서, 가공된 적층판(10)을 사용한 전자 디바이스의 제조 방법에 대하여 설명한다. 전자 디바이스의 제조 방법은, 가공된 적층판(10)의 기판(12) 상에 기능막을 형성하는 공정과, 기능막을 형성한 기판(12)과 보강판(14)을 박리하는 공정을 가져도 된다.

기능막의 형성에는, 리소그래피 기술이나 에칭 기술이 사용되고, 레지스트액이 사용되는 경우가 있다. 레지스트액은, 가공된 적층판(10)의 연삭면에까지 퍼지는 경우가 있다.

본 실시예의 가공된 적층판(10)의 연삭면은, 기판(12)과 보강판(14)의 계면 근방에 손상이 없으므로, 레지스트의 잔사의 제거가 용이하다. 잔사는 열처리에서 발진원(發塵源)이 되므로, 잔사가 작아짐으로써, 전자 디바이스의 수율이 향상된다.

기판(12)과 보강판(14)의 박리는, 예를 들어 기판(12)과 보강판(14)의 사이에 얇은 날을 삽입하여, 박리 기점이 되는 간극을 형성한 후, 기판(12)을 평탄하게 보유 지지하면서, 보강판(14)을 박리 기점측으로부터 반대측으로 향하여 순차 굽힘 변형함으로써 행해진다.

이어서, 전자 디바이스로서의 액정 패널의 제조 방법에 대하여 설명한다. 액정 패널의 제조 방법은, 예를 들어 TFT 기판 제작 공정과, CF 기판 제작 공정과, 조립 공정과, 박리 공정을 갖는다.

TFT 기판 제작 공정에서는, 가공된 적층판(10)의 기판(12) 상에 박막 트랜지스터(TFT) 등을 형성하여 TFT 기판을 제작한다. TFT 기판의 제작에는, 리소그래피 기술이나 에칭 기술이 사용되고, 레지스트액이 사용된다.

CT 기판 제작 공정에서는, 가공된 다른 적층판(10)의 기판(12) 상에 투명 도전막이나 컬러 필터(CF) 등을 형성하여 CF 기판을 제작한다. CF 기판의 제작에는, 리소그래피 기술이 사용되고, 레지스트액이 사용된다.

조립 공정은, TFT 기판과 CF 기판의 사이에 액정재를 밀봉하는 공정을 갖는다. TFT 기판과 CF 기판의 사이에 액정재를 주입하는 방법으로서는, 감압 주입법 또는 적하 주입법이 있다.

감압 주입법에서는, 예를 들어 우선, 시일재 및 스페이서재를 개재하여 TFT 기판과 CF 기판을 접합함으로써 대형 패널을 제작한다. 제작한 대형 패널은, 복수의 셀로 절단된다. 계속해서, 각 셀의 내부를 진공화하고, 각 셀의 측면에 설치된 주입 구멍으로부터 각 셀의 내부에 액정재를 주입한 후, 주입 구멍이 밀봉된다. 계속해서, 각 셀에 편광판을 부착함으로써 액정 패널이 제조된다.

적하 주입법에서는, 예를 들어 우선, TFT 기판 및 CF 기판 중 어느 한쪽에 액정재를 적하하고, 계속해서, 시일재 및 스페이서재를 개재하여 TFT 기판과 CF 기판을 접합함으로써 대형 패널을 제작한다. 제작한 대형 패널은 복수의 셀로 절단된다. 계속해서, 각 셀에 편광판을 부착함으로써 액정 패널이 제조된다.

박리 공정에서는, 기판(12)과 보강판(14)을 박리한다. 박리 공정은, TFT 기판 제작 공정 및 CF 기판 제작 공정의 후이며 조립 공정 전 또는, 조립 공정의 도중 또는 나중에 행해져도 된다.

예를 들어, 감압 주입법에 의한 조립 공정의 도중에 박리 공정이 행하여지는 경우, 박리 공정은, 대형 패널의 제작 후이며 대형 패널의 절단 전 또는, 액정재의 봉입 후이며 편광판의 부착 전에 행해지기 쉽다.

또한, 적하 주입법에 의한 조립 공정의 도중에 박리 공정이 행하여지는 경우, 박리 공정은, 대형 패널의 제작 후이며 대형 패널의 절단 전 또는, 대형 패널의 절단 후이며 편광판의 부착 전에 행해져도 된다.

이어서, 전자 디바이스로서의 유기 EL 패널(OLED)의 제조 방법에 대하여 설명한다. 유기 EL 패널의 제조 방법은, 예를 들어 유기 EL 소자 형성 공정과, 접합 공정과, 박리 공정을 갖는다.

유기 EL 소자 형성 공정에서는, 가공된 적층판(10)의 기판(12) 상에 유기 EL 소자를 형성한다. 유기 EL 소자는, 예를 들어 투명 전극층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 등을 포함하여 이루어진다. 유기 EL 소자의 형성에는, 포토리소그래피 기술이 사용되고, 레지스트액이 사용된다.

접합 공정에서는, 유기 EL 소자가 형성된 기판과 대향 기판을 접합한다. 유기 EL 소자를 형성한 기판은 복수의 셀로 절단되고, 각 셀과 대향 기판이 접합되어도 된다.

박리 공정에서는, 기판(12)과 보강판(14)을 박리한다. 박리 공정은, 예를 들어 유기 EL 소자 형성 공정의 후이며 접합 공정 전 또는, 접합 공정의 도중 또는 나중에 행해져도 된다.

이어서, 전자 디바이스로서의 태양 전지의 제조 방법에 대하여 설명한다. 태양 전지의 제조 방법은, 태양 전지 소자 형성 공정과, 박리 공정을 갖는다.

태양 전지 소자 형성 공정에서는, 가공된 적층판(10)의 기판(12) 상에 태양 전지 소자를 형성한다. 태양 전지 소자는, 예를 들어 투명 전극층, 반도체층 등 를 포함하여 이루어진다. 태양 전지 소자의 형성에는, 포토리소그래피 기술이 사용되고, 레지스트액이 사용된다.

박리 공정에서는, 기판(12)과 보강판(14)을 박리한다. 박리 공정은, 예를 들어 태양 전지 소자 형성 공정의 후에 행해져도 된다.

<실시예>

[시험예 1 내지 4]

시험예 1 내지 4에서는, 적층판으로서, 지지판 상에 유동성을 갖는 수지 조성물을 도포하고, 경화시켜서, 박리막을 형성하고, 형성한 박리막 상에 유리 기판을 압착한 것을 준비하였다. 시험예 1 내지 4의 적층판은 동일한 구성으로 하였다.

지지판의 유리판으로서는, 아사히 가라스사제의 무알칼리 유리판(920 mm×730 mm×두께 0.5 mm)을 사용하였다.

수지 조성물로서는, 무용제 부가 반응형 실리콘(신에쯔 실리콘사제, KNS-320A) 100 질량부와 백금계 촉매(신에쯔 실리콘사제, CAT-PL-56) 2 질량부와의 혼합물을 사용하였다. 이 혼합물을 다이 코터로 유리판 상에 도포하고 220℃에서 30분 열처리함으로써 박리막(920 mm×730 mm×두께 8 ㎛)을 형성하였다.

유리 기판으로서는, 아사히 가라스사제의 무알칼리 유리판(920 mm×730 mm×두께 0.1 mm)을 사용하였다.

시험예 1 내지 4에서는, 대략 직사각형 형상의 적층판의 4변 각각을 표 1에 나타내는 치수에 지석으로 연삭하고, 유리 기판에 손상이 발생했는지의 여부를 현미경으로 조사하였다. 지석의 지립으로서는, 평균 입경이 30 ㎛인 다이아몬드 지립을 사용하였다. 또한, 지석의 연삭 홈의 단면 형상은 대략 등각사다리꼴로 하였다. 유리 기판의 연삭면에 길이가 0.03 mm 이상인 손상이 발생하지 않은 경우를 「○」, 유리 기판의 연삭면에 길이가 0.03 mm 이상 0.05 mm 미만인 손상이 발생한 경우를 「△」, 유리 기판의 연삭면에 길이가 0.05 mm 이상인 손상이 발생한 경우를 「×」로 하였다.

계속해서, 시험예 1 내지 4에서는, 보강판을 하향으로 하여 적층판을 스테이지에 얹은 상태에서, 스테이지 상에 설치되는 위치 결정 블록에 대하여 적층판을 100 mm/s의 속도로 충돌시켜, 유리 기판의 상면과 연삭면의 코너부에 손상이 발생 했는지의 여부를 현미경으로 조사하였다. 위치 결정 블록에 있어서의 적층판과의 충돌면은, 스테이지 상면에 대하여 수직으로 하였다. 유리 기판의 상면과 연삭면의 코너부에 길이가 0.03 mm 이상인 손상이 발생하지 않은 경우를 「○」, 유리 기판의 상면과 연삭면의 코너부에 길이가 0.03 mm 이상 0.05 mm 미만인 손상이 발생한 경우를 「△」, 유리 기판의 상면과 연삭면의 코너부에 길이가 0.05 mm 이상인 손상이 발생한 경우를 「×」로 하였다.

계속해서, 시험예 1 내지 4에서는, 유리 기판과 보강판을 박리하고, 박리 중에 유리 기판이 깨지는지 여부를 조사하였다. 박리 시험에서는, 지석으로 연삭한 적층판의 네 구석 중, 위치 결정 블록과 충돌시키지 않은 부분의, 유리 기판과 보강판의 사이에 얇은 날을 삽입하여, 박리 기점이 되는 간극을 형성하고, 유리 기판을 평탄하게 보유 지지하면서, 보강판을 박리 기점측으로부터 반대측으로 순차 구부림 변형시켰다. 박리 중, 기판이 깨지지 않은 경우를 「○」, 기판이 깨진 경우를 「×」로 하였다.

시험의 결과를 표 1에 나타내었다. 표 1에 있어서, A는 유리 기판의 두께, B는 보강판의 두께, C는 지지판으로서의 유리판의 두께, D는 박리막으로서의 실리콘막의 두께, θ는 유리 기판과 보강판의 계면과, 유리 기판의 연삭면이 이루는 각을 각각 나타낸다. 또한, 표 1에 있어서, R은 적층판의 연삭면의 곡면부의 곡률 반경, E는 가공된 적층판의 판 두께 방향으로부터 본 보강판의 유리 기판으로부터의 돌출 치수, F는 적층판의 연삭면의 수직부의, 적층판의 판 두께 방향에 있어서의 치수를 각각 나타낸다.

표 1에 나타내는 바와 같이, 유리 기판과 보강판의 계면과, 유리 기판의 연삭면이 이루는 각 θ가 30° 이하이면 연마 시의 손상이 거의 발생하지 않는다. 또한, 가공된 적층판의 판 두께 방향에서 본 보강판의 유리 기판으로부터의 돌출 치수 E가 0.05 mm 이상이면 위치 결정 시의 손상이 거의 발생하지 않는다. 또한, 유리 기판과 보강판의 계면과, 유리 기판의 연삭면이 이루는 각 θ가 26° 보다 크면, 박리 시의 깨짐이 거의 발생하지 않는다.

[시험예 5 내지 8]

시험예 5 내지 8에서는, 유리 기판으로서, 아사히 가라스사제의 무알칼리 유리판(920 mm×730 mm×두께 0.2 mm)을 사용한 이외에, 시험예 1 내지 4와 동일한 시험을 행하였다. 시험의 결과를 표 2에 나타내었다.

표 2에 나타낸 바와 같이, 유리 기판과 보강판의 계면과, 유리 기판의 연삭면이 이루는 각 θ가 30° 이하이면 연마 시의 손상이 거의 발생하지 않는다. 또한, 가공된 적층판의 판 두께 방향에서 본 보강판의 유리 기판으로부터의 돌출 치수 E가 0.05 mm 이상이면, 위치 결정 시의 손상이 거의 발생하지 않는다. 또한, 유리 기판과 보강판의 계면과, 유리 기판의 연삭면이 이루는 각 θ가 26° 보다 크면, 박리 시의 깨짐이 거의 발생하지 않는다.

이상, 적층판의 가공 방법, 가공된 적층판의 실시예 등을 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예 등에 한정되지 않고, 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에 있어서, 다양한 변형, 개량이 가능하다.

예를 들어, 상기 실시예 등에서는, 적층판(10)의 연삭면은, 적층판(10)의 표면 및 이면으로부터 각각 비스듬히 연장하는 경사부와, 적층판(10)의 표면 및 이면에 대하여 수직한 수직부와, 각 경사부와 수직부의 사이에 형성되는 곡면부로 구성되는데, 그 구성은 다종다양하여도 된다. 예를 들어, 적층판의 연삭면은, 적층판(10)의 표면 및 이면으로부터 각각 비스듬히 연장하는 경사부와, 2개의 경사부의 사이에 형성되는 곡면부로 구성되어도 된다. 곡면부는 예를 들어 원호면 형상이며, 적층판(10)의 판 두께 방향에서 본, 경사부보다 외측으로 돌출된다.

또한, 상기 실시예 등에서는, 가공된 적층판(10)의 표면으로부터 비스듬히 연장하는 경사부와, 가공된 적층판(10)의 이면으로부터 비스듬히 연장하는 경사부는, 가공된 적층판(10)의 표면과 이면의 사이의 중심면에 대하여 대칭이지만, 대칭이 아니어도 된다.

본 출원은, 2012년 12월 10일 출원의 일본 특허 출원 2012-269500에 기초하는 것이고, 그 내용은 여기에 참조로서 도입된다.

10: 적층판
12: 기판
14: 보강판
15: 박리막
16: 지지판
30: 지석
32: 연삭 홈

Claims

유리 기판 및 상기 유리 기판과 박리 가능하게 결합한 보강판을 갖는 적층판의 가공 방법으로서,
상기 보강판은 상기 유리 기판을 지지하는 유리판을 포함하고,
상기 적층판의 단부를 지석으로 연삭하는 모따기 공정을 갖고,
상기 유리 기판과 상기 보강판의 계면과, 상기 유리 기판의 상기 지석으로 연삭한 연삭면이 이루는 각이 26° 보다 크고 30° 이하인, 적층판의 가공 방법.
제1항에 있어서,
상기 보강판은 상기 유리 기판과 박리 가능하게 결합하는 수지막을 더 포함하고,
상기 유리판은 상기 수지막을 개재하여 상기 유리 기판을 지지하는, 적층판의 가공 방법.
제1항에 있어서,
상기 유리판은 상기 유리 기판과 박리 가능하게 결합하는, 적층판의 가공 방법.
제1항에 있어서,
상기 보강판은 상기 유리 기판과 박리 가능하게 결합하는 무기막을 더 포함하고,
상기 유리판은 상기 무기막을 개재하여 상기 유리 기판을 지지하는, 적층판의 가공 방법.
유리 기판 및 상기 유리 기판과 박리 가능하게 결합한 보강판을 갖고, 단부에 지석으로 연삭한 연삭면을 갖는 가공된 적층판이며,
상기 보강판은 상기 유리 기판을 지지하는 유리판을 포함하고,
상기 유리 기판과 상기 보강판의 계면과, 상기 유리 기판의 상기 지석으로 연삭한 연삭면이 이루는 각이 26° 보다 크고 30° 이하인, 가공된 적층판.
제5항에 있어서,
상기 보강판은 상기 유리 기판과 박리 가능하게 결합하는 수지막을 더 포함하고,
상기 유리판은 상기 수지막을 개재하여 상기 유리 기판을 지지하는, 가공된 적층판.
제5항에 있어서,
상기 유리판은 상기 유리 기판과 박리 가능하게 결합하는, 가공된 적층판.
제5항에 있어서,
상기 보강판은 상기 유리 기판과 박리 가능하게 결합하는 무기막을 더 포함하고,
상기 유리판은 상기 무기막을 개재하여 상기 유리 기판을 지지하는, 가공된 적층판.