TWI576669B - 掠角入射反射器、微影裝置、製造掠角入射反射器的方法及製造元件的方法 - Google Patents

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Description

掠角入射反射器、微影裝置、製造掠角入射反射器的方法及製造元件的方法
本發明係關於光學器件，更特定言之，係關於掠角入射反射器。本發明進一步係關於包括此反射器之微影裝置、用於製造掠角入射反射器之方法，及藉由EUV微影來製造產品之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況中，圖案化元件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
微影被廣泛地認為是在IC以及其他元件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他元件及/或結構之更具決定性之因素。
圖案印刷極限之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所示： 其中λ為所使用之輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔徑，k1為程序相依調整因數(亦被稱作瑞立常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內)之波長的電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10奈米(例如，在5奈米至10奈米之範圍內(諸如，6.7奈米或6.8奈米))之波長之EUV輻射。此輻射被稱作極紫外線輻射或軟x射線輻射。可能的源包括(例如)雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於藉由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射系統可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射，及用於含有電漿之源收集器模組。可(例如)藉由將雷射光束引導於燃料(諸如，合適材料(例如，錫)之粒子，或合適氣體或蒸汽(諸如，Xe氣體或Li蒸汽)之液流)處來創製電漿。所得電漿發射輸出輻射(例如，EUV輻射)，其係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可為鏡面式正入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器模組可包括經配置以提供真空環境來支援電漿之圍封結構或腔室。此輻射系統通常被稱作雷射產生電漿(LPP)源。
類似於微影裝置之EUV光學系統可包括正入射反射器(平面或彎曲鏡面)及掠角入射反射器兩者。不存在獨自地形成EUV輻射之良好反射器之材料，使得需要將正入射鏡面建構為具有數十對不同材料交替層之多層結構，該等交替層之組合物及厚度經精確地調諧至待反射之輻射之波長。層厚度(因此，多層重複結構之週期)亦必須相對於輻射之入射角予以設定。另一方面，掠角入射反射器具有簡單得多的結構，通常為(例如)釕(Ru)之單一鏡面表面層。兩種類型之反射器中在EUV波長之反射率相比於在較長波長之反射器已經低，此情形為一特定問題，此係因為典型EUV微影系統可具有若干鏡面。舉例而言，EUV微影系統可具有九個鏡面：在照明光學件中之兩個鏡面、在成像光學件中之六個鏡面，加上反射光罩。因此，顯然，單一鏡面之峰值反射比的即使1%之小減低亦將造成光學系統之顯著光產出率縮減。
掠角入射反射器之反射比隨著入射角朝向法線增長而明顯地減低。本微影裝置中之輻射波長為約13.5奈米，且Ru層將入射輻射之50%反射僅至多大約25度之入射角(其中零度意謂平行於反射器表面)。為了採用較高數值孔徑源，將有價值的是能夠增加此角度(即使增加達幾度)。對於具有較短輻射波長(例如，約6.7奈米)之未來系統，已發現，掠角入射鏡面之反射比隨著掠角入射角之增加而甚至更快速地減低。再次，將受光角增加達即使幾度之能力亦將極大地有助於在此等系統中可達成之效率及效能。
需要具有一種具有延伸張角(angular acceptance)及高反射比之掠角入射反射器。
根據本發明之一實施例，提供一種用於EUV輻射之掠角入射反射器。該掠角入射反射器包含一第一鏡面層及在該第一鏡面層下方之一多層鏡面結構。該第一鏡面層經組態以至少部分地反射以在一第一範圍內之掠角入射角入射於該反射器上之EUV輻射，且透射在重疊於及延伸超出該第一入射角範圍之一第二入射角範圍內之EUV輻射。該多層鏡面結構經組態以反射以在該第二範圍內之掠角入射角入射於該反射器上且穿透通過該第一鏡面層之EUV輻射。作為一實例，該第一鏡面層可具有小於20奈米之一厚度。
在本發明之一實施例中，該掠角入射反射器可進一步包含在第一鏡面層頂部上之一第二鏡面層。該第二鏡面層經組態以提供針對具有在一第三範圍內之掠角入射角之EUV輻射的增強反射比，該第三範圍係在該第一角度範圍內。作為一實例，該第二鏡面層可具有小於10奈米之一厚度，且遍及自0度延伸至小於10度之一掠角入射角範圍具有大於40%(可能地超過50%)之一反射比。
在本發明之另一實施例中，該第一鏡面層可佔據該多層鏡面結構之一表面之僅一部分，以便提供針對具有在該第二範圍內之掠角入射角之EUV輻射的增強反射比。
在本發明之另一實施例中，該掠角入射反射器可經組態以操作於在5奈米至10奈米(更特定言之，6奈米至7奈米)之 範圍內(且例如，在6.5奈米至6.8奈米之範圍內)之EUV波長。
在一實例中，該第一鏡面層可具有在15奈米至17奈米之範圍內之一厚度且可由ThO2製成，且遍及介於大於0度與小於12度之間的該第一掠角入射角範圍具有大於40%之一反射比。
在另一實例中，該第二掠角入射角範圍可大於或等於12度且小於或等於14度。該多層鏡面結構可由數個層壓器件形成。每一層壓器件可具有一第一子單元及在該第一子單元頂部上之一第二子單元。該第二子單元之一折射率可低於該第一子單元之一折射率。
在一另外實例中，該第一子單元及該第二子單元之材料可選自以下各者之一群組：Th；La；U；B；重金屬元素之氮化物、氧化物、硼化物、氟化物；及輕元素之碳化物。
在本發明之又一實例中，該掠角入射反射器經組態以操作於在13奈米至14奈米之範圍內(例如，13.5奈米)之EUV波長。
在一實例中，該第一鏡面層可具有在15奈米至17奈米之範圍內之一厚度且可由Ru製成，且遍及介於大於0度與小於25度之間的該第一掠角入射角範圍具有大於40%(可能地超過50%)之一反射比。
在另一實例中，該第二掠角入射角範圍可大於或等於25度且小於或等於30度。該多層鏡面結構可由數個層壓器件 形成，且每一層壓器件具有一第一子單元及在該第一子單元頂部上之一第二子單元，該第二子單元之一折射率低於該第一子單元之一折射率。
在一另外實例中，該第一子單元及該第二子單元之材料係選自以下各者之一群組：Mo；Si；Ru；及似鑽石碳。
在本發明之又一實施例中，該多層鏡面結構之一週期及一組合物中至少一者橫越該多層鏡面結構而變化，使得最大反射比之一掠角入射角橫越該多層鏡面結構而變化。
在本發明之又一實施例中，提供一種微影裝置，該微影裝置包括如上文所描述之一掠角入射反射器。
在本發明之又一實施例中，提供一種用於製造經組態以反射極紫外線(EUV)輻射之一掠角入射反射器之方法。該方法包含將一第一鏡面層沈積於一多層鏡面結構頂部上且將一表面結構沈積於該中間結構頂部上。該第一鏡面層經組態以至少部分地反射以在一第一範圍內之掠角入射角入射於該反射器上之EUV輻射，且透射在重疊於及延伸超出該第一入射角範圍之一第二入射角範圍內之EUV輻射。該多層鏡面結構經組態以反射以在該第二範圍內之掠角入射角入射於該反射器上且穿透通過該第一鏡面層之EUV輻射。
在本發明之又一實施例中，提供一種用於藉由一微影程序來製造一元件之方法。該方法包含：經由一照明系統而用來自一EUV源之EUV輻射來照明一圖案化元件；及藉由該EUV輻射經由投影系統之投影而將該圖案化元件之一影 像投影至一基板上。在該方法中，該照明系統或該投影系統中至少一者包含如上文所描述之一掠角入射反射器。
下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之各種特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將顯而易見。
根據下文在結合該等圖式時所闡述之[實施方式]，本發明之特徵及優點已變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應器件。在該等圖式中，類似元件符號通常指示等同、功能上相似及/或結構上相似之器件。一器件第一次出現時之圖式係藉由對應元件符號中之最左邊數位指示。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的包括源收集器模組SO之微影裝置100。該裝置包含：-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；-支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化元件之第一***PM；-基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例 如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二***PW；及-投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將藉由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化元件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化元件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化元件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化元件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何元件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所創製之元件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化元件可為透射的或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡 面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可能需要將真空用於EUV輻射，此係因為其他氣體可能吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV光之方法包括(但未必限於)用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(通常被稱作雷射產生電漿(「LPP」))中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料之小滴、液流或叢集)而產生所需電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖1中未繪示)之EUV輻射系統之部件，該雷射 用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射(例如，EUV輻射)，其係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及源收集器模組可為分離實體。
在此等狀況中，不認為雷射形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況中，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(通常被稱作DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部件。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面元件及琢面化光瞳鏡面元件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化元件而圖案化。在自圖案化元件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二***PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部 分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，可使用第一***PM及另一位置感測器PS1以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化元件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2更詳細地展示裝置100，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿源來形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)來產生EUV輻射，其中創製極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。藉由(例如)導致至少部分離子化電漿之放電來創製極熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可能需要(例如)10 Pa之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適氣體或蒸汽。在一實施例中，提供受激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
藉由熱電漿210發射之輻射係經由定位於源腔室211中之開口中或後方之選用氣體障壁或污染物截留器230(在一些狀況中，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁及通道結構之組合。如在此項技術中所知，本文進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。
收集器腔室212可包括可為所謂掠角入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可被反射離開 光柵光譜濾光器240以聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面元件22及琢面化光瞳鏡面元件24，琢面化場鏡面元件22及琢面化光瞳鏡面元件24經配置以提供在圖案化元件MA處輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化元件MA處輻射強度之所要均一性。在藉由支撐結構MT固持之圖案化元件MA處輻射光束21之反射後，隨即形成經圖案化光束26，且藉由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射器件28、30而成像至藉由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
比所示器件多之器件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比諸圖所示之鏡面多之鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所示之反射器件多1至6個的額外反射器件。
如圖2所說明之收集器光學件CO被描繪為具有掠角入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠角入射反射器253、254及255經安置成圍繞光軸O軸向地對稱，且此類型之收集器光學件CO係較佳地結合放電產生電漿源(通常被稱作DPP源)而使用。
或者，源收集器模組SO可為如圖3所示之LPP輻射系統之部件。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而創製具有數十電子伏特之電子溫度之高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間所產生之高能輻射係自電漿發射、藉由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化元件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入至被 供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化元件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。在EUV微影中，光學器件通常為反射的。作為「反射器」之替代例，可出於方便起見而使用術語「鏡面」。不意味著涵義差異。
圖3展示根據本發明之一實施例的例示性掠角入射反射器300。反射器300經組態以操作於極紫外線輻射。如圖3所示，掠角入射反射器300包括形成於基板330上之第一鏡面層310及多層鏡面結構320。
第一鏡面層310經組態以反射具有在第一範圍內之掠角入射角之EUV輻射340。用於本實例之輻射可具有大約13.5奈米之波長。在一例示性實施例中，第一鏡面層310具有小於20奈米之厚度。多層鏡面結構320係在第一鏡面層310下方。當EUV輻射340以在第二掠角入射角範圍內之掠角入射角入射於反射器300上時，EUV輻射340可穿透通過第一鏡面層310。多層鏡面結構320經組態以反射穿透通過第一鏡面層310之EUV輻射340。由Mo/Si交替層製成之此等結構之設計在此項技術中為吾人所知。為了在本實施例中之應用，針對在第二角度範圍內之掠角入射角來選擇(調諧)結構中之層之組合物及週期。第二掠角入射角範圍重疊於及延伸超出第一入射角範圍。多層結構之週期指代每 一重複單元之高度，且可有奈米尺度。對於在EUV波長之掠角入射反射器，週期可(例如)為數十奈米。多層結構之組合物指代用於交替層之材料之選擇，且亦指代該等材料之厚度比率。比率Γ通常被定義為該等層中之一者之厚度對層對(亦即，週期)之總厚度的比率。因此，具有Γ=0.3之Mo/Si多層可包含交替的12奈米之Mo層與28奈米之Si層。
此描述中之術語「掠角入射角」或「入射角」意謂相對於與鏡面表面之入射點相切之平面的角度。在為全平面鏡面之所說明實例中，零入射角指代平行於表面之射線。在圖3中，分別針對第一鏡面層310及多層鏡面結構320來說明例示性掠角入射角α及β。掠角入射角α係在第一掠角入射角範圍內。掠角入射角β係在第二掠角入射角範圍內。
因此，藉由提供第一鏡面層310與多層鏡面結構320(其中第一鏡面層310經組態以反射具有在第一範圍內之掠角入射角之EUV輻射，且多層鏡面結構320經組態以反射在第二範圍內之EUV輻射)，且藉由安排在第二範圍內之輻射傳遞通過該第一鏡面層而非簡單地被吸收，掠角入射反射器300能夠反射以貫穿第一範圍及第二範圍之掠角入射角入射於反射器300上之EUV輻射。藉由合適地調諧每一組件310、320之屬性，相比於習知掠角入射鏡面之張角，吾人可有用地延伸針對EUV輻射之張角。相同原理可延伸至用於其他波長之設計反射器，如下文將提及。應注意，調諧可引起第一鏡面在形式上等同於多層鏡面結構之層中之一者。在彼狀況中，第一鏡面層係藉由多層鏡面結構之 頂層有效地形成。然而，一般而言，其在材料及/或厚度上可不同。
舉例而言，第一角度範圍可自零度延伸至大約25度，而第二範圍自低於25度延伸至(比如)30度。應注意，術語「重疊」僅僅用以指示鏡面層310及多層鏡面結構320之組合效應係遍及連續角度範圍而維持反射比。個別層/結構無需具有高於50%之反射比(R>0.5)，例如，在該等層/結構之範圍之重疊部分中。雖然R>0.5在本實例中用作對給定入射角的反射器之效能臨限值，但此情形純粹地係出於實例起見且可選擇其他效能臨限值。舉例而言，R>0.4(40%之反射比)可在特定應用中被視為可接受效能；R>60%在另一應用中可為所要的。
圖4展示根據本發明之另一例示性實施例的掠角入射反射器400。掠角入射反射器400實質上相似於如圖3所示之掠角入射反射器300，惟掠角入射反射器400具有在第一鏡面層310頂部上之第二鏡面層314除外。
第二鏡面層314經組態以反射具有在第三範圍內之掠角入射角之EUV輻射。第三範圍係在第一角度範圍內，且尤其包含極最小掠角入射角。儘管第一鏡面層310在合理程度上反射此輻射，但其必須經折中地設計成亦以較高角度反射。第二鏡面層314可經設計成相比於第一鏡面層310之反射更完全地反射在較小掠角入射角α'之EUV輻射，同時透射在較高角度之輻射以藉由下方之層反射。在一例示性實施例中，第二鏡面層314具有小於10奈米之厚度且係由 Mo製成。第二鏡面層314可遍及可(例如)大於0度且小於10度之第三掠角入射角範圍具有大於50%之反射比(R>0.5)。
圖5展示根據本發明之另一實施例的例示性掠角入射反射器500。掠角入射反射器500實質上相似於如圖3所示之掠角入射反射器300，惟掠角入射反射器500具有形成於基板530上之第一鏡面層510除外，第一鏡面層510佔據多層鏡面結構320之表面之僅一部分。第一鏡面層510僅施加至多層鏡面結構320之表面之如下部位：其中將反射具有僅在或主要地在第一範圍內之掠角入射角之EUV輻射340。因此，具有在第二範圍內之掠角入射角之EUV輻射340直接地入射於多層鏡面結構320上而不穿透通過第一鏡面層510。因此，因為第一鏡面層510佔據多層鏡面結構之表面之僅一部分，所以增強針對具有在第二範圍內之掠角入射角之EUV輻射的反射比。
圖6展示根據本發明之一另外實施例的例示性掠角入射反射器600。掠角入射反射器600實質上相似於如圖5所示之掠角入射反射器500，惟掠角入射反射器600具有在第一鏡面層510頂部上之第二鏡面層514除外。
第二鏡面層514經組態以反射具有在第三範圍內之掠角入射角之EUV輻射。第三掠角入射角範圍係在第一掠角入射角範圍內。詳言之，相比於第一鏡面層510之反射，第二鏡面層514能夠反射具有最小掠角入射角之EUV輻射。在一例示性實施例中，第二鏡面層514具有小於10奈米之厚度。第二鏡面層514可由Mo製成。第二鏡面層514可遍 及可(例如)大於0度且小於10度之第三掠角入射角範圍具有大於50%之反射比。
在本發明之另一例示性實施例中，掠角入射角經組態以操作於在5奈米至10奈米之範圍內(例如，在6奈米至7奈米或6.5奈米至6.8奈米之範圍內)之EUV波長。該反射器可以其他方式具有與圖3至圖6之實施例中所描述之掠角入射反射器中之一者相同的形式，或其組合。
多層鏡面結構可包括數個層壓單元，每一層壓單元包含(例如)一層對，該層對具有形成第一子單元之材料層，及形成在第一子單元頂部上之第二子單元之材料層。第二子單元之折射率低於第一子單元之折射率。第一子單元之材料可選自：Th；La；U；以及此等重金屬元素之氮化物、氧化物、硼化物及氟化物。第二子單元之材料可選自包含以下各者之群組：輕元素，特別是B；及輕元素之碳化物，諸如，B4C或B9C。對於在EUV範圍內之每一波長，材料之選擇係極特定的。第一鏡面層310或510可由相似於多層結構之第一子單元之材料(例如，Th或ThO2)製成。第二鏡面層314或514可由另一材料(例如，ThO2(當在Th之第一鏡面層頂部上時)，或CsH，或薄B4C或B9C層)製成。
圖7展示在以度為單位之EUV輻射掠角入射角θ相對於反射比R之情況中針對兩個例示性掠角入射反射器之計算標繪圖。可執行此等計算(在適當時用物理實驗進行補充)以針對遍及所要角度範圍之效能來最佳化反射器之設計。EUV輻射之波長為6.7奈米。在針對例示性掠角入射反射器 之此模擬標繪圖中，第一鏡面層係由ThO2製成，且多層鏡面結構之第一子單元及第二子單元係由ThO2及B4C配對。在圖7中，曲線710表示在具有週期1奈米及比率Γ=0.3之多層鏡面結構頂部上具有40奈米的第一鏡面層之厚度之樣本的反射比。曲線720表示在具有週期15奈米及比率Γ=0.7(B4C係在頂部上)之多層鏡面結構頂部上16奈米的第一鏡面層之厚度。根據圖7，吾人看出，對於具有6.7奈米之波長之EUV輻射，相比於具有厚度為40奈米之第一鏡面層之掠角入射反射器的反射比，具有厚度為16奈米之第一鏡面層之掠角入射反射器針對在12度至14度之範圍內之θ具有較高反射比。針對在0度至12度之範圍內之θ，厚度為16奈米之掠角入射反射器具有相似於厚度為40奈米之掠角入射反射器之反射比的反射比。包含單一材料層之典型已知掠角入射反射器可能具有40奈米之厚度，相似於在曲線710之實例中之第一鏡面層。曲線710說明將多層鏡面結構放於此厚層下方如何不會帶來任何益處，此係因為高於第一角度範圍之輻射不會穿透習知掠角入射反射器。然而，對於給定反射比，具有薄第一鏡面層及下伏多層鏡面結構之掠角入射反射器可具有有用反射比與較高張角。在此等模擬中發現16奈米之值(藉由曲線720表示)係最佳的。上覆第一鏡面層之厚度可(例如)小於20奈米，例如，在10奈米至20奈米或14奈米至20奈米之範圍內。
在本發明之一另外例示性實施例中，掠角入射反射器可經組態以操作於在13奈米至14奈米之範圍內(例如，13.5奈 米)之EUV波長。掠角入射反射器之多層鏡面結構係由數個層壓單元形成，每一層壓單元具有第一子單元及在第一子單元頂部上之第二子單元，第二子單元之折射率低於第一子單元之折射率。第一子單元之材料係選自Mo、Ru及似鑽石碳(DLC)。第二子單元通常為Si。在一實施例中，第一鏡面層具有16奈米之厚度且係由Ru製成。第一鏡面層遍及自0度延伸至大約25度之第一掠角入射角範圍具有大於50%之反射比。
多層鏡面結構可遍及自(比如)22度延伸至大約30度之第二掠角入射角範圍具有大於50%(或在可接受時為某較低臨限值)之反射比。
圖8展示在以度為單位之EUV輻射掠角入射角θ相對於反射比R之情況中針對兩個掠角入射反射器之另一計算標繪圖。EUV輻射之波長為13.5奈米。在針對例示性掠角入射反射器之此模擬標繪圖中，第一鏡面層係由Ru製成，且多層鏡面結構之單元係選自Si及Mo且係由Si及Mo配對。在圖8中，曲線810經繪製為第一鏡面層具有16奈米之厚度、多層鏡面結構具有16奈米之週期且比率Γ為0.5(Si係在頂部上)，而曲線820經繪製為第一鏡面層具有20奈米之厚度、多層鏡面結構具有2奈米之週期且比率Γ為0.5。圖8展示出，在具有13.5奈米之波長之EUV輻射，相比於具有厚度為20奈米之第一鏡面層之掠角入射反射器的反射比，具有厚度為16奈米之第一鏡面層之掠角入射反射器針對在25度至30度之範圍內之θ具有較高反射比。針對在0度至25度之 範圍內之θ，厚度為16奈米之掠角入射反射器具有相似於厚度為20奈米之掠角入射反射器之反射比的反射比。因此，對於給定反射比，具有薄第一鏡面層及下伏多層鏡面結構之掠角入射反射器可具有較高張角。
圖9展示根據本發明之一實施例的例示性掠角入射反射器900。掠角入射反射器900經組態以操作於在5奈米至10奈米之範圍內(例如，在6奈米至7奈米或6.5奈米至6.8奈米之範圍內)之EUV波長。掠角入射反射器900包括形成於基板530上之多層鏡面結構920。掠角入射反射器900經組態以將具有不同掠角入射角之EUV輻射反射通過多層鏡面結構920之不同部分，如現在將解釋。
圖10展示如圖9所示之例示性多層鏡面結構920。多層鏡面結構920可展現對EUV輻射之高反射比。如圖10所示，多層鏡面結構920係由數個層壓單元926形成。多層鏡面結構920可包含數十至數百個層壓單元。
每一層壓單元926包括第一子單元924及在第一子單元924頂部上之第二子單元922。本文所描述之實例中之子單元為展現最高可用邊界幅度反射比之簡單材料層。必要時，可提供更複雜的子單元。第二子單元922之折射率低於第一子單元924之折射率。實務上，單元之數目將為數十個，但展示僅三個。在一實施例中，每一單元之厚度h(重複結構之週期)及子單元之厚度之比率經組態以在所要波長且針對所要入射角範圍來達成自各種子單元所反射之EUV輻射光波之相位的對準。為了達成最大反射比，多層 鏡面結構之週期及組合物中至少一者根據在掠角入射反射器900之不同部件處之預期入射角(諸如，圖9所示之α、α'及β)而在該反射器之不同區域之間變化。因此，如圖9所示，若掠角入射反射器900之不同區域經組態成具有不同週期h=h1、h2、h3，則反射分別具有不同掠角入射角α、α'及β之EUV輻射。
圖11展示反射比R隨多層鏡面(MLM)結構920之週期h而變且隨入射角θ而變的計算標繪圖。在圖11中，曲線1010為模擬標繪圖之R=0.5輪廓。若繪製更多輪廓(例如，R=0.9、R=0.8、…、R=0.3、R=0.2，等等)，則將看出，對於給定波長，反射比以複雜方式取決於MLM週期h及入射角之組合。在曲線1010左邊，反射比通常增加；在右邊，其減低。對於增加之入射角，R=0.5輪廓界限週期h之極特定範圍，且反射比在此範圍外極低。曲線1020展示給出針對每一入射角之最大反射比R之週期值。可看出，具有週期h1之MLM(其強烈地反射具有掠角入射角α之輻射340)將不強烈地反射具有角度β之輻射。另一方面，具有週期h3之MLM將更強烈地反射角度β之輻射，但不如此強烈地反射角度α之輻射。藉由在反射器之不同部分處將週期h設定至不同值h1、h2、h3，可藉由遵循曲線1020而針對在對應預期入射角α、α'、β之輻射來最大化反射比，其係藉由模擬及/或實驗導出。
如圖9至圖11所說明的具有變化角度之結構可獨自地被使用，或在圖3至圖8之實施例中作為下伏於鏡面層之多層 鏡面結構被使用。應理解，MLM結構之組合物可藉由變化週期(如上文所提及)、藉由變化在每一週期內組件材料層之比率或其兩者之組合而變化。原則上，層中材料之身分亦可變化。可計算相似於圖11之標繪圖以模型化比率對在不同入射角之反射比之效應，且可相似於曲線1020來示蹤最大反射比之曲線，且在經最佳化MLM結構之設計中使用最大反射比之曲線。
取決於如以上實施例中所描述之掠角入射反射器在EUV光學系統中之作用，該掠角入射反射器亦可彎曲。
在微影裝置100中，收集器腔室212可包括根據本發明之掠角入射鏡面。照明系統IL、投影系統PS或其兩者亦可包括根據本發明之掠角入射反射器。掠角入射反射器之數目、在收集器腔室212、照明系統IL及/或投影系統中反射器之種類及反射器之位置可根據微影裝置之所要操作特性予以判定。其將取決於特定應用，而無論是否橫越反射器同等地想要一寬入射角範圍，或無論是否可在使用上文所描述之修改之情況中將反射器之不同部件「調諧」至不同預期入射角範圍。
根據本發明之掠角入射鏡面可(例如)用於元件製造方法中，或用於使用EUV輻射及掠角入射鏡面之方法中。
製造方法
一種用以在基板上施加金屬塗層之方法係藉由原子層沈積(ALD)。ALD使用自限表面反應之交替步驟以逐一沈積原子層。經由前驅物而提供待沈積之材料。針對若干金屬 (例如，Mo、Ti、Ru、Pd、Ir、Pt、Rh、Co、Cu、Fe及Ni)之ALD方法為吾人所知。代替ALD，可使用電流成長(電沈積)以沈積金屬，或亦可(例如)藉由蒸鍍或濺鍍沈積來沈積金屬。在前言所提及之先前技術參考中給出此等方法之實例。諸如濺鍍之方法可適應於適於6.x奈米之波長之材料，諸如，Th、B、B4C、B9C及其類似者。為了產生ThO2、LaO2等等，吾人可首先形成Th或La層，且接著氧化Th或La層。或者，吾人可藉由在氧化氛圍中沈積金屬Th、La而直接地形成氧化物層。後一方法可藉由離子或電子束來拋光層以縮減其粗糙度而完成。
此等程序可單獨地或彼此組合地被使用。
儘管可使用若干不同金屬，但鉬由於其高熔點及經證實之真空相容性而為有吸引力之候選者。然而，其他材料可由於其與眾不同之屬性而被選擇(特別是在涉及想要輻射及/或非想要輻射之不同波長之情況中)。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況中對所描述之本發明進行修改。
本發明之廣度及範疇不應受到上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據以下條項及申請專利範圍以及其等效者予以界定。
1.一種用於極紫外線(EUV)輻射之掠角入射反射器，其包含：一第一鏡面層，其經組態以至少部分地反射以在一 第一範圍內之掠角入射角入射於該反射器上之EUV輻射，該第一鏡面層經組態以透射在重疊於及延伸超出該第一入射角範圍之一第二入射角範圍內之EUV輻射；及在該第一鏡面層下方之一多層鏡面結構，其經組態以反射以在該第二範圍內之掠角入射角入射於該反射器上且穿透通過該第一鏡面層之EUV輻射。
2.如條項1之掠角入射反射器，其中該第一鏡面層具有小於20奈米之一厚度。
3.如條項1之掠角入射反射器，其進一步包含：在第一鏡面層頂部上之一第二鏡面層，該第二鏡面層經組態以提供針對具有在一第三範圍內之掠角入射角之EUV輻射的增強反射比，該第三範圍係在該第一角度範圍內。
4.如條項1之掠角入射反射器，其中該第二鏡面層具有小於10奈米之一厚度，且遍及自0度延伸至小於10度之一掠角入射角範圍具有大於40%之一反射比。
5.如條項1之掠角入射反射器，其中該第一鏡面層佔據該多層鏡面結構之一表面之僅一部分，以便提供針對具有在該第二範圍內之掠角入射角之EUV輻射的增強反射比。
6.如條項1之掠角入射反射器，其中該反射器經組態以操作於在6奈米至7奈米之範圍內之EUV波長。
7.如條項6之掠角入射反射器，其中該第一鏡面層具有在 15奈米至17奈米之範圍內之一厚度且係由ThO2製成，且遍及介於大於0度與小於12度之間的該第一掠角入射角範圍具有大於40%之一反射比。
8.如條項7之掠角入射反射器，其中：該第二掠角入射角範圍大於或等於12度且小於或等於14度；且該多層鏡面結構係由數個層壓器件形成，每一層壓器件具有一第一子單元及在該第一子單元頂部上之一第二子單元，該第二子單元之一折射率低於該第一子單元之一折射率。
9.如條項8之掠角入射反射器，其中該第一子單元及該第二子單元之材料係選自以下各者之一群組：Th；La；U；B；重金屬元素之氮化物、氧化物、硼化物、氟化物；及輕元素之碳化物。
10.如條項1之掠角入射反射器，其中該反射器經組態以操作於在13奈米至14奈米之範圍內之EUV波長。
11.如條項10之掠角入射反射器，其中該第一鏡面層具有在15奈米至17奈米之範圍內之一厚度且係由Ru製成，且遍及介於大於0度與小於25度之間的該第一掠角入射角範圍具有大於40%之一反射比。
12.如條項11之掠角入射反射器，其中：該第二掠角入射角範圍大於或等於25度且小於或等於30度；且該多層鏡面結構係由數個層壓器件形成，每一層壓 器件具有一第一子單元及在該第一子單元頂部上之一第二子單元，該第二子單元之一折射率低於該第一子單元之一折射率。
13.如條項12之掠角入射反射器，其中該第一子單元及該第二子單元之材料係選自以下各者之一群組：Mo；Si；Ru；及似鑽石碳。
14.如條項1之掠角入射反射器，其中該多層鏡面結構之一週期及一組合物中至少一者橫越該多層鏡面結構而變化，使得最大反射比之一掠角入射角橫越該多層鏡面結構而變化。
15.一種微影裝置，其包含如條項1之掠角入射反射器。
16.一種用於製造經組態以反射極紫外線(EUV)輻射之一掠角入射反射器之方法，該方法包含：將一第一鏡面層沈積於一多層鏡面結構頂部上且將一表面結構沈積於該多層鏡面結構頂部上；其中該第一鏡面層經組態以至少部分地反射以在一第一範圍內之掠角入射角入射於該反射器上之EUV輻射，該第一鏡面層經組態以透射在重疊於及延伸超出該第一入射角範圍之一第二入射角範圍內之EUV輻射；且該多層鏡面結構經組態以反射以在該第二範圍內之掠角入射角入射於該反射器上且穿透通過該第一鏡面層之EUV輻射。
17.一種用於藉由一微影程序來製造一元件之方法，其包含： 經由一照明系統而用來自一極紫外線(EUV)源之EUV輻射來照明一圖案化元件；及藉由該EUV輻射經由投影系統之投影而將該圖案化元件之一影像投影至一基板上；其中該照明系統或該投影系統中至少一者包含如條項1之掠角入射反射器。
21‧‧‧輻射光束
22‧‧‧琢面化場鏡面元件
24‧‧‧琢面化光瞳鏡面元件
26‧‧‧經圖案化光束
28‧‧‧反射器件
30‧‧‧反射器件
100‧‧‧微影裝置
210‧‧‧EUV輻射發射電漿/極熱電漿/高度離子化電漿
211‧‧‧源腔室
212‧‧‧收集器腔室
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧開口
230‧‧‧氣體障壁/污染物截留器/污染截留器/污染物障壁
240‧‧‧光柵光譜濾光器
251‧‧‧上游輻射收集器側
252‧‧‧下游輻射收集器側
253‧‧‧掠角入射反射器
254‧‧‧掠角入射反射器
255‧‧‧掠角入射反射器
300‧‧‧掠角入射反射器
310‧‧‧第一鏡面層/組件
314‧‧‧第二鏡面層
320‧‧‧多層鏡面結構/組件
330‧‧‧基板
340‧‧‧EUV輻射
400‧‧‧掠角入射反射器
500‧‧‧掠角入射反射器
510‧‧‧第一鏡面層
514‧‧‧第二鏡面層
530‧‧‧基板
600‧‧‧掠角入射反射器
710‧‧‧曲線
720‧‧‧曲線
810‧‧‧曲線
820‧‧‧曲線
900‧‧‧掠角入射反射器
920‧‧‧多層鏡面(MLM)結構
922‧‧‧第二子單元
924‧‧‧第一子單元
926‧‧‧層壓單元
1010‧‧‧曲線
1020‧‧‧曲線
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧輻射收集器/收集器光學件
IF‧‧‧虛擬源點/中間焦點
IL‧‧‧照明系統/照明器/照明光學件單元
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一***
PS‧‧‧投影系統
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二***
SO‧‧‧源收集器模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的例示性微影裝置；圖2為如圖1所示之裝置100的更詳細視圖；圖3為根據本發明之一實施例的例示性掠角入射反射器；圖4為根據本發明之另一實施例的例示性掠角入射反射器；圖5為根據本發明之另一實施例的例示性掠角入射反射器；圖6為根據本發明之另一實施例的例示性掠角入射反射器；圖7為在以度為單位之EUV輻射掠角入射角θ相對於反射比R之情況中針對6.7奈米之波長之EUV輻射的模擬標繪圖；圖8為在以度為單位之EUV輻射掠角入射角θ相對於反射比R之情況中針對13.5奈米之波長之EUV輻射的另一模擬標繪圖；圖9為根據本發明之另一實施例的例示性掠角入射反射 器；圖10為根據本發明之一實施例的針對掠角入射反射器之例示性多層鏡面結構之說明；圖11為多層鏡面結構之週期h隨入射角θ而變的模擬標繪圖。
300‧‧‧掠角入射反射器
310‧‧‧第一鏡面層/組件
320‧‧‧多層鏡面結構/組件
330‧‧‧基板
340‧‧‧EUV輻射

Claims (16)

  1. 一種用於極紫外線(EUV)輻射之掠角入射(grazing incidence)反射器，其包含：一第一鏡面層，其經組態以至少部分地反射以在一第一範圍內之掠角入射角入射於該反射器上之EUV輻射，該第一鏡面層經組態以透射在重疊於及延伸超出該第一入射角範圍之一第二入射角範圍內之EUV輻射；在該第一鏡面層下方之一多層鏡面結構，其經組態以反射以在該第二範圍內之掠角入射角入射於該反射器上且穿透通過該第一鏡面層之EUV輻射；及在第一鏡面層頂部上之一第二鏡面層，該第二鏡面層經組態以提供針對具有在一第三範圍內之掠角入射角之EUV輻射的增強反射比(reflectance)，該第三範圍係在該第一角度範圍內。
  2. 如請求項1之掠角入射反射器，其中該第一鏡面層具有小於20奈米之一厚度。
  3. 如請求項1或2之掠角入射反射器，其中該第二鏡面層具有小於10奈米之一厚度，且遍及自0度延伸至小於10度之一掠角入射角範圍具有大於40%之一反射比。
  4. 如請求項1或2之掠角入射反射器，其中該第一鏡面層佔據該多層鏡面結構之一表面之僅一部分，以便提供針對具有在該第二範圍內之掠角入射角之EUV輻射的增強反射比。
  5. 如請求項1或2之掠角入射反射器，其中該反射器經組態 以操作於在6奈米至7奈米之範圍內之EUV波長。
  6. 如請求項5之掠角入射反射器，其中該第一鏡面層具有在15奈米至17奈米之範圍內之一厚度且係由ThO2製成，且遍及介於大於0度與小於12度之間的該第一掠角入射角範圍具有大於40%之一反射比。
  7. 如請求項6之掠角入射反射器，其中：該第二掠角入射角範圍大於或等於12度且小於或等於14度；且該多層鏡面結構係由數個層壓器件形成，每一層壓器件具有一第一子單元及在該第一子單元頂部上之一第二子單元，該第二子單元之一折射率低於該第一子單元之一折射率。
  8. 如請求項7之掠角入射反射器，其中該第一子單元及該第二子單元之材料係選自以下各者之一群組：Th；La；U；B；重金屬元素之氮化物、氧化物、硼化物、氟化物；及輕元素之碳化物。
  9. 如請求項1或2之掠角入射反射器，其中該反射器經組態以操作於在13奈米至14奈米之範圍內之EUV波長。
  10. 如請求項9之掠角入射反射器，其中該第一鏡面層具有在15奈米至17奈米之範圍內之一厚度且係由Ru製成，且遍及介於大於0度與小於25度之間的該第一掠角入射角範圍具有大於40%之一反射比。
  11. 如請求項10之掠角入射反射器，其中：該第二掠角入射角範圍大於或等於25度且小於或等於 30度；且該多層鏡面結構係由數個層壓器件形成，每一層壓器件具有一第一子單元及在該第一子單元頂部上之一第二子單元，該第二子單元之一折射率低於該第一子單元之一折射率。
  12. 如請求項11之掠角入射反射器，其中該第一子單元及該第二子單元之材料係選自以下各者之一群組：Mo；Si；Ru；及似鑽石碳。
  13. 如請求項1或2之掠角入射反射器，其中該多層鏡面結構之一週期及一組合物中至少一者橫越該多層鏡面結構而變化，使得最大反射比之一掠角入射角橫越該多層鏡面結構而變化。
  14. 一種微影裝置，其包含一如請求項1至13中任一項之掠角入射反射器。
  15. 一種用於製造經組態以反射極紫外線(EUV)輻射之一掠角入射反射器之方法，該方法包含：將一第一鏡面層沈積於一多層鏡面結構頂部上、將一表面結構沈積於該多層鏡面結構頂部上且將一第二鏡面層沈積於該第一鏡面層頂部上；其中該第一鏡面層經組態以至少部分地反射以在一第一範圍內之掠角入射角入射於該反射器上之EUV輻射，該第一鏡面層經組態以透射在重疊於及延伸超出該第一入射角範圍之一第二入射角範圍內之EUV輻射；該多層鏡面結構經組態以反射以在該第二範圍內之掠角入射角 入射於該反射器上且穿透通過該第一鏡面層之EUV輻射；且該第二鏡面層經組態以提供針對具有在一第三範圍內之掠角入射角之EUV輻射的增強反射比，該第三範圍係在該第一角度範圍內。
  16. 一種用於藉由一微影程序來製造一元件之方法，其包含：經由一照明系統而用來自一極紫外線(EUV)源之EUV輻射來照明一圖案化元件；及藉由該EUV輻射經由投影系統之投影而將該圖案化元件之一影像投影至一基板上；其中該照明系統或該投影系統中至少一者包含一如請求項1至13中任一項之掠角入射反射器。
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