JP6144874B2 - リソグラフィ装置用の反射型光コンポーネントおよびデバイス製造方法 - Google Patents

Description

[001] 本発明は、デバイス製造のためのリソグラフィ装置用の反射型光コンポーネント、特にデバイスリソグラフィにおける使用のために極端紫外線（ＥＵＶ）を反射するのに適した反射型光コンポーネントに関する。

[002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ以上のダイの一部を含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。

[003] リソグラフィは、ＩＣおよび他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、リソグラフィは小型ＩＣまたは他のデバイスおよび／または構造を製造可能にするためのより重大な要素になりつつある。

[004] パターンプリンティングの限界の理論推定値は、次式（１）に示されるような解像度についてのレイリー（Rayleigh）基準によって与えることができる。

ここで、λは用いられる放射の波長であり、ＮＡはパターンのプリントに用いられる投影システムの開口数であり、ｋ_１はレイリー定数とも呼ばれる、プロセス依存型調節係数であり、ＣＤはプリントされたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンション）である。式（１）から、フィーチャの最小プリント可能サイズの縮小は、３つの方法、すなわち、露光波長λを短くすること、開口数（ＮＡ）を大きくすること、またはｋ_１の値を小さくすることによって得られることが分かる。

[005] 露光波長を短くする、したがって最小プリント可能なサイズを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内である５〜２０ｎｍの範囲内、または、６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといった５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。可能な放射源としては、例えばレーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングによって供給されるシンクロトロン放射に基づいた放射源が挙げられる。

[006] ＥＵＶ放射はプラズマを用いて生成されうる。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、燃料を励起してプラズマを供給するためのレーザと、プラズマを閉じ込めるための放射源コレクタモジュールとを含みうる。プラズマは、例えば好適な物質（例えばスズ）の粒子、または、ＸｅガスまたはＬｉ蒸気といった適切なガスまたは蒸気のストリームである燃料にレーザビームを向けることによって生成されうる。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射である出力放射を放出し、この放射は放射コレクタを用いて集められる。放射コレクタは、放射を受け取りかつ放射をビームに集束するミラー付き法線入射放射コレクタであってよい。放射源コレクタモジュールは、プラズマを支援するために真空環境を与えるように構成された囲い構造またはチャンバを含みうる。このような放射システムは、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれる。

[007] 電磁スペクトルの（通常５〜２０ｎｍの波長を有する）ＥＵＶ域で動作するリソグラフィ装置の現行の設計では、パターニングデバイスからパターンを基板上に転写し、また、リソグラフィツールの高生産性を維持するためにビームを調整しかつパターン付けするために高反射性の素子を提供することが望ましい。電磁スペクトルのこの部分は、放射は多くの表面によって容易に吸収されてしまうので、伝送損失に非常に敏感である。モリブデンまたはダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）とケイ素からなる交互層を有するミラーといった多層ミラーが通常用いられる。これらは、協働する中間層干渉によってＥＵＶ放射を反射するように作用する。５０より多いＭｏ／Ｓｉからなる交互二重層を用いて反射コーティングが形成されてよく、各二重層は、例えば１０ｎｍ未満の厚さを有しうる。他のＥＵＶミラーは、ケイ素を有するダイアモンド状炭素からなる多層を有しうる。通常、これらの反射面には、ルテニウム（Ｒｕ）層といった金属最上層が設けられうる。金属最上層は、酸化を防止するために用いられるが、反射コーティングの反射率の減少を引き起こしうる。

[008] ルテニウムキャップ層は、ＥＵＶリソグラフィ装置の使用時に蓄積する堆積物を除去すべく簡単にクリーニングでき、かつ、酸化物形成に対し耐性があり、ＥＵＶに対する反射率の過剰な損失をもたらさない保護層として有用である。しかし、ルテニウムは、リソグラフィ装置の使用時に汚染物質として存在する、または、インサイチュ（in situ）クリーニングプロセス時に汚染物質として存在する硫黄化合物からの硫黄で比較的容易に汚染されることが分かっている。これは、反射面上への硫黄または硫黄化合物の蓄積をもたらし、最終的にはＥＵＶ放射に対する反射率の損失をもたらす。汚染物質は、例えばレジストから、用いられた物質から、そして保守管理活動時に反射面が晒されうる環境空気から部分的に生じうる。

[009] 硫黄化合物汚染物質の存在下でもＥＵＶ反射率を維持し、および／または、硫黄または硫黄化合物が容易にクリーニングされうる、ＥＵＶ反射面用の保護層を提供することが望ましい。

[0010] リソグラフィ装置に使用する反射型ＥＵＶ光コンポーネントに、ＥＵＶ反射率を実質的に損なうことなく硫黄汚染を減少する保護キャップ層を提供することが、本発明の実施形態の数ある態様のうちの１つの態様である。

[0011] 本発明の一態様では、ＥＵＶ放射を反射するように構成された反射型光コンポーネントが提供される。この反射型光コンポーネントは、バイメタルキャップ層をその上に有する反射層を含み、バイメタルキャップ層は、第１の金属と、第１の金属とは異なる第２の金属とを含み、キャップ層の外表面は、硫黄化合物に対して実質的に非反応性である。第１の金属および第２の金属は、それぞれ、ＥＵＶ放射に対して高い透過率を示すことが望ましい。

[0012] 本発明の少なくとも１つの実施形態は、ＥＵＶ放射の反射に適した反射型光コンポーネントを提供しうる。この反射型光コンポーネントは、キャップ層をその上に有する反射層を含み、キャップ層は、キャップ層の外表面を硫黄化合物に対して実質的に非反応性にするように適応された、第１の金属および第１の金属とは異なる第２の金属からなる合金である。

[0013] 本発明の少なくとも１つの実施形態は、さらに、ＥＵＶ放射の反射に適した反射型光コンポーネントを提供しうる。この反射型光コンポーネントは、反射層と、ＥＵＶ放射に対して高い透過率を示す金属であることが好適であり、例えばルテニウム、レニウム、パラジウム、チタン、およびジルコニウムから構成される群から選択され、反射層上に堆積される第１の金属からなるベース層と、ベース層上に堆積される第２の金属からなる表面層と、を含み、表面層は、５未満の、第２の金属からなる単分子層を含み、表面層の外面は、第１の金属の表面よりも硫黄に対して低い吸着係数を有する。

[0014] 本発明の一態様では、リソグラフィ装置が提供され、このリソグラフィ装置は、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、パターニングデバイスはパターン付き放射ビームを形成するように放射ビームの断面にパターンを付与するように構成される、サポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板上のターゲット部にパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムと、を含み、放射ビームはＥＵＶ放射ビームであり、リソグラフィ装置は、本発明の一態様による反射型光コンポーネントを１つ以上含む。

[0015] 本発明の一態様では、パターニングデバイスからのＥＵＶ放射のパターンを基板上に投影するように構成されたリソグラフィ投影装置が提供され、このリソグラフィ投影装置は、本発明の一態様による反射型光コンポーネントを１つ以上含む。

[0016] 本発明の一態様では、ＥＵＶリソグラフィ用の照明装置が提供される。この照明装置は、ＥＵＶ放射ビームを調整するように構成され、本発明の一態様による反射型光コンポーネントを１つ以上含む。

[0017] 本発明の一態様による反射型光コンポーネントを１つ以上含むＥＵＶリソグラフィに適したＥＵＶ源も、本発明の一態様として提供される。

[0018] 本発明の一態様では、硫黄含有汚染物質の堆積から生じる光コンポーネントのＥＵＶ反射率の損失を減少するために、リソグラフィ装置内でＥＵＶを反射するように配置された光コンポーネントに、第１の金属と第１の金属とは異なる第２の金属とを含むバイメタルキャップ層を、コーティングとして使用することが提供される。

[0019] 本発明の一態様では、 を含むデバイス製造方法が提供される。

[0020] 本発明の一態様では、バイメタルキャップ層をその上に有する反射層を含むＥＵＶ放射の反射に適した反射型光コンポーネントが、本発明の一態様として提供される。バイメタルキャップ層は、第１の金属と、第１の金属とは異なる第２の金属とを含んでよく、それにより、キャップ層の外表面は、硫黄化合物に対して実質的に非反応性である。このバイメタルキャップ層は、例えば第１および第２の金属からなる合金であってよく、例えば２：１から１：２または３：２から２：３である、第１の金属の第２の金属に対する３：１から１：３のモル比を含みうる。

[0021] 一実施形態では、バイメタルキャップ層は、第１の金属からなるベース層と、第１の金属とは異なる第２の金属からなり、ベース層上に設けられる表面層とを含みうる。表面層は、５未満の、例えば３以下の第２の金属からなる単分子層を含んでよく、または、実質的に（すなわち、モル組成で±２０％以内）１つの、第２の金属からなる単分子層であってもよい。

[0022] バイメタルキャップ層は、２ｎｍ以下といった４ｎｍ以下の厚さを有することが望ましい。

[0023] 第１の金属は、任意の適切な金属であってよく、特に、ＥＵＶ放射に対して高い透過率を有する金属から選択されうる。例えば第１の金属は、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、チタン、ニオブ、ジルコニウムから構成される群から選択され、例えば、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、チタン、およびジルコニウムから構成される群から選択され、例えば、パラジウムまたはチタンでありうる。

[0024] 第２の金属は、ＥＵＶ放射に対して高い透過率を有する金属から選択される任意の金属から選択されうる。例えば第２の金属は、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、スカンジウム、チタン、バナジウム、マンガン、ジルコニウム、チタン、ニオブ、モリブデン、タングステン、およびレニウムから構成される群から構成され、例えばルテニウム、ロジウム、パラジウムおよびチタン、およびジルコニウムから構成される群から選択され、例えばルテニウムでありうる。

[0025] 反射層は、モリブデンまたはダイアモンド状炭素とケイ素からなる交互層を含むことが適切であり、ＥＵＶ放射に対する高い反射率を与えるように配置される。

[0026] 以上に記載した特徴は、適宜、本発明のあらゆる態様に適用可能である。

[0027] 本発明の実施形態を、ほんの一例として添付概略図を参照しながら説明する。図中、対応する参照記号は対応する部分を示す。
[0028] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0029] 図２は、放電生成プラズマ源コレクタモジュールを含む、図１の装置のより詳細な図である。 [0030] 図３は、図１の装置の代替放射源コレクタモジュールの図であって、この代替手段はレーザ生成プラズマ源コレクタモジュールである、図である。 [0031] 図４は、本発明の一実施形態による反射型光コンポーネントの概略断面図を示す。

[0032] 図１は、本発明の一実施形態による放射源コレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、例えばＥＵＶ放射である放射ビームＢを調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば反射投影レンズシステム）ＰＳとを含む。

[0033] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。通常、照明システムは、本発明のリソグラフィ装置に用いられるＥＵＶ放射の反射における使用に適した反射型光コンポーネントを含む。

[0034] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。

[0035] 「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応しうる。

[0036] パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよいが、ＥＵＶ放射に対しては、通常、反射型光コンポーネントを含むかまたはそれらから構成される。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射された放射ビームにパターンを付与する。

[0037] 投影システムは、照明システムと同様に、用いられる露光放射に、または真空の使用といった他の要素に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、または他の型の光学コンポーネント、またはそれらのあらゆる組合せを含む様々な型の光学コンポーネントを含みうる。他のガスは放射を吸収しすぎることがあるので、ＥＵＶ放射には真空を用いることが望ましい。したがって、真空環境を、真空壁および真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供しうる。

[0038] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は反射型装置であってよい（例えば反射型マスクを採用する）。

[0039] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。

[0040] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源コレクタモジュールＳＯから極端紫外線（ＥＵＶ）ビームを受け取る。ＥＵＶ光を生成する方法には、次に必ずしも限定されないが、物質を、ＥＵＶ範囲内の１本以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、またはスズである少なくとも１つの元素を有するプラズマ状態に変換することが含まれる。多くの場合、レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれるこのような方法の１つでは、必要とされるプラズマは、必要な輝線を放出する元素を有する物質の液滴、ストリームまたはクラスタといった燃料をレーザビームによって照射することによって生成することができる。放射源コレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供する、図１には図示しないレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射である出力放射を放出し、この放射は、放射源コレクタモジュール内に配置される放射源コレクタを使って集められる。例えばＣＯ_２レーザを用いて燃料励起のためのレーザビームを提供する場合は、レーザと放射源コレクタモジュールは別個の構成要素であってよい。

[0041] その場合、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームはレーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば放射源が多くの場合ＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。放射源は、通常、本発明の態様による反射型光コンポーネントを含むかまたはそれらから構成されうる反射型光コンポーネントを含む。

[0042] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成されたアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセットフィールドデバイスおよび瞳ミラーデバイスといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。

[0043] 放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、１つ以上の、本発明の一態様による反射型光コンポーネントを含むかまたはそれらから構成されうるマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。この投影システムは、本発明のイチ態様による反射型光コンポーネントを含むまたはそれらから構成される反射型光コンポーネントも含みうる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされうる。

[0044] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。

[0045] １．ステップモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それにより別のターゲット部分Ｃを露光することができる。

[0046] ２．スキャンモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。

[0047] ３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0048] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、或いは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

[0049] 図２は、放射源コレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、および投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置１００をより詳細に示す。放射源コレクタモジュールＳＯは、放射源コレクタモジュールＳＯの囲い構造２２０内に真空環境が維持可能であるように構成される。ＥＵＶ放射を放出するプラズマ２１０が放電生成プラズマ源によって形成されうる。ＥＵＶ放射は、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気といったガスまたは蒸気によって生成されてよく、ガスまたは蒸気内で非常に高温のプラズマ２１０が生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射が放出される。非常に高温のプラズマ２１０は、例えば少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを引き起こす放電によって生成される。１０Ｐａの分圧のＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または任意の他の好適なガスまたは蒸気が、放射の効率のよい発生には必要となりうる。一実施形態では、励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマが提供されてＥＵＶ放射が生成される。

[0050] 高温プラズマ２１０によって放出された放射は、放射源チャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内へと、放射源チャンバ２１１の開口内またはその後方に位置決めされる光学ガスバリアまたは汚染物質トラップ２３０（汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれることがある）を介して渡される。汚染物質トラップ２３０はチャネル構造を含みうる。汚染物質トラップ２３０はガスバリア、または、ガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含んでもよい。本明細書に示す汚染物質トラップまたは汚染物質バリア２３０はさらに、当技術において周知であるように少なくともチャネル構造を含む。

[0051] コレクタチャンバ２１１は、いわゆるかすめ入射コレクタでありうる放射コレクタＣＯを含みうる。放射コレクタの反射型光コンポーネントは、本発明の一態様による反射型光コンポーネントを含むかまたは本発明の一太陽による反射型光コンポーネントであってよい。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１と下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを通過する放射は格子スペクトルフィルタ２４０から反射して仮想放射源点ＩＦに合焦される。仮想放射源点ＩＦは通常中間焦点と呼ばれ、放射源コレクタモジュールは中間焦点ＩＦが囲み構造２２０の開口２２１にまたはその付近に位置するように構成される。仮想放射源点ＩＦは放射を放出するプラズマ２１０の像である。

[0052] 次に、放射は照明システムＩＬを通過する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１の所望の角分布を提供し、また、パターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度の均一性を提供するように構成されたファセットフィールドミラーデバイス２２およびファセット瞳ミラーデバイス２４を含みうる。これらの反射型光コンポーネントは、本発明の一態様による反射型光コンポーネントを含むかまたはそれらから構成されうる。サポート構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１が反射した後、パターン付きビーム２６が形成されて、このパターン付きビーム２６は、反射要素２８、３０を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に投影システムＰＳによって結像される。

[0053] 図示するよりも多くの要素が一般的に照明光学ユニットＩＬおよび投影システムＰＳ内に存在しうる。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置の型に依存して任意選択的に存在しうる。さらに図示するよりも多くのミラーが存在してよく、例えば図２に示すよりも１〜６個追加の反射要素が投影システムＰＳ内に存在してもよい。これらの反射型光コンポーネントのうちのいずれかまたはいずれも、本発明の一態様によるものでありうる。

[0054] 図２に示すコレクタ光学部品ＣＯは、本発明の一態様によりうるコレクタ（またはコレクタミラー）のほんの一例として、かすめ入射リフレクタ２５３、２５４、および２５５を有するネスト型コレクタとして示される。かすめ入射リフレクタ２５３、２５４、および２５５は光軸Ｏ周りに軸対称に配置され、この型のコレクタ光学部品ＣＯは、ＤＰＰ源と多くの場合呼ばれる放電生成プラズマ源と組み合わせて用いられることが好適である。

[0055] 或いは、放射源コレクタモジュールＳＯは、図３に示すようにＬＰＰ放射システムの一部であってもよい。レーザＬＡがキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、またはリチウム（Ｌｉ）といった燃料にレーザエネルギーを堆積するように構成され、それにより、数十ｅＶの電子温度を有する、高度にイオン化されたプラズマ２１０が生成される。脱励起およびこれらのイオンの再結合時に発生されるエネルギー放射がプラズマから放出され、近法線入射コレクタ光学系ＣＯによって集められ囲い構造２２０の開口２２１に合焦される。

[0056] 図４は、ＥＵＶ放射に対して高い反射率を与えるように配置されたモリブデンとケイ素の交互層の反射層３０１を有する、光学的に平らなキャリアであるキャリア３００を示す。例えば５０以上のＭｏ／Ｓｉの交互二重層を用いて反射コーティングが形成されてよく、各二重層は、例えば１０ｎｍ未満の厚さを有しうる。モリブデンは、例えばダイアモンド状炭素（ＤＬＣ）によって置換されてもよい。

[0057] 図示する実施形態では、約２ｎｍ以下の厚さを有する第１の金属のベース層３０２が反射層上に堆積されている。第２の金属からなる表面層３０３が、ベース層上に堆積される。図示する実施形態では、表面金属層３０３は第２の金属からなる１つの単分子層であるが、この層は、５未満の、第２の金属からなる単分子層であってもよい。より多い数の単分子層では、第２の金属からなる表面層３０３の外表面３０４は、バルクの第２の金属の表面として挙動しうる。理論に縛られることなく、格子間隔を第１の金属からなるベース層に合わせる必要から生じる、表面層における第２の金属のパッキングおよび原子間隔への歪みは、第２の金属のその外表面３０４における結合エネルギーの変更をもたらし、これによりＳＯ_２といった硫黄含有汚染物質の吸着が弱くなると考えられる。反射層上への第１および第２の金属の堆積は、例えばスパッタリング、化学蒸着、または任意の他の適切な方法によって達成されうる。

[0058] 望ましくは、バイメタルキャップ層（３０２＋３０３）は、当該層によって吸収されるＥＵＶ放射量があまり多くないように４ｎｍ以下、例えば２ｎｍ以下の厚さを有するが、キャップ層は、クリーニング作業に対しては機械的に安定しているように十分に厚い。

[0059] ベース層３０２の第１の金属は、低ＥＵＶ吸収とするために、ルテニウム、パラジウム、チタン、ジルコニウム、またはロジウムであってよく、例えばルテニウム、ロジウム、パラジウム、またはチタン、例えばチタンであってよい。表面層３０３の第２の金属は、パラジウム、ルテニウム、ロジウムであってよく、第２および第１の金属は異なる金属であることに留意しつつ、硫黄含有化合物の低吸着を与えることに加えて酸化に対する高耐性を確実にする。第１の金属がチタンである場合、第２の金属はルテニウムであることが望ましい。

[0060] 図示しない別の実施形態では、キャップ層は、例えば２：１から１：２または３：２から２：３といった第１：第２の金属の３：１から１：３のモル比を含む単一の合金層であってよく、それにより合金の変更された結合エネルギーによって、ＳＯ_２といった硫黄含有汚染物質の吸着が弱まる。

[0061] 反射層は、モリブデンまたはダイアモンド状炭素とケイ素からなる交互層を含むことが適切であり、ＥＵＶ放射に対する高い反射率を与えるように配置される。

[0062] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるがそのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

[0063] 光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明の実施形態は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。例えば、本発明は、ＥＵＶがデバイス製造またはインプリントリソグラフィ用のパターニングデバイス準備のプロセスステップにおいて用いられる場合に役立ちうる。

[0064] 「レンズ」という用語は、文脈によって、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。

[0065] 用語「ＥＵＶ放射」は、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内といった５〜２０ｎｍの範囲内、または、６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといった５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を包含しているとみなしてよい。

[0066] 上記の説明は、限定ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

Claims (13)

1. ＥＵＶ放射を反射するように構成された反射型光コンポーネントであって、バイメタルキャップ層をその上に有する反射層を含み、前記バイメタルキャップ層は、第１の金属からなるベース層と、前記ベース層上に設けられる前記第１の金属とは異なる第２の金属からなる表面層とを含み、前記キャップ層の外表面は、硫黄化合物に対して実質的に非反応性であり、前記第１の金属は、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、チタン、ジルコニウム、およびニオブから構成される群から選択される、反射型光コンポーネント。
2. 前記表面層は、５未満の、前記第２の金属からなる単分子層を含む、請求項１に記載の反射型光コンポーネント。
3. 前記表面層は、実質的に、前記第２の金属からなる単分子層である、請求項１または２に記載の反射型光コンポーネント。
4. 前記バイメタルキャップ層は、４ｎｍ以下の厚さを有する、請求項１から３のいずれかに記載の反射型光コンポーネント。
5. 前記第１の金属は、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、チタン、およびジルコニウムから構成される群から選択される、請求項１から４のいずれかに記載の反射型光コンポーネント。
6. 前記第２の金属は、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、スカンジウム、チタン、バナジウム、マンガン、ジルコニウム、チタン、ニオブ、モリブデン、タングステン、およびレニウムから構成される群から選択される、請求項１から５のいずれかに記載の反射型光コンポーネント。
7. 前記第２の金属は、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、チタン、およびジルコニウムから構成される群から選択される、請求項６に記載の反射型光コンポーネント。
8. 前記反射層は、モリブデンまたはダイアモンド状炭素とケイ素からなる複数の交互層を含む、請求項１から７のいずれかに記載の反射型光コンポーネント。
9. ＥＵＶ放射を反射するように構成された反射型光コンポーネントであって、キャップ層をその上に有する反射層を含み、前記キャップ層は、前記キャップ層の外表面を硫黄化合物に対して実質的に非反応性にするように構成された、第１の金属および第２の金属からなる合金であり、前記第２の金属は前記第１の金属とは異なる、反射型光コンポーネント。
10. ＥＵＶ放射を反射するように構成された反射型光コンポーネントであって、
    反射層と、
    前記反射層上に堆積される、ルテニウム、レニウムおよびパラジウム、チタン、およびジルコニウムから構成される群から選択された第１の金属からなるベース層と、
    前記ベース層上に堆積される第２の金属からなる表面層と、
    を含み、
    前記第２の層は、５未満の、前記第２の金属からなる単分子層を含み、
    前記表面層の外面は、前記第１の金属の表面よりも硫黄に対して低い吸着係数を有する、反射型光コンポーネント。
11. パターニングデバイスからのＥＵＶ放射のパターンを基板上に投影するように構成されたリソグラフィ投影装置であって、１つ以上の、請求項１から１０のいずれか一項に記載の反射型光コンポーネントを含む、リソグラフィ投影装置。
12. ＥＵＶ放射ビームを調整するように構成された、ＥＵＶリソグラフィ用の照明装置であって、１つ以上の、請求項１から１０のいずれか一項に記載の反射型光コンポーネントを含む、照明装置。
13. １つ以上の、請求項１から１０のいずれか一項に記載の反射型光コンポーネントでＥＵＶ放射ビームを反射することと、
    パターン付きＥＵＶ放射ビームを基板上に投影することと、
    を含む、デバイス製造方法。
    

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