JP2005156201A - X線全反射ミラーおよびx線露光装置 - Google Patents
X線全反射ミラーおよびx線露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005156201A JP2005156201A JP2003391606A JP2003391606A JP2005156201A JP 2005156201 A JP2005156201 A JP 2005156201A JP 2003391606 A JP2003391606 A JP 2003391606A JP 2003391606 A JP2003391606 A JP 2003391606A JP 2005156201 A JP2005156201 A JP 2005156201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- total reflection
- layer
- ray
- reflection mirror
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
- G21K1/062—Devices having a multilayer structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【課題】X線の全反射領域における斜入射の反射ミラーの反射率を向上させる。
【解決手段】図1の(a)に示す単層膜構成のX線全反射ミラーの反射率は、単層反射膜12の成膜による密度低下のために理論値より大幅に低下する。そこで図1の(b)に示すように、2つの材料からなる第1層2a、第2層2bからなる積層ペアを少なくとも1ペア有し、単層反射膜12と同じ入射角度θで同じ理論反射率となるように最適化を行った多層膜構成にして、オーバーコートとなる保護層3を設ける。多層膜構成のX線全反射ミラーの実際の反射率は、各層の吸収が少ないために、単層膜構成のX線全反射ミラーに比べて理論値に近い。
【選択図】図1
【解決手段】図1の(a)に示す単層膜構成のX線全反射ミラーの反射率は、単層反射膜12の成膜による密度低下のために理論値より大幅に低下する。そこで図1の(b)に示すように、2つの材料からなる第1層2a、第2層2bからなる積層ペアを少なくとも1ペア有し、単層反射膜12と同じ入射角度θで同じ理論反射率となるように最適化を行った多層膜構成にして、オーバーコートとなる保護層3を設ける。多層膜構成のX線全反射ミラーの実際の反射率は、各層の吸収が少ないために、単層膜構成のX線全反射ミラーに比べて理論値に近い。
【選択図】図1
Description
本発明は、X線露光装置の投影光学系等において用いられるX線全反射ミラーおよびX線露光装置に関するものである。
X線領域における物質の屈折率は、真空中と同じ、1に近くなり、物質によっては1よりも小さくなる材料があり、このような材料を用いて、入射角度の大きい、いわゆる斜入射の全反射ミラーが、X線露光装置の投影光学系等において使われている。しかし通常、X線領域では物質には吸収が存在するため、高い反射率を得るのは難しかった。
加えて、単一材料を全反射可能な厚さに成膜する場合、コラムなどが形成されて膜表面が荒れてしまい、反射率低下を招く。特にEUV波長で用いられるMoの全反射膜は、結晶化しやすく大きなコラムができる傾向にあり、これも、反射率低下の一因となることがある。
さらに、一般にスパッタリングや、蒸着などの成膜方法によりできた膜は、バルク材料に比べて密度が低く、膜の屈折率は使用環境に近づくため、反射率がより一層低下する傾向にあった。例えば図4に示すように、基板101上にMo膜102をスパッタリングによって成膜し、その上にSi膜103を保護層として積層した単層膜構成のX線全反射ミラーでは、バルク密度での計算値である理論反射率より実際の反射率が低下するのを避けることができない。
従って、入射角度の大きい全反射領域、すなわち、斜入射においては充分に高反射率であるX線ミラーを実現するのは困難であった。
他方、全反射領域外の小さい入射角度で高反射率のミラーを得るためには、必ず多層膜構成にしなければならず、一般に広く知られているのは、例えば特開平5−89818号公報に記載されているように、垂直入射で全体が一定膜厚の1/4波長積層体に似たブラッグ反射の条件を満足する多層膜である。
特開平5−089818号公報
本発明は、上記従来の技術の有する未解決の課題に鑑みてなされたものであり、全反射入射角度領域において、単層膜のX線全反射ミラーより高い反射率を実現できるX線全反射ミラーおよびX線露光装置を提供することを目的とするものである。
上記の目的を達成するため、本発明のX線全反射ミラーは、X線の全反射領域における入射角度で用いられるX線全反射ミラーであって、屈折率の異なる2つの材料層からなる積層ペアを少なくとも1ペア備えており、前記2つの材料層のうちの一方と同じ材料からなる単層膜構成のX線全反射ミラーと同じ入射角度で同じ理論反射率を得るように最適化された多層膜構成の反射膜を有することを特徴とする。
一方の材料層がMo、RuおよびRhのうちの少なくとも1つを含む材料からなり、他方が、Si、Be、P、Sr、RbおよびRbCのうちの少なくとも1つを含む材料からなるとよい。
各ペアの2つの材料層が、それぞれスパッタリング法または蒸着法によって成膜されているとよい。
最上層として、C、Ru、Si、SiO2 およびB4 Cのうちの少なくとも1つを含む保護層が設けられているとよい。
本発明のX線露光装置は、上記のX線全反射ミラーを含む投影光学系を備えたことを特徴とする。
一般にスパッタリングや、蒸着などの成膜によりできた膜は、バルク材料に比べて密度が低い。本発明は、この現象を逆手に取り、その密度低下を利点として使うものである。
すなわち、膜の密度低下により、屈折率は使用環境の屈折率に近づく。通常X線ミラーは真空もしくは減圧気体中で使用されるため、屈折率はほぼ1に近くなる。このため、単一材料で構成された単層膜構成のX線全反射ミラーの場合、実際の反射率は理論値より大幅に低下する。
他方、膜の密度低下によって吸収も低下するため、他の材料を組み合わせた多層膜構成にして、同じ全反射領域の入射角度で最適化したものは、単一材料の単層膜構成に比べて実際の反射率が理論値に近くなり、高反射率のX線全反射ミラーを実現することができる。
図1の(a)に示すものは、基板11に、対応する入射角度θがX線の全反射領域である斜入射の単層反射膜12を成膜し、その上に保護層13を設けた単層膜構成のX線全反射ミラーであり、この単層膜構成のX線全反射ミラーと同じ材料を用いて、同じ斜入射の入射角度θで同じ理論反射率を得ることのできる多層膜構成の反射膜を有するX線反射ミラーを設計する。すなわち、同図の(b)に示すように、基板1上に屈折率の異なる2つの材料層である第1層2a、第2層2bからなる積層ペアを少なくとも1ペア有する多層膜2を設け、その上に保護層3を設けた多層膜構成にして、上記の条件で最適化を行う。
図1の(a)の単層反射膜12および同図の(b)の第2層2bの材料は、Mo、RuまたはRhを主成分とする材料もしくはそれらの化合物であり、第1層2aの材料は、Si、Be、P、Sr、RbまたはRbCを主成分とする材料もしくはそれらの化合物である。
そして、多層膜2の最表面にオーバーコートとして設けられる保護層3の材料は、C、Ru、Si、SiO2 、またはB4 Cを主成分とする材料、もしくはそれらの化合物である。
第1、第2層2a、2bおよび保護層3の成膜方法は、それぞれスパッタリング、もしくは蒸着である。
図1の(b)に示す多層膜構成のX線全反射ミラーをスパッタリングもしくは蒸着によって製作すると、図1の(a)に示す単層膜構成のX線全反射ミラーに比べて、理論値に近い高反射率を得ることができる。これは、多層膜構成のX線全反射ミラーは吸収が少ないため、バルク密度に基づいた理論反射率に近く、単層膜構成のX線全反射ミラーでは逆に密度低下による屈折率の変化が実際の反射率に大きく影響するためであると推測される。
本実施例は、波長13.5nmのX線領域におけるMo単層反射膜の全反射ミラーを基本構造として最適化を行った多層膜構成のX線全反射ミラーであり、図1の(b)に示すように、基板1上にSiからなる第1層2aとMoからなる第2層2bを一つの積層ペアとする所定数のペアをスパッタ法によって積層し、最表面にSiの保護層3をオーバーコートとして設けている。各ペアのSiの膜厚は21nm±1nm、Moの膜厚は16nm±1nmであり、Siオーバーコート膜厚は、約2nmである。
図2は、本実施例によるX線全反射ミラーの入射角度(°)に対する角度反射特性を実測した結果を示すもので、実線で示すグラフAが本実施例での対バルク密度比が97%の多層膜構成の実際の反射率Rであり、破線で示すグラフBが対バルク密度比が97%の基本構造(単層膜構成)のMo全反射ミラーの実際の反射率Rである。矢印で示すように、入射角度74°付近に最適化された多層膜構成にすることで、Moのみの単層膜からなる全反射ミラーよりも高い反射率を得ることができる。
図3は、単層膜構成のMo全反射ミラーの実際の反射率Rの角度特性を実線のグラフBで示し、破線のグラフCで示すバルク材の屈折率を用いた理論反射率と比較したものである。スパッタ成膜による、対バルク密度比で97%のMo単層膜の全反射ミラーの場合は、成膜の密度低下により、全反射付近の入射角度で実際の反射率が低下することがわかる。
なお、上記の基本構造における基板11上の単層膜12は、約300nmの厚さのMo膜、保護層13は、約2nmの厚さのSi膜である。
このように、高い入射角度のX線の全反射領域でも、多層膜構成にすることで高反射のミラーが作成可能となり、X線露光装置の投影光学系に搭載すれば、X線露光装置の高性能化に大きく貢献できる。
1 基板
2 多層膜
2a 第1層
2b 第2層
3 保護層
2 多層膜
2a 第1層
2b 第2層
3 保護層
Claims (5)
- X線の全反射領域における入射角度で用いられるX線全反射ミラーであって、屈折率の異なる2つの材料層からなる積層ペアを少なくとも1ペア備えており、前記2つの材料層のうちの一方と同じ材料からなる単層膜構成のX線全反射ミラーと同じ入射角度で同じ理論反射率を得るように最適化された多層膜構成の反射膜を有することを特徴とするX線全反射ミラー。
- 一方の材料層がMo、RuおよびRhのうちの少なくとも1つを含む材料からなり、他方が、Si、Be、P、Sr、RbおよびRbCのうちの少なくとも1つを含む材料からなることを特徴とする請求項1記載のX線全反射ミラー。
- 各ペアの2つの材料層が、それぞれスパッタリング法または蒸着法によって成膜されていることを特徴とする請求項1または2記載のX線全反射ミラー。
- 最上層として、C、Ru、Si、SiO2 およびB4 Cのうちの少なくとも1つを含む保護層が設けられていることを特徴とする請求項1ないし3いずれか1項記載のX線全反射ミラー。
- 請求項1ないし4いずれか1項記載のX線全反射ミラーを含む投影光学系を備えたことを特徴とするX線露光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003391606A JP2005156201A (ja) | 2003-11-21 | 2003-11-21 | X線全反射ミラーおよびx線露光装置 |
US10/990,493 US20050117233A1 (en) | 2003-11-21 | 2004-11-18 | X-ray total reflection mirror and X-ray exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003391606A JP2005156201A (ja) | 2003-11-21 | 2003-11-21 | X線全反射ミラーおよびx線露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005156201A true JP2005156201A (ja) | 2005-06-16 |
Family
ID=34616415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003391606A Pending JP2005156201A (ja) | 2003-11-21 | 2003-11-21 | X線全反射ミラーおよびx線露光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050117233A1 (ja) |
JP (1) | JP2005156201A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007043414A1 (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-19 | Nikon Corporation | 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2007163610A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Canon Inc | 多層膜ミラー、多層膜ミラーを備えた光学系 |
US7948675B2 (en) | 2005-10-11 | 2011-05-24 | Nikon Corporation | Surface-corrected multilayer-film mirrors with protected reflective surfaces, exposure systems comprising same, and associated methods |
JP2011530184A (ja) * | 2008-08-06 | 2011-12-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置用の光学素子、かかる光学素子を含むリソグラフィ装置、およびかかる光学素子を製造する方法 |
JP2013502705A (ja) * | 2009-08-21 | 2013-01-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 反射光学素子及びその生産方法 |
JP2013137307A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-07-11 | Canon Inc | X線導波路及びx線導波システム |
JP2014511570A (ja) * | 2011-02-24 | 2014-05-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | かすめ入射リフレクタ、リソグラフィ装置、かすめ入射リフレクタ製造方法、およびデバイス製造方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4566791B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2010-10-20 | キヤノン株式会社 | 軟x線多層膜反射鏡 |
US7599112B2 (en) * | 2005-10-11 | 2009-10-06 | Nikon Corporation | Multilayer-film mirrors, lithography systems comprising same, and methods for manufacturing same |
DE102009029471A1 (de) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel zur Verwendung in einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
DE102011005543A1 (de) | 2011-03-15 | 2012-09-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Korrektur der Oberflächenform eines Spiegels |
US9249501B2 (en) | 2011-05-18 | 2016-02-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Surface correction on coated mirrors |
KR20180034453A (ko) * | 2015-06-30 | 2018-04-04 | 수프리야 자이스왈 | 극자외선 및 연질 x선 광학소자용의 코팅 |
CN109298475B (zh) * | 2018-12-06 | 2021-05-04 | 中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所 | Cr/C高热稳定性X射线多层膜反射镜及其制备方法 |
US11143604B1 (en) * | 2020-04-06 | 2021-10-12 | Kla Corporation | Soft x-ray optics with improved filtering |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5310603A (en) * | 1986-10-01 | 1994-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-layer reflection mirror for soft X-ray to vacuum ultraviolet ray |
US5485499A (en) * | 1994-08-05 | 1996-01-16 | Moxtek, Inc. | High throughput reflectivity and resolution x-ray dispersive and reflective structures for the 100 eV to 5000 eV energy range and method of making the devices |
US6643353B2 (en) * | 2002-01-10 | 2003-11-04 | Osmic, Inc. | Protective layer for multilayers exposed to x-rays |
-
2003
- 2003-11-21 JP JP2003391606A patent/JP2005156201A/ja active Pending
-
2004
- 2004-11-18 US US10/990,493 patent/US20050117233A1/en not_active Abandoned
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007043414A1 (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-19 | Nikon Corporation | 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
US7948675B2 (en) | 2005-10-11 | 2011-05-24 | Nikon Corporation | Surface-corrected multilayer-film mirrors with protected reflective surfaces, exposure systems comprising same, and associated methods |
JP5061903B2 (ja) * | 2005-10-11 | 2012-10-31 | 株式会社ニコン | 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2007163610A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Canon Inc | 多層膜ミラー、多層膜ミラーを備えた光学系 |
JP2011530184A (ja) * | 2008-08-06 | 2011-12-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置用の光学素子、かかる光学素子を含むリソグラフィ装置、およびかかる光学素子を製造する方法 |
KR101753212B1 (ko) | 2008-08-06 | 2017-07-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치용 광학 요소, 이러한 광학 요소를 포함하는 리소그래피 장치 및 광학 요소 생성 방법 |
US9897930B2 (en) | 2008-08-06 | 2018-02-20 | Asml Netherlands B.V. | Optical element comprising oriented carbon nanotube sheet and lithographic apparatus comprising such optical element |
JP2013502705A (ja) * | 2009-08-21 | 2013-01-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 反射光学素子及びその生産方法 |
JP2014511570A (ja) * | 2011-02-24 | 2014-05-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | かすめ入射リフレクタ、リソグラフィ装置、かすめ入射リフレクタ製造方法、およびデバイス製造方法 |
US9377695B2 (en) | 2011-02-24 | 2016-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Grazing incidence reflectors, lithographic apparatus, methods for manufacturing a grazing incidence reflector and methods for manufacturing a device |
TWI576669B (zh) * | 2011-02-24 | 2017-04-01 | Asml荷蘭公司 | 掠角入射反射器、微影裝置、製造掠角入射反射器的方法及製造元件的方法 |
JP2013137307A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-07-11 | Canon Inc | X線導波路及びx線導波システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050117233A1 (en) | 2005-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6661724B2 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
JP2005156201A (ja) | X線全反射ミラーおよびx線露光装置 | |
JP5194888B2 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法 | |
JP4532533B2 (ja) | Euv露光用マスクブランクおよびeuv露光用マスク | |
JP2007183525A (ja) | 誘電体多層膜フィルタ | |
JP5292747B2 (ja) | 極端紫外線用反射型フォトマスク | |
EP2015139A1 (en) | Reflective photomask blank, process for producing the same, reflective photomask and process for producing semiconductor device | |
JP7372494B2 (ja) | 偏光板及び偏光板の製造方法 | |
JP2005308722A (ja) | 軟x線多層膜反射鏡および軟x線反射光学系 | |
JP2013156619A (ja) | Irカット機能付きndフィルタ | |
JP2011022012A (ja) | 光学素子 | |
JP2007057450A (ja) | 多層膜反射鏡および露光装置 | |
KR102644109B1 (ko) | 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크 | |
JP2006259124A (ja) | コールドミラー | |
JP7226389B2 (ja) | 反射型マスクブランク用膜付き基板及び反射型マスクブランク | |
JPH06174897A (ja) | 多層膜x線ミラーおよび多層膜x線光学系 | |
JPH10253802A (ja) | 反射防止膜 | |
JPH0634107B2 (ja) | X線用多層膜反射鏡 | |
WO2019230475A1 (ja) | 偏光板及びその製造方法、並びに光学機器 | |
JP5945214B2 (ja) | 光学部品 | |
JP2006079795A (ja) | 光記録媒体 | |
JP2008151983A (ja) | 多層膜反射鏡 | |
JP6546391B2 (ja) | 多層膜反射鏡およびeuv光装置 | |
JP2006153528A (ja) | 軟x線多層膜反射鏡、軟x線多層膜反射鏡による投影光学系を備えた露光装置 | |
JP2009109193A (ja) | 軟x線光学素子の製造方法 |