JP2010261951A - ゾーン最適化ミラー及び同ミラーを用いた光学系 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】極端紫外(EUV)又はX線放射光18を反射するためのゾーン最適化ミラーMZは、コーティングC1、C2、…Cnを有する二以上のほぼ区分されたゾーンZ1、Z2、…Znを有する反射面Sを備える。各コーティングは、放射光の入射角のうち所定範囲を最適に反射させる。一以上のゾーン最適化ミラーを有するEUV光学系10とEUVリソグラフィ200も開示されている。
【選択図】図4
Description
図3は、コーティングCを有する面Sを有する先行技術のEUV又はX線ミラーM0の概略図である。コーティングCは、単一のミラー「ゾーン」Zにおいて空間的にほぼ均一な単一層(フィルム)からなる。ミラーM0は放射源LSに対して配されるように示されており、放射源LSは基準軸ARに対し角度θでEUV又はX線による光子の電磁放射18を発生させる。出射された放射光18は、光線20によって概略的に表されており、光線20はEUV又はX線の波長λを有する。ミラーM0は、限定された光源角度範囲Δθ1、従って法線入射光線角度φの限定された法線入射角範囲Δφ1における単一ゾーンZとされるところで光線20を受ける。
<製造例>
一つの実施例においては、法線入射と斜入射のゾーン最適化EUV及びX線ミラーMZのコーティングCnは、マグネトロンスパッタリングとしても知られている物理蒸着(PVD)を用いてミラー面に施される。一方、他の実施例では、コーティングCnは、電気鋳造、蒸着、或いはイオンビーム蒸着(IBD)等の他の蒸着技術を用いて施すこともできる。他の実施例においては、ゾーン最適化ミラーMZの反射面は、反射面が所定の曲率を有するように構成された硬質なシェル等、電気鋳造のモノリシック構造によって支持される。
図8は、マルチレイヤの周期(nm)と斜入射角α(度)の関数としてMo/Siマルチレイヤの算出された反射率Rを等高線で示したプロット図である。二つの楕円E1及びE2は、所定の斜入射角範囲Δαにおいて最適な反射係数Rが得られる領域を示す。特に、楕円E1は、約20°≦α≦22.5°の関連する斜入射角範囲Δα1を有し、楕円E2は、約22.5°≦α≦25°の関連する斜入射角範囲Δα2を有する。マルチレイヤ周期(つまり、楕円の垂直方向の長さ)において+/−1%オーダの変動によっては、反射率Rが大きく損なわれることはない。よって、当該斜入射角範囲Δαのマルチレイヤ周期における変動においては十分な許容範囲がある。
本発明のいくつかの観点によれば、一以上のゾーン最適化ミラーMZを有するEUV及びX線光学系がある。かかる光学系の例をEUV集光器に関連させて説明する。かかる集光器はEUVマイクロリソグラフィシステムにおいて使用することができる。EUV集光器の例はMo/Si及びRuの反射コーティングの組み合わせを用い、角度範囲Δα〜40°において作用する。単一のRuコーティングによる同様の構成に比べ、本構成は、通常8〜12個のミラーを用いるのに比べ4個のミラーしか用いない。
図12は、本発明によるEUVリソグラフィシステム(「システム」)200の一例である。システム200はシステム軸ASとEUV光源206とを有する。同光源は例えばλ=13.5nmで放射光18を出射するホットプラズマ源である。放射光18は、例えば、リチウム、ゼノン或いは錫のターゲットに対するレーザビーム(レーザ生成プラズマ、つまりLPP源)や放電源(放電生成プラズマ、つまりDPP源等)によって生成される。かかる光源から出射される放射光18は、ほぼ等方性があり、現在のDPP光源では、放電電子によって光軸ASに対しておよそθ=60°以上の光源出射角に制限される。EUVリソグラフィの例は、例えば、米国特許出願US2004/0265712A1、US2005/0016679A1及びUS2005/0155624A1に開示されており、これらの出願はここに引用して本願の一部とする。
Claims (21)
- 極端紫外(EUV)又はX線放射光を反射するためのゾーン最適化ミラーであって、
それぞれコーティングを有する二以上のほぼ区分されたゾーンを有する反射面を備え、
前記コーティングはそれぞれ、前記EUV又はX線放射光の入射角のうち所定範囲を反射させる、
ゾーン最適化ミラー。 - 前記コーティングのうち少なくとも一つのコーティングは単一層の材料からなり、他のコーティングのうち少なくとも一つのコーティングは複数層の材料からなる、
請求項1に記載のゾーン最適化ミラー。 - 前記コーティングのうち少なくとも一つのコーティングは、Mo単一層からなり、他のコーティングのうち少なくとも一つのコーティングはRu単一層からなる、
請求項1に記載のゾーン最適化ミラー。 - 前記単一層及び前記複数層の材料は、Mo、Ru及びSiを含む材料群から選択される、
請求項2に記載のゾーン最適化ミラー。 - 前記反射面は、楕円の切断面形状を有する、
請求項1に記載のゾーン最適化ミラー。 - 前記反射面は、電気鋳造されたモノリシック構造によって支持されている、
請求項1に記載のゾーン最適化ミラー。 - 隣接するゾーンは、円滑に変化する遷移領域によって区切られている、
請求項1に記載のゾーン最適化ミラー。 - 各ゾーンは空間的に変化する反射率を有する、
請求項1に記載のゾーン最適化ミラー。 - 請求項1に記載のゾーン最適化ミラーを少なくとも一つ備える、
極端紫外(EUV)又はX線放射光を結像するイメージングシステム。 - 放射源からEUV又はX線放射光を集光する集光器であって、
前記放射源を通る光軸周りに配された一以上のミラーを備え、
前記ミラーのうち少なくとも一つは、二以上のほぼ区分されたゾーンがある反射面を有するゾーン最適化ミラーであり、
各ゾーンは、前記EUV又はX線放射光が入射する角度のうち所定の範囲のものを反射させる、
集光器。 - 各々が楕円形の切断面形状である、4〜6の同心円状に配されたミラーからなり、前記ミラーのうち少なくとも二つはゾーン最適化ミラーである、
請求項10に記載の集光器。 - 前記一以上のミラーは、二つの共役焦点を形成し、前記二つの共役焦点間において放射光は1回のみ反射する、
請求項10に記載の集光器。 - 最も外側のミラーの次のミラーは3つのゾーンを有し、
最も外側のミラーは二つのゾーンを有する、
請求項10に記載の集光器。 - 最も外側のゾーン最適化ミラーの次のゾーン最適化ミラーは、約20°から約25°の間の斜入射角αの第1の範囲を選択的に反射させ、
最も外側のゾーン最適化ミラーは、約33°から約41°の間の斜入射角αの第2の範囲を選択的に反射させる、
請求項13に記載の集光器。 - 隣接するゾーンは、円滑に変化する反射率遷移領域によって区切られている、
請求項10に記載の集光器。 - 反射マスクに照射するための極端紫外(EUV)又はX線リソグラフィシステムであって、
EUV又はX線放射光の光源と、
集光された放射光を受光し生成する請求項8に記載の集光光学系と、
集光された放射光を受光し、前記反射マスクに照射するための集光光を生成する集光装置と、
を備える、リソグラフィシステム。 - 光電性の半導体ウエハにパターン化された像を形成する請求項16記載のEUV又はX線リソグラフィシステムであって、
前記反射マスクの下流側に配され、前記反射マスクから反射光を受光し、前記光電性の半導体ウエハにパターン化された像を形成する投射光学系、
を更に備える、リソグラフィシステム。 - 極端紫外(EUV)又はX線波長放射光のためのゾーン最適化ミラーの形成方法であって、
a)ミラー面をn≧2個のゾーンZnに分割し、
b)各ゾーンZnについて、前記ミラー面に入射する放射光の入射角のうち対応する入射角範囲を決定し、
c)各ゾーンZnについて、前記対応する入射角範囲の放射光の反射率Rnをほぼ最適化する最適コーティングCnを決定し、
d)各ゾーンZnについて、前記反射率Rnをほぼ最適化する対応するコーティングCnを蒸着させる、
ことを含む、方法。 - 隣接するゾーンは、前記反射率が円滑に変化する遷移領域によって区切られている、
請求項18に記載の方法。 - 各々が手順a)からd)を行うことによって形成された複数のゾーン最適化ミラーを組み合わせて、EUV又はX線光学系を形成することを更に含む、
請求項18に記載の方法。 - 前記EUV又はX線光学系を使用して光電性基材のパターンを形成することを含む、
請求項20に記載の方法。
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